Транзистор КТ326 —
Драгоценные металлы в транзисторе КТ326 согласно данных и паспортов-формуляров. Бесплатный онлайн справочник содержания ценных и редкоземельных драгоценных металлов с указанием его веса вида которые используются при производстве электрических радио транзисторов.
Содержание драгоценных металлов в транзисторе КТ326.
Золото: 0.0078826 грамм.
Серебро: 0 грамм.
Платина: 0 грамм.
Палладий: 0 грамм.
Примечание: .
Если у вас есть интересная информация о транзисторе КТ326 сообщите ее нам мы самостоятельно разместим ее на сайте.
Вопросы справочника по транзисторах которые интересуют наших посетителей: найти аналог транзистора, усилитель на транзисторе, замена транзистора, как проверить транзистор или чем заменить транзистор в схеме, правила включения транзистора,
Также интересны ваши рекомендации по мощным транзисторам, импортным и отечественным комплектующим, как самостоятельно проверить транзистор,
Фото транзистора марки КТ326:
Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия «перпендикулярного» току электрического поля, создаваемого напряжением на затворе.
Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), поэтому такие приборы часто включают в более широкий класс униполярных электронных приборов (в отличие от биполярных).
Схемы включения полевых транзисторов
Так же, как и биполярные транзисторы, полевые транзисторы могут иметь три схемы включения: с общим истоком, с общим стоком и с общим затвором. Схема включения определяется тем, какой из трех электродов транзистора является общим и для входной и выходной цепи. Очевидно, что рассмотренный нами пример (рис. 4.2) является схемой с общим истоком (рис. а).
Схема с общим затвором (рис. ) аналогична схеме с общей базой у биполярных транзисторов. Она не дает усиления по току, а входное сопротивление здесь маленькое, так как входным током является ток стока, вследствие этого данная схема на практике не используется.
Схема с общим стоком (рис в) подобна схеме эмиттерного повторителя на биполярном транзисторе и ее называют истоковым повторителем. Для данной схемы коэффициент усиления по напряжению близок к единице. Выходное напряжение по величине и фазе повторяет входное. В этой схеме очень высокое входное сопротивление и малое выходное.
Справочные данные на транзисторы (DataSheet) КТ326 включая его характеристики:
Актуальные Даташиты (datasheets) транзисторов — Схемы радиоаппаратуры:
Транзистор доступное описание принципа работы.
Жуткая вещь, в детстве все не мог понять как он работает, а оказалось все просто.
В общем, транзистор можно сравнить с управляемым вентилем, где крохотным усилием мы управляем мощнейшим потоком. Чуть повернул рукоятку и тонны дерьма умчались по трубам, открыл посильней и вот уже все вокруг захлебнулось в нечистотах. Т.е. выход пропорционален входу умноженному на какую то величину. Этой величиной является коэффициент усиления.
Делятся эти устройства на полевые и биполярные.
В биполярном транзисторе есть эмиттер, коллектор и база (смотри рисунок условного обозначения). Эмиттер он со стрелочкой, база обозначается как прямая площадка между эмиттером и коллектором. Между эмиттером и коллектором идет большой ток полезной нагрузки, направление тока определяется стрелочкой на эмиттере. А вот между базой и эмиттером идет маленький управляющий ток. Грубо говоря, величина управляющего тока влияет на сопротивление между коллектором и эмиттером. Биполярные транзисторы бывают двух типов: p-n-p и n-p-n принципиальная разница только лишь в направлении тока через них.
Полевой транзистор отличается от биполярного тем, что в нем сопротивление канала между истоком и стоком определяется уже не током, а напряжением на затворе. Последнее время полевые транзисторы получили громадную популярность (на них построены все микропроцессоры), т.к. токи в них протекают микроскопические, решающую роль играет напряжение, а значит потери и тепловыделение минимальны.
Обозначение транзисторов или камень преткновения всех студентов. Как запомнить тип биполярного транзистора по его условной схеме? Представь что стрелочка это направление твоего движения на машине… Если едем в стенку то дружный вопль «Писец Нам Писец.
В общем, транзистор позволяет тебе слабеньким сигналом, например с ноги микроконтроллера, управлять мощной нагрузкой типа реле, двигателя или лампочки. Если не хватит усиления одного транзистора, то их можно соединять каскадами – один за другим, все мощней и мощней. А порой хватает и одного могучего полевого MOSFET транзистора. Посмотри, например, как в схемах сотовых телефонов управляется виброзвонок. Там выход с процессора идет на затвор силового MOSFET ключа.
Купить транзисторы или продать а также цены на КТ326:
Оставьте отзыв или бесплатное объявление о покупке или продаже транзисторов (полевых транзисторов, биполярных транзисторов, КТ326:
Транзистор КТ326 | Радиодетали в приборах
Транзисторы
30.06.2019
Arazbor
Транзистор КТ326
Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основанный на справочных данных различных организаций занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников. Стоит отметить, что реальное содержание может отличатся на 20-30% в меньшую сторону.
Радиодетали могут содержать золото, серебро, платину и МПГ (Металлы платиновой группы, Платиновая группа, Платиновые металлы, Платиноиды, ЭПГ)
Содержание драгоценных металлов в транзисторе: КТ326
Золото: 0.0013
Серебро: 0
Платина: 0
МПГ: 0
По данным: Справочник по драгоценным металлам ПРИКАЗ №70
Транзистор, полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.
Типы транзисторов
Существует два основных типа транзисторов: биполярные и полевые.
1. Биполярные транзисторы. Они являются, вероятно, более распространенным типом (именно о них, например, шла речь в предыдущих разделах этой главы). В базу такого транзистора подается небольшой ток, а он, в свою очередь, управляет количеством тока, протекающего между коллектором и эмиттером.
2. Полевые транзисторы. Имеют три вывода, но они называются затвор (вместо базы у биполярного), сток (вместо коллектора) и исток (вместо эмиттера). Аналогично воздействие на затвор транзистора (но на этот раз не тока, а напряжения) управляет током между стоком и истоком. Полевые транзисторы также имеют разную полярность: они бывают N-канальные (аналог NPN-биполярного транзистора) и Р-канальные (аналог PNP).
Маркировка транзисторов СССР
Обозначение транзисторов до 1964 года
Первый элемент обозначения — буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно, транзистором. Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами — МП, буква М означала модернизацию. Второй элемент обозначения — одно, двух или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной(или предельной) частоты.
От 1 до 99 — германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 101 до 199 — кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 — германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 — кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 — германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 — кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
Обозначение транзисторов после 1964 года
Первый символ необходим для обозначения типа используемого материала
Буква Г или цифра 1 — германий.
Буква К или цифра 2 — кремний.
Буква А или цифра 3 — арсенид галлия.
Второй символ обозначает тип транзистора
П — полевой транзистор
Т — биполярный транзистор
Третий символ необходим для обозначения мощности и граничной частоты
1 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
5 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные и СВЧ.
7 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.
Четвертый и пятый элементы обозначения — определяют порядковый номер разработки.
Изменения в маркировке вступившие в силу в 1978 году. Изменения коснулись обозначения функциональных возможностей — третьего элемента.
Для биполярных транзисторов:
1 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
2 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
4 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой более 300 МГц.
7 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
8 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
9 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.
Понравилось это:
Нравится Загрузка…
Tags: транзисторsu%20транзистор%20кт%20326 спецификация и примечания по применению
Каталог спецификация | MFG и тип | ПДФ | Теги документов |
---|---|---|---|
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | OCR-сканирование | 5-14мм J-132 NIX01 | |
20819X Резюме: нет абстрактного текста | OCR-сканирование | 0110/А, 0000 с право21329 21329X 21339X 21349X ТД17Т3С 22059X 20819X | |
ТЕСЛА КУ 602 Реферат: TESLA KU 601 tesla ku 611 kd 501 KD 3055 vergleichsliste DDR kd 616 tungsram UNITRA vergleichsliste | OCR-сканирование | О-220 ТЕСЛА КУ 602 ТЕСЛА КУ 601 тесла ку 611 кд 501 КД 3055 vergleichsliste ГДР кд 616 вольфрам УНИТРА vergleichsliste | |
2006 — Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | ||
2004 — ПТСК Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | 16мм2 180° ПТСП | |
ТОКИН D-03C1 Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | SSB0505 SBCP-47HY SBCC87 ТОКИН D-03C1 | |
Соединитель ТерадинРеферат: 85158 Пресс-инструмент 7990 Блок монтажный 8 шт. РУКОВОДСТВО ПО РЕМОНТУ 220-13400Текст: Нет доступного текста файла | OCR-сканирование | J-206
Терадиновый разъем
85158
пресс-инструмент
7990 монтажный блок
8
| |
2004 — СУ 179 Аннотация: Atmel 25f1024 31244 PCI-X to Serial ATA Controller Design Guide intel 31244 GD31244 port hdd interconnect sata Схема цепи GD31244 S Intel StrataFlash Parallel NOR Flash PROM SU 161 | Оригинал | 0000ч СУ 179 Атмел 25f1024 31244 Руководство по проектированию контроллера PCI-X для Serial ATA Интел 31244 ГД31244 порт hdd интерконнект схема sata ЦЕПЬ ГД31244 С Intel StrataFlash Parallel NOR Flash PROM СУ 161 | |
2003 — SSB050 Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | SSB0505 SBCP-47HY ЛФ-3000 SSB050 | |
2004 — Атмел 25f1024 Реферат: GD31244 GD31244 S SU 179 25F1024 | Оригинал | 0000ч Атмел 25f1024 ГД31244 ГД31244 С СУ 179 25Ф1024 | |
ккс конденсатор Реферат: KCK DISC CAPACITOR керамический конденсатор kck F 104 kck | OCR-сканирование | ||
2008 – Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | 50мм2 Overv17 IP20/IP65 | |
2008 — 3ДУ33 Реферат: Трансформатор 110В-220В Трансформатор 220 110 Трансформатор 220В Трансформатор 220 В Трансформатор 110В-220В с двойным напряжением Понижающий трансформатор СУ-75 Трансформатор 220В в 110В 416 | Оригинал | 208ВУ-5 ДУ-10 СУ-10 3ДУ33 трансформатор 110В-220В 220 110 трансформатор трансформаторы 220в трансформатор 220 вольт Трансформатор двойного напряжения 110–220 В понижающий трансформатор СУ-75 220В до 110В 416 трансформатор | |
с3374 Реферат: C3357 mc1496m маломощный FM-передатчик C1305 DL136 ТЕЛЕФОННАЯ РЕЧЕВАЯ СЕТЬ C13155 C3359 РЕЧЕВАЯ СЕТЬ С ИНТЕРФЕЙСОМ НАБОРНОГО НОМЕРА | OCR-сканирование | ДЛ136) c3374 C3357 мк1496м FM-передатчик малой мощности C1305 DL136 ТЕЛЕФОН РЕЧЕВАЯ СЕТЬ C13155 C3359 РЕЧЕВАЯ СЕТЬ С ИНТЕРФЕЙСОМ НОМЕРА | |
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | SSB0505 ЛФ-3000 | |
2001 — СТ72К215Г2М6Текст: Нет доступного текста файла | Оригинал | ПП100 БП3х00 БП4х00 БП2х00 БП1х00 ПДИП32С СТ72Т251Г2Б6 ST72251Gx Д2000 СУ-2000 СТ72С215Г2М6 СТ72Т771Н9Б1 Программатор групп P803 ЛАБОРАТОРНЫЙ ИНСТРУМЕНТ-48 ST72T589BW5Q6 ЛАБОРАТОРИЯ-48 Программатор групп STAG P803 Система Генеральная СУ-2000 СТ72К334Н4Б6 СТ72Т331Н4Б6 | |
709 П Аннотация: se932 SE648 | OCR-сканирование | ||
2007 — 5303A-AW900MРезюме: | XEB09-BIS 110VAC на 12VDC регулятор Оригинал | XEB09-BCS XEB09-БИС XEB09-БИС: 150 мА 110 мА 12 В постоянного тока 48 В постоянного тока XEB09-БКС: Р4Н-АВ900М, 5303A-AW900M | XEB09-БИС Регулятор 110 В переменного тока на 12 В постоянного тока|
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | OCR-сканирование | 50-301А-500 50-301А-Б1Е 50-301А-Б1Ф 950-301C-B1B 950-301C-B1C 950-301C-B1D 950-301C-B1E 950-301C-B1F 950-301C-B1G 950-301C-B1H | |
2001 — СТ6387Б Реферат: ST6378B st62t60cb6 Dataman 48 PRO L9000 ST62T32BB6 ST62 ST6225C ST62T00CM6 ST62T01CB3 | Оригинал | ST6225C PDIP16 ST62T01CB6 ST62T00CB6 ST62T01CB3 ST62T03CB6 PDIP42 ST63E88D1 СТ63Т88Б1 ST6387B ST6378B ст62т60кб6 Датаман 48 PRO L9000 СТ62Т32ББ6 СТ62 ST6225C ST62T00CM6 ST62T01CB3 | |
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | OCR-сканирование | принять13 J-133 | |
А13Д Реферат: R13D 1/SMD a13d | OCR-сканирование | СУР25Д СУИ25Д Р13Д-12 A13D Р13Д 1/СМД а13д | |
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | OCR-сканирование | 50-321А-500 50-321А-Б1Д 950-321C-B1B 950-321C-B1C 950-321C-B1D 950-321C-B1E 950-321C-B1F 950-321C-B1G 950-321C-B1H 950-321C-B1J | |
SSY20 Реферат: СФ828 ВЭБ микроэлектроник фанкаматер BUX 127 SF126 SF 127 SF128 SF826 SF 829 B | OCR-сканирование | ||
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | OCR-сканирование | К950-600А-500 ВЕР02 ВЕР01 50-600А-Б1С 50-600А-Б1Г 50-600А-Б1Ж 950-600C-B1B 950-600C-B1C 950-600C-B1D 950-600C-B1E |
Предыдущий 1 2 3 . .. 23 24 25 Далее
326 , 2326 , кт326 , , ,
326 , 2326 , кт326 , , ,326 , 2326 ( , р-н-р)
Т = 25°С | Р — (Р — ), С/ | |||||||||||||||||||
Т = 25С | ||||||||||||||||||||
I , макс. | я . макс | U R макс. (U 0 макс. ), | U 0 макс , | U 0 макс , | P макс , (P макс ), | Т, С | т макс , к | т макс , к | ч 21 (ч 21 ) | У (У ), | И (И ), | У , | И 0 , (И Р ), | ф (ф х31 ), | К , | С , | С , | т , | ||
326 | 50 | 15 | 20 | 4 | 200 | 30 | 150 | 125 | 20. ..70 | 2 | 10 | 1,2 | 0,5 | 400 | 5 | 4 | ||||
326 | 50 | 15 | 20 | 5 | 200 | 25 | 150 | 125 | 20…70 | 2 | 10 | 0,3 | 0,5 | 250 | 5 | 4 | 0,45 | 625 | ||
326 | 50 | 15 | 20 | 4 | 200 | 30 | 150 | 125 | 45…160 | 2 | 10 | 1,2 | 0,5 | 400 | 5 | 4 | ||||
326 | 50 | 15 | 20 | 5 | 200 | 25 | 150 | 125 | 45. |