Mosfet технология: IGBT или MOSFET: выбирайте транзистор с умом — RC74 — интернет-магазин радиоуправляемых моделей

Содержание

MOSFET

Автор: admin

23 Авг

Новые MOSFET-транзисторы компании Vishay Siliconix, выполненные по технологии ThunderFET® обладают наименьшим в отрасли сопротивлением открытого канала среди устройств с напряжением сток-исток до 200 В и минимальным напряжением затвора 4.5 В.

Кроме того, показатель качества (FOM) транзисторов SiR610DP при использовании в схемах DC/DC преобразователей является лучшим в своем классе устройств. Низкое сопротивление открытого канала R_DS(ON) приводит к уменьшению потерь проводимости и потребляемой мощности, что позволяет использовать транзисторы в экологичных энергосберегающих приложениях.

Комментарии отключены
Рубрика: Vishay

Автор: admin

19 Июн

Новые MOSFET-транзисторы TK3R1P04PL (40 В), TK4R4P06PL (60 В) и TK6R7P06PL (60 В) выпускаются в компактном корпусе DPAK и идеально подходят для высокоэффективных схем преобразования мощности, таких как AC/DC и DC/DC преобразователи, импульсные источники питания и системы управления электроприводами.

Неизменной популярностью в промышленных приложениях пользуются корпуса DPAK, монтируемые на поверхность печатной платы. Компания Toshiba производит новые транзисторы именно в таких корпусах с изготовлением кристалла по новейшему высокочастотному низковольтному техпроцессу UMOS IX-H. Элемент этого процесса UMOS9 обладает превосходным компромиссным соотношением сопротивления открытого канала и выходного заряда: R

DS(ON) * Q_OSS.

Комментарии отключены
Рубрика: Toshiba

Автор: admin

6 Май

Компания Infineon расширяет линейку 600-вольтовых MOSFET-транзисторов семейства CoolMOS™ P7, предлагая максимально широкий выбор, тщательно подобранных по уровню сопротивления открытого канала R_DS(ON), силовых ключей, выполненных по технологии супер-перехода (SJ).

Полевые транзисторы CoolMOS™ P7 компании Infineon предлагают наиболее сбалансированное решение, оптимально сочетая легкость применения и наивысшую в отрасли энергоэффективность.

Комментарии отключены
Рубрика: Infineon

Автор: admin

22 Мар

Технология для устройств с аккумуляторным питанием

Новые MOSFET-транзисторы семейства StrongIRFET™ с напряжением сток-исток 40 В в 7-выводном корпусе D2PAK отличаются чрезвычайно низким сопротивлением открытого канала и наибольшим в отрасли током стока.

IRL40SC209, IRL40SC228 расширяют номенклатуру уже доступных корпусов, предлагая разработчикам большую гибкость при выборе наиболее подходящего устройства для своего приложения. По сравнению со стандартным 7-выводным корпусом D2PAK, новый корпус D2PAK 7pin+ позволяет на 20% увеличить размер кристалла транзистора, что приводит к снижению сопротивления открытого канала R_DS(ON) на 15%, а теплового сопротивления между печатной платой и переходом на 39%.

Комментарии отключены
Рубрика: Infineon

Автор: admin

25 Фев

Обладая наилучшим в отрасли показателем качества (произведение заряда затвора на остаточное сопротивление) — ключевым параметром для силовых MOSFET-транзисторов с напряжением сток-исток 600 В, N-канальный транзистор SiHP065N60E обеспечивает высокий КПД источников питания, применяемых в промышленном и телекоммуникационном оборудовании, системах освещения и вычислительной технике.

Новый транзистор выполнен по передовой, высокоэффективной технологии суперперехода. Компания Vishay следует своему принципу предлагать клиентам широкий ассортимент MOSFET-технологий и поставляет решения для всех стадий процесса преобразования энергии — от высоковольтного входа до низковольтного выхода, необходимых современным электронным системам.

Комментарии отключены
Рубрика: Vishay

Автор: admin

10 Янв

Силовые MOSFET-транзисторы с оптимальным балансом легкости применения и высочайшей энергоэффективности.

Являясь дальнейшим развитием линейки 600-вольтовых транзисторов серии CoolMOS™ P6, новое поколение устройств серии CoolMOS™ P7 ориентировано на широкий спектр приложений — от маломощных импульсных источников питания до силовых каскадов наивысшей мощности, работающих в режиме жесткой или плавной коммутации. Серия транзисторов с рабочим напряжением 600 В CoolMOS™ P7 считается наиболее сбалансированной среди всех представителей семейства CoolMOS™ компании Infineon по таким показателям, как легкость применения (например, благодаря минимальному уровню «звона»), превосходный КПД переключения и конкурентоспособная цена.

Комментарии отключены
Рубрика: Infineon

Автор: admin

2 Ноя

Корпус LFPAK33 обладает улучшенными тепловыми параметрами и характеризуется полным отсутствием потерь, что гарантирует высокую надежность и КПД автомобильных подсистем следующего поколения.

Компания Nexperia, бывшее подразделение стандартных продуктов NXP, представила силовые MOSFET-транзисторы автомобильного назначения в новом корпусе LFPAK33, который имеет улучшенные тепловые параметры, характеризуется полным отсутствием потерь и обладает на 80% меньшими размерами по сравнению с существующими компонентами промышленного исполнения. Корпус LFPAK33 также обеспечивает значительное снижение теплового сопротивления, что отвечает современным требованиям автомобильной индустрии к снижению размеров модулей при их высокой энергоэффективности и надежности. Транзисторы в корпусе LFPAK33 могут служить основой для построения надежной и эффективной инфраструктуры питания автомобильных подсистем следующего поколения, таких как радары и передовые системы помощи водителю (ADAS).

Комментарии отключены
Рубрика: Nexperia

Автор: admin

13 Окт

Прибор повышает эффективность и производительность схем коммутации за счет повышенной плотности мощности и выходного тока при минимальном количестве вносимых изменении. SiR626DP идеально подходит для приложений высокой выходной мощности: синхронных выпрямителей, систем с напряжением питания 24 В, схем управления двигателями, преобразователей постоянного напряжения и солнечных микроинверторов.

Комментарии отключены
Рубрика: Vishay

Автор: admin

21 Сен

Новые ключи снабжены рядом интеллектуальных возможностей, включающих различные защитные и диагностические функции. Устройства семейства PROFET™ способны управлять нагрузками различных типов – резистивными, индуктивными и емкостными и поэтому отлично подходят для применения в самом широком спектре промышленных приложений.

ITS4200S-SJ-D — это защищенные, одноканальные, интеллектуальные ключи на основе силового NMOS-транзистора с сопротивлением открытого канала 200 мОм, выполненные в 8-выводном корпусе PG-DSO-8 и снабженные схемой накачки заряда, CMOS-совместимым входом и цепью обратной связи для задач диагностики.

Комментарии отключены
Рубрика: Infineon

Автор: admin

16 Янв

Компания Infineon объявила о выпуске новых силовых MOSFET-транзисторов семейства CoolMOS™ P7 с напряжением сток-исток 800 В. Благодаря низкому значению сопротивления открытого канала, транзисторы обеспечивают минимальные потери проводимости и высокий КПД.

Полевые транзисторы новейшего семейства CoolMOS™ P7 с рабочим напряжением до 800 В объединяют в себе превосходную производительность и простоту использования, что является результатом 18-летних инновационных разработок технологии суперперехода компании Infineon. Устройства отличаются увеличенным на 0.1%…0.6% коэффициентом полезного действия и уменьшенной на 2°C…8°C рабочей температурой перехода, по сравнению с семейством CoolMOS™ C3, что подтверждено тестами в базовых обратноходовых топологиях. Такие высокие характеристики транзисторов получены за счет сочетания различных параметров: уменьшенными в два раза энергией сток-исток E_OSS и величиной заряда затвора Q_G, а также сниженной входной C_ISS и выходной C_OSS емкости.

Комментарии отключены
Рубрика: Infineon

MOSFET и драйверы затвора Infineon

23 декабря 2020

управление питаниемуправление двигателемInfineonстатьяинтегральные микросхемыSiCMOSFETIGBTAC-DCSiC MOSFET

Джованбаттиста Маттиуси, Диого Варахао (Infineon)

С целью поддержки своих карбид-кремниевых MOSFET из линейки CoolSiC, обеспечивающих наиболее высокую в отрасли производительность, компания Infineon предлагает шесть моделей специализированных ИС драйверов затвора из линейки EiceDRIVER, основанных на одном выходном каскаде драйвера Rail-to-Rail.

Глобальные тенденции, такие как цифровизация и борьба за энергоэффективность, в последние несколько лет ставят новые задачи для производителей электроники. Разработка силовых полупроводниковых устройств для повышения КПД систем управления питанием стоит на повестке дня всей отрасли.

Cиловые полупроводники, выполняя роль строительных блоков систем питания, являются одним из решающих факторов энергоэффективности. Разработчики систем питания – от источников питания до инверторов – сталкиваются со все более сложными задачами по повышению КПД без увеличения стоимости продукции. Фактор стоимости имеет принципиально важное значение. Помимо сохранения прибыли OEM-производителей, снижение цен на солнечные инверторы, источники питания с высоким КПД и электромобили будет способствовать развитию более экологичной инфраструктуры и окажет положительное влияние на будущее нашей планеты.

Выбор технологий

С точки зрения разработчика важно достичь обоснованного и сбалансированного компромисса между стоимостью и КПД. В дополнение к традиционному кремнию в последнее время появились новые технологии и материалы, такие как карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN), которые способствуют увеличению КПД и удельной мощности. Благодаря свойствам материала полупроводники с широкой запрещенной зоной (wide bandgap, WBG) обладают большим потенциалом для достижения улучшенных характеристик. Они обеспечивают более высокие напряжение пробоя и рабочую частоту, гибкие тепловые свойства и устойчивость к жестким коммутациям. Все эти характеристики делают их более подходящими для новых топологий с высоким КПД, чем решения на основе кремния.

Оптимальные применения каждой технологии

Как показано на рисунке 1, продукты на основе кремния, такие как Super-Junction MOSFET или IGBT, могут использоваться в широком диапазоне напряжений (от нескольких вольт до нескольких сотен вольт) и в разных классах мощности, в то время как продукты на основе SiC находят идеальное применение при напряжениях 650 В и выше, тем самым выходя за пределы кремниевой технологии и достигая уровней выше 3 кВ. Устройства на основе GaN больше подходят для напряжений ниже 650 В. И SiC, и GaN значительно лучше кремния, когда требуется высокая рабочая частота. Таким образом, оптимальная технология определяется требованиями проекта и целями разработки.

Рис. 1. Технологии Si, SiC и GaN

Развивая все три технологии, компания Infineon предлагает широкий ассортимент продукции в диапазоне 600…650 В: CoolMOS™ Super-Junction MOSFET, CoolSiC™ SiC MOSFET и CoolGaN™ GaN нормально-открытые HEMT. Несмотря на то, что Super-Junction MOSFET-транзисторы удовлетворяют большинству современных требований к КПД и удельной мощности при оптимальной цене, в некоторых случаях, например, для улучшения термоустойчивости или при разработке устройств сверхвысоких удельных мощностей, технологии SiC и GaN будут оптимальным выбором. MOSFET-транзисторы CoolSiC™ демонстрируют превосходные тепловые свойства благодаря своей устойчивости, а HEMT-транзисторы CoolGaN™ подходят для высоких рабочих частот, что приводит к очень высоким уровням удельной мощности.

В будущем ожидается дальнейшее развитие WBG-полупроводников, которые заменят кремниевые устройства, однако все три технологии еще долгое время будут сосуществовать. Для некоторых применений внедрение технологии SiC будет идти быстрее из-за простоты ее использования и относительно легкого перехода от Super-Junction MOSFET и IGBT.

MOSFET-транзисторы CoolSiC™ компании Infineon (рисунок 2) разработаны для реализации технологии SiC, и при правильном подходе к проектированию являются наилучшим выбором для применений, требующих высокой производительности.

Рис. 2. Основные особенности и характеристики устройств на MOSFET 650 В CoolSiC™

Тем не менее, сопротивление в открытом состоянии является основным исходным параметром данной технологии, и по-прежнему важно найти правильный баланс между показателями производительности (сопротивлением и потерями при переключении) и необходимой работоспособностью. MOSFET CoolSiC™ и соответствующие драйверы затвора EiceDRIVER™ разработаны так, чтобы полностью реализовать смысл технологии SiC, то есть обеспечить производительность за счет прочности, надежности и простоты использования. Обзор доступных вариантов представлен на рисунке 3.

Рис. 3. Линейка продуктов CoolSiC™ компании Infineon

В плане надежности MOSFET на основе SiC имеют слабое место в оксиде затвора (GOX) – в слое, которые изолирует затвор от истока. Рост кристаллов SiC привносит дефекты в структуру, и те дефекты, которые проникают через оксид затвора, могут создавать локальное утончение, увеличивая поле до пробоя диэлектрика, что в конечном итоге может разрушить устройство. Чтобы избежать этого, MOSFET-транзисторы CoolSiC™ имеют в своей структуре канавки, дающие два основных преимущества:

меньшее количество дефектов в GOX за счет ориентации структуры;
увеличенная толщина GOX без ущерба для производительности (можно выбрать более толстый GOX, что не повлияет на R_on), благодаря повышению надежности и более высоким возможным значениям напряженности электрического поля, что позволяет проводить испытания при увеличенных напряжениях, повышая эффективность выявления дефектов.

Что касается производительности, MOSFET-транзисторы CoolSiC™ характеризуются очень низкими потерями при переключениях и на проводимости за счет относительно пологой зависимости R_DS(on) от температуры. Устойчивость к паразитным включениям не только уменьшает коммутационные потери, но также имеет большое значение с точки зрения простоты использования. Благодаря этой устойчивости MOSFET-транзисторы CoolSiC™ являются единственными устройствами на рынке, которые могут надежно отключаться при 0 В без необходимости использования отрицательного напряжения (хотя данные транзисторы можно использовать и в этом случае). В итоге схема управления становится проще и полностью совместима с решениями управления Super-Junction MOSFET.

В диапазоне управляющих напряжений необходимо иметь некоторый запас по напряжению между верхним пределом рабочего диапазона V_GS и максимально допустимым напряжением V_GS.max, указанным в спецификации. Такой запас гарантирует защиту от скачков, которые могут повредить оксид затвора, и дополнительно повышает надежность технологии CoolSiC™.

ИС EiceDRIVER™ для комплексного решения

Для оптимального управления и защиты устройств CoolSiC™ MOSFET 650 В компанией Infineon разработаны шесть специализированных ИС драйверов затвора. На рисунке 4 показаны четыре варианта исполнения микросхем, что позволяет легко адаптировать их к различным требованиям с точки зрения удельной мощности, места на печатной плате и класса изоляции [1].

Рис. 4. ИС драйвера затвора компании Infineon

Одноканальные неизолированные ИС EiceDRIVER™ 1EDN9550B и 1EDN6550B доступны в 6-выводном корпусе SOT-23 и могут использоваться для управления ключом нижнего плеча полумоста на транзисторах SiC [2]. Благодаря наличию дифференциальных входов они отлично подходят для 4-контактного подключения MOSFET с дополнительным выводом истока. Уникальная концепция дифференциального управления может предотвратить ложное срабатывание из-за резистивных или индуктивных падений напряжения между опорными потенциалами ИС контроллера и драйвера даже при быстрых переходных процессах [3]. Таким образом, эти ИС драйвера затвора представляют собой компактное и надежное решение для эффективной работы MOSFET на основе SiC. Изолированные ИС EiceDRIVER™ 1EDB9275F и 1EDB6275F предлагаются в корпусе DSO-8 150 мил с номинальным напряжением изоляции 3 кВ_RMS в соответствии с UL1577 (ожидается сертификация) [4]. В сочетании с драйверами 1EDNx550B, у которых есть дифференциальные входы, можно получить гибридную конфигурацию управления затвором для полумостовой схемы на транзисторах SiC в резонансных LLC-преобразователях и преобразователях с двухтранзисторной схемой с коррекцией коэффициента мощности. Гибкость компоновки за счет использования одноканальных ИС драйвера затвора позволяет оптимизировать размещение компонентов на печатной плате, чтобы уменьшить паразитные индуктивности контура затвора. Кроме того, такая гибридная конфигурация управления затвором приводит к экономии площади печатной платы на 28% (по сравнению с двухканальной ИС драйвера затвора) и сокращению перечня компонентов.

Альтернативные решения для управления затвором становятся возможными благодаря использованию двухканальных изолированных ИС драйверов затвора. Драйвер EiceDRIVER™ 2EDF9275F, доступный в корпусе DSO-16 150 мил, идеально подходит для двухтранзисторной схемы с коррекцией коэффициента мощности [5]. Драйвер 2EDS9265H с усиленной изоляцией будет отличным выбором для резонансных LLC-преобразователей, когда сигналы ШИМ пересекают изоляционный барьер. Кроме того, этот драйвер поставляется в корпусе DSO-16 300 мил и соответствует требованиям стандартов безопасности VDE0884-10 и UL1577 [6].

В таблице 1 показаны основные характеристики специализированных ИС драйверов затвора для CoolSiC™ MOSFET 650 В. Несмотря на разные корпуса и классы изоляции входа-выхода, номинальные характеристики и сертификации, эти драйверы затвора основаны на одном выходном каскаде драйвера Rail-to-Rail. Он реализован с дополнительными МОП-транзисторами, которые могут обеспечить ток истока 5,4 А и ток стока 9,8 А для быстрого включения и выключения, чтобы минимизировать потери переключения. При R_on равном 0,85 Ом для истока pМОП-транзистора и 0,35 Ом для стока nМОП-транзистора драйвер можно рассматривать почти как идеальный переключатель, позволяющий ему работать с меньшим охлаждением из-за меньшего рассеивания мощности в ИС.

Таблица 1. ИС драйверов затвора CoolSiC ™ MOSFET 650 В Infineon

Наименование	Корпус	Изоляция «вход-выход»		UVLO² (тип.) Вкл/выкл, В	Выходной пиковый ток истока/стока¹, А	CMTI (мин.)	Задержка распро-странения, нс	Точность задержки распро- стра- нения
Наименование	Корпус	Класс изоляции	Номиналы	UVLO² (тип.) Вкл/выкл, В	Выходной пиковый ток истока/стока¹, А	CMTI (мин.)	Задержка распро-странения, нс	Точность задержки распро- стра- нения
1EDN9550B*	SOT-23-6	Без изоляции	Относительно общей точки: ≤ ±200 V_DC≤ ±400 V_AC	14,9/14,4	5,4/-9,8	–	45	-7 нс/+10 нс
1EDN6550B*	SOT-23-6	Без изоляции	Относительно общей точки: ≤ ±200 V_DC≤ ±400 V_AC	12,2/11,5		–	45	-7 нс/+10 нс
1EDB9275F*	DSO-8 150 мил	Одиночная защита	V_iso=3 кВ_RMS(UL1577)	14,9/14,4		300 В/нс	45	-4 нс/+4 нс
1EDB6275F*	DSO-8 150 мил	Одиночная защита	V_iso=3 кВ_RMS(UL1577)	12,2/11,5		300 В/нс	45	-4 нс/+4 нс
2EDF9275F	DSO-16 150 мил	Функциональная	V_IO=1,5 кВ_DC	13,7/12,9		150 В/нс	37	-6 нс/+7 нс
2EDS9265H	DSO-16 300 мил	Усиленная	V_IOTM=8 кВ_пик(VDE 0884-10) V_iso=5,7 кВ_RMS (UL1577)	13,7/12,9		150 В/нс	37	-6 нс/+7 нс
* – Скоро в продаже; ¹V_DDO=15 В, V_out= 0 В, T_{окр. среды}= 25°C; ²UVLO – защита от пониженных напряжений (undervoltage lockout).

Устойчивость к синфазным скачкам (Common-mode transient immunity, CMTI) имеет решающее значение для предотвращения искажения сигнала во время быстрых переходных процессов, возникающих между входными и выходными опорными потенциалами (землями) гальванически изолированной ИС драйвера затвора. Поскольку MOSFET на основе SiC могут генерировать нарастание напряжения выше 100 В/нс, CMTI является ключевым параметром, который следует учитывать при выборе драйвера затвора. Микросхемы 1EDB6275F и 1EDB9275F обеспечивают минимальную устойчивость CMTI на уровне 300 В/нс, а 2EDF9275F и 2EDS9265H – на уровне 150 В/нс, что намного превышает требования для большинства схем с быстрыми переключениями SiC-транзисторов.

Временные характеристики драйвера также имеют важное значение для использования всего потенциала MOSFET на основе SiC. Низкая задержка распространения сигнала от входа к выходу в сочетании с высокой точностью при колебаниях температуры и с учетом разброса параметров микросхем при производстве позволяет использовать короткий период мертвого времени между двумя сигналами ШИМ полумоста. Это повышает КПД за счет увеличения эффективного времени передачи мощности.

На рисунке 5 показан типичный вариант использования MOSFET-транзисторов CoolSiC™ на 650 В компании Infineon в двухтранзисторной схеме с коррекцией коэффициента мощности. Он состоит из SiC-полумоста 48 мОм, управляемого гибридной конфигурацией драйверов EiceDRIVER™ 1EDB9275F и 1EDN9550B. Функции диодов в цепи питания обычно реализуются MOSFET-транзисторами с низким R_DS₍_on₎, работающими как синхронные выпрямители. В итоге такой силовой каскад может управлять мощностью до 3,3 кВт с КПД выше 99% [7].

Рис. 5. Гибридное управление затвором MOSFET CoolSiC™ 650 В на основе EiceDRIVER™ 1EDB9275F и 1EDN9550B

Одним из преимуществ полупроводниковой технологии WBG компании Infineon является возможность использования стандартных драйверов затвора благодаря поддержке управляющих напряжений 0 В и 18 В. Управление затвором с помощью напряжения 18 В снижает R_DS(_on₎примерно на 18% по сравнению с управляющим напряжением в 15 В [8]. В любом случае, учитывая обзор из таблицы 1, у разработчика есть множество вариантов с точки зрения защиты при пониженном управляющем напряжении UVLO. Функция UVLO гарантирует, что в случае падения напряжения питания V_DDO до уровня, при котором силовой ключ будет работать в линейном режиме, ИС драйвера затвора будет держать транзистор в выключенном состоянии и в пределах его безопасной рабочей зоны, что позволяет избежать чрезмерного рассеивания мощности. При управлении затвором с помощью напряжения 15 В для транзисторов с напряжением выключения 11,5 В следует выбрать драйверы 1EDN6550B и 1EDB6275F. Для применений с более высоким напряжением управления затвором (например, 18 В) следует выбирать 1EDN9550B, 1EDB9275F, 2EDF9275F или 2EDS9265H, поскольку их уровень напряжения выключения UVLO выше. Кроме того, как показано на рисунке 5, рекомендуется подключить диод Шоттки между затвором и дополнительным контактом истока транзистора (выводом Кельвина) для сдерживания вызванных переключениями провалов на выводе затвора, которые могут привести к дрейфу порогового напряжения затвора V_GS(th)в течение срока службы.

Поскольку 1EDB9275F, 1EDB6275F, 1EDN9550B и 1EDN6550B имеют инвертирующий (IN-) и неинвертирующий (IN+) входы, перекрестная защита может быть реализована путем разводки обоих сигналов ШИМ на каждую ИС драйвера затвора, как показано на рисунке 5. Любое нежелательное перекрытие сигналов ШИМ верхнего и нижнего плеча не будет распространяться на затворы транзисторов. Если такая дополнительная функция защиты не требуется, ее можно отключить, подключив IN- к GNDI.

Подведем итог: одноканальные и двухканальные ИС драйвера затвора с гальванической развязкой семейства EiceDRIVER™ являются наилучшим выбором для работы с транзисторами CoolSiC™ MOSFET 650 В с целью достижения оптимального сочетания КПД, удельной мощности и надежности для построения высокопроизводительных силовых преобразователей.

•••

Транзисторы OptiMOS с ориентацией кристалла истоком вниз могут стать новым стандартом в изготовлении MOSFET

25 января

телекоммуникацииуправление питаниемInfineonстатьядискретные полупроводникиMOSFETMotor Drive

Бастиан Ланг (Infineon)

Традиционно производители дискретных силовых полупроводниковых приборов добиваются улучшения ключевых характеристик (R_dsON и теплового сопротивления «кристалл-корпус») за счет усовершенствования кристалла. Однако специалисты компании Infineon добились впечатляющих результатов, сориентировав кристалл в корпусе истоком вниз. Такая ориентация кристалла применена, например, в серии MOSFET OptiMOS.

Любой источник питания должен иметь как можно большие значения КПД, удельной мощности, уровня надежности, а также максимально длительный срок службы. На сегодняшний день одним из основных направлений улучшения этих параметров является усовершенствование кристаллов силовых транзисторов, при этом характеристики их корпусов обычно остаются без должного внимания. Однако, как показали результаты исследований специалистов компании Infineon, для уменьшения потерь при преобразовании иногда достаточно всего лишь изменить ориентацию кристалла транзистора внутри его корпуса. Новый способ сборки MOSFET, при котором их кристаллы ориентируются истоком вниз, в ближайшем будущем имеет все шансы стать отраслевым стандартом, а пока данная технология применяется лишь в некоторых продуктах компании Infineon, одними из которых являются уже успевшие завоевать широкую популярность транзисторы семейства OptiMOS.

Способы монтажа кристаллов транзисторов

Полевые транзисторы OptiMOS изготавливаются по траншейной технологии (Trench MOSFET), при которой на одной из сторон кристалла (на стороне истока) создаются специальные канавки – «траншеи» (Trench), в которых формируются области затвора. При такой технологии ток через кристалл протекает в поперечном (вертикальном) направлении, а выводы транзистора располагаются на плоскостях кристалла: на одной стороне – вывод стока, на другой – выводы истока и затвора.

Традиционный вариант размещения полевого транзистора – стоком вниз – показан в левой части рисунка 1. При использовании этого способа сток транзистора монтируется непосредственно на выводную рамку (Lead Frame), обеспечивающую необходимую механическую прочность. Контакт истока, через который протекает значительный ток, подключается к выводной рамке с помощью небольшой медной шины, а контакт затвора – с помощью проволочного проводника.

Рис. 1. Варианты монтажа силового MOSFET в корпусе PQFN 3,3×3,3 мм стоком вниз (слева) и истоком вниз (справа)

Если перевернуть кристалл транзистора, то оказавшиеся внизу контакты истока и затвора теперь можно подключить к контактам выводной рамки напрямую (рисунок 1, справа). При этом контакт стока, который теперь располагается на верхней стороне кристалла, подключается к выводам с помощью медной шины большей площади. Таким образом, это простое решение упрощает технологию монтажа транзистора, а также уменьшает активные и реактивные сопротивления в цепях всех трех выводов.

После переворота транзистора общую конфигурацию выводной рамки можно оставить практически неизменной – это максимально упростит переделку печатной платы преобразователя при переходе на приборы нового типа. Однако такой способ монтажа позволяет также расположить вывод затвора на боковой стороне корпуса, что приведет к увеличению длины пути тока утечки между выводами истока и затвора. Таким образом, у транзисторов OptiMOS возможны три варианта расположения выводов: традиционный – стоком вниз (Drain-Down) (рисунок 2, а), перевернутый – истоком вниз (Source-Down) (рисунок 2, б) и перевернутый с расположением вывода затвора в центре боковой стороны корпуса (Source-Down Center-Gate) (рисунок 2, в).

Рис. 2. Варианты расположения выводов транзисторов OptiMOS в корпусах PQFN с размерами 3,3 х 3,3 мм: традиционный (стоком вниз) – а), перевернутый (истоком вниз) – б) и перевернутый с расположением вывода затвора на боковой стороне корпуса – в)

Преимущества транзисторов с расположением кристалла истоком вниз

Расположение кристалла истоком вниз имеет три ключевых преимущества:

меньшее сопротивление канала в открытом состоянии R_DS(on);
меньшее тепловое сопротивление;
возможности дополнительного снижения температуры транзисторов.

При расположении MOSFET истоком вниз исчезает ряд конструктивных ограничений, присущих транзисторам с традиционной ориентацией кристалла, что позволяет разместить в корпусах PQFN тех же размеров кристаллы большей площади и, в конечном итоге, на 30% уменьшить сопротивление канала в открытом состоянии R_DS(on). Поскольку от сопротивления канала напрямую зависят статические потери, то очевидно, что использование новой технологии монтажа позволяет, как минимум, увеличить КПД преобразователей.

Однако в транзисторах, смонтированных на выводную рамку истоком вниз, есть и другие положительные свойства. В процессе работы транзисторов Trench MOSFET основная часть тепла выделяется в районе канавок (траншей). При монтаже транзистора стоком вниз это тепло, прежде чем попасть на выводную рамку, вначале проходит через кристалл и только потом рассеивается печатной платой. При расположении транзистора истоком вниз канавки непосредственно контактируют с выводной рамкой, имеющей хорошую теплопроводность. Таким образом, тепло, выделяемое на кристалле, теперь отводится напрямую и не приводит к дополнительному увеличению температуры кристалла.

В результате при той же скорости выделения тепла температура транзистора, смонтированного истоком вниз, будет меньше, чем у его неперевернутого аналога. Результаты измерений показывают, что транзисторы с ориентацией кристалла истоком вниз имеют тепловое сопротивление «кристалл-корпус» 1,4 К/Вт, что на 22% меньше, чем при использовании тех же кристаллов, но смонтированных стоком вниз (1,8 К/Вт).

Преимущества применения транзисторов, у которых кристаллы смонтированы истоком вниз, можно наглядно продемонстрировать на примере синхронного понижающего преобразователя (рисунок 3, а). В этой схеме сток транзистора верхнего плеча подключается к шине питания, а исток транзистора нижнего плеча – к общему проводу. Точка соединения истока и стока транзисторов, соответственно, верхнего и нижнего плеч получила название «коммутируемый узел» (Switch Node). Ее особенностью является резкое изменение потенциала от нуля до напряжения питания, что делает ее хорошим источником электромагнитных помех. Для уменьшения уровня нежелательного излучения размеры этого проводника стараются делать как можно меньше, уделяя особое внимание минимизации площадей токовых контуров, образуемых при перезаряде паразитных емкостей, связанных с этим узлом.

Если в обоих плечах преобразователя использовать транзисторы с традиционной ориентацией кристаллов (стоком вниз), то сразу же возникают проблемы с охлаждением транзистора нижнего плеча, вывод стока которого нельзя подключить к печатному проводнику большой площади, поскольку это сразу же увеличит уровень помех. Однако если в этой части схемы применить транзистор, у которого кристалл смонтирован истоком вниз, то проблема его охлаждения будет сразу же исключена, поскольку в этом приборе вывод с большой площадью подключен к истоку, соединяемому с общим проводом. Таким образом, если в синхронном понижающем преобразователе в верхнем плече установить транзистор, у которого кристалл смонтирован стоком вниз, а в верхнем – его перевернутый аналог, то в качестве теплоотводящих площадок для их охлаждения можно использовать шину питания (для транзистора верхнего плеча) и шину общего провода (для транзистора нижнего плеча) (рисунок 3, б). Такое решение позволяет одновременно и снизить температуры кристаллов транзисторов за счет лучшего охлаждения, и уменьшить уровень электромагнитных помех за счет уменьшения площади проводников, связанных с коммутируемым узлом, не говоря уже о том, что перевернутый транзистор будет иметь меньшее сопротивление канала в проводящем состоянии, что приведет к увеличению КПД.

Рис. 3. Схема синхронного понижающего преобразователя – а) и конфигурация проводников печатной платы при использовании транзисторов с разной ориентацией кристаллов – б)

Особенности параллельной работы

В системах гарантированного электроснабжения, где несколько источников питания объединяются по схеме ИЛИ, а также в узлах защиты питающих шин, например, в цепях аккумуляторной батареи, через силовые транзисторы могут протекать достаточно большие токи, а их коммутация происходит достаточно редко. В этом случае одним из ключевых параметров транзистора становится сопротивление его канала в открытом состоянии R_DS(on), для уменьшения которого достаточно часто используют параллельное соединение нескольких транзисторов. В этом случае особое значение имеет величина тока утечки в цепи затвора, определяющая уровень потерь, возникающих в узлах управления. Для подобных приложений наилучшим образом подходят перевернутые транзисторы, у которых вывод затвора расположен в средней части одной из боковых сторон корпуса (Source-Down Center-Gate). Это позволяет максимально разнести в пространстве управляющие проводники транзисторов и расположить их на одном слое печатной платы вместо того, чтобы подключать их к затворам через дополнительные переходные отверстия.

Результаты исследований эффективности технологии Source-Down

В качестве примера, демонстрирующего преимущества новой технологии, сравним КПД трех преобразователей одинаковой мощности, транзисторы которых переключаются на одинаковой частоте. В первой схеме (рисунок 4, а) были использованы транзисторы в корпусе PQFN с размерами 5 x 6 мм, во второй (рисунок 4, б) – лучшие в отрасли транзисторы в корпусе PQFN с размерами 3,3 x 3,3 мм, и, наконец, в третьей (рисунок 4, в) – транзистор с перевернутым кристаллом в нижнем плече.

Рис. 4. Схемы преобразователей: с транзисторами в корпусе PQFN 5×6 мм – а), с лучшими в отрасли транзисторами в корпусе PQFN 3,3×3,3 – б), с транзистором Source-Down в нижнем плече – в)

Результаты измерений (рисунок 5) показывают, что преобразователь, у которого в нижнем плече используется перевернутый транзистор, при максимальной мощности имеет приблизительно на 1,5% больший КПД по сравнению с другими схемами. При длительной работе в режимах, близких к максимальной мощности, это отличие может иметь решающее значение, поскольку уровень тепловыделений на печатной плате обычно ограничен.

Рис. 5. Зависимости КПД нагрузки преобразователей, показанных на рисунке 4

Кроме этого, были проведены исследования температуры корпусов транзисторов, работающих в статическом режиме. Результаты измерений показали, что при токе 20 А температура корпусов транзисторов, у которых кристаллы ориентированы стоком вниз, приблизительно на 10°С меньше чем у их традиционных аналогов в тех же корпусах PQFN 3,3 x 3,3 мм. Этот результат является вполне ожидаемым, поскольку транзисторы, изготовленные по технологии Source-Down, имеют меньшее тепловое сопротивление (благодаря лучшему отводу тепла) и меньшее сопротивление канала в открытом состоянии (благодаря использованию кристаллов большей площади).

Заключение

Новый вариант ориентации кристаллов полевых транзисторов имеет все шансы в ближайшем будущем стать стандартом в области изготовления силовых полупроводниковых приборов подобного класса, ведь такой подход позволяет улучшить два ключевых параметра MOSFET: сопротивление кристалла в открытом состоянии и тепловое сопротивление «кристалл-корпус». Кроме этого, комбинация традиционных и инновационных подходов к упаковке транзисторов позволяет упростить технологию импульсного преобразования, позволяя создавать устройства с меньшим уровнем помех и большей удельной мощностью. Таким образом, технология Source-Down стала еще одним этапом в развитии силовой электроники, позволившим инженерам создавать приложения с характеристиками, недостижимыми при использовании других технологий.

Оригинал статьи

Перевел Александр Русу по заказу АО Компэл

•••

Power MOSFET — Infineon Technologies

Мощные N-канальные и P-канальные полевые МОП-транзисторы Infineon спроектированы уникальным образом, чтобы повысить эффективность, удельную мощность и экономичность.

Подкатегории силовых полевых МОП-транзисторов

Свернуть все подкатегории Развернуть все подкатегории

Мощный МОП-транзистор представляет собой полевой транзистор типа металл-оксид-кремний, предназначенный для работы при низких напряжениях, обеспечивающий высокую скорость переключения и оптимальный КПД. Эта инновационная технология занимает центральное место в широком спектре приложений, включая бытовую электронику, источники питания, преобразователи постоянного тока в постоянный, контроллеры двигателей, радиочастотные (РЧ) приложения, транспортные технологии и автомобильную электронику.

О силовых полевых МОП-транзисторах

Infineon является лидером на рынке эффективных решений для выработки электроэнергии, энергоснабжения и энергопотребления, предлагая широкий ассортимент современных силовых полевых МОП-транзисторов. Мощные полевые МОП-транзисторы последнего поколения были разработаны для обеспечения лучших в своем классе характеристик, повышения эффективности и оптимизации тепловых характеристик и электромагнитных помех. Являясь ведущим мировым производителем и поставщиком полевых МОП-транзисторов, компания Infineon предлагает транзисторы металл-оксид-кремний высочайшего качества, отвечающие самым разнообразным требованиям. В нашем ассортименте продукции вы найдете надежные решения для всех основных задач, с которыми сталкиваются разработчики и производители в самых разных областях применения.

Для приложений AC-DC, требующих возможности блокировки высокого напряжения и быстрого переключения с малыми потерями, революционная технология суперперехода CoolMOS™ обеспечивает более эффективные источники питания. Полевые МОП-транзисторы Infineon с суперпереходом соответствуют как текущим, так и будущим тенденциям в различных топологиях, от простого обратного хода до TCM Totem Pole PFC. Разработчики получают выгоду от работы при высоких температурах, улучшенного форм-фактора и повышенной эффективности.

Применения DC-DC могут характеризоваться потребностью в очень быстром переключении с малыми потерями или в более надежном переключении на умеренных частотах. Уникальная технология Power MOSFET OptiMOS™ от Infineon обеспечивает сверхнизкие потери при переключении в источниках питания с частотой выше 100 кГц, предоставляя разработчикам высокую эффективность и новые возможности в приложениях с жесткой коммутацией. Ассортимент продукции OptiMOS™ включает в себя широкий ассортимент низковольтных полевых МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам систем повышать удельную мощность и снижать затраты при сохранении высочайшего уровня надежности.

В приложениях, требующих высокой защиты от лавин, таких как управление двигателем, разработчики могут воспользоваться высоконадежным силовым МОП-транзистором StrongIRFET™. Эти полевые МОП-транзисторы обеспечивают максимальную эффективность в конечных приложениях, требующих высокого уровня энергоэффективности, но ограниченных по размеру, таких как электрические и садовые инструменты, легкие электромобили, дроны и электровелосипеды. Инновационные МОП-транзисторы Infineon обеспечивают превосходную производительность при снижении затрат, что делает их оптимальным выбором для высокопроизводительных преобразователей постоянного тока.

Для конструкций, требующих высочайшего качества и улучшенных функций защиты, сертифицированные для автомобильной промышленности n-канальные и p-канальные полевые МОП-транзисторы Infineon являются идеальным решением. Эти высокомощные полевые МОП-транзисторы превосходят отраслевые стандарты AEC-Q101, что делает их самыми надежными полевыми МОП-транзисторами, доступными на рынке на сегодняшний день.

Полный ассортимент n-канальных и p-канальных мощных полевых МОП-транзисторов и систем Infineon обеспечивает инновации, производительность и эффективность для желаемого приложения — от импульсных источников питания (SMPS) до вычислений, управления двигателем и приводами, потребительскими, мобильными устройствами, световые решения, автомобилестроение и многое другое.

Чтобы узнать больше об ассортименте корпусов мощных полевых МОП-транзисторов Infineon, ознакомьтесь с ассортиментом нашей продукции ниже.

Ассортимент продукции Power MOSFET

Infineon — крупнейший в мире производитель силовых полупроводниковых компонентов, предлагающий наиболее полный ассортимент металлооксидно-кремниевых транзисторов. С приобретением International Rectifier (IRF) в 2015 году Infineon продолжила укреплять и расширять этот портфель, включив в него все продукты IRF MOSFET, а также силовые MOSFET, что вывело нас на передовые позиции в отрасли.

Ассортимент продукции Infineon power MOSFET предлагает высокоэффективные решения для выработки электроэнергии, энергоснабжения и энергопотребления для различных приложений, таких как солнечные микроинверторы, серверы и телекоммуникации, а также электромобили.

OptiMOS™, StrongIRFET™, CoolMOS™ и CoolSiC™

Благодаря инновационным силовым полевым МОП-транзисторам низкого и среднего напряжения OptiMOS™ и StrongIRFET™, а также революционным семействам полевых МОП-транзисторов с суперпереходом CoolMOS™ компания Infineon устанавливает новые стандарты в отрасли. В то же время наш ассортимент автомобильных МОП-транзисторов обеспечивает превосходную производительность благодаря ведущей технологии МОП-транзисторов Infineon, превосходному качеству и надежной упаковке. Семейства карбид-кремниевых МОП-транзисторов CoolSiC™ обеспечивают лучшую производительность, надежность и простоту использования для разработчиков систем.

Ассортимент продукции Infineon для мощных МОП-транзисторов обширен и включает в себя широкий выбор силовых МОП-транзисторов и дискретных МОП-транзисторов, включая дискретные 4-выводные МОП-транзисторы (MOSFET 4). Ознакомьтесь с полным списком мощных полевых МОП-транзисторов и полевых МОП-транзисторов IRF здесь:

Автомобильный МОП-транзистор
P-канальный МОП-транзистор
N-канальный МОП-транзистор
12–40 В N-канальный МОП-транзистор
45–80 В N-канальный МОП-транзистор
85–300 В N-канальный МОП-транзистор
500–950 В N-канальный МОП-транзистор
МОП-транзистор малого сигнала/малой мощности
N-канальный полевой МОП-транзистор в режиме истощения
Двойной МОП-транзистор
МОП-транзистор из карбида кремния

Для дизайнеров и разработчиков, желающих приобрести передовые МОП-транзисторы, компания Infineon является ведущим производителем мощных МОП-транзисторов. Изучите наше портфолио, чтобы найти полевые МОП-транзисторы различных размеров и сильноточные полевые МОП-транзисторы, которые удовлетворят любые потребности.

Применение силовых МОП-транзисторов

Независимо от области применения, тип используемого мощного полевого МОП-транзистора напрямую влияет на общую производительность, поэтому очень важно выбрать правильную технологию. Благодаря высококачественному дизайну и надежности революционная технология Infineon обеспечивает улучшенные форм-факторы, способствуя снижению общей стоимости системы, что делает ее оптимальным выбором.

Еще одним важным преимуществом MOSFET-транзистора Infineon является значительное общее снижение энергопотребления. Это помогает свести к минимуму выбросы CO ₂ , что снижает затраты и позволяет создавать более экологичные системы и продукты. МОП-транзистор с суперпереходом CoolMOS™ от Infineon предлагает целый ряд вариантов для потребительских, промышленных и автомобильных приложений, таких как освещение, телевидение, аудио, сервер/телекоммуникации, солнечная энергия, зарядка электромобилей, преобразователь постоянного тока в постоянный, бортовые зарядные устройства и многое другое. Вы можете более подробно ознакомиться с приложениями Infineon для мощных полевых МОП-транзисторов в следующих разделах.

МОП-транзисторы для промышленных приложений

Мощные МОП-транзисторы необходимы для ряда промышленных приложений, и Infineon предлагает передовые решения для любых нужд. Инновационные полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS™, CoolMOS™ и StrongIRFET™ низкого и среднего напряжения неизменно отвечают самым высоким требованиям к качеству и производительности в ключевых спецификациях для проектирования энергосистем, таких как сопротивление в открытом состоянии и добротность. Ассортимент мощных полевых МОП-транзисторов OptiMOS™, дополненный StrongIRFET™, создает поистине мощную комбинацию. Воспользуйтесь преимуществами надежности и выдающегося соотношения цены и качества полевых МОП-транзисторов StrongIRFET™ вместе с лучшей в своем классе технологией полевых МОП-транзисторов OptiMOS™. Оба семейства продуктов имеют явные преимущества, позволяя вам:

Снижение общих затрат на систему за счет уменьшения количества фаз в многофазных преобразователях
Снижение потерь мощности и повышение эффективности при любых условиях нагрузки
Экономьте место с помощью самых маленьких пакетов или комплексных решений
Сведение к минимуму электромагнитных помех в системе, что делает внешние демпфирующие сети устаревшими, а продукты — простыми в проектировании — в

В ассортименте Infineon вы найдете множество мощных полевых МОП-транзисторов для промышленных приложений, в том числе P-Channel MOSFET, а также N-Channel MOSFET, которые включают классы 12–40 В, 45–80 В и 85–300 В. Наш ассортимент продукции также включает 500V-9N-канальный силовой МОП-транзистор CoolMOS™ 50 В, маломощный МОП-транзистор малой мощности от -250 В до 600 В, N-канальный МОП-транзистор с режимом истощения 60–600 В, комплементарный МОП-транзистор 20–60 В и карбид-кремниевый МОП-транзистор 650–1700 В.

МОП-транзисторы для автомобильных приложений

Ассортимент автомобильных силовых МОП-транзисторов Infineon сочетает в себе ведущую технологию OptiMOS™ с надежными корпусами, обеспечивающими превосходную производительность и выдающуюся допустимую нагрузку по току. Наше разнообразное семейство корпусов полевых МОП-транзисторов, предназначенных для автомобилей, может выдавать большой ток и обеспечивает эталонное качество в диапазоне напряжений от 20 до 800 В. В то же время лучший в своем классе R _DS(on) производительность обеспечивает повышенную эффективность системы. Используя продукты из нашего ассортимента силовых МОП-транзисторов для автомобильных приложений, вы получите следующие преимущества:

Самые высокие токи в корпусах TOLL (10×12 мм) и sTOLL (7×8 мм)
Наименьший форм-фактор полумоста 5×6 мм
Пакет с верхним охлаждением в корпусе TOLT 10×15 мм
Самые низкие потери мощности при переключении и проводимости для повышения надежности тепловой системы во всех корпусах
Прочная зеленая упаковка для удобного обращения

Для силовых полевых МОП-транзисторов 600–800 В превосходная технология суперперехода CoolMOS™ от Infineon, сертифицированная для автомобилей, обеспечивает высокую производительность. Полевые МОП-транзисторы Infineon с суперпереходом соответствуют как текущим, так и будущим тенденциям, а разработчики выигрывают от более низкой температуры, улучшенного форм-фактора и повышенной эффективности.

Предлагаемые усовершенствования технологии силового преобразователя SiC MOSFET решают существующие проблемы

Предоставлено: iEnergy, издательство Университета Цинхуа.

Транзисторы, которые представляют собой устройства, которые контролируют или усиливают электрические сигналы и мощность, являются одним из наиболее распространенных компонентов современной электроники. Наиболее широко используемый транзистор известен как MOSFET, что означает полевой транзистор металл-оксид-полупроводник. МОП-транзисторы используются с 1960-х годов и обычно используют кремний в качестве полупроводника. В последней версии MOSFET в качестве полупроводника используется карбид кремния, известный как SiC MOSFET. Это имеет много преимуществ, но не получило широкого распространения для преобразования энергии среднего напряжения. Это связано с рядом проблем, связанных с SiC MOSFET, которые исследователи надеются решить, объединив новые технологии.

SiC MOSFET обладают многими преимуществами по сравнению с традиционными транзисторами. По сравнению с существующей технологией SiC MOSFET могут удовлетворить требования современной электроники за счет повышения эффективности и удельной мощности. Однако, если бы вы просто заменили текущую технологию SiC MOSFET как есть, преимуществ для оправдания перехода было бы недостаточно. Чтобы получить максимальную отдачу от SiC MOSFET и расширить их применение в широком спектре приложений, исследователи использовали новые технологии и стратегии управления для улучшения работы SiC MOSFET в приложениях среднего напряжения.

Методы были описаны в статье, опубликованной 22 апреля в iEnergy .

«Для преобразования энергии среднего напряжения SiC MOSFET на 10 кВ обладают неотъемлемыми преимуществами, такими как высокое напряжение пробоя, быстрое переключение, работа при высоких температурах и низкое удельное сопротивление в открытом состоянии», — сказал автор статьи Славко Моцевич, исследователь из Корпоративный исследовательский центр ABB в Роли, Северная Каролина, США.

Мочевич также описал множество практических применений этой технологии. «В таких приложениях, как электрические суда, густонаселенные городские районы и, в некоторых случаях, возобновляемые источники энергии, — объяснил Мочевич, — часто ограниченные и дорогие земля и пространство требуют преобразователей с высокой плотностью и высокой эффективностью. Если преобразователь использует 10 kV SiC MOSFET, система выигрывает от более высокой эффективности, более высокой частоты переключения, высокой плотности, упрощения сети и высокой пропускной способности управления».

Исследователи определили множество новых технологий, которые могут помочь в использовании SiC MOSFET в силовых преобразователях среднего напряжения. К ним относятся усовершенствованные драйверы затворов, источники питания драйверов затворов, подавляющие электромагнитные помехи, и добавление преобразователей беспроводной передачи энергии. Тем не менее, исследователи определили методологии управления циклом переключения (SCC) и интегрированного транзистора с блокировкой конденсатора (ICBT) как наиболее важные. «Потенциал разработанных методологий управления SCC и ICBT в сочетании с устройствами SiC MOSFET на 10 кВ огромен», — сказал Мочевич. «Эти преобразователи полностью используют преимущества быстрой скорости коммутации и высокой скорости переключения, предлагаемые SiC. Они также значительно повышают удельную мощность и эффективность и снижают требования к охлаждению». Другие преимущества этой комбинации технологий включают возможность использовать мощность как переменного (AC), так и постоянного тока (DC), низкочастотную работу и неограниченное напряжение.

Преодолев такие проблемы, как электромагнитные помехи, высокая частота переключения, быстрые переходы напряжения и необходимость в высоковольтной изоляции, технология SiC MOSFET может более широко применяться в преобразователях среднего напряжения. Забегая вперед, Мочевич сказал: «Следующим непосредственным шагом будет повышение производительности и полное понимание поведения этого преобразователя, чтобы обеспечить стабильную работу во всех ситуациях для всех целевых приложений. Конечная цель — разработать семейство сетей среднего напряжения, которые использовать управление SCC и ICBT, которое может полностью использовать вычислительную мощность устройств SiC. Это эффективно решит проблему отсутствия схемных решений, которые в настоящее время препятствуют их внедрению».

Узнать больше

Две усовершенствованные интегральные схемы управления питанием

Дополнительная информация: Славко Мочевич и др., Проектирование высокоплотного, высокоэффективного модульного преобразователя мощности среднего напряжения на основе SiC MOSFET 10 кВ, iEnergy (2022). DOI: 10.23919/IEN.2022.0001

Предоставлено Издательство Университета Цинхуа

Цитата : Предлагаемые улучшения технологии силового преобразователя SiC MOSFET решают существующие проблемы (2022, 13 мая) получено 7 октября 2022 г. с https://techxplore.com/news/2022-05-sic-mosfet-power-technology.html

Этот документ защищен авторским правом. Помимо любой добросовестной сделки с целью частного изучения или исследования, никакие часть может быть воспроизведена без письменного разрешения. Контент предоставляется только в ознакомительных целях.

МОП-транзисторы

По технологии

Дискретные и силовые модули МОП-транзисторы Силовые модули Карбид кремния (SiC) Все остальные

Управление энергопотреблением Устройства с питанием от PoE Драйверы ворот Преобразование переменного тока в постоянный Все остальные

Формирование сигнала и управление

Датчики

Блок управления двигателем

Пользовательские и ASSP

Интерфейсы

Беспроводное подключение

Синхронизация, логика и память

Решением

Автомобильный

промышленный

Облако

5G и предприятия

Интернет вещей (IoT)

Мобильный

Узнайте больше о карбиде кремния

(SiC)
Полная экосистема деталей для поддержки широкой запрещенной зоны схемы питания, включая SiC-диоды, SiC-MOSFET и SiC-модули.
Посмотреть продукт
Быстрые ссылки:
Новые продуктыПродукт Услуги
Автомобильный ADASPowertrain, Safety and SecurityBody Electronics and LED LightingTechnologyЭлектрификация транспортных средств
промышленный Энергетическая инфраструктураТехнологииПромышленная автоматизацияУмные здания
5G и облачная мощь Телекоммуникационная инфраструктураМощность сервера
Интернет вещей (IoT) Возможности подключенияIoT Управление питаниемIoT Платформы прототипированияSensingTechnology
Медицинский Аудиология FocusClinical Point-of-CareПортативные медицинские устройстваМедицинские устройства визуализации
Аэрокосмическая промышленность и оборона Защита от несанкционированного доступа Active ShieldRad Hard Space & Hi-Rel ASICsRad Hard Aerospace ASIC
Товарищества
Партнерство Субару Экосистема Партнеры
Знакомство с датчиком дождя и освещенности решение!
Датчики дождя и света маленькие оптоэлектронные модули, обычно расположенные в задней части автомобиля зеркало.
Просмотр решения
Инструменты и программное обеспечение Инструмент рекомендации продукта+Интерактивные блок-схемыИнструменты оценки/разработкиВеб-дизайнер+Инструменты дизайнаStrata Developer StudioSimulation/SPICE Models
Ресурсы Библиотека видеоТехническая документацияБиблиотека ПОPower Webinars
Техническая поддержкаПоддержка продаж и распространенияЧасто задаваемые вопросы
Свяжитесь с нами Услуги поставщика
Форумы сообщества Bluetooth с низким энергопотреблением

Вам нужна техническая поддержка?
Отправить Проездной билет
Вы предпочитаете человека? Позвоните нам!
Америка: 011 421 33 790-2910
EMEA: 00421 33 790-2910
О онсеми Экосистемные партнерыКорпоративный информационный бюллетеньКачество и надежностьЛидерствоИнтеллектуальная собственностьМестоположения
Экологические, социальные и Управление Годовой отчет об устойчивом развитииРазнообразие, равенство и инклюзивность Программа Giving NowЭтика и соблюдение нормативных требованийСоциальная ответственность
Свяжитесь с нами
События ВыставкиВебинары
Новости и СМИ Объявления для прессыВ новостяхБлогБиблиотека изображенийСМИ Контакты
Отношения с инвесторами СобытияУправлениеФинансыИнформация об акцияхНовостиРесурсы
Вы ищете, чем заняться? Присоединяйтесь к нам на выставке VISION!
4-6 октября 2022 г.

MOSFET

MOSFET и драйверы затвора Infineon

Выбор технологий

Оптимальные применения каждой технологии

ИС EiceDRIVER™ для комплексного решения

Транзисторы OptiMOS с ориентацией кристалла истоком вниз могут стать новым стандартом в изготовлении MOSFET

Способы монтажа кристаллов транзисторов

Преимущества транзисторов с расположением кристалла истоком вниз

Особенности параллельной работы

Результаты исследований эффективности технологии Source-Down

Заключение

Power MOSFET — Infineon Technologies

Мощные N-канальные и P-канальные полевые МОП-транзисторы Infineon спроектированы уникальным образом, чтобы повысить эффективность, удельную мощность и экономичность.

Подкатегории силовых полевых МОП-транзисторов

Ассортимент продукции Power MOSFET

Применение силовых МОП-транзисторов

Предлагаемые усовершенствования технологии силового преобразователя SiC MOSFET решают существующие проблемы

МОП-транзисторы

Узнайте больше о карбиде кремния

Знакомство с датчиком дождя и освещенности решение!

Вам нужна техническая поддержка?

Вы ищете, чем заняться? Присоединяйтесь к нам на выставке VISION!

alexxlab

Добавить комментарий Отменить ответ

Рубрики