Коэффициент — выпрямление — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Коэффициент — выпрямление
Cтраница 1
Коэффициент выпрямления может изменяться от единицы до бесконечности. Идеальным считают выпрямитель, когда К. [2]
Коэффициент выпрямления представляет собой отношение обратного сопротивления выпрямителя к прямому при постоянном напряжении на его зажимах. [3]
Коэффициент выпрямления характеризует качество выпрямителя. [4]
Коэффициент выпрямления достигает 10 000; рабочая температура от — 45 С до 75 С. [6]
Коэффициент выпрямления может изменяться от единицы до бесконечности. Коэффициент выпрямления для каждого выпрямителя не остается постоянной величиной, а зависит от приложенного напряжения и температуры. Предельные значения напряжения, которое может быть подано на выпрямитель, составляют в зависимости от типа выпрямителя для меднозакисного 4 — 5 в и для германиевого 30 — 40 в. Напряжения, больше указанных, вызывают пробой запирающего слоя и выпрямитель теряет свои свойства, начиная пропускать ток одинаково в обоих направлениях. [7]
Коэффициент выпрямления зависит от частоты и значения преобразуемой электрической величины и от темпера туры окружающей среды. С повышением частоты часть тока ответвляется через внутреннюю емкость диода и коэффициент выпрямления уменьшается. Такое же действие оказывает и повышение температуры окружающей среды. [8]
Коэффициент выпрямления зависит от частоты и значения преобразуемой электрической величины и от темпера — туры окружающей среды. С повышением частоты часть тока ответвляется через внутреннюю емкость диода и коэффициент выпрямления уменьшается. Такое же действие оказывает и повышение температуры окружающей среды. [10]
Коэффициенты выпрямления
Коэффициент выпрямления уменьшается с увеличением мощности диода. [14]
Коэффициенты выпрямления титановых выпрямителей не велики, однако высокая рабочая температура ( до 200 С) и способность выдерживать кратковременный нагрев до 400
Определить коэффициент выпрямления диода по формуле (7.3).
7.5 Контрольные вопросы
1 Что такое полупроводник?
2 Каковы основные положения зонной теории твердых тел и каким образом она объясняет деление кристаллических тел на проводники, полупроводники и диэлектрики?
3 Что такое собственные и примесные полупроводники? Какими бывают примеси? Что такое полупроводник р- и п-типа и каковы механизмы их электропроводимости? От чего зависит их электропроводность?
4 Что такое р-n-переход и каков механизм образования двойного электрического слоя?
5 Что такое запорный слой и каковы его свойства? Объяснить природу большого сопротивления р-n-перехода.
6 В чем состоит принципиальное отличие контакта двух металлов и р‑n‑перехода?
7 Как объясняется выпрямляющее действие р-п-перехода? Описать действие р-n-перехода при прямом и обратном включениях.
8 Объясните принцип выпрямления и детектирования диодом переменного тока.
9 Каковы преимущества и недостатки полупроводниковых диодов в сравнении с вакуумным диодом? Каково функциональное назначение тепловых радиаторов?
Лабораторная работа № 84
Изучение работы транзистора
Цель работы: познакомиться с устройством и принципом работы транзистора, определить коэффициент усиления транзистора. Определить обратный ток коллектора.
8.1 Краткие теоретические сведения
Транзисторами (полупроводниковыми триодами) называют полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления и генерирования колебаний параметров электрического тока. Они представляют собой полупроводниковый кристалл с тремя областями различной примесной проводимости, образующими два встречных р-п-перехода, взаимодействующими между собой через конструктивно тонкий промежуток, называемый базой. Соответственно в зависимости от типа электропроводности наружных слоев различают транзисторы р-n-p-типа (рис.8.1, а) и n-р-n-типа (рис.8.1, б). Один из р-п-переходов называется эмиттерным переходом или просто эмиттером (Э на рис. 8.1), а второй – коллекторным или коллектором (К на рис. 8.1). К каждой из областей припаяны металлические электроды для включения прибора в электрическую цепь.
Внизу на рис. 8.1 под каждым из рисунков представлены символические обозначения соответствующих транзисторов в электрических схемах.
Принцип усилительного действия транзистора состоит в следующем. Усиливаемый сигнал Uвх (рис. 8.2) подается в эмиттерный переход, где источник внешнего напряжения Б
Поступившие в коллектор основные носители (порядка 98…99%) захватываются этим источником тока и создают ток через большое нагрузочное сопротивление Rн, что ведет к усилению входного сигнала по напряжению (см. рис. 8.2).
Описанная выше картина процессов в транзисторе является схематичной. Примесная проводимость полупроводников существует на фоне основной проводимости базового кристалла, то есть германия или кремния, которая, являясь проводимостью смешанного типа, поставляет наряду с основными носителями тока и неосновные. Внутренние электрические поля
При достаточно высокой температуре, когда примесные центры истощаются (см. п. 4.1), прямой и обратный токи практически выравниваются, а
При низких температурах энергии теплового движения оказывается недостаточно для ионизации необходимого количества примесей, перевода их в зону проводимости. Это приводит к сильному увеличению сопротивления прибора и к нарушению режима его работы. Для обычных полупроводниковых триодов нижний предел рабочих температур достигает ‑55°С. Тем не менее транзисторы имеют ряд преимуществ перед, например, ламповыми триодами, использовавшимися до транзисторов: они малогабаритны, безинерционны, потребляют мало энергии, устойчивы к механическим нагрузкам, что определило их широкое применение в радио-, теле- и электротехнике.
Усиление по напряжению и мощности, создаваемое транзисторами, определяется их собственными свойствами, но зависит также от параметров схем включения в электронных схемах.
В зависимости от того, какой из электродов будет общим для входного и выходного сигналов, различают три основные схемы включения транзисторов.
а) Схема с общей базой. В схеме с общей базой (рис. 8.3) входной сигнал действует между эмиттером и базой. Входным является ток эмиттера, а выходным — ток коллектора. Так как ток эмиттера больше тока коллектора, то усиления по току не происходит. Коэффициент усиления по току
(8.1)
Эта схема усиливает только по напряжению и мощности и имеет малое входное и большое выходное Rн сопротивления.
б) Схема с общим эмиттером. В схеме с общим эмиттером входной сигнал действует между базой и эмиттером (рис. 8.4), а нагрузка включается между коллектором и эмиттером. Входным является ток базы, а выходным — ток коллектора. Эта схема усиливает и по току и по напряжению. Ее входное и выходное сопротивления велики.
Коэффициент усиления по току β этой схемы определяют по семейству статических вольтамперных характеристик, то есть по зависимости тока коллектора IК от напряжения между эмиттером и коллектором UКЭ при различных фиксированных значениях тока базы (рис. 8.5):
(8.2)
Коэффициенты усиления α и β связаны между собой соотношениями:
(8.3)
которые позволяют по значению одного из коэффициентов вычислить другой.
в) Схема с общим коллектором. В схеме с общим коллектором (рис. 8.6) входной сигнал поступает на управляющий переход эмиттер — база, проходя через нагрузку Rн , а сама нагрузка включается между эмиттером и коллектором и выходное сопротивление составляет лишь часть входного. Это приводит к тому, что коэффициент усиления схемы по напряжению всегда меньше единицы. Коэффициент усиления схемы по току равен:
(8.4)
Эта схема используется для согласования каскадов, обладающих большим выходным сопротивлением и малым входным.
Незатухающие электромагнитные колебания создаются генераторами электромагнитных колебаний, представляющие собой автоколебательные системы.
На рис. 8.7, а представлена принципиальная схема генератора электромагнитных незатухающих колебаний. В колебательном контуре L1R1C возникают затухающие свободные колебания, частота которых определяется параметрами контура. Энергия контура восстанавливается от источника тока Б через устройство обратной связи, являющее собой, например, транзистор, открытие которого регулируется ЭДС индукции, наводящейся в катушке связи L2. Источник тока Бс и сопротивление смещения R регулируют величину порции энергии, необходимой для компенсации потерь в контуре (см. рис. 8.7 б). Если вместо сопротивления R использовать микрофон или другое устройство, то электромагнитные колебания будут модулированы по интенсивности, например, звука (рис. 8.7).
8.2 Экспериментальная установка и метод
Исследуется транзистор П201, включенный по схеме с общим эмиттером (см. п. 8.1, б). Это германиевый транзистор р-п-р-типа. Транзистор установлен на теплоотводящем радиаторе, как это предусмотрено инструкцией его эксплуатации.
Для исследования работы транзистора выполняются два упражнения. В первом упражнении строятся его статические вольтамперные характеристики (см. рис. 8.5). По характеристикам, с использованием формул типа (8.2), определяется коэффициент усиления по току b и по формуле (8.3) рассчитывается коэффициент передачи тока a. Для построения характеристик используется экспериментальная установка, принципиальная схема которой приведена на рис. 8.8. Транзистор Тр питается от источника тока Ис. Напряжение в цепи «коллектор-эмиттер» регулируется реостатом, включенным по схеме потенциометра П. Измеряется напряжение вольтметром V. Коллекторный ток измеряется миллиамперметром mAк. Ток в цепи «эмиттер-база» (ток базы) регулируется магазином сопротивлений М, имеющим три декадника с кратностями, соответственно, ´10 000 Ом, ´1 000 Ом и ´100 Ом. Измеряется ток базы базовым миллиамперметром mAб.
Второе упражнение посвящено измерению обратного тока коллектора, для чего используется установка, схема которой приведена на рис. 8.9.
Эмиттер отсоединен. На базу подается положительный потенциал. Напряжение в цепи «база-коллектор» регулируется потенциометром П и измеряется вольтметром V. Ток в цепи измеряется микроамперметром mA. Обратите внимание, что полярность его подключения обратная той, что была в схеме упражнения 1 (рис. 8.8).
8.3 Упражнения
8.3.1 Упражнение 1. Исследование работы транзистора
Порядок выполнения работы
1 Собрать экспериментальную установку по схеме рис. 8.7.
2 На магазине сопротивлений поставить максимальное сопротивление. Рукоятки всех декадников должны быть в положении «9». Потенциометр установить в нулевое положение. Дать проверить схему преподавателю.
3 Изменяя положение ручек декадников магазина сопротивлений, добиться тока базы 1,0 мА. Если исследуется другой тип транзистора, преподаватель укажет другие параметры измерений.
4 Включить установку в сеть и, увеличивая с помощью потенциометра напряжение через 1 В, измерять силу коллекторного тока. Результаты заносить в табл. 8.1. После окончания замеров потенциометр вывести на ноль.
Таблица 8.1
U, В | |||||||||||
IБ1=1,0 мА | IК, мА | ||||||||||
IБ2=1,5 мА | |||||||||||
IБ3=2,0 мА |
5 Повторить пп. 3, 4 и выполнить измерения для тока базы IБ1=1,5 мА и IБ1=2,0 мА.
Обработка результатов измерений
1 По данным табл. 8.1 построить вольтамперные характеристики транзистора (см. рис. 8.5). Графики провести как плавные лекальные кривые.
2 Провести ординату для UК = 5 В и определить значения коллекторных токов соответствующих каждому из графиков как точек пересечения ординаты с графиками (см. рис. 8.5). Результаты занести в табл. 8.2.
Таблица 8.2
№ п/п | IБ, мА | (DIБ)kl, мА | IК, мА | (DIК)kl, мА | bkl | Dbkl |
1,0 | 0,5 | |||||
1,5 | 0,5 | |||||
2,0 | 1,0 | |||||
Средние значения |
3 Рассчитать значения (DIБ)klи (DIК)kl, где индексы принимают значения: k = 2, 3, 3; l = 1, 2, 1. Результаты занести в табл. 8.2.
4 Рассчитать значения bkl, используя формулу
Результаты занести в табл. 8.2.
5 Определить среднее значение коэффициента b как среднее арифметическое:
где индекс суммирования N соответствует номеру порядка измерения.
6 Рассчитать абсолютные погрешности Dbkl измерения b и определить их среднее значение:
7 Определить относительную погрешность измерения:
8 Рассчитать коэффициент a по формуле (8.3), используя среднее значение <b>.
9 Рассчитать погрешности определения коэффициента a:
относительную
и абсолютную
10 Записать результаты измерений коэффициентов a и b в стандартной форме.
8.3.2 Упражнение 2. Определение обратного тока коллектора
1 Собрать электрическую схему в соответствии с рис. 8.8.
2 После проверки схемы преподавателем или лаборантом установить с помощью потенциометра напряжение UK = 5 B, а затем UK = 10 B и измерить обратный ток коллектора. Результаты занести в протокол измерений и записать под результатами из упражнения 1.
8.4 Контрольные вопросы
1 Что такое транзистор? Назовите его основные элементы.
2 Каковы принципы работы транзистора? Каким образом включаются источники тока в эмиттерную и коллекторную цепи транзистора?
3 Где используются транзисторы и чем определяется их широкое использование? Каковы недостатки работы транзисторов?
4 Каковы причины существования обратного тока в р-п-переходах и какое значение, на ваш взгляд, имеет измерение обратного тока коллектора?
5 От чего зависят коэффициенты усиления транзистора по току, по напряжению, по мощности? Какие схемы включения транзисторов вы можете назвать и дать им характеристику?
6 Что такое вольтамперная характеристика транзистора и почему она называется статической?
7 Как можно определить коэффициенты усиления по току a и b?
8 Какова роль транзисторов как элемента автоколебательных систем для создания незатухающих электромагнитных колебаний?
Список рекомендуемой литературы
1 Савельев И. В. Курс общей физики. Квантовая оптика. Физика атома. Физика твердого тела. Физика ядра. Элементарные частицы. – М.: Наука, 1990. — Т. 3. –496 с.
2 Епифанов Т.И. Физика твердого тела. – М.: Наука, 1977. – 346 с.
3 Карякин Н.И. и др. Краткий справочник по физике. – М.: Высш. школа, 1962. — 559 с.
4 Физическая энциклопедия / Науч.-ред. совет изд-ва “Сов. энциклопедия”; Пред. А.М. Прохоров. – М.: Сов. энциклопедия, 1992.- Т. 4. — 592 с.
СОДЕРЖАНИЕ
ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ………………………………………………………………..3
1. Лабораторная работа № 62Определение радиуса
кривизны линзы с помощью колец Ньютона………………………………5
2. Лабораторная работа № 63Определение длины
световой волны с помощью дифракционной решетки………………13
3. Лабораторная работа № 64 Опытная проверка
законов Малюса и Брюстера…………………………………………………….24
4. Лабораторная работа № 71Опытная проверка
закона Стефана-Больцмана…………………………………………34
5. лабораторная работа № 74 Изучение работы
спектроскопа и наблюдение оптических спектров……………………..45
6. Теоретические сведения, которые
необходимо выучить для выполнения
лабораторных работ № 83 і 84 ………………………….….57
7. Лабораторная работа № 83 Изучение строения и
Принципа работы полупроводникового диода.…………………..66
8. Лабораторная работа № 84 Изучение работы
транзистора………………………………………………………….74
Коэффициент выпрямления — Справочник химика 21
Если знак V отличен от знака ф, т. е. если полупроводник заряжается отрицательно относительно металла, то толщина заряда слоя X уменьшается. Таким образом, сопротивление запорного слоя существенно зависит от направления тока. Коэффициент выпрямления (отношение пропускного тока к запорному) может достичь сотен и даже многих тысяч. [c.521]Из уравнения (43.4) следует, что при изменении полярности в первый момент будут наблюдаться увеличенные значения токов как прямого, так и обратного направлений. С ростом частоты соотношение средних значений токов прямого и обратного направлений уменьшается, а коэффициент выпрямления падает. Это связано с тем, что в первом полупериоде вблизи поверхности электрода накапливается продукт реакции, а во втором полупериоде он расходуется. При высокой частоте продукт реакции не успевает уходить в раствор, его концентрация у поверхности возрастает, поэтому возрастает и ток обратного [c.218]
Изучавшиеся р—п-переходы были получены путем наращивания на полупроводниковый синтетический алмаз одного типа проводимости алмазного слоя противоположного типа проводимости. Полупроводниковые слои толщиной (0,1—0,2) 10 м обладали сопротивлением 10 —10 Ом-м в случае легирования Аз и 10 — 10 Ом-м при введении в шихту бора. Установлено, что р—п-переходы обладают ярко выраженными выпрямляющими свойствами в диапазоне напряжений от —100 до -ЬЮО В (рис. 169), а коэффициент выпрямления достигает величины 5-10 . [c.459]
Выпрямительные приборы весьма чувствительны. Вольтметры выпускаются с нижними пределами измерения начиная от 0,3 В, а миллиамперметры — от 0,2 мА. Входное сопротивление выпрямительных вольтметров обычно порядка 2 кОм/В. Особенностью выпрямительных вольтметров является уменьшение входного сопротивления при измерении малых напряжений вследствие уменьшения коэффициента выпрямления диодов. Поэтому выпрямительные вольтметры на малые напряжения имеют низкое входное сопротивление, например, в вольтметре с верхним пределом измерения 0,3 В входное сопротивление составляет 300 Ом (прибор потребляет ток 1 мА). Внутреннее сопротивление выпрямительных миллиамперметров относительно велико, например, миллиамперметр с верхним пределом измерения 0,2 мА имеет сопротивление 5000 Ом (на приборе падает напряжение до 1 В). [c.421]
При падении напряжения на диодах их коэффициенты выпрямления уменьшаются, таким образом при малых токах уменьшается коэффициент выпрямления выпрямителя и возникает нелинейность характеристики. Поэтому микроамперметры выпрямительной системы не выпускаются. [c.421]
В приборах электронной системы в качестве выпрямительных элементов часто используют вакуумный диод, т.е. электронную лампу (у полупроводниковых диодов при малых переменных напряжениях мал коэффициент выпрямления). Поэтому рассматриваемые вольтметры часто называют ламповыми. [c.423]
II химическими способами, выдерживают обратные напряжения до 8—9 в и обладают достаточно высоким коэффициентом выпрямления ( 1200). [c.328]
Коэффициенты выпрямления с ростом температуры изменяются незначительно. Прямой ток при постоянном прямом напряжении с ростом температуры увеличивается, обратный ток также увеличивается. [c.332]
Показано, что формовка обратным током приводит к увеличению обратного- напряжения и улучшению коэффициента выпрямления у образцов, а формовка прямым током — в ряде случаев к опрокидыванию ВАХ. Инвертированная ВАХ обладает высоким коэффициентом выпрямления, отно-ситель Ю большими прямыми токами. [c.333]
Показано, что до 270—310° выпрямляющие свойства материала сохраняются, причем коэффициент выпрямления изменяется незначительно- [c.333]
В этой формуле V — амплитуда переменного напряжения, выделяемого на ячейке в результате пропускания переменного тока I, а значения коэффициентов выпрямления и корреляционных коэффициентов определены ниже для каждого из возможных сочетаний стадий (1) — (3). [c.237]
Фарадеевское выпрямление определяется формулой (8) значения коэффициентов выпрямления приведены в табл. 2. Громоздкое выражение для 0 9 в случае изотермы Фрумкина приводится в тексте [c.239]
Автор [30] изучал вольт-амперную характеристику вольфрамового электрода в 0,4 н. растворе Н2504. При анодной поляризации ток весьма мал (запорное направление), при катодной — велик коэффициент выпрямления приблизительно равен 100. В случае переменного тока ультранизкой частоты (0,03 гц) наблюдается выпрямление, которое исчезает при повышении частоты. В концентрированном растворе плавиковой кислоты выпрямление не наблюдается, по-видимому, вследствие растворения окисной пленки. [c.33]
Фарадеевское выпрямление определяется по (8), где коэффициенты выпрямления a k берутся из табл. 2, а корреляционные множители рассчитываются по формулам [c.241]
Подставив формулу (51) в (50), получим для внешней ОС Кос = для внутренней /Сое = К- Из выражений Коа видно, что внешняя ОС дает возможность изменять коэффициент Ков от О до Кос При внутренней ОС коэффициент /Сое определяется значением коэффициента выпрямления kg и, как правило, О 1- При внешней ОС регулирование коэффициента Кое осуществляется изменением сопротивления резистора / рег, шунтирующего всю или часть обмотки ОС (см. рис. 139, б). Оба способа могут быть использованы при выборе режима типового МУ, имеющего несколько управляющих обмоток. [c.167]
Коэффициент поглощения (максимальный) на монокристал—Лическом образце равен 10 см. При 12,1 мк имеется максимум поглощения. Коэффициент выпрямления (на точечном контакте) имеет порядок 1000 и сохраняет его до 400° С [141]. [c.90]
Эффект увеличивается при захвате носителей, и они начинают образовывать вблизи освещаемого электрода слой пространственного заряда, уменьшая тем самым поле в глубине кристалла. Это становится более заметным, когда освещаемый электрод отрицателен, так как отрицательным носителям требуется больше времени, чтобы добраться до другого электрода, и слой пространственного заряда разрушается меньше, поскольку меньшее число положительных зарядов сможет разряжаться на отрицательном электроде. Если отрицательные носители захватываются больше, чем положительные, эффект возрастает, ибо это равнозначно эффективному увеличению отношения подвижностей Це/Ц ,. Рис. 8, на котором представлена спектральная зависимость объемного тока для различных кристаллов, показывает также влияние дефектов, т. е. захвата носителей, на коэффициент выпрямления. [c.29]
Если Сп > Со, то при наложении на диод переменной разности потенциалов протекает преимущественно ток одного направления, т. е. диод приобретает выпрямляющие свойства. Расчет показывает, что достаточно хорошее выпрямление достигается уже при (ОисЬЮоСо) > > 10. Для увеличения коэффициента выпрямления необходимо это отношение увеличивать. Как следует из уравнения (43.3), при этом происходит некоторое увеличение порогового напряжения, т. е. напряжения, при котором диод начинает работать, хотя пороговое напряжение эле
ЛЕКЦИЯ 5. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ
П л а н л е к ц и и
5.1. Разновидности полупроводниковых диодов.
5.2. Выпрямительные полупроводниковые диоды. Характеристики и параметры. Влияние внешних условий на характеристики и параметры.
5.3. Рабочий режим диода на постоянном токе. Применение диодов для выпрямления переменного тока.
5.4. Модели выпрямительных диодов.
5.5. Стабилитроны: характеристики, параметры, применение. 5.6. Туннельный диод. Зонная диаграмма и ВАХ.
5.7. Варикап: принцип работы, применение. 5.8. Импульсные диоды: принцип действия.
5.1. Разновидностиполупроводниковыхдиодов.
Прибор, который имеет два электрода и один выпрямляющий р–n-переход, называется полупроводниковым диодом. Существуют разные виды полупроводниковых диодов – выпрямительные, импульсные, обращенные, туннельные, лавинно-пролетные, опорные или зенеровские (стабилитроны), с регулируемой емкостью (варикапы) и т. д.
5.2. Выпрямительныеполупроводниковыедиоды. Характеристикиипараметры. Влияниевнешних условийнахарактеристикиипараметры.
Выпрямительные диоды предназначены для выпрямления переменного тока. Выпрямительные полупроводниковые диоды изготавливаются, как правило, из кремния или германия. В зависимости от частоты выпрямляемого тока они делятся на низкочастотные и высокочастотные. В зависимости от мощности – на диоды малой, средней и большой мощности, что соответствует предельным значениям выпрямленного тока до 300 мА, от 300 мА до 10 А и выше 10 А. По конструкции выпрямительные диоды подразделяются на точечные и плоскостные, а в зависимости от технологии изготовления – на сплавные, диффузионные и эпитаксиальные.
Точечные диоды имеют малую барьерную емкость, обусловленную малой площадью p–n-перехода, и применяются, как правило, на высоких и сверхвысоких частотах.
Мощные плоскостные диоды имеют большую площадь p–n-перехода, являются низкочастотными и используются в основном в выпрямительных устройствах для питания различной аппаратуры. Такие диоды называются силовыми. Они изготавливаются преимущественно из кремния, поскольку
Электроника. Конспект лекций | -67- |
ЛЕКЦИЯ 5. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ
5.2. Выпрямительные полупроводниковыедиоды. Хаар-ки и параметры.Влияние внешних условий на характеристики и параметры.
германий характеризуется сильной зависимостью обратного тока через p–n-переход от температуры. Мощные кремниевые диоды рассчитаны на выпрямленный ток от 10 до 500 А и обратное напряжение до 1000 В.
Для выпрямления высоких напряжений служат выпрямительные столбы, состоящие из ряда последовательно включенных полупроводниковых диодов, выпрямленный ток которых может составлять несколько сот миллиампер, а напряжение до 15000 В.
Сплавные диоды чаще всего применяются для выпрямления переменного тока с частотой до 5 кГц и изготавливаются из кремния. Кремниевые диффузионные диоды могут работать на частотах до 100 кГц, а эпитаксиальные диоды с барьером Шоттки – на частотах до 500 кГц.
Зависимость тока через диод от напряжения на диоде называется вольтамперной характеристикой диода (ВАХ). Теоретическое описание BAX идеального диода с p–n переходом, полученное У. Шокли (4.33), имеет вид
I = IS (eU / ϕT −1), | (5.1) |
где U – напряжение на p–n-переходе диода, IS – ток насыщения, φТ = kT/q – тепловой потенциал. При T = 300 К φТ = 25 мВ. ВАХ идеального p–n- перехода приведена на рис. 5.1, а.
IS
0 | U | A | Uпор | U |
|
| Б |
|
|
а |
|
| б |
|
Рис. 5.1. Статические вольт-амперные характеристики идеального p–n-перехода (а) и реального диода (б)
При положительных и отрицательных напряжениях U, больших по модулю 0,1 В, ВАХ описывается упрощенным выражением
Электроника. Конспект лекций | -68- |
ЛЕКЦИЯ 5. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ
5.2. Выпрямительные полупроводниковыедиоды. Хаар-ки и параметры.Влияние внешних условий на характеристики и параметры.
При протекании большого прямого тока через диод падение напряжения возникает не только на p–n-переходе, но и на объемном сопротивлении полупроводника R.
В результате реальная ВАХ диода (рис. 5.1, б) отличается от ВАХ идеального p–n-перехода и описывается выражением
I = ISe(U −IR) / ϕT . | (5.3) |
Различают прямую (при U > 0) и обратную (при U < 0) ветви ВАХ. Прямой ветви ВАХ соответствуют большие значения прямого тока диода и малые падения напряжения на диоде, обратной ветви – малые значения обратного тока диода при достаточно больших (по модулю) обратных напряжениях на диоде. Свойством проводить ток практически в одном направлении (свойством односторонней проводимости) и определяется использование диода для целей выпрямления переменного тока.
На прямой ветви ВАХ выпрямительного диода выделяют условную точку ее резкого излома и соответствующее ей напряжение, называемое пороговым. Пороговое напряжение приближенно составляют 0,3 В для германиевых диодов, 0,6 В – для кремниевых и 1,2 В – для арсенидгаллиевых.
Важным параметром диода является коэффициент выпрямления Kв, который определяется как отношение прямого тока к обратному при одинаковой (по модулю) величине прямого и обратного напряжений
(например: ±0,01 В; ±0,1 В; ±1 В) [3]. Для идеального диода Кв = 1 при U =
±0,01 В. При U = ±1 В Кв = 2,8·1020.
Для реального диода существует максимально допустимый прямой ток Iпр.max, превышение которого приводит к его недопустимому разогреву и тепловому пробою. Значение Iпр.max относится к справочным предельным параметрам диодов. Для диодов малой мощности предельный прямой ток составляет десятки миллиампер.
При приложении определенного обратного напряжения, называемого напряжением пробоя, начинается процесс лавинообразного нарастания тока, что соответствует электрическому пробою p–n-перехода (отрезок А–Б на рис. 5.1, б). Если в этот момент ток не ограничить, то электрический пробой переходит в тепловой (участок ВАХ после точки Б).
Максимально допустимое обратное напряжение Uобр.max также является важным предельным параметром выпрямительных диодов и составляет для
диодов малой мощности десятки – сотни вольт. |
|
|
| ||||
Полупроводниковый | диод | характеризуется | статическим | и | |||
дифференциальным | (динамическим) | сопротивлениями, | которые | ||||
определяются по его ВАХ. |
|
|
|
|
|
| |
|
|
|
|
|
| ||
Электроника. Конспект лекций |
|
|
|
| -69- |
ЛЕКЦИЯ 5. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ
5.2. Выпрямительные полупроводниковыедиоды. Хаар-ки и параметры.Влияние внешних условий на характеристики и параметры.
Дифференциальное сопротивление диода представляет отношение приращения напряжения на диоде к приращению тока через диод:
rä = dU
Оно имеет большое значение на обратной ветви ВАХ и малое зн ачение, обратно пропорциональное току диода,
– на прямой ветви ВАХ диода (рис. 5.2). Для диодов малой мощности дифференциальное сопротивление составляет единицы – десятки ом, для более мощных диодов – десятые доли
ома.
Статическое сопротивление диода (сопротивление постоянному току) определяется отношением напряжения на диоде к протекающему через него току:
rд, Ом
10
+25º 8
4
2 –60ºС
0 5 10 15 20 25 Iпр,
Рис. 5.2. Зависимость дифференциального
сопротивления диода ГД402 от величины прямого тока
Свойства полупроводниковых диодов сильно зависят от температуры. При повышении температуры снижается статическое и дифференциальное сопротивление диода (рис. 5.2), соответственно, возрастают прямой и обратный токи диода. У германиевых диодов обратный ток увеличивается в 2 раза на каждые 10 ºС повышения температуры. У кремниевых диодов прямой ток диода растет при нагреве не столь сильно, как обратный, так как его величина определяется концентрацией легирующей примеси. При возрастании температуры ВАХ диода сдвигается влево.
5.3. Рабочийрежимдиоданапостоянномтоке. Применение диодовдлявыпрямленияпеременноготока.
В электронных схемах в цепь диода, как правило, включается какаялибо нагрузка, например резистор (рис. 5.3). Если бы диод обладал линейным сопротивлением, то расчет тока в подобной цепи не представлял бы затруднений. Но диод обладает нелинейным сопротивлением и его сопротивление изменяется при изменении тока. Потому расчет режима диода
Электроника. Конспект лекций | -70- |
ЛЕКЦИЯ 5. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ
5.3. Рабочий режим диода на постоянном токе. Применение диодов для выпрямления переменного тока.
по постоянному току делается графически. Он основывается на использовании статической ВАХ диода (рис. 5.3). При этом на ВАХ строится
линия нагрузки или нагрузочная характеристика.
Она устанавливает связь между током через диод I напряжением на диоде U, сопротивлением нагрузки Rн и ЭДС источника питания Е и определяется выражением
I = (Е – U)/Rн, | (5.6) |
которое следует из второго закона Кирхгофа для цепи, содержащей диод, сопротивление нагрузки и источник питания:
Построение линии нагрузки производится по точкам ее пересечения с осями координат. При I = 0 получаем U = Е, откладываем на оси напряжений значение Е, получаем точку А. При U = 0 получаем I = Е/Rн, откладываем это значение по оси токов, получаем точку Б. Соединяя эти точки, получаем линию нагрузки. Пересечение линии нагрузки и ВАХ диода (точка Т) дают решение поставленной задачи.
| Б | I |
|
| I |
|
Rн |
|
|
|
|
|
|
VD | E/R |
| Т |
| Г |
|
|
|
|
| |||
| I |
|
| A U | u/R | A U |
|
|
|
| |||
E | 0 | U | U | В | ||
| 0 | u |
| |||
|
|
| E |
| E |
|
Рис. 5.3. Схема включения диода с нагрузкой и построение линии нагрузки
При сравнительно малых Rн точка Б получается за пределами чертежа, в этом случае следует отложить от точки А влево произвольное напряжение u и от полученной очки отложить ток I = u/Rн (отрезок ВГ). Прямая, проведенная через точки В и Г, будет линией нагрузки. Иногда бывают заданы напряжение, ток и сопротивление нагрузки, а следует определить ЭДС источника питания. Во всех случаях нужно руководствоваться уравнением (5.6).
Электроника. Конспект лекций | -71- |
ЛЕКЦИЯ 5. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ
5.3. Рабочий режим диода на постоянном токе. Применение диодов для выпрямления переменного тока.
Выпрямление переменного тока – один из основных процессов в радиоэлектронике. Выпрямителями в общем случае называются устройства, предназначенные для преобразования переменного напряжения в постоянное. Выпрямители на основе полупроводниковых диодов применяются в источниках питания радиоэлектронной аппаратуры, а также используются в качестве измерительных преобразователей, амплитудных детекторов сигналов, умножителей напряжения и др.
Существуют различные виды полупроводниковых выпрямителей, отличающиеся количеством диодов, схемой их включения, типом сглаживающего фильтра. Простейшая схема для выпрямления переменного тока показана на рис. 5.4, а. Она включает в себя генератор переменной ЭДС (е), диод VD и нагрузочный резистор Rн. Эта схема называется
однополупериодной схемой выпрямления с активной нагрузкой.
Для питания радиоэлектронной аппаратуры в качестве генератора переменной ЭДС обычно служит силовой трансформатор, включенный в электрическую сеть (рис 5.4, б).
|
|
| Тр |
| V |
|
|
|
|
| |
e | Rн Uн | U |
| U2 | Rн Uн |
|
| 1 |
|
|
Рис. 5.4. Схема однополупериодного выпрямителя: е – источник ЭДС, Тр – трансформатор, U1 , U2 – напряжения на первичной и вторичной обмотках трансформатора, VD – выпрямительный диод, Rн – сопротивление нагрузки, Uн – напряжение на нагрузке
Однофазный однополупериодный выпрямитель пропускает на выход только одну полуволну выпрямляемого напряжения (рис. 5.5). Полезной частью такого напряжения является его постоянная составляющая или
среднее значение Uср.
Для однополупериодной схемы среднее значение напряжения определяется как
Электроника. Конспект лекций | -72- |
ЛЕКЦИЯ 5. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ
5.3.Рабочий режим диода на постоянном токе. Применение диодов для выпрямления переменного тока.
1T / 2
∫U (5.7)sin ωtdt =Um /π = 0,318Um ,m2Uñð = T
0
где Um (или Еm) амплитуда напряжения источника е (для схемы рис. 5.4, б – напряжения на вторичной обмотке трансформатора U2).
Рис. 5.5. Форма напряжений на входе (а) и выходе (б)
однополупериодного выпрямителя
Если напряжение источника составляет величину десятки – сотни вольт, то падением напряжения на диоде можно пренебречь и Uср ≈ 0,3 Em. При выпрямлении переменного напряжения небольшой амплитуды (единицы вольт) необходимо учитывать падение напряжения на диоде, которое может составлять до 0,6 В для маломощных германиевых диодов и более 1 В для кремниевых. Оно приводит к потере мощности на диоде и снижению коэффициента полезного действия выпрямителя.
При отрицательной полуволне все напряжение источника приложено к диоду и является для него обратным. Максимальное значение обратного напряжения Uобр равно амплитуде ЭДС источника (напряжения на вторичной обмотке трансформатора).
Важным параметром, характеризующим работу выпрямителя, является коэффициент пульсаций:
Он определяется как отношение амплитуды первой гармоники Um1 переменного напряжения на нагрузке, получаемой путем разложения его в
Электроника. Конспект лекций | -73- |
ЛЕКЦИЯ 5. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ
5.3. Рабочий режим диода на постоянном токе. Применение диодов для выпрямления переменного тока.
ряд Фурье, к среднему значению напряжения на нагрузке. Для однополупериодного выпрямителя
Um1 = 0,5·Um = 1,57·Uср, | (5.9) |
что соответствует значению коэффициента пульсаций kп = 1,57. Выпрямленное напряжение с такими большими пульсациями непригодно для практических целей. Некоторое уменьшение пульсаций дает более сложные двухполупериодные схемы выпрямления.
Для эффективного сглаживания пульсаций в выпрямительных схемах применяются сглаживающие фильтры. Простейший способ сглаживания пульсаций – включение конденсатора большой емкости Сф параллельно нагрузке (рис. 5.6). Конденсатор обеспечивает хорошее сглаживание, если его сопротивление на частоте основной гармоники пульсаций ωп намного
меньше сопротивления нагрузки: |
| 1 |
| << RН. | |
ω |
| С |
| ||
|
| Ф | |||
| П |
|
Работу выпрямителя со сглаживающим конденсатором иллюстрирует рис. 5.7, где приведены графики ЭДС источника е, тока через диод i и напряжения на конденсаторе Uc, равного напряжению на нагрузке Uн.
| Тр | V |
|
|
|
| |
U1 | U2 | R | Сф |
Рис. 5.6. Схема выпрямителя со сглаживающим фильтром
Электроника. Конспект лекций | -74- |
ЛЕКЦИЯ 5. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ
5.3. Рабочий режим диода на постоянном токе. Применение диодов для выпрямления переменного тока.
0
t
Разряд
Заряд
Рис. 5.7. Сглаживание пульсаций с помощью конденсатора
При включении конденсатора большой емкости средневыпрямленное значение напряжения Uср стремится к амплитудному значению Um и может достигать (0,80–0,95)Um.
Сведения о более сложных схемах выпрямления с большим числом используемых диодов – двухфазных, двухполупериодных, мостовых, с умножением напряжения, а также о других применениях выпрямительных диодов, приведены в библиографическом списке.
5.4. Моделивыпрямительныхдиодов.
На рис. 5.8, а показана эквивалентная схема (схема замещения) выпрямительного диода. Приведенная модель является малосигнальной эквивалентной схемой диода для области низких частот.
Сопротивление Rпер представляет собой нелинейное сопротивление p–n-перехода и в случае прямого включения диода очень мало. Емкость С представляет собой сумму барьерной емкости p–n-перехода и диффузионной емкости.
Анализ работы указанной схемы не представляет затруднений и ведется на основе соотношений, применяемых при анализе линейных электрических цепей.
Современные САПР (PSPICE, MICROCAP, OrCAD, DesignLab), как правило, имеют встроенные модели нелинейных компонентов, в т. ч. диодов, которые позволяют моделировать поведение схемы в широком диапазоне изменения токов и напряжений. На рис. 5.8, б приведена нелинейная схема замещения выпрямительного диода, применяемая в пакете PSPICE. Диод, изображен в виде нелинейного зависимого источника I(V), емкости p–n-перехода C и объемного сопротивления RS.
Электроника. Конспект лекций | -75- |
ЛЕКЦИЯ 5. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ
5.4. Модели выпрямительных диодов.
| A |
| |
Rпер | RS |
| |
С |
| C | |
V | Vd | ||
I(V) | |||
| |||
а |
|
| |
| K |
|
б
Рис. 5.8. Линейная (а) и нелинейная (б) схемы
замещения диода
В указанной модели нелинейный зависимый источник описывается выражением
U −IRб |
|
I = I0 (e mϕT −1) . | (5.10) |
Параметры математической модели диода приведены в табл. 5.1.
|
|
|
|
| Таблица 5.1 | |
|
| Параметры модели диода |
|
| ||
|
|
|
|
|
| |
Имя | Параметр |
| Размерн | Значение по |
| |
|
|
|
|
|
|
|
1 |
| 2 |
| 3 | 4 |
|
|
|
|
|
|
|
|
AF | Показатель | степени | в | – | 1 |
|
| формуле фликкер-шума |
|
|
|
| |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Электроника. Конспект лекций | -76- |
ЛЕКЦИЯ 5. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ
5.4. Модели выпрямительных диодов.
|
|
|
|
|
|
| Продолжение табл. 5.1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
1 |
|
|
| 2 |
| 3 | 4 |
|
|
|
|
|
| ||
ВV | Обратное |
| напряжение | В | ∞ | ||
| пробоя |
| (положительная |
|
| ||
| величина) |
|
|
|
|
| |
CJO Барьерная | емкость при | Ф | 0 | ||||
| нулевом смещении |
|
|
| |||
EG | Ширина запрещенной зоны | эВ | 1.11 | ||||
|
|
|
| ||||
FS | Коэффициент нелинейности | – | 0.5 | ||||
| барьерной |
|
| емкости |
|
| |
| прямосмещенного перехода |
|
| ||||
IBV | Начальный |
| ток | пробоя, | А | 10–10 | |
| соответствующий |
|
|
| |||
| напряжению |
|
| BV |
|
| |
IBV | (положительная величина) | А | 0 | ||||
Начальный |
| ток | пробоя | ||||
L | низкого уровня |
|
|
| |||
IKF | Предельный |
| ток | при | А | ∞ | |
| высоком уровне инжекции |
| 10–14 | ||||
IS | Ток | насыщения | при | А | |||
ISR | температуре 27 °С |
| А | 0 | |||
Параметр |
|
| тока | ||||
| рекомбинации |
|
|
| |||
КF | Коэффициент | фликкер- | – | 0 | |||
М | Коэффициент | лавинного | – | 0.5 | |||
| умножения |
|
|
|
|
| |
N | Коэффициент инжекции | – | 1 | ||||
NB | Коэффициент |
|
| – | 1 |
Vнеидеальности на участке пробоя
NB | Коэффициент |
| – | 1 |
VL | неидеальности | на участке |
|
|
NR | пробоя низкого уровня | – | 2 | |
Коэффициент | эмиссии для | |||
| тока ISR |
|
|
|
RS | Объемное сопротивление | Ом | 0 |
Электроника. Конспект лекций | -77- |
Раздел 4 Неуправляемые выпрямители
Критериями качества работы выпрямителя являются:
-отношение амплитуды к- ой гармоники к средневыпрямленному значению напряжения.
-отношение средневыпрямленного значения напряжения к действующему значению напряжения во вторичной цепи трансформатора.
-отношение частоты пульсации к частоте питающего напряжения.
m – фазность схемы выпрямления – число вторичных обмоток (1, 2 или 3),
–число периодов выпрямления (1 или 2).
— отношение активной (полезной) мощности в нагрузке к потребляемой (активной) мощности.
Критериями качества сглаживающего фильтра являются:
— коэффициент сглаживания:
, где — коэффициенты пульсации на входе и выходе соответственно.
.
К выпрямительному устройству предъявляются требования по качеству выходного напряжения, которое характеризуется :
В выпрямительном устройстве с трансформаторным входом существуют следующие способы регулированиявыходного напряжения:
Регулирование в цепи переменного тока (непрерывного и импульсного действия).
В звене выпрямления за счет использования полупроводниковых управляемых элементов (тиристоров, симисторов, динисторов).
В цепи постоянного тока на выходе выпрямительного устройства за счет использования стабилизаторов напряжения ( тока ) непрерывного или импулсьсного действия.
Полупроводниковый диод, как элемент выпрямительного устройства
Рассмотрим вольт- амперную характеристику (ВАХ) полупроводникового диода и его схему замещения.
Основными параметрами полупроводникового диода являются:
динамическое сопротивление диода ,
обратное (статическое) сопротивление –,
Iпр — предельно допустимый средний прямой ток при включении п/п диода в однополупериодную схему выпрямителя с активной нагрузкой , частотой питающего напряжения 50 Гц с естественным охлаждением элемента и нормальной температурой окружающей среды,
Uпр— среднее прямое напряжения (падение на диоде) в открытом состоянии диода,
Uпор— пороговое напряжение, т.е противоЭДС, которая характеризует начальное смещение ВАХ диода и препятствует нарастанию прямого тока,
Uобр – максимально допустимое обратное напряжение, которое может выдержать диод длительно в закрытом состоянии, не подвергаясь опасности пробоя.
Для увеличения среднего прямого тока (Iпр) используют параллельное включение диодов с выравнивающими элементами.
При параллельной работе диодов из-за несовпадения их ВАХ, токи в них распределяются неравномерно (в одном из них будет преобладать средневыпрямленный ток ). Это может привести к выходу из строя одного из диодов.
Для выравнивания токов используются дополнительные элементы: для средней мощности – резисторы, для большой мощности — уравнительный реактор.
Величина резисторов RВ должна быть больше дифференциального сопротивления любого из диодов, чтобы ток в ветви определял именно резистор, а не диод.
Уравнительные реакторы работают так. Под действием токов (), протекающих по обмоткам W1, W2, в них наводится ЭДС. За счет разностного тока образуется поток Ф, который вызывает появление ЭДС самоиндукции. Там, где произошло превышение тока, ЭДС самоиндукции уменьшает скорость его нарастания, а где уменьшение – ток увеличивается.
Для увеличения Uобр диоды включают последовательно с выравнивающими элементами.
Для выравнивания напряжений (Uобр), в маломощным выпрямителях, последовательно включенные диоды шунтируются резисторами, сопвротивления которых равны и в несколько раз меньше обратного сопротивления диода (ток резистивного делителя Iдел должен быть больше тока Iобр). Для выпрямителей большой мощности этот способ выравнивания обратных напряжений не пригоден из- за больших потерь в резисторах. Поэтому для мощных выпрямительных устройств применяют реактивные (конденсаторные) делители напряжения.
Глава 4. Полупроводниковые диоды Введение
Полупроводниковым диодом называют нелинейный электронный прибор с двумя выводами. В зависимости от внутренней структуры, типа, количества и уровня легирования внутренних элементов диода и вольт‑амперной характеристики свойства полупроводниковых диодов бывают различными. В данном разделе будут рассмотрены следующие типы полупроводниковых диодов: выпрямительные диоды на основе p‑nперехода, стабилитроны, варикапы, туннельные и обращенные диоды.
4.1. Характеристики идеального диода на основе p‑nперехода
Основу выпрямительного диода составляет обычный электронно-дырочный переход. Как было показано в главе 2, вольт-амперная характеристика такого диода имеет ярко выраженную нелинейность, приведенную на рисунке 4.1а, б, и описывается уравнением (4.1). В прямом смещении ток диода инжекционный, большой по величине и представляет собой диффузионную компоненту тока основных носителей. При обратном смещении ток диода маленький по величине и представляет собой дрейфовую компоненту тока неосновных носителей. В состоянии равновесия суммарный ток, обусловленный диффузионными и дрейфовыми токами электронов и дырок, равен нулю.
Рис. 4.1. Параметры полупроводникового диода:
а) вольт‑амперная характеристика;б) конструкция корпуса
, (4.1)
.
Для анализа приборных характеристик выпрямительного диода важными являются такие дифференциальные параметры, как коэффициент выпрямления, характеристичные сопротивления и емкости диода в зависимости от выбора рабочей точки.
4.1.1. Выпрямление в диоде
Одним из главных свойств полупроводникового диода на основе p‑nперехода является резкая асимметрия вольт‑амперной характеристики: высокая проводимость при прямом смещении и низкая при обратном. Это свойство диода используется в выпрямительных диодах. На рисунке 4.2 приведена схема, иллюстрирующая выпрямление переменного тока в диоде.
Рис. 4.2. Схема, иллюстрирующая выпрямление переменного тока с помощью диода [10, 20]
Рассмотрим, каков будет коэффициент выпрямления идеального диода на основе p‑nперехода. Для этого рассчитаем по уравнению (4.1) коэффициент выпрямления К как отношение прямого тока к обратному току диода при значениях напряженияU=0,01 В; 0,025 В;0,1 В; 0,25 В;1B. Получаем:
. (4.2)
Учтем, что величина -1при комнатной температуре составляет В. Результаты расчета приведены в таблице.
VG,B | 0,01 | 0,025 | 0,1 | 0,25 | 1 |
K, отн. ед. | 1,0 | 1,1 | 55 | 2,3·104 | 2,8·1020 |
Как следует из таблицы и соотношения (4.2), при значениях переменного напряжения, модуль которого VGменьше, чем тепловой потенциалkT/q, полупроводниковый диод не выпрямляет переменный ток. Коэффициент выпрямления достигает приемлемых величин при значенияхVGпо крайней мере в 4 раза больших, чем тепловой потенциалkT/q, что при комнатной температуреТ = 300 К соответствует значению напряженияVG = 0,1 В.
4.1.2. Характеристическое сопротивление
Различают два вида характеристического сопротивления диодов: дифференциальное сопротивление rDи сопротивление по постоянному токуRD.
Дифференциальное сопротивление определяется как
. (4.3)
На прямом участке вольт-амперной характеристики диода дифференциальное сопротивление rDневелико и составляет значение несколько Ом. Действительно, при значении прямого тока диодаI = 25 мА и значении теплового потенциалаkT/q = 25 мВ величина дифференциального сопротивленияrDбудет равна rD = 1 Ом. На обратном участке вольт‑амперной характеристики диода дифференциальное сопротивлениеrDстремится к бесконечности, поскольку в идеальных диодах при обратном смещении ток не зависит от напряжения.
Сопротивление по постоянному току RDопределяется как отношение приложенного напряженияVGк протекающему токуIчерез диод:
. (4.4)
На прямом участке вольт-амперной характеристики сопротивление по постоянному току больше, чем дифференциальное сопротивление RD > rD, а на обратном участке – меньшеRD < rD.
В точке вблизи нулевого значения напряжения VG << kT/qзначения сопротивления по постоянному току и дифференциального сопротивления совпадают. Действительно, разложив экспоненту в ряд в соотношении (4.4), получаем:
. (4.5)
Используя характерное значение для обратного тока диода I0 = 25 мкА, получаем величину сопротивления диода в нулевой точкеRD0 = rD0 = 1 кОм. На рисунке 4.3а приведена зависимость дифференциального сопротивления диода ГД402 от величины тока при прямом смещении.
1.2.4. Расчет параметров выпрямителя
Если нагрузка выпрямителя носит индуктивный характер (например, Г-образный фильтр с индуктивностью), то вначале вычисляется значение напряжения холостого хода Ud х.х. Омические сопротивления дросселя rдр и трансформатора Rт находятся из зависимостей, представленных на рис. 13.
В маломощных выпрямителях можно пренебречь сопротивлением индуктивности рассеивания xs, а в выпрямителях большой и средней мощности – активным сопротивлением Rт обмотки трансформатора. После определения напряжения Ud находятся прочие параметры выпрямителя.
а | б |
Рис. 13. Аппроксимированные графики зависимостей сопротивлений rдр и Rт
1.3. Пример расчета
Рассчитать выпрямитель по следующим исходным данным: номинальное выпрямленное напряжение Ud н = 1000 В, номинальный выпрямленный ток Id н = 10 А, коэффициент пульсаций на выходе kп вых = 0,03, напряжение сети Uс= 220 В с частотой fс = 50 Гц.
1.3.1. Выбор схемы выпрямителя
Определим сопротивление нагрузки: Rн = Ud н / Id н; Rн = 1000 / 10 = 100 Ом.
Выпрямленная мощность Pd = Ud н ·Id н; Pd = 1000 · 10 = 10 000 Вт.
При мощностях, превышающих 1 кВт, рекомендуется применять выпрямители трехфазного тока. Для уменьшения размеров трансформатора и фильтра выбираем схему Ларионова, имеющую высокие технико-экономические показатели.
1.3.2. Выбор вентилей
Для выбранной схемы определим средний ток через диод:
Ориентировочное значение обратного напряжения на вентиле Uобр m > 1,045 Ud н. Принимаем Uобр m = 1,1·1,045Ud н; Uобр m = 1,1·1,045·1000 = = 1150 В.
По справочным данным выбираем тип вентиля из таблицы прил. 2. В данном случае подходит диод типа Д234Б (12 вентилей, по два последовательно соединенных вентиля в каждом плече моста), который имеет следующие параметры: номинальный прямой ток Iа н = 5 А; прямое падение напряжения Uа = 1,5 В; допустимое обратное напряжение Uобр доп = 600 В; среднее значение обратного тока Iобр = 3 мА.
Рассчитаем значение выравнивающих сопротивлений Rш = (0,1,…,0,2) Rобр, где Ом = 200 кОм. ВыбираемRш=0,15Rобр; Rш = 0,15 · 200 = 30 кОм.
1.3.3. Выбор и расчет схемы фильтра
В трехфазных схемах выпрямления средней и большой мощности наиболее целесообразно использовать сглаживающий фильтр с индуктивной реакцией, т. е. начинающийся с дросселя. Необходимый коэффициент сглаживания фильтра с учетом явления коммутации
где k п вх – коэффициент пульсаций на выходе вентильной группы.
Для трехфазной мостовой схемы выпрямления Ларионова kп = 0,057. Тогда коэффициент сглаживания S = (1,5,…,2,0) = 4.
Поскольку значение коэффициента сглаживания несущественно, выбираем простейший однозвенный L-фильтр.
Для схемы Ларионова fо.г = 300 Гц. Тогда индуктивность дросселя
1.3.4. Расчет параметров выпрямителя
Прямое сопротивление вентиля Ом.
Коэффициенты для значений сопротивлений дросселя и трансформатора определяются по графикам рис.13 в зависимости от мощности выпрямителя:
Rт = 0,037Rн, Rт = 0,037·100 = 3,7 Ом;
rдр = 0,034Rн, rдр = 0,034·100 = 3,4 Ом.
Индуктивное сопротивление рассеивания обмотки трансформатора
Напряжение холостого хода для схемы Ларионова Ud х.х = 1000 + 10(2 · 2 0,3 + 3,7 + 3,4 + ) = 1095 В.
Параметры трансформатора (с учетом выбранной схемы Ларионова):
– напряжение на вторичной обмотке
U2 = 0,43Ud х.х; U2 = 0,43 · 1095 = 471 В;
– коэффициент трансформации
– ток вторичной обмотки I2 = 0,82 Idн; I2 = 0,82·10 = 8,2 А;
– ток первичной обмотки A;
– типовая (габаритная) мощность трансформатора
Sтр= 1,045 Ud н· Id н; Sтр= 1,045·1000 ·10 = 10 450 Вт.
Проверим нагрузочную способность выбранных вентилей, определив максимальное значение обратного напряжения:
Uобр m= 1,045 Ud х.х ; Uобр m= 1,045·1095 = 1144 В.
В данном примере для двух последовательно включенных диодов Д234Б
Uобр m < 2Uобр доп ; 2Uобр доп = 2·600 = 1200 В.
Следовательно, тип вентилей и схема их включения выбраны правильно.
Внешнюю характеристику выпрямителя (рис. 14) Ud = f (Id), которая представляет собой прямую линию, строим по двум точкам: точке холостого хода (Ud = Ud х.х, Id = 0) и точке номинальной нагрузки (Ud = Ud н, Id = Id н).
Рис. 14. Внешняя характеристика выпрямителя