Техническая спецификация

Описание

КД2997Б, Мощный выпрямительный диод, 30А, 100В — Диоды

Диоды КД2997Б, Мощный выпрямительный диод, 30А, 100В

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)

Доступно: 798 шт.

Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.

Что такое мощный лазерный диод?

Мощный лазерный диод — это лазер, который генерирует мощные лучи света, используя полупроводник в качестве среды усиления лазера. Мощность лазера, измеряемая в единицах, называемых ваттами, — это скорость, с которой лазер преобразует энергию. Высокая мощность не является точно определенным термином, и его значение варьируется в зависимости от типа лазера и применения лазера, но мощный лазерный диод, как правило, представляет собой лазер с выходной мощностью в ваттах или киловаттах (кВт), выделяя его от лазерных диодов милливаттного диапазона, используемых для таких приложений, как лазерные указки и устройства для чтения оптических дисков. Мощные лазерные диоды используются для промышленного применения, например, для нагрева и сварки, а также для оптической накачки мощных твердотельных лазеров.

Лазерный диод генерирует пучок света путем накачки энергии в виде электричества в полупроводник, который служит в качестве среды для усиления лазера. Полупроводник обычно состоит из таких веществ, как фосфид индия (InP) или соединений галлия, таких как нитрид галлия (GaN) и арсенид галлия (GaAs). Электричество временно поднимает уровень энергии электронов полупроводника, и когда они возвращаются к своему первоначальному уровню, энергия излучается в виде фотонов, которые затем фокусируются в пучок. Лазерные диоды часто группируются в массивы отдельных лазерных излучателей рядом друг с другом, называемых диодными линейками, которые, в свою очередь, иногда дополнительно объединяются в двумерную матрицу, называемую диодным стеком.

Мощность — это выход энергии с течением времени, причем мощность определяется как один джоул энергии в секунду. Мощность лазера может относиться либо к максимальному количеству ватт, которое он может генерировать в течение короткого импульса, называемого пиковой мощностью, либо к среднему количеству ватт, которые он может выдавать в течение длительного периода времени, называемого средней мощностью. Лазеры сталкиваются с компромиссом между мощностью луча и качеством луча, что указывает на то, насколько сфокусирован луч. Это влияет на то, насколько точным может быть луч и насколько хорошо он способен доставлять сфокусированную энергию на большие расстояния. Качество луча можно улучшить с помощью различных конструктивных особенностей лазера, но более мощные лазеры имеют более низкое качество луча, чем менее мощные лазеры, при прочих равных условиях.

Мощный лазерный диод обычно имеет относительно низкое качество луча и создает луч с высокой расходимостью, что означает, что фотоны в луче быстро распространяются по мере их продвижения вперед. Следовательно, они чаще всего используются для приложений, которые могут быть выполнены на небольшом расстоянии и не требуют предельной точности. Мощные лазерные диоды обычно используются в промышленности для пайки, сварки и термообработки.

Мощный лазерный диод также может быть использован в качестве оптической накачки, источника света, питающего другие лазеры. В твердотельном лазере с диодной накачкой мощный лазерный диод подает луч света в усиливающую среду твердотельного лазера. Твердотельная усиливающая среда обычно представляет собой стеклянный или кристаллический материал, такой как корунд или иттрий-алюминиевый гранат, легированный ионами металла. Свет от диодного лазера возбуждает твердотельное усиление, которое, в свою очередь, начинает генерировать свет, который может быть сфокусирован в луч с более высоким качеством луча, чем мощный лазерный диод, который мог бы генерировать сам по себе.

ДРУГИЕ ЯЗЫКИ

Nichia мощный 1W 520 нм зеленый лазерный диод (NDG7575)

Функции:
1.Зеленый лазерный диод 520 нм 1000MW
2. Nichia лазерного диода  

Nichia мощный 1W 520 нм зеленый лазерный диод (NDG7575)

1.  Можно также ввести: φ 9 мм с плавающей запятой на защиту устройства.
2. Nichia Salable высокое качество 520нм 1000MW лазерного диода.
3.  детали о упаковки: пластиковые окна пакет, она зависит от различных видов лазерные диоды различных размеров. Как правило 50ПК в один лоток для бумаги, 10 лотков в один мешок, затем 10 мешков в одном картонная коробка.

Добро пожаловать на Ваш вопрос
Чтобы: песни песни
Mob: +86 13713250894
Городе BU лазер Co., Ltd.

Ii. Упаковка и доставка:

1. Пластиковые окна, ESD мешок, стандартные и обычный пакет.

2.3-5 дней после получения платежа от T/Т, PAYPAL и другими способами.

3. Он будет доставлен в DHL/FedEx и UPS/ТНТ или других особых путей, свяжитесь с нами, чтобы выбрать наиболее подходящий.  

А. Основные продукты: полупроводниковый лазерный диод, лазерный модуль, велосипед лазерный свет.  

B. После создания DongguanBlueuniverse лазер Co., Ltd имеет свой собственный бренд «LANJI, VIAN», доступ к Китайской Республики на полупроводниковый лазер репутацию поставщика, с целым рядом внутренних и иностранных технологий патентной системы сертификации и качества продукции проверки и сертификации TUV, BV, SGS, ISO9001: 2015 системы менеджмента качества сертификации.

C. настраиваемой службы:

Мы предлагаем профессиональные ODM и OEM Service для лазерной печати. Мы являемся производителем лазерные модули, также является поставщиком источник лазерного излучения, от проектирования до производства.  

 Лазерный диод
Мы лазерных диодов с питанием от 5 Мвт до 5 Вт с длиной волны: 405нм 410нм, 445 нм, 450 нм, 455 нм, 488 нм 505нм, 510 нм 515нм 520нм 532нм 635нм 638нм 642 нм, 650 нм 658нм 780 нм 785нм 808нм 820нм 830нм 850 905нм 940нм 980нм RGB и так далее .  

V. гарантия:
  Все продукты были проверены до отгрузки и он входил в хорошем состоянии. Пожалуйста, Протестированные продукты на первый, прежде чем собрать его, если не было никаких проблем здесь, просьба сообщить об этом в течение 3 дней с момента получения. Мы можем организовать замену для вас, если ситуация будет подтверждено.

Мощный кремниевый диод с улучшенной термостабильностью

Изобретение относится к области конструирования полупроводниковых приборов и может быть использовано в производстве мощных кремниевых диодов с улучшенной термостабильностью. Техническим результатом изобретения является получение положительной температурной характеристики прямого напряжения во всем требуемом интервале плотностей прямого тока. Сущность изобретения: в мощном кремниевом диоде с улучшенной термостабильностью, включающем последовательно соединенные эмиттерный слой первого типа проводимости, низколегированный базовый слой второго типа проводимости и высоколегированный слой второго типа проводимости с меньшим по сравнению с базовым слоем удельным сопротивлением, в высоколегированный слой второго типа проводимости дополнительно введена область, концентрация легирующей примеси в которой меньше, чем в прилегающих к ее границам областях этого высоколегированного слоя, при этом максимальная концентрация легирующей примеси в части высоколегированного слоя второго типа проводимости между дополнительной областью и низколегированным базовым слоем второго типа проводимости должна быть не менее 5·10¹⁸ [см^-3], а концентрация легирующей примеси в пределах дополнительной области должна быть не менее 2·10¹⁵·(J_max/J_{max 0}) [см^-3], где J_max [А/см²] — максимальная импульсная плотность прямого тока через диод, а J_{max 0} [А/см²]=1000. 3 ил., 1 табл.

Изобретение относится к области конструирования полупроводниковых приборов и может быть использовано в производстве мощных кремниевых диодов с улучшенной термостабильностью.

Сочетание высокого обратного и низкого прямого напряжений является принципиально важным для силовых диодов, рассчитанных на приложение высоких обратных напряжений (100-10000 В) и протекание большого тока в прямом направлении (10-10000 А) при минимальной мощности потерь.

Известен мощный кремниевый диод, включающий последовательно соединенные высоколегированный эмиттерный слой полупроводникового материала первого типа проводимости, низколегированный базовый слой полупроводникового материала второго типа проводимости и высоколегированный слой полупроводникового материала второго типа проводимости с меньшим по сравнению с базовым слоем удельным сопротивлением (Hall R.H. Power rectifiers and transistors. — Proc. IRE, 40, 1956 [1]).

Описанная конструкция диода позволяет получать как высокое значение обратного напряжения, так и низкое значение прямого напряжения при протекании прямого тока высокой плотности. Высокое обратное напряжение получают за счет низколегированного базового слоя, примыкающего к р-n переходу. При протекании прямого тока низколегированный базовый слой «заливается» неравновесными электронами и дырками (носителями заряда), инжектированными из окружающих этот слой высоколегированных слоев, при этом концентрации неравновесных электронов и дырок в каждой точке базового низколегированного слоя примерно одинаковы, т.е. соблюдается «квазиэлектронейтральность», а его удельное сопротивление снижается (модулируется), что приводит к снижению прямого напряжения.

Существенным недостатком описанного диода является то, что на его вольт-амперной характеристике (ВАХ) имеются диапазоны значений прямого тока, где прямое напряжение имеет отрицательную температурную характеристику (т.е. при возрастании температуры структуры прямое напряжение при фиксированном токе уменьшается). Отрицательная температурная характеристика негативно сказывается на тепловой стабильности распределения плотности прямого тока по площади структуры мощного диода и может привести к шнурованию тока и выходу из строя прибора.

Основными составляющими прямого напряжения данного диода являются напряжение на р-n переходе и напряжение на низколегированном базовом слое, с учетом модуляции его проводимости инжектированными неравновесными носителями заряда.

Напряжение на р-n переходе имеет отрицательную температурную характеристику, его зависимость от температуры при фиксированном токе в типичном для мощных диодов диапазоне температур от -60°С до +180°С близка к линейной.

Температурная характеристика напряжения на базовом слое определяется температурными зависимостями подвижности электронов и дырок в указанном слое, их времени жизни, а также температурными зависимостями коэффициентов инжекции носителей заряда в данный базовый слой из окружающих его высоколегированных слоев. При различных значениях плотности прямого тока J/см²] температурная характеристика может быть как положительной, так и отрицательной. Показано, что при J свыше 10 А/см² температурная характеристика напряжения на базовом слое положительна, а зависимость от температуры близка к линейной (Грехов И.В., Отблеск А.Е. Учет электронно-дырочного рассеяния и падения эффективности эмиттера с ростом плотности тока при расчете прямой ветви вольт-амперной характеристики p-s-n — и p-s-R-структур. — Радиотехника и электроника, 1974, т.19, №7, с.1483-1490 [2]).

При малых значениях J основной вклад в прямое напряжение диода вносит напряжение на р-n переходе и суммарная температурная характеристика прямого напряжения отрицательна. По мере увеличения J растет вклад напряжения на низколегированном базовом слое и при некоторой плотности тока инверсии J_инв1[А/см²] происходит инверсия температурной характеристики прямого напряжения, т.е. температурная характеристика становится положительной.

В работе (T.T.Mnatsakanov et al. On the thermal stability of high-voltage rectifier diodes. — Semiconductor Science and Technology, 2006, №21, с.1244-1249 [3]) показано, что для кремниевых диодов существует также плотность тока обратной инверсии J_инв2[А/см²] (J_инв2>J_инв1), когда температурная характеристика прямого напряжения снова меняет знак и становится отрицательной.

Таким образом, для диода описанной выше конструкции в общем случае существует интервал плотностей токов J_инв1<J<J_инв2, в котором распределение плотности прямого тока по площади структуры устойчиво к тепловому возмущению. Для плотностей токов J<J_инв1 и J_инв2<J возможно возникновение нестабильности распределения плотности прямого тока вплоть до эффектов шнурования.

Наиболее близким к предлагаемому решению является решение по патенту DE №4337329, кл. H01L 21/329, опубл. 04.05.1995 г. [4], в котором получена положительная температурная характеристика прямого напряжения. Предлагается мощный кремниевый диод с улучшенной термостабильностью, включающий последовательно соединенные эмиттерный слой первого типа проводимости, низколегированный базовый слой второго типа проводимости и высоколегированный слой второго типа проводимости с меньшим по сравнению с базовым слоем удельным сопротивлением.

При этом в эмиттерном слое первого типа проводимости находится дополнительная область, содержащая повышенную по сравнению с окружающими слоями концентрацию рекомбинационных центров (область повышенной рекомбинации) [4].

Техническое решение, предложенное в [4], позволяет получить значение J_инв1 на уровне 100-200 А/см².

Техническим результатом предлагаемого решения является получение положительной температурной характеристики прямого напряжения во всем требуемом интервале плотностей прямого тока.

Для этого в мощном кремниевом диоде с улучшенной термостабильностью, включающем последовательно соединенные эмиттерный слой первого типа проводимости, низколегированный базовый слой второго типа проводимости и высоколегированный слой второго типа проводимости с меньшим по сравнению с базовым слоем удельным сопротивлением, в высоколегированный слой второго типа проводимости дополнительно введена область, концентрация легирующей примеси в которой меньше, чем в прилегающих к ее границам областях этого высоколегированного слоя, при этом максимальная концентрация легирующей примеси в части высоколегированного слоя второго типа проводимости между этой дополнительной областью и низколегированным базовым слоем второго типа проводимости должна быть не менее 5·10¹⁸ см^-3, а концентрация легирующей примеси в пределах дополнительной области должна быть не менее 2·10¹⁵·(J_max/J_{max 0})[см^-3], где J_max [А/см²] — максимальная импульсная плотность прямого тока через диод, а J_{max 0} [А/см²]=1000.

К отличительным признакам предлагаемого технического решения относятся:

1. Высоколегированный слой второго типа проводимости с меньшим по сравнению с базовым слоем удельным сопротивлением содержит внутри себя дополнительную область с концентрацией легирующей примеси, меньшей по отношению к окружающим ее областям. Соответственно эта область имеет повышенное удельное сопротивление.

В известных решениях эта дополнительная область отсутствует, поэтому вклад в прямое напряжение диода падений напряжения на высоколегированных слоях первого и второго типов проводимости значительно меньше, чем вклады напряжения на р-n переходе и на низколегированном базовом слое. В результате температурная характеристика падений напряжения на высоколегированных слоях практически не влияет на температурную характеристику прямого напряжения.

В предлагаемом техническом решении за счет введения дополнительной области с повышенным удельным сопротивлением достигается положительная температурная характеристика падения напряжения на этой области в интервале рабочих температур диода и уменьшение значения J_инв1.

2. Максимальная концентрация легирующей примеси в части высоколегированного слоя второго типа проводимости между введенной дополнительной областью и низколегированным базовым слоем второго типа проводимости должна быть не менее 5·10¹⁸ [см^-3]. Это объясняется тем, что предлагаемое решение эффективно лишь при условии отсутствия заметной модуляции проводимости за счет неравновесных носителей в дополнительной области с повышенным удельным сопротивлением. Невыполнение этого условия делает диод близким к обычному мощному диоду [1] без вышеуказанной дополнительной области. Кроме того, возможно появление на прямых ВАХ диода S-образных участков с отрицательным динамическим сопротивлением (ОДС). Наличие участка ОДС на ВАХ приводит к возрастанию нестабильности распределения тока по площади структуры диода и технический результат не может быть достигнут. Эксперименты и расчеты показывают, что предлагаемая выше концентрация примеси позволяет практически полностью исключить проникновение неравновесных носителей заряда первого типа проводимости из низколегированного базового слоя в дополнительную область при любых плотностях прямого тока, вплоть до десятков тысяч А/см².

3. Концентрация легирующей примеси в пределах дополнительной области высоколегированного слоя второго типа проводимости с повышенным удельным сопротивлением должна быть не менее 2·10¹⁵ J_max/J_max0. Невыполнение этого условия приводит к появлению модуляции проводимости дополнительной области за счет неравновесных носителей заряда второго типа проводимости, «затягиваемых» электрическим полем из высоколегированных областей слоя второго типа проводимости. Последствия описаны в предыдущем пункте. Выполнение условия позволяет исключить появление на ВАХ участков ОДС вплоть до заданной плотности тока J_max.

Таким образом, каждый из перечисленных выше отличительных признаков необходим, а все вместе они достаточны для достижения цели.

На фиг.1 показан профиль распределения примесей в полупроводниковой структуре диода по предлагаемому решению.

На фиг.2 представлены ВАХ диода во включенном состоянии для температур структуры 25°С и 150°С по прототипу.

На фиг.3 — экспериментально полученные ВАХ диода по предлагаемому решению для температур структуры 25°С и 150°С.

Мощный кремниевый диод включает последовательно соединенные эмиттерный слой первого типа проводимости 1, базовый слой второго типа проводимости 2 и высоколегированный слой второго типа проводимости с меньшим по сравнению с базовым слоем удельным сопротивлением 3, при этом слой 3 содержит область (32) с повышенным удельным сопротивлением (пониженной концентрацией легирующей примеси) по сравнению с окружающими ее частями высоколегированного слоя второго типа проводимости (31) и (33), максимальная концентрация легирующей примеси в области (31) — N_(31)max[см^-3] должна быть не менее 5·10¹⁸ см^-3, а концентрация легирующей примеси в области (32) — N₍₃₂₎[см^-3] — не менее 2·10¹⁵·J_max/J_{max 0}.

Приведенные на фиг.2 ВАХ прототипа показывают, что температурная инверсия падения напряжения происходит при прямом токе примерно 75 А. Учитывая приведенное в прототипе значение площади прибора 32,4 мм², это соответствует J_инв1=230 А/см².

Приведенные на фиг.3 ВАХ диода по предлагаемому решению показывают значение J_инв1=60 А/см². При J>J_инв1 в исследованном диапазоне плотностей токов до J=300 А/см² температурная характеристика напряжения положительна.

Работа прибора.

Рабочая плотность тока мощного диода обычно составляет 70÷120 А/см².

За счет наличия дополнительной области (32), температурная характеристика которой положительна, температурная инверсия ВАХ наступает при J_инв1=60 А/см² (Фиг.3), что существенно ниже, чем для прототипа.

В диапазоне плотностей токов J>J_инв1 температурная характеристика напряжения положительна. Это означает, что если в какой-либо точке диода имеется сниженное падение напряжения, в ней не будет концентрироваться большой ток, поскольку связанное с этим повышение температуры приведет к повышению падения напряжения и выравниванию распределения плотности тока по площади включенного диода. Таким образом обеспечивается повышенная термостабильность работы приборов большой площади или нескольких приборов при их параллельном соединении.

Пример реализации.

Были изготовлены 4 партии диодов на кремниевых дисках диаметром 32 мм с удельным сопротивлением 60 Ом·см. Их ВАХ при температурах 25°С и 150°С исследованы в диапазоне J до 300 А/см².

В таблице приведены значения концентраций N_(31)max и N₍₃₂₎, а также J_инв1 и J_инв2 для всех партий.

Партия 1 изготовлена со значениями N_(31)max и N₍₃₂₎ по предлагаемому решению.

Партия 2 изготовлена с граничными значениями N_(31)max=5·10¹⁸ см^-3 и N₍₃₂₎=2·10¹⁵ см^-3 (для J_max=1000 А/см²). На ВАХ этих диодов при температурах 25°С и 150°С также нет участков с ОДС и, соответственно, нет точки обратной инверсии.

Для сравнения изготовлены партии 3 и 4 со значениями N_(31)max и N₍₃₂₎, выходящими за оговоренные предлагаемым решением пределы.

Как видно из таблицы, приборы партий 1 и 2 имеют положительную температурную характеристику.

Приборы партии 3 при всех значениях плотностей токов в исследованной области имеют падение напряжения при 150°С меньше, чем при 25°С, т.е. отрицательную температурную характеристику.

Приборы партии 4 имеют S-образные ВАХ. Структуры партий 3 и 4 не могут использоваться в мощных приборах большой площади или при включении приборов в параллель из-за низкой термостабильности.

Приведенные данные доказывают обоснованность оговоренных в предлагаемом решении пределов значений N_(31)max и N₍₃₂₎.

Мощный кремниевый диод с улучшенной термостабильностью, включающий последовательно соединенные эмиттерный слой первого типа проводимости, низколегированный базовый слой второго типа проводимости и высоколегированный слой второго типа проводимости с меньшим по сравнению с базовым слоем удельным сопротивлением, отличающийся тем, что в высоколегированный слой второго типа проводимости дополнительно введена область, концентрация легирующей примеси в которой меньше, чем в прилегающих к ее границам областях этого высоколегированного слоя, при этом максимальная концентрация легирующей примеси в части высоколегированного слоя второго типа проводимости между дополнительной областью и низколегированным базовым слоем второго типа проводимости должна быть не менее 5·10¹⁸ см^-3, а концентрация легирующей примеси в пределах дополнительной области должна быть не менее 2·10¹⁵·(J_max/J_{max 0}) [см^-3], где J_max [А/см²] — максимальная импульсная плотность прямого тока через диод, a J_{max 0} [А/см²]=1000.

Сервис объявлений OLX: сайт объявлений в Украине

отзывы, фото и характеристики на Aredi.ru

1.​​Ищите по ключевым словам, уточняйте по каталогу слева

Допустим, вы хотите найти фару для AUDI, но поисковик выдает много результатов, тогда нужно будет в поисковую строку ввести точную марку автомобиля, потом в списке категорий, который находится слева, выберите новую категорию (Автозапчасти — Запчасти для легковых авто – Освещение- Фары передние фары). После, из предъявленного списка нужно выбрать нужный лот.

2. Сократите запрос

Например, вам понадобилось найти переднее правое крыло на KIA Sportage 2015 года, не пишите в поисковой строке полное наименование, а напишите крыло KIA Sportage 15 . Поисковая система скажет «спасибо» за короткий четкий вопрос, который можно редактировать с учетом выданных поисковиком результатов.

3. Используйте аналогичные сочетания слов и синонимы

Система сможет не понять какое-либо сочетание слов и перевести его неправильно. Например, у запроса «стол для компьютера» более 700 лотов, тогда как у запроса «компьютерный стол» всего 10.

4. Не допускайте ошибок в названиях, используйте​​всегда​​оригинальное наименование​​продукта

Если вы, например, ищете стекло на ваш смартфон, нужно забивать «стекло на xiaomi redmi 4 pro», а не «стекло на сяоми редми 4 про».

5. Сокращения и аббревиатуры пишите по-английски

Если приводить пример, то словосочетание «ступица бмв е65» выдаст отсутствие результатов из-за того, что в e65 буква е русская. Система этого не понимает. Чтобы автоматика распознала ваш запрос, нужно ввести то же самое, но на английском — «ступица BMW e65».

6. Мало результатов? Ищите не только в названии объявления, но и в описании!

Не все продавцы пишут в названии объявления нужные параметры для поиска, поэтому воспользуйтесь функцией поиска в описании объявления! Например, вы ищите турбину и знаете ее номер «711006-9004S», вставьте в поисковую строку номер, выберете галочкой “искать в описании” — система выдаст намного больше результатов!

7. Смело ищите на польском, если знаете название нужной вещи на этом языке

Вы также можете попробовать использовать Яндекс или Google переводчики для этих целей. Помните, что если возникли неразрешимые проблемы с поиском, вы всегда можете обратиться к нам за помощью.

сборка диодного моста своими руками

Диод – это полупроводниковый прибор, который обладает различной проводимостью в зависимости от прикладываемого напряжения. Имеет всего два вывода: анод и катод. При подаче прямого напряжения (на анод подается положительный потенциал по сравнению с катодом) он открыт. При подаче отрицательного напряжения он закрывается.

Эта особенность прибора широко используется в электротехнике, в частности диодный мост применяют для сварочного аппарата, чтобы выпрямлять переменный ток, улучшая качество сварки.

Основные характеристики

Главными параметрами, на которые обращают внимание при выборе выпрямителей для сварочных аппаратов, являются:

• максимально допустимое постоянное обратное напряжение;
• максимальный средний прямой ток за период;
• рабочая частота переключения;
• постоянное прямое напряжение при максимальном прямом токе;
• максимально допустимая температура корпуса.

Амплитуда бытовой сети составляет около 310 В, поэтому нужно использовать диоды с обратным напряжением 400 В и выше. Прямой ток жестко связан с мощностью прибора, и на него также обращают внимание. Рабочая частота показывает, в каком выпрямителе можно использовать полупроводник, применять его в сетевом или выходном блоке инвертора.

Прямое напряжение полупроводника характеризует мощность рассеяния на самом приборе. Это позволяет рассчитать размеры радиатора или системы охлаждения. Предельная температура корпуса сварочного аппарата дает возможность предусмотреть схему защиты от перегрева.

Применение в сварке

В любом трансформаторном сварочном аппарате постоянного тока или инверторе присутствуют силовые диоды. Они предназначены для выпрямления переменного тока. Для повышения коэффициента полезного действия диоды подключают по мостовой схеме, в этом случае оба полупериода приходятся на нагрузку.

В трансформаторном сварочном аппарате выпрямительные диоды устанавливают на выходе вторичной обмотки. Сварочное оборудование имеет понижающий трансформатор, соответственно, напряжение холостого хода значительно ниже входного, поэтому здесь требуются приборы большой мощности и низкой частоты. Для этого подойдут выпрямительные диоды В200 (максимальный ток 200А).

Для сварочного инвертора требуется два выпрямителя. Один располагается на входе источника питания. Он преобразует переменный ток 220 вольт 50 Гц в постоянный, который преобразуется в дальнейшем в переменный ток высокой частоты (40-80 кГц).

При мощности аппарата 5 кВт выпрямительные диоды должны иметь обратное напряжение 600-1000 В и средний прямой ток 25-35 А при частоте 50 Гц.

Второй выпрямитель располагается после высокочастотного трансформатора. Здесь требования другие. Максимальный прямой ток должен быть не менее 200 А на частоте 80 кГц, а обратное напряжение превышать напряжение холостого хода (60-70 В).

В любом случае используются диоды из категории мощных, с площадкой для монтажа радиатора, поскольку без отведения тепла устройство быстро сгорит.

Особенность выпрямителей

Выпрямитель для сварочного аппарата выполняется по мостовой схеме. При изготовлении сварочного аппарата своими руками и применении диодов В200 нужно учитывать, что их корпус находится под напряжением.

Поэтому когда выпрямитель устанавливают на радиатор, он должен быть изолирован от остальных элементов схемы, от корпуса прибора и от соседних диодов тоже. А это создает определенные неудобства для сварщика.

Приходится использовать более крупный корпус. Для уменьшения габаритов аппарата применяют выпрямительный прибор ВЛ200, который имеет другую полярность. Это позволяет объединить полупроводники на два парных радиатора.

В последние годы стали выпускать довольно мощные диодные мосты в одном корпусе. По размерам такая конструкция из диодов примерно соответствует спичечному коробку, имеет площадку для посадки радиатора, максимальный прямой ток 30-50 А. Диодная сборка имеет значительно меньшую стоимость по сравнению с диодами В200.

Если по работе устройства требуется более мощный мост, то эту проблему можно легко решить, используя параллельное подключение мостовых сборок. Однако их надежность в таком случае будет ниже, чем у одиночных мощных диодов.

Установка

При использовании параллельной схемы соединения диодных мостов необходимо учитывать, что все они имеют некоторый разброс по параметрам.

Поэтому при подборе элементов необходимо делать это с некоторым запасом прочности. При соблюдении этого требования для сварочного аппарата можно получить диодный мост более компактный, чем при использовании одиночных диодов.

Диодные сборки позволяют размещать их на одном радиаторе, так как корпусы не находятся под напряжением. Это позволяет монтировать их в любом месте, и даже снаружи.

В зависимости от требуемого сварочного тока для выпрямителя могут потребоваться от 3 до 5 диодных сборок. Для лучшей теплоотдачи диодные мосты устанавливаются на радиатор через теплопроводящую пасту.

К контактам проводники рекомендуется подсоединяться пайкой, в противном случае могут быть потери мощности в месте контакта и его сильный нагрев.

Применение на практике

Для примера, рассмотрим инверторный аппарат TELWIN Force 165. Во входном выпрямителе используются диодные сборки GBPC3508. Выпрямительный мост GBPC3508 может работать с током 35 А, обратное напряжение – 800 В.

С ним вместе идет обязательно сглаживающий фильтр из конденсаторов большой емкости. Кроме этого имеется фильтр электромагнитной совместимости, который не пропускает помехи от инвертора в бытовую сеть.

На выходе инвертора используются мощные сдвоенные диоды с общим катодом. Они имеют высокое быстродействие в отличие от диодов расположенных на входе устройства.

Благодаря малому времени восстановления, менее 50 наносекунд, приборы успевают переключать высокочастотный ток на выходе вторичной обмотки.

В данном приборе используются сдвоенные диоды марок STTH6003CW, FFh40US30DN или VS-60CPH03, рассчитаны на прямой ток 30 ампер на один прибор (60 ампер на оба) и обратное напряжение 300 вольт.

Устанавливаются на радиатор. Для защиты полупроводников от перегрузки используется RC фильтр. Схема управления требует стабильный источник питания без бросков напряжения.

Для этого в приборе предусмотрены стабилитроны или уже готовый интегральный стабилизатор, которые обеспечивают стабильное питание на микросхемах управления. В результате получается компактное устройство, позволяющее качественно варить металл.

Лазерные диоды большой мощности (10 Вт ~ 1 кВт)

Лазерные диоды большой мощности (> 10 Вт) доступны на длинах волн от ближнего инфракрасного до примерно 2000 нм. Наиболее распространенные устройства имеют диапазон от 808 до 980 нм. Обычно мощные лазерные диоды используются для накачки усиливающей среды в твердотельных лазерах, накачки и затравки волоконного лазера, обработки материалов, применения в медицине и безопасности.Они предлагают хороший электрический или оптический КПД примерно 50%. Стили упаковки варьируются от модулей с оптоволоконным соединением до держателей на медных стержнях. Эта короткая статья предназначена для того, чтобы помочь исследователям и инженерам, которые плохо знакомы с лазерными диодами большой мощности, понять некоторые основные термины, а также наиболее распространенные типы и технологии упаковки. Существует список, который дает некоторую общую информацию о ценах, чтобы вы имели представление о том, сколько может стоить конкретный тип лазера, а также список всех производителей мощных лазеров.

БЫСТРАЯ НАВИГАЦИЯ:

ВВЕДЕНИЕ:

Подробную статью о технологиях и физических принципах, лежащих в основе лазерных диодов, см. В статье «Техническое введение в лазерные диоды» . Таким образом, лазерный диод — это полупроводниковый прибор, сделанный из двух разных материалов. Один из них представляет собой материал P, а другой — материал N. Обычные материалы для лазерных диодов включают индий, галлий, арсенид и фосфид.Материалы P и N зажаты вместе, и когда прямое электрическое смещение прикладывается к переходу P-N, это электрическое смещение заставляет соответствующие отверстия и электроны с противоположных сторон перехода P-N объединяться. Эта комбинация высвобождает фотон в процессе каждой комбинации. Поверхность P-N перехода имеет зеркальную отделку. Это называется полостью. Когда фотоны высвобождаются, они распространяются вдоль полости и выходят через грань или грани. Для целей этой статьи мы выбрали выходную мощность> 10 Вт в качестве определения «высокой мощности».Но термин «высокая мощность», конечно, субъективен и относится к общей выходной мощности, доступной на данной длине волны или типе устройства.

ОБЩИЕ ДЛИНЫ ВОЛНЫ, ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ ДЛЯ ПРИЛОЖЕНИЙ ВЫСОКОЙ МОЩНОСТИ:

Общие области применения высокомощных лазерных диодов включают накачку усиливающей среды в твердотельных лазерах, накачку и затравку волоконного лазера, обработку материалов, применение в медицине и безопасности.Вот руководство по длинам волн, которые наиболее часто используются в каждом из этих приложений:

(DPSS) ТВЕРДОТЕЛЬНЫЕ ЛАЗЕРНЫЕ НАСОСЫ: Твердотельный лазер с диодной накачкой, DPSS-лазер, использует лазерный диод высокой мощности для оптической накачки усиливающей среды лазера. Усиливающая среда обычно представляет собой кристалл. Кристалл производится синтетически из-за необходимой чистоты материала и требований к легированию. Обычные кристаллы включают ND: YAG (и TI: Sapphire — самые распространенные кристаллы.

• 808 нм
• 878.6 нм
• 940 нм
• 969 нм

ВОЛОКОННО-ЛАЗЕРНЫЕ НАСОСЫ: В волоконных лазерах используется лазер высокой мощности в диапазоне от 910 до 980 нм для возбуждения ионов редкоземельных элементов, таких как иттербий или эрбий, которые были легированы в волокно. Затем легированное волокно генерирует фотоны на более длинных волнах (в инфракрасном диапазоне), распространяющиеся через само волокно.

ИСТОЧНИКИ ОБРАБОТКИ МЕДИЦИНСКИХ ЛАЗЕРОВ И ПРЯМЫХ ДИОДНЫХ МАТЕРИАЛОВ: Эстетические и медицинские лазеры чаще всего основаны либо на прямом диодном устройстве, либо на лазерном устройстве DPSS.Некоторые из распространенных длин волн прямого диода включают:

• 793 нм
• 795 нм
• 1064 нм
• 1470 нм
• 1940 нм

НАБОРЫ И ТЕХНОЛОГИИ ВЫСОКОМОЩНЫХ ЛАЗЕРНЫХ ДИОДОВ:

Как правило, лазерные диоды с одним эмиттером обеспечивают выходную оптическую мощность примерно до 12 Вт. Чтобы получить более высокие уровни мощности, используются два подхода к упаковке для объединения нескольких лучей с одним излучателем в один выходной луч высокой мощности.Эти два подхода представляют собой линейки и многочиповые эмиттерные модули. Термины «полоса» и «массив» обычно взаимозаменяемы. И у этих технологий, и у подходов к упаковке есть свои преимущества и недостатки. Но за последние несколько лет эмиттерные модули с несколькими микросхемами становятся все более распространенными из-за более низких производственных затрат и представления о том, что они могут предложить лучшую долгосрочную надежность.

Первый подход, упомянутый выше, заключается в установке нескольких микросхем полупроводникового лазерного диода с одним эмиттером на стержне параллельно друг другу.Их обычно называют «столбиками» или «массивами». Термин «стопка» обычно относится к нескольким стержням, физически и электрически уложенным друг к другу вертикально или горизонтально вместе, чтобы достичь гораздо более высоких уровней мощности, чем может достичь один стержень. Чипы лазерных диодов, установленные на стержне, электрически смещены параллельно друг другу. Например, полоса 985 нм с выходной мощностью 80 Вт может иметь 19 одиночных излучателей, установленных рядом друг с другом. Это устройство потребует примерно 90 ампер (~ 4,8 ампер для каждого) тока и 2 вольта согласованного напряжения.Ток в 90 ампер делится поровну, чтобы обеспечить каждому из лазерных диодов достаточный рабочий ток. Для смещения всей планки требуется два вольта. Затем пучки можно комбинировать с помощью сборки коллимирующих линз, а также другими способами. Затем стержневое устройство может быть упаковано в модуль с оптоволоконным соединением или предложено «как есть» в виде узла медного крепления.

Второй подход состоит в том, чтобы соединить несколько микросхем мощных лазерных диодов с одним эмиттером электрически последовательно друг с другом и установить их в волоконно-оптический модуль.В упаковке есть несколько линз для объединения лучей, которые в конечном итоге попадают в выходное волокно. Их часто называют «мульти-одиночными излучателями». В случае с несколькими эмиттерами микросхемы лазерных диодов электрически соединены последовательно внутри модуля. В этом случае ток смещения может быть по существу таким же, как для одиночного эмиттера, но напряжение должно быть достаточно высоким, чтобы смещать всю последовательно соединенную цепочку лазеров. Обычно для многоэлементных эмиттеров требуется примерно 15 ампер и напряжение до 30+ вольт.Предполагая, что для каждого отдельного эмиттера требуется 2 вольта, это означает, что внутри корпуса находится примерно 15 лазерных диодных чипов с одним эмиттером. Многоканальные излучатели почти исключительно предлагаются в корпусах с оптоволоконным соединением.

РУКОВОДСТВО ПО ЦЕНАМ НА БОЛЬШИЕ ЛАЗЕРНЫЕ ДИОДЫ

Поскольку в Интернете не так много информации о ценах на высокомощные лазерные диоды, может быть довольно сложно составить бюджетное представление о том, сколько может стоить конкретный тип устройства.Чтобы помочь, мы составили небольшой список, который поможет вам хотя бы выяснить, сколько может стоить «класс» лазерных диодов. Этот список представляет собой приблизительное руководство по ценообразованию в зависимости от типа корпуса и выходной мощности для устройств 808, 915, 940, 980 нм. Обратите внимание, что по мере увеличения выходной мощности разница в цене от производителя к производителю имеет тенденцию к значительному увеличению. Обычно разница в цене превышает 50% в зависимости от производителя.

Многие производители предлагают два разных типа корпусов с оптоволоконным соединением.Из-за отсутствия принятых в отрасли конкретных терминов мы будем называть один «базовым» модулем с волоконно-оптической связью, а второй — «усовершенствованным» модулем с волоконно-оптической связью. Базовый оптоволоконный модуль обычно представляет собой устройство с несколькими излучателями (см. Раздел выше) с фиксированным оптоволокном на корпусе и без разъема. Он больше предназначен для крупных OEM-заказчиков, которые интегрируют лазер в свои системы:

Второй тип упаковки — это «расширенный» модуль. Усовершенствованный модуль находится в более крупном корпусе, который включает такие опции, как встроенное охлаждение, пилотный лазер и контрольный фотодиод, а также другие доступные функции.Усовершенствованный модуль может содержать линейку с оптоволоконным соединением (см. Раздел выше) или может быть эмиттерным устройством с несколькими микросхемами. Он предназначен больше для заказчиков с небольшим объемом, которым нужны дополнительные функции модуля для своих приложений:

Обратите внимание, что в отличие от большинства лазерных диодов малой мощности, цена на сопоставимые устройства большой мощности будет сильно различаться (иногда в 2 раза и более) в зависимости от производителя . Вот почему диапазон цен, показанный ниже, велик.

5-ваттный «базовый» оптоволоконный модуль: — 250–500 долл. США — 808, 915, 940, 980 нм / фиксированное волокно, без разъема — без кулера, без пилотного лазера или PD

5-ваттный «усовершенствованный» оптоволоконный модуль: — От 1000 до 1500 долларов США — 808, 915, 940, 980 нм / съемное волокно — Интегрированный охладитель , пилотный лазер и монитор PD

Базовый оптоволоконный модуль мощностью 10 Вт: — 350–600 долл. США — 808, 915, 940, 980 нм / фиксированное волокно, без разъема — без кулера, без пилотного лазера или PD

10-ваттный «усовершенствованный» оптоволоконный модуль: — 1500–2000 долларов — 808, 915, 940, 980 нм / съемное волокно — Интегрированный охладитель , пилотный лазер и монитор PD

«Базовый» оптоволоконный модуль мощностью 50 Вт: — 1200–1 800 долларов США — 808, 915, 940, 980 нм / фиксированное волокно, без разъема — без кулера, без пилотного лазера или PD

50-ваттный «усовершенствованный» оптоволоконный модуль: — 2 000–3 000 долл. США — 808, 915, 940, 980 нм / съемное волокно — Интегрированный охладитель , пилотный лазер и монитор PD

Бар / массив 80 Вт: — 600–800 — 808, 915, 940, 980 нм / CCS / CP, медный стержень — без кулера, без оптики

«Базовый» оптоволоконный модуль мощностью 100 Вт: — 2 000–3 000 долл. США — 808, 915, 940, 980 нм / фиксированное волокно, без разъема — без кулера, без пилотного лазера или PD

«Усовершенствованный» оптоволоконный модуль мощностью 100 Вт: — 4500–6 000 — 808, 915, 940, 980 нм / съемное волокно — Интегрированный охладитель , пилотный лазер и монитор PD

«Базовый» оптоволоконный модуль мощностью 200 Вт: — 2500–3500 долларов США — 808, 915, 940, 980 нм / фиксированное волокно, без разъема — без кулера, без пилотного лазера или PD

200-ваттный «усовершенствованный» оптоволоконный модуль: — От 10 000 до 15 000 долларов США — 808, 915, 940, 980 нм / съемное волокно — Интегрированный охладитель , пилотный лазер и монитор PD

СПИСОК ВСЕХ ПРОИЗВОДИТЕЛЕЙ ВЫСОКОМОЩНЫХ ЛАЗЕРНЫХ ДИОДОВ (в алфавитном порядке)

• Аэродиод
• BWT
• Связный
• DILAS (часть когерентного)
• Focuslight
• Jenoptik
• Интенсивная фотоника
• Леонардо (ранее Lasertel)
• Lumentum (ранее JDSU)
• Люмикс
• nLight
• Генеральный директор Northrop Grumman
• PhotonTEC Берлин
• Лазеры QPC
• Quantel
• RealLight
• Семинекс
• Синхань Лазер

МАГАЗИН ЛАЗЕРНЫХ ДИОДНЫХ СИСТЕМ ВЫСОКОЙ МОЩНОСТИ ДЛЯ НИОКР

СИСТЕМЫ ЛАЗЕРНЫХ ДИОДОВ ВЫСОКОЙ МОЩНОСТИ 808 НМ ДЛЯ НИОКР

Не можете найти точную длину волны и мощность? Напишите нам, мы настроим систему и вышлем вам коммерческое предложение »

СИСТЕМЫ ЛАЗЕРНЫХ ДИОДОВ ВЫСОКОЙ МОЩНОСТИ 976 НМ ДЛЯ НИОКР

Не можете найти точную длину волны и мощность? Напишите нам, мы настроим систему и вышлем вам коммерческое предложение »

СИСТЕМЫ ЛАЗЕРНЫХ ДИОДОВ ВЫСОКОЙ МОЩНОСТИ 915 И 940 НМ ДЛЯ НИОКР

Не можете найти точную длину волны и мощность? Напишите нам, мы настроим систему и вышлем вам коммерческое предложение »

Все, что вам нужно знать о диодных лазерах и лазерных диодах

Диодные лазеры стали довольно популярными в последнее десятилетие.

Причина проста — технология изготовления лазерного диода не так проста. И даже сейчас существует всего несколько поставщиков, которые производят высококачественные лазерные диоды.

Один из них — NICHIA (Япония).

Качество имеет важное значение для всех типов лазеров, но когда мы говорим о лазерных диодах, они имеют многослойную структуру в ОЧЕНЬ МАЛЕНЬКОЙ детали, что затрудняет производственный процесс.

Структура лазерного диода

Если вы посмотрите на wiki-диаграмму, то заметите, что многоуровневая система довольно сложна https: // upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/c/c6/Simple_sch_laser_diode.svg/800px-Simple_sch_laser_diode.svg.png

Большая проблема и определенное ограничение — это теплопроводность. Хотя лазерный диод генерирует фотоны (свет), он также выделяет много тепла, поэтому тепло должно распределяться, и поэтому на рынке не так много мощных лазерных диодов. Макс от NICHIA NUBM44 / 47 имеет выходную оптическую мощность всего 7 Вт в режиме CW.

Конечно, вы можете запустить его до 10 Вт в импульсном режиме, но это почти его физический предел.

Применение лазерных диодов

Наиболее частое применение лазерных диодов зависит от длины волны. Например, 808 нм обычно используется для накачки лазерных модулей DPSS (твердотельных лазеров с диодной накачкой) на кристаллах Nd: YAG. В светодиодных проекторах используется много лазерных диодов.

Существует большая область применения спектрографии, а также медицина.

На портале исследовательских ворот https://www.researchgate.net/ вы можете найти много интересных исследовательских работ, в которых ученые публикуют статьи и официальные документы.

Преимущество

Самым большим преимуществом лазерных диодов является их размер. Например 7-ваттный NUBM44 от NICHIA — это всего 9 мм. Например, если вы хотите получить 10 Вт из Nd: YAG, вам нужно построить довольно большую и сложную машину, поэтому диодные лазеры становятся все более популярными.

Недостаток

Одним из самых больших недостатков диодного лазера является качество луча.Большинство довольно мощных лазерных диодов с оптической мощностью более 1000 мВт (1 Вт) имеют довольно низкое качество луча, что затрудняет фокусировку. Например, одномодовое излучение, которое вы можете сфокусировать на малой длине волны, но у вас есть многомодовое излучение, может быть довольно сложно сфокусировать на действительно крошечном пятне.

CW по сравнению с импульсным режимом

Многие лазерные диоды отлично работают в непрерывном режиме. Для некоторых приложений это очень необходимо. Хотя общая мощность может достигать нескольких ватт, энергия одного импульса очень мала.

Лазерная гравировка и резка

Некоторые мощные лазеры с длиной волны 405/445 нм стали довольно популярными инструментами для гравировки и резки среди мастеров и любителей.

Дело в том, что при мощности оптического лазера 5-7 Вт можно легко вырезать до 8 мм акрила и 6 мм дерева и фанеры https://www.youtube.com/watch?v=7wN1fUY6KKE

http://endurancelasers.com/all-you-need-to-know-about-wood-and-plywood-laser-cutting/

Для лучшего процесса гравировки и резки вы можете использовать воздушный насос с подачей воздуха и получить довольно приличные результаты.

Преимущество диодного лазера в том, что это вполне доступный инструмент, который можно установить практически на любой 3D-принтер или фрезерный станок с ЧПУ. Есть несколько компаний, которые предоставляют довольно надежные и долговечные лазерные инструменты, но держатся подальше от китайских поддельных лазеров. Они не принесут вам ничего, кроме плохих эмоций и полного разочарования https://endurancelasers.com/my-experience-with-non-branded-chinese-made-lasers/ В первую очередь из-за поддержки 0.

Если вы опытный инженер-электрик или у вас достаточно времени, вы можете создать собственный лазер на основе технологии с открытым исходным кодом.

https://endurancelasers.com/diy-laser-kit/

В целом диодные лазеры достаточно универсальны и могут применяться для гравировки и резки практически всех материалов, кроме прозрачных и металлических.

Дело в том, что для резки металла необходима высокая энергия импульса, которую невозможно получить в непрерывном режиме, поэтому для резки металла в основном используются высокомощные модули Co2, Fiber или DPSS.

Co2 против диода

Подробнее об этом >>> https: // endurancelasers.-10 = 333 кПа

Видеозапись, объясняющая, как работают диодные лазеры

О применении диодных лазеров >>> https://endurancelasers.com/about-some-interesting-applications-of-diode-lasers/

Подробнее о диодных лазерах >>> https://endurancelasers.com/about-diode-solid-state-lasers/

Узнайте о различных типах лазеров >>> https: // endurancelasers.ru / сравнение-разных-типов-лазеров и-разных-длин волн /

Высококачественный самый мощный лазерный диод Trending Beauty Items

 Alibaba.com предлагает широкий выбор высококачественных и эффективных  самых мощных лазерных диодов  для выполнения различных наборов косметических операций и процедур. Эти продукты соответствуют оптимальным стандартам и работают с превосходной эффективностью, благодаря чему они стоят каждой копейки.Самый мощный лазерный диод   оснащен передовыми технологиями, которые помогают в нескольких эстетических процедурах, и являются экологически чистыми продуктами. Самое приятное то, что эти эффективные  самые мощные лазерные диоды  помогают в самом профессиональном косметическом уходе, чтобы дать вам молодой и обновленный эстетический вид. 
 Если вы хотите избавиться от всех проблем с кожей и добиться жизнерадостного, помолодевшего и очаровательного внешнего вида, эти  самые мощные лазерные диоды  просто лучшие.Это оборудование эффективно обрабатывает вашу кожу изнутри и устраняет все виды проблем, таких как прыщи, черные пятна, морщины, обвисшая кожа и многое другое, чтобы придать вам обновленный эстетический вид. Эти  самые мощные лазерные диоды  работают на углекислом газе, что помогает им лечить вашу кожу и навсегда устранять все недостатки. Эти самые мощные лазерные диоды   также блестяще оснащены новейшими функциями, такими как диодные лазеры, кавитация, RF, технология удаления целлюлита и т. Д., Чтобы работать на оптимальном уровне.
 
 Alibaba.com предлагает  самых мощных лазерных диодов , доступных в нескольких моделях, чтобы удовлетворить все ваши требования. Отличительные экологически чистые материалы ABS обеспечивают лучшую долговечность и устойчивость оборудования. Эти  самые мощные лазерные диоды  эффективны при проведении различных процедур, таких как обработка кожи, удаление жира, удаление волос и многое другое. Самый мощный лазерный диод   - это простые в эксплуатации машины с автоматическим управлением, а также энергосберегающие продукты для коммерческого использования.
 
 Alibaba.com предлагает широкий ассортимент  самых мощных лазерных диодов , которые подойдут для вашего бюджета и помогут вам купить эти продукты, сэкономив при этом ваши деньги. Эти продукты доступны как OEM-заказы и предлагаются с послепродажным обслуживанием. Они имеют сертификаты CE, ISO, ROHS и полностью настраиваются в соответствии с вашими ожиданиями. 
 

(PDF) Простая и мощная диодная лазерная система для атомной физики

Research Article Applied Optics 4

анализатор спектра, использующий гауссову поправку для определения биений на протяжении

с тем же временем усреднения 100 мс.

Кроме того, этот метод можно использовать для оценки зависимости ширины линии от времени [

52

]. Измерение шума

1 с

можно разделить на более мелкие выборки и использовать для оценки RMS

ширины линии для различных времен усреднения, рисунок, иллюстрирующий временную зависимость ширины линии

, включен как часть набора данных

[56].

6. ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Мы разработали экономичное самодельное решение ECDL

, которое может производить сотни мВт непрерывной мощности с

в автономном режиме

100 мс

Ширина линии

(427 ± 7) кГц

.Это одиночный прибор

, недорогой источник умеренной мощности для атомной физики

экспериментов с рубидием и в настоящее время работает как

один из лазеров накачки в эксперименте с четырехволновым смешением [

57

,

58

]. У нас также есть подробные рентабельные и эффективные по времени методы

для определения различных полезных характеристик лазера, включая спектральную чистоту

и ширину линии.

Для приложений, требующих ширины линии менее килогерца, лазерная система

может также работать в сочетании с подходящим замком резонатора с высокой точностью

[59,60].

Финансирование.

Финансирование через Leverhulme Trust (грант № RPG-2013-

386) и EPSRC (грант № EP / M506643 / 1).

Благодарности.

В дополнение к поддержке, оказываемой финансирующими организациями

, мы благодарны за ценные обсуждения с

Джонатаном Притчардом и Эрлингом Риисом.

Раскрытие информации. Авторы заявляют об отсутствии конфликта интересов.

Доступность данных.

Данные, лежащие в основе результатов, представленных в этой статье

, доступны в ссылке.[56].

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1.

Т. Майман, «Стимулированное оптическое излучение в рубине», Nature

187

, 493

(1960).

2.

К. Э. Виман и Л. Холлберг, «Использование диодных лазеров в атомной физике»,

Rev. Sci. Instrum. 62, 1–20 (1991).

3.

Г. Гибсон, Дж. Курсьяль, М.Дж. Пэджетт, М. Васнецов, В. Пастекстсвотезин-

глеко, С.М. Барнетт и С. Франке-Арнольд, «Передача информации в открытом космосе

с использованием световых лучей. несущий орбитальный угловой момент ”, Опт.

Экспресс 12, 5448 (2004).

4. Х. Дж. Кимбл, «Квантовый Интернет», Nature 453, 1023–1030 (2008).

5.

А. Д. Ладлоу, М. М. Бойд, Дж. Йе, Э. Пейк и П. О. Шмидт, «Оптические атомные часы

», Rev. Mod. Phys. 87. С. 637–701 (2015).

6.

Р. Элвин, Г. У. Хот, М. Райт, Б. Льюис, Дж. П. МакГиллиган, А. С. Арнольд,

П. Ф. Грифин и Э. Риис, «Часы холодного атома на основе дифракционной оптики»,

Опт. Экспресс 27, 38359 (2019).

7.

P. Micke, T. Leopold, SA King, E. Benkler, LJ Spieß, L. Schmöger,

M. Schwarz, JRC López-Urrutia, и PO Schmidt, «Когерентная лазерная спектроскопия

высокозарядные ионы с использованием квантовой логики », Nature

578

,

60–65 (2020).

8.

Ф. С. Пончиано-Охеда, Ф. Д. Лог и И. Г. Хьюз, «Абсорбционная спектроскопия

и поляриметрия Стокса в паре

87 $

Rb в геометрии Voigt

с 1.Внешнее магнитное поле 5 Тл, J. Phys. В

54

, 015401

(2021).

9.

WF McGrew, X. Zhang, RJ Fasano, SA Schäffer, K. Beloy, D. Ni-

colodi, RC Brown, N. Hinkley, G. Milani, M. Schioppo, TH Yoon, and

А. Д. Ладлоу, «Производительность атомных часов, обеспечивающая геодезию ниже уровня

сантиметра», Nature 564, 87 (2018).

10.

К. Дж. Арнольд, Р. Кеуам, А. Рой, Т. Р. Тан и М.Д. Барретт, «Оценка радиационного сдвига тела Black-

для часов с ионами лютеция», Nat. Commun.

9, 1650 (2018).

11.

М. Такамото, И. Ушиджима, Н. Омае, Т. Яхаги, К. Кокадо, Х. Синкай,

и Х. Катори, «Проверка общей теории относительности с помощью пары переносных оптических приборов.

решетчатые часы », Нац. Фотоника 14, 411–415 (2020).

12.

Д. Будкер, М. Ромалис, «Оптическая магнитометрия», НП

3

, 227–234

(2007).

13.

С.Дж. Инглби, К. О’Дуайер, П.Ф. Грифин, А.С. Арнольд и Э. Риис, «Магнитометрия Vec-

tor, использующая эффекты фазовой геометрии в двойном резонансном выравнивающем магнитометре

», Phys . Rev. Appl.

10

, 034035

(2018).

14.

I. Dutta, D. Savoie, B. Fang, B. Venon, C. h. е. Г. Альзар, Р. Гейгер,

и А. Ландрагин, «Непрерывный инерционный датчик с холодным атомом со стабильностью вращения 1 нрад / с

», Phys.Rev. Lett. 116, 183003 (2016).

15.

Y. Bidel, N. Zahzam, C. Blanchard, A. Bonnin, M. Cadoret, A. Bresson,

D. Rouxel и M. Lequentrec-Lalancette, «Абсолютная морская гравиметрия

с материально-волновая интерферометрия. Commun. 9, 627 (2018).

16.

Я. Чжай, Ч. Карсон, В. А. Хендерсон, П. Ф. Грифин, Э. Риис и А. С.

Арнольд, «Улучшенное Тальботом изображение конденсата с максимальной видимостью, усиленное Тальботом.

интерференция», Optica 5, 80 ( 2018).

17.

К. Оверстрит, П. Асенбаум, Т. Ковачи, Р. Нотерманс, Дж. М. Хоган,

и М. А. Касевич, «Эффективная инерциальная система отсчета в атомном интерферометрическом режиме.

Проверка принципа эквивалентности», Phys. Rev. Lett.

120

, 183604 (2018).

18.

К. Б. МакАдам, А. Стейнбах и К. Виман, «Узкополосная перестраиваемая диодная лазерная система

с решетчатой ​​обратной связью и спектрометр насыщенного поглощения

для Cs и Rb», Am.J. Phys. 60, 1098–1111 (1992).

19.

Л. Риччи, М. Вайдемюллер, Т. Эсслингер, А. Хеммерих, К. Циммерманн,

В. Вулетич, В. Кениг и Т. Хенш, «Компактный диод со стабилизацией решетки

лазерная система для атомной физики // Опт. Commun.

117

, 541–549 (1995).

20.

А. С. Арнольд, Дж. С. Уилсон и М. Г. Бошир, «Простой диодный лазер

с расширенным резонатором», Rev. Sci. Instrum. 69, 1236–1239 (1998).

21.

Е. К. Кук, П. Дж. Мартин, Т. Л. Браун-Хефт, Дж. К. Гарман и Д. А.

Стек, «Конструкция диодного лазера с высокой пассивной стабильностью для использования в экспериментах по атомной физике», Rev. Sci. Instrum. 83, 043101 (2012).

22.

Э. Брекке, Т. Беннетт, Х. Рук и Э. Л. Хазлетт, «3D-печать корпуса диодного лазера

с внешним резонатором», Am. J. Phys.

88

, 1170–1174

(2020).

23.

Р. Ланг и К.Кобаяши, «Влияние внешней оптической обратной связи на свойства лазера с инжекцией полупроводников», IEEE J. Quantum Electron.

16

,

347–355 (1980).

24.

P. D. McDowall и M. F. Andersen, «Система диодных лазеров

со стабилизацией частоты на основе акустооптического модулятора для захвата атомов», Rev. Sci.

Instrum. 80, 053101 (2009).

25.

Г. Унникришнан, М. Грёбнер и Х.-К. Нэгерл, «Субдоплеровский лазер

, охлаждение

39

K через переход 4S

→

5P», SciPost Phys.

6

, 047 (2019).

26.

В. Школьник, О. Фартманн, М. Круцик, «Диодный лазер

с расширенным резонатором на длине волны 497 нм для лазерного охлаждения и улавливания нейтрального стронция»,

Laser Phys. 29, 035802 (2019).

27.

А. Хименес, Т. Милде, Н. Стааке, К. Асманн, Г. Карпинтеро и

Дж. Захер, «Узкополосная микроупаковка диодного лазера с внешним резонатором в

NIR и Спектральный диапазон МИР // Прикл. Phys.В 123, 207 (2017).

28.

X. Baillard, A. Gauguet, S. Bize, P. Lemonde, P. Laurent, A. Clairon,

и P. Rosenbusch, «Диод с внешним резонатором, стабилизированный интерференционным фильтром,

лазеры. , ”Опт. Commun. 266, 609–613 (2006).

29.

Д. Дж. Томпсон и Р. Э. Шолтен, «Настраиваемый внешний диодный лазер с узкой шириной линии

с использованием широкополосного фильтра», Rev. Sci. Instrum.

83

,

023107 (2012).

30.

Д. Саагун, В. Болпаси и В. фон Клитцинг, «Простая и высоконадежная лазерная система

с перекачиваемым светом, генерируемым микроволнами, для экспериментов с холодным атомом

», Опт. Commun. 2013. Т. 290. С. 110–114.

31.

Э. Лувсандамдин, С. Шписбергер, М. Шимангк, А. Сам, Г. Мура,

А. Вихт, А. Петерс, Г. Эрберт и Г. Тренкле, «Развитие узкого

для квантовых экспериментов по оптике

в космосе, Прикл.Phys. В 111, 255–260 (2013).

32.

Дж. М. Пино, Б. Луэй, С. Бикман и М. Х. Андерсон, «Миниатюрная лазерная система com-

pact для датчиков ультрахолодного атома», в Photonic Applications

для аэрокосмической, коммерческой и суровой окружающей среды. IV, AA Kazemi,

BC Kress, and S. Thibault, eds. (SPIE, 2013).

33.

Э.Д. Гаэтано, С. Уотсон, Э. Макбриарти, М. Сорел и DJ Пол, «Суб-

мегагерц, ширина линии, 780,24 нм, лазер с распределенной обратной связью для

87

Rb

Самый мощный диод в мире. твердотельный лазер с накачкой

Система в конечном итоге позволит пехотным подразделениям использовать луч невидимого света для уничтожения приближающихся минометов, артиллерийских снарядов и противотанковых ракет, а также для обезвреживания закопанных наземных мин.

Командование космической и противоракетной обороны армии спонсирует программу, в которой используется уникальный импульсный луч, который стреляет 200 раз в секунду и уже может легко прожечь дыру в дюйме углеродистой стали примерно за семь секунд.

Ссылка по теме: Ливерморская национальная лаборатория им. Лоуренса

Источник: DOE Pulse

Ссылка : Самый мощный в мире твердотельный лазер с диодной накачкой (5 июля 2005 г.) получено 28 ноября 2021 г. с https: // физ.org / news / 2005-07-world-strong-diode-solid-state.html

Этот документ защищен авторским правом. За исключением честных сделок с целью частного изучения или исследования, никакие часть может быть воспроизведена без письменного разрешения. Контент предоставляется только в информационных целях.

DFB CWDM Мощный лазерный диод — серия NYCMD

• Рабочие характеристики лазерного диода DFB серии NYCMD

1. Заданная температура лазера 25 ℃, ток смещения 55 мА
2. Рабочая температура корпуса -40 ~ 70 ℃

• Типичные данные мощного лазерного диода серии NYCMD

(λ: CWDM, TC = 25 ℃)

• Габаритные чертежи (Единицы измерения: мм)32

  0

  0

  0

  Лист 1 ： 900 08

  Код	Типичная длина волны
  CM	Мультиплексор с грубым разделением по длине волны CWDM Пакет бабочка 7PIN

  Лист 900 900 Аналоговая полоса пропускания X 0.1 ～ 12 ГГц Ku 1 ～ 18 ГГц

  Лист 3:

  	909 44	W4	W5	W6	W7
  Длина волны (нм)	1270	1290	1310	1330	1350	1330	1350	1370 910 990 990 990 990 : Код Тип разъема Примечание A FC / APC Пигтейл одномодового волокна 9/125 мкм, 0.9 мм, длина 1 м S SC / APC N Без разъема Радиус изгиба волокна не менее 20 мм во избежание повреждения волокна. Перед подключением оптоволоконной муфты убедитесь, что фасетка оптоволоконной муфты чистая. При хранении, транспортировке и использовании требуется соответствующая защита от электростатического разряда. NEON — поставщик высокотехнологичных коммерческих и промышленных готовых или специализированных модулей, предназначенных для сегодняшних инфраструктур высокоскоростных оптических сетей связи и передовых систем защиты. Приглашаем Вас связаться с нами, чтобы узнать больше о нашем модуле лазерного диода и посетить наш завод в любое время. Пожалуйста, дайте нам знать, если у вас возникнут какие-либо вопросы в сфере бизнеса. Произошла ошибка при настройке пользовательского файла cookie Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности. Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт. Настройка вашего браузера для приема файлов cookie Существует множество причин, по которым cookie не может быть установлен правильно.Ниже приведены наиболее частые причины: В вашем браузере отключены файлы cookie. Вам необходимо сбросить настройки своего браузера, чтобы он принимал файлы cookie, или чтобы спросить вас, хотите ли вы принимать файлы cookie. Ваш браузер спрашивает вас, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались. Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, используйте кнопку «Назад» и примите файлы cookie. Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Если вы подозреваете это, попробуйте другой браузер. Дата на вашем компьютере в прошлом.Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г., браузер автоматически забудет файл cookie. Чтобы исправить это, установите правильное время и дату на своем компьютере. Вы установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie. Вы должны отключить приложение при входе в систему или проконсультироваться с системным администратором. Почему этому сайту требуются файлы cookie? Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу.Чтобы предоставить доступ без файлов cookie потребует, чтобы сайт создавал новый сеанс для каждой посещаемой страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня. Что сохраняется в файле cookie? Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в cookie; никакая другая информация не фиксируется. Как правило, в cookie-файлах может храниться только информация, которую вы предоставляете, или выбор, который вы делаете при посещении веб-сайта.Например, сайт не может определить ваше имя электронной почты, пока вы не введете его. Разрешение веб-сайту создавать файлы cookie не дает этому или любому другому сайту доступа к остальной части вашего компьютера, и только сайт, который создал файл cookie, может его прочитать. alexxlab Добавить комментарий Отменить ответ Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены * Комментарий * Имя * Email * Сайт Рубрики Прост Радио Разное Своими руками Советы Схем Схемы Транзист Транзисторы Электрон Электроника