Site Loader

Транзисторы МП в Подольске: 82-товара: бесплатная доставка [перейти]

Партнерская программаПомощь

Подольск

Каталог

Каталог Товаров

Одежда и обувь

Одежда и обувь

Стройматериалы

Стройматериалы

Здоровье и красота

Здоровье и красота

Детские товары

Детские товары

Текстиль и кожа

Текстиль и кожа

Продукты и напитки

Продукты и напитки

Дом и сад

Дом и сад

Электротехника

Электротехника

Сельское хозяйство

Сельское хозяйство

Мебель и интерьер

Мебель и интерьер

Вода, газ и тепло

Вода, газ и тепло

Все категории

ВходИзбранное

Транзистор МП21 Тип: транзистор

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

Транзистор МП106 Тип: транзистор

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

Транзистор TIP115 TO220 Тип: транзистор, Производитель: Без бренда

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

Транзистор P-MOSFET полевой ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) FQP4P40 (FQP4P40) Тип: транзистор,

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

Транзистор полевой IRFZ44N (41A, 55V) Тип: транзистор, Производитель: Без бренда

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

Транзистор МП25 Тип: транзистор

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

Транзистор IRFB4310Z, K10-41 Тип: транзистор

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

Транзистор N-MOSFET полевой TOSHIBA TK35E08N1,S1X(S (TK35E08N1) Тип: транзистор, Производитель:

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

транзистор МП101 Тип: транзистор

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

Транзистор мп13 германиевый Тип: транзистор

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

Транзистор AOD4286, K241-35 Тип: транзистор

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

Транзистор IGBT Infineon (IRF) IRGP35B60PDPBF (IRGP35B60PDPBF) Тип: транзистор, Производитель:

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

Транзистор RJP4301, K3-35 Тип: транзистор

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

Транзистор IGBT NPT IXYS IXDh45N60BD1 (IXDh45N60BD1) Тип: транзистор, Производитель: IXYS

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

Транзистор BSR52, K153-41 Тип: транзистор

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

Транзистор МП26Б Тип: транзистор

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 115А, 33Вт, DFN5x6 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AON6512 Тип:

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

МП 40 А транзистор Тип: транзистор

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

Транзистор МП15А Тип: транзистор

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

Транзистор МП16 Тип: транзистор

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

4039253811540 цоколевка40 содержание драгметаллов

Транзистор МП15 Тип: транзистор

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

Транзистор МП16Б Тип: транзистор

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

Транзистор МП21 Тип: транзистор

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

Транзистор BC328-40 TO92 Тип: транзистор, Производитель: Без бренда

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

транзистор МП25 Тип: транзистор

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

Транзистор D13N3LT, K35-35 Тип: транзистор

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

Транзистор AOD484, K126-35 Тип: транзистор

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

Транзистор NPN биполярный STMicroelectronics TIP35C (TIP35C) Тип: транзистор, Производитель:

ПОДРОБНЕЕЕще цены и похожие товары

2 страница из 4

Транзисторы МП

Даташит на транзистор кт819

Содержание

  1. DataSheet
  2. Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.
  3. Транзистор КТ819

DataSheet

Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.

Транзистор КТ819

Параметры транзистора КТ819
ПараметрОбозначениеМаркировкаУсловияЗначениеЕд. изм.
АналогКТ819АBD2921, TIP41, 2SC1354 *3 , SDT9307 *3 , SDT9304 *3 , SDT9301 *3 , TIP41 *2 , SSP82 *3
КТ819БBD202, BDT91, 40875, BD278A, BD278,

BD245, 40624 *2 , BD663, BD553 *2

КТ819ВBD201, BDT93, 2SC2098 *2 , 2N5493, 2N5492,

TIP3055T, STI3055T,

РН3055Т, MJE3055T,

BD501A *2 , 2N6099, 2N6098,

BDX71, BDT91, BD535 *2 , KSE3055T, BEL3055,

2N6099E

КТ819ГBD203, BDT95, BD711 *2 , BDW21C *1 , BLY17A *3 , TIP41С *2 , SSP82C *3 , SDT9309 *3 , SDT9306 *3 , SDT9303 *3 , 2SC681AYL *3 , 2SC681ARD *3 , 2N4130 *3
КТ819АМBD181,BD130, MJ2801, 1561-0404, BD142, MJE1660 *1 , SDT9307 *2 , SDT9304 *2 , SDT9301 *2, BDX13, BLV38 *3 , 40251, 40325, 2N3055/5
КТ819БМBD142, BDW21A, 2N6470, 2N3667 *2 , BD743 *1 , BDW51, BDW21 *2 , SDT9201, BD245 *3 , SDT9205 *2
КТ819ВМBD182, BDX91, BD207 *3 , BDW21A *2 , BD907 *1 , BDS10 *1 , BDS10SM
КТ819ГМBD183, 2N3055, 2N6371HV,

BD711 *3 , BDW21C *2 , SDT9208, 2N3055/7,

2N3055/6, 2N3239 *2 , 2N3238 *2 , BD909 *3 , BDW21B *2 , SDT9207 *2

КТ819А-1BD545C, MJE1660 *2 , BLV38 *3
КТ819Б-1BD545B, 2N3667 *1 , 2N6253 *1 , BD278 *3 , BD278A *3 , BD743 *1 , BD705 *1
КТ819В-1BD545A, 40363 *3 , BD207 *3 , BD501A *3 , BDS10SM *1 , BDS10 *1 , BD907 *1
КТ819Г-1BD545, 2N3236 *1 , 2N3239 *3 , 2N3238 *3 , BD909 *1 , BD709 *3 , SDT9207 *3 , SM2176 *1
Структураn-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектораPK max,P * K, τ max,P ** K, и maxКТ819А1. 5; 60*Вт
КТ819Б1.5; 60*
КТ819В1.5; 60*
КТ819Г1.5; 60*
КТ819АМ2; 100*
КТ819БМ2; 100*
КТ819ВМ2; 100*
КТ819ГМ2; 100*
КТ819А-12; 100*
КТ819Б-12; 100*
КТ819В-12; 100*
КТ819Г-12; 100*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттеромfгр, f * h31б, f ** h31э, f *** maxКТ819А(М,-1)≥3МГц
КТ819Б(М,-1)≥3
КТ819В(М,-1)≥3
КТ819Г(М,-1)≥3
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттераUКБО проб. , U * КЭR проб., U ** КЭО проб.КТ819А(М,-1)0.1к40*В
КТ819Б(М,-1)0.1к50*
КТ819В(М,-1)0.1к70*
КТ819Г(М)0.1к100*
КТ819Г-10.1к90*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектораUЭБО проб.,КТ819А(М,-1)5В
КТ819Б(М,-1)5
КТ819В(М,-1)5
КТ819Г(М,-1)5
Максимально допустимый постоянный ток коллектораIK max, I * К , и max
КТ819А10(15*)А
КТ819Б10(15*)
КТ819В10(15*)
КТ819Г10(15*)
КТ819АМ(-1)15(20*)
КТ819БМ(-1)15(20*)
КТ819ВМ(-1)15(20*)
КТ819ГМ(-1)
15(20*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттераIКБО, I * КЭR, I ** КЭOКТ819А(М,-1)40 В≤1мА
КТ819Б(М,-1)40 В≤1
КТ819В(М,-1)40 В≤1
КТ819Г(М,-1)40 В≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттеромh21э, h * 21ЭКТ819А(М,-1)5 В; 5 А≥15*
КТ819Б(М,-1)5 В; 5 А≥20*
КТ819В(М,-1)5 В; 5 А≥15*
КТ819Г(М,-1)5 В; 5 А≥12*
Емкость коллекторного переходаcк, с * 12эКТ819А(М,-1)5 В≤1000пФ
КТ819Б(М,-1)
5 В≤1000
КТ819В(М,-1)5 В≤1000
КТ819Г(М,-1)5 В≤1000
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттеромrКЭ нас, r*БЭ нас, К ** у. р.КТ819А(М)≤0.4Ом, дБ
КТ819Б(М)≤0.4
КТ819В(М)≤0.4
КТ819Г(М)≤0.4
КТ819А-1≤1
КТ819Б-1≤1
КТ819В-1≤1
КТ819Г-1≤1
Коэффициент шума транзистораКш, r * b, P ** выхКТ819А(М,-1)Дб, Ом, Вт
КТ819Б(М,-1)
КТ819В(М,-1)
КТ819Г(М,-1)
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частотеτк, t*рас, t ** выкл, t *** пк(нс)КТ819А(М,-1)≤2500**пс
КТ819Б(М,-1)≤2500**
КТ819В(М,-1)≤2500**
КТ819Г(М,-1)≤2500**

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

alexxlab

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *