Site Loader

Содержание

НОУ ИНТУИТ | Лекция | Наноэлектронная элементная база информатики на кремниевых КМДП транзисторах

Аннотация: Цель лекции: напомнить принципы построения кремниевой КМДП логики и ее преимущества. Показать, что переход этой элементной базы путем поэтапного масштабирования в область нанометровых размеров был ожидаемым и закономерным. Объяснить основные проблемы, возникшие в ходе совершенствования наноэлектронной кремниевой элементной базы, и пути их решения. Показать также, каким образом освоение наноэлектронной технологии позволило существенно улучшить характеристики фоточувствительных КМДП матриц и расширить область их применения.

Ключевые слова: очередь, надежность, КМДП транзисторы, КМДП логика, фоточувствительные КМДП матрицы, быстродействие, групповая технология, МДП, симметрия, мощность, физическая модель, энергопотребление, выделение тепла, транзистор, оптимизация, диапазон, пространство, коэффициенты

КМДП транзисторы

Ядром микроэлектронной элементной базы информатики, предшественницы НЭБИ, была и остается полупроводниковая, в первую очередь кремниевая микроэлектроника, в частности интегральные схемы на кремнии. На это имеется много причин. Во-первых, кремний () – это один из самых распространенных на Земле химических элементов, и поэтому является одним из наиболее дешевых. Во-вторых, он имеет оптимальные полупроводниковые характеристики – ширину запрещенной зоны энергий; возможности для введения в него как донорных, так и акцепторных примесей и регулирования таким образом его электропроводности в очень широких пределах; способность к образованию омических контактов с алюминием, золотом, медью; высокую теплопроводность, теплоотдачу и т.п. В-третьих, кремний при высоких температурах легко окисляется, образуя поверхностный слой высококачественного окисла (), который имеет отличные диэлектрические свойства, довольно стоек, хорошо защищает созданные в кремнии элементы от внешних воздействий, обеспечивая высокую надежность их функционирования. Кремний как нельзя лучше подошел для воплощения в жизнь идей планарной технологии, когда с помощью последовательных групповых технологических операций легирования, окисления, напыления, фотолитографии, травления и т.

д. на кремниевых пластинах одновременно изготовляют большое количество (сотни–десятки тысяч) интегральных схем любого уровня сложности.

На разных этапах развития микроэлектронной элементной базы информатики использовались различные конструктивно-технологические и схемотехнические варианты реализации логики и аналоговой обработки сигналов на кремнии. Но на зрелом этапе развития кремниевой технологии показал себя лучше всего и стал ведущим вариант элементной базы на КМДП транзисторах. Напомним вкратце, что это такое.

Структура и характеристики n-канального МДП транзистора

Аббревиатура «МДП» обозначает структуру «металл – диэлектрик –полупроводник» (англ. metal-insulator-semiconductor – MIS). В литературе часто употребляют также аббревиатуру «МОП», которая обозначает структуру «металл – окисел – полупроводник» (англ. metal-oxide-semiconductor – MOS). Поскольку окисел является лишь частным случаем диэлектрика, то термин «МДП» является более общим.

Поэтому в дальнейшем мы отдадим предпочтение именно этому термину, тем более, что на наноэлектронном этапе развития полупроводниковой технологии оказалось, что в роли подзатворного диэлектрика лучше применять не окисел кремния, а другие диэлектрики.

На рис. 5.1 показана типичная структура п-канального МДП транзистора. В кремнии -типа проводимости (основа транзистора), покрытом толстым слоем окисла (), сформированы две высоколегированные области -типа проводимости, которые называют «истоком» (

англ. source) и «стоком» (англ. drain). На поверхности кремния в промежутке между ними находится тонкий слой диэлектрика (Подзатворный диэлектрик). Над ним сформирован поликремниевый или металлический электрод, который называют «затвором» (англ. gate). К областям истока, стока и затвора подведены металлические шины, которые образуют с -областями омические контакты.

Рис. 5.1. Структура n-канального кремниевого МДП транзистора

На сток обычно подают положительное электрическое напряжение относительно истока, в результате чего создается электрическое поле, которое «тянет» электроны проводимости в направлении от истока к стоку. Но в объеме кремния -типа таких электронов мало, и поэтому электрический ток стока очень мал. Если же на затвор транзистора подать положительный потенциал , то создаваемое им электрическое поле притягивает электроны проводимости к подзатворному диэлектрику. В результате у поверхности кремния в прилегающей к подзатворному диэлектрику области концентрация электронов превосходит концентрацию дырок, и создается узкий канал проводимости с инверсным типом проводимости (-типа), который тянется вдоль всего затвора от истока к стоку. И электрический ток стока значительно возрастает. Поскольку ток сквозь транзистор регулируется здесь электрическим полем затвора, то такие транзисторы называют еще «полевыми».
Отсюда и англоязычное название таких транзисторов – MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor).

Типичный вид характеристик п-канального МДП транзистора показан на рис. 5.2

Рис. 5.2. Вид передаточной (слева) и выходных характеристик (справа) п-канального кремниевого МДП транзистора

Слева показан вид передаточной характеристики, т.е. зависимости электрического тока стока от напряжения на затворе при фиксированном напряжении между истоком и стоком. Характеристика эта имеет пороговый характер. Пока напряжение на затворе меньше , ток стока очень мал (порядка A). А когда , ток стока начинает быстро возрастать с ростом до значений порядка A (в зависимости от размеров и конструктивных особенностей транзистора).

Справа показаны выходные характеристики транзистора – зависимости тока стока от напряжения между истоком и стоком при разных значениях напряжения на затворе.

Напомним, что электроны в -канале движутся от истока к стоку, но, поскольку они переносят отрицательный электрический заряд, то электрический ток течет в противоположном направлении – от стока к истоку.

Структура и характеристики p-канального МДП транзистора

Похожую структуру имеет -канальный МДП транзистор ( рис. 5.3). Основой такого транзистора является кремний -типа проводимости, а области истока и стока представляют собой высоколегированные «карманы» -типа проводимости. Узкий канал с инверсным -типом проводимости от истока к стоку возникает здесь в случае, когда к затвору приложено отрицательное электрическое напряжение относительно истока и основы. Под действием созданного затвором электрического поля к поверхности кремния в области подзатворного диэлектрика притягиваются положительно заряженные дырки. Они и переносят электрический заряд от истока к стоку, если к последнему приложено отрицательное напряжение относительно истока.

Рис. 5.3. Структура p-канального кремниевого МДП транзистора

Типичные характеристики -канального МДП транзистора показаны на рис. 5.4.

Рис. 5.4. Вид передаточной (слева) и выходных (справа) характеристик p-канального кремниевого МДП транзистора

Слева показан вид передаточной характеристики (зависимости электрического тока стока от напряжения на затворе) при фиксированном напряжении между стоком и истоком. Характеристика эта тоже имеет пороговый характер. Пока напряжение на затворе по абсолютной величине меньше , ток стока очень мал, а когда , то ток стока начинает быстро возрастать с ростом .

Справа показаны выходные характеристики транзистора при нескольких разных значениях напряжения на затворе. Напомним, что дырки в -канале движутся от истока к стоку и, поскольку они переносят положительный электрический заряд, то и электрический ток течет тоже от истока к стоку.

Комплементарные МДП транзисторы

В открытом состоянии МДП транзистора его эквивалентной электрической схемой (схемой замещения) является относительно небольшое электрическое сопротивление , а в закрытом состоянии – параллельно включенные большое электрическое сопротивление и электрическая емкость между истоком и стоком.

Время переключения МДП транзисторов из открытого состояния в закрытое и наоборот зависит от нескольких основных факторов:

(1) от времени перезарядки входной электрической емкости, которая состоит из емкости между затвором и основой транзистора, емкости между электродом затвора и электродами истока и стока и из «паразитных» емкостей монтажа;

intuit.ru/2010/edi»>(2) от времени перемещения носителей заряда в канале транзистора от истока к стоку и

(3) от времени перезарядки электрических емкостей, на которые нагружен выход транзистора. А это прямо зависит от величины выходного электрического тока транзистора.

Совместно -канальные и -канальные МДП транзисторы называют комплементарными (взаимодополняющими). Отсюда и их общее сокращенное название – КМДП транзисторы. Конструкция, позволяющая изготовлять на одной пластине кремния одновременно оба типа МДП транзисторов, показана на рис. 5.5.

Рис. 5.5. Структура КМДП интегральных схем на кремнии

Пластина кремния -типа проводимости непосредственно является основой для формирования -канальных МДП транзисторов. Для формирования -канальных МДП транзисторов в пластине кремния предварительно формируют «карманы» -типа проводимости, которые и становятся основой для формирования -канальных МДП транзисторов.

Межсоединения в КМДП интегральных схемах реализуют на нескольких уровнях, изолированных один от другого окислом кремния или другим диэлектриком.

2. Принцип действия

Флеш-память хранит информацию в массиве транзисторов с плавающим затвором (разновидность транзистора, используемая, обычно, в различных устройствах энергонезависимой памяти: флэш-памяти, ППЗУ и ПППЗУ. Транзисторы с плавающим затвором чаще всего являются полевыми МОП-транзисторами), называемых ячейками (англ. cell). В традиционных устройствах с одноуровневыми ячейками (англ. singlelevel cell, SLC), каждая из них может хранить только один бит. Некоторые новые устройства с многоуровневыми ячейками (англ. multilevel cell, MLC; triplelevel cell, TLC [2]) могут хранить больше одного бита, используя разный уровень электрического заряда на плавающем затворе транзистора.

2.1. Флеш-память типа nor

В основе этого типа флеш-памяти лежит ИЛИ-НЕ элемент (англ. NOR), потому что в транзисторе с плавающим затвором низкое напряжение на затворе обозначает единицу.

Транзистор имеет два затвора: управляющий и плавающий. Последний полностью изолирован и способен удерживать электроны до 10 лет. В ячейке имеются также сток и исток. При программировании напряжением на управляющем затворе создаётся электрическое поле и возникает туннельный эффект. Часть электронов туннелирует сквозь слой изолятора и попадает на плавающий затвор. Заряд на плавающем затворе изменяет «ширину» канала сток-исток и его проводимость, что используется при чтении.

Программирование и чтение ячеек сильно различаются в энергопотреблении: устройства флеш-памяти потребляют достаточно большой ток при записи, тогда как при чтении затраты энергии малы.

Для стирания информации на управляющий затвор подаётся высокое отрицательное напряжение, и электроны с плавающего затвора переходят (туннелируют) на исток.

В NOR-архитектуре к каждому транзистору необходимо подвести индивидуальный контакт, что увеличивает размеры схемы. Эта проблема решается с помощью NAND-архитектуры.

2.2. Флеш-память типа nand

В основе NAND-типа лежит И-НЕ элемент (англ. NAND). Принцип работы такой же, от NOR-типа отличается только размещением ячеек и их контактами. В результате уже не требуется подводить индивидуальный контакт к каждой ячейке, так что размер и стоимость NAND-чипа может быть существенно меньше. Также запись и стирание происходит быстрее. Однако эта архитектура не позволяет обращаться к произвольной ячейке.

NAND и NOR-архитектуры сейчас существуют параллельно и не конкурируют друг с другом, поскольку находят применение в разных областях хранения данных.

NAND является перспективной разработкой. Некоторые аналитики считают, что уже в ближайшие годы (2011—2013 г.) полупроводниковые накопители NAND займут немалую долю рынка накопителей, отвоевав её у накопителей на жёстких магнитных дисках

3. Программирование ячейки

Инжекция «горячих» электронов — процесс переноса заряда через энергетический барьер, образованный тонким диэлектриком, за счет увеличения кинетической энергии электронов в канале между истоком и стоком ячейки.

При приложении положительного потенциала к стоку и управляющему затвору приводит к инверсии подзатворной области, образованию проводящего канала и появлению тока между истоком и стоком (рис. 1).

Рис. 1. Программирование ячейки Flash-памяти инжекцией «горячих» электронов.

Электроны в канале получают высокое дрейфовое ускорение, и при напряженности электрического поля выше ~100 kV/cm их кинетическая энергия не успевает рассеяться на атомах кристаллической решетки, что приводит к их «разогреву». В результате большее число электронов становится способным преодолеть потенциальный барьер диэлектрика (рис. 2), и, при наличии «инжектирующего» электрического поля (положительный потенциал приложен к управляющему затвору) — накапливаться на плавающем затворе ячейки.

Рис. 2. Функция распределения энергии электронов в канале в зависимости от внешнего поля Е. Es — величина потенциального барьера перехода Si/SiO2. Электроны, попавшие в заштрихованную область, обладают достаточной для инжекции в плавающий затвор энергией. Инжектированные электроны направляются на затвор приложенным электрическим полем.

Такой механизм переноса заряда используется в большом количестве моделей микросхем Flash-памяти. В более поздних разработках в качестве механизма записи использован эффект туннелирования Фаулера-Норхейма, ранее применявшийся только для стирания запоминающих ячеек.

Устройство стиральной машины и ее части

Хотите узнать все о своей стиральной машине? Откройте для себя конкретные детали и их назначение с Ariel — узнайте больше! Ваша стиральная машина представляет собой сложный прибор, и иногда вы можете чувствовать себя немного запутанным, когда дело доходит до установки стиральной машины или даже решения проблем со стиральной машиной. Чтобы помочь вам лучше понять вашу стиральную машину, вот введение в детали стиральной машины, а также некоторая основная информация о том, как работает ваша машина.

Содержание статьи:

Детали стиральной машины

Поскольку каждая стиральная машина имеет свой собственный дизайн и особенности, некоторые детали могут различаться в зависимости от машины. Но познакомьтесь со своей стиральной машиной с некоторыми общими деталями, которые вы можете найти в своей машине.

  • Водяной насос. Вода циркулирует по машине, вращаясь в двух направлениях. Он используется для циркуляции воды во время цикла стирки, а также для слива воды во время цикла отжима.

  • Регулирующий клапан подачи воды. Он расположен рядом с точкой подачи воды, которая автоматически открывается и закрывается при загрузке одежды в зависимости от того, сколько воды требуется.

  • Барабан. Знаете ли вы, что стиральные машины на самом деле имеют два бака? То, что вы видите там, где загружается одежда, — это внутренний барабан, который вращается вокруг стиральной машины и имеет отверстия для входа и выхода воды. Внешняя ванна содержит внутренний барабан и воду, что предотвращает ее утечку в остальную часть машины и поддерживает внутренний барабан.

  • Мешалка или лопасти. Находится внутри бака стиральной машины и помогает стирать одежду. Большинство полностью автоматических стиральных машин имеют эти лопасти на вращающемся внутреннем барабане, который управляется вращающимся диском, тогда как в полуавтоматических стиральных машинах используется мешалка, которая вращается внутри машины для создания тока в машине. В любом случае, они предназначены для перемещения одежды во время стирки, чтобы моющее средство работало и удаляло частицы грязи и загрязнения с вашей одежды, помогая вещам тереться друг о друга во время стирки.

  • Двигатель стиральной машины. В сочетании с мешалкой или диском, вращающим барабан, создает вращательное движение. Это в основном механизм, который заставляет вашу машину работать.

  • Дренажная труба. Вся грязная вода после стирки удаляется из машины через сливную трубу.

  • Печатная плата (PCB). Здесь вы найдете в основном электронику, которая управляет машиной, от электрических компонентов до цепей. Они могут быть запрограммированы и помогают управлять машиной, выступая в качестве искусственного интеллекта для стиральной машины, иногда даже определяя время, необходимое для полоскания или стирки.

  • Таймер. Это помогает установить время стирки вашей одежды, которое можно установить вручную или автоматически.

  • Нагревательный элемент. Нагревает воду в стиральной машине до нужной температуры.

Как работает стиральная машина?

Большинство процессов вашей стиральной машины управляются электрически, например барабан, клапаны, насос, двигатель и нагрев. Средняя стирка будет выглядеть примерно так: 

  1. Вы загружаете в машину белье, дозируете Ariel и выбираете нужную программу.

  2. Программатор в вашей машине открывает клапаны, чтобы впустить горячую и холодную воду в машину, которая затем наполняет оба барабана. Некоторое количество воды также попадает в лоток для моющего средства (если он используется в вашей машине) и вымывает моющее средство в основную часть машины.

  3. Клапаны отключаются, как только вода попадает в машину.

  4. Термостат измеряет количество воды, поступающей в стиральную машину, и может нагревать воду до необходимой температуры с помощью нагревательного элемента.

  5. Когда вода достигает нужной температуры, внутренний барабан начинает вращаться вперед и назад, перемешивая одежду в теплой мыльной воде, взбалтывая ее, помогая удалить пятна и грязь.

  6. Моющее средство помогает удалить грязь с одежды и втягивает ее в воду.

  7. Клапан снова открывается, и грязная вода сливается из бочек. Насос работает, чтобы помочь избавиться от воды.

  8. Клапан снова впускает чистую воду в бочки.

  9. Внутренний барабан снова вращается, чтобы промыть одежду от остатков грязной воды или моющего средства.

  10. После ополаскивания внутренний барабан начинает вращаться с высокой скоростью, удаляя оставшуюся воду. Эта вода выходит через небольшие отверстия во внутреннем барабане во внешний барабан, прежде чем насос удалит всю оставшуюся воду, и ваша одежда будет готова для сушки.

Выявление основного источника проблемы, которая может возникнуть в вашей машине

Поскольку в стиральной машине так много сложных компонентов, с вашей стиральной машиной может случиться много неполадок. У вас могут возникнуть проблемы при установке стиральной машины, если неправильно подключено водоснабжение, или вы обнаружили, что вам требуется ремонт стиральной машины из-за отказа двигателя или неработающих клапанов. Если вы не знаете, что делаете со своей машиной, лучше вызвать профессионала, иначе вы рискуете нарушить гарантию.

Однако, если вы обнаружите, что полностью автоматическая стиральная машина не дает желаемых результатов удаления пятен, возможно, проблема заключается в моющем средстве. Моющее средство для ручной стирки может производить слишком много пены в вашей машине во время стирки, что затрудняет удаление пятен и удаление моющего средства. Вот почему вам нужно использовать моющее средство, предназначенное для полностью автоматических стиральных машин, таких как Ariel.

Ariel специально разработан для удовлетворения ваших потребностей и имеет уникальный состав, обеспечивающий наилучшую производительность внутри вашей стиральной машины. Ariel предлагает ряд моющих средств от обычных Ariel (для полуавтоматических стиральных машин) до Ariel Matic Front Load (для полностью автоматических стиральных машин с фронтальной загрузкой) и Ariel Matic Top Load (для полностью автоматических стиральных машин с вертикальной загрузкой). , чтобы обеспечить наилучшее удаление пятен за 1 стирку.

Связанные статьи

  • Как эффективно определить правильную дозировку для стирки

    Если вы не знаете, сколько моющего средства использовать для стирки, просто знайте, что вы не одиноки!

  • Ваш путеводитель о том, как эффективно чистить стиральную машину и когда

    Так же, как ваша одежда нуждается в стирке, ваша машина также нуждается в чистке.

  • Как работает стиральная машина?

    Стиральные машины значительно облегчают работу по дому, особенно если у вас большая семья и много стирки.

Связанные

Продукты

  • ARIEL Полный стиральный порошок

    1 Star2 Stars3 Stars5 Stars

    0Reviews

  • 21 AREEL MATIC MATIC WASH

  • Стиральный порошок Ariel Matic с верхней загрузкой

    1 звезда2 звезды3 звезды4 звезды5 звезд

    0отзывов

Определение и значение затвора — Merriam-Webster

1 из 2

затвор ˈshə-tər 

1

: запирающее

2

: обычно подвижная крышка или экран для окна или двери

3

: 9001 механическое устройство, ограничивающее проход света

специально : компонент камеры, который пропускает свет, открывая и закрывая апертуру

4

: подвижные жалюзи в органе, с помощью которых открывается набухающий ящик

без жалюзи

ˈshə-tər-ləs

прилагательное

затвор

2 из 2

Переводной глагол

1

: , чтобы закрыть или как будто ставнями

Корпорации, закрывающие их производственные предприятия

2

: к снабжению с застрями

.

Пример. Они заперли двери и закрыли окна. Они объявили о банкротстве и закрытый магазин.

Последние примеры в Интернете

Когда Лу щелкнул затвор , температура была примерно 14 градусов по Фаренгейту. —Карлин Крэнкинг, Smithsonian Magazine , 20 января 2023 г. В первом ряду Ховард подтянул манжеты брюк, выжал затвор лампочка на шесть секунд и ослабил хватку. — Роберт Клара, Smithsonian Magazine , 12 января 2023 г. В тот момент, когда щелкнул затвор , бык зарядил звук. — Стив Мейер, Anchorage Daily News , 26 июня 2022 г. Местные лидеры в Империал-Бич и Коронадо сначала выразили сильное разочарование, призвав положить новые тесты обратно на полку, а не затвор берегов. — Сан-Диего Юнион-Трибьюн , 24 декабря 2022 г. Рассмотрите возможность того, что магазин или ресторан могут закрыться или закрыть двери в вашем городе. — Сьюзан Томпор, Detroit Free Press , 21 декабря 2022 г. Эта политика позволяет пограничникам быстро высылать мигрантов и закрывать затвор порта въезда для лиц, ищущих убежища. — Республика Аризона , 19 декабря 2022 г. Раздел 42 позволяет пограничникам быстро высылать мигрантов и закрывать 90 242 официальных пункта въезда на границе США и Мексики для просителей убежища, за некоторыми исключениями. AZCentral.com , 16 декабря 2022 г. Оба совета школьного округа Огден и школьного округа Гранит, также входящие в группу сверстников, недавно проголосовали за затвор Элементарно и консолидировать ресурсы. — Кортни Таннер, The Salt Lake Tribune , 13 декабря 2022 г.

В разгар Covid-19пандемии, когда правительство было вынуждено закрыть 90 241 школу в 90 242 школах по всей стране, дикша стала основным инструментом, позволяющим учащимся получать доступ к материалам и курсовым работам из дома. — ПРОВОДНАЯ , 23 января 2023 г. Именно такое мышление не только удерживало ее на плаву во время пандемии, когда большинство салонов красоты были вынуждены закрыть , но и привело к экспоненциальному росту. — Жасмин Броули, 9 лет.0241 Сущность , 16 ноября 2022 г. Спрос на алюминиевые банки резко вырос в 2020 году, когда рестораны и бары были вынуждены закрыть , а потребители остались дома, чтобы потягивать свои любимые алкогольные напитки, в том числе консервированные коктейли, газированную сельтерскую воду и пиво. — Кара Ломбардо и Лорен Томас, WSJ , 3 ноября 2022 г. Пекарни в Бельгии поднимают цены, но каждый десятый был вынужден поднять цены на 9.0241 жалюзи , до конца года ожидается закрытие других ворот. — Лиз Олдерман, BostonGlobe.com , 19 октября 2022 г. Сообщается, что Recount планировал сделать затвор ; и The Washington Post прекратила выпуск печатного издания своего воскресного журнала, что привело к увольнению 10 сотрудников. — Оливер Дарси, CNN , 6 декабря 2022 г. Кауфман, занимавшая эту должность четверть века, получила известие о сокращении своей должности в среду — в тот же день, когда руководство почты объявило о планах по сокращению штатов.0241 закрыть отдельный воскресный журнал газеты и уволить 10 сотрудников. — Сара Эллисон, Washington Post , 1 декабря 2022 г. Хотя городские власти заявили, что не обсуждалось закрытие объекта, несколько человек обратились в городской совет Элгина с просьбой предоставить общественные гарантии открытия. — Глория Касас, Chicago Tribune , 17 ноября 2022 г. Воровство стало настолько серьезным, что некоторые корпоративные сети, такие как Walgreens, решили затвор несколько точек в городе. — Fox News , 22 июля 2022 г. Узнать больше

Эти примеры предложений автоматически выбираются из различных онлайн-источников новостей, чтобы отразить текущее использование слова «затвор». Мнения, выраженные в примерах, не отражают точку зрения Merriam-Webster или ее редакторов. Отправьте нам отзыв.

История слов

Первое известное использование

Существительное

1542, в значении, определенном в смысле 1

Глагол

1826, в значении, определенном в смысле 1

3 Путешественник во времени

Первое известное использование затвора было в 1542 г.

Посмотреть другие слова того же года

Словарные статьи Около

затвор

закрыть

затвор

затворная коробка

Посмотреть другие записи поблизости

Процитировать эту запись «Затвор».

Словарь Merriam-Webster.com , Merriam-Webster, https://www.merriam-webster.com/dictionary/shutter. По состоянию на 10 февраля 2023 г.

Copy Citation

Kids Definition

шторка

1 из 2 существительное

затвор ˈshət-ər 

1

: сдвижная крышка для окна, которая качается на петлях, как дверь

2

: устройство в фотоаппарате, открывающееся для проникновения света во время съемки

затвор

2 из 2 глагол

: закрыть ставнями или ставнями

сохранил дом с закрытой

дальше от Merriam-Webster на

Статер

Nglish: Перевод Статер для испанских динамиков

Britannica English: Translation Shipter 4242 для арабской динамики.

alexxlab

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *