Буквенно-цифровая и цветовая маркировка индуктивностей

Буквенно-цифровая маркировка катушек индуктивностей и дросселей

Предлагаемые ниже данные будут полезны радиолюбителям при ремонте недорогих радиоприемников и магнитол моделей китайского и другого производства.

Обычно для индуктивностей кодируется номинальное значение индуктивности и допуск, т.е. допускаемое отклонение от указанного номинала. Номинальное значение кодируется цифрами, а допуск — буквами.

Примеры обозначения индуктивностей буквенно-цифровым кодом представлен на рисунке ниже. 

Применяются два вида кодирования.

1.   Первые две цифры указывают значение в микрогенри (мкГн), последняя — количество нулей. Следующая за цифрами буква указывает на допуск.

Буква M — ±20%, К — ±10%, J — ±5%. Например, код 272J обозначает 2700 мкГн± 5%. Смотрите рисунок выше. Если последняя буква не указывается, то допуск считается 20%.

ПРИМЕЧАНИЕ: для индуктивностей меньше 10 мкГн роль десятичной запятой выполняет буква R, а для индуктивностей меньше 1 мкГн — буква N.

Примеры в таблице ниже.

2.  Индуктивности маркируются в микрогенри (мкГн). В таких случаях маркировка 680К будет означать 68 мкГн ±10%, а 681J — 680 мкГн ± 10%.

Примеры обозначения индуктивностей

2N2D — 2,2 нГн ±0,3%; 22N —22 нГн ± 20%; R10M — 0,10 мкГн±20%; R15M — 0,15 мкГн±20%; R22M — 0,22 мкГн±20%; R33M – 0,33 мкГн±20%; R47M — 0,47 мкГн ± 20%; R68M — 0,68 мкГн ± 20%; 1R0K -1 мкГн±10%; 1R2К-1,2 мкГн ± 10%; 2R2K — 2,2 мкГн ± 10%; 3R3K —3,3 мкГн ± 10%; 4R7K —4,7 мкГн ± 10%; 6R8K—6,8 мкГн± 10%; 100К — 10мкГн ±10%; 150К- 15 мкГн ± 10%; 220К- 22 мкГн± 10%; 330К- 33 мкГн ± 10%; 470К- 47 мкГн± 10%; 680К- 68 мкГн± 10%; 101К-100 мкГн ± 10%; 151К — 150 мкГн ± 10%; 221К —220 мкГн± 10%; 331К-330 мкГн ± 10%; 471J —470 мкГн ± 5%; 681J —680 мкГн± 5% 102К-1000 мкГ ± 10%; 272J обозначает 2700 мкГн± 5% и т.д.

Цветовая маркировка катушек индуктивностей и дросселей

После введения стандарта IEC 82 для индуктивностей кодируется номинальное значение индуктивности и допуск, т. е. допускаемое отклонение от указанного номинала цветными метками. Наиболее часто применяется кодировка 4 или 3 цветными кольцами или точками. Первые две метки указывают на значение номинальной индуктивности в микрогенри (мкГн), третья метка — множитель, четвертая — допуск. В случае кодирования 3 метками подразумевается допуск 20%.

Цветное кольцо, обозначающее первую цифру номинала, может быть шире, чем все остальные.

 

Цветовая маркировка контурных катушек зарубежного производства

Радиолюбителям все чаще приходится сталкиваться с необходимостью ремонта импортных радиоприемников. Одной из причин частого выхода их из строя является неисправность контурных катушек. Как показывает статистика, она занимает второе место после поломки всевозможных переключателей. Хотя маркировка современных импортных контурных катушек, похоже, унифицирована, в популярной литературе найти сведения о ней весьма затруднительно.

Чаще всего в радиоприемниках применяются контурные катушки размерами 10x10x14 мм и 8x8x11 мм. Все обмотки обычно намотаны внавал эмалированным проводом диаметром 0,05—0,12 мм на ферритовом магнитопроводе, приклеенном к пластмассовому основанию. Контурные катушки намотаны поверх катушек связи и залиты парафином. Подстроечником служит ферритовый горшок, имеющий резьбу на наружной поверхности и шлиц под отвертку. Весь контур заключен в латунный экран. В контурах, применяемых в трактах ПЧ, имеются встроенные конденсаторы.

Цветовая маркировка популярных катушек индуктивности, Цветовая маркировка катушек представляет собой пятна или полосы краски, нанесенные соответственно на дно магнитопровода или на экран.

Схемы контурных катушек

В таблице ниже указаны намоточные данные, назначение, емкость встроенного конденсатора и цветовая маркировка катушек размерами 10 х 10 х 14 мм.

Контурные катушки размерами 8 x 8 x 11 мм — имеют то же назначение и емкость встроенного конденсатора, но их обмотки могут быть намотаны более тонким проводом, и содержать большее число витков. Эти катушки менее популярны, чем катушки размерами 10 x 10 x 14 мм.

Цвет маркировки	Назначение контурных катушек	Схема включения обмоток по рисунку	Номера выводов обмоток	Число витков	Емкость встроенного конденсатора, пФ
Желтый	Фильтр ПЧ-АМ 455…460 кГц	а	1-2-3 4-6	100 + 50 9	190
Белый	Детектор ПЧ-АМ 455…460 кГц	б	1-2-3	50+50	410
Оранжевый	Фильтр ПЧ-ЧМ 10,7МГц*	в	1-3 4-6	12 2	75
Сиреневый	Фильтр ПЧ-ЧМ 10,7 МГц	в	1-3 4-6	11 2	90
Розовый	Дискриминатор ПЧ-ЧМ 10,7 МГц**	г	1-3	7	190
Зеленый или синий	Дискриминатор ПЧ-ЧМ 10,7 МГц**	г	1-3	11	90
Красный	Контур гетеродина AM СВ-ДВ	д, е, ж	1-3 4-6 2-3	80… 100*** 8…12	—

Примечания.

* Может использоваться вместо синего и зеленого.

** Применяются с различными микросхемами.

*** Число витков зависит от ёмкости КПЕ. Соотношение числа витков обмоток контурной катушки и катушки связи выбрано в пределах 10:1 — 8:1.

Индуктивности серии ЕС24

Номинал индуктивности и его допустимые отклонения обозначаются цветными полосками. Полоски 1 и 2 определяют две цифры номинала (в микрогенри), между которыми стоит десятичная запятая, полоска 3 — десятичный множитель, полоска 4 — точность.

Например, (смотрите фото выше) индуктивность, на которую нанесены коричневая, чёрная, черная и серебристая полоски, имеет номинал 10×1 = 10 мкГн и точность 10%.

Назначение цветовых полос индуктивностей

Цвет	1 -я и 2-я цифры номинала	Множитель	Точность
Черный	0	1	±20%
Коричневый	1	10	—
Красный	2	100	—
Оранжевый	3	1000	—
Желтый	4	—	—
Зеленый	5	—	—
Голубой	6	—	—
Фиолетовый	7	—	—
Серый	8	—	—
Белый	9	—	—
Золотой	—	о,1	±5%
Серебряный	—	0,01	±10%

Малогабаритные постоянные индуктивности серии ЕС24, с размерами 10 х 10 х 14 мм представляют собой миниатюрную катушку с ферритовым сердечникам, размещенную в изолирующем корпусе с двумя выводами.

Диапазон номинальных значений индуктивности — 10… 1000 мкГн; точность — 5, 10, 20%; температурный диапазон — от -20 до +100 °С.

Полный список всех  индуктивностей серии ЕС24 и их параметры приведены в таблице ниже.

Цветовая маркировка индуктивностей типа ЕС24

Наименование	Индуктивность, мкГн	Точность,%	Добротность, (mill)	Тестовая частота, МГц	Активное сопротивление (max), Ом	Постоянный ток (max), мА
EC24-R10M	0,10	±20	30	25,2	0,08	700
EC24-R12M	0,12	±20	30	25,2	0,085	700
EC24-R15M	0,15	±20	30	25,2	0,095	700
EC24-R18M	0,18	±20	30	25,2	0,12	700
EC24-R22M	0,22	±20	40	25,2	0,15	700
EG24-R27M	0,27	±20	40	25,2	0,15	700
EC24-R33M	0,33	±20	40	25,2	0,15	700
EC24-R39M	0,39	±20	40	25,2	0,17	700
EC24-R47M	0,47	±20	40	25,2	0,17	700
EC24-R56M	0,56	±20	40	25,2	0,17	700
EC24-R68M	0,68	±20	40	25,2	0,18	700
EC24-R82M	0,82	±20	40	25,2	0,18	700
EC24-1ROK	1,00	±10	40	25,2	0,18	700
EC24-1R2K	1 ,20	±10	40	7,96	0,18	700
EC24-1R5K	1,50	±10	40	7,96	0,20	700
EC24-1R8K	1,80	±10	40	7,96	0,23	655
EC24-2R2K	2,20	±10	40	7,96	0,25	630
EC24-2R7K	2,70	±10	40	7,96	0,28	595
EC24-3R3K	3,30	±10	40	7,96	0,30	575
EC24-3R9K	3,90	±10	40	7,96	0,32	555
EC24-4R7K	4,70	±10	40	7,96	0,35	530
EC24-5R6K	5,60	±10	40	7,96	0,40	500
EC24-6R8K	6,80	±10	40	7,96	0,45	470
EC24-8R2K	8,20	±10	40	7,96	0,56	425
EC24-J00K	10	±10	40	7,96	0,72	370
ЕС24-120К	12	±10	40	2,52	0,80	350
ЕС24-150К	15	±10	40	2,52	0,88	335
ЕС24-180К	18	±10	40	2,52	1,00	315
ЕС24-220К	22	±10	40	2,52	1,20	285
ЕС24-270К	27	±10	40	2,52	1,35	270
ЕС24-330К	33	±10	40	2,52	1,50	255
ЕС24-390К	39	±10	40	2,52	1,70	240
ЕС24-470К	47	±10	50	2,52	2,30	205
ЕС24-560К	56	±10	50	2,52	2,60	195
ЕС24-680К	68	±10	50	2,52	2,90	185
ЕС24-820К	82	±10	50	2,52	3,20	175
ЕС24-101К	100	±10	50	2,52	3,50	165
ЕС24-121К	120	±10	60	0,796	3,80	160
ЕС24-151К	150	±10	60	0,796	4,40	150
ЕС24-181К	180	±10	60	0,796	5,00	140
EC24-221K	220	±10	60	0,796	5,70	130
ЕС24-271К	270	±10	60	0,796	7,50	120
ЕС24-331К	330	±10	60	0,796	9,50	100
ЕС24-391К	390	±10	60	0,796	10,50	95
ЕС24-471К	470	±10	60	0,796	11,60	90
ЕС24-561К	560	±10	60	0,796	13,00	85
ЕС24-681К	680	±10	60	0,796	18,00	75
ЕС24-821К	820	±10	60	0,796	23,70	65
EC24-102K	1000	±10	50	0,796	30,00	60

Метки: [ service manual, справка, цветовая маркировка ]

ПОДЕЛИТЕСЬ СО СВОИМИ ДРУЗЬЯМИ:

П О П У Л Я Р Н О Е:

• Параметры транзисторов МП26 — МП42

Параметры транзисторов

МП26, МП35

Тип прибора	Структура	Pк max [ мВт ]	fгр, f*h316 [ МГц ]	Uкбо max [ В ]	Uэбо max [ В ]
МП26 МП26А МП26Б	p-n-p p-n-p p-n-p	200 200 200	≥0. 2* ≥0.2* ≥0.5*	70 70 70	70 70 70
МП35	n-p-n	150	≥0.5*	15	—

Подробнее…

• Сервис мануал телевизоров
Команды на вход в сервисное меню телевизора

Ниже перечислены сведения для квалифицированных мастеров! Перед изменением параметров рекомендуем записать текущие данные для возможного возврата в исходное состояние. В любом случае, авторы статьи за выход из строя телевизора из за ошибочных действий в сервисном меню ответственности не несут.

Подробнее…

• Параметры транзисторов отечественного производства

параметры отечественных транзисторов

Ещё довольно часто приходится «сталкиваться» с транзисторами отечественного производства. Ниже, в таблице представлены основные технические характеристики отечественных транзисторов, часто используемых в радиоаппаратуре от ГТ313А до КТ999А.
Подробнее…

Популярность: 109 547 просм.

Способы изменения индуктивности катушки

ОБЩАЯ ЭЛЕКТРОТЕХНИКА И ЭЛЕКТРОНИКА. ЭЛЕКТРИЧЕСТВО И МАГНЕТИЗМ

Накопленная энергия в индуктивности Гидравлическая модель Индуктивность в электрических цепях Схемы соединения катушек индуктивностей Параллельное соединение индуктивностей Последовательное соединение индуктивностей Добротность катушки индуктивности Катушка индуктивности. Формула индуктивности Базовая формула индуктивности катушки Индуктивность прямого проводника Индуктивность катушки с воздушным сердечником Индуктивность многослойной катушки с воздушным сердечником Индуктивность плоской катушки Конструкция катушки индуктивности Применение катушек индуктивности Расчет катушек индуктивности Метод определения собственной ем­кости катушек Расчет и изготовление плоских катушек индуктивности Расчет однослойной катушки

Катушка индуктивности

— является пассивным компонентом электронных схем, основное предназначение которой является сохранение энергии в виде магнитного поля. Свойство катушки индуктивности чем-то схоже с конденсатором, который хранит энергию в виде электрического поля.

Индуктивность (измеряется в Генри) — это эффект возникновения магнитного поля вокруг проводника с током. Ток, протекающий через катушку индуктивности, создает магнитное поле, которое имеет связь с электродвижущей силой (ЭДС) оказывающее противодействие приложенному напряжению.

Возникающая противодействующая сила (ЭДС) противостоит изменению переменного напряжения и силе тока в катушке индуктивности. Это свойство индуктивной катушки называется индуктивным сопротивлением. Следует отметить, что индуктивное сопротивление находится в противофазе к емкостному реактивному сопротивлению конденсатора в цепи переменного тока. Путем увеличения числа витков можно повысить индуктивность самой катушки.

Обозначение, параметры и разновидности катушек индуктивности

Одним из самых известных и необходимых элементов аналоговых радиотехнических схем является катушка индуктивности. В цифровых электронных схемах индуктивные элементы практически потеряли свою актуальность и применяются только в устройствах питания как сглаживающие фильтры. Катушки индуктивности на принципиальных схемах обозначаются латинской буквой “L” и имеют следующее изображение. Разновидностей катушек индуктивности существуют десятки. Они бывают высокочастотные, низкочастотные, с подстроечными сердечниками и без них. Бывают катушки с отводами, катушки, рассчитанные на большие напряжения. Вот так, например, выглядят бескаркасные катушки. Катушки для СВЧ аппаратуры называются микрополосковыми линиями.

Они даже внешне не похожи на катушки. С катушками индуктивности связан такой эффект как резонанс и гениальный Никола Тесла получал на резонансных трансформаторах миллионы вольт. Основной параметр катушки это её индуктивность. Величина индуктивности измеряется в Генри (Гн, англ. – «H»). Это достаточно большая величина и поэтому на практике применяют меньшие значения (мГн, mH – миллигенри и мкГн, μH– микрогенри) соответственно 10 -3 и 10 -6 Генри. Величина индуктивности катушки указывается рядом с её условным изображением (например, 100 μH). Чтобы не запутаться в микрогенри и миллигенри, советую узнать, что такое сокращённая запись численных величин.

Маркировка цветная.

Многие факторы влияют на индуктивность катушки. Это и диаметр провода, и число витков, а на высоких частотах, когда применяют бескаркасные катушки с небольшим числом витков, то индуктивность изменяют, сближая или раздвигая соседние витки. Часто для увеличения индуктивности внутрь каркаса вводят сердечник из ферромагнетика, а для уменьшения индуктивности сердечник должен быть латунным. То есть можно получить нужную индуктивность не увеличением числа витков, что ведёт к увеличению сопротивления, а использовать катушку с меньшим числом витков, но использовать ферритовый сердечник. Катушка индуктивности с сердечником изображается на схемах следующим образом.

В реальности катушка с сердечником может выглядеть так. Также можно встретить катушки индуктивности с подстроечным сердечником. Изображаются они вот так. Катушка с подстроечным сердечником вживую выглядит так. Такая катушка, как правило, имеет сердечник, положение которого можно регулировать в небольших пределах. При этом величина индуктивности также меняется. Подстроечные катушки индуктивности применяются в устройствах, где требуется одноразовая подстройка. В дальнейшем индуктивность не регулируют. Наряду с подстроечными катушками можно встретить и катушки с регулируемой индуктивностью. На схемах такие катушки обозначаются вот так. В отличие от подстроечных катушек, регулируемые катушки индуктивности допускают многократную регулировку положения сердечника, а, следовательно, и индуктивности. Ещё один параметр, который встречается достаточно часто это добротность контура.

Под добротностью понимается отношение между реактивным и активным сопротивлением катушки индуктивности. Добротность обычно бывает в пределах 15 – 350. На основе катушки индуктивности и конденсатора выполнен самый необходимый узел радиотехнических устройств, колебательный контур. На схеме изображён входной контур простого радиоприёмника рассчитанного на работу в диапазонах средних и длинных волн. В настоящее время в этих диапазонах станций практически нет. Катушка индуктивности L1 имеет достаточно большое число витков, чтобы перекрыть диапазон по максимуму. Для улучшения приёма к первой обмотке L1 подключается внешняя антенна. Это может быть простой кусок проволоки длиной в пределах двух метров.

Благодаря большому числу витков в индуктивности L1 присутствует целый спектр частот и как минимум пять — шесть работающих радиостанций. Две индуктивности L1 и L2 намотанные на одном каркасе представляют собой высокочастотный трансформатор. Для того чтобы выделить на катушке индуктивности L2 станцию, работающую, допустим на частоте 650 КГц необходимо с помощью переменного конденсатора C1 настроить колебательный контур на данную частоту. После этого выделенный сигнал можно подавать на базу транзистора усилителя высокой частоты. Это одно из применений катушки индуктивности. Точно на таком же принципе построены выходные каскады радио- и телевизионных передатчиков только наоборот. Антенна не принимает слабый сигнал, а отдаёт в пространство ЭДС.

Обозначение катушек индуктивности.

Накопленная энергия в индуктивности

Как известно магнитное поле обладает энергией. Аналогично тому, как в полностью заряженном конденсаторе существует запас электрической энергии, в индуктивной катушке, по обмотке которой течет ток, тоже существует запас — только уже магнитной энергии.

Энергия, запасенная в катушке индуктивности равна затраченной энергии необходимой для обеспечения протекания тока I в противодействии ЭДС. Величина запасенной энергии в индуктивности можно рассчитать по следующей формуле:

где L — индуктивность, I — ток, протекающий через катушку индуктивности.

Параметры катушек индуктивности

Главной характеристикой катушек называют индуктивность. Физическая величина, в СИ измеряемая Гн (генри), характеризующая величину мнимой составляющей сопротивления конструкции. Параметр показывает, как много магнитного поля запасет катушка. Для простоты энергию за период считают пропорциональной произведению LI2, где L – индуктивность, I – протекающий в системе ток.

Формула расчета индуктивности

Теоретический расчет главного параметра катушек сильно определен конструкцией. Выпускаются специальные методические пособия, формула (см. рисунок: S – площадь сечения намотки, l – длина катушки, N – количество витков проволоки, в формуле – магнитная постоянная и магнитная проницаемость сердечника), приведенная на картинке, частный вариант. Когда индуктивность напоминает катушку. Имеются специальные программы для персонального компьютера, упрощающие процесс.

К вторичным параметрам катушек индуктивности относят:

• Добротность. Характеризует потери на активном сопротивлении.
• Собственная индуктивность (см. выше).
• Температурная стабильность параметров.

Гидравлическая модель

Работу катушки индуктивности можно сравнить с работой гидротурбины в потоке воды. Поток воды, направленный сквозь еще не раскрученную турбину, будет ощущать сопротивление до того момента, пока турбина полностью не раскрутится.

Далее турбина, имеющая определенную степень инерции, вращаясь в равномерном потоке, практически не оказывая влияния на скорость течения воды. В случае же если данный поток резко остановить, то турбина по инерции все еще будет вращаться, создавая движение воды. И чем выше инерция данной турбины, тем больше она будет оказывать сопротивление изменению потока.

Также и индуктивная катушка сопротивляется изменению электрического тока протекающего через неё.

Индуктивность в электрических цепях

В то время как конденсатор оказывает сопротивление изменению переменного напряжения, индуктивность же сопротивляется переменному тока. Идеальная индуктивность не будет оказывать сопротивление постоянному току, однако, в реальности все индуктивные катушки сами по себе обладают определенным сопротивлением.

В целом, отношение между изменяющимися во времени напряжением V(t) проходящим через катушку с индуктивностью L и изменяющимся во времени током I(t), проходящим через нее можно представить в виде дифференциального уравнения следующего вида:

Когда переменный синусоидальной ток (АС) протекает через катушку индуктивности, возникает синусоидальное переменное напряжение (ЭДС). Амплитуда ЭДС зависит от амплитуды тока и частоте синусоиды, которую можно выразить следующим уравнением:

где ω является угловой частотой резонансной частоты F:

Причем, фаза тока отстает от напряжения на 90 градусов. В конденсаторе же все наоборот, там ток опережает напряжение на 90 градусов. Когда индуктивная катушка соединена с конденсатором (последовательно либо параллельно), то образуется LC цепь, работающая на определенной резонансной частоте.

Индуктивное сопротивление ХL определяется по формуле:

где ХL — индуктивное сопротивление, ω — угловая частота, F — частота в герцах, и L индуктивность в генри.

Индуктивное сопротивление — это положительная составляющая импеданса. Оно измеряется в омах. Импеданс катушки индуктивности (индуктивное сопротивление) вычисляется по формуле:

Определение и принцип действия

Катушка индуктивности — это катушка смотанного в спираль или другую форму изолированного проводника. Основные особенности и свойства: высокая индуктивность при низкой ёмкости и активном сопротивлении.

Она накапливает энергию в магнитном поле. На рисунке ниже вы видите её условное графическое обозначение на схеме (УГО) в разных видах и функциональных назначениях.

Она может быть с сердечником и без него. При этом с сердечником индуктивность будет в разы больше, чем если его нет. От материала, из которого изготовлен сердечник, также зависит величина индуктивности. Сердечник может быть сплошным или разомкнутым (с зазором).

Напомним один из законов коммутации:

Ток в индуктивности не может измениться мгновенно.

Это значит, что катушка индуктивности — это своего рода инерционный элемент в электрической цепи (реактивное сопротивление).

Давайте поговорим, как работает это устройство? Чем больше индуктивность, тем больше изменение тока будет отставать от изменения напряжения, а в цепях переменного тока — фаза тока отставать от фазы напряжения.

В этом и заключается принцип работы катушек индуктивности – накопление энергии и задерживание фронта нарастания тока в цепи.

Из этого же вытекает и следующий факт: при разрыве в цепи с высокой индуктивностью напряжение на ключе повышается и образуется дуга, если ключ полупроводниковый — происходит его пробой. Для борьбы с этим используются снабберные цепи, чаще всего из резистора и конденсатора, установленного параллельно ключу.

Схемы соединения катушек индуктивностей

Параллельное соединение индуктивностей

Напряжение на каждой из катушек индуктивностей, соединенных параллельно, одинаково. Эквивалентную (общую) индуктивность параллельно соединенных катушек можно определить по формуле:

Последовательное соединение индуктивностей

Ток, протекающий через катушки индуктивности соединенных последовательно, одинаков, но напряжение на каждой катушке индуктивности отличается. Сумма разностей потенциалов (напряжений) равна общему напряжению. Общая индуктивность последовательно соединенных катушек можно высчитать по формуле:

Эти уравнения справедливы при условии, что магнитное поле каждой из катушек не оказывает влияние на соседние катушки.

Добротность катушки индуктивности

На практике катушка индуктивности имеет последовательное сопротивление, созданное медной обмоткой самой катушки. Это последовательное сопротивление преобразует протекающий через катушку электрический ток в тепло, что приводит к потере качества индукции, то есть добротности. Добротность является отношением индуктивности к сопротивлению.

Добротность катушки индуктивности может быть найдена через следующую формулу:

где R является собственным сопротивлением обмотки.

Катушка индуктивности. Формула индуктивности

Базовая формула индуктивности катушки

• L = индуктивность в генри
• μ 0 = проницаемость свободного пространства = 4π x 10 -7 Гн / м
• μ г = относительная проницаемость материала сердечника
• N = число витков
• A = Площадь поперечного сечения катушки в квадратных метрах (м 2 )
• l = длина катушки в метрах (м)

Индуктивность прямого проводника

• L = индуктивность в нГн
• l = длина проводника
• d = диаметр проводника в тех же единицах, что и l

Индуктивность катушки с воздушным сердечником

• L = индуктивность в мкГн
• r = внешний радиус катушки
• l = длина катушки
• N = число витков

Индуктивность многослойной катушки с воздушным сердечником

• L = индуктивность в мкГн
• r = средний радиус катушки
• l = длина катушки
• N = число витков
• d = глубина катушки

Индуктивность плоской катушки

• L = индуктивность в мкГн
• r = средний радиус катушки
• N = число витков
• d = глубина катушки

Назначение сердечников в катушках индуктивности

Сердечник увеличивает индуктивность катушки. Действительно катушка с сердечником обладает большим магнитным полем а значит на ней будет индуктироваться большая э. д.

с. самоиндукции. Если положение сердечника в катушке можно изменять, значит можно изменять индуктивность катушки.

Изображение сердечников на схемах

[custom_ads_shortcode1]

Конструкция катушки индуктивности

Катушка индуктивности представляет собой обмотку из проводящего материала, как правило, медной проволоки, намотанной вокруг либо железосодержащего сердечника, либо вообще без сердечника.

Применение в качестве сердечника материалов с высокой магнитной проницаемостью, более высокой чем воздух, способствует удержанию магнитного поля вблизи катушки, тем самым увеличивая ее индуктивность. Индуктивные катушки бывают разных форм и размеров.

Большинство изготавливаются путем намотки эмалированного медного провода поверх ферритового сердечника.

Некоторые индуктивные катушки имеют регулируемый сердечник, при помощи которого обеспечивается изменение индуктивности.

Миниатюрные катушки могут быть вытравлены непосредственно на печатной плате в виде спирали. Индуктивности с малым значением могут быть расположены в микросхемах с использованием тех же технологических процессов, которые используются при создании транзисторов.

Применение катушек индуктивности

Индуктивности широко используются в аналоговых схемах и схемах обработки сигналов. Они в сочетании с конденсаторами и другими радиокомпонентами образуют специальные схемы, которые могут усилить или отфильтровать сигналы определенной частоты.

Катушки индуктивности получили широкое применение начиная от больших катушек индуктивности, таких как дроссели в источниках питания, которые в сочетании с конденсаторами фильтра устраняют остаточные помехи и другие колебания на выходе источника питания, и до столь малых индуктивностей, которые располагаются внутри интегральных микросхем.

Две (или более) катушки индуктивности, которые соединены единым магнитным потоком, образуют трансформатор, являющимся основным компонентом схем работающих с электрической сетью электроснабжения. Эффективность трансформатора возрастает с увеличением частоты напряжения.

По этой причине, в самолетах используется переменное напряжение с частотой 400 герц вместо обычных 50 или 60 герц, что в свою очередь позволяет значительно сэкономить на массе используемых трансформаторов в электроснабжении самолета.

Так же индуктивности используются в качестве устройства для хранения энергии в импульсных стабилизаторах напряжения, в высоковольтных электрических системах передачи электроэнергии для преднамеренного снижения системного напряжения или ограничения ток короткого замыкания.

Разновидности катушек индуктивности

Контурные катушки индуктивности, используемые в радиотехнике
Эти катушки используются совместно с конденсаторами для организации резонансных контуров. Они должны иметь высокую термо- и долговременную стабильность, и добротность, требования к паразитной ёмкости обычно несущественны.
Катушки связи, или трансформаторы связи
Взаимодействующие магнитными полями пара и более катушек обычно включаются параллельно конденсаторам для организации колебательных контуров. Такие катушки применяются для обеспечения трансформаторной связи между отдельными цепями и каскадами, что позволяет разделить по постоянному току, например, цепь базы последующего усилительного каскада от коллектора предыдущего каскада и т. д. К нерезонансным разделительным трансформаторам не предъявляются жёсткие требования на добротность и точность, поэтому они выполняются из тонкого провода в виде двух обмоток небольших габаритов. Основными параметрами этих катушек являются индуктивность и коэффициент связи (коэффициент взаимоиндукции).
Вариометры
Это катушки, индуктивностью которых можно управлять (например, для перестройки частоты резонанса колебательных контуров) изменением взаимного расположения двух катушек, соединённых последовательно. Одна из катушек неподвижная (статор), другая обычно располагается внутри первой и вращается (ротор). Существуют и другие конструкции вариометров. При изменении положения ротора относительно статора изменяется степень взаимоиндукции, а следовательно, индуктивность вариометра. Такая система позволяет изменять индуктивность в 4 − 5 раз. В ферровариометрах индуктивность изменяется перемещением ферромагнитного сердечника относительно обмотки, либо изменением длины воздушного зазора замкнутого магнитопровода.
Дроссели
Это катушки индуктивности, обладающие высоким сопротивлением переменному току и малым сопротивлением постоянному. Дроссели включаются последовательно с нагрузкой для ограничения переменного тока в цепи, они часто применяются в цепях питания радиотехнических устройств в качестве фильтрующего элемента, а также в качестве балласта для включения разрядных ламп в сеть переменного напряжения. Для сетей питания с частотами 50-60 Гц выполняются на сердечниках из трансформаторной стали. На более высоких частотах также применяются сердечники из пермаллоя или феррита. Особая разновидность дросселей — помехоподавляющие ферритовые бочонки (бусины или кольца), нанизанные на отдельные провода или группы проводов (кабели) для подавления синфазных высокочастотных помех.

Сдвоенный дроссель

Сдвоенные дроссели Это две намотанных встречно или согласованно катушки индуктивности, используются в фильтрах питания. За счёт встречной намотки и взаимной индукции более эффективны для фильтрации синфазных помех при тех же габаритах. При согласной намотке эффективны для подавления дифференциальных помех. Сдвоенные дроссели получили широкое распространение в качестве входных фильтров блоков питания; в дифференциальных сигнальных фильтрах цифровых линий, а также в звуковой технике.Предназначены как для защиты источников питания от попадания в них наведённых высокочастотных сигналов из питающей сети, так и во избежание проникновения в питающую сеть электромагнитных помех, генерируемых устройством. На низких частотах используется в фильтрах цепей питания и обычно имеет ферромагнитный сердечник (из трансформаторной стали). Для фильтрации высокочастотных помех — сердечник ферритовый.

Расчет катушек индуктивности

Любой проводник с током создает вокруг себя магнитное поле. Отношение магнитного потока этого поля к порождающему его току называется индуктивностью. Индуктивность прямого отрезка проводника невелика и составляет 1…2 мкГн на каждый метр длины в зависимости от диаметра провода (тонкие проводники имеют большую индуктивность). Более точные результаты дает формула

где — длина провода; d — его диаметр. Оба размера надо брать в метрах (под знаком логарифма допустимо в любых, но одинаковых единицах), индуктивность получится в микрогенри. Для облегчения расчетов напомним, что натуральный логарифм любого числа в 2,3 раза больше десятичного логарифма (который можно найти с помощью таблиц, логарифмической линейки или калькулятора), т. е. Inx = 2,3lgx.

Зачем мы дали эту формулу? Поясним примером.

Пусть выводы некоторого радиоэлемента имеют длину 4 см при диаметре 0,4 мм. Сосчитаем их индуктивность:

2,3lg100 = 4,6 и 0,2-0,04-3,6 = 0,03 (округляем).

Итак, индуктивность каждого вывода близка к 0,03 мкГн, а двух выводов — 0,06 мкГн. С емкостью всего 4,5 пФ (а емкость монтажа может быть и больше) такая индуктивность образует колебательный контур, настроенный на частоту 300 МГц, — вспомните формулу Томсона:

f = 1/2π√LC.

Вот почему на УКВ нельзя вести монтаж длинными проводами и оставлять длинные выводы деталей.

Чтобы увеличить индуктивность, проводник сворачивают в кольцо. Магнитный поток внутри кольца возрастает, и индуктивность становится примерно втрое больше:

L = 0,27πD(ln8D/d-2).

Здесь D — диаметр кольца, размерности те же. Дальнейшее увеличение индуктивности происходит при увеличении числа витков, при этом магнитные потоки отдельных витков не только складываются, но и воздействуют на все остальные витки. Поэтому индуктивность возрастает пропорционально квадрату числа витков. Если в катушке N витков, полученную для одного витка индуктивность надо умножить на N2.

Для однослойной цилиндрической катушки с длиной , намного большей диаметра D (рис. 23), индуктивность достаточно точно рассчитывается по формуле

строго выведенной для очень длинного соленоида или тора. Все размерности здесь в системе СИ (метры, Генри), μ0 = 4π·10-7 Гн/м — магнитная константа; S = πD2/4 — площадь поперечного сечения катушки; μ — эффективная магнитная проницаемость магнитопровода. Для незамкнутых магнитопроводов она значительно меньше проницаемости самого материала. Например, для стержня магнитной антенны из феррита марки 600НН (магнитная проницаемость 600) и едва достигает 150. Если магнитопровода нет, μ = 1.

Очень точные результаты эта формула дает для тороидальных катушек, причем l

соответствует длине окружности кольцевого магнитопровода, измеренной по его средней линии. Формула годится и для низкочастотных трансформаторов, намотанных на Ш-образном магнитопроводе (рис. 24).

В этом случае S = ab — площадь сечения магнитопровода, а l

— это средняя длина магнитной силовой линии, показанная на рисунке пунктиром. Для замкнутых магнитопроводов, собранных без зазора, как и для ферритовых колец, и берется равной магнитной проницаемости материала. Малый зазор незначительно снижает μ. Учесть его влияние можно, увеличив длину магнитной силовой линии
l
на величину δμ, где δ — ширина зазора, μ — магнитная проницаемость материала сердечника.

Как видим, от диаметра провода индуктивность практически не зависит. У низкочастотных катушек диаметр провода выбирают исходя из допустимой плотности тока, для медных проводников 2…3 ампера на каждый мм2 сечения проводника. В других случаях, особенно у радиочастотных катушек, стремятся получить минимальное сопротивление проводника, чтобы увеличить добротность (отношение индуктивного сопротивления к активному).

С этой целью надо, казалось бы, увеличивать диаметр провода, но тогда увеличивается длина намотки, что снижает индуктивность, а при тесном, многослойном расположении витков наблюдается эффект «вытеснения» тока из обмотки, что увеличивает сопротивление. Эффект аналогичен вытеснению тока на высоких частотах в любых проводниках, в результате чего ток течет только в тонком скин-слое у поверхности проводника. Толщина скин-слоя уменьшается, а сопротивление провода растет пропорционально корню квадратному из частоты.

Таким образом, для получения нужных индуктивности и добротности совсем не обязательно выбирать самый толстый провод. Например, если однослойную катушку (см. рис. 23) намотать толстым проводом виток к витку или вдвое более тонким проводом, но с шагом, равным диаметру провода, индуктивность останется прежней и добротность почти не уменьшится. Добротность возрастает при увеличении вместе с диаметром провода всех размеров катушки, главным образом, ее диаметра.

Для получения максимальной добротности и индуктивности катушку выгоднее делать короткой, но большого диаметра, с отношением D/l

порядка 2,5. Индуктивность таких катушек более точно рассчитывается по эмпирической (подобранной опытным путем) формуле

где размеры берутся в сантиметрах, а индуктивность получается в микрогенри. Любопытно, что эта же формула применима для спиральной или корзиночной плоской катушки (рис. 25).

В качестве D берут средний диаметр:

D = (Dmax + Dmin)/2

а в качестве l

— ширину намотки,

l

= (Dmax — Dmin)/2.

Индуктивность многослойной катушки без сердечника (рис. 26) вычисляется по формуле

где размеры подставляются в сантиметрах, а индуктивность получается в микрогенри. При плотной рядовой намотке добротность не превосходит 30…50, «рыхлая» намотка (внавал, универсаль) дает большие значения добротности. Еще лучше «сотовая» намотка, теперь практически забытая. На частотах до 10 МГц добротность увеличивается при использовании литцендрата — провода, скрученного из многих тонких изолированных жилок. У литцендрата больше общая поверхность провода, по которой, собственно, и течет ток из-за скин-эффекта, а следовательно, меньше сопротивление на высокой частоте.

Подстроечник из магнитодиэлектрика увеличивает индуктивность вплоть до 2-3 раз, в зависимости от размеров подстроечника. Еще большее увеличение индуктивности дают замкнутые или частично замкнутые магнитопроводы, например, горшкообразные. В этом случае лучше пользоваться строгой формулой для соленоида или тора (см. выше). Добротность катушки на замкнутом магнитопроводе определяется не столько проводом, сколько потерями в материале сердечника.

В заключение главы приведем несколько полезных формул для подсчета активного сопротивления проводов. Погонное сопротивление (на метр длины) медного провода на постоянном токе и низких частотах (Ом/м) легко найти по формуле

FL = 0,0223/d2,

где d — диаметр провода, мм. Толщина скин-слоя для меди (мм) примерно равна 1/15√f

(МГц). Обратите внимание: уже на частоте 1 МГц ток проникает в провод на глубину всего 0,07 мм! В случае, когда диаметр провода больше толщины скин-слоя, сопротивление возрастает по сравнению с сопротивлением на постоянном токе. Погонное сопротивление провода на высокой частоте оценивают по формуле

R = √f/12d (мм).

К сожалению, эти формулы нельзя использовать для определения активного сопротивления катушек, поскольку из-за эффекта близости витков оно получается еще больше.

Практическое руководство по катушкам индуктивности

Большинство проводящих материалов (металлов) является парамагнитными или ферромагнитными, в то время как большинство непроводящих материалов (неметаллов) является диамагнитными. Любой проводник обладает некоторой индуктивностью в ответ на изменение величины или направления протекания тока. Даже обычный прямой провод имеет индуктивность, хотя она достаточно мала, чтобы пренебрегать ею. Если провод свернуть в петлю — его индуктивность увеличится. Чем больше сделать таких одинаковых витков, тем большая индуктивность будет присуща проводу. Индуктивность одиночной петли или катушки из провода может быть многократно увеличена с помощью подходящего ферромагнитного сердечника.

Простейшими катушками индуктивности являются катушки с воздушным сердечником (рисунок 1). Они сделаны путем намотки провода вокруг пластмассового, деревянного или любого не ферромагнитного сердечника. Индуктивность катушки зависит от числа витков, радиуса и общей формы, также она пропорциональна числу витков и диаметру катушки. Индуктивность обратно пропорциональна длине провода для заданного диаметра катушки и числу витков. Итак, чем ближе будут витки, тем больше будет индуктивность. Электропроводность катушек индуктивности зависит от материала и толщины провода. Потери (в виде тепла) в значительной степени зависят от материала, используемого в качестве сердечника.

 

Рис. 1. Пример катушки индуктивности с воздушным сердечником 

Катушки с воздушным сердечником имеют небольшую индуктивность, которая может составлять максимум 1 мГн. Катушки с воздушным сердечником могут быть рассчитаны так, что будут пропускать через себя ток практически неограниченной величины при условии использования проводника большой длины, смотанного в катушку большого радиуса. Такие катушки индуктивности практически не вносят потерь, так как воздух не рассеивает много энергии в виде тепла. Чем выше частота переменного тока, тем меньше индуктивность, необходимая для получения значительных эффектов. Таким образом, катушки индуктивности с воздушным сердечником вполне подходят для применения в высокочастотных цепях переменного тока благодаря отсутствию потерь, способности пропускать через себя большие токи и достаточным значениям индуктивности.

При использовании железных или ферритовых сердечников индуктивность может быть значительно увеличена. Однако порошкообразный, железный или ферритовый сердечник вносит значительные потери электрической энергии в виде тепла. Использование ферромагнитных сердечников также ограничивает максимальную величину рабочего тока катушек индуктивности. В ферромагнитных сердечниках насыщение происходит при протекании максимального рабочего тока. При увеличении тока сверх этого критического значения индуктивность может начать уменьшаться. При больших токах ферромагнитные сердечники могут достаточно сильно нагреваться, что может привести к их разрушению и необратимому существенному изменению номинальной индуктивности катушки.

Соленоид против катушек индуктивности

 

Соленоиды часто путают с катушками индуктивности. Соленоиды — это катушки проводов, которые предназначены для использования в качестве электромагнитов. Многие индукторы также являются катушками проводов, но они предназначены для обеспечения индуктивности в электрической цепи. Катушки индуктивности цилиндрической формы также называют соленоидными катушками, но только из-за их конструкции, схожей с конструкцией соленоида. Тем не менее, они не предназначены для использования в качестве электромагнита. Соленоиды специально используются в качестве электромагнитов и обычно имеют подвижный или статический сердечник. Обычно соленоиды используются в качестве электромагнитов в электрических звонках, электродвигателях, работающих на постоянном токе, и в реле.

Соленоидные катушки как индуктивности

 

Простейшими и наиболее распространенными индуктивностями являются соленоидные катушки. Эти индуктивности представляют собой цилиндрические катушки, намотанные вокруг диамагнитного или ферромагнитного сердечника. Они являются самыми простыми с точки зрения проектирования и изготовления.

Соленоидная, или цилиндрическая катушка может быть легко использована для подстройки величины индуктивности, если в конструкцию интегрировать механизм перемещения ферромагнитного сердечника катушки внутрь и наружу. Путем перемещения сердечника внутрь катушки и обратно можно изменять ее эффективную магнитную проницаемость и, следовательно, величину индуктивности. Это называется настройкой магнитной проницаемости и используется для подстройки частот в радиочастотных схемах.

Сердечник можно сделать подвижным, прикрепив его к винтовому валу и закрепив гайкой на другом конце катушки. Когда вал винта вращается по часовой стрелке — сердечник перемещается внутрь катушки, увеличивая эффективную магнитную проницаемость и, следовательно, величину индуктивности. Когда вал винта вращается против часовой стрелки — сердечник выдвигается, уменьшая эффективную магнитную проницаемость и, следовательно, величину индуктивности.

Тороиды как катушки индуктивности

Сегодня еще одной наиболее распространенной формой катушек индуктивности является тороид. Тороиды имеют кольцевой ферромагнитный сердечник, на который намотан провод. Тороиды нуждаются в меньшем числе витков и физически меньше при той же величине индуктивности и рабочей величине тока, по сравнению с соленоидными катушками (рисунок 2). Другим важным преимуществом тороидов является то, что магнитный поток находится внутри сердечника, что позволяет избежать нежелательной взаимной индуктивности.

Рис. 2. Сильноточные тороидальные катушки индуктивности 

Однако намотать провод на тороид сложно. Регулировать магнитную проницаемость тороида еще сложнее. Проектирование катушек с тороидальным сердечником и переменной величиной индуктивности требует реализации громоздкой и сложной конструкции. В цепях, где требуется взаимная индуктивность, катушки должны быть намотаны на один и тот же сердечник в случае, если тороид используется в качестве катушки индуктивности.

Индуктивности на основе чашеобразных Р-сердечников*

 

В типичных катушках индуктивности — соленоидных и тороидных — провод намотан вокруг ферромагнитного сердечника. Катушки индуктивности на основе чашеобразных сердечников – это другой тип индуктивностей, в котором обмотка катушки находится внутри ферромагнитного сердечника. Чашеобразный ферромагнитный сердечник имеет форму двух половин в виде чаш со специальным цилиндрическим выступом (керном) на дне одной из половин, на котором размещается обмотка. Обе половины имеют отверстия, из которых извлекается провод катушки. Вся сборка скрепляется болтом и гайкой.

Катушки данного типа, как и тороиды, обладают большой индуктивностью и электропроводностью при небольших габаритах и меньшем числе витков. Магнитный поток, как и в случае с тороидами, остается внутри. Таким образом, нет нежелательной взаимной индуктивности с сердечниками. Опять же, как и в случае с тороидами, очень трудно варьировать величину индуктивности катушек данного типа. Изменять величину индуктивности в катушках индуктивности на основе Р-сердечников возможно только путем изменения числа витков и при использовании отводов в разных точках катушки.

*- В литературе также встречается термин “Р-сердечник закрытого типа”. В ГОСТ 19197-73 данному типу сердечников присвоено название – “броневой”.

Линия передачи как индуктивность

В цепях постоянного тока катушки индуктивности ведут себя почти так же, как и обычный провод, обладая незначительным сопротивлением, но не более того. Таким образом, они находят применение преимущественно в электрических цепях переменного тока. В аудиосхемах в качестве индуктивностей обычно используются тороиды, катушки на основе круглых чашеобразных сердечников или аудиотрансформаторы. Номинал индуктивности, применяемый в таких электрических цепях, варьируется от нескольких мГн до 1 Гн. Катушки индуктивности вместе с конденсаторами используются в аудиосхемах для подстройки. В настоящее время микросхемы практически полностью вытеснили катушки индуктивности и конденсаторы в аудиосистемах и других подобных областях применения.

При увеличении частоты должны использоваться индуктивности с сердечниками меньшей проницаемости. На нижнем конце радиочастотного спектра используются те же катушки индуктивности, что и в аудиоприложениях. На частотах до нескольких МГц весьма распространены катушки индуктивности с тороидальным сердечником. Для частот 30…100 МГц предпочтительны катушки с воздушным сердечником. Для частот более 100 МГц в линии передачи используются высокочастотные индуктивности и специальные трансформаторы. Линии передачи малой длины (четверть длины волны сигнала или меньше) сами могут быть использованы в качестве индуктивности для подстройки частоты радиосигналов. Линия передачи, используемая в качестве подобной индуктивности, обычно представляет собой коаксиальный кабель.

Индуктивности в цепях постоянного тока

Катушки индуктивности практически бесполезны в цепях постоянного тока. Однако можно предположить, что катушка индуктивности, подключенная к цепи постоянного тока, может быть полезна для понимания принципов ее работы и особенностей поведения пульсирующих напряжений постоянного тока. Предположим, что обычная катушка индуктивности подключена к источнику напряжения через ключ. При замыкании ключа на индуктивность подается напряжение, вызывающее быстрое изменение протекающего через нее тока. Когда приложенное напряжение увеличивается от нуля до пикового значения (за короткое время), индуктивность противодействует изменяющемуся через нее току, индуцируя напряжение, противоположное по полярности приложенному напряжению. Индуцированное напряжение при подаче питания на катушку индуктивности называется обратной ЭДС и определяется по формуле 1:

V_L = – L*(di/dt),   (1)

где:

• V_L – напряжение (обратная ЭДС), индуцированная на катушке;
• L – индуктивность катушки;
• di/dt – скорость изменения тока во времени.

Согласно приведенной формуле 1, внезапное изменение тока через катушку индуктивности дает бесконечное напряжение, что физически невозможно. Таким образом, ток через катушку индуктивности не может измениться мгновенно. Ток сталкивается с влиянием индуктивности при каждом небольшом изменении его величины и медленно возрастает до своего пикового постоянного значения. Итак, в начальный момент времени катушка индуктивности представляет собой разрыв цепи, когда переключатель замкнут. Обратная ЭДС наводится на катушку индуктивности до тех пор, пока изменяется значение протекающего через нее тока. Индуцированная обратная ЭДС всегда остается равной и противоположной возрастающему приложенному напряжению. Когда напряжение и ток от источника приближаются к постоянному значению, обратная ЭДС падает до нуля, а катушка индуктивности начинает вести себя как обычный провод. При подаче напряжения на катушку индуктивности мощность, запасенная ею, определяется по формуле 2:

P = V * I = L*i*di/dt,   (2)

где:

• P – электрическая мощность, запасенная в катушке;
• V – величина пикового напряжения на катушке индуктивности;
• I – величина пикового тока, протекающего через катушку индуктивности.

Энергия, запасенная индуктивностью при подаче напряжения, определяется по формуле 3:

W = ?P.dt = ?L*i*(di/dt)dt = (1/2)LI²,   (3)

где:

• W – электрическая энергия, запасенная в катушке индуктивности в виде магнитного поля;
• I – максимальное значение тока, протекающего через катушку.

Когда происходит отключение источника напряжения (путем размыкания ключа), напряжение на индуктивности падает с постоянного пикового значения до нуля. В отличие от конденсаторов, при отключении источника напряжения напряжение на индуктивности не поддерживается. Фактически оно уже упало до нуля, тогда как ток, проходящий через него стал постоянным. Теперь, когда приложенное напряжение падает от пикового постоянного значения до нуля, ток, протекающий через катушку индуктивности, также падает с постоянного пикового значения до нуля. Катушка противодействует падению тока, вызывая прямую ЭДС в направлении приложенного напряжения. Из-за индуцированной прямой ЭДС ток, проходящий через катушку индуктивности, падает до нуля с более медленной скоростью. Как только ток уменьшается до нуля, прямая ЭДС также падает до нуля.

Таким образом, при подаче напряжения питания электрическая энергия преобразовывалась в магнитное поле в катушке индуктивности, что было очевидно по обратной ЭДС, индуцированной на ней. При отключении напряжения питания та же самая электрическая энергия возвращается индуктором в цепь в форме прямой ЭДС. Всякий раз, когда напряжение на катушке индуктивности увеличивается, возникает обратная ЭДС, а всякий раз, когда напряжение на катушке уменьшается, возникает прямая ЭДС.

На практике обратная или прямая ЭДС, которая наводится на катушке индуктивности, во много раз больше приложенного напряжения. Если источник индуктивности подключен к источнику напряжения или катушка индуктивности подключена к цепи постоянного тока без какой-либо защиты, электрическая энергия, возвращаемая при размыкании переключателя, выделяется в виде скачка напряжения или искры на контактах переключателя. Если индуктивность или ток в цепи достигают достаточно больших значений, то энергия выделяется в форме дуги или искры на контакте переключателя и может даже сжечь или расплавить его. Этого можно избежать, используя резистор и конденсатор, соединенные в RC-цепь и включенные последовательно с контактом переключателя. Такая RC-цепь называется снабберной и позволяет электрической энергии, выделяемой катушкой индуктивности, заряжать и разряжать конденсатор, поэтому она не повреждает другие компоненты. Во многих электрических цепях для сохранения компонентов схемы от обратной или прямой ЭДС катушек индуктивности или соленоидов используются защитные диоды.

Катушка индуктивности в цепи переменного тока

Катушка индуктивности противодействует любому изменению тока, который протекает через нее, а переменный ток, в свою очередь, отстает на 90° от напряжения. В начальный момент времени, когда напряжение источника подается на катушку, ток через нее протекает максимальный, но в противоположном направлении. При подаче напряжения ток протекает через катушку индуктивности из-за индуцированной обратной ЭДС, которая противоположна приложенному напряжению. Индуцированное на катушке напряжение всегда равно и противоположно по знаку приложенному напряжению в любой момент времени. Когда приложенное напряжение возрастает от нуля до пикового значения, ток через катушку падает от максимума до нуля.

Когда прикладываемое напряжение падает от максимального значения до нуля, то на катушке индуцируется прямая ЭДС, заставляя ток противоположного направления расти от нуля до пикового значения. Когда приложенное напряжение меняет полярность и возрастает до пикового значения, ЭДС снова индуцируется на катушке, вызывая падение обратного тока от пикового значения до нуля. Когда приложенное напряжение снова падает до нуля в обратном направлении, в катушке индуцируется прямая ЭДС, заставляющая ток снова расти от нуля до максимального значения в противоположном направлении. Это продолжается для каждого цикла протекания переменного тока.

Индуктивное сопротивление

Противодействие протекающему току из-за наличия индуктивности называется индуктивным сопротивлением. Амплитуда тока через катушку индуктивности обратно пропорциональна частоте приложенного напряжения. Поскольку напряжение на катушке (обратная или прямая ЭДС) пропорционально индуктивности, то амплитуда тока также обратно пропорциональна величине индуктивности. Итак, противодействие току из-за наличия индуктивности в виде индуктивного сопротивления определяется по формуле 4:

X_L = 2?fL= ?L   (4)

Соответственно, пиковая амплитуда тока, проходящего через катушку индуктивности, определяется по формуле 5:

I_peak = V_peak/X_L= V_peak/ ?L,   (5)

где:

• I_peak – пиковое значение переменного тока, протекающего через катушку индуктивности;
• V_peak – пиковое значение переменного напряжения, приложенного к катушке;
• X_L – индуктивное сопротивление.

Как резистивное и емкостное сопротивление, так и единица индуктивного сопротивления измеряется в омах. Следует отметить, что в электрических цепях нет потерь энергии из-за наличия емкостного или индуктивного сопротивления, что нельзя сказать об обычном резистивном сопротивлении. Тем не менее, реактивное сопротивление может ограничивать уровни тока через конденсатор или катушку индуктивности.

Применение катушек индуктивности

Катушки индуктивности используются в электрических цепях переменного тока. Они обычно применяются в аналоговых схемах, схемах обработки сигналов и в системах телекоммуникаций, а также используются вместе с конденсаторами для создания фильтров различных топологий. В телекоммуникационных системах индуктивности применяются в составе специальных фильтров, которые нужны для подавления возможных бросков напряжения и предотвращения утечки информации через линии системы электропитания.

Трансформаторы, которые используются для повышения или понижения напряжения переменного тока, состоят из двух катушек индуктивности, объединенных в единую конструкцию определенным образом. Индуктивности также используются для временного хранения электрической энергии в цепях выборки-хранения и источниках бесперебойного питания. В цепях электропитания катушки индуктивности (где они называются фильтрующими дросселями) используются для сглаживания пульсирующих токов.

Поведение индуктивности при прохождении через нее сигнала можно определить следующим образом:

• Всякий раз, когда приложенное к катушке индуктивности напряжение увеличивается, катушка генерирует обратную ЭДС, в результате чего ток через нее падает с максимального значения до нуля или даже ниже этого уровня. Всякий раз, когда прикладываемое напряжение уменьшается, катушка создает прямую ЭДС, в результате чего ток через нее повышается с нуля или текущего уровня до максимального значения или даже до более высокого.
• Обратная или прямая ЭДС сохраняется на катушке индуктивности до тех пор, пока приложенное напряжение, а следовательно и ток через нее изменяются. Когда приложенное напряжение достигает определенного постоянного значения, обратная или прямая ЭДС падает до нуля, и постоянный ток протекает через катушку индуктивности без какого-либо противодействия, как в обычном соединительном проводе.
• Из-за наличия индуктивности скорость изменения тока в цепи замедляется. Если сигнал переменный, то ток всегда будет отставать от напряжения на 90° из-за наличия индуктивности.
• Благодаря индуктивному или емкостному сопротивлению потери энергии отсутствуют. Энергия, запасенная катушкой индуктивности в форме магнитного поля или конденсатором в форме электростатического поля, возвращается обратно в цепь, как только приложенное напряжение падает до нуля или меняет полярность. Однако из-за реактивного сопротивления пиковый уровень тока (амплитуда сигнала) ограничен.

Источник: https://www.engineersgarage.com

Автор: Нихил Агнихотри Переводчик: Алексей Катков (г. Санкт-Петербург)

Разделы: Дроссели

Опубликовано: 30.01.2020

назначение, параметры, условное графическое обозначение, классификация.

Катушки индуктивности представляют собой моточные изделия и, за исключением дросселей, как правило не являются комплектующими изделиями, как резисторы и конденсаторы. Они изготовляются заводами под конкретное устройство с требуемыми параметрами.

Из-за трудностей миниатюризации, значительных массогабаритных показателей и трудоемкости изготовления область их применения ограничена, но при создании ряда устройств электроники обойтись без них невозможно. При этом важным является то, что индуктивные компоненты с использованием специальной изоляции могут работать при температурах 200-3000С.

Катушки индуктивности имеют, как правило, цилиндрическую или спиральную форму витков и выполняются как однослойными, так и многослойными. Характер намотки зависит от назначения катушки и для уменьшения межвитковых емкостей витки укладывают на каркас с определенным шагом или применяют специальные способы намотки, когда витки укладывают не параллельно, а под некоторым углом друг к другу (универсальная намотка).

Независимо от конструкции катушки индуктивности, их обычно обозначают в виде 3-4 полуокружностей, как показано на рис.3.1.

Рис. 3.1. Условные обозначения катушек индуктивности и конструкции.

В зависимости от конфигурации схемы выводы обмоток направляют либо в одну сторону, либо в разные, а если катушки имеют отвод, то его показывают либо в месте соединения полуокружностей, либо в середине одной из них (рис.3.1. L4).

Буквенно-цифровое позиционное обозначение катушек и дросселей состоит из буквы «L» и порядкового номера по схеме, а рядом часто указывают значение индуктивности в генри – (Гн), миллигенри – (мГн) или микрогенри (мкГн).

В цепи переменного тока катушка индуктивности обладает реактивным сопротивлением X с добротностью Q:

X_L = 2pfL, Q = 2pfL/R

К основным параметрам катушек индуктивности относятся:

— номинальная индуктивность катушки (L) – коэффициент пропорциональности между скоростью изменения тока в катушке и э.д.с. самоиндукции. Основная единица измерения индуктивности – Генри, кратные ей в сторону уменьшения : милли и микро генри;

— добротность — характеризует относительный уровень активных потерь в обмотке катушки и сердечнике;

— собственная емкость – является паразитным параметром катушки. Она проявляется в области высоких частот и зависит от вида намотки и числа витков.

Физические принципы работы полупроводниковых приборов основаны на явлениях электропроводности в твёрдых телах

По способности проводить электрический ток все вещества делятся на три класса:

• Проводники

• Диэлектрики

• Полупроводники

К полупроводникам обычно относят вещества, удельная электрическая проводимость которых δ при температуре 20ºС составляет

Характерными свойствами полупроводников являются резко выраженная зависимость удельной проводимости от:

• Изменения температуры;

• Количества и природы введённых примесей;

• Наличия электрического поля;

• Светового воздействия;

• Ионизирующего излучения и др.

Устройства современной электроники изготавливаются из полупроводниковых материалов

Собственная электропроводность

На рисунке приведена зонная энергетическая диаграмма. Ширина запрещённой зоны, определяющая энергетический промежуток запрещённых энергий, является важнейшим параметром полупроводника.

Для полупроводников, которые

наиболее часто используются в электронике, ширина запрещенной зоны равна:

для германия – 0,7эВ,

для кремния -1,1эВ,

для арсенида галлия – 1,4эВ.

Электроны, находящиеся в зоне проводимости, обладают довольно большой энергией и могут её изменять под действием электрического поля, перемещаясь в объёме полупроводника.

Этими электронами и определяется электропроводность

полупроводника.

Энергетические уровни валентной зоны обычно заполнены электронами внешней оболочки атомов – внешних устойчивых орбит (валентными электронами). При наличии свободных уровней в валентной зоне электроны могут изменять свою энергию под воздействием электрического поля. Если же все

уровни зоны заполнены, то валентные электроны не могут принять участие в проявлении электропроводности полупроводника.

Плоская модель кристаллической решётки

Связь атомов в кремнии устанавливается вследствие наличия специфических обменных сил, возникающих при парном объединении валентных электронов.

Ковалентная связь

У соседних атомов появляются общие орбиты.

Поскольку атом кремния имеет четыре валентных электрона,

то он использует эти электроны для связи с четырьмя соседними атомами,

которые, в свою очередь, также выделяют по одному валентному электрону для связи с каждым из своих четырёх соседних атомов.

Таким образом получается, что любой атом кремния связан с каждым соседним атомом общей орбитой, причём на этой орбите два электрона. Такая связь атомов называется ковалентной связью.

На первом рисунке приведена упрощённая модель решётки, на втором – зонная энергетическая диаграмма для беспримесного кремния, где между каждыми двумя атомами кремния проведено две связывающие их прямые линии, каждая из которых символизирует собой наличие электрона на общей орбите у этих атомов. Её принято называть валентной связью. Валентный электрон, находящийся в такой связи, по энергии расположен в валентной зоне.

Электроны во всех связях будут присутствовать только при температуре абсолютного нуля. По мере нагревания полупроводника происходит нарушение связей, т.е. некоторые валентные электроны получают необходимую дополнительную энергию для перехода в зону проводимости.

Такой переход соответствует выходу электрона из связи. Появляющиеся свободные электроны будут принимать участие в образовании тока в полупроводнике (при приложении напряжения).

Появление свободных уровней в валентной зоне свидетельствует о том, что для валентных электронов

появляется возможность изменить свою энергию, а следовательно, участвовать в процессе протекания

тока через полупроводник. С повышением температуры возникает большее число свободных электронов

в зоне проводимости и вакантных уровней в валентной зоне.

Вакантный энергетический уровень в валентной зоне и соответственно свободную валентную связь называют дыркой, которая является подвижным носителем положительного заряда, равного по абсолютной величине заряду электрона. Перемещение дырки соответствует встречному перемещению валентного электрона (из связи в связь). Движение дырки – это поочерёдная ионизация валентных связей.

Процесс образования свободного электрона и дырки принято называть генерацией. Появление

электрона в зоне проводимости и дырки в валентной зоне на энергетической диаграмме (рисунок 2)

представлено в виде кружков с соответствующими знаками зарядом. Стрелкой обозначен переход

электрона из валентной зоны в зону проводимости.

Таким образом, за счёт термогенерации в собственном полупроводнике, который принято обозначать буквой i, образуется два типа подвижных носителей заряда: свободные электроны n и дырки p, причём их количество одинаково. Эти носители заряда называют собственными, а электропроводность,

ими обусловленную, — собственной электропроводностью полупроводника.

Примесная электропроводность полупроводников

Донорный полупроводник

Если в кремний ввести атом пятивалентного элемента (например фосфора), то четыре из пяти валентных электронов вступят в связь с четырьмя соседними атомами кремния. Пятый же электрон будет в данном случае избыточным. Он окажется очень слабо связанным со своим атомом.

Поэтому оторвать его от атома и превратить в свободный носитель заряда можно даже при воздействии малой тепловой энергии.

Таким образом, появление в кремнии атома фосфора привело к образованию в зоне проводимости свободного электрона, образование которого не связано с существованием дырки.

Такие примесные полупроводники называются электронными или полупроводниками n-типа.

Электропроводность электронных полупроводников определяется свободными электронами, которые здесь являются основными носителями заряда.

Дырок здесь очень мало, они образуются за счет термогенерации подобно собственным носителям в беспримесном полупроводнике.

В результате оказывается, что количество свободных электронов практически равно количеству ионизированных доноров.

Примесная электропроводность полупроводников

Акцепторный полупроводник

Дырочный полупроводник, или полупроводник p – типа

получается за счёт введения в него трёхвалентных атомов примеси (например, индий). Атомы трёхвалентной примеси принято называть акцепторами.

Акцептор образует только три заполненные валентные связи. Четвёртая связь оказывается незаполненной и она не несёт заряда, т.е. атом примеси является электрически нейтральным. При воздействии даже небольшой тепловой энергии электрон кремния может перейти в эту связь. На внешней оболочке акцептора появляется лишний электрон, т.е. он превращается в отрицательный ион.

Вакантная связь атома кремния несёт собой уже положительный заряд, являясь дыркой. Электропроводность дырочного полупроводника определяется дырками, которые являются здесь неосновными носителями заряда и их очень мало.

Итак, за счёт введения и активации акцепторной примеси образуется дырочный полупроводник, электропроводность которого определяется дырками.

Примесная электропроводность полупроводников

Введение примесей в полупроводник приводит к образованию дополнительных энергетических уровней в запрещённой зоне

Параметры полупроводников

Одним из основных параметров полупроводника является подвижность носителей заряда μ. Подвижность носителей – их средняя направленная скорость в полупроводнике при напряжённости электрического поля Е=1 В/см.

Подвижность электронов μn всегда больше подвижности дырок μp. Это объясняется большей инерционностью дырок (соответствующей инерционности валентного электрона), чем свободных электронов. Наибольшая подвижность наблюдается у электронов в арсениде галлия.

Чем больше μ, тем выше скорость движения носителей и тем выше быстродействие полупроводникового прибора. Отсюда становится ясным преимущество высокочастотных элементов, изготовленных из электронного арсенида галлия.

Подвижность носителей заряда связана с другим параметром полупроводника – коэффициентом диффузии D следующим соотношением:

где φт =kТ/q – тепловой потенциал, который при комнатной температуре

приближённо равен 26 мВ;

k – постоянная Больцмана;

q – заряд электрона.

Коэффициенты диффузии, так же как и подвижности, имеют разные значения

для электронов и дырок, причём Dn >Dp.

Ещё одним важным параметром полупроводника является время жизни τ Временем жизни носителя заряда называется время от его генерации до рекомбинации, которое во многом определяет длительность переходных процессов в некоторых полупроводниковых приборах.

В общем случае движение носителей заряда в полупроводниках обусловлено двумя физическими процессами: диффузией и дрейфом.

Диффузией называется направленное перемещение носителей зарядов, вследствие неравномерности их концентрации, т.е. перемещение под действием изменения концентраций носителей.

Дрейфом называется направленное перемещение носителей заряда под действием электрического поля.

Электропроводность полупроводника отражена в уравнении непрерывности

SMD катушки индуктивности 1812 Murata LQh53MN от 1 мкГн

Мы надеемся, что вся информация, представленная в каталоге, будет полезна и производителям промэлектроники, и сервисным центрам, и радиолюбителям.

Информация по размерам контактных площадок электронных компонентов, применяемых для разработки, сборки и монтажа печатных плат, находится в разделе Печатные платы.

Маркировка Индуктивность Добротность f рез, МГц R, Ом I, мА Склад Заказ LQh53MN1R0M03 1мкГн ± 20% 20 120 0,2 500 LQh53MN2R2M03 2,2мкГн ± 20% 20 62 0,3 500 LQh53MN3R3M03 3,3мкГн ± 20% 20 38 0,4 500 LQh53MN4R7K03 4,7мкГн ± 20% 20 38 0,4 500 LQh53MN6R8K03 6,8мкГн ± 20% 30 31 0,5 450 LQh53MN100K03 10мкГн ± 10% 35 23 0,56 400 LQh53MN220K03 22мкГн ± 10% 35 15 0,94 320 LQh53MN330K03 33мкГн ± 10% 35 12 1,2 270 LQh53MN470K03 47мкГн ± 5% 35 10 1,5 220 LQh53MN680K03 68мкГн ± 5% 35 9,3 1,9 180 LQh53MN820K01 82мкГн ± 10% 35 7,2 2,2 170 LQh53MN101K03 100мкГн ± 5% 40 6,8 2,5 160 LQh53MN151K03 150мкГн ± 5% 40 5,5 3,7 130 LQh53MN221K03 220мкГн ± 5% 40 4,5 5,4 110 LQh53MN331K03 330мкГн ± 10% 40 3,6 8,2 95 LQh53MN471K03 470мкГн ± 5% 40 3 11,8 80 LQh53MN681K03 680мкГн ± 5% 40 2,5 17 65 LQh53MN102K03 1000мкГн ± 10% 40 2 25 50 Цены в формате  . pdf,  .xls Упаковка: В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 500 штук катушек индуктивности Murata LQh53MN (LQN4). Наименование Индуктивность Добротность f рез, МГц R, Ом I, мА Склад Заказ SQ45321R0ML 1мкГн ± 20% 40 165 0,08 1400 SQ4532 2R2MLB 2. 2мкГн ±20% 40 80 0,11 1250 SQ45324R7ML 4,7мкГн ± 20% 36 45 0,15 940 SQ4532100ML 10мкГн ± 20% 48 30 0,30 750 SQ4532220KL 22мкГн ± 10% 50 20 0,70 460 SQ4532330KL 33мкГн ± 10% 55 118 1,1 330 SQ4532470KL 47мкГн ± 10% 60 15 1,5 285 SQ4532101KL 100мкГн ± 10% 60 10 2,5 200 SQ4532 221KLB 220мкГн ±10% 45 6,3 5,400 130 SQ4532-471KLB 470мкГн ±10% 50 5,0 14,200 85 SQ4532102KL 1000мкГн ± 10% 30 2,5 30 60 SQ4532152KL 1500мкГн ± 10% 35 2,0 38,5 40 SQ4532222KL 2200мкГн ± 10% 30 1,6 63 30 Цены в формате  . pdf,  .xls Упаковка: В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 500 штук индуктивностей SQ 4532 Технические характеристики и маркировка катушек индуктивности серии Murata LQh53MN (LQN4) Производитель — MURATA

Корзина Корзина пуста Логин: Пароль: Регистрация Забыли свой пароль? Новые поступления Суперконденсатор HS230F Кварцевые резонаторы 3225 Катушки индуктивности HE0640 EMI LC фильтр NFL21SP206X1C7D Murata Кнопка тактовая DTSMW-66N Diptronics Датчик магнитного поля на эффекте Холла в SOT23 Самовосстанавливающиеся предохранители на ток 0. 75А и 1A в типоразмере 0805 Герметичные тактовые кнопки Все поступления

Условное обозначение трансформаторов дросселей индуктивностей на схемах

Независимо от реальной конструкции катушки индуктивности и дроссели изображают на схемах, как показано на рис. 1.

Рис.1. Условное обозначение дросселей и индуктивностей

Число полуокружностей в условном графическом обозначении катушек и дросселей может быть любым. Чаще количество полуокружностей выбирают равным четырем или же в зависимости от удобства их сопряжения на принципиальных схемах с символами других элементов (конденсаторов, резисторов, диодов, транзисторов и т. п.). В зависимости от конфигурации принципиальной схемы выводы обмотки направляют либо в одну сторону (рис. 1, L3), либо в разные (L1, L2, L4). Если необходимо показать отвод, то линию электрической связи присоединяют в месте сочленения полуокружностей или в середине одной из них (L4), причём точка не ставится.

Буквенно-цифровое позиционное обозначение катушек и дросселей состоит из буквы L и порядкового номера по схеме. Рядом (сверху или справа) можно указывать индуктивность, обычно в миллигенри или микрогенри.

Если катушка или дроссель имеет магнитопровод, условное графическое обозначение дополняют его символом — отрезком сплошной или прерывистой линии, располагаемым с «наружной» стороны полуокружностей (рис. 2). При этом магнитопроводы из карбонильного железа, альсифера или других магнитодиэлектриков изображают штриховой линией (L1), из феррита или ферромагнитного сплава (электротехническая сталь, пермаллой) — сплошной линией (L2). Магнитопроводы из немагнитных материалов (меди, алюминия и др.) обозначают так же, как и ферромагнитные, но рядом с обозначением указывают химический символ металла.

Рис.2. Условное обозначение катушек с магнитопроводом

Возможность подстройки индуктивности изменением положения магнитопровода показывают на схемах знаком подстроечного peгулирования, пересекающим условное графическое обозначение катушки под углом 45° (рис. 2, L5, L6). Если необходимо обратить внимание на наличие зазора в ферромагнитном магнитопроводе катушки или дросселя (обычно зазор делают для увеличения магнитного сопротивления, чтобы предотвратить насыщение магнитопровода), символ последнего разрывают посередине (см. рис. 2, дроссель L4).

Для перестройки колебательных контуров иногда используют катушки переменной индуктивности — так называемые вариометры. Конструктивно вариометр состоит из двух соединенных последовательно и помещенных одна в другую катушек, одна из которых может изменять свое положение по отношению к другой (например, при вращении). Символы катушек, составляющих вариометр, располагают на схемах либо параллельно (рис. 4.3, L1.1, L1.2), либо перпендикулярно друг другу (L2.1, L2.2) и пересекают знаком регулирования. В качестве вариометров применяют также катушки с подвижными магнитопроводами.

Рис.3. Условное обозначение катушек переменной индуктивности

Объединение таких катушек в блок показывают штриховой линией механической связи, соединяющей знаки регулирования (см. рис. 4, L3.1, L3.2).

Рис.4. Условное обозначение объединенных катушек индуктивности

Символы катушек используют и в построении условных графических обозначений различных трансформаторов. Простейший трансформатор содержит две индуктивно связанные катушки (обмотки). Эту конструктивную особенность, как и в случае с вариометром, показывают, располагая символы обмоток рядом, параллельно (рис. 4) и на схемах им присваивают буквенное обозначение катушек — L. Необходимое для обеспечения работоспособности некоторых устройств фазирование обмоток (т. е. порядок подключения выводов) показывают точками, обозначающими их начало (см. рис. 4, L1-L2, L7-L8).

Радиочастотные трансформаторы могут быть как с магнитопроводами, так и без них. Если магнитопровод общий для всех обмоток, его изображают между их символами (см. рис. 4, L5-L6, L7-L8), а если каждая из них имеет свой магнитопровод — над ними (L9-L10, L11-L12). Возможность подстройки индуктивности изменением положения сердечника показывают знаком подстроечного регулирования, пересекая им либо только обозначение магнитопровода (L9-L10, L11-L12), либо и его, и одновременно символов обмоток (L7-L8). Если же необходимо показать регулируемую индуктивную связь между обмотками, их символы пересекают знаком регулирования (L3-L4, L11-L12).

Трансформаторы, работающие в широкой полосе частот, обозначают буквой T, а их обмотки — римскими цифрами (рис. 5). Иногда вместо последних для обозначения обмоток используют условную нумерацию их выводов. Число полуокружностей в символах обмоток трансформаторов может быть любым.

Для уменьшения помех, проникающих из сети, между первичной и вторичными обмотками трансформаторов питания иногда помещают электростатический экран. Он представляет собой незамкнутый виток медной или алюминиевой фольги или один слой тонкого провода, соединяемый с общим проводом устройства. На схемах такой экран изображают штриховой линией (см. рис. 5, T1), а соединение с общим проводом — поперечной черточкой на конце вывода экрана. Условное графическое обозначение трансформаторов допускается показывать повернутым на 90°.

Рис.5. Условное обозначение трансформаторов и автотрансформаторов

Разновидность трансформаторов — автотрансформаторы изображают на схемах, как и катушки с отводами. Возможность плавного регулирования снимаемого с них напряжения показывают знаком регулирования (см. рис. 5, T2).

Стандартная номенклатура типов компонентов

\$\начало группы\$

Какие префиксы следует использовать в позиционных обозначениях для компонентов различных типов? Я думаю, мы все можем согласиться с тем, что «R##» относится к резистору, «C##» — к конденсатору, а «L##» — к катушке индуктивности. Кроме того, это кажется мешаниной условностей.

Я видел, как «IC» и «U» используются для чипов. «Q», «T» и «M» использовались для транзисторов и полевых МОП-транзисторов. Обычно «D##» используется для диодов, но светодиоды и стабилитроны на некоторых платах имеют специальную обработку.

Какие стандарты доступны для справки и кто их утверждает? Приветствуются ссылки на JEDEC, ISO, IEEE и другие органы по стандартизации (хотя я бы предпочел недорогой стандарт), но мне также любопытно посмотреть, что используется в других компаниях, кроме моей собственной.

Изменить: мне бы очень хотелось увидеть список в ответе здесь , который соответствует стандарту (даже если это просто цитата).

• компоненты
• стандарт

\$\конечная группа\$

1

\$\начало группы\$

На самом деле существуют стандарты для решения этой проблемы, IEC 60617 (также известный как британский стандарт BS 3939), стандарт ANSI Y32 (также известный как IEEE Std 315), австралийский стандарт AS 1102

Ниже приведена таблица некоторых общих маркировок из этого ссылка на старую версию статьи в Википедии

• Обозначение Тип компонента
• Аттенюатор
• BR Мостовой выпрямитель
• Батарея BT
• С Конденсатор
• CN Сеть конденсаторов
• D Диод (включая стабилитроны, тиристоры и светодиоды)
• DL Линия задержки
• Дисплей DS
• F Предохранитель
• FB или FEB Ферритовая втулка
• ФД Фидуциал
• Разъем J Jack (гнездо)
• Соединение JP (перемычка)
• К Реле
• L Индуктор
• LS Громкоговоритель или зуммер
• М Двигатель
• МК Микрофон
• MP Механическая часть (включая винты и крепежные детали)
• P Штекерный разъем (вилка)
• PS Блок питания
• Q-транзистор (все типы)
• Р Резистор
• RN Сеть резисторов
• RT Термистор
• РВ Варистор
• S Переключатель (все типы, включая кнопки)
• T Трансформатор
• ТС Термопара
• Тун-тюнер
• Контрольная точка TP
• U Интегральная схема
• Вакуумная трубка
• VR Переменный резистор (потенциометр или реостат)
• X Датчик, не соответствующий какой-либо другой категории
• Y Кристалл или осциллятор
• Z Стабилитрон

Сокращения названий компонентов, широко используемые в промышленности:

• AE: антенна, антенна
• Б: батарея
• BR: мостовой выпрямитель
• С: конденсатор
• ЭЛТ:электронно-лучевая трубка
• D или CR: диод
• DSP:процессор цифровых сигналов
• Ф: предохранитель
• FET:полевой транзистор
• ГДТ: газоразрядная трубка
• ИС: интегральная схема
• J: перемычка («перемычка»)
• JFET: полевой транзистор с затвором
• L: индуктор
• ЖК-дисплей: жидкокристаллический дисплей
• LDR: светочувствительный резистор
• Светодиод: светоизлучающий диод
• LS: динамик
• М: двигатель
• MCB: автоматический выключатель
• Микрофон: микрофон
• MOSFET: полевой транзистор на основе оксида металла и полупроводника
• Ne: неоновая лампа
• ОП: Операционный усилитель
• Печатная плата: печатная плата
• УЕ: пикап
• Q: транзистор
• Р: резистор
• РЛА: РИ: реле
• SCR: кремниевый управляемый выпрямитель
• ПО: переключатель
• Т: трансформатор
• TFT: тонкопленочный транзистор (дисплей)
• TH: термистор
• TP: контрольная точка
• Тр: транзистор
• У: интегральная схема
• В: клапан (трубка)
• ВК: переменный конденсатор
• ЧРП: вакуумный флуоресцентный дисплей
• СБИС: очень крупномасштабная интеграция
• ВР: переменный резистор
• X: кристалл, керамический резонатор
• XMER: трансформатор
• XTAL: кристалл
• Z или ZD: Стабилитрон

\$\конечная группа\$

3

\$\начало группы\$

До сих пор я использовал каноническую схему R, C, D, Q, U на обеих остановках карьеры.

Моя первая остановка будет различать «штыревые» и «гнездовые» разъемы, используя J для «гнезд» (т.е. гнездо) и P для «штырей» (т.е. штекер).

В настоящее время я использую RT для термисторов NTC/PTC и RV для MOV. Странно, что власть предержащие выбрали только такое небольшое количество инноваций в позиционных обозначениях.

\$\конечная группа\$

6

\$\начало группы\$

Стандартный список букв обозначения класса содержится в IEEE 315, пункт 22.4. P — это не штекерный разъем, это самый подвижный из пары. И J — это не женский разъем, это самый фиксированный из пары. Соединительная пара разъемов без пола, такая как APC-7, будет соответствовать этому соглашению.

\$\конечная группа\$

1

\$\начало группы\$

Штыревой разъем с контактами, которые вставляются в разъемы с гнездами, будет использовать букву класса CP, которая означает «адаптер разъема». То есть, если у вас есть две печатные платы с разъемами «мама» на каждой плате, и они имеют обозначения A1J1 и A2J1, и у вас есть разъем с контактами «папа», торчащими сверху и снизу, тогда заголовок будет использовать букву класса CP. В зависимости от того, как вы свяжете соединитель на схематических диаграммах, будет определяться, в какой список деталей входит соединитель (разъем).

Если у вас есть контактный (штекерный) разъем на одной плате и разъем (гнездовой) на второй плате, где две платы соединяются напрямую друг с другом, то произвольно назовите одну плату наиболее подвижной, а другую — наиболее фиксированной. (Я бы назвал контактный разъем буквой класса P, а разъем разъема буквой класса J. То, как вы покажете собранную сборку на сборочном чертеже, может дать вам ключ к пониманию того, какая плата наиболее подвижна, а какая зафиксирована.

Если у вас есть два радиочастотных кабеля, которые соединяются вместе, но каждый из них имеет штыревой разъем N, то для соединения кабелей вместе с двойным гнездовым разъемом N будет использоваться буква класса CP (адаптер разъема). —С уважением, Ларри

\$\конечная группа\$

2

Зарегистрируйтесь или войдите в систему

Зарегистрируйтесь с помощью Google

Зарегистрироваться через Facebook

Зарегистрируйтесь, используя электронную почту и пароль

Опубликовать как гость

Электронная почта

Требуется, но никогда не отображается

Опубликовать как гость

Электронная почта

Требуется, но не отображается

Нажимая «Опубликовать свой ответ», вы соглашаетесь с нашими условиями обслуживания, политикой конфиденциальности и политикой использования файлов cookie

.

Все об позиционных обозначениях на вашей печатной плате

Захария Петерсон

| Создано: 29 июля 2021 г. &nbsp|&nbsp Обновлено: 9 февраля 2023 г.

Каждый раз, когда вы размещаете компонент на листе схемы или в топологии печатной платы, компоненту присваивается условное обозначение (иногда сокращается до «refdes»). Этот буквенно-цифровой код является сокращением для конкретного компонента и помогает группе разработчиков правильно сообщать о конкретных компонентах между членами группы, внутри проектной документации и в программном обеспечении для проектирования печатных схем.

Обозначения — это не просто случайные наборы букв и цифр, они следуют определенной системе, которую разработчики используют для обозначения определенных компонентов на печатной плате. С помощью подходящего программного обеспечения для проектирования вы можете размещать и редактировать позиционные обозначения во всей проектной документации, в том числе в топологии печатной платы, данных компонентов и схемах. Программное обеспечение для проектирования печатных плат также помогает вам оставаться синхронизированными при размещении и изменении ссылок на печатные платы. Итак, что используется в проекте для ссылки на символы, материалы или размещение частей проекта?

ALTIUM DESIGNER®

Программное обеспечение для проектирования печатных плат с расширенными инструментами САПР для создания компонентов и размещения списка позиционных обозначений печатных плат.

Каждый компонент, который вы размещаете на своих схемах, макете печатной платы, спецификации и многих других проектных документах, будет иметь соответствующее условное обозначение. Позиционное обозначение, отображаемое на печатной плате, будет присвоено определенному компоненту в проектной документации с помощью программного обеспечения ECAD, или пользователь может настроить условное обозначение, чтобы оно имело определенный формат, необходимый для текущего проекта.

Если вы используете лучшее программное обеспечение для компоновки печатных плат со встроенным редактором схем, можно легко синхронизировать условные обозначения между листами схемы и компоновкой печатной платы. Когда вы работаете с проектной документацией по печатной плате, существует вероятность рассинхронизации схем, разводки печатных плат, спецификаций и окончательных производственных результатов. Altium Designer — это лучшее программное обеспечение, которое вы можете использовать для обеспечения того, чтобы в вашем проекте были синхронизированы ссылки на печатные платы во всей вашей принципиальной схеме и листах принципиальных схем, а также в вашей компоновке печатной платы и документации по изготовлению.

Все условные обозначения печатных плат появляются на поверхностных слоях печатной платы на слоях шелкографии (верхнее и нижнее наложение). Ссылочное обозначение компонента представляет собой комбинацию букв и цифр, присвоенную конкретному компоненту. Каждый компонент получает свое собственное позиционное обозначение, что означает, что позиционные обозначения никогда не повторяются. Ссылочное обозначение для конкретного компонента можно увидеть в документах схемы, компоновке печатной платы и спецификации материалов, когда вы создаете базу данных для своего проекта.

Каждое условное обозначение в редакторе схем появится в слое шелкографии в топологии платы.

После того, как данные Gerber будут сгенерированы для вашей печатной платы, файл Gerber с данными слоя шелкографии также будет включать позиционные обозначения печатных плат для каждого компонента. Это условное обозначение и все другие маркировки на слое шелкографии будут напечатаны трафаретной печатью на паяльной маске на печатной плате в качестве одного из заключительных этапов изготовления.

Обозначения полезны для многих задач, помимо проектирования схемы и размещения компонентов на топологии печатной платы. Обозначения также облегчат любые задачи ручной сборки, ручную проверку, отладку и процедуры тестирования, поскольку определенные компоненты в спецификации могут быть визуально обнаружены в топологии печатной платы. Кроме того, позиционные обозначения печатных плат дают разработчикам простой способ увидеть, какой именно тип компонента находится на плате, не глядя на спецификацию. Это ясно для проектировщиков благодаря стандартизации позиционных обозначений в электрических чертежах, и такая же стандартизация применяется в программном обеспечении ECAD, таком как Altium Designer.

Общие условные обозначения печатных плат

Существует два стандарта, определяющих формат условных обозначений для 45 различных типов электронных компонентов, которые появляются на электрических чертежах, включая листы схем и соответствующие схемы печатных плат. Это стандарты IEEE 315-1975 и ASME Y14.44-2008. Эти стандарты определяют буквенный префикс, который следует использовать для данного типа компонента в топологии печатной платы.

В приведенном ниже списке показаны некоторые из распространенных префиксов позиционных обозначений печатных плат, используемых в программном обеспечении для проектирования печатных плат:

• U: Интегральная схема
• D, CR:  Обозначение диода
• С: Конденсатор
• Р: Резистор
• L: Индуктор
• J: Соединитель
• F: Предохранитель
• Y: Кварцевый осциллятор
• Q: Дискретный транзистор

В топологии печатной платы индикатор полярности может быть помещен рядом с условным обозначением диода, чтобы можно было отличить анод от катода. Это также важно для поляризованных конденсаторов, которые будут использовать «+» или точку для обозначения положительного вывода. Также часто можно увидеть символ диода, помещенный рядом с условным обозначением диода, чтобы указать ориентацию компонента. Подобные стратегии используются с транзисторами, чтобы ориентация компонента была понятна сборщику.

Каждое из позиционных обозначений будет последовательно пронумеровано для обозначения конкретных компонентов на схемах, в спецификации и на топологии печатной платы. Когда вы создаете свои схемные символы и посадочные места для компонентов и начинаете создавать библиотеки своих проектов, у вас будет возможность определить префикс условного обозначения платы для пользовательских или специальных компонентов. Вы также сможете разместить условное обозначение вокруг компонента в нужном месте.

• Используйте инструменты САПР в Altium Designer для быстрого создания точных посадочных мест печатных плат со стандартными позиционными обозначениями.
  Узнайте больше о создании посадочного места в Altium Designer.
• Лучшее программное обеспечение ECAD обеспечит соответствие условных обозначений печатных плат в ваших проектных документах и ​​производственных результатах.
  Узнайте больше о создании производственных результатов с точными позиционными обозначениями.
• Если вам нужно найти стандартные компоненты в цепочке поставок печатных плат, используйте панель поиска компонентов производителя в Altium Designer. Эта утилита дает вам доступ к посадочным местам печатных плат, которые содержат правильные позиционные обозначения, выводы и схемы контактов.
  Узнайте больше о панели поиска деталей производителя в Altium Designer.

Убедитесь, что ваши компоненты имеют четкие обозначения, соответствующие стандартам электронной промышленности.

Наиболее важным аспектом определения позиционных обозначений является обеспечение их синхронизации во всей топологии печатной платы и на схемах. Кроме того, когда вы создаете спецификацию, используемая вами программа должна извлекать данные о поставщике, номере детали и условном обозначении непосредственно из топологии и схемы вашей печатной платы. Вам не нужно вручную собирать эту информацию в таблицу для вашего производителя. Вместо того, чтобы делать это вручную, вам нужны инструменты САПР, которые синхронизируют все ваши проектные документы и результаты изготовления в одной программе.

Altium Designer синхронизирует всю проектную документацию и вашу спецификацию

Утилита ActiveBOM и встроенный редактор схем в Altium Designer — два важнейших инструмента, необходимых для синхронизации вашего проекта. Эти функции включены в Altium Designer вместе с редактором плат, а встроенный механизм правил проектирования автоматически проверяет наличие ошибок синхронизации при сборке платы.

Помимо установки позиционных обозначений печатных плат, Altium Designer включает в себя функции, которые помогут вам оставаться продуктивными, автоматически обновляя изменения в проектных документах. Легко задавать позиционные обозначения и применять обновления к компонентам по мере создания проекта. Никакая другая программа не позволяет так легко обеспечить синхронизацию вашей проектной базы данных.

• Все, от электрических до механических деталей, может быть автоматически помещено в спецификацию в Altium Designer. Если он определен как компонент на схеме, его можно включить в спецификацию.
  Узнайте больше о данных в спецификации в Altium Designer.
• Altium Designer помогает вам оставаться продуктивным благодаря функции аннотирования позиционных обозначений печатных плат, которая автоматически повторяет позиционные обозначения при работе в редакторе схем и компоновке печатных плат.
  Узнайте больше об аннотации условных обозначений в Altium Designer.
Разработчики
• ECAD могут получить реалистичный вид платы в 3D, чтобы оценить сборку и расположение позиционных обозначений в Altium Designer.
  Узнайте больше о собственном 3D-проектировании в Altium Designer.

Собственные функции MCAD в Altium Designer позволяют вам видеть все на вашей плате в реалистичном трехмерном виде, включая позиционные обозначения.

Когда вы будете готовы подготовить свой проект к изготовлению и сборке, вы можете быстро сгенерировать каждый файл, необходимый вашему производителю, в Altium Designer. Функция файла OutJob мгновенно получает данные о компонентах вашей печатной платы и информацию о топологии и генерирует стандартные результаты, необходимые производителям и сборщикам. Результаты, которые вы создаете в Altium Designer, будут включать в себя условные обозначения печатных плат и информацию об источниках компонентов, что поможет обеспечить точную сборку и упростит выполнение задач по отладке и тестированию после изготовления.

Оставайтесь продуктивными и эффективными с программным обеспечением Altium для проектирования на основе правил

Полный набор инструментов Altium Designer для проектирования печатных плат, которые работают вместе, чтобы помочь вам оставаться продуктивными и эффективными. Функции документирования, которые вы будете использовать для подготовки производственных выходных данных, будут брать данные непосредственно из топологии вашей печатной платы благодаря мощному механизму проектирования, основанному на правилах приложения. Этот полный набор утилит в Altium Designer создает эффективный рабочий процесс с интуитивно понятным пользовательским интерфейсом, которого нет в других приложениях для проектирования.

• Altium Designer предоставляет все необходимое для создания проектных данных и подготовки документации для компоновки печатной платы. Altium предоставляет вам лучшие инструменты проектирования печатных плат, которые помогут вам оставаться в авангарде новых технологий.
  Узнайте больше о полном наборе инструментов Altium Designer для проектирования печатных плат.
• Определение позиционных обозначений начинается со схемы. Чтобы помочь вам оставаться эффективными и точными, Altium Designer предлагает лучшую в отрасли среду для создания схем с доступом к библиотекам, компонентам и данным цепочки поставок.
  Узнайте больше о вводе схемы в Altium Designer.
• Все пользователи Altium Designer могут передавать свои данные о проектировании, изготовлении и сборке своим партнерам-производителям с помощью платформы Altium 365, единственной в отрасли управляемой облачной платформы для совместной разработки.
  Узнайте больше об обмене данными проекта платы с Altium 365.

Просматривайте свои печатные платы и позиционные обозначения в реалистичной 3D-модели с помощью встроенных инструментов 3D-проектирования печатных плат в Altium Designer.

Если вам нужно создать наиболее точную базу данных САПР для проектирования печатных плат, вам понадобится полный набор инструментов для создания компонентов и управления ими в Altium Designer. Получите доступ к лучшим в отрасли утилитам ECAD для создания макета печатной платы и подготовки производственных результатов.

Altium Designer на Altium 365 обеспечивает беспрецедентную степень интеграции в электронной промышленности, которая до сих пор не относилась к миру разработки программного обеспечения, позволяя разработчикам работать из дома и достигать беспрецедентного уровня эффективности.

Мы только коснулись того, что можно сделать с помощью Altium Designer в Altium 365. Вы можете посетить страницу продукта, чтобы получить более подробное описание функций, или посетить один из вебинаров по запросу.

Подход Murata к RoHS ЕС | Соответствие требованиям охраны труда и техники безопасности

1. ДОМ
2. Поддерживать
3. Соблюдение требований по охране труда и технике безопасности
4. Подход Murata к RoHS ЕС

Объяснение подхода Murata к EC RoHS

Подход Murata к ЕС RoHS

Murata своевременно приближается ко всем законам ЕС, относящимся к окружающей среде, благодаря нашей организованной работе в отношении экологически значимых веществ. Конечно, Murata поставляет продукцию, соответствующую директиве RoHS ЕС (9).0420 *1 ) для наших клиентов.

• *1EU RoHS — это «Европейская директива 2011/65/ЕС об ограничении использования определенных опасных веществ в электрическом и электронном оборудовании» и директивы поправок к ней.
  Директива RoHS запрещает использование свинца, ртути, кадмия, шестивалентного хрома, ПБД, ПБДЭ, бис(2-этилгексил)фталата, бутилбензилфталата, дибутилфталата и диизобутилфталата в электрическом и электронном оборудовании, за исключением применений, на которые не распространяется действие директивы. требованиям Статьи 4 (1) настоящей Директивы. Каждая максимальная концентрация для каждого вещества допустима.
  «Соответствие RoHS ЕС» означает статус соответствия вышеуказанным ограничениям.

Директива ЕС (оригинал) PDF

Система управления Murata для соответствия требованиям ЕС RoHS

В 1996 году Murata сформулировала «Программу добровольного регулирования экологически опасных веществ», чтобы установить стандарты добровольного регулирования Murata. С тех пор Murata работала над сокращением и, в конечном счете, устранением вредных для окружающей среды веществ, содержащихся в нашей продукции, опережая других производителей. Программа добровольного регулирования Murata также распространяется на шесть веществ, обозначенных в соответствии с директивой RoHS. Murata предприняла меры по поэтапному отказу от веществ, определенных RoHS, на ранней стадии, до провозглашения и обеспечения соблюдения прежнего RoHS (2002/9). 5/ЕС).

• Соответствие прежним RoHS (2002/95/EC)
  Что касается ртути, кадмия, ПБД и ПБДЭ, Murata уже прекратила их использование в продукции Murata в 1990-х годах. Кроме того, что касается использования шестивалентного хрома для обработки поверхности и использования свинца в клеммах и других соединениях компонентов, Murata уже прекратила их использование в продуктах Murata к концу 2004 года. Затем Murata запретила новое применение этих веществ. и использует.
• Меры по соблюдению переработанного RoHS (2011/65/EU)
  
  • (a) Истечение срока освобождения от содержания свинца в диэлектрической керамике в низковольтных конденсаторах. Приложение III Директивы RoHS (Список исключений) было пересмотрено Решением Комиссии ЕС 2010/571/EU (вступило в силу в марте 2013 г.). Поэтому некоторые из наших продуктов ( ^*2 ) стали продуктами, не соответствующими директиве RoHS. К концу июня 2012 г. компания Murata заменила эти продукты путем разработки материалов, не содержащих свинца, и пересмотра конструкции продуктов на альтернативные, соответствующие RoHS.
  • (b) Дополнительное обозначение конкретных фталатов для веществ, ограниченных RoHS.
    Приложение II Директивы RoHS (Список запрещенных веществ) было пересмотрено делегированной директивой Комиссии ЕС (ЕС) 2015/863 (вступила в силу в июле 2019 г.). Поэтому электрическое и электронное оборудование (EEE), содержащее определенные фталаты ( ^{* 3} ), запрещено размещать на рынке в пределах Европейской экономической зоны (EEA).
    Murata заменила эти продукты путем разработки материалов, не содержащих фталатов, и пересмотра конструкции продуктов на альтернативы, соответствующие RoHS, к январю 2019 г..

В сотрудничестве с клиентами/поставщиками в январе 2006 г. компания Murata, как правило, прекратила продажу продукции, не соответствующей директиве RoHS. И Мурата продолжает эти правила, когда поправки RoHS применяются в январе 2013 года и июле 2019 года в соответствии с приложением RoHS Recast.

• *2 Керамические конденсаторы, содержащие свинец в диэлектрической керамике, с номинальным напряжением менее 125 В переменного тока или 250 В постоянного тока. И изделия с такими конденсаторами.
• *3-Бис(2-этилгексил)фталат [DEHP], бутилбензилфталат [BBP], дибутилфталат [DBP], диизобутилфталат [DIBP]

Система гарантии соответствия спецификации продукта директиве ЕС RoHS

Для обеспечения соответствия директиве ЕС RoHS необходимы следующие основные вопросы.
На каждом этапе Murata принимает соответствующие меры, а Murata murata обеспечивает соответствие RoHS.

Пример гарантии поставщика

• Проведение аудита системы управления поставщиками на соответствие директиве RoHS ЕС
• Подтверждение наличия или отсутствия запрещенных веществ в каждой части и материале путем расследования экологических закупок
• Лимит закупки деталей и материалов, не подлежащих проверке, по EDP
• Получение гарантийного документа соответствия ЕС RoHS

Пример смешивания на производстве

• Введение приемочного контроля путем анализа
• Разделение производственного процесса, соответствующего требованиям Директивы ЕС об ограничении использования опасных веществ и не соответствующего требованиям
• Награда за детали и материалы, соответствующие/не соответствующие требованиям Директивы ЕС об ограничении использования опасных веществ в отношении хранилища и дисплея

Пример введения идентификатора продукта

• Отличие от инструкции по эксплуатации в процессе
• Идентифицированный дисплей для отгрузочной этикетки и упаковочной этикетки для всего поставляемого продукта (можно напрямую определить соответствие RoHS в дистрибутиве)

Как проверить соответствие продуктов Murata директиве RoHS ЕС

Как проверить купленными продуктами

Вы можете проверить по транспортной этикетке или упаковочной этикетке. (как в следующем примере)

Как проверить на веб-сайте murata

Продукты в каталогах в формате PDF или в системе поиска продуктов на веб-сайте Murata соответствуют директиве RoHS ЕС. Если для параметра «Этап жизненного цикла продукта» в результатах поиска системы поиска продуктов указано «Устаревший» или «Выведен из эксплуатации», продукт может не соответствовать директиве ЕС RoHS.

Если вы не можете проверить вышеуказанным способом, обратитесь в офис продаж или к дистрибьюторам Murata.

RoHS Certificate

Capacitor

Inductors

Noise Suppression Products /
EMI Suppression Filters /
TVS Diodes

Timing Devices

Sound Components (Buzzer)

Power Products

Thermistor

1. ДОМ
2. Поддерживать
3. Соблюдение требований по охране труда и технике безопасности
4. Подход Murata к RoHS ЕС

НАВЕРХ страницы

Список аббревиатур и символов электронных компонентов

по Сантош Дас | Последнее обновление 15 октября 2022 г.

Вот список сокращений названий электронных компонентов, используемых в символах электроники и печатных плат

Вот список сокращений и символов названий электронных компонентов, широко используемых в электронной промышленности. Я надеюсь, что вы найдете это руководство полезным.

Содержание

Список электронных компонентов Сокращения названий

AE : антенна, антенна B : батарея BR : мостовой выпрямитель C : конденсатор ЭЛТ : электронно-лучевая трубка D или CR : диод F : предохранитель GDT : газоразрядная трубка IC : интегральная схема J : проводная связь JFET : полевой транзистор с переходным затвором L : индуктор LC : Цепь индуктор-конденсатор LCD :Жидкокристаллический дисплей LDR : светочувствительный резистор Светодиод : светоизлучающий диод LS : динамик М : двигатель MCB : автоматический выключатель Микрофон : микрофон Ne : неоновая лампа OP : Операционный усилитель Печатная плата : печатная плата УЕ : пикап

Q : транзистор R : резистор RLA : RY: реле SCR : кремниевый управляемый выпрямитель FET : полевой транзистор MOSFET : полевой транзистор на основе оксида металла и полупроводника TFT : тонкопленочный транзистор (дисплей) СБИС : очень крупномасштабная интеграция DSP : процессор цифровых сигналов ПО : переключатель T : трансформатор TH : термистор TP : контрольная точка Tr : транзистор U : интегральная схема V : клапан (трубка) VC : переменный конденсатор VFD : вакуумный флуоресцентный дисплей VR : переменный резистор X : кристалл, керамический резонатор КСМЕР : трансформатор XTAL : кристалл Z : стабилитрон

Список компонентов SMD Сокращения названий

• SMD : Устройство для поверхностного монтажа
• SMC : Компонент для поверхностного монтажа
• DIP : двухрядный пакет
• MELF : металлический электрод без свинца
• SOIC : Интегральные схемы малых размеров
• MELF : Безвыводные поверхности металлических электродов
• LCCC : Безвыводные держатели керамической стружки
• CLCC : Керамические стружкодержатели
• SOT : Малые транзисторы
• SOIC : Малая интегральная схема
• PLCC : Пластмассовые держатели для стружки
• SOJ : Пакеты J малого размера
• QFP : Quad Flat Pack
• СКФП : Плоская термоусадочная упаковка Quad
• BGA : Решетка с шариками
• PGA : массив контактов
• CBGA : Решетка из керамических шариков
• CCGA : массив керамических колонок
• PBGA : Пластиковый BGA
• TBGA : Лента BGA

Обозначения цепей электронных компонентов

Существует так много электронных компонентов, что невозможно упомянуть обозначения всех компонентов в этом одном учебном пособии. Следовательно, я зачислил символы только основных и в основном компонентов.

Символы и аббревиатуры электронных компонентов

Заключение:

Я надеюсь, что это руководство по аббревиатурам и символам электронных компонентов было полезным и полезным для вас. Поделитесь с другими, чтобы каждый мог получить знания.

Бесплатно бесплатно задавайте свои вопросы в комментариях ниже.

Похожие сообщения:

• Основные электронные компоненты – типы, функции, символы
• 10 ведущих производителей электронных компонентов в мире
• Электронные схемы для начинающих
• Как работает электронная/электрическая схема
• Учебное пособие и обзор основных аналоговых схем
• Активные и пассивные электронные компоненты
• Учебное пособие и обзор цифровых схем
• Электронные компоненты мобильного телефона и их функции
• Смешанная сигнальная цепь – определение, конструкция, примеры
• Устройство для поверхностного монтажа (SMD) или электронные компоненты для поверхностного монтажа
• Определение электроники
• Словарь по электронике
• Где купить электронные компоненты в Индии
• Определение закона Ома, формула, пример
• Правила параллельных и последовательных электрических цепей
• Символы, значения и чертежи электропроводки
• Что такое электронная схема?
• Основы и физика полупроводниковых устройств
• Использование кремния в электронике

Теги: буквы компонентов печатной платыэлектрические и электронные компонентыСокращения названий электронных компонентовСокращения названий электронных компонентовэлектронные схематические символы и сокращениясписок символов и сокращений в электронике

Сантош Дас

Сантош, основатель этого учебного веб-сайта по электронике, является специалистом по электронике, блоггером и молодым предпринимателем. Обладает огромным опытом в области электроники, электронные компоненты, печатная плата, Пайка, СМТ, Телекоммуникации, защита от электростатических разрядов и печатные платы Сборочный инструмент, оборудование и расходные материалы. Продолжайте посещать для ежедневная доза советов и руководств.

Читайте также:

Monolithic Inductor Cross Reference-Johanson Technology

В этом руководстве содержится необходимая информация для получения эквивалентного номера детали Johanson Technology из номера детали другого поставщика. Johanson Technology Inc. предоставляет информацию, содержащуюся в данном документе, на основе данных поставщиков, доступных на момент публикации, и только для справки. Поставщики часто меняют обозначения номеров деталей и спецификации устройств. Критические характеристики следует оценивать на основе схемы и указывать на чертеже управления источником.

  Доступно в формате PDF:

Обзор конкурентов

---

АССОРТИМЕНТ АССОРТИМЕНТ АССОРТИМЕНТ

	РАЗМЕР 0201 (0603)	РАЗМЕР 0402 (1005)	РАЗМЕР 0603 (1608)	РАЗМЕР 0805 (1210)
ПОСТАВЩИК	/ НОМЕР	АССОРТИМЕНТ / НОМЕР	/ НОМЕР	/ НОМЕР
ЙОХАНСОН	1,0–33 нГн/л-05C1N2SV6	1,0–120 нГн / L-07C1N2SV6	1,0–220 нГн/л-14C1N2SV	1,5 680 нГн / L-15C10N#V4
ТОКО	1,0–33 нГн / LLV0603-F1N2S	1,0–100 нГн / LL1005-Fh2N2S	1,2–220 нГн / LL1608-FS1N2S	1,5 680 нГн / LL2012-Fh20N#
ТАЙО-ЮДЭН	1,0-47 нГн/HK0603-1N2S	1,0–120 нГн / HK10051N2S-T	1,0–220 нГн / HK16081N2S-T	1,5 470 нГн / HK212510N#-T
ТДК		1,0–100 нГн/MLK1005S1N2ST	1,0–100 нГн / MLG1608B1N2ST
Мурата	1,0–15 нГн / LQP03TN1N2C00	1,2–33 нГн / LQG15HN1N2S02	1,2–100 нГн / LQG18HN1N2S00
БОРНС		1,0–100 нГн / Cl100505-1N2D	1,0–100 нГн / CI160808-1N2D	1,5 270 нГн / Cl201210-10NJ
ПАНАСОНИК	1,0–22 нГн / ELJRG1N2DF	1,0–100 нГн / ELJRF1N2DF2	1,0 220 нГн / ELJRE1N2DF2	10 680 нГн / ELJND10NKF

РАЗМЕР	ЗНАЧЕНИЕ	ЙОХАНСОН	ТОКО	ТАЙЁ ЮДЭН	ТДК	МУРАТА	БОРНС	ПАНАСОНИК
0201	1,0 нГн	Л-05Б1Н0СВ6Т	ЛЛВ0603-Ф1Н0С	ХК0603-1Н0С-Т		ЛКП03ТН1Н0К00		ELJRG1N0DF
0201	1,2 нГн	Л-05Б1Н2СВ6Т	ЛЛВ0603-Ф1Н2С	ХК0603-1Н2С-Т		ЛКП03ТН1Н2К00		ELJRG1N2DF
0201	1,5 нГн	Л-05Б1Н5СВ6Т	ЛЛВ0603-Ф1Н5С	ХК0603-1Н5С-Т		ЛКП03ТН1Н5К00		ELJRG1N5DF
0201	1,8 нГн	Л-05Б1Н8СВ6Т	ЛЛВ0603-Ф1Н8С	ХК0603-1Н8С-Т		ЛКП03ТН1Н8К00		ELJRG1N8DF
0201	2,2 нГн	Л-05Б2Н2СВ6Т	ЛЛВ0603-Ф2Н2С	ХК0603-2Н2С-Т		ЛКП03ТН2Н2К00		ELJRG2N2DF
0201	2,7 нГн	Л-05Б2Н7СВ6Т	ЛЛВ0603-Ф2Н7С	ХК0603-2Н7С-Т		ЛКП03ТН2Н7К00		ELJRG2N7DF
0201	3,3 нГн	Л-05Б3Н3@В6Т	ЛЛВ0603-Ф3Н3С	ХК0603-3Н3С-Т		ЛКП03ТН3Н3К00		ELJRG3N3DF
0201	3,9 нГн	Л-05Б3Н9@В6Т	LLV0603-F3N9S	ХК0603-3Н9С-Т		ЛКП03ТН3Н9К00		ELJRG3N9DF
0201	4,7 нГн	Л-05Б4Н7@В6Т	ЛЛВ0603-Ф4Н7С	ХК0603-4Н7С-Т		ЛКП03ТН4Н7ДЖ00		ELJRG4N7DF
0201	5,6 нГн	Л-05Б5Н6@В6Т	ЛЛВ0603-Ф5Н6С	ХК0603-5Н6С-Т		ЛКП03ТН5Н6ДЖ00		ELJRG5N6DF
0201	6,8 нГн	Л-05Б6Н8#В6Т	ЛЛВ0603-Ф6Н8ДЖ	ХК0603-6Н8ДЖ-Т		ЛКП03ТН6Н8ДЖ00		ELJRG6N8JF
0201	8,2 нГн	Л-05Б8Н2#В6Т	ЛЛВ0603-Ф8Н2ДЖ	ХК0603-8Н2ДЖ-Т		ЛКП03ТН8Н2ДЖ00		ELJRG8N2JF
0201	10 нГн	Л-05Б10Н#В6Т	ЛЛВ0603-Ф10НЖ	ХК0603-10НДЖ-Т		ЛКП03ТН10НДЖ00		ELJRG10NJF
0201	12 нГн	Л-05Б12Н#В6Т	ЛЛВ0603-Ф12НЖ	ХК0603-12НДЖ-Т		ЛКП03ТН12НДЖ00		ELJRG12NJF
0201	15 нГн	Л-05Б15Н#В6Т	ЛЛВ0603-Ф15НЖ	ХК0603-15НДЖ-Т		ЛКП03ТН15НДЖ00		ELJRG15NJF
0201	18 нГн	Л-05Б18Н#В6Т	LLV0603-F18NJ	ХК0603-18НДЖ-Т				ELJRG18NJF
0201	22 нГн	Л-05Б22Н#В6Т	ЛЛВ0603-Ф22НЖ	ХК0603-22НДЖ-Т				ELJRG22NJF
0201	27 нГн	Л-05Б27Н#В6Т	ЛЛВ0603-Ф27НЖ	ХК0603-27НДЖ-Т
0201	33 нГн	Л-05Б33Н#В6Т	ЛЛВ0603-Ф33НЖ	ХК0603-33НДЖ-Т

РАЗМЕР	ЗНАЧЕНИЕ	ЙОХАНСОН	ТОКО	ТАЙЁ ЮДЭН	ТДК	МУРАТА	БОРНС	ПАНАСОНИК
0402	1,0 нГн	Л-07C1N0SV6T	ЛЛ1005-Фх2Н0С	ХК10051Н0С-Т	МЛК1005С1Н0СТ	ЛКГ15ХН1Н0С02	Кл100505-1Н0Д
0402	1,2 нГн	Л-07К1Н2СВ6Т	LL1005-Fh2N2S	ХК10051Н2С-Т	МЛК1005С1Н2СТ	ЛКГ15ХН1Н2С02	Кл100505-1Н2Д	ELJRF1N2DF2
0402	1,5 нГн	Л-07К1Н5СВ6Т	ЛЛ1005-Фх2Н5С	ХК10051Н5С-Т	МЛК1005С1Н5СТ	ЛКГ15ХН1Н5С02	Кл100505-1Н5Д	ELJRF1N5DF2
0402	1,8 нГн	Л-07К1Н8СВ6Т	ЛЛ1005-Фх2Н8С	ХК10051Н8С-Т	МЛК1005С1Н8СТ	ЛКГ15ХН1Н8С02	Кл100505-1Н8Д	ELJRF1N8DF2
0402	2,2 нГн	Л-07К2Н2СВ6Т	ЛЛ1005-Фх3Н2С	ХК10052Н2С-Т	МЛК1005С2Н2СТ	ЛКГ15ХН2Н2С02	Кл100505-2Н2Д	ELJRF2N2DF2
0402	2,7 нГн	Л-07К2Н7СВ6Т	ЛЛ1005-Фх3Н7С	ХК10052Н7С-Т	МЛК1005С2Н7СТ	ЛКГ15ХН2Н7С02	Кл100505-2Н7Д	ELJRF2N7DF2
0402	3,3 нГн	Л-07К3Н3@В6Т	LL1005-Fh4N3@	ХК10053Н3@-Т	МЛК1005С3Н3СТ	ЛКГ15ХН3Н3С02	Кл100505-3Н3Д	ELJRF3N3DF2
0402	3,9 нГн	Л-07К3Н9@В6Т	LL1005-Fh4N9@	ХК10053Н9@-Т	МЛК1005С3Н9СТ	ЛКГ15ХН3Н9С02	Кл100505-3Н9Д	ELJRF3N9DF2
0402	4,7 нГн	Л-07К4Н7@В6Т	LL1005-Fh5N7@	ХК10054Н7@-Т	МЛК1005С4Н7СТ	ЛКГ15ХН4Н7С02	Кл100505-4Н7Д	ELJRF4N7DF2
0402	5,6 нГн	Л-07К5Н6@В6Т	LL1005-FH5N6@	ХК10055Н6@-Т	МЛК1005С5Н6СТ	ЛКГ15ХН5Н6С02	Кл100505-5Н6Д	ELJRF5N6DF2
0402	6,8 нГн	Л-07К6Н8#В6Т	ЛЛ1005-ФХ6Н8#	ХК10056Н8#-Т	МЛК1005С6Н8СТ	ЛКГ15ХН6Н8ДЖ02	Кл100505-6Н8ДЖ	ELJRF6N8JF2
0402	8,2 нГн	Л-07К8Н2#В6Т	ЛЛ1005-ФХ8Н2#	ХК10058Н2#-Т	МЛК1005С8Н2СТ	ЛКГ15ХН8Н2ДЖ02	Кл100505-8Н2ДЖ	ELJRF8N2JF2
0402	10 нГн	Л-07К10Н#В6Т	ЛЛ1005-Фх20Н#	ХК100510Н#-Т	МЛК1005С10НДЖТ	ЛКГ15ХН10НДЖ02	Кл100505-10НЖ	ELJRF10NJF2
0402	12 нГн	Л-07К12Н#В6Т	ЛЛ1005-Фх22Н#	ХК100512Н#-Т	МЛК1005С12НДЖТ	ЛКГ15ХН12НДЖ02	Кл100505-12НЖ	ELJRF12NJF2
0402	15 нГн	Л-07К15Н#В6Т	ЛЛ1005-Фх25Н#	ХК100515Н#-Т	МЛК1005С15НДЖТ	ЛКГ15ХН15НДЖ02	Кл100505-15НЖ	ELJRF15NJF2
0402	18 нГн	Л-07К18Н#В6Т	LL1005-Fh28N#	ХК100518Н#-Т	МЛК1005С18НДЖТ	ЛКГ15ХН18НДЖ02	Кл100505-18НЖ	ELJRF18NJF2
0402	22 нГн	Л-07К22Н#В6Т	ЛЛ1005-Фх32Н#	ХК100522Н#-Т	МЛК1005С22НДЖТ	ЛКГ15ХН22НДЖ02	Кл100505-22НЖ	ELJRF22NJF2
0402	27 нГн	Л-07К27Н#В6Т	ЛЛ1005-Фх37Н#	ХК100527Н#-Т	МЛК1005С27НДЖТ	ЛКГ15ХН27НДЖ02	Кл100505-27НЖ	ELJRF27NJF2
0402	33 нГн	Л-07К33Н#В6Т	ЛЛ1005-Фх43Н#	ХК100533Н#-Т	МЛК1005С33НДЖТ	ЛКГ15ХН33НДЖ02	Кл100505-33НЖ	ELJRF33NJF2
0402	39 нГн	Л-07К39Н#В6Т	LL1005-Fh49N#	ХК100539Н#-Т	МЛК1005С39НДЖТ	ЛКГ15ХН39НДЖ02	Кл100505-39НЖ	ELJRF39NJF2
0402	47 нГн	Л-07К47Н#В6Т	LL1005-Fh57N#	ХК100547Н#-Т	МЛК1005С47НДЖТ	ЛКГ15ХН47НДЖ02	Кл100505-47НЖ	ELJRF47NJF2
0402	56 нГн	Л-07К56Н#В6Т	ЛЛ1005-ФХ56Н#	ХК100556Н#-Т	МЛК1005С56НДЖТ	ЛКГ15ХН56НДЖ02	Кл100505-56НЖ	ELJRF56NJF2
0402	68 нГн	Л-07К68Н#В6Т	ЛЛ1005-ФХ68Н#	ХК100568Н#-Т	МЛК1005С68НДЖТ	ЛКГ15ХН68НДЖ02	Кл100505-68НЖ	ELJRF68NJF2
0402	82 нГн	Л-07К82Н#В6Т	ЛЛ1005-ФХ82Н#	ХК100582Н#-Т	МЛК1005С82НДЖТ	ЛКГ15ХН82НДЖ02	Кл100505-82НЖ	ELJRF82NJF2
0402	100 нГн	Л-07КР10#В6Т	ЛЛ1005-ФХР10#	ХК1005Р10#-Т	МЛК1005СР10ДЖТ	ЛКГ15ХНР10ДЖ02	Кл100505-Р10ДЖ	ELJRFR10JF2
0402	120 нГн	Л-07КР12#В6Т				ЛКГ15ХНР12ДЖ02

РАЗМЕР	ЗНАЧЕНИЕ	ЙОХАНСОН	ТОКО	ТАЙЁ ЮДЭН	ТДК	МУРАТА	БОРНС	ПАНАСОНИК
0603	1,0 нГн	Л-14К1Н0СВ*Е		ХК16081Н0С-Т	МЛГ1608Б1Н0СТ		Кл160808-1Н0Д	ELJRE1N0DF2
0603	1,2 нГн	Л-14К1Н2СВ*Е	ЛЛ1608-ФС1Н2С	ХК16081Н2С-Т	МЛГ1608Б1Н2СТ	ЛКГ18ХН1Н2С00	Кл160808-1Н2Д	ELJRE1N2DF2
0603	1,5 нГн	Л-14К1Н5СВ*Е	ЛЛ1608-ФС1Н5С	ХК16081Н5С-Т	МЛГ1608Б1Н5СТ	ЛКГ18ХН1Н5С00	Кл160808-1Н5Д	ELJRE1N5DF2
0603	1,8 нГн	Л-14К1Н8СВ*Е	ЛЛ1608-ФС1Н8С	ХК16081Н8С-Т	МЛГ1608Б1Н8СТ	ЛКГ18ХН1Н8С00	Кл160808-1Н8Д	ELJRE1N8DF2
0603	2,2 нГн	Л-14К2Н2СВ*Е	ЛЛ1608-ФС2Н2С	ХК16082Н2С-Т	МЛГ1608Б2Н2СТ	ЛКГ18ХН2Н2С00	Кл160808-2Н2Д	ELJRE2N2DF2
0603	2,7 нГн	Л-14К2Н7СВ*Е	ЛЛ1608-ФС2Н7С	ХК16082Н7С-Т	МЛГ1608Б2Н7СТ	ЛКГ18ХН2Н7С00	Кл160808-2Н7Д	ELJRE2N7DF2
0603	3,3 нГн	Л-14К3Н3@В*Е	LL1608-FS3N3 @	ХК16083Н3@-Т	МЛГ1608Б3Н3@Т	ЛКГ18ХН3Н3С00	Кл160808-3Н3Д	ELJRE3N3DF2
0603	3,9 нГн	Л-14К3Н9@В*Е	ЛЛ1608-ФС3Н9@	ХК16083Н9@-Т	МЛГ1608Б3Н9@Т	ЛКГ18ХН3Н9С00	Кл160808-3Н9Д	ELJRE3N9JF2
0603	4,7 нГн	L-14C4N7@V*E	LL1608-FS4N7@	ХК16084Н7@-Т	МЛГ1608Б4Н7@Т	ЛКГ18ХН4Н7С00	Кл160808-4Н7Д	ELJRE4N7JF2
0603	5,6 нГн	Л-14К5Н6@В*Е	ЛЛ1608-ФС5Н6@	ХК16085Н6@-Т	МЛГ1608Б5Н6@Т	ЛКГ18ХН5Н6С00	Кл160808-5Н6Д	ELJRE5N6JF2
0603	6,8 нГн	Л-14К6Н8#В*Е	ЛЛ1608-ФС6Н8#	ХК16086Н8#-Т	МЛГ1608Б6Н8#Т	ЛКГ18ХН6Н8ДЖ00	Кл160808-6Н8ДЖ	ELJRE6N8JF2
0603	8,2 нГн	Л-14К8Н2#В*Е	ЛЛ1608-ФС8Н2#	ХК16088Н2#-Т	МЛГ1608Б8Н2#Т	ЛКГ18ХН8Н2ДЖ00	Кл160808-8Н2ДЖ	ELJRE8N2JF2
0603	10 нГн	Л-14К10Н#В*Е	ЛЛ1608-ФС10Н#	ХК160810Н#-Т	МЛГ1608Б10Н#Т	ЛКГ18ХН10НДЖ00	Кл160808-10НЖ	ELJRE10NJF2
0603	12 нГн	Л-14К12Н#В*Е	ЛЛ1608-ФС12Н#	ХК160812Н#-Т	МЛГ1608Б12Н#Т	ЛКГ18ХН12НДЖ00	Кл160808-12НЖ	ELJRE12NJF2
0603	15 нГн	Л-14К15Н#В*Е	ЛЛ1608-ФС15Н#	ХК160815Н#-Т	МЛГ1608Б15Н#Т	ЛКГ18ХН15НДЖ00	Кл160808-15НЖ	ELJRE15NJF2
0603	18 нГн	Л-14К18Н#В*Е	ЛЛ1608-ФС18Н#	ХК160818Н#-Т	МЛГ1608Б18Н#Т	ЛКГ18ХН18НДЖ00	Кл160808-18НДЖ	ELJRE18NJF2
0603	22 нГн	Л-14К22Н#В*Е	ЛЛ1608-ФС22Н#	ХК160822Н#-Т	МЛГ1608Б22Н#Т	ЛКГ18ХН22НДЖ00	Кл160808-22НЖ	ELJRE22NJF2
0603	27 нГн	Л-14К27Н#В*Е	ЛЛ1608-ФС27Н#	ХК160827Н#-Т	МЛГ1608Б27Н#Т	ЛКГ18ХН27НДЖ00	Кл160808-27НЖ	ELJRE27NJF2
0603	33 нГн	Л-14К33Н#В*Е	ЛЛ1608-ФС33Н#	ХК160833Н#-Т	МЛГ1608Б33Н#Т	ЛКГ18ХН33НДЖ00	Кл160808-33НЖ	ELJRE33NJF2
0603	39 нГн	Л-14К39Н#В*Е	ЛЛ1608-ФС39Н#	ХК160839Н#-Т	МЛГ1608Б39Н#Т	ЛКГ18ХН39НДЖ00	Кл160808-39НЖ	ELJRE39NJF2
0603	47 нГн	Л-14К47Н#В*Е	ЛЛ1608-ФС47Н#	ХК160847Н#-Т	МЛГ1608Б47Н#Т	ЛКГ18ХН47НДЖ00	Кл160808-47НЖ	ELJRE47NJF2
0603	56 нГн	Л-14К56Н#В*Е	ЛЛ1608-ФС56Н#	ХК160856Н#-Т	МЛГ1608Б56Н#Т	ЛКГ18ХН56НДЖ00	Кл160808-56НЖ	ELJRE56NJF3
0603	68 нГн	L-14C68N#V*E	ЛЛ1608-ФС68Н#	ХК160868Н#-Т	МЛГ1608Б68Н#Т	ЛКГ18ХН68НДЖ00	Кл160808-68НЖ	ELJRE68NJF3
0603	82 нГн	L-14C82N#V*E	ЛЛ1608-ФС82Н#	ХК160882Н#-Т	МЛГ1608Б82Н#Т	ЛКГ18ХН82НДЖ00	Кл160808-82НЖ	ELJRE82NJF3
0603	100 нГн	Л-14КР10#В*Е	LL1608-FSR10#	ХК1608Р10#-Т	МЛГ1608БР10#Т	ЛКГ18ХНР10ДЖ00	Кл160808-Р10Дж	ELJRER10JF3
0603	120 нГн	Л-14КР12#В*Е	ЛЛ1608-ФСР12#	ХК1608Р12#-Т				ELJRER12JF3
0603	150 нГн	Л-14КР15#В*Е	ЛЛ1608-ФСР15#	ХК1608Р15#-Т				ELJRER15JF3
0603	180 нГн	Л-14КР18#В*Е	ЛЛ1608-ФСР18#	ХК1608Р18#-Т				ELJRER18JF3
0603	220 нГн	Л-14КР22#В*Е	ЛЛ1608-ФСР22#	ХК1608Р22#-Т				ELJRER22JF3

* = на выбор или с маркировкой или без маркировки
% = Детали Murata 0201 тонкопленочные / Критические характеристики следует оценивать в конкретном приложении
@ = выбор допуска S или K, # = допуск J или K

Johanson Technology, Inc. оставляет за собой право изменять дизайн и цены без предварительного уведомления. Все продажи регулируются условиями
и условия, напечатанные на оборотной стороне наших форм подтверждения заказа на продажу, включая ограниченную гарантию и средства правовой защиты для
несоответствующий товар или бракованный товар. Мы будем рады предоставить копию этих условий для ознакомления.

Различные представления игристых вин, сходства и расхождения между обозначениями в Бразилии и Франции

BIO Web of Conferences 15 , 03017 (2019)

Различные представления игристых вин, сходства и расхождения между обозначениями в Бразилии и Франции

М.В. Araujo ^{1 , 2 a} , G. Lo Monaco ² , D. Callegaro de Menezes ¹ и K.L. Bruch ¹

¹ Центр исследований и исследований в области агробизнеса – Федеральный университет Риу-Гранди-ду-Сул, Av. Bento Goncalves, 7712 Порту-Алегри,-000, Бразилия
² Лаборатория социальной психологии – Экс-Марсельский университет, Maison de la Recherche, 29 avenue Robert Schuman, 13621 Экс-ан-Прованс, Франция

^a e-mail: [email protected]

Abstract

Это исследование направлено на понимание сходства и расхождения между социальными представлениями, связанными с различными терминами, используемыми для обозначения игристых вин в Бразилии и во Франции. С этой целью мы выполнили вербальную ассоциативную задачу по сбору контента социальной репрезентации в Бразилии и Франции. В Бразилии это слово было индуктором: игристое вино, москатель игристого вина, сидр и шампанское. Во Франции игристое вино, петильное вино, кремановое вино и шампанское. Существуют общие термины, используемые для обозначения игристых вин, которые до сих пор сбивают с толку потребителей. Данные были проанализированы методом восходящего иерархического кластерного анализа и представлены в виде дендрограммы. Этот метод свидетельствует о несходстве между индукторами. Результаты представлены в основном кластере со всеми игристыми винами и еще с бразильским индукторным сидром. После этого мы также отделили бразильский индуктор moscatel и показали близкое сходство между французскими индукторами, шампанским и игристым вином. Несмотря на то, что это предварительное исследование, результаты показывают, что они начинают объяснять конвергенцию во французском контексте, вероятно, из-за долгой истории этих продуктов. С другой стороны, в Бразилии наблюдается расхождение, в основном с сидром и москателем, недавно появившимися на бразильском рынке, по сравнению с игристым вином и шампанским.

© The Authors, опубликовано EDP Sciences, 2019

Это статья с открытым доступом, распространяемая в соответствии с лицензией Creative Commons Attribution License 4.0, которая разрешает неограниченное использование, распространение и воспроизведение на любом носителе при условии, что оригинал работа цитируется правильно.

1. Введение

Возникнув из-за ошибки хранения вина, игристое вино стало важным продуктом мирового винного сектора. Шампанское, лидер игристых вин [1], иногда рассматриваемое как отдельная категория [2], с момента своего появления, около 1700 года, стало известным продуктом на праздниках, праздниках, вечеринках в конце года и роскоши [3]. . Более того, потребление игристых вин привело к тому, что рынок завладел миром. Изменение потребления составило 32% по стоимости (евро) и 36% по количеству [4]. В других случаях нетрадиционные продукты также приобрели рыночное значение. Это касается игристых вин «moscatel» в Бразилии [5, 6] и «Crémants» во Франции, которые являются более доступными винами [7].

Однако во Франции потребители используют множество названий игристых вин – mousseux, petillant, Champagne, Crémant и другие местные названия. Тем не менее, некоторые термины имеют уничижительный оттенок, например, игристое уступает шампанскому [8]. Поэтому предпочтение отдается шипучему, игристому (pétillant), креману или шампанскому [9].

В Бразилии помимо термина игристое – эспуманте – шампанское очень часто используется для обозначения шипучих напитков. Как игристое вино, но и сидр, шипучий яблочный.

Бразильские потребители часто путают это из-за общего термина «игристое». Буклет, подготовленный представителем винодельческого сектора Бразилии (IBRAVIN — Бразильский институт вина), объясняет эти различия между терминами и игристыми продуктами. Согласно IBRAVIN, игристое вино — это просто продукты первого или второго брожения винограда, которые производят естественные пузырьки [10]. Однако сидр, сброженный из фруктов, смеси алкогольных напитков, безалкогольных напитков не считается игристым вином. Как мы видим на федеральном низком уровне n. 7,678 [11].

Как и в Бразилии, шипучий — это общий термин, используемый для обозначения игристых вин во Франции [12]. Кроме того, Европейский Союз регулирует производство и термины, используемые для обозначения игристых вин [13], чтобы избежать злоупотреблений в отношении потребителей. Из-за множества представлений об игристых винах и «игристых» продуктах потребители по-разному воспринимают этот продукт. В некоторых случаях неопределенное восприятие, например, сидр или действительно игристое вино.

Напиток для празднования и общественных целей [14], игристое вино присутствует во многих странах и может иметь разное представление или назначение. Эта символическая сторона игристого вина характерна для вина в целом. Является продуктом праздничности и частью французской идентичности, то есть [15].

Как и вино, игристое вино можно рассматривать как культурный объект. Таким образом, это культурные и социальные практики, связанные с их потреблением. Об этих практиках могут свидетельствовать их социальные представления [16]. Таким образом, социальные представления — это убеждения, созданные и поддерживаемые в обществе, которые разделяют люди в одной и той же социальной группе [17]. Это форма практического знания, которая способствует конструированию общей реальности в конкретной группе [18]. Социальный контекст влияет на удовлетворение социальной точки зрения, групповой идентичности и чувства социальной дифференциации [19].]. Его содержание вытекает из истории и культуры [20]. Таким образом, социальные представления — это социальные знания, которые имеют значение групповых отношений, на которые влияют культура и история некоторой группы [18].

Принимая во внимание культурные и социальные различия между Бразилией и Францией, игристое вино может иметь разные представления. Это может быть связано с происхождением вина в обеих странах. Бразилия — вино нового слова, а Франция — вино старого слова. Новое слово «вино» имеет новые отношения с вином, инновационным способом, в отличие от старого слова «вино», поскольку Франция более консервативна и хранит традиции [21].

Принимая во внимание эти различия и тот факт, что социальные представления универсальны, но объект представления, такой как вино, варьируется в зависимости от культуры [16], целью этого исследования является понимание сходств и расхождений между социальными представлениями, связанными с различными терминами. используется для обозначения игристых вин в Бразилии и во Франции.

2. Метод

2.1. Участники

Триста пятнадцать один человек приняли участие в этом исследовании. 211 бразильцев (148 женщин, M возраст = 29,43, SD = 10,63) и 140 француженок (102 женщины, M возраст = 33,78, SD = 13,00) (см. вино. Участники подтвердили возраст, страну происхождения и социально-демографические данные. Респонденты, родившиеся в других странах, а затем в Бразилии и Франции, были исключены из исследования.

Таблица 1.

Распределение участников по возрасту.

2.2. Процедура

Участники были приглашены в группы Facebook в режиме снежного кома для заполнения онлайн-анкеты на французском и бразильском португальском языках. С методологической точки зрения репрезентативное исследование проводится с помощью задания на словесные ассоциации [22]. Участников попросили произнести четыре слова или выражения, которые приходят им в голову, когда мы случайным образом представили один из четырех слов-индукторов. В Бразилии индукторами слов были: «vinho espumante», «espumante moscatel», «сидр» и «шампанское». Во Франции индукторами слова были: «vin mousseux», «vin pétillant», «vin cremant» и «шампанское».

Выполняя задание на словесные ассоциации, участникам было предложено ранжировать свои ответы в соответствии с инструкциями по ранжированию важности. Затем они предоставили значение слов, связанных с семантической контекстуализацией. Эта задача облегчает лемматизацию и категоризацию [23, 24]. Наконец, участники заполнили опросник по социально-демографическим характеристикам и привычкам потребления.

2.3. Анализ данных

Собранные слова и выражения были лемматизированы и классифицированы с использованием семантической контекстуализации слов [24] для выполнения восходящего иерархического кластерного анализа [22, 25, 26, 27] для сравнения словаря слов для каждого индуктора и получения сходство и различие между ними см.: [27]. Эта цель состоит в том, чтобы сравнить близость индукторов, иметь близость и расстояние между различными словарями [22] в Бразилии и во Франции.

Результаты наглядно представлены в виде дендрограммы [28, 29]. Дендрограмма позволяет наблюдать показатели сходства [27].

Таблица 2.

Матрица сходства (матрица коэффициентов евклидовых расстояний), основанная на средней релевантности восьми индукторов игристых вин в Бразилии и Франции.

Рис. 1. Дендрограмма восходящего иерархического кластерного анализа.

3. Результаты

Мы сравнили с помощью иерархического кластерного анализа несходство между восьмисловными словарями, четыре в какой стране, имеющие евклидовы расстояния между какими индукторами. Респонденты были сгруппированы в соответствии с присвоенным им индуктором. Результаты визуально представлены в виде дендрограммы, которая представляет сходство по одной связи между 8 переменными (индукторами): от 1 до 4 бразильские индукторы и от 5 до 8 французские индукторы.

Матрица различий между средними значениями восьми индукторов, а также средние значения и стандартные отклонения приведены в таблице 2. Визуальное представление различий дает дендрограмма евклидовых расстояний на рис. 1.

Сравнение между словарями проводится по словам, связанным с каждым из индукторов. Они были назначены по одному для каждого участника случайным образом. Среднее показывает количество повторений условий для каждого индуктора. Термины, вызванные респондентами, получили 1, а остальные 0. Затем респонденты были разделены полученным индуктором, а затем мы усреднили ответы.

Для анализа непохожести нас интересовали различия по странам. 1–4 посвящены бразильским индукторам и 5–8 французским индукторам. В Бразилии самая большая разница между шампанским и сидром, а наименьшая — между шампанским и «эспуманте», а также между «эспуманте» и «москателем». Франция имеет небольшую разницу между катушками индуктивности. Наименьший — между шампанским и «муссе» (22,9), а самый большой — между «креман» и «петильян» (36,3). Если сравнить Францию ​​и Бразилию, то наименьшая разница между «муссе» и «эспуманте» (32,5), а самая большая между «вин петильян» и «сидр» (49,5). .3). Наибольшее несоответствие наблюдается в Бразилии: шампанское, сидр (53,5) и москатель (48,2).

На рисунке 1 наглядно представлены различия между бразильскими и французскими индукторами. Для начала у нас есть два кластера: один состоит из всех игристых вин Бразилии и Франции, а последний — только из бразильского индуктивного сидра.

4. Обсуждения

Это исследование направлено на то, чтобы понять сходства и расхождения между социальными представлениями о различных терминах для обозначения игристых вин в Бразилии и Франции. Мы использовали иерархический кластерный анализ в теории социальной репрезентации [27], чтобы понять несходство между восемью индукторами, четырьмя в Бразилии и четырьмя во Франции. Это предварительное исследование о социальных представлениях и социальной роли игристого вина в обеих странах. В Бразилии мы использовали четыре индуктора, которые обозначают игристое вино на бразильском португальском языке: vinho espumante, espumante moscatel, sidra и Champagne. И четыре индуктора во Франции: vin mousseux, vin pétillant, vin cremant et Champagne.

Эти слова-индукторы в настоящее время используются потребителями для обозначения игристых вин в обеих странах. Мы использовали их для сбора содержания социальных представлений об этом объекте.

Из восходящего иерархического кластерного анализа мы можем идентифицировать первые два кластера. Первый с бразильским индукторным сидром, а второй с другим игристым вином. Важно отметить, что сидр — единственный индуктор, который не считается игристым вином. Это ферментированный напиток из яблок. Точно так же это сладкий и популярный продукт в Бразилии. Внутри второго кластера у нас есть другие игристые вина и подкластеры. Наиболее близким является игристое вино (mousseux) и шампанское во Франции, имеющее также сходство с игристым вином в Бразилии и Кремане. Игристое вино москатель, шампанское в Бразилии и петильян (игристое вино во Франции) также близки к этому основному кластеру.

Москатель, как и сидр, также является сладким продуктом и иногда рассматривается как продукт для начинающих. В случае Франции, event pétillant является синонимом игристого вина во Франции, и в то время оно имело различия. С другой стороны, шампанское, которое часто считается отдельной категорией [2], во Франции образует кластер с игристыми винами. Кроме того, вино Креман также является частью этого кластера. Эта близость шампанского и игристого вина противоречит теории. Обычно игристое вино имеет уничижительный оттенок [8].

Это сходство может быть связано с происхождением игристого вина и важностью шампанского для этого продукта во Франции. Шампанское также является важным продуктом в Бразилии, но имеет другое происхождение. С другой стороны, бразильские потребители начинают больше знать и потреблять больше [5]. Однако шампанское остается престижным продуктом благодаря своей репутации [2, 30]. В этом смысле результаты показывают, что во Франции традиционный производитель вина и потребитель имеют небольшое различие между индукторами. В Бразилии шампанское, сидр и москатель имеют наибольшую несхожесть, что можно объяснить их появлением и принадлежностью к социальной группе. Оба продукта имеют разное происхождение, например, сидр, начиная с XX века, что можно считать недавним появлением на бразильском рынке [31]. Игристое вино москатель также является новинкой на бразильском рынке [6], что может объяснить различия между индукторами.

Тем не менее, это предварительное исследование, которое показывает первые результаты изучения социальных представлений. Он еще не показывает содержания социальных представлений и того, как они организованы. Было предложено более точно проанализировать содержание, чтобы понять привязку и объективацию социальной репрезентации [29, 32, 33] игристого вина в Бразилии и Франции.

Благодарности

Эта работа была проведена в рамках стипендии для международного сотрудничества (PDSE/CAPES 47/2017), финансируемой CAPES – Федеральным агентством Бразилии по поддержке и оценке высшего образования при Министерстве образования Бразилии.

Каталожные номера

• Г. Лигер-Белэр, Ж. Рошар, Les vins effervescents: Du terroir à la Bulle (Pratiques, Paris: Dunod, 2008) [Google Scholar]
• А. Мортон, К. Риверс, С. Чартерс, В. Спинкс, Qual. Отметка. Рез. Междунар. Дж. 16, 150 (2013) [Перекрестная ссылка] [Google Scholar]
• Д. Кладструп, П. Кладструп, Шампане (Рио-де-Жанейро, Хорхе Захар, 2006) [Google Scholar]
• OIV, «Статистический отчет OIV о мировом виноградарстве», Париж, 2018 г. [Google Scholar]
• М. В. Араужо, М.А.К. да Силва, К.Л. Брух, BIO Web Conf. 12, 03012 (2019) [Перекрестная ссылка] [Google Scholar]
• Д.А. Вурц и др., BIO Web Conf. 9, 03008 (2017) [Перекрестная ссылка] [Google Scholar]
• Л. Аррибар, «Марш шипучих вин», Париж, 2015 г. [Google Scholar]
• Дж. Стерлинг, Vintage Feasting (Нью-Йорк, Pocket Books, 1996) [Google Scholar]
• Ф. Колломбе, «Mousseux (vins mousseux) Champagne, cremant, effervescent, petillant», Dico du Vin, 2011, [онлайн], доступно: https://dico-du-vin.com/mousseux-vins-mousseux/ [ Дата обращения: 04 апреля 2019 г.] [Google Scholar]
• К. Л. БРУШ, «Nem tudo que borbulha é espumante», Бенту Гонсалвеш, 2012 г. [Google Scholar]
• БРАЗИЛИЯ, «Lein ^∘ 7.678, 8 ноября 1988 г.», 2014 г. [Онлайн]. Доступно: http://www.planalto.gov.br/ccivil_03/leis/1980-1988/L7678.htm. [Доступ: 02 августа 2018 г.] [Google Scholar]
• Syndicat Français des Vins Mousseux, «vin et bulles», Réglementation, 2019 г. [онлайн]. Доступно: http://www.vin-et-bulles.fr/fr/les-vins-mousseaux/reglementation [Дата обращения: 4 апреля 2019 г. ] [Google Scholar]
• Официальный журнал Европейского Союза, устанавливающий некоторые подробные правила реализации Регламента Совета (ЕС) № 479/2008 в отношении категорий продуктов из виноградной лозы, винодельческой практики и применимых ограничений. Европейский Союз: Официальный журнал Европейского Союза, 2009 г., п. Л 193/1-59 [Google Scholar]
• Дж. Фонтейн, К. Лэмб, Int. Дж. Винный автобус. Рез. 23, 107 (2011) [Перекрестная ссылка] [Google Scholar]
• К. Симонне-Туссен, А. Лесинь, П.Х. Келлер, Дж. Междунар. Des Sci. Ла Винье Дю Вин. 38, 97 (2004) [Google Scholar]
• М. Муре, Г. Ло Монако, И. Урдапиллета, В.В. Парр, Food Qual. Предпочитать. 30, 102 (2013) [Google Scholar]
• G. Lo Monaco, F. Lheureux, S. Halimi-Falkowicz, Swiss J. Psychol. 67, 119 (2008) [Google Scholar]
• Д. Жодле, Les représentations sociales, 5-е изд., под редакцией Д. Жодле (Париж, Presses Universitaires de France, 19).89), с. 47 [Google Scholar]
• Г. Ло Монако, Л. Гауссо, К. Гимелли, Прат. Психол. 15, 473 (2009) [Google Scholar]
• С. Йовхлович, Os contextos do saber: представительство, общение и культура (Tradução d. Petropolis, Vozes, 2008) [Google Scholar]
• Г. Бэнкс, Дж. Овертон, J. Wine Res. 21, 57 (2010) [Google Scholar]
• П. Молинер, Г. Ло Монако, Вербальные методы ассоциации гуманитарных и социальных наук (Fontaine, PUG, 2017) [Google Scholar]
• А. Пьерматтео, Г. Ло Монако, Л. Моро, Ф. Жирандола, Дж. Л. Тавани, Span. Дж. Психол. 17, 1 (2014) [Google Scholar]
• А. Пьерматтео, Ж.-Л. Tavani, G. Lo Monaco, Field Meth. 1 (2018) [Google Scholar]
• Ж.-К. Abric, Méthodes d’étude des représentations sociales, под редакцией J.-C. Abric, (Тулуза, Éditions Érès, 2003), с. 59[Google Scholar]
• Г. Ло Монако, А. Пьерматтео, П. Рато, Дж. Л. Тавани, Дж. Теория Соц. Поведение 47, 306 (2016) [Google Scholar]
• А. Клеменс, В. Дойз, Ф. Лоренци-Чиолди, Количественный анализ социальных представлений, электронная книга (Лондон, Рутледж, 2014 г.) [Перекрестная ссылка] [Google Scholar]
• Ж.-П. Ди Джакомо, евро. Дж. Соц. Психол. 10, 329 (1980) [Google Scholar]
• W. Doise, A. Clemence, F. Lorenzi-Cioldi, Représentations sociales et analysis de données (Гренобль, PUG, 1992) [Google Scholar]
• Н. Вердонк, Дж. Уилкинсон, Дж. Калберт, Р. Ристик, К. Пирс, К. Уилкинсон, Int. Дж. Винный автобус. Рез. 29, 58 (2017) [Перекрестная ссылка] [Google Scholar]
• А. Ногейра, Р.А. Престес, Д.Р.С. Simões, JF Drilleau, G. Wosiacki, Semin. Ciências Agrárias 24, 289 (2003) [Google Scholar]
• Ж.-К. Abric, Pratiques sociales et représentations, под редакцией Ж.-К. Абрик (Париж, ПНФ, 19 лет)94), с. 15 [Google Scholar]
• С. Московичи, Psicologia das minorias ativas (Traduzido, Petropolis, Vozes, 2011) [Google Scholar]

Все таблицы

Таблица 1.

Распределение участников по возрасту.

В тексте

Таблица 2.

Матрица сходства (матрица коэффициентов евклидовых расстояний), основанная на средней релевантности восьми индукторов игристых вин в Бразилии и Франции.

В тексте

Все фигурки

Рис. alexxlab Добавить комментарий Отменить ответ Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены * Комментарий * Имя * Email * Сайт Рубрики Прост Радио Разное Своими руками Советы Схем Схемы Транзист Транзисторы Электрон Электроника