Site Loader

Микросхема TDA2030 схема включения — Справочник по микросхемам

Усилитель класса АВ предназначен для использования в качестве усилителя мощности в бытовой технике. Микросхема TDA2030 имеет тепловую защиту и защиту от короткого замыкания выхода на корпус. Коэффициент усиления в усилителях с обратной связью не должен быть меньше 24 дБ.

Рис.1. Цоколевка микросхемы TDA2030

Рис.2. Схема включения микросхемы TDA2030 с двуполярным питанием

Рис.3. Печатная плата усилителя на TDA2030 с двуполярным питанием

Рис.4. Схема включения микросхемы TDA2030 с однополярным питанием

Рис.5. Печатная плата усилителя на TDA2030 с однополярным питанием

Коэффициент усиления в усилителях с обратной связью не должен быть меньше 24 дБ. Рекомендованные значения навесных элементов приведены в таблице, но могут быть использованы и другие значения. Таблица предназначена для ориентирования разработчиков автоаппаратуры.

Рекомендованные значения внешних элементов микросхемы TDA2030

Обозначение Рекомендуемое значения Назначение Больше рекомендованного Меньше рекомендованного
C1 1 мкФ Входная развязка по постоянному току Увеличение нижней частоты среза
C2 22 мкФ Развязка по постоянному току инвертирующего входа Повышение нижней частоты среза
C3, C4 0,1 мкФ
Развязка по питанию
Опасность генерации
C5, C6 100 мкФ Развязка по питанию Опасность генерации
C7 0,22 мкФ Частотная стабилизация Опасность генерации
C8 1/(2π*F*R1) Верхняя частота среза Уменьшение полосы пропускания Увеличение полосы пропускания
R1 22 кОм Коэффициент усиления Увеличение усиления Уменьшение усиления
R2 680 Ом Коэффициент усиления Уменьшение усиления Увеличение усиления
R3 22 кОм Смещение неинвертирующего входа Увеличение входного сопротивления Уменьшение входного сопротивления
R4 1 Ом Частотная стабилизация Опасность генерации на высоких частотах с индуктивной нагрузкой
R5 3*R2
Верхняя частота среза
Плохое ослабление высоких частот Опасность генерации

Защитные цепи микросхемы TDA2030 ограничивают выходные токи выходных транзисторов таким образом, что их рабочие режимы не выходят за пределы зоны безопасной работы. Эта функция скорей может быть отнесена к классу ограничителей пиковой мощности, чем к ограничителям тока. Благодаря ей значительно уменьшается вероятность повреждения устройства в результате случайного короткого замыкания выхода усилителя на корпус.

Что касается тепловой защиты, то при повышении температуры кристалла выше 150°С, система тепловой защиты ограничивает ток потребления и рассеиваемую мощность. Поэтому даже постоянная перегрузка выхода или слишком высокая температура воздуха не приведут к порче микросхемы TDA2030. Радиатор можно делать без запаса на безопасность при перегреве, как это делается в классическом варианте теплового расчета.

Между микросхемой TDA2030 и теплоотводом изоляция не требуется. Рекомендуется применение теплопроводящей пасты.

Печатные платы и схемы включения для микросхемы TDA2030 полностью соответствуют TDA2006.

Микросхема TDA2030A: характеристики, datasheet и аналоги

Интегральная микросхема TDA2030A, согласно своим техническим характеристикам, предназначена для использования в качестве усилителя низкой частоты класса AB. Она включает в себя систему защиты от короткого замыкания и систему термического отключения. Построенные на ее основе УНЧ характеризуются небольшими искажениями.

Цоколевка

Рассмотрим цоколевку TDA2030A в корпусе Pentawat с пятью ножками, в котором она производится. Если смотреть со стороны маркировки сверху, то:

  • первая слева ножка это вход;
  • вторая инверсный вход;
  • четвертая выход.

Отрицательный полюс источника питания соединяют с третьей, а положительный с пятым выводом микросхемы.

Технические характеристики

Все параметры интегральной микросхемы, так же как и других радиокомпонентов, делятся на две категории: максимально допустимые и электрические. Все данные получены путём тестирования при температуре окружающей среды +25ОС, если для конкретного значения не указаны другие условия.

Предельные характеристики TDA2030A:

  • максимальное напряжение питания VS = ± 22 В;
  • предельно возможное напряжение на входе микросхемы Vi = ± 22 В;
  • наибольшая разность напряжений между прямым и инверсным входами V
    i
    = ± 15 В;
  • максимальный пиковый выходной ток IO = 3,5 А;
  • наибольшая мощность рассеивания (при Tcase=90 ОС) Ptot = 20 Вт;
  • диапазон температур, при которых может храниться прибор от -40 до +150 ОС;

Кроме предельных существуют также электрические параметры. Напряжение питания при тестировании VS = ± 22 В, температура окружающего воздуха Tamb=25 ОС. На рисунке ниже приведена схема, которая использовалась для определения параметров.

  • напряжение питания VS от ± 6 до ± 22 В;
  • ток покоя Id номинальный 50 мА, максимальный 80 мА;
  • ток смещения на входе Ib (при VS=±22 В) номинальный 0,2 мкА, максимальный 2 мкА;
  • напряжение смещения на входе Vos (при VS= ±22 В) номинальное ±2 В, максимальное ±20 В;
  • ток сдвига на входе номинальный ±20 нА, максимальный ±200 нА;
  • выходная мощность Po (частота входного сигнала от 40 до 15 000 Гц):
    • при сопротивлении динамика RL= 4 Ом минимальная 15 Вт, номинальная 18 Вт;
    • при сопротивлении динамика RL= 8 Ом минимальная 10 Вт, номинальная 12 Вт;
    • при сопротивлении динамика RL= 4 Ом и питающем напряжении VS = ± 19 В минимальная 13 Вт, номинальная 16 Вт;
  • полоса пропускания BW (выходная мощность Po = 15 Вт, сопротивление динамиков RL=4) 100 кГц;
  • скорость нарастания SR = 8 В/мкс;
  • коэффициент усиления без обратной связи при частоте на входе f = 1 кГц: Gv = 80 дБ;
  • коэффициент усиления с обратной связью при частоте на входе f = 1 кГц минимальная 25,5 дБ, номинальная 26 дБ, максимальная 26,5 дБ;
  • величина гармонических искажений:
    • для значений выходная мощность от 0,1 до 14 Вт, сопротивление динамиков RL= 4 Ом, частота входного сигнала f от 40 до 15 000 Гц равна 0,08%;
    • для значений выходная мощность от 0,1 до 14 Вт, сопротивление динамиков RL= 4 Ом, частота входного сигнала f 1 000 Гц равна 0,03%;
    • для значений выходная мощность от 0,1 до 9 Вт, сопротивление динамиков RL= 8 Ом, частота входного сигнала f от 40 до 15 000 кГц равна 0,5%;
    • величина интермодуляционных искажений второго уровня (параметры измерения: выходная мощность PO= 4 Вт, сопротивление динамиков RL=4 Ом, расстояние между частотами f2–f1= 1 кГц) 0,03%;
  • величина интермодуляционных искажений третьего уровня (частота сигналов f1= 14kHz, f2= 15kHz 2f
    1
    –f2= 13kHz) 0,08%;
  • величина напряжения шума на входе от 2 до 10 мкВ;
  • ток шума на входе от 50 до 100 пА;
  • отношение сигнал шум
    • при мощности на выходе 15 Вт равна 106 дБ;
    • при мощности на выходе 1 Вт равна 94 дБ;
  • входное сопротивление на ножке 1 в усилителе без обратной связи при частоте входного сигнала 1 кГц минимальное 0,5 МОм, номинальное 5МОм;
  • максимальная температура, при которой микросхема отключается 145 ОС;

Существует также схема включения с однополярным источником питания.

Для неё характеристики будут отличаться от приведённых выше. Ниже приведена тестовая схема, которая использовалась для определения значений параметров этих устройств.

  • напряжение питания номинальное 36 В, максимальное 44 В;
  • ток покоя Id номинальный (напряжение питания 36 В) 50 мА;
  • выходная мощность Po (частота входного сигнала от 40 до 15 000 Гц):
    • при сопротивлении динамика RL= 4 Ом частоте входного сигнала от 40 до 15 000 Гц, питающем напряжении 39 В номинальная 35 Вт;
    • при сопротивлении динамика RL= 8 Ом частоте входного сигнала от 40 до 15 000 Гц, питающем напряжении 36 В, номинальная 28 Вт;
    • при сопротивлении динамика RL= 4 Ом частоте входного сигнала от 1 000 Гц, питающем напряжении 39 В, номинальная 35 Вт;
  • коэффициент усиления при частоте на входе f = 1 кГц минимальное 19,5 дБ, номинальное 20 дБ, максимальное 20,5;
  • скорость нарастания SR = 8 В/мкс;
  • величина гармонических искажений:
    • для значений: выходная мощность 20 Вт, частота входного сигнала f от 40 до 15 000 Гц равна 0,05%;
    • для значений: выходная мощность 20 Вт, частота входного сигнала f 1 000 Гц равна 0,02%;
  • чувствительность на входе (измеренная при таких значениях параметров: коэффициент усиления 20 дБ, выходная мощность 20 Вт, частота сигнала 1 кГц, сопротивление динамиков 4 Ом) равна 890 мВ;
  • Отношение сигнал шум равно 100 дБ.

Аналоги

Существуют микросхемы которые можно назвать аналогами TDA2030A, но отличающиеся только максимальным напряжением питания:

  • TDA2040;
  • TDA2050;
  • LM1875;
  • D1875;
  • К174УН19.

Перечислим ИС которые отличаются от исходной корпусом, поэтому при замене может возникнуть проблема с их установкой: TDA2030AL, TDA2030AV (монтируется вертикально), TDA2030AH (для установки параллельно плате)

Производители

Ниже в списке приведём производителей TDA2030A и их DataSheet:

  • Unisonic Technologies,
  • STMicroelectronics,
  • Tiger Electronic.

Наиболее часто в магазинах можно встретить изделия компании STMicroelectronics. Реже встречаются микросхемы сделанные компанией Unisonic Technologies.

DataSheet PDF Search Site




Новые списки

тгс
Номер детали Функция Производители ПДФ
2525 ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ ПИТАНИЯ USB
Аллегро МикроСистемс
2526 ДВОЙНЫЕ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ ПИТАНИЯ USB
Аллегро МикроСистемс
2535 ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ ПИТАНИЯ USB
Аллегро МикроСистемс
2536 ДВОЙНЫЕ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ ПИТАНИЯ USB
Аллегро МикроСистемс
2SA995 ПНП Транзистор
И Т. Д.
2SB1412 Кремниевый силовой транзистор PNP
Сменный полупроводник
2SB1669-Z Кремниевый силовой транзистор PNP
Сменный полупроводник
2SB768 Кремниевый силовой транзистор PNP
Замена полупроводника
2SB768 Кремниевый PNP-транзистор
Кексин
2SC2314 NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ПЛАНАРНЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ



Лист данных PDF Search Site




Новые списки

Номер детали Функция Производители ПДФ
2525 ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ ПИТАНИЯ USB
Аллегро МикроСистемс
2526 ДВОЙНЫЕ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ ПИТАНИЯ USB
Аллегро МикроСистемс
2535 ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ ПИТАНИЯ USB
Аллегро МикроСистемс
2536 ДВОЙНЫЕ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ ПИТАНИЯ USB
Аллегро МикроСистемс
2SA995 ПНП Транзистор
И Т.

alexxlab

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *