Кт326 параметры: Транзистор КТ326 — DataSheet – Транзистор КТ326: КТ326А, КТ326Б — RC74 — интернет-магазин радиоуправляемых моделей

Содержание

Транзистор КТ326 — DataSheet

Цоколевка транзистора КТ326

**Параметры транзистора КТ326**
Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ326А		*ВС178, BFX12 ^2, 2N1676 ^2, 2N1677 ^2, 2N2279 ^2, 2N3451 ^2**
		КТ326Б		*BFY19, CIL215 ^3, 2N4411 ^2, 2N4261, 2N4261J ^2, 2N4260 ^2, WA0493 ^2, 2N4208 ^2, 2N4258A ^3, V405A ^2*
		КТ326АМ		*BFX12, 2N5228 ^2, PN3640, CD9011D ^2, 2SA1161, 2N5208 ^2**
		КТ326БМ		BFX13, PN4258, PN4258A, 2SA1206, 2N5771
Структура			—	p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	P_K max,P^_{K, τ max},P^*_{K, и max}	КТ326А(М)	30 °С	200	мВт
	P_K max,P^_{K, τ max},P^*_{K, и max}	КТ326Б(М)	30 °С	200	мВт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	f_гр,f^_h31б,f^_h31э, f^**_max	КТ326А(М)	—	≥250	МГц
	f_гр,f^_h31б,f^_h31э, f^**_max	КТ326Б(М)	—	≥400	МГц
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	U_{КБО проб.,}U^_{КЭR проб.,} U^*_{КЭО проб.}	КТ326А(М)	100к	15*	В
	U_{КБО проб.,}U^_{КЭR проб.,} U^*_{КЭО проб.}	КТ326Б(М)	100к	15*	В
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	U_{ЭБО проб.,}	КТ326А(М)	—	5	В
	U_{ЭБО проб.,}	КТ326Б(М)	—	5	В
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	I_{K max,} I^*_{К , и max}	КТ326А(М)	—	50	мА
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	I_{K max,} I^*_{К , и max}	КТ326Б(М)	—	50	мА
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	I_КБО, I^_КЭR, I^*_КЭO	КТ326А(М)	20 В	≤0.5	мкА
	I_КБО, I^_КЭR, I^*_КЭO	КТ326Б(М)	20 В	≤0.5	мкА
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h_21э, h^*_21Э	КТ326А(М)	2 В; 10 мА	20…70*
	h_21э, h^*_21Э	КТ326Б(М)	2 В; 10 мА	45…160*
Емкость коллекторного перехода	c_к, с^*_12э	КТ326А(М)	5 В	≤5	пФ
Емкость коллекторного перехода	c_к, с^*_12э	КТ326Б(М)	5 В	≤5	пФ
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	r_{КЭ нас}, r_{БЭ нас, К}^*_у.р.	КТ326А(М)	—	≤30	Ом, дБ
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	r_{КЭ нас}, r_{БЭ нас, К}^*_у.р.	КТ326Б(М)	—	≤30	Ом, дБ
Коэффициент шума транзистора	К_ш, r^_b, P^*_вых	КТ326А(М)	—	—	Дб, Ом, Вт
Коэффициент шума транзистора	К_ш, r^_b, P^*_вых	КТ326Б(М)	—	—	Дб, Ом, Вт
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τ_к, t_рас, t^_выкл, t^**_пк(нс)	КТ326А(М)	—	≤450	пс
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τ_к, t_рас, t^_выкл, t^**_пк(нс)	КТ326Б(М)	—	≤450	пс

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Цветовая и кодовая маркировка транзисторов

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите

Ctrl+Enter.

Транзистор КТ326: КТ326А, КТ326Б

Поиск по сайту

Транзистор КТ326 — усилительный, эпитаксиально-планарный, кремниевый, структуры p-n-p. Основное применение — переключающие устройства и усилители высокой и сверхвысокой частоты.
КТ326А, КТ326Б, 2Т326А, 2Т326Б имеют металлостеклянный корпус и гибкие выводы. Масса не более 0.5 г. Маркировка типа нанесена на корпусе.
КТ326АМ, КТ326БМ имеют пластмассовый корпус и гибкие выводы. Масса не более 0.3 г. Маркируются цветной точкой на корпусе со стороны коллектора: КТ326АМ — розовая, КТ326БМ — жёлтая.

КТ326 цоколевка

Цоколевка КТ326 показана на рисунке.

Электрические параметры КТ326

• Коэффициент передачи тока (статический). Схема с общим эмиттером при U_кб = 2 В, I_э = 10 мА:
Т = +25°C:
КТ326А, 2Т326А, КТ326АМ	20 ÷ 70
КТ326Б, 2Т326Б, КТ326БМ	45 ÷ 160
Т = −60°C:
КТ326А, КТ326АМ	6 ÷ 70
КТ326Б, КТ326БМ	15 ÷ 160
2Т326А, не менее	6
2Т326Б, не менее	15

• Граничная частота коэффициента передачи тока при U_кб = 5 В, I_э = 10 мА, не менее:
КТ326А, 2Т326А, КТ326АМ	250 МГц
КТ326Б, 2Т326Б, КТ326БМ	400 МГц

• Постоянная времени цепи обратной связи при U_кб = 5 В, I_э = 10 мА, f = 5 МГц	450 пс

• Напряжение насыщения КЭ при I_к = 10 мА, I_б = 1 мА, не более	0.3 В

• Напряжение насыщения БЭ при I_к = 10 мА, I_б = 1 мА, не более	1.2 В

• Ток коллектора (обратный) при U_кб = 10 В, не более:
Т = +25°C	0.5 мкА
Т = +125°C	10 мкА

• Ток эмиттера (обратный) при U_эб = 4 В, не более:
Т = +25°C	0.1 мкА
Т = +125°C 2Т326А, 2Т326Б	10 мкА

• Ёмкость коллекторного перехода при U_кб = 5 В, не более	5 пФ

• Ёмкость эмиттерного перехода при U_эб = 0, не более	4 пФ

Предельные эксплуатационные показатели КТ326

• Напряжение К-Б (постоянное)	20 В
• Напряжение К-Э (постоянное) при R_бэ ≤ 100 кОм	15 В

• Напряжение Э-Б (постоянное)	4 В

• Суммарное напряжение К-Э (постоянное и переменное) в режиме усиленияпри R_бэ ≤ 100 кОм	20 В

• Ток коллектора (постоянный)	50 мА

• Рассеиваемая мощность коллектора (постоянная):
при Т ≤ +25°C для 2Т326А, 2Т326Б	250 мВт
при Т = +125°C для 2Т326А, 2Т326Б	83 мВт
при Т ≤ +30°C для КТ326А, КТ326Б, КТ326АМ, КТ326БМ	42 мВт

• Температура сопротивления «переход — среда»	0.6°C/мВт

• Температура перехода (p-n):
КТ326А, КТ326Б, КТ326АМ, КТ326БМ	+150°C
2Т326А, 2Т326Б	+175°C

• Рабочая температура (окружающей среды)	−60 … +125°C

КТ326 — Справочная — Каталог статей — Микроконтроллеры

КТ326 цоколевка

Цоколевка КТ326 показана на рисунке.

Электрические параметры КТ326

• Коэффициент передачи тока (статический). Схема с общим эмиттером при Uкб = 2 В, Iэ = 10 мА:
Т = +25°C:
КТ326А, 2Т326А, КТ326АМ	20 ÷ 70
КТ326Б, 2Т326Б, КТ326БМ	45 ÷ 160
Т = −60°C:
КТ326А, КТ326АМ	6 ÷ 70
КТ326Б, КТ326БМ	15 ÷ 160
2Т326А, не менее	6
2Т326Б, не менее	15

• Граничная частота коэффициента передачи тока при Uкб = 5 В, Iэ = 10 мА, не менее:
КТ326А, 2Т326А, КТ326АМ	250 МГц
КТ326Б, 2Т326Б, КТ326БМ	400 МГц

• Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб = 5 В, Iэ = 10 мА, f = 5 МГц	450 пс

• Напряжение насыщения КЭ при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА, не более	0.3 В

• Напряжение насыщения БЭ при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА, не более	1.2 В

• Ток коллектора (обратный) при Uкб = 10 В, не более:
Т = +25°C	0.5 мкА
Т = +125°C	10 мкА

• Ток эмиттера (обратный) при Uэб = 4 В, не более:
Т = +25°C	0.1 мкА
Т = +125°C 2Т326А, 2Т326Б	10 мкА

• Ёмкость коллекторного перехода при Uкб = 5 В, не более	5 пФ

• Ёмкость эмиттерного перехода при Uэб = 0, не более	4 пФ

Предельные эксплуатационные показатели КТ326

• Напряжение К-Б (постоянное)	20 В
• Напряжение К-Э (постоянное) при Rбэ ≤ 100 кОм	15 В

• Напряжение Э-Б (постоянное)	4 В

• Суммарное напряжение К-Э (постоянное и переменное) в режиме усиленияпри Rбэ ≤ 100 кОм	20 В

• Ток коллектора (постоянный)	50 мА

• Рассеиваемая мощность коллектора (постоянная):
при Т ≤ +25°C для 2Т326А, 2Т326Б	250 мВт
при Т = +125°C для 2Т326А, 2Т326Б	83 мВт
при Т ≤ +30°C для КТ326А, КТ326Б, КТ326АМ, КТ326БМ	42 мВт

• Температура сопротивления «переход — среда»	0.6°C/мВт

• Температура перехода (p-n):
КТ326А, КТ326Б, КТ326АМ, КТ326БМ	+150°C
2Т326А, 2Т326Б	+175°C

• Рабочая температура (окружающей среды)	−60 … +125°C

Биполярный транзистор КТ326А — описание, параметры и цоколевка

Характеристики транзистора КТ326А

Структура	p-n-p
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	20 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	15 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	50 мА
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	0,2 Вт
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	20-70
Обратный ток коллектора
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	=>250 МГц
Коэффициент шума транзистора	-

Основные электрические параметры биполярных маломощных транзисторов ГТ321

В данной таблице показаны наиболее важные электрические параметры биполярных маломощных транзисторов ГТ321, КТ321, ГТ322, ГТ323, КТ324, КТ325, КТ326, ГТ328, ГТ329, ГТ330, КТ331, КТ332, КТ333, ГТ335, КТ336, КТ337, ГТ338, КТ339, КТ340.

Для того, чтобы увидеть цоколёвку транзистора, «кликните» по названию (типу) транзистора.

Тип	Iк max мА	Iк и.max мА	Pк мВт	h31	Fгр МГц	Cк пф	Cэ пф	tр нс	Uкэ нас. В	Iкбо мкА	Uкб max В	Uкэ В	Rэб кОм	Uэб max В	Пере- ход
	200 200 200 200 200 200	2000 2000 2000 2000 2000 2000	160 160 160 160 160 160	20-60 40-120 80-200 20-60 40-120 80-200	60 60 60 60 60 60	80 80 80 80 80 80	600 600 600 600 600 600		2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5	500 500 500 500 500 500	60 60 60 45 45 45	50 50 50 40 40 40	0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1	4 4 4 2,5 2,5 2,5	P-N-P P-N-P P-N-P P-N-P P-N-P P-N-P
		2000 2000 2000 2000 2000 2000	210 210 210 210 210 210	20-60 40-120 80-200 20- 60 40-120 80-200	60 60 60 60 60 60	40 40 40 40 40 40	250 250 250 250 250 250		2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5		60 60 60 45 45 45	50 50 50 40 40 40	0,1 0,1 0,1 0,1 0,1 0,1	4 4 4 4 4 4	P-N-P P-N-P P-N-P P-N-P P-N-P P-N-P
	5 5 5 5 5 5	14 14 14 14 14 14	50 50 50 50 50 50	20-70 50-120 20-70 50-120 20-70 50-120	80 80 50 50 50 50	1,8 1,8 2,5 2,5 1,8 1,8				4 4 4 4 4 4	15 15 15 15 15 15	15 15 15 15 15 15	10 10 10 10 10 10		P-N-P P-N-P P-N-P P-N-P P-N-P P-N-P
ГТ323А ГТ323Б ГТ323В		1000 1000 1000	250 250 250	20-60 40-120 80-200	200 200 200	30 30 30	100 100 100		2,5 2,5 2,5	30 30 30	20 20 20	10 10 10		2 2 2	N-P-N N-P-N N-P-N
	20 20 20 20 20	50 50 50 50 50	15 15 15 15 15	20-60 40-120 80-250 20-80 60-250	800 800 800 600 600	2,5 2,5 2,5 2,5 2,5	2,5 2,5 2,5 2,5 2,5	10 10 15 — —	0,3 0,3 0,3 0,3 0,3	0,5 0,5 0,5 0,5 0,5	10 10 10 10 10	10 10 10 10 10	3 3 3 3 3	4 4 4 4 4	N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N
	30 30 30 30 30 30 30 30	50 50 50 50 50 50 50 50	225 225 225 225 225 225 225 225	30-90 70-210 160-400 50-150 60- 30-90 70-210 160-400	800 800 1000 800 800 800 800 1000	2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5	2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5			0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5	15 15 15 15 15 15 15 15	15 15 15 15 15 15 15 15	3 3 3 3 3 3 3 3	4 4 4 4 4 4 4 4	N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N
Тип	Iк max мА	Iк и.max мА	Pк мВт	h31	Fгр МГц	Cк пф	Cэ пф	tр нс	Uкэ нас. В	Iкбо мкА	Uкб max В	Uкэ В	Rэб кОм	Uэб max В	Пере- ход
	50 50 50 50		250 250 250 250	20-70 45-160 20-70 45-160	250 400 250 400	5 5 5 5	4 4 4 4		0,3 0,3 0,3 0,3	0,5 0,5 0,5 0,5	20 20 20 20	15 15 15 15	100 100 100 100	4 4 4 4	P-N-P P-N-P P-N-P P-N-P
	10 10 10		50 50 50	20-200 40-200 20-70	400 300 300	5 5 5	2,5 2,5 2,5			10 10 10	15 15 15	15 15 15	5 5 5	0,25 0,25 0,25	P-N-P P-N-P P-N-P
	20 20 20 20		50 50 50 50	15-300 15-300 15-300 15-300	1200 1700 1000 1000	2 3 3 2	3,5 3,5 3,5 3,5			5 5 5 5	10 10 10 10	5 5 5 5	1 1 1 1	0,5 0,5 1,0 0,5	N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N
	20 20 20 20 20 20 20 20		50 50 50 50 50 50 50 50	30-400 30-400 80-400 30-400 30-400 — 30-400 10-400	1000 1500 1000 700 500 — 1000 500	2 2 2 3 3 — 3 3	5 5 5 5 5 — 5 5		0,3 — — — 0,3 — 0,3 0,3	5 5 5 5 5 5 5 5	13 13 13 13 10 — 10 10	13 13 13 13		1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5 1,5	N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N
	20 20 20 20	50 50 50 50	15 15 15 15	20-60 40-120 80-220 40-120	250 250 250 400	5 5 5 5	8 8 8 8			0,2 0,2 0,2 0,2	15 15 15 15	15 15 15 15	10 10 10 10	3 3 3 3	N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N
	20 20 20 20 20	50 50 50 50 50	15 15 15 15 15	20-60 40-120 80-220 40-120 80-220	250 250 250 500 500	5 5 5 5 5	8 8 8 8 8			0,2 0,2 0,2 0,2 0,2	15 15 15 15 15	15 15 15 15 15	10 10 10 10 10	3 3 3 3 3	N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N
	20 20 20 20 20 20	45 45 45 45 45 45	15 15 15 15 15 15	30-90 50-150 70-280 30-90 50-150 70-280	450 450 450 350 350 350	3,5 3,5 3,5 4,5 4,5 4,5	4 4 4 5 5 5	15 15 15 25 25 25	0,27 0,27 0,27 0,33 0,33 0,33	0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4	10 10 10 10 10 10	10 10 10 10 10 10	3 3 3 3 3 3	3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5	N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N
Тип	Iк max мА	Iк и.max мА	Pк мВт	h31	Fгр МГц	Cк пф	Cэ пф	tр нс	Uкэ нас. В	Iкбо мкА	Uкб max В	Uкэ В	Rэб кОм	Uэб max В	Пере- ход
	150 150 150 150 150	250 250 250 250 250	200 200 200 200 200	40-70 60-100 40-70 60-100 50-100	300 300 300 300 300	8,5 8,5 10 10 10	35 35 35 35 35	150 150 150 150 150	2,0 2,0 1,5 1,5 1,5	15 15 15 15 15	20 20 20 20 20	17 17 17 17 17	1 1 1 1 1	3 3 3 3 3	P-N-P P-N-P P-N-P P-N-P P-N-P
	20 20 20 20 20 20	50 50 50 50 50 50	15 15 15 15 15 15	20-60 40-120 80- 20-60 40-120 80-	250 250 250 450 450 450	5 5 5 5 5 5	4 4 4 4 4 4	30 30 50 15 15 15	0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3	0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5	10 10 10 10 10 10	10 10 10 10 10 10	3 3 3 3 3 3	4 4 4 4 4 4	N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N
	30 30 30		150 150 150	30- 50- 70-	500 600 600	6 6 6	8 8 8	25 28 28	0,2 0,2 0,2	1 1 1	12 6 6	10 6 6	10 10 10	4 4 4	P-N-P P-N-P P-N-P
		1000 1000 1000	100 100 100		400 400 400	2 2 2		1 1 1							P-N-P P-N-P P-N-P
	25 25 25 25 25 25		250 250 250 250 250 260	25- 15- 25- 40- 15- 25-	300 250 450 250 250 300	2 2 2 2 2 2				1 1 1 1 1 1	40 40 40 40 40 40	25 12 25 25 25 25		4 4 4 4 4 4	N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N
	50 50 50 50 50	75 200	150 150 150 150 150	100-300 100- 35- 16- 40-	300 300 300 300 300	3,0 3,7 3,7 3,7 6	7 7 7 7 7	— 15 15 15 —	0,3 0,3 0,4 0,6 0,3	1 1 1 1 1	15 20 15 — 15	15 20 1515		5 5 5 5 5	N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N

Транзистор КТ326 — DataSheet

Цветовая и кодовая маркировка транзисторов

Транзистор КТ326: КТ326А, КТ326Б

КТ326 цоколевка

Электрические параметры КТ326

Предельные эксплуатационные показатели КТ326

КТ326 — Справочная — Каталог статей — Микроконтроллеры

КТ326 цоколевка

Электрические параметры КТ326

Предельные эксплуатационные показатели КТ326

Биполярный транзистор КТ326А — описание, параметры и цоколевка

Характеристики транзистора КТ326А

Основные электрические параметры биполярных маломощных транзисторов ГТ321

alexxlab

Добавить комментарий Отменить ответ

Рубрики