Кт814Б цоколевка: Транзистор КТ814Б — параметры, цоколевка, аналоги, обозначение — Справочник по отечественным транзисторам — RC74 — интернет-магазин радиоуправляемых моделей

Содержание

Транзистор КТ814: характеристики, аналоги и цоколевка

Технические характеристики биполярного транзистора серии КТ814 позволяют использовать их в УНЧ, ОУ, преобразователях, различных импульсных схемах. Все они имеют структуру p-n-p. Эти кремниевые устройства производят по эпитаксиально-планарной технологии и отличаются высокой мощностью.

Цоколевка

Рассматривать цоколевку КТ814 будем в пластмассовом корпусе КТ-27 (ТО-126) в котором вся серия выпускается, он имеют три гибких вывода. Ножки расположены в следующем порядке (слева направо):

эмиттер;
коллектор;
база.

Их вид, геометрические размеры и распиновка представлены на рисунке.

Технические характеристики

Производители, в своей документации, указывают предельно допустимые параметры своего изделия. Схемы при которых работает устройство, не должны их превышать. Также вредна работа при значениях близких к максимальным.

Предельные характеристики КТ814:

напряжение К-Э постоянное (I_Б = 0 А):
КТ814А – 25 В;
КТ814Б – 40 В;
КТ814В – 60 В;
КТ814Г – 80 В.
разность потенциалов Б-Э длительная – 5 В;
ток К длительный – 1,5 А;
кратковременный ток К – 3 А;
ток базы длительный – 0,5 А;
мощность (присутствует теплоотвод) – 10 Вт;

мощность (отсутствует теплоотвод) – 1 Вт;
максимальна т-ра кристалла – 298 К;
рабочая т-ра – от 233 до 373 К.

Дальше идут электрические параметры. Их тестирование производится при т-ре + 25^ОС. Другие, важные для проведения измерений, значения приведены в следующей таблице.

Параметры	Транзисторы	Режимы тестирования	min	max	Ед. изм
Граничная разность потенциалов	А	I_Э = 50 мА, t_и ≤ 300 мкс, Q ≥ 100	25		В
	Б		40		В
	В		60		В
	Г		80		В
Разность потенциалов (нас. ) К-Э		I_К = 0,5 А, I_Б = 0,05 А		0,6	В
Разность потенциалов (нас.) Б-Э		I_К = 0,5 А, I_Б = 0,05 А		1,2	В
Статический к-т усиление с ОЭ	А -В	U_КБ = 2 В, I_Э = 0,15 А		40
Статический к-т усиление с ОЭ	Г	U_КБ = 2 В, I_Э = 0,15 А		30
Граничная частота		U_КЭ = 5 В, I_Э = 0,03 А	3		МГц
Ёмкость на коллекторе		U_КЭ = 5 В, f = 465 кГц		60	пФ
Ёмкость на эмиттере		U_КЭ = 5 В, f = 465 кГц		75	пФ
Обратный ток К		U_КБ = 40 В, Т_К ≤ 298 К		50	мкА
Обратный ток К		U_КБ = 40 В, Т_К = 373 К		1000	мкА

Применение

На КТ814 можно собрать сенсорный выключатель, который будет работать от электрической сети 220 В.

С его помощью можно включать и отключать нагрузку мощностью до 60 Вт.

В качестве сенсора Е1 используется пластина из жести размером с пятирублевую монету. Если его коснуться, то наведённое переменное напряжение появится на затворе транзистора VT1 и откроет его. Появиться положительный импульс на 3 выводе микросхемы DD1, и триггер изменит своё состояние.

Когда на выходе DD1 логический 0 (низкое напряжение), транзистор VT2 будет закрыт и ток в нагрузке отсутствует. При появлении на выходе DD1 высокого напряжения транзистор открывается и переводит тиристор VS1 в открытое состояние и через него ток начинает течь через нагрузку.

Вместо стабилитрона VD1 установить: КС175А, Д808 или Д814А.
В качестве выпрямительных диодов можно VD2 – VD5 использовать: Д226В, КД258Б.
Заменить транзистор VT2 можно любым т-ром серий КТ940 и КТ630.

Аналоги

Перечислим аналоги транзисторов серии КТ814:

КТ814А: TIP30;
КТ814Б: BD136, MJE710;
КТ814В: BD138, MJE711;
КТ814Г: BD140,

Комплементарной парой для КТ814 является транзистор КТ815.

Производители

Производством КТ814 занимаются 2 российских компании. Это акционерное общество «НПП Завод Искра», которое находится в г. Ульяновске и входит в холдинг «Концерн Алмаз – Антей». А также акционерное общество «Кремний», расположенное в г. Брянск. В Белоруссии его выпускает акционерное общество «ИНТЕГРАЛ» г. Минск.

Транзистор КТ814 — DataSheet

Перейти к содержимому

Цоколевка транзистора КТ814

**Параметры транзистора КТ814**
Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ814А	—	TIP30
		КТ814Б	—	BD166, MJE710
		КТ814В	—	BD168, MJE711
		КТ814Г	—	BD170, MJE712
Структура			—	p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	P_K max,P^_{K, τ max},P^*_{K, и max}	КТ814А	—	*1(10)**	Вт
		КТ814Б	—	10*
		КТ814В	—	10*
		КТ814Г	—	10*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	f_гр,f^_h31б,f^_h31э, f^**_max	КТ814А	—	≥3	МГц
		КТ814Б	—	≥3
		КТ814В	—	≥3
		КТ814Г	—	≥3
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	U_{КБО проб. ,}U^_{КЭR проб.,}U^*_{КЭО проб.}	КТ814А	0.1к	40*	В
		КТ814Б	0.1к	50*
		КТ814В	0.1к	70*
		КТ814Г	0.1к	100*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	U_{ЭБО проб.,}	КТ814А	—	5	В
		КТ814Б	—	5
		КТ814В	—	5
		КТ814Г	—	5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	I_{K max,} I^*_{К , и max}	КТ814А	—	*1. 5(3)**	А
		КТ814Б	—	*1.5(3)**
		КТ814В	—	*1.5(3)**
		КТ814Г	—	*1.5(3)**
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	I_КБО, I^_КЭR, I^*_КЭO	КТ814А	40 В	≤0.05	мА
		КТ814Б	40 В	≤0.05
		КТ814В	40 В	≤0.05
		КТ814Г	40 В	≤0.05
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h_21э, h^*_21Э	КТ814А	2 В; 0. 15 А	≥40*
		КТ814Б	2 В; 0.15 А	≥40*
		КТ814В	2 В; 0.15 А	≥40*
		КТ814Г	2 В; 0.15 А	≥30*
Емкость коллекторного перехода	c_к, с^*_12э	КТ814А	5 В	≤60	пФ
		КТ814Б	5 В	≤60
		КТ814В	5 В	≤60
		КТ814Г	5 В	≤60
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	r_{КЭ нас}, r_{БЭ нас, К}^*_у.р.	КТ814А	—	≤1. 2	Ом, дБ
		КТ814Б	—	≤1.2
		КТ814В	—	≤1.2
		КТ814Г	—	≤1.2
Коэффициент шума транзистора	К_ш, r^_b, P^*_вых	КТ814А	—	—	Дб, Ом, Вт
		КТ814Б	—	—
		КТ814В	—	—
		КТ814Г	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τ_к, t_рас, t^_выкл, t^**_пк(нс)	КТ814А	—	—	пс
		КТ814Б	—	—
		КТ814В	—	—
		КТ814Г	—	—