Практикум радиолюбителя: Транзисторы кт972 кт973.Характеристики.Цоколевка.

Транзисторы кт972 кт973.Характеристики.Цоколевка.

Транзисторы КТ972 -n-p-n Кт973-p-n-p.Кремниевые составные транзисторы(Дарлингтона),корпус КТ-27.
Напряжение коллектор-эмиттер:
кт972а,в,г. КТ973а,в,г-60В
кт972б. КТ973б-45В
Напряжение эмиттер-база  5В
Iк ток коллектора-2А  импульс-4А
F гр.-200МГц.
Обратный ток коллектор эмиттер:
 кт972а.в,б.КТ973а,в,б-1мА
кт972г-0.3мА
h31э-750
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
кт972а,б,в. КТ973-1.5В
кт972г-1.7В
Время рассасывания-200нС
Напряжение коллектор-база:
кт972а,в,г. КТ973а,в,г-60В
кт972б. КТ973б-45В
Рассеиваемая мощность коллектора-8Вт
Напряжение насыщения база-эмиттер кт973- 2.5В

На корпусе треугольник(ки)-КТ972,квадрат(ты)-КТ973.Характеристики КТ973 такие-же что у КТ972,только разные полярности.Выполнены по схеме Дарлингтона,то есть под корпусом два транзистора,применяют в схемах где требуется высокое усиление тока.

Их применение:в стабилизаторах,усилителях звуковых частот,токовых ключах.

Главная страница

Подписаться на: Сообщения (Atom)

• Размножение Ивы черенками.Как просто создать зелен…
• Плазменная,дуговая,электронная зажигалка своими руками.Схема.
• Мини плазменная сварка или плазморез своими руками,на блокинг генераторе.Сваривает медный провод.
• Мини-водяная помпа для самоделок из шприца своими руками.
• Мини-паяльник из резистора МЛТ своими руками.Для пайки SMD и других деталей.
• Мощный преобразователь от 1.2В на полевом Mosfet-транзисторе.Две детали.Зажигает более 16-ти светодиодов,питает радиоприемник.
• Боксерская груша из пластиковой 30-литровой бутылк…
• Главная страница
• Мини-передатчик АМ на кварцевом генераторе.
• Самодельный фонарик из DVD привода от ноутбука на …
• Простой динамо-фонарик своими руками из игрушки китайского пистолета.
• Размножение сосны семенами из шишек. Пересадка сосны.
• Имитатор подскакивающего шарика о стол.
• Имитатор звука капели-дождя.
• Зарядное устройство для пальчиковых батареек асимметричным током.Как зарядить батарейку.
• Простой указатель поворота для велосипеда своими руками.Вправо-влево,аварийка.
• Игрушка «Электронный гимнаст».
• Диоды КД105,КД208.
• Транзисторы кт972 кт973.Характеристики.Цоколевка.
• Автоматическая мигалка на четырех деталях.Ночью мигает,утром выключается.
• Самовосстанавливающиеся предохранители.
• Простой датчик влажности для растений.
• GSM-растяжка.Поступит звонок при обрыве провода.
• Автоматическая мигалка.Включается и начинает мигать с наступлением темноты,на рассвете выключается.
• Как вырастить съедобный или посевной каштан из магазина «Магнит».
• Механический телевизор своими руками.Схемы.
• УКВ-FM приемник на одном транзисторе.УКВ регенератор на полевом транзисторе.
• Блокинг-генератор на полевом транзисторе и передатчик на длинные волны.
• Транзистор IRF3711S.
• Неоновая и светодиодная подсветка выключателя своими руками.
• Как определить полярность оксидного-электролитического конденсатора.
• Реле времени,таймер задержки на полевом транзисторе.
• Электрозажигалка для газа-газовой плиты своими руками.Схема.
• Сенсор на одном полевом транзисторе.Всего одна деталь.Bs170-КП501.
• Определитель полюсов магнита и магнитный включатель-выключатель.Микросхема из кулера fs266 fs277.
• Лазерная GSM сигнализация на базе сотового телефона и лазерной указки.
• Детектор скрытой проводки на одном транзисторе сво…
• Двутональная полицейская сирена на таймерах 555.
• Электромагнитное реле.Что внутри и как работает.
• Автоматическое зарядное устройство на микросхеме LTC4054
• СВЧ n-p-n транзистор BFR93
• Подстроечные резисторы
• Демонтаж SMD радиодеталей с помощью электрической . ..
• Полевой транзистор КП364.
• Кремниевый диод КД226
• Диоды для детекторного приемника
• Кремниевый транзистор КТ922
• Двухзатворный полевой транзистор n-типа BF964
• Клей БФ-2 и БФ-4.
• Клей ВС-10Т теплостойкий.
• Где взять медную фольгу
• Сигнализация-растяжка на базе сотового телефона.По…
• Коротковолновый АМ передатчик на 3-4 МГц.Выходная мощность более 4Вт на транзисторе КТ805
• Автоматическая импульсная вспышка для лампы от фотоаппарата.
• Транзисторы КТ315 и КТ361.Характеристики и их зарубежные аналоги.
• Резисторы.Как выглядят и как называются.
• Трассоискатель для поиска скрытой проводки своими …
• Простая ИК-станция для пайки SMD из проволоки.Инфр…
• Простой паяльник от 7В своими руками.
• Кремниевый транзистор КТ961.Характеристики
• Кремниевые транзисторы КТ814 КТ815 КТ816 КТ817. Ха…
• Автоматическая вспышка из старого фотоаппарата. Переделка две детали-тиристор и неоновая лампа.
• Тревожное охранное устройство на микросхеме К561ЛА…
• Простой усилитель низкой частоты на трех транзисто…
• Музыкальный синтезатор-микросхема УМС. Три мелодии…
• Супергетеродинный АМ радиоприемник своими руками на частоту 27МГц.
• Трансформатор ТС-180 для питания радиоламп или сам…
• Регулируемый стабилизатор напряжения на tl431 и полевом транзисторе.
• Элемент Пельтье из кулера для воды.Как подключить …
• Преобразователь напряжения от 1.2В на микросхеме Y…
• УКВ-FM передатчик.Радиус действия более 2км.
• Полевой двухзатворный транзистор 3SK224.
• Детектор излучения микроволновки,раций,передатчико…
• Умножитель для плазменной зажигалки.Из ВЧ дуги в в…
• Преобразователь на основе несимметричного мультивибратора.
• УКВ-FM конвертер на микросхеме К174ПС1.
• Сенсорный включатель-выключатель.
• Зарядное устройство для миниатюрных дисковых элементов питания.
• Телеграфный передатчик на 80 метровый диапазон.Мощность 8-10Вт.
• ВЧ пробник на светодиоде с аттенюатором.
• Регулируемый понижающий ШИМ стабилизатор напряжения на микросхеме LM2576-ADJ.
• В.Ч.генераторы для простых опытов.Зажигают люминисцентную лампу и т.д.
• Широкополосный УКВ глушитель на одном транзисторе.
• Простой телеграфный трансивер на двух транзисторах на 3.5МГц.
• КВ-УКВ усилитель для радиоприемника.Усиливаем слабый радиосигнал.
• Преобразователь на одном полевом транзисторе для светодиода 12В.
• DC-DC реобразователь напряжения 12-18В на таймере 555 для питания ноутбука.
• Направленный микрофон с чувствительным усилителем.
• Бегущие огни и зрелищный искатель скрытой проводки на одной детали-микросхеме к561ие8.
• Мигалка на динисторе от 220В или как проверить динистор.
• АМ передатчик на диапазон 80м. 2222+irf510.
• Термопредохранители для защиты бытовой техники.
• Солнечный концентратор из зеркал и крышки от кастрюли своими руками.
• Индикаторы заряда или напряжения аккумуляторной батареи на стабилитроне.
• УКВ приемник на цифровой микросхеме RDA5807FP.
• Полевой транзистор BS170.
• ИК-сигнализация на микросхеме к561ла7.Срабатывает при пересечении.
• Конвертер УКВ из 88-108 в 66-74МГц на одном полевом транзисторе.
• Металлоискатель на биениях на микросхеме к561ла7.
• Бегущие огни на таймере 555 и счетчике к561ие8.Мигают поочередно 10 светодиодов.
• Всеволновый УКВ-приемник из тв-тюнера и СМРК. Лови…
• Самодельный пеленгатор из радиоприемника.Как найти передатчик или охота на лис.
• Генератор звуковых и ультразвуковых колебаний.
• Транзистор КТ903.Цоколевка и характеристики.
• Составной транзистор КТ829.Цоколевка.Характеристик…
• Высокочастотный транзистор КТ908.Цоколевка.Характе…
• Передатчик на туннельном диоде и генератор звука.
• Инфракрасный ИК передатчик и приемник звука.
• Из шагового двигателя своими руками.Фонарик,зарядк…
• Преобразователь напряжения для питания 12В светодиода от 3.7В.
• Беспроводное зарядное устройство из электронного т…
• Кремниевый биполярный n-p-n транзистор КТ805.Харак…
• Электромагнитная индукция
• Бесконечный моторчик из китайских часов с плавным …
• Простой примитивный «Детектор лжи» своими руками.
• Индуктивный передатчик и приемник на основе усилит…
• СВЧ p-n-p транзистор BF979.Характеристики.Цоколевк…
• СВЧ p-n-p транзистор КТ3109.Характеристики.Цоколев…
• УКВ-FM регенератор на транзисторе кт3109 или bf979.
• Транзистор КТ639 p-n-p.Характеристики.Цоколевка.
• Приставка к мультиметру-ESR измеритель конденсатор…
• Определитель межвиткового замыкания в катушке.Гене…
• Мигалка на одном транзисторе кт805 и ярким мощным .. .
• Металлоискатель на одном транзисторе кт315 и радио…
• Беспроводной световой наушник на основе светодиода…
• Упрвление двумя кнопками двумя нагрузками.Симметри…
• Беспроводная передача электроэнергии своими руками…
• Светомузыка и развертки из дешевой лазерной указки…
• Лестница Иакова своими руками на транзисторе кт805…
• Игрушка Emp jammer своими руками. Безделушка на пяти деталях.
• Три самоделки для начинающих радиолюбителей на одн…
• УКВ передатчик средней мощности на транзисторе КТ6…
• Семь электронных самоделок для начинающих на транз…
• Высоковольтный преобразователь из деталей эконом-лампы.Питание 3.7В.Зажигает 36В светодиод.
• Простые самоделки для начинающих радиолюбителей на…
• Простой четырех-функциональный робот на полевом тр…
• Бегущие огни на мигающем светодиоде и счетчике 401…
• Самоделки на мигающем светодиоде для начинающих ра. ..
• Звуковой генератор-электронная волынка.
• Простые электронные конструкции на полевом транзис…
• Как измерить выходную мощность передатчика.
• Телеграфный передатчик на 3.5МГц.
• Линейный датчик Холла.Как работает и распиновка на примере HW108.
• Двухтактный генератор на транзисторах кт315.Генера…
• Бесколлекторный моторчик своими руками на микросхе…
• Моторчики на одном транзисторе.Как раскрутить магн…
• Импульсный металлоискатель своими руками.Как найти…
• Отражение лазерного луча от предмета с источником …
• Счетчик гейгера из неоновой лампы.Простейший детек…
• Бегущие огни от наводок 220В или разряда пьезозажи…
• Опыты с многовитковой катушкой и светодиодами.Как получить электричество от удара.
• Регенеративный радиоприемник 3.9-10.5МГц на германиевых транзисторах.
• Плавное включение-выключение нагрузки на одном пол…
• Понижающий и регулируемый импульсный dc-dc из дета. ..
• Плавный пуск или поджиг ламп на термисторе и реле…
• Трехфазный мультивибратор на трех мощных полевых т…
• Телеграфный гетеродин.Как принимать CW и SSB на об…
• Шунт или резистор из проволоки.Как с его помощью и…
• Микросхемы RX-2B и TX-2B.Как на них можно собрать …
• Пинпоинтер или детектор металла на транзисторах
• Счетчик импульсов на микросхеме к176ие4
• АМ передатчик на 27 МГц с усилителем мощности на к…
• Усилитель низкой частоты на микросхеме TDA1557Q
• Полицейская крякалка на к561ла7 своими руками

КТ973А (або аналог КТ8130Б) транзистор PNP (4А 60В) 8W (ТО126), цена 17.64 грн — Prom.ua (ID#38569094)

КТ973А транзистор PNP (4А 60В) 8W (ТО126)

(кремниевый транзистор, p-n-p)

Наимен.	тип	Uкбо(и),В	Uкэо(и), В	Iкmax(и), мА	Pкmax(т), Вт	h21э	Iкбо, мкА	fгр. , МГц	Uкэн, В
КТ973А	p-n-p	60	60	4000	(8)	750	1000	200	<1.5
КТ973Б		45	45	4000	(8)	750	1000	200	<1.5

 

Корпус:

Uкбо	— Максимально допустимое напряжение коллектор-база
Uкбои	— Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
Uкэо	— Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
Uкэои	— Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер
Iкmax	— Максимально допустимый постоянный ток коллектора
Iкmax и	— Максимально допустимый импульсный ток коллектора
Pкmax	— Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода
Pкmax т	— Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом
h21э	— Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Iкбо	— Обратный ток коллектора
fгр	— граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
Uкэн	— напряжение насыщения коллектор-эмиттер

 

Прибор	Предельные параметры									Параметры при T = 25°C										RТ п-к, °C/Вт
			при T = 25°C
	IК, maxА	IК и. max А	UКЭR max, В	UКБ0 max, В	UЭБ0 max, В	PК max, Вт	T, °C	Tп max, °C	Tmax, °C	h21Э	UКБ, В	IЭ(IК), мА	UКЭ нас, В	IКЭR, мА	fгр, МГц	Кш, дБ	CК, пФ	CЭ, пФ	tрас, мкс
КТ973 А	4		60	60	5	8		150	85	750	3		1,5	1	200				0,2	15,6
КТ973 Б	4		45	45	5	8		150	85	750	3		1,5	1	200				0,2	15,6

Ничего не найдено для Wp Content Uploads 2022 12 004972 Комментарий Chidwick Cup Декабрь 2022 Pdf

Похоже, в этом месте ничего не найдено. Может попробовать одну из ссылок ниже или поиск?

Поиск:

Архивы

Попробуйте поискать в месячных архивах. 🙂

Archivesselect Месяц марта 2023 г., февраль 2023 г., январь 2023 г., декабрь 2022 г., ноябрь 2022 г., октябрь 2022 г., сентябрь 2022 г., июль 2022 г., июнь 2022 г., май 2022 г., апрель 2022 г. Март 2022 г., февраль 2022 г. Январь 2022 г., декабрь 2021 г., ноябрь 2021 г., октябрь 2021 г. 2021 г., 2021 г., 2021 г., 2021 г., 2022 г., 2021 г., 2021 г. 2021 Март 2021 Февраль 2021 Январь 2021 Декабрь 2020 Ноябрь 2020 Октябрь 2020 Сентябрь 2020 Июнь 2020 Май 2020 Апрель 2020 Февраль 2020 Январь 2020 Декабрь 2019Ноябрь 2019 г. Октябрь 2019 г. Сентябрь 2019 г. август 2019 г., июль 2019 г., июнь 2019 г., май 2019 г., апрель 2019 г. Март 2019 г. Февраль 2019 г., январь 2019 г. Декабрь 2018 г., ноябрь 2018 г., октябрь 2018 г., сентябрь 2018 г., август 2018 г., июль 2018 г., июнь 2018 г., май 2018 апрель 2018 г. Март 2018 г. Февраль 2018 г. Январь 2018 г. Декабрь 2018 г. Ноябрь 2017 г. Октябрь 2017 г. Сентябрь 2017 г. Август 2017 г., июль 2017 г., июнь 2017 г., май 2017 г., апрель 2017 г. Март 2017 г. Февраль 2017 г. Январь 2017 г. Декабрь 2016 г., ноябрь 2016 г., октябрь 2016 г. Сентябрь 2016 г., август 2016 г., июль 2016 г., июнь 2016 г., май 2016 г., апрель 2016 г. Март 2016 г., Февраль 2016 г., январь 2016 г. Декабрь 2015 г. Ноябрь 2015 г. Октябрь 2015 г. Сентябрь 2015 г. август 2015 г., июль 2015 г., июнь 2015 г., май 2015 г., апрель 2015 г. Март 2015 г., февраль 2015 г. Январь 2015 г. Декабрь 2014 г., ноябрь 2014 г., октябрь 2014 г. Сентябрь 2014 г., август 2014 г., июль 2014 г., июнь 2014 г., май 2014 г. Апрель 2014 г. Март 2014 г. Февраль 2014 г. Январь 2014 г. Декабрь 2013 г. Ноябрь 2013 г. Октябрь 2013 г. Сентябрь 2013 г. Август 2013 июль 2013 г., июнь 2013 г., май 2013 г., апрель 2013 г. Март 2013 г. Февраль 2013 г. Январь 2013 г. Декабрь 2012 г., ноябрь 2012 г., октябрь 2012 г., Сентябрь 2012 г. , июнь 2012 г., июнь 2012 г., май 2012 г., апрель 2012 г. Март 2012 г., февраль 2012 г., январь 2012 г., декабрь 2011 г., ноябрь, октябрь 2011 г., сентябрь 2011 г., июнь 2011 г., май, май. 2011 Апрель 2011 Март 2011 Февраль 2011 Январь 2011 Декабрь 2010 Ноябрь 2010

Добро пожаловать на мой веб-сайт

Здесь вы найдете все обновления и результаты организованных мною бридж-мероприятий. Не стесняйтесь обращаться ко мне через контактную форму, если у вас есть какие-либо вопросы.

Поиск FOB.ie

Поиск:

Последние сообщения

• Сегодня вечером в четверг (9 марта) у нас будет наш «159-й чемпионат Ирландии среди пар среднего уровня», который начнется в 20:15. до 22:15 — приветствуются все игроки Inter A, Inter B и новички — отправьте сообщение Fearghal 086-2652871, если вам нужно разблокировать.
• Результаты за февраль 2023 г.
• Результаты за январь 2023 г.
• Результаты за декабрь 2022 г.
• Итоги за ноябрь 2022 г.

Архивы

Архивы Выбрать месяц Март 2023 Февраль 2023 Январь 2023 Декабрь 2022 Ноябрь 2022 Октябрь 2022 Сентябрь 2022 Июль 2022 Июнь 2022 Май 2022 Апрель 2022 Март 2022 Февраль 2022 Январь 2022 Декабрь 2021 Ноябрь 2021 Октябрь 2021 Сентябрь 2021 Февраль 2021 Январь 2021 Декабрь 2020 Ноябрь 2020 Октябрь 2020 Сентябрь 2020 Июнь 2020 Май 2020 Апрель 2020 Февраль 2020 Январь 2020 Декабрь 2019Ноябрь 2019 г. Октябрь 2019 г. Сентябрь 2019 г. август 2019 г., июль 2019 г., июнь 2019 г., май 2019 г., апрель 2019 г. Март 2019 г. Февраль 2019 г., январь 2019 г. Декабрь 2018 г., ноябрь 2018 г., октябрь 2018 г., сентябрь 2018 г., август 2018 г., июль 2018 г., июнь 2018 г., май 2018 апрель 2018 г. Март 2018 г. Февраль 2018 г. Январь 2018 г. Декабрь 2018 г. Ноябрь 2017 г. Октябрь 2017 г. Сентябрь 2017 г. Август 2017 г., июль 2017 г., июнь 2017 г., май 2017 г., апрель 2017 г. Март 2017 г. Февраль 2017 г. Январь 2017 г. Декабрь 2016 г., ноябрь 2016 г., октябрь 2016 г. Сентябрь 2016 г. , август 2016 г., июль 2016 г., июнь 2016 г., май 2016 г., апрель 2016 г. Март 2016 г., Февраль 2016 г., январь 2016 г. Декабрь 2015 г. Ноябрь 2015 г. Октябрь 2015 г. Сентябрь 2015 г. август 2015 г., июль 2015 г., июнь 2015 г., май 2015 г., апрель 2015 г. Март 2015 г., февраль 2015 г. Январь 2015 г. Декабрь 2014 г., ноябрь 2014 г., октябрь 2014 г. Сентябрь 2014 г., август 2014 г., июль 2014 г., июнь 2014 г., май 2014 г. Апрель 2014 г. Март 2014 г. Февраль 2014 г. Январь 2014 г. Декабрь 2013 г. Ноябрь 2013 г. Октябрь 2013 г. Сентябрь 2013 г. Август 2013 июль 2013 г., июнь 2013 г., май 2013 г., апрель 2013 г. Март 2013 г. Февраль 2013 г. Январь 2013 г. Декабрь 2012 г., ноябрь 2012 г., октябрь 2012 г., Сентябрь 2012 г., июнь 2012 г., июнь 2012 г., май 2012 г., апрель 2012 г. Март 2012 г., февраль 2012 г., январь 2012 г., декабрь 2011 г., ноябрь, октябрь 2011 г., сентябрь 2011 г., июнь 2011 г., май, май. 2011 Апрель 2011 Март 2011 Февраль 2011 Январь 2011 Декабрь 2010 Ноябрь 2010

Закладки

• Ирландская ассоциация контрактных мостов
• Страница мостовых сетей Диармуида Реддана
• Сайт результатов Диармуид Редден
• ECatsBridge
• Английский мостовой союз
• Северо-Западный регион
• Союз мостов Северной Ирландии
• Западный регион

1.

Введение 1. Введение

Одним из больших преимуществ нанокомпозитов является их технологичность. С учетом желаемых химических, физико-механических свойств выбирают армирование и матрицу для приготовления нанокомпозита. Высокопрочные легкие нанокомпозиты становятся центром разработки новых материалов. Благодаря малой плотности алюминиевые сплавы применяются во многих областях, таких как автомобильная и авиакосмическая [1]. Следовательно, проводится много исследований нанокомпозитов с алюминиевой матрицей, которые имеют большее отношение прочности к весу, чем у алюминиевых сплавов. При уменьшении размера армирования от микромасштаба до наноразмера исчезают многие вредные эффекты армирования микроразмеров на композиты [2]. Например, по сравнению с обычными композитами прочность на растяжение и пластичность нанокомпозитов одновременно улучшаются как при комнатной, так и при повышенных температурах [3]. Также достигается хорошая обрабатываемость нанокомпозитов [4]. Наночастицы приводят к повышению стойкости к горячему разрыву сплава Al–Cu [5]. Если распределение наночастиц равномерно по всей матрице, можно получить увеличение прочности по механизму Орована [6]. Однако добиться равномерного распределения наночастиц в матрице сложно. Причины, по которым наночастицы склонны образовывать кластеры, показаны следующим образом. Во-первых, наночастицы имеют плохую смачиваемость расплавленным алюминием, что приводит к затруднению внедрения наночастиц в матрицу. Во-вторых, силы Ван-дер-Ваальса между наночастицами являются притягивающими.

Было проведено огромное количество теоретических и экспериментальных исследований по диспергированию этих наночастиц в водных растворах [7,8] и полимерных расплавах [9]. В отличие от водных растворов и полимерных расплавов, в металлическом расплаве трудно добиться диспергирования наночастиц. Наночастицы склонны к агломерации и спеканию в расплаве металла. Доказано, что механическое перемешивание не может эффективно диспергировать наночастицы в расплавленном металле [10]. Однако сообщалось, что литье с помощью ультразвука предлагает чрезвычайно многообещающий способ обработки для дисперсии наночастиц [11]. Имплозивное воздействие от схлопывания пузырьков приводит к рассеиванию наночастиц. Ультразвуковая обработка использовалась для диспергирования наночастиц в расплаве алюминия для изготовления SiC 9.0061 np /Al нанокомпозиты [12]. Для улучшения внедрения наночастиц полутвердое механическое перемешивание использовали в высокообъемной доле композитов SiC _np , армированных Mg–Zn [13]. Дисперсия наночастиц в расплаве связана с контактным углом между наночастицами и матрицей. Наночастицы с большим контактным углом с матрицей трудно внедряются и диспергируются в расплаве. Кроме того, были предприняты попытки обработки трением с перемешиванием [14,15], численным моделированием [16,17] и прерывистой ультразвуковой обработкой [18] для улучшения распределения наночастиц в матрице материала. Исследовалось также взаимодействие наночастиц с фронтом затвердевания [19].,20,21]. SiC _np , Al ₂ O _3np , AlN _np , TiCN _np , УНТ и графен являются обычными армирующими элементами в нанокомпозитах с алюминиевой матрицей. По сравнению с другими нанокомпозитами SiC _np и Al ₂ O _3np обладают стабильными химическими свойствами в расплавленном Al и широко используются в качестве армирующих материалов в конструкционных композитах. Более того, SiC _np и Al ₂ O _{3 np} различных размеров легко изготавливаются. Так как контактный угол между Al ₂ O _3np и Al больше, чем между SiC _np и Al, диспергировать Al ₂ O _3np сложнее, чем диспергировать SiC _np в расплаве Al. Однако предпочтительным является Al ₂ O _3np из-за его более низкой цены. С помощью синтетических соображений как SiC _np , так и Al ₂ O _3np добавляют в Al в качестве армирующего материала для изготовления гибридных нанокомпозитов. Дисперсия наночастиц в нанокомпозитах с металлической матрицей, армированных SiC _np или Al ₂ O _3np соответственно. Предел текучести (YS) SiC _np /Mg ₂ Zn (14 об. %) намного выше, обеспечивая увеличение в четыре раза по сравнению с Mg ₂ Zn [3]. Al ₂ O _3np может одновременно рафинировать первичный кремний и модифицировать эвтектический кремний, что приводит к увеличению пластичности Al ₂ O _3np /Al-20Si-4.5Cu [22]. На сегодняшний день гибридные композиты вызывают все больший интерес, поскольку они обладают преимуществами, присущими каждому компоненту. Тем не менее исследования гибридных нанокомпозитов, содержащих два и более видов наночастиц, включая дисперсию наночастиц и микроструктур, все еще ограничены. Сообщалось, что добавление УНТ значительно улучшило дисперсию и распределение наночастиц TiC в нанокомпозитах TiC/УНТ/Al, изготовленных с использованием комбинации методов шаровой мельницы и прокатки в оболочке [23]. Ожидается, что разработка нанокомпозитов с алюминиевой матрицей путем добавления SiC _np и Al ₂ O _3np улучшат механические свойства алюминиевой матрицы, которые широко не изучались.

В этой работе гибридные нанокомпозиты, армированные SiC _np и Al ₂ O _3np , были изготовлены путем сочетания выдувания в жидком состоянии и литья под действием ультразвука. Дисперсию наночастиц в гибридных нанокомпозитах охарактеризовали с помощью просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения (HRTEM). Влияние наночастиц на микроструктуру и механические свойства гибридных нанокомпозитов исследовали с помощью оптического микроскопа (ОМ), сканирующего электронного микроскопа (СЭМ) и теста на растяжение.

2. Материалы и методы

В качестве матричного материала использовали алюминиевый сплав A356, поставляемый Chinalco. Химический состав A356 показан в таблице 1. SiC _np (средний размер 40 нм) и Al ₂ O _3np (средний размер 20 нм) были приобретены у Shanghai Yao Tian Nano Material. SiC _np и Al ₂ O _3np сушили в сушильном шкафу при 423 К в течение 120 мин. Сплавы А356 помещали в графитовый тигель, а затем плавили в электропечи сопротивления при 973 К. Для удаления газов и оксидов расплав алюминия дегазировали гексахлорэтаном в течение 5 мин. SiC _np и Al ₂ O _3np с массовым соотношением 1:1 были гомогенно смешаны с использованием технологии высокоэнергетической шаровой мельницы. Смесь медленно вдували в расплав алюминия высокочистым аргоном. Система ультразвуковой обработки применялась для диспергирования наночастиц в расплаве. Наконечник ультразвукового зонда помещали в расплав на глубину около 30 мм с последующей подачей наночастиц. Процесс обработки гибридных нанокомпозитов, включающий внедрение и диспергирование наночастиц в расплаве Al, показан на рис. 1. Ультразвуковая обработка проводилась при температуре 973 К в течение 15 мин. Затем расплав заливали в цилиндрическую чугунную изложницу диаметром и высотой 40 и 90 мм соответственно, предварительно нагретую до 673 К. В течение всего процесса расплав находился в атмосфере аргона. В этом эксперименте 1,0 мас.% Al ₂ O _3np и 1,0 мас. % SiC _np добавляли в сплавы A356 для изготовления Al ₂ O _3np /SiC

6 np. Для сравнения образцы с добавкой 2,0 мас.% Al ₂ O _3np , 2,0 мас.% SiC _np и матричный сплав.

Металлографические образцы были разрезаны на расстоянии 51 мм от дна отливок. Для определения микроструктуры каждый образец механически шлифовали наждачной бумагой 180#, 240#, 400#, 600#, 800#, 1000#, 1200#, 1500# соответственно, а затем полировали алмазной суспензией (1 мкм) до зеркальная поверхность образца. Затем каждый образец травили реактивом Келлера (HF 2 мл, HCl 3 мл, HNO 9 мл).0061 3 5 мл, H ₂ O 190 мл). Во избежание нарушения микроструктуры образцы полировали полировальными составами, содержащими алмазы микронного размера. Для характеристики морфологии и микроструктуры образцов использовали оптический микроскоп (Olympus MPG4, Токио, Япония) и сканирующий электронный микроскоп (FEI Nova NanoSEM 450, Хиллсборо, штат Орегон, США). Рентгеновский дифрактометр X’Pert PRO (XRD, PANalytical, Almelo, Нидерланды), скорость сканирования которого составляет 10°/мин, а диапазон углов сканирования составляет от 20° до 9°.0°, использовали для анализа фаз образцов. В соответствии со стандартом ASTM E112-10 для измерения размера зерна использовали метод линейной точки пересечения. Была проведена тестовая линия, которая прорезала не менее 50 зерен в оптических изображениях с использованием программного обеспечения Image-Pro Plus (6.0, Media Cybernetics, Rockville, MD, USA), после чего проводился подсчет пересечений. Подсчеты проводились на трех слепо выбранных и широко разнесенных полях, чтобы получить среднее значение для образца. Средняя линейная длина пересечения соответствовала размеру зерен. Границы раздела между наночастицами и матрицей и распределение наночастиц исследовали с помощью просвечивающего электронного микроскопа Tecani F30 G’ (FEI, Hillsboro, OR, USA). Все образцы были сначала отлиты в виде стержней на растяжение с диаметром 5 мм в соответствии с ASTM B108-03a, а затем были подвергнуты механической обработке до заданных размеров с диаметром 3 мм и длиной 15 мм для испытания на растяжение на основе АСТМ Е8. Для изучения свойств образцов при растяжении использовали машину для испытаний на растяжение (INSTRON 3382, Кантон, Огайо, США) со скоростью траверсы 1 мм/мин. Все результаты были основаны на среднем значении трех образцов.

3. Результаты и обсуждение 3.1. Микроструктурные характеристики

На рис. 2 показаны оптические микроструктуры нанокомпозитов с алюминиевой матрицей и матричного сплава. Видно, что после добавления в сплав наночастиц размер зерен матрицы уменьшился. По сравнению с SiC _np /Al и Al ₂ O _3np /Al зерна матрицы стали заметно меньше, а число равноосных зерен в Al ₂ O _3np /SiC _{np2/ Ал увеличился. Размер зерна матрицы в SiC np /Al меньше, чем у Al 2 O 3np /Al. Было указано, что наночастицы могут существенно влиять на измельчение зерен матрицы, поскольку наночастицы ограничивают диффузию растворенных веществ, собираясь на границах раздела α-Al, и, следовательно, препятствуют росту зерен [24]. Следовательно, рост α-Al был ограничен сборкой SiC np и Al 2 O 3np на границах зерен. Кроме того, наночастицы могут выступать в качестве центров гетерогенной нуклеации первичного α-Al [25]. Из-за более низкой скорости роста кристаллов обеспечивалось большее переохлаждение, что способствовало гетерогенному зародышеобразованию. Резко увеличенное количество зерен привело к значительному измельчению зерна матрицы в нанокомпозитах. Между тем, после добавления различных наночастиц размер зерен матрицы в нанокомпозитах сильно варьировался. Результаты показали сильный совместный эффект SiC нп и Ал 2 О 3 нп на измельчение зерна матрицы.}

Изменение размера зерен при добавлении SiC _np и Al ₂ O _3np представлено на рис. 3. Средний размер зерна матрицы при совместном добавлении SiC _np и Al ₂ O _3np уменьшился до 39 мкм, что показало улучшение измельчения зерна примерно на 118% и примерно на 26% по сравнению с Al ₂ O _3np /Al и SiC _np /Al соответственно. Кроме того, показано, что эффект измельчения зерна наиболее заметен при совместном добавлении SiC _np и Al ₂ O _{3 np} . Кроме того, показано, что эффект измельчения зерна наиболее заметен при совместном добавлении SiC _np и Al ₂ O _{3 np} .

Для идентификации фаз в нанокомпозитах для исследования образцов использовали XRD. Рентгенограммы матричного сплава и нанокомпозитов представлены на рис. 4. Как видно из рис. 4а, матричный сплав состоял из фаз α-Al и эвтектического Si. После добавления наночастиц в матрицу дифракционные пики SiC и Al ₂ O ₃ , а также фазы α-Al и эвтектического Si также были идентифицированы на рис. 4б. Результаты дифракции показали, что в нанокомпозитах присутствуют фазы SiC и Al ₂ O ₃ .

СЭМ-изображения

дисперсии наночастиц в нанокомпозитах приведены на рис. 5. При увеличении 60000 в алюминиевой матрице было различимо распределение SiC _np , как указано белыми стрелками, диаметр которых составлял около 40 нм. на рисунке 5а. Тем не менее, Ал ₂ O _{3 np} при этом увеличении был нечетким, поскольку размер Al ₂ O _{3 np} был меньше, чем размер SiC _np . Распределение SiC _np было равномерным, и в матрице не было видно крупных кластеров, хотя в нанокомпозитах все же существовали небольшие агрегаты, состоящие из двух SiC _np . При увеличении в 100 000 раз были четко показаны наночастицы, включая SiC _np и Al ₂ O _{3 np} , как указано белыми стрелками (рис. 5b). Дисперсный SiC _np и Al ₂ O _3np были равномерно распределены в алюминиевой матрице. На рисунке 5b кластеры, состоящие из SiC _np и Al ₂ O _{3 np} , отсутствовали. Из рисунка 5с видно, что в Al ₂ O _3np /Al наблюдается большой кластер, состоящий из Al ₂ O _3np в микрометровом масштабе. Из рис. 5г субмикронные кластеры также появились в SiC _np /Al с некоторым дисперсным SiC _np вокруг скоплений. Кроме того, несколько ямок, которые были видны на рисунке 5d, образовались в результате кавитации ультразвуковых волн. Поскольку образование кластеров уменьшало количество эффективных наночастиц для ингибирования роста α-Al, размер зерна был крупным в Al ₂ O _3np /Al и SiC _np /Al.

Дисперсия наночастиц определялась силами Ван-дер-Ваальса между наночастицами, тепловой энергией наночастиц и энергетическим барьером, препятствующим спеканию наночастиц в расплаве. Если энергетический барьер недостаточно велик по сравнению с тепловой энергией наночастиц, наночастицы имеют тенденцию образовывать кластеры; если энергетический барьер высок, а потенциал взаимодействия Ван-дер-Ваальса невелик, наночастицы самодиспергируются в расплаве.

Для SiC _np и Al ₂ O _3np в расплаве Al при 973 K потенциал взаимодействия Ван-дер-Ваальса рассчитывался по уравнению [26]: (1)wvdw=−A/(6D)∗ (Rsic ∗ RAl2O3)/(Rsic+RAl2O3) (2)A≈(ASiC-AAl)(AAl2O3-AAl) где ASiC, AAl и AAl2O3 — константы Гамакера для SiC (248 зДж) [27], расплавленного Al (266 зДж) [28] и Al ₂ O ₃ (140 зДж) [29] соответственно; Rsic и RAl2O3 составляют 20 нм и 10 нм соответственно. Приведенное выше уравнение справедливо только тогда, когда две наночастицы взаимодействуют через расплавленный алюминий для D, превышающего два атомных слоя алюминия (т. е. 0,4 нм) [30]. Для D = 0,4 нм wvdw составляет -6,97 зДж.

Межфазный энергетический барьер [3] описывался следующим образом: (3) W(D)= Ssic−Al2O3(σsic+σAl2O3−σsic−Al расплав−σAl2O3−Al расплав) exp(−(D−D0)/a0)( для где σsic, σAl2O3, σsic–Al расплав и σAl2O3–Al расплав равны 1,45 Дж/м ² [30], 1,46, 0,81 и 0,99 Дж/м ² соответственно [31].

Согласно приближению Лангбейна эффективная площадь взаимодействия двух сфер составила (4)SSic−Al2O3=2π(Rsic×RAl2O3)/(Rsic+RAl2O3)D0

Тепловая энергия при 973 К составила 13,44 зДж, что выше, чем  (-wvdw). Межфазный энергетический барьер был рассчитан как: (5) Зима = W (D0) = 1,86 × 104 zJ = 1300 КТ

Для Al ₂ O _3np в расплаве Al при 973 К, когда D составляло 0,4 нм, потенциал взаимодействия Ван-дер-Ваальса составлял: wvdw=-41,67 zJ

Эта тепловая энергия при 973 К составляла 13,44 зДж, что было меньше, чем  (-wvdw ), равное 41,67 зДж. Межфазный энергетический барьер, Вт _между , составлял 11 810 зДж.

Для SiC _np в расплаве Al при 973 К, когда D составляло 0,4 нм, потенциал взаимодействия Ван-дер-Ваальса составлял: wvdw=-1,31 zJ

Эта тепловая энергия при 973 К составила 13,44 зДж, что выше, чем  (-wvdw), равное 1,31 зДж. Межфазный энергетический барьер, Вт _между , составлял 3,2 × 104 зДж.

Путем сравнения потенциала взаимодействия Ван-дер-Ваальса, межфазного энергетического барьера и тепловой энергии была выявлена ​​высокая вероятность Al ₂ O _3np с образованием кластеров, тогда как SiC _np имеет тенденцию к однородному распределению в расплаве Al. Для SiC _np и Al ₂ O _3np в расплаве Al W _inter намного больше, чем броуновский потенциал, поэтому маловероятно, что наночастицы преодолеют энергетический барьер для достижения адгезионного контакта. По сравнению с -wvdw броуновский потенциал был намного больше. Таким образом, SiC _np и Al ₂ O _3np самодиспергировались в алюминиевом расплаве, что привело к отсутствию кластеров, состоящих из SiC _np и Al ₂ O _3np , существующих в микроструктуре гибридных нанокомпозитов. Следует отметить наличие крупных кластеров в композитах Al ₂ O _3np /Al.

3.2. Поверхность раздела между наночастицами и Al

На рис. 6 показаны ПЭМ-изображения гибридных нанокомпозитов Al ₂ O _3np /SiC _np /Al. Как видно из рис. 6а, наночастицы, обозначенные темными пятнами в микроструктуре, полностью диспергировались и примерно равномерно распределились в матрице. Нет кластеров, состоящих из SiC _np и Al ₂ O _3np обнаружены в матрице Al. Полная дисперсия и равномерное распределение наночастиц, отмеченные ярким цветом на рисунке 6b, были дополнительно подтверждены. На рис. 6c,d представлены HRTEM-изображения, показывающие границу между SiC _np с межплоскостным расстоянием 0,295 нм и Al ₂ O _3np с межплоскостным расстоянием 0,232 нм и матрицей Al соответственно. Пятно электронной дифракции наночастицы на рисунке 6c соответствовало пятну SiC 9.0061 нп . Кроме того, пятно электронной дифракции наночастицы на рисунке 6d было таким же, как у Al ₂ O ₃ . Было продемонстрировано, что интерфейс между матрицей и армированием играет важную роль в нанокомпозитах. На границе раздела между наночастицами и алюминиевой матрицей не было обнаружено присутствия продуктов реакции. Кроме того, не наблюдалось отслоения или трещин на границе раздела, что свидетельствует об отличном межфазном соединении между наночастицами и алюминием.

Вероятная реакция между расплавленным Al и SiC при 973k показана следующим образом [32]: (6) Al+SiC=Al4C3+Si (7) C+Al=Al4C3 (8) Al4C3+SiC=Al4SiC4

По результатам РФА и ВРЭМ-изображениям между SiC _np и Al не обнаружено продуктов реакции, что можно объяснить следующим. Во-первых, образование Al ₄ C ₃ ограничивалось количеством Si. Во-вторых, из-за короткого времени количество произведенного Al ₄ C ₃ после короткого времени реакции было мало. Кроме того, количество свободного углерода на поверхности наночастиц было небольшим. Поскольку Al ₄ C ₃ является хрупким соединением и может реагировать с холодной водой, образование Al ₄ C ₃ повреждает поверхность раздела между Al и SiC _np . Следовательно, уменьшенная межфазная реакция способствовала улучшению характеристик композита.

3.3. Взаимодействие наночастиц с границей раздела твердое тело–жидкость

Распределение наночастиц при затвердевании оказывает существенное влияние на микроструктуру нанокомпозитов. Исследования взаимодействия между частицей и границей раздела твердое тело–жидкость проводились широко. Согласно модели критической скорости, учитывающей только силы отталкивания и сопротивления, наночастицы почти прижимаются к границам зерен. Однако некоторые наночастицы равномерно распределяются в зерне [33]. Следовательно, предыдущие модели недействительны. Модель критической скорости затвердевания для толкания наночастиц с учетом броуновского движения описывается следующим образом [34]:(9)Vc=16Aηh3(1+ eπ2(1 − rr∗))−1 (10)r∗=(274kBTηπ(ρp−ρL)2g2) 15 где A — константы Гамаке, r — радиус наночастиц, ρp — плотность наночастиц, ρL — плотность расплава сплава, η — вязкость расплава сплава, h — равновесное разделительное расстояние (1 × 10 ^{− 8} м), g — ускорение свободного падения (9,8 м/с ² ). Согласно значениям параметров, приведенным в табл. 2, критический радиус Al ₂ O _3np и SiC _np составляют 780 нм и 1000 нм соответственно. Если радиусы Al ₂ O _3np и SiC _np равны 10 нм и 20 нм соответственно, то критическая скорость Al ₂ O _3np и SiC _np составляет 0,8 мкс/мкс/мкм/с. мкм/с соответственно. Следовательно, Al ₂ O _3np и SiC _np имеют тенденцию к поглощению фронтом затвердевания.

3.4. Механические свойства

. Сравнение YS, предела прочности при растяжении (UTS) и удлинения образцов показано на рисунке 7. Как видно, YS и UTS Al ₂ O _3np /SiC _np /Al были самыми крупными среди этих образцов. Улучшение UTS Al ₂ O _3np /SiC _np /Al по сравнению с Al ₂ O _3np /Al, SiC _np /Al и A356 составило около 40 %. , 25% и 48% соответственно. Предел текучести Al ₂ O _3np /SiC _np /Al составил 215 МПа, увеличившись примерно на 36%, 22% и 45% по сравнению с Al ₂ O _3np /Al, SiC _np /Al и A356 соответственно. По сравнению с Al ₂ O _3np /Al, SiC _np /Al и A356 увеличение удлинения Al ₂ O _3np /SiC _np /Al4 составило 605% и 51% соответственно.

Повышение прочности материалов обычно зависит от стоимости пластичности. Однако значительное улучшение прочностных свойств сочеталось с пластичностью в Al ₂ O _3np /SiC _np /Al гибридные нанокомпозиты. Механизмы упрочнения, в том числе упрочнение Орована, генерация геометрически необходимых дислокаций из-за несоответствия КТР, эффект несущей способности и механизм Холла-Петча, способствуют повышению прочности нанокомпозитов с металлической матрицей [35]. Поскольку малые наночастицы не способны генерировать адекватную деформацию, упрочнением от увеличенной дислокации можно пренебречь [3]. Таким образом, только три механизма упрочнения сыграли роль в повышении YS в нанокомпозитах с алюминиевой матрицей.

Вклад эффекта Холла–Петча рассчитывался по следующему уравнению: (11)Δσ y=k(dc−12−dm−12) где d _c и d _m — размеры зерен нанокомпозитов и матричного сплава соответственно, k — константа. Лусиф и др. исследовал зависимость Холла – Петча в алюминиевых сплавах. Величина k для сплава Al при комнатной температуре составляет 0,326 МПа·м12 [36]. Из-за измельчения зерна в Al ₂ O _3np /SiC _np /Al расчетное значение Δσ y в YS Al ₂ O _3np /SiC _np /Al 24 МПа.

Увеличение YS от механизма упрочнения Орована, индуцированного дисперсными наночастицами, рассчитывали по следующему уравнению [37]: (12) ΔσOrowan=0,13Gmbλlndp2b где d _p , λ, b и G _m — размер наночастиц, расстояние между частицами, вектор Бюргерса и модуль сдвига матрицы соответственно. В этом исследовании мы рассчитали значение для Δσ _Orowan = 90 МПа для G _m = 2,54 × 104 Па и b = 0,3 нм.

Наночастицы приводят к большой границе раздела между частицами и матрицей, даже если объемная доля наночастиц в нанокомпозитах невелика. Поэтому учитывался эффект несущей способности. Повышение прочности в результате выдерживания нагрузки рассчитывалось по следующему уравнению [38]: (13)Δσнагрузка=1,5vpσi где σ _i — прочность межфазной связи, а v _p — объемная доля наночастиц. Расчетное Δσ _{нагрузка} составила 21 МПа.

Для оценки YS Al ₂ O _3np /SiC _np /Al (σ _ys ) необходимо учитывать эффект Холла-Петча, механизм упрочнения Орована и эффект несущей способности. Санаты-Заде предложил модифицированную модель Клайна, которая является более точной, чем другие методы [39]:

Теоретический предел текучести SiC _np /Al ₂ O _3np /Al, σ _ys , составило 210 МПа, что согласуется с экспериментальным значением 215 МПа. Механизм прочности Орована, возникающий из-за равномерно распределенных наночастиц, может препятствовать движению дислокаций. Судя по свойствам при растяжении, в гибридных нанокомпозитах были активированы все три механизма прочности, что подтверждает равномерное распределение наночастиц.

Было обнаружено, что YS Al ₂ O _3np /Al был примерно таким же, как у A356. Основная причина, по которой YS Al ₂ O _3np /Al не улучшались, так как большие кластеры в Al ₂ O _3np /Al серьезно ухудшали механические свойства нанокомпозитов Al ₂ O _3np /Al. Тем временем кластеры изменили расстояние между частицами и распределение наночастиц в нанокомпозитах. Из-за отрицательной корреляции между механизмом упрочнения Орована и расстоянием между частицами механизм упрочнения Орована не был полностью активирован для значительного повышения прочности Al 9.0061 2 O _3np /Al нанокомпозиты. Размеры кластеров в SiC _np /Al меньше, чем в Al ₂ O _{3 np} /Al. Следовательно, эти кластеры можно рассматривать как большие наночастицы, что делает существенным влияние движения Брауна на маленькие наночастицы [19,20]. Однако эти крупные наночастицы, как правило, выталкиваются фронтом затвердевания к границам зерен и границ раздела фаз [40]. Кроме того, это несовершенное распределение вызывало ухудшение механических свойств нанокомпозитов, которые можно было бы значительно улучшить за счет уменьшения количества кластеров.

Удлинение – это показатель, характеризующий пластичность материалов. По сравнению с Al ₂ O _3np /Al и SiC _np /Al средний размер зерна Al ₂ O _3np /SiC _np /Al был наименьшим. Более того, удлинение Al ₂ O _3np /SiC _np /Al оказалось наибольшим. Результаты показали, что Al ₂ O _3np /SiC _np /Al обладает хорошей пластичностью и пластичностью.