Site Loader

Транзистор КТ209 — DataSheet

Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ209А MPS404, CS9020 *2, 2S3221 *3, 2N862 *3, 2N2278 *3, 2N2184 *3, 2N2276 *3, 2N2277 *3, 2N864A *3
КТ209Б MPS404, 2S3040 *3, 2N1239 *3, 2S3240 *3, 2N2894 *3, KSY81 *3, 2N3977 *3, TR15 *2, KSY82 *3
КТ209В MPS404, 2SA1883 *1, 2SB1279 *1, 2SB1199 *1, 2S307A *3, СР4 *2, 2N2944 *3, ТР2944 *2
КТ209В2 MPS404, 2S304A *3, 2N2944A *3
, 2N3059 *3
КТ209Г MPS404, 2N1254 *1, 2N6567 *1, 2N3344 *3, HA9048 *3, 2N1643 *3, 2N861 *3, 2N860 *3
КТ209Д MPS404, PET4059 *3, РЕТ4060 *3, 2N1255 *3, MPS404 *2, ТНС2945 *3, 2N3978 *3, 2N2945 *3, 2N3209 *3, ВС250 *2, 2N869A *3
КТ209Е MPS404, 2N4125 *2, 2SA1211 *3, 2N1258 *3, ВС381 *2, ВС181 *2, KSA1378, НА9049 *3, 2N2945A *3
КТ209Ж MPS404, 2N327B *3, 2S3220 *3, 2S3210
*3
, 2N3979 *3, OC204 *3, ОС206 *2
КТ209И MPS404, 2N1257 *3, 2N1256 *3, MPS404A *2
КТ209К MPS404A, 2SA539, KSA539, IT 139 *1, IT139/71 *1, XIT139 *1, BSR18 *1, 2SA1835SP *1, 2SA1835SN *1, 2SA1835S, 2SA558 *3, 2SA559A *3, 2N2946 *3
КТ209Л MPS404A, ОС205 *1, 2N1259 *3
КТ209М MPS404A, 2N343 *3, GES2906A, 2N3913 *1, 2N3910 *1, JE9215, JE9215A, 2N1259 *3, KSA539 *2
КТ209К9 ММВТ404А
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max  35 °С 200 мВт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h31б, f**h31э, f***max КТ209А ≥5 МГц
КТ209Б ≥5
КТ209В ≥5
КТ209В2 ≥5
КТ209Г ≥5
КТ209Д ≥5
КТ209Е ≥5
КТ209Ж ≥5
КТ209И ≥5
КТ209К  — ≥5
КТ209Л  — ≥5
КТ209М  — ≥5
КТ209К9 ≥4
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ209А 15 В
КТ209Б 15
КТ209В 15
КТ209В2 15
КТ209Г 30
КТ209Д 30
КТ209Е 30
КТ209Ж 45
КТ209И 45
КТ209К 45
КТ209Л 60
КТ209М 60
КТ209К9 40
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ209А  — 10 В
КТ209Б 10
КТ209В 10
КТ209В2 10
КТ209Г 10
КТ209Д 10
КТ209Е 10
КТ209Ж 20
КТ209И 20
КТ209К 20
КТ209Л 20
КТ209М 20
КТ209К9 25
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ209А 300(500*) мА
КТ209Б 300(500*)
КТ209В 300(500*)
КТ209В2 300(500*)
КТ209Г 300(500*)
КТ209Д 300(500*)
КТ209Е 300(500*)
КТ209Ж 300(500*)
КТ209И 300(500*)
КТ209К 300(500*)
КТ209Л 300(500*)
КТ209М 300(500*)
КТ209К9 150
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ209А 15 В ≤1* мкА
КТ209Б 15 В ≤1*
КТ209В 15 В ≤1*
КТ209В2 15 В ≤1*
КТ209Г 30 В ≤1*
КТ209Д 30 В ≤1*
КТ209Е 30 В ≤1*
КТ209Ж 45 В ≤1*
КТ209И 45 В ≤1*
КТ209К 45 В ≤1*
КТ209Л 60 В ≤1*
КТ209М 60 В ≤1*
КТ209К9 ≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ209А  1 В; 30 мА 20…60*
КТ209Б 1 В; 30 мА 40…120*
КТ209В
1 В; 30 мА 80…240*
КТ209В2 ≥200*
КТ209Г 1 В; 30 мА 20…60*
КТ209Д 1 В; 30 мА 40…120*
КТ209Е 1 В; 30 мА 80…240*
КТ209Ж 1 В; 30 мА 20…60*
КТ209И 1 В; 30 мА 40…120*
КТ209К 1 В; 30 мА 80…160*
КТ209Л 1 В; 30 мА 20…60*
КТ209М 1 В; 30 мА 40…120*
КТ209К9
0.2 В; 12 мА ≥30
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ209А 10 В ≤50 пФ
КТ209Б 10 В ≤50
КТ209В 10 В ≤50
КТ209В2 10 В ≤50
КТ209Г 10 В ≤50
КТ209Д 10 В ≤50
КТ209Е 10 В ≤50
КТ209Ж 10 В ≤50
КТ209И
10 В ≤50
КТ209К 10 В ≤50
КТ209Л 10 В ≤50
КТ209М 10 В ≤50
КТ209К9 ≤15
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас КТ209А ≤1.3 Ом
КТ209Б ≤1.3
КТ209В ≤1.3
КТ209В2 ≤1.3
КТ209Г ≤1.3
КТ209Д ≤1.3
КТ209Е ≤1.3
КТ209Ж ≤1.3
КТ209И ≤1.3
КТ209К ≤1.3
КТ209Л ≤1.3
КТ209М ≤1.3
КТ209К9 ≤1.1
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, Pвых КТ209А Дб, Ом, Вт
КТ209Б
КТ209В 1 кГц ≤5
КТ209В2 1 кГц ≤5
КТ209Г
КТ209Д
КТ209Е 1 кГц ≤5
КТ209Ж
КТ209И
КТ209К 1 кГц ≤5
КТ209Л
КТ209М
КТ209К9
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ209А пс
КТ209Б
КТ209В
КТ209В2
КТ209Г
КТ209Д
КТ209Е
КТ209Ж
КТ209И
КТ209К
КТ209Л
КТ209М
КТ209К9

Транзистор КТ209

Поиск по сайту


Транзистор КТ209 — усилительный, эпитаксиально-планарный, кремниевый, структуры p-n-p. Нормируется по коэффициенту шума на частоте 1 кГц. Применяется в импульсных и усилительных модулях, а также в различных блоках герметизированной аппаратуры. Два номинала транзистора КТ209 выпускаются специально для применения в телевизионных приёмниках, это КТ209Б1 и КТ209В1.
КТ209 выпускаются в двух вариантах корпусов (см. рисунок ниже) и маркируются следующим образом:
вариант 1 — буква типономинала на корпусе;
вариант 2 — на боковой поверхности имеется метка серого цвета, а на торце транзистора метка, соответствующего типономинала.

Вариант 1
КТ209А А
КТ209Б Б
КТ209Б1 Б1
КТ209В В
КТ209В1 В1
КТ209Г Г
КТ209Д Д
КТ209Е Е
КТ209Ж Ж
КТ209И И
КТ209К К
КТ209Л Л
КТ209М М
Вариант 2
КТ209А тёмно-красная
КТ209Б жёлтая
КТ209В тёмно-зелёная
КТ209Г голубая
КТ209Д синяя
КТ209Е белая
КТ209Ж коричневая
КТ209И серебристая
КТ209К оранжевая
КТ209Л светло-табачная
КТ209М серая

 


Оба варианта исполнения имеют пластмассовый корпус и гибкие выводы. Весит транзистор КТ209 не более 0.3 г.

КТ209 цоколевка

Цоколевка КТ209 показана на рисунке выше.


Электрические параметры транзистора КТ209

• Коэффициент передачи тока (статический). Схема с общим эмиттером.
Uкб = 1 В, Iк = 30 мА:
 Т = +25°C:
КТ209А, КТ209Г, КТ209Ж, КТ209Л 20 ÷ 60
КТ209Б, КТ209Д, КТ209И, КТ209М 40 ÷ 120
КТ209В, КТ209Е 80 ÷ 240
КТ209К 80 ÷ 160
КТ209Б1, не менее 12
КТ209В1, не менее 30
 Т = +100°C:
КТ209А, КТ209Г, КТ209Ж, КТ209Л 20 ÷ 120
КТ209Б, КТ209Д, КТ209И, КТ209М 40 ÷ 240
КТ209В, КТ209Е 80 ÷ 480
КТ209К 80 ÷ 320
КТ209Б1, не менее 12
КТ209В1, не менее 30
 Т = −45°C:
КТ209А, КТ209Г, КТ209Ж, КТ209Л 10 ÷ 60
КТ209Б, КТ209Д, КТ209И, КТ209М 20 ÷ 120
КТ209В, КТ209Е 40 ÷ 240
КТ209К 40 ÷ 160
КТ209Б1, не менее 6
КТ209В1, не менее 15
• Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ
при Uкб = 5 В, Iк = 10 мА, не менее:
5 МГц
• Коэффициент шума при Iк = 0.2 мА, Uкэ = 5 В, f = 1 кГц
для КТ209В, КТ209Е, КТ209К, не более:
5 дБ
• Напряжение насыщения К-Э, при Iк = 300 мА, Iб = 30 мА, не более    
0.4 В
• Напряжение насыщения Б-Э, при Iк = 300 мА, Iб = 30 мА, не более 1.5 В
• Ток эмиттера (обратный), при Uэб = Uэб max, не более 1 мкА
• Входное сопротивление в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером,   
при Uкэ = 5 В, Iк = 5 мА
130÷2500
Ом
• Ёмкость коллекторного перехода при Uкб = 10 В, f = 500 КГц, не более: 50 пФ
• Ёмкость коллекторного перехода при Uэб = 0.5 В, f = 1 МГц, не более: 100 пФ

Предельные эксплуатационные характеристики транзисторов КТ209

• Напряжение К-Б (постоянное):
 при Т = +25…+100°C:
КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Б1, КТ209В1 15 В
КТ209К, КТ209Д, КТ209Е 30 В
КТ209Ж, КТ209И, КТ209К 45 В
КТ209Л, КТ209М 60 В
 при Т = −45°C:
КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Б1, КТ209В1 10 В
КТ209К, КТ209Д, КТ209Е 25 В
КТ209Ж, КТ209И, КТ209К 40 В
КТ209Л, КТ209М 55 В
• Напряжение К-Э (постоянное) при Rбэ ≤ 10 КОм:
 при Т = +25…+100°C:
КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Б1, КТ209В1 15 В
КТ209К, КТ209Д, КТ209Е 30 В
КТ209Ж, КТ209И, КТ209К 45 В
КТ209Л, КТ209М 60 В
 при Т = −45°C:
КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Б1, КТ209В1 10 В
КТ209К, КТ209Д, КТ209Е 25 В
КТ209Ж, КТ209И, КТ209К 40 В
КТ209Л, КТ209М 55 В
• Напряжение Э-Б (постоянное):
 при Т = +25…+100°C:
КТ209Б1 5 В
КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209Г, КТ209Д, КТ209Е, КТ209В1  
10 В
КТ209Ж, КТ209И, КТ209К, КТ209Л, КТ209М 15 В
• Ток коллектора (постоянный): 300 мА
• Ток коллектора (импульсный): 500 мА
• Ток базы (постоянный): 100 мА
• Рассеиваемая мощность коллектора (постоянная):
T = −45…+45°C 200 мВт
T = +100°C 62.5 мВт
• Тепловое сопротивление переход − среда 0.45°C/мВт
• Температура p-n перехода +125°C
• Рабочая температура (окружающей среды) −45 … +100°C

При Т > +45°C Pкмакс уменьшается линейно.



Цветовая и кодовая маркировка транзисторов

Цветовая и кодовая маркировка в корпусе КТ-26

 

Цветовая кодировка группы

Группа Цветная
точка сверху
А Темно-красная
Б Желтая
В Темно-зеленая
Г Голубая
Д Синяя
Е Белая
Ж Темно-коричневая
И Серебристая
К Оранжевая
Л Светло-табачная
М Серая

Кодовая маркировка радиоэлементов в корпусе КТ-27

Пример


Кодовая маркировка даты выпуска приборов

Год Кодированное
обозначение
1983 R
1984 S
1985 Т
1986 U
1987 V
1988 W
1989 X
1990 A
1991 В
1992 С
1993 D
1994 E
1995 F
1996 H
1997 J
1998 K
1999 L
2000 N

 

Месяц Кодированное
обозначение
Январь 1
Февраль 2
Март 3
Апрель 4
Май 5
Июнь 6
Июль 7
Август 8
Сентябрь 9
Октябрь 0
Ноябрь N
Декабрь D

Транзистор КТ209Б | | Радиодетали в приборах

Транзистор КТ209Б
Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основанный на справочных данных различных организаций занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников. Стоит отметить, что реальное содержание может отличатся на 20-30% в меньшую сторону.

Радиодетали могут содержать золото, серебро, платину и МПГ (Металлы платиновой группы, Платиновая группа, Платиновые металлы, Платиноиды, ЭПГ)

Содержание драгоценных металлов в транзисторе: КТ209Б

Золото: 0.0097
Серебро: 0
Платина: 0
МПГ: 0
По данным: Справочник по драгоценным металлам ПРИКАЗ №70

Транзистор, полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.

Типы транзисторов

Существует два основных типа транзисторов: биполярные и полевые.

1. Биполярные транзисторы. Они являются, вероятно, более распространенным типом (именно о них, например, шла речь в предыдущих разделах этой главы). В базу такого транзистора подается небольшой ток, а он, в свою очередь, управляет количеством тока, протекающего между коллектором и эмиттером.
2. Полевые транзисторы. Имеют три вывода, но они называются затвор (вместо базы у биполярного), сток (вместо коллектора) и исток (вместо эмиттера). Аналогично воздействие на затвор транзистора (но на этот раз не тока, а напряжения) управляет током между стоком и истоком. Полевые транзисторы также имеют разную полярность: они бывают N-канальные (аналог NPN-биполярного транзистора) и Р-канальные (аналог PNP).

Маркировка транзисторов СССР

Обозначение транзисторов до 1964 года
Первый элемент обозначения – буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно, транзистором. Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами – МП, буква М означала модернизацию. Второй элемент обозначения – одно, двух или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной(или предельной) частоты.
От 1 до 99 – германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 101 до 199 – кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 – германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 – кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 – германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 – кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 – германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 – кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.

Обозначение транзисторов после 1964 года

Первый символ необходим для обозначения типа используемого материала
Буква Г или цифра 1 – германий.
Буква К или цифра 2 – кремний.
Буква А или цифра 3 – арсенид галлия.

Второй символ обозначает тип транзистора
П – полевой транзистор
Т – биполярный транзистор

Третий символ необходим для обозначения мощности и граничной частоты
1 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
5 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные и СВЧ.
7 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.

Четвертый и пятый элементы обозначения – определяют порядковый номер разработки.

Изменения в маркировке вступившие в силу в 1978 году. Изменения коснулись обозначения функциональных возможностей – третьего элемента.

Для биполярных транзисторов:
1 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
2 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
4 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой более 300 МГц.
7 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
8 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
9 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.

Поделиться ссылкой:

Похожее

alexxlab

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *