Параметры кт312: 312 , 2312 , kt312 , , , — RC74 — интернет-магазин радиоуправляемых моделей

Содержание

Транзистор КТ312 | Радиодетали в приборах

Транзисторы

30.06.2019

Arazbor

Транзистор КТ312
Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основанный на справочных данных различных организаций занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников. Стоит отметить, что реальное содержание может отличатся на 20-30% в меньшую сторону.

Радиодетали могут содержать золото, серебро, платину и МПГ (Металлы платиновой группы, Платиновая группа, Платиновые металлы, Платиноиды, ЭПГ)

Содержание драгоценных металлов в транзисторе: КТ312

Золото: 0.0143
Серебро: 0
Платина: 0
МПГ: 0
По данным: Справочник по драгоценным металлам ПРИКАЗ №70

Транзистор, полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.

Типы транзисторов

Существует два основных типа транзисторов: биполярные и полевые.

1. Биполярные транзисторы. Они являются, вероятно, более распространенным типом (именно о них, например, шла речь в предыдущих разделах этой главы). В базу такого транзистора подается небольшой ток, а он, в свою очередь, управляет количеством тока, протекающего между коллектором и эмиттером.
2. Полевые транзисторы. Имеют три вывода, но они называются затвор (вместо базы у биполярного), сток (вместо коллектора) и исток (вместо эмиттера). Аналогично воздействие на затвор транзистора (но на этот раз не тока, а напряжения) управляет током между стоком и истоком. Полевые транзисторы также имеют разную полярность: они бывают N-канальные (аналог NPN-биполярного транзистора) и Р-канальные (аналог PNP).

Маркировка транзисторов СССР

Обозначение транзисторов до 1964 года
Первый элемент обозначения — буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно, транзистором. Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами — МП, буква М означала модернизацию. Второй элемент обозначения — одно, двух или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной(или предельной) частоты.
От 1 до 99 — германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 101 до 199 — кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 — германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 — кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 — германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 — кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.

Обозначение транзисторов после 1964 года

Первый символ необходим для обозначения типа используемого материала
Буква Г или цифра 1 — германий.
Буква К или цифра 2 — кремний.
Буква А или цифра 3 — арсенид галлия.

Второй символ обозначает тип транзистора
П — полевой транзистор
Т — биполярный транзистор

Третий символ необходим для обозначения мощности и граничной частоты
1 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
5 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные и СВЧ.
7 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.

Четвертый и пятый элементы обозначения — определяют порядковый номер разработки.

Изменения в маркировке вступившие в силу в 1978 году. Изменения коснулись обозначения функциональных возможностей — третьего элемента.

Для биполярных транзисторов:
1 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
2 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
4 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой более 300 МГц.
7 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
8 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
9 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.

Tags: транзистор

Приложение 3 основные параметры транзистора кт312б

Паспортные параметры:

Транзистор кремниевый планарный n-p-n структуры.

Коэффициент усиления тока базы = 25-100 ( при= 20 мА,= 2 В).

Модуль коэффициента передачи тока не менее 6 (при = 5 мА,= 10 В,

f = 20 МГц) (f_T= 120 МГц).

Входное сопротивление = 400 Ом ( при= 5 мА,= 5 В).

Выходная проводимость = 610^-5Сим ( при= 5 мА,= 5 В).

Емкость коллектора 5 пФ (при= 10 В, f = 10⁷Гц).

Сопротивление базы =150 Ом.

Зависимость параметров от режима транзистора:

Входное сопротивление .

Крутизна .

Емкость коллекторного перехода .

Расчетные параметры:

Емкость эмиттерного перехода ,.

Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода .

Собственная постоянная времени транзистора .

Входная емкость транзистора ,

где — коэффициент усиления транзистора в каскаде по напряжению.

Выходная емкость транзистора .

Приложение 4

Федеральное агентство по образованию

ГОУ ВПО «Уральский государственный технический университет – УПИ»

Радиотехнический факультет

Кафедра «Радиоэлектроника информационных систем»

Лаборатория «Аналоговая обработка сигналов»

ОТЧЕТ

по лабораторной работе №1

«Исследование усилительного каскада в схеме с ОЭ»

Группа Р-394 Преподаватель

Студент Иванов Н.

И. Петров П.П.

(подпись) (отметка о зачете)

(дата) (подпись)

(дата)

Екатеринбург 2009

Схема электроснабжения гаража

Напомню, что это схема конкретного экземпляра устройства (см.: Гаражное электроснабжение) и некоторые его части могут выглядеть избыточными, а параметры отдельных элементов с большая маржа. Тем не менее, он был настроен и приспособлен к реальным условиям эксплуатации и полностью работоспособен.

Назначение отдельных элементов схемы и работу устройства удобнее рассмотреть на следующей структурной схеме.

1. Трансформаторы и выпрямители;

2. Драйвер опорного напряжения для схемы защиты от короткого замыкания;

3. Активный элемент защиты от короткого замыкания;

4. Формирователь опорного напряжения для схемы стабилизации и регулировки выходного напряжения;

5. Узел регулировки выходного напряжения;

6. Активный элемент стабилизации и регулировки выходного напряжения;

7. Регулирующие транзисторы;

8. Узел отображает параметры выходного напряжения.

Рис. 1. Электрическая схема электроснабжения гаража (кликните на картинку для увеличения)

Рис. 2. Блок-схема блока питания (кликните на картинку для увеличения)

Рабочая схема:

Выпрямители:

Входное напряжение 220 вольт через предохранитель поступает на обмотку трансформатора (первичную). Нижняя вторичная обмотка трансформатора (блок 1) выполнена из толстого провода и имеет маркировку 8-8′, напряжение с этой обмотки будет использоваться для питания нагрузки. Диодный мост, собранный на мощных диодах Д231 (Imax=10А), выпрямляет напряжение. Пульсации напряжения сглаживает конденсатор С1. Ниже представлена схема диодного моста, собранного на диодах Д231.

Аналогично собирается выпрямитель на диодной сборке VD2 для получения опорных напряжений. Светодиод HL1 – для индикации наличия сетевого напряжения на входе блока питания. Ток через него ограничивается резистором R1.

Работа схемы стабилизации выходного напряжения

Узел 4 — собственно параметрический стабилизатор на резисторе R2 и стабилитронах VD5, VD6. Напряжение стабилизации 18 вольт выбрано для расширения пределов регулирования выходного напряжения.

Переменным резистором R4 можно регулировать напряжение на базе VT2. Соответственно изменится напряжение на его эмиттере, а значит и на базах, включенных параллельно выходных транзисторов, что в свою очередь приведет к изменению выходного напряжения.

Теперь схема будет стремиться поддерживать установленный уровень выходного напряжения. Для обеспечения большей устойчивости параметрический стабилизатор питается от отдельной обмотки 5-15.

Схема защиты от короткого замыкания

При нормальной работе устройства транзистор VT1 закрыт и не мешает работе схемы стабилизации выходного напряжения. Диоды VD3, VD4 используются как стабилитроны, так как включаются прямой полярностью, то есть постоянно разомкнуты. При протекании тока через открытый диод на нем падает около одного вольта. Таким образом, база транзистора VT1 имеет фиксированный потенциал около двух вольт. Напряжение на эмиттере транзистора равно выходному напряжению (эмиттер подключен к выходу).

Если в нагрузке произойдет короткое замыкание, выходное напряжение (а значит, и эмиттерное VT1) резко упадет и станет меньше напряжения на базе VT1, транзистор VT1 откроется шунтированием резистора R4 (напряжение на база VT2 упадет почти до нуля), что закроет транзистор VT2 вперед — закрытие VT3 — VT6. Ток через закрытые транзисторы минимален и уже не может их повредить.

После устранения короткого замыкания схема вернется в нормальный режим работы.

Детали блока питания

Трансформатор ТСА-270-1

Диодный мост VD1 собран на диодах Д231, можно использовать любые выпрямительные диоды на токи до 10 ампер, например: 10А02 (U=100В, I = 10А), КД213 (У = 200В, I = 10А).

Диодный мост VD2 собран на диодах 1N4007, можно подать любое напряжение 100 вольт (т.к. переменное напряжение на обмотке 5-15=70 вольт), например: КД221 с любой буквой (U≥100В, I = 0,5 А).

Диоды VD3, VD4 — КД522, можно выбрать другие кремниевые, например: Д226, КД106

Стабилитроны VD5, VD6 — Д814Б можно заменить одним или несколькими последовательно соединенными для получения необходимого напряжения стабилизации, например: KC509B (Uстаб=18В).

Транзисторы VT1 — КТ312, VT2 — 2Т608А, VT3 — VT6 — КТ829. Вместо этих типов вполне применимы другие транзисторы обратной проводимости малой, средней и большой мощности. Например: КТ503Е, КТ603А, КТ819А.

Светодиоды индикаторные — любые из имеющихся, используются — АЛ307БМ и ВМ.

Николай Мартов

Баланс мощности в сжатой плазме А.Т.К. (Технический отчет)

Баланс мощности в сжатой плазме А.Т.К. (Технический отчет) | ОСТИ.GOV

перейти к основному содержанию

Полная запись
Другое связанное исследование

УВД равновесие сжатой плазмы поддерживается в течение нескольких периодов удержания энергии электронов. Анализ баланса мощности для этой плазмы дает время удержания от 2,0 до 2,5 мс для сжатой плазмы по сравнению с временем удержания 3,0 мс для несжатой плазмы.

Авторов:: Доуни, CC; Бол, К.

Дата публикации:: 1976-11-01

Исследовательская организация:: Принстонская лаборатория физики плазмы. (PPPL), Принстон, Нью-Джерси (США)

Идентификатор ОСТИ:: 7134664

Номер(а) отчета:: ПППЛ-1301
РНН: 77-004090

Номер контракта с Министерством энергетики:: Э(11-1)-3073

Тип ресурса:: Технический отчет

Страна публикации:: США

Язык:: Английский

Тема:: 70 ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ТЕХНОЛОГИЯ СТЯЖКИ; УСТРОЙСТВА УВД; УДЕРЖАНИЕ ПЛАЗМЫ; АДИАБАТИЧЕСКИЙ СЖАТЫЙ НАГРЕВ; ЭЛЕКТРОННАЯ ПЛОТНОСТЬ; ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ БАЛАНС; РАВНОВЕСНАЯ ПЛАЗМА; ЗАКРЫТЫЕ ПЛАЗМЕННЫЕ УСТРОЙСТВА; УДЕРЖАНИЕ; ОБОГРЕВ; ПЛАЗМА; ПЛАЗМЕННЫЙ НАГРЕВ; ТЕРМОЯДЕРНЫЕ УСТРОЙСТВА; УСТРОЙСТВА ТОКАМАКА; 700101 * — Fusion Energy — Исследование плазмы — Удержание, нагрев и производство

Форматы цитирования

MLA
АПА
Чикаго
БибТекс

Daughney, C. C., and Bol, K. Баланс мощности в сжатой плазме ATC . США: Н. П., 1976. Веб. дои: 10.2172/7134664.

Копировать в буфер обмена

Daughney, C.C., & Bol, K.. Баланс мощности в сжатой плазме A.T.C. . Соединенные Штаты. https://doi.org/10.2172/7134664

Копировать в буфер обмена

Догни, К.С., и Бол, К., 1976. «Баланс мощности в сжатой плазме ATC». Соединенные Штаты. https://doi.org/10.2172/7134664. https://www.osti.gov/servlets/purl/7134664.

Копировать в буфер обмена

@статья{osti_7134664, title = {Баланс мощности в сжатой плазме A.T.C.}, автор = {Догни, К.С. и Бол, К.}, abstractNote = {The A.T.C. равновесие сжатой плазмы поддерживается в течение нескольких периодов удержания энергии электронов.

Транзистор КТ312 | Радиодетали в приборах

Содержание драгоценных металлов в транзисторе: КТ312

Типы транзисторов

Маркировка транзисторов СССР

Приложение 3 основные параметры транзистора кт312б

Приложение 4

Оглавление

Схема электроснабжения гаража

Баланс мощности в сжатой плазме А.Т.К. (Технический отчет)

Форматы цитирования

`alexxlab`

`Добавить комментарий Отменить ответ`

Рубрики