КТ805АМ, КТ805БМ, КТ805А, КТ805Б, КТ805ВМ

Транзисторы кремниевые эпитаксиальные n-p-n переключательные низкочастотные мощные: КТ805АМ, КТ805БМ, КТ805А, КТ805Б, КТ805ВМ. Предназначены для применения в схемах выходных каскадов строчной развёртки телевизоров, систем зажигания двигателей внутреннего сгорания.

Транзисторы КТ805А, КТ805Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами.

Транзисторы КТ805АМ, КТ805БМ, КТ805ВМ выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более 24 грамма, в пластмассовом не более 2,5 грамма.

Чертёж транзистора КТ805АМ, КТ805БМ, КТ805А, КТ805Б, КТ805ВМ

Электрические параметры.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=5 А, IБ=0,5 А
КТ805А, КТ805АМ, не более	2,5 В
КТ805Б, КТ805БМ, не более	5 В
IК=2 А, IБ=0,2 А КТ805ВМ, не более	2,5 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=5 А, IБ=0,5 А
КТ805А, КТ805АМ, не более	2,5 В
КТ805Б, КТ805БМ, КТ805ВМ, не более	5 В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКЭ=10 В, IК=2 А, не менее
при Т=24,85°С	15
при Т=-60,15°С	5
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при U КЭ=10 В, IК=1 А, не менее	20 МГц
Импульсный обратный ток коллектора при RБЭ=10 Ом, при Т=24,85°С и 99,85°С, не более
КТ805А, КТ805АМ при UКЭ=160 В	60 мА
КТ805Б, КТ805БМ, КТ805ВМ при UКЭ=135 В	70 мА
Обратный ток эмиттера при UЭБ=5 В, не более	100 мА

Предельные эксплуатационные данные.

Импульсное напряжение коллектор-эмиттер при τи≤500 мс, τφ≥15 мс, RБЭ≤10 Ом
КТ805А, КТ805АМ	160 В
КТ805Б, КТ805БМ, КТ805ВМ	135 В
Постоянное напряжение эмиттер-база	5 В
Постоянный ток коллектора	5 А
Импульсный ток коллектора при τи≤200 мс и Q=1,5	8 А
Постоянный ток базы	2 А
Импульсный ток базы при τи≤20 мс	2,5 А
Средняя рассеиваемая мощность
при Тк≤49,85°С	30 Вт
при Тк=99,85°С	15 Вт
Тепловое сопротивление переход-корпус	3,3 К/Вт
Температура перехода	149,85°С
Температура окружающей среды	От -60,15 до Тк=99,85°С

Примечания. 1. Для КТ805А, КТ805АМ в схемах строчной развёртки телевизоров допускается U

КЭ и=180 В при Т_к≤69,85°С, τ_и≤15 мкс. При повышении температуры до 149,85°С U_{КЭ и} уменьшается на 10 % через каждые 10 К. В схемах строчной развёртки телевизоров допускается U_{ЭБ и}=8 В при τ_и≤40 мкс.

2. При температуре корпуса от 49,85 до 99,85°С рассеиваемая мощность коллектора, Вт, рассчитывается по формуле:

P_Кмакс=(423-Т_к)R_{Тп к}.

3. Пайку выводов транзисторов в металлостеклянном корпусе следует производить в течение не более 10 секунд. Температура пайки не должна превышать 259,85°С.

Пайку выводов транзисторов в пластмассовом корпусе разрешается производить на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора.

При монтаже транзисторов в схему допускается одноразовый изгиб их выводов на расстоянии не менее 2,5 мм от корпуса под углом 90° с радиусом изгиба не менее 0,8 мм. При этом должны приниматься меры исключающие возможность передачи усилий на корпус. Изгиб в плоскости выводов не допускается.

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора и зависимость модуля коэффициента передачи тока от частоты

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора и зависимость модуля коэффициента передачи тока от частоты.

Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры и зависимость относительного максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления эмиттер-база

Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры и зависимость относительного максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления эмиттер-база.

КТ805АМ характеристики транзистора, datasheet, цоколевка и аналоги

Главная » Транзисторы

По своим характеристикам транзистор КТ805АМ относится к мощным среднечастотным кремниевым полупроводниковый компонентам отечественного производства. Он изготавливается по эпитаксиальной технологии, имеет n-p-n-структуру и относится к биполярному типу. Чаще всего устройство применяется в ключевых схемах, поэтому в техописаниях указывается как переключающее.

Первые транзисторы данного типа, в металлическом корпусе, были изготовлены в СССР еще в 70-х годах. В пластиковом корпусе они появились только в 80-х и использовались промышленностью тех лет в различных бытовых приборах. Например, устанавливались в выходных каскадах: первых советских УНЧ, строчной развертки у телевизоров и блоках регулировки оборотов видеомагнитофонов «Электроника ВМ-12» и др.

Содержание

1. Назначение выводов
2. Технические характеристики
3. Электрические
4. Аналоги
5. Содержание драгметаллов
6. Примеры использования
7. Производители

Назначение выводов

Цоколевка КТ805АМ следующая. Прибор выполнен в пластиковом корпусе типа КТ-28 (КТ-28-2), для дырочного монтажа. Он имеет встроенный радиатор с отверстием (3. 6 мм) для крепления на электрическую плату. В зарубежной классификации это корпус TO-220 (ТО-220AB). Три контакта, если смотреть на маркировку, слева на право, имеют следующие назначение: 1- эмиттер (Э), 2- коллектор(К), 3- база(Б). Масса устройства не более 2.5 гр.

Многие радиолюбители путают КТ-28 с корпусом КТ-27. Но это разные упаковки. Будьте внимательны при покупке. КТ805АМ(КТ-27) не бывает !

Вместе с тем, существует транзистор КТ805А в металлостеклянном светлом корпусе, с аналогичными параметрами. Он имеет габариты побольше и весит 24 гр. Характеристики, рассмотренные ниже, относятся к обеим видам устройств.

Технические характеристики

КТ805АМ, как все полупроводниковые приборы, имеет техническое описание от производителя. Оно содержит информацию об устройстве, его обозначению, а так же предельно допустимые характеристики. Рассмотрим их более подробно:

• максимальное напряжение К-Э: постоянное (U_КЭ ) до 60 В; импульсное (U_{КЭ и}) до 160 В при t_И ≤ 500 мкс, t_Ф ≥15 мс, R_БЭ = 10 Ом, температуре перехода  (Т_П) ≤ +100^OС; до 180 вольт в схемах строчной телевизионной развертки при Т_К ≤, t_И ≤ 50 мс;
• напряжение Э-Б (U_ЭБ): — 5 В, импульсное (U_{ЭБ и})  до 8 В, при t_И  ≤ 40 мс;
• ток коллектора (I_К): -5 А; импульсный (I_{К и}) при t_И≤ 40 мс и Q≥1. 5 — 8 А;
• ток базы (I_Б) — 2 А; импульсный (I_{Б и}) при t_И ≤ 20 мc — 2.5 А;
• тепловое сопротивление кристалл-корпус (R_Т(П-К)) — 3.3 ^OС/Вт;
• средняя рассеиваемая мощность (P_К)  на коллекторе при Т_К ≤ +50 ^OС  до 30 Вт, а при Т_К = +100 ^OС до 15 Вт. Если Т_К ≥  +50 ^OС, то мощность P_K рассчитывается по стандартной формуле P_{K макс} = (150 – T_К)/R_Т(П-К),Вт;
• максимальная температура Т_П  до + 150 ^OС, вокруг корпуса от -60 до +100 ^OС.

При увеличении температуры корпуса (Т_К) у КТ805А(АМ) более чем на +70 ^OС, предельное напряжение снижается на 10 процентов на каждые 10 ^OС.

Электрические

Кроме предельно допустимых значений, в даташит на КТ805АМ указаны электрические значения. В них каждый параметр приводится с учётом определенных режимов измерений, указанных в отдельном столбце. Температура вокруг корпуса прибора при этом составляет не более  +25 ^OС:

Аналоги

Полным отечественным аналогом у КТ805АМ, с идентичными электрическими параметрами, но в другом металлостеклянном корпусе является транзистор КТ305А. Эти два устройства указаны в одном техническом описании у всех российских производителей. Зарубежными аналогами в пластиковом корпусе ТО-220 можно считать: 2SC2562, 2SC3422 (Toshiba), в металлизированном TO3 — BDY60.

Содержание драгметаллов

Транзисторы КТ805А(АМ) не интересуют скупщиков драгоценных металлов. Чаще всего в подобных устройствах ищут золото, но его в них нет. В интернете попадается информация о содержании в них золота в количестве 0.073  гр. в одной штуке. Однако, согласно справочной информации, даже серебра на 1000 штук в КТ805А ничтожно мало, всего 73.52 гр.

Примеры использования

В настоящее время КТ805А(АМ) сильно устарел, но его продолжают применять в учебных целях и для ремонта древней бытовой электроники. С его помощью можно делать простейшие схемы различных автоматических переключателей, преобразователей напряжения, высокочастотных генераторов, усилителей звуковой частоты и др. Наиболее интересные примеры использования для начинающих можно посмотреть в следующем видеоматериале.

Производители

КТ805АМ является советским транзистором и никогда не выпускался зарубежными компаниями. Его продолжают делать такие известные производители как: АО «Группа Кремний ЭЛ» г.Брянск; ОАО Интеграл г.Минск. Нажмите по ссылке с наименованием изготовителя, чтобы скачать техническое описание на устройство.

NPN

2.8: Транзисторы с биполярным переходом — Workforce LibreTexts

1. Последнее обновление

2. Сохранить как PDF

Идентификатор страницы

1732

• Tony R. Kuphaldt
• Schweitzer Engineering Laboratories via All About Circuits

Транзистор с биполярным переходом, показанный на рисунке ниже (а), представляет собой трехслойный полупроводниковый сэндвич NPN с эмиттером и коллектором на концах и базой между ними. Это как если бы к двухслойному диоду был добавлен третий слой. Если бы это было единственным требованием, у нас была бы не более пары встречно-параллельных диодов. На самом деле, гораздо проще построить пару встречно-параллельных диодов. Ключ к изготовлению транзистора с биполярным переходом состоит в том, чтобы сделать средний слой, базу, как можно более тонким, не закорачивая внешние слои, эмиттер и коллектор. Мы не можем переоценить важность тонкой базовой области.

Устройство на рисунке ниже (а) имеет пару переходов, эмиттер-база и база-коллектор, а также две области обеднения.

(a) Биполярный транзистор с NPN-переходом. (b) Подайте обратное смещение на переход базы коллектора.

Общепринято смещать в обратном направлении переход база-коллектор биполярного переходного транзистора, как показано на (рисунок выше (b). Обратите внимание, что это увеличивает ширину обедненной области. Напряжение обратного смещения может составлять от нескольких вольт до десятков вольт. В для большинства транзисторов ток не течет, кроме тока утечки, в цепи коллектора.0038

На рисунке ниже (а) к цепи эмиттерной базы добавлен источник напряжения. Обычно мы смещаем прямое смещение перехода эмиттер-база, преодолевая потенциальный барьер 0,6 В. Это похоже на прямое смещение переходного диода. Этот источник напряжения должен превышать 0,6 В, чтобы основные носители (электроны для NPN) перетекали из эмиттера в базу, становясь неосновными носителями в полупроводнике P-типа.

Если бы область базы была толстой, как в паре встречно-параллельных диодов, весь ток, поступающий на базу, вытекал бы из вывода базы. В нашем примере с NPN-транзистором электроны, покидающие эмиттер и направляющиеся в базу, будут объединяться с дырками в базе, освобождая место для создания дополнительных дырок на (+) клемме батареи на базе по мере выхода электронов.

Однако основание изготовлено тонким. Несколько основных носителей в эмиттере, инжектированных в базу в качестве неосновных носителей, фактически рекомбинируют. См. рисунок ниже (б). Несколько электронов, инжектированных эмиттером в базу NPN-транзистора, попадают в дырки. Кроме того, небольшое количество электронов, попадающих в базу, течет непосредственно через базу к положительному выводу батареи. Большая часть эмиттерного тока электронов диффундирует через тонкую базу в коллектор. Более того, модуляция малого тока базы приводит к большему изменению тока коллектора. Если базовое напряжение падает ниже примерно 0,6 В для кремниевого транзистора, большой ток эмиттер-коллектор перестает протекать.

Биполярный транзистор с переходом NPN с обратным смещением коллектор-база: (a) Добавление прямого смещения к переходу база-эмиттер приводит к (b) малому току базы и большим токам эмиттера и коллектора.

На рисунке ниже мы более подробно рассмотрим текущий механизм усиления. У нас есть увеличенный вид транзистора с переходом NPN с акцентом на тонкую базовую область. Хотя это не показано, мы предполагаем, что внешние источники напряжения 1) смещают в прямом направлении переход эмиттер-база, 2) смещают в обратном направлении переход база-коллектор. Электроны, основные носители, попадают в эмиттер с (-) клеммы аккумулятора. Базовый поток тока соответствует электронам, покидающим базовую клемму для (+) клеммы батареи. Это всего лишь небольшой ток по сравнению с током эмиттера.

Распределение электронов, попадающих в базу: (а) Потерянные из-за рекомбинации с базовыми дырками. (b) Вытекает основной свинец. (c) Большая часть диффундирует из эмиттера через тонкую базу в обедненную область база-коллектор, и (d) быстро сметается сильным электрическим полем обедненной области в коллектор.

Основными носителями в эмиттере N-типа являются электроны, которые становятся неосновными носителями при входе в базу P-типа. Эти электроны сталкиваются с четырьмя возможными судьбами при входе в тонкую базу P-типа. Некоторые из них на рисунке выше (а) попадают в отверстия в основании, которые способствуют протеканию тока базы к клемме (+) батареи. Не показано, дырки в базе могут диффундировать в эмиттер и соединяться с электронами, внося свой вклад в ток на клеммах базы. Немногие в (b) текут через базу к (+) клемме аккумулятора, как если бы база была резистором. И (а), и (б) вносят вклад в очень малый базовый ток. Ток базы обычно составляет 1% от тока эмиттера или коллектора для маломощных транзисторов. Большинство эмиттерных электронов диффундирует прямо через тонкую базу (с) в обедненную область база-коллектор. Обратите внимание на полярность обедненной области, окружающей электрон в точке (d). Сильное электрическое поле быстро уносит электрон в коллектор. Сила поля пропорциональна напряжению коллекторной батареи. Таким образом 9В коллектор поступает 9% тока эмиттера. Он управляется током базы, который составляет 1% от тока эмиттера. Это потенциальное усиление тока 99, отношение I _C / I _B , также известное как бета, β.

Эта магия, диффузия 99% носителей эмиттера через базу, возможна только при очень тонкой базе. Как сложилась бы судьба базовых миноритариев в базе в 100 раз толще? Можно было бы ожидать, что скорость рекомбинации электронов, попадающих в дырки, будет намного выше. Возможно 99% вместо 1% провалились бы в ямы, так и не попав в коллектор. Во-вторых, ток базы может контролировать 99% тока эмиттера, только если 99% тока эмиттера диффундирует в коллектор. Если все это вытекает из базы, никакой контроль невозможен.

Еще одна особенность, объясняющая передачу 99% электронов от эмиттера к коллектору, заключается в том, что в реальных транзисторах с биполярным переходом используется небольшой сильно легированный эмиттер. Высокая концентрация эмиттерных электронов заставляет многие электроны диффундировать в базу. Меньшая концентрация легирования в базе означает, что в эмиттер диффундирует меньше дырок, что увеличивает ток базы. Сильно благоприятствует диффузия носителей от эмиттера к базе.

Тонкое основание и сильно легированный эмиттер помогают поддерживать высокий КПД эмиттера , например 99%. Это соответствует 100% распределению тока эмиттера между базой (1%) и коллектором (99%). Эффективность эмиттера известна как α = I _C / I _E .

Биполярные транзисторы доступны как PNP, так и NPN устройства. Мы представляем сравнение этих двух на рисунке ниже. Разница заключается в полярности диодных переходов базы-эмиттера, что обозначено направлением стрелки эмиттера схематического символа. Он указывает в том же направлении, что и стрелка анода для переходного диода, против протекания электронного тока. См. диодный переход, рисунок предыдущий. Точка стрелки и полоса соответствуют полупроводникам P-типа и N-типа соответственно. Для эмиттеров NPN и PNP стрелка указывает соответственно в направлении от основания и от него. Схематической стрелки на коллекторе нет. Однако переход база-коллектор имеет ту же полярность, что и переход база-эмиттер по сравнению с диодом. Обратите внимание, мы говорим о диоде, а не о источнике питания, полярности.

Сравните NPN-транзистор (a) с PNP-транзистором (b). Обратите внимание на направление стрелки эмиттера и полярность питания.

Источники напряжения для транзисторов PNP инвертированы по сравнению с транзисторами NPN, как показано на рисунке выше. В обоих случаях переход база-эмиттер должен быть смещен в прямом направлении. База PNP-транзистора имеет отрицательное смещение (b) по сравнению с положительным (a) для NPN. В обоих случаях переход база-коллектор смещен в обратном направлении. Источник питания коллектора PNP является отрицательным по сравнению с положительным для транзистора NPN.

Биполярный переходной транзистор: (а) поперечное сечение дискретного устройства, (б) условное обозначение, (в) поперечное сечение интегральной схемы.

Обратите внимание, что биполярный транзистор на рисунке выше (а) имеет сильное легирование эмиттера, на что указывает обозначение N ⁺ . База имеет нормальный уровень примеси фосфора. Основание намного тоньше, чем показано на поперечном сечении не в масштабе. Коллектор слегка легирован, как указано в обозначении N ^— . Коллектор должен быть слегка легирован, чтобы переход коллектор-база имел высокое напряжение пробоя. Это приводит к высокому допустимому напряжению питания коллектора. Кремниевые транзисторы с малым сигналом имеют напряжение пробоя 60-80 В. Хотя для высоковольтных транзисторов оно может достигать сотен вольт. Коллектор также должен быть сильно легирован, чтобы свести к минимуму омические потери, если транзистор должен работать с большим током. Эти противоречивые требования удовлетворяются за счет более сильного легирования коллектора в области металлического контакта. Коллектор у базы слабо легирован по сравнению с эмиттером. Сильное легирование эмиттера дает низкое напряжение пробоя эмиттер-база примерно 7 В в транзисторах с малым сигналом. Из-за сильно легированного эмиттера переход эмиттер-база имеет характеристики, подобные стабилитрону при обратном смещении.

Кристалл BJT , представляющий собой часть нарезанной и нарезанной кубиками полупроводниковой пластины, монтируется коллектором вниз к металлическому корпусу силовых транзисторов. То есть металлический корпус электрически соединен с коллектором. Небольшой сигнальный кристалл может быть залит эпоксидной смолой. В мощных транзисторах алюминиевые соединительные провода соединяют базу и эмиттер с выводами корпуса. Кристаллы транзисторов с малым сигналом могут быть установлены непосредственно на подводящие провода. Несколько транзисторов могут быть изготовлены на одном кристалле, называемом 9.0032 интегральная схема . Даже коллектор может быть приклеен к проводу вместо корпуса. Интегральная схема может содержать внутреннюю разводку транзисторов и других интегральных компонентов. Встроенный BJT, показанный на (рис. (c) выше), намного тоньше, чем на чертеже «не в масштабе». Область P ⁺ изолирует несколько транзисторов на одном кристалле. Слой алюминиевой металлизации (не показан) соединяет множество транзисторов и других компонентов. Эмиттерная область сильно легирована, N ⁺ по сравнению с базой и коллектором для повышения эффективности эмиттера.

Дискретные PNP-транзисторы почти такого же высокого качества, как и NPN-аналоги. Тем не менее, интегрированные PNP-транзисторы далеко не так хороши, как разновидность NPN в одном и том же кристалле интегральной схемы. Таким образом, интегральные схемы максимально используют разнообразие NPN.

• Биполярные транзисторы проводят ток, используя как электроны, так и дырки в одном и том же устройстве.
• Работа биполярного транзистора в качестве усилителя тока требует, чтобы переход коллектор-база был смещен в обратном направлении, а переход эмиттер-база был смещен в прямом направлении.
• Транзистор отличается от пары встречных диодов тем, что база, центральный слой, очень тонкая. Это позволяет основным носителям из эмиттера диффундировать в качестве неосновных носителей через базу в обедненную область перехода база-коллектор, где их собирает сильное электрическое поле.
• Эффективность эмиттера повышается за счет более сильного легирования по сравнению с коллектором. Эффективность излучателя: α = I _C /I _E , 0,99 для малосигнальных устройств
• Коэффициент усиления по току равен β=I _C /I _B , от 100 до 300 для маломощных транзисторов.

---

Эта страница под названием 2.8: Bipolar Junction Transistors распространяется в соответствии с лицензией GNU Free Documentation License 1.3 и была создана, изменена и/или курирована Тони Р. Купхалдтом (All About Circuits) посредством исходного содержимого, которое было отредактировано в соответствии со стилем и стандарты платформы LibreTexts; подробная история редактирования доступна по запросу.

1. Наверх

• Была ли эта статья полезной?

1. Тип изделия

   Раздел или Страница

   Автор

   Тони Р.