Распиновка кт815: КТ815 характеристики транзистора, аналог, цоколевка, даташит — RC74 — интернет-магазин радиоуправляемых моделей

Содержание

КТ815 транзистор: характеристики, цоколевка, аналоги, параметры

Транзистор КТ815 – кремниевый эпитаксиально-планарный, низкочастотный, мощный биполярный транзистор n-p-n структуры. Предназначен для использование в схемах усилителей низкой частоты, в дифференциальных и операционных усилителях, в импульсных устройствах и различных преобразователях. Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Цоколевка транзистора КТ815

Маркировка транзистора КТ815

Маркировка встречается двух видов:
1. На корпусе указывают полное название транзистора. (Не кодированная)
2. Кодированная четырехзначная маркировка. Первый знак цифра 5 (для КТ815), второй знак – буква указывающая класс. Два последних символа означают месяц и год выпуска.
5А – КТ815А
5Б – КТ815Б
5В – КТ815В
5Г – КТ815Г

Характеристики транзистора КТ815

Транзистор	Uкбо(и),В	Uкэо(и), В	Iкmax(и), А	Pкmax(т), Вт	h31э	fгр. , МГц
КТ815А	40	25	1,5 (3)	10	40	3
КТ815Б	50	40	1,5 (3)	10	40	3
КТ815В	70	60	1,5 (3)	10	40	3
КТ815Г	100	80	1,5 (3)	10	30	3

Uкбо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-база
Uкэо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер

Iкmax(и) — Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора
Pкmax(т) — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом)
h31э — Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
fгр — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером

Аналоги транзистора КТ815

КТ815Б: BD135
КТ815В: BD137
КТ815Г: BD139

Транзистор КТ815 — DataSheet

Цоколевка транзистора КТ815

**Параметры транзистора КТ815**
Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ815А	—	*BD165, TIP29, 2N4921, 2N4910 ^3, DTL1651 ^1, 2SD146 ^1, 2SD236 ^1*
		КТ815Б	—	*BD167, MJE720, 2SC1419 ^3, BD233 ^2, BD813 ^3 , BD165**
		КТ815В	—	*BD169, MJE721, KD235, BD815 ^3, BD167, 2N1481 ^1, 2N1479 ^3, 2N4922 ^2, 2N4911 ^3, 2SD147 ^3*
		КТ815Г	—	*BD818, MJE722, 2N1482 ^1, 2N1480 ^1, BD169 ^2, 2N4923, 2N4912 ^3, DT41653 ^3**
Структура			—	n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	P_K max,P^* _{K, τ max},P^**_{K, и max}	КТ815А	—	10*	Вт
		КТ815Б	—	10*
		КТ815В	—	10*
		КТ815Г	—	10*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	f_гр,f^_h31б,f^_h31э, f^**_max	КТ815А	—	≥3	МГц
		КТ815Б	—	≥3
		КТ815В	—	≥3
		КТ815Г	—	≥3
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	U_{КБО проб. ,}U^_{КЭR проб.,}U^*_{КЭО проб.}	КТ815А	0.1к	40*	В
		КТ815Б	0.1к	50*
		КТ815В	0.1к	70*
		КТ815Г	0.1к	100*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	U_{ЭБО проб.,}	КТ815А	—	5	В
		КТ815Б	—	5
		КТ815В	—	5
		КТ815Г	—	5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	I_{K max,} I^*_{К , и max}	КТ815А	—	*1.5(3)**	А
		КТ815Б	—	*1.5(3)**
		КТ815В	—	*1.5(3)**
		КТ815Г	—	*1.5(3)**
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	I_КБО, I^_КЭR , I^*_КЭO	КТ815А	40 В	≤0.05	мА
		КТ815Б	40 В	≤0.05
		КТ815В	40 В	≤0.05
		КТ815Г	40 В	≤0.05
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h_21э, h^*_21Э	КТ815А	2 В; 0.15 А	≥40*
		КТ815Б	2 В; 0.15 А	≥40*
		КТ815В	2 В; 0.15 А	≥40*
		КТ815Г	2 В; 0.15 А	≥30*
Емкость коллекторного перехода	c_к, с^*_12э	КТ815А	5 В	≤60	пФ
		КТ815Б	5 В	≤60
		КТ815В	5 В	≤60
		КТ815Г	5 В	≤60
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	r_{КЭ нас}, r_{БЭ нас, К}^*_у.р.	КТ815А	—	≤1.2	Ом, дБ
		КТ815Б	—	≤1.2
		КТ815В	—	≤1.2
		КТ815Г	—	≤1.2
Коэффициент шума транзистора	К_ш, r^_b, P^*_вых	КТ815А	—	—	Дб, Ом, Вт
		КТ815Б	—	—
		КТ815В	—	—
		КТ815Г	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τ_к, t_рас, t^_выкл, t^**_пк(нс)	КТ815А	—	—	пс
		КТ815Б	—	—
		КТ815В	—	—
		КТ815Г	—	—

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Параметры КТ815

Поделиться ссылкой:

Среднемощный кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор n-p-n структуры. Широко применяется в виде ключа и в линейных схемах. Часто в усилителях звуковой частоты, в импульсных схемах, преобразователях и генераторах.


Структура	Цоколевка КТ815	Корпус КТ815


Маркировка КТ815 (кодированая)	Маркировка КТ815 (некодированая)

Выпускаются в двух корпусах из пластмассы, КТ-27 (ТО-126) и КТ-89 (DPAK).

Маркировка КТ815 бывает кодированая, четыре знака в одну строку и некодированая в две строки. В кодированной первая буква означает принадлежность к серии 815, вторая буква группу (характеристики), а две последующие месяц и год когда он был выпущен. В некодированной маркировке в верхней строке указывается дата выпуска а во второй сама маркировка. У транзисторов в корпусе КТ-89 (DPAK) после буквы означающей группу присутствует цифра 9, пример — КТ815А9.

Кроме того существует цветовая маркировка КТ815. Торец транзистора (сверху) окрашен в серый или сиренево — фиолетовый цвет обозначающий принадлежность к серии 815. Группа в этом случае никак не обозначаются.

Транзистор КТ815является комплементарной парой транзистору КТ814.

Аналоги КТ815 — BD135, BD137, BD139, TIP29C, TIP61C

Основные электрические параметры КТ815 при Т окр. среды = 25 °С

	КТ815А	КТ815Б	КТ815В	КТ815Г
Граничное напряжение к-э (Uкэо гp.), В	30	45	65	85
Обратный ток коллектора (Iкбо), мкА	50	50	50	50
Обратный ток кол.-эмиттер (Iкэr), мкА	100	100	100	100
Коэффициент передачи тока, h31э	275	275	275	275
Напряжение насыщения к-э (Uкэ нас), В	0,5	0,6	0,6	0,6

Характеристики КТ815:

	КТ815А	КТ815Б	КТ815В	КТ815Г
Напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ max), В	40	50	70	100
Напряжение эмиттер-база (Uэб max), В	5	5	5	5
Постоянный ток коллектора (Iк max), А	1,5	1,5	1,5	1,5
Импульсный ток коллектора (Iки max), А	3	3	3	3
Максимально допустимый ток базы (Iб max), А	0,5	0,5	0,5	0,5
Рассеиваемая мощность коллектора (Pк max), Вт	10	10	10	10
Температура перехода (Tпер), град. цельсия	150	150	150	150

Анекдот:

Пиво -это жидкий хлеб
Водка — жидкое мясо
Бывает, как наделаю бутербродов…

Транзисторы П213 и КТ815 — маркировка и цоколевка.

Транзисторы КТ815

Транзисторы КТ815 — кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры — n-p-n.
Применяются в усилительных и генераторных схемах. Корпус пластмассовый, с гибкими выводами.
Масса — около 1 г. Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса, может быть двух типов.

Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и некодированная — в две. Первый знак в кодированной маркировке КТ815 цифра 5, второй знак — буква, означающая класс. Два следующих знака, означают месяц и год выпуска. В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке. На рисунке ниже — цоколевка и маркировка КТ815.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока
У транзисторов КТ815А, КТ815Б, КТ815В от 30.
У транзисторов КТ815Г — от 20.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
У транзисторов КТ815А — 25 в.
У транзисторов КТ815Б — 45 в.
У транзисторов КТ815В — 60 в.
У транзисторов КТ815Г — 80 в.

Максимальный ток коллектора — 1,5 А постоянный, 3 А — импульсный.

Рассеиваемая мощность коллектора. — 10 Вт на радиаторе, 1 Вт — без.

Обратный ток колектора.
При напряжении коллектор-база 40 в — 50 мкА

Сопротивление базы. При напряжении эмиттер-база 5 в, токе коллектора 5 мА, на частоте 800 кГц — не более 800 Ом.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А
— не более 0,6 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А
— не более 1,2 в.

Емкость коллекторного перехода при частоте 465 кГц и напряжении коллектор-база 5в — 60 пФ.

Граничная частота передачи тока — 3 МГц.

На главную страницу

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

КТ815 — биполярный кремниевый NPN транзистор — параметры, использование, цоколёвка. — Биполярные отечественные транзисторы — Транзисторы — Справочник Радиокомпонентов — РадиоДом

Основные технические параметры транзистора КТ815

Прибор	Предельные параметры									Параметры при T = 25°C											R_{Т п-к}, °C/Вт
			при T = 25°C
	I_{К, max}, А	I_{К и, max}, А	U_{КЭ0 гр}, В	U_{КБ0 max}, В	U_{ЭБ0 max}, В	P_{К max}, Вт	T_К, °C	T_{п max}, °C	T_{К max}, °C	h_21Э	U_КЭ, В	I_К, А	U_{КЭ нас}, В	I_КБ0, мА	f_гр, МГц	К_ш, дБ	C_К, пФ	C_Э, пФ	t_вкл, мкс	t_выкл, мкс
КТ815 А	1,5	3	25		5	10	25	125	100	40	2	0,15	0,6	0,05	3		60	75			10
КТ815 Б	1,5	3	40		5	10	25	125	100	40	2	0,15	0,6	0,05	3		60	75			10
КТ815 В	1,5	3	60		5	10	25	125	100	40	2	0,15	0,6	0,05	3		60	75			10
КТ815 Г	1,5	3	80		5	10	25	125	100	30	2	0,15	0,6	0,05	3		60	75			10

Обозначение на схеме КТ815

Цоколёвка транзистора КТ815

Внешний вид транзистора на примере КТ815В

Кт815 характеристики транзистора, аналог, цоколевка, даташит

Транзистор КТ817 — DataSheet

Параметр
Обозначение
Маркировка
Условия
Значение
Ед. изм.

Аналог

КТ817А
—
BD433, TIP31, 2N4231 *1, 2SD226 *3, SDT4307 *3, SDT4301 *3, HSE2000 *3, ZT1483A *1, KSh51 *3, 2N1483A *1, MJE520

КТ817Б
—
BD175, BD233, BD175, BD633 *3, 2N4231 *1, 2SD226 *3, SDT4307 *3, SDT4301 *3, ZT1483A *1, KSh51 *1, 2N1483A *1

КТ817В
—
BD177. BD235, 2N4232 *1, 2N1079 *1, 2SD226A *3, SDT4308 *3, SDT4302 *3, BD635 *3, ZT1484A *1, 2N1484A *1

КТ817Г
—
BD179, BD237, MJD31C *1, CJD31C *1, 2N3676 *1, 2SD129 *1, BD179, 2N4233 *1, 2SD390A *3, 2SD389A *3, 2SD366A *3, 2SD365A *3, 2SD318A *3, 2SD317A *3

КТ817Б-2
—

2SD880, BD933 *3, KD233 *2, BD233 *2, BD813 *2, 2SD235Y *1, 2SD1189FQ, 2SD1189FP,

2SD1189F, 2SD235G-Y *1

КТ817Г-2
—

BD179-16, 2SC1826, BD179-16 *1, PG1013 *1, BD179-10 *3, 2SD1381FQ, 2SD1381FP,

2SD1381F, PG1012 *3, 2SD880Y *3, 2SD1902R *3

Структура

—
n-p-n

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора

P_K max,P*_{K, τ max},P**_{K, и max}
КТ817А
—
25*
Вт
КТ817Б
—
25*

КТ817В
—
25*

КТ817Г
—
25*

КТ817Б-2
—
25*

КТ817Г-2
—
25*

Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером
f_гр,f*_h41б,f**_h41э, f***_max
КТ817А
—
≥3
МГц

КТ817Б
—
≥3

КТ817В
—
≥3

КТ817Г
—
≥3

КТ817Б-2
—
≥3

КТ817Г-2
—
≥3

Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
U_{КБО проб.,}U*_{КЭR проб.,}U**_{КЭО проб.}
КТ817А
1к
40*
В

КТ817Б
1к
45*

КТ817В
1к
60*

КТ817Г
1к
100*

КТ817Б-2
1к
45*

КТ817Г-2
1к
100*

Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
U_{ЭБО проб.,}
КТ817А
—
5

КТ817Б
—
5

КТ817В
—
5

КТ817Г
—
5

КТ817Б-2
—
5

КТ817Г-2
—
5

Максимально допустимый постоянный ток коллектора
I_{K max,} I*_{К , и max}
КТ817А
—
3(6*)
А

КТ817Б
—
3(6*)

КТ817В
—
3(6*)

КТ817Г
—
3(6*)

КТ817Б-2
—
3(6*)

КТ817Г-2
—
3(6*)

Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера

I_КБО, I*_КЭR, I**_КЭO
КТ817А
25 В
≤0.1
мА

КТ817Б
45 В
≤0.1

КТ817В
60 В
≤0.1

КТ817Г
100 В
≤0.1

КТ817Б-2
40 В
≤0.1

КТ817Г-2
40 В
≤0.1

Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером
h_21э, h*_21Э
КТ817А
2 В; 1 А
≥25*

КТ817Б
2 В; 1 А
≥25*

КТ817В
2 В;1 А
≥25*

КТ817Г
2 В; 1 А
≥25*

КТ817Б-2
5 В; 50 мА
≥100*
КТ817Г-2
5 В; 50 мА
≥100*

Емкость коллекторного перехода
c_к, с*_12э
КТ817А
10 В
≤60
пФ

КТ817Б
10 В
≤60

КТ817В
10 В
≤60

КТ817Г
10 В
≤60

КТ817Б-2
10 В
≤60

КТ817Г-2
10 В
≤60

Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером
r_{КЭ нас}, r*_{БЭ нас, К}**_у.р.
КТ817А
—
≤0.6
Ом, дБ

КТ817Б
—
≤0.6

КТ817В

—
≤0.6

КТ817Г
—
≤0.6

КТ817Б-2
—
≤0.08

КТ817Г-2
—
≤0.08

Коэффициент шума транзистора
К_ш, r*_b, P**_вых
КТ817А
—
—
Дб, Ом, Вт

КТ817Б
—
—

КТ817В
—
—

КТ817Г
—
—

КТ817Б-2
—
—

КТ817Г-2
—
—

Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте
τ_к, t*_рас, t**_выкл, t***_пк(нс)

КТ817А
—
—
пс
КТ817Б
—
—

КТ817В
—
—

КТ817Г
—
—

КТ817Б-2
—
—

KT817V Datasheet (PDF)

5.1. kt817a-b-v-g.pdf Size:699K _russia

5.2. kt8170.pdf Size:195K _integral

КТ8170
высоковольтный биполярный
эпитаксиально-планарный
n-p-n транзистор
Назначение
Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный. Предназначен для использования в
импульсных источниках питания, пускорегули

5.3. kt817.pdf Size:225K _integral

КТ817
n-p-n кремниевый
биполярный транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в
ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной апп

5.4. kt8177.pdf Size:196K _integral

КТ8177
кремниевый биполярный
эпитаксиально-планарный
p-n-p транзистор
Назначение
Транзистор p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе. Предназначен для
использования в усилителях и переключа

5.5. kt8176.pdf Size:196K _integral

КТ8176
кремниевый биполярный
эпитаксиально-планарный
n-p-n транзистор
Назначение
Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе. Предназначен для
использования в усилителях и переключа

Биполярный транзистор KT817G — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KT817G

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25

KT817G

Datasheet (PDF)

5.1. kt817a-b-v-g.pdf Size:699K _russia

5.2. kt8170.pdf Size:195K _integral

5.3. kt817.pdf Size:225K _integral

5.4. kt8177.pdf Size:196K _integral

5.5. kt8176.pdf Size:196K _integral

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

KT817B2 Datasheet (PDF)

5.1. kt817a-b-v-g.pdf Size:699K _russia

5.2. kt8170.pdf Size:195K _integral

5.3. kt817.pdf Size:225K _integral

5.4. kt8177.pdf Size:196K _integral

5.5. kt8176.pdf Size:196K _integral

Транзистор КТ817. Параметры, цоколевка, аналог

Содержание страницы

Транзистор КТ817 – это кремниевый биполярный транзистор n-p-n типа, изготовленный по эпитаксиально-планарной технологии.

Основное назначение КТ817 — применение в линейных и ключевых электрических схемах, модулях и блоках радио-электронных устройствах предназначенных для широкого использования.

U_кбо	— max напряжение коллектор-база
U_кбои	— max напряжение (импульсное) коллектор-база
U_кэо	— max напряжение коллектор-эмиттер
U_кэои	— max напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер
I_кmax	— max постоянный ток коллектора
I_кmax и	— max импульсный ток коллектора
P_кmax	— max рассеиваемая мощность коллектора без радиатора
P_кmax т	— max рассеиваемая мощность коллектора с радиатором
h_21э	— коэффициент усиления в схеме с ОЭ
I_кбо	— ток коллектора (обратный)
f_гр	— граничная частота h_21э в схеме с ОЭ
U_кэн	— напряжение насыщения перехода коллектор-эмиттер

ТО-126 (пластмасса) – КТ817А, Б, В, Г

DPAK (пластмасса) – КТ817А9, Б9, В9, Г9

Специфика КТ817

• Допустимая рабочая температура составляет: — 60…+ 150°C

• Комплиментарной парой транзистора КТ817 является КТ816

Биполярный транзистор KT817V — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KT817V

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25

KT817V

Datasheet (PDF)

5.1. kt817a-b-v-g.pdf Size:699K _russia

5.2. kt8170.pdf Size:195K _integral

5.3. kt817.pdf Size:225K _integral

5.4. kt8177.pdf Size:196K _integral

5.5. kt8176.pdf Size:196K _integral

КТ817 — биполярный кремниевый NPN транзистор — параметры, использование, цоколёвка. — Биполярные отечественные транзисторы — Транзисторы — Справочник Радиокомпонентов — РадиоДом

КТ817 — биполярный кремниевый NPN транзистор — параметры, использование, цоколёвка.

Прибор

Максимальные параметры

Параметры при температуре = 25°C

R_{Т п-к}, °C/Ватт

при температуре = 25°C

I_{К, max}, ампер

I_{К и, макс}, ампер

U_{КЭ0 гран}, вольт

U_{КБ0 макс}, вольт

U_{ЭБ0 макс}, вольт

P_{К макс}, ватт

T_К, °C

T_{п макс}, °C

T_{К макс}, °C

h_21Э

U_КЭ, вольт

I_Э, ампер

U_{КЭ насыщ}, вольт

I_КБ0, мАмпер

f_гр, МГц

К_ш, дБ

C_К, пФ

C_Э, пФ

t_вкл, мкс

t_выкл, мкс

КТ817А

150

100

0,6

0,1

115

КТ817Б

150

100

0,6

0,1

115

КТ817В

150

100

0,6

0,1

115

КТ817Г

150

100

0,6

0,1

115

KT817B Datasheet (PDF)

5.1. kt817a-b-v-g.pdf Size:699K _russia

5.2. kt8170.pdf Size:195K _integral

5.3. kt817.pdf Size:225K _integral

5.4. kt8177.pdf Size:196K _integral

5.5. kt8176.pdf Size:196K _integral

Оцените статью:

Транзистор КТ815: Характеристики, аналоги и цоколевка

В этой статье рассмотрим транзистор КТ815, его технические характеристики, цоколевку, узнаем какие существуют аналоги, а так же содержится ли в нем золото. Итак, КТ815 — довольно мощный биполярник, технология изготовления эпитаксиально-планарная, структура перехода n-p-n, базовый материал кремний . Устройство используется в разнообразных усилителях: НЧ, ДИФФ, операционных, или в другом оборудовании в качестве ключей.

Распиновка

Цоколевка КТ815 содержит информацию о том, на каком из трёх выводов находится эмиттер, коллектор и база. Наиболее распространён он в корпусе ТО-126 ( отечественное называние КТ-27). Если взять такой компонент контактами вниз и маркировкой к себе, то ножка слева – это Э, посредине – К, справа – Б. Кроме этого можно встретить данное устройство в корпусе КТ-89 (согласно международному стандарту DPAK). Расположение выводов показано на рисунке ниже.

На изображении также представлен вариант маркировки. Первая буква указывает на группу, например на КТ815А будет нанесено обозначение 5А. Последующие символы говорят о дате выпуска.

Технические характеристики

Производители, в своей документации, указывают максимально допустимые параметры своего изделия. Характеристики, при которых работает устройство, не должны их превышать, иначе КТ815 с большой вероятностью выйдет из строя. Также недопустима работа при режимах близких к максимальным.

Параметры, при которых производилось тестирование, указываются в технических характеристиках.

максимально допустимое постоянно действующее напряжение при сопротивлении Б-Э меньше 100 Ом U_кэmax = 40 В;
постоянное напряжение между U_{эбmax (максимально выдерживаемое)} = 5 В;
наибольший возможный ток I_кmax = 1,5 А;
предельно возможный импульсный ток, на протяжении промежутка времени меньше 10 мс I_киmax = 3 А;
наибольший возможный ток I_бmax = 0,5 А;
максимальная мощность, которая может рассеиваться на коллекторе в течении длительного времени (при температуре корпуса от -40^ОС до + 25^ОС) с теплоотводом – 10 Вт, без теплоотвода – 1 Вт;
максимальная температура перехода 150 ^ОС.

Далее в технических характеристиках идут электрические параметры. Их измерение также производится при температуре + 25^ОС, если другое не оговорено специально для конкретного значения. Остальные условия приведены в таблице.

Характеристики электрические транзистора КТ815:

Название параметра	Обозн	Режимы измерения	MIN	MAX	Ед. измер.
Граничное напряжение между коллектором и эмиттером	U_{кэо гp}	I_э=50mA t_и=0,3 — 1 мс	25		В
Обратный ток коллектора	I_кбо	U_КБ = 40 В Тк=-40…+25^ОС		50	мкА
Обратный ток коллектора	I_кбо	U_КБ = 40 В Тк=+100^ОС		1000	мкА
Напряжение насыщения перехода К-Э	U_{кэ нас}	I_к=0,5 A I_б=50 мA		0,6	В
Коэффициент передачи тока в схеме с общим Э (стат)	h_21э	U_кб=2 B I_э=0,15A	40	275
Граничная частота к-та передачи в схеме с общим эмиттером	f_гр		3		МГц
Входное сопротивление измеренное для режима малого сигнала	h_11э	U_кэ= 5 В I_к=5 мА f=800 Гц	800		Ом
Емкость на коллекторном переходе	с_к	U_кэ= 5 В f=465 Гц		60	пФ
Емкость на переходе Э	с_э	U_эб=0,5 В		75	пФ

Помимо этого в Datasheet также приводятся сведения о безопасности при монтаже. Не допускается пайка на расстоянии ближе 5 мм от корпуса. Температура припоя должна быть ниже +250^ОС. Тепловое воздействие не должно длиться более 2 с.

Содержание драгметаллов

Извлечением драгоценных металлов из радиокомпонентов занимаются скупщики и специализированные компании. Для того чтобы это дело приносило прибыль необходимы огромные объёмы перерабатываемого материала, иначе затраты на переработку будут больше, чем стоимость металла на выходе. Что касается героя данной статьи, то в нем содержится некоторое количество золота (0,1819г. в 1000шт) и серебра (2,1877г. на 1000шт.). Ознакомиться с этой информацией можно из этикетки, которая представлена ниже.

Аналоги

Среди идентичных аналогов кт815 можно назвать следующие транзисторы: BD813, TIP29, TIP61, BD165.

Для КТ815 существует также комплиментарная пара. Это отечественный (назовём его триод) КТ814. Он имеет структуру обратную рассматриваемому, а именно p-n-p, ведь транзисторы в паре должны иметь взаимно обратную структуру.

Производители

Производством транзистора занимаются два российских предприятия. Это АО «НПП Завод Искра» г. Ульяновск (скачать Datasheet), которое входит в холдинг «Концерн ВКО Алмаз – Антей». А также АО «Кремний» г. Брянск. В Белоруссии это изделие выпускают на заводе АО «ИНТЕГРАЛ» г. Минск (Datasheet здесь).

kt815 техническое описание и примечания к применению

IRF9634 Аннотация: MJE13001 KT538A KT8296 KT829 KT940A kt8290 MJE-13001 KT8270A KT827 Текст: KT8115B KT8116A KT8116 KT8116B 8214 8214 8214 8215 8215 8215 8156 KT8156A KT8158A KT8158 KT8158B KT8159A KT8159 KT8159 8225 8251 KT972A KT972 KT972 KT972B KT973A KT973 KT973B PNP, Дискретные полупроводники Транзисторы · биполярных транзисторах Часть KT6136A KT6137A 607-4 607-4 646 646 646 KT660A KT660 805 805 805 805 KT814A KT814 KT814B KT814 KT815A KT815 KT815B KT815 KT816A KT816 KT816B KT816 KT817A KT817 KT817B KT817 812461 812461 812461	Оригинал	PDF	КТ6136А КТ6137А КТ660А KT660 КТ814А KT814 КТ814Б КТ815А KT815 IRF9634 MJE13001 КТ538А КТ8296 KT829 КТ940А kt8290 MJE-13001 КТ8270А KT827
КТ805М Абстракция: kt805bm KT872A KT837 KT837K KT805 KT818 KT837B KT837A KT610A Текст: TIP2955 81261 81261 KT814A KT814 KT814B KT814 KT815A KT815 KT815B KT815 KT816A KT816 KT816B	Оригинал	PDF	KSC1623 3102M КТ805М kt805bm КТ872А KT837 КТ837К KT805 KT818 КТ837Б КТ837А КТ610А
2010 — Ил311АНМ Абстракция: tda8362b ILa1519B1Q iff4n60 IN1307N tda8890 IL311AN IL AN MC74HC123AN IL258D Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
Транзистор КТ 819 Абстракция: 2N2222A 338 SF129D SF137D SSY20B KT819W SF127E KFY18 321 KP303W KFY18 Текст: KT 814 W KT 815 A KT 815 B KT 815 G KT.815 Вт KT 816 A KT 816 B KT 816 G KT 816 W KT 817 A KT 817 B KT	OCR сканирование	PDF
2T931A Аннотация: KT853 2T926A KT838A 2T803A 2T809A 2T904A 2T808A 2T603 2T921A Текст:, BM, BM, FM) 2T809A, KT809A. 2T812 (A, B), ICT812 (A, B, B) KT815 (A	OCR сканирование	PDF	МОКП51КОБ, KTC631 TI2023 II2033 TT213 TI216 fI217 II302 XI306 n306A 2Т931А КТ853 2Т926А КТ838А 2Т803А 2Т809А 2T904A 2Т808А 2Т603 2Т921А
2T908A Реферат: 2T602 1HT251 KT604 2T907A KT920A 2t903 PO6 115.05 КТ117 1Т813 Текст:, B) .480 KT815 (A, E, B, T	OCR сканирование	PDF	Т-0574Д. 30Eiaa Coi03nojiH 2Т908А 2Т602 1HT251 KT604 2T907A КТ920А 2т903 PO6 115.05 КТ117 1T813
C520D Аннотация: rft lautsprecher vqe23 1PP75 U706D Halbleiterinformation Radio Fernsehen Elektronik MAA725 Transistoren DDR U311D Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF
T35W Аннотация: Транзистор 65е9 2SC965 транзистор кт 606а ср 6863 D CS9011 sr1k диод КТ850 транзистор 130001 8d транзистор st25a Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	10DB2P 10DB4P 10DB6P 180B6A T35W 65e9 транзистор 2SC965 транзистор кт 606а SR 6863 D CS9011 sr1k диод КТ850 транзистор 130001 8d ТРАНЗИСТОР СТ25А
NT101 Реферат: БФ503 КТ-934 КТ606 ПОЛУЧАЙНЫЕ ИНДЕКСЫ Mps56 транзисторы 2SA749 72284 2sk81 2SB618 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF
БТИЗ M16 100-44 Аннотация: Ericsson RBS 6102 ASEA HAFO AB GM378 Transistor B0243C Kt606 Ericsson SPO 1410 SEMICON INDEXES transistor 8BB smd tr / NEC Tokin 0d 108 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	W211d W296o W211c БТИЗ М16 100-44 Ericsson RBS 6102 ASEA HAFO AB GM378 Транзистор B0243C Kt606 Ericsson SPO 1410 ПОЛУЧЕННЫЕ ИНДЕКСЫ транзистор 8BB smd tr / NEC Tokin 0d 108
2001 — Перекрестная ссылка BC184 Аннотация: smd-диод 815b транзистор itt BC212 транзистор BC188 транзистор BC188 npn BC188 pnp транзистор ТРАНЗИСТОРНЫЕ переходы транзистора bc188 транзистор bc104 конфигурация выводов NPN-транзистор BC147 транзистор bc189 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2N3904 N6395404 N6395403 BC184 Перекрестная ссылка smd диод 815b транзистор itt BC212 транзистор BC188 транзистор BC188 npn BC188 pnp транзистор Транзисторные переходы bc188 ТРАНЗИСТОР BC104 Конфигурация выводов NPN транзистора BC147 транзистор bc189
т110 94в 0 Аннотация: PTC SY 16P 2N2955T диод Philips PH 37m 35K0 trimble R8 модель 2 2sc497 2SA749 2n6259 ssi 2N4948 NJS Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	Барселона-28, С-171 CH-5400 t110 94v 0 PTC SY 16P 2Н2955Т Philips диод PH 37m 35K0 trimble R8 модель 2 2sc497 2SA749 2n6259 SSI 2N4948 NJS
КТ853 Аннотация: KT853A OH90U KT826 K8702 KT850B KT8150 KT851A KR8803 kt853a2 Текст: SERIES KT810L СЕРИИ KT810U СЕРИИ OPB8IOL СЕРИИ OPB810U СЕРИИ KT8150 KT8151 KT8152 OPB820 OPB820S10 OPB820S5 KT8153 KT8154 KT8155 OPB820SS OPB820S3 0PB82Q KT900L СЕРИЯ KT900U СЕРИЯ OPB900L, ИЗМЕНЕНИЕ KT8150 11-24 OPB743 NEU K8710 10-24 OPB820S10 НОВИНКА PB820S12 / KT8151 11- 24 OPB743W NEU K8712 10-26 OPB820S12 OPB820S10 OPB820S3 НОВИНКА KT8154 11-24 OPB744 NEU K8711 10-24 OPB820S5 БЕЗ ИЗМЕНЕНИЙ OPB820S7 / KT8152 11-24 0PB744W NEU K8713 10-26 OPB870-26 OPB820S NO8 OP8 OP8 0	OCR сканирование	PDF	3N243 3N244 3N245 3N243TX 3N243R 3N244TX 3N244R 3N245TX 3N245R КТ853 КТ853А OH90U KT826 K8702 КТ850Б КТ8150 КТ851А KR8803 kt853a2
КТ853 Аннотация: KT850 KT853A LTR-305D H0A0872-n55 H0A1405-1 h0a2001 MOC70T3 HOA708-1 smd диод 825B Текст: L0 KS750 KT 80 0L Series KT800W Series KT810L Series KT810W Series KT8150 KT8151 KT8152 Honeywell, AP W IR ES TR AN S A S S Y.SCHM W IDE GAP TR AN S A S S Y. SCHM W IDE G AP W IR ES KT8153 KT8154 KT8155 KT8160 KT8161 KT8162 KT8163 KT8164 KTB165 KTB166 KT826S KT826SD K Серия T830 * KT830W	OCR сканирование	PDF	1N5722 1N5723 1N5724 1N5725 1N6264 1N6265 1N6266 2004-90xx 3N24x 24xTX КТ853 КТ850 КТ853А LTR-305D H0A0872-n55 H0A1405-1 h0a2001 MOC70T3 HOA708-1 smd диод 825в

КТ853 Аннотация: OPB915S10 OPI1265 OH90U opi3250 K8102 sla 9030 OP269SLC OP269SLB K9000 Текст: СЕРИЯ OPB940U СЕРИЯ KT8150 KT8151 KT8152 OPB820 OPB820S10 OPB820S5 KT960 KT970 СЕРИЯ СЕРИЯ СЕРИЯ OPB960 OPB970 СЕРИИ KT8153 KT8154 KT81S5 OPB820SS OPB820S3 OPB820 KT980, NEU НЕТ ИЗМЕНЕНИЕ OPB820S5 KT8150 OPB820S12 / KT8151 0PB744 OPB744W 0PB820 OPB820S10 OPB820S12 OPB820S3 OPB820S5 OPB820S7 KT8154 OPB820S7 / KT8152 11- 24 11-24 0PB745 0P6745U NEU	OCR сканирование	PDF	6N140ATXV 3N243 3N244 3N245 17 юаней / т CNY17 / 2 CNY17 / 3 CNY17 / 4 3N243TX 3N244TX КТ853 OPB915S10 OPI1265 OH90U opi3250 K8102 SLA 9030 OP269SLC OP269SLB K9000
2001 — ПЛАТА ПК intel 815 принципиальная схема Аннотация: Fujitsu LVDS vga socket AM2 распиновка чипсета DVD ферритовый трансформатор питания для источника питания atx kingston usb memory Mark is CK 0603 Стать пусть диодный МОП-транзистор НЧ-усилитель схемы Intel ICh3 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	815EG МАТЕРИНСКАЯ ПЛАТА ПК Intel 815 принципиальная схема Fujitsu LVDS vga Распиновка разъема AM2 чипсет DVD ферритовый трансформатор питания для блока питания atx kingston usb памяти Марка СК 0603 Стань пускай диод усилитель сабвуфера mosfet схемы Intel ИЧ3
2001 — схема материнской платы intel 815ep Аннотация: 3203 MOSFET RJ11 4 КОНТАКТНЫЙ МОДУЛЬ РАЗЪЕМА СПЕЦИФИКАЦИЯ МОДУЛЯ ПЛАТА ПК Intel 815 принципиальная схема Intel 815ep RJ11 разъем разъема распиновка разъема для питания ферритового трансформатора USB для источника питания ATX BGA SPEC 82801ba 82815EP материнская плата RTC схема Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	815EP схема материнской платы intel 815ep 3203 МОП-транзистор СПЕЦИАЛЬНЫЙ ЛИСТ МОДУЛЯ ГНЕЗДА RJ11, 4 КОНТАКТА МАТЕРИНСКАЯ ПЛАТА ПК Intel 815 принципиальная схема Intel 815ep Распиновка разъема разъема RJ11 на usb ферритовый трансформатор питания для блока питания atx BGA SPEC 82801ba 82815EP материнская плата RTC схема
КТ805АМ Аннотация: KT805 KT610A KT837B BD140 npn KT872A KT837K KT315B KT315 KT818 Текст: KT814Ã KT815A KT815Á KT815B KT815Ã KT816A KT816Á KT816B KT816Ã ÊÒ8164À ÊÒ8164Á KT817A KT817Á	Оригинал	PDF	КТ3126А КТ3126Б КТ3127А КТ3128А КТ3128А1 КТ3128 КТ3129А9 КТ3129 КТ3129Б9 КТ805АМ KT805 КТ610А КТ837Б BD140 npn КТ872А КТ837К КТ315Б КТ315 KT818
2T6551 Реферат: информационное приложение информационное приложение микроэлектроник микроэлектроник Heft KD 605 KT825 транзистор KT 960 A Mikroelektronik информационное приложение KT827 микроэлектроник DDR Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF
2T3130A9 Абстракция: HEP310 kp303g kt117 HEP-310 kt117b kt117a KT117G kt816g kt3102e Текст: KT645A KT662A, KT662B KT668A KT686A KT720A KT722A KT724A KT8106A KT8107A KT812B KT8150A KT816A	Оригинал	PDF	КТ117АМ КТ117БМ КТ117Г КТ117ГМ КТ117ВМ 2N1923 2N739 BSV56C, HEP310 2N844 2Т3130А9 HEP310 кп303г kt117 HEP-310 kt117b kt117a КТ117Г kt816g kt3102e
КТ3102 Абстракция: КТ815 Ангстрем 15UCC 1S651 Текст: S66 7 22 S1.S64 4 ВÒ1 КТ3102А VD1 ÀË107Á 1 VT2 КТ815Á R4 3,6к R55 0	Оригинал	PDF
КТ972А Аннотация: BD876 KT973B KT973A kt8156a KT973 KT972B KT972 BD875 KT8116A Текст: Ìîùíûå áèïîëÿðíûå òðàíçèñòîðû Äàðëèíãòîíà Îáîçíà ÷ AIEA KT8115A KT8115Á KT8115B KT8116A KT8116Á KT8116B KT8214A KT8214Á KT8214B KT8215A KT8215Á KT8215B KT8156A ÊÒ8156Á KT8158A KT8158Á KT8158B KT8159A KT8159Á KT8159Â KT972A KT972Á KT972B KT972Ã KT973A KT973Á KT973B Àíàëîã TIP127 TIP126 TIP125 TIP122 TIP121 TIP120 TIP110 TIP111 TIP112 TIP115 TIP116 TIP117 BU807 Трубка макс Uкб макс толщина PNP 65,0 100 80 60 NPN 65,0 100 80 60 NPN 50.0 60 80 100	Оригинал	PDF	КТ8115А КТ8115Б КТ8115Б КТ8116А КТ8116Б КТ8116Б КТ8214А КТ8214А КТ8214Б КТ8215А КТ972А BD876 КТ973Б КТ973А kt8156a KT973 КТ972Б KT972 BD875 КТ8116А
KC156A Аннотация: ky202e K174XA2 KT809A KT805A KT610B KT808a KP350A KT904 KC133A Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	ХапфаКОБ-57, KC156A ky202e K174XA2 КТ809А КТ805А КТ610Б KT808a KP350A KT904 KC133A
H0A0872-n55 Аннотация: H0A1405-1 H0A0865-L51 h0a1405 HOA9 HOA708-1 til78 Фототранзистор MOC70T3 ик-диод TIL38 H0A1874-12 Текст: KS570SLC KS570SLD KS750 KT800L Series KT800W Series KT810L Series KT810W Series KT8150 KT8151 KT8152 KT81S3 KT8154 KT8155 KT8160 KT8161 KTB162 KT8168 K816T8163 K816T8162 KT8168 K816T K816T K816T830	OCR сканирование	PDF	1N5722 1N5723 1N5724 1N5725 1N6264 1N6265 1N6266 2004-90xx 2600–70XX 2N5777-80 H0A0872-n55 H0A1405-1 H0A0865-L51 h0a1405 HOA9 HOA708-1 фототранзистор til78 MOC70T3 ИК-диод TIL38 H0A1874-12
2010 — B0139 Аннотация: B0135 B0137 B0139-16 B0139-6 KT815B B0829 B01-35 B0137-16 B0139-10 Текст: MJE720 KT815A 2S01295 2S0361 -PTC193 40899 B0825-10 B0825-16 B0825-6 B0165 B0165 B0165 BOC01A B0371A6 1: J, NB312M KT815B 2SC1728 2SC1760 2S01637 2S01637 2S01800 403’67 40367L 40367S 2S013A 2N1479 2N1481 2SC524, 40348V2 NB313K NB313M KT815V 2SC916 2S0238 2S0238 ~ E722 65 70 75 80 85-90 95, 2SC791 2N1480 KT815G Solid Stine Natl Semi Natl Semi VlO Electro Solid StIne Solid Stine Rohm Co Ltd	Оригинал	PDF	40347Vl 40347V2 2SC1014 MJE720 КТ815А 2S01295 2S0361 B0139 B0135 B0137 B0139-16 B0139-6 КТ815Б B0829 B01-35 B0137-16 B0139-10

Таблицы эквивалентов между российской и западной частями

Кремниевый n-p-n транзистор средней мощности

1.Транзисторы биполярные
Российская часть	Краткое описание	Западный аналог
KT3102A	кремниевый транзистор общего назначения n-p-n	BCY43, BC107A, BC170, BC207A, 2N4123, MPS3709
КТ3102Э	кремниевые npn-транзисторы с высоким h31e (> 600)	2N5210, например
KT312A-B	кремниевый транзистор общего назначения n-p-n	Практически то же самое, что и KT315, за исключением типа корпуса.
KT608A	ВЧ кремниевый n-p-n транзистор средней мощности	BSX21, 2SC796
KT606A-B	для использования на ВЧ и Применение УКВ	Не удалось найти, извините
КТ326	Обычное общего назначения p-n-p кремниевое устройство. Думаю, любой подходящий западный транзистор сможет заменить его.	Интересно, а почему я не могу найти его в своих базах данных …
KT602B	довольно старый кремниевый транзистор n-p-n, специально разработанный для работы в оконечных каскадах широкополосных усилителей.	BSY71
GT308	Очень старый универсальный p-n-p германиевый транзистор.	Не могу найти, извините.
GT311	Старый, но еще хороший германиевый n-p-n прибор для работы с частотами до 800 МГц.	Не могу найти, извините.
КТ315	кремниевый транзистор общего назначения n-p-n, старая конструкция	BC146,
GT402	германий низкочастотный п-н-п транзистор, старая конструкция	Затрудняюсь ответить *
GT404	дополнительная пара для GT402	Затрудняюсь ответить *
MP25A-B	Очень старый п-н-п транзистор чернового назначения	ACY19, ACY23, 2N190-191
KT503A	кремниевый транзистор общего назначения n-p-n (для довольно низких частот)	2SD762, например
P214A	Очень старый п-н-п транзистор большой мощности для низких частот	AD142, например
KT368A-B	Очень хороший высокочастотный транзистор n-p-n с низким уровнем шума фактор	BFS17, 2SC252
KT812A	транзистор большой мощности для низких частот (n-p-n)	КУ601, КУ602
КТ815	Кремниевый транзистор n-p-n средней мощности для использования в низкочастотном диапазоне схемы	BD165
КТ814	Дополнительная пара ( p-n-p ) для KT815	BD170
KT818G	Высокомощный p-n-p транзистор, широко используемый в источниках питания и выходных каскадах усилителей НЧ.	AD142
KT819G	То же, что KT 818G, но со структурой n-p-n	BDY20, BDY23
KT940A	высоковольтный транзистор для оконечных каскадов видеоусилителей в ТВ	BF338

Какое переходное сопротивление транзисторов кт 819. Параметры транзистора КТ819, его распиновка и аналоги

Транзистор КТ819 представляет собой кремниевый полупроводниковый прибор структуры n — p — n.Конструктивно транзистор выполнен в двух вариантах — в металлическом и пластиковом корпусе. Основная сфера применения: работа в качестве ключевого элемента, работа в выходных каскадах мощных усилителей звуковой частоты.

Отличительная черта — дешевизна. с относительно высокими техническими характеристиками. Именно поэтому этот полупроводниковый прибор широко используется при производстве электронной техники в республиках бывшего СССР и после его распада в странах СНГ. Более того, несмотря на достаточно большой ассортимент зарубежных транзисторов, который предлагает современный рынок электронных компонентов, КТ819 активно используется радиолюбителями при проектировании различных устройств.

Распиновка транзистора

Схема подключения полупроводникового прибора показана на рисунке 1. Как вы можете видеть, коллекторный контакт подключен к корпусу транзистора. Для установки на радиатор предусмотрены лепестки с отверстиями диаметром 4,1 мм. В пластиковом корпусе для крепления к радиатору охлаждения имеется один лепесток с отверстием 3,6 мм.

основные параметры

Основные характеристики КТ819 приведены в таблице 1 .

Возможные аналоги

Транзистор КТ819 дефицитной деталью не назовешь.Тем не менее бывают случаи, когда по тем или иным причинам необходимо выбрать его аналог — то есть транзистор, максимально соответствующий его характеристикам. В целом при выборе аналога к любому отечественному или импортному транзистору основными характеристиками являются:

допустимое напряжение между выводом коллектора и выводом эмиттера;
допустимый коллекторный ток;
усиление;
рабочая частота.

Чем можно заменить КТ819? Рассмотрим возможную замену на тот или иной отечественный и зарубежный транзистор.

Отечественные аналоги

Заменить КТ819 на следующие отечественные транзисторы:

CT834;
CT841;
CT844;
КТ847.

Зарубежные аналоги

КТ819 может быть заменен на следующие зарубежные полупроводниковые приборы:

2 N6288;
BD705;
TIP41;
BD533.

Отдельно стоит упомянуть аналог КТ819ГМ.Все дело в том, что в большинстве схем усилителей звуковой частоты используется КТ819ГМ. Как заменить КТ819ГМ? Полного аналога этого транзистора не существует. Однако наиболее близким по параметрам является зарубежный транзистор — 2 N 3055. Кроме того, некоторые схемы на КТ819ГМ могут успешно работать с V D 183, 2 N 6472, КТ729.

Тест транзисторов

Проверить КТ819 можно обычным тестером. Для тестирования измерительный прибор переводят в режим измерения сопротивления.По схеме КТ819ГМ (расположение выводов) или другому компоненту этой серии подключаем плюсовой щуп прибора к штырю базы, а минусовой — к штырю коллектора. Измерительный прибор должен показывать напряжение пробоя. Далее, не отсоединяя положительный щуп от базы, подключаем отрицательный щуп к выводу эмиттера. В этом случае прибор должен показывать почти такое же значение, как и при измерении перехода база-коллектор.

После процедуры, описанной выше, вы должны проверить переходы во время обратной активации .По схеме КТ819 (расположение выводов) отрицательный щуп тестера подключаем к выводу базы, а положительный — к выводу коллектора. На приборе не должно быть никаких указаний. После этого, не отключая отрицательный щуп от базы, подключаем положительный щуп к эмиттеру — как и в случае с переходом база-коллектор, на тестере не должно быть показаний. Тест можно считать успешным, и транзистор исправен, если переходы не повреждены.

Важный момент: любой полупроводниковый элемент следует проверять только при его снятии с цепи. Проще говоря — проверка элемента, подключенного к другим компонентам схемы, может быть некорректной.

Усилитель на КТ819

В качестве «бонуса» мы представляем простую схему усилителя, в которой используется KT819 и его дополнительная пара KT818. Простейшая схема усилителя показана на рисунке 2.

Отличительной особенностью усилителя, показанного на рисунке 2, является его мощность от биполярного источника .Благодаря такому схемотехническому решению можно подключать нагрузку напрямую между выходом каскада усилителя и общим проводом. Также стоит отметить, что входной каскад является дифференциальным и имеет высокую термическую стабильность.

При использовании элементов, указанных на схеме, с напряжением ± 40 В и нагрузкой 4 Ом выходная мощность может достигать 55 Вт. Коэффициент нелинейных искажений 0,07%.

После сборки усилителя никаких операций по настройке не требуется.Для облегчения теплового режима выходные элементы усилителя (VT 6 и VT 7) следует установить на радиаторах. Если используется один общий радиатор, транзисторы необходимо крепить к нему через изолирующие прокладки.

Фото транзистора КТ819Г Биполярный транзистор КТ819Г NPN проводимости, аналог 2Н6110. Благодаря хорошим техническим характеристикам широко использовался в отечественной радиотехнике. Максимум. например к b для данного обратного тока к … Википедия

Структура p n p Uce 10 25V… Википедия

Обозначение биполярных транзисторов на схемах. Простейшая наглядная схема устройства на транзисторе. Биполярный транзистор — трехэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов. Электроды подключаются к трем последовательно расположенным … … Википедия

Распиновка КТ3102 КТ3102 — кремниевый биполярный транзистор n p n проводимости высокочастотный маломощный усилитель с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначен для использования в усилителях и… Wikipedia

Транзисторы КТ3107 Тип КТ3107 кремниевый биполярный транзистор, p n p проводимость, высокочастотный маломощный усилитель с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц.Предназначен для использования в усилении и генерации … … Википедия

Распиновка КТ815 Транзистор биполярный кремниевый типа КТ815, n p n проводимость, универсальный силовой низкочастотный транзистор. Предназначен для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных … Википедия

«Пиратский» металлистектор. Kuidas teha lihtsalt ja täpselt

Paljud raadioamatööride, kes on huvitatud selle teema nime teada ja kava ise ka. Kuid püüdes imiteerida kava sageli võivad tekkida küsimused ja mõned raskused.

Sageli (ja enamasti) см. На tingitud asjaolust, et esialgne meede töötati välja ja tehakse omamaise kiibid, mis on juba pikka aega lõpetati küsimus ja mitte igaühel on võimalus leida jms.

üldkirjeldus

См. Статью artikkel pakub alternatiivi Detektor kaasaegse imporditud kiipe ja meetodeid selle kohandamise pärast kokkupanekut.

Джун. 1. Детектор «Пират»

Nagu võib näha, vooluringi põhimõtteliselt ei erine algsest, avaldatakse veebilehel kord radioskot.ру (милле кава джа арендатуд касутаджад сайдиле). Erinevus на vaid selles, milliseid kasutatakse töövõimendeid.

Pärast praktiline «kogemus» ja kohtuprotsessi erinevaid võimalusi, leiti, et väga häid tulemusi on saadud kiipide kasutamise alates TL-seeria. Selles seerias on kahene op-amp tüüpi TL072, mis koosneb kahest osast ühe kestaga ja on seetõttu väiksus (корпуса с 8 контактами). См. На selline võimalus, ja на rakendatud «modifitseeritud» kava.

Kuid tuleb meeles pidada, et pinout (распиновка) см. Kiip ei ole sama mis siseriiklikus kiibid K157UD2 tüüpi, nimelt см. Võib mõnikord põhjustada проблема ja mõningaid raskusi PCB paigutus pardal.

Joonisel siin antud распиновка, распиновка, стандартный kõigile (peaaegu) nagu kiibid imporditud. Seega, selle asemel TL072 saab kasutada, näiteks — LM2904, LM358, LA6458, BA4558 ja teised sarnased.

Selle asemel, et transistori T1 saab panna KT361 või import analoog väikese võimsusega transistor, см. Ei mõjuta kvaliteeti instrument. Kui soovid kasutada dünaamilise pea transistor T3 saab assendada nii heli emitter, näiteks KT602, KT605, KT608, KT805, KT815 jms.

Kui me kasutame ainult kõrvaklapid on üsna sobiv ja väikese võimsusega (KT315 tüüpi või sarnast imporditud).Используйте транзистор T2 на самути võimik panna kas pinge «neelu-lätte path» 50 вольт või mitme (nt IRF48N, IRF1010, NDP603, RFP50N06 ja teised).

Kõik elektrolüütkondensaatoritele peaksid kavas panna tööpinge 16 volti või rohkem. Kondensaatorid C8 ja C9, on soovitav manustada võimsusega võimalikult palju.

Nad ei ole mõeldud «silumiseks» pingepulsatsioon ja energia salvestamise ja tagastab selle «impulsi» suurima võimaliku stabiilsuse. Самый лучший sõltub suuresti kvaliteeti üksuse tööd, tema «tundlikkus» ning seetõttu «vahemikus» objektide avastamise.

Metoodika ja soovitused koost

Otsimispeaga keritud isoleeriva raami, selle läbimõõt võib olla umbes 15-30 см. Läbimõõt pooli oleneb tema rullid. Traat mähis mähis on parem võtta võimalikult läbimõõduga (0,6 … 1,2 мм²), Wastupidavus minimaalselt. rullikerimisele tehnoloogia ja valiku soovitud arvu pöördeid, vt allpool.

Pärast jootmise osad tuleks kontrollida õiget paigaldamist ja kohaldatakse ringkonnakohtu toitepinge akust või reguleeritud toiteplokk. voolul tarbimist «ülejäänud» peab olema vahemikus 50 мА.

Selle asemel, et spiraal on vajalik aeg ühendada dünaamilise pea väikese võimsusega (0,5 … 1W). Kui toide on kuulda heli dünaamika — buzz koostöös sagedusostsillaatoril (120 … 180 Гц).

См. Näitab generaator tõhusust. Seejärel ühendage mähis. Et alustada pooli vaja reel: 30-40 traadi keerdude (suurem läbimõõt pooli, seda vähem on vaja tuule rullid).

Ühendamine süütepool ja takisti seadme R13 võimalikult minimaalseks sageduse juures heli circuit väljund (kõrvaklapid või kõlar peab olema lühike klikkide või «сахин»).

Kandikud mähist, näiteks mündi ja kauguse määramiseks sellele vastata. Siis paar pööret lahti keritud ja uuesti kontrollida reaktsiooni kaugusel. Me selle toimingu nii kaua, kuni leiame võimalikult kaugus vastust. Lõigake liigne traat ja reel valmis.

См. Võib «täita» hermeetik, epoksü, või lihtsalt wrap kleeplint tihedalt. Traadi seadmest mähisele võib ükskõik keerutatud, näiteks SHVVP või PVA.

регулеримин

Kui seadistate on oluline tingimust täita: järgmisel tohiks olla Metallist esemeid! Море Тундликкуст на кырге, нии дистанци ляхим объект металлические вершины олема вяхемалт 1,5 м.

Корпус võib võtta välja metalist või plastikust. Kui kest on Metall, siis on parem olla ühendatud «ühise» traadi vooluringi. Valmistamiseks rullid ja sidudes selle varda ei saa kasutada mis tahes Metallist Elements poldid, kruvid, traat ja nii edasi.

Стержень ise peab olema Metallist. Kui kõik need tingimused, ja õige montaaži ja konfiguratsiooni, töötab seade stabiilselt ja näidata häid tulemusi. «Ideaalne» sellise Metallist reageerib mündi 5 rubla kaugusel 25 cm, samas kui suuremad esemed kuni 2 meetrit.

Высококачественный предусилитель Nataly. Качественный предусилитель «Натали». Моя версия. О конфигурации и возможных проблемах

Предыстория проекта примерно в 2008 году, тогда малоизвестная WASO (Могила Вадима) выложенная на Радио Форумах Vegolan и паяльник на обсуждение их проекта — схемы усилителя собственной разработки. Имя автора проекта — УНГ Натали. Схема усилителя разрабатывалась давно, прежде чем легла на форумы, еще в 1996 году.Первые модели дяди Натали собирались на отечественных деталях, в связи с тем, что в Новокузнецке в середине 90-х ввоз был тесным. Даже на бытовой комплектации УНГ звучал неплохо, шумы в непосредственной близости от АС были еле различимы. Сейчас конечно же УУК Натали и вся последующая линейка модификаций переведены на импорт. Первые модели UNF в беспощадном режиме проверялись на дискотеках и озвучивали различные мероприятия.

При обсуждении проекта, в т.ч.В высказывании критических комментариев участвовало множество форумчан. Но самую большую и прямую помощь автору в развитии проекта оказали TSF54 (Сергей) и Шурика (Вадим). Проделана огромная работа: подогнаны режимы по раскладкам, замеры, выбор элементной базы, потом слушатель, отбраковка … и все новое.

Результатом такой работы стала УНГ Натали Е.А. Режим работы выходного каскада — Супера (экономичный а) при токе покоя от 80 до 120 мА.

Технические параметры УМЗ:
Номинальная выходная мощность, Вт (про_версия — четыре пары выходных транзисторов) — 300 Вт \ 4 Ом
Укороченная версия, Вт (домашняя_версия — две пары выходных транзисторов) — 150 Вт \ 4 Ом.
кг (THD) при номинальной выходной мощности на частоте 1 кГц, не более 0,0008% (типовое значение — не более 0,0006%)
Коэффициент интермодуляционных искажений, не более 0,002% (типовое значение, менее 0,0015%)

Для домашнего варианта разводили односторонний ПП, для компактности установки со стороны пайки присоединены диоды VD18, 19.

Дядя Наталья Е.А. Установка на радиатор

Установка выходного каскада в один ряд на радиаторе не получила широкого распространения, но компоновка была опробована:

Собрал UNUC Натали Эа домой и про_версию не менее ста раз, но особенно хочу выделить сборку из этого потока dimon. (Дмитрий Григорьевич Санкт-Петербург). В УНГ должно быть все нормально: звук, детали, корпус… Попробуйте сделать подобный корпус дома.

На данный момент у меня:

1. Сам усилитель:

2. Естественно терминал БП:

При настройке ума использую устройство, обеспечивающее безопасное подключение трансформатора MEE к сети (через лампу). Он выполнен в отдельной коробке со шнуром и розеткой и при необходимости подключается к любому устройству. Схема представлена ниже на рисунке.Для этого устройства требуется реле с обмоткой 220 АС и с двумя группами контактов для замыкания, одной кнопкой без фиксации (S2), одной кнопкой с фиксацией или переключателем (S1). При замкнутом S1 трансформатор подключается к сети через лампу, если все режимы MOD в норме, при нажатии кнопки S2 реле через одну контактную группу замыкает лампу и подключает трансформатор напрямую к сети, а Вторая контактная группа, дублирующая кнопку S2, постоянно подключает реле к сети.В этом состоянии устройство находится до момента размыкания S1, либо напряжение уменьшается меньше напряжения удержания контактов реле (в том числе КЗ). При следующем включении S1 трансформатор снова подключается к сети через лампу и так далее …

Бесшумность различных способов экранирования сигнальных проводов

3. Также мы собрали защиту переменного тока от постоянного напряжения:

Реализована защита:
Задержка включения АС
Защита от выхода, из KZ
Управление продувкой и отключением АС при перегреве радиаторов

Организация:
Пусть все собрано из исправных и тестером транзисторов и диодов.Изначально двигатели поставили в следующие положения: R6 — посередине, R12, R13 — вверху по схеме.
Стабилитрон ВД7 сначала не зарезервировать. При PP-защите схемы COBEL необходимы для устойчивости усилителя, если они уже есть на платах разложения, паять их не нужно, а катушки можно заменить перемычками. В противном случае катушки сбрасывают на оправку диаметром 10 мм, например хвост сверла — проволокой диаметром 1 мм.Длина получившейся обмотки должна быть такой, чтобы катушка вставлялась в отведенные для нее отверстия. После намотки рекомендую пропитать провод лаком или клеем, например эпоксидной смолой или БФ — для жесткости.
Провода, идущие от защиты к выходу усилителя, при подключении общим проводом, конечно же, отключении от его выходов. Необходимо соединить с «Меккой» полигона УРЗЧЗ, обозначенного на ПП с пометкой «Main GND», иначе защита не будет работать корректно.Ну и конечно же GND-площадки рядом с катушками.
Включив защиту при подключенных динамиках, начинайте уменьшать сопротивление R6 до того, как сработает реле. Перезагрузив еще один-два оборота триммеров, отключите защиту сети, включите два динамика параллельно любому из каналов и проверьте, сработают ли реле. Если не работать, то все работает как задумано, при 2 Ом усилители не будут подключаться к нему, чтобы не повредить.
Далее отключаем провода «от умзч лк» и «от умзч ПК» с земли, все включаем и проверяем, сработает ли защита, если на них будет подавать постоянное напряжение порядка двух-трех вольт провода.Реле должно отключать динамики — будет щелчок.
Можно ввести индикацию «Защита», если подключить цепочку из красного светодиода и резистора в 10 кОм между землей и коллектором VT6. Этот светодиод указывает на неисправность.
Далее настройте терморегулятор. Термисторы одеты в водонепроницаемую трубку (внимание! Во время теста они не должны намокать!).
Часто бывает, что у радиолюбителя термисторы не указаны на схеме.Подойдут два одинаковых из существующих, сопротивлением от 4,7 кОм, но в этом случае сопротивление R15 должно быть равно двойному сопротивлению последовательно включенных термисторов. Термисторы должны иметь отрицательный коэффициент сопротивления (уменьшайте его при нагреве), позисторы наоборот работают, а здесь им не место. Захватите стакан с водой. Даю ему 10-15 минут, чтобы он вписался в расслабляющий воздух и опускал в него термисторы. Занавес R13 пока не созрел светодиод «Перегрев» — перегрев, который должен был гореть изначально.
Когда вода остынет градусов до 50 (это можно разогнать, как есть — большой секрет) — крутить R12 так, чтобы загорелся светодиод «дуть» или вентилятор.
Снимите стабилитрон VD7 на месте.
Если глюки от пломбы этого стабитрона не обнаруживаются, то все нормально, но было так, что и без него транзисторная часть работает безотказно, а реле никак не хочет подключать. В этом случае меняем его на любое напряжение стабилизации от 3,3 В до 10 В. Причина — утечка Стабилона.
При нагреве термисторов до 90 * С должен загореться светодиод Overheat — перегрев и реле отключит динамики от усилителя. С некоторым кулером радиаторов все подключается обратно, но такой режим работы устройства должен как минимум насторожить владельца. При хорошем вентиляторе и не забитом пылью теплового срабатывания туннеля наблюдаться не должно вообще.
Если все нормально, припаиваем провода на выходе усилителя и наслаждаемся.
По дутью (его интенсивности) настраивается подбором резисторов R24 и R25.Первый определяет производительность кулера при включенном конверте (максимум), второй — когда радиаторы лишь слегка нагреваются. R25 можно вообще исключить, но тогда вентилятор будет работать в режиме ВКЛ-ВЫКЛ.
Если реле имеют обмотку 24В, то они должны быть включены параллельно, а если 12 — последовательно.
Детали замены. В качестве OU вы можете применить к SOIC8 практически любой двойной дешевый OU (от 4558 до ORA2132, хотя, надеюсь, он не дойдет до последнего), например TL072, NE5532, NJM4580 и т. Д.Транзисторы
— 2N5551 меняют на SV546-SP548, либо на наш CT3102. BD139 будет заменен на 2SC4793, 2SC2383, или на аналогичные по току и напряжению можно поставить даже kT815.
Chewfather меняется на аналогичный приклад, выбор огромен. Радиатор под фаску не требуется.
диодов 1N4148 меняем на 1N4004 — 1N4007 или на КД522. В выпрямителе можно поставить 1N4004 — 1N4007 или использовать диодный мост с током 1 А.
Если контроль продувки и защита от перегрева умзч не нужна, то правая часть схемы не садится — ОУ, термисторы , вальщик и т. д., кроме диодного моста и фильтрующего конденсатора. Если у вас в усилителе уже есть блок питания 22..25В, то его тоже можно использовать, не забывая про ток потребления около 0,35А при включении обдува.

Рекомендации по сборке и настройке УМПС:
Перед запуском печатной платы необходимо произвести относительно несложные операции с платой, а именно — посмотреть на просвет, замыкания замыканий между дорожками в обычном осветительные приборы.Заводское производство, к сожалению, не исключает производственных браков. Пайку рекомендуется проводить припоем ПР-61 или аналогом с температурой плавления не выше 200 * С.

Во-первых, вам следует определиться с применяемым UA. Крайне рекомендуется использование ОУ от Analog Devices — в этом умзч их характерный характер несколько отличается от задуманного автором авторского, а слишком высокие скорости могут привести к фатальному самовозбуждению усилителя. Приветствуется замена ORA134 на Ora132, Ora627, т.к. у них меньшие искажения на ВЧ.То же самое и с AU DA1 — рекомендуется использовать ORA2132, ORA2134 (в порядке предпочтения). Допустимо использование ORA604, ORA2604, но искажений будет несколько больше. Конечно, вы можете поэкспериментировать с типом OU, но на ваш страх и риск. Умзч будет работать с КР544УД1, кр574уд1, но уровень смещения нуля на выходе будет увеличиваться, а гармоники увеличиваться. Звук такой … Думаю, комментарии излишни.

С самого начала установки рекомендуется подбирать транзисторы попарно.Это не обязательная мера, т.к. усилитель будет работать и при разбросе 20-30%, но если вы ставите цель получить максимальное качество, то обратите на это внимание. Особо следует выделить выбор Т5, Т6 — их лучше всего использовать с максимальным h31 — это снизит нагрузку на ОУ и улучшит его выходной спектр. Т9, Т10 тоже должны быть как можно ближе. Для транзисторов выбор не является обязательным. Транзисторы выходного дня — если они из одной партии, забрать нельзя, т.к. культура производства на Западе несколько выше обычной и разброс закладывается в 5-10%.

Далее вместо выводов резисторов R30, R31 рекомендуется сдвигать отрезки провода длиной в пару сантиметров, так как требуется подбор их сопротивления. Начальное значение 82 Ом даст ток включения около 20..25 мА, он был статистически от 75 до 100 Ом, сильно зависит от конкретных транзисторов.
Как отмечалось в теме над усилителем, использовать транзисторные оптопары не стоит. Следовательно, необходимо ориентироваться на AOD101A-g.Импортные диодные оптопары не тестировались из-за отсутствия, временно. Наилучшие результаты получаются на AD101 одной партии по обоим каналам.

Кроме транзисторов, необходимо подобрать дополнительные резисторы УНУ. Разброс не должен превышать 1%. Особенно тщательно нужно подбирать R36 = R39, R34 = R35, R40 = R41. В качестве ориентира отмечу, что при разбросе более 0,5% для варианта без ООС лучше не двигаться, т.к. будет нарастающая гармоника.Именно невозможность получить точные детали в одно время остановила эксперименты автора в надвигающемся направлении. Введение такой же балансировки в текущую цепочку ОС не решает проблему полностью.

Резисторы R46, R47 можно искать на 1 ком, но если есть желание точнее отрегулировать токовый шунт, то лучше сделать так же, как с R30, R31 — иметь разводку на подполе.
Как выяснилось при повторении схемы, при некотором совпадении возможно возбуждение в цепи слежения ЭП.Это проявлялось в виде неконтролируемого дрейфа тока покоя и особенно в виде колебаний с частотой около 500 кГц на коллекторах Т15, Т18.
Изначально на эту версию были заложены необходимые настройки, но проверить осциллографом все же стоит.

Диоды VD14, VD15 ставятся на радиатор для температурной компенсации тока покоя. Это можно сделать, протянув провода к выводам диодов и приклеив их к радиатору клеем типа «момент» или аналогичным.

Перед первым включением необходимо тщательно отмыть ножки следов флюса, проследить за отсутствием замыканий дорожек, убедиться, что общие провода подключены к средней точке конденсатора блока питания. Также настоятельно рекомендуется использовать на выходе yget цепочку Цобель и катушку, на схеме они не показаны, т.к. автор считает их применение правилом хорошего тона. Номиналы этой цепочки общие — это последовательно включенные резистор 10 Ом 2 Вт и конденсатор К73-17 или аналогичный емкостью 0.1 мкФ. Катушка намотана лакированной проволокой диаметром 1 мм на резисторе МЛТ-2, количество витков 12 … 15 (до заливки). На защите PP эта цепь разбавлена полностью.

Все транзисторы ВК и Т9, Т10 в разобранном состоянии — прикреплены к радиатору. Мощные транзисторы ТБ устанавливаются через слюдяные прокладки, а для улучшения теплового контакта используется паста типа КТТ-8. Околокомпьютерные пасты применять не рекомендуется — велика вероятность подделки, а тесты подтверждают, что зачастую CCT-8 — лучший выбор, к тому же очень недорогой.Чтобы не долететь до подделки — используйте CCT-8 в металлических тюбиках, как зубную пасту. До этого, к счастью, не дошел.

Для транзисторов в изолированном корпусе использование слюдяных прокладок необязательно и даже нежелательно, т.к. детектируют условия теплового контакта.
В соответствии с первичной обмоткой сетевого трансформатора включите лампочку на 100-150Вт — это избавит от многих неприятностей.

Поднимите светодиоды Optron на выходы D2 (1 и 2) и включите.Если все собрано правильно, потребляемый ток не должен превышать 40 мА (выходной каскад будет работать в режиме C). Постоянное давление Смещение на выходе yget не должно превышать 10 мВ. Светодиод разблокировки. Ток, потребляемый усилителем, должен увеличиться до 140 … 180 мА. Если увеличивается больше, то проверьте (рекомендуется делать это стрелочным вольтметром) коллекторы Т15, Т18. Если все работает правильно, должны быть напряжения, которые отличаются примерно от 10-20 В. В случае, когда отклонение меньше 5 В, а ток покоя слишком велик — попробуйте поменять диоды VD14, VD15 на другие, это Очень желательно, чтобы они были с одной стороны.Ток покоя умзч, если он не укладывается в диапазон от 70 до 150 мА, также можно установить подбором резисторов R57, R58. Возможная замена для диодов VD14, VD15: 1N4148, 1N4001-1N4007, KD522. Либо уменьшить протекающий по ним ток за счет одновременного увеличения R57, R58. В мыслях была возможность реализации вытеснения такого плана: вместо VD14, VD15 использовать переходы транзисторов BE с тех же сторон, что и T15, T18, но тогда придется значительно увеличить R57, R58 — на полную. Установка полученных текущих зеркал.При этом вновь вводимые транзисторы должны находиться в тепловом контакте с радиатором, как и диоды, вместо которых они установлены.

Далее необходимо установить ток покоя Unh. Оставьте включенный усилитель и через 20-30 минут проверьте падение напряжения на резисторах R42, R43. Должно быть 200 … 250 мВ, значит ток покоя 20-25 мА. Если он больше, то необходимо уменьшить сопротивление R30, если меньше, то R31 соответственно увеличить. Может случиться так, что ток покоя UA будет несимметричным — в одном плече 5-6м, в другом 50мА.В этом случае выньте транзисторы из защелки и продолжайте без них. Эффект не нашел логического объяснения, но пропал при замене транзисторов. Вообще нет смысла в защелке использовать транзисторы с большим h31. Такое усиление от 50.

После настройки снова проверяет ток ТСС. Его следует измерять по падению напряжения на резисторах R79, R82. Ток 100 мА соответствует падению напряжения 33 мВ. Из этих 100 мА около 20 мА потребляет предполный каскад и до 10 мА может идти на управление оптопары, поэтому в случае, если на этих резисторах падает, например, 33 мВ — ток покоя будет 70 … 75м. Уточнить это можно при измерениях падения напряжения на резисторах в эмитентах выходных транзисторов и последующем суммировании. В остальном выходные транзисторы от 80 до 130 мА можно считать нормальными, а заявленные параметры полностью сохранены.

По результатам замера напряжений на коллекторах Т15, Т18 можно сделать вывод о достаточном токе управления через оптопару. Если Т15, Т18 почти в насыщении (напряжения на их коллекторах отличаются от питающих менее чем на 10 В) — то необходимо примерно в полтора раза снизить показатели R51, R56 и снова заморозить.Ситуация с напряженностью должна измениться, а остальное — оставаться преждевременным. Оптимальным считается тот случай, когда напряжения на коллекторах Т15, Т18 составляют примерно половину питающих напряжений, но вполне достаточно отклонения от мощности 10-15В, это резерв, который нужен для управления оптопарой по музыкальному сигналу и реальному нагрузка. Резисторы R51, R56 могут нагреваться до 40-50 * С, это нормально.

Мгновенная мощность в очень тяжелом корпусе — при выходном напряжении, близком к нулю — на транзисторе не превышает 125-130 Вт (по техническим условиям допускается до 150 Вт) и действует практически мгновенно, что не должно вести себя никак последствия.

Срабатывание защелки можно определить как субъективно-резкое снижение выходной мощности и характерный «грязный» звук, попросту говоря — будет сильно искаженный звук.

4. Предусилитель и его бп

Материал высокого качества PU:

Служит для коррекции тембра и выделения при регулировке громкости. Возможно использовать для подключения наушников.

В качестве временницы хорошо использовалась Т.Б. Матюшкина.Он имеет 4 акцентных листа НЧ и плавную регулировку ВЧ, а его отклик хорошо соответствует слуховому восприятию, во всяком случае классический мост TB, (который тоже можно применить), слушатели оценивают ниже. Реле позволяет при необходимости отключить все частотные коррекции в тракте, уровень выходного сигнала настраивается быстродействующим резистором по равенству усиления на частоте 1000 Гц в режиме ТБ и при байпасе.

Расчетные характеристики:

кг в диапазоне частот от 20 Гц до 20 кГц — менее 0.001% (типичное значение около 0,0005%)

В усилителе нет привычного термотранзистора, как в других UNUC с EA от WASO. Моргая всем координатором, чтобы разоблачить остальных, его просто нет. Настройка советника требует определенного уровня понимания «Что и как делать» и даже при хорошей теоретической подготовке обязательное чтение FAQ (см. Внизу страницы) по настройке до просветления. Тогда количество повторяющихся вопросов в теме значительно сократится.
Пока что ЕА 2014 делал от ЕА-2012, добавили — убрали элементы из схемы, не особо следили за порядковыми номерами. Для руководства порядком — используя схему и исключив схему и исключив разделы порядковых номеров элементов на платах и схемах из первого поста, была открыта тема «Продолжение EA 2014».

Платы по данной схеме производятся:

Помимо обновления маркировки, для уменьшения возможности образования шлейфов земли при сборке ЦЭКБС, внесены изменения в проводку GND.GND1 Рядом с выходным терминалом подключен к GND1 (вход земли) с петлей добычи.

т.к. на плате защиты динамиков цепочка Цобель есть, на плате UNUC она не дублировалась. Обратите внимание, что при установке перед Поверните цепной навес, например, как на картинке.

Немного о комплектации. Самая бюджетная пара транзисторов в каскаде выходного дня (далее ВК) была произведена компанией Toshiba 2SA1943 / 2SC5200.Транзисторы Sanken или Ons (Motorola) будут дороже, но их компенсируют как более музыкальные по сравнению с Toshiba. Уважаемые, поэтому не так часто используются микросхемы LM318H / LM118H от фирм Thomson или NSC в металлическом корпусе, собираемые V2014EA ставятся в первую очередь. Очень хорошие отзывы О M / s LT318An (Linear), по структуре LT-seed — это тот же LM, но Linear запоминается (я их покупал) качественными продуктами, в частности, укрепляющими веществами.Казалось бы, м / х с одним названием, но разные производители должны работать одинаково или хотя бы близко, внутренняя структура одна. Но практика показала, что в V2014EA, и других UNG не рекомендуется использовать LM318 от Ti, звук блеклый, а от UTC не стоит, никакой звук с трудом «лечится». Это хорошо показали м / с LME49710NA NSC (Ti) в пластиковом корпусе и особенно LME49710HA в металлическом ТО-99. Металлический корпус дороже, местами платный, но раньше собирал на «пластике», уверенно «ну где еще лучше по звуку, все, лимит», просто не ожидал такого увеличения прозрачности, воздушности и передача нюансов »с м / ц в металле.Пробовал LME49990MA, выпускается только в корпусе SO8, вот вроде кому и как повезло из партии м / с. У кого-то написано «ставь режимы и наслаждайся», у кого-то «жильё … поправку забрать». В целом M / C показал себя несколько «капризным», ни с одним набором транзисторов в UN-е не был готов к работе.

По поводу использования электролитов можно сказать одно, все возможно «Карман». Для бюджетного варианта SAMWHA вполне подойдет

Коррекция использует высоковольтную керамику.Высоковольтная керамика имеет толстые пластины, что гарантирует отсутствие пьезоэлектрического эффекта. Рекомендую попробовать отечественную керамику К10-43А. Приступим к прослушиванию плюсов: они состоят из двух микросхем, одна с плюсом, другая с минусом ТКЕ (изменение емкости при изменении температуры), т.е. смена тары в одной микросхеме компенсируется другой. Все К10-43А НП0 1% и ОС (особо стабильные), с корпусом из пластика, т.е. виброустойчивы. Еще хорошими параметрами обладают к10-47а, все пиковые конденсаторы на напряжение 250 — 500В, т.е.е. Пластины из керамики толстые, пьезоэффект исключен.

Некоторые технические моменты по сборке на примере использования микросхем LM318N и OPA134-X:

Обращаю внимание на два момента: 1. В LM318N поправка C5, а в OPA134-X RKOR-C5. Поэтому на плате предусмотрена в зависимости от типа м / с ставить C или RC, в тех случаях, когда в коррекции только с, то R ставится перемычка 1206-0. Смотрите изображение:

2. Это балансировка микросхемы, установка «0» на выходе УНГ с помощью многооборотного триггера.На фотографиях мы видим, что LM318-I сбалансирован на ножках 1 и 5, средняя ступня совместного предприятия находится на плюсе мощности, а OPA134-X на ножках 1 и 8, среднее значение составляет также на плюсовой мощности. В зависимости от типа м / с предусмотрено включение СП «Балансировка» на выбор 1 и 5 или 1 и 8, для этого имеется достаточная капля олова, чтобы укоротить нужные участки. Смотрите изображение:

Не думал, что проблемы с креплением R66, R67.Автор рекомендует устанавливать номинальные ставки в пределах 0r3 — 0r43. Для уменьшения габарита в ПП используются микросхемы резисторов 2512 с установкой снизу. Обычно рулонов 2512-1р 3 шт. Параллельно 1R / 3 = примерно 0r333. И тут вопрос нефанчика «А почему четыре места под чипы 2512?». А если нет 2512-1r, закончившегося на планете Земля …, то возьмите 2512-1r2 — 2512-1r6 и впаяйте четыре штуки в параллель. Теперь понятно)?

Крепление верхнего уровня :

Монтаж нижнего слоя :

Архив схем, установок и сверлений.Бывают «конфликты» принтера и PDF-ки — речь идет о файле в архиве «Кража», не напечатанном 1: 1. Контролировать строчку или приложить плату к распечатанному листу. Размер ПП 198,12 х 66,55 мм («кривые» габариты, т.к. сетка проводки дюймовая). ПП был сделан специально узким, минимальная ширина крайних точек установленных транзисторов ПК 85 мм позволяет разместить УНГ в корпусах амфитонного типа (высота 100 мм).

Архив описания работы и настроек линейки UNG EA от WASO.

Сборка на заказ :
Если для кого-то отладка этого дяди сложна, и очень хочется послушать, то по вопросу сборки можно обращаться к Спиридонову (Вячеслав).

Дядя V2014 Сборы EA :

Плата питания на двойное моно, электролиты D = 30мм:

Плата питания для тех, кто хочет увеличить емкость в фильтре при разделении UN-A и выходным каскадом (VC), электролиты D до 25мм:

С двухуровневым питанием для тех, кто хочет, чтобы VT27 / 28 запитывался через фильтр, см. «Cut / Connect» на примере положительного плеча, с минусом те же манипуляции:

При одноуровневом питании подключить перемычку (по каплям).А вот чтобы VT27 / 28 питался через фильтр, см. Рекомендации выше:

Во второй ревизии ПП V2014EA были исправлены неточность разводки, необходимость обрезать дорожки. Как и планировалось ранее, власть УНГ может быть одно- или двухуровневой. При одноуровневой диете нужно капать оловом к контактным площадкам (см. Стрелки), т.е. восстанавливать проводники в плечах питания +/- u, при двухуровневой этого делать не нужно. В обоих вариантах мощность un-a проходит строго через RC-фильтр.

На данный момент у меня:

1. Сам усилитель:

2. Естественно терминал БП:

При настройке ума использую устройство, обеспечивающее безопасное подключение трансформатора MEE к сети (через лампу). Он выполнен в отдельной коробке со шнуром и розеткой и при необходимости подключается к любому устройству. Схема представлена ниже на рисунке. Для этого устройства требуется реле с обмоткой 220 АС и с двумя группами контактов для замыкания, одной кнопкой без фиксации (S2), одной кнопкой с фиксацией или переключателем (S1).При замкнутом S1 трансформатор подключается к сети через лампу, если все режимы MOD в норме, при нажатии кнопки S2 реле через одну контактную группу замыкает лампу и подключает трансформатор напрямую к сети, а Вторая контактная группа, дублирующая кнопку S2, постоянно подключает реле к сети. В этом состоянии устройство находится до момента размыкания S1, либо напряжение уменьшается меньше напряжения удержания контактов реле (в том числе КЗ). При следующем включении S1 трансформатор снова подключается к сети через лампу и так далее…

Бесшумность различных способов экранирования сигнальных проводов

3. Также мы собрали защиту переменного тока от постоянного напряжения:

С самого начала установки рекомендуется подбирать транзисторы попарно.Это не обязательная мера, т.к. усилитель проработает и при рассеянии 20-30%, но если ставить цель получить максимальное качество, то обратите на это внимание. Особо следует выделить выбор Т5, Т6 — их лучше всего использовать с максимальным h31 — это снизит нагрузку на ОУ и улучшит его выходной спектр. Т9, Т10 тоже должны быть как можно ближе. Для транзисторов выбор не является обязательным. Транзисторы выходного дня — если они из одной партии, забрать нельзя, т.к. культура производства на Западе несколько выше обычной и разброс закладывается в 5-10%.

Поднимите светодиоды Optron на выходы D2 (1 и 2) и включите.Если все собрано правильно, потребляемый ток не должен превышать 40 мА (выходной каскад будет работать в режиме C). Постоянное напряжение смещения на выходе yget не должно превышать 10 мВ. Светодиод разблокировки. Ток, потребляемый усилителем, должен увеличиться до 140 … 180 мА. Если увеличивается больше, то проверьте (рекомендуется делать это стрелочным вольтметром) коллекторы Т15, Т18. Если все работает правильно, должны быть напряжения, которые отличаются примерно от 10-20 В. В случае, когда отклонение меньше 5 В, а ток покоя слишком велик — попробуйте поменять диоды VD14, VD15 на другие, это Очень желательно, чтобы они были с одной стороны.Ток покоя умзч, если он не укладывается в диапазон от 70 до 150 мА, также можно установить подбором резисторов R57, R58. Возможна замена диодов VD14, VD15: 1N4148, 1N4001-1N4007, KD522. Либо уменьшить протекающий по ним ток за счет одновременного увеличения R57, R58. В мыслях можно было реализовать вытеснение такого плана: вместо VD14, VD15 использовать переходы транзисторов с тех же сторон, что и T15, T18, но тогда придется значительно увеличить R57, R58 — до текущего тока зеркала должны быть полностью отрегулированы.При этом вновь вводимые транзисторы должны находиться в тепловом контакте с радиатором, как и диоды, вместо которых они установлены.

4. Предварительный усилитель и его БП

Материал высокого качества PU:

В качестве временницы хорошо использовалась Т.Б. Матюшкина.Он имеет 4-х акцентную регулировку ЖК и плавную регулировку RF, а его отклик хорошо соответствует слуховому восприятию, во всяком случае классический мост TB, (который тоже можно применить), слушатели оценивают ниже. Реле позволяет при необходимости отключить все частотные коррекции в тракте, уровень выходного сигнала настраивается быстродействующим резистором по равенству усиления на частоте 1000 Гц в режиме ТБ и при байпасе.

Расчетные характеристики:

кг в диапазоне частот от 20 Гц до 20 кГц — менее 0.001% (типичное значение около 0,0005%)

Номинальное входное напряжение, 0,775

Перегрузочная способность в байпасе ТБ — не менее 20 дБ.

Минимальное сопротивление нагрузки, при котором работа выходного каскада гарантируется в режиме A — с максимальным размахом выходного напряжения «от пика к пику» 58V 1,5 ком.

При использовании ПУ только с SD плеерами допустимо снижение напряжения блока питания до + \ — 15В т.к. диапазон выходных напряжений таких источников явно ограничен сверху, на параметрах это не отразится.

Комплект плат состоит из двух каналов ПУ, РТ Матюшкина (по одной плате на оба канала) и блока питания. Печатные платы Разработка Владимира Лепечина.

Результаты измерений:

Što je bipolarni tranzistor i kako provjeriti multimetar

Транзистор — это постоянно находящийся элемент и элемент с современным электронным оборудованием, который всегда используется для обеспечения целостности и учётности элемента.У овом чланку чу вам показать како известить тест биполярног транзистора с мультиметром.

Što je биполярный транзистор

Prije nego što se mjerač i nastavite na blagajni, da vidimo što je bipolarni tranzistor. Ne ulazeći u detalje može se reći da je takav tranzistor se sastoji od dva P — N čvorišta, kao što je dobro poznato, takav prijelaz prolazi Struja samo u jednom smjeru. На овом принципе изградио све диод.

Постое двоеврстэ биполярных транзисторов:

Транзистор П-Н-П

яндекс.ru

Materijal, коди одна два друга потпуно идентичные материалы, под названием база, два преостала излаз називаю одежду и коллекцию. Када се на базу се налази у средини.

Шемацкий, као это биполярный транзистор се означени како слиеди:

yandex.ru

У другой разновидности биполярного транзистора

yandex.ru

Век твар П е н пуфер за двий электрод. Принцип рада таквог транзистора е скользко горь, осим это е транзистор струя тече у обрнутом сьере.

Шемацкий символ Н-П-Н транзистор:

яндекс.ru

Углавном, транзистор так можно приказать као двие повезане диода:

yandex.ru

Чтобы узнать, как можно подключить транзистор, диод. Pogledajmo tu mogućnost u praksi.

Sljedeći tranzistor će se smatrati kao primjer:

Прочтите свое озеро. У нас случаю к KT815. Сада отворите Интернет и информационную информацию о нашем транзисторе. Ми смо заинтересованные у техничком опису производства. У англеском езику се к зове податковна таблица. U ovom dokumentu imamo s vama će biti zainteresirani распиновка:

яндекс.ru

Sada je jasno gdje je naš tranzistor je baza, odašiljač i kolekcionar. Я к себе проводи Н-ПН спой.

Sada, sjetite se naše lik povezan s diodama. Tako ispada ako se proizvod radi, vidjet ćemo pad napona, ako će crveni sondu (plus) na bazi, a crni kabel (minus) na kolektor ili na odašiljač. Али ако себе стави минус на базу, али плюс на коллектор или эмиттер, на его сайте на мультиметар за «1».

Sada smo se naši multimetar sonde umetnute i odaberite kotačića (kao što je prikazano na sloi).

Я наставите на хитную инспекцию:

Kao što se vidi iz gore prikazanog pad foto napon jednak 0,477. Od ove opcije, čak možete odrediti što materijal provodi proizvod. Na primjer, ako je pad napona će biti u rasponu od 0,3 — 0,4 volti, onda se germanij koristi, ako se vrijednost od 0,5 do 0,7, u tranzistor koristi silicij.

Sada ćemo promijeniti sonde mjesta i provjeriti preokrenuti pad napona preko PN spoj u ovom slučaju trebali bismo vidjeti na multimetar na «1».

Kao što je jasno iz test tranzistor je potpuno funkcionalan i može se koristiti u bilo kojem od svojih ručno izraene članak. Ako ste vidjeli prilikom provjere nula na multimetar, onda to bi ukazivalo da je tranzistor je neispravan i to može biti sigurno bačen u smeće.

заключек

Kao što možete vidjeti, provjera takvih elemenata kao bipolarni tranzistor je vrlo jednostavan i što je najvažnije ne potrajati dugo za vas pronaći podatkovne tablice na svoj proizvod.

Uostalom, osim običnih tranzistora su komponente kada je u istom kućištu mogu biti nalazi nekoliko tranzistori or tranzistor i normalan dioda, oneosno predmet je u vašim rukama, što mož se trapoznali.

Dakle, najvažnija stvar je pronaći tehnički opis i verifikaciju će se održati brzo i jednostavno.

Ako je članak bio koristan za vas, koju će cijeniti to sviđa. Hvala vam na pažnji.

K561la7 ulanish sxemasi. Электр sxematik радио даврлари.K561LA7 mikrosxemasining texnik xususiyatlari

Mantiqiy чип. Элемент to’rt mantiqiy 2I-НЕ дан иборат. Ушбу elementlarning har biriga to’rtta dalaffektli tranzistorlar, иккита н-канал — VT1 ва VT2, иккита п-канал — VT3 ва VT4 киради. A va B ikkita kirishlari to’rtta kirish signallarining kombinatsiyasiga ega bo’lishi mumkin. Sxematik diagramma va mikrosxemaning bitta elementining haqiqat jadvali quyida ko’rsatilgan.

K561LA7 иш мантиги

Mikrosxemaviy elementning mantig’ini ko’rib chiqing … Agar elementning ikkala kirishiga ham yuqori darajadagi kuchlanish qo’llanilsa, VT1 va VT2 tranzistorlari ochiq holatda, VT3 va VT4 esa yopiq holatda bo’ladi. Шундай qilib, Q chiqishi мимо бо’лади. Agar biron bir kirishga past darajadagi kuchlanish qo’llanilsa, VT1, VT2 tranzistorlaridan biri yopiladi va VT3, VT4 bittalari ochiq bo’ladi. Shunday qilib, chiqish Q-da yuqori darajadagi kuchlanish o’rnatiladi. Tabiiyki, K561LA7 mikrosxemasining иккала киришига ветчина мимо дараджадаги кучланиш qo’llanilsa.NAND shlyapasining shiori nolga teng, har qanday kirishda chiqish chiqadi.

Кириш Chiqish Q
A B
H H В
H В В
B H В
B В H
K561LA7 mikrosxemasining haqiqat jadvali
K561LA7 микроразработка pinouti
K561la7 mikrosxemasi bir vaqtlar mashhur bo’lgan va hatto sevib qolgan.Мутлако хакли равишда, чунки о’ша пайтда у о’зига хос «универсальный аскар» бу нафакат мантикни, балки турли хил генераторларни яратиш ва хатто аналог сигналарни кучайтиришга имкон берди. Shunisi qiziqki, bugungi kunda ham ko’plab so’rovlar kabi k561LA7 chipining tavsifi , k561la7 analogi , k561LA7-dagi generator, K561LA7-da to’rtburchaklar pula generator
Афсуски, ушбу умуми фойдали микросхемаада хамма нарса оддий емас …
Menga hayron bo’ldi, masalan, Texas Instruments to’liq bir narsani chiqarishda davom etmoqda аналог bu — CD4011A mikrosxemasi.Qiziqish uchun — bu erda TIning CD4011A-dagi hujjatlar sahifasiga yoki ma’lumotlar jadvaliga havolasi mavjud.
Eslab qoling распиновка k561la7 boshqacha odatiy tartibdan 4x 2I-NOT TTL (k155la3 ва компания) дан.
Mikrosxemalar Juda Qulay:
Noqonuniy kirish oqimi barcha CMOS mantig’ining belgisi hisoblanadi
Statik oqim iste’moli — odatda mikroamperlarning fraktsiyalari
Та’минот кучланишининг 3 дан 15 вольтгача ишлаш кобилияти
Чикариш кввати кичик (миллампердан кам) болса ветчина носимметрик
Mikrosxemalar Sovet davrida ham mavjud edi.Бугунги кунда, умуман ольганда — 3 рубля озгина нарса, ва ундан ветчина арзонрок.
DCC mustahkamlovchi ko’prigining бир qo’lini tezda masxara qilish uchun men odatdagidek k561la7-dan klassik CMOS gevşeme osilatorını qurishda foydalanardim.
Резистор R2 va kondansatör C1 tebranish chastotasini taxminan 0.7 / R2C1 ga o’rnatdi. Резистор R1 birinchi инвертор Q1 kirishida himoya diodlar orqali C1 kondansatörünün zaryadlanish oqimini cheklaydi.
Jeneratörning ishlash printsipi qisqacha quyidagicha: kondensator ikkita invertorni ijobiy bilan qoplaydi fikrlarShunday qilib, mandal, tetik olinadi.Фикрлаш таджрибасини о’тказинг: конденсаторни ва Р1-ни отказгич билан алмаштиринг, Р2 нинг та’сири эса этиборсиз колдирилиши мумкин (аммо qisqa vaqt ichida).
R2 orqali, kontaktlarning zanglashiga olib keladigan kondansatörün yuqori plastinkasiga oqim etkazib beriladi, kondansatör «boshqa yo’nalishda» zaryadlanadi, ya’ni bizning mandalimiz bir holatradishda abb. Ушбу оким конденсаторни зарядлаш вактини ва шунга мос равишда насос частотасини аниклайди.РФ занжири худди амалга оширилган фикр таджрибасида бо’лгани каби иджобий тескари алока билан котпланганлиги сабабли, коммутация тугмачалар учун мамкин бо’лган максимал тезликда амалчаклганиш1 цылганиш-тезликда амалчракишриниш1: kirishiga qo’llaniladi, бу chiqishdagi kuchlanishning pasayishiga olib keladi. Q1 ва Q2 chiqishda kuchlanishning yanada o’sishi.
1-савол ва киришдаги то’лкин шакллари:
Q1 va 2-chi natijalarga qanday befarq qaraydi:
R1 = 91 кОм
R2 = 33 кОм
C1 = 10 нФ
С2 = 2,2 нФ
F = 1,3 КГц
Jiddiy dizayn uchun men shaxsan buni ishlatmayman to’rtburchaklar Pulslarning generatori … Hatto sodda ham yaxshiroq barqarorlikka ega ва иуда тоза to’rtburchaklar hosil qiladi.
Iltimos, агар ushbu материал sizga biron bir narsada yordam bergan bo’lsa yoki yoqimli nostaljik xotiralarni keltirib chiqargan bo’lsa, uni boshqalar bilan baham ko’ring. Buning uchun siz ro’yxatdan o’tgan tarmoq belgisini «чертинг» ва шунда до’стларингиз ushbu maqolaga havolani olishadi. Рахмат!
Янги бошланувчилар учун oddiy радио даврлари
Ushbu maqolada biz K561LA7 ва K176LA7 mantiq chiplariga asoslangan bir nechta oddiy elektron qurilmalarni ko’rib chiqamiz.Asos sifatida, ushbu mikrosxemalar deyarli bir xil va bir xil maqsadga ega. Ba’zi parameterlarning ozgina farqiga qaramay, ular deyarli bir-birini almashtiradilar.
K561LA7 mikrosxemasi haqida qisqacha
K561LA7 va K176LA7 mikrosxemalari to’rt element 2I-NOTni anglatadi. Strukturaviy ravishda, ular 14 ta pinli qora plastik sumkada qilingan. Mikrosxemaning birinchi pimi qutida yorliq (калит деб аталади) билан белгиланади. Bu nuqta yoki belgi bo’lishi mumkin.Tashqi ko’rinish mikrosxemalar va pinout raqamlarda ko’rsatilgan.
Mikrosxemalarning quvvat manbai 9 вольт, ta’minot kuchlanishi terminallarga qo’llaniladi: 7 chiqish — «umumiy», 14 chiqish — «+».
Mikrosxemalarni o’rnatishda siz pinout bilan ehtiyot bo’lishingiz kerak — mikrosxemani «ichkaridan» tasodifiy o’rnatish uni o’chiradi. Mikrosxemalarni 25 vattdan oshmaydigan lehimli temir bilan lehimlash tavsiya etiladi.
Eslatib o’tamiz, ushbu mikrosxemalar «mantiqiy» deb nomlangan, chunki ularda faqat ikkita holat mavjud — «mantiqiy nol» yoki «mantiqiy».Бундан ташкари, «битта» дараджасида та’минот кучланишига якин бо’лган кучланишни англатади. Shunday qilib, mikrosxemaning o’zi ta’minot kuchlanishining pasayishi bilan «Mantiqiy birlik» darajasi kamroq bo’ladi.
Келинг, озгина тайриба отказайлик (3-разм)
Биринхидан, buning uchun kirishlarni ulab 2I-NOT mikrosxemasini elementini shunchaki NOT ga aylantiramiz. Biz mikrosxemaning chiqishiga bir LED ulaymiz va voltajni boshqarishda o’zgaruvchan rezistor orqali kirishga kuchlanish beramiz.LEDning yonishi uchun mikrosxemaning chiqishida mantiqiy «1» га тенг кучланишни олиш керак (бу 3-расм). Har qanday multimetr yordamida voltajni DC kuchlanishini o’lchash rejimida yoqib boshqarishingiz mumkin (диаграмма бу PA1).
Ammo quvvat manbai bilan ozgina o’ynaymiz — avval biz 4,5 voltli bitta batareyani ulaymiz.Mikrokadre invertor bo’lgani uchun, mikrosxemaning chiqishida «1» olish uchun, aksincha, mikrosxashemani qy Shuning uchun, biz tajribamizni mantiqiy «1» bilan boshlaymiz, ya’ni rezistor slayder yuqori holatda bo’lishi kerak.Озгарувчан резистор слайдерини айлантириб, светодиод йониб тургунча кутинг. Озгарувчан резистор двигателидаги ва шунинг учун микросеманинг киришидаги кучланиш таксминан 2,5 вольтни ташкил гилади.
Агар сиз иккинчи батареяни уласангиз, у холда бизнес аллэкачон 9 Вольтсни оламиз ва бу холда бизнес светодиодный йоритгичимиз 4 вольтлик кириш вольтаджида йонади.
Айтганча, бироз тушунтириш керак .: Sizning tajribangiz yuqoridagilardan farqli natijalarga ega bo’lishi mumkin. Buning ajablanarli joyi yo’q: birinchi ikkitasida mutlaqo bir xil mikrosxemalar mavjud emas va ularning параметрлари хар qanday holatda farq qiladi, иккинчидан, mantiqiy mikrosxemalar holayti pasiish signalining хардишанди mikrosxemalar kirayisharish signalining хардицини.ikki marta, va uchinchidan, biz ushbu tajribani bajarishga harakat qilmoqdamiz raqamli mikrosxemalar аналог rejimda (ya’ni boshqaruv signali biz uchun muammosiz o’tadi) va mikrosxemalorg iskálārāā , дархол мантикий холатни ташлайди. Ammo turli xil mikrosxemalar uchun bu Juda katta farq bo’lishi mumkin.
Biroq, tajribamizning maqsadi oddiy edi — biz mantiq darajalari to’g’ridan-to’g’ri ta’minot kuchlanishiga bog’liqligini isbotlashimiz kerak edi.
Яна бир нюанс: бу факат кучланиш учун иуда мухим бо’лмаган CMOS микросхемалари билан мумкин. TTL seriyasining mikrosxemalarida hammasi bir-biridan farq qiladi — ularning kuchi katta rol o’ynaydi va ish paytida 5% дан ko’p bo’lmagan og’ishlarga yo’l qo’yiladi.
Xo’sh, qisqacha tanishuv tugadi, keling mashq qilishga o’taylik …
Oddiy vaqt o’rni
Qurilmaning diagrammasi 4-rasmda keltirilgan. Микросиркулятор элементы бу эрда юкоридаги таджрибада бо’лгани каби киритилган: киришлар йопик.S1 tugmachasi ochilganda, C1 kondansatörü zaryadlangan holatda ва у orqali oqim bo’lmaydi. Шу билан бирга, mikrosxemaning kirish qismi «umumiy» simga (R1 rezistori orqali) ulanadi va shuning uchun mikrosxemaning kirish qismida mantiqiy «0» bo’ladi. Mikrosxemaning element invertor bo’lgani uchun, mikrosxemaning chiqishida mantiqiy «1» olinadi va LED yonadi.
Бизнес тугмачани йопамиз. Mikrosxemaning kirish qismida mantiqiy «1» пайдо бо’лади ва шунинг учун чикиш «0» бо’лади, светодиод o’chadi. Боеприпасы tugma yopilganda, C1 kondansatörü darhol zaryadsizlanadi.Ва бу шуни англатадики, биз конденсаторда тугмачани бо’шатгандан со’нг, зарядлаш джарайони бошланади ва у давом этганда у оркали окиб чикади. elektr toki mikrosxemaning kirish qismida «1» mantiqiy darajasini ushlab turish. Ya’ni, C1 kondansatörü zaryadlanmaguncha, LED yonmaydi. Конденсаторнинг зарядлаш vaqti kondensatorning quvvatini tanlash yoki R1 rezistorining qarshiligini o’zgartirish orqali o’zgarishi mumkin.
Иккинчи сксема
Bir qarashda, avvalgisi bilan deyarli bir xil, ammo vaqt kondansatörü bo’lgan tugma biroz boshqacha tarzda yoqilgan.Ва у хам бироз бошкача ишлайди — кутиш реджимида светодиод йонмайди, тугма йопилганда, светодиод дархол йонади ва кечикиш билан о’чади.
Oddiy chiroq
Agar siz mikrosxemani rasmda ko’rsatilgandek yoqsangiz, u holda biz yorug’lik puls generatorini olamiz. Аслида, бу принцип ушбу сахифада батафсил тавсифланган рус оддий мультивибратор.
Дарбели частота R1 резистор томонидан тартибга солинади (siz hatto o’zgaruvchini belgilashingiz mumkin) в конденсатор C1.
Назоратли мигалка
Keling, bizga tanish bo’lgan vaqt o’rni — S1 tugmachasi va C2 kondansatörü orqali kontaktlarning zanglashiga olib kirish orqali (6-rasmda yuqorida ko’zall’zini biramdrops.
Biz nimani olamiz: S1 tugmasi yopilganda, D1.1 elementining kiritilishi mantiqiy «0» бо’лади. Бу 2I-НЕ элемент ва шунинг учун иккинчи киришда нима содир бо’лиши мухим емас, натиджада хар гандай холатда «1» чикади.
Бу иуда «1» иккинчи элементнинг киришига о’тади (бу D1.2) ва шунин учун мантикий «0» ушбу элементнинг чикиш джойга махкам джойлашади. Agar shunday bo’lsa, LED yonadi va doimo yonib turadi.
S1 tugmachasini chiqarganimizdan so’ng, C2 kondansatörü zaryadlashni boshlaydi. Заряд olayotganda mikrosxemaning 2-pinida mantiqiy «0» darajasini saqlab, u orqali oqim paydo bo’ladi. Конденсатор заряд олгандан со’нг, у оркали оким то’хстайди, мультивибратор нормальный режимда ишлай бошлайди — светодиод йонади.
Кейинги диаграммамада худди шу занджир хам таништирилган, боеприпасы у бошка йо’л билан йокилган: тугмачани босганингизда светодиод йониб-о’чиб туради ва бир мунча вакт о’тгач доймий равшда йониб туратишда.
Oddiy qichqiriq
Ushbu sxemada hech qanday g’ayrioddiy narsa yo’q: barchamiz bilamizki, agar karnay yoki eshitish vositasi multivibratorning chiqishiga ulangan bo’lsa, u holda u uzilib qolgan tovushlarni chiqara. Прошлое частоталарда бу шунчаки «ишора» бо’либ колади ва юкори частоталарда бу мелкашлик бо’лади.
Tajriba uchun quyida ko’rsatilgan sxema ko’proq qiziqish uyg’otadi.
Бу эрда яна таниш вакт орни — бизнес S1 тугмачасини йопамиз, уни очамиз ва бир мунча вакт отгач, курильма сигнал беришни бошлайди.
K561LA7 mikrosxemasidagi oddiy va arzon metall детекторнинг sxemasi, также известный как CD4011BE. Хатто Аджам радио хаваскорлари хам ушбу металл детекторни о’з qo’llari билан yig’ishlari mumkin, боеприпасы pallaning kengligiga qaramay, у иуда yaxshi xususiyatlarga ega.Металл детекторы oddiy toj bilan quvvatlanadi, zaryad uzoq vaqt davom etadi, chunki quvvat iste’moli katta emas.
Металл детектор иуда кенг таркалган ва арзон бо’лган битта K561LA7 (CD4011BE) mikrosxemasida yig’ilgan. Тартибга солиш учун сизга осилоскоп йоки частота о’лчагич керак бо’лади, боеприпасы сиз контактларнинг занглашига олиб кирсангиз, бу курилмалар умуман керак бо’лмайди.
Металл детектор палласи
Металл детекторнинг sezgirligi
Та’сирчанликка келсак, лекин бундай оддий курильма учун бу йомон эмас, масалан, у 20 см масофада металли консерва консерваларини ко’ради.5 рублдан 8 см гача бо’лган танга танга. Металл buyum aniqlanganda naushnikda ohang eshitiladi, lasan qanchalik yaqin bo’lsa. мавзу, оханг кучлирок бо’лади. Агар об’ект катта майдонга, масалан, тешикка йоки козонга эга бо’льса, унда аниклаш чукурлиги ошади.
Металл детектор компонентлари
Транзисторлардан KT315, KT312, KT3102 Singari прошлое частотали прошедшее quvvatli har qanday vositalardan yoki ularning xorijiy hamkasblaridan BC546, BC945, 2SC639, 2SC1815 foydalanish mumkin
O’z navbatida K561LA7 mikrosxemasini CD4011BE yoki K561LE5 analogiga almashtirish mumkin
Kd522B, kd105, kd106 yoki analoglar kabi past quvvatli diodlar: in4148, in4001 va shunga o’xshashlar.
Agar mavjud bo’lsa, 1000pF, 22nF va 300pF kondansatörler keramika, yoki yaxshiroq, slyuda bo’lishi kerak.
Озгарувчан резистор 20 кОм, сиз калит йоки калит билан алохида кабул qilishingiz kerak.
Bobin uchun mis sim, диаметром 0,5-0,7 мм bo’lgan PEL yoki PEV uchun mos keladi
Эшитиш воситаси оддий, кам импеданс.
9 вольтли батареи, тодж яхши.
Bir oz ma’lumot:
Металл детектор тактаси автоматик машинардан пластик ктига джойлаштирилиши мамкин, сиз ушбу маколада буни гандай qilishni o’qishingiz mumkin :.Бундай холда, бирлашма кутиси ишлатилган))
Agar siz qismlarning reytingini chalkashtirmasangiz, kontaktlarning zanglashiga olib boradigan joyni to’g’ri lehimlasangiz va ko’rsatmalar rulonni o’rashga to’g’ri keladigan bo’lsa, unda max metalhlashsizus darholdi.
Агар сиз металлический детектор биринчи марта йоксангиз, ЧАСТОТА регуляторини созлашда минигарнитурада шовкин ва частота о’згаришини эшита олмасангиз, регулятор ва / йоки ушбу генератордаги кетенсзатор кетенсмашинг 10 пФилан кетенсмашинг тангизатор кетенсмашинг 10 пФилан кетенсмашинг тангент.Shunday qilib, biz mos yozuvlar va qidiruv osilatorlarining chastotalarini bir xil qilamiz.
Jeneratör qo’zg’alganda, hushtak chalish, hushtak chalish yoki buzilish paydo bo’lganda, diagrammada ko’rsatilgandek, mikrosxemaning oltinchi pinidan 1000 pF (1 nf) kondansatörü eritma ichiga soling.
Osiloskop yoki chastota o’lchagich yordamida K561LA7 mikrosxemasining 5 va 6-sonli pinlaridagi signal chastotalariga qarang. Yuqoridagi o’rnatish usuli yordamida ularning tengligiga erishing.Jeneratörlarning ish chastotasi 80 dan 200 kHz gacha bo’lishi mumkin.
Mikrosxemani himoya qilish uchun himoya diyot (har qanday kam quvvatli) kerak, agar siz batareyani to’g’ri ulamasangiz va bu Juda tez-tez sodir bo’lsa.))
Металл детектор лазан
Бобин ПЭЛ йоки ПЭВ симлари билан халкага о’ралган, диаметр 15 дан 25 см гача ва 100 та бурилишни о’з ичига олади. Lasanning диаметр qanchalik kichik bo’lsa, sezgirlik shunchalik past bo’ladi, боеприпасы kichik narsalarning tanlovliligi shunchalik katta bo’ladi.Агар сиз кора метални кыдириш учун металл детектордан фойдаланмокчи бо’лсангиз, катта диаметрли рулонни qilish yaxshiroqdir.
Lasan 80 дан 120 gacha bo’lgan burilishlarni o’z ichiga olishi mumkin, o’rashdan keyin uni quyidagi diagrammada ko’rsatilgandek elektr lenta bilan mahkam o’rash kerak.
Endi siz elektr tarmoqli, oziq-ovqat yoki shokoladning yuqori qismiga yupqa folga o’ralishingiz kerak. Siz uni oxirigacha o’rashingiz shart emas, quyida ko’rsatilgandek bir necha santimetr qoldiring.Шуни йодда туттинки, фольга йашшилаб о’ралади, кенглиги 2 сантиметр болган текис чизиклар кесиб, электр лента каби о’ралган йахширокдыр.
Endi biz yana rulonni elektr lenta bilan mahkam bog’laymiz.
Бобин тайёр, энди сиз уни диэлектрик рамкага о’рнатиб, новда ясаб, хамма нарсани то’плашингиз мамкин. Qopqoqni полипропилен quvurlar va диаметром 20 мм bo’lgan qismlardan lehimlash mumkin.
Bobinni kontaktlarning zanglashiga ulash uchun, er-xotin ekranlangan sim (ekran tanaga) mos keladi, masalan, televizorni DVD player (аудио-видео).
Металл детектор qanday ishlashi kerak
Ёкилганда, «частота» регуляторидан фойдаланиб, минигарнитурада мимо частотали шовкин о’рнатамиз, металлга якинлашганда частота о’згаради.
Иккинчи вариант — нол калтакларни орнатиш, шунда кулоклардаги миш-мишлар «турмайди». иккита частотани бирлаштириш. Keyin minigarniturada sukunat bo’ladi, lekin biz lasanni metallga yaqinlashtirgandan so’ng, qidiruv generatorida chastota o’zgaradi va minigarniturada gup-gup paydo bo’ladi.Metallga yaqinroq bo’lsa, minigarniturada chastota qanchalik ko’p bo’lsa. Патроны бу усул билан сезгирлик катта емас. Jeneratör kuchli zararsizlantirilganda, masalan, uni idishning qopqog’iga olib kelganda, qurilma reaktsiyaga kirishadi.
DIP tafsilotlarining taxtada joylashishi.
SMD qismlarining taxtada joylashishi.
Металлический детектор taxtasini yig’ish
K561LA7 mikrosxemasida (K176LA7) o’rnatilgan to’rtta elektron qurilmaning aylanishlarini ko’rib chiqing.Birinchi qurilmaning sxematik diagrammasi 1-rasmda ko’rsatilgan. Bu miltillovchi chiroq. Микросхемалар транзистор VT1 poydevoriga o’tadigan pulslarni keltirib chiqaradi va bitta mantiqiy darajadagi kuchlanish uning bazasiga tushganda (R2 rezistori orqali) у аккор chiroqni ochadi va y’chrosemana mik. чирок о’чади.
Mikrosxemaning 11-pinidagi kuchlanishni tasvirlaydigan grafik 1A-rasmda keltirilgan.
1A-rasm
Mikrosxemada to’rtta «2AND NOT» mantiqiy elementlari mavjud, ularning kirishlari bir-biriga ulanadi.Натияда то’ртта инвертор («EMAS». Birinchi ikkita D1.1 va D1.2-larda pulslarni hosil qiluvchi, мультивибратор yig’iladi (4-rasmda), shakli 1A-rasmda ko’rsatilgan. bog’liq. va R1 rezistorlari Taxminan (mikrosxemaning parameterlarini hisobga olmasdan) ushbu chastotani F = 1 / (CxR) formulasi bilan hisoblash mumkin.
Bunday multivibratorning ishlashlashi.2 chiqishi nolga teng, bu C1 kondansatörü R1 orqali zaryadlashni boshlaydi va D1.1 elementining kiritilishi C1 ustidagi kuchlanishni nazorat qiladi. Ва бу кучланиш мантикий бирлик дараджасига йетиши биланок, контактларнинг занглашига олиб келади, энди D1.1 чикиши нолга тенг бо’лади ва D1.2 чикиши битта бо’лади.
Endi kondensator rezistor orqali zaryadlashni boshlaydi va D1.1 kirimi bu jarayonni bajaradi va u orqali kuchlanish mantiqiy nolga tenglashishi bilan, kontaktlarning zanglashiga olib keladi.Natijada, D1.2 chiqishidagi sath pulslar bo’ladi, D1.1 chiqishida esa pulslar bo’ladi, lekin D1.2 chiqishidagi impulslarga antifaza bo’ladi (1A-rasm).
D1.3 ва D1.4 elementlarida, qoida tariqasida, tarqatish mumkin bo’lgan kuchaytirgich tayyorlanadi.
Ushbu sxemada siz har xil qiymatdagi qismlardan foydalanishingiz mumkin, ularning parameterari diagrammada belgilanishi kerak bo’lgan chegaralar. Masalan, R1 470 кОм дан 910 кОм gacha qarshilikka ega bo’lishi mumkin, C1 kondansatörü 0,22 uF dan 1,5 uF gacha, R2 rezistori — 2 kOhm dan 3 kOhm gacha, shu bilan qismirladqa imzoljati.
1B-rasm
Akkor chiroq yonib-o’chadigan chiroqdan, batareya esa 4,5 V yoki «Krona» da 9V, lekin ketma-ket ulangan ikkita «tekis» lampani olsangiz yaxshi bo’ladi. Распиновка транзистора КТ815 (распиновка) 1Б-расмда келтирилган.
Иккинчи курилма — вакт орни, орнатилган вакт оралиг’и тугаганлиги то’г’рисида сигнал эшитиладиган таймер (2-расм). У мультивибраторга асосланади, униинг частотаси олдинги дизайн нисбатан катта, бу конденсаторнинг сиг’имининг пасайиши туфайли копаяди.Мультивибратор D1.2 va D1.3 elementlarida tayyorlangan. 1-rasmdagi kontaktlarning zanglashiga olib boradigan R1 rezistorini oling va kondansatör (bu holda, C2) 1500-3300 пФ оралиг’ида анча мимо бо’лади.
Natijada, бандай мультивибраторы chiqishidagi impulslar (4-rasm) овоз частотасига ега. Ushbu impulslar D1.4 elementida yig’ilgan kuchaytirgichga ва мультивибратор ishlayotganda yuqori yoki o’rta ohang chiqaradigan piezokeramik ovoz chiqaruvchiga beriladi. Овоз чикарувчи — пьезокерамик сигнал, масалан, телефон кабуль кылувчиси цзыринглашидан.Агар учта пин бо’льса, сиз улардан иккитасини лехимлашингиз керак ва кейин максимал товуш хаймига уланган холда, улардан иккитасини эмпирик равишда танланг.
2-rasm
Мультивибратор D1.2-ning 2-bandida bitta bo’lsa, ishlaydi, agar nol bo’lsa, мультивибратор yaratmaydi. Бунинг сабаби шуки, D1.2, элементы «2И НЕ», элементы бо’либ, сиз билганингиздек фарк калади, агар нол битта киришга колланилса, у иккинчи киритишда нима бо’лишидан кат’ий назар битта бо’лади.

КТ815 транзистор: характеристики, цоколевка, аналоги, параметры

Цоколевка транзистора КТ815

Маркировка транзистора КТ815

Характеристики транзистора КТ815

Аналоги транзистора КТ815

Транзистор КТ815 — DataSheet

Параметры КТ815

Транзисторы П213 и КТ815 — маркировка и цоколевка.

Транзисторы КТ815

Наиболее важные параметры.

Кт815 характеристики транзистора, аналог, цоколевка, даташит

Транзистор КТ817 — DataSheet

KT817V Datasheet (PDF)

Биполярный транзистор KT817G — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

KT817G

KT817B2 Datasheet (PDF)

Транзистор КТ817. Параметры, цоколевка, аналог

Специфика КТ817

Биполярный транзистор KT817V — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

KT817V

KT817B Datasheet (PDF)

Транзистор КТ815: Характеристики, аналоги и цоколевка

Распиновка

Технические характеристики

Содержание драгметаллов

Аналоги

Производители

kt815 техническое описание и примечания к применению

IRF9634

КТ805М

2010 — Ил311АНМ

Транзистор КТ 819

2T931A

2T908A

C520D

T35W

NT101

БТИЗ M16 100-44

2001 — Перекрестная ссылка BC184

т110 94в 0

КТ853

КТ853

КТ853

2001 — ПЛАТА ПК intel 815 принципиальная схема

2001 — схема материнской платы intel 815ep

КТ805АМ

2T6551

2T3130A9

КТ3102

КТ972А

KC156A

H0A0872-n55

2010 — B0139

Таблицы эквивалентов между российской и западной частями

1.Транзисторы биполярные

Какое переходное сопротивление транзисторов кт 819. Параметры транзистора КТ819, его распиновка и аналоги

Распиновка транзистора

основные параметры

Возможные аналоги

Отечественные аналоги

Зарубежные аналоги

«Пиратский» металлистектор. Kuidas teha lihtsalt ja täpselt

üldkirjeldus

Metoodika ja soovitused koost

регулеримин

Высококачественный предусилитель Nataly. Качественный предусилитель «Натали». Моя версия. О конфигурации и возможных проблемах

Материал высокого качества PU:

Материал высокого качества PU:

Što je bipolarni tranzistor i kako provjeriti multimetar

Što je биполярный транзистор

заключек

K561la7 ulanish sxemasi. Электр sxematik радио даврлари.K561LA7 mikrosxemasining texnik xususiyatlari

K561LA7 иш мантиги

Янги бошланувчилар учун oddiy радио даврлари

Металл детектор палласи

Металл детекторнинг sezgirligi

Металл детектор компонентлари

Bir oz ma’lumot:

Металл детектор лазан

Металл детектор qanday ishlashi kerak