Site Loader

Содержание

Свойства p-n-перехода. Полупроводниковый диод. Принцип действия транзистора.

Свойства  pn-перехода.

Примесные полупроводники

 

Донорная примесь: основные носители заряда — свободные электроны. Остается положительный ион примеси.  Акцепторная примесь: основные носители заряда—дырки. Остается отрицательный ион примеси. В месте контактадонорного и акцепторного полупроводников возникает электронно-дырочный переход (p-n-переход).

Свойства р-п-перехода

1. Образуется запирающий слой, образованный зарядами ионов примеси: d=10-7 м,  Dj = 0.4—0,8 В.

2.  Направление внешнего поля (источника) совпадает с направлением контактного поля. Тока основных носителей заряда нет. Существует слабый токнеосновных носителей заряда. Такое включение называется обратным.

3. Прямое включение. Существует ток основных носителей заряда.

p-n-переход пропускает электрический ток только в одном направлении

(свойство односторонней проводимости).

Полупроводниковый диод

Схематическое изображение. Направление стрелки указывает направление тока.

Устройство диода.

Вольтамперная характеристика полупроводникового диода.

/, 2 участок приближенно прямолинеен -экспонента;

— пробой диода

0,3 обратный ток;

0,1— ток меняется нелинейно.

 Обратный ток обусловлен наличием неосновных носителей заряда.

Применение полупроводникового диода

Выпрямитель тока

Принцип действия транзистора

Условное обозначение

Направление стрелки — направление тока

На всех рисунках —  p-n-p— транзисторы.

Устройство биполярного транзистора.

Основные применения: элемент усилетеля тока, напряжения или мощности; электронный ключ (например, в генераторе электромагнитных колебаний).

Переход эмиттер — база включается в прямом направлении, а база — коллектор — в обратном. Через эмиттерный переход идет большое количество основных носителей заряда.  База очень тонкая. Концентрация основных носителей заряда в базе небольная. Поэтому рекомбинация электронов и дырок небольшая. Ток базы маленький. Заряды, пришедшие из эмиттера, по отношению к базе являютсянеосновными, поэтому они свободно проходят через коллекторный переход. До 95% дырок, попадающих из эмиттера в базу, проходят в коллектор. Т.е. 

Iэ ≈ Iб. При изменении Iэ с помощью источника переменного напря­жения одновременно почти во столько же раз изменяется I
к
. Т.к. сопротивление коллекторного перехода во много раз превышает сопротивление эмиттерного, то при практически равных токах, напряжение на эмиттере много меньше напряжения на коллекторе.

Электронно-дырочный переход и его свойства.

Материал опубликовала
Юлия49

Россия, Иркутская обл., г. Нижнеудинск

Электронно-дырочный переход и его свойства.

Граница между двумя соседними областями полупроводника, одна из которых обладает проводимостью n-типа, а другая p-типа, называется электронно-дырочным переходом (p-n-переходом). Он является основой большинства полупроводниковых приборов. Наиболее широко применяются плоскостные и точечные p-n-переходы. Граница между двумя соседними областями полупроводника, одна из которых обладает проводимостью n-типа, а другая p-типа, называется электронно-дырочным переходом (p-n-переходом). Он является основой большинства полупроводниковых приборов. Наиболее широко применяются плоскостные и точечные p-n-переходы.

Плоскостной p-n-переход представляет собой слоисто-контактный элемент в объеме кристалла на границе двух полупроводников с проводимостями p- и n-типов. Плоскостной p-n-переход представляет собой слоисто-контактный элемент в объеме кристалла на границе двух полупроводников с проводимостями p- и n-типов. В производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем применяются переходы типа р+- n- или р- п+ переходы. Индекс «+» подчеркивает большую электропроводность данной области монокристалла. Рис. 1.2 Плоскостный (а) и точечный (б) p-n переходы

Рис. 1.3 Структура p-n перехода

Плотности дырочной и электронной составляющих диффузионного тока, обусловленных перемещением основных носителей, определяются выражениями: Плотности дырочной и электронной составляющих диффузионного тока, обусловленных перемещением основных носителей, определяются выражениями: где Dn и Dp – коэффициенты диффузии соответственно электронов и дырок.

Запирающий слой – это слой обладающий малой электропроводностью, так как в нем практически отсутствуют подвижные носители заряда. Запирающий слой – это слой обладающий малой электропроводностью, так как в нем практически отсутствуют подвижные носители заряда. Плотность дырочной и электронной составляющих дрейфового тока можно определить, воспользовавшись значениями проводимостей собственного полупроводника:

В равновесном состоянии общая плотность тока через p-n-переход равна: В равновесном состоянии общая плотность тока через p-n-переход равна: Наличие двойного электрического слоя обусловливает возникновение в p-n-переходе контактной разности потенциалов, претерпевающей наибольшее изменение на границе полупроводников n-p-типов и называемой потенциальным барьером .

Если подключить к p-n-переходу источник внешнего напряжения таким образом, чтобы плюс был приложен к области полупроводника n-типа, а минус – к области полупроводника p-типа (такое включение называют обратным, рис. 1.4), то обедненный слой расширяется, так как под воздействием внешнего напряжения электроны и дырки смещаются от p-n-перехода в разные стороны. Если подключить к p-n-переходу источник внешнего напряжения таким образом, чтобы плюс был приложен к области полупроводника n-типа, а минус – к области полупроводника p-типа (такое включение называют обратным, рис. 1.4), то обедненный слой расширяется, так как под воздействием внешнего напряжения электроны и дырки смещаются от p-n-перехода в разные стороны. Рис 1.4 Обратное смещение перехода

При |Uпр| >> jТ переход по существу исчезает и ток ограничивается лишь сопротивлением (единицы и даже десятки ом) базовой области rб. При |Uпр| >> jТ переход по существу исчезает и ток ограничивается лишь сопротивлением (единицы и даже десятки ом) базовой области rб. Рис. 1.8 Вольтамперная характеристика (а) и схема включения стабилитрона (б)

Пробоем называют резкое изменение режима работы перехода, находящегося под обратным напряжением. Пробоем называют резкое изменение режима работы перехода, находящегося под обратным напряжением. На ВАХ перехода (рис. 1.9) пробою соответствует область резкого изгиба характеристики вниз в третьем квадранте. Рис. 1.9 ВАХ p-n-перехода

Различают три вида пробоя p-n-перехода: туннельный, лавинный и тепловой. И туннельный, и лавинный пробой принято называть электрическим пробоем. Различают три вида пробоя p-n-перехода: туннельный, лавинный и тепловой. И туннельный, и лавинный пробой принято называть электрическим пробоем. Туннельный пробой происходит, когда геометрическое расстояние между валентной зоной и зоной проводимости (ширина барьера) достаточно мало, то возникает туннельный эффект – явление прохождения электронов сквозь потенциальный барьер. Туннельный пробой имеет место в р-n-переходах с базой, обладающей низким значением удельного сопротивления.

Механизм лавинного пробоя подобен механизму ударной ионизации в газах. Лавинный пробой возникает, если при движении до очередного соударения с атомом дырка (или электрон) приобретает энергию, достаточную для ионизации атома. В результате число носителей резко возрастает, и ток через переход растёт. Расстояние, которое проходит носитель заряда до соударения, называют длиной свободного пробега. Механизм лавинного пробоя подобен механизму ударной ионизации в газах. Лавинный пробой возникает, если при движении до очередного соударения с атомом дырка (или электрон) приобретает энергию, достаточную для ионизации атома. В результате число носителей резко возрастает, и ток через переход растёт. Расстояние, которое проходит носитель заряда до соударения, называют длиной свободного пробега.

При тепловом пробое увеличение тока объясняется разогревом полупроводника в области р-n-перехода и соответствующим увеличением удельной проводимости. Тепловой пробой характеризуется отрицательным дифференциальным сопротивлением. При тепловом пробое увеличение тока объясняется разогревом полупроводника в области р-n-перехода и соответствующим увеличением удельной проводимости. Тепловой пробой характеризуется отрицательным дифференциальным сопротивлением. Вследствие диффузии электронов и дырок через p-n-переход в области перехода возникают нескомпенсированные объемные (пространственные) заряды ионизированных атомов примесей, которые закреплены в узлах кристаллической решетки полупроводника и поэтому не участвуют в процессе протекания электрического тока.

p-n-переход ведет себя как плоский конденсатор, емкость которого, определяемая отношением изменения пространственного заряда к изменению напряжения при обратном включении перехода, называется барьерной и может быть найдена из уравнения: p-n-переход ведет себя как плоский конденсатор, емкость которого, определяемая отношением изменения пространственного заряда к изменению напряжения при обратном включении перехода, называется барьерной и может быть найдена из уравнения: где e – относительная диэлектрическая проницаемость; S – площадь p-n-перехода; d – толщина обедненного слоя (толщина p-n-перехода).

Устройство полупроводникового диода, p-n переход.

Возвращаемся к рубрике «Основы электроники» и в этой статье мы разберем очень важное, основополагающее понятие, а именно p-n переход! И, конечно, же разберем работу устройства, сердцем которого является уже упомянутый p-n переход, то есть полупроводникового диода 🙂

И, первым делом, мы подробно рассмотрим устройство p-n перехода и химические процессы, протекающие в нем, которые, собственно, и определяют то как он работает. Основными понятиями, которыми мы будем сегодня оперировать являются «электроны» и «дырки». И если с электроном все понятно, то на физическом смысле дырок стоит остановиться поподробнее.

Полупроводниковые материалы, которые являются основой p-n перехода, характеризуются тем, что они объединяют в себе как свойства проводников, так и свойства диэлектриков. В кристаллической структуре проводников есть много свободных носителей заряда, которые под воздействием электрического поля начинают перемещаться, что и обуславливает способность проводника проводить ток.

В диэлектриках связь частиц с атомами очень сильная, поэтому свободные носители заряда отсутствуют (все частицы жестко закреплены на своем месте в кристаллической решетке). Поэтому диэлектрики не пропускают электрический ток.

В полупроводниках же не все так однозначно. В целом, для того, чтобы электрон покинул свое место, то есть высвободился от атома ему необходим определенный уровень внутренней энергии. Эта энергия может появиться, например, в результате повышения температуры. И величина этой внутренней энергии для полупроводников намного меньше, чем для диэлектриков. В этом и есть ключевой момент!

При низкой температуре большинство электронов полупроводника «сидят» на своих местах, и поэтому проводимость тока очень низкая. А, соответственно, с ростом температуры способность полупроводника проводить ток улучшается.

С этим процессом разобрались: итак, с ростом температуры в полупроводнике число свободных электронов увеличивается.

Во время разрыва связи электрона с ядром атома в электронной оболочке атома появляется свободное место. Атом при этом получает положительный заряд, ведь изначально заряд был нейтральным, а электрон, имеющий отрицательный заряд, атом покинул 🙂

Но свободное место не долго остается пустым, так как на него переходит электрон из соседнего атома. И этот процесс повторяется снова и снова. Таким образом, происходит перемещение положительного заряда. И вот именно этот условный(!) положительный заряд и называют дыркой.

Такой механизм проводимости называется собственной проводимостью полупроводника. Но на практике, в частности в транзисторах и диодах, применяются полупроводники с примесями, поскольку примесная проводимость значительно превышает собственную.

Примеси разделяют на:

  • донорные, то есть отдающие
  • акцепторные, принимающие

Разберем классический пример — кремний и мышьяк 🙂 У кремния на внешней оболочке атома 4 электрона (валентные электроны). У мышьяка таких электронов 5. Атом мышьяка отдает 4 из своих электронов на образование связей с 4-мя электронами атома кремния. При этом один из 5-ти валентных электронов не участвует в образовании связей.

У мышьяка энергия отрыва этого 5-го электрона от атома достаточно невелика. Настолько, что уже при небольшой температуре атомы мышьяка теряют свои незанятые в связях с кремнием электроны. Но при этом, поскольку в соседних атомах нет свободных мест, то дырок не возникает, и «дырочная» проводимость практически отсутствует. Так мы получили полупроводник с электронной проводимостью, то есть полупроводник n-типа.

Если же мы возьмем в качестве примеси 3-х валентный элемент (3 электрона на внешней оболочке атома), то в случае с добавлением примеси к кремнию (4 электрона), одно место останется свободным. На это место «придет» электрон соседнего атома и так далее, то есть возникнет процесс перемещения дырки. Так мы получим полупроводник p-типа.

Вот мы разобрались и с этим 🙂 Двигаемся непосредственно к рассмотрению p-n перехода!

Итак, p-n переход (электронно-дырочный переход) — это область, в которой соприкасаются два полупроводника, имеющие разный тип проводимости (p-тип и n-тип):

Причем обе области электрически нейтральны. Только одна из них содержит свободно перемещающиеся дырки, а вторая — электроны.

При соприкосновении полупроводников разного типа возникает диффузионный ток. Это связано с тем, что свободные носители (электроны и дырки) стремятся перейти из той области, где их много в ту область, где их мало. При прохождении через переход частицы рекомбинируют друг с другом. В результате этого вблизи границы перехода образуются избыточные заряды:

На рисунке изображены только свободные носители заряда в каждой из областей.

Давайте чуть подробнее разберем этот процесс… Один из электронов переходит из области n-типа и «занимает» свободное место, то есть дырку в области p-типа. На первоначальном месте этого электрона в области n-типа появляется дырка (ведь электрона там больше нет). И в итоге получается, что в p-области вблизи перехода скапливаются электроны, а в n-области наоборот дырки. Не забываем, что дырка — это не реально существующая частица, а условный(!) положительный заряд.

Но этот процесс не продолжается бесконечно по одной простой причине. Из-за того, что на границе формируются два новых слоя, возникает дополнительное электрическое поле, которое они порождают. Под действием этого поля возникает так называемый дрейфовый ток, направленный противоположно диффузионному току. И при определенной концентрации частиц около границы перехода между этими токами возникает равновесие и процесс останавливается:

Строго говоря, p-n переход — это именно область, в которой практически отсутствуют свободные носители заряда (обедненная область). Для того, чтобы выйти из этого положения равновесия, мы можем приложить к переходу внешнее напряжения. Различают прямое и обратное смещение.

При прямом смещении положительный потенциал подается на область p-типа, а отрицательный, соответственно, на область n-типа:

В этом случае внешнее электрическое поле (от источника напряжения) направлено противоположно тому полю, которое существует внутри перехода. В результате диффузионный ток начинает преобладать над дрейфовым, поскольку такое внешнее поле приводит к движению дырок из p-области в n-область и электронов в обратном направлении.

Вот так и возникает прямой ток, направление которого противоположно движению электронов.

Обратное же смещение выглядит так:

Такое подключение приводит лишь к увеличению областей, в которых отсутствуют свободные носители заряда. Действительно, под действием электрического поля при обратном смещении свободные электроны и дырки будут удаляться от границы слоев.

В результате диффузионный ток будет максимально уменьшен и преобладать будет ток дрейфовый. В таком случае протекающий ток называют обратным (его величина очень мала по сравнению с прямым током).

Полупроводниковое устройство, внутри которого сформирован один такой p-n переход, и называют диодом. А его выводы (электроды) получили названия анод и катод. На принципиальных электрических схемах полупроводниковый диод обозначается следующим образом:

Ключевой характеристикой диода является вольт-амперная характеристика (ВАХ). Она представляет из себя зависимость протекающего через диод тока от приложенного к нему напряжения:

Как видите, здесь все в точности соответствует тому, что мы обсудили при разборе p-n перехода. Правая ветвь графика относится к прямому смещению перехода. При увеличении напряжения увеличивается и протекающий прямой ток. Обратите внимание, что при прямом включении напряжение должно достигнуть определенного значения для того, чтобы диод стал хорошо пропускать ток. Если напряжение меньше этого значения (пусть и создает прямое смещение), то способность диода пропускать ток будет низкой.

При обратном смещении (левая ветвь характеристики) ток достигает некоторого значения и перестает увеличиваться. Это процесс протекания незначительного обратного тока. Если продолжать увеличивать напряжение, то произойдет пробой p-n перехода (про ситуацию пробоя мы еще обязательно поговорим в статье, посвященной стабилитронам 🙂 ).

Таким образом, можно сказать, что диод пропускает ток в одном направлении и препятствует протеканию тока в обратном направлении.

И на этом, пожалуй, на сегодня закончим, рассмотрели мы основные процессы, протекающие в p-n переходе и полупроводниковом диоде. Совсем скоро, буквально в одной из следующих статей, разберем основные примеры использования диодов. Будем рады видеть вас на нашем сайте снова!

P-n переход и его свойства

Электроника P-n переход и его свойства

просмотров — 154

Полупроводниковые приборы

Электроника

Действие полупроводниковых приборов основано на использовании свойств полупроводников. Οʜᴎ занимают промежуточное место между проводниками и диэлектриками. Относятся к элементам IV группы периодической системы элементов Д.И. Менделœеева, которые во внешней оболочке имеет четыре валентных электрона (германий, кремний).

Важно заметить, что для снижения высокого удельного сопротивления чистых полупроводников в них вводят примеси – легируют. В качестве легирующих примесей применяют элементы III и V группы периодической системы элементов Д.И. Менделœеева.

Элементы III группы имеют три валентных электрона, в связи с этим при образовании валентных связей одна оказывается только с одним электроном. Такие полупроводники обладаю дырочной электропроводностью их называют полупроводниками р – типа, а примесь – акцепторная.

 
 

Элементы V группы имеют пять валентных электронов, в связи с этим при образовании валентных связей один электрон оказывается лишним . Такие полупроводники обладают электронной электропроводностью, так| как в них основными носителями заряда являются электроны. Οʜᴎ называются полупроводниками п-типа, а примесь, благодаря которой в полупроводнике оказался избыток электронов, принято называть донорной.

При соприкосновении полупроводников в пограничном слое происходит рекомбинация (воссоединœение) электронов и дырок. Сводные электроны из зоны полупроводника n-типа занимают свободные уровни в валентной зоне joHe полупроводника р-типа. В результате вблизи границы двух полупроводников образуется слой, лишенный подвижных носителœей заряда и в связи с этим обладающий высоким удельным сопротивлением,- так называемый запирающий слой.

В случае если к p-n-переходу приложить внешнее напряжение Uобрĸᴏᴛᴏᴩᴏᴇ создает в запирающем слое электрическое поле напряженностью Евнсовпадающее по направлению с полем неподвижных ионов напряженностью Езап ., то это приведет к расширению запирающего слоя, так как носители заряда уйдут от контактной зоны. При этом сопротивление p-n-перехода велико, ток через него мал, так как обусловлен Iобр, а p-n-переход – закрытым.

       
   
 
 

Противоположной полярности источника напряжения внешнее поле направлено навстречу полю двойного электрического слоя, толщина запирающего слоя уменьшается. Сопротивление p-n-перехода резко снижается и возникает сравнительно большой ток. В этом случае ток называют прямым Iпр, а p-n-переход – открытым.

В p-n-переходах могут возникать пробои – лавинный, электрический, тепловой и туннельный.

Для электрического пробоя характерна обратимость, заключающая в том, что первоначальные свойства p-n-перехода восстанавливаются, если снизить напряжение на

p-n-переходе. Благодаря этому электрический пробой используют в качестве рабочего режима в полупроводниках.


Читайте также


  • — До найпопулярніших програм по роботі з FTP можна віднести: CuteFTP 7.01, FTP Navigator v.7.0, FileZilla, SmartFTP тощо.

    Протокол передачі| файлів| (англ. File| Transfer| Protocol|, FTP|) — дає| можливість| абонентові обмінюватися| двійковими| і текстовими| файлами з будь-яким| комп’ютером| мережі|, що| підтримує| протокол FTP|. Встановивши зв’язок| з віддаленим| комп’ютером|, користувач| може| скопіювати| файл з… [читать подробенее]


  • — IN CAMP NEAR PELLA

    IN THE DECAPOLIS CITIES 144:7.1 Throughout the months of November and December, Jesus and the twenty-four worked quietly in the Greek cities of the Decapolis, chiefly in Scythopolis, Gerasa, Abila, and Gadara. This was really the end of that preliminary period of taking over John’s work and organization. Always does the socialized religion of a new revelation pay the price of compromise with the established forms and usages of the preceding religion which it seeks to salvage…. [читать подробенее]


  • — Отклонение постоянных HP no мощности

    Отклонение постоянных HP no объему производства Отклонение по расходованию постоянных накладных расходов Отклонение по постоянным, накладным, расходам. Эти отклонения показывают эффект разницы между… [читать подробенее]


  • — Отклонение постоянных HP no мощности

    Отклонение постоянных HP no объему производства Отклонение по расходованию постоянных накладных расходов Отклонение по постоянным, накладным, расходам. Эти отклонения показывают эффект разницы между… [читать подробенее]


  • — Rp Novocaini 1,0 Rp Novocaini 1,0

    Способы выписывания рецептов на ЖЛФ Задачи на перевод концентраций Процент показывает количество лекарственного вещества в граммах находящееся в 100 мл раствора ( при массо-объемной концентрации) Существует 4 способа обозначения концентраций. Мы рассмотрим… [читать подробенее]


  • — Электронно-дырочный P-N переход и его свойства.

    Тема 15. Полупроводниковые приборы P-N — Переход (n — negative — отрицательный, электронный, p — positive — положительный, дырочный), или электронно-дырочный переход — область пространства на стыке двух полупроводников p- и n-типа, в которой происходит переход от одного типа… [читать подробенее]


  • — Электронно-дырочный P-N переход и его свойства.

    Тема 15. Полупроводниковые приборы P-N — Переход (n — negative — отрицательный, электронный, p — positive — положительный, дырочный), или электронно-дырочный переход — область пространства на стыке двух полупроводников p- и n-типа, в которой происходит переход от одного типа… [читать подробенее]


  • — Тема: Электронно-дырочный переход и его свойства.

    Электронно-дырочный переход – это тонкий слой между двумя областями кристалла с разными типами электропроводимости: электронной и дырочной. Технологии изготовления: сплавление, диффузия одного кристалла в другой, эпитаксия – ориентированный рост одного кристалла на… [читать подробенее]


  • — Электронно-дырочный переход и его свойства

    Виды токов в полупроводниках Если полупроводник помещен в электрическое поле, то в нем возникают два вида токов: дрейфовый и диффузионный. Дрейфовый ток обусловлен перемещением носи­телей зарядов (электронов или дырок) под действием электрического поля. Плотность… [читать подробенее]


  • — Электронно-дырочный переход и его свойства

    Электронно-дырочным переходом (р-п-переходом) называют тонкий слой между двумя областями полупроводникового кристалла, одна из которых имеет электронную, а другая – дырочную электропроводность. Технологический процесс создания электронно-дырочного перехода может… [читать подробенее]


  • P-n-переход и его свойства

    Действие полупроводниковых приборов основано на использовании свойств полупроводников. Полупроводники занимают промежуточное положение между проводниками и диэлектриками. К полупроводникам относятся элементы IV группы Периодической системы элементов Д.И. Менделеева, которые на внешней оболочке имеют четыре валентных электрона. Типичные полупроводники – Ge (германий) и Si (кремний).

    Чистые полупроводники кристаллизуются в виде решетки, рис. 65, а. Каждая валентная связь содержит два электрона, оболочка атома имеет восемь электронов, и атом находится в состоянии равновесия. Чтобы «вырвать» электрон в зону проводимости, необходимо затратить большую энергию.

    Чистые полупроводники обладают высоким удельным сопротивлением (от 0,65 Ом×м до 108 Ом×м). Для снижения высокого удельного сопротивления чистых полупроводников в них вводят примеси, такой процесс называется легированием, а соответствующие полупроводниковые материалы легированными. В качестве легирующих примесей применяют элементы III и V групп Периодической системы элементов Д.И. Менделеева.

     
     

    Элементы III группы имеют три валентных электрона, поэтому при образовании валентных связей одна связь оказывается только с одним электроном, рис. 65, б. Такие полупроводники обладают дырочной электропроводностью, так как в них основными носителями заряда являются дырки. Под дыркой понимается место незанятое электроном, которому присваивается положительный заряд. Такие полупроводники также называются полупроводникамиp-типа, а примесь, благодаря которой в полупроводнике оказался недостаток электронов, называется акцепторной.

    Элементы V группы имеют пять валентных электронов, поэтому при образовании валентных связей один электрон оказывается лишним, рис. 65, в. Такие полупроводники обладают электронной электропроводностью, так как в них основными носителями заряда являются электроны. Они называются полупроводниками n-типа, а примесь, благодаря которой в полупроводнике оказался избыток электронов, называется донорной.

    Удельное электрическое сопротивление легированного полупроводника существенно зависит от концентрации примесей. При концентрации примесей 1020 ¸ 1021 на 1 см3 вещества оно может быть снижено до 5×10-6 Ом×м для германия и 5×10-5 Ом×м для кремния.

    Основное значение для работы полупроводниковых приборов имеет электронно-дырочный переход, которыйназывают p-n-переходом(область на границе двух полупроводников, один из которых имеет дырочную, а другой – электронную электропроводность).

    На практике p-n-переход получают введением в полупроводник дополнительной легирующей примеси. Например, при введении донорной примеси в определенную часть полупроводника p-типа в нем образуется область полупроводника n-типа, граничащая с полупроводником p-типа.

    Схематически образование p-n-перехода при соприкосновении двух полупроводников с различными типами электропроводности показано на рис. 66. До соприкосновения в обоих полупроводниках электроны, дырки, ионы были распределены равномерно, рис. 66, а.

    При соприкосновении полупроводников в пограничном слое происходит рекомбинация (воссоединение) электронов и дырок. Свободные электроны из зоны полупроводника n-типа занимают свободные уровни в валентной зоне полупроводника p-типа. В результате вблизи границы двух полупроводников образуется слой, лишенный подвижных носителей заряда и поэтому обладающий высоким удельным сопротивлением, — так называемый запирающий слой рис. 66, б. Толщина запирающего слоя l обычно не превышает нескольких микрометров.

    Расширению запирающего слоя препятствуют неподвижные ионы донорных и акцепторных примесей, которые образуют на границе полупроводников двойной электрический слой. Этот слой определяет контактную разность потенциалов Δjк на границе полупроводников, рис. 67. Возникшая разность потенциалов создает в запирающем слое электрическое поле напряженностью Eзап, препятствующее как переходу электронов из полупроводника n-типа в полупроводник p-типа, так и переходу дырок в полупроводник n-типа. В тоже время электроны могут свободно двигаться из полупроводника p-типа в полупроводник n-типа, как и дырки из полупроводника n-типа в полупроводник p-типа. Таким образом, контактная разность потенциалов препятствует движению основных носителей заряда и не препятствует движению неосновных носителей заряда. Однако при движении через p-n-переход неосновных носителей (дрейфовый ток Iдр) происходит снижение контактной разности потенциалов, что позволяет некоторой части основных носителей, обладающих достаточной энергией, преодолеть потенциальный барьер, обусловленный контактной разностью потенциалов. Появляется диффузионный ток Iдиф, который направлен навстречу дрейфовому току Iдр, то есть возникает динамическое равновесие, при котором Iдр= Iдиф.

     
     

    Если к p-n-переходу приложить внешнее напряжение Uобр, которое создает в запирающем слое электрическое поле напряженностью Евн, совпадающее по направлению с полем неподвижных ионов напряженностью Езап, рис. 68, а, то это приведет к расширению запирающего слоя, так как носители заряда уйдут от контактной зоны. При этом сопротивление p-n-перехода велико, ток через него мал, так как обусловлен движением неосновных носителей заряда. В этом случае ток называют обратным Iобр, а p-n-переход – закрытым.

    При противоположной полярности источника напряжения, рис. 68, б внешнее поле направлено навстречу полю двойного электрического слоя, толщина запирающего слоя уменьшается. Сопротивление p-n-перехода резко снижается и возникает сравнительно большой ток. В этом случае ток называют прямым Iпр, а p-n-переход – открытым.

    На рис. 69 показана вольт-амперная характеристика p-n-перехода. Пробой p-n-перехода связан с тем, что при движении через p-n-переход под действием электрического поля неосновные носители заряда приобретают энергию, достаточную для ударной ионизации атомов полупроводника. В переходе начинается лавинообразное размножение носителей заряда, что приводит к резкому увеличению обратного тока через p-n-переход при почти неизменном обратном напряжении. Этот вид электрического пробоя называют лавинным. Обычно он развивается в относительно широких p-n-переходах, которые образуются в слаболегированных полупроводниках.

    В сильнолегированных полупроводниках ширина запирающего слоя меньше, что препятствует возникновению лавинного пробоя, так как движущиеся носители не приобретают энергии, достаточной для ударной ионизации. В таких полупроводниках возможно возникновение эффекта Зенера, когда при достижении критической напряженности электрического поля в p-n-переходе за счет энергии поля появляются пары носителей электрон – дырка, и существенно возрастает обратный ток p-n-перехода.

    для электрического пробоя характерна обратимость, заключающаяся в том, что первоначальные свойства p-n-перехода полностью восстанавливаются, если снизить напряжение на p-n-переходе. Благодаря этому электрический пробой используют в качестве рабочего режима в полупроводниковых диодах.

     
     
    Рис. 69. Вольт-амперная характеристика p-n-перехода

    Если температура p-n-перехода возрастает в результате его нагрева обратным током и недостаточного теплоотвода, то усиливается процесс генерации пар носителей заряда. Это приводит к дальнейшему увеличению обратного тока и нагреву p-n-перехода, что может вызвать разрушение перехода. Такой процесс называют тепловым пробоем. Тепловой пробой разрушает p-n-переход.

    В сильнолегированных полупроводниках может возникать квантово-механический туннельный эффект, который состоит в том, что при очень малой толщине запирающего слоя основные носители могут преодолевать запирающий слой без изменения энергии, что приводит к возрастанию тока на этих участках.

    Закрытый p-n-переход обладает электрической емкостью, которая зависит от его площади и ширины, а также от диэлектрической проницаемости запирающего слоя.

    Свойства p-n-перехода широко используются в полупроводниковых приборах.

    Полупроводниковые диоды

    Полупроводниковым диодом называют двухэлектродный полупроводниковый прибор, содержащий один электронно-дырочный p-n переход.

    По конструктивному исполнению полупроводниковые диоды разделяются на плоскостные и точечные. Плоскостные диоды представляют собой p-n-переход с двумя металлическими контактами, присоединенными к p- и n- областям. В точечном диоде вместо плоской используется конструкция, состоящая из пластины полупроводника и металлического проводника в виде острия. При сплавлении острия с пластиной образуется микропереход. По сравнению с плоскостным диодом падение напряжения на точечном в прямом направлении очень мало, ток в обратном направлении значительно меняется в зависимости от напряжения. Точечные диоды обладают малой межэлектродной емкостью.

    Рассмотрим некоторые группы полупроводниковых диодов.

    Выпрямительный полупроводниковый диод используется для выпрямления переменного тока.

    Типичная вольт-амперная характеристика выпрямительного диода подобна характеристике, представленной на рис. 69. Основным свойством выпрямительного диода является большое различие сопротивлений в прямом и обратном направлениях, что обуславливает вентильные свойства выпрямительного диода, т.е. способность пропускать ток преимущественно в одном (прямом) направлении. Электрические параметры выпрямительного диода: прямое напряжение Uпр, которое нормируется при определенном прямом токе Iпр; максимально допустимый прямой ток Iпр max; максимально допустимое обратное напряжение Uобр max; обратный ток Iобр, который нормируется при определенном обратном напряжении Uобр; межэлектродная емкость, сопротивление постоянному и переменному току.

    Полупроводниковый стабилитронполупроводниковый диод, напряжение на котором в области электрического пробоя слабо зависит от тока.

    Вольт-амперная характеристика стабилитрона приведена на рис. 70.

    Как видно, в области пробоя напряжение на стабилитроне Uст лишь незначительно изменяется при больших изменениях тока стабилизации Iст.

         
     
     
     
    Рис. 70. Вольт-амперная характеристика стабилитрона

    Основные параметры стабилитрона: напряжение на участке стабилизации Uст; динамическое сопротивление на участке стабилизации Rд=dUст/dIст; минимальный ток стабилизации Iст min; максимальный ток стабилизации Iст max; температурный коэффициент напряжения на участке стабилизации ТКU=(dUст/dТ)×100.

    Стабилитроны используются для стабилизации и ограничения напряжения, а также в качестве источника опорного (эталонного) напряжения в прецизионной измерительной технике.

    Туннельный диод – это полупроводниковый диод, в котором благодаря использованию высокой концентрации примесей возникает очень узкий барьер и наблюдается туннельный механизм переноса зарядов через p-n-переход. Характеристика туннельного диода имеет область отрицательного сопротивления, т. е. область, в которой положительному приращению напряжения соответствует отрицательное приращение тока (пунктирная линия на рис. 69).

    Варикап– полупроводниковый диод, в котором используется зависимость емкости p-n-перехода от обратного напряжения, который предназначен для применения в качестве элемента с электрически управляемой емкостью.

    Фотодиодполупроводниковый диод, в котором в результате освещения p-n-перехода повышается обратный ток.

    Светодиодполупроводниковый диод, в котором в режиме прямого тока в зоне p-n-перехода возникает видимое или инфракрасное излучение.

    фотодиоды используются в солнечных батареях, применяемых на космических кораблях и в южных районах земного шара. светодиоды находят применение для индикации в измерительных приборах, в наручных часах, микрокалькуляторах и других приборах.

    Условные графические обозначения рассмотренных полупроводниковых диодов представлены на рис. 71.

         
     
     
     
    Рис.71 Условные графические обозначения полупроводниковых диодов: а – вентильного диода; б – стабилитрона; в – туннельного диода; г – варикапа; д – фотодиода; е — светодиода

    Биполярные транзисторы

    Транзисторомназывают трехэлектродный полупроводниковый прибор, служащий для усиления мощности электрических сигналов. Кроме усиления транзисторы используют для генерирования сигналов, их различных преобразований и решения других задач электронной техники.

    Различают два типа транзисторов: биполярные и полевые (униполярные). Название биполярного транзистора объясняется тем, что ток в нем определяется движением носителей зарядов двух знаков – отрицательных и положительных (электронов и дырок). Термин же транзистор происходит от английских слов transfer – переносить и resistor – сопротивление, т.е. в них происходит изменение сопротивления под действием управляющего сигнала.

    На рис. 72 показана структура такого транзистора и его обозначение на схемах.

    Биполярный транзистор состоит из трех слоев полупроводников типа «p» и «n», между которыми образуются два p-n перехода. В соответствии с чередованием слоев с разной электропроводностью биполярные транзисторы подразделяют на два типа: p-n-p, рис. 72, а и n-p-n , рис. 72, б. У транзистора имеются три вывода (электрода): эмиттер (э), коллектор (к) и база (б). Эмиттер и коллектор соединяют с крайними областями (слоями), имеющими один и тот же тип проводимости, база соединяется со средней областью. Напряжение питания подают таким образом, чтобы на переход эмиттер – база было подано напряжение в прямом направлении, а на переход база – коллектор в обратном направлении.

     
     

    По диапазонам используемых частот транзисторы делятся на низкочастотные (до 3МГц), среднечастотные (от 3 до 30 МГц), высокочастотные (от 30 до 300 МГц) и сверхвысокочастотные (свыше 300 МГц). По мощности транзисторы делятся на малой мощности (до 0,3Вт), средней мощности (от 0,3Вт до 1,5Вт), большой мощности (свыше 1,5Вт).

    При подключении эмиттера транзистора типа p-n-p к положительному зажиму источника питания возникает эмиттерный ток Iэ рис. 73. Стрелкой указано движение носителей заряда. Дырки преодолевают переход и попадают в область базы, для которой дырки не являются основными носителями заряда. Дырки частично рекомбинируют с электронами базы. Так как напряжение питания коллектора во много раз (приблизительно в 20 раз) больше, чем напряжение питания базы, и конструктивно слой базы выполняется очень тонким, то электрическое сопротивление цепи базы получается высоким и ток, ответвляющийся в цепь базы Iб, оказывается незначительным. Большинство дырок достигают коллектор, образуя коллекторный ток Iк.

    причем где a — коэффициент передачи тока, практически a @ 0,95¸0,995.

           
       
     
     
    Рис. 73. Принцип действия биполярного транзистора

    Ток коллектора Iк превосходит ток базы Iб от 20 до 200 раз. Это объясняет возможность усиления с помощью транзистора тока и, соответственно, мощности сигнала во много раз. Действительно, если подавать напряжение сигнала в цепь базы, то в соответствии с напряжением сигнала будет изменяться сопротивление p-n-перехода между эмиттером и базой. Это изменяющееся сопротивление включено в коллекторную цепь, что приведет к соответствующему изменению тока коллектора, который во много раз больше тока базы.

    Если в коллекторную цепь включить сопротивление нагрузки, в нем будет выделяться мощность, во много раз бóльшая, чем мощность сигнала, подводимого в цепь базы. При этом следует иметь в виду, что мощность сигнала усиливается за счет энергии источников питания.

    Принцип действия транзистора типа n-p-n точно такой же, как у рассмотренного выше транзистора p-n-р.

    Вольт-амперные характеристики транзистора отличаются в зависимости от схемы его включения: с общим эмиттером (ОЭ), собщей базой(ОБ) или с общим коллектором (ОК,), рис. 74.

               
       
     
     
       
    Рис. 74. схемы включения транзистора: а) с общим эмиттером; б) с общей базой; в) с общим коллектором

    Различают следующие основные вольт-амперные характеристики транзистора:

    1. Входная — зависимость входного тока от входного напряжения при постоянном выходном напряжении

    2. Семейство выходных характеристик — зависимость выходного тока от выходного напряжения при разных (фиксированных) значениях входного тока

    На рис. 75 представлены вольт-амперные характеристики биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером.

     
     
    Рис.75. Вольт-амперные характеристики биполярного транзистора с общим эмиттером: входная (а) и семейство выходных (б)

    В наиболее распространенных транзисторах небольшой мощности ток базы составляет десятки или сотни микроампер, напряжение на базе изменяется от нуля до нескольких десятых долей вольта. Коллекторный ток на выходных характеристиках транзисторов небольшой мощности изменяется от нуля до единиц или десятков миллиампер, напряжение на коллекторе – от нуля до одного-двух десятков вольт.

    Полевые транзисторы

    Полевымназывают транзистор, управляемый электрическим полем, или транзистор с управляемым каналом для тока.

    В отличие от биполярных полевые транзисторы имеют высокое входное сопротивление и поэтому требуют очень малых мощностей для управления.

    Ток в полевом транзисторе создается носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), вследствие чего эти транзисторы часто называют униполярными.

    Носители заряда в полевом транзисторе являются основными для активной области и его параметры не зависят от времени жизни неосновных носителей (как у биполярных транзисторов). Это и определяет высокие частотные свойства и меньшую зависимость от температуры.

    Изготавливают полевые транзисторы из кремния. В зависимости от электропроводности исходного материала различают транзисторысp — и n — каналом.

    Каналом считают центральную область транзистора. Электрод, из которого в канал поступают основные носители заряда, называют истоком И, а электрод, через который основные носители уходят из канала, – стоком С. Электрод, служащий для регулирования поперечного сечения канала, называют затвором З.

    Полевые транзисторы подразделяются на два основных типа: с затвором в виде p-n-перехода и с изолированным затвором.

    Структурная схема; схема включения и схемное изображение полевого транзистора с затвором в виде p-n-перехода показаны на рис. 76.

    Полевой транзистор представляет собой пластину, например, n-типа, на верхней и нижней гранях которой создаются области с проводимостью противоположного типа, например, p-типа. Эти области электрически связаны, образуя единый электрод-затвор. Область с n-проводимостью, расположенная между p-областями; образует токовый канал. На торцевые поверхности пластины наносят контакты, образующие два других электрода И иС, к которым подключается источник питания Uс и при необходимости сопротивление нагрузки. Между каналом и затвором создаются дваp-n-перехода. Ток протекает от истока к стоку по каналу, сечение которого зависит от затвора.

     
     

    При увеличении отрицательного потенциала на затворе p-n-

    переходы запираются и расширяются практически за счет канала, сечение канала, а, следовательно, и его проводимость, уменьшаются, ток через канал падает, рис. 77, а. При некотором Uз = Uзо, называемом напряжением отсечки, области p-n-переходов смыкаются по всей длине канала, сток и исток оказываются изолированными друг от друга, ток Iс равен нулю.

    Если при Uз = constувеличивать Uс, то ток через канал (Iс) возрастет рис. 77, б. При этом увеличивается падение напряжения на канале, которое способствует увеличению обратного напряжения на p-n-переходах, вызывая тем самым сужение канала. При некотором Uс = Uнас, называемом напряжением насыщения, канал настолько сужается, что дальнейшее увеличение Uс не увеличивает Iс.

    Полевые транзисторы с изолированным затвором или МДП-транзисторы находят более широкое применение, так как имеют более простую конструкцию и обладают лучшими электрическими свойствами.

    У МДП-транзисторов (металл – диэлектрик – полупроводник) между полупроводниковым каналом и металлическим затвором расположен изолирующий слой диэлектрика.

    Принцип работы МДП-транзисторов основан на эффекте изменения проводимости приповерхностного слоя полупроводника под воздействием поперечного электрического поля. Они управляются напряжением и имеют чрезвычайно большое входное сопротивление и в отличие от полевых транзисторов с затвором в виде p-n-перехода сохраняют его большим независимо от величины и полярности входного напряжения. Применяются две конструкции МДП-транзисторов: со встроенным каналом и с индуцированным каналом.

    УМДП-транзисторов со встроенным каналом в полупроводниковой пластине (подложке), например, n-типа, в процессе изготовления в приповерхностном слое создаются области, например p-типа, образующие электроды стока и истока (рис. 78, а). Перемычка между С и И с проводимостью p-типа является каналом для протекания тока стока Iс даже при отсутствии управляющего напряжения Uз = 0 на затворе.

     
     

    При подаче положительного напряжения на затвор электрическое поле выталкивает основные носители (дырки) из канала, его сопротивление растет, а Iс падает.

    Такой режим носит название “режима обеднения”. При отрицательном напряжении на затворе электрическое поле притягивает дырки из подложки, они скапливаются в области канала, сопротивление канала уменьшается, Iс растет (“режим обогащения”). Передаточная характеристика МДП-транзистора показана на рис. 78, б. Его стоковые характеристики Iс = f(Uс) при Uз = const по виду аналогичны характеристикам транзистора с затвором p-n-типа (рис. 77, б). Схемные изображения МДП-транзисторов со встроенным каналом n-типа и p-типов представлены на рис. 78, в.

    УМДП-транзисторов с индуцированным каналом последний заранее не создается, и в транзисторах, использующих пластину с проводимостью, например, n-типа, при Uз > 0 и Uз = 0 ток Iс = 0 (рис. 79, а, б).

     
     

    Образование канала в таких приборах происходит при подаче на затвор только отрицательного напряжения (Uз < 0). Тогда в результате вытеснения из поверхностного слоя электронов и подтягивания дырок из n-пластины происходит образование между стоком и истоком инверсного слоя полупроводника с проводимостью, аналогичной проводимости С и И, в данном случае p-типа, и, чем более отрицательным будет напряжение на затворе, тем больший Iсбудет в канале. Передаточная характеристика такого транзистора показана на рис. 79, б. Стоковые характеристики МДП-транзистора с индуцированным каналом аналогичны характеристикам транзистора с затвором в виде p-n-перехода (рис. 77, б). Схемные изображения МДП-транзисторов с индуцированным каналом n- и p-типов представлены на рис. 79, в.

    Основные характеристики полевых транзисторов:

    крутизна характеристики передачи

    S = dIс / dUз при Uс = const;

    дифференциальное сопротивление стока (канала) на участке насыщения

    Rвых = dUс / dIс при Uз = const.

    Полевые транзисторы используются в усилителях, а также находят применение в качестве сенсорных датчиков, в устройствах для обнаружения скрытой проводки.

    источники вторичного электропитания

    Электростанции вырабатывают электрическую энергию переменного тока частотой 50 Гц. Это объясняется необходимостью передачи энергии на большие расстояния по высоковольтным линиям с использованием трансформаторов напряжения. На практике же возникает необходимость применения постоянного тока: в первую очередь это относится к устройствам электроники, питание которых осуществляется напряжением постоянного тока.

    Для преобразования переменного тока в постоянный служат электронные выпрямители, относящиеся к источникам вторичного электропитания. В состав электронного выпрямителя входят: трансформатор, преобразующий напряжение сети до необходимого значения; диоды, осуществляющие выпрямление тока; сглаживающий фильтр, уменьшающий пульсации выпрямленного напряжения; стабилизатор, поддерживающий неизменным напряжение на нагрузке. В зависимости от назначения выпрямителя и предъявляемых к нему требований некоторые из перечисленных узлов могут отсутствовать.

    В электронике наибольшее распространение получили однополупериодный и двухполупериодный выпрямители.

    Однополупериодный выпрямитель

    Работа однополупериодного выпрямителя, рис. 80 рассматривается в предположении, что диод – идеальный, т.е. сопротивление диода в прямом направлении равно нулю, а в обратном – бесконечно велико. u1 и u2 – напряжения на первичной и вторичной обмотках трансформатора; Rн – сопротивление нагрузки.

    На временных диаграммах токов и напряжений, рис. 80: t – время; I0 и U0 – средние значения (постоянные составляющие) выпрямленного тока и напряжения.

    В течение первого полупериода напряжения u2, когда положительный потенциал приложен к аноду диода, он открыт и через нагрузочное сопротивление Rн пойдет ток iн = iд; при этом все напряжение окажется приложенным к Rн (uн = u2). Во второй полупериод полярность напряжения u2 на вторичной обмотке трансформатора изменится на противоположную и диод окажется включенным в обратном направлении, ток прекратится и все напряжение u2 окажется приложенным к закрытому диоду.

    Максимальное значение обратного напряжения где U2 – действующее значение напряжения.

    Из временных диаграмм видно, что ток iн и напряжение uн имеют пульсирующий характер и значительно отличаются от постоянных. Для однополупериодного выпрямителя справедливы следующие соотношения:

    Для характеристики степени пульсации выпрямленного напряжения вводят коэффициент пульсации

    где Um гарм – амплитуда наибольшей гармоники, для однополупериодного выпрямителя эта гармоника имеет частоту, равную частоте питающей сети переменного тока; U0 – постоянная составляющая выпрямленного напряжения; для однополупериодного выпрямителя Кпульс = 1,57.

    Основным преимуществом однополупериодного выпрямителя является его простота, а недостатками – большой коэффициент пульсаций и малые значения выпрямленного тока и напряжения. Поэтому значительно большее распространение получили двухполупе­риод­ные выпрямители, в которых выпрямленное напряжение создается в оба полупериода напряжения сети.

    Двухполупериодный выпрямитель

    Двухполупериодные выпрямители бывают двух типов: мостовые и с выводом средней точки вторичной обмотки трансформатора.

    Большее распространение получил мостовой выпрямитель, рис. 81. В один из полупериодов напряжения сети (u1), когда верхний зажим вторичной обмотки трансформатора имеет положительный потенциал по отношению к нижнему зажиму, диоды 1 и 3 открыты, а диоды 2 и 4 закрыты. В этот полупериод ток проходит от верхнего зажима вторичной обмотки трансформатора через диод 1 (ток i1), нагрузочный резистор Rн, диод 3 (ток i3) к нижнему зажиму обмотки трансформатора.

     
     

    другой полупериод, когда верхний зажим имеет

    В отрицательный полупериод напряжения u2 диоды 1 и 3 закрыты, а диоды 2 и 4 открыты, ток проходит от нижнего зажима через диод 2 (ток i2), нагрузочный резистор Rн, диод 4 (ток i4) к верхнему зажиму обмотки трансформатора. При этом в течение всего периода ток iн через резистор Rн и напряжение на нем имеют одно и то же направление.

    Для рассматриваемого двухполупериодного выпрямителя справедливы следующие соотношения:

    где Um гарм – амплитуда наибольшей гармоники, которая для двухполупериодного выпрямителя имеет частоту вдвое бóльшую, чем частота питающей сети.

    По сравнению с однополупериодным, мостовой выпрямитель более эффективен: средние значения выпрямленного тока и напряжения у него в 2 раза больше, а пульсации значительно меньше.

    Коэффициент пульсаций напряжения Кпульс, питающего электронную аппаратуру, должен составлять доли процента. Двухполупериодный выпрямитель создает пульсирующее напряжение с Кпульс = 0,67. Поэтому для уменьшения пульсаций до требуемого уровня применяют устройства, называемые сглаживающими фильтрами. Различают емкостные, индуктивные, комбинированные (Г-образные, П-образные) фильтры.

    Сглаживающие фильтры

    Емкостной фильтр

    На схеме однополупериодного выпрямителя (рис. 82,а) емкостной фильтр выполнен в виде конденсатора Сф включенного параллельно нагрузочному резистору Rн. Конденсатор Сф заряжается через диод до амплитудного значения напряжения u2 в моменты времени, когда напряжение u2 на вторичной обмотке трансформатора превышает напряжение на конденсаторе. Когда напряжение uс > u2, диод закрыт и конденсатор разряжается через нагрузочное сопротивление Rн с постоянной времени tразр = RнСф.

    Как показывает временнáя диаграмма на рис. 82, б, при разряде Сф напряжение uн не уменьшается до нуля во вторую половину периода, а пульсирует в некоторых пределах, увеличивая среднее значение выпрямленного напряжения по сравнению с однополупериодным выпрямителем без фильтра. Аналогично работает емкостный фильтр в двухполупериодном выпрямителе, с той лишь разницей, что коэффициент пульсаций получается меньшим.

    Емкость конденсатора Сф выбирают такой, чтобы выполнялось соотношение tразр = RнСф > 5 Т. Здесь Т = 1 / fосн – период основной, наибольшей гармоники пульсирующего напряжения.

    Коэффициент пульсаций выпрямителя с емкостным фильтром может быть снижен до 10-2. Емкостный фильтр целесообразно применять с высокоомным нагрузочным резистором, т.е. при малых токах нагрузки. При этом мощность Рн не должна быть больше нескольких десятков ватт.

    Индуктивный фильтр

    Действие индуктивного фильтра Lф основано на том, что сопротивление катушки индуктивности постоянному току мало, а сопротивление переменному току XL = wL может быть сделано большим. Поэтому при включении Lф последовательно с активным сопротивлением нагрузки Rн (рис. 83) падение напряжения на Rн от переменной составляющей тока снижается, т.е. пульсации выпрямленного напряжения уменьшаются.

    Г-образный и П-образный фильтры

    Для более значительного уменьшения пульсаций применяют комбинированные Г-образные или П-образные фильтры (рис. 84).

    В маломощных выпрямителях с целью уменьшения массы, габаритов и стоимости фильтра катушку Lф часто заменяют резистором Rф.

    Для характеристики эффективности действия сглаживающего фильтра вводится коэффициент сглаживания

    где q1 и q2 — коэффициент пульсации на нагрузке при отсутствии и наличии фильтра, соответственно.

    Если Г-образный или П-образный сглаживающие фильтры из отдельных звеньев не позволяют уменьшить пульсации до необходимого уровня, то применяют соединенные последовательно многозвенные фильтры. Общий коэффициент сглаживания такого фильтра равен произведению коэффициентов сглаживания фильтров, из которых он состоит. В настоящее время используются электронные фильтры, в которых вместо индуктивностей включают транзисторы.

    Внешние характеристики выпрямителя

    Внешней или нагрузочной характеристикой выпрямителя называют зависимость напряжения на нагрузке Uн от тока нагрузки Iн

    Характер этой зависимости можно уяснить из рис. 85.

    Выпрямитель можно рассматривать как источник напряжения постоянного тока с некоторой эквивалентной ЭДС, равной напряжению холостого хода Uхх, (напряжению на выходе выпрямителя при токе нагрузки Iн = 0) и внутренним сопротивлением Rвн.

    Из эквивалентной схемы следует, что

    Выражение показывает, что с ростом выпрямленного тока Iн падение напряжения на Rвн увеличивается, и напряжение Uн на нагрузке уменьшается. Сопротивление диодов в прямом направлении зависит от тока, поэтому внешняя характеристика Iн = f(Uн) является нелинейной. Однако при малом сопротивлении цепи выпрямителя эта нелинейность может быть слабо выражена.

    стабилизаторЫ напряжения постоянного тока

    Напряжение источников питания электронной аппаратуры может изменяться при колебаниях напряжения сети переменного тока, а также при изменении силы тока, потребляемого аппаратурой. Для нормальной работы электронной аппаратуры в ряде случаев требуются напряжения питания более стабильные, чем могут обеспечить обычные источники напряжения постоянного тока. Повышение устойчивости питающего напряжения достигается применением стабилизаторов напряжения.

    Стабилизаторы делят на параметрические и компенсационные.

    Основным параметром, характеризующим качество работы стабилизатора напряжения, является коэффициент стабилизации

    где DUвх, DUвых – приращения входного и выходного напряжений; Uвх, Uвых – номинальные значения входного и выходного напряжений.

    Наиболее простым стабилизатором напряжения является параметрический.

    Схема стабилизатора, рис. 86, а содержит стабилитрон, включенный в обратном направлении, балластное сопротивление Rб и сопротивление нагрузки Rн. На рис. 86, б показана вольт-амперная характеристика стабилитрона, включенного в обратном направлении. При малых входных напряжениях (Uвх) напряжение на стабилитроне (Uст) будет также малым, ток стабилитрона (Iст) ничтожно мал, так что можно считать стабилитрон как бы отключенным от схемы. При этом Iвх = Iн и напряжения на резисторах Rб и Rн будут распределяться пропорционально их сопротивлениям, а зависимость Uвых = f(Uвх) будет приблизительно прямо пропорциональной. Когда входное напряжение возрастет настолько, что напряжение на стабилитроне достигнет величины пробоя, ток через стабилитрон резко возрастет. Это приведет к большому падению напряжения на балластном сопротивлении Rб, а выходное напряжение Uвых = Uст, при изменении входного напряжения в определенных пределах, будет оставаться почти неизменным. Сказанное иллюстрируется основной характеристикой параметрического стабилизатора, показанной на рис. 86, в

    Uвых = f(Uвх).

    Величина балластного сопротивления Rб зависит от пределов изменения входного напряжения, тока нагрузки (Iн) и параметров стабилизатора (Iст.min и Iст.max). Предельные значения определяются из выражения

     
     

    Для получения большего значения коэффициента стабилизации целесообразно выбрать значение Rб ближе к Rб max. При выборе сопротивления Rб необходимо, чтобы оно удовлетворяло требованию рассеивания максимальной мощности, определяемой выражением

    При найденном значении Rб коэффициент стабилизации

    где rд = DUст / DIст – динамическое сопротивление (сопротивление переменному току) стабилитрона, приводимое в справочниках по полупроводниковым приборам.

    Компенсационные стабилизаторы являются системами автоматического регулирования, в которых за счет отрицательной обратной связи обеспечивается неизменность напряжения на нагрузке с большой степенью точности. Компенсационные стабилизаторы выполняются на полупроводниковых дискретных элементах и в интегральном исполнении.

    Электронные усилители

    Электронным усилителемназывают устройство, предназначенное для усиления напряжения, тока и мощности электрических сигналов.

    При этом наиболее важным является усиление мощности, так как усиление напряжения (без усиления мощности) можно получить просто с помощью трансформатора. Следует подчеркнуть, что мощность сигналов в электронных усилителях усиливается за счет энергии источников питания.

    Электронный усилитель является наиболее распространенным электронным устройством. Он непосредственно используется в проводной связи, в звуковом кино, в автоматике для усиления сигналов датчиков, измерения электрических и неэлектрических величин, в управляющих и регулирующих устройствах, а также в аппаратуре геологической разведки, точного времени, медицинской, музыкальной и многих других случаях. Кроме того, электронные усилители применяют в других электронных устройствах: электронных генераторах, преобразователях формы и частоты сигналов и др.

    Усилители можно подразделить на ряд типов по различным признакам. Наиболее часто их классифицируют по диапазонам частот усиливаемых сигналов.

    Усилители постоянного тока (УПТ) предназначены для усиления напряжения постоянного тока или медленно изменяющихся сигналов. Их используют для усиления сигналов различных датчиков, называемых также первичными преобразователями.

    Усилители звуковых частот (УЗЧ) предназначены для усиления электрических сигналов в звуковом диапазоне частот (от 20 Гц до 20 кГц). Усилители низкой частоты (УНЧ) используют для усиления сигналов в диапазоне частот от 20 Гц до 100 кГц.

    Избирательные, или селективные (резонансные), усилители усиливают сигналы в сравнительно узкой полосе частот. Наиболее часто их используют в радиоэлектронной аппаратуре, в частности для усиления высокочастотных колебаний в радиоприемниках, сокращенно их обозначают УВЧ-усилители высокой частоты.

    Широкополосные усилители предназначены для усиления широкого спектра частот (от десятков герц до нескольких мегагерц) и используются, например, в телевизионных приемниках.

    Электронно дырочный переход это

    Электронно дырочный переход — это контакт двух примесных полупроводников с различными типами (другое название — p-n-переход). Он создается путем введения в одну часть полупроводникового кристалла донорной примеси, а в другую — акцепторной (легирование).

    Донорные примеси приводят к увеличению концентрации свободных электронов в кристалле. Акцепторные примеси приводят к увеличению концентрации дырок. В полупроводнике n типа электроны являются основными носителями заряда, а дырки — неосновными. В полупроводнике p типа дырки являются основными носителями заряда, а электро­ны — неосновными.

    Прежде чем раскрывать вопрос электронно дырочного перехода, важно ознакомится с общими сведениями о полупроводниках.

    Полупроводники — основы

    Полупроводники — это вещества, удельная проводимость которых имеет промежуточное значение между удельными проводимостями металлов и диэлектриков.

    Типичным полупроводником является кремний (Si), в состав атома которого входят 14 электронов. 4 электрона из 14 находятся в незаполненной внешней оболочке и являются слабо связанными (валентные электроны).

    Атомы кремния могут объединять валентные электроны с другими атомами кремния с помощью ковалентных связей:

    1) Атомы кремния в структуре кристалла
    2) Ковалентные связи. Ковалентная связь — самый распространенный тип химической связи, осуществляемой при взаимодействии атомов элементов с одинаковыми или близкими значениями электроотрицательности.

    При нулевой температуре в кристалле кремния свободные носители заряда отсутствуют. При повышении температуры происходит разрыв некоторых валентных связей, и электроны, участвующие ранее в создании валентных связей, отщепляются и становятся электронами проводимости. А при наличии электрического поля они перемещаются против поля и образуют электрический ток.

    При освобождении электрона в кристаллической решетке образуется незаполненная межатомная связь — дырка. Данный процесс создает дополнительную возможность для переноса заряда — дырка может быть заполнена электроном, перешедшим под действием тепловых колебаний от соседнего атома. В результате в месте, где будет заполнена дырка будет восстановлена нормальная связь, а в другом месте появится другая дырка. Последовательное заполнение свободной связи электронами одновременно сопровождается движением дырки в противоположном движении электронов направлении.

    Исходя из вышеописанного можно отметить, что в полупроводнике имеются два типа носителей заряда — электроны и дырки. Общая проводимость полупроводника равна сумме электронной проводимости n-типа и дырочной проводимости p-типа.

    Легирование полупроводников

    Легирование — добавление примесей для увеличения проводимости чистых полупроводников. При этом применяются два типа примесей:

    Пятивалентные примеси Трехвалентные примеси
    1) Атомы кремния. 2) Пятивалентный примесный атом (донор). 3) Ковалентные связи. 4) Свободный электрон. При легировании полупроводника пятивалентным атом фосфора (P) вводит четыре своих валентных электрона в ковалентные связи с соседними атомами. Его пятый электрон слабо связан с ядром и легко может стать свободным. В данном случае атом фосфора называется донором, так как он отдает свой лишний электрон. Электроны в таком полупроводнике n-типа являются основными носителями (имеют отрицательный заряд), а дырки — неосновными. 1) Атомы кремния. 2) Ковалентные связи. 3) Трехвалентный примесный атом (акцептор). 4) Дырка. При легировании полупроводника трехвалентным атомом индия (In) три валентных электрона разместятся среди трех соседних атомов. Это создает в ковалентной связи дырку. Наличие дырок позволяет электронам дрейфовать от одной ковалентной связи к другой. В данном случае In — акцептор, так как дырки принимают электроны. Дырки в таком полупроводнике p-типа являются основными носителями (имеют положительный заряд), а электроны — неосновными.

    Полупроводники p и n типов имеют более высокую проводимость, чем чистые полупроводники. Проводимость может быть уменьшена или увеличена путем изменения количества примесей.

    Свойства электронно дырочного перехода

    Электронно дырочный переход (p-n) создается в пластине полупроводника путем образования в ней области с различными типами проводимости. В области данного перехода имеется значительный перепад концентрации носителей зарядов, когда электронов в n-области больше, чем в p-области. В результате чего происходит:

    • Диффузия электронов из n-области в p-область. При этом в n-области остаются неподвижные положительно заряженные ионы доноров.
    • Одновременно происходит диффузия дырок из p-области в n-область. За счет отрицательно заряженных ионов акцепторов приграничная p-область приобретает отрицательный заряд.
    • Две данных прилегающих области образуют слой объемного заряда, в котором возникает контактное электрическое поле Ek (Epn), препятствующее дальнейшему переходу электронов и дырок.

    Контактное поле поддерживает равновесное состояние при определенных условиях. При повышении температуры небольшая часть электронов и дырок преодолевает контактное поле и создает ток диффузии. Одновременно за счет неосновных носителей заряда создается ток проводимости. В состоянии равновесия эти токи взаимно компенсируются.

    Рассмотрим более подробно p-n-переход в отсутствие внешнего поля. Вблизи границы перехода образуется двойной заряженный слой. Электрическое поле, созданное этим слоем, направлено по нормали к границе от n к p области. Это поле препятствует процессу диффузии основных носителей и, таким образом, создает для них потенциальный барьер:

    На энергетической диаграмме энергия электронов и дырок отсчитывается от их состояния соответственно в n и p областях.

    Поэтому из n в p область могут перейти только те электроны, энергия которых превышает высоту потенциального барьера Фpn. Концентрация электронов, обладающих энергией, достаточной для преодоления барьера, определяется распределением Больцмана:

    n = n0 exp (-Фpn ⁄ kT), где: n0 — концентрация электронов в n-области.

    Прошедшие за барьер электроны создают электронную компоненту диффузионного тока In. Точно так же дырки, преодолевшие барьер, образуют дырочную компоненту диффузионного тока Ip. Ip и In направлены от p к n области, и суммарный ток основных носителей равен:

    I0 = In + Ip ∼ exp (-Фpn ⁄ kT)

    Теперь посмотрим энергетическую диаграмму p-n-перехода в отсутствие внешнего поля (предыдущее изображение). Поле вблизи границы способствует движению неосновных носителей, которые «скатываются» с потенциальной «горки». Поэтому все неосновные носители, генерируемые в приконтактной области, движутся через электронно дырочный переход и образуют ток, направленный от n к p. Сила этого тока насыщения практически не зависит от разности потенциалов между n и p полупроводниками и определяется только числом неосновных носителей, образующихся в приконтактной области в единицу времени: Is = Ins + Ips.

    В состоянии равновесия устанавливается такая высота потенциального барьера, при которой полный ток равен нулю I = I0 — Is = 0.

    Приложение напряжения к диоду с p-n переходом

    Полупроводниковый диод — это пластина полупроводника (кремний или германий), одна сторона которой с электропроводностью р-типа, а другая с проводимость n-типа. На внешние поверхности пластины диода нанесены контактные металлические слои, к которым припаяны проволочные выводы электродов.

    Приложим к диоду, содержащему p-n переход, напряжение (смещение U от внешнего источника). В этом случае если анод источника «+» соединен с p-областью диода, а катод источника «-» с n-областью, то речь идет о прямом смещении (U > 0). В противоположном случае — это обратное смещение (U < 0).

    В электрической цепи с внешним источником диод содержит три соединенных последовательно области: p-область, объемный заряд (барьер), n-область. Так как потенциальный барьер препятствует движению основных носителей, и притом их средняя тепловая энергия kT << Фpn, область объемного заряда практически полностью обеднена свободными носителями тока (электронами и дырками). Данная область обладает наибольшим электрическим сопротивлением и практически все приложенное напряжение U в ней падает.

    Рассмотрим случай прямого (а) и обратного (б) смещения:

    При прямом смещении (а) поле от внешнего источника направлено навстречу полю, создаваемому объемным зарядом. Следовательно, напряжение U вычитается из барьерной разности потенциалов Upn = Фpn ⁄ e, существовавшей до приложения внешнего смещения. В результате разность потенциалов на барьере становится равной (Upn — U), а высота энергетического барьера:

    e(Upn — U) = Фpn — eU.

    Уменьшение высоты энергетического барьера приводит к увеличению концентрации основных носителей, преодолевающих барьер. Концентрация электронов за барьером теперь равна: n1 = n0 exp[-(-Фpn — eU ⁄ kT)] и увеличилась в n1 ⁄ n = exp(eU ⁄ kT) раз. Во столько же раз увеличится и создаваемый ими электронный диффузионный ток:

    In1 = exp(eU ⁄ kT).

    На ток неосновных носителей (ток насыщения) прямое смещение (так же как и обратное) влияния не оказывает. Ток электронов из p-области в n-область по-прежнему равен Ins и течет навстречу диффузионному току.

    Таким образом, электронная компонента прямого тока In будет равна:

    In = In1 — Ins = Ins[exp(eU ⁄ kT) — 1].

    Дырочная компонента прямого тока:

    Ip = Ip1 — Ips[exp(eU ⁄ kT) — 1].

    Полный ток через p-n переход равен сумме электронной и дырочной компонент: 

    I = In — Ip = (Ins + Ips)[exp(eU ⁄ kT) — 1] = Is[exp(eU ⁄ kT) — 1].

    При обратном смещении (б) происходит увеличение высоты потенциального барьера. Так как при этом принято предложенное напряжение U считать отрицательным, то соотношение e(Upn — U) = Фpn — eU остается в силе, так же как и последующие рассуждения. Поэтому формула I = Is[exp(eU ⁄ kT) — 1]
    описывает не только прямую, но и обратную ветви вольт амперную-характеристику диода (ВАХ).

    Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода:

    ВАХ

    Штрихпунктирной линией показана кривая,
    соответствующая теоретической зависимости I = Is[exp(eU ⁄ kT) — 1], сплошной линией — экспериментальная ВАХ.

    Продолжение линейного участка ВАХ до пересечения с осью U дает значение напряжения отсечки Uотс, которое можно принять за оценку барьерной разности потенциалов Upn ≈ Uотс. Значение Upn совпадает с числовым значением высоты потенциального барьера Фpn, выраженном в электрон-вольтах.

    Обратная ветвь ВАХ также отличается от теоретической Iобр = Is для IUI >> kT. В этой области сопротивление электронно дырочного перехода быстро увеличивается и даже превышает сопротивление изоляции диода. Поэтому возникает ток утечки, который течет не через p-n переход, а через постоянное сопротивление изоляции. Этой ситуации соответствует линейный участок обратной ветви, пересечение которого с осью тока I дает оценку тока насыщения Is.

    Для оценки ширины электронно дырочного перехода можно использовать формулу: d ≈ √((2εε0Uотс) ⁄ end), где nd — концентрация атомов донорной примеси в полупроводнике n-типа, ε — диэлектрическая проницаемость материала полупроводника.

    Физические свойства электронно-дырочного перехода — презентация онлайн

    1. Физические свойства электронно-дырочного перехода

    р-n-переход – тонкий слой полупроводника
    между двумя областями, одна из которых
    представляет полупроводник р-типа, а другая nтипа
    р-n-переходы бывают:
    •симметричный (концентрации основных
    носителей заряда в р- и n-областях равны)
    •несимметричный (концентрации основных
    носителей заряда в р- и n-областях существенно
    отличаются)
    равновесное состояние
    • Дырки, переходя из p-области в n-область,
    рекомбинируют с частью электронов,
    принадлежащих атомам донорной примеси.
    В результате оставшиеся без электронов
    положительно заряженные ионы донорной
    примеси образуют приграничный слой с
    положительным зарядом.
    • Уход этих дырок из p-области приводит к тому,
    что атомы акцепторной примеси, захватившие
    соседний электрон, образуют
    нескомпенсированный отрицательный заряд
    ионов в приграничной области.
    • Разность потенциалов, образованную
    приграничными зарядами, называют
    контактной разностью потенциалов UK
    или потенциальным барьером
    • l — ширина р-n-перехода
    Высота потенциального барьера (Uк) зависит от типа
    применяемого полупроводника:
    • для германия (Ge) она составляет 0,3 В,
    • для кремния (Si) — 0,6 В.
    при прямом внешнем напряжении
    • Потенциальный барьер сужается,
    через него начинают проникать дырки
    из p-области и электроны из n-области
    и через p-n-переход начинает течь ток
    • С увеличением внешнего напряжения
    ток возрастает неограниченно, так как
    создается основными носителями,
    концентрация которых постоянно
    восполняется источником внешнего
    напряжения
    • Полярность внешнего напряжения,
    приводящая к снижению
    потенциального барьера, называется
    прямой, или открывающей, а
    созданный ею ток — прямым.
    p-n-переход открыт
    при обратном внешнем напряжении
    • Основные носители зарядов
    отодвигаются внешним полем от
    границы, увеличивая ширину p-nперехода
    • Электрическое сопротивление p-nперехода при этом возрастает
    • Полярность внешнего напряжения
    называется обратной, запирающей
    • Значение обратного тока
    практически не зависит от
    внешнего напряжения
    p-n-переход закрыт
    Зависимость силы тока в диоде от подаваемого к его обкладкам
    напряжения называется вольт-амперной характеристикой (ВАХ)
    • Тангенс угла наклона кривой
    зависимости тока от напряжения
    определяет крутизну ВАХ, которая
    зависит от поперечного сечения р-nперехода диода.
    • Обратное напряжение, при котором
    происходит пробой диода (Uпроб)
    зависит от толщины слоев р- и nтипов и ширины запрещенной зоны
    полупроводника. У кремниевых
    диодов Uпроб больше, чем у
    германиевых, и может достигать
    1000 В.
    • При подаче обратного напряжения p-n-переход
    уподобляется конденсатору, пластинами которого
    являются р- и n-области, разделенные диэлектриком.
    • Роль диэлектрика выполняет приграничная область,
    почти свободная от носителей заряда.
    • Эту емкость p-n-перехода называют барьерной.
    • Она тем больше, чем меньше ширина p-n-перехода и
    чем больше его площадь.
    C p n S 0,5 0 N A / U
    где
    • S — площадь перехода;
    • ε0, ε — диэлектрические проницаемости
    соответственно полупроводника и р-n-перехода;
    • NА — концентрация акцепторов в р-области
    • U — обратное напряжение перехода

    10. Основные технологические процессы изготовления р-n-переходов


    Метод сплавления
    Метод диффузии
    Метод эпитаксиального наращивания
    Ионное легирование
    Оксидное маскирование
    Фотолитография

    Смена ролей практикующей медсестры: анализ концепции

    Цель: Анализ концепции перехода роли практикующей медсестры (НП).

    Фон: Ожидается, что Закон о доступном медицинском обслуживании предоставит 32 миллионам американцев медицинское страхование, и НП привлекают внимание к удовлетворению этого растущего спроса на поставщиков медицинских услуг.Однако существует ограниченный анализ перехода от дипломированной медсестры к НП. Часто во время этого перехода происходит переход от статуса опытного эксперта к статусу неопытного новичка с последующей утратой уверенности в своих способностях и компетентности. Это может помешать успешному развитию ролей и повлиять на непрерывность работы в течение первого года практики.

    Методы и источники: Ролевой переход NP был исследован с использованием метода концептуального анализа Уокера и Аванта.Поиск в электронных базах данных проводился с использованием терминов «смена ролей» и «практикующая медсестра». В него вошли тридцать статей по сестринскому делу, психологии и бизнесу.

    Выводы и выводы: Четыре определяющих атрибута смены ролей НП — это поглощение роли, переход от лица, оказывающего помощь, к лицу, назначающему ее, сочетание двух идентичностей и смешанные эмоции. Выявлены личные и экологические предпосылки и последствия концепции.Развитие эмпирических знаний о переходе ролей НП посредством дальнейших исследований важно для того, чтобы новички в практике стали полноценными поставщиками услуг высокого качества.

    Ключевые слова: Анализ концепции; практикующая медсестра; ролевой переход; переход; смена рабочих ролей.

    % PDF-1.7 % 264 0 объект > эндобдж xref 264 116 0000000016 00000 н. 0000002672 00000 н. 0000002934 00000 н. 0000002983 00000 н. 0000003809 00000 н. 0000004250 00000 н. 0000004317 00000 н. 0000004587 00000 н. 0000004690 00000 н. 0000004797 00000 н. 0000004915 00000 н. 0000005033 00000 н. 0000005212 00000 н. 0000005329 00000 н. 0000005470 00000 н. 0000005625 00000 н. 0000005748 00000 н. 0000005900 00000 н. 0000006010 00000 н. 0000006105 00000 н. 0000006200 00000 н. 0000006342 00000 п. 0000006525 00000 н. 0000006609 00000 н. 0000006761 00000 н. 0000006893 00000 н. 0000007026 00000 н. 0000007164 00000 н. 0000007300 00000 н. 0000007432 00000 н. 0000007567 00000 н. 0000007701 00000 н. 0000007834 00000 п. 0000007968 00000 п. 0000008106 00000 п. 0000008242 00000 н. 0000008378 00000 п. 0000008503 00000 н. 0000008633 00000 п. 0000008729 00000 н. 0000008825 00000 н. 0000008921 00000 п. 0000009018 00000 н. 0000009114 00000 п. 0000009210 00000 п. 0000009305 00000 н. 0000009401 00000 п. 0000009496 00000 п. 0000009591 00000 н. 0000009685 00000 н. 0000009780 00000 н. 0000009874 00000 н. 0000009969 00000 н. 0000010063 00000 п. 0000010156 00000 п. 0000010252 00000 п. 0000010348 00000 п. 0000010444 00000 п. 0000010540 00000 п. 0000010637 00000 п. 0000010733 00000 п. 0000010829 00000 п. 0000010914 00000 п. 0000011056 00000 п. 0000011095 00000 п. 0000011371 00000 п. 0000011695 00000 п. 0000012194 00000 п. 0000012793 00000 п. 0000013292 00000 п. 0000013425 00000 п. 0000013776 00000 п. 0000014207 00000 п. 0000014722 00000 п. 0000015427 00000 п. 0000015965 00000 п. 0000015987 00000 п. 0000016793 00000 п. 0000016815 00000 п. 0000017702 00000 п. 0000018183 00000 п. 0000018478 00000 п. 0000018703 00000 п. 0000018905 00000 п. 0000019163 00000 п. 0000019352 00000 п. 0000019374 00000 п. 0000020309 00000 п. 0000020331 00000 п. 0000021327 00000 п. 0000021349 00000 п. 0000022257 00000 п. 0000022699 00000 н. 0000023175 00000 п. 0000023197 00000 п. 0000024090 00000 п. 0000024289 00000 п. 0000024580 00000 п. 0000024656 00000 п. 0000024891 00000 п. 0000025377 00000 п. 0000025399 00000 п. 0000026386 00000 п. 0000026408 00000 п. 0000027175 00000 п. 0000030115 00000 п. 0000037546 00000 п. 0000039501 00000 п. 0000045986 00000 п. 0000046341 00000 п. 0000051135 00000 п. 0000051260 00000 п. 0000051697 00000 п. 0000051763 00000 п. 0000003024 00000 н. 0000003787 00000 н. трейлер ] >> startxref 0 %% EOF 265 0 объект > эндобдж 266 0 объект > эндобдж 267 0 объект > эндобдж 378 0 объект > транслировать Hb«a`

    Бесплатный онлайн-ресурс для медсестер

    Количество практикующих медсестер (НП) в США (U.С.) Значительно увеличивается. Американская ассоциация практикующих медсестер (AANP) сообщила, что в 2017 году в США было лицензировано более 234000 медицинских сестер (Национальная база данных практикующих медсестер AANP, 2017). Совет по медсестринскому делу Кентукки (KBN) (2018) сообщил, что 5992 НП получили лицензию на работу в Кентукки в январе 2018 года. Большинство новых НП проработали много лет в различных условиях, прежде чем получить ученую степень, и являются квалифицированными медсестрами, хорошо осведомленными. в координации ухода за пациентами, их семьями и членами медицинской бригады (Barnes, 2015).Переход от дипломированной медсестры (RN) к практикующей медсестре (NP) — это тяжелое время для новых выпускников, создающих множество новых проблем, поскольку ожидается, что они будут работать на продвинутом уровне в сложной профессии (Barnes, 2015; Bush, 2014). Осведомленность о потенциальных стрессорных факторах и стратегиях, необходимых для оказания поддержки, будет способствовать повышению удовлетворенности ролью и удержанию. Текучесть кадров среди НП по сравнению с врачами вдвое выше (Barnes, 2015). Целью данной статьи является определение этапов перехода к практике для начинающей практикующей медсестры, определение внутренних и внешних факторов стресса, с которыми сталкиваются во время смены ролей, и предоставление рекомендаций по облегчению перехода к практике.

    Этапы перехода к практике
    Путь от RN к NP был описан как американские горки тревоги, стресса и турбулентности, которые продолжаются в течение первых нескольких лет практики (Stiner, McLaughlin, Hyde, Brown, & Burman, 2008) . Новые НП сообщают, что чувствуют себя подавленными, неадекватными и уязвимыми. Переход от RN к NP был охарактеризован как более сложный, чем этапы приобретения навыков Беннером, от новичка к эксперту, что часто используется для описания перехода к практике для начинающей дипломированной медсестры (Benner, 1984).Этот переход задокументирован как «шаг назад в опыте», поскольку опытные медсестры описывают чувство дискомфорта, когда они переходят в новую роль начинающего НП (Brown & Olshansky, 1998).


    Браун и Ольшанский (1998) разделили проблемы, с которыми сталкиваются новые выпускники НП при смене ролей, на четыре этапа. Первый этап, «закладывание фундамента», начинается с выхода из напряженности учебы и включает подготовку к аттестационному экзамену, получение лицензии и поиск работы.Для этого этапа характерны беспокойство и беспокойство по поводу сдачи экзаменов и трудоустройства. «Запуск», следующий этап, начинается с первоначального трудоустройства и определяется как самый трудный период в течение первого года практики. На этом этапе новые НП борются с определением ролей в новой рабочей среде, стремятся развить навыки тайм-менеджмента и бороться с тревогой. Третий этап, «ответ на вызов», наступает, когда новые НП начинают чувствовать себя клинически компетентными и уверенными.«Расширение перспективы» — это заключительный этап, который происходит по мере того, как новый НП развивает чувство легитимности и может взять на себя большую ответственность. Начинающий НП теперь может поразмыслить над предыдущим опытом и признать, насколько далеко они продвинулись в своей практике (Brown & Olshansky, 1998; Hill & Sawatzky, 2011).

    Стрессоры в переходном периоде
    По мере того, как новичок НП проходит различные стадии, требовательная система здравоохранения создает среду стресса для нового НП, который сосредоточен на определении ролей, расширении знаний и получении клинического опыта (Hill & Sawatzky, 2011) .Стресс, испытываемый в течение первого года практики, может быть вызван несколькими причинами. Стрессоры можно разделить на внешние и внутренние (Brown & Olshansky, 1997). Внешние факторы стресса связаны с организацией и системой здравоохранения, а факторы внутреннего или личного стресса зависят от индивидуальных факторов.

    Внешние стрессоры
    Рабочая нагрузка — это организационный фактор, способный создать значительный стресс и беспокойство для новых НП (Brown & Olshansky, 1997).Организация может ожидать, что она будет заботиться о том же количестве пациентов, что и опытный поставщик. Начинающему НП требуется больше времени, чтобы обследовать пациентов, задокументировать, просмотреть таблицы, исследовать лабораторные показатели, проанализировать планы лечения и узнать, как выполнять простые и сложные задачи. Кроме того, изучение того, как они вписываются в организационную структуру и роль других специалистов в области здравоохранения, создает ролевую двусмысленность, которая приводит к разочарованию и замешательству (Stiner et al., 2008; Келли и Мэтьюз, 2001). Неопределенность ролей на рабочем месте может привести к снижению энтузиазма, сосредоточению внимания на негативном опыте и увеличению текучести кадров (Stiner et al., 2008). Новые НП, занимающие либо положение новатора, либо единственного НП, должны подтвердить свою клиническую компетентность, доверие и информировать общественность и коллег о своей роли, образовании и сфере деятельности.

    Внутренние стрессоры
    Осознанная потребность быть осведомленным и полностью компетентным во всех аспектах этой новой роли сразу после окончания учебы является обычным внутренним стрессором (Hill & Sawatzky, 2011).Многие считают, что они должны иметь возможность самостоятельно управлять уходом за пациентами, и опасаются, что их сочтут некомпетентными, если им понадобится проконсультироваться или поделиться идеями с другими специалистами в области здравоохранения. Новые НП изо всех сил пытаются найти баланс между внутренним чувством неадекватности из-за отсутствия опыта и внешним давлением, чтобы работать на клинически компетентном уровне, поскольку они изо всех сил стараются управлять расписанием пациентов и не отставать от документации (Brown & Olshansky, 1997). Обязанность принимать медицинские решения для пациентов или упускать из виду важную информацию, касающуюся здоровья или болезни пациента, являются обычными внутренними стрессорами для новых НП (Brown & Olshansky, 1998).


    Келли и Мэтьюз (2001) сообщили о дополнительных факторах личного стресса у новичков. Участники исследования сообщали о долгих часах работы и небольшом количестве перерывов, из-за которых они часто чувствовали себя истощенными, из-за недостатка энергии для социализации и поддержания личных дружеских отношений за пределами рабочего места. Сообщалось о чувстве потери конфиденциальности, когда они живут и работают в одном сообществе, поскольку пациенты часто обращаются к ним и просят совета у врача в общественных местах. Участники также сообщили, что испытывали стресс, связанный с изменением места работы и утратой старых отношений, когда они начали новую карьеру в качестве НП в новой организации.

    Предоставление поддержки
    Знание потенциальных факторов стресса, с которыми сталкиваются на этапах перехода от RN к началу NP в течение первого года, подтверждает потребность в инновационных стратегиях для содействия усилиям, которые будут способствовать удовлетворению и удержанию. Было предложено облегчить переход с помощью эффективных программ наставничества (Hill & Sawatzky, 2011). Создание партнерства между новичком и опытным НП для оказания помощи в развитии клинической компетентности и навыков способствует социализации, способствует автономии и позволяет начинающим НП удовлетворять потребности в уходе за пациентами и клинической производительности.Наставник также окажет эмоциональную поддержку во время перехода и поможет в организационной интеграции.


    Программы резиденций и стипендий для новых выпускников НП поддерживаются Национальным консорциумом по обучению практикующих медсестер, который предлагает помощь организациям здравоохранения в создании программ обучения (Martsolf, PhuongGiang, Freund, & Poghosya, 2017). Программы проживания, которые часто проводятся в местных медицинских центрах, как правило, ориентированы на первичную медико-санитарную помощь.Программы стипендий, реализуемые в больницах и крупных системах здравоохранения, ориентированы на специализированную помощь. Эти программы — относительно новое явление, которому не хватает стандартизации с точки зрения организации, управления и структуры. На данный момент программы различаются по специализации, типу организации, контролирующей программу, и продолжительности программы.


    Дополнительные знания о положительной взаимосвязи программ ориентации и смены ролей НП могут побудить администраторов изучить вопрос при найме и разработке политики и программ ориентации для НП (Barnes, 2015).Реализация программ ориентации, которые обеспечивают благоприятную среду, может создать более плавный переход, способствуя удовлетворению и удержанию новых выпускников НП.

    Последствия
    Прогнозируемая нехватка врачей первичной медико-санитарной помощи в ближайшие годы, наряду с относительно высокой текучестью практикующих медсестер, поставит перед организациями задачу разработать и внедрить стратегии, которые будут способствовать удовлетворению и удержанию новых практикующих медсестер-выпускников (Anderson, 2012) .Заменить высококвалифицированных и специализированных медицинских работников сложно и дорого (Dillon, Dolansky, Casey, & Kelley, 2016). В быстро меняющейся среде здравоохранения в отчете Института медицины (2010) «Будущее медсестер» отмечается, что для удовлетворения потребностей пациентов в будущем мы должны обучать больше НП с растущим уровнем клинической сложности.


    Дополнительное руководство и поддержка после окончания учебы жизненно важны для своевременного и успешного перехода в новую роль НП (Hill & Sawatzky, 2011).Наставничество способствует социализации, автономии и позволяет начинающим НП удовлетворять потребности в уходе за пациентами и клинической производительности. Хотя программы стипендий и ординатуры оказались успешными в некоторых условиях, для продвижения передового опыта необходимо больше данных (Martsolf et al., 2017).

    Ссылки
    Национальная база данных практикующих медсестер AANP (2017). Получено с https://www.aanp.org/all-about-nps/np-fact-sheet.
    Андерсон К. (2012). Старший врач, текучесть практикующих медсестер являются ключом к совместному уходу.Получено с http://www.healthcarefinancenews.com/news/managing-doctor-nurse-practitioner-turnover-rates-key-delivery-collaborative-care-model.
    Барнс, Х. (2015). Изучение факторов, влияющих на смену роли практикующей медсестры. Журнал для практикующих медсестер, 11 (2), 178-183. DOI: 10.1016 / j.nurpra.2014.11.004
    Беннер П. (1984). От новичка до эксперта: совершенство и мощь в клинической практике медсестер. Менло-Парк, Калифорния: Аддисон-Уэсли.
    Браун, М.А., и Ольшанский, Э. (1997).От неопределенности к законности; Теоретическая модель перехода к роли практикующей медсестры первичного звена. Медсестринское дело, 46, 46-51.
    Браун, М.А., и Ольшанский, Э. (1998). Стать практикующей медсестрой первичной медико-санитарной помощи: проблемы первого года практики. Практикующая медсестра, 23 (7), 46, 52-56, 58.
    Буш, К. (2014). Последипломная подготовка практикующих медсестер: что необходимо знать руководителям медсестер. Журнал сестринского дела, 14 (12), 625-627.
    Диллон, Д. Л., Доланский, М. А., Кейси, К., и Келли, К. (2016). Факторы, связанные с успешным переходом к практике практикующих медсестер неотложной помощи. AACN Advanced Critical Care, 27 (2), 173-182. DOI: 10.4037 / aacnacc2016619
    Hill, L. & Sawatzky, J. (2011). Переход на роль практикующей медсестры через наставничество. Журнал профессионального ухода, 27 (3), 161-167.
    Институт медицины (IOM). (2010). Будущее медсестер: ведущие изменения и улучшение здоровья. Вашингтон, округ Колумбия: Национальная академическая пресса.
    Келли, Н. и Мэтьюз, М. (2001). Переход на первую должность практикующей медсестры. Журнал сестринского образования, 40 (4), 416-420.
    Статистические отчеты Совета по медсестринскому делу штата Кентукки. (2018). Получено с https://kbn.ky.gov/FTP/lic_reg.pdf.
    Марцольф, Г., Фуонгджанг, Н., Фройнд, Д., и Погосян, Л. (2017). Что мы знаем о программах ординатуры и стипендий для практикующих медсестер. Журнал для практикующих медсестер, 13 (7) 482-487.
    Штайнер, С. Х., Маклафлин, Д. Г., Хайд, Р. С., Браун, Р. Х. и Берман, М. Е. (2008). Смена ролей при обучении от рН до фнп. Журнал сестринского образования, 47 (10), 441-447. DOI: 10.3928 / 01484834-20081001-07

    Переход от медсестры к практикующей медсестре: чего ожидать

    Узнайте больше об онлайн-программе BSN Карсон-Ньюман для практикующих семейных медсестер.

    Когда вы думаете о переходе от дипломированной медсестры (RN) к практикующей медсестре (NP), вам может быть интересно, чего ожидать в первый год вашей новой должности.

    Студенты онлайн-программы MSN-Family Nurse Practitioner (FNP) Университета Карсон-Ньюман готовы к успеху в качестве лидеров-медсестер. В Carson-Newman мы ценим знания и вооружаем медсестер, чтобы они могли стать продвинутыми практикующими врачами, поэтому мы написали эту статью о переходе от медсестры к практикующей медсестре, чтобы вы могли быть подготовлены и уверены в своей новой роли в медсестре.

    Какова роль практикующих медсестер?

    Практикующая медсестра — это дипломированная медсестра с продвинутой практикой (APRN), имеющая степень магистра или доктора в области медсестринского дела и сдавшая национальный лицензионный экзамен.

    Как начинающему НП, сочетание высшего образования и практической клинической работы поможет вам перейти от медсестры к практикующей медсестре и подготовиться к реальной жизни.

    Практикующие медсестры могут работать в различных специализированных областях, в том числе:

    • Семейная практика
    • Первичная медицинская помощь для взрослых или геронтологов
    • Неотложная помощь
    • Педиатрия
    • Здоровье женщин
    • Психиатрическое и психическое здоровье
    • Хоспис и паллиативная помощь

    Более пристальный взгляд на практикующих семейных медсестер

    Практикующая семейная медсестра (FNP) — это практикующая медсестра, специализирующаяся в области семейного здравоохранения.FNP работает с пациентами всех возрастов, обеспечивая уход за взрослыми, детьми, подростками, женщинами и пожилыми пациентами.

    Многие семейные врачи несут схожие обязанности с семейными врачами, занимаясь диагностикой и лечением болезней и состояний, выписывая лекарства и оказывая медицинскую помощь на протяжении всей жизни пациента.

    Как стать сильным в течение первого года обучения от медсестры до практикующей медсестры

    Изменяться сложно, и рост от знакомого и самобытного медсестры до практикующей медсестры не станет исключением.Цель, конечно же, состоит в том, чтобы найти здоровые и продуктивные способы корректировки, чтобы вы могли пользоваться преимуществами и видеть, как ваш тяжелый труд окупается. Ниже приведены некоторые ключевые направления, на которых нужно сосредоточиться, чтобы ваш первый год был максимально успешным.

    Максимизируйте свою предыдущую подготовку и опыт

    Одна из самых резких проблем при переходе от РН к практикующей медсестре была описана как «шаг назад в профессиональном плане». Скорее всего, вы привыкли к своей роли медсестры, справляясь с повседневными задачами и развивая заслуженные инстинкты.Ваш первый год в качестве практикующей медсестры потребует от вас овладения усвоенными задачами и развития новых инстинктов.

    Тем не менее, ваши годы работы в качестве RN имеют решающее значение и будут продолжать служить вам по мере вашего роста в своей новой роли. Например, большая часть вашего времени будет потрачена на изучение основных элементов здравоохранения, которые вы уже хорошо знаете, в том числе:

    • Взаимодействие с пациентом и уход за ним
    • Умственная сосредоточенность и выносливость
    • Рабочие отношения с другими поставщиками медицинских услуг и персоналом
    • Базовые знания в области медицины и здравоохранения
    • Навыки эффективного общения

    Ваш первый год будет потрачен на приобретение новых знаний при переходе от медсестры к практикующей медсестре.Тем не менее, вы будете хорошо подготовлены к адаптации, используя знания, опыт и интуицию, которые вы уже развили в качестве медсестры.

    Управляйте своим учебным процессом и непрерывным профессиональным развитием

    Новые практикующие медсестры должны помнить о фазе адаптации, которая происходит от ухода из академической среды к обучению на работе. Исследования показывают, что те, кто переходил из медсестры в практикующую медсестру, имели более положительный опыт в первый год после завершения более формального процесса ориентации.Однако формальная ориентация не всегда доступна в каждой системе здравоохранения.

    Хотя стандартизированные ориентации и обучение были бы предпочтительнее, важно заранее знать, что вы можете не получить структурированное руководство. Вы можете начать подготовку еще до того, как приступите к своей новой роли, взяв на себя ответственность за собственное профессиональное развитие и сосредоточившись на том, что вы можете сделать для себя.

    Вы можете поговорить с учителями и наставниками о конкретных способах подготовки к первому году обучения. Найдите опытных практикующих медсестер, которые готовы дать совет о том, как лучше всего подготовиться и приспособиться.

    Вы также можете направить обоснованные запросы, прежде чем принимать предложение о работе. Ищите программы и возможности, которые направлены на оснащение новых FNP по мере того, как они осваивают свою новую роль.

    Одна из стратегий может заключаться в поиске программ ординатуры и стипендий, предназначенных для новых выпускников НП. Национальный консорциум по обучению практикующих медсестер помогает организациям здравоохранения в создании таких программ обучения, поэтому постарайтесь определить, как вы могли бы воспользоваться преимуществами количество таких возможностей растет.

    Такие учебные программы отражают растущую тенденцию к признанию необходимости минимизировать стресс для новых практикующих медсестер, что является хорошей новостью для тех, кто в ближайшие годы перейдет из медсестры в практикующую медсестру.

    Развивать прочные профессиональные отношения

    Хотя брать на себя ответственность за свое обучение и развитие важно, вам все равно понадобится поддержка других. Фактически, один из наиболее эффективных способов стимулировать ваш успех — это развивать отношения со сверстниками и наставниками — это повысит вашу удовлетворенность работой на раннем этапе, а также вашу эффективность при переходе от медсестры к практикующей медсестре.

    Исследования показывают, что сотрудничество и сплочение коллектива медицинских специалистов дает ряд положительных результатов. Делается меньше медицинских ошибок, пациенты получают лучшие результаты и больше удовлетворяются лечением.

    Отчеты Американской ассоциации медсестер (ANA) также предлагают несколько полезных стратегий для поощрения лучших условий сотрудничества, особенно между врачами и практикующими медсестрами, в том числе:

    • Ориентация на создание команды, а не только на достижение индивидуальных целей
    • Развитие эмоциональной зрелости
    • Распознавание и предотвращение негативного поведения
    • Постоянно совершенствовать коммуникативные навыки, особенно в чрезвычайных ситуациях
    • Научиться понимать и ценить точку зрения других
    • Практика самообслуживания, чтобы избежать усталости от сострадания
    • Разумное управление конфликтами
    • Учимся уважительно вести переговоры

    Еще одна стратегия, которая поможет вам перейти от медсестры к практикующей медсестре, — это партнерство с наставником, который поможет вам справиться с некоторыми проблемами в течение первого года.

    Некоторые виды наставничества могут быть уже встроены в курс ориентации или ординатуры для новых НП, хотя вы всегда можете пообщаться и найти своего собственного наставника, если эти варианты недоступны.

    Отчет Института медицины «Будущее сестринского дела» демонстрирует, что лучший путь к выпуску отличных медсестер — это рекомендации опытных медсестер. Это по-прежнему верно для APRN.

    Начиная свой первый год работы, подумайте о поиске в этих местах одного или нескольких наставников, которые могут помочь вам эффективно перейти от RN к практикующей медсестре:

    • Ваша школа медсестер или участки клинической практики
    • Ваше рабочее место или местность
    • Профессиональные сестринские организации

    Студенты онлайн-программы MSN-FNP Карсон-Ньюман пользуются поддержкой близкого сообщества преподавателей и сотрудников, которым не все равно.Узнайте, почему Carson-Newman считается лучшей школой и как учащиеся извлекают выгоду из подхода, ориентированного на учащихся.

    Почему я должен перейти от медсестры к практикующей медсестре?

    Роль практикующей медсестры растет в геометрической прогрессии, как и потребность в преданных профессионалах, которые хотят продвинуться от RN до практикующей медсестры.

    Те, кто заинтересован в переходе от медсестры к практикующей медсестре, пользуются широким спектром преимуществ, включая высокую удовлетворенность работой, большую самостоятельность в карьере и блестящие карьерные перспективы.

    Фактически, US News and World Report недавно поставил практикующую медсестру на 5-е место в своем общем списке 100 лучших вакансий 2020 года, на 4-е место в сфере здравоохранения и 5-е место в области науки, технологий, инженерии, и математика.

    Карьерный рост и возможности

    Когда вы перейдете от медсестры к практикующей медсестре, вы обнаружите, что в вашей должности медсестры нет недостатка в возможностях трудоустройства.

    Это потому, что рост числа рабочих мест практикующих медсестер, по прогнозам, увеличится на 28 процентов до 2028 года.Это более чем в пять раз превышает темп роста для всех профессий и более чем в два раза превышает ожидаемый темп роста для дипломированных медсестер.

    В связи с ожидаемой нехваткой почти 50 000 врачей первичной медико-санитарной помощи в США к 2030 году НП, специализирующиеся на первичной медико-санитарной помощи, будут по-прежнему пользоваться высоким спросом.

    Практикующие семейные медсестры обладают уникальными возможностями помочь уменьшить нехватку врачей благодаря своей способности лечить на протяжении всей жизни и обслуживать широкий круг пациентов.Потребность в квалифицированных ГНП еще выше в сельских и недостаточно обслуживаемых общинах по всей стране. По оценкам, 84 миллиона американцев живут в сельских или городских районах, которые считаются недостаточно обслуживаемыми.

    Прочтите наш блог о том, как FNP заполняют пробелы в первичной медико-санитарной помощи.

    Больше гибкости и автономности

    По мере того, как вы переходите из медсестры к практикующей медсестре, вы получите больше карьерной автономии и более широкий круг клинических обязанностей, включая возможность:

    • Обследование и диагностика пациентов
    • Заказ и интерпретация диагностических тестов
    • Начало лечения и управление им
    • Выписать лекарства

    Во многих штатах НП имеют все полномочия в отношении практики, что означает, что они могут действовать независимо и даже вести свою собственную клиническую практику.

    В США 65% НП имеют сертификаты по уходу за детьми. Из-за высокого спроса у FNP, в частности, есть широкий спектр условий, в которых они могут работать, начиная от частной практики и заканчивая учреждениями неотложной помощи, больницами, школами и т. Д.

    Значительный рост доходов

    Те, кто переходит из медсестры в практикующую медсестру, также увидят значительный рост заработной платы. НП зарабатывают в среднем 109 820 долларов в год по сравнению со средним доходом для РН, который составляет 73 300 долларов.По мере роста вашего опыта и практики в качестве НП, вы, вероятно, со временем увидите увеличение своей зарплаты.

    Более высокий доход, а также блестящие перспективы, большая автономия и способность оказывать комплексную помощь пациентам на протяжении всей их жизни — все это способствует успешной карьере, когда вы переходите от медсестры к практикующей медсестре.

    Как Карсон-Ньюман поддерживает студентов, переходящих из РН в практикующую медсестру

    Несмотря на то, что переход от медсестры к практикующей медсестре сопряжен с трудностями, онлайн-программа MSN-FNP Карсон-Ньюман специально разработана для того, чтобы дать работающим медсестрам возможность добиться успеха в карьере и преуспеть в своей новой должности.

    Те, кто зачислен на онлайн-программы сестринского дела Carson-Newman, извлекают выгоду из гибкого, ориентированного на студентов подхода, разработанного для работающих медсестер, в том числе:

    • Преподаватели, ставящие во главу угла успех студентов
    • Интимная учебная среда с меньшим размером класса
    • Индивидуальная поддержка на протяжении всей программы от специального советника по успеху студентов
    • Поддержка при размещении в клинике, которая экономит много часов и позволяет студентам сосредоточиться на программе, не беспокоясь о поиске собственных клинических возможностей
    • Практическое обучение в ординатуре для получения более широкого клинического опыта и компетенций

    Ваша лучшая стратегия для решения проблем в первый год обучения — это выбрать путь, по которому вы будете подготовлены с первого дня, и это находится в центре внимания онлайн-программы MSN-FNP Карсона-Ньюмана и онлайн-программы сертификации FNP для магистров.

    Узнайте больше о преимуществах работы практикующей медсестрой.

    Посмотрите видео ниже, чтобы услышать от студентки ФНП Зенаба Махмуда о том, как близкое окружение Карсон-Ньюман помогает ей в достижении ее целей в сестринском деле.

    «Поддерживающий персонал [очень] внимателен, они готовы протянуть руку помощи, когда вы в этом нуждаетесь … Вы совсем не будете чувствовать себя одиноким».

    Станьте комплексным медсестрой-лидером с онлайн-программой MSN-FNP Карсон-Ньюман или онлайн-программой сертификации FNP для магистров.

    Подготовка к переходу на практику практикующей медсестры

    Автор Молли Дж. Брэдшоу , DNP, APRN, FNP-BC, WHNP-BC

    Переход от RN к практикующей медсестре (NP) может быть сложным и захватывающим. Практика сложна, даже когда программы NP обеспечивают наилучшую возможную подготовку. По всей стране раздаются протесты за лучшую поддержку НП в первый год их практики.

    Увеличилось количество программ резиденций и стипендий НП для решения этой проблемы.На сегодняшний день имеются данные, подтверждающие, что это хорошая идея. Программы способствуют более высокому уровню удержания и удовлетворения НП (Barnes, 2015). Однако доступ к этим программам и участие в них может быть сложной задачей, особенно в сельской местности.

    Университет Восточного Кентукки хочет поддержать практикующих медсестер и стать их партнером в переходе к практике NP. Осенью 2020 года мы будем предлагать уникальную серию курсов в рамках программы перехода к практикующим медсестрам EKU. Это пилотная программа, разработанная для недавних выпускников НП, которые только начинают свой первый год практики или возвращаются к ней.Заработанный кредит можно позже подать на соискание степени доктора сестринского дела (DNP) EKU.

    Наша программа основана на теории Патрисии Беннерс от новичка к эксперту. Курсы состоят из серии из трех последовательных курсов по 1 кредитному часу. Каждый курс длится 8 недель и был специально разработан, чтобы помочь вам в переходе от роли НП. Вы будете появляться в Интернете раз в неделю, чтобы встретиться со своими коллегами и преподавателями. У вас будет возможность задать свои вопросы в безопасной и благоприятной обстановке.

    Простые стратегии и советы будут распространяться каждую неделю через подкасты, видео и другие средства массовой информации. Лучше всего то, что на каждом курсе вы получите индивидуальную встречу с преподавателем, чтобы помочь в достижении ваших личных целей.

    Участники будут заполнять небольшой опрос каждый месяц и вести дневник для размышлений. Наши курсовые работы будут простыми и практичными, без тестов и заданий с оценками. Это специализированные курсы, предназначенные для предоставления рекомендаций и поддержки, необходимых вам для достижения успеха в качестве практикующей медсестры.

    Вопросы? Свяжитесь с Хали по адресу [email protected] 859-622-2517 или зарегистрируйтесь для участия в нашем виртуальном доме открытых дверей.

    Артикулы:

    Барнс, Х. (2015). Изучение факторов, влияющих на смену ролей практикующей медсестры. Журнал для практикующих медсестер . 2015 Февраль; 11 (2): 178–183. DOI: 10.1016 / j.nurpra.2014.11.004.

    Об авторе

    Д-р Молли Дж. Брэдшоу — опытный преподаватель NP с доказанной способностью общаться со студентами.Они хвалят ее практические задания, способность ясно объяснять сложные идеи и общую страсть к процветанию НП. Она доцент EKU и координатор университетской программы DNP.

    Доктор Брэдшоу — практикующая медсестра, сертифицированная национальным советом в области семейного и женского здоровья. Она ведет активную клиническую практику в First Choice Immediate Care в Колумбии, штат Кентукки. Ее академическая стипендия основана на преподавании инноваций, использовании инфографики / социальных сетей и проекте DNP.Она является ведущим автором публикации Springer «Рабочая тетрадь проекта DNP: шаг за шагом к успеху» . С клинической точки зрения она публикуется и часто выступает по таким темам, как выписывание рецептов практикующими медсестрами и ведение хронических заболеваний, включая гипертонию, диабет, ХОБЛ и ожирение.

    Произошла ошибка при настройке пользовательского файла cookie

    Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности. Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт.


    Настройка вашего браузера для приема файлов cookie

    Существует множество причин, по которым cookie не может быть установлен правильно. Ниже приведены наиболее частые причины:

    • В вашем браузере отключены файлы cookie. Вам необходимо сбросить настройки своего браузера, чтобы он принимал файлы cookie, или чтобы спросить вас, хотите ли вы принимать файлы cookie.
    • Ваш браузер спрашивает вас, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались. Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, используйте кнопку «Назад» и примите файлы cookie.
    • Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Если вы подозреваете это, попробуйте другой браузер.
    • Дата на вашем компьютере в прошлом. Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г., браузер автоматически забудет файл cookie. Чтобы исправить это, установите правильное время и дату на своем компьютере.
    • Вы установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie. Вы должны отключить приложение при входе в систему или проконсультироваться с системным администратором.

    Почему этому сайту требуются файлы cookie?

    Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу. Чтобы предоставить доступ без файлов cookie потребует, чтобы сайт создавал новый сеанс для каждой посещаемой страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня.


    Что сохраняется в файле cookie?

    Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в cookie; никакая другая информация не фиксируется.

    Как правило, в cookie-файлах может храниться только информация, которую вы предоставляете, или выбор, который вы делаете при посещении веб-сайта. Например, сайт не может определить ваше имя электронной почты, пока вы не введете его. Разрешение веб-сайту создавать файлы cookie не дает этому или любому другому сайту доступа к остальной части вашего компьютера, и только сайт, который создал файл cookie, может его прочитать.

    Преодоление переходного периода через обучение по месту жительства на основе FQHC

    Маргарет Флинтер, доктор философии, APRN, c-FNP

    Community Health Center, Inc.(CHCI), многопрофильный медицинский центр с федеральной квалификацией (FQHC) в Коннектикуте, в 2007 году реализовал годичную программу ординатуры для новых практикующих медсестер (NP). Эта программа ординатуры специально разработана для практикующих семейных медсестер, намеревающихся практика в качестве поставщиков первичной медико-санитарной помощи в центрах здравоохранения, отвечающих требованиям федерального уровня. Эти центры составляют самую большую сеть социальной защиты в стране; их обычно называют общинными центрами здоровья. Частично поддерживаемые Администрацией службы ресурсов здравоохранения, медицинские центры являются частными некоммерческими или государственными организациями, обслуживающими население с ограниченным доступом к медицинскому обслуживанию.Они расположены в специально отведенных населенных пунктах с высокой потребностью; управляется советами директоров, состоящими из большинства пациентов; и предоставлять комплексные услуги первичной медико-санитарной помощи. Автор начинает с обзора истории и контекста программы ординатуры практикующей медсестры, важности программ ординатуры NP, а также набора и отбора резидентов NP. Она объясняет, как жителей обучают модели ухода и содержанию ухода. Она продолжает обсуждение, обращаясь к оценке программы, результатам и затратам.Представлены последствия для национальной политики здравоохранения, клинической практики и сестринского дела, а также области для дальнейших исследований. Эта статья актуальна в свете недавних рекомендаций в отчете Института медицины за 2010 г. о будущем сестринского дела, в которых рекомендуется разработать программы ординатуры для новых, опытных медсестер.

    Образец цитирования: Флинтер, М., (28 ноября 2011 г.) «От новой практикующей медсестры к поставщику первичной медико-санитарной помощи: переход к переходу через обучение в ординатуре на основе FQHC» OJIN: Интернет-журнал по вопросам сестринского дела Vol.17 № 1.

    DOI: 10.3912 / OJIN.Vol17No01PPT04

    Ключевые слова: ординатура, переход, FQHC, практикующие медсестры, первичная медико-санитарная помощь.

    Соединенные Штаты (США) сегодня переживают кризис доступа к первичной медико-санитарной помощи. Миллионы недавно застрахованных людей вскоре обратятся за дополнительной медицинской помощью.

    Сегодня Соединенные Штаты (США) переживают кризис доступа к первичной медико-санитарной помощи. Миллионы недавно застрахованных людей вскоре обратятся за дополнительной медицинской помощью.Они будут бороться с существующей и прогнозируемой нехваткой поставщиков первичной медико-санитарной помощи для оказания этой помощи. Эта нехватка наиболее очевидна в крупнейшей в стране системе первичной медико-санитарной помощи — сети из более чем 1100 центров здоровья, отвечающих требованиям федерального уровня (FQHC), также известных как общинные центры здоровья или просто центры здоровья. Эти центры в настоящее время обслуживают 18 миллионов человек в районах США с недостаточным медицинским обслуживанием и нехваткой профессиональных медицинских работников. Ожидается, что к 2040 году эти цифры увеличатся вдвое.

    Я начну с обзора истории и контекста программы ординатуры практикующей медсестры, важности программ ординатуры NP, а также набора и отбора резидентов NP.Далее я объясню, как резидентов обучают модели ухода и содержанию ухода. В заключение я расскажу об оценке программы и текущих результатах; последствия для национальной политики здравоохранения, клинической практики и сестринского дела; и области для дальнейших исследований.

    В этой статье я сосредоточусь на конкретном FQHC, Общественном центре здравоохранения Коннектикута, Inc. (CHCI), всеобъемлющей системе первичной медико-санитарной помощи в масштабе штата, обслуживающей 130 000 пациентов. Основанный в 1972 году с миссией здравоохранения как права, а не привилегии, центр сосредоточен на улучшении состояния здоровья определенных групп населения и построении здоровых сообществ.У CHCI есть три основных фактора: клиническое превосходство; исследования и инновации; и обучение следующего поколения поставщиков медицинских услуг. Центр Вайцмана CHCI — это отдел исследований, разработок и инноваций. В 2007 году Центр Вайцмана запустил первую в стране официальную программу последипломного обучения в ординатуре для новых практикующих семейных медсестер. CHCI сделала этот шаг после многих лет наблюдения за трудным переходным опытом новых практикующих медсестер (НП). В их задачи входила забота о совершенно новой группе пациентов, представляющих огромный спектр состояний здоровья и потребностей, которые часто включали проблемы поведенческого здоровья, злоупотребление психоактивными веществами, низкую медицинскую грамотность и отсутствие доступа к специалистам.Эти наблюдения подтверждаются в литературе (Bosch, 2000; Brown & Olshansky, 1997, 1998; Hart & Macnee, 2007; Huffstutler & Varnell, 2006; Kelly & Mathews, 2001). Программа резидентства NP принимает четырех резидентов ежегодно на годичную очную программу. Как старший вице-президент и клинический директор CHCI, а также директор Центра Вайцмана, резидентура NP находится под моим организационным руководством, но пользуется сильной совместной поддержкой всей исполнительной команды.CHCI ожидает, что выпускники резидентуры NP будут строить карьеру в качестве поставщиков первичной медико-санитарной помощи в местных медицинских центрах по всей стране; у нас нет явных или явных ожиданий, что они останутся в CHCI.

    Призыв к объединению опыта в области индивидуального здоровья, здоровья населения и общественного здравоохранения с ролью поставщика первичной медико-санитарной помощи никогда не был таким громким.

    Закон о защите пациентов и доступном медицинском обслуживании (PL11-148) (Закон, 2010 г.) вложил значительные средства в увеличение количества и потенциала медицинских центров, отвечающих требованиям федерального уровня, для предоставления высококачественной и недорогой первичной медицинской помощи недостаточно обслуживаемым и особым группам населения. .Дискуссия о реформе здравоохранения сейчас сосредоточена на улучшении качества, повышении безопасности и контроле затрат при обеспечении доступа как к страхованию здоровья, так и к здравоохранению. На национальном уровне мы наблюдаем новую политику, направленную на профилактику, координацию ухода, ведение хронических заболеваний, информационные технологии здравоохранения и медицинские дома, ориентированные на пациента. Призыв к объединению опыта в области индивидуального здоровья, здоровья населения и общественного здравоохранения с ролью поставщика первичной медико-санитарной помощи никогда не был таким громким.

    .… центры здоровья когда-то могли восприниматься как крайнее прибежище для недостаточно обеспеченных, незастрахованных и уязвимых групп населения, но все чаще они признаются образцом первого выбора для оказания медицинской помощи. На этом фоне возникает острая потребность в опытных кадрах первичной медико-санитарной помощи, которые подготовлены и мотивированы для практического применения модели первичной медико-санитарной помощи, соответствующей нашей системе здравоохранения 21 -го -го века. Мы осознаем важность вопросов не только: «Почему все больше врачей не выбирают первичную медико-санитарную помощь?» но также «Кто хочет быть основным поставщиком медицинских услуг и какие стратегии необходимы для их поддержки?» Мы считаем, что последипломное обучение в ординатуре для новых практикующих медсестер является многообещающим ответом на последний вопрос.

    Управление службы ресурсов здравоохранения (HRSA) сообщило, что более трех тысяч практикующих медсестер посещают 9,7 миллиона человек или 11% от всех посещений местных медицинских центров (HRSA, 2009). Хотя медицинские центры когда-то могли восприниматься как крайнее прибежище для недостаточно обслуживаемых, незастрахованных и уязвимых групп населения, они все чаще признаются образцом первого выбора для оказания медицинской помощи. Фактические данные свидетельствуют о том, что медицинские центры клинически и экономически эффективны в качестве системы первичной медико-санитарной помощи уязвимым группам населения (Hicks et al., 2006; Хуанг и др., 2007, 2008; Ку, Розенбаум и Шин, 2009; Ландон и др., 2007; Роткопф и др., 2011).

    Наша организация FQHC признает и ценит уникальный вклад практикующих медсестер, работающих в качестве поставщиков первичной медико-санитарной помощи. Мы признаем, что они обеспечивают взгляд медсестер на проблемы уязвимого населения и приверженность медсестер делу укрепления здоровья, профилактики, просвещения пациентов и взаимодействия с общественностью. Мы также осознаем, что нынешняя и будущая нехватка поставщиков первичной медико-санитарной помощи требует, чтобы мы мыслили творчески и стратегически о том, как использовать образование, талант и приверженность в создании удовлетворительных и долгосрочных возможностей карьерного роста для практикующих медсестер в местных медицинских центрах.

    Как старший организационный руководитель во всех клинических дисциплинах, а также практикующая семейная медсестра, я на протяжении многих лет наблюдал за трудностями перехода от нового НП к поставщику первичной медико-санитарной помощи и стрессом, который этот переход создает для нового НП, практики команда и организация. Я видел значительно менее сложный переход новых врачей, поступающих на практику после прохождения ординатуры по дисциплине первичной медико-санитарной помощи, после тестирования различных подходов для поддержки этого перехода для новых НП, включая интенсивную ориентацию, назначенных наставников и очень медленное допущение ответственности, я пришел к выводу, что структурированная официальная программа обучения в ординатуре будет подходом, который, скорее всего, поддержит переход от нового НП к компетентному поставщику первичной медико-санитарной помощи.

    В 2005 году исполнительная группа CHCI начала процесс планирования резидентской программы для новых национальных ассоциаций. Наш обзор литературы и обсуждения с национальными коллегами в сообществе FQHC привели к публикации статьи, в которой цитируется необходимость обучения в ординатуре на основе FQHC для практикующих медсестер и обсуждается желательность проведения такого обучения в местных центрах здоровья (Flinter, 2005). Мы приняли нашу первую группу резидентов НП в 2007 году.

    Ключевые компоненты программы резидентуры NP включают специализированные клиники, смену специальностей, независимые клиники и дидактические занятия… Программа ординатуры NP уделяет приоритетное внимание как обучению сложности клинической помощи, так и обучению модели первичной медико-санитарной помощи, ориентированной на пациента, основанной на команде и комплексной. Резиденты NP распределяются по «капсулам» — физической и кадровой структуре, которая объединяет группы под руководством поставщика первичной медико-санитарной помощи, при этом каждая команда отвечает за группу пациентов. Каждая команда состоит из медсестер, медицинских помощников и общих кадровых ресурсов, включая диетолога, бихевиориста, фармацевта и инструктора по диабету.Каждый поставщик первичной медицинской помощи (врач или практикующая медсестра) несет полную ответственность за уход за всеми пациентами в его / ее группе. Ключевые компоненты программы резидентуры NP включают предписанные клиники, смену специальностей, независимые клиники и дидактические занятия, дополненные участием резидентов в рабочих группах и инициативами организации по качеству, основанными на данных. Резиденты НП создают свою собственную группу пациентов, полученную из новых пациентов, регистрирующихся для лечения в CHCI; они посещают каждого из этих пациентов в «клиниках непрерывности», в которых резидент НП находится под исключительным вниманием штатного НП или врача CHCI.Ротация специалистов сосредоточена на областях с высоким риском, тяжелым бременем и / или большим объемом работы в местных медицинских центрах. Независимые клиники предоставляют возможность сосредоточиться на самостоятельной практике, но с доступом к определенному PCP для консультации. Шестинедельный «снимок» расписания одного резидента НП показан на Рисунке 1.

    Рис. 1. Snapshot’ расписания резидента (см. Полный размер [pdf] )

    Еженедельные дидактические и экспериментальные занятия, посвященные конкретному содержанию, навыкам и процедурам, показаны на Рисунке 2.

    Настоятельно рекомендуется владение вторым языком, предпочтительно испанским. Мы набираем по стране через рассылку в университеты с программами NP; реклама в крупных национальных печатных и электронных изданиях; и через наш веб-сайт www.NPResidency.com. Процесс подачи заявки включает в себя широкую оценку глубины понимания и приверженности обслуживанию особых групп населения, интеллектуальных способностей и клинических возможностей. Группа клинических и административных руководителей CHCI проводит собеседование с финалистами и выбирает последних четырех кандидатов для предложения места в программе резидентуры NP.Резиденты NP должны иметь лицензию (RN и APRN) в Коннектикуте к началу программы. Настоятельно рекомендуется владение вторым языком, предпочтительно испанским. Заявки постоянно росли; В 2011 году сорок пять претендентов-финалистов боролись за четыре позиции.

    … важно, чтобы наши врачи понимали сообщество, в котором они практикуют … начальный период ориентации включает интенсивное знакомство с зоной обслуживания, целевой группой населения, данными о состоянии здоровья населения и местными ресурсами.Резиденты НП проходят обучение по модели первичной медико-санитарной помощи, которую CHCI разрабатывал на протяжении многих лет. Эта модель подчеркивает постоянные отношения с лечащим врачом; скоординированный коллективный уход; комплексные услуги по охране психического здоровья; электронные медицинские карты; ведение хронических заболеваний; профилактика и укрепление здоровья; и постоянное улучшение производительности. В связи с разработкой и обновлением в 2011 году Стандартов медицинских домов, ориентированных на пациентов, Национального комитета по обеспечению качества (NCQA) (Patient Centered Medical Homes, 2011), мы теперь используем термин «PCMH» для обозначения этой модели, поскольку эта модель очень приближена к нашей модели.В апреле 2011 года NCQA признал CHCI медицинским домом 3-го уровня, ориентированным на пациентов.

    В качестве общественного центра здоровья важно, чтобы наши врачи понимали сообщество, в котором они практикуют. Таким образом, начальный период ориентации включает интенсивное знакомство с зоной обслуживания, целевой группой населения, данными о состоянии здоровья населения и местными ресурсами. Поскольку резиденты NP заботятся о самых разнообразных и многоязычных пациентах, они всегда имеют полный доступ к услугам медицинского переводчика по телефону.Информационные технологии здравоохранения поддерживают всю их деятельность — от полностью интегрированной электронной истории болезни, доступной как на месте, так и удаленно, до портала для пациентов для электронного общения с пациентами. Резиденты НП теперь могут получать электронные консультации со специалистами внутри и вне дома.

    Программа ординатуры NP собирает данные текущей оценки с использованием коммерческой программы оценки ординатуры, адаптированной для ординатуры NP. Резиденты НП оценивают каждый элемент программы еженедельно, ежемесячно или ежеквартально.Пострадавших по очереди оценивают их наставники клиник непрерывности, наставники смены специальностей и местный медицинский директор назначенного им места. Мы отслеживаем количество посещений, размер и состав панели пациентов, поставленные диагнозы и выполненные процедуры. Каждую неделю жители НП должны подавать рефлексивный журнал; Эти журналы предоставили богатую информацию о переходе от новой практикующей медсестры к компетентному поставщику первичной медико-санитарной помощи, а также о множестве проблем, с которыми они сталкиваются и преодолевают.

    Многократное тематическое исследование с кросс-тематическим синтезом первого класса 2007 года с использованием теории перехода Мелеиса (Meleis, Sawyer, Messias, & Schumacher, 2000) в качестве теоретической основы для изучения перехода от нового НП к компетентному поставщику первичной медико-санитарной помощи (Флинтер , 2010). В кросс-кейсовом синтезе каждый отдельный случай (студент / выпускник NP) рассматривается как отдельное исследование, таким образом исследуя содержание всех данных, которые собираются как во время, так и после резидентуры (Yin, 2009).Полное резюме исследования выходит за рамки данной статьи. Однако его выводы полезно учитывать при разработке политики и программ, поскольку они обеспечивают основу для изучения характера перехода, факторов, способствующих и сдерживающих, а также показателей процесса и результатов успешного перехода. Как показано на рисунке 3, эти индикаторы включают развитие уверенности и совладания, мастерство и развитие гибкой интегративной идентичности.

    Рисунок 3 .Мелеис, А. Сойер, Л., Им, Э., Массиас, Д., и Шумахер, К. (2000). Испытание переходов: новая теория среднего уровня. Достижения в области сестринского дела , 23 (1), 17. Печатается с разрешения. (Полный размер) [pdf]

    Возможно, наиболее важной областью их мастерства является … способность преследовать свои цели по профилактике, укреплению здоровья и поддержанию здоровья, независимо от того, насколько болен пациент … свидетельство того, что произошел здоровый переход, как описано ниже в ответах студентов.Резиденты НП разрешили CHCI использовать их ответы для проектов, связанных с программой резидентства. Это комплексное исследование было одобрено институциональным наблюдательным советом CHCI. Один резидент NP написал ближе к концу резидентуры: «Со временем я пошел лучше и прибыл к концу резидентуры, пораженный разницей между тем, где я начал, и тем, где я закончил». Она вспомнила, как была довольна прибытием в «первый день» на новую работу после резидентуры и чувствовала уверенность, что справится со своей ролью и своими пациентами.Другой резидент отметил ее уверенность в своих навыках, отметив, что ее очень сложные пациенты поправляются; их «А1С и АД падают, астма под контролем». Через год после прохождения ординатуры каждый из бывших резидентов НП определил, что работа в качестве основного поставщика медицинских услуг означает постоянное противостояние неизвестным. Их отрезвило понимание того, какими больными могут быть пациенты, оказываемые на приеме у поставщиков первичной медико-санитарной помощи в общинных центрах здоровья. Как заметил один местный житель, «не у всех, кто кашляет, есть тромбоэмболия легочной артерии, но у некоторых из них она есть, как и у одного из моих пациентов.«Возможно, наиболее важной областью их мастерства является та, которая хорошо известна и сложна для всех поставщиков первичной медико-санитарной помощи в общинных центрах здоровья, а именно способность преследовать свои цели по профилактике, укреплению здоровья и поддержанию здоровья, независимо от того, насколько болен пациент, насколько многочисленны хронические заболевания или насколько тяжелые социально-экономические условия.

    Федеральное финансирование последипломного медицинского образования недоступно для подготовки практикующих медсестер в ординатуре … Резиденты НП выставляют счет за предоставляемые ими клинические услуги, и этот доход компенсирует расходы по программе.Все шестнадцать резидентов НП, которые начали программу с 2007 года, завершили ее. Все, кроме одного, работают в качестве поставщиков первичной медико-санитарной помощи в федеральных медицинских центрах США.

    На сегодняшний день нет федеральных источников финансовой поддержки для обучения практикующих медсестер в ординатуре. Федеральное финансирование последипломного медицинского образования недоступно для обучения в ординатуре практикующей медсестры. CHCI считает, что обучение в резидентуре NP имеет достаточно важное значение для инвестирования внутренних ресурсов, дополненных спорадическим внешним грантовым финансированием, при этом активно работая над решением законодательных и политических вопросов, необходимых для разработки структурной, устойчивой модели финансирования программ резиденции NP.

    Стоимость программы резидентства NP определяется четырьмя основными направлениями: заработная плата и льготы резидента NP; компенсация координатора программы резидентуры НП; упущенная выгода, когда наставник CHCI назначен исключительно на сеанс подготовки с резидентом, а не на прием к собственным пациентам наставника; а также накладные и административные расходы по объекту. Большинство внешних наставников по специальностям жертвовали свое время бесплатно. Как полностью лицензированные и сертифицированные поставщики, резиденты NP выставляют счет за предоставляемые клинические услуги, и этот доход компенсирует расходы по программе.

    Эта программа ординатуры имеет значение для национальной политики, клинической практики и медсестер. Каждый из них будет рассмотрен ниже.

    Национальная политика здравоохранения

    В 1986 году Конгресс создал Совет по последипломному медицинскому образованию (Phillips, Dodoo, & Jaen, 2005). Этот Совет является консультативным советом. Он публикует отчеты и рекомендации по развитию и обучению врачей и дает несколько убедительных рекомендаций по решению проблемы нехватки врачей первичной медико-санитарной помощи.

    В отчете 19-го Совета по последипломному медицинскому образованию (COGME) от сентября 2007 г. (COGME, 2007) содержится призыв согласовать высшее медицинское образование (GME) с будущими потребностями в рабочей силе, расширить определение мест обучения, устранить нормативные барьеры для выполнения гибких программ GME, и сделать подотчетность за здоровье населения движущей силой GME. К сожалению, COGME пока не рассматривает возможность обучения практикующих медсестер в ординатуре.

    Комитет по инициативе Фонда Роберта Вуда Джонсона по будущему сестринского дела при Институте медицины, , в своем знаменательном отчете призывает к программам обучения в ординатуре для новых APRN.С 2005 года лидеры CHCI сотрудничали с другими заинтересованными сторонами, интересующимися резидентурами NP, и работали над обучением и информированием лидеров Конгресса о необходимости и преимуществах обучения в резидентуре NP. Эти усилия, а также другие усилия многих коллег, заинтересованных в обучении в резидентуре NP, привели к включению раздела 5316 в HR 3590 (Закон о защите пациентов и доступном медицинском обслуживании 2010 г.), который разрешил HRSA создать трехлетний учебные программы по финансированию демонстрационных проектов для практикующих семейных медсестер в FQHC и медицинских центрах, управляемых медсестрами.Детали поправки довольно конкретны в описании элементов модели резидентства CHCI NP и стандартов, которым должны соответствовать организации-спонсоры. Мы продолжаем работать над получением ассигнований на этот демонстрационный проект.

    Комитет по инициативе Фонда Роберта Вуда Джонсона по будущему сестринского дела при Институте медицины, , в своем знаменательном отчете призывает к программам обучения в ординатуре для новых APRN (IOM, 2011). Заключительный отчет, который ссылается на модель CHCI, закладывает прочную основу для дальнейшей поддержки, оценки и развития модели по всей стране по мере продвижения медсестер и других заинтересованных сторон со стратегическими инициативами по выполнению рекомендаций Комитета.

    Клиническая практика

    Резиденты

    НП часто описывают представление о неизвестных, сложных и / или недифференцированных проблемах пациента … как величайшую проблему, с которой они сталкиваются … Ситуации, с которыми столкнулись наши резиденты НП, убедили нас в безотлагательной необходимости подготовки новых практикующих медсестер для эффективного ухода за сложными, многопроблемными и часто недифференцированными (без предварительной оценки / обследования) пациентами, которые сталкиваются с проблемами физического, социального и часто поведенческого здоровья и злоупотребления психоактивными веществами.Резиденты НП часто описывают представление неизвестных, сложных и / или недифференцированных проблем пациента (рутинную часть практики первичной медико-санитарной помощи) как самую большую проблему, с которой они сталкиваются, и обсуждают такие примеры, как эти:

    • «Кратковременное» назначение по основной жалобе на «удар ногой», который оказался агрессивным раком у незастрахованного рабочего-мигранта с фермы
    • «Поздний прием лекарств» для нового педиатрического пациента, который представил список нескольких сопутствующих заболеваний и лекарств, начатых в другом месте.
    • Пациент с диабетом, недавно бездомный и подумывающий о самоубийстве

    Это «первые» пациенты, которые фигурируют в расписании каждого поставщика первичной медико-санитарной помощи в национальных медицинских центрах, отвечающих требованиям федерального уровня, и которые со временем получат огромную пользу для здоровья от квалифицированной помощи практикующей медсестры. Отнюдь не редкость, но на самом деле эти пациенты вполне репрезентативны для особых групп населения, обслуживаемых медицинскими центрами. Все поставщики первичной медико-санитарной помощи должны быть готовы, способны и обучены, чтобы вдумчиво, полно, точно и сострадательно устанавливать отношения; начать процесс дифференциации, управления и лечения; работать с командой для координации ухода; и гарантировать, что пациенты и их семьи в полной мере получают пользу от профилактики, укрепления здоровья, лечения и ведения.

    Медсестра

    Программа

    CHCI вызвала в медсестринском сообществе дискуссию о необходимости, желательности и контексте обучения в ординатуре, а также о том, должно ли подходящим термином для такой программы быть «стипендия» или «ординатура». Крэбтри (2002) описал NP подготовка как тщательная, тщательная и обеспечивающая, чтобы новые НП соответствовали стандартам HRSA для начального уровня компетенции по специальностям первичной медико-санитарной помощи. Я с полным уважением отношусь к образовательной подготовке НП.Однако в условиях FQHC пациенты чаще всего не являются пациентами «начального уровня». Даже строгих часов клинической подготовки, необходимых для всех программ НП, недостаточно, чтобы начать практику с уверенностью и мастерством в качестве поставщика первичной медико-санитарной помощи в этих условиях. Требуется ли обучение в ординатуре во всех условиях практики для новых НП — вопрос, который требует дальнейшего обсуждения, хотя отчет о будущем медсестер (IOM, 2011) включает обучение в ординатуре для всех новых APRN в качестве одной из их заключительных рекомендаций.

    … обучение в ординатуре для новых НП помогает преодолеть переход от нового НП к уверенному и компетентному поставщику первичной медико-санитарной помощи. Наш опыт CHCI на сегодняшний день подтверждает наше первоначальное наблюдение о том, что обучение в ординатуре для новых НП помогает преодолеть переход от нового НП к уверенному и компетентному поставщику первичной медико-санитарной помощи. Однако необходимы дополнительные исследования природы перехода; облегчающие и тормозящие факторы; и индикаторы результатов для НП, закончивших резидентуру.Важно, чтобы исследования были посвящены пониманию практики первичной медико-санитарной помощи в общинных центрах здравоохранения, и особенно практики НП в этих условиях. Также важно изучить продольное влияние обучения в резидентуре НП на удержание, лидерство и клиническое качество НП в FQHC, а также на истинные затраты и выгоды для спонсирующей организации. Особенно интересной областью для исследований могло бы стать изучение возможных различий на практике между НП, прошедшими программу резидентуры, и другими поставщиками первичной медико-санитарной помощи.Наконец, различные элементы резидентства НП, включая эффективность наставников; влияние резидентуры на организацию; и результаты различных стратегий по подготовке новых НП для управления сложностями, такими как расстройства поведенческого здоровья, травмы, злоупотребление психоактивными веществами и лечение боли в качестве поставщика первичной медико-санитарной помощи, требуют изучения.

    Наш CHCI проконсультировался со многими организациями по всему округу, которые в настоящее время активно разрабатывают программы обучения в резидентуре для НП.От штата Мэн до Аляски руководители FQHC задаются вопросом, как поддержать переход от новых НП к компетентным поставщикам первичной медико-санитарной помощи. Наш опыт за последние пять лет подтвердил ценность обучения в ординатуре NP для новых практикующих медсестер в поддержке перехода к первичной медицинской помощи. Мы полны решимости продолжать поддерживать нашу «первую в стране» программу резидентуры НП для новых практикующих семейных медсестер, а также работать с другими общинными центрами здравоохранения и руководителями медсестер по всей стране над дальнейшим развитием модели.Meleis et al. (2000) писал о «мудрости», которую можно увидеть в конце здорового перехода. Одна из учениц первого класса проявила такую ​​мудрость в своем выступлении на брифинге на Капитолийском холме в мае 2009 года:

    После ординатуры я переехал в поликлинику в одном из беднейших городов моего штата. Мой переход к тому, чтобы стать независимым провайдером, прошел гладко. У меня есть определенный уровень уверенности, который позволяет мне держать голову над водой. Список из двенадцати жалоб за одно посещение меня больше не парализует; вместо этого я расставляю приоритеты почти инстинктивно.Я задаю вопросы получше. Я собираю кусочки немного быстрее. И когда я чувствую, что вот-вот рухну из-за требований общественного здравоохранения, я вспоминаю, что существуют тысячи поставщиков первичной медико-санитарной помощи с разным уровнем подготовки и опыта, и все они сталкиваются с аналогичными проблемами. Я благодарен за то, что знаю, что это характер работы, что это просто то, что она требует, и что я хорошо подготовлен к удовлетворению потребностей сообщества. (Моника О’Рейли, брифинг на Капитолийском холме, 20 мая 2009 г., Вашингтон, округ Колумбия)

    Общественные центры здоровья и практикующие медсестры — это две инновации, одна организационная и одна профессиональная, которые родились в одну и ту же эпоху в американской истории, 1960-е годы, а теперь более сорока лет назад.Каждый из них представляет собой высший уровень приверженности заботе, качеству, а также отдельным лицам и сообществам, наиболее нуждающимся в медицинской помощи.

    Маргарет Флинтер, доктор философии, APRN, c-FNP
    Эл. Почта: Margare[email protected]

    Д-р Флинтер является старшим вице-президентом и клиническим директором Community Health Center (CHC), Incorporated, федерального медицинского центра штата, обслуживающего 130 000 пациентов по всему Коннектикуту. Получив образование в качестве практикующей семейной медсестры, она занимала прогрессивные клинические и руководящие должности в этой организации с тех пор, как присоединилась к ней в качестве стипендиата Национальной службы здравоохранения в 1980 году.В 2005 году д-р Флинтер основала Центр инноваций в области общественного здравоохранения и первичной медико-санитарной помощи Вайцмана в качестве подразделения исследований и разработок CHC, Inc. Она получила степень магистра в Школе медсестер Йельского университета (Нью-Хейвен, Коннектикут), а также степень бакалавра медицинских наук и доктора философии. степени Университета Коннектикута (Сторрс, Коннектикут). Она также была старшим помощником медсестры Роберта Вуда Джонсона. Доктор Флинтер — бывший президент Ассоциации медсестер Коннектикута; Законодательное собрание штата Коннектикут назначило ее председателем Управления HealthFirst и Управления доступа к первичной медико-санитарной помощи штата в 2007 году.Она благодарит президента и главного исполнительного директора CHCI Марка Масселли и главного врача Нвандо Олайвола, доктора медицины, магистра здравоохранения, за их поддержку резидентуры CHCI NP в области общественного здравоохранения и первичной медико-санитарной помощи.

    Закон о защите пациентов и доступном медицинском обслуживании, 111-148 42 USC 18001 (23 марта 2010 г.). Доступно: www.gpo.gov/fdsys/pkg/PLAW-111publ148/pdf/PLAW-111publ148.pdf

    Bosch, J. (2000). Опыт практикующих военных медсестер в течение первого года практики.[Неопубликованная диссертация]. Бетесда, Мэриленд: Университет медицинских наук .

    Браун, М., & Ольшанский, Э. Ф. (1998). Стать практикующей медсестрой первичной медико-санитарной помощи: проблемы первого года практики. Практикующая медсестра , 23 (7), 52-56.

    Браун, М., и Ольшанский, Э. Ф. (1997). От неопределенности к законности: теоретическая модель перехода к роли практикующей медсестры первичной медико-санитарной помощи. Медсестринское дело , 46 (1), 46-51.

    Кларк Р. (2002). Война с бедностью История, избранные программы и продолжающееся воздействие . Лэнхэм, доктор медицины: Университетское издательство Америки.

    COGME. (2007). Совет послевузовского медицинского образования . Получено 1 января 2010 г. с веб-сайта www.cogme.gov/pubs.htm

    .

    Крэбтри, М. С. (2002). Квалификация практикующей медсестры в области первичной медико-санитарной помощи в областях: взрослые, семейные геронтологические, педиатрические и женское здоровье . Роквилл, Мэриленд: (DHHS / PHS. Управление ресурсов и служб здравоохранения.

    Дэвис, К. С. (2005). Видение первичной медико-санитарной помощи, ориентированной на пациента, к 2020 году. Журнал общей внутренней медицины , 20 (10), 953-957.

    Флинтер М. (2010). От новой практикующей медсестры до основного поставщика медицинских услуг: исследование нескольких практикующих медсестер, прошедших формальную программу последипломного обучения в ординатуре . [Неопубликованная диссертация]. Сторрс, Коннектикут: Университет Коннектикута.

    Флинтер М. (2005). Программы ординатуры для практикующих медсестер первичной медико-санитарной помощи в федеральных медицинских центрах: перспектива обслуживания. OJIN: Интернет-журнал по вопросам сестринского дела, 10 (3). Доступно: www.nursingworld.org/MainMenuCategories/ANAMarketplace/ANAPeriodicals/OJIN/TableofContents/Volume102005/No3Sept05/tpc28_516029.aspx

    Гейгер, Х. Дж. (1969). Центр здоровья в Миссисипи. Госпитальная практика, 4 (68).

    Гейгер, Х. Дж. (2005). Первые общественные центры здоровья. Журнал управления амбулаторной помощью, 28 (4), 313-320.

    Харт, А. М., и Макни, К.Л. (2007). Насколько хорошо практикующие медсестры подготовлены к практике: результаты анкетного исследования 2004 года. Журнал Американской академии практикующих медсестер , 35-42.

    Хикс, Л. С., О’Мэлли, А. Дж., Лье, Т. А., Киган, Т., Кук, Н. Л., и МакНил, Б. Дж. (2006). Качество лечения хронических заболеваний в общественных медицинских центрах США. Health Affairs (Project Hope), 25 (6), 1712-1723.

    HRSA. (2009). HRSA — письмо о помощи по программе 2009 — 01 .Получено 12 декабря 2009 г. с веб-сайта http://bphc.hrsa.gov/policy/pal0901.htm

    .

    Хуанг, Э. С., Браун, С. Э., Чжан, Дж. Х., Кирхгоф, А. К., Шефер, К. Т., и Казалино, Л. П. (2008). Финансовые последствия улучшения лечения диабета: опыт общинного центра здоровья. Журнал Объединенной комиссии по качеству и безопасности пациентов / Ресурсы Объединенной комиссии, 34 (3), 138-146.

    Хуанг, Э. С., Чжан, К., Браун, С. Е., Драм, М. Л., Мельцер, Д. О., и Чин, М. Х. (2007).Экономическая эффективность улучшения лечения диабета в общественных медицинских центрах США, отвечающих требованиям федерального законодательства. Health Services Research, 42 (6 Pt 1), 2174-2179.

    Хаффстатлер С. и Варнелл Г. (2006). Феномен самозванца среди выпускников практикующих медсестер. Электронный журнал «Продвинутая практика сестринского дела» , 2.

    Институт медицины. (2011). Будущее сестринского дела: ведущие изменения, улучшение здоровья. Вашингтон, округ Колумбия: Национальная академия прессы.

    Kark, S. &. Карк, Э. (1999). От Фолелы до Иерусалима: укрепление здоровья населения. (1-е изд.). Йоханнесбург, Южная Африка: Witwaterswand Press.

    Келли, Н. Р. и Мэтьюз, М. (2001). Переход на первую должность практикующей медсестры. Журнал сестринского образования, 40 (4), 156-162.

    Ку, Л., Розенбаум, С., и Шин, П. (2009). Использование первичной медико-санитарной помощи для изменения кривой затрат: потенциальное влияние расширения медицинских центров на реформу сената (Аналитическая записка №16). Вашингтон, округ Колумбия.

    Лэндон, Б. Э., Хикс, Л. С., О’Мэлли, А., Лиу, Т. А., Киган, Т., и МакНил, Б. Дж. (2007). Улучшение ведения хронических заболеваний в общественных центрах здоровья, New England Journal of Medicine, 356 (9), 921-934.

    Лефковиц, Б. (2007). Общественные центры здоровья: движение и люди, благодаря которым это произошло . Рутгерс, Нью-Джерси: Издательство Университета Рутгерса.

    Лефковиц, Б. (2005). Рассказ о поликлинике. Журнал управления амбулаторной помощью, 28 (4), 295-303.

    Мелеис А., Сойер Л. М., Мессиас Д. и Шумахер К. (2000). Испытание переходов: возникающая теория среднего уровня. Достижения в области сестринского дела, 23 (1), 12-28.

    Медпункты, ориентированные на пациентов . (2011). Получено из Национального комитета по обеспечению качества (NCQA): www.ncqa.org/tabid/631/default.aspx

    Филлипс, Р., Доду, М., и Хаэн, К. Р. (2005). 16-й отчет COGME конгрессу: Слишком много врачей может быть хуже, чем напрасно.(Размышления; совет по последипломному медицинскому образованию).

    Роткопф, Дж., Бруклер, К., Вадхва, С., и Саджовец, М. (2011). Пациенты с программой Medicaid, посещаемые в центрах здравоохранения, отвечающих требованиям федерального уровня, пользуются больничными услугами меньше, чем пациенты, оказываемые частными поставщиками. Департамент здравоохранения , 1335-1342.

    Сарделл А. (1988). Американский эксперимент в области социальной медицины: Программа общинных центров здоровья, 1965-1986 гг. . Питтсбург, Пенсильвания: Университет Питтсбурга.

    Толлман, С.М. (1994). Центр здоровья Фолела — истоки первичной медико-санитарной помощи, ориентированной на сообщества. Признание работы Сидни и Эмили Карк. Южноафриканский медицинский журнал , 8 (10), 653-658.

    Инь Р. (2009). Дизайн и методы исследования конкретного случая (четвертое издание). Лос-Анджелес, Калифорния: Sage Publications.


    © 2011 OJIN: Интернет-журнал проблем сестринского дела

    Статья опубликована 28 ноября 2011 г.


    Статьи по теме

    • Использование основанных на эффектах рассуждений для проверки DNP в качестве единой начальной степени для медсестер с продвинутой практикой
      Мэрилин К.Rhodes, EdD, MSN, RN, CNM (27 июня 2011 г.)
    • Потребность в некотором осмыслении: доктор сестринской практики
      Джанет С. Фултон, доктор философии, RN; Бренда Л. Лайон, DNS, RN (30 сентября 2005 г.)
    • Вместе двигаться вперед: докторская степень по сестринскому делу
      Энн Л. О’Салливан; Майкл Картер; Люси Марион; Джоанн Поль; Кэтрин Э. Вернер (30 сентября 2005 г.)
    • Программы интернатуры
    • для практикующих медсестер в центрах здравоохранения с федеральной квалификацией: перспективы обслуживания
      Маргарет Флинтер, APRN, MSN (30 сентября 2005 г.

    alexxlab

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *