Пнп переход

Условно биполярный транзистор можно нарисовать в виде пластины полупроводника с меняющимися областями разной проводимости, состоящие из двух p-n переходов. Причем крайние области пластины обладают проводимостью одного типа, а средняя область противоположного типа, каждая из областей имеет свой персональный вывод. В зависимости от чередования этих областей транзисторы бывают p-n-p и n-p-n проводимости, соответственно. А если взять и прикрыть одну любую часть транзисто, то у нас получится полупроводник с одним p-n переходом или диод. Часть транзистора, назначением которой является инжекция носителей зарядов в базу называется эмиттером, и соответствующий p-n переход эмиттерным, а та часть элемента, назначение которой заключается в выводе или экстракции носителей заряда из базы, получила название коллектор, и p-n переход коллекторный. Общую зону назвали базой.

Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:

• СОТ 23 держателя поверхности транзисторов ФММТ734ТА 140МХз 625мВ Дарлинтон НПН ПНП 3
• Биполярный транзистор
• 1.3. Биполярные транзисторы
• 3. ТРАНЗИСТОРЫ
• Режимы работы биполярного транзистора
• Исследование биполярных транзисторов
• Устройство, принцип работы и различие N-P-N и P-N-P транзисторов
• Биполярные транзисторы
• Устройство и основные физические процессы биполярных транзисторов
• PNP и NPN транзисторы

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Урок 306. Электронно-дырочный переход. Полупроводниковый диод

СОТ 23 держателя поверхности транзисторов ФММТ734ТА 140МХз 625мВ Дарлинтон НПН ПНП 3

В зависимости от чередования легированных областей различают транзисторы n-p-n -типа рис. На рис. Выводы транзисторов обозначаются: Э — эмиттер, Б — база, К — коллектор.

В этой схеме с корпусом соединен вывод базы транзистора. Поэтому эту схему называют схемой включения транзистора с общей базой ОБ. Для получения этого режима необходимо в схеме см. Для усиления и преобразования сигналов в основном используется активный режим работы. Работа биполярного транзистора в активном режиме основана на явлении диффузии, а также на эффекте дрейфа носителей заряда в электрическом поле. В этом режиме эмиттерный переход транзистора открыт.

В одиночном p-n -переходе при диффузии дырок в п -область происходит полная рекомбинация инжектированных дырок с электронами п -области. В эмиттерном переходе транзистора происходит такой же процесс. Однако в транзисторе происходят более сложные процессы. Ширина базы W в транзисторе много меньше длины свободного пробега дырок L.

Попадая в обратно смещенный коллекторный переход, дырки дрейфуют и ускоряются в имеющемся поле перехода. Пройдя коллекторный переход, дырки рекомбинируют с электронами, подтекающими к коллектору от источника питания Е К. Отметим, что этот дырочный ток во много раз превышает собственный обратный ток закрытого коллекторного перехода и практически полностью определяет ток коллектора i К транзистора.

Рассмотрим усилительные свойства транзистора. Мощность, расходуемая на управление транзистором, равна:. Пусть сопротивление полезной нагрузки в коллекторной цепи транзистора рис. Выходная мощность, выделяющаяся на нагрузке, равна:. Следовательно, в схеме см. Заметим, что для обеспечения такого усиления требуется, чтобы на коллекторный переход было подано большое запирающее напряжение:. Его направление противоположно направлению диффузионного тока дырок.

Результирующий ток коллектора резко уменьшается, и резко ухудшаются усилительные свойства транзистора;.

Схема ОЭ наиболее часто встречается на практике;. В этих схемах управляющее напряжение подается на базовый вывод транзистора. Для схемы с общим эмиттером рис. Аналогичные графики можно получить для схемы с общей базой. Кривые см. Входные характеристики транзистора близки к характеристикам р- n -перехода. Их используют для определения коллекторного тока транзистора. Из анализа ВАХ транзистора следует, что транзистор, как и диод, относится к нелинейным элементам.

Ток коллектора в активном режиме практически не зависит от нагрузки, подключаемой к коллектору транзистора. Основным элементом этой схемы является источник тока, управляемый входным напряжением:. Сопротивление r КЭ характеризует потери энергии в коллекторной цепи. Его значение для маломощных транзисторов равно десяткам и сотням килоом. Сопротивление эмиттерного перехода r БЭ равно сотням ом или единицам килоом.

Это сопротивление характеризует потери энергии на управление транзистором. Три основные схемы усилителей на транзисторах. Применение диодов для выпрямления переменного тока. Вам также может понравиться.

Биполярный транзистор

Войдите , пожалуйста. Хабр Geektimes Тостер Мой круг Фрилансим. Мегапосты: Криминальный квест HR-истории Путешествия гика. Войти Регистрация. Биполярные транзисторы.

При положительном смещении хотя бы одного перехода, общая область, с последовательным чередованием типа проводимости (n-p-n или p-n-p).

1.3. Биполярные транзисторы

Узнай об автоматике все — читай kip-help. Ру Яндексе Хочешь узнать ответ. Напиши в редакцию! Как работает биполярный транзистор Письмо в редакцию Теория и практика. Средний слой биполярного транзистора называется базой, а крайние — эмиттером и коллектором. При изготовлении транзистора эмиттер легируют более сильно, чем коллектор содержание примесей в эмиттере выше, чем в коллекторе , чтобы содержание свободных носителей заряда в эмиттере было выше. Направление стрелки эмиттера показывает направление тока в транзисторе у p-n-p транзистора основным переносчиком заряда служат положительно заряженные дырки, поэтому направление тока совпадает с направлением движения зарядов, а у n-p-n транзистора основным переносчиком заряда служат электроны, поэтому направление тока противоположно движению зарядов. Рассмотрим работу биполярного транзистора на примере транзистора n-p-n типа.

3. ТРАНЗИСТОРЫ

Регистрация Вход. Ответы Mail. Вопросы — лидеры Какие качества интернета вас умиляют? Помогите пожалуйста! Microsoft Word не работает!

Если рассматривать механические аналоги, то работа транзисторов напоминает принцип действия гидравлического усилителя руля в автомобиле. Но, сходство справедливо только при первом приближении, поскольку в транзисторах нет клапанов.

Режимы работы биполярного транзистора

В этом цикле статей мы попытаемся просто и доходчиво рассказать о таких непростых компонентах, как транзисторы. Сегодня этот полупроводниковый элемент встречается почти на всех печатных платах, в любом электронном устройстве в сотовых телефонах, в радиоприёмниках, в компьютерах и другой электронике. Транзисторы являются основой для построения микросхем логики, памяти, микропроцессоров… Вот давайте и разберёмся, что это чудо из себя представляет, как работает и чем вызвана такая широта его применения. Транзистор — это электронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий с помощью входного сигнала управлять током. Многие считают, что транзистор усиливает входной сигнал.

Исследование биполярных транзисторов

О них мы как раз и поговорим в этой статье. Из прошлой статьи мы с вами узнали что такое P-N переход и какими свойствами он обладает. Как вы помните, P-N переход пропускает электрический ток только в одном направлении. В другом направлении блокирует прохождение электрического тока. На дворе стоял послевоенный год.

Биполярный транзистор в своей основе содержит три слоя полупроводника ( p-n-p или n-p-n) и соответственно два p-n-перехода. Каждый слой.

Устройство, принцип работы и различие N-P-N и P-N-P транзисторов

Основы электроакустики Путь к качественному звуку. Биполярный транзистор — полупроводниковый элемент с двумя p-n переходами и тремя выводами, который служит для усиления или переключения сигналов. Они бывают p-n-p и n-p-n типа. На рис.

Биполярные транзисторы

К полупроводникам относятся вещества, которые по своим электрическим свойствам занимают промежуточное положение между проводниками и диэлектриками. Отличительным признаком полупроводников является сильная зависимость их электропроводности от температуры, концентрации примесей, воздействия светового и ионизирующего излучений. В создании электрического тока могут принимать участие только подвижные носители электрических зарядов. Поэтому электропроводность вещества тем больше, чем больше в единице объема этого вещества находится подвижных носителей электрических зарядов. В металлах практически все валентные электроны являющиеся носителями элементарного отрицательного заряда свободны, что и обусловливает их высокую электропроводность.

В зависимости от чередования легированных областей различают транзисторы n-p-n -типа рис.

Устройство и основные физические процессы биполярных транзисторов

Основные параметры биполярного транзистора описаны в любом даташите. Для того, чтобы понять характеристики транзистора, надо научиться читать его основные параметры. Не зная этих параметров, можно накосячить при конструировании своих радиоэлектронных безделушек. Следовательно, по материалу, из которых их производят, все биполярные транзисторы делятся на кремниевые и германиевые. Почему же идет такая классификация? Кремниевый транзистор выдерживает температуру эксплуатации до градусов по Цельсию, тогда как германиевый только до 70 градусов. Обратный коллекторный ток у кремниевого транзистора намного меньше, чем у германиевого, что кстати, тоже немаловажный параметр.

PNP и NPN транзисторы

Приветствую вас дорогие друзья! Сегодня речь пойдет о биполярных транзисторах и информация будет полезна прежде всего новичкам. Транзисторы бывают в основном двух видов: биполярные транзисторы и полевые транзисторы. Поэтому в этой статье мы рассмотрим исключительно биполярные транзисторы а о полевых транзисторах я расскажу в одной из следующих статей.

Переходы состояния для устройств PnP — Windows drivers

Twitter LinkedIn Facebook Адрес электронной почты

• Статья
• 09/24/2022
• Чтение занимает 2 мин

В системе PnP устройство переходит через различные состояния PnP по мере его настройки, запуска, возможно, остановлена для перебалансировки ресурсов и, возможно, удалена.

В этом разделе представлен обзор состояний устройств PnP. Обзор представляет собой дорожную карту для большей части поддержки PnP, необходимой для водителя. Другие части этой документации подробно описывают каждый переход состояния.

На следующем рисунке показаны состояния PnP для устройства и способ перехода устройства из одного состояния в другое.

Начиная с левого верхнего слева от предыдущего рисунка, устройство PnP физически присутствует в системе, так как пользователь только что вставил устройство или устройство присутствовало во время загрузки. Устройство еще не известно системного программного обеспечения.

Чтобы начать настройку программного обеспечения для устройства, диспетчер PnP и родительский драйвер шины перечисляют устройство. Диспетчер PnP, возможно, с помощью компонентов пользовательского режима, определяет драйверы для устройства, включая драйвер функции и любые необязательные драйверы фильтров. Диспетчер PnP вызывает подпрограмму DriverEntry каждого драйвера, если драйвер еще не загружен.

Дополнительные сведения о создании отчетов и перечислении устройства PnP см. в разделе «Добавление устройства PnP в запущенную систему».

После инициализации драйвера он должен быть готов к инициализации своих устройств. Диспетчер PnP вызывает подпрограмму AddDevice драйвера для каждого устройства, которое управляет драйвером.

Когда драйвер получает запрос IRP_MN_START_DEVICE от диспетчера PnP, драйвер запускает устройство и готов обрабатывать запросы ввода-вывода для устройства. Сведения об обработке запроса IRP_MN_START_DEVICE см. в разделе «Запуск устройства».

Если диспетчер PnP должен перенастроить аппаратные ресурсы активного устройства, он отправляет

IRP_MN_QUERY_STOP_DEVICE и IRP_MN_STOP_DEVICE запросы к драйверам устройства. После перенастройки аппаратных ресурсов диспетчер PnP направляет драйверы для перезапуска устройства, отправляя запрос IRP_MN_START_DEVICE . Сведения об обработке прерывания irP см. в разделе «Остановка устройства». (Драйверы для загрузочного устройства могут получать IRP_MN_QUERY_STOP_DEVICE и IRP_MN_STOP_DEVICE запросов до запуска устройства, хотя этот шаг не показан на предыдущем рисунке.)

На Windows 98/Me диспетчер PnP также отправляет запросы IRP_MN_QUERY_STOP_DEVICE и IRP_MN_STOP_DEVICE при отключении устройства. Драйверы в этих системах также получают запрос IRP_MN_STOP_DEVICE после сбоя запуска.

Если устройство PnP физически удаляется из системы или уже удалено, диспетчер PnP отправляет различные irP-адреса драйверам устройства, направляя их для удаления программного представления устройства (объекты устройства и т. д.). Сведения об обработке удаления IRP см. в разделе «Удаление устройства».

В какой-то момент после удаления всех устройств драйвера диспетчер PnP вызывает подпрограмму выгрузки драйвера и выгружает драйвер.

PNP-транзистор Объяснение работы и применения

PNP-транзистор — это не что иное, как транзистор с биполярным переходом (BJT). Он состоит из полупроводника n-типа, помещенного между двумя полупроводниками p-типа. Этот транзистор является трехвыводным устройством. Клеммы, а именно, эмиттер (E), база (B) и коллектор (C). Транзистор PNP действует как два диода с PN-переходом, соединенные один за другим. Эти диоды образуют переходы, поскольку они соединены один за другим и называются переходом коллектор-база и база-эмиттер.

В транзисторах PNP основными носителями заряда (тока) являются дырки, а электроны являются неосновными носителями заряда. Чтобы понять эти носители, клеммы и многое другое, нам нужно изучить основы транзисторов. Таким образом, давайте узнаем больше обо всем этом в следующих разделах.

Биполярный переходной транзистор

Широко известный как BJT, представляет собой полупроводниковое устройство, управляемое током. Это полезно при переключении цепей в электронном виде. Он имеет три вывода, в которых ток, подаваемый на базовую область, управляет током, протекающим в эмиттере и коллекторе.

Транзистор с биполярным соединением

Таким образом, мы можем управлять работой транзистора, изменяя величину подаваемого тока на клемму базы. Отсюда и название токоуправляемого устройства. Биполярный переходной транзистор бывает двух типов, а именно, NPN и PNP. В NPN полупроводник P-типа зажат между двумя полупроводниками N-типа. Единственная разница в обозначениях двух транзисторов заключается в том, что в NPN ток направлен от базы к эмиттеру, а в PNP наоборот, то есть от эмиттера к базе.

Конструкция транзистора PNP и обозначение

В PNP две области P-типа находятся на крайних точках, а область N-типа находится между ними. Эмиттер и коллектор всегда находятся на двух крайностях. Следовательно, в случае PNP область эмиттера и коллектора соединяется с полупроводником P-типа, а база — с полупроводником N-типа.

Конструкцию можно понять, представив два диода, соединенных один за другим (см. рисунок выше). Место встречи двух диодов (катод) становится клеммой базы, а два крайних анода становятся эмиттером и коллектором NPN-транзистора.

Обозначение транзистора PNP такое же, как на рис. Здесь следует отметить направление тока в транзисторах NPN и PNP. Это очень помогает при решении числовых задач.

Работа PNP-транзистора

Схема подключения PNP-транзистора показана ниже. Здесь область эмиттера имеет положительное напряжение смещения по отношению к базе и коллектору. С другой стороны, база имеет отрицательное смещение напряжения по отношению к эмиттеру. Направление тока и полярность напряжения прямо противоположны таковым у NPN-транзистора.

Транзистор PNP работает

Теперь необходимым условием для работы транзистора является то, что базовое напряжение должно быть более отрицательным, чем напряжение эмиттера. Поэтому переход база-эмиттер здесь действует как диод. Если мы приложим небольшое количество тока к области базы, то через эмиттер в область коллектора будет протекать большой ток. Поскольку мы в основном используем кремний и германий, базовое напряжение составляет 0,7 В и 0,3 В соответственно.

• Из рисунка легко определить, что базовая область является входом, а область эмиттер-коллектор — выходом транзистора.
• На клемму базы подается напряжение, а сопротивление нагрузки (RL) поддерживается на выходе. Это необходимо для ограничения максимального тока устройства.
• На клемму базы подается отрицательное напряжение. Кроме того, к клемме базы подключено сопротивление (RB), чтобы ограничить максимальный ток через клемму базы.
• Если применить закон тока Кирхгофа (KCL) в цепи транзистора, то ток коллектора всегда равен вычитанию тока базы из тока эмиттера, т. е. IC = IE – IB.
• Еще одним важным фактором здесь является текущий коэффициент усиления, 𝜷.

Основные формулы транзистора PNP

• I _C = I _E – I _B .
• Выходной ток / Входной ток = Коэффициент усиления постоянного тока

          Следовательно, 𝜷 = (I _C / I _B )

• Объединив две приведенные выше формулы, мы можем получить следующие соотношения:

         I _C = (𝜷 * I _B ) 

          I _B =  (I _C / 𝜷 )

Для транзистора с общей базой коэффициент усиления по току равен отношению тока коллектора к току эмиттера.

Следовательно, 𝜶 = (I _C / I _E )

Соотношение между 𝜶 & 𝜷 похоже на:

Уравнение выходного тока

Мы можем написать ток коллектора транзистора PNP как

I _С = – 𝜶 * I _Е + I _CBO

Где, I _CBO = ток насыщения

Также, I _E = -(I _C + I _B )

I _C = (𝜶 ( -(– I _C + I _B )) + I _CBO 

I _C – 𝜶I _C =  – 𝜶I _B + I _CBO  

Therefore, from the relation between 𝜶 & 𝜷, имеем

I _C = 𝜷I _B + (1+ 𝜷) I _CBO

Численный пример на PNP (биполярном транзисторе)

Рассмотрим PNP-транзистор, который является частью некоторой электронной схемы. Данными параметрами являются базовое напряжение, напряжение эмиттера и напряжение питания. Например, возьмите значения 2,5 В, 3 В и +10 В соответственно. Кроме того, базовый резистор имеет значение 100 кОм, а сопротивление нагрузки = сопротивлению эмиттера = 2,5 кОм. Найдите значения коэффициента усиления по току (альфа и бета) для данного транзистора

Итак, прими это как задание. Используйте приведенные выше формулы и попробуйте рассчитать необходимые параметры и сделать комментарий ниже. Это распространенный вопрос, который задают на экзамене.

Транзистор Идентификация PNP

Теперь, после изучения принципа работы и других основ PNP-транзисторов, важно четко определить правильную конфигурацию всякий раз, когда предоставляется транзистор с биполярным переходом. Конечно, между структурой двух BJT есть некоторые различия, но помимо этого мы также должны отметить несколько важных моментов.

PNP или NPN?

PNP включается, когда на базовом напряжении появляется отрицательное напряжение. Когда на базе присутствует положительное напряжение, он отключается. Помимо этого у нас есть еще несколько тестов, в которых мы рассчитываем значения сопротивления. Каждая пара соединений (выводов) должна быть проверена на сопротивление в обоих направлениях. Давайте посмотрим на их работу ниже:

• Клеммы эмиттер-коллектор: Эта область выглядит как диод, но она не проводит ни в одном направлении.
• Эмиттер-База Клеммы: Эта область действует как диод и проводит ток только в одном направлении.
Клеммы коллектор-база
• : такие же, как клемма эмиттер-база. Действует как диод, но проводит только в одном направлении.

Теперь давайте посмотрим на значение сопротивления для идентификации PNP.

• Коллектор-эмиттер – высокое сопротивление
• Основание коллектора      – Низкое сопротивление
• Эмиттер-коллектор – высокое сопротивление
• Основание излучателя         – Низкое сопротивление
• Базовый коллектор      – Высокое сопротивление
• База-эмиттер         – высокое сопротивление

Еще одна очень интересная и важная вещь, которую нужно здесь знать — какой транзистор лучше и почему?

Попробуем найти ответ в следующем разделе.

PNP по сравнению с NPN

Есть несколько общих черт. Оба являются биполярным переходным транзистором и устройством, управляемым током. Оба используются для усиления и коммутации цепей. Основные пункты приведены ниже:

• PNP означает положительный отрицательный положительный. NPN расшифровывается как Negative Positive Negative.
• Проводимость NPN высокая, а PNP низкая. Это связано с тем, что в NPN проводимость происходит с электронами, а в PNP она происходит через дырки, но, очевидно, скорость электрона больше и, следовательно, проводимость.
• В NPN подаем положительный ток на базу, ток через коллектор идет к эмиттеру. Принимая во внимание, что, когда на базовую клемму PNP подается отрицательный ток, ток течет от эмиттера к коллектору.
• Направление тока в NPN — от коллектора к эмиттеру, а в PNP — от эмиттера к коллектору.
• Время переключения быстрее в NPN и медленнее в PNP.
• NPN включается, когда электрон входит в базовую область. Принимая во внимание, что транзистор PNP включается, когда отверстия входят в базовую клемму.
• В обоих транзисторах переход эмиттер-база смещен в прямом направлении, а переход коллектор-база смещен в обратном направлении.
• Высокий уровень сигнала заземления в случае PNP и низкий уровень в случае NPN.
• Стрелка эмиттера указывает внутрь для PNP-транзистора, а в случае NPN-транзистора указывает на нее.

Применение

Хотя в большинстве электронных схем используются NPN-транзисторы (предпочтительно из-за их быстродействия), все же во многих схемах используется PNP-транзистор. Вот несколько приложений:

• Дополнительные усилители, такие как выходные каскады класса AB/B.
• Текущее зеркало
• Полезен в драйверах, где нагрузка с одной стороны заземлена.
• В регуляторах с меньшим падением напряжения.
В паре
• Дарлингтона используется транзистор PNP.
• Полезен в схемах с согласованной парой для непрерывной выработки электроэнергии.
• Тяжелые электродвигатели для управления потоком тока.
• Приложения для робототехники.

Некоторые другие приложения кратко обсуждаются в следующих двух разделах.

Согласование транзисторов BJT

Первый вопрос: что это за согласование транзисторов?

Во-вторых, зачем это нужно?

Транзисторное согласование PNP

Что ж, когда мы соединяем NPN и PNP в одну цепь, мы называем это согласованием транзисторов. Мы делаем это, чтобы генерировать больше энергии. NPN и PNP дополняют друг друга. Когда они соединены в усилителях, пара транзисторов генерирует постоянную высокую мощность.

Теперь можно спросить, как эта пара работает постоянно? Думать! Думать!

Ответ довольно прост: NPN проводит в положительном полупериоде, а PNP проводит в отрицательном полупериоде сигнала. Поэтому устройство работает непрерывно (так же, как и двухполупериодный выпрямитель). Одна вещь, о которой нужно позаботиться, это то, что оба транзистора должны иметь одинаковое значение коэффициента усиления по постоянному току. Эта пара образует полезную схему в робототехнике, усилителях мощности и управлении двигателем.

PNP в качестве коммутатора

На приведенном выше рисунке показано подключение для PNP, работающего в качестве коммутатора. Это электронный переключатель. Для понимания возьмем его как обычный выключатель, который мы выключаем и включаем вручную (например, чтобы зажечь светодиод). Здесь будет выполняться та же работа, но в электронном виде.

Транзистор в качестве переключателя

Поскольку PNP-транзистор включается при появлении отрицательного напряжения на базовой клемме транзистора и выключается при положительном напряжении питания, эта характеристика транзистора используется для его использования в качестве переключателя.

Режимы работы транзисторов играют важную роль в применении этих транзисторов. В зависимости от условий смещения существует три режима работы. Это:

• Активный режим: В активном режиме транзистор обычно используется для усиления тока.
• Режим отсечки: и база-эмиттер, и база-коллектор смещены в обратном направлении и, следовательно, не позволяют току течь от коллектора к эмиттеру. Ток через устройство в этом режиме равен нулю.
• Режим насыщения: в режиме насыщения переходы коллектор-база и эмиттер-база смещены в прямом направлении. Поэтому ток течет от коллектора к эмиттеру при высоком напряжении база-эмиттер.

Нравится:

Нравится Загрузка…

Транзистор — PNP 60 В 200 мА (2N3906) — COM-00522

Этот продукт имеет ограничения на доставку, поэтому он может иметь ограниченные варианты доставки или не может быть отправлен в следующие страны:

• Дом
• Категории товаров
• Транзисторы
• Транзистор — PNP 60В 200мА (2N3906)

Избранное Любимый 9

Список желаний

В наличии COM-00522 RoHS

В наличии 250+ позиций в наличии.

0,50 0,48 0,45

1+ шт. 25+ шт. 100+ шт.

• Описание

Это очень распространенные высококачественные транзисторы BJT, PNP производства ST Micro. Номинальный ток до 200 мА.

Техническое описание: 2N3906

Транзистор — PNP 60 В 200 мА (2N3906) Справка и ресурсы по продукту

• Учебники
• Необходимые навыки

Транзисторы

1 июля 2014 г.



Ускоренный курс по транзисторам с биполярным переходом. Узнайте, как работают транзисторы и в каких схемах мы их используем.

Избранное Любимый 84

Руководство по идентификации комплекта деталей для начинающих

22 марта 2019 г.

Важные детали для начинающих (и даже опытных) любителей, которые содержат все основные сквозные компоненты, необходимые для начала работы со встроенными проектами. Мы определим несколько деталей в наборе и предоставим несколько основных схем для начала работы!

Избранное Любимый 7

Основной навык:

Пайка

Этот навык определяет сложность пайки конкретного изделия. Это может быть пара простых паяных соединений или потребуются специальные инструменты для оплавления.

1 Пайка

Уровень навыка: Нуб — Требуется некоторая базовая пайка, но она ограничена всего несколькими контактами, базовой пайкой через отверстие и парой (если есть) поляризованных компонентов.