Кт209 маркировка: Транзистор КТ209 — DataSheet – Транзистор КТ209 — RC74 — интернет-магазин радиоуправляемых моделей

Содержание

Транзистор КТ209 — DataSheet

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ209А		*MPS404, CS9020 ^2, 2S3221 ^3, 2N862 ^3, 2N2278 ^3, 2N2184 ^3, 2N2276 ^3, 2N2277 ^3, 2N864A ^3*
		КТ209Б		*MPS404, 2S3040 ^3, 2N1239 ^3, 2S3240 ^3, 2N2894 ^3, KSY81 ^3, 2N3977 ^3, TR15 ^2, KSY82 ^3*
		КТ209В		*MPS404, 2SA1883 ^1, 2SB1279 ^1, 2SB1199 ^1, 2S307A ^3, СР4 ^2 , 2N2944 ^3, ТР2944 ^2**
		КТ209В2		*MPS404, 2S304A ^3, 2N2944A ^3, 2N3059^3**
		КТ209Г		*MPS404, 2N1254 ^1, 2N6567 ^1, 2N3344 ^3, HA9048 ^3, 2N1643 ^3, 2N861 ^3, 2N860 ^3**
		КТ209Д		*MPS404, PET4059 ^3, РЕТ4060 ^3, 2N1255 ^3, MPS404 ^2, ТНС2945 ^3, 2N3978 ^3, 2N2945 ^3, 2N3209 ^3, ВС250 ^2, 2N869A ^3*
		КТ209Е		*MPS404, 2N4125 ^2, 2SA1211^3, 2N1258 ^3, ВС381 ^2, ВС181 ^2, KSA1378, НА9049 ^3, 2N2945A^3**
		КТ209Ж		*MPS404, 2N327B ^3, 2S3220 ^3, 2S3210 ^3, 2N3979 ^3, OC204 ^3, ОС206 ^2*
		КТ209И		*MPS404, 2N1257 ^3, 2N1256 ^3, MPS404A ^2**
		КТ209К		*MPS404A, 2SA539, KSA539, IT 139 ^1, IT139/71 ^1, XIT139 ^1, BSR18 ^1, 2SA1835SP ^1, 2SA1835SN ^1, 2SA1835S, 2SA558 ^3, 2SA559A ^3, 2N2946 ^3**
		КТ209Л		*MPS404A, ОС205 ^1, 2N1259 ^3*
		КТ209М		*MPS404A, 2N343 ^3, GES2906A, 2N3913 ^1, 2N3910 ^1, JE9215, JE9215A, 2N1259 ^3, KSA539 ^2**
		КТ209К9		ММВТ404А
Структура			—	p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	P_K max,P^_{K, τ max},P^*_{K, и max}	—	35 °С	200	мВт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	f_гр,f^_h31б,f^_h31э, f^**_max	КТ209А	—	≥5	МГц
		КТ209Б	—	≥5
		КТ209В	—	≥5
		КТ209В2	—	≥5
		КТ209Г	—	≥5
		КТ209Д	—	≥5
		КТ209Е	—	≥5
		КТ209Ж	—	≥5
		КТ209И	—	≥5
		КТ209К	—	≥5
		КТ209Л	—	≥5
		КТ209М	—	≥5
		КТ209К9		≥4
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	U_{КБО проб.,}U^_{КЭR проб.,}U^*_{КЭО проб.}	КТ209А	—	15	В
		КТ209Б	—	15
		КТ209В	—	15
		КТ209В2	—	15
		КТ209Г	—	30
		КТ209Д	—	30
		КТ209Е	—	30
		КТ209Ж	—	45
		КТ209И	—	45
		КТ209К	—	45
		КТ209Л	—	60
		КТ209М	—	60
		КТ209К9	—	40
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	U_{ЭБО проб.,}	КТ209А	—	10	В
		КТ209Б	—	10
		КТ209В	—	10
		КТ209В2	—	10
		КТ209Г	—	10
		КТ209Д	—	10
		КТ209Е	—	10
		КТ209Ж	—	20
		КТ209И	—	20
		КТ209К	—	20
		КТ209Л	—	20
		КТ209М	—	20
		КТ209К9		25
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	I_{K max,} I^*_{К , и max}	КТ209А	—	*300(500)**	мА
		КТ209Б	—	*300(500)**
		КТ209В	—	*300(500)**
		КТ209В2	—	*300(500)**
		КТ209Г	—	*300(500)**
		КТ209Д	—	*300(500)**
		КТ209Е	—	*300(500)**
		КТ209Ж	—	*300(500)**
		КТ209И	—	*300(500)**
		КТ209К	—	*300(500)**
		КТ209Л	—	*300(500)**
		КТ209М	—	*300(500)**
		КТ209К9	—	150
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	I_КБО, I^_КЭR, I^*_КЭO	КТ209А	15 В	≤1*	мкА
		КТ209Б	15 В	≤1*
		КТ209В	15 В	≤1*
		КТ209В2	15 В	≤1*
		КТ209Г	30 В	≤1*
		КТ209Д	30 В	≤1*
		КТ209Е	30 В	≤1*
		КТ209Ж	45 В	≤1*
		КТ209И	45 В	≤1*
		КТ209К	45 В	≤1*
		КТ209Л	60 В	≤1*
		КТ209М	60 В	≤1*
		КТ209К9	—	≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h_21э, h^*_21Э	КТ209А	1 В; 30 мА	20…60*
		КТ209Б	1 В; 30 мА	40…120*
		КТ209В	1 В; 30 мА	80…240*
		КТ209В2		≥200*
		КТ209Г	1 В; 30 мА	20…60*
		КТ209Д	1 В; 30 мА	40…120*
		КТ209Е	1 В; 30 мА	80…240*
		КТ209Ж	1 В; 30 мА	20…60*
		КТ209И	1 В; 30 мА	40…120*
		КТ209К	1 В; 30 мА	80…160*
		КТ209Л	1 В; 30 мА	20…60*
		КТ209М	1 В; 30 мА	40…120*
		КТ209К9	0.2 В; 12 мА	≥30
Емкость коллекторного перехода	c_к, с^*_12э	КТ209А	10 В	≤50	пФ
		КТ209Б	10 В	≤50
		КТ209В	10 В	≤50
		КТ209В2	10 В	≤50
		КТ209Г	10 В	≤50
		КТ209Д	10 В	≤50
		КТ209Е	10 В	≤50
		КТ209Ж	10 В	≤50
		КТ209И	10 В	≤50
		КТ209К	10 В	≤50
		КТ209Л	10 В	≤50
		КТ209М	10 В	≤50
		КТ209К9	—	≤15
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	r_{КЭ нас}, r*_{БЭ нас}	КТ209А	—	≤1.3	Ом
		КТ209Б	—	≤1.3
		КТ209В	—	≤1.3
		КТ209В2	—	≤1.3
		КТ209Г	—	≤1.3
		КТ209Д	—	≤1.3
		КТ209Е	—	≤1.3
		КТ209Ж	—	≤1.3
		КТ209И	—	≤1.3
		КТ209К	—	≤1.3
		КТ209Л	—	≤1.3
		КТ209М	—	≤1.3
		КТ209К9	—	≤1.1
Коэффициент шума транзистора	К_ш, r^*_b, P_вых	КТ209А	—	—	Дб, Ом, Вт
		КТ209Б	—	—
		КТ209В	1 кГц	≤5
		КТ209В2	1 кГц	≤5
		КТ209Г	—	—
		КТ209Д	—	—
		КТ209Е	1 кГц	≤5
		КТ209Ж	—	—
		КТ209И	—	—
		КТ209К	1 кГц	≤5
		КТ209Л	—	—
		КТ209М	—	—
		КТ209К9	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τ_к, t_рас, t^_выкл, t^**_пк(нс)	КТ209А	—	—	пс
		КТ209Б	—	—
		КТ209В	—	—
		КТ209В2	—	—
		КТ209Г	—	—
		КТ209Д	—	—
		КТ209Е	—	—
		КТ209Ж	—	—
		КТ209И	—	—
		КТ209К	—	—
		КТ209Л	—	—
		КТ209М	—	—
		КТ209К9	—	—

Транзистор КТ209

Поиск по сайту

Транзистор КТ209 — усилительный, эпитаксиально-планарный, кремниевый, структуры p-n-p. Нормируется по коэффициенту шума на частоте 1 кГц. Применяется в импульсных и усилительных модулях, а также в различных блоках герметизированной аппаратуры. Два номинала транзистора КТ209 выпускаются специально для применения в телевизионных приёмниках, это КТ209Б1 и КТ209В1.
КТ209 выпускаются в двух вариантах корпусов (см. рисунок ниже) и маркируются следующим образом:
вариант 1 — буква типономинала на корпусе;
вариант 2 — на боковой поверхности имеется метка серого цвета, а на торце транзистора метка, соответствующего типономинала.

Вариант 1
КТ209А	А
КТ209Б	Б
КТ209Б1	Б1
КТ209В	В
КТ209В1	В1
КТ209Г	Г
КТ209Д	Д
КТ209Е	Е
КТ209Ж	Ж
КТ209И	И
КТ209К	К
КТ209Л	Л
КТ209М	М

Вариант 2
КТ209А	тёмно-красная
КТ209Б	жёлтая
КТ209В	тёмно-зелёная
КТ209Г	голубая
КТ209Д	синяя
КТ209Е	белая
КТ209Ж	коричневая
КТ209И	серебристая
КТ209К	оранжевая
КТ209Л	светло-табачная
КТ209М	серая

Оба варианта исполнения имеют пластмассовый корпус и гибкие выводы. Весит транзистор КТ209 не более 0.3 г.

КТ209 цоколевка

Цоколевка КТ209 показана на рисунке выше.

Электрические параметры транзистора КТ209

• Коэффициент передачи тока (статический). Схема с общим эмиттером. U_кб = 1 В, I_к = 30 мА:
Т = +25°C:
КТ209А, КТ209Г, КТ209Ж, КТ209Л	20 ÷ 60
КТ209Б, КТ209Д, КТ209И, КТ209М	40 ÷ 120
КТ209В, КТ209Е	80 ÷ 240
КТ209К	80 ÷ 160
КТ209Б1, не менее	12
КТ209В1, не менее	30
Т = +100°C:
КТ209А, КТ209Г, КТ209Ж, КТ209Л	20 ÷ 120
КТ209Б, КТ209Д, КТ209И, КТ209М	40 ÷ 240
КТ209В, КТ209Е	80 ÷ 480
КТ209К	80 ÷ 320
КТ209Б1, не менее	12
КТ209В1, не менее	30
Т = −45°C:
КТ209А, КТ209Г, КТ209Ж, КТ209Л	10 ÷ 60
КТ209Б, КТ209Д, КТ209И, КТ209М	20 ÷ 120
КТ209В, КТ209Е	40 ÷ 240
КТ209К	40 ÷ 160
КТ209Б1, не менее	6
КТ209В1, не менее	15

• Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ при U_кб = 5 В, I_к = 10 мА, не менее:	5 МГц

• Коэффициент шума при I_к = 0.2 мА, U_кэ = 5 В, f = 1 кГц для КТ209В, КТ209Е, КТ209К, не более:	5 дБ

• Напряжение насыщения К-Э, при I_к = 300 мА, I_б = 30 мА, не более	0.4 В

• Напряжение насыщения Б-Э, при I_к = 300 мА, I_б = 30 мА, не более	1.5 В

• Ток эмиттера (обратный), при U_эб = U_{эб max}, не более	1 мкА

• Входное сопротивление в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером, при U_кэ = 5 В, I_к = 5 мА	130÷2500 Ом

• Ёмкость коллекторного перехода при U_кб = 10 В, f = 500 КГц, не более:	50 пФ

• Ёмкость коллекторного перехода при U_эб = 0.5 В, f = 1 МГц, не более:	100 пФ

Предельные эксплуатационные характеристики транзисторов КТ209

• Напряжение К-Б (постоянное):
при Т = +25…+100°C:
КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Б1, КТ209В1	15 В
КТ209К, КТ209Д, КТ209Е	30 В
КТ209Ж, КТ209И, КТ209К	45 В
КТ209Л, КТ209М	60 В
при Т = −45°C:
КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Б1, КТ209В1	10 В
КТ209К, КТ209Д, КТ209Е	25 В
КТ209Ж, КТ209И, КТ209К	40 В
КТ209Л, КТ209М	55 В

• Напряжение К-Э (постоянное) при R_бэ ≤ 10 КОм:
при Т = +25…+100°C:
КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Б1, КТ209В1	15 В
КТ209К, КТ209Д, КТ209Е	30 В
КТ209Ж, КТ209И, КТ209К	45 В
КТ209Л, КТ209М	60 В
при Т = −45°C:
КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Б1, КТ209В1	10 В
КТ209К, КТ209Д, КТ209Е	25 В
КТ209Ж, КТ209И, КТ209К	40 В
КТ209Л, КТ209М	55 В

• Напряжение Э-Б (постоянное):
при Т = +25…+100°C:
КТ209Б1	5 В
КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Г, КТ209Д, КТ209Е, КТ209В1	10 В
КТ209Ж, КТ209И, КТ209К, КТ209Л, КТ209М	15 В

• Ток коллектора (постоянный):	300 мА

• Ток коллектора (импульсный):	500 мА
• Ток базы (постоянный):	100 мА

• Рассеиваемая мощность коллектора (постоянная):
T = −45…+45°C	200 мВт
T = +100°C	62.5 мВт

• Тепловое сопротивление переход − среда	0.45°C/мВт

• Температура p-n перехода	+125°C

• Рабочая температура (окружающей среды)	−45 … +100°C

При Т > +45°C P_{к_макс} уменьшается линейно.

Цветовая и кодовая маркировка транзисторов

Цветовая и кодовая маркировка в корпусе КТ-26

Цветовая кодировка группы

Группа	Цветная точка сверху
А	Темно-красная
Б	Желтая
В	Темно-зеленая
Г	Голубая
Д	Синяя
Е	Белая
Ж	Темно-коричневая
И	Серебристая
К	Оранжевая
Л	Светло-табачная
М	Серая

Кодовая маркировка радиоэлементов в корпусе КТ-27

Пример

Кодовая маркировка даты выпуска приборов

Год	Кодированное обозначение
1983	R
1984	S
1985	Т
1986	U
1987	V
1988	W
1989	X
1990	A
1991	В
1992	С
1993	D
1994	E
1995	F
1996	H
1997	J
1998	K
1999	L
2000	N

Месяц	Кодированное обозначение
Январь	1
Февраль	2
Март	3
Апрель	4
Май	5
Июнь	6
Июль	7
Август	8
Сентябрь	9
Октябрь	0
Ноябрь	N
Декабрь	D

Транзистор КТ209Б | | Радиодетали в приборах

Транзистор КТ209Б
Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основанный на справочных данных различных организаций занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников. Стоит отметить, что реальное содержание может отличатся на 20-30% в меньшую сторону.

Радиодетали могут содержать золото, серебро, платину и МПГ (Металлы платиновой группы, Платиновая группа, Платиновые металлы, Платиноиды, ЭПГ)

Содержание драгоценных металлов в транзисторе: КТ209Б

Золото: 0.0097
Серебро: 0
Платина: 0
МПГ: 0
По данным: Справочник по драгоценным металлам ПРИКАЗ №70

Транзистор, полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.

Типы транзисторов

Существует два основных типа транзисторов: биполярные и полевые.

1. Биполярные транзисторы. Они являются, вероятно, более распространенным типом (именно о них, например, шла речь в предыдущих разделах этой главы). В базу такого транзистора подается небольшой ток, а он, в свою очередь, управляет количеством тока, протекающего между коллектором и эмиттером.
2. Полевые транзисторы. Имеют три вывода, но они называются затвор (вместо базы у биполярного), сток (вместо коллектора) и исток (вместо эмиттера). Аналогично воздействие на затвор транзистора (но на этот раз не тока, а напряжения) управляет током между стоком и истоком. Полевые транзисторы также имеют разную полярность: они бывают N-канальные (аналог NPN-биполярного транзистора) и Р-канальные (аналог PNP).

Маркировка транзисторов СССР

Обозначение транзисторов до 1964 года
Первый элемент обозначения – буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно, транзистором. Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами – МП, буква М означала модернизацию. Второй элемент обозначения – одно, двух или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной(или предельной) частоты.
От 1 до 99 – германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 101 до 199 – кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 – германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 – кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 – германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 – кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 – германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 – кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.

Обозначение транзисторов после 1964 года

Первый символ необходим для обозначения типа используемого материала
Буква Г или цифра 1 – германий.
Буква К или цифра 2 – кремний.
Буква А или цифра 3 – арсенид галлия.

Второй символ обозначает тип транзистора
П – полевой транзистор
Т – биполярный транзистор

Третий символ необходим для обозначения мощности и граничной частоты
1 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
5 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные и СВЧ.
7 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.

Четвертый и пятый элементы обозначения – определяют порядковый номер разработки.

Изменения в маркировке вступившие в силу в 1978 году. Изменения коснулись обозначения функциональных возможностей – третьего элемента.

Для биполярных транзисторов:
1 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
2 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
4 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой более 300 МГц.
7 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
8 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
9 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.

Транзистор КТ209 — DataSheet

Транзистор КТ209

КТ209 цоколевка

Электрические параметры транзистора КТ209

Предельные эксплуатационные характеристики транзисторов КТ209

Цветовая и кодовая маркировка транзисторов

Транзистор КТ209Б | | Радиодетали в приборах

Содержание драгоценных металлов в транзисторе: КТ209Б

Типы транзисторов

Маркировка транзисторов СССР

Поделиться ссылкой:

Похожее

alexxlab

Добавить комментарий Отменить ответ

Рубрики