Site Loader

характеристики, аналоги, datasheet и распиновка

Все технические характеристики на транзистор 2N2222 всегда указывают в своих datasheet производители устройства. Ниже мы приведём все основные параметры которые обязательны для ознакомления перед его использованием.

Впервые был представлен в 1962 году на конференции проводимой Институтом Инженеров радиоэлектронщиков. С тех пор 2N2222 завоевал огромную популярность и стал для зарубежной радиоэлектроники таким же важным как у нас КТ315. Уже изготовлено (по эпитаксиально-планарной технологии) несколько миллиардов 2N2222, и спрос на них ещё существует.

Цоколевка

Основным корпусом для 2N2222 является ТО-18, в нем же и будем рассматривать распиновку. Некоторые производители упаковывают тот же кристалл в ТО-92 для дырочного или SOT-23 и SOT-223 для навесного монтажа. При этом они имеют те же характеристики, но коллекторный ток у них ниже, из-за худших тепловых характеристик. Транзисторы в корпусе ТО-92 могут маркироваться PN2222 или P2N2222, при этом расположение выводов у них разное.

Технические характеристики

Рассмотрение технических характеристик начнём с максимально допустимых параметров. Они важны, так как если превысить эти значения, то транзистор выйдет из строя. Их измерение производилось при температуре 25°С. Для 2SC945 они равны:

  • структура N-P-N;
  • напряжение К – Б 60 В;
  • напряжение К – Э 30 В;
  • напряжение Э – Б 5 В;
  • ток коллектора 800 мА;
  • пиковый ток коллектора 800 мА;
  • пиковый ток базы 200 мА;
  • мощность без теплоотвода 500 мВт;
  • мощность с теплоотводом 1,2 Вт;
  • температура хранения -55 … +150°С;
  • температура кристалла Тj = +150°С.

Теперь рассмотрим электрические характеристики, от них напрямую зависят возможности транзистора. Их измерения производились также при температуре 25°С. Остальные параметры, от которых зависят результаты измерения, приведены в следующей таблице в отдельной колонке «Условия тестирования».

Электрические характеристики транзистора 2SD882 (при Т = +25°C)
ПараметрыУсловия тестированияОбозминмахЕд. изм
Обратный ток коллектораVCB =50В, IЭ = 0ICBO10нА
VCB =50В, IЭ = 0,

Tamb = 150°C

ICBO10мкА
Обратный ток эмиттераIC = 0; V
EB
= 3 В
IEBO10нА
Коэффициент усиленияIC = 0,1 мА; VCE = 10 ВhFE35
IC = 1 мА; VCE = 10 В50
IC = 10 мА; VCE = 10 В75
IC = 150 мА; VCE = 10 В100300
Напряжение насыщения К — ЭIC =150 мA; IB = 15 мAVCE(sat)400мВ
IC =500 мA; IB = 50 мA1,6В
Напряжение насыщения Б — ЭIC =150 мA; IB = 15 мAVВE(sat)1,3В
IC =500 мA; IB = 50 мA2,6В
Коллекторная ёмкостьIE=ie=0; VCB=10В; f=1 МГц8пФ
Граничная частота коэффициента усиленияIC = 20 мA; VCE = 20 В;

f = 100 МГц

250МГц
Время включения
ICon = 150 мA;

IBon = 15 мA;

IBoff = −15 мA

ton35нс
Время задержкиtd10нс
Время нарастанияtr25нс
Время выключенияtoff250нс
Время рассасыванияts200нс
Время спадаtf60нс

Аналоги

Перечислим зарубежные аналоги 2N2222:

  • BC107B;
  • BC109.

Среди отечественных транзисторов также есть аналог – это КТ3117.

В качестве компланарной пары производители советуют использовать 2N2907.

Производители и Datasheet

Изготовлением транзистора 2N2222 (datasheet можно скачать кликнув на название) занимаются следующие фирмы:

  • NXP Semiconductors;
  • SEMTECH ELECTRONICS;
  • New Jersey Semi-Conductor Products;
  • Siemens Semiconductor Group;
  • Foshan Blue Rocket Electronics.

В отечественные магазины предоставляют свою продукцию следующие зарубежные компании:

  • Continental Device India Limited;
  • Micro Commercial Components;
  • STMicroelectronics;
  • Inchange Semiconductor Company Limited;
  • ON Semiconductor.

NPN

Кт315 корпус

Внешние воздействующие факторы Механические кт по группе 2 таблица 1 в ГОСТв том числе: Всем привет у меня проблема с гост транзыми их у нас не купиш их нет как бы а в госте у меня нет тоже кт но я их израсходовал вопрос мой таков а на какие транзы можно поменять Би б. КТ — кремниевый высокочастотный биполярный транзистор малой мощности n-p-n-проводимости в корпусе KT, получивший самое широкое распространение в советской радиоэлектронной аппаратуре. В году А. Параметры транзистора КТ Параметр.


Поиск данных по Вашему запросу:

Кт315 корпус

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:

  • Навигация по записям
  • Кт315 гост
  • Наши любимые транзисторы КТ315 и КТ361
  • Где взять кт315. Простые схемы на КТ315
  • Транзистор КТ315. История детали,выпущенной более 7 миллиардов штук
  • Транзистор КТ315: КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж, КТ315И, КТ315Р
  • аналог КТ315
  • Кт315 параметры маркировка. Простые схемы на КТ315
  • Транзистор КТ315

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: РАСКРЫВАЕМ ТАЙНУ транзистора КТ 315

Навигация по записям


Регистрация Вход. Ответы Mail. Вопросы — лидеры Задача по физике 1 ставка. Провод КСПВ, вопрос к электрикам 1 ставка. Мощность рассеивания транзистора? Зачем электродрели нужен редуктор, точнее большая шестеренка?

Лидеры категории Антон Владимирович Искусственный Интеллект. Кислый Высший разум. Какой ТИП корпуса транзисторов кт и кт? Николай Блинов Профи , на голосовании 5 лет назад. Голосование за лучший ответ.

Александр Лысенков Знаток 5 лет назад Транзисторы такого типа называются просто-транзисторы в пластмассовом корпусе. Константин Максаев Гуру 5 лет назад маленький, оранжевый, пластмассовый кирпичек. Алексей Удовенко Просветленный 5 лет назад В момент выпуска еще не было принятой маркировки корпусов. Что получилось, то и получилось. Как и — на пластине радиаторе такая же красная пластмасса покрывала собственно кристалл. Швейк Искусственный Интеллект 5 лет назад на морду практически одинаковы, хотя n-p-n,а p-n-p, часто из них комплиментарные пары сооружали.

Цвет кстати, хотя и преобладал оранжевый, но встречался жёлтый реже , жёлто-зелёный ещё реже , и уж совсем экзотика :негритянско-чёрный и даже синий! Сергей Кольченко Искусственный Интеллект 5 лет назад Викпедия знает все. Похожие вопросы. Также спрашивают.


Кт315 гост

Нужны еще сервисы? Архив Каталог тем Добавить статью. Как покупать? Всем здарова! Так как я к каждой бочке затычка, не могу обойти вниманием столь важную тему! Выдержка из Википедии с моими дополнениями: КТ — тип кремниевого биполярного транзистора, n-p-n проводимости, получившего самое широкое распространение в советской радиоэлектронной аппаратуре.

Транзисторы КТ и КТ выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Транзистор КТ изготавливается в корпусе КТ

Наши любимые транзисторы КТ315 и КТ361

Ваши права в разделе. Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете голосовать в опросах Вы не можете добавлять файлы Вы можете скачивать файлы. Кинескоп 23SX3Y4 цоколевка. Ищу даташит или аналог на транзистор TG Опознайте стабилитрон UPC — на какое он напряжение? Помогите определить микросхему в авто Renault Laguna II. Помогите опознать резистор. Помогите опознать микросхему. Подскажите аналог или данные DI

Где взять кт315.

Простые схемы на КТ315

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры порядкового номера на схеме. Условное графическое обозначение транзистора КТБ обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Эмиттер имеет стрелку, направленную от базы.

Регистрация Вход.

Транзистор КТ315. История детали,выпущенной более 7 миллиардов штук

КТ — кремниевый ВЧ биполярный транзистор малой мощности n-p-n проводимости. КТ является самым распространенным в советской радиоэлектронной аппаратуре, он был создан в году, это был первый транзистор в котором применялась планарно-эпитаксиальная технология при его изготовлении. Суть технологии в том, что все структуры транзистора образуются с одной стороны, исходный материал имеет тип проводимости, как у коллектора, в нем сначала формируется базовая область, а потом в базовой области формируется эмиттерная. Планарно-эпитаксиальный метод изготовления транзисторов позволил значительно повысить мощность, а так же увеличить граничную частоту и максимальный ток коллектора. Транзистор выпускался в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ, маркировался транзистор буквой в левом верхнем углу которая обозначала группу, а так же указывалась дата изготовления.

Транзистор КТ315: КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж, КТ315И, КТ315Р

Эта пара транзисторов, безусловно, вошла в историю отечественной радиотехники. И пусть их сложно назвать раритетами, но посвятить им отдельную страницу, а то и не одну — святое дело. Ну, кто еще оставил такой след в сердцах мальчишек-радиолюбителей? История Маркировка КТ в народном творчестве ;. Киев Украина завод «Кварцит», г. Орджоникидзе завод «Континент», пгт. Первые выпуски были только до буквы Г.

КТ аналоги в мире; Содержание справочника транзисторов По мимо всего прочего, у них очень удобный корпус и выводы для.

аналог КТ315

Кт315 корпус

Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты, непосредственно применяются в радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для техники гражданского назначения и для поставки на экспорт. Транзисторы КТ и КТ выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Транзистор КТ изготавливается в корпусе КТ

Кт315 параметры маркировка. Простые схемы на КТ315

Новости Транзистору кт 50 лет! В году исполняется 50 лет с начала серийного производства транзистора КТ , который вошел в историю как самый популярный в советской радиоэлектронике кремниевый n-p-n транзистор. Невозможно представить советскую технику — х годов без этого юбиляра. Благодаря своей доступности и яркой необычной внешности транзистор занял особенную нишу в сознании радиолюбителей. Предпосылкой запуска в производство КТ послужило известие о новой американской разработке — транзисторах, изготовленных в пластмассовых корпусах методом сборки на непрерывной ленте.

Регистрация на форуме — это бесплатная процедура, которую нужно пройти всего один раз, чтобы иметь возможность вести диалог в существующих темах, а так-же создавать свои. Автор: Радиолюбитель , 15 февраля в Транзисторы.

Транзистор КТ315

Этот транзистор известен каждому радиолюбителю,его можно было выпаять наверно из каждого электронного изделия выпуска СССР,его корпус известен и его не спутать,название ему-КТ Кремниевый транзистор кт был выпущен в количестве более 7 миллиардов,так почему же он стал так популярен? В году был выпущен первый кт в СССР. До него, популярными массовыми транзисторами были германиевые транзисторы типа МП42,ГТ,П и подобные. У этих транзисторов был либо небольшой коллекторный ток или граничная частота и др,что затрудняло их применение в массовой аппаратуре.

Отправить комментарий. Транзисторы КТ и КТ Характеристики и их зарубежные аналоги. Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные усилительные высокочастотные маломощные.


KT315_7701104.PDF Загрузить техническое описание — IC-ON-LINE

Номер связанной детали
ЧАСТЬ Описание Производитель
154-22 153-28 154-18 154-04 154-10 154-14 154-12 1 ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 220В В(BR)Генеральный директор | 7,5 А I(С) | STR-1/4
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 180В В(BR)Генеральный директор | 7,5 А I(С) | STR-1/4
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 100В В(BR)Генеральный директор | 7,5 А I(С) | СТР-1/4
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 140В В(BR)Генеральный директор | 7,5 А I(С) | STR-1/4
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 120В В(BR)Генеральный директор | 7,5 А I(С) | STR-1/4
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 160В В(BR)Генеральный директор | 7,5 А I(С) | STR-1/4
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 260В В(BR)Генеральный директор | 7. 5A I(C)
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 200В В(BR)Генеральный директор | 7,5 А I(С) | STR-1/4
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 300В В(BR)Генеральный директор | 7.5A I(C)
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 80В В(BR)Генеральный директор | 7,5 А I(С) | STR-1/4
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 240В В(BR)Генеральный директор | 7,5 А I(С)
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 40В В(BR)Генеральный директор | 7,5 А I(С) | STR-1/4 晶体管|晶体管|叩| 40V的五(巴西)总裁| 7.5AI(丙)|个STR — 1 / 4
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 60В В(BR)Генеральный директор | 7,5 А I(С) | STR-1/4 晶体管|晶体管|叩| 60V的五(巴西)总裁| 7.5AI(丙)|个STR — 1 / 4
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 280В В(BR)Генеральный директор | 7.5A I(C) 晶体管|晶体管| npn型| 280伏特五(巴西)总裁| 7.5AI(丙
NXP Semiconductors N.V.
Bel Fuse, Inc.
YEONHO Electronics Co., Ltd.
2SD773 2SD773U4 2SD773-L2-AZ 2000 мА, 16 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 16В В(BR)Генеральный директор | 2А I(С) | TO-221VAR
NPN КРЕМНИЕВЫЙ ТРАНЗИСТОР
Из старой системы технических данных
NEC Corp.
NEC[NEC]
FCX688B FCX688BTA ТРАНЗИСТОР NPN 12 В 3000 МА SOT-89 3000 мА, 12 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР
NPN КРЕМНИЕВЫЙ СИЛОВОЙ (КОММУТАЦИОННЫЙ) ТРАНЗИСТОР
ПЛК Zetex Semiconductor
Zetex Semiconductors
2N1493 2N1410 2N335 2N337 2N333 2N2537 2N3510 2N36 5-контактные ИС с несколькими входами и программируемым сбросом
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 25МА I(С) | ТО-5
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 20MA I(С) | TO-5
5-контактный µP контрольные схемы со сторожевым устройством и ручным сбросом
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 10В В(BR)Генеральный директор | 500 мА I (С) | ТО-52
ТРАНЗИСТОР | БДТ | ПНП | 60В В(BR)Генеральный директор | 500 мА I (С) | ТО-105
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 40В В(BR)Генеральный директор | 50 мА I(С) | ТО-72
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 80В В(BR)Генеральный директор | 500 мА I (С) | ТО-5
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 20В В(BR)Генеральный директор | 500 мА I (С) | ТО-5
ТРАНЗИСТОР | БДТ | ПНП | 6V V(BR)Генеральный директор | 100 мА I(С) | ТО-92
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 7В В(BR)Генеральный директор | 100 мА I(С) | ТО-18
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 35В В(BR)Генеральный директор | 800 мА I (С) | TO-5
5-Pin µP Контрольные цепи со сторожевым устройством и ручным сбросом БДТ | НПН | 45В В(BR)Генеральный директор | 300 мА I (С) | ТО-5
Weidmuller, Corp.
ZX5T851A ZX5T851ASTZ ZX5T851ASTOA NPN Med Power Transistor
60 В NPN ТРАНЗИСТОР СРЕДНЕЙ МОЩНОСТИ С НИЗКИМ НАСЫЩЕНИЕМ В E-LINE 4500 мА, 60 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР
Из старой системы спецификаций
Zetex Semiconductor PLC
ZETEX[Zetex Semiconductors]
Diodes Incorporated
BC550C BC550C_RR BC549 BC549C BC550 ТРАНЗИСТОРSOT-54
ТРАНЗИСТОР|BJT|NPN|45VV(BR)CEO|100MAI(C)|TO-92
Транзисторы NPN общего назначения 100 мА, 30 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-92
http://
PHILIPS [Philips Semiconductors]
NXP Semiconductors N.V.
BC848 BC849 BC846 BC847 BC850 BC848C-MR    NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ КРЕМНИЕВЫЙ ТРАНЗИСТОР
NPN Эпитаксиальный кремниевый транзистор (NPN硅外延晶体管) 100 мА, 30 В, NPN, Si, МАЛЕНЬКИЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР0024 NPN Эпитаксиальный кремниевый транзистор (NPN纭??寤舵?浣??)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
Fairchild Semiconductor, Corp.
Diodes, Inc.
KRC886T KRC881T KRC882T KRC883T KRC884T KRC885T KR Встроенный резистор смещения
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛАНАРНЫЙ ТРАНЗИСТОР NPN (ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ, ПРИГЛУШЕНИЕ ЗВУКА)
(KRC881T — KRC886T) ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛАНАРНЫЙ ТРАНЗИСТОР NPN
300 мА, 20 В, 2-КАНАЛЬНЫЙ, NPN, Si, МАЛЕНЬКИЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР4 9000
Korea Electronics (KEC)
KEC[KEC(Korea Electronics)]
2SC5346 2SC5346S ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 150В В(BR)Генеральный директор | 50 мА I(С) | SC-71VAR 50 мА, 150 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР
Кремниевый NPN плоскостного эпитаксиального типа (для низкочастотного усиления высокого напряжения пробоя)
Panasonic, Corp.
Matsshita / Panasonic
Panasonic Semiconductor
БАД7312 БАД7312-СМД 3 A, 600 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР, TO-251
3 A, 600 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР, TO-252
Из старой системы спецификаций
Кремниевый NPN Высоковольтный переключающий транзистор
ВИШАЙ ТЕЛЕФУНКЕН
ЭКГ48 ЭКГ52 ЭКГ36 ЭКГ36МП ЭКГ37MCP ЭКГ50 ЭКГ47 ЭКГ ТРАНЗИСТОР | БДТ | ДАРЛИНГТОН | НПН | 50В В(BR)Генеральный директор | 1А I(С) | ТО-92ВАР
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 450В В(BR)Генеральный директор | 5А I(С) | ТО-3
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 140В В(BR)Генеральный директор | 12А I(С) | ТО-3ВАР
ТРАНЗИСТОР | БДТ | ПАРА | НПН | 140В В(BR)Генеральный директор | 12А I(С) | ТО-3ВАР
ТРАНЗИСТОР | БДТ | ПАРА | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | 140В В(BR)Генеральный директор | 12А I(С) | TO-3VAR 晶体管|晶体管|一对|互补| 140伏特五(巴西)总裁| 12A条一(c)|VAR
ТРАНЗИСТОР | БДТ | ПНП | 100В В(BR)Генеральный директор | 2А I(С) | TO-202 晶体管|晶体管|进步党| 100V的五(巴西)总裁|甲一(c)|02
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 45В В(BR)Генеральный директор | 200 мА I(С) | ТО-92
ТРАНЗИСТОР | БДТ | ПНП | 150В В(BR)Генеральный директор | 8А I(С) | ТО-220АБ
Electronic Theater Controls, Inc.

alexxlab

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *