Как проверить мосфеты на материнской плате: Как проверить транзисторы на материнской плате — RC74 — интернет-магазин радиоуправляемых моделей

Содержание

Проверка мосфетов на материнской плате

В радиоэлектронике и электротехнике транзисторы относятся к одним из основных элементов, без которых не будет работать ни одна схема. Среди них, наиболее широкое распространение получили полевые транзисторы, управляемые электрическим полем. Само электрическое поле возникает под действием напряжения, следовательно, каждый полевой транзистор является полупроводниковым прибором, управляемым напряжением. Наиболее часто применяются элементы с изолированным затвором. В процессе эксплуатации радиоэлектронных устройств и оборудования довольно часто возникает необходимость проверить полевой транзистор мультиметром, не нарушая общей схемы и не выпаивая его. Кроме того, на результаты проверки оказывает влияние модификация этих устройств, которые технологически разделяются на п- или р-канальные.

Устройство и принцип действия полевых транзисторов

Полевые транзисторы относятся к категории полупроводниковых приборов. Их усиливающие свойства создаются потоком основных носителей, который протекает через проводящий канал и управляется электрическим полем. Полевые транзисторы, в отличие от биполярных, для своей работы используют основные носители заряда, расположенные в полупроводнике. По своим конструктивным особенностям и технологии производства полевые транзисторы разделяются на две группы: элементы с управляющим р-п-переходом и устройства с изолированным затвором.

К первому варианту относятся элементы, затвор которых отделяется от канала р-п-переходом, смещенным в обратном направлении. Носители заряда входят в канал через электрод, называемый истоком. Выходной электрод, через который носители заряда уходят, называется стоком. Третий электрод – затвор выполняет функцию регулировки поперечного сечения канала.

Когда к истоку подключается отрицательное, а к стоку положительное напряжение, в самом канале появляется электрический ток. Он создается за счет движения от истока к стоку основных носителей заряда, то есть электронов. Еще одной характерной особенностью полевых транзисторов является движение электронов вдоль всего электронно-дырочного перехода.

Между затвором и каналом создается электрическое поле, способствующее изменению плотности носителей заряда в канале. То есть, изменяется величина протекающего тока. Поскольку управление происходит с помощью обратно смещенного р-п-перехода, сопротивление между каналом и управляющим электродом будет велико, а мощность, потребляемая от источника сигнала в цепи затвора, очень мала. За счет этого обеспечивается усиление электромагнитных колебаний не только по току и напряжению, но и по мощности.

Существуют полевые транзисторы, у которых затвор отделяется от канала слоем диэлектрика. В состав элемента с изолированным затвором входит подложка – полупроводниковая пластина, имеющая относительно высокое удельное сопротивление. В свою очередь, она состоит из двух областей с противоположными типами электропроводности. На каждую из них нанесен металлический электрод – исток и сток. Поверхность между ними покрывает тонкий слой диэлектрика. Таким образом, в полученную структуру входят металл, диэлектрик и полупроводник. Данное свойство позволяет проверить полевой транзистор мультиметром не выпаивая. Поэтому данный вид транзисторов сокращенно называют МДП. Они различаются наличием индуцированных или встроенных каналов.

Проверка мультиметром

Перед началом проверки на исправность полевого транзистора мультиметром, рекомендуется принять определенные меры безопасности, с целью предотвращения выхода транзистора из строя. Полевые транзисторы обладают высокой чувствительностью к статическому электричеству, поэтому перед их проверкой необходимо организовать заземление. Для снятия с себя накопленных статических зарядов, следует воспользоваться антистатическим заземляющим браслетом, надеваемым на руку. В случае отсутствия такого браслета можно просто коснуться рукой батареи отопления или других заземленных предметов.

Хранение полевых транзисторов, особенно с малой мощностью, должно осуществляться с соблюдением определенных правил. Одно из них заключается в том, что выводы транзисторов в этот период, находятся в замкнутом состоянии между собой. Конфигурация цоколей, то есть расположение выводов в различных моделях транзисторов может отличаться. Однако их маркировка остается неизменной, в соответствии с общепринятыми стандартами. Затвор по-английски означает Gate, сток – Drain, исток – Source, а для маркировки используются соответствующие буквы G, D и S. Если маркировка отсутствует необходимо воспользоваться специальным справочником или официальным документом от производителя электронных компонентов.

Проверку можно выполнить с помощью стрелочного омметра, но более удобной и эффективной будет прозвонка цифровым мультиметром, настроенным на тестирование p-n-переходов. Полученное значение сопротивления, отображаемое на дисплее, на пределе х100 численно будет соответствовать напряжению на р-п-переходе в милливольтах. После подготовки можно переходить к непосредственной проверке. Прежде всего нужно знать, что исправный транзистор обладает бесконечным сопротивлением между всеми его выводами. Прибор должен показывать такое сопротивление независимо от полярности щупов, то есть прикладываемого напряжения.

Современные мощные полевые транзисторы имеют встроенный диод, расположенный между стоком и истоком. В результате, при решении задачи, как прозвонить полевой транзистор мультиметром, канал сток-исток, ведет себя аналогично обычному диоду. Отрицательным щупом черного цвета необходимо коснуться подложки – стоку D, а положительным красным щупом – вывода истока S. Мультиметр покажет наличие прямого падения напряжения на внутреннем диоде до 500-800 милливольт. В обратном смещении, когда транзистор закрыт, прибор будет показывать бесконечно высокое сопротивление.

Далее, черный щуп остается на месте, а красный щуп касается вывода затвора G и вновь возвращается к выводу истока S. В этом случае мультиметр покажет значение, близкое к нулю, независимо от полярности приложенного напряжения. Транзистор откроется в результате прикосновения. Некоторые цифровые устройства могут показывать не нулевое значение, а 150-170 милливольт.

Если после этого, не отпуская красного щупа, коснуться черным щупом вывода затвора G, а затем возвратить его к выводу подложки стока D, то в этом случае произойдет закрытие транзистора, и мультиметр вновь отобразит падение напряжения на диоде. Такие показания характерны для большинства п-канальных устройств, используемых в видеокартах и материнских платах. Проверка р-канальных транзисторов осуществляется таким же образом, только со сменой полярности щупов мультиметра.

MOSFET транзисторы в последнее время все больше и больше набирают популярность. Они могут послужить хорошей заменой реле и биполярным транзисторам.

Чтобы сэкономить деньги и не бегать лишний раз в магазин, MOSFET транзисторы можно выпаять из нерабочей материнской платы или какого-нибудь модуля управления.

Но как проверить работоспособность этих радиокомпонетов?
Для этого нам потребуется всего один прибор — тестер.
У каждого радиолюбителя (даже начинающего) он обязательно должен быть!

В подавляющем большинстве тестеров есть режим «прозвонки», совмещенный с проверкой падения напряжения диодов.
Вот в этот режим мы и переводим тестер.

Теперь посмотрим на схему N-канального MOSFET транзистора.

В цепи сток-исток имеется диод. Кстати его наличие обусловлено технологией производства.
Тестером можно подтвердить наличие этого диода.

0.5В — это падение напряжение на внутреннем диоде Шоттки. Если поменять щупы местами, то должен быть «обрыв».

А теперь можно проверить и затвор.
Тестер должен показывать «обрыв» при проверке затвор-исток и затвор-сток, причем полярность щупов не имеет значения.

Но вот что интересно, если черный щуп («-«) держать на истоке, а красным щупом («+») коснуться затвора, то транзистор откроется. В чем мы можем убедится, опять проверив сток-исток.

Тестер покажет почти нулевое сопротивление.

Теперь поместим щуп «+» на сток, а черный щуп на затвор и проверим сток-исток. Тестер опять будет показывать или падение напряжения на диоде или «обрыв», т.е транзистор закрылся!

Кстати есть еще одна тонкость — если мы откроем транзистор и измерим сопротивление сток-исток, но только не сразу, а через некоторое время, то тестер будет показывать сопротивление отличное от нуля. И чем больше пройдет времени, тем больше будет сопротивление.

Почему же так происходит? А все очень просто — емкость между затвором и стоком достаточно большая (обычно единицы нанофарад) и когда мы открываем MOSFET транзистор, эта емкость заряжается. А так как полевой транзистор управляется полем а не током, то пока не разрядится конденсатор, транзистор будет открыт.

P-канальный MOSFET транзистор можно проверить по такому же принципу, только полярность затвора другая.

В дополнение к статье [url=]wiki.rom.by/index.php/%D0%9A%D0%B0%D0%BA_%D0%BF%D1%80%D0%BE%D0%B2%D0%B5%D1. [/url]
Хочу поделиться методом, позволяющим оценить работоспособность мосфета прямо на плате, ничего не отпаивая. Скажу сразу – возможно работает не всегда, но на материнках он мне часто помогал. Также хочу отметить, что для осуществления этого метода нужен мультиметр с колодкой для измерения hfe биполярных транзисторов и без доработки мультиметра, к сожалению, можно проверять только N-канальные транзисторы.
Не могу утверждать его 100% точность, но, по крайней мере он позволяет отсеять живые транзисторы в большинстве случаев.
Итак, на примере IRLML2402, N-канальный мосфет в корпусе SOT-23, маркировка A5Z3S.

Берем дополнительный проводок, втыкаем его в гнездо E (PNP) колодки для измерения hfe, не секрет, что там присутствует постоянное напряжение около +3 В относительно черного провода мультиметра.

Сверившись с даташитом, подключаем мультиметр: красный щуп на исток, а черный щуп на сток, транзистор закрыт, мультиметр показывает падение напряжения на встроенном диоде.

А теперь подаем дополнительным проводом +3В на затвор, транзистор открыт.

Если транзистор веде себя не так – отпаиваем его и проверяем дополнительно.

Таким же способом, в принципе, можно оценивать состояние P-канальных транзисторов, но задача усложняется отсутствием возможности получить напряжение -3В относительно черного провода непосредственно из мультиметра. Приходится цеплять дополнительно батарейку типа CR2032, плюс к черному проводу, минус – на затвор мосфета.

Вложение	Размер
Рис. 1	71.74 КБ
Рис. 2	66.64 КБ
Рис. 3	78.53 КБ
Рис. 4	70.71 КБ

Интересный способ, причём логичный. Только вот незадача, а что если управляющая «зверушка» или сам транзистор не выдержит такого издевательства – пихать ей в ногу +3V насильно?

Идея не несет ответственности за тех, кто в неё верит

Только вот незадача, а что если управляющая «зверушка» или сам транзистор не выдержит такого издевательства – пихать ей в ногу +3V насильно?

В общем-то зачёт, чтоб не городить какую-то сумасшедшую схему из батареи и кучи проводов.. (подручными средствами как говорится. )

Идея не несет ответственности за тех, кто в неё верит

Как проверить полевой МОП (Mosfet) — транзистор цифровым мультиметром — Интернет-журнал «Электрон» Выпуск №5

В этой статье я расскажу вам, как проверить полевой транзистор с изолированным затвором, то есть МОП-транзистор. Это вторая часть статьи по проверки полевых транзисторов. В первой части я рассказывал, как проверить транзистор с управляющим p-n переходом.

Да, полевые транзисторы с управляющим p-n переходом уходят в прошлое, а сейчас в современных схемах применяются более совершенные полевые транзисторы с изолированным затвором. Тогда предлагаю научиться их проверять.

Но для того, что бы понять, как проверить полевой транзистор, давайте я вам в двух словах расскажу, как он устроен.

Полевой транзистор с изолированным затвором мы знаем под более привычным названием МОП -транзистор (метал -окисел-полупроводник), МДП -транзистор(метал -диэлектрик-полупроводник), либо в английском варианте MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor)

Эти аббревиатуры вытекают из структуры построения транзистора. А именно.

Структура полевого MOSFET транзистора.

Для создания МОП-транзистора берется подложка, выполненная из p-полупроводника, где основными носителями заряда являются положительные заряды, так называемые дырки. На рисунке вы видите, что вокруг ядра атома кремния вращаются электроны, обозначенные белыми шариками.

Когда электрон покидает атом, в этом месте образуется «дырка» и атом приобретает положительный заряд, то есть становиться положительным ионом. Дырки на модели обозначены, как зеленые шарики.

На p-подложке создаются две высоколегированные n-области, то есть области с большим количеством свободных электронов. На рисунке эти свободные электроны обозначены красными шариками.

Свободные электроны свободно перемещаются по n-области. Именно они впоследствии и будут участвовать в создании тока через МДП-тназистор.

Пространство между двумя n-областями, называемое каналом покрывается диэлектриком, обычно это диоксид кремния.

Над диэлектрическим слоем располагают металлический слой. N-области и металлический слой соединяют с выводами будущего транзистора.

Выводы транзистора называются исток, затвор и сток.

Ток в МОП-транзисторе течет от истока через канал к стоку. Для управления этим током служит изолированный затвор.

Однако если подключить напряжение между истоком и стоком, при отсутствии напряжения на затворе ток через транзистор не потечет, потому что на его пути будет барьер из p-полупроводника.

Если подать на затвор положительное напряжение, относительно истока, то возникающее электрическое поле будет к области под затвором притягивать электроны и выталкивать дырки.

По достижению определенной концентрации электронов под затвором, между истоком и стоком создается тонкий n-канал, по которому потечет ток от истока к стоку.

Следует сказать, что ток через транзистор можно увеличить, если подать больший потенциал напряжения на затвор. При этом канал становиться шире, что приводит к увеличению тока между истоком и стоком.

МДП-транзистор с каналом p-типа имеет аналогичную структуру, однако подложка в таком транзисторе выполнена из полупроводника n-типа, а области истока и стока из высоколегированного полупроводника p-типа.

В таком полевом транзисторе основными носителями заряда являются положительные ионы (дырки). Для того, что бы открыть канал в полевом транзисторе с каналом p-типа необходимо на затвор подать отрицательный потенциал.

Проверка полевого MOSFET транзистора цифровым мультиметром

Для примера возьмем полевой МОП-транзистор с каналом n-типа IRF 640. Условно-графическое обозначение такого транзистора и его цоколевку вы видите на следующем рисунке.

Перед началом проверки транзистора замкните все его выводы между собой, что бы снять возможный заряд с транзистора.

Проверка встроенного диода

Для начал следует подготовить мультимер и перевести его в режим проверки диодов. Для этого переключатель режимов/пределов установите в положение с изображением диода.

В этом режиме мультиметр при подключении диода в прямом направлении (плюс прибора на анод, минус прибора на катод) показывает падение напряжения на p-n переходе диода. При включении диода в обратном направлении мультиметр показывает «1».

Итак, подключаем щупы мультиметра, как было сказано выше, в прямом включении диода. Таким образом, красный шум (+) подключаем на исток, а черный (-) на сток.

Мультиметр должен показать падение напряжение на переходе порядка 0,5-0,7.

Меняем полярность подключения встроенного диода, при этом мультиметр, при исправности диода покажет «1».

Проверка работы полевого МОП транзистора

Проверяемый нами МОП-транзистор имеет канал n-типа, поэтому, что бы канал стал электропроводен необходимо на затвор транзистора относительно истока либо стока подать положительный потенциал. При этом электроны из подложки переместятся в канал, а дырки будут вытолкнуты из канала. В результате канал между истоком и стоком станет электропроводен и через транзистор потечет ток.

Для открытия транзистора будет достаточно напряжения на щупах мультиметра в режиме прозвонки диодов.

Поэтому черный (отрицательный) щуп мультиметра подключаем на исток (или сток), а красным касаемся затвора.

Если транзистор исправен, то канал исток-сток станет электропроводным, то есть транзистор откроется.

Теперь если прозвонить канал исток-сток, то мультиметр покажет какое-то значение падение напряжения на канале, в виду того, что через транзистор потечет ток.

Таким образом черный щуп транзистора ставим на исток, а красный на сток и мультиметр покажет падение напряжение на канале.

Если поменять полярность щупов, то показания мультиметра будут примерно одинаковыми.

Что бы закрыть транзистор достаточно относительно истока на затвор подать отрицательный потенциал.

Следовательно, подключаем положительный (красный) щуп мультиметра на исток, а черным касаемся затвор.

При этом исправный транзистор закроется. И если после этого прозвонить канал исток-сток, то мультиметр покажет лишь падение напряжения на встроенном диоде.

Если транзистор управляется напряжением с мультиметра (то есть открывается и закрывается), значит можно сделать вывод, что транзистор исправен.

Проверка полевого МОП – транзистора с каналом p-типа осуществляется подобным образом. За тем исключением, что во всех пунктах проверки полярность подключения щупов меняется на противоположную.

Более подробно и просто всю методику проверки полевого транзистора я изложил в следующем видеоуроке:

Что такое VRM материнской платы | Материнские платы | Блог

VRM (Voltage Regulator Module) является неотъемлемым и одним из важнейших элементов материнской платы, который отвечает за питание центрального процессора. Высокочастотные чипы, такие как ЦПУ компьютера, очень чувствительны к качеству питания. Малейшие неполадки с напряжением или пульсациями могут повлиять на стабильность работы всего компьютера. VRM представляет собой не что иное, как импульсный преобразователь, который понижает 12 вольт, идущие от блока питания, до необходимого процессору уровня. Именно от VRM зависит подаваемое на ядра напряжение.

Принцип работы VRM был описан в более ранней статье, а сейчас мы рассмотрим, из чего состоит подсистема питания процессора.

VRM состоит из пяти основных составляющих: MOSFET-транзисторы, дроссели, конденсаторы, драйверы и контроллер.

Транзисторы

«MOSFET» является аббревиатурой, которая расшифровывается как «Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor». Так что MOSFET — это полевой МОП-транзистор с изолированным затвором.

Дроссели

Дроссели — это катушки индуктивности, которые стабилизируют напряжение. Вместе с конденсаторами они образуют LC-фильтр, позволяющий избавиться от скачков напряжения и уменьшить пульсации. В современных материнских платах дроссели выглядят как темные кубики, находящиеся около МОП-транзисторов.

Конденсаторы

В современных платах твердотельные полимерные конденсаторы уже давно вытеснили электролитические. Это связано с тем, что полимерные конденсаторы имеют намного больший срок эксплуатации. Конденсаторы помогают стабилизировать напряжение и уменьшать пульсации.

Контроллер

Контроллер — чип, рассчитывающий, с каким сдвигом по времени будет работать та или иная фаза. Является «мозгом» всей VRM.

Драйвер

Драйвер — это чип, исполняющий команды контроллера по открытию или закрытию полевого транзистора.

Охлаждение — зачем оно нужно

Существует прямая связь между энергопотреблением процессора и нагревом VRM. Чем больше потребляет процессор, тем больше нагрузка на цепи питания, и, следовательно, больше их нагрев. MOSFET-транзисторы во время работы выделяют значительное количество тепла. Поэтому на них устанавливают пассивное охлаждение в виде радиатора, чтобы избежать перегрева и нестабильной работы. Производители материнских плат начального уровня часто экономят на этом, оставляя цепи питания без охлаждения, что, конечно, не очень хорошо, но не слишком критично, поскольку на подобные материнские платы обычно не ставят топовые процессоры с высоким TDP.

На транзисторы цепей питания можно не ставить охлаждение при условии, что температура во время нагрузки не будет превышать допустимых значений. Поэтому без охлаждения VRM очень нежелательно устанавливать «прожорливые» процессоры. На материнских платах, рассчитанных под оверклокинг, обязательно имеется охлаждение.

В самых топовых платах, помимо обычного радиатора, можно встретить испарительную камеру или водоблок для подключения к контуру СЖО.

Количество фаз

У неопытных пользователей именно эта характеристика зачастую становится ключевой при выборе материнской платы. Производители знают об этом и часто прибегают к различным уловкам. Чаще всего можно встретить использование двойного набора компонентов для одной фазы, что создает видимость большего количества фаз. Количество и характеристики фаз обычно не указываются производителями в расчете на то, что неопытный покупатель увидит много дросселей и купит плату, решив, что «больше — лучше».

Чтобы узнать реальное количество фаз и используемые компоненты, нужно посмотреть характеристики установленного на материнскую плату ШИМ-контроллера в технической спецификации. Количество дросселей далеко не всегда говорит о реальном количестве фаз. Кроме того, стоит учитывать, что некоторые драйверы способны работать в качестве удвоителя фазы. Это позволяет увеличить количество фактических фаз без использования более продвинутого ШИМ-контроллера.

Конфигурация фаз питания

В описаниях материнских плат часто можно увидеть такие обозначения, как 8+2, 4+1, и т. п. Эти цифры означают количество фаз, отведенных на питание ЦПУ и остальных элементов. Например, 8+2 означает, что 8 фаз отведено на питание ядер процессора, а оставшиеся 2 рассчитаны на контроллер памяти.

От количества фаз зависит уровень пульсаций, действующих на процессор. Чем больше фаз, тем меньше пульсаций тока. Большее количество фаз означает большее количество MOSFET-транзисторов в цепи, что положительно сказывается на температурных показателях. Кроме того, чем больше транзисторов, тем легче будет поставить высокое напряжение на ядра, что позитивно скажется на оверклокинге. В большом количестве фаз, по большому счету, имеются только плюсы. Главным и единственным недостатком, пожалуй, является лишь высокая цена.

Источники изображений: HWP, chipdip, Gigabyte, price-altai, electro-goods, pcdvd

Как проверить полевой транзистор? | ROM.by

MOSFET — это Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor.

Нижеизложенная методика обеспечивает проверку MOSFET’ов вне схемы. MOSFET должен находиться на непроводящей поверхности. Поверхность MOSFET’а должна быть относительно чистой, т.к. загрязнение поверхности между выводами MOSFET’а может привести к искажению результатов проверки. Также следует обращать внимание на соотношение Vgs(th) и максимального напряжения, выдаваемого мультиметром в режиме проверки диодов.

Для диагностики полевых транзисторов N-канального

вида ставим мультиметр на проверку диодов (обычно он пищит на этом положении), черный щуп слева на подложку (D — сток), красный на дальний от себя вывод справа (S — исток), мультиметр показывает падение напряжения на внутреннем диоде — 502 мВ, транзистор закрыт (Рис.4). Далее, не снимая черного щупа, касаемся красным щупом ближнего вывода (G — затвор) (Рис.5) и опять возвращаем его на дальний (S — исток), тестер показывает 0 мВ (на некоторых цифровых мультиметрах будет показываться не 0, а 150…170 мВ): полевой транзистор открылся прикосновением (Рис.6).

Если сейчас черным щупом коснуться нижней (G — затвор) ножки, не отпуская красного щупа (Рис.7

), и вернуть его на подложку (D — сток), то полевой транзистор закроется и мультиметр снова будет показывать падение напряжения около 500 мВ (Рис.8). Это верно для большинства N-канальных полевиков в корпусе DPAK и D²PAK, применяемых на материнских платах и видеокартах.

Транзистор выполнил всё, что от него требовалось. Диагноз — исправен. Для проверки P-канальных полевых транзисторов нужно поменять полярность напряжений открытия-закрытия. Для этого просто меняем щупы мультиметра местами.

Ссылка по теме.

Ноутбук не включается | Поиск неисправности ноутбука

Поиск неисправности материнской платы ноутбука

Осмотрим материнскую плату ноутбука на предмет окислов, потемневших участков, следов пайки, нагара, вздутий текстолита и других повреждений, так же осматриваем все разъёмы (чтобы нигде ничего не замыкало) и исходя из этого можно строить определённые выводы.

Если есть окисления на каком либо участке, то надо промыть плату, (мы промываем в ультразвуковой ванне), а затем выдуваем всю воду с платы (особенно из под чипов) с помощью компрессора, досушиваем на нижнем подогревателе смотрим отгнившие элементы под микроскопом и восстанавливаем.
Стоит обратить внимание на то место куда попала жидкость, часто бывает что жидкость попадает к примеру под системную логику, слоты памяти и в итоге под ними начинают отгнивать контакты.

Выявление короткого замыкания (КЗ) на плате ноутбука

Начинаем с проверки первички «19 вольтовая линия» (вообще если быть точным то первичка на некоторых моделях может быть не 19в, а к примеру 15в или же наоборот 20в и надо смотреть что написано на корпусе, для того чтобы узнать параметры совместимого зарядного устройства), ищем по схеме где они проходят и так же меряем сопротивление относительно земли, оно должно быть большим. Если же у вас заниженное сопротивление по высокому (19в), то для начала вам надо понять в каких цепях оно присутствует, то есть в обвязке чаржера (Сharger в переводе с англиского «зарядное устройство») или в нагрузке.

Чаржер BQ24753A

Что происходит при подключении блока питания ноутбука:
На ACDET (детектор заряда) через резистор который является делителем приходит напряжение и если она больше 2.4в то чаржер сообщает мультиконтролеру о переходе в режим зарядки по каналу IADAPT
при этом сигнал OVPSET определяет порог входного напряжения и если всё нормально, то ключ (мосфет) Q3 закрывается управляющий сигнал ACDRV открывает Q1 тем самым запитывая чаржер уже от БП (PVCC 19в) и проходит Q2, после чего уходит в нагрузку.

Вернёмся к тому что надо определить кз (в нагрузке или до неё), исходя из вышесказанного допустим если у вас пробит конденсатор С1 то если будетем искать КЗ в нагрузке то его там попросту нет, а на разъёме напряжения будет просаживаться.
В этом случае надо производить замеры относительно земли допустим на резисторе R10, затем на PVCC микросхемы чаржера и наконец на резисторе Rас, так же в обязательном порядке проверяем мосфеты Q1, Q2 и Q3 на пробой (желательно с ними также проверить Q4 и Q5), далее если допустим у нас с вами кз не в нагрузке, то можно воспользоваться ЛБП (лабораторный блок питания) с ограничением по току, подсоединяем в область кз и ищем на плате греющиеся элементы, меняем, процедура производится до того момента пока кз не уйдёт, либо можно не использовать ЛБП, а просто выпаивать элементы попавшие под подозрение и менять если они пробиты.
Когда короткое в нагрузке, перед тем как использовать ЛБП надо убедиться что все мосфеты во вторичных цепях питания на которые приходит высокое (другими словами верхнее плечо) не пробиты.

Шим котролер RT8202A

Как видим на схеме, если насквозь пробит PQ, то все что вы будете подавать на линию высокого будет проходить на дроссель и далее в узлы питания оперативной памяти (если конечно её не вытащить перед этим). Подумайте и представте что это будет не в этой цепи, а например в цепи питания видео
Проверили мосфеты и убедились, что КЗ по высокому в нагрузке, то можно применять ЛБП и искать неисправности.
Перед применением ЛБП желательно снять с платы все снимаемое и желательно ставить на ЛБП выходное

напряжение около 1в и 1A для поиска неисправности важна сила тока, а не напряжение.

Далее нам надо проверить плату на наличие КЗ во вторичных питаниях, для этого открываем схему и смотрим, на вторичке нас интересуют дросселя (зачастую обозначаются в схемах как PL), будем измерять на них сопротивление относительно земли, на некоторых дросселях сопротивление может быть очень маленьким, но это не всегда обозначает что там кз, например на дроселях питания процессора в режиме прозвонки сопротивление может быть 2 ома и для этой платформы это нормально, а вот если 0.5 ома, то это уже наталкивает на мысли что сломан видеочип, однако есть видяхи у которых сопротивление по питанию может быть в районе 1 ома, Если же заниженное сопротивление по вторичным питаниям, например на дежурке, то так же смотрим с какой стороны оно находится (в обвязке шима или в нагрузке, для этого на некоторых платах распаяны джампера, если их нету то смотрим схему и находим место в цепи где можно ее разомкнуть) , если кз со стороны нагрузки то делаем туже манипуляцию с ЛБП только ставим то напряжение которая должна быть в этой цепи (можно меньше, но не больше) и так же ищем что греется, если будут греться большие чипы имеется ввиду юг, север и многое другое, то эту процедуру следует прекратить и искать КЗ размыкая цепи. Если в обвязке, то в первую очередь проверяем нижний ключ, а потом уже и остальное.
Итак мы убедились что у нас нету короткого замыкания на плате и теперь можно пробовать её пустить, вставляем ЗУ и нажимаем на кнопку включения.

Питания не поднимаются либо поднимаются, но не все

Нужно убедиться что на плату поступает 19в, если оно отсутствует на плате то смотрим: разъём питания -> мосфет -> нагрузка, убеждаемся что на разъёме есть 19в, далее проверяем мосфет на стоке и истоке должны быть 19в если же например на стоке они есть, а на истоке нету то смотрим целый ли данный мосфет и что управляет его затвором, проверяем VIN на микросхеме чаржера, так же проверяем наличие DCIN, ACIN, ACOK, если сигналы отсутствуют то следует заменить чаржер, так же первое что нужно сделать

прошить биос, потому что именно в биосе прописаны основные алгоритмы (логика) платы в том числе и алгоритм запуска.

Прошили биос и изменений не последовало, идём дальше, во многих схемах есть страничка с «Power on sequence» (последовательность питания).

Пример схема для asus k42jv mb2.0.

Смотрим поступает +3VA_EC и запитан мультиконтролер, так же смотрим запитана ли флешка биоса. На разных платформах это питание формируется по-разному (не обязательно его должен формировать шим дежурки).
Затем смотрим EC_RST# (знак # в конце означает что сигнал является инверсным),
Затем проверяем уходит ли с мульта VSUS_ON — это разрешающий сигнал на включение силовых +3VSUS, +5VSUS и +12VSUS (дежурных питаний), заодно проверяйте есть ли эти питания.
Для разных платформах дежурка может появляется по разному, допустим +3VSUS есть до нажатия, а +5VSUS поднимается уже после нажатия!
Как формируется ENBL (сигнал включения шима дежурки), для его формирования сигнал FORCE_OFF# должен быть не активен (это значит что он должен быть 3.3в).
Сигнал FORCE_OFF# — это защитный сигнал, он становится активным (переходит в логический 0) при перегреве, выходе из строя какого-нибудь шима в общем если будет происходить что то нехорошее, кстати этот же сигнал формирует EC_RST#
Далее смотрим передает ли хаб мульту ME_SusPwrDnAck, затем смотрим приходит ли на мульт SUS_PWRGD — этот сигнал сообщает мульту, что системные питания +3VSUS +5VSUS +12VSUS присутствуют на плате, далее мульт снимает сигнал PM_RSMRST# этот сигнал снятия ресета с юга должен в логической 1, так же мульт выдает ME_AC_PRESENT, это все что должно быть на плате ДО включения!
Теперь смотрим PWR_SW# на этой платформе он должен быть 3в (на некоторых платформах может быть и 19в на кнопке) и сбрасываться при нажатии на кнопку, так же незабываем проверять LID_SW# должен быть 3в (сигнал с датчика холла), так же сигнал PM_PWRBTN# идущий на юг должен кратковременно сбросится, смотрим осциллографом жизнь на флешке биоса, генерацию кварцев на мульте и юге, проверяем RTC батарейку, после того как PM_PWRBTN# сбросится ЮГ должен дать добро на включение остальных питаний и перехода в другой режим в виде сигналов PM_SUSC# и PM_SUSB# идущих на мульт, в свою очередь мульт выдаст сигналы SUSC_EC# и SUSB_EC# это разрешающие сигналы на запуск шимок следующих групп питаний:
Затем если эти шимконтролеры исправны и питания поднимаются они отдают в цепь детектора Power Good:

Вот так выглядит цепь POWER GOOD DETECTER.

Далее формируется сигнал SYSTEM_PWRGD он же является EN (сигнал включения) для шима который формирует
+VTT_CPU это напряжение питания терминаторов процессора (дополнительное напряжение питания процессора) и этот шим так же выдает +VTT_CPU_PWRGD в цепь второго детектора, а детектор в свою очередь посылает на процессор сигнал H_VTTPWRGD (сообщая что питание в норме):
В это же время процессор дает команду на включение питаний видео ядра GFX_VR_ON на шим который формирует это питание,
далее процессор выставляет GFX_VID для видео ядра и появляется +VGFX_CORE, после чего на тот же детектор приходит GFX_PWRGD говоря о том что питание в норме и с детектора по итогу выходит общий POWER GOOD.
ALL_SYSTEM_PWRGD и идёт на мульт, после чего мульт выдаёт сигнал CPU_VRON (сигнал включения основных питаний процессора), в следствии чего должно подняться питание +VCORE,
затем с шима питания проца на мульт уходит сигнал VRM_PWRGD говорящий о том что питание проца в норме, так же с этого шима идет сигнал CLK_EN# это разрешающий сигнал на включение клокера (Генератор тактовых частот) — это устройство, формирующее основные тактовые частоты, используемые на материнской плате и в процессоре.
Затем мульт отправляет сигнал PM_PWROK хабу сообщая о том что питания в норме, и хаб отправляет на проц сигналы H_DRAM_PWRGD иH_CPUPWRGD сообщая процессору, что эти питания в норме, параллельно проходит сигнал BUF_PLT_RST# который снимает ресет с процессора и после которого начинается операция пост

Работа шим контроллеров RT8202APQW

Приципиальная схема шима
Что такое шим — это сокращение от понятия широтно-импульсная модуляция (на англиском это pulse-width modulation то есть PWM) — это управление средним значением напряжения на нагрузке путём изменения скважности импульсов, управляющих ключами.
В результате работы ШИМа формируется напряжение которая до дросселя скажем так «прыгает» и если смотреть осциллографом то мы увидим пилообразный сигнал, далее благодаря дросселю и конденсатору (так называемый низкочастотный LC фильтр) после него напряжение стабилизируется и на осциллографе после него мы увидим «прямую»
Контакты на нашей шимке и зачем они нужны:

1. TON — это сенсор напруги, которая поступает на верхий ключ, собственно он измеряет напругу которая будет проходить при открытии ключа
2. VDDP — это питание драйверов для управления затворами ключей
3. VDD — основное питание шим контроллера
4. PGOOD — сигнал говорящий о том что шим работает и питание в порядке
5. EN/DEM — это сигнал включения шима, переход в режим работы так сказать
6. GND — земля
7. BOOT — вольтодобавка, он входит в состав драйвера управляющего верхним ключом
8.UGATE — это управляющая затвором верхнего ключа
9. PHASE — общая фаза
10. LGATE — управляющая затвором нижнего ключа
11. OC — настройка тока (ограничение)
12. FB — канал обратной связи
13. VOUT — проверка выходного напряжения

Для того чтобы шим работал требуется не так уж и много, для начала нужно убедится в том, что вся обвязка целая и номиналы соответствуют, затем убедимся, что шим запитан в данном случае (VDD и VDDP), должен приходит EN (сигнал включения) и приходить высокое на TON
если все вышесказанные условия соблюдены, но шим не выдаёт положенного питания то следует заменить шим.

Это пример работы одноканального шима, рассмотрим шим который имеет несколько синхронно работающих каналов, а именно шим питания процессора. Зачем процессору нужно несколько каналов и одного ему может быть недостаточно.
На старых платформах не было потребности в том чтобы делать многофазные шимы для питания процессора, но с появлением новых архитектур появилась проблема, всё дело в том что процессоры нового поколения при напряжении 1в и энергопотреблении свыше 100 Вт могут потреблять ток 100А и выше,
Если посмотреть даташит на любой мосфет, то увидим что у них ограничение по току до 30А, то есть если использовать однофазный регулятор напряжения питания, то его элементы просто «сгорят», поэтому было принято решение сделать многоканальный шим контроллер.
Так же для уменьшения пульсации выходного напряжения в многофазных шимах все фазы работают синхронно с временным сдвигом друг относительно друга.
Фаза на выходе после LC фильтров соединяются между собой «дублируются», о чём это говорит — если допустим какой либо канал не будет работать, то на дросселе этого канала все равно будет присутствовать питание и вполне вероятно, что при этом ноутбук инициализируется, но при малейшей загрузке проца (например при загрузке Windows) он попросту глюканёт ибо процу будет недостаточно того питания которое на него будет приходить.
В этом случае смотрим осциллографом присутствие пульсаций перед LC фильтром каждого канала. Конечно же бывают случаи что с питальником то все нормально, попросту надо изменить VID-ы, это бывает когда прошили не тот bios либо подкинули более мощный процессор.
Это происходит из за сигнала VID (Voltage Identification), а это сигнал идентификации материнской платой рабочего напряжения процессора.

Все питания поднялись, но нет «изображения».

В этом варианте начинаем с прошивки биоса. Не помогло:
Подключаемся на внешний монитор.
Если картинки нет то меряем сопротивления каналов RX/TX желательно на всех шинах, мерять надо относительно земли и относительно друг друга то есть RX не должен звониться накоротко с TX, соответственно учитываем что на каждой шине своё сопротивление, отличие на отдельной шине более чем 50ом уже много и может означать что проблема скрыта на этом канале,
далее меряем сопротивление относительно земли на конденсаторах под основными чипами (север, юг, видеокарта) на одинаковых конденсаторах должно быть одинаковое сопротивление.
Ну и конечно же желательно снять всю переферию чтобы исключить всякие сломанные сетки или ещё что-нибудь из этой категории, особенно часто ноутбуки ломаются по причине выхода из строя USB (выломали USB и сигнальный контакт попал на 5в итог дохлый юг).
Далее можно применить метод прогибов и прижимов (без фанатизма) при этом смотреть будет ли меняться поведение платы не будем забывать, что зачастую некоторые мосты находятся под клавиатурой там, где они подвергаются небольшим, но частым «встряскам», так же проверяем на отвал bga. Так же смотрим что, где и как греется, замечу что наиболее частая в что при запуске начинает греться южный мост и сразу решают, что проблема в нем, меняют его, а плата как не работала, так и не работает, а все потому что южный мост работает как сумасшедший пока не пройдёт инициализация (потому он и может за 3 секунды раскаляться), а потом его работа стабилизируется, поэтому в процессе диагностики желательно поставить пассивное охлаждение. Далее если совсем ничего не помогло можно воспользоваться диагностическим прогревом или охлаждением отдельных чипов и элементов.

Так же не стоит проверять LVDS шлейфа,
Подключаем матрицу, если у вас например на внешнем мониторе есть изображение, а на матрице нету, надо смотреть считывается ли EDID с матрицы, проверять приходит ли питание матрицы
так же часто бывает что попросту нету подсветки.
LVDS ( low-voltage differential signaling) в переводе «низковольтная дифференциальная передача сигналов» — способ передачи электрических сигналов, позволяющий передавать информацию на высоких частотах
при помощи дешёвых соединений на основе медной витой пары.
Для того чтобы на матрицу вывелось изо необходимо чтобы был запитан контроллер матрицы, после он начинает «общаться» с тем что с ним должно общаться (север, видяха, мульт)
смотреть по схеме, предположим это будет видеокарта, она определяет что по такой-то шине подключён такой-то контроллер, считывает EDID и начинает давать туда изо.
Так же смотрим что дает разрешение на подсветку, есть ли сигнал регулировки подсветки (обычно с мульта).
Внимание когда подключаете шлейф, убедитесь что он под эту модель ибо есть шанс спалить что ни будь серьёзное (типа чипа видеокарты) и плата резко может начала дымиться
Рассмотрим что же за пины на LVDS разъёме и зачем какой нужен.

Для примера Asus k42jv mb 2.0:

1. AC_BAT_SYS — это наше высокое, идет на питание подсветки
2. +3VS — питание контроллера и прошивки матрицы
3. +3VS_LCD — питание самой матрицы
4. LVDS_EDID_DATA_CON и LVDS_EDID_CLK_CON — информационные каналы (считывание прошивки)
5. LCD_BL_PWM_CON — регулировка яркости
6. BL_EN_CON — включение подсветки

Далее идут пары LVDS, их тоже следует измерять на разность сопротивлений и относительно земли, и относительно друг друга.

Ремонт цепи питания МП

Данный вид ремонта относится к одному из самых сложных разделов в области ремонта ноутбуков. Для его проведения требуется детальное знание схемотехники МП (материнских плат) ноутбуков, доскональное знание элементной базы и работы микросхем в ноутбуке.

Наш АСЦ(авторизованный сервисный центр) обладает всем необходимым специализированным оборудованием и квалифицированным персоналом, для проведения качественного и быстрого ремонта, что позволяет нам выполнять ремонт техники любой степени сложности на элементном уровне. Наши специалисты регулярно проходят обучения и сертификации для повышения своих профессиональных навыков и знаний. Благодаря действующим контрактам с ведущими производителями компьютерной и печатающей техники наши специалисты имеют доступ к технической документации, что является недоступно обычным сервисным центрам. Наши инженеры накопили огромный опыт ремонтов. Благодаря своему накопленному опыту, знаниям и умениям мы готовы выполнить данный вид ремонта в кратчайшие сроки с минимальными с Вашей стороны денежными затратами.

Немного теории:

Любой ноутбук подключается в электрическую розетку. Напряжение в сети Украины составляет 220 вольт переменного тока. Однако ноутбук работает в большинстве случаев от напряжения 19 вольт постоянного тока. Внутри ноутбука есть устройства, которые работают от 3 и от 5 вольт. Откуда берутся эти напряжения ? Данные напряжение формируются специальными устройствами — ИМС (интегральная микросхема ), которые составляют цепи питания ноутбука.

Цепи питания, реализованные на ИМС и элементах обвязки (резисторах и конденсаторах) формируют напряжения от 1,5 до 24 вольт и используются для питания процессора, оперативной памяти, чипсета(ChipSet), жесткого диска, матрицы, и многих других устройств в ноутбуке. Расположены они как правило на материнской плате ноутбука. Ремонт таких цепей очень трудоёмкий процесс, он требует фундаментальных знаний схемотехники и, что немаловажно, это наличие запчастей и специального оборудования. Данный вид ремонта невозможно выполнить на дому. Наш АСЦ (и его специалисты) уже более десяти лет занимается именно таким видом ремонта и предлагает Вам качественный ремонт материнских плат ноутбуков любых моделей на выгодных условиях.

Под ремонтом цепей питания материнских плат ноутбука понимается:

Восстановление ноутбука после залития жидкостью
Восстановление материнских плат после КЗ(короткое замыкание)
Восстановление после скачков напряжения сети
Восстановление после изменения входной полярности питания ноутбука
Устранение неисправности при работе с батареей ноутбука (ноутбук не заряжает или не видит батарею)

Допустим, в результате КЗ (короткого замыкания) или залития ноутбука, каскадом выгорают несколько элементов, тогда необходимо методом поэтапного их выявления и замены, восстанавливать работоспособность ноутбука. Пробои в цепи питания ноутбука частенько случаются из-за скачков напряжения в сети, использования не оригинальных блоков питания или не соответствующих требуемым характеристикам по вольтажу и потребляемому току, что приводит к выходу из строя цепей питания и заряда, при этом значительно сокращается срок жизни аккумулятора.

Ремонт цепей питания МП (материнской платы) довольно сложный и трудоёмкий процесс. Как правило, производится после предварительной диагностики ноутбука. Профессиональные знания в области схемотехники ноутбука обязательны.

Типичный пример алгоритма ремонта цепи питания ноутбука :

Если же у Вас заниженное сопротивление по высокому (19в), то для начала Вам надо понять в каких цепях оно присутствует, то есть в обвязке чаржера (Сharger в переводе с англиского «зарядное устройство») или в нагрузке, чтобы понять как это сделать давайте рассмотрим принцип работы чаржера. Для наглядного примера я возьму даташит от микросхемы чаржера BQ24753A.

Итак смотрим, что же происходит при подключении блока питания. На ACDET (детектор зарядника), через резистор который является делителем, приходит напряжение и если оно больше 2.4в, то чаржер(контроллер зарядного устройства) сообщает мульту (мультиконтроллеру) о переходе в режим зарядки по каналу IADAPT, при этом OVPSET определяет порог входного напряжения и если всё нормально, то ключ (мосфет) Q3 закрывается и управляющая ACDRV открывает Q1 тем самым запитывая чаржер уже от БП (PVCC 19в) и проходит Q2, после чего уходит в нагрузку. Я не буду пояснять для чего служат остальные выводы ибо это будет очень долго, но если Вам интересно, то Вы можете сами поискать даташит и вдумчиво изучить остальной функционал. Вернёмся к тому, что нам надо определить где же у нас КЗ (в нагрузке или до неё), исходя из вышесказанного Вы должны понимать, что допустим если у Вас пробит конденсатор С1, то если Вы будете искать КЗ в нагрузке, Вы его там попросту не обнаружите, а на разьёме оно будет просаживаться, поэтому в моём случае надо производить замеры относительно земли допустим на резисторе R10, затем на PVCC микросхемы чаржера и наконец на резисторе Rас, так же в обязательном порядке проверяем мосфеты Q1, Q2 и Q3 на пробой (желательно с ними также проверить Q4 и Q5), далее если допустим у нас с Вами КЗ не в нагрузке, то можно воспользоваться ЛБП (лабораторный блок питания) с ограничением по току, подключем его в область КЗ и ищем на плате греющиеся элементы, меняем, процедура производится до того момента пока КЗ не уйдёт, либо можно не использовать ЛБП, а просто выпаивать элементы попавшие под подозрение и менять если они пробиты. Другой момент когда КЗ в нагрузке, тут перед тем как лазить ЛБП нам надо убедиться, что все мосфеты во вторичных цепях питания на которые приходит высокое (другими словами верхнее плечо) не пробиты, я поясню Вам зачем это надо: Для наглядости примера возьмём часть цепи шимконтролера RT8202A (в схеме от ASUS k42jv отвечает за питание оперативной памяти):

Как видим из рисунка, если у Вас насквозь пробит PQ1, то все что Вы будете подавать на линию высокого (в данном случае оно обзывается AC_BAT_SYS) будет проходить на дроссель и далее в узлы питания оперативы — «оперативной памяти»(если конечно Вы её не вытащите перед этим). Подумайте и представьте, что это будет не в этой цепи, а например в цепи питания видяхи(ИМС видеоадаптера)… Ну собственно если Вы проверили мосфеты и убедились, что КЗ по высокому у Вас таки в нагрузке, то можно смело применять ЛБП и искать «косяки». Немного добавлю к сказанному, во первых перед применением ЛБП желательно поснимать с платы все снимаемое и желательно ставить на ЛБП выходное напряжение около 1в и 1A ведь для поиска нам важна сила тока, а не напряжение, да и плюс ко всему Вы тем самым обезопасите себя от выгорания ещё чего либо, но уже по Вашей вине.

Далее нам надо проверить плату на наличие КЗ во вторичных цепях питаниях, для этого открываем схему и смотрим, на вторичке нас интересуют дросселя (зачастую обозначаются в схемах как PL), мы будем измерять на них сопротивление относительно земли, сразу скажу, что на некоторых дросселях сопротивление может быть очень маленьким, но это не всегда обозначает, что там КЗ, например на дроселях питания процессора в режиме прозвонки сопротивление может быть 2 ома и для этой платформы это нормально, а вот если 0.5 ома, то это уже наталкивает на мысли, так же есть видяхи у которых сопротивление по питанию может быть в районе 1 ома. Если же у Вас заниженное сопротивление по вторичным питаниям, ну например на дежурке, то мы так же смотрим с какой стороны оно находится (в обвязке шима или в нагрузке, для этого на некоторых платах распаяны джампера, если их нету то смотрим схему и думаем где можно разомкнуть и померить) , если КЗ со стороны нагрузки, то делаем туже манипуляцию с ЛБП только ставим ту напругу которая должна быть в этой цепи (можно меньше, но не больше) и так же ищем что греется, если будут греться большие чипы имеется ввиду юг, север итд., то эту процедуру следует прекратить и искать КЗ размыкая цепи. Если в обвязке, то в первую очередь проверяем нижний ключ, а потом уже и остальное (можно тем же ЛБП).

Итак мы убедились что у нас нету КЗ на плате и теперь можно пробовать её пустить, вставляем ЗУ и нажимаем на кнопку включения, тут у нас есть несколько развитий событий:

Питания не поднимаются либо поднимаются, но не все.

Для начала нам нужно убедиться что на плату поступает 19в, если оно отсутствует на плате то смотрим: разъём питания -> мосфет -> нагрузка, убеждаемся что на разъёме есть 19в, далее проверяем мосфет на стоке и истоке должны быть 19в если же например на стоке они есть, а на истоке нету то смотрим целый ли данный мосфет и что управляет его затвором, проверяем VIN на микросхеме чаржера, так же проверяем наличие DCIN, ACIN, ACOK, если сигналы отсутствуют, то следует заменить чаржер, так же первое что нужно сделать, надо прошить BIOS, потому как именно в биосе прописаны основные алгоритмы (логика) платы в том числе и алгоритм запуска, многие попросту ленятся прошить биос (его ведь ещё найти надо или/и порезать) и начинают ковырять усердно плату убивая на это своё время да и плату тоже, а оказывается что надо всего то прошить BIOS …

Вы прошили BIOS и изменений не последовало, идём дальше, во многих схемах есть страничка с «Power on sequence» (последовательность питания), открываем и смотрим. Итак я беру к примеру схему для asus k42jv mb2.0, что мы видим:

Это и есть наш Power on sequence и ещё :

Первым делом нам нужно убедится, что на плату поступает +3VA_EC и наш мультиконтролер запитан, так же смотрим запитана ли флешка биоса. Кстати, на разным платформах это питание формируется по разному (не обязательно его должен формировать шим дежурки).

Затем смотрим EC_RST# (обращаю Ваше внимание на то, что # в конце означает что сигнал является инверсным), затем проверяем уходит ли с мультиконтролера VSUS_ON — это разрешающий сигнал на включение силовых +3VSUS, +5VSUS и +12VSUS (дежурных питаний), также проверяйте есть ли эти питания. Добавлю что на разных платформах дежурка может появляется по разному, допустим +3VSUS есть до нажатия, а +5VSUS поднимается уже после нажатия!

На рисунке показано как формируется ENBL (сигнал включения шима дежурки), как видим для его формирования сигнал FORCE_OFF# должен быть не активен (это значит что он должен быть 3.3в)! Сигнал FORCE_OFF# — это защитный сигнал, он становится активным (переходит в логический 0) при перегреве, выходе из строя какого-нибудь шима, вообщем если будет происходить что-то нехорошее, кстати этот же сигнал формирует EC_RST#! Далее смотрим передает ли хаб(HUB) мульту(мультиконтролеру) ME_SusPwrDnAck, затем смотрим приходит ли на мульт SUS_PWRGD — этот сигнал сообщает мульту, что системные питания +3VSUS +5VSUS +12VSUS присутствуют на плате, далее мульт снимает сигнал PM_RSMRST# этот сигнал снятия ресета(reset) с юга(южный мост) должен в логической 1, так же мульт выдает ME_AC_PRESENT, это все что должно быть на плате ДО включения! Теперь смотрим PWR_SW# на этой платформе он должен быть 3в (на некоторых платформах может быть и 19в на кнопке) и сбрасываться при нажатии на кнопку, так же незабываем проверять LID_SW# должен быть 3в (сигнал с датчика холла), так же сигнал PM_PWRBTN# идущий на юг должен кратковременно сброситься, смотрим осциллографом жизнь на флешке биоса, генерацию кварцев на мульте и юге, проверяем RTC батарейку, после того как PM_PWRBTN# сбросится, ЮГ должен дать добро на включение остальных питаний и перехода в другой режим в виде сигналов PM_SUSC# и PM_SUSB# идущих на мульт, в свою очередь мульт выдаст сигналы SUSC_EC# и SUSB_EC# это разрешающие сигналы на запуск шимок следующих групп питаний:

Затем если эти шимконтролеры исправны и питания поднимаются они отдают в цепь детектора Power Good-ы:

Вот так выглядит цепь POWER GOOD DETECTER. Далее формируется сигнал SYSTEM_PWRGD он же является EN (сигнал включения) для шима который формирует +VTT_CPU это напряжение питания терминаторов процессора (дополнительное напряжение питания процессора) и этот шим так же выдает +VTT_CPU_PWRGD в цепь второго детектора, а детектор в свою очередь посылает на проц сигнал H_VTTPWRGD (сообщая что это питание в норме):

В это же время процессор дает комаду на включение питаний видео ядра GFX_VR_ON на шим который формирует это питание, далее проц выставляет GFX_VID для видео ядра и появляется +VGFX_CORE , после чего на тот же детектор приходит GFX_PWRGD говоря о том что питание в норме и с детектора по итогу выходит общий повергуд ALL_SYSTEM_PWRGD и идёт на мульт, после чего мульт выдаёт сигнал CPU_VRON (сигнал включения основных питаний процессора), в следствии чего должно подняться питание +VCORE, затем с шима питания проца на мульт уходит сигнал VRM_PWRGD говорящий о том что питание проца в норме, так же с этого шима идет сигнал CLK_EN# это разрешающий сигнал на включение клокера (Генератор тактовых частот) — это устройство, формирующее основные тактовые частоты, используемые на материнской плате и в процессоре.

Затем мульт отправляет сигнал PM_PWROK хабу, сообщая о том что питания в норме, и хаб отправляет на проц сигналы H_DRAM_PWRGD и H_CPUPWRGD сообщая процессору, что эти питания в норме, параллельно проходит сигнал BUF_PLT_RST# который снимает ресет с проца и после которого начинается операция POST!

Мы рассмотрели последовательность включения питаний на отдельном ноутбуке, но хочу заметить, что на разных платформах эти последовательности очень похожи (делаем выводы), например на asus f80l где север отдельно на конечных этапах прибавляется сигнал PLT_RST# который идёт отдельно на север! Теперь для полного счастья рассмотрим принцип работы шимконтроллеров дабы иметь представление что делать если вдруг какие то питания не поднимаются, для примера возьмём RT8202APQW:

Это приципиальная схема нашего шима. Начну с определения, что же такое шим — это сокращение от понятия широтно-импульсная модуляция (на англиском это pulse-width modulation то есть PWM) — это управление средним значением напряжения на нагрузке путём изменения скважности импульсов, управляющих ключами. Я не буду расписывать подробно как работают все узлы шимки имеется ввиду генератор импульсов, компаратор, усилитель ошибки и тд. ибо это очень длинная история… Итак как же работает наш шим, я приведу пример: Представте что Вы едете на электромобиле и у Вас есть всего две педали «газ» и тормоз, при этом педаль газа может нажиматься только на максимум и не иначе, при этом Вам необходимо держать скорость в пределах скажем 50км в час, мы знаем что за счёт внешних факторов и законов физики с места разогнать такую скорость мгновенно (в буквальном смысле) Вы не сможете, то есть после нажатия на педаль газа и до того момента как Вы достигните скорости 55км в час должно пройти какое то определённое время, далее Вы отпускаете педаль и начинает действовать сила инерции, а также противодействующая ей сила трения, в следствии чего за какой-то участок времени Ваша скорость понижается до 45 км в час и Вы снова кратковременно нажимаете на педаль газа, таким образом Ваша средняя скорость передвижения составляет 50 км в час. Вообщем шим работает по тому же принципу, только вместо педали газа у него затворы транзисторов (ключей), в результате формируется напруга которая до дросселя скажем так «прыгает» и если смотреть осциллографом то мы увидим пилообразный сигнал, далее благодаря дросселю и конденсатору (так называемый низкочастотный LC фильтр) после него напруга стабилизируется и на осциллографе после него мы увидим «прямую»! Давайте разберёмся что за контакты на нашей шимке и зачем они нужны:

TON — это сенсор напруги, которая поступает на верхий ключ, собственно он измеряет напругу которая будет проходить при открытии ключа.
VDDP — это питание драйверов для управления затворами ключей.
VDD — основное питание шим контроллера.
PGOOD — сигнал говорящий о том что шим работает и питание в порядке.
EN/DEM — это сигнал включения шима, переход в режим работы так сказать.
GND — земля.
BOOT — вольтодобавка, он входит в состав драйвера управляющего верхним ключом.
UGATE — это управляющая затвором верхнего ключа.
PHASE — общая фаза.
LGATE — управляющая затвором нижнего ключа.
OC — настройка тока (ограничение).
FB — канал обратной связи.
VOUT — проверка выходного напряжения.

Собственно для того чтобы шим работал требуется не так уж и много. Для начала конечно же нужно убедиться в том, что вся мелочёвка в обвязке целая и номиналы соответствуют. Затем убедиться, что шим запитан, в данном случае (VDD и VDDP), должен приходить EN (сигнал включения) и приходить высокое на TON (кстати сказать, на ASUS-ах K53SV не редко по линии TON отгнивает резистор и поэтому нет питания выдаваемого этим шимом). Если все вышесказанные условия соблюдены, но шим не выдаёт положенного питания либо повер гуда, то следует заменить шим.

В нашем случае я привел пример работы одноканального шима и для полноты картины предлагаю рассмотреть шим который имеет несколько синхронно работающих каналов, а именно шим питания процессора. Я хочу пояснить зачем же всё таки процессору нужно несколько каналов и одного ему может быть недостаточно. В принципе на старых платформах не было потребности в том чтобы делать многофазные шимы для питания процессора, но прогресс не дремлет и с появлением новых архитектур появилась проблема, всё дело в том, что процессоры нового поколения при напряжении 1в и энергопотреблении свыше 100 Вт могут потреблять ток 100А и выше, а если Вы откроете даташит на любой мосфет, то увидите что у них ограничение по току до 30А, то есть если использовать однофазный регулятор напряжения питания, то его элементы просто «сгорят», поэтому было принято решение сделать многоканальный шим контроллер, чтобы так сказать разделить «труд». Так же для уменьшения пульсации выходного напряжения в многофазных шимах все фазы работают синхронно с временным сдвигом друг относительно друга.

Как видим из рисунка, фазы на выходе после LC фильтров соединяются между собой «дублируются», о чём это говорит — если допустим какой либо канал не будет работать, то на дросселе этого канала все равно будет присутствовать питание и вполне вероятно, что при этом ноут таки инициализируется, но при малейшей загрузке проца (например при загрузке Windows) он попросту глюканёт ибо процу будет недостаточно того питания которое на него будет приходить! В этом случае смотрим осциллографом присутствие пульсаций перед LC фильтром каждого канала!!! Конечно же бывают случаи что с питальником то все нормально, попросту надо изменить VID-ы, это бывает когда Вы прошили «немного» не тот BIOS, либо подкинули более мощный процессор. Для тех кто не понял о чём идет речь: VID (Voltage Identification) — идентификация материнской платой рабочего напряжения процессора. Ну думаю что этого будет вполне достаточно и пришло время рассмотреть другой вариан развития событий.

2. Все питания поднялись, но нет изображения.

В этом варианте мы также начинаем с прошивки BIOS. Не помогло:

Подключаемся на внешний монитор (может на CRT или на HDMI будет изображение), затем подкидываем пост карту, смотрим в схеме где у нас распаян LPC, если он не идёт на MINI PCI-E, то смотрим куда можно подпаять пост карту, на некоторых платформах присутствует LPC Debug Port, многие считают, что это вообще лишняя трата времени потому что пост может вообще ахинею показать, но давайте подумаем какая таки задача стоит перед нами, нам необходимо максимально сузить круг поиска, чтобы было легче было найти неисправность и нередко пост карта нам помогает в этом деле.

Это наш LPC Debug Port. Немого поясню что же такое LPC — это внутренняя низкоскоростная параллельно-последовательная шина для подключения к контроллеру ввода-вывода (ICH) низкоскоростных устройств, например микросхемы flash-BIOS, контроллера SuperIO который реализует такие устройства, как контроллер FDD, клавиатурный порт, принтерный интерфейс LPT, com-порты и др. И так, у нас есть POST код, дальше расшифровываем его (узнаём производителя биоса и по нему ищем расшифровку. Далее подкидываем проц и обязательно проверяйте подходит ли ваш «заведомо рабочий» под эту материнку, так же подкидываем оперативку в разных вариациях, то есть сначала одну планку в первом слоте попробовать, потом во втором, потом 2 планки сразу. Далее меряем сопротивления каналов RX/TX желательно на всех шинах, мерять надо относительно земли и относительно друг друга, то есть RX не должен звониться накоротко с TX, соответственно учитываем, что на каждой шине своё сопротивление, отличие на отдельной шине более чем 50 ом уже много и может означать что проблема скрыта на этом канале. Далее меряем сопротивление относительно земли на кондесаторах под основными чипами (север, юг, видяха) на одинаковых кондёрах должно быть одинаковое сопротивление. Ну и конечно же желательно скинуть всю переферию дабы исключить всякие дохлые сетки(LAN) или ещё что нибудь из этой категории. Особенно часто ноутбуки ломаются по причине выхода из строя USB (выломали USB и сигнальный контакт попал на 5в — итог дохлый юг). Ещё конечно же стоит посмотреть «чистоту питаний» осциллографом и потребление платы запитав её через ЛБП. Далее можно применить метод прогибов и прижимов (без фанатизма) при этом смотреть будет ли меняться поведение платы, будет ли проскакивать тот POST на котором плата стопорится, чаще применяется к «ударикам»(заявленный клиентом дефект возник после того как ноутбук уронили), но не будем забывать что зачастую некоторые мосты находятся под клавиатурой там где они подвергаются небольшим, но частым «встряскам», так же проверяем на отвал соккета (берём сухую и чистую тряпочку, сминаем её и кладём под соккет, и слегка прижимаем. Так же смотрим что, где и как греется, замечу что наиболее частая ошибка начинающих мастеров в том что они допустим обнаружили что при запуске начинает греться южный мост и они сразу решают что проблема в нем, меняют его, а плата как не работала так и не работает, а все потому что южный мост работает как сумасшедший пока не пройдёт инит (потому и может за 3 секунды раскаляться), а потом его работа стабилизируется, поэтому в процессе диагностики желательно повесить на него хотя бы небольшое пассивное охлаждение (дабы он не сдох). Далее если совсем ничего не помогло можно воспользоватся диагностическим прогревом отдельных чипов, однако надо учитывать что далеко не все чипы ведутся на прогрев, а некоторые вообще категорически нельзя греть, тут вам может так же помочь поиск, но невкоем случае не перебарщивайте с прогревом и помните, что если чип заработал после прогрева то его ОБЯЗАТЕЛЬНО надо менять, а не так прогрел-отдал — это бракоделие и Ваша репутация… Добавлю ещё что конечно же можно наверняка продиагностировать поломку например северного моста, но для этого нужно иметь как минимум полный сервис мануал по этому мосту, а это «секретный» материал к которому зачастую нет доступа, а без него можно только догадываться. Конечно в продаже есть специальное диагностическое оборудование это например диагностическая плата для проверки северного моста и каналов памяти и ещё есть плата для проверки каналов связи процессора с северным мостом. Так же не стоит забывать проверять LVDS шлейфа, подкидывать матрицы, если у вас например на внешке есть изо, а на матрице нету, надо смотреть считывается ли EDID с матрицы, проверять приходит ли питание матрицы, так же часто бывает что попросту нету подсветки. Рассмотрим что же такое LVDS ( low-voltage differential signaling) в переводе «низковольтная дифференциальная передача сигналов» — способ передачи электрических сигналов, позволяющий передавать информацию на высоких частотах при помощи дешёвых соединений на основе медной витой пары. Кстати о «витой паре» это буквальное обозначение, то есть если вы решили не менять шлейф если он повреждён, а восстановить заменив провода, не забывайте что пары должны быть свиты друг с другом и если вы этого не сделаете, то по итогу получите артефакты на матрице, это уже неоднократно проверено опытным путём, да и не забывайте о том что шлейф должен быть должным образом экранирован!!! Так вот для того чтобы на матрицу вывелось изображение необходимо чтобы был запитан контроллер матрицы, после он начинает «общаться» с тем что с ним должно общаться (север, видяха, мульт) смотреть по схеме, предположим это будет видяха, она определяет что по такой-то шине подключён такой-то контроллер, считывает EDID и начинает давать туда изображение. Так же смотрим что дает разрешение на подсветку, есть ли сигнал регулировки подсветки (обычно с мультиконтролера). Так же обращаю Ваше внимание на то, что когда Вы подкидываете шлейф, убедитесь что он под эту модель подходит ибо есть шанс спалить что нибудь серьёзное (типа видяхи), бывает и такое что люди тыкают в разьём шлейфа что попало, обосновывая тем что эти модели «практически» одинаковые имеется ввиду модели ноутов, а по итогу хватаются за голову и не понимают в чем же дело, почему плата резко начала дымиться. Так ну и напоследок давайте рассмотрим что же за пины на LVDS разъёме и зачем какой нужен, для примера я возьму разъём из схемы того же бука который был рассмотрен выше Asus k42jv mb 2.0:

AC_BAT_SYS — это наше высокое, идет на питание подсветки.
+3VS — питание контроллера и прошивки матрицы.
+3VS_LCD — питание самой матрицы.
LVDS_EDID_DATA_CON и LVDS_EDID_CLK_CON — информационные каналы (считывание прошивки).
LCD_BL_PWM_CON — регулировка яркости.
BL_EN_CON — включение подсветки.

Далее идут пары LVDS, их кстати тоже следует измерять на разность сопротивлений и относительно земли, и относительно друг друга! Также на этом разъёме висит веб камера и микрофон…

Иточники:

http://wikipedia.org

http://notebook1.ru

MOSFET — проверка и прозвонка » PRO-диод

MOSFET — проверка и прозвонка

24.10.2013 | Рубрика: Статьи

Проверка и определение цоколевки MOSFET

Как показывает опыт, новички, сталкивающиеся с проверкой элементной базы подручными средствами, без каких-либо проблем справляются с проверкой диодов и биполярных транзисторов, но затрудняются при необходимости проверить столь распространенные сейчас MOSFET-транзисторы (разновидность полевых транзисторов). Я надеюсь, что данный материал поможет освоить этот нехитрый способ проверки полевых транзисторов.

Очень кратко о полевых транзисторах

На данный момент понаделано очень много всяких полевых транзисторов. На рисунке показаны графические обозначения некоторых разновидностей полевых транзисторов.

Типы MOSFET

G-затвор, S-исток, D-сток. Сравнивая полевой транзистор с биполярным, можно сказать, что затвор соответствует базе, исток – эмиттеру, сток полевого транзистора – коллектору биполярного транзистора.

Наиболее распространены n-канальные MOSFET – они используются в цепях питания материнских млат, видеокарт и т.п. У MOSFET имеется встроенный диод:

MOSFET n-канальный (слева) и p-канальный (справа).

Транзисторы лучше рисовать с диодом — чтобы потом было проще в схеме ориентироваться. Этот диод является паразитным и от него не удается избавиться на этапе изготовления транзистора. Вообще при изготовлении MOSFET возникает паразитный биполярный транзистор, а диод – один из его переходов. Правда нужно признать, что по схемотехнике этот диод все равно частенько приходится ставить, поэтому производители транзисторов этот диод шунтируют диодом с лучшими показателями как по быстродействию, так и по падению напряжения. В низковольтные MOSFET обычно встраивают диоды Шоттки. А вообще в идеале этого диода не должно было бы быть.

Типовое включение полевого (MOSFET) транзистора:

MOSFET типовое включение

Напряжение на затворе!

У подавляющего большинства полевых транзисторов нельзя на затвор (G) подавать напряжение больше 20В относительно истока (S), а некоторые образцы могут убиться при напряжении выше пяти вольт!

Проверка полевых транзисторов (MOSFET)

И вот, иногда наступает момент, когда необходимо полевой транзистор проверить, прозвонить или определить его цоколевку. Сразу оговоримся, что проверить таким образом можно «logic-level» полевые транзисторы, которые можно встретить в цепях питания на материнских платах и видеокартах. «logic-level» в данном случае означает, что речь идет о приборах, которые управляются, т.е. способны полностью открывать переход D-S, при приложении к затвору относительно небольшого, до 5 вольт, напряжения. На самом деле очень многие MOSFET способны открыться, пусть даже и не полностью, напряжением на затворе до 5В.

В качестве примера возьмем N-канальный MOSFET IRF1010N для его проверки (прозвонки). Известно, что у него такая цоколевка: 1 – затвор (G), 2 – сток (D), 3 – исток (S). Выводы считаются как показано на рисунке ниже.

Распиновка корпуса TO-220

1. Мультиметр выставляем в режим проверки диодов, этот режим очень часто совмещен с прозвонкой. У цифрового мультиметра красный щуп «+», а черный «–», проверить это можно другим мультиметром.
На любом уважающем себя мультиметре есть такая штуковина

Прозвонка диодов, да и вообще полупроводниковых переходов на мультиметре.

2. Щуп «+» на вывод 3, щуп «–» на вывод 2. Получаем на дисплее мультиметра значения 400…700 – это падение напряжения на внутреннем диоде.

3. Щуп «+» на вывод 2, щуп «–» на вывод 3. Получаем на дисплее мультиметра бесконечность. У мультиметров обычно обозначается как 1 в самом старшем разряде. У мультиметров подороже, с индикацией не 1999 а 4000 будет показано значение примерно 2,800 (2,8 вольта).

4. Теперь удерживая щуп «–» на выводе 3 коснуться щупом «+» вывода 1, потом вывода 2. Видим, что теперь щупы стоят так же, как и в п.3, но теперь мультиметр показывает 0…800мВ – у MOSFET открыт канал D-S. Если продолжать удерживать щупы достаточно долго, то станет заметно, что падение напряжения D-S увеличивается, что означает, что канал постепенно закрывается.

5. Удерживая щуп «+» на выводе 2, щупом «–» коснуться вывода 1, затем вернуть его на вывод 3. Как видим, канал опять закрылся и мультиметр показывает бесконечность.

Поясним, что же происходит. С прозвонкой внутреннего диода все понятно. Непонятно почему канал остается либо закрытым, либо открытым? На самом деле все просто. Дело в том, что у мощных MOSFET емкость между затвором и истоком достаточно большая, например у взятого мной транзистора IRF1010N измеренная емкость S-G составляла 3700пФ (3,7нФ). При этом сопротивление S-G составляет сотни ГОм (гигаом) и более. Не забыли – полевые транзисторы управляются электрическим полем, а не током в отличие от биболярных. Поэтому в п.4 касаясь “+” затвора (G) мы его заряжаем относительно истока (S) как обычный конденсатор и управляющее напряжение на затворе может держаться еще достаточно долго.

Помой транзистор!

Если хвататься за выводы транзистора руками, особенно жирными и влажными, емкость транзистора будет разряжаться значительно быстрее, т.к. сопротивление будет определяться не диэлектриком у затвора транзистора, а поверхностным сопротивлением. Не смытый флюс также сильно снижает сопротивление. Поэтому рекомендую помыть транзистор, перед проверкой, например, в спирто-бензиновой смеси.

P.S. Спирто-бензиновая смесь при испарении может генерировать статическое электричество, которое, как известно, негативно действует на полевые транзисторы.

Небольшие пояснения о мультиметрах

1. У цифровых мультиметров режим проверки диодов проводится измерением падения напряжения на щупах, при этом по щупам прибор пропускает стабильный ток 1мА. Именно поэтому в данном режиме прибор показывает не сопротивление, а падение напряжения. Для германиевых диодов оно равно 0,3…0,4В, для кремниевых 0,6…0,8В. Но что бы там не измерялось напряжение на щупах прибора редко превышает 3В – это ограничение накладывается схемотехникой мультиметров.
2. В п.4 при измерении падения напряжения открытого канала величина, отображаемая мультиметром может сильно меняться от различных факторов: напряжения на щупах, температуры, тока стабилизации, характеристик самого полевого транзистора.

Тренировка =)

Теперь можно потренироваться в определении цоколевки мощного транзистора. Перед нами транзистор IRF5210 и его цоколевка мне неизвестна.

1. Начну с поиска диода. Попробую все варианты подключения к мультиметру. После каждого измерения корочу ножки транзистора фольгой чтобы обеспечить разряд емкостей транзистора. Возможные варианты показаны в таблице:

Т.е. диод находится между выводами 2 и 3, соответственно затвор (G) находится на выводе 1.

2. Осталось определить, где находятся сток (D) и исток (S) и полярность (n-канал или p-канал) полевого транзистора.

2.1. Если это n-канальный транзистор, то сток (D) – 3 вывод, исток (S) – 2 вывод. Проверяем. Прикладываем «–» щуп мультиметра к выводу 2, «+» к выводу 3 – канал закрыт, так и должно быть – мы же его еще не пытались открыть. Теперь не отнимая щупа «–» от вывода 2 щупом «+» касаемся вывода 1, затем «+» опять прикладываем к выводу 3. Канал не открылся – значит, наше предположение о том, что IRF5210 n-канальный транзистор оказалось неверным.

2.2. Если это p-канальный транзистор, то сток (D) – 2 вывод, исток (S) – 3. Проверяем. Прикладываем «+» щуп мультиметра к выводу 3, «–» к выводу 2 – канал закрыт, так и должно быть – мы же его еще не пытались открыть. Теперь не отнимая щупа «+» от вывода 3 щупом «–» касаемся вывода 1, затем «–» опять прикладываем к выводу 2. Канал открылся – значит, что IRF5210 p-канальный транзистор, вывод 1 – затвор, вывод 2 – сток, вывод 3 – исток.

На самом деле все не так сложно. Буквально пол часа тренировки – и вы сможете без каких-либо проблем проверять MOSFETы и определять их цоколевку!

Метки:: MOSFET, Цоколевка

Помощь новичку

Привет всем,

Итак, я хотел заняться ремонтом, просто для удовольствия, а не для заработка или чего-то еще, и у меня в руках есть ноутбук, который не будет питание включено, и я немного застрял с тем, куда с ним пойти.

Пожалуйста, имейте в виду, я новичок в этом, и я изо всех сил пытаюсь осмыслить таблицы данных.

Я попытался отследить питание и получил ожидаемое напряжение на выходе из порта питания на плате. Я думаю, что нашел МОП-транзисторы на шине питания, и здесь я застрял.

Похоже, что есть несколько МОП-транзисторов 7403 (GA4P1N), и я думаю, что правильно смотрю на выводы вывода: 1-3 источника, 4 затвора, 5-8 выходов.

Это мое первое знакомство с МОП-транзисторами, но я предполагаю, что, когда затвор достигает определенного напряжения, исток может проходить через выходные (сток) контакты?

Что ж, у меня есть:

1 МОП-транзистор, где 19 В на всех источниках, 0,6 В на затворе и 19 В на выходе, никаких проблем.

НО следующий — источник 19в 25.6В на воротах и 19В на выходе. Насколько я понимаю, максимальное напряжение затвора на этом МОП-транзисторе составляет 25 В. Означает ли это, что что-то посылает напряжение затвора выше, чем может выдержать МОП-транзистор?

следующий меня беспокоит больше всего — 19 В на источнике, 19 В на затворе, но 0,1 В на выходе.

Означает ли это, что этот мосфет взломан? напряжение в этот момент в значительной степени падает, так что я предполагаю, что да, но я просто не уверен, что это означает, что у меня действительно высокое напряжение затвора на одном из них.возможно, кто-то из вас сможет понять спецификацию 7403, а я — нет.

Кроме того, полный код GA4P1N, я не могу найти ссылку на онлайн, и множество других 7304, вероятно, они все одинаковы и делают то же самое?

Вот что я нашел:

http://www.aosmd.com/pdfs/datasheet/AON7403.pdf

Просто не уверен в напряжении источника затвора, не вызывает ли его превышение 0,6 огромных проблем или Мне нужно беспокоиться только о МОП-транзисторе с очень низким выходом?

Я хочу учиться, но, пожалуйста, не торопитесь !!

Как проверить полевой МОП-транзистор с помощью цифрового мультиметра

В сообщении объясняется, как проверить МОП-транзистор с помощью мультиметра с помощью ряда шагов, которые помогут вам точно определить хорошее или неисправное состояние МОП-транзистора

МОП-транзисторы эффективны, но Комплексные устройства

МОП-транзисторы являются выдающимися устройствами, когда речь идет об усилении или переключении различных видов нагрузок.Хотя транзисторы также широко используются для вышеуказанных целей, оба аналога сильно различаются по своим характеристикам.

Потрясающая эффективность МОП-транзисторов в значительной степени нейтрализуется одним недостатком, связанным с этими устройствами. Это сложность, которая затрудняет понимание и настройку этих компонентов.

Даже самые простые операции, такие как проверка хорошего МОП-транзистора от плохого, никогда не являются легкой задачей, особенно для новичков в этой области.

Хотя МОП-транзисторы обычно требуют сложного оборудования для проверки их состояния, простой способ использования мультиметра также считается эффективным в большинстве случаев для их проверки.

Мы возьмем в качестве примера два типа N-канальных МОП-транзисторов, K1058 и IRFP240, и посмотрим, как эти МОП-транзисторы могут быть протестированы с помощью обычного цифрового мультиметра с немного разными процедурами.

Как проверить N-канальные МОП-транзисторы

1) Установите цифровой мультиметр на диодный диапазон.

2) Держите МОП-транзистор на сухом деревянном столе на металлическом выступе так, чтобы сторона с надписью была обращена к вам, а провода были направлены к вам.

3) С помощью отвертки или измерительного щупа закоротите затвор и слив штифтов МОП-транзистора. Изначально внутренняя емкость устройства будет полностью разряжена.

4) Теперь прикоснитесь черным щупом измерителя к источнику , а красным щупом к стоку устройства.

5) Вы должны увидеть индикацию обрыва цепи на счетчике.

6) Теперь, прикасаясь черным щупом к истоку , поднимите красный щуп со стока и на мгновение прикоснитесь к затвору МОП-транзистора и верните его обратно к стоку МОП-транзистора.

7) На этот раз измеритель покажет короткое замыкание (извините, не короткое замыкание, а «непрерывность»).

Результаты пунктов 5 и 7 подтверждают, что МОП-транзистор в порядке.

Повторите эту процедуру много раз для надлежащее подтверждение.

Для повторения описанной выше процедуры каждый раз вам потребуется сбросить полевой МОП-транзистор , закоротив выводы затвора и стока с помощью измерительного щупа, как описано ранее.

Как проверить МОП-транзисторы с P-каналом

Для P-канала этапы тестирования будут такими же, как 1,2,3,4 и 5, но полярность измерителя изменится.Вот как это сделать.

1) Установите цифровой мультиметр на диодный диапазон.

2) Закрепите МОП-транзистор на сухом деревянном столе на его металлическом язычке так, чтобы сторона с печатью была обращена к вам, а провода были направлены к вам.

3) С помощью любого проводника или измерительного щупа закоротите штырьки затвора и стока P-mosfet. Первоначально это позволит разрядить внутреннюю емкость устройства, что важно для процесса тестирования.

4) Теперь прикоснитесь КРАСНЫМ щупом измерителя к источнику , а ЧЕРНЫМ щупом к стоку устройства.

5) Вы обнаружите «обрыв» цепи на счетчике.

6) Затем, не перемещая КРАСНЫЙ датчик из источника , удалите черный датчик из стока и прикоснитесь им к затвору mosfet на секунду, и верните его обратно на сток mosfet. .

7) На этот раз измеритель покажет непрерывность или низкое значение на измерителе.

Вот и все, это подтвердит, что ваш MOSFET в порядке и без каких-либо проблем. Любая другая форма чтения укажет на неисправный МОП-транзистор.

Если у вас возникнут какие-либо сомнения относительно процедур, пожалуйста, не стесняйтесь выражать свои мысли в разделе комментариев.

Как проверить МОП-транзистор IRF540

Процедуры в точности аналогичны описанным выше процедурам тестирования N-канального МОП-транзистора. Следующий видеоролик показывает и доказывает, как это можно реализовать с помощью обычного мультиметра.

Практическое видеоурок

Схема приспособления для простого тестера Mosfet

Если вам неудобно использовать вышеупомянутую процедуру тестирования с использованием мультиметра, то вы можете быстро создать следующее приспособление для эффективной проверки любого N-канального МОП-транзистора. .

После того, как вы сделаете это приспособление, вы можете подключить соответствующие выводы МОП-транзистора к данным гнездам G, D, S. После этого вам просто нужно нажать кнопку для подтверждения состояния MOSFET.

Если светодиод светится только при нажатии кнопки, то с вашим МОП-транзистором все в порядке, любые другие результаты будут указывать на неисправный или неисправный МОП-транзистор.

Катод светодиода перейдет на сторону стока или сливное гнездо.

Для р-канального МОП-транзистора вы можете просто изменить конструкцию, как показано на следующем изображении.

МОП-транзистор

— хороший или плохой тест на материнской плате (с использованием метода измерения сопротивления)

МЕТОД ИСПЫТАНИЯ MOSFET MOTHERBOARD MOSFET.

Полевые транзисторы всех типов сегодня являются широко используемыми электронными компонентами. Из всех типов полевых транзисторов, полевой МОП-транзистор, вероятно, является наиболее широко используемым.

Несмотря на то, что полевые МОП-транзисторы используются уже много лет, эти электронные компоненты по-прежнему являются очень важным элементом в современной электронике. MOSFET-транзисторы не только используются во многих схемах как дискретные компоненты, но и составляют основу большинства современных интегральных схем.

Полевые МОП-транзисторы

обладают множеством преимуществ. В частности, они обладают очень высоким входным сопротивлением и могут использоваться в цепях с очень низким током.Это особенно важно для технологии интегральных схем, где ограничения мощности являются основным соображением.

Метод измерения сопротивления измеряется с помощью многомерного электрода истока на полевом транзисторе, а значение сопротивления полюса стока, затвора и истока указывается значением сопротивления между затвором и сток, вентиль G1 и вентиль G2, а также руководство по MOSFET единообразно, чтобы различать хорошие и плохие лампы. Конкретные методы: сначала помещается в файлы мультиметра R × 10 или R × 100,
измеряет сопротивление между истоком S и стоком D, обычно от десятков Ом до тысяч по всей Европе (в руководстве показаны различные трубки разных моделей, значение сопротивления не то же самое), если измеренное сопротивление больше нормы, это может быть связано с внутренним плохим контактом; Если измеренное сопротивление бесконечно, возможно, полюс сломан изнутри.Затем помещается в файл мультиметра R × 10k, а затем измеряется между затвором G1 и G2, затвором и истоком, значение сопротивления между затвором и стоком, при измерении его различные значения резистора бесконечны, трубка описания в норме ; если измеренное значение выше сопротивления слишком мало для прохода, значит, трубка плохая. Чтобы отметить, что две сетки сломаны в опоре трубы доступен метод замены компонентов для обнаружения.

Как узнать, неисправен ли MOSFET

Ниже приведены инструкции о том, как узнать, неисправен ли MOSFET.Это наиболее распространенные методы, которые можно использовать для проверки неисправности полевого МОП-транзистора.

Шаг № 1 о том, как узнать, неисправен ли полевой МОП-транзистор
: Проверка диодов

Первое, что мы попробуем узнать, неисправен ли MOSFET, — это проверить падение диода. Возьмите цифровой мультиметр и установите его в диодный режим. Для NMOS выполните настройку ниже.

Для PMOS выполните настройку, указанную ниже.

Хороший полевой МОП-транзистор должен иметь показание 0.От 4 В до 0,9 В (в зависимости от типа полевого МОП-транзистора). Если показание равно нулю, МОП-транзистор неисправен, а когда показание «открыто» или нет, МОП-транзистор также неисправен.

Когда вы меняете местами подключения датчиков цифрового мультиметра, показания должны быть «открытыми» или отсутствовать для исправного полевого МОП-транзистора. Если показание равно нулю, МОП-транзистор неисправен.

Шаг № 2 о том, как узнать, неисправен ли полевой МОП-транзистор
: Проверка сопротивления

Следующий метод определения неисправности полевого МОП-транзистора — это проверка сопротивления.Хороший полевой МОП-транзистор должен иметь высокое сопротивление между стоком и истоком независимо от полярности датчика цифрового мультиметра.

Затвор исток также имеет высокое сопротивление в любом случае для хорошего полевого МОП-транзистора. Однако вы должны принять во внимание, что когда вы помещаете положительный вывод цифрового мультиметра на затвор, а отрицательный — на источник NMOS, полевой МОП-транзистор включается. Вы можете ошибочно решить, что МОП-транзистор неисправен, когда измеряете сопротивление сток-исток, поскольку цифровой мультиметр покажет 0 Ом. Итак, чтобы избежать этого сценария, убедитесь, что на затворе разрядился заряд.

То же самое с PMOS, когда вы подключаете положительную клемму к источнику, а отрицательную клемму цифрового мультиметра к затвору, MOSFET включается.

Если вы измеряете сопротивление вывода MOSFET на вывод, вы должны учитывать соответствующие резисторы, поскольку они влияют на показания. Например, в приведенной выше схеме, когда вы измеряете сопротивление между затвором и источником, вы читаете не высокое сопротивление, а значение R1, равное 10 кОм. Удаление резистора 10 кОм повысит показание.

Шаг № 3 о том, как узнать, неисправен ли MOSFET
: Проверка целостности

Третий метод определения неисправности полевого МОП-транзистора — это проверка целостности цепи. Установите цифровой мультиметр в режим проверки целостности цепи. В современных цифровых мультиметрах режим непрерывности обычно имеет слышимый звук при подключении измеренных точек. Подключите плюсовой провод к стоку, а отрицательный от цифрового мультиметра к источнику или наоборот, когда показание равно нулю или звук цифрового мультиметра не исчезает, устройство повреждено; закороченный сток-исток.

Используйте тот же подход к другим выводам полевого МОП-транзистора и сделайте то же самое. Однако, когда вы подключаете положительный полюс цифрового мультиметра к затвору, а отрицательный — к источнику для NMOS или наоборот для PMOS; прибор включится и при измерении непрерывности между стоком и истоком; чтение равно нулю. Вы можете ошибиться в том, что MOSFET неисправен. Итак, убедитесь, что вентиль всегда разряжается до источника.

Для проверки выключите прибор и снова измерьте целостность.Чтобы выключить NMOS, подключите положительный вывод цифрового мультиметра к источнику, а отрицательный — к затвору. Сделайте иначе, чтобы выключить PMOS. Хороший полевой МОП-транзистор не должен иметь непрерывности между клеммами. Если да, то действительно неисправен.

Краткое изложение того, как узнать, неисправен ли MOSFET

Вышеуказанные методы являются общими для того, чтобы узнать, неисправен ли MOSFET. Я знаю, что есть несколько других техник. Поэтому я предлагаю объединить вышеперечисленные методы с другими методами, которые вы изучили, чтобы вы могли точно устранять неполадки.

Если вам интересно узнать, как искать и устранять неисправности диодов, прочтите «Как узнать неисправный диод». С другой стороны, если вам интересно узнать, как устранить неполадки BJT, прочтите «Как узнать, неисправен ли транзистор». Если вы хотите узнать больше о полевых МОП-транзисторах, прочтите «Расчетные уравнения силовых полевых МОП-транзисторов».

Следите за electronicsbeliever.com:

https://www.facebook.com/electronicsbeliever

Связанные

Слишком глубоко: советы по тестированию полевых МОП-транзисторов

Представьте себе направление потока
Источник к сливу

Вот как я тестирую полевые транзисторы Схема самый простой способ, который я могу придумать.По сути, полевой транзистор действует как переключатель, а GATE либо открывает, либо закрывает переключатель. Когда питание подается на контакт 4 (обычно GATE), он либо открывается, либо закрывается в зависимости от типа полевого МОП-транзистора. Стрелки показывают направление для справки при использовании измерителя для проверки.

Установка счетчика в режим DIODE.

На N-канальном полевом транзисторе поместите отрицательный вывод на вывод 6/7, а вывод POS на вывод 2/3. Вы должны получить некоторое значение от ~ 100 до 500 или выше.

Представьте направление потока
Отвод к источнику

На полевом транзисторе P-канала поместите вывод POS на вывод 6/7, а вывод NEG на вывод 2/3. Опять же, вы должны получить какое-то значение от ~ 100 до 500 или выше.
Причина, по которой я говорю о выводах 2/3 и 6/7, заключается в том, что они являются обычными, и это меньше риска короткого замыкания, чем указание на вывод 3, который может соскользнуть и дать вам неправильные показания при прикосновении к контакту 4 или взорвать его, если на него подается питание (от аккумулятора или зарядного устройства).

Большинство компаний позволяют легко отличить P-канал от частей N-канала по номеру детали. Обычно это происходит с компаниями США. National Semiconductor, Fairchild и другие. Но это не жесткое правило для некоторых китайских производителей, и, возможно, потребуется проверить техническое описание, прежде чем предполагать, что они будут такими же.

МОП-транзисторы с нечетным числом считаются P-каналом.
МОП-транзисторы с четными номерами обычно являются N-канальными.

Пример: FDS6679 будет P-каналом, а FDS6690 будет N-канальным MOSFET

FDS означает часть Fairchild

SI означает часть Siliconix / Vishay

AO означает Alpha Часть Omega Semiconductors

IOR означает International Rectifier part (их система нумерации может не соответствовать указанной выше системе нумерации)

Как протестировать материнскую плату через их VRM

Модули регулятора напряжения (VRM)

VRM (модули регулятора напряжения) представляют собой особый класс полевых МОП-транзисторов;

«Это далеко не так.Модуль VRM состоит из управляющей ИС и MosFet (если мы сосредоточимся только на полупроводниках).
Однако действительно существует много типов полевых транзисторов. MOSFET — самый распространенный. JFET — один из другого типа ».

МОП-транзисторы — это особый тип полевых транзисторов. Полевые транзисторы имеют несколько преимуществ перед биполярными транзисторами. Чтобы получить базовое описание работы регулятора напряжения, выполните поиск по запросу «7805 data» в Google или Yahoo (7805 — это базовый 5-вольтовый регулятор).

VRM принимают одно напряжение (например, +5 В постоянного тока) и вырабатывают другое, более низкое напряжение, необходимое для различных компонентов (микропроцессора, памяти и т. Д.).). Каждый VRM может выдавать только один выходной сигнал за раз, поэтому необходимы два разных VRM, если ЦП и память работают с разными напряжениями. Выходные данные VRM могут незначительно варьироваться в зависимости от того, как подключены и управляются внешние компоненты, поэтому некоторые материнские платы могут иметь настраиваемые напряжения для памяти. Напряжение процессора обычно, но не всегда, регулируется автоматически. Истинно регулируемые источники питания, в которых напряжение изменяется в большом диапазоне, в ПК не используются. Среднюю ножку обычно отрезают, потому что она соединяется с корпусом, который припаян к плате.Корпус часто, но не всегда, заземляется. Чтобы проверить один, вам нужно знать, какими должны быть вход и выход, а затем измерить их относительно известного заземления. Если VRM не выдает выходной сигнал или выдает низкий выходной сигнал при правильном входе, либо это плохо, либо внешний управляющий компонент неисправен. Если вход плохой, ищите повреждения в восходящем направлении. Обычно лучше всего протестировать внутрисхемный VRM (с удаленными ЦП, памятью и т. Д.!), Чтобы выходной сигнал можно было проверить на непосредственном выходе VRM, а также в точке подключения устройства с питанием.

Микросхема VRM генерирует управляющие импульсы для затвора полевого МОП-транзистора. MOSFET управляет катушкой индуктивности, и результирующие выбросы выпрямляются и фильтруются либо с помощью синхронного выпрямителя fet, управляемого микросхемой VRM, либо диодом. Микросхема получает обратную связь от выхода для изменения рабочего цикла, таким образом, выходного напряжения. Техническое название — понижающий преобразователь. Понижающий преобразователь — это вся схема, понижающий контроллер — это микросхема, которая управляет преобразователем.

Процедура тестирования модулей регуляторов напряжения (VRM):

(Предполагается, что проблемы с неисправными конденсаторами уже устранены.)

1. Выключите питание компьютера.

2. Снимите ЦП, память и все периферийные устройства с материнской платы. Отключите питание.

3. На этом этапе проверяется, что плата не повреждена и VRM не закорочен:

а. Измерьте сопротивление от вывода питания (+3,3, +5, +12, -5, -12) до входа VRM. Сопротивление должно быть нулевым (слишком низким для измерения).
г. Измерьте сопротивление между выходом VRM и контактом питания нагрузки. Сопротивление должно быть нулевым (слишком низким для измерения).
г. Измерьте сопротивление между входом VRM и землей (должно быть больше 1 МОм, обычно намного больше).
г. Измерьте сопротивление между выходом VRM и землей (должно быть больше 1 МОм, обычно намного больше).

4. Установите ЦП, память и все периферийные устройства на материнскую плату. Подключите источник питания.

5. Включите питание компьютера.

6. На этом этапе фактически проверяется VRM (все напряжения, снятые по отношению к заземлению цепи):

а. Измерьте напряжение на стороне источника питания разъема питания (+3.3, +5, +12, -5, -12).
г. Измерьте напряжение на разъеме питания со стороны материнской платы (+3,3, +5, +12, -5, -12). Все, что меньше значения, полученного на шаге 6.a, указывает на высокое сопротивление в разъеме источника питания.
г. Измерьте напряжение на входе в VRM (+3,3, +5, +12, -5, -12). Все, что меньше значения, полученного на шаге 6.b, указывает на высокое сопротивление в дорожках печатной платы до VRM и, вероятно, не подлежит ремонту даже с помощью схемы.

«Поддается ремонту, сделав мост на проволоке.Обычно от одного конденсатора к другому. Мне никогда не приходило в голову, если это не дизайн производителя.

В принципе, это довольно просто. Если материнская плата не выполняет POST, проверьте напряжение.
Если напряжения блока питания находятся в пределах допустимого диапазона, проверьте напряжение на материнской плате. ЦП имеет стандартное напряжение. Около 1,4 В достаточно для новых процессоров, 1,8 В для атлонов и P3, 2 В или выше для первых celeron и P2 (некоторые ранние P3).

Если на ЦП нет питания (напряжения), проверьте, правильно ли вы разместили конденсаторы, соблюдая полярность.То же самое и для других схем, RAM, AGP и т. Д.

Если микросхема VRM выйдет из строя, будет сложно найти новую. Иногда (редко) ломается только один МОП-транзистор, обычно верхний. Когда он это сделает, нижний тоже может выйти из строя (защищая ЦП).

Если один сломался, замените оба. Проверьте IC на наличие повреждений, может быть, стоит заменить и эту, иногда это является причиной беспорядка ».
г. Измерьте напряжение на выходе VRM. Полученное значение зависит от функций, задействованных в VRM, поэтому требуется знание ожидаемого значения.Все, что отличается от ожидаемого, указывает на сбой VRM (обратите внимание, что выходные данные могут быть выше или ниже ожидаемых, если они плохие).
e. Измерьте напряжение на устройстве, на которое подается питание. Это требует знания устройства (какие контакты являются контактами питания). Распиновки легко доступны в Интернете для 30-контактной, 72/144-контактной и 168-контактной памяти, а также для ISA, PCI, AGP, USB и т. Д. Распиновки для ЦП можно найти в Интернете или получить у производителя. . Все, что меньше значения, полученного на шаге 6.d указывает на высокое сопротивление на дорожках печатной платы от VRM и, вероятно, не подлежит ремонту даже с помощью схемы.

Я узнал, что Chopper (мне нравится это слово) должен наращивать обороты, и на самом деле это две петли обратной связи.
Внешний контур для напряжения и внутренний контур для тока.

Моя проблема с меньшими блоками питания всегда заключалась в том, чтобы найти плохие стабилитроны, маленькие.

С управлением в режиме напряжения, например 3524 или TL494, у вас есть только обратная связь по напряжению.Он также не реагирует на переходные процессы нагрузки, хотя характеристики переходных процессов нагрузки для ATX P / S не очень сложны. При управлении текущим режимом, например UC3842 (3843, 3844, 3845), у вас есть обратная связь по напряжению, и образец тока индуктора также возвращается. В режиме управления напряжением выходной сигнал усилителя ошибки (который сравнивает выборку выходного напряжения с внутренним опорным напряжением) сравнивается с пилообразным нарастанием. Начало рампы также является началом времени включения выключателя (прерывателя); когда линейное напряжение поднимается выше выходного напряжения усилителя ошибки, переключатель выключается и остается выключенным до тех пор, пока линейное напряжение не будет сброшено на «ноль».Управление режимом тока аналогично, за исключением того, что пилообразное напряжение является выборкой (масштабируемой выходным трансформатором в P / Ss AC-DC) тока индуктора. Это позволяет P / S гораздо быстрее реагировать на переходные процессы и короткие замыкания O / P.

Я не уверен, относится ли «нарастание» к пилообразной кривой или к функции плавного пуска при включении. Плавный пуск предотвращает прохождение больших токов через переключатель во время включения, в то время как напряжение I / P все еще увеличивается. По сути, плавный пуск ограничивает время включения и текущую нагрузку, так что выходное напряжение повышается медленнее.Еще одна функция, реализованная в микросхемах PWM семейства 3842, — это блокировка, которая не дает устройству включиться до тех пор, пока его Vcc не станет достаточно высоким для поддержания контроля во время включения, выключения или падения напряжения I / P. . Я не думаю, что у 3524 есть эта функция, и я не уверен насчет TL494 (им уже почти 30 лет).

Фактически, выброс напряжения O / P также может контролироваться или не контролироваться компонентами компенсации в схеме усилителя ошибки.

Если вы хотите получить лучшее представление о том, как осуществляется широтно-импульсная модуляция — лучше, чем мой короткий абзац — я бы посоветовал проверить таблицу данных для SG3524 или TL494, которые имеют блок-схемы, а также многословие.

Источник = Выход
Сток = Вход
Затвор = Выход

Ток течет от стока к источнику afaik. (Когда вентиль включен)
Может также течь назад, когда вентиль включен, однако основной диод будет проводить, когда вентиль погаснет, что приведет к быстрому нагреву.

Как найти входы и выходы на VRM:

Выход за дроссель на выходных конденсаторах
Вход на входные конденсаторы

«In» будет иметь + 12В, подключенное к одной стороне колпачков.
[Проверка проходимости к вилке питания.]

«Out» будет иметь Vcore на одной стороне крышек.
[Проверка целостности тороида (ов), НЕ подключенного к +12 В.]

Ремонт материнской платы при выходе из строя всего остального (включая стирку)

Я предлагаю в качестве последней попытки, прежде чем полностью отказаться от нее, если еще не поздно, запечь доску. У меня проблема как обычная проблема с чипсетами geforce 6100/6150. Это самое близкое, что я могу легко получить к bga-оплавлению, поскольку у меня нет теплового пистолета, горелки или терпения.Я знаю, что это не «обычный» метод, но для доски, на которой вы пробовали все остальное, и настроены ее подавать, это не повредит.

Мой метод: снимите с платы радиаторы, батарею и чипы CMOS, если это возможно, удалите всю термопасту и термопрокладки, разогрейте духовку до 384F, поднимите материнскую плату со сковороды (я скручиваю алюминиевую фольгу и оставляю небольшой заостренный конец на 4 монтажных отверстия для поддержки доски) и запекайте 5 минут. Я не предлагаю продвигаться дальше 6 минут, в моих случаях это никогда не приносило пользы и воняет чертовски.Но пока ты сможешь проветрить дом потом, эй, это весело.

Нравится:

Нравится Загрузка …

Связанные
Что такое полевой МОП-транзистор? Основное определение — Tom’s Hardware
Материнская плата с полевыми МОП-транзисторами, обведенными желтым. ((Изображение предоставлено Shutterstock))
MOSFET — это металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор. В мире ПК вы найдете эти электрические компоненты на материнской плате настольного компьютера или ноутбука , а также на блоке питания настольного компьютера (PSU).
МОП-транзисторы материнской платы
МОП-транзисторы на ПК составляют VRM (модуль регулятора напряжения), который контролирует, какое напряжение получают другие компоненты материнской платы, такие как ЦП или видеокарта .
Компоненты ПК, такие как процессоры и видеокарты, имеют строгое рабочее напряжение, поэтому VRM материнской платы помогает предотвратить его превышение. МОП-транзисторы важны для функциональности VRM и влияют на количество тепла, выделяемого VRM при выполнении своей работы.MOSFET-транзисторы могут стать довольно жаркими, если вы используете мощную видеокарту, а радиатор материнской платы помогает охлаждать MOSFET-транзисторы и, следовательно, VRM. Помимо обеспечения безопасности всей системы, охлаждение полевых МОП-транзисторов также важно для любого типа разгона.
Как они работают? МОП-транзисторы
похожи на переключатели, которые включаются и выключаются на основе сигнала от интегральной схемы (ИС), называемой микросхемой / контроллером ШИМ. МОП-транзисторы быстро включаются и выключаются, позволяя протекать сильному току короткими импульсами.Он, наряду с другими частями VRM, контролирует напряжение, передаваемое на другие компоненты ПК на материнской плате.
Чтобы обеспечить охлаждение полевых МОП-транзисторов материнской платы во время экстремального разгона, энтузиасты ПК часто используют водоблоки. Производитель EK также производит Monoblocks, которые представляют собой общий водоблок ЦП и MOSFET.
МОП-транзисторы
и источники питания
МОП-транзисторы
выполняют аналогичную функцию в источниках питания ПК. Они используются в преобразователях и схемах регуляторов для целей переключения в импульсных источниках питания (ИИП).
В SMPS энергия забирается из розетки переменного тока, прежде чем она разбивается на небольшие пакеты с полевыми МОП-транзисторами, действующими как переключатели.