Транзисторы МП в Подольске: 82-товара: бесплатная доставка [перейти]
Партнерская программаПомощь
Подольск
Каталог
Каталог Товаров
Одежда и обувь
Одежда и обувь
Стройматериалы
Стройматериалы
Здоровье и красота
Здоровье и красота
Детские товары
Детские товары
Текстиль и кожа
Текстиль и кожа
Продукты и напитки
Продукты и напитки
Дом и сад
Дом и сад
Электротехника
Электротехника
Сельское хозяйство
Сельское хозяйство
Мебель и интерьер
Мебель и интерьер
Вода, газ и тепло
Вода, газ и тепло
Все категории
ВходИзбранное
Транзистор МП21 Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор МП106 Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор TIP115 TO220 Тип: транзистор, Производитель: Без бренда
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор P-MOSFET полевой ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) FQP4P40 (FQP4P40) Тип: транзистор,
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор полевой IRFZ44N (41A, 55V) Тип: транзистор, Производитель: Без бренда
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор МП25 Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор IRFB4310Z, K10-41 Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор N-MOSFET полевой TOSHIBA TK35E08N1,S1X(S (TK35E08N1) Тип: транзистор, Производитель:
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
транзистор МП101 Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор мп13 германиевый Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор AOD4286, K241-35 Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор IGBT Infineon (IRF) IRGP35B60PDPBF (IRGP35B60PDPBF) Тип: транзистор, Производитель:
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор RJP4301, K3-35 Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор IGBT NPT IXYS IXDh45N60BD1 (IXDh45N60BD1) Тип: транзистор, Производитель: IXYS
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор BSR52, K153-41 Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор МП26Б Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 115А, 33Вт, DFN5x6 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AON6512 Тип:
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
МП 40 А транзистор Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор МП15А Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор МП16 Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
4039253811540 цоколевка40 содержание драгметалловТранзистор МП15 Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор МП16Б Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор МП21 Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор BC328-40 TO92 Тип: транзистор, Производитель: Без бренда
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
транзистор МП25 Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор D13N3LT, K35-35 Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор AOD484, K126-35 Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
Транзистор NPN биполярный STMicroelectronics TIP35C (TIP35C) Тип: транзистор, Производитель:
ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары
2 страница из 4
Транзисторы МП
Даташит на транзистор кт819
Содержание
- DataSheet
- Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.
- Транзистор КТ819
DataSheet
Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.
Транзистор КТ819
Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
Аналог | КТ819А | BD2921, TIP41, 2SC1354 *3 , SDT9307 *3 , SDT9304 *3 , SDT9301 *3 , TIP41 *2 , SSP82 *3 | |||
КТ819Б | BD202, BDT91, 40875, BD278A, BD278, BD245, 40624 *2 , BD663, BD553 *2 | ||||
КТ819В | BD201, BDT93, 2SC2098 *2 , 2N5493, 2N5492, TIP3055T, STI3055T, РН3055Т, MJE3055T, BD501A *2 , 2N6099, 2N6098, BDX71, BDT91, BD535 *2 , KSE3055T, BEL3055, 2N6099E | ||||
КТ819Г | BD203, BDT95, BD711 *2 , BDW21C *1 , BLY17A *3 , TIP41С *2 , SSP82C *3 , SDT9309 *3 , SDT9306 *3 , SDT9303 *3 , 2SC681AYL *3 , 2SC681ARD *3 , 2N4130 *3 | ||||
КТ819АМ | BD181,BD130, MJ2801, 1561-0404, BD142, MJE1660 *1 , SDT9307 *2 , SDT9304 *2 , SDT9301 *2, BDX13, BLV38 *3 , 40251, 40325, 2N3055/5 | ||||
КТ819БМ | BD142, BDW21A, 2N6470, 2N3667 *2 , BD743 *1 , BDW51, BDW21 *2 , SDT9201, BD245 *3 , SDT9205 *2 | ||||
КТ819ВМ | BD182, BDX91, BD207 *3 , BDW21A *2 , BD907 *1 , BDS10 *1 , BDS10SM | ||||
КТ819ГМ | BD183, 2N3055, 2N6371HV, BD711 *3 , BDW21C *2 , SDT9208, 2N3055/7, 2N3055/6, 2N3239 *2 , 2N3238 *2 , BD909 *3 , BDW21B *2 , SDT9207 *2 | ||||
КТ819А-1 | BD545C, MJE1660 *2 , BLV38 *3 | ||||
КТ819Б-1 | BD545B, 2N3667 *1 , 2N6253 *1 , BD278 *3 , BD278A *3 , BD743 *1 , BD705 *1 | ||||
КТ819В-1 | BD545A, 40363 *3 , BD207 *3 , BD501A *3 , BDS10SM *1 , BDS10 *1 , BD907 *1 | ||||
КТ819Г-1 | BD545, 2N3236 *1 , 2N3239 *3 , 2N3238 *3 , BD909 *1 , BD709 *3 , SDT9207 *3 , SM2176 *1 | ||||
Структура | — | n-p-n | |||
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P * K, τ max,P ** K, и max | КТ819А | — | 1. 5; 60* | Вт |
КТ819Б | — | 1.5; 60* | |||
КТ819В | — | 1.5; 60* | |||
КТ819Г | — | 1.5; 60* | |||
КТ819АМ | — | 2; 100* | |||
КТ819БМ | — | 2; 100* | |||
КТ819ВМ | — | 2; 100* | |||
КТ819ГМ | — | 2; 100* | |||
КТ819А-1 | — | 2; 100* | |||
КТ819Б-1 | — | 2; 100* | |||
КТ819В-1 | — | 2; 100* | |||
КТ819Г-1 | — | 2; 100* | |||
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f * h31б, f ** h31э, f *** max | КТ819А(М,-1) | — | ≥3 | МГц |
КТ819Б(М,-1) | — | ≥3 | |||
КТ819В(М,-1) | — | ≥3 | |||
КТ819Г(М,-1) | — | ≥3 | |||
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб. , U * КЭR проб., U ** КЭО проб. | КТ819А(М,-1) | 0.1к | 40* | В |
КТ819Б(М,-1) | 0.1к | 50* | |||
КТ819В(М,-1) | 0.1к | 70* | |||
КТ819Г(М) | 0.1к | 100* | |||
КТ819Г-1 | 0.1к | 90* | |||
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ819А(М,-1) | — | 5 | В |
КТ819Б(М,-1) | — | 5 | |||
КТ819В(М,-1) | — | 5 | |||
КТ819Г(М,-1) | — | 5 | |||
Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I * К , и max | КТ819А | — | 10(15*) | А |
КТ819Б | — | 10(15*) | |||
КТ819В | — | 10(15*) | |||
КТ819Г | — | 10(15*) | |||
КТ819АМ(-1) | — | 15(20*) | |||
КТ819БМ(-1) | — | 15(20*) | |||
КТ819ВМ(-1) | — | 15(20*) | |||
КТ819ГМ(-1) | 15(20*) | ||||
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I * КЭR, I ** КЭO | КТ819А(М,-1) | 40 В | ≤1 | мА |
КТ819Б(М,-1) | 40 В | ≤1 | |||
КТ819В(М,-1) | 40 В | ≤1 | |||
КТ819Г(М,-1) | 40 В | ≤1 | |||
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h * 21Э | КТ819А(М,-1) | 5 В; 5 А | ≥15* | |
КТ819Б(М,-1) | 5 В; 5 А | ≥20* | |||
КТ819В(М,-1) | 5 В; 5 А | ≥15* | |||
КТ819Г(М,-1) | 5 В; 5 А | ≥12* | |||
Емкость коллекторного перехода | cк, с * 12э | КТ819А(М,-1) | 5 В | ≤1000 | пФ |
КТ819Б(М,-1) | 5 В | ≤1000 | |||
КТ819В(М,-1) | 5 В | ≤1000 | |||
КТ819Г(М,-1) | 5 В | ≤1000 | |||
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К ** у. р. | КТ819А(М) | — | ≤0.4 | Ом, дБ |
КТ819Б(М) | — | ≤0.4 | |||
КТ819В(М) | — | ≤0.4 | |||
КТ819Г(М) | — | ≤0.4 | |||
КТ819А-1 | — | ≤1 | |||
КТ819Б-1 | — | ≤1 | |||
КТ819В-1 | — | ≤1 | |||
КТ819Г-1 | — | ≤1 | |||
Коэффициент шума транзистора | Кш, r * b, P ** вых | КТ819А(М,-1) | — | — | Дб, Ом, Вт |
КТ819Б(М,-1) | — | — | |||
КТ819В(М,-1) | — | — | |||
КТ819Г(М,-1) | — | — | |||
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t ** выкл, t *** пк(нс) | КТ819А(М,-1) | — | ≤2500** | пс |
КТ819Б(М,-1) | — | ≤2500** | |||
КТ819В(М,-1) | — | ≤2500** | |||
КТ819Г(М,-1) | — | ≤2500** |
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.