Site Loader

Содержание

Обзор высокочастотных HiperFET Power MOSFET-транзисторов Q3-класса, от компании IXYS

Поиск по складу:

Поиск на сайте:

Каталог компонентов

  • Полупроводники
  • Беспроводные решения
  • Силовая электроника
  • Источники и элементы питания
  • Электромеханика
  • Средства индикации
  • Пассивные компоненты

Линии поставок

  • Beyondoor
  • Bolymin
  • Bonrex Technology
  • Deca Switchlab
  • Degson
  • EEMB
  • Holtek Semiconductor
  • Hsuan Mao
  • Inpaq
  • Kingbright
  • LiteOn
  • LTW Technology
  • Mornsun
  • Phison
  • Richtek
  • Rockchip
  • SIMCom Wireless Solutions
  • Transcend
  • Varitronix
  • Realtek
  • Winbond
  • Winstar
  • WiseChip

Главная / Новости / Новости «IXYS» / Обзор высокочастотных HiperFET Power MOSFET-транзисторов Q3-класса, от компании IXYS

Семейство мощных N-канальных транзисторов Q3 HiPerFET Power MOSFET от компании IXYS  предназначено для использования в устройствах требующих работы на высоких частотах до 27 МГц.  

За счет уменьшения заряда затвора Qg, внутреннего сопротивления RGI и оптимизации других параметров уменьшено влияние эффекта Миллера, что позволяет уверенно управлять затвором и делает потери на переключение еще более низкими. Это семейство показало себя как надежное решение для высокочастотных задач.

 

Особенности:

  • работа на частотах до 27 MГц
  • низкое сопротивление в открытом состоянии Rds(on)
  • малый заряд затвора Qg
  • низкие динамические потери при переключении 
  • быстрый внутренний диод с малым Qrr
  • устойчивость к высокому dV/dt до 50 В/нс
  • корпуса с улучшенным теплоотводом, Rthjc до 0.08°С/Вт
  • высокая помехоустойчивость

 

PartNumberVDSS
Max
(V)
ID(cont)
TC=25°C
(A)
RDS(on)
max
TJ=25°C
(Ω)
Ciss
Typ
(pF)
Qg
Typ
(nC)
trr
Max
(ns)
PD
(W)
RthJC
Max
(ºC/W)
Status
IXFT70N20Q3200700. 0403150
67
2506900.180TO-268Active Part
IXFT50N30Q3300500.0803160652506900.180TO-268Active Part
IXFT70N30Q3300700.0544735982508300.150TO-268Active Part
IXFT30N50Q3500300.2003200622506900.180TO-268Active Part
IXFT44N50Q3500440.1404800932508300.150TO-268Active Part
IXFT15N100Q31000151. 0503250642506900.180TO-268Active Part
IXFT18N100Q31000180.660489090300830
0.150
T0-268Active Part

 

PartNumberVDSS
Max
(V)
ID(cont)
TC=25°C
(A)
RDS(on)
max
TJ=25°C
(Ω)
Ciss
Typ
(pF)
Qg
Typ
(nC)
trr
Max
(ns)
PD
(W)
RthJC
Max
(ºC/W)
Status
IXFH70N20Q3200700.040315067250690
0. 180
TO-247Active Part
IXFH50N30Q3300500.0803160652506900.180TO-247Active Part
IXFH70N30Q3300700.0544735982508300.150TO-247Active Part
IXFh40N50Q3500300.200320062250690
0.180
TO-247Active Part
IXFh54N50Q3500440.1404800932508300.150TO-247Active Part
IXFh25N100Q31000151.0503250642506900. 180TO-247Active Part
IXFh28N100Q31000180.6604890903008300.150TO-247Active Part

 

PartNumberVDSS
Max
(V)
ID(cont)
TC=25°C
(A)
RDS(on)
max
TJ=25°C
(Ω)
Ciss
Typ
(pF)
Qg
Typ
(nC)
trr
Max
(ns)
PD
(W)
RthJC
Max
(ºC/W)
Status
IXFX64N50Q3500640.085695014525010000.125PLUS247Active Part
IXFX80N50Q3500800. 0651000020025012500.100PLUS247Active Part
IXFX48N60Q3600480.140702014030010000.125PLUS247Active Part
IXFX64N60Q360064
0.095
993019030012500.100PLUS247Active Part
IXFX32N80Q3800320.270694014030010000.125PLUS247Active Part
IXFX44N80Q3800440.1901095018530012500.100PLUS247Active Part
IXFX24N100Q31000240.
440
720014030010000.125PLUS247Active Part
IXFX32N100Q31000320.3201090019525012500.100PLUS247Active Part

 

PartNumberVDSS
Max
(V)
ID(cont)
TC=25°C
(A)
RDS(on)
max
TJ=25°C
(Ω)
Ciss
Typ
(pF)
Qg
Typ
(nC)
t
rr

Max
(ns)
PD
(W)
RthJC
Max
(ºC/W)
Status
IXFR44N50Q3500250.1544800932503000. 410ISOPLUS247Active Part
IXFR64N50Q3500450.09469501452505000.250ISOPLUS247Active Part
IXFR80N50Q3500500.072100002002505700.220ISOPLUS247Active Part
IXFR48N60Q3600320.15470201403005000.250ISOPLUS247Active Part
IXFR64N60Q3600420.10499301903005680.220ISOPLUS247Active Part
IXFR32N80Q3800240.30069401403005000. 250ISOPLUS247Active Part
IXFR15N100Q31000101.2003250642504000.310ISOPLUS247Active Part
IXFR24N100Q31000180.49072001403005000.250ISOPLUS247Active Part
IXFR32N100Q31000230.350109001953005700.220ISOPLUS247Active Part

 

PartNumberVDSS
Max
(V)
ID(cont)
TC=25°C
(A)
RDS(on)
max
TJ=25°C
(Ω)
Ciss
Typ
(pF)
Qg
Typ
(nC)
trr
Max
(ns)
PD
(W)
RthJC
Max
(ºC/W)
Status
IXFK64N50Q3500640. 085695014525010000.125TO-264Active Part
IXFK80N50Q3500800.0651000020025012500.100TO-264Active Part
IXFK48N60Q3600480.140702014030010000.125TO-264Active Part
IXFK64N60Q3600640.095993019030012500.100TO-264Active Part
IXFK32N80Q3800320.270694014030010000.125TO-264Active Part
IXFK44N80Q3800440. 1901095018530012500.100TO-264Active Part
IXFK24N100Q31000240.440720014030010000.125TO-264Active Part
IXFK32N100Q31000320.3201090019525012500.100TO-264Active Part

 

PartNumberVDSS
Max
(V)
ID(cont)
TC=25°C
(A)
RDS(on)
max
TJ=25°C
(Ω)
Ciss
Typ
(pF)
Qg
Typ
(nC)
trr
Max
(ns)
PD
(W)
RthJC
Max
(ºC/W)
Status
IXFB100N50Q35001000. 0491380025525015600.080PLUS264Active Part
IXFB82N60Q3600820.0751350027530015600.080PLUS264Active Part
IXFB62N80Q3800620.1401360027030015600.080PLUS264Active Part
IXFB44N100Q31000440.2201360026430015600.080PLUS264Active Part

 

PartNumberVDSS
Max
(V)
ID(cont)
TC=25°C
(A)
RDS(on)
max
TJ=25°C
(Ω)
Ciss
Typ
(pF)
Qg
Typ
(nC)
trr
Max
(ns)
PD
(W)
RthJC
Max
(ºC/W)
Status
IXFN80N50Q3500630. 065100002002507800.160SOT-227Active Part
IXFN100N50Q3500820.049138002552509600.130SOT-227Active Part
IXFN82N60Q3600660.075135002753009600.130SOT-227Active Part
IXFN44N80Q3800370.190109501853007800.160SOT-227BActive Part
IXFN62N80Q3800490.140136002703009600.130SOT-227BActive Part
IXFN32N100Q31000280. 320109001953007800.160SOT-227Active Part
IXFN44N100Q31000380.220136002643009600.130SOT-227Active Part
IXFN40N110Q31100350.260140003009600.13SOT227Active Part

 

Области применения:

  • DC/DC-преобразователи
  • источники бесперебойного питания 
  • корректоры коэффициента мощности 
  • мощный электропривод
  • индукционный нагрев
  • электросварка
  • плазменная резка
  • мощные DC/AC инверторы
  • LED-драйверы
  • системы заряда батарей
  • генераторы ВЧ-сигнала
  • источники мощных импульсов

 

Условия поставок / Технический вопрос

 

LinkedIn

選擇語言Bahasa Indonesia (Bahasa Indonesia)Bahasa Malaysia (Malay)Čeština (Czech)Dansk (Danish)Deutsch (German)English (English)Español (Spanish)繁體中文 (Chinese (Traditional))Français (French)한국어 (Korean)Italiano (Italian)简体中文 (Chinese (Simplified))Nederlands (Dutch)日本語 (Japanese)Norsk (Norwegian)Polski (Polish)Português (Portuguese)Română (Romanian)Русский (Russian)Svenska (Swedish)Tagalog (Tagalog)ภาษาไทย (Thai)Türkçe (Turkish)العربية (Arabic)

عفواً، لم نتمكن من العثور على الصفحة التي تبحث عنها.

برجاء المحاولة مرة أخرى للصفحة السابقة أو الانتقال لـمركز المساعدة للمزيد من المعلومات الإنتقال لموجزك الرئيسي

Omlouváme se, nemůžeme najít stránku, kterou hledáte. Zkuste se vrátit zpátky na předchozí stránku, nebo se podívejte do našeho Centra nápovědy pro více informací

Přejít do informačního kanálu

Vi kan desværre ikke finde den side, du leder efter. Gå tilbage til den forrige side, eller besøg Hjælp for at få flere oplysninger

Gå til dit feed

Die gewünschte Seite konnte leider nicht gefunden werden. Versuchen Sie, zur vorherigen Seite zurückzukehren, oder besuchen Sie unseren Hilfebereich, um mehr zu erfahren.

Zu Ihrem Feed

Uh oh, we can’t seem to find the page you’re looking for. Try going back to the previous page or see our Help Center for more information

Go to your feed

Vaya, parece que no podemos encontrar la página que buscas.

Intenta volver a la página anterior o visita nuestro Centro de ayuda para más información. Ir a tu feed

Nous ne trouvons pas la page que vous recherchez. Essayez de retourner à la page précédente ou consultez notre assistance clientèle pour plus d’informations

Ouvrez votre fil

Maaf, sepertinya kami tidak dapat menemukan halaman yang Anda cari. Coba kembali ke halaman sebelumnya atau lihat Pusat Bantuan kami untuk informasi lebih lanjut

Buka feed Anda

Non abbiamo trovato la pagina che stai cercando. Prova a tornare alla pagina precedente o visita il nostro Centro assistenza per saperne di più.

Vai al tuo feed

申し訳ありません。お探しのページが見つかりません。前のページに戻るか、ヘルプセンターで詳細をご確認ください

フィードに移動

원하시는 페이지를 찾을 수 없습니다. 이전 페이지로 돌아가거나 고객센터에서 자세히 알아보세요.

홈으로 가기

Harap maaf, kami tidak dapat menemui laman yang ingin anda cari.

Cuba kembali ke laman sebelumnya atau lihat Pusat Bantuan kami untuk maklumat lanjut Pergi ke suapan

De pagina waar u naar op zoek bent, kan niet worden gevonden. Probeer terug te gaan naar de vorige pagina of bezoek het Help Center voor meer informatie

Ga naar uw feed

Vi finner ikke siden du leter etter. Gå tilbake til forrige side eller besøk vår brukerstøtte for mer informasjon

Gå til din feed

Nie możemy znaleźć strony, której szukasz. Spróbuj wrócić do poprzedniej strony lub nasze Centrum pomocy, aby uzyskać więcej informacji

Przejdź do swojego kanału

A página que você está procurando não foi encontrada. Volte para a página anterior ou visite nossa Central de Ajuda para mais informações

Voltar para seu feed

Ne pare rău, nu găsim pagina pe care o căutaţi. Reveniţi la pagina anterioară sau consultaţi Centrul nostru de asistenţă pentru mai multe informaţii

Accesaţi fluxul dvs.

Не удаётся найти искомую вами страницу. Вернитесь на предыдущую страницу или посетите страницу нашего справочного центра для получения дополнительной информации.

Перейти к ленте

Sidan du letar efter hittades inte. Gå tillbaka till föregående sida eller besök vårt Hjälpcenter för mer information

Gå till ditt nyhetsflöde

ขออภัย ดูเหมือนเราไม่พบหน้าที่คุณกำลังมองหาอยู่ ลองกลับไปที่หน้าเพจก่อน หรือดู ศูนย์ความช่วยเหลือ ของเราสำหรับข้อมูลเพิ่มเติม

ไปที่ฟีดของคุณ

Naku, mukhang hindi namin mahanap ang pahina na hinahanap mo. Subukang bumalik sa nakaraang pahina o tingnan ang aming Help Center para sa higit pang impormasyon

Pumunta sa iyong feed

Aradığınız sayfa bulunamadı. Önceki sayfaya geri dönün veya daha fazla bilgi için Yardım Merkezimizi görüntüleyin

Haber akışınıza gidin

抱歉,无法找到页面。试试返回到前一页,或前往帮助中心了解更多信息

前往动态汇总

我們好像找不到該頁面。請回到上一頁或前往說明中心來進一步瞭解

前往首頁動態

500–950 В CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET

  • Домашний
  • Продукты
  • Мощность
  • МОП-транзистор (Si/SiC)
  • N-канальный силовой МОП-транзистор
  • 500–950 В N-канальный силовой МОП-транзистор

Обзор

Узнайте больше о нашем портфолио 500–950 В CoolMOS™ N-Channel MOSFET — инновационных MOSFET-транзисторов для различных приложений

Линейка N-канальных МОП-транзисторов CoolMOS™ предназначена для широкого спектра применений, от маломощных до более высоких уровней мощности. МОП-транзисторы Infineon имеют наиболее сбалансированную технологию с точки зрения простоты использования в сочетании с отличными характеристиками и конкурентоспособной ценой.

Кроме того, автомобильные полевые МОП-транзисторы с суперпереходом (SJ) обеспечивают высочайшую надежность в полевых условиях и соответствуют автомобильным требованиям к сроку службы. Силовые N-канальные МОП-транзисторы Infineon на 600, 650 и 800 В делают автомобильные приложения более компактными и более производительными.

Infineon также предлагает широкий спектр инновационных пакетных решений для приложений с низким и высоким энергопотреблением, включая безвыводные корпуса ThinPAK для поверхностного монтажа, которые имеют очень малую площадь основания и низкий профиль высотой всего 1 мм.

Портфолио продуктов CoolMOS™ 500–950 В

Высоковольтные полевые МОП-транзисторы с суперпереходом предназначены для потребительских устройств, таких как зарядные устройства для смартфонов/планшетов, адаптеры для ноутбуков, светодиодное освещение, приводы бытовой техники, а также источники питания для аудио и телевизоров. Клиенты все чаще заменяют стандартные полевые МОП-транзисторы на полевые МОП-транзисторы с суперпереходом, чтобы получить более высокую эффективность и более низкое энергопотребление для конечных пользователей. CoolMOS™ P7 устанавливает новый стандарт, предлагая одновременно высокую производительность и конкурентоспособную цену.

Ассортимент продукции доступен в классах напряжения 600 В, 650 В, 700 В, 800 В и 950 В MOSFET с выдающейся надежностью коммутации, что обеспечивает повышенную эффективность и простоту использования при значительном снижении коммутационных потерь и потерь проводимости. CoolMOS™ PFD7, как совершенно новая серия, меняет положение дел в области зарядных устройств/адаптеров высокой плотности, а также маломощных электроприводов.

Кроме того, для промышленных приложений, таких как серверы, телекоммуникации, питание ПК, солнечная энергия, ИБП, зарядка электромобилей и другие, новейшие полевые МОП-транзисторы Infineon CoolMOS™ 7 с суперпереходом с семействами продуктов C7, G7, CFD7, P7 и S7 предлагают то, что вам нужно. . Выбор линейки высоковольтных N-канальных MOSFET-транзисторов CoolMOS™ означает использование преимуществ высочайшей эффективности и наилучшего соотношения цены и качества!

Предлагаемые Infineon суперпереходные МОП-транзисторы CoolMOS™, предназначенные для промышленных и потребительских целей, дополняются сертифицированными для автомобильной промышленности силовыми полевыми МОП-транзисторами N-Channel серии 600 В CPA, 650 В MOSFET CFDA, 800 В MOSFET C3A, 650 В MOSFET CFD7A и последним S7A CoolMOS TM для автомобильной промышленности. МОП-транзисторы. Получите импульс на быстрорастущем рынке бортовых зарядных устройств и преобразователей постоянного тока с нашей превосходной автомобильной серией с проверенными выдающимися стандартами качества, которые выходят далеко за рамки AEC-Q101.

Ведущий на рынке высоковольтный N-канальный полевой МОП-транзистор Infineon, разработанный в соответствии с принципом суперперехода (SJ), также включает в себя семейства устройств общего назначения, предназначенные для удовлетворения требований потребителей без ущерба для проверенного качества и надежности CoolMOS TM . Вместе с расширенными семействами Infineon предлагает CoolMOS TM CE 500, 600, 650 В, 700 В и 800 В, CoolMOS TM C3 600 В, 800 В и 900 В, а также CoolMOS TM C3 600 В и 700 В, разработанные для обеспечения высокого уровня простоты P7S. -использование в процессе проектирования, при этом сохраняя привлекательную цену.

500–950 В CoolMOS™ N-Channel MOSFET Качество и надежность

Технология Infineon CoolMOS™ MOSFET с суперпереходом хорошо известна в отрасли и отличается высоким качеством и надежностью. Качество было доказано за последние годы на миллиардах устройств, поставляемых с постоянным улучшением DPM до уровня менее 0,05 DPM. Что касается надежности, то та же производительность была подтверждена менее чем 0,1 FIT, измеренной в течение 175 миллионов часов работы устройства. Infineon с самого начала внедрила твердые и проверенные меры с помощью программы «дизайн для качества» и постоянного улучшения производства. Для достижения этого результата существует постоянное активное сотрудничество между командами, занимающимися технологиями, дизайном, качеством, надежностью и производством. Эти усилия выходят за рамки того факта, что все сайты Infineon соответствуют стандарту ISO/TS169.49 сертифицирован.

Продукты

Основные моменты

Документы

Поддержка проектирования

Видео

Смотрите последние технические и маркетинговые видео Infineon

Делиться Делиться Делиться

Партнеры

Обучение

Смотреть последние электронные курсы

Si, SiC или GaN? Правильный выбор силовых устройств

Посмотрите наш вебинар, чтобы узнать больше о технологическом позиционировании кремния по сравнению с силовыми устройствами на основе SiC и GaN как для приложений с высоким, так и с низким энергопотреблением.

Си | карбид кремния | Позиционирование GaN в приложениях ACDC

Infineon предлагает проверенный опыт во всех трех основных технологиях силовых полупроводников. Узнайте, как разместить их в приложениях ACDC!

Как управлять высокоскоростным МОП-транзистором


В ходе этого обучения мы поможем вам повысить эффективность, подробно изучив, как управлять высокоскоростным мощным полевым МОП-транзистором.

CoolMOS™ 7 в ThinPAK 5×6 для более компактных потребительских SMPS

Зарядные устройства

являются частью нашей повседневной жизни, и мы все хотим, чтобы они были меньше и легче. Ознакомьтесь с новейшим комплексным решением Infineon для зарядных устройств и адаптеров высокой плотности.

Приложения

Поддержка

Контакты

Dual MOSFET — Infineon Technologies

Обзор

Двойные N-канальные и P-канальные MOSFET

Портфолио

Infineon с двумя полевыми МОП-транзисторами предлагает лучшую в своем классе производительность и высокоэффективные решения, предоставляя надежные пакеты с двумя полевыми МОП-транзисторами в комбинациях N- и N-канальных, N- и P-канальных и P- и P-канальных двойных MOSFET-чипов. Двухканальные МОП-транзисторы имеют два канала, что обеспечивает дополнительную изоляцию между стоком и затвором. Эта технология особенно полезна для радиочастотных приложений.

Широкий ассортимент корпусов с двумя полевыми МОП-транзисторами Infineon предлагает три различных линейки продуктов для удовлетворения ваших конкретных потребностей. Например, сдвоенные N-канальные полевые МОП-транзисторы обладают такими же высокими тепловыми и электрическими характеристиками, что и DPAK с тем же размером кристалла, не содержат свинца и соответствуют требованиям Директивы об ограничении использования опасных веществ (RoHS). Двойные N- и P-канальные полевые МОП-транзисторы предлагают быстрое переключение и передовую планарную технологию. Наконец, двухканальные МОП-транзисторы с P-каналом обеспечивают проверенную производительность и надежность в различных приложениях.

Двойной МОП-транзистор Ассортимент продукции:

  • Сдвоенные N- и N-канальные МОП-транзисторы
  • Сдвоенные N- и P-канальные МОП-транзисторы
  • P- и P-канальные двойные МОП-транзисторы

Применение с двумя полевыми МОП-транзисторами

Двойные полевые МОП-транзисторы

обеспечивают лучшее электрическое управление и улучшенную производительность драйвера, а также обеспечивают более низкое энергопотребление в меньших и более компактных корпусах. По этой причине двухканальные полевые МОП-транзисторы используются в ВЧ-усилителях, ВЧ-смесителях/умножителях и устройствах управления уровнем/усилением.

Двухканальные полевые МОП-транзисторы — хороший выбор для бытовых роботов (пылесосов и газонокосилок) и потребительских дронов в конструкции управления двигателем.

Преимущества, которые вы получаете, выбирая двойные полевые МОП-транзисторы Infineon:

  • Экономия места благодаря малому форм-фактору
  • Встроенный полумостовой каскад
  • Высокая тепловая эффективность
  • Прочность и надежность вашей системы

Автомобильная промышленность также использует двойные полевые МОП-транзисторы для ряда приложений, включая гибридные приводы силовой передачи, прямой впрыск топлива и преобразователи постоянного тока, и это лишь некоторые из них. Ассортимент двухканальных МОП-транзисторов Infineon предлагает надежные и гибкие решения для различных автомобильных приложений.

Продукция

Особенности

Обзор характеристик

  • МОП-транзисторы верхнего и нижнего плеча в одном корпусе
  • P-канальный полевой МОП-транзистор верхнего плеча
  • Стандартная распиновка
  • Совместимость с существующими методами поверхностного монтажа
  • Жалоба RoHS

Обзор преимуществ

  • Простота конструкции
  • Упрощенная схема привода
  • Совместимость с разными поставщиками
  • Оптимизация производства
  • Экологически чистый

Приложения

  • Преобразование постоянного тока в постоянный
  • Управление двигателем
  • Управление батареями
  • Бортовое зарядное устройство
  • Выключатель нагрузки

Документы

Поддержка дизайна

Видео

Делиться Делиться Делиться

Партнеры

Обучение

Маломощные МОП-транзисторы

В этом электронном обучении вы познакомитесь с полевыми МОП-транзисторами Infineon с малой мощностью сигнала, а также получите обзор всего ассортимента продукции, включая N-канальные, P-канальные полевые МОП-транзисторы, полевые МОП-транзисторы с режимом истощения, а также соответствующие детали с малым PowIR и сопутствующие приложения.

alexxlab

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *