Рабочее напряжение | это… Что такое Рабочее напряжение?

Рабочее напряжение

3а. Номинальная мощность светового прибора

Суммарная номинальная мощность ламп, на которую рассчитан световой прибор

Источник: ГОСТ 16703-79: Приборы и комплексы световые. Термины и определения оригинал документа

2.2.3. Рабочее напряжение — максимальное напряжение, приложенное к рассматриваемой части, когда машина работает при номинальном напряжении и в нормальных условиях эксплуатации.

Примечания:

1. Нормальные условия эксплуатации — условия, включающие в себя возможные изменения напряжения внутри машины, которые возникают, например, при срабатывании выключателя цепи или повреждения лампы.

2. При определении рабочего напряжения не принимают во внимание величины напряжений, возникающие вследствие переходных процессов в источнике питания.

Источник: ГОСТ 12.2.013.0-91: Система стандартов безопасности труда. Машины ручные электрические. Общие требования безопасности и методы испытаний оригинал документа

3. 2.3 рабочее напряжение (working voltage): Максимальное напряжение, приложенное к рассматриваемой части, когда машина работает при номинальном напряжении и при нормальной нагрузке.

Источник: ГОСТ Р МЭК 60745-1-2005: Машины ручные электрические. Безопасность и методы испытаний. Часть 1. Общие требования оригинал документа

3.59 рабочее напряжение: Максимальное значение напряжения (постоянного тока или эффективного значения переменного тока), возможное на любой конкретной изоляции при номинальном напряжении электрооборудования.

Примечания

1 Переходные процессы не принимают во внимание.

2 Условия разомкнутой цепи и нормальные условия эксплуатации принимают во внимание.

Источник: ГОСТ Р МЭК 60079-0-2011: Взрывоопасные среды. Часть 0. Оборудование. Общие требования оригинал документа

3.4 рабочее напряжение: Наибольшее значение напряжения постоянного или переменного тока, которое может возникнуть (локально) по любой изоляции при номинальном напряжении питания (колебаниями напряжений можно пренебречь) в нормальных режимах работы или при разомкнутой электрической цепи.

Источник: ГОСТ Р 51330.6-99: Электрооборудование взрывозащищенное. Часть 5. Кварцевое заполнение оболочки q оригинал документа

3.10

рабочее напряжение: Напряжение, приложенное к электрофильтру (полю), определяемое алгоритмом автоматической системы управления агрегата питания при заданных технологических параметрах, условиях эксплуатации и технического обслуживания.

Источник: ГОСТ Р 51707-2001: Электрофильтры. Требования безопасности и методы испытаний оригинал документа

2.49 Рабочее напряжение — максимальное действующее значение напряжения, которое может быть приложено к любой изоляционной системе при номинальном входном напряжении в условиях холостого хода или в нормальных условиях эксплуатации, при этом угол сдвига фаз и перенапряжение, возникающее вследствие переходного процесса, во внимание не принимаются.

Примечания

1 При рассмотрении изоляционной системы между обмотками, которые не предназначены для соединения между собой, считают, что рабочее напряжение — это наивысшее значение напряжения, имеющего место в любой из этих обмоток.

2 Следует обратить внимание на тот факт, что рабочее напряжение относительно земли на входе может заметно отличаться для однофазных систем, не содержащих провода нейтрали, для трехфазных систем, соединенных в звезду, без заземленной нейтрали и соединенных в треугольник. Вторичное напряжение может искусственно возрасти относительно земли в трансформаторе, что обусловливается режимами, происходящими в электрическом бытовом приборе или в оборудовании.

Источник: ГОСТ 30030-93: Трансформаторы разделительные и безопасные разделительные трансформаторы. Технические требования оригинал документа

3.43 рабочее напряжение: Максимальное значение напряжения (постоянного тока или эффективное значение переменного тока), возможное на любой конкретной изоляции при номинальном напряжении электрооборудования.

Примечания

1 Переходные процессы не принимают во внимание.

2 Условия разомкнутой цепи и нормальные условия эксплуатации принимают во внимание.

Источник: ГОСТ Р МЭК 60079-0-2007: Взрывоопасные среды.

Часть 0. Оборудование. Общие требования оригинал документа

3.18 рабочее напряжение (operating voltage): Значение фактического напряжения, подаваемого на действующий электронагреватель.

Источник: ГОСТ Р МЭК 60079-30-1-2009: Взрывоопасные среды. Резистивный распределенный электронагреватель. Часть 30-1. Общие технические требования и методы испытаний оригинал документа

14. Рабочее напряжение

Напряжение, установленное изготовителем и указанное на внешней стороне корпусов вилки и розетки

Источник: СТ СЭВ 2186-80: Соединители электрические цилиндрические промышленные от 16 до 200 А, 660 V. Технические требования. Методы испытаний

2.2 рабочее напряжение: Наибольшее действующее значение напряжения переменного тока, которое может быть приложено к изоляции патрона, без учета переходных процессов, при работе лампы или стартера в нормальном режиме или при отсутствии лампы или стартера.

Источник: ГОСТ Р МЭК 60400-99: Патроны для трубчатых люминесцентных ламп и стартеров оригинал документа

2. 2 рабочее напряжение (working voltage): Наибольшее действующее значение напряжения переменного тока, которое может быть приложено к изоляции патрона, без учета переходных процессов, при работе лампы в нормальном режиме или при отсутствии лампы.

Источник: ГОСТ Р МЭК 60838-1-2008: Патроны различные для ламп. Часть 1. Общие требования и методы испытаний оригинал документа

1.2.9.6 рабочее напряжение (working voltage): Наибольшее напряжение, которому подвергается или может быть подвергнута рассматриваемая изоляция или компонент при работе оборудования в нормальных условиях эксплуатации.

Источник: ГОСТ Р МЭК 60950-1-2009: Оборудование информационных технологий. Требования безопасности. Часть 1. Общие требования оригинал документа

1.2.9.6 рабочее напряжение (working voltage): Наибольшее напряжение, которому подвергается или может быть подвергнута рассматриваемая изоляция или компонент при работе оборудования в нормальных условиях эксплуатации.

Источник: ГОСТ Р МЭК 60950-1-2005: Оборудование информационных технологий. Требования безопасности. Часть 1. Общие требования оригинал документа

3.18 рабочее напряжение: Фактическое напряжение, подаваемое на действующий электронагреватель.

Источник: ГОСТ Р МЭК 62086-1-2003: Электрооборудование взрывозащищенное. Нагреватели электрические резистивные для потенциально взрывоопасных сред. Часть 1. Общие требования и методы испытаний оригинал документа

3.60

рабочее напряжение (working voltage): Максимальное напряжение (исключая переходные напряжения), которому подвергается рассматриваемая часть машины, когда она работает при номинальном напряжении и в условиях нормальной эксплуатации.

Источник: ГОСТ Р МЭК 60745-1-2009: Машины ручные электрические. Безопасность и методы испытаний. Часть 1. Общие требования оригинал документа

3.2.3 рабочее напряжение (working voltage): Максимальное напряжение, приложенное к рассматриваемой части, когда машина работает при номинальном напряжении и при нормальной нагрузке.

Источник: ГОСТ IEC 60745-1-2011: Машины ручные электрические. Безопасность и методы испытаний. Часть 1. Общие требования

3.6 рабочее напряжение (working voltage): Наибольшее действующее значение напряжения, которое может быть на любой изоляции при нормируемом напряжении сети, без учета переходных процессов, при холостом ходе или при нормальной работе.

Источник: ГОСТ Р МЭК 61347-1-2011: Устройства управления лампами. Часть 1. Общие требования и требования безопасности оригинал документа

3.10 рабочее напряжение: Напряжение, приложенное к электрофильтру (полю), определяемое алгоритмом автоматической системы управления агрегата питания при заданных технологических параметрах, условиях эксплуатации и технического обслуживания.

Источник: ГОСТ 31830-2012: Электрофильтры. Требования безопасности и методы испытаний оригинал документа

1.2.9.6 РАБОЧЕЕ НАПРЯЖЕНИЕ: Наибольшее напряжение, которому подвергается или может быть подвергнута рассматриваемая изоляция или компонент при работе оборудования в нормальных условиях эксплуатации.

Источник: ГОСТ Р МЭК 60950-2002: Безопасность оборудования информационных технологий оригинал документа

24.6 Рабочее напряжение двигателей, непосредственно подсоединенных к сети питания и имеющих основную изоляцию, адекватную номинальному напряжению

прибора, не должно превышать 42 В. Дополнительно двигатели должны соответствовать требованиям приложения I.

Соответствие требованию проверяют измерениями и испытаниями по приложению I.

Комплекты шлангов для подсоединения приборов к водопроводным магистралям должны соответствовать требованиям [4]. Они должны поставляться в комплекте с прибором.

Соответствие требованию проверяют осмотром.

24.7. (Введен дополнительно, title=»Изменение № 1, ИУС 2-2010″).

Источник: ГОСТ Р 52161.1-2004: Безопасность бытовых и аналогичных электрических приборов. Часть 1. Общие требования оригинал документа

3.3.3. рабочее напряжение: Наибольшее среднеквадратичное значение напряжения переменного или постоянного тока на любой конкретной изоляции, которое имеет место, когда на оборудование подают номинальное напряжение.

Примечания

1. Переходные процессы не учитывают.

2. Условия разомкнутой цепи и нормальные рабочие условия принимают во внимание.

Источник: ГОСТ Р 52319-2005: Безопасность электрического оборудования для измерения, управления и лабораторного применения. Часть 1. Общие требования оригинал документа

1.2.43. рабочее напряжение: Максимальное напряжение (действующее значение), которое имеет место на токоведущих частях светильника при нормируемом напряжении электрической сети при разомкнутой или замкнутой цепи, при этом переходные процессы во внимание не принимают.

Источник: ГОСТ Р МЭК 60598-1-2003: Светильники. Часть 1. Общие требования и методы испытаний оригинал документа

1.2.43 рабочее напряжение (working voltage): Максимальное действующее значение напряжения, которое может установиться на изолированных деталях при нормируемом напряжении электрической сети в режиме холостого хода или при нормальной работе; при этом переходные процессы во внимание не принимают.

Источник: ГОСТ Р МЭК 60598-1-2011: Светильники. Часть 1. Общие требования и методы испытаний оригинал документа

1.2.43 рабочее напряжение: Максимальное напряжение (действующее значение), которое устанавливается на токоведущих частях светильника при нормируемом напряжении электрической сети при разомкнутой или замкнутой цепи; при этом переходные процессы во внимание не принимают.

Источник: ГОСТ Р МЭК 60598-1-99: Светильники. Часть 1. Общие требования и методы испытаний оригинал документа

3.2.3 РАБОЧЕЕ НАПРЯЖЕНИЕ (WORKING VOLTAGE): Самое высокое напряжение, которое может непрерывно прикладываться к изоляции во время НОРМАЛЬНОГО ПРИМЕНЕНИЯ.

Примечание — В том числе, как при НОРМАЛЬНЫХ УСЛОВИЯХ, так и в условиях разомкнутой цепи.

Источник: ГОСТ IEC 61010-031-2011: Безопасность электрических контрольно-измерительных приборов и лабораторного оборудования. Часть 031. Требования безопасности к щупам электрическим ручным для электрических измерений и испытаний

9. Рабочее напряжение

Максимальное напряжение, под которым может оказаться участок изоляции аппарата в рабочем и пусковом режимах (а также при вынутой лампе) при напряжении сети 1,1 номинального (напряжение, возникающее при переходных процессах, во внимание не принимается). Если в схеме аппарата имеется конденсатор, то рабочее напряжение определяется при максимальной для данного аппарата емкости конденсатора

Источник: ГОСТ 16809-88: Аппараты пускорегулирующие для разрядных ламп. Общие технические требования оригинал документа

Смотри также родственные термины:

3.10 рабочее напряжение (или внешняя нагрузка): Совокупность внешних условий и требований в рабочей системе, которые могут отрицательно повлиять на психологическое или физиологическое состояние оператора.

Определения термина из разных документов: рабочее напряжение (или внешняя нагрузка)

Источник: ГОСТ Р ЕН 614-1-2003: Безопасность оборудования. Эргономические принципы конструирования. Часть 1. Термины, определения и общие принципы

Рабочее напряжение (ток)

Значение напряжения (тока) на обмотке, при котором гарантируется работоспособность реле в эксплуатационных условиях

Определения термина из разных документов: Рабочее напряжение (ток)

Источник: ГОСТ 16121-86: Реле слаботочные электромагнитные. Общие технические условия оригинал документа

3.2 рабочее напряжение в сети (operating voltage in a system): Значение напряжения при нормальных условиях в данный момент времени и в данной точке сети. (См. стандарт [10], статья 601-01-2.)

Определения термина из разных документов: рабочее напряжение в сети

Источник: ГОСТ Р 54127-1-2010: Сети электрические распределительные низковольтные напряжением до 1000 В переменного тока и 1500 В постоянного тока. Электробезопасность. Аппаратура для испытания, измерения или контроля средств защиты. Часть 1. Общие требования оригинал документа

11. Рабочее напряжение в системе электроснабжения

D. Betriebsspannung

E. Operating voltage (in a system)

F. Tension de service (dans un reseau)

Значение напряжения при нормальном режиме в рассматриваемый момент времени в данной точке системы электроснабжения

Определения термина из разных документов: Рабочее напряжение в системе электроснабжения

Источник: ГОСТ 23875-88: Качество электрической энергии. Термины и определения оригинал документа

32 рабочее напряжение в электрической сети U_p: Среднеквадратическое значение напряжения при нормальном режиме в рассматриваемый момент времени в данной точке системы электроснабжения

de. Betriebsspannung (im system)

en. Operating voltage (in system)

fr. Tension de service (dans un réseau)

Определения термина из разных документов: рабочее напряжение в электрической сети U_p

Источник: ГОСТ Р 54130-2010: Качество электрической энергии. Термины и определения оригинал документа

25. Рабочее напряжение высокочастотного вакуумного выключателя (переключателя)

Рабочее напряжение

Напряжение, подаваемое на контакты электрической цепи высокочастотного вакуумного выключателя (переключателя), при котором гарантируется срабатывание высокочастотного вакуумного выключателя (переключателя) в эксплуатационных условиях

Определения термина из разных документов: Рабочее напряжение высокочастотного вакуумного выключателя (переключателя)

Источник: ГОСТ 25903-83: Выключатели и переключатели вакуумные высокочастотные. Термины и определения оригинал документа

36. Рабочее напряжение магнитного усилителя

Напряжение на рабочей обмотке магнитного усилителя

Определения термина из разных документов: Рабочее напряжение магнитного усилителя

Источник: ГОСТ 17561-84: Усилители магнитные. Термины и определения оригинал документа

3. Рабочее напряжение питания

Напряжение, находящееся в пределах допускаемых отклонений от номинального напряжения, в которых обеспечивается работа аппаратуры с заданными параметрами

Определения термина из разных документов: Рабочее напряжение питания

Источник: ГОСТ 5237-83: Аппаратура электросвязи. Напряжения питания и методы измерений оригинал документа

3.1.2 рабочее напряжение сети (operating voltage in a system): Значение напряжения при нормальных условиях в конкретной точке сети [МЭС 601-01-22].

Определения термина из разных документов: рабочее напряжение сети

Источник: ГОСТ Р МЭК 61557-1-2005: Сети электрические распределительные низковольтные напряжением до 1000 В переменного тока и 1500 В постоянного тока. Электробезопасность. Аппаратура для испытания, измерения или контроля средств защиты. Часть 1. Общие требования оригинал документа

49. Рабочее напряжение ФЭПП

D.Betriebsspannung

E. Operating voltage

F. Tension de régime

Tension de service

Определения термина из разных документов: Рабочее напряжение ФЭПП

Источник: ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа

3.23 рабочее напряжение электронагревательной секции: Номинальное эффективное напряжение, при котором предусмотрена эксплуатация электронагревательной секции.

Определения термина из разных документов: рабочее напряжение электронагревательной секции

Источник: ГОСТ Р 50571.25-2001: Электроустановки зданий. Часть 7. Требования к специальным электроустановкам. Электроустановки зданий и сооружений с электрообогреваемыми полами и поверхностями оригинал документа

Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации. academic.ru. 2015.

Значение, Определение, Предложения . Что такое рабочее напряжение

• Онлайн-переводчик
• Грамматика
• Видео уроки
• Учебники
• Лексика
• Специалистам
• Английский для туристов
• Рефераты
• Тесты
• Диалоги
• Английские словари
• Статьи
• Биографии
• Обратная связь
• О проекте

Примеры

Значение слова «РАБОЧИЙ»

Относящийся к рабочим , состоящий из рабочих , принадлежащий им..

Смотреть все значения слова РАБОЧИЙ

Значение слова «НАПРЯЖЕНИЕ»

Сосредоточение сил, внимания при осуществлении чего-н..

Смотреть все значения слова НАПРЯЖЕНИЕ

Предложения с «рабочее напряжение»

Если электрическая цепь разделена гальванической изоляцией, то рабочее напряжение соответственно определяется для каждой изолированной цепи.

Поскольку пробой в конденсаторе обычно является коротким замыканием и разрушает компонент, рабочее напряжение ниже, чем пробойное напряжение.

Рабочее напряжение задается таким образом, что напряжение может подаваться непрерывно в течение всего срока службы конденсатора.

Он имеет рабочее напряжение приблизительно 1,1 вольта.

По мере того как длины волн становятся короче, из-за большей ширины запрещенной зоны этих полупроводников рабочее напряжение светодиода увеличивается.

Батареи LFP имеют рабочее напряжение 3,3 В, плотность заряда 170mAh/g, высокую плотность мощности, длительный срок службы и стабильность при высоких температурах.

Номинальное рабочее напряжение составляло 28±4 вольта постоянного тока.

Другие результаты

В результате значительной разницы в стоимости рабочей силы (заработной платы) возникает ценовое напряжение.

Вдали от толпы, рабочие Форья чувствуют напряжение на фабрике Брукман.

Так же как и физическое давление, психическое напряжение с рабочего места может вызвать кароши.

Юмор на рабочем месте также может снять напряжение и может быть использован в качестве стратегии преодоления.

Нормальная работа схемы предварительного заряда заключается в прекращении режима предварительного заряда, когда напряжение цепи составляет 90% или 95% от рабочего напряжения.

Бак-преобразователь уменьшает входное напряжение прямо пропорционально отношению проводящего времени к общему периоду переключения, называемому рабочим циклом.

Напряжение клемм на рабочей лампе изменяется в зависимости от тока дуги, диаметра трубки, температуры и заполняющего газа.

При этом исчезают напряжение и различия во власти, которые вынуждают рабочих работать в плохих условиях за низкую заработную плату.

При этом исчезают напряжение и различия во власти, которые вынуждают рабочих работать в плохих условиях за низкую заработную плату.

Некоторые типы ламп содержат немного неона, что позволяет наносить удары при нормальном рабочем напряжении, без каких-либо внешних схем зажигания.

Работа на скоростях, превышающих нормальную рабочую скорость, может значительно увеличить уровень напряжений во вращающихся деталях.

] семейство было введено для поддержки более низких рабочих напряжений, используемых в новых процессорных устройствах.

Рост производства привел к тому, что все больше рабочих переехало в фабричные города, что привело к напряжению с имеющимся жильем и другими удобствами.

Эксперт от Германии просил включить в Правила технические требования, касающиеся рабочего напряжения, для недопущения ослепления.

Это включает в себя подачу рабочего напряжения в течение примерно 10 минут через токоограничивающий резистор на клеммы конденсатора.

Делитель напряжения может быть использован в качестве грубого логического сдвигателя уровня для сопряжения двух цепей, использующих различные рабочие напряжения.

Различные типы используются в зависимости от требуемой емкости, рабочего напряжения, пропускной способности тока и других свойств.

Производители тиристоров обычно определяют область безопасного срабатывания, определяя допустимые уровни напряжения и тока для данной рабочей температуры.

Хорошее описание и движущийся gif катушки низкого напряжения в рабочем состоянии можно найти на странице зажигания старых двигателей Harrys.

Освобождение от напряжения является терапевтическим и полезным в нашем обществе, потому что большинство рабочих мест скучны и однообразны.

Если рабочий цикл изменяется, то среднее значение напряжения изменяется пропорционально.

Они используют высокочастотный переключатель с переменным рабочим циклом для поддержания выходного напряжения.

Эти вопросы включают в себя рабочий цикл, текущие требования и прямые напряжения светодиодов.

---

На данной странице приводится толкование (значение) фразы / выражения «рабочее напряжение», а также синонимы, антонимы и предложения, при наличии их в нашей базе данных. Мы стремимся сделать толковый словарь English-Grammar.Biz, в том числе и толкование фразы / выражения «рабочее напряжение», максимально корректным и информативным. Если у вас есть предложения или замечания по поводу корректности определения «рабочее напряжение», просим написать нам в разделе «Обратная связь».

Рабочее напряжение — обмотка — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2

Cтраница 2

В схеме на рис. 3 — 10, в трансформатор накала требует изоляции на полное рабочее напряжение обмотки, питающей нить кенотрона, от земли. Нагрузка испытательного трансформатора определяется потерями, имеющими место в сопротивлении изоляции постоянному току, и составляет незначительную величину, поэтому в качестве его может использоваться измерительный трансформатор напряжения. Методика и порядок испытания изоляции выпрямленным напряжением аналогичны таковым в описанном выше случае испытания переменным напряжением. Дополнительно при оценке результатов испытания учитывается ток утечки. Время приложения выпрямленного напряжения более продолжительно, чем при испытании переменным напряжением, и зависит от испытуемого оборудования.  [16]

В схеме на рис. 3 — 19, в трансформатор накала требует изоляции от земли на полное рабочее напряжение обмотки, питающей нить кенотрона.  [17]

Напряжение между первым витком какого-либо слоя и последним витком следующего слоя равно сумме рабочих напряжений двух слоев и при рабочем напряжении обмотки 35 кВ может достигать 5000 — 6000 В. В качестве междуслойной изоляции обычно применяется кабельная бумага, намотанная в несколько слоев. Для предотвращения разряда между соседними слоями ширина полосы кабельной бумаги должна быть больше высоты обмотки на 20 — 50 мм. Эти кольца прикрепляются к крайним виткам соответствующего слоя обмотки хлопчатобумажной лентой. Для получения достаточной поверхности охлаждения в этих обмотках предусматриваются один или два осевых канала между слоями.  [18]

В схеме на рис. 2 — 42 0 трансформатор накала по сравнению со схемой на рис. 2 — 42 а требует изоляции на полное рабочее напряжение обмотки, питающей нить кенотрона, от земли. Вывод испытательного трансформатора в схеме на рис. 2 — 42 а должен иметь изоляцию, рассчитанную на двойное рабочее напряжение, так как в отрицательный полупериод, когда кенотрон не пропускает тока, на нем имеет место напряжение, складывающееся ( как видно из рис. 2 — 42 а и б) из напряжения трансформатора и напряжения предварительно заряженной ( в положительный полупериод) испытуемой изоляции.  [19]

Основная область применения микаленты на масля-но-битумном связующем с подложкой из микалентной бумаги ( марки ЛМЧ-ББ) — обмотки высокого напряжения, на которые микалента наносится в несколько слоев в зависимости от рабочего напряжения обмотки. Для микаленты, идущей на корпусную изоляцию обмоток высокого напряжения, применяется только слюда мусковит, обеспечивающая высокую электрическую прочность изоляции.  [20]

Эпюры напряжений, воздействующих на главную изоляцию трансформаторов, в различных схемах выпрямления. а — группа выпрямителей. б — II группа. 8 — III группа 1 — изоляция между экраном и обмоткой ВН. 2 — изоляция на торцевой части катушки. 3 — наружный слон изоляции обмотки ВН. 4 — обмотка ВН. Я — начало, К — конец обмотки.  [21]

В трансформаторах III группы при заземленном начале обмотки на изоляцию ВВ обмотки относительно экрана воздействует напряжение, равное разности напряжения на первом слое обмотки, а на ее торцевую часть и на наружный слой — полное рабочее напряжение обмотки.  [22]

В эта изоляция легко осуществляется масляным каналом шириной 4 — 8 мм или цилиндрической прокладкой между слоями из электроизоляционного картона. При рабочих напряжениях обмотки 3 и 6 кВ необходим масляный канал с барьером из двух слоев электроизоляционного картона общей толщиной 2 мм.  [23]

Схема электрического фильтра.  [24]

Воздушный ресивер 19 представляет собой стальной цилиндр объемом 1 л, снабженный образцовым манометром. Электромагнитный клапан 20 типа ЦВМ с рабочим напряжением обмотки электромагнита 220 В служит для регулирования времени подачи сжатого воздуха из ресивера во взрывной цилиндр.  [25]

Они представляют собой особо гибкие в холодном состоянии слюдяные материалы с одно — или двусторонними подложками из микалентной бумаги или стеклянной ткани. Применяют эти ленты для обмоток высокого напряжения, на которые они наносятся в несколько слоев, число которых зависит от рабочего напряжения обмотки.  [26]

В связи с тем, что распределение напряжения вдоль обмотки неравномерно и на первые витки, слои и катушки в начале обмотки, считая от ввода, ложатся максимальные градиенты перенапряжения, продольная изоляция в начале обмотки выполняется усиленной. Это ведет к увеличению расстояний между указанными выше элементами обмотки, а следовательно, к снижению емкостей, что вызывает дополнительное искажение равномерного распределения напряжения. Для компенсации снижения емкости предусматривается емкостное или экранирующее кольцо и компенсационные обмотки, применяемые обычно при рабочих напряжениях обмотки 110 кВ и выше.  [27]

Направление намотки слоев многослойной обмотки различно. Все нечетные слои, считая изнутри, имеют одно направление намотки, обычно левое, все четные — другое, обычно правое. Напряжение между первым витком какого-либо слоя и последним витком следующего слоя равно сумме рабочих напряжений двух слоев и при рабочем напряжении обмотки 35 кВ может достигать 5000 — 6000 В. В качестве междуслойной изоляции обычно применяется кабельная бумага, намотанная в несколько слоев.  [28]

Под продольной изоляцией обмоток понимается изоляция между витками, между слоями витков и между катушками. Эта изоляция может определяться как электрической прочностью при 50 Гц, так и прочностью при импульсах. Воздействие на обмотку импульса существенно отличается от воздействия напряжения при 50 Гц, однако те и другие испытательные напряжения связаны с рабочим напряжением обмотки.  [29]

Страницы:      1    2

Зачем в офисе барабан, или Как снять рабочее напряжение

Если вы работаете много, это не значит, что вы работаете эффективно. Наилучших результатов добиваются те, кто умело распределяет время, подпитывает себя энергией и находит среди офисных дел место для приятных личных занятий. Почему это важно? И что можно посоветовать тем, кто не хочет сгореть на работе?

Упорядочивайте процессы

Выгорание, в первую очередь, происходит из-за постоянного стресса, высокого напряжения, которое менеджер испытывает во время работы. А их источником является чувство тревоги, неуверенности. Оно возникает из-за мыслей «я не успею всего», или «я что-то упустил из-под контроля», или из-за постоянного ожидания внезапного задания от начальника. Получается, что ты не организуешь свой рабочий процесс, а просто отбиваешься от дел, сваливающихся тебе на голову. Это создает высокое напряжение, стресс и выгорание.

Первое, что помогает – это упорядочивание всех дел, заданий, контактов, коммуникаций и проактивная позиция по отношению к своим занятиям. Надо, чтобы человек организовывал свою жизнь, а не ожидал, что на него обрушится в ближайшие часы.

Переключайте внимание

Еще в 1980-х годах психологи доказали, что лучший отдых – это смена деятельности. Тогда у человека задействуются разные зоны мозга, и разные виды активности включают различные типы психологических реакций. Это можно использовать элементарным чередованием занятий.

Если вы долго общаетесь с людьми (проводите переговоры, презентации, собеседования), желательно переключиться на спокойную работу: разобрать документы, почту и дать своим нервным клеткам отдохнуть. Или наоборот: если работа была связана с анализом цифр, больших объемов информации, лучше переключиться на творческие занятия. Например, решить вопросы, связанные с креативом, копирайтингом, дизайном, согласованием маркетинговых программ или акций.

Делайте перерывы

Об этом много написано: для успешной работы нервной системы нам необходимо делать в занятиях перерывы по 10-15 минут каждые 60-90 минут. Причем перерывы следует устраивать не строго по часам, а в качестве отдыха между блоками дел. Например, сделал десять звонков, уладил один вопрос, логически завершил какой-то этап работы – сделай перерыв.

При этом важно, чтобы перерывы были полезны и для глаз, и для спины, и для нервной системы. Например, если погода хорошая, пройдитесь вокруг офиса или загляните в соседний отдел – пообщаться, выпить с кем-то чая и поболтать на несерьезные и несрочные темы. Дополнительно это поможет наладить коммуникации с коллегами, узнать новости, поделиться информацией, договориться об общих подходах к каким-то перспективным вопросам.

В качестве легкого переключающего занятия можно посоветовать просмотр отраслевой прессы. Желательно, чтобы она была печатной (чтобы отойти от компьютера). Что не является отдыхом и иллюзией переключения – так это соцсети. Кажется, что таким образом можно наладить коммуникации, но десять минут сидения в сетях незаметно превращаются в тридцать, а иногда и сильнее затягиваются. А коммуникациями это можно назвать с большой натяжкой: в основном это просмотр новостей, роликов, котиков и другой информации, просто пожирающей время. При этом идет нагрузка на глаза, и отдыха нет.

Маленькие перерывы в работе важно делать с пользой для здоровья и для собственного развития. Особо продвинутые успевают, например, в каждую такую небольшую паузу выучить три иностранных слова. Некоторые уединяются в уголке, чтобы, закрыв глаза, помедитировать. Но это позволяет не каждый офис, к сожалению. Китайцы, например, спят в обеденный перерыв всей страной. Правда, у них десятичасовой рабочий день, и это трудно назвать международной практикой. А французы в середине рабочего дня снимают пиджаки, надевают майки и выходят на спортивные площадки поиграть в баскетбол или побегать.

Музыкальные паузы

Есть компании, в которых поощряются творческие виды расслабления. Например, я знаю фирму, в холле которой стоит электронное пианино. И все, кто умеют играть, могут таким образом успокоить себе нервы. Также поощряется (в разумных пределах) игра на других музыкальных инструментах (трещотках, колокольчиках) – для тех, кто не заканчивал музыкальную школу, но хочет выразить себя. В одной из знакомых мне компаний особой популярностью пользуется барабан: его даже меняют раз в год – люди стучат с таким усердием, снимая стресс, что он рвется. По словам сотрудников, уже порвано три барабана. А в нескольких IT-компаниях я видела настоящие шаманские бубны. Программисты и инженеры часто в них стучат: говорят, очень помогает в работе.

Забавные поделки

Есть креативщики, которые любят рисовать, лепить и для этого используют подручные материалы: скрепки, ластики, офисные гвоздики. В некоторых компаниях даже организуют мини-выставки таких поделок. И, наверное, самый популярный способ снять стресс – рисование. Шаржи на начальника или клиентов – с усиками, рожками, выбитыми зубами – самый распространенный вид офисных шуток.

Спортивная разрядка

Есть компании, в которых поощряют спортивную форму снятия напряжения. В отделах стоят степперы, которые имитируют прогулку, а особую любовь сотрудники питают к боксерской груше. Ее регулярно накачивают и люди снимают стресс, перемещая всю свою энергию на грушу. Особенно это эффективно после разговоров с трудными клиентами.

Популярностью во многих компаниях пользуется дартс и некоторые особо продвинутые менеджеры, прежде чем начать метать стрелы, клеят на мишень фотографии тех, кто их особенно «достал». Иногда это фото руководителей, иногда – клиентов. Я знаю несколько фирм, где дартс висит в переговорных или в курилке – в таких местах, где люди чувствуют себя более спокойно.

Офисные любимцы

Есть несколько примеров, когда люди разводят в офисе маленьких улиток в мини-аквариумах, стоящих прямо на столе. А один мой знакомый пошел еще дальше: он разводит в кабинете садовых улиток и они ползают по цветам в сухом аквариуме. Также есть люди, которые держат жуков в ящике письменного стола в специальной коробочке, на выходные забирая их домой. А в офисе отвлекаются от работы, глядя на них и подкармливая.

Что такое реле. Параметры реле

Приветствую, друзья!

В первой части статьи мы рассматривали, как  устроено электромагнитное реле.

И видели, что оно содержит в себе обмотку с металлическим сердечником, подвижный якорь и контакты.

Мы поняли, зачем оно нужно.

Теперь мы познакомимся с реле ближе  и посмотрим на

Параметры реле

Из множества параметров реле мы рассмотрим лишь некоторые, необходимые в практической деятельности. Будем использовать даташит на реле серии 833, чтобы теория была максимально приближена к практике.

Обычно в даташитах параметры реле собраны по группам. Как правило, есть параметры обмотки (Coil Data) и параметры контактов (Сontaсt Data).

Рассмотрим сначала некоторые

Параметры обмотки

Номинальное рабочее напряжение

Номинальное рабочее напряжение (Nominal Voltage) – напряжение, которое нужно подать на обмотку, чтобы произошло устойчивое переключение контактов. В большинстве случаев реле одного типономинала имеет несколько модификаций обмотки, рассчитанных на различные номинальные рабочие напряжения.

Каждая модификация отличается количеством витков.

В нашем примере эти напряжения лежат в ряду 3, 4, 5, 6, 9, 12, 24, 36 и 48 Вольт.

Это означает, что один и тот же тип реле можно использовать в широком диапазоне рабочих напряжений.

Соответственно, обмотки, рассчитанные на разные напряжения, имеют разное сопротивление (Coil Resistance), и для их управления требуется различный ток.

Из даташита видим, что, чем больше рабочее напряжение обмотки, тем больше ее сопротивление, и тем меньший ток нужен для переключения контактов.

Интересно отметить, что при разном рабочем напряжении обмотка может потреблять одинаковую мощность.

Так, в нашем случае различные модификации обмоток потребляют мощность около 0,36 Вт при работе с напряжениями 5 – 36 В и около 0,45 Вт при работе с напряжением 48 В.

Напряжение срабатывания

Следует отметить, что реле начинает срабатывать при напряжении меньше номинального.

Напряжение, при котором реле срабатывает, называется напряжением срабатывания (Pick Up Voltage). При этом напряжении якорь притягивается к сердечнику таким образом, что переключает контакты.

При внимательно рассмотрении можно увидеть: если на обмотку подать напряжение меньше напряжения срабатывания, якорь приходит в движение, но не настолько, чтобы переключить контакты.

Часто напряжение срабатывания указывают в процентах от номинального напряжения. Так, в нашем примере напряжение срабатывания составляет величину 75% от номинального рабочего напряжения.

Максимальное рабочее напряжение обмотки

Реле будет устойчиво работать и при напряжении обмотки несколько больше номинального. При этом возникают некоторый допустимый перегрев обмотки. Максимальное рабочее напряжение (Maximum Continuous Voltage) также указывается в даташите.

Оно также может указываться в процентах он номинального рабочего напряжения. В нашем примере оно составляет величину 150% от номинального рабочего напряжения.

Иными словами, реле может работать в некотором диапазоне напряжений обмотки. В нашем случае реле, например, с обмоткой 5 В может работать в диапазоне от 3,75 до 7,5 В, а реле с обмоткой 12В — в диапазоне от 9 до 18 В.

Напряжение отпускания

Напряжение отпускания (Drop Out Voltage) — это напряжение обмотки, при котором якорь, будучи ранее притянутым, отпускает.

Напряжение отпускания также может указываться в процентах от номинального рабочего напряжения.

В нашем случае оно составляет величину 10% от номинального.

Т.е. если, например, обмотка рассчитана на номинальное напряжение 5 В, то якорь отпустит при снижении напряжения на обмотке до 0,5 В и менее.

Иногда в справочных данных вместо напряжений срабатывания и отпускания указывают токи срабатывания и отпускания.

Обратите внимание: напряжение срабатывания и напряжение отпускания сильно отличаются!

Иными словами, для удержания реле во включенном состоянии требуется существенно меньше энергии, чем для перевода реле из выключенного состояния во включенное.

Для уменьшения потребляемой от источника питания энергии можно после срабатывания реле уменьшить напряжения на его обмотке до величины, большей напряжения отпускания.

Теперь рассмотрим

Параметры контактов

Сопротивление контактов

Переходное сопротивление замкнутого контакта (Contact Resistance) обычно не превышает 100 мОм (миллиом).

Помните, мы рассматривали полевой транзистор как аналог реле?

Так вот, сопротивление канала мощного полевого транзистора может быть на порядки меньше — сотые и тысячные доли Ома.

Чем меньше сопротивление, тем меньше греется контакт (или канал полевого транзистора).

Напомним, что контакты реле покрывают специальными сплавами. В нашем случае это сплав серебра и оксида олова (AgSnO), обладающий высокой температурой плавления и устойчивостью к сварке и электрической эрозии при коммутации сильноточных и индуктивных нагрузок.

Следует отметить, что коммутация индуктивных нагрузок (что и происходит в ИБП) – это самый тяжелый режим для контактов реле. При этом между ними может возникнуть электрическая дуга, что сильно сокращает срок их службы.

В даташите обязательно оговаривается величина коммутируемого контактами максимального тока (Contact Rating).

Время срабатывания

Время срабатывания (Operate Time) — это время, за которое реле переходит из состояния «выключено» в состояние «включено». Для разных типов реле этот параметр лежит в пределах примерно от 1 до 200 миллисекунд.

Время срабатывания определяется конструкцией механической части реле — массой якоря и упругостью его пружины.

В нашем случае время срабатывания не превышает 10 мс.

Время отпускания

Время отпускания реле (Release Time) – это время, за которое оно переходит из состояния «включено» в состояние «выключено».

Обратите внимание: как правило, время отпускания (кроме специальных случаев) меньше времени срабатывания.

В нашем случае оно составляет величину не более 5 мс.

Если внимательно рассмотреть графики, приведенные в даташите, то можно увидеть, что временем срабатывания можно в некоторой степени управлять, меняя напряжение на обмотке.

Так, для напряжения 75% от номинального, время срабатывания будет иметь величину примерно 10 мс, при номинальном напряжении – около 5,5 мс, а при максимальном рабочем напряжении – около 3,5 мс.

Интересно отметить, что при этом напряжение отпускания почти не изменяется.

Ресурс контактов

В завершение упомянем о ресурсе контактов реле (Life Expectancy).

В справочных данных могут приводиться отдельные значения для количества срабатываний контактов как механической системы (Life Expectancy Mechanical) и как электрической системы (Life Expectancy Electrical).

В нашем случае это, соответственно, 10 000 000 и 100 000.

В общем случае, ресурс реле определяется, естественно, меньшей цифрой.

Но следует отметить, что цифра 100 000 «электрических» срабатываний приведена для максимальных токов.

Если посмотреть на график, то можно убедиться, что при коммутации малых токов эта цифра будет существенно больше.

А если превысить коммутируемые токи, то цифра будет существенно меньше  :))

Реле — в целом штука весьма надежная, но нужно использовать его разумно.

Можно еще почитать:

Как устроен ИБП.

Успеть до холодов — 5 обязательных действий с автомобилем — журнал За рулем

LADA

УАЗ

Kia

Hyundai

Renault

Toyota

Volkswagen

Skoda

Nissan

ГАЗ

BMW

Mercedes-Benz

Mitsubishi

Mazda

Ford

Все марки

Эксперт «За рулем» рассказал, как безболезненно пережить осень и подготовиться к самому трудному для водителей и автомобилей времени года — зиме.

1. Следите за температурой

Материалы по теме

8 крутых приспособ для тех, кто сам ремонтирует машину

Если клапан термостата системы охлаждения двигателя зависает в открытом положении или закрывается неплотно, летом может не заметить даже внимательный и опытный водитель. Тем более если в автомобиле нет указателя температуры.

В холодное время двигатель будет недогреваться — хуже станет греть «печка», вырастет расход топлива. Точно проконтролировать температуру в системе охлаждения можно, подсоединив к разъему OBD-II простенький сканер ELM 327 и скачав на смартфон соответствующее приложение для своего автомобиля. Этим диагностическим прибором также можно проверить работу других систем.

Указатели температуры на некоторых автомобилях выдают неточную информацию. Реальная температура может отличаться даже на 20 градусов.

Указатели температуры на некоторых автомобилях выдают неточную информацию. Реальная температура может отличаться даже на 20 градусов.

Материалы по теме

Штраф за езду без ОСАГО вырастет (но не для всех)Лучший способ сберечь нервы и деньги — подписаться на любимый журналГромкие ЧП из-за неисправности лифта: Как не пострадать самому?

2. Проверьте аккумулятор

Не призываю брать в руки ареометр и измерять плотность электролита. А вот проверить состояние клемм и напряжение на выводах при остановленном и запущенном двигателе с помощью простого тестера необходимо. Кстати, сканер ELM 327 тоже справится с этой задачей.

Рабочее напряжение на клеммах при неработающем моторе и выключенных потребителях должно быть в пределах 12,5–12,6 В. При запущенном двигателе — 13,6–14,3 В.

Рабочее напряжение на клеммах при неработающем моторе и выключенных потребителях должно быть в пределах 12,5–12,6 В. При запущенном двигателе — 13,6–14,3 В.

3. Осмотрите ходовую

Материалы по теме

Лада или иномарка: что выгоднее в обслуживании (полный расчет!)

В первую очередь проверьте состояние защитных пыльников на шаровых опорах, рулевых наконечниках или ШРУСе. Грязь и вода, попавшие через трещины и разрывы в резине, ускорят износ шарнира.

Наконечник и шаровую придется менять, а ШРУС иногда удается спасти. Узел нужно хорошо промыть, набить смазкой и установить новый пыльник.

Вывод простой — обязательно осмотрите все элементы ходовой части. Помните: вода дырочку найдет.

Один из самых «дорогих» пыльников — он защищает рулевой механизм от грязи и влаги. Если владелец вовремя не заметил, что он поврежден, узлу потребуется переборка или замена.

Один из самых «дорогих» пыльников — он защищает рулевой механизм от грязи и влаги. Если владелец вовремя не заметил, что он поврежден, узлу потребуется переборка или замена.

4. Защитите кузов

Материалы по теме

Что будет с шинами? Какие детали брать про запас? Делать ТО или подождать?

После частых поездок летом по скоростным магистралям передняя часть автомобиля (капот, крылья, кромка крыши) покрывается сколами. Их лучше заделать осенью — зимой соль и реагенты с дорог активизируют коррозию на незащищенном металле.

Также стоит разобраться со сколами на ветровом стекле. Их нужно заделать (или заменить стекло) до наступления морозов, поскольку зимой из-за интенсивного нагрева отопителем от них могут пойти трещины.

Важно очистить полости под ветровым стеклом и за передними подкрылками автомобиля. Отложения прелых листьев и семян, дорожная грязь будут задерживать влагу, что вызовет интенсивную коррозию деталей кузова

Объемы скопившейся за передними подкрылками грязи поражают. Иногда оттуда можно извлечь несколько килограммов земли.

Объемы скопившейся за передними подкрылками грязи поражают. Иногда оттуда можно извлечь несколько килограммов земли.

5. Улучшите обзор

Осенью самые темные ночи. И часто бывают туманы. А значит обязательно уделите внимание светотехнике. Противотуманки должны светить низко, формируя яркое световое пятно в 20–25 м от автомобиля. Проверьте также, правильно ли отрегулированы фары и исправны ли ручные и автоматические устройства для коррекции направления пучков света.

Стоит заменить дворники. В жару резиновая лента деформируется, и щетки начинают хуже чистить стекло, из-за чего на него приходится чаще брызгать омывающей жидкостью. Кстати, чтобы при первом минусе не остаться с замерзшим бачком омывателя, подливайте в него хотя бы разбавленную незамерзайку.

В коробе воздухопритока под ветровым стеклом скапливаются листья и грязь. Из-за них в сырую погоду потеют стекла. Ведь климатическая установка забирает воздух именно отсюда.

В коробе воздухопритока под ветровым стеклом скапливаются листья и грязь. Из-за них в сырую погоду потеют стекла. Ведь климатическая установка забирает воздух именно отсюда.

Материалы по теме

Честные отзывы владельцев автомобилей

Ветровое стекло загрязняется не только снаружи, но и изнутри. Со временем на нем образуется налет, мешающий обзору. Особенно, если в машине курят.

Следует промыть стекло изнутри, используя автомобильный или бытовой очиститель стекол. Очень эффективны жидкости с добавками нашатырного спирта: после их использования стекло будет кристально чистым.

• «За рулем» можно читать и ВКонтакте.

Фото: Depositphotos и «За рулем»

Успеть до холодов — 5 обязательных действий с автомобилем

Эксперт «За рулем» рассказал, как безболезненно пережить осень и подготовиться к самому трудному для водителей и автомобилей времени года — зиме.

Успеть до холодов — 5 обязательных действий с автомобилем

Успеть до холодов — 5 обязательных действий с автомобилем

Эксперт «За рулем» рассказал, как безболезненно пережить осень и подготовиться к самому трудному для водителей и автомобилей времени года — зиме.

Успеть до холодов — 5 обязательных действий с автомобилем

Наше новое видео

УАЗ без бензина и санкций — первый тест

Evolute i-Joy: тест первого российского электромобиля

Тест-драйв нового китайского кроссовера. Лучше топов?

Понравилась заметка? Подпишись и будешь всегда в курсе!

За рулем на Яндекс.Дзен

Новости smi2.ru

Определение рабочего напряжения детектора

Многие наши клиенты интересуются процедурой, которую мы используем для проверки рабочего напряжения сцинтилляционных или пропорциональных детекторов. Мы называем этот процесс «прохождение плато». Надеемся, что следующее поможет ответить на некоторые из этих вопросов.

Для определения рабочего высокого напряжения (ВН) для вашего детектора потребуются следующие предметы: счетный прибор, например, скалер или аналоговый счетчик, радиоактивный источник и тестируемый детектор. Излучение, испускаемое источником, должно быть согласовано с детектором. Например, используйте бета-источник, такой как 9.0005 14 C со сцинтилляционным бета-детектором модели 44-1 или используйте низкоэнергетический источник гамма-излучения, такой как ¹²⁹ I со сцинтилляционным детектором низкоэнергетического гамма-излучения модели 44-3. Мы используем ²⁴¹ Am для запуска плато для большинства детекторов типа высокоэнергетического гамма-йодида натрия (NaI). Это гарантирует, что детектор будет обнаруживать излучение с меньшей энергией при рабочем напряжении.

Определения

На рис. 1 ниже приведен пример графика плато, на котором выделены ключевые контрольные точки, используемые при определении рабочего напряжения детектора.

Рисунок 1. Пример графика плато

Кривая подсчета источников
График данных для излучения источника, отображающий подсчеты (за заданный период времени) в зависимости от высокого напряжения детектора.

Кривая подсчета фонового излучения
График данных для фонового излучения, отображающий подсчеты (за заданный период времени) в зависимости от высокого напряжения детектора.

Плато
Уровневая часть кривой зависимости скорости счета от напряжения, где изменения рабочего напряжения вызывают минимальные изменения скорости счета. Это область, определяемая в нижней части изломом кривой подсчета источников и в верхней части, где скорости подсчета источников и фона начинают «взлетать» (по мере увеличения напряжения подсчеты фона и источников быстро увеличиваются). . Область между этими двумя точками называется плато, потому что график относительно плоский; то есть скорость счета относительно не зависит от приложенного напряжения.

Колено
Край плато, где небольшое снижение высокого напряжения детектора приводит к резкому уменьшению числа источников.

Рабочее напряжение
Детектор высокого напряжения для нормальной работы. Он выбирается путем выбора точки, которая находится примерно посередине плато, а фоновое показание соответствует или ниже спецификации.

Буфер
Область напряжения по обе стороны от выбранного рабочего напряжения, которая соответствует заявленным характеристикам рабочего напряжения, то есть эффективности и фоновой скорости счета. Это «подушка» выше колена и ниже точки «взлета», допускающая небольшие изменения или неточности в установлении рабочего напряжения и приспосабливающаяся к изменению рабочего напряжения, которое может произойти при изменении температуры или старении детекторов. Например, 50-вольтовый буфер для рабочего напряжения 750 вольт потребует длины плато 100 вольт в диапазоне от 700 до 800 вольт. «Размер» буферной области в вольтах представляет собой допуск (±) на рабочее напряжение. Требуемый размер буфера зависит от отдельных детекторов. Требуемый минимальный буфер см. в технических характеристиках детектора или в процедуре калибровки.

Эффективность
Эффективность обычно определяется расстоянием от источника до уровня поверхности детектора.

2π (внутренняя) эффективность
2π эффективность – это мера вероятности того, что отсчет будет зарегистрирован, когда частица или фотон ионизирующего излучения, испускаемого в сторону детектора, падает на детектор. Другими словами, эффективность для геометрии 2π рассчитывается как процентное отношение количества импульсов, зарегистрированных прибором в имп/мин, к скорости поверхностного излучения от источника. Они определяются как количество импульсов в минуту (cpm) или частиц или фотонов в минуту (ppm). Это соотношение выражается математически как:

\[\mathsf{2π\ Efficiency=\frac{Instrument\ Reading\ in\ cpm}{Emission\ Rate\ in\ cpm\ or\ ppm}\times{100\%}\tag{Уравнение 1}}\ ]

2π Пример эффективности

80600 отсчетов регистрируются для шестидесятисекундного отсчета от источника, скорость излучения которого составляет 157 403 импульсов в минуту (или частей на миллион). Подстановка этих значений в уравнение 1 дает:

\[\mathsf{2π\ Efficiency=\frac{80,600\ cpm}{157,403\ cpm\ (или\ ppm)}\times{100\%}=51,2\%}\ ]

4π (Абсолютная) Эффективность
4π-эффективность — это мера вероятности того, что будет зарегистрировано общее число фотонов или частиц, испускаемых радиоактивным источником. Иными словами, эффективность для геометрии 4π рассчитывается как процентное отношение числа импульсов, зарегистрированных прибором в имп/мин, к выбросам из источника в д/мин. Это соотношение выражается математически как:

\[\mathsf{4π\ Эффективность=\frac{Прибор\ Показания\ in\ cpm}{Emission\ Rate\ in\ dpm}\times{100\%}\tag{Уравнение 2 }}\]

Пример эффективности 4π

80600 отсчетов регистрируются для шестидесятисекундного отсчета от источника, скорость излучения которого составляет 201 477 ударов в минуту. Подстановка этих значений в уравнение 2 дает:

\[\mathsf{4π\ Efficiency=\frac{80,600\cpm}{201,477\dpm}\times{100\%}=40\%}\]

Если не указано иное , эффективность, заявленная Ludlum Measurements, соответствует геометрии 4π.

Работа с плато

Ниже приведен краткий пример метода плато для сцинтилляционного детектора NaI модели 44-2, скалера модели 2200 и ²⁴¹ Am проверить источник.

1. Установите высокое напряжение модели 2200 на 500 В и пороговое значение на 10 мВ. Убедитесь, что окно выключено.
2. Установите регуляторы времени счета на шестисекундный счет.
3. Подключите модель 44-2 к модели 2200.
4. Убедитесь, что поблизости нет радиоактивных источников, влияющих на местный фон. Проведите подсчет фона. Запишите высокое напряжение и показания фона.
5. Увеличить напряжение на 50 В.
6. Возьмите и запишите еще одно показание.
7. Повторяйте шаги 5 и 6, пока напряжение не достигнет 1000 В или резко не увеличится фоновый счет.
8. Снизьте напряжение модели 2200 до 500 В.
9. Поместите контрольный источник ²⁴¹ Am на детектор или рядом с ним. Проведите подсчет источников. Запишите показания высокого напряжения и счетчика источника.
10. Увеличить напряжение на 50 В.
11. Возьмите и запишите еще одно показание.
12. Повторяйте шаги 10 и 11 до тех пор, пока напряжение не достигнет 1000 В или резко не увеличится количество источников.
13. Выберите и задокументируйте рабочее напряжение на уровне середины плато или около него.

Свяжитесь с Ludlum Measurements для получения более конкретных инструкций или инструкций для различных инструментов.

Напряжение питания ＜Абсолютные максимальные номиналы＞ | Основы электроники

Абсолютные максимальные значения — это условия, которые ни в коем случае нельзя превышать даже на мгновение. Например, подача напряжения, превышающего максимальный номинал, и/или использование в условиях, выходящих за пределы температурного диапазона, может привести к ухудшению характеристик ИС или даже повреждению.

В этом разделе объясняются параметры, перечисленные в абсолютных максимальных номинальных значениях для операционных усилителей и компараторов.

Напряжение питания/диапазон рабочего напряжения

Абсолютное максимальное номинальное напряжение питания — это максимальное напряжение, которое может быть подано между выводами положительного (V _CC ) и отрицательного (V _EE ) питания без ухудшения характеристик или повреждения во внутреннюю цепь.

Вот пример напряжения питания, которое может быть подано на операционные усилители/компараторы с максимальным номинальным напряжением 36 В:

Абсолютное максимальное номинальное напряжение питания указывает на разницу напряжений между контактами V _CC и V _EE со значениями VCC-VEE, необходимыми для обеспечения того, чтобы абсолютное максимальное номинальное напряжение питания не превышалось. Поэтому при подаче 24В на вывод V _CC и -12В на вывод V _EE не произойдет ни ухудшения характеристик, ни повреждения, так как разница напряжений составляет 36В.

Следует отметить, что существует разница между абсолютным максимальным номинальным напряжением питания и рабочим напряжением питания.

Абсолютное максимальное номинальное напряжение питания указывает максимальное напряжение питания, которое может быть подано в диапазоне, при котором повреждение или разрушение ИС не произойдет, а не в диапазоне напряжений для поддержания технических характеристик и характеристик.

Для полного достижения характеристик, указанных в технических характеристиках, необходимо использовать напряжение в пределах диапазона рабочего напряжения.

Однако обратите внимание, что в некоторых случаях абсолютное максимальное номинальное напряжение питания и максимальное рабочее напряжение совпадают.

Дифференциальное входное напряжение

Дифференциальное входное напряжение — это максимальное напряжение, которое может быть подано на контакты +Input (неинвертирующий вход) и -Input (инвертирующий вход) без повреждения или ухудшения характеристик ИС.

Это напряжение подходит как для инвертирующих, так и для неинвертирующих клемм и относится к разности напряжений между обеими клеммами. Полярность не важна.

Однако предполагается, что потенциал каждой входной клеммы равен или превышает потенциал на клемме V _ЕЕ штифт.

Причина в том, что в микросхему встроен элемент защиты от электростатического разряда, и если потенциал на входе ниже, чем V _EE , ток от клеммы будет протекать через элемент защиты от электростатического разряда, что может привести к ухудшению характеристик и/или повреждения.

Элемент защиты может быть подключен между V _EE (GND) и входным контактом, как показано в правой части рисунка ниже, или между входными контактами и V _CC и V _EE (GND), обеспечивающие 2 пути.

В первом случае, поскольку нет пути для протекания тока на стороне V _CC , дифференциальное напряжение определяется на основе выдерживаемого напряжения транзистора (NPN, PNP), подключенного к входной клемме, независимо от значение V _CC .

В последнем случае, поскольку элемент защиты имеется и на стороне V _CC , так как на входной контакт требуется потенциал меньше, чем V _CC , дифференциальное напряжение определяется V _CC -V _EE или V _DD -V _EE .

В некоторых операционных усилителях используется дифференциальный входной каскад NPN, и для обеспечения защиты между базой и эмиттером между входными клеммами вставляется фиксирующий диод или используются изделия с дифференциальным входным напряжением в несколько вольт.

Синфазное входное напряжение

Абсолютное максимальное значение синфазного входного напряжения указывает максимальное напряжение, которое может быть приложено без ухудшения характеристик ИС или повреждения [при условии, что один и тот же потенциал подается на оба входа + (не -inverting input) и -Input (инвертирующий вход)].

Абсолютное максимальное номинальное синфазное входное напряжение, в отличие от общего диапазона входных напряжений, указанного в электрических характеристиках, не гарантирует нормальной работы ИС.

Для обеспечения нормальной работы ИС необходимо соблюдать диапазон синфазных входных напряжений.

В общем случае абсолютные максимальные синфазные напряжения составляют V _EE -0,3 В и V _CC +0,3 В, но для изделий без элемента защиты на стороне V _CC напряжения до абсолютного максимума номинальное напряжение питания (т. е. В _EE +36 В) может подаваться независимо от напряжения питания.

Таким образом, синфазное входное напряжение определяется конфигурацией схемы защиты входных контактов, паразитными элементами, выдерживаемым напряжением входного транзистора и другими факторами.

В случае, когда на элемент защиты от электростатического разряда (диод) подается прямое напряжение, V _EE -0,3 В и V _CC +0,3 В указывают диапазон напряжений, при котором элемент защиты не срабатывает.

Входной ток

Для дифференциальных и синфазных входных напряжений подача напряжения ниже V _EE -0,3 В или выше V _CC +0,3 В вызовет протекание тока через входную клемму, что может привести к ухудшению характеристик и/или наносить ущерб.

Чтобы предотвратить это, к входному контакту можно подключить небольшой ограничивающий диод, чтобы ограничивать прямое напряжение, или можно вставить резистор для ограничения тока, протекающего на входной контакт.

Первый метод управляет подачей напряжения на ИС, а второй — током.

Установите резистор так, чтобы входной ток был меньше 10 мА. V _F будет иметь прямое напряжение ок. 0,6 В.

Диапазон рабочих температур

Диапазон рабочих температур — это диапазон, который обеспечивает нормальную работу и поддерживает ожидаемые функции ИС.

Некоторые характеристики ИС изменяются в зависимости от температуры.

Поэтому, если не указано иное, значения, указанные при 25°C, не могут быть гарантированы.

Есть параметр, гарантирующий стабильную работу во всем диапазоне температур.

Учитываются колебания характеристик ИС в диапазоне рабочих температур.

Максимальная температура перехода/диапазон температур хранения

Максимальная температура перехода — это максимальная температура, при которой полупроводник может работать. Здесь «соединение» относится к соединению PN.

Если температура чипа превышает максимальную номинальную температуру перехода, в полупроводниковом кристалле будут генерироваться электронно-дырочные пары, препятствующие нормальной работе.

Поэтому тепловые расчеты должны учитывать тепловыделение из-за потребляемой мощности и температуры окружающей среды.

Максимальная температура перехода определяется производственными процессами.

Диапазон температур хранения означает максимальную температуру при хранении, когда ИС не работает и не потребляет энергии.

Обычно это эквивалентно максимальной температуре перехода.

Допустимые потери (общие потери)

Допустимые потери (общие потери) указывает мощность, которую ИС может потреблять при температуре окружающей среды Ta=25°C. Когда микросхема потребляет энергию, выделяется тепло, и температура микросхемы становится выше температуры окружающей среды.

Допустимая температура чипа определяется максимальной температурой перехода, при этом допустимая потребляемая мощность ограничивается кривыми снижения номинальных характеристик.

Внутренняя микросхема определяет допустимые потери при 25°C на основе допустимой температуры (максимальная температура перехода) и термического сопротивления корпуса (характеристики рассеивания тепла)

Максимальная температура перехода также зависит от производственных процессов.

Тепло, выделяемое при потреблении энергии ИС, рассеивается смолой пресс-формы упаковки, выводной рамой и другими компонентами.

Параметр, определяющий характеристики рассеивания тепла, называется термическим сопротивлением и обозначается как θj-a[℃/Вт].

Это тепловое сопротивление позволяет оценить внутреннюю температуру ИС.

Пример термостойкости упаковки показан ниже. θj-a определяется суммой термических сопротивлений θj-c между микросхемой и корпусом (корпусом) и корпусом и внешней (окружающей) средой θc-a.

При тепловом сопротивлении θj-a, температуре окружающей среды Ta, потребляемой мощности P температуру перехода можно рассчитать по следующему уравнению.

Tj = Ta + θj-a × P [Вт]

Ниже приведены кривые теплового снижения характеристик.
Эти кривые показывают количество энергии, которое может потреблять микросхема при различных температурах окружающей среды без превышения допустимой температуры кристалла.
В качестве примера рассмотрим температуру чипа MSOP8.
Поскольку диапазон температур хранения ИС составляет от 55°C до 150°C, максимально допустимая температура чипа составляет 150°C. При тепловом сопротивлении MSOP8 θj-a≒212,8 ℃/Вт и потребляемой мощности ИС 0,58 мВт температура перехода составит

Tj = 25[℃] + 212,8[℃/Вт] × 0,58[Вт] ≒ 150[℃]

После достижения максимально допустимой температуры чипа потребление энергии прекращается. Приведенное значение кривых снижения номинальных характеристик на 1°C определяется обратной величиной теплового сопротивления.

Здесь мы показываем термостойкость различных типов упаковки. SOP8: 5,5 мВт/°C, SSOP-B8: 5,0 мВт/°C, MSOP8: 4,7 мВт/°C

В приведенных выше примерах:

• Переход-внешнее (окружающее) тепловое сопротивление: θj-a=θj-c+θc-a[℃/Вт]
  Где θj-c — тепловое сопротивление между соединением и корпусом.
• θc-A: Термическая сопротивление между корпусом и внешним
• TA: Температура окружающей среды
• TJ: Температура стыков

. Наклон изгибая. Может возникнуть при превышении входного напряжения источника питания?

Добро пожаловать в первую часть нашей новой серии под названием «Раздвигая границы». В этой серии статей мы рассмотрим вопрос, который мы часто слышим в CUI: «Что, если я буду использовать свой блок питания за пределами определенного диапазона спецификаций?» Чтобы помочь ответить на этот вопрос, мы рассмотрим общие технические характеристики блоков питания и определим потенциальные недостатки и сбои, которые могут возникнуть при работе блока питания за пределами установленных пределов. В части 1 этой серии мы обсудим потенциальные проблемы, которые могут возникнуть, когда входное напряжение выходит за пределы допустимого диапазона источника питания.

Прочтите часть 2 нашей серии статей «Расширяя границы» по выходному току
Прочтите часть 3 нашей серии статей «Расширяя границы» по рабочей температуре

Ограничения входного напряжения

сильно различаются, что затрудняет разработку источника питания, который бы удовлетворял требованиям входного диапазона для всех приложений. Если предположить, что входные характеристики источника питания «достаточно близки» к требуемому рабочему напряжению приложения, это может привести к сбоям, если источник питания фактически работает за пределами своих пределов. Эти сбои могут быть определены как сбои компонентов, сбои системы или сбои спецификаций, и каждый из них по-разному влияет на питание и производительность системы.

Превышение пределов входного напряжения — отказы компонентов

Отказы компонентов возникают, когда компонент поврежден и/или больше не работает должным образом. Применение напряжения, превышающего максимальное рабочее напряжение компонента, — это простой способ повредить любой компонент. Многие компоненты, расположенные на входе, такие как X-конденсаторы, металлооксидные варисторы (MOV) и мостовые выпрямители, легко идентифицировать как подверженные перенапряжению. Если входное напряжение превышает их максимальное рабочее напряжение, конкретный режим отказа этих компонентов может привести к нескольким различным сценариям. Например, X-конденсаторы, которые из соображений безопасности рассчитаны на короткое замыкание, скорее всего, перекроют предохранитель, оставив блок питания неработоспособным. Однако, если Y-конденсаторы, которые спроектированы так, чтобы открываться при сбоях, выходят из строя, блок питания может продолжать работать, подвергая пользователей риску поражения электрическим током.

Типовой вход переменного/постоянного тока

Другие компоненты, такие как предохранитель, сложнее идентифицировать, так как они могут выйти из строя в случае перенапряжения. В нормальных условиях предохранитель будет выглядеть как короткое замыкание, а увеличение напряжения просто заставит предохранитель проводить меньший ток. Если внутри источника питания произойдет сбой, например, короткое замыкание X-конденсатора, предохранитель сработает и отключит цепь от источника входного сигнала. Однако, если превышено максимальное напряжение предохранителя и произойдет короткое замыкание X-конденсатора, предохранитель не сможет подавить искрение. Это не позволит сохранить цепь разомкнутой, что приведет к продолжению тока через неисправный конденсатор, вызывая проблемы как в восходящем, так и в нисходящем направлении.

В других случаях перенапряжение связано с паразитными компонентами, значения которых трудно определить. Ключ в обратноходовом преобразователе, например, имеет пиковое напряжение, определяемое не только входным напряжением, но также индуктивностью рассеяния и коэффициентом трансформации. В таких случаях напряжение напряжения не всегда можно определить, просто взглянув на схему или таблицы данных, а вместо этого необходимо измерить непосредственно.

Слева: типовая схема обратного хода с дискретными компонентами. Справа: схема обратного хода с добавленными паразитными компонентами, выделенными красным.0002 События пониженного напряжения также могут привести к отказу компонентов. При работе источника питания ниже минимального рабочего напряжения ток во многих компонентах будет пропорционально увеличиваться. Предохранитель, выпрямитель, переключатели и другие компоненты, через которые проходит этот повышенный ток, будут рассеивать больше энергии, что приведет к повышению температуры и вероятности выхода из строя. Магнитные компоненты, такие как дроссель с коррекцией коэффициента мощности (PFC), также будут проводить больший ток, и в результате их индуктивность полностью упадет или насытится. В зависимости от конкретной топологии это может привести к увеличению пикового тока (потенциально повреждая такие компоненты, как переключатель), повышению рабочей частоты, снижению эффективности или сбою преобразования энергии в целом.

Превышение пределов входного напряжения — сбои системы

Когда такие параметры, как рабочая частота или диапазон рабочего цикла, нарушаются, системные сбои могут привести к неправильной работе внутренних функций различных топологий. Например, преобразователь LLC изменяет рабочую частоту для регулирования выходного напряжения, при этом частота обратно пропорциональна входному/выходному усилению преобразователя. Однако если входное напряжение уменьшится, то частота также уменьшится, чтобы увеличить коэффициент усиления и сохранить постоянное выходное напряжение. Неотъемлемой характеристикой LLC-преобразователя является то, что кривая усиления поддерживает это обратное отношение частоты к усилению только до определенной частоты. Ниже этой частоты соотношение становится обратным (т. е. усиление увеличивается с частотой). Если входное напряжение снижается до точки, в которой источник питания переходит в эту область (известную как емкостная область), источник питания может работать со сбоями или полностью выйти из строя.

Некоторые неизолированные преобразователи, включая повышающий преобразователь, используемый в схеме PFC, преобразуют только в одном направлении, вверх или вниз. В случае повышающего преобразователя он выдает только напряжение, превышающее входное напряжение. Если источник питания переменного/постоянного тока с коррекцией коэффициента мощности работает с входным напряжением, превышающим выходное напряжение повышающего преобразователя, повышающий преобразователь не будет работать и не сможет скорректировать коэффициент мощности. Точно так же понижающий преобразователь, который преобразует высокое входное напряжение в низкое выходное, не может работать при напряжении ниже выходного. Понижающий преобразователь также содержит переключатель, затвор которого не связан с землей, и, как следствие, использует схему самонастройки для создания напряжения затвор-исток для управления полевым транзистором. Эта схема бутстрапа основана на действии переключения для создания напряжения затвора, поэтому, когда входное напряжение слишком близко к выходному напряжению, синхронизация переключения не позволяет схеме бутстрапа создавать напряжение управления затвором, и схема перестает работать.

Источники питания также имеют встроенные схемы защиты для предотвращения работы при определенных условиях. Это становится более распространенным при более высоких уровнях мощности, поскольку отказы более опасны и/или дороги. Защита от пониженного напряжения — это функция, обычно используемая в источниках питания постоянного и переменного тока большей мощности, которая отключает источник питания, если входное напряжение падает ниже заданного порога.

Превышение пределов входного напряжения — сбои в спецификации

Эксплуатация за пределами спецификации не всегда приводит к полному отказу, а вместо этого приводит к тому, что производительность источника питания выходит за пределы спецификации. Как указывалось ранее, уменьшение входного напряжения приведет к увеличению входного тока, что приведет к увеличению потерь и нагрева, а также к снижению диапазона рабочих температур и КПД.

Для защиты источника питания от катастрофического сбоя в контроллеры часто встроена защита от определенных условий. Эти защиты не отключают источник питания, а вместо этого фиксируют характеристику на определенном значении. Например, в случае топологии LLC часто внутри контроллера есть ограничения по частоте. Как описано ранее, по мере снижения входного напряжения частота переключения будет увеличиваться для поддержания постоянного выходного напряжения. Если контроллер зафиксирует частоту, как только она достигнет минимума, то выходное напряжение начнет уменьшаться вместе с входным напряжением.

В то время как влияние входного напряжения на рабочие характеристики легко оценить в некоторых случаях, таких как описанные выше, влияние входного напряжения в других случаях оценить труднее. Одним из таких примеров является взаимосвязь между входным напряжением и электромагнитными излучениями (EMI). Работа за пределами указанного диапазона входного напряжения может сильно повлиять на электромагнитные помехи и привести к несоблюдению соответствующих правил. Добавленное напряжение или нагрузка по току могут дополнительно изменить эффективность фильтра электромагнитных помех, а для устройств с переменной частотой изменить рабочую точку до уровня, вызывающего отказ.

Заключение

Входное напряжение влияет на многие аспекты источника питания, включая нагрузку на компоненты, рабочую точку и производительность. Работа за пределами указанного диапазона может повлиять на один или несколько из этих элементов и, если зайти слишком далеко, вызвать срабатывание схемы защиты или полный отказ. Чтобы узнать, как далеко источник питания можно сдвинуть в определенном направлении и каковы будут последствия, требуется знание номиналов и значений внутренних компонентов, которые редко доступны пользователю и их трудно определить. Лучший способ определить безопасную работу источника питания за пределами указанного диапазона входного напряжения — спросить производителя, который может определить риски и/или внести изменения в конструкцию, необходимые для обеспечения работы на желаемом уровне.

Категории: Тестирование и анализ отказов

Вам также может понравиться

Источники питания переменного тока в постоянный и преобразователи постоянного тока в постоянный

Рекомендуемые продукты

Каковы недостатки превышения выходного тока источника питания?

Блог о мощности

Последствия превышения диапазона рабочих температур источника питания

Блог о мощности

---

Есть комментарии по этому посту или темам, которые вы хотели бы видеть в будущем?
Отправьте нам письмо по адресу powerblog@cui. com

Исследование стабильного рабочего напряжения для анода литий-ионной батареи MnFe2O4

Сурав Гош,* ^{объявление} Тимоти де Дондер, ^b Клас Гуннарссон, ^с В. Киран Кумар, ^д Сурендра К. Марта, ^д Питер Сведлинд, ^с Вадим Г. Кесслер, ^б Гулайм А. Сейсенбаева * ^б а также Вилас Г. Пол * ^и

Принадлежности автора

* Соответствующие авторы

^и Школа химического машиностроения Дэвидсона, Университет Пердью, Уэст-Лафайет, Индиана, США
Электронная почта: vpol@purdue. edu

^б Кафедра молекулярных наук, Шведский университет сельскохозяйственных наук, BioCenter, Almas allé 5, Box 7015, SE-75007 Уппсала, Швеция
Электронная почта: Гулаим.Сейсенбаева@slu.se

^с Кафедра материаловедения и инженерии, Упсальский университет, Box 35, SE-75103, Уппсала, Швеция

^д Кафедра химии, Индийский технологический институт, Канди, Хайдарабад, Телангана-502285, Индия
Электронная почта: cy15resch21006@iith. ac.in

Аннотация

Бестемплатный синтез нанопорошка MnFe ₂ O ₄ проводят путем соосаждения в основной среде, оценивая влияние соотношения катионов и температуры реакции на кристалличность фазового состава полученного порошка. Однофазные образцы целевой шпинели получены при стехиометрическом соотношении Mn : Fe = 1 : 2 в условиях кипячения с обратным холодильником (100 °C), что подтверждается данными рентгеновской дифракции (XRD) и инфракрасной Фурье-спектроскопии (FTIR). Изображения просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) подтвердили, что наноструктурированный MnFe ₂ O ₄ частиц, что дополнительно подтверждается расчетами Дебая-Шеррера по данным РФА и измерениями АСМ. Полученный оксид показал значительную термическую стабильность по данным ТГА. Магнитные характеристики сильно зависят от содержания магнитной фазы и фазового состава, достигая максимума 54 emu g ⁻¹ для однофазного стехиометрического MnFe ₂ O ₄ . Кроме того, электрохимическая стабильность этого материала в качестве анода исследуется в литий-ионных батареях (LIB). При работе электрода MnFe ₂ O ₄ в потенциальном окне 0,01–3,0 В обратимая емкость увеличивается почти на 45 % (802 мА·ч·г ⁻¹ ) ^-й цикл со ссылкой на 2 ^-й цикл обратимая емкость (548 мА ч г ⁻¹ ). Методически графики d Q / d V анализируются и сравниваются, чтобы понять процессы, лежащие в основе эволюции дополнительной емкости за ее теоретический предел. Кроме того, верхний потенциал отсечки настраивается для определения окна стабильного рабочего потенциала для анода MnFe ₂ O ₄ в ЛИА.

Работа светодиодов при сверхнизком напряжении

Введение

Разработка светодиодов ^1,2,3,4,5,6 оказала далеко идущее влияние на отрасли освещения, отображения и информации. Новые светодиодные технологии, включая органические светодиоды (OLED) ^4,5,6,7,8 , светодиоды с квантовыми точками (QLED) ^9,10,11 и перовскитные светодиоды (PeLED) ^{12,13,14, 15,16,17,18} , привлекают значительное внимание из-за того, что они обещают стать источниками света следующего поколения. Ключевым механизмом, ответственным за излучение света светодиодами, является электролюминесценция (ЭЛ), излучательная рекомбинация инжектированных электронов и дырок под действием внешнего напряжения. Было высказано предположение, что минимальное (пороговое) управляющее напряжение, необходимое для создания фотонов в процессе электролюминесценции, равно ширине запрещенной зоны ( E _g ) излучающего материала, разделенного на элементарный заряд ( q ), с учетом принципа сохранения энергии ^19,20 , в то время как из соображений свободной энергии допускается предельный прирост энергии в несколько кТ (где k — постоянная Больцмана, а T — температура) ²¹ . Исследования показали, что минимальное напряжение может быть снижено с помощью различных механизмов, включая термическое преобразование с повышением частоты 9.0005 22,23,24,25,26 , последовательная инжекция заряда ²⁷ , межфазные диполи ²⁸ , триплет-триплетная аннигиляция с повышением частоты (TTA-UC) ^29,30 , и оже-процессы ^{10,31,31,31 ,33,34} . Недавно для светодиодов на основе полупроводников AIIIBV наблюдалось рабочее напряжение всего 77% от номинальной ширины запрещенной зоны, и это было связано с усиленной излучательной рекомбинацией, обеспечиваемой новой конструкцией квантовой ямы ³⁵ . Для OLED минимальное рабочее напряжение ~0,5 E _g /q сообщалось ^30,31,33 , хотя вопрос о том, можно ли использовать процесс ТТА для объяснения происхождения этого низкого рабочего напряжения, все еще является предметом споров ^30,33,36 . Рабочие напряжения подзоны запрещенной зоны также наблюдались для перовскита ¹³ и светодиодов с квантовыми точками ^{10,11,26,27,32,37,38} (дополнительная таблица 1). Эти наблюдения приводят к открытому вопросу о том, каковы на самом деле самые низкие возможные управляющие напряжения для электролюминесценции и имеют ли они одно и то же происхождение. Работа светодиодов при сверхнизком напряжении может открыть новые возможности для энергоэффективной оптоэлектроники следующего поколения.

В этой работе, используя высокочувствительные измерения подсчета фотонов на 17 типах светодиодов, мы показываем, что ЭЛ при напряжениях, значительно меньших ширины запрещенной зоны излучателя, возможна для многих классов светодиодов, а не только для нескольких новых систем материалов. Схожие формы кривых ЭЛ-напряжения указывают на универсальное происхождение работы при сверхнизком напряжении, несмотря на очень разные режимы инжекции заряда и рекомбинации в этих устройствах.

Результаты

Мы начали наше исследование с измерения минимального рабочего напряжения светодиодов на основе новых систем материалов. Перовскитные светодиоды были нашими первыми экспериментальными объектами. Мы изготовили ИФП ближнего инфракрасного диапазона на основе йода ^14,39 , «NFPI» ⁴⁰ и излучающие зеленый свет «PCPB» на основе бромида ⁴¹ перовскитные светодиоды с пиковыми значениями EQE ~ 10% (рис. 1a–c и дополнительные рис. 1a–c. См. Методы) подробности изготовления). Мы заметили, что для этих перовскитных светодиодов минимальные напряжения для электролюминесценции составляли 1,3 В, 1,3 В и 1,9 В (рис. 1a–c), а пиковые энергии фотонов электролюминесценции составляли 1,55 эВ, 1,56 эВ и 2,4 эВ (дополнительный рис. 2а, б и дополнительный рис. 3б) соответственно (минимальный обнаруживаемый поток фотонов составляет ~10 ¹⁶ с ⁻¹ м ⁻² для нашей стандартной измерительной установки, подробности см. в разделе «Методы»). Здесь пиковые энергии фотонов электролюминесценции используются для обеспечения консервативных оценок ширины запрещенной зоны. Минимальные наблюдаемые рабочие напряжения составляли 83%, 83% и 79% ширины запрещенной зоны для FPI, NFPI и PCPB PeLED соответственно. Наблюдение рабочих напряжений в ближней или субширинной запрещенной зоне для этих светодиодов согласуется с недавними выводами для эффективных PeLED ^{12,13,39,42,43} . Аналогичные эксперименты мы провели для фосфоресцирующих ОСИД на основе трис(2-фенилпиридин)иридия(III) (Ir(ppy) ₃ ) и бис[2-(4,6-дифторфенил)пиридинато-C2,N](пиколинато)иридий (FIrpic) ⁴⁴ , термоактивируемые OLED с замедленной флуоресценцией (TADF) на основе 1,2,3,5 -тетракис(карбазол-9-ил)-4,6-дицианобензол (4CzIPN) ⁷ , полимерные ОСИД на основе поли(9,9-диоктилфлуорен-альт-бензотиадиазола) (F8BT) ⁴⁵ , флуоресцентные низкомолекулярные ОСИД на основе рубрена ³¹ , а также QLED халькогенидов II–VI на основе квантовых точек CdSe/ZnS ⁴⁶ . Аналогичным образом наблюдалось напряжение EL под запрещенной зоной (рис. 1d–h).

Рис. 1: Вольт-амперные характеристики ЭЛ различных классов светодиодов.

a ФАПби ближнего ИК диапазона ₃ (ФПИ) перовскитовый светодиод. b Перовскитовый светодиод NFPI, излучающий в ближнем ИК-диапазоне. c Зеленый перовскитовый светодиод PCPB. d Фосфоресцентные OLED на основе Ir (ppy) ₃ . e TADF OLED на базе 4CzIPN. f Полимерный OLED на основе F8BT. г Флуоресцентный низкомолекулярный OLED на основе рубрена. h QLED II–VI на основе КТ CdSe/ZnS. и Коммерческий неорганический светодиод III–V на основе GaAsP. Запрещенные зоны для каждого излучающего материала отмечены пунктирными линиями. На вставках представлены схемы соответствующих структур светодиодных устройств.

Изображение с полным размером

Далее были измерены коммерческие светодиоды AIIIBV на основе GaN, AlGaP, GaP, GaAsP, InAlGaP, AlGaAs, GaAs и InGaAsP. Аналогичным образом наблюдалась работа с субзонным напряжением. Для светодиодов на основе GaAsP с E _г 1,95 эВ (рис. 1i), ЭЛ можно было четко наблюдать при приложенном напряжении 1,45 В (0,74 E _г ) с использованием той же измерительной установки (подробности см. в разделе Методы). Важно отметить, что спектры электролюминесценции оставались неизменными, поскольку управляющие напряжения менялись сверху до явно ниже ширины запрещенной зоны (рис. 2 и дополнительные рисунки 2, 3), в то время как напряжение EL под запрещенной зоной, как показано, является общим явлением.

Рис. 2: Спектры электролюминесценции перовскитных светодиодов при напряжениях выше и ниже запрещенной зоны.

a , b Спектры электролюминесценции перовскитового светодиода FPI, возбуждаемого при различном смещении выше и ниже напряжения запрещенной зоны. c , d Спектры ЭЛ перовскитового светодиода NFPI, возбуждаемого при различном смещении выше и ниже напряжения запрещенной зоны. e , f Спектры электролюминесценции перовскитного светодиода PCPB, работающего при различном смещении выше и ниже напряжения запрещенной зоны.

Изображение в полный размер

Ключевой научный вопрос заключается в том, каковы на самом деле минимальные напряжения для работы светодиодов. Чтобы найти ответ на эту проблему, мы использовали высокочувствительную систему обнаружения фотонов (дополнительный рисунок 4) для определения начала электролюминесценции, что значительно повысило чувствительность измерения для слабого излучения фотонов (минимальный обнаруживаемый поток фотонов составляет ~ 10 ⁹ с ⁻¹ м ⁻² , что на 7 порядков чувствительнее стандартной схемы измерений; подробности см. в разделе «Материалы и методы»). ЭЛ была обнаружена в наших перовскитных светодиодах при напряжениях, эквивалентных 0,4–0,6  E _г (рис. 3a), что представляет собой самые низкие управляющие напряжения, зарегистрированные для перовскитных светодиодов на сегодняшний день. Для ФФИ, NFPI и PCPB PeLED, излучающих на ~800 нм, ~790 нм и ~515 нм, минимальные напряжения для наблюдения ЭЛ составляли ~0,86 В, ~0,72 В и ~1,52 В, что соответствует qV _m / E _g ~55%, ~46% и ~63% соответственно (рис. 3а). Здесь В _м обозначает измеренное минимальное напряжение, необходимое для создания обнаруживаемой ЭЛ. Кажущаяся энергетическая щель Δ E  =  E _g −  кв _m достигала 0,9 эВ. Это более чем на порядок превышает тепловую энергию при комнатной температуре ( кТл  = 26 мэВ при 300 К). Используя полосовые фильтры с длинами волн отсечки, близкими к ширинам запрещенной зоны материалов (дополнительный рис. 5), мы подтвердили, что эти фотоны не возникают в результате рекомбинации субзонных состояний.

Рис. 3: Вольт-амперные характеристики ЭЛ при напряжениях в ближней и субзонной запрещенной зоне для различных светодиодов.

a Перовскитные светодиоды на основе FPI, NFPI и PCPB. b Органические светодиоды на основе Ir(ppy) ₃ , FIrpic, 4CzIPN, рубрена и F8BT. c QLED II–VI на основе КТ CdSe/ZnS. d Неорганические светодиоды III–V на основе InGaAsP, GaAs, AlGaAs, InAlGaP, GaAsP, GaP, AlGaP и GaN. e Коллекция кривых зависимости интенсивности от напряжения ЭЛ для различных классов светодиодов в одной панели. f Измерено кв _m / E _g различных классов светодиодов. Заштрихованная область обозначает область, в которой измеренное кв _м / E _г падает ниже пределов, установленных ТТА или Оже-процессами. г Плотность темнового тока насыщения ( j ₀ ) различных классов светодиодов. h j ₀ exp( E _g / kT ) различных классов светодиодов. i V _m по сравнению с j ₀ для разных классов светодиодов. В _м – измеренное минимальное напряжение для обнаруживаемой ЭЛ.

Полноразмерное изображение

Мы аналогичным образом наблюдаем минимальные рабочие напряжения 1,75 В (0,73 E _G /Q ) и 1,9 В (0,72 E _G /QS -FARSED EDED G /Q. Ir(ppy) ₃ и FIrpic, 1,8 В (0,77 E _G /Q ) для TADF OLED, основанных на 4CZIPN, 0,8 В (0,36 E _G /Q ) для флуоресцентных малых молекул OLEDS, основанных на Rubrene, 1.6 V ) для флуоресцентных малых Molecule OLEDS, основанных на Rubrene, 1.6 V ) для флуоресцентных малых Molecule OLEDS, на основе Rubrene, 1.6 V ). /q ) для полимерных ОСИД на основе F8BT, 1,1 В ​​(0,56 E _г /q ) для II–VI QLED на основе КТ CdSe/ZnS и 1,75 г 903 V (0,93 E 903 /q ), 1,4 В (0,65 E _г /q ), 1,3 В (0,62 E _G /Q ), 1,25 В (0,6 E _G /Q ), 0,78 В (0,5 E _G Q Q Q Q Q Q Q Q Q Q V (0,5 E _G V (0,5 E _{). G /Q ), 0,60 В (0,43 E G /Q ) и 0,54 В (0,42 E G /Q ) Q ) Q ) Q ). GaP, GaAsP, InAlGaP, AlGaAs, GaAs и InGaAsP соответственно (рис. 3b–d). Для каждого класса светодиодов были обнаружены рекордно низкие рабочие напряжения (рис. 3д). Мы отметили, что кажущиеся энергетические щели (Δ E ) были порядка ~1 эВ. Сводка измеренных минимальных напряжений и значений Δ E , которые мы наблюдали, представлена ​​в таблице 1, и измерения были воспроизведены на ряде устройств (дополнительный рисунок 6). Наши эксперименты в совокупности демонстрируют, что работа ЭЛ при субполосных напряжениях является универсальным явлением для различных классов светодиодов, а рабочие напряжения могут достигать значений ~0,5 E g / q или ниже. Для перовскитных устройств NFPI, устройств с рубреном и коммерческих неорганических устройств NIR измеренное значение В м значения были даже ниже пределов порогового напряжения, установленных процессами ТТА/Оже (рис. 3f). Их нельзя объяснить ранее опубликованными механизмами ^{23,24,25,27,28,29,31,32,33,34} . Более низкие значения EQE при низких напряжениях (дополнительный рисунок 7) возникают из-за большей доли потерь на безызлучательную рекомбинацию, обычно наблюдаемых в полупроводниках в условиях низкой инжекции ³⁵ . Наши измерения на рис. 3e показывают, что при сверхнизких напряжениях все еще излучается большое количество фотонов, что позволяет предположить, что V m значения могут быть дополнительно уменьшены за счет улучшения инструментальной чувствительности.}

Таблица 1 Измеренные минимальные рабочие напряжения различных светодиодов, исследованных в данной работе.

Полноразмерная таблица

Кривые вольт-амперных характеристик различных классов светодиодов имеют очень разные характеристики (дополнительный рисунок 8a). Тем не менее, все светодиоды демонстрируют удивительно схожие характеристики зависимости интенсивности электролюминесценции от напряжения при низких рабочих напряжениях (рис. 3e) и следуют обычному уравнению диода, описанному ниже как уравнение. (1), где излучение света отслеживает плотность тока, 9{-\frac{{E}_{{{{{{\rm{g}}}}}}}}}{{kT}}}\), где Λ связано со свойствами материала. Подробности см. в дополнительном примечании 1), n — коэффициент идеальности, k — постоянная Больцмана, T — температура, а В — внешнее напряжение, приложенное к диоду с минимальным влиянием последовательного сопротивления ( R _s ) при низком напряжении. В то время как уравнение Уравнение (1) обычно выводится для униполярных диодов с p–n-переходом, здесь мы видим, что оно четко моделирует ток электронно-дырочной рекомбинации для этих диодов независимо от выбора полупроводниковых материалов и электродов для инжекции заряда. По сути, интенсивность ЭЛ ( I _EL ) связан с плотностью тока через внешний квантовый выход (EQE) светодиода (уравнение (2)).

$${I}_{{EL}}={{{{{\rm{EQE}}}}}}{\frac{j}{q}}$$

(2)

Отношение между интенсивностью ЭЛ и приложенным напряжением можно описать уравнением. {\frac{{qV}}{{nkT}}}\right)+{{\log} }\left({\frac{{j}_{0}}{q}}\right)$$

(3)

где W — W-функция Ламберта ⁴⁷ . EQE можно определить экспериментально по вольт-амперным данным и данным напряженности-напряжения ЭЛ. Эта предварительная модель хорошо описывает вольт-амперные характеристики электролюминесценции наших светодиодов (дополнительный рисунок 8).

Отметим, что плотность темнового тока насыщения ( Дж ₀ ) сильно различается для разных классов светодиодов, от ~10 ⁻³⁹ мА см ⁻² для FIRPIC, ~ 10 ⁻³⁵ мА см. ⁻² для PCPB Perovskite, ~ 10 ⁻²⁷ мА CM ^-2 для F8BT, ~ 10 9000 -25 мА ^–2 ZnS до ~ 10 ^-15 мА см ^-2 для устройств InGaAsP (рис. 3g и дополнительная таблица 2). j ₀ содержит важную информацию о физике рекомбинации заряда в светодиодах и зависит от E _g и Λ (дополнительное примечание 2). Измеренное 9{\frac{{E}_{{{{{{\rm{g}}}}}}}}}{{kT}}}\}} для измеренных нами светодиодов (рис. 3h). Интересно, что «взвешенные значения j ₀ » перовскитных светодиодов на основе FPI, NFPI и PCPB теперь приближаются к режиму для полупроводниковых светодиодов III – V (рис. 3h и дополнительная таблица 2). Коэффициенты идеальности, представленные в дополнительной таблице 2, попадают в диапазон от 1 до 2. Меньшее n (ближе к 1) предполагает уменьшенную долю рекомбинации с участием дефектов, что обычно соответствует более качественным диодам с эффективным переносом заряда и излучательной рекомбинацией. . Так обстоит дело для светодиодов на основе полупроводников AIIIBV и PeLED на основе ИФП. Факторы идеальности для большинства протестированных PeLED, QLED и OLED немного выше, вероятно, из-за того, что на процессы переноса заряда и рекомбинации влияют ловушки ^48,49 .

Мы нанесли на график В _м по сравнению с j ₀ , и они, по-видимому, имеют отрицательную корреляцию для многих классов светодиодов (рис. 3i). Такую корреляцию можно понять, используя уравнения. (1) и (2). Интенсивность ЭЛ ( I _EL ) напрямую связана с плотностью тока ( j ) через EQE, а j определяется как j ₀ . Увеличение j ₀ может повышать интенсивность ЭЛ при том же приложенном напряжении, уменьшая кажущееся пороговое напряжение для того же потока фотонов. Среди многих факторов, влияющих на j ₀ (дополнительное примечание 1), значительную роль играет ширина запрещенной зоны излучающего материала E _g , от которой j ₀ экспоненциально зависит (как показано на рис. 3г). Таким образом, светодиоды на основе материалов с меньшим E _g обычно имеют больший j ₀ (при условии, что другие факторы, такие как состояния ловушки, имеют меньшее влияние), что обычно приводит к отрицательной корреляции между j ₀ и V _m . Однако большие j ₀ также могут возникать из-за более высокой плотности дефектных состояний, особенно для светодиодов на основе тех же или аналогичных излучающих материалов, и в этом случае те же самые корреляция может больше не сохраняться, так как V _м отрицательно коррелирует с эффективностью выбросов (см., например, дополнительный рисунок 9). В родственном случае несбалансированной инжекции заряда, когда один тип носителей заряда (электроны или дырки) преобладает над другим, V _m может не демонстрировать отрицательную корреляцию с j ₀ (см., например, дополнительный рис. 10). Это связано с тем, что j ₀ может частично возникать в результате безызлучательной рекомбинации с участием ловушек (в объеме или на границах переноса заряда), которая не может вносить вклад в ЭЛ. Стоит отметить, что модели, первоначально разработанные для обычных неорганических полупроводников, также могут быть использованы для описания общего поведения новых классов светодиодов с совершенно разными свойствами материалов, что указывает на универсальность принципов работы различных светодиодов.

Чтобы получить более глубокое представление, мы используем широко используемое программное обеспечение для моделирования устройств «Setfos» ^50,51 для моделирования характеристик излучения светодиодов. Мы сконструировали модельные устройства, включающие перовскитный светодиод на основе иодида свинца и стандартный фосфоресцирующий OLED на основе Ir (ppy) ₃ (рис. 4) (подробности см. в методах и дополнительных таблицах 3, 4). Результаты моделирования (рис. 4c, d) показывают, что оба типа светодиодов способны генерировать ЭЛ при напряжениях, значительно меньших ширины запрещенной зоны, аналогично тому, что мы наблюдали в нашей экспериментальной установке (рис. 3), что соответствует описанную нами модель. Из моделирования видно, что интенсивность выходных потоков фотонов сильно коррелирует с плотностью инжектированных зарядов. При рабочих напряжениях, значительно меньших ширины запрещенной зоны, существуют заметные уровни населенности электронов и дырок, способствующие излучательной рекомбинации (рис. 4д, е). Эти результаты согласуются с обычным законом диодов и с предложенным нами механизмом субзонной электролюминесценции. При аналогичных потоках фотонов моделируемое значение Ir(ppy) ₃ OLED работает при более высоком напряжении по сравнению с перовскитным светодиодом. Это может быть связано с обычно более низкой плотностью состояний в органических полупроводниках, что приводит к меньшей концентрации носителей в OLED ⁵² .

Рис. 4: Моделирование устройства свинцово-иодидного перовскитного светодиода и Ir(ppy) ₃ фосфоресцентного OLED с использованием Setfos.

a Диаграмма уровней энергии свинцово-йодистого перовскитного светодиода. b Диаграмма уровня энергии Ir(ppy) ₃ OLED. c Смоделированные вольт-амперные характеристики электролюминесценции свинцово-йодистого перовскитного светодиода. d Смоделированные вольтамперные характеристики электролюминесценции Ir(ppy) ₃ OLED. e Моделирование распределения плотности электронов и дырок в перовскитном светодиоде при различных напряжениях. Заштрихованные области серого, светло-зеленого, розового, светло-голубого и желтого цвета соответствуют катоду, ZnO, перовскиту, TFB и аноду соответственно. f Моделирование распределения плотности электронов и дырок в Ir(ppy) ₃ OLED под разным напряжением. Заштрихованные области серого, розового, светло-зеленого, светло-голубого и желтого цвета соответствуют аноду, PEDOT:PSS, CBP:Ir(ppy) ₃ , TPBi и катоду соответственно.

Полноразмерное изображение

Использование уравнения. (3) можно дополнительно понять, как свойства эмиссионного материала и конструкция устройства влияют на кажущиеся пороговые напряжения для ЭЛ (рис. 5). Интересное наблюдение состоит в том, что для генерации того же потока фотонов для излучающих материалов с большей плотностью 9 требуется более высокое управляющее напряжение.0393 E _г (рис. 5а). Действительно, это объясняет, почему кажущиеся пороговые напряжения обычно выше для светодиодов с более широкой запрещенной зоной. Точно так же более высокое последовательное сопротивление имеет тенденцию к увеличению кажущегося порогового напряжения, особенно при большем смещении, когда частичное падение потенциала на активном материале становится меньше. Работа при низком напряжении улучшается при более высоком EQE и уменьшенном последовательном сопротивлении (рис. 5b, c). Используя перовскитные светодиоды в качестве примеров, устройства FPI и PCPB показали более низкие кажущиеся пороговые напряжения с более высокими EQE (дополнительный рисунок 11a, b). В принципе последовательное сопротивление состоит как из объемного сопротивления (связанного с удельным сопротивлением и толщиной слоев), так и из контактного сопротивления (которое включает влияние барьеров инжекции заряда). Эффекты последовательного сопротивления были протестированы в перовскитных светодиодах NFPI путем уменьшения толщины слоев переноса дырок (HTL), поли(N,N’-бис-4-бутилфенил-N,N’-бисфенил)бензидина (поли-TPD ). Кажущиеся пороговые напряжения могут быть снижены с 2,4 В до 1,4 В (дополнительный рисунок 11c). Аналогичным образом, для перовскитных светодиодов PCPB путем замены электронно-транспортных слоев (ETL) на (1,3,5-триазин-2,4,6-триил)трис(бензол-3,1-диил)трис(дифенилфосфиноксид ) (ПО-Т2Т, μ _e ~4,4 × 10 ⁻³ см ² V ⁻¹ с ⁻¹ ), электрон-транспортный материал с гораздо более высокой подвижностью электронов, чем обычно используемые электрон-транспортные материалы, такие как батофенантропин (Bphen, μ _e ~5,2 × 10 ^-4 см ² V ^-1 с ^-1 ) и 1,3,5-трис(1-фенил-1H-бензимидазол -ил)бензол (TPBi, мк _e ~3,3 × 10 ⁻⁵ см ² В ^-1 с ^-1 ), кажущиеся пороговые напряжения могут быть заметно снижены с 2,8 В до 1,9 В (дополнительный рисунок 11d).

Рис. 5: Кривые зависимости интенсивности электролюминесценции от напряжения, созданные простой моделью светодиода.

a Эффект запрещенной зоны. Предполагается, что это идеальные диоды с нулевым последовательным сопротивлением и равным единице EQE. b Эффект EQE. Предполагается ширина запрещенной зоны 1,6 эВ с нулевым последовательным сопротивлением. c Влияние последовательного сопротивления. Предполагается ширина запрещенной зоны 1,6 эВ и EQE 10%.

Изображение в полном размере

Как уже говорилось, увеличение высоты барьера для инжекции заряда может способствовать увеличению последовательного сопротивления светодиодов за счет контактного сопротивления, потенциально повышая рабочие напряжения при тех же выходных потоках фотонов. Чтобы проиллюстрировать этот эффект, были протестированы перовскитные светодиоды FPI с различными HTL (дополнительный рисунок 11e). Кажущиеся пороговые напряжения обычно выше для светодиодов на основе HTL с более высокими барьерами инжекции дырок (дополнительный рисунок 11f). Чтобы еще больше прояснить проблему инжекции заряда, с помощью Setfos мы построили модель перовскитного светодиода с переменным барьером инжекции заряда на границе дырочно-транспортный слой/анод (дополнительный рисунок 12). По мере увеличения барьера для инжекции дырок наблюдается значительное снижение потоков фотонов при более высоких управляющих напряжениях (дополнительный рис. 12b). Уменьшение потока фотонов напрямую связано с уменьшением плотности дырок для устройств с более высокими барьерами для инжекции дырок (дополнительный рисунок 12c). Влияние барьера инжекции заряда становится менее выраженным в низковольтном режиме. Эти эффекты согласуются с моделью светодиода (уравнения (1)–(3)), в которой барьеры инжекции заряда рассматриваются как вклад в последовательное сопротивление.

Ниже мы обсуждаем происхождение явления ЭЛ сверхнизкого напряжения, что согласуется с тесной связью между ЭЛ и законом диода, на котором основан вышеупомянутый анализ. При нулевом смещении тепловое распределение носителей на краю зоны находится в равновесии с рекомбинацией носителей (что приводит к j ₀ ). В этот момент электролюминесценция не возникает, поскольку чистый внешний ток равен нулю из-за баланса между дрейфовым током (вызванным встроенными полями из-за изгиба зон или межфазных диполей) и диффузионным током (из-за градиента заселенности носителей) ( пример использования обычного диода с гетеропереходом, см. Дополнительный рисунок 13). Когда применяется небольшое ненулевое прямое смещение, чистый внешний ток возникает из-за уменьшенного дрейфового тока из-за ослабления встроенных полей. В то время как населенность носителей на краю зоны из-за температуры окружающей среды остается неизменной, рекомбинация носителей, включая излучательные и безызлучательные процессы, увеличивается из-за инжекции внешних зарядов. Излучательная составляющая рекомбинации носителей приводит к ЭЛ (дополнительный рисунок 14). Важно отметить, что электролюминесценция при субзонных напряжениях не нарушает принципа сохранения энергии, поскольку энергия для испускания фотонов легко обеспечивается рекомбинацией носителей заряда вблизи краев зон, распределение которых определяется возмущенной функцией Ферми-Дирака. небольшим смещением (дополнительный рис. 14b). Это может быть подтверждено нашими температурно-зависимыми измерениями на примере перовскитного светодиода FPI. Температурно-интенсивные характеристики ЭЛ удовлетворительно согласуются с моделью распределения Ферми-Дирака (дополнительный рисунок 15). Моделирование устройств с использованием Setfos дает аналогичные результаты (дополнительный рисунок 16). По сравнению с ранее предложенными механизмами в основном для отдельных классов светодиодов ^{22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 29, 31, 32, 33, 34} настоящее объяснение является более фундаментальным и применимо к широкому диапазону светодиодов. Это также объясняет сверхнизковольтную ЭЛ (с В _м около или меньше 0,5 E _g /q ), которая не может быть рассмотрена в предыдущих исследованиях.

Полезным результатом работы светодиодов при низком напряжении является то, что эти устройства могут быть более универсальными, чем ожидалось. Чтобы показать пример того, как это может показать преимущества в практических приложениях, мы использовали наши перовскитные светодиоды NFPI в простой установке оптического передатчика (рис. 6). При подаче напряжения возбуждения подзоны 1 В (0,65· E _g /q), мы смогли генерировать сигналы 1/0 (вкл/выкл) с отношением сигнал/шум 20 дБ (рис. 6b). Этот результат явно отличается от предыдущих исследований, в которых для передачи оптического сигнала на основе светодиодов PeLED ⁵³ и интегрированных КМОП-светодиодов ⁵⁴ использовались напряжения смещения 2,5–3 В (~ 2 E _g / q ). . Соответствующее потребление энергии нашими светодиодами для создания оптического импульса составляет всего 140 пДж на бит для входных частот в диапазоне от 100 Гц до 1 МГц. Ширина выходного импульса составляет ~ 15 нс для ширины входного импульса ~ 18 нс в протестированном диапазоне частот (рис. 6b, c и дополнительная таблица 5). Дальнейшее снижение энергопотребления и ширины импульса может быть возможным за счет использования генератора импульсов с меньшей минимальной шириной импульса. Примечательно, что напряжение, необходимое для оптической передачи данных (1 В), меньше, чем ширина запрещенной зоны кремния (1,12 эВ), деленная на элементарный заряд. Поскольку обычно используемые кремниевые интегральные схемы используют напряжение питания микросхемы 1   В ^55,56,57 , Светодиоды, работающие на 1 В, могут быть непосредственно интегрированы в эти цепи с использованием того же источника напряжения без необходимости в дополнительных элементах схемы, предлагая возможность беспроводной доставки информации в системах оптической связи, свободных от влияния электромагнитных полей. вмешательство. Поскольку теоретически возможно генерировать фотоны при напряжениях, близких к нулю, наши результаты открывают перспективы для интеграции этих светодиодов с низковольтными схемами для эффективных оптоэлектронных операций, демонстрируя большой потенциал в логических и коммуникационных приложениях ^58,59 .

Рис. 6. Генерация оптических импульсов перовскитным светодиодом при сверхнизком напряжении.

a Принципиальная схема простой установки оптической связи с перовскитовым светодиодом NFPI. b Характеристики триггеров напряжения от генератора импульсов при пиковом напряжении 1,0 В (0,65 E _g / q ) на частоте 1 МГц и частоте дискретизации 10 мкс/дел и соответствующих оптических импульсах (выход EL) из перовскитных светодиодов. c Одно из входных напряжений срабатывает от генератора импульсов с частотой дискретизации 40 нс/дел и соответствующий ЭЛ выход от перовскитных светодиодов.

Полноразмерное изображение

Обсуждение

Таким образом, посредством высокочувствительных экспериментов по обнаружению фотонов мы продемонстрировали, что напряжение для работы электролюминесценции может достигать значений ниже 50% ширины запрещенной зоны полупроводников, демонстрируя большой выигрыш в кажущейся энергии, равный 0,6. –1,4 эВ на испускаемый фотон. ЭЛ-излучение при сверхнизких напряжениях является универсальным явлением для широкого спектра светодиодов на основе перовскита, органических, халькогенидных квантовых точек II–VI и полупроводников III–V. Важно отметить, что для 17 типов светодиодов с очень разными режимами инжекции заряда и рекомбинации (например, плотность темнового тока насыщения в диапазоне от ~10 ^-39 до ~10 ^-15 мА см ^-2 ), их низковольтная электролюминесцентная эмиссия отслеживает рекомбинацию носителей, регулируемую обычным диодным законом. В совокупности экспериментальное наблюдение сверхнизковольтной работы многих классов светодиодов и ее соответствие модели диода и моделированию устройств подтверждают нашу гипотезу о том, что сверхнизковольтная ЭЛ возникает из универсального источника — излучательной рекомбинации нетермически равновесных носители на краю зоны, заселенности которых определяются функцией Ферми-Дирака, возмущенной небольшим внешним смещением. Наши эксперименты и моделирование показали, как можно минимизировать кажущиеся пороговые напряжения. Мы продемонстрировали в качестве доказательства концепции, что перовскитные светодиоды могут эффективно передавать оптические данные на кремниевый детектор при напряжениях ниже ширины запрещенной зоны кремния, предлагая перспективы для передачи данных при низких затратах. Помимо создания унифицированного механизма для ЭЛ с субзонным напряжением, эти результаты могут привести к малоизученной области сверхнизковольтных светодиодов для коммуникационных, вычислительных и энергетических приложений.

Методы

Материалы

Поли(9,9-диоктилфлуорен-со-N-(4-(3-метилпропил))дифениламин) (TFB, средняя молекулярная масса, ~50000 г моль ^-1) был приобретен у Были приобретены Luminescence Technology Corp. Поли [N,N’-бис(4-бутилфенил)-N,N’-бис(фенил)-бензидин] (поли-ТПД, средняя молекулярная масса, ~50 000 г моль ^-1 ) от американского источника красителей. Коллоидные красные квантовые точки ядро-оболочка CdSe/ZnS и наночастицы ZnO (30 мг мл ^–1) были приобретены у Guangdong Poly OptoElectronics Co., Ltd. Хлорбензол (экстрасухой, 99,8%), октан (экстрасухой, >99%), этанол (экстрасухой, 99,5%), N,N-диметилформамид (ДМФ, 99,5%), диметилсульфоксид (ДМСО, чистота для ВЭЖХ) и этилацетат (чистота для ВЭЖХ) были приобретены у J&K Chemical Ltd. Раствор PEDOT:PSS, йодид 1-нафтилметиламина (NMAI, 99,9%), йодид формамидиния (FAI, 99,9%), PO-T2T (99,99%), MoO ₃ (99,9%), 2 -фенилэтиламмония бромид (PEABr, 99,99%), поли[бис(4-фенил)(2,4,6-триметилфенил)амин] (PTAA, средняя молекулярная масса, ~20 000 г моль ⁻¹ ), трис(4-карбазоил-9-илфенил)амин (TCTA, 99%) и BCP (99,99%) были приобретены у Xi’an Polymer Light Technology Corp. Трис(2-фенилпиридин)иридий(III) (Ir( ppy) ₃ , 99%), бис[2-(4,6-дифторфенил)пиридинато-C2,N](пиколинато)иридий (FIrpic, 99%), 1,2,3,5-тетракис(карбазол- 9-ил)-4,6-дицианобензол (4CzIPN, 99%), поли(9,9-диоктилфлуорен-альт-бензотиадиазол) (F8BT, 99%), бромид цезия (CsBr, 99,99%), бромид свинца (PbBr ₂ , 99,999%), LiF (99,99%), С ₆₀ (99,99%), 1,4,7,10,13,16-гексаоксациклооктадекан (краун, 99%), рубрен ОСЧ (99,99%), 1,1-бис[(ди-4-толиламино)фенил]циклогексан ( TAPC, 97%) и N,N’-бис(3-метилфенил)-N,N’-дифенилбензидин (TPD, 99%) были приобретены у Sigma-Aldrich. Все материалы использовали в том виде, в каком они были получены, без дополнительной очистки.

Изготовление перовскитных светодиодов FPI

Раствор перовскитного предшественника FAI, PbI ₂ и 5AVA с молярным соотношением 2:1:0,4 в ДМФА был приготовлен для образования FAPbI ₃ перовскит (сокращенно ФПИ). Молярная концентрация PbI ₂ составляла 0,07 М.

Структура перовскитных светодиодов ФПИ представляла собой ITO (135 нм)/ZnO с покрытием из ПЭИЭ (20 нм)/ФАПбI ₃ (20 нм)/ПТАА (35 нм )/MoO ₃ (10 нм)/Au (100 нм). Растворы нанокристаллов ZnO наносили центрифугированием на стеклянные подложки, покрытые ITO, при 5000 об/мин в течение 60 с и отжигали на воздухе при 150°С в течение 10 мин. Подложки переносили в перчаточный бокс N ₂ . Затем на поверхность ZnO наносили раствор ПЭИЭ методом центрифугирования при 5000 об/мин в течение 60 с с последующим отжигом при 100°С в течение 10 мин. Пленки перовскита были приготовлены путем центрифугирования раствора прекурсора на пленки ZnO, обработанные ПЭИЭ, при 5000 об/мин в течение 90 с с последующим отжигом при 100 °С в течение 15 мин. PTAA в хлорбензоле (12 мг мл ^-1 ) наносили методом центрифугирования при 4000 об/мин в течение 60 с. Наконец, электроды MoO ₃ /Au были нанесены с использованием системы термического испарения через теневую маску при базовом давлении 4 × 10 ⁻⁴ Па. площадь пленок ITO и верхних электродов. Все устройства были инкапсулированы УФ-эпоксидной смолой (NOA81, Thorlabs)/покровным стеклом перед последующими измерениями.

Изготовление перовскитных светодиодов NFPI

Раствор предшественника перовскита йодида 1-нафтилметиламина (NMAI), йодида формамидиния (FAI) и PbI ₂ с молярным соотношением 2:1,8:2, растворенных в N,N-диметилформамиде ( ДМФА) готовили для формирования перовскитовых эмиссионных слоев состава NMA ₂ FA _n–1 Pb _n I _3n+1 (сокращенно NFPI). Молярная концентрация для PbI ₂ составляла 0,08 М.

Структура устройства NFPI PeLED представляла собой ITO (135 нм)/ZnO с покрытием PEIE (20 нм)/NFPI (20 нм)/Poly-TPD (35 нм)/ МО ₃ (10 нм)/Ag (100 нм). Растворы нанокристаллов ZnO наносили центрифугированием на стеклянные подложки, покрытые ITO, при 5000 об/мин в течение 60 с и отжигали на воздухе при 150°С в течение 10 мин. Подложки переносили в перчаточный бокс N ₂ . Затем на поверхность ZnO наносили раствор ПЭИЭ методом центрифугирования со скоростью 5000 об/мин в течение 60 с. Пленки перовскита были получены путем центрифугирования раствора прекурсора на пленки ZnO, обработанные ПЭИЭ, при 5000 об/мин в течение 60 с с последующим отжигом при 100°С в течение 10 мин. Поли-ТПД в хлорбензоле (12 мг мл ^-1 ) наносили центрифугированием при 4000 об/мин в течение 60 с. Наконец, электроды MoO ₃ /Ag были нанесены с использованием системы термического испарения через теневую маску при базовом давлении 4 × 10 ⁻⁴ Па. площадь пленок ITO и верхних электродов. Все устройства были инкапсулированы УФ-эпоксидной смолой (NOA81, Thorlabs)/покровным стеклом перед последующими измерениями.

Производство светодиодов из перовскита PCPB

Раствор предшественника перовскита (молярное соотношение 5:5:2) готовили путем растворения 110 мг бромида свинца (PbBr ₂ ), 64 мг бромида цезия (CsBr) и 24 мг бромида 2-фенилэтиламмония (PEABr) в 1 мл диметилсульфоксида (ДМСО) и перемешивание в течение ночи при комнатной температуре. В качестве молекулярной добавки использовали 1,4,7,10,13,16-гексаоксациклооктадекан (краун) ⁶⁰ . Ожидалось образование квази-2D/3D-перовскита состава PEA ₂ Cs _n-1 Pb _n Br _3n+1 (сокращенно PCPB).

Структура устройства PCPB PeLED: ITO (185 нм)/TFB (30 нм)/LiF (1,3 нм)/PCPB (35 нм)/PO-T2T (15 нм)/LiF (0,8 нм)/Al (120 нм). Предварительно нанесенные подложки из ITO (15 Ом/квадрат) очищали с помощью ультразвуковой обработки в ацетоне и изопропаноле в течение 15 минут соответственно, а затем сушили с помощью продувочного пистолета с азотом, после чего подложки обрабатывали УФ-озоном в течение 60 минут. Затем субстраты ITO переносили в перчаточный бокс, заполненный азотом. TFB наносили методом центрифугирования из раствора в хлорбензоле (3 мг мл ^-1 ) при 4000 об/мин и отжигали при 100 °С в течение 10 мин. Затем 2 нм LiF испаряли при давлении 4 × 10 ^–4 Па. Затем перовскит наносили центрифугированием из раствора предшественника при 5000 об/мин с образованием слоя ~35 нм. Наконец, PO-T2T (15 нм), LiF (0,8 нм) и Al (120 нм) последовательно испаряли через теневую маску при базовом давлении 4 × 10 ⁻⁴ Па. Площадь прибора 5,25 мм ^{− 2} , что определяется площадью перекрытия пленок ITO и верхних электродов. Все устройства были инкапсулированы УФ-эпоксидной смолой (NOA81, Thorlabs)/покровным стеклом перед последующими измерениями. Скорость осаждения для термического испарения была откалибрована и поддерживалась на уровне около 2 Å с ^-1 в процессе испарения для материалов, за исключением LiF, для которого использовалась скорость испарения около 0,1 Å  с ^-1 .

Изготовление светодиодов Ir(ppy)

₃ , FIrpic и 4CzIPN

Молекулярные излучатели (Ir(ppy) ₃ , FIrpic или 4CzIPN) растворяли в ДМФА в концентрации 5 мг 6 − ^{мл 1 9000 мл ПВК растворяли в ДМФА в концентрации 10 мг мл -1 . Растворы эмиттера и ПВК предварительно смешивали для достижения желаемых концентраций эмиттера. Общая концентрация раствора эмиссионного слоя (ЭМС) составляла 7 мг мл −1 .}

Структура устройства OLED: ITO (185 нм)/PEDOT:PSS (40 нм)/EML (35 нм)/PO-T2T (10 нм)/LiF (0,8 нм)/Al (120 нм). Предварительно нанесенные подложки из ITO (15 Ом/квадрат) очищали с помощью ультразвуковой обработки в ацетоне и изопропаноле в течение 15 минут соответственно, а затем сушили с помощью продувочного пистолета с азотом, после чего подложки обрабатывали УФ-озоном в течение 60 минут. PEDOT:PSS наносили центрифугированием на подложку ITO при 4000 об/мин в течение 60 с с последующим термическим отжигом при 150°С в течение 20 мин. Толщина слоя PEDOTS:PSS составляла около 40 нм. ЭМС наносили методом центрифугирования из раствора при 2000 об/мин в течение 60 с с последующим отжигом при 90 °C в течение 10 мин, что приводит к толщине пленки 50 нм. Наконец, PO-T2T (10 нм), LiF (0,8 нм) и Al (120 нм) последовательно испаряли через теневую маску при базовом давлении 4 × 10 ⁻⁴ Па. Площадь прибора составляла 5,25 мм ^{− 2} , что определяется площадью перекрытия пленок ITO и верхних электродов. Все устройства были инкапсулированы УФ-эпоксидной смолой (NOA81, Thorlabs)/покровным стеклом перед последующими измерениями. Скорость осаждения для термического испарения была откалибрована и поддерживалась на уровне около 2 Å с ^-1 в процессе испарения для материалов, за исключением LiF, для которого использовалась скорость испарения около 0,1 Å  с ^-1 .

Изготовление OLED на основе рубрена

Структура устройства OLED на основе рубрена: ITO (185 нм)/PEDOT:PSS (30 нм)/рубрен (35 нм)/C ₆₀ (25 нм)/BCP (6 нм) )/Ag (120 нм). Органические материалы использовали в том виде, в каком они были приобретены, без дополнительной очистки. PEDOT:PSS наносили методом центрифугирования на подложку при 4000 об/мин в течение 60 с с последующим отжигом при 150°С в течение 20 мин. Толщина слоя PEDOTS:PSS составляла около 40 нм. Затем подложки ITO с покрытием PEDOT: PSS переносили в систему термического испарения. Тонкий слой рубрена толщиной 35 нм и тонкий слой C 9 толщиной 25 нм.0135 60 осаждались с постоянной скоростью 0,5 Å с ⁻¹ . Температуру подложки во время осаждения поддерживали на уровне 80 °C. Дальнейшее осаждение проводили при комнатной температуре. Перед нанесением верхнего электрода наносился тонкий слой BCP толщиной 6 нм. Устройства комплектовались напылением тонкого слоя Ag толщиной 120 нм. Нанесение металла осуществлялось с помощью теневой маски. Площадь устройства составляла 5,25  мм ^-2 , что определялось площадью перекрытия пленок ITO и верхних электродов. Все осаждения проводились при базовом давлении ниже 4 × 10 ^-4 Па. Устройства были инкапсулированы УФ-эпоксидной смолой (NOA81, Thorlabs)/покровным стеклом перед последующими измерениями.

Изготовление полимерных OLED на основе F8BT

Структура устройства полимерных OLED на основе F8BT представляла собой ITO (185 нм)/PEDOT:PSS (30 нм)/F8BT (100 нм)/Ca (3,5 нм)/Al (120 нм). PEDOT:PSS наносили методом центрифугирования на подложку при 7000 об/мин в течение 60 с с последующим термическим отжигом при 150°С в течение 20 мин. Толщина слоя PEDOTS:PSS составляла около 30 нм. F8BT наносили методом центрифугирования из раствора (14 мг мл ^-1 в хлорбензоле) при 5000 об/мин и отжиг при 160 °C в течение 20 мин, в результате чего толщина пленки составила 50 нм. Тонкий слой Ca толщиной 3,5 нм и слой Al толщиной 120 нм осаждали с помощью системы термического испарения при базовом давлении ниже 4 × 10 ⁻⁴ Па. Нанесение металла осуществлялось через теневую маску. Площадь устройства составляла 5,25  мм ^-2 , что определялось площадью перекрытия пленок ITO и верхних электродов. Все устройства были инкапсулированы УФ-эпоксидной смолой (NOA81, Thorlabs)/покровным стеклом перед последующими измерениями.

Изготовление QLED II–VI на основе КТ CdSe/ZnS

Приборная структура QLED II–VI: ITO (185 нм)/PEDOT:PSS (40 нм)/TFB (25 нм)/QD (25 нм )/ZnO (65 нм)/Ag (120 нм). Слой PEDOT:PSS наносили двухэтапным процессом центрифугирования при 1000 об/мин в течение 10 с и 4000 об/мин в течение 50 с с последующим отжигом при 150°С в течение 20 мин. Подложки с покрытием PEDOT:PSS переносили в перчаточный бокс, заполненный азотом (O ₂  < 1 ppm, H ₂ O < 1 ppm) для последующих процессов. ТФБ наносили центрифугированием из раствора (в хлорбензоле, 12 мг мл ⁻¹ ) при 2000 об/мин в течение 60 с и запекание при 150°С в течение 20 мин. Раствор КТ CdSe/ZnS (в октане, ~15 мг мл ^–1) и нанокристаллы ZnO (в этаноле, ~30 мг мл^–1) последовательно наносили на подложки центрифугированием при 2000 об/мин в течение 60 с. Затем электроды Ag (120 нм) осаждали с помощью системы термического испарения при базовом давлении <4 × 10 ⁻⁴ Па. Нанесение электродов осуществлялось через теневую маску. Активная площадь каждого устройства составляла 5,25 мм ^-2 , как определено площадью перекрытия пленок ITO и верхних электродов. Устройства были инкапсулированы УФ-эпоксидной смолой (NOA81, Thorlabs)/покровным стеклом перед последующими измерениями.

Характеристика рабочих характеристик светодиодов

Характеристики плотность тока-напряжение (J–V) были измерены с помощью источника-измерителя Keithley 2400. Данные яркости и EQE были получены с использованием коммерческой системы анализа производительности светодиодов Everfine OLED-200. Установка для измерения EQE была перекрестно откалибрована по стандартной интегрирующей сфере, соединенной со спектрометром Ocean Optics QE-Pro и с кремниевым детектором. Поток фотонов и спектры ЭЛ измерялись одновременно с помощью прибора с зарядовой связью, центрированного над светоизлучающим пикселем. Яркость (в кд м ^-2 ) и яркость (в Вт ср ^-1 м ^-2 ) устройств были рассчитаны на основе функций углового распределения излучения светодиодов и известного спектрального отклика устройства с зарядовой связью. Эта стандартная установка может надежно измерять EL за пределами минимального потока фотонов ~1,4 × 10 ¹⁵ с ⁻¹ м ⁻² ср ⁻¹ , что соответствует минимальному регистрируемому потоку фотонов ~10 ^{16  9006 s −1 m −2 для светодиодных устройств. Дополнительные спектры электролюминесценции устройств, управляемых при напряжениях в ближней и субзонной запрещенной зоне, были собраны с помощью фокусирующей линзы с волоконной связью и измерены с использованием спектрометра QE Pro (Ocean Optics).}

Эксперименты по обнаружению фотонов с высокой чувствительностью

Измерительная установка для экспериментов по обнаружению фотонов с высокой чувствительностью показана на дополнительном рисунке 4a. Фотоны, испускаемые различными классами светодиодов при напряжениях в ближней и субзонной запрещенной зоне, регистрировались однофотонным лавинным фотодиодом (APD) на основе кремния. APD преобразует фотоны светодиодов в фототок, который усиливается усилителем. Фототок формирует острые импульсы через формирователь импульсов. Эти импульсы эффективно передаются по проводу BNC с низким искажением сигнала. Контроллер преобразует импульсы в количество фотонов перед передачей данных на компьютер. Он имеет инструментальное время отклика ~ 0,2 нс. Для каждого измерения минимальные отсчеты на APD составляют порядка 1000  с ⁻¹ , что соответствует минимальному регистрируемому потоку фотонов ~10 ⁹ с ⁻¹ м ⁻² для светодиодных устройств.

Необработанные данные об интенсивности электролюминесценции, собранные с помощью высокочувствительной системы обнаружения фотонов, показаны на дополнительных рисунках 4b–l. Из-за конечной эффективности сбора и собственных характеристик насыщения APD, подсчет необработанных данных не соответствует линейной зависимости от фактического подсчета фотонов от EL светодиодов. В этой работе мы использовали данные интенсивности-напряжения электролюминесценции, полученные из коммерческой системы измерения светодиодов, для калибровки реакции счета-напряжения фотонов высокочувствительной системы путем управления одним и тем же светодиодом в идентичном диапазоне напряжений. Для расширения диапазона измерений и во избежание насыщения ЛФД ЭЛ от светодиодов перед входом в ЛФД ослаблялась фильтром нейтральной плотности. Передаточная функция g( 9{-1}({APD}\,{counts})$$

, где g ⁻¹ ( x ) — функция, обратная g( x ).

Моделирование светодиодных устройств

В дополнение к моделированию светодиодов и подгонке данных интенсивности и напряжения электролюминесценции, представленным в этой работе, мы выполнили моделирование устройств для перовскитного светодиода иодида свинца и Ir(ppy) ₃ OLED с использованием светодиода. программное обеспечение для моделирования «Setfos» ^50,51 . Предустановленные параметры для этих устройств доступны в базе данных пакета моделирования устройств, а подробные настройки и модификации представлены в дополнительных таблицах 3 и 4.

Ссылки

1. Амано, Х. и др. Проводимость P-типа в легированном Mg GaN, обработанном облучением низкоэнергетическим электронным пучком (LEEBI). Япония . J. Appl. физ. 28 , L2112–L2114 (1989).

   КАС Статья Google ученый

2. Накамура, С. и др. Синие светоизлучающие диоды с двойной гетероструктурой InGaN/AlGaN класса Candela. Заяв. физ. лат. 64 , 1687–1689 (1994).

   ОБЪЯВЛЕНИЕ КАС Статья Google ученый

3. Ponce, F. A. & Bour, D. P. Полупроводники на основе нитрида для устройств, излучающих синий и зеленый свет. Природа 386 , 351–359 (1997).

   ОБЪЯВЛЕНИЕ КАС Статья Google ученый

4. Tang, C.W. & Vanslyke, S.A. Органические электролюминесцентные диоды. Заявл. физ. лат. 51 , 913–915 (1987).

   ОБЪЯВЛЕНИЕ КАС Статья Google ученый

5. Burroughes, J.H. et al. Светодиоды на основе сопряженных полимеров. Природа 347 , 539–541 (1990).

   ОБЪЯВЛЕНИЕ КАС Статья Google ученый

6. Baldo, M. A. et al. Высокоэффективное фосфоресцентное излучение органических электролюминесцентных устройств. Природа 395 , 151–154 (1998).

   ОБЪЯВЛЕНИЕ КАС Статья Google ученый

7. Uoyama, H. et al. Высокоэффективные органические светодиоды замедленной флуоресценции. Природа 492 , 234–238 (2012).

   ОБЪЯВЛЕНИЕ КАС пабмед Статья Google ученый

8. Ди, Д. и др. Высокоэффективные светодиоды на основе карбен-металламидов. Наука 356 , 159–163 (2017).

   ОБЪЯВЛЕНИЕ КАС пабмед Статья Google ученый

9. «>

   Colvin, V.L. et al. Светодиоды из нанокристаллов селенида кадмия и полупроводникового полимера. Природа 370 , 354–357 (1994).

   ОБЪЯВЛЕНИЕ КАС Статья Google ученый

10. Qian, L. et al. Стабильные и эффективные светодиоды на квантовых точках на основе многослойных структур, обработанных раствором. Нац. Фотоника 5 , 543–548 (2011).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ КАС Статья Google ученый

11. Дай, X. и др. Обработанные раствором высокоэффективные светодиоды на основе квантовых точек. Природа 515 , 96–99 (2014).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ КАС пабмед Статья Google ученый

12. Чиба, Т. и др. Анионообменные красные перовскитные квантовые точки с солями йода аммония для высокоэффективных светоизлучающих устройств. Нац. Фотоника 12 , 681–687 (2018).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ КАС Статья Google ученый

13. Чжао Б. и др. Высокоэффективные светодиоды на объемной перовскит-полимерной гетероструктуре. Нац. Фотоника 12 , 783–789 (2018).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ КАС Статья Google ученый

14. Цао Ю. и др. Перовскитные светодиоды на основе спонтанно образованных структур субмикронного размера. Природа 562 , 249–253 (2018).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ КАС пабмед Статья Google ученый

15. Лин, К. и др. Перовскитные светодиоды с внешним квантовым выходом более 20 процентов. Природа 562 , 245–248 (2018).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ КАС пабмед Статья Google ученый

16. «>

    Тан, З.К. и др. Яркие светодиоды на основе металлоорганического галогенида перовскита. Нац. нанотехнологии. 9 , 687–692 (2014).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ КАС пабмед Статья Google ученый

17. Чо, Х. и др. Преодоление ограничений эффективности электролюминесценции перовскитных светодиодов. Наука 350 , 1222–1225 (2015).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ КАС пабмед Статья Google ученый

18. Юань, М. и др. Перовскитные энергетические воронки для эффективных светодиодов. Нац. нанотехнологии. 11 , 872–877 (2016).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ КАС пабмед Статья Google ученый

19. Шуберт, Э. Ф. Светоизлучающие диоды, 2-е изд. (Cambridge University Press, 2007).

20. Sasabe, H. et al. Светоизлучающие устройства с зеленым фосфоресцентным органическим излучением с чрезвычайно низким рабочим напряжением. Доп. Функц. Матер. 23 , 5550–5555 (2013).

    КАС Статья Google ученый

21. Ландау Л.Д. Собрание статей Л.Д. Ландо. (изд. Тер Хаар, Д.) 461–465 (Elsevier Inc., 1965).

22. Чжао Б. и др. Термофотонные системы ближнего поля для утилизации низкопотенциального отходящего тепла. Нано Летт. 18 , 5224–5230 (2018).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ КАС пабмед Статья Google ученый

23. Сади Т. и др. Термофотонное охлаждение со светодиодами. Нац. Фотоника 14 , 205–214 (2020).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ КАС Статья Google ученый

24. Сантанам, П. и др. Светодиоды с термоэлектрической накачкой, работающие выше единицы. Физ. Преподобный Летт. 108 , 097403 (2012).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ пабмед Статья КАС Google ученый

25. Kuritzky L.Y. et al. Перспективы светодиодов из III-нитрида со 100% эффективностью настенного подключения. Опц. Экспресс 26 , 16600–16608 (2018).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ КАС пабмед Статья Google ученый

26. Су, К. и Чен, С. М. Электролюминесценция с преобразованием частоты с повышением частоты в светоизлучающих диодах с квантовыми точками. Нац. Коммуна . 13 , 369 (2022).

27. Луо, Х. и др. Происхождение подпорогового включения в квантово-точечных светодиодах. ACS Nano 13 , 8229–8236 (2019).

    КАС пабмед Статья Google ученый

28. Chen, Q. et al. Межфазный диполь в органических и перовскитных солнечных элементах. Дж. Ам. хим. соц. 142 , 18281–18292 (2020).

    КАС пабмед Статья Google ученый

29. Xiang, C. et al. Происхождение подзонной электролюминесценции в органических светодиодах. Малый 11 , 5439–5443 (2015).

    КАС пабмед Статья Google ученый

30. Qiao, X. & Ma, D. Эффекты триплет-триплетной аннигиляции в OLED-дисплеях rubrene/C60 с включением электролюминесценции, нарушающим термодинамический предел. Нац. коммун. 10 , 4683 (2019).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ пабмед ПабМед Центральный Статья КАС Google ученый

31. Pandey, A.K. & Nunzi, J.M. Гетероструктуры рубрен/фуллерен с порогом электролюминесценции в полущель и большим фотонапряжением. Доп. Матер. 19 , 3613–3617 (2007).

    КАС Статья Google ученый

32. Mashford, B.S. et al. Высокоэффективные светоизлучающие устройства на квантовых точках с усиленной инжекцией заряда. Нац. Фотоника 7 , 407–412 (2013).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ КАС Статья Google ученый

33. Engmann, S. et al. Эффекты высшего порядка в органических светодиодах с включением субширинной запрещенной зоны. Нац. коммун. 10 , 227 (2019).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ пабмед ПабМед Центральный Статья КАС Google ученый

34. Seidel, W. et al. Высокоэффективное преобразование энергии с повышением частоты шнековым фонтаном на гетеропереходе InP-AlInAs типа II. Физ. Преподобный Летт. 73 , 2356–2359 (1994).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ КАС пабмед Статья Google ученый

35. Ли, Н. и др. Сверхмаломощные субфотонные высокоэффективные светодиоды. Нац. Фотоника 13 , 588–592 (2019).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ КАС Статья Google ученый

36. Engmann, S. et al. Ответ на: Триплет-триплетная аннигиляция в светодиодах рубрен/С60 с включением электролюминесценции, нарушающим термодинамический предел. Нац. коммун. 10 , 4684 (2019).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ пабмед ПабМед Центральный Статья КАС Google ученый

37. Денг Ю. и др. Расшифровка процессов генерации экситонов в электролюминесценции квантовых точек. Нац. коммун. 11 , 2309 (2020).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ КАС пабмед ПабМед Центральный Статья Google ученый

38. «>

    Pu, C. et al. Электрохимически стабильные лиганды перекрывают щель фотолюминесценции-электролюминесценции квантовых точек. Нац. коммун. 11 , 937 (2020).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ КАС пабмед ПабМед Центральный Статья Google ученый

39. Сюй, В. и др. Рациональная молекулярная пассивация высокоэффективных перовскитных светодиодов. Нац. Фотоника 13 , 418–424 (2019).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ КАС Статья Google ученый

40. Ван, Н. и др. Перовскитные светодиоды на основе самоорганизующихся множественных квантовых ям, обработанных раствором. Нац. Фотоника 10 , 699–704 (2016).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ КАС Статья Google ученый

41. Чжао Б. и др. Эффективные светодиоды из разноразмерных перовскитов на границе раздела фторидов. Нац. Электрон. 3 , 704–710 (2020).

    КАС Статья Google ученый

42. Li, J. et al. Однослойные галогенидные перовскитные светодиоды с подзонным напряжением включения и высокой яркостью. J. Phys. хим. лат. 7 , 4059–4066 (2016).

    КАС пабмед Статья Google ученый

43. Чу, З. и др. Перовскит с крупным катионом этиламмония для эффективных и спектрально стабильных синих светодиодов. Нац. коммун. 11 , 4165 (2020).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ КАС пабмед ПабМед Центральный Статья Google ученый

44. Kawamura, Y. et al. 100% квантовая эффективность фосфоресценции комплексов Ir(III) в пленках органических полупроводников. Заяв. физ. лат. 86 , 071104 (2005).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ Статья КАС Google ученый

45. «>

    Fang, J. et al. Сопряженный цвиттерионный полиэлектролит в качестве слоя инжекции заряда для высокоэффективных полимерных светоизлучающих диодов. Дж. Ам. хим. соц. 133 , 683–685 (2011).

    КАС пабмед Статья Google ученый

46. Ву, Дж. и др. Температурно-зависимая динамика рекомбинации и характеристики электролюминесценции коллоидных квантовых точек ядро/оболочка CdSe/ZnS. Заяв. физ. лат. 119 , 073303 (2021).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ КАС Статья Google ученый

47. Corless, R. M. et al. О W-функции Ламберта. Доп. вычисл. Мат. 5 , 329–359 (1996).

    MathSciNet МАТЕМАТИКА Статья Google ученый

48. Wetzelaer, G.A.H. et al. Рекомбинация с участием ловушек и ланжевеновского типа в органических светодиодах. Физ. Ред. B 83 , 165204 (2011).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ Статья КАС Google ученый

49. Jiang, Q. et al. Поверхностная пассивация перовскитовой пленки для эффективных солнечных элементов. Нац. Фотоника 13 , 460–466 (2019).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ КАС Статья Google ученый

50. млн лет, Д. и др. Управление распределением позволяет использовать эффективные перовскитные светодиоды уменьшенных размеров. Природа 599 , 594 (2021).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ КАС пабмед Статья Google ученый

51. Кан М. и др. Органический фотодиод со встроенным молекулярным переключателем для захвата изображений при сильном контровом свете. Доп. Матер. 34 , 2200526 (2022).

    КАС Статья Google ученый

52. «>

    Паршин М.А. и др. В 9039 году3 Органическая оптоэлектроника и фотоника II . 419-426 (ШПИЭ, 2006).

53. Бао, К. и др. Двунаправленная передача оптического сигнала между двумя идентичными устройствами с использованием перовскитных диодов. Нац. Электрон. 3 , 156–164 (2020).

    ПабМед ПабМед Центральный Статья Google ученый

54. Сюэ, Дж. и др. Низковольтные светодиоды CMOS высокой яркости. Междунар. Эл. Устройства. Встречайте . (IEEE, 2020).

55. Дойл, Дж. и др. Схема эталона запрещенной зоны КМОП с напряжением питания 1 В. IEEE J. Solid-St. Цирк. 39 , 252–255 (2004).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ Статья Google ученый

56. Ву, Т. и др. Встроенная методика калибровки для снижения чувствительности к напряжению питания в кольцевых генераторах. IEEE J. Solid-St. Цирк. 42 , 775–783 (2007).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ Статья Google ученый

57. Becker-Gomez, A. et al. Субдиапазон запрещенной зоны КМОП с низким напряжением питания. IEEE T. Схемы-II. 55 , 609–613 (2008).

    Google ученый

58. Fang, Y. et al. Высокоузкополосные перовскитные монокристаллические фотодетекторы на основе рекомбинации поверхностного заряда. Нац. Фотоника 9 , 679–686 (2015).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ КАС Статья Google ученый

59. Сан, К. и др. Одночиповый микропроцессор, который обменивается данными напрямую с помощью света. Природа 528 , 534–538 (2015).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ КАС пабмед Статья Google ученый

60. «>

    Бан, М. и др. Перовскитные светоизлучающие диоды, обработанные раствором, с эффективностью более 15% за счет адаптации наноструктуры с аддитивным управлением. Нац. коммун. 9 , 3892 (2018).

    ОБЪЯВЛЕНИЕ пабмед ПабМед Центральный Статья КАС Google ученый

Ссылки для скачивания

Артикул № 004-230-118, 230 В переменного тока (AC) Монитор рабочего напряжения Электронная защита двигателя (MPE)

Информация о запросе

Однофазное реле для защиты двигателя.
Монитор повышенного/пониженного напряжения используется для защиты однофазного оборудования, которое должно работать между двумя пределами напряжения. В среде с нормальным напряжением внутреннее реле однофазного монитора сработает, и загорится светодиод, обеспечивающий нормальную работу. Аномальные условия напряжения приведут к обесточиванию внутреннего реле реле контроля напряжения и отключению светодиода.

Технические характеристики

org/PropertyValue»> org/PropertyValue»> org/PropertyValue»> org/PropertyValue»> org/PropertyValue»> org/PropertyValue»> org/PropertyValue»> org/PropertyValue»> org/PropertyValue»> org/PropertyValue»> org/PropertyValue»> org/PropertyValue»> org/PropertyValue»> org/PropertyValue»> org/PropertyValue»> org/PropertyValue»> org/PropertyValue»> org/PropertyValue»>

alexxlab

Добавить комментарий Отменить ответ

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Комментарий *

Имя *

Email *

Сайт

Рубрики

• Прост
• Радио
• Разное
• Своими руками
• Советы
• Схем
• Схемы
• Транзист
• Транзисторы
• Электрон
• Электроника

Underwriter’s Laboratories (UL) Номер файла	Н/Д #E101681
Тип продукта	Н/Д 1 фаза, подключаемый монитор напряжения
Переменный ток (AC) Рабочее напряжение	Н/Д 230 В
Тип реле	Н/Д SPDT
Базовая конфигурация терминала	Н/Д 8-контактный, восьмеричный
Тип гнезда	Н/Д 8-контактный восьмеричный
Отключение при недостаточном напряжении	Н/Д — 15% от настройки
Сброс пониженного напряжения	Н/Д -12% настройки
Отключение по перенапряжению	Н/Д +15% настройки
Сброс повышенного напряжения	Н/Д +12% настройки
Задержка отключения	Н/Д 5 сек. (Задержка уменьшается до менее 1 секунды, если дисбаланс фаз составляет 15% или более.)
Задержка сброса	Н/Д 2 сек. (Стандарт)
Диапазоны напряжения	Н/Д от 200 до 240 В
Выходная мощность при напряжении 240 В переменного тока (AC)	Н/Д 6A индуктивный 10A резистивный
Рабочая температура	Н/Д от -40 до +50 ºC
Температура хранения	Н/Д от -45 до 85 ºC
Материал корпуса	Н/Д Белый лексан
Основной материал	Н/Д фенол
Защищает от	Н/Д Под напряжением