Site Loader

Содержание

распиновка, схемы, аналоги и как подключить

Полевой МОП-транзистор irfz44n — мощное устройство с кремниевой основой. Он имеет индуцированный нормально закрытый канал, изолированный с помощью затвора. Устройство было специально создано для включения в высокоскоростные низковольтные системы коммутации, источники питания, преобразователи, схемы управления двигателями.

Схема подключения

В кремниевой структуре транзистора есть 2 p-n перехода. Если отпирающее напряжение не подается, нет проходящего тока, транзистор закрыт. При подаче положительного отпирающего напряжения: на затвор «+»и исток «—», электрическое поле приводит к возникновению n-проводимого канала.

Если подать питание на нагрузку, в индуцированном канале начнется движение стокового тока ID.

От уровня напряжения, подаваемого на затвор, зависит число электронов, притягивающихся в область стока-истока, которая расширяется для движения тока. Это может происходить до того, как график линейной и отсечки переключатся между областями. Далее, в области насыщения увеличение показателя тока прекращается.

Рабочий режим (область насыщения) используется для схем усиления. В irfz44n datasheet процедура перехода в данный режим для различных значений V GS может быть показана с помощью графиков стандартных выходных параметров. Увидеть границы области насыщения для mosfet можно на почти горизонтально расположенной к оси напряжения стока-истока линии.

В каких режимах функционирует полевой транзистор

Режим отсечки

Как уже упоминалось, расстояние между стоком и истоком, регулируется затвором. Алгоритм работы транзистора виден в простейшей схеме, управляющей качеством освещения от лампы накаливания. Когда на затворе отсутствует напряжение, он закрыт, и электрический ток через лампу накаливания не течет.

Для управления светом лампы нужна смена напряжения на затворе по отношению к истоку. У нас n-канальный транзистор, поэтому на затвор подается напряжение со знаком “+”. В окончательном виде irfz44n схема выглядит так:

Так каким же должно быть напряжение на затворе, чтобы ток внутри цепи стока-истока был максимальным?

Возьмем стрелочный блок питания irfz44n для регуляции напряжения. Соберем его по схеме и подадим на затвор 1 В. Лампа не загорится. Если же увеличить напряжение до 3,5 В, амперметр покажет появление тока в лампе накаливания. Но она все равно не загорится, так как такой силы тока не хватает для накала вольфрамовой нити.

Читайте в отдельной статье про полевой транзистор.

Режим активной работы irfz44n

Напряжение в районе 3,5 В частично приоткрывает транзистор. Этот показатель отличается у разных видов полевиков и находится в пределах 0,5-5 В. В даташит этот показатель именуют Gate threshold voltage (предельное напряжение затвора).

Если плавно регулировать величину канала устройства, повышая напряжение, поданное на затвор, становится видно постепенное накаливание нити лампы. Корректируя уровень напряжения, можно создать необходимый уровень освещения. Это и объясняет название данного режима — активный. При нем сопротивление индуцируемого канала транзистора меняется, согласно напряжению на затворе.

В результате активной работы устройство может перегреться. Поэтому необходимо пользоваться охлаждающим радиатором, рассеивающим тепло в окружающую среду.

Режим насыщения irfz44n

Для полного открытия полевого транзистора требуется подача напряжения до того момента, пока лампа не станет гореть на уровне всего канала. В данном режиме сопротивление канала стока-истока находится в минимуме и почти не сопротивляется течению электрического тока.

Примечательно, что само устройство в данном случае не нагревается. Это можно объяснить формулой: P= I2C R. При сопротивлении, равном каким-то сотым долям ома транзистору просто не с чего нагреваться.

Так что, самые мягкие режимы для полевика — это полное открытие или закрытие канала. Если он закрыт, сопротивление канала стремится к бесконечности, а ток, проходящих через него, минимален по закону Ома. Если подставить эти значения в формулу выше, будет понятно, что рассеянная мощность приближается к нулю.

Главные характеристики irfz44n

Полный список параметров транзистора не приведен в даташит, поскольку он может потребоваться лишь специалистам по разработке. Большинству даже опытных пользователей нужно знать лишь часть характеристик для включения irfz44n устройства в различные электронные схемы.

При температуре не более 25 градусов транзистор имеет следующие ключевые параметры:

  1. Наибольшее напряжение стока-истока — 55 Вольт.
  2. Наибольший ток стока — 49 Ампер.
  3. Сопротивление проводного канала стока-истока — 5 микроОм.
  4. Рассеивающаяся мощность — 94 Ватт.

В ряде технических описаний наименование mosfet irfz44n транзистора с изоляцией затвора начинается с аббревиатуры МДП, что обозначает:

  1. Металл.
  2. Диэлектрик.
  3. Полупроводник.

У этих устройств может быть 2 вида каналов:

  • встроенный;
  • индуцированный.

Эти полупроводниковые приборы обладают затвором, разделенным с кремниевой подложкой тончайшей прослойкой диэлектрического материала. Его толщина около 0,1 мкм.

Распиновка irfz44n

Больше всего rfz44n распространен в корпусе ТО220 из пластика с отверстием для винта, который входит в дискретные полевые транзисторы с высокой мощностью. Вид цоколевки irfz44n с «фасада» таков:

  1. С левой стороны — затвор.
  2. С правой — исток.
  3. Центральный канал — это сток, который электрически соединен с вмонтированным в корпус радиатором.

Под брендом IR выпускаются варианты с корпусами D2PAK и ТО-262, с таким же назначением выводов, как у ТО-220.

Маркировка irfz44n

Приставка irf свидетельствует о том, что устройства производят на предприятиях, относящихся к компании International Rectifier (США). 14 лет назад году ее сотрудники продали технологии изготовления Vishay Intertechnology, а еще через 8 лет IR присоединилась к Infineon Technologies. Сегодня детали с такой же приставкой в названии выпускает ряд ещё нескольких независимых предприятий.

Некоторые технические описания устройства содержат в конце маркировки символы PbF, что в расшифровке означает plumbum free — бессвинцовый метод производства транзисторов. Он становится популярен во многих странах, так как многие химические соединения, вредные для экологии и для здоровья людей, на сегодняшний день запрещены к применению.

В даташит оригинала упоминается фирменная HEXFET-технология производства, созданная International Rectifier Corporation. Благодаря ей серьезно уменьшается сопротивление электронных деталей и температура нагрева во время их работы. Она же делает необязательным использование радиатора-охладителя.

IRFZ44N от производителя IR, имеющие структуру HEXFET, обладают самым низким сопротивлением стока-истока в 17,5 мОм. В техническом описании к этим устройствам есть отметка Power MOSFET. Она означает, что данные транзисторы — это мощные полупроводниковые приборы.

Аналоги

Стопроцентной замены irfz44n нет, но есть несколько транзисторов, схожих с ними в описании и параметрах. Среди них:

  • IRFZ44E.
  • IRFZ46N.
  • IRFZ45.
  • IRFZ40.
  • BUZ102.
  • IRLZ44Z.
  • STP45NF06.
  • HUF75329P3.
  • IRF3205.

Среди российских аналогов — КП723 и КП812А1. Они работают при чуть меньшей температуре, ниже 150 градусов.

Изготовители

Можно найти русскоязычный перевод DataSheet irfz44n, но более точная информация дана в англоязычной версии изготовителя. Основными производителями радиоэлектронных элементов являются:

  1. Infineon Technologies (брэнд International Rectifier).
  2. Philips Semiconductors.
  3. INCHANGE Semiconductor.
  4. Leshan Radio Company.

Способы проверки irfz44n

Простая проверка полевого транзистора заключается в действиях по схеме.

Полевые транзисторы широко используются в современной технике, например, блоках питания, контроллерах напряжения компьютеров и других электронных девайсов, а также бытовой техники. Это и стиральные машины, и кофемолки, и осветители. Приборы часто выходят из строя, и в этих случаях нужно выявить, а затем устранить конкретную неполадку. Поэтому знать способы проверки транзисторов — обязательно.

Подключите черный щуп к стоку, а красный — к истоку. На дисплее высветится показатель перехода вмонтированного встречно расположенного диода. Запишите его. Отстраните красный щуп от истока и дотроньтесь им до затвора. Это способ частичного открытия полевика.

Верните красный щуп в прежнюю позицию (к истоку). Посмотрите на уровень перехода, он чуть снизился при открытии транзистора. Перенесите черный щуп со стока к затвору, и тем самым закройте транзистор. Верните его обратно и понаблюдайте за изменениями показателя перехода при полном закрытии irfz44n.

У затвора рабочего полевого транзистора должно быть сопротивление, приближенное к бесконечности.

По такой схеме проверяются n-канальные устройства, p-канальные тоже, но с щупами другой полярности.

Проверять мосфет-транзисторы можно и по небольшим схемам, к которым их подключают. Это быстрый и точный метод. Но если проверки устройства требуются нечасто, или у вас нет возможности собирать схемы, то способ с мультиметром — идеальное решение.

irfz44n — это относительно современная группа транзисторов, которые управляются не с помощью электричества, как в случае с биполярными устройствами, а посредством напряжения — то есть поля. Этим и объясняется аббревиатура MOSFET. Проверка транзистора указанным способом помогает понять, какая именно деталь вышла из строя.

Схемы включения

Полевики подключаются 3 основными способами, где есть общий:

  1. Сток — ОС.
  2. Исток — ОИ.
  3. Затвор — ОЗ.

Практика показывает, что усилительные каскады обычно включают вторую схему, по аналогии с биполярными транзисторами. ОИ серьезно усиливает мощность, но каскад с такой схемой имеет низкие частоты. Причина этому — существенная входная емкость затвора-истока.

Проверка полевого транзистора с помощью транзистометра

Это недорогое и довольно примитивное китайское устройство есть почти у всех, кто разбирается в электронике. Проверка с его помощью очень проста.

Вставьте проверяемое устройство в «кроватку» и нажмите объемную кнопку зеленого цвета. Прибор тут же выдаст результат, что перед вами n-канальный полевик типа МОП. Он же установит, как расположены выводы устройства, какова емкость затвора, каково максимальное напряжение при открытии. Иными словами, транзистометр — это просто чудо-прибор.

Безопасность при эксплуатации полевых транзисторов

Все варианты полевиков, не важно, имеют они p-n переходы, или это МОП-варианты, сильно подвержены влиянию перегрузок электричеством на затворах. Прежде всего, это относится к электростатике, которая накапливается в организме людей и устройствах для измерения разных величин.

Недопустимые значения электростатики для irfz44n — это 50-100 В. При управляющем p-n переходе — это 250 В. Работая с таким транзистором, необходимо заземлиться с помощью антистатического браслета, либо взять руками открытую батарею до прикосновения к устройству.

В ряде экземпляров полевиков есть встроенные для защиты частицы. Они называются стабилитронами. Их встраивают между затвором и истоком. Они должны защищать от электростатического заряда, но она не дает гарантии на 100%, и перестраховка необходима.

Желательно провести заземление измерительной и паяльной аппаратуры. Сегодня это происходит в автоматическом режиме с помощью розеток европейского типа, так как они оснащены заземляющими проводниками.

Преимущества полевых транзисторов

Первый плюс устройства — управление посредством электрополя, а не тока. Это делает схему проще и уменьшает мощность, которая затрачивается на управление.

Второй — в присутствии не только основных, но и второстепенных носителей электрического тока. Это дает прибору время рассасывания, и оно задерживает выключение устройства.

Третий — повышенная температурная устойчивость. Когда на транзистор подается напряжение, его температура возрастает, по закону Ома увеличивается и сопротивление. А значит, уменьшается и сила тока.

С биполярными транзисторами все сложнее, там при возрастании температуры увеличивается и число ампер. А значит, такие транзисторы не термоустойчивы. Есть вероятность опасного разогрева внутри них, который приводит к поломке. А термоустойчивость полевиков увеличивает нагрузочную способность при параллельной схеме соединения устройств.

Где приобрести irfz44n

Транзистор irfz44n купить можно в любом магазине радиоэлектронике, либо с доставкой из интернет-магазина АлиЭкспресс по ссылке.

Irfz44n схема включения двигателя — Авто журнал

Греется закрытый транзистор

ФОРУМ › Вопросы и Ответы › Греется закрытый транзистор

  • В этой теме 9 ответов, 7 участников, последнее обновление , сделано .

Решил я полевым транзистором поуправлять двигателем (N канальный мосфет IRFZ44N). Параллельно двигателю стоит диод в обратном включении и 3 конденсатора (между 2мя выводами и между каждым и корпусом). Заметил, что когда коэффициент заполнения равен нулю через транзистор течет ток и он сильно греется. Отключил транзистор, замкнул затвор на землю — картина та же. Даташит на мосфет. Напряжение Sorce-Gate = 0, они буквально закорочены. Смотрю ток на ЛБП. Он примерно 30 мА после подачи питания (что интересно, этот ток не зависит от напряжения) и растет. По мере роста тока транзистор сильно греется. 100 мА — держать руками уже нельзя. Сопротивление Drain-Source 530 Ом. Что при 18 В питания дает эти самые 30мА. Мосфет на 55В. Люди добрые, скажите пожалуйста что я в этой жизни делаю не так?

Вложения:

[quote quote=1965]Параллельно двигателю стоит диод в обратном включении[/quote]

на кой? в мосфете и так иже есть диод…и что за двигатель?

Диод гасит индуктивные выбросы, которые так бы пришлись на транзистор. Двигатель постоянного тока (от шуруповерта) на 18В.

[quote quote=1965] Сопротивление Drain-Source 530 Ом.[/quote]

Многовато будет, однако

Я теперь вообще запутался. 530 Ом это сопротивление диода мосфета при прозвонке в режиме диода при его прямом включении, то есть Source-Drain. Но напряжение в схеме приложено наоборот. Так как он расположен в схеме, он (диод) не звонится. То есть природа этих 30 мА (которые постепенно растут) остается неизвестной. Затвор звонил — не пробит.

Замени на другой транзистор. Купил наверное какой то левак с китая. От них чего хочешь можно ожидать.

Да. Взял другой мультиметр. Он показывает +- те же цифры только уже на шкале напряжения. +-0,530В падение напряжения на диоде. То есть транзистор рабочий (номинально), тогда что не так то?

[quote quote=1965]Параллельно двигателю стоит диод в обратном включении и 3 конденсатора (между 2мя выводами и между каждым и корпусом).[/quote]

А зачем эти конденсаторы? Или это имеются ввиду паразитные параметры?

Они только портят картину. Полевые транзисторы и так имеют очень серьезные паразитные емкости.

Особенно емкость затвора. Ни в коем случае нельзя напрямую подключать к затвору (процессор или устройство управления). Нужно поставить резистор последовательно, даже если это всего 100 Ом или 1К.

И поставьте резистор с затвора на землю — 10К, через который будет стекать заряд с затвора, когда напряжение с затвора снимается.

Если и это не поможет, возможно что у вас просто поддельный транзистор (я бы рекомендовал попробовать б.у. транзистор, даже если это будет другого подобного типа).

Чего тут думать ? Закрытый полевик не должен ничего пропускать , сдох он , меняйте …

Греться может только открытый транзистор…

Плавный розжиг ламп фар. Часть 1

Приветствую паяльникофилов-автолюбителей и просто любопытствующих =)
На новый год снегурка принесла вот такой ништячек:

Лампы по отзывам оправдывают красивые надписи на упаковке, но есть одна беда — служат они меньше стандартных. Как продлить срок службы? — ведь жаль, если хорошие лампы быстро умрут. Как известно, почти в 100% случаев лампы горят при включении — когда нить накаливания холодная и её сопротивление низкое, происходит бросок тока, от которого спираль и разрушается. Вывод логичен — ограничить бросок тока. Это я и решил сделать для долгой и счастливой жизни лампочек в моём авто.
Это цель №1. Плавный розжиг ламп головного света.
Цель №2: контроль исправности нитей накала ламп (с отображением в салоне).
Цель №3: автоматическое включение света в темное время суток.
Цель №4: реализация функции ДХО «по-американски» — т.е. работа дальнего на 30% от полной мощности вместо ДХО.
Цель №5: автоматическое переключение ближнего/дальнего света на трассе при встречке.
Цель №6: плавная регулировка оборотов вентилятора охлаждения двигателя в зависимости от температуры ОЖ.
Реализовать всё это безобразие решил на контроллере фирмы Atmel.
Часть первую посвящаю разработке драйвера ламп света. Да, изобретаю велосипед, но кто твердо держит паяльник в руках, меня поймет))
Чуток теории.
Лампы имеют «заземление» на корпус (читай минус питания), что обязывает применение драйвера, управляющего плюсом питания. Серьёзно переделывать штатную проводку я не собираюсь и разрабатываю устройства с этим учетом.
Строим на MOSFET-транзисторах. P-канальные применить можно, но повторяемость схемы уменьшится, да и это не камильфо 😉 Остановил свой выбор на широко распространенных мощных N-канальных транзисторах. Тут выбор большой. самое элементарное (и пожалуй лучший вариант) — это применение транзисторов со старых (а лучше новых) материнских плат и видеокарт. Тут вариантов много. Одни из них:

Рассмотрим схемы включения Р и N-канальных транзисторов:

Но если мы собираемся строить на N-канальных с «земляной» нагрузкой, то тут все резко осложняется. Не вдавась в подробности скажу, что нужно на gate подавать напряжение на 10В выше напряжения питания. Тут самое простое — это применение специализированных драйверов: www.google.ru/search?q=%D…AA&biw=1440&bih=755&dpr=1 Но они годятся ТОЛЬКО при коэффициенте заполнения входного сигнала от 5 до 95%. Это налагает некоторые ограничения. Ограничивать себя не люблю) Да и не хочу потер мощности 5% — сей девайс будет запитан толстым проводом от генератора для минимизации потерь в проводах и максимального увеличения яркости ламп. Потому вариант с такими драйверами мне не подходит. Выход один: иметь источник напряжения выше напряжения штатной сети на 10В т.е. BOOST.
Для этих целей сначала собрал элементарный блокинг-генератор на 1 транзисторе. Зачем ставить целый специализированный ШИМ-контроллер для столь малого? (стрелять по воробьям из пушки).

Диод из серии FR, транзистор КТ814 (815 или аналогов под рукой не нашлось), трансформатор намотан на фиг знает каком кольцевом магнитопроводе от дросселя старой мат.платы (примерно 15мм диаметром) тремя проводами 0,4мм (можно от 0,2 до 0,6) 30 витков. На выходе без нагрузки 24В, под нагрузкой 20-22В (зависит от нагрузки). Мощность получилась неплохой — хватит для оперирования несколькими мосфетами. Частота генерации порядка 1МГц.
Собрал по схеме

драйвер на N-канальном мосфете для управления нижней нагрузкой. Транзисторы VT1 — VT3 типа SS9015 и SS9014 (можно любые маломощные). С матери выпаял STB3020L (30V 19mOmh 40A). А вот с МК еще конь не валялся. Побыстрому сковырял ручной ШИМ-генератор на 155ЛН1:

При выбранных элементах частота генерации составила порядка 165Гц, коэффициент заполнения от 40 до 90%, чего хватает с лихвой для проверки работы драйвера.

Запитал я всё это хозяйство от компьютерного БП. Жаль он слабоват, в защиту уходит часто при пуске нахолодную (что и без того подтверждает высокие токи пуска лампы нахолодную). Схема заработала практически сразу. Чуток повозился с Boost-генератором. БП слабоват, напряжение упало до 10В. Но это не мешает тестированию драйвера.

МОП-транзистор IRFZ44N

Характеристики полевого МОП-транзистора irfz44n указанные производителем в datasheet, говорят что он является мощным устройством на кремниевой основе с индуцированным n-каналом (нормально закрытым) изолированным затвором. Характеризуется такими предельными значениями: напряжение между контактами сток-исток до 55 В, током стока до 49 А, очень маленьким проходным сопротивлением 17.5 мОм и мощностью рассеивания до 94 Вт. Рабочая температура может достигать 175 °C. Разработан специально для низковольтных, высокоскоростных коммутационных систем источников питания, преобразователей и органы управления двигателями.

  1. Назначение контактов
  2. Графическое обозначение
  3. Распиновка
  4. Основные характеристики
  5. Максимальные значения
  6. Тепловые параметры
  7. Электрические параметры
  8. Маркировка
  9. Аналоги
  10. Схема включения
  11. Варианты применения
  12. Производители

Назначение контактов

Перед применением полевка обычно уточняют его структуру, графическое обозначение и назначение контактов. Основой такого транзистора является появляющийся в полупроводнике, с двумя выводами (сток и исток), канал с электронной проводимостью (n-типа). Ширина этого канала зависит от величины подаваемого на затвор (третий вывод) отпирающего напряжения.

Графическое обозначение

Рассмотрим графическое обозначение. Канал типа-n рисуется пунктирной чертой, между примыкающими к нему линиями истока и стока. Стрелка, направленная на пунктирную черту, указывает на электронную проводимость прибора. Выводы канала обозначаются буквами: С-сток (D-drain), И-исток (S-source). Затвор, регулирующий сопротивление канала, обозначается буквой З (G-gate). В обозначении есть так называемый “паразитный” диод, он подключен к истоку анодом. Все графическое обозначение помещено в круг, символизирующий корпус прибора.

Распиновка

Наиболее широкое распространение rfz44n получил в пластиковом корпусе ТО220 с крепежным отверстием под винт, разработанном специально для дискретных мощных полевых транзисторов компанией International Rectifier. Цоколевка irfz44n, если смотреть на лицевую сторону, следующая: слева затвор (G), справа исток (S). Средний вывод является стоком (D), электрически соединенным с встроенным в корпус радиатором. Под маркой International Rectifier существуют экземпляры в корпусах D 2 PAK и ТО-262 (irfz44ns, irfz44nl), назначение выводов аналогично ТО-220.

Основные характеристики

Весь перечень параметров MOSFET-транзисторов не указывается даже в даташит, так как он может понадобится только профессиональным разработчикам. Но даже опытным разработчикам обычно достаточно знать некоторые основные величины, чтобы начать использовать устройство в своих электронных схемах. IRFZ44N характеризуется следующими основными параметрами (при темперном режиме до +25 градусов):

  • Максимальное напряжение стока-истока (V DSS) — 55 В;
  • Максимальный ток стока (I D) — 49 A;
  • Сопротивление проводящего канала сток-исток (R DSon) — 5 мОм;
  • Рассеиваемая мощность (P D) — 94 Вт

В некоторых технических описаниях название МОП (или mosfet) транзистора с изолированным затвором, может начинаться с сокращения МДП. МДМ это первые буквы слов металл, диэлектрик и полупроводник. При этом эти транзисторы подразделяют на устройства с индуцированным и встроенным каналом. У таких полупроводниковых приборов затвор отделен от кремниевой подложки тончайшим слоем диэлектрика (примерно 0,1 микрометра).

Максимальные значения

Обычно, предельные допустимые значения, указываются в самом начале даташит. В них производитель пишет информацию о предельных значениях эксплуатации радиокомпонентов, при которых возможна их работа. Испытания прибора проводятся при окружающей температуре до 25 градусов, если изготовитель не указал иного. Изучив только эти параметры, уже можно принимать решение об использовании в своих схемах. Например, о возможности применении в различных температурных режимах. Так, у рассматриваемого MOSFET при увеличении температуры окружающей среды ток до 100 °C может падать с 49 А до 35 А.

Тепловые параметры

Не является тайной то, что параметры работа силового МОП-транзистора сильно зависят от того, насколько качественно отводится от него тепло. Чтобы упростить расчеты связанные с отводом тепла, вводятся параметры теплового сопротивления. Их значения показывают возможности радиокомпонентов ограничивать распространения тепла. Чем больше тепловое сопротивление, тем быстрее увеличится температура полупроводникового прибора. Таким образом, чем больше разность между предельно допустимой температурой кристалла и внешней средой, тем дольше время его нагрева, при этом пропускаемый ток выше. У рассматриваемого экземпляра следующие тепловые сопротивления.

Электрические параметры

Понятно что, питание и пропускаемые токи между контактами не должны превышать максимальных значений, заявленных изготовителем. Вместе с этим существуют и другие факторы, которые могут вызвать резкое повышение температуры, способствующие разрушению полупроводника. Поэтому, производители советуют выбирать устройства с запасом 20-30% по возможным уровням подаваемого напряжения, а в даташит приводят номинальные электрические характеристики. У IRFZ44N электрические характеристики, при Tj= 25°C (если не указано иное) представлены ниже.

Маркировка

Префикс IRF напоминает о происхождение рассматриваемого экземляра на заводах известной американского компании International Rectifier (IR). В 2007 году IR продала технологию производства МОП-транзисторов компании Vishay Intertechnology, а уже в 2015 году другая компания (Infineon Technologies) поглотила IR. В настоящее время многие независимые производители продолжают выпускать свою продукцию с префиксом IRF, поэтому на рынке современных радиокомпонентов можно встретить и других производителей, выпускающих продукцию с такими же символами в обозначении. Например Vishay, которая больше не выпускает транзисторы irfz44n, однако у нее есть другие похожие устройства, например: IRFZ44, IRFZ44R, IRFZ44S, IRFZ44SL.

В некоторых техописаниях, в конце маркировки, указываются символы “PbF”, например IRFZ44NPbF. PbF (plumbum free) – это безсвинцовая технология изготовления MOSFET-транзисторов, набирающая популярность в разных странах, из за запрета на использование в электронике веществ опасных для здоровье и окружающей природной среды.

В даташит оригинального устройства указывается наличие фирменной HEXFET-технологии изготовления от International Rectifier Corporation, которая позволяет значительно снизить сопротивление электронных компонентов и соответственно уменьшить нагрев во время их работы. Так же отпадает необходимость применения охлаждающего радиатора. Технология стала популярной в 1978 году, но её до сих пор применяют при изгодовлении силовых MOSFET-транзисторов. Упрощенно HEXFET-структура International Rectifier, представлена на рисунке.

IRFZ44N фирмы IR изготовленный с HEXFET-структурой, имеет самое низкое сопротивление между стоком и истоком 17.5 миллиом. Обозначение “Power MOSFET” в техописании указывает на принадлежность устройства к мощным полупроводниковым приборам.

Аналоги

Полных аналогов для irfz44n не существует, однако есть очень похожие по своим техническим характеристикам и описанию МОП-транзисторы. К ним относятся IRFZ44E, IRFZ45, IRFZ46N, IRFZ40, BUZ102, STP45NF06, IRLZ44Z, HUF75329P3, IRF3205. Отечественным аналогами является КП723 и КП812А1, хотя рабочая температура у них немного меньше (до 150°C).

С

хема включения

Теперь поговорим о схеме включения Irfz44N, как писалось выше он является полевым транзистором-МОП с затвором отделенным от полупроводника тончайшим слоем SiO2. Внутри кремниевой структуры присутствуют два перехода p–n. При отсутствии отпирающего напряжения проводящий ток отсутствует и транзистор находится в закрытом состоянии. Если подать на устройство положительное отпирающее VGS, т.е. на затвор плюс, а на исток минус, то под влиянием электрического поля появится индуцированный канал n-проводимости. При подаче питания на нагрузку, по индуцированному каналу потечёт стоковый ток ID.

Чем выше напряжение подается на затвор, тем больше электронов притягивается в область сток-исток и тем шире она становится для протекания тока. Однако, этот процесс может длится до переключения между областями графика линейной и отсечки. Затем, в области насыщения стоковый ток перестает расти. Область насыщения (рабочий режим) применяется в схемах усиления, а отсечки в ключевых. В даташит процесс перехода а рабочий режим, для разных значений VGS, отображают на графиках типовых выходных характеристик (Typical оutput сharacteristics). Для mosfet области насыщения можно определить по линии проходящих почти горизонтально относительно оси напряжения стока-истока.

Варианты

применения

Полевой транзистор irfz44n очень популярен у радиолюбителей в различенных электронных схемах усиления на одном транзисторе, сенсорных переключателях, контроллеров скорости вращения двигателей, проектах с ардуино и др. Его часто можно увидеть в высокочастотных импульсных блоках питания, генераторах, стабилизаторах, инверторах и схемах подключения мощной нагрузки. Предлагаем Вам посмотреть видео на тему создания интересных идей на основе этого замечательного полупроводникового прибора.

Производители

В интернете встречается полный перевод DataSheet irfz44n на русском языке, но лучше использовать описание на английском от производителя. Ниже представлено тех описание следующих производителей радиоэлектронных компонентов:

Критерии выбора частоты ШИМ для управления скоростью двигателя постоянного тока?

Я работаю над схемой управления скоростью для двигателя с щеткой постоянного тока (24 В, 500 об / мин, 2 А, 4 кгсм).

Основными компонентами, которые я планирую использовать, являются PIC16f873, оптопара 4n25, МОП-транзистор IRFZ44N, диод BY 500 — 800 (для свободного хода).

  • Каковы критерии выбора частоты ШИМ?
  • Каково влияние очень высоких и очень низких частот ШИМ на систему?
  • Какие недостатки и улучшения необходимо внести в оборудование, представленное здесь?

Существует несколько проблем, связанных с частотой ШИМ при движении двигателя:

Импульсы должны поступать достаточно быстро, чтобы механическая система двигателя усредняла их. Обычно для этого достаточно нескольких десятков Гц или нескольких сотен Гц. Это редко является ограничивающим фактором.

В некоторых случаях важно, чтобы нытье не было слышно на частоте ШИМ. Даже если механическая система в целом не реагирует на отдельные импульсы, отдельные обмотки катушки могут. Электродвигатель работает на магнитных силах, причем каждая петля провода в катушке устроена так, чтобы создавать эти силы. Это означает, что каждый кусок провода в обмотке имеет боковое усилие, пропорциональное току, по крайней мере, часть времени. Провод в обмотках не может двигаться далеко, но он все еще может вибрировать достаточно, чтобы результат был слышен. Частота ШИМ 1 кГц может быть хорошей во всех других отношениях, но если это происходит в устройстве конечного пользователя, то нытье на этой частоте может быть неприемлемым. По этой причине ШИМ для управления двигателем конечного потребителя часто выполняется на частоте 25 кГц, что немного превышает то, что слышит большинство людей.

Средний ток катушки. Это может быть сложной проблемой. Отдельные катушки двигателя будут выглядеть в основном индуктивными для цепи управления. Вы хотите, чтобы ток через катушки был в основном таким, какой вы ожидаете от среднего значения, применяемого ШИМ, а не повышался или понижался практически каждый импульс.

Каждая катушка будет иметь некоторое конечное сопротивление, которое вызывает потерю мощности, пропорциональную квадрату тока, проходящего через нее. Потери будут выше при том же среднем токе, когда в течение импульса происходит значительное изменение тока. Рассмотрим крайний пример того, как катушка реагирует на импульсное напряжение почти мгновенно, и вы управляете ей с 50% -ной прямоугольной волной. Сопротивление рассеяния будет составлять 1/2 от полного включения катушки, при этом средний ток (следовательно, крутящий момент двигателя) также будет составлять 1/2 от полного включения. Однако, если катушка была возбуждена с постоянным током 1/2 вместо импульсов, резистивное рассеивание было бы на 1/4 от полного включения, но с той же 1/2 тока полной шкалы и, следовательно, крутящего момента.

Еще один способ думать об этом заключается в том, что вы не хотите, чтобы значительный переменный ток превышал средний уровень постоянного тока. Переменный ток не влияет на работу двигателя, это делает только среднее значение. Компонент переменного тока, следовательно, вызывает только резистивные потери в катушках и других местах.

Переключение потерь. Идеальный выключатель либо полностью включен, либо полностью выключен, что означает, что он никогда не рассеивает мощность. Реальные переключатели не переключаются мгновенно и поэтому проводят некоторое конечное время в переходной области, где они рассеивают значительную мощность. Часть работы электроники привода состоит в том, чтобы минимизировать это время перехода. Тем не менее, независимо от того, что вы делаете, на каждом фронте будет некоторое время, когда переключатель не идеален. Это время обычно фиксировано для каждого фронта, поэтому его доля в общем периоде ШИМ увеличивается с частотой. Например, если коммутатор тратит всего 1 мкс при переходе каждого импульса, то при частоте ШИМ 25 кГц, то есть периоде 40 мкс, время перехода составляет 1/40 от общего количества. Это может быть приемлемым. Однако, если частота переключения была увеличена до 100 кГц, что означает период 10 мкс, тогда время перехода будет 10%. Это может вызвать проблемы.

Что касается вашей трассы, меня больше всего беспокоит то, как медленно Q1 будет двигаться. Известно, что оптоизоляторы работают медленно (по сравнению с большинством других компонентов, таких как отдельные транзисторы), особенно при выключении. У вас есть только R2 (хотя я могу прочитать его значение), потянувший на ворота FET, чтобы отключить его. Это будет медленно. Это может быть хорошо, если вы можете терпеть медленную частоту ШИМ, учитывая все другие компромиссы, которые я упомянул выше.

Вы могли бы рассмотреть возможность размещения PIC на стороне двигателя опто. Вы можете общаться в цифровом режиме с этим PIC через интерфейс UART или что-то, что не должно работать на частоте ШИМ. Затем этот PIC генерирует соответствующий PWM локально и жестко включает и выключает Q1 с помощью дополнительных схем для этой цели. Таким образом, высокоскоростные сигналы и быстрые фронты не проходят через оптоизолятор.

FGh50N60SFD — мощный IGBT транзистор (600В, 40А, TO-247)

ВНИМАНИЕ: отпускные (оптовые) цены на дискретные элементы резко поднялись на более чем 40%. 

     Пожалуй самые популярные мощные IGBT транзисторы FGh50N60SFD производства фирмы ON Semiconductor (до 2017 года Fairchild). Применяются в широком спектре силового оборудования: инверторные сварочные аппараты, выпрямители, стабилизаторы, мощные блоки питания и зарядные устройства.

     Современная отрасль силовой аппаратуры развивается по нескольким направлениям, основой для которых являются технологии ключевой схемотехники. Современные технические решения должны быть рассчитаны на уровни напряжений не менее 600 вольт при токах коммутации в районе нескольких десятков ампер. При этом необходимо учитывать высокую частоту переключений, что позволяет уменьшить размеры трансформаторов. Также ключевым требованием является стойкость к короткому замыканию.

     Благодаря совмещению структуры биполярного и полевого транзисторов удалось получить своего рода гибрид — Биполярный Транзистор с Изолированным Затвором (по английски IGBT). Типовым и востребованным в современной схемотехнике является IGBT транзистор FGh50N60SFD корпусе ТО-247 со встроенным быстродействующим диодом.

Краткие характеристики
  • Полное наименование: FGh50N60SFDTU IGBT транзистор
  • Максимальное напряжение VCES: 600 Вольт
  • Максимальный ток коллектора IC: 40 Ампер при Тс=100°C (80 Ампер при Тс=25°C)
  • Максимальная мощность: 116 Ватт Тс=100°C (290 Ватт при Тс=25°C)
  • Максимальная температура: 150°C
  • Тип корпуса: TO-247A

Подробные характеристики вы можете найти в прилагаемом datasheet на транзисторы FGh50N60SFD последней ревизии (предоставлен компанией ON Semi) — ссылка на документ внизу текущей страницы.

Распиновка и внешний вид


Рис. №2 Назначение выводов БТИЗ транзистора FGh50N60SFD


Рис. №3 Типовые размеры и форма корпуса оригинальных транзисторов FGh50N60SFD

     В связи с поглощением фирмой ON Semiconductor компании Fairchild в продаже встречаются два вида обозначений транзисторов: с буквой » F « — произведенные до 2018 года и с буквами » ON «, произведенные с 2018 года. Внешний вид обоих вариантов представлен на фотографии ниже.


Рис. №4 Сравнение оригинальных IGBT транзисторов FGh50N60SFD, произведенных до и после 2018 года

Гарантии

Закупка IGBT транзисторов FGh50N60SFD производится исключительно в запечатанных заводских упаковках напрямую у производителя в составе крупнооптовых заказов для производственных сборочных линий.

Мы снимаем на видео вскрытие заводских упаковок и выкладываем на нашем канале на youtube (ссылка внизу страницы).

В 2017 годe компания ON Semiconductor выкупила фирму Fairchild, поэтому все новые оригинальные транзисторы, произведенные после 2017 года, имеют на корпусе логотип «ON» (вместо прежней «F»)!

В настоящее время встречается огромное количество подделок на IGBT транзисторы. Оригинальный FGh50N60SFD не может стоить дешевле отпускной оптовой цены производителя — 1.9334$/шт!


Рис. №5 Отпускная оптовая цена на транзисторы FGh50N60SFD на официальном сайте производителя

      Гарантия надежной работы это 100% оригиналы! При рабочей обвязке работоспособность гарантируется! Встречались случаи неоднократного выхода из строя из-за проблем в схеме — пожалуйста, доверьте ремонт устройства профессиональным мастерам!

     Дополнительной гарантией является тот факт, что мы продаем транзисторы FGh50N60SFD в нашем магазине на торговой площадке ebay (ссылки внизу данной страницы), где очень жестко наказывают за продажу некачественного товара. Покупателями оставлены только положительные отзывы.

Рис. №6 Отзывы покупателей IGBT транзисторов FGh50N60SFD в нашем магазине на ebay

Оптовые поставки

Для желающих купить IGBT транзисторы FGh50N60SFD оптом у нас имеются автоматические скидки.

Для представителей промышленности и сервисных центров по ремонту сварочного оборудования мы производим поставки IGBT транзисторов FGh50N60SFD оптом по самым выгодным ценам. Благодаря большим закупкам на протяжении более 10 лет мы вышли на прямые поставки от производителей. Оптовые поставки производятся в составе ежемесячных контейнеров. Окончательные цены обсуждаются индивидуально.

Статистические данные: величина закупленной партии для промышленного заказчика — 13 тыс штук (в 2016 г.) и 4500 шт (в 2017 г.).

Третья закупка произведена в июне 2018 г. (3 коробки по 450 штук в каждой).

Партия от 2019 года — 3 коробки по 450 штук (уже с логотипом «ON» на корпусе).

В 2021 году получена партия 2020 года выпуска в количестве 3 коробок — 1350 штук.

Обращений на подозрение брака: 0 человек

Доставка

     Отправка транзисторов FGh50N60SFD производится в любой город России с доставкой от 2 до 7 рабочих дней для срочных заказов и от 5 до 10 дней для обычных. В нашем магазине имеется специальная отправка для небольших радиокомпонентов общим весом до 100 грамм, поэтому до четырех транзисторов могут быть отправлены заказной бандеролью с трек номером для отслеживания местоположения и стоимостью от 90 руб. Данный вид отправки включает картонную книжку, внутрь которой в герметичном пакете помещаются транзисторы. Вся конструкция помещается в пластиковый пакет Почты России.

Заказы с количеством транзисторов от 10 штук отправляются в распиленных пластиковых рейках, помещенных в толстые картонные коробки. На коробку наклеивается адресный ярлык.

Оптовые заказы транзисторов FGh50N60SFD в количестве от 450 штук (одна заводская коробка) отправляются в промышленной упаковке без вскрытия (заводская пломба не нарушается). По желанию покупателя может быть вскрыто и отправлено фото погрузки (после поступления оплаты). 

Ссылки

Шим регулятор напряжения ваз — Все о Лада Гранта

Регулировка оборотов электродвигателей в современной электронной технике достигается не изменением питающего напряжения, как это делалось раньше, а подачей на электромотор импульсов тока, разной длительности. Для этих целей и служат, ставшие в последнее время очень популярными — ШИМ (широтно-импульсно модулируемые) регуляторы. Схема универсальная — она же и регулятор оборотов мотора, и яркости ламп, и силы тока в зарядном устройстве.

Схема ШИМ регулятора

Указанная схема отлично работает, печатная плата прилагается.

Без переделки схемы напряжение можно поднимать до 16 вольт. Транзистор ставить в зависимости от мощности нагрузки.

Можно собрать ШИМ регулятор и по такой электрической схеме, с обычным биполярным транзистором:

А при необходимости, вместо составного транзистора КТ827 поставить полевой IRFZ44N, с резистором R1 — 47к. Полевик без радиатора, при нагрузке до 7 ампер, не греется.

Работа ШИМ регулятора

Таймер на микросхеме NE555 следит за напряжением на конденсаторе С1, которое снимает с вывода THR. Как только оно достигнет максимума — открывается внутренний транзистор. Который замыкает вывод DIS на землю. При этом на выходе OUT появляется логический ноль. Конденсатор начинает разряжаться через DIS и когда напряжение на нем станет равно нулю — система перекинется в противоположное состояние — на выходе 1, транзистор закрыт. Конденсатор начинает снова заряжаться и все повторяется вновь.

Заряд конденсатора С1 идет по пути: «R2->верхнее плечо R1 ->D2«, а разряд по пути: D1 -> нижнее плечо R1 -> DIS. Когда вращаем переменный резистор R1, у нас меняются соотношения сопротивлений верхнего и нижнего плеча. Что, соответственно, меняет отношение длины импульса к паузе. Частота задается в основном конденсатором С1 и еще немного зависит от величины сопротивления R1. Меняя отношение сопротивлений заряда/разряда — меняем скважность. Резистор R3 обеспечивает подтяжку выхода к высокому уровню — так так там выход с открытым коллектором. Который не способен самостоятельно выставить высокий уровень.

Рекомендации по сборке и настройке

Диоды можно ставить любые, конденсаторы примерно такого номинала, как на схеме. Отклонения в пределах одного порядка не влияют существенно на работу устройства. На 4.7 нанофарадах, поставленных в С1, например, частота снижается до 18кГц, но ее почти не слышно.

Если после сборки схемы греется ключевой управляющий транзистор, то скорее всего он полностью не открывается. То есть на транзисторе большое падение напряжения (он частично открыт) и через него течет ток. В результате рассеивается большая мощность, на нагрев. Желательно схему параллелить по выходу конденсаторами большой емкости, иначе будет петь и плохо регулировать. Чтобы не свистел — подбирайте С1, свист часто идет от него. В общем область применения очень широкая, особенно перспективным будет её использование в качестве регулятора яркости мощных светодиодных ламп, LED лент и прожекторов, но про это в следующий раз. Статья написана при поддержке ear, ur5rnp, stalker68.

Принципиальные электросхемы, подключение устройств и распиновка разъёмов

Представляем простую конструкцию регулятора мощности, схема которого построена на таймере 555, работающем в режиме ШИМ. Транзисторы IRF3205 являются управляемыми элементами, причем транзисторы соединены параллельно для уменьшения сопротивления и лучшего рассеивания тепла.

Схема ШИМ на 12 В для ламп

Напряжение от трансформатора выпрямляется мостом на 50 А, установленным на радиаторе. Подается оно далее на стабилизатор 8 В, а затем в схему управления. Устройство должно было работать с несколькими галогенками 12 В 50 Вт.

Кстати, вы можете хорошо уменьшить нагрев транзисторов снизив частоту коммутации — на это стоит обратить внимание.

При полной яркости будет ток в нагрузке около 25 А. Так что уделите особое внимание винтовым соединительным разъемам. Кабели сечением 1,5 мм2 тоже недостаточны для такого большого тока.

Конечно, затворы лучше переключать напряжением около 10 — 12 В (не более 15 В для безопасности МОП-транзисторов), чем 6 В, хотя бы для того чтобы быть уверенным в их насыщении во включенном состоянии. А более высокое напряжение также означает более быструю перезагрузку затворов, что приводит к более короткому переходному времени, а это снижает потери мощности на них. Если они не насыщаются, то тепло, генерируемое на них с высокой рабочей мощностью, заставит транзисторы сильно греться.

Чтобы поднять управляющее напряжение, достаточно подключить R3 напрямую к источнику питания, а не к стабилизатору. Чтобы ускорить переключение, предлагаем конденсатор 0.1 мкФ поставить параллельно с R2 и, если необходимо, дополнительно в ряд перед этим параллельным соединением резистор, чтобы минимизировать токи при разряде конденсатора.

Вместо резистора R3 ещё лучше ставить резисторы 5-10 Ом в затворах mosfet и использовать более мощные биполярные транзисторы, например семейства BD136 — BD140 соответствующих типов проводимости.

Упрощенный ШИМ 12V регулятор постоянного тока

Для регуляторов оборотов мотора постоянного тока можно использовать эту, показанную выше схему. Здесь нет необходимости использовать управляющие транзисторы. Mosfet могут быть подключены параллельно, добавив один 30-ти омный резистор к затвору каждого транзистора. Плату можете скачать в архиве.

Предлагаемые усовершенствования регулятора обеспечивают повышенную стабильность выходного напряжения автомобильного генератора при изменении тока его нагрузки и режима работы двигателя. Современные автомобили имеют сложное и многофункциональное электрооборудование,

надёжная работа которого обеспечивает работоспособность транспортного средства и безопасность его эксплуатации. Надёжность электрооборудования во многом зависит от стабильности напряжения в бортовой сети. Обеспечение неизменности этого напряжения — сложная задача, особенно на переходных режимах, когда частота вращения генератора и ток его нагрузки резко изменяются.

Вместе с регулятором напряжения, поддерживающим его постоянство, генератор образует систему автоматического регулирования. При определённых условиях такая система может терять устойчивость, что проявляется в виде резких колебаний выходного напряжения генератора и зарядного тока аккумуляторной батареи. Поэтому очень важно обеспечить устойчивость системы регулирования во всех условиях эксплуатации.

Наиболее широкое распространение сегодня получили электронные регуляторы, работающие в релейном автоколебательном режиме Такой регулятор при превышении выходным напряжением генератора заданного верхнего порога отключает его обмотку возбуждения от бортсети.

Ток в обмотке начинает спадать, что приводит к уменьшению генерируемого напряжения. Как только оно становится меньше нижнего порога, обмотка возбуждения вновь подключается к бортсети и ток в ней, а с ним и выходное напряжение генератора нарастают Таким образом, напряжение генератора всё время колеблется, но его среднее значение поддерживается стабильным.

Регуляторы с «принудительной» ШИМ более совершенны. За счёт повышенной частоты коммутации обмотки возбуждения напряжение генератора в установившемся режиме практически неизменно, хотя в переходных режимах колебания всё же могут возникать.

Такие регуляторы (один из них описан в статье Е. Тышкевича «ШИ регулятор напряжения». — Радио, 1984, № 6, с. 27, 28) не получили широкого распространения, вероятно, из-за того, что их параметры не намного лучше, чем обычных автоколебательных. Хотя они и выпускаются серийно, в магазинах их найти трудно. Продавцы либо вообще ничего не знают о таких регуляторах, либо утверждают, что они не пользуются спросом.

При эксплуатации автомобиля важную роль имеет такой параметр, как нагрузочная способность генератора при малых оборотах двигателя. От неё зависит минимальная частота вращения вала двигателя, при которой обеспечивается зарядка батареи. Электронные регуляторы напряжения чаще всего теряют устойчивость именно в ситуациях, когда частота вращения мала, а ток нагрузки велик.

Эта их особенность хорошо известна автомобилистам, некоторые из которых заменяют электронные регуляторы устаревшими контактно-вибрационными, которые в этом отношении более надёжны. Но вместе с повышенной устойчивостью они получают недостатки, свойственные этому типу регуляторов. Многие автомобилисты заменяют штатную аккумуляторную батарею другой, имеющей повышенную ёмкость, так как считают, что это улучшает устойчивость работы электронных регуляторов.

К сожалению, колебания выходного напряжения генератора не берутся устранять в автосервисах. При этом их работники утверждают, что никакой неисправности нет, поскольку аккумуляторная батарея всё-таки заряжается, хотя и зарядный ток, и напряжение генератора пульсируют.

Учитывая всё сказанное, автор попытался повысить устойчивость работы стандартного электронного регулятора напряжения 59.3702-01. На рис. 1 изображена его схема после первого варианта доработки, которая свелась к установке дополнительной цепи из резистоpa R8 и конденсатора С2, выделенной на рисунке цветом. Импортный диод S1М можно заменить отечественным из серии КД202 или КД209.

Принцип работы регулятора остался прежним. По мере увеличения напряжения в бортсети, поданного на вывод «15» регулятора, потенциал базы транзистора VT1 относительно его эмиттера становится более отрицательным и при некотором значении этого напряжения (заданном перемычками S1— S3) транзистор открывается.

В результате закрываются транзисторы VT2 и VT3 разрывающие цепь питания обмотки возбуждения генератора, подключённой между выводом «67» регулятора и общим проводом. Но ток в обладающей значительной индуктивностью обмотке не может прекратиться мгновенно. Он продолжает течь через открывшийся диод VD2, постепенно спадая.

Вместе с током возбуждения спадает и напряжение, отдаваемое генератором в бортсеть. Через некоторое время транзистор VT1 закрывается, a VT2 и VT3 открываются, что приводит к нарастанию тока в обмотке возбуждения генератора и увеличению напряжения. Описанный процесс периодически повторяется, и среднее значение напряжения генератора поддерживается неизменным. Цепь R7C3 ускоряет процесс переключения транзисторов VT1—VT3.

При увеличении напряжения в бортсети, вызванном, например, отключением мощной нагрузки или увеличением частоты вращения двигателя, вновь установленный конденсатор С2 заряжается, причём зарядный ток, часть которого протекает через базовую цепь транзистора VT1, пропорционален скорости нарастания напряжения.

В результате VT1 открывается, а транзисторы VT2 и VT3 закрываются раньше, чем это было без конденсатора. Спад тока в обмотке возбуждения также начинается раньше, что в значительной мере замедляет или вовсе устраняет увеличение напряжения, вызванное внешним фактором. Подобный процесс происходит и при быстром снижении напряжения.

Возникающие колебания демпфируются, и их размах значительно уменьшается. При медленных изменениях напряжения ток через конденсатор С2 мал и практически не влияет на работу регулятора в установившемся режиме, а также на точность стабилизации среднего значения напряжения.

Для проверки устойчивости системы стабилизации напряжения можно при работающем двигателе и генераторе включать и выключать мощный потребитель, например фары, контролируя амперметром ток аккумуляторной батареи.

При этом стрелка амперметра после первичного максимального отклонения от установившегося положения (оно связано с инерционностью генератора и неизбежно даже при идеальном регуляторе) должна возвращаться к старому или приходить к новому установившемуся положению монотонно без каких-либо колебаний.

Можно в некоторых пределах регулировать динамические характеристики системы, подбирая ёмкость конденсатора С2 и сопротивление включенного с ним последовательно резистора R8. Минимальная длительность переходного процесса обычно достигается при емкости конденсатора С2, немного большей той, при которой возникают колебания. Дальнейшее увеличение ёмкости приводит к сильному замедлению реакции системы на изменяющиеся внешние условия.

Следует обратить внимание, что для регулятора с описанной доработкой очень опасен момент его первичного подключения к бортсети. Конденсатор С2 в это время полностью разряжен Его зарядный ток вполне может достичь опасного для транзистора VT1 значения и вывести его из строя. Поэтому не следует значительно уменьшать номинал резистора R8 или вовсе исключать его.


Рис. 2

Хотя в практике автора отказов доработанного регулятора по описанной причине не случалось, рекомендуется принять меры по ограничению тока, текущего через базу транзистора VT1, например, включить дополнительный резистор в разрыв цепи, связывающей базу с точкой соединения резисторов R6—R8, конденсатора С1 и стабилитрона VD1. Номинал его следует выбирать максимальным, не ухудшающим заметно работу регулятора без конденсатора С2.

Известно, что для увеличения срока службы аккумуляторной батареи напряжение в бортсети должно возрастать с понижением температуры. Поэтому на практике производят сезонную регулировку напряжения В регуляторе 59.3702-01 перемычками S1—S3, замыкающими резисторы R1—R3, среднее напряжение генератора можно изменять в пределах 13,8… 14,6 В. При удалении перемычек оно уменьшается. Резисторы R1—R3 можно заменить одним под-строечным, что позволит регулировать напряжение генератора плавно.

Назначение светодиодов HL1 и HL2 после доработки не изменилось. Они позволяют оценить работоспособность системы регулирования. При включённом зажигании и неработающем двигателе должен светиться только светодиод HL2, показывая, что напряжение на обмотку возбуждения генератора подано. Свечение светодиода HL1 при неработающем двигателе означает, что регулятор неисправен. Когда двигатель работает, светятся оба светодиода.

Уменьшение частоты его вращения или увеличение нагрузки на бортсеть приводит к тому, что яркость светодиода HL2 растёт, a HL1 — падает. С увеличением частоты вращения или снижением нагрузки яркость изменяется в обратном направлении.

Регулятор до и после описанной доработки был испытан на старом автомобиле со старым аккумулятором. Было замечено, что на этом автомобиле из-за окисления контактов заметно увеличилось сопротивление электропроводки, а у аккумулятора возросло внутреннее сопротивление. Оба этих фактора приводят к снижению устойчивости системы регулирования напряжения.

С недоработанным регулятором 59.3702-01 стрелка амперметра, включённого в разрыв провода, соединяющего плюсовой вывод аккумуляторной батареи с бортсетью автомобиля, обычно колебалась с размахом 5… 10 А. Непосредственно после запуска двигателя размах колебаний нередко превышал 10 А начинали мигать фары. При длительной езде с большой скоростью размах иногда становился меньше 5 А, но это происходило нечасто.

После рассмотренной выше доработки регулятора стрелка амперметра никогда не колебалась с размахом более 0,5… 1 А. После запуска двигателя включённые фары никогда не мигали При длительной езде на большой скорости размах колебаний стрелки обычно уменьшался настолько, что их трудно было заметить.

При дальнейшей доработке из рассматриваемого регулятора были удалены резистор R7 и конденсатор СЗ, а между базой транзистора VT2 и точкой соединения коллектора транзистора VT1 с конденсатором С1 и резистором R9 вставлен узел, схема которого приведена на рис. 2. На схеме, изображённой на рис. 1, места разрывов цепей показаны крестами. Нумерация элементов на рис. 2 продолжает начатую на рис. 1.

В регулятор добавлены генератор импульсов экспоненциальной формы на логических элементах DD1.1 и DD1.3 и пороговое устройство на элементе DD1 2 с усилителем импульсов на транзисторе VT4. Микросхема DD1 питается напряжением 5 В от интегрального стабилизатора DA1.

После доработки транзистор VT1 служит усилителем сигнала рассогласования. Напряжение на его нагрузке — резисторе R9 — линейно зависит от разности текущего и номинального значений напряжения в бортсети. Это напряжение с помощью резисторов R13 и R14 суммируется с импульсами генератора. Сумма поступает на вход порогового устройства.

В результате на его выходе формируются импульсы, длительность которых зависит от отклонения напряжения в бортсети от номинала, а частота следования постоянна (около 2 кГц). Через усилитель на транзисторе VT4 они поступают на базу транзистора VT2 и управляют напряжением на обмотке возбуждения генератора.

Вид доработанного регулятора со снятой крышкой показан на рис. 3.

Дополнительные детали добавлены в него навесным монтажом. После установки этого регулятора на автомобиль стрелка амперметра никогда не колебалась с размахом более 0,5 А. Можно предположить, что при малом переходном сопротивлении контактов электропроводки и с новой аккумуляторной батареей колебания тока будут ещё меньше.

Автор; А. СЕРГЕЕВ, г. Сасово Рязанской обл Радио 314

1n4007: все, что нужно знать об этом диоде

Это не первый диод, который мы анализируем в этом блоге, 1n4007 в данном случае является диодом выпрямительного типа и одним из многих Электронные компоненты что вы можете использовать с Arduino. Дешевые дискретные полупроводниковые элементы, которые могут найти множество применений.

Например, эти выпрямительные диоды, как и 1n4007, они могут помочь вам преобразовать сигнал из переменного тока в постоянный, как в источниках питания (как я объяснил в этой другой статье), использовать их в других цепях, где необходимы выпрямления электрического сигнала, в цепях фиксации, регуляторах напряжения и т. д.

Выпрямительные диоды — это твердотельные устройства из полупроводникового материала, которые заменили вакуумные клапаны для выпрямления электрического сигнала.

Что такое выпрямительный диод?

Un выпрямительный диодКак и 1n4007, это один из существующих типов диодов и один из самых старых. Это один из самых простых способов, но, как я уже упоминал, он имеет множество применений, что делает его весьма важным в мире электроники.

Как вы хорошо знаете, название диода связано с его способностью разделять ток в положительные циклы альтернативного сигнала. Другими словами, это позволит прохождение положительных циклов переменного напряжения, когда оно поляризовано напрямую. Во время отрицательных циклов диод имеет обратную поляризацию, что предотвращает прохождение тока в этом направлении.

Другими словами, грубо говоря, это своего рода фильтр, который пропускает только положительные циклы сигнала, имея возможность различать негативы. Представьте себе все, чего вы могли бы достичь с помощью этой способности …

И для того, чтобы это было возможно, помните, что эти элементы изготовлены для работы с максимальной частотой, при которой они будут работать должным образом, с поддержкой максимального тока или интенсивности, при которой они смогут проводить в прямом направлении, и направлять поддерживаемое максимальное обратное напряжение. Те факторы таблицы Это те, которые вы должны учитывать в выбранной модели, чтобы не выходить за ее пределы и чтобы она работала правильно.

Как и другие диоды, он основан на PN полупроводниковый переход, обычно кремний, хотя могут быть и другие полупроводники, такие как германий. Как правило, они имеют тенденцию выдерживать до 200 ° C на стыке, очень высокие температуры, с очень низким сопротивлением и очень низким обратным напряжением.

1n4007 Особенности

El 1N4007 — выпрямительный диод широко используется во многих электроприборах, особенно в источниках питания, чтобы предотвратить возникновение проблем с источником отрицательного напряжения в цепи, которая перегорает из-за обратной полярности, или для источников питания в процессе преобразования сигнала переменного тока в постоянный и т. д.

Этот диод выдерживает токи до 1А непрерывно с напряжением, которое может идти до 700в. Это оставляет широкий диапазон действий для множества приложений. Кроме того, он также поддерживает определенные пики обратного напряжения до 1000 В и токи до 30 А.

Он заключен в пакет ДО-41, в общем, с двумя типичными клеммами. Что касается других функций, о которых вам следует знать:

  • Обратное напряжение: от 500 до 700в.
  • Пиковое обратное напряжение: 1000 В или 1 КВ
  • Максимальный импульсный ток: 30A
  • Максимальная сила постоянного тока: 1A
  • Прямое падение напряжения: 1.1v
  • Диапазон рабочих температур: От -55 ° C до 150 ° C. В некоторых случаях температура может варьироваться от -65ºC до 125ºC в зависимости от производителя …

Распиновка и таблица данных

О ваша распиновка, Это очень просто. Ранее я сказал, что у него всего два контакта. Один из них — катод, а другой — анод. Чтобы отличить его, вы должны смотреть на серую полосу на одном из ее концов на корпусе 1n4007. Этот конец полосы соответствует катоду (-), а другой конец — аноду (+).

Для получения дополнительной информации вы можете получить все подробности в таблице данных от производителя конкретного компонента, который вы выбрали. Здесь у вас есть пример этого, но помните, что могут быть небольшие отличия друг от друга, хотя большинство технических деталей одинаковы.

Цена и где купить

Цена на электронные компоненты этого типа крайне дешевая, они всего лишь стоят несколько евроцентов. Поэтому они очень доступны по цене. Вы можете найти их в специализированных магазинах электроники или купить в Интернете в таких магазинах, как Amazon. Например, вот некоторые продукты, которые могут вас заинтересовать:

1n4007 практическое применение

Раньше я уже связывал вас со статьей, в которой объяснял работу блок питания, но чтобы более наглядно увидеть использование 1n4007 и то, как вы можете создать свой собственный источник питания, чтобы узнать об основных принципах работы электроники и этого компонента, я оставляю вам это поучительное видео …

к Дополнительную информациюВы можете прочтите статью, в которой я описал эти этапы как только блок питания питается от сети, например, переменного тока 220В, а на его выходе выводится блок питания постоянного тока более низкого напряжения …


Hardwire RGB-LED-контроллер вместо инфракрасного

Оба возможны.

ИК, сначала вам нужно настроить ИК-приемник. Запишите сигнал, поступающий с пульта. Затем настройте простую светодиодную схему, управляемую транзистором / полевым транзистором, управляемым GPIO. Отправить команды, которые вы хотите. Это не псевдосериал, коды, как правило, NEC (может быть, RC5, но NEC проще и чаще). Любое количество проектов удаленного управления IR RPi на Google поможет.

Жесткий провод, удалите существующую микросхему. Используйте переключатель уровня, так как 3,3 В, вероятно, будет недостаточно для превышения порога VGS для надлежащего низкого сопротивления источника стока, RDS (включено). Этот сдвиг может быть простым NPN-транзистором, но он требует, чтобы вы изменили свою логику на код RPI.

Обновить:

Да, вы можете обойти ИК-приемник. Это, как вы ожидаете, демодулятор, который удаляет несущую волну 38 кГц (или около того) и передает данные. Я считаю, что это должен быть активный высокий сигнал через подтягивание. Это позволяет пропускать секции светодиодного передатчика и ИК-приемника. Поскольку линия должна иметь напряжение 5 В, все, что вам нужно, — это простой NPN-транзистор для сдвига уровня от 3,3 В до 5 В. Опять же, логика инвертирована, поэтому логика 1 на RPI будет логически низким на входе MCU. Вы должны убедиться, что отправлены только данные, немодулированные .

Поскольку вы используете LIRC для RPI, вам необходимо загрузить его правильно :

  sudo modprobe lirc_rpi softcarrier=0 

Опция Softcarrier отключена для устранения несущей волны, доступна только на lirc_rpi afaik, так что вам повезло.

Это зависит от специфики используемого ИК-приемника. Помочь будет картинка с обратной стороны доски. Вы хотели бы отключить ИК-приемники данных, чтобы избежать помех.

Nissan Sunny. Нет холостого хода

 

Nissan Sunny 2000 года выпуска (Двигатель QG15DE, АКПП, Правый руль). Нет холостого хода.

 

 

С проблемой, которая будет описана ниже, может столкнуться каждый владелец автомобиля марки Nissan, с двигателями, имеющих регулировку оборотов холостого хода при помощи шагового мотора (РХХ).

 

 


 

 

Симптомы возникновения неисправности, в автомобилях Nissan:

 

  • Плавают обороты, неровная работа двигателя
  • После прогрева двигатель глохнет
  • Повышенный расход топлива
  • Нет холостого хода
  • На «горячую» плохо заводится

 


 

Как возникает эта неисправность, в автомобилях Nissan?

 

  • Изнашивается уплотнительная прокладка между корпусом дроссельной заслонкой и РХХ
  • Охлаждающая жидкость попадает в корпус регулятора холостого хода
  • РХХ начинает подклинивать и перегревается, вследствие чего происходит межвитковое замыкание обмоток
  • На последнем этапе выходит из строя ЭБУ двигателя.

 


 

Проверяем работоспособность ЭБУ двигателя

 

 

Снимаем разъём с клапана холостого хода. Выводы 1, 3, 4 и 6, относительно массы, должны прозваниваться как диоды. Если этого не происходит, то 99%, что ЭБУ сгорел.

 


 

 

Проверяем целостность проводки

 

На выводах 2 и 5, разъёма РХХ (см. фото выше), должно быть +12 вольт, при включении зажигания. Снимаем разъём с ЭБУ двигателя прозваниваем оставшиеся провода на обрыв и замыкание.

 

 


 

Что делать, если ЭБУ двигателя сгорел?

 

Как правило в ЭБУ сгорает драйвер управления регулятором холостого хода (в нашем случае была микросхема STA508A) и дорожки под этой микросхемой.

 

 

 

 

Его ремонт заключается в восстановлении дорожек на плате ЭБУ и замене сгоревшей микросхемы.

Если такой микросхемы нет, можно заменить на аналог uPA1556AH — такая же сборка, но выдерживает большие токи. Либо впаять четыре транзистора с маркировкой IRFZ44N.

 


 

 

Ремонт автомобиля в целом

 

В целом ремонт данной неисправности заключается в следующих действиях:

  • Меняем регулятор холостого хода
  • Меняем уплотнительную прокладку
  • Чистим (промываем) дроссельную заслонку
  • Восстанавливаем работоспособность ЭБУ двигателя
  • При помощи диагностического прибора производим адаптацию расхода воздуха на холостом ходу.

 


 

Datasheets на микросхемы и транзисторы упоминавшиеся в материалы:

STA508A — Скачать

uPA1556AH — Скачать

IRFZ44N — Скачать

 


Ремонт ЭБУ

 

IRFZ44N MOSFET Распиновка, характеристики, аналоги и техническое описание

IRFZ44N — это N-канальный полевой МОП-транзистор с высоким током стока 49 А и низким сопротивлением сопротивления 17,5 мОм. Он также имеет низкое пороговое напряжение 4 В, при котором полевой МОП-транзистор начинает проводить. Следовательно, он обычно используется с микроконтроллерами для управления напряжением 5 В. Однако схема драйвера необходима, если MOSFET должен быть полностью включен.

Конфигурация контактов

Номер контакта

Имя контакта

Описание

1

Ворота

Управляет смещением полевого МОП-транзистора

2

Слив

Ток протекает через сток

3

Источник

Ток течет через Источник

Характеристики
  • N-канальный полевой МОП-транзистор слабого сигнала
  • Непрерывный ток утечки (ID) составляет 49 А при 25 ° C
  • Импульсный ток утечки (ID-пик) составляет 160 А
  • Минимальное пороговое напряжение затвора (VGS-ое) 2В
  • Максимальное пороговое напряжение затвора (VGS-ое) 4В
  • Напряжение затвор-исток (VGS) составляет ± 20 В (макс.)
  • Максимальное напряжение сток-исток (VDS) составляет 55 В
  • Время нарастания и спада составляет около 60 нс и 45 нс соответственно.
  • Обычно используется с Arduino из-за низкого порогового тока.
  • Поставляется в упаковке К-220

Примечание: Полные технические подробности можно найти в таблице данных IRFZ44N , приведенной в конце этой страницы.

Альтернативы IRFZ44N

IRF2807, IRFB3207, IRFB4710

Где использовать IRFZ44N MOSFET

IRFZ44N известен своим высоким током стока и высокой скоростью переключения .В дополнение к этому он также имеет низкое значение Rds, что поможет повысить эффективность коммутационных схем. МОП-транзистор начнет включаться при небольшом напряжении затвора 4 В, но ток стока будет максимальным только при приложении напряжения затвора 10 В. Если МОП-транзистор должен управляться напрямую от микроконтроллера, такого как Arduino, попробуйте версию МОП-транзистора IRLZ44N с логическим уровнем.

Разница между IRLZ44N и IRFZ44N Mosfet

МОП-транзисторы IRLZ44N и IRFZ44N часто путают друг с другом и используются неправильно.IRLZ44N — это полевой МОП-транзистор логического уровня с очень низким пороговым напряжением затвора 5 В, что означает, что полевой МОП-транзистор может быть полностью включен с помощью всего 5 В на его выводе затвора, что позволяет избежать необходимости в схеме драйвера.

IRFZ44N, с другой стороны, требует схемы драйвера затвора, если MOSFET должен быть полностью включен с помощью микроконтроллера, такого как Arduino. Тем не менее, он частично включается при прямом питании 5 В от вывода ввода / вывода, но выходной ток стока будет ограничен.

Как использовать IRFZ44N MOSFET

В отличие от транзисторов полевые МОП-транзисторы являются устройствами, управляемыми напряжением.Это означает, что они могут быть включены или выключены путем подачи необходимого порогового напряжения затвора (VGS). IRFZ44N — это N-канальный полевой МОП-транзистор, поэтому выводы стока и истока будут оставаться открытыми, когда на вывод затвора не подается напряжение. Когда подается напряжение затвора, эти контакты закрываются.

Если требуется переключение с помощью Arduino, тогда простая схема управления с использованием транзистора будет работать, чтобы обеспечить необходимое напряжение затвора для полного открытия полевого МОП-транзистора. Для других применений коммутации и усиления требуется специальный драйвер MOFET IC .

IRFZ44N с затвором 5 В (Arduino)

Если вывод затвора MOSFET напрямую подключен к выводу ввода-вывода микроконтроллера, такого как Arduino, PIC и т. Д., Тогда он не откроется полностью, и максимальный ток стока будет зависеть от напряжения, приложенного к выводу затвора. График ниже показывает, какой ток стока разрешен для порогового напряжения затвора от 4 В до 10 В.

Как видите, полевой МОП-транзистор полностью открывается только тогда, когда напряжение на затворе составляет около 10 В.Если оно где-то около 5 В, то ток стока ограничен до 20 А и так далее.

Приложения
  • Коммутационные аппараты большой мощности
  • Регулировка частоты вращения двигателей
  • Светодиодные диммеры или мигалки
  • Приложения высокоскоростной коммутации
  • Преобразователи или схемы инверторов

2D модель детали

Если вы разрабатываете печатную плату или плату Perf с этим компонентом, то следующий рисунок из таблицы данных будет полезен, чтобы узнать тип и размеры его корпуса.

IRFZ44N Распиновка, аналог, характеристики, использование и другая информация

В этом посте мы собираемся обсудить широко используемую распиновку IRFZ44N, эквивалент, функции, использование и другую информацию о том, где и как использовать этот MOSFET-транзистор в ваших приложениях.

Характеристики / Технические характеристики:
  • Тип упаковки: TO-220
  • Тип транзистора: Канал N
  • Максимальное напряжение, приложенное от стока к источнику: 55 В
  • Максимальное напряжение между затвором и источником должно быть: ± 20 В
  • Максимальный ток утечки при продолжении составляет: 49A
  • Максимальный импульсный ток утечки: 160A
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 94 Вт
  • Минимальное напряжение, необходимое для проведения: от 2 В до 4 В
  • Максимальная температура хранения и эксплуатации должна быть: от -55 до +170 по Цельсию

Аналог:

IRFZ46N, STP55N06, 2SK2376, BUK456-60H, STP50N06, 2SK2312, 2SK2376, BUZ 102S, IRF1010A

IRFZ44N MOSFET объяснение / Описание:

IRFZ44N — широко используемый полевой МОП-транзистор, предназначенный для использования в различных приложениях общего назначения.Транзистор обладает способностью к высокоскоростному переключению, что делает его идеальным для использования в приложениях, где высокая скорость переключения является решающим требованием. Транзистор способен управлять нагрузкой до 49 А, а максимальное напряжение нагрузки может составлять 55 В. Однако пиковый импульсный ток может достигать 160 А. Минимальное пороговое напряжение, необходимое для перехода этого транзистора в полностью открытое состояние, составляет от 2 до 4 В. Этот транзистор также может использоваться в качестве усилителя звука или в каскадах звукового усилителя; он способен обеспечить максимальную мощность звука 94 Вт.

Где и как использовать:

IRFZ44N можно использовать в различных приложениях, например, если вам требуется высокоскоростное переключение между двумя входами, как в ИБП, когда вы хотите немедленно без задержки переключить входную мощность на резервное питание от батареи. Кроме того, его также можно использовать в различных источниках питания и приложениях для управления батареями. Кроме того, этот транзистор также может использоваться на выходе микросхем, микроконтроллеров и электронных платформ, таких как Arduino, Raspberry Pi и т. Д.для управления нагрузкой до 49А. С другой стороны, его также можно использовать для создания различных усилителей звука высокой мощности.

Заявки:

Зарядные устройства

Системы управления батареями

Зарядные устройства и приложения для солнечных батарей

Приложения с быстрым переключением

Источники бесперебойного питания

Цепи драйвера двигателя

Солнечные источники бесперебойного питания

Как безопасно работать в цепи в течение длительного времени:

Для обеспечения долговременной работы IRFZ44N рекомендуется не использовать этот транзистор на максимальных номиналах.Использование любых компонентов с максимальным номиналом может вызвать нагрузку на компонент и может повредить или ослабить его внутреннюю схему, что приведет к снижению производительности. Мы всегда рекомендуем использовать любой компонент на 20% ниже максимальной мощности или спецификаций. То же правило будет применяться к IRFZ44N. Максимальный ток стока составляет 49 ампер, поэтому не используйте нагрузку более 39 ампер. Максимальное напряжение нагрузки составляет 55 В, и в целях безопасности не нагружайте нагрузку более 44 В. Напряжение между затвором и источником должно быть ниже ± 20 В и всегда хранить или эксплуатировать транзистор при температуре выше -55 и ниже +175 по Цельсию.

Лист данных:

Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте приведенную ниже ссылку в свой браузер.

https://cdn.datasheetspdf.com/pdf-down/I/R/F/IRFZ44N_InternationalRectifier.pdf

IRFZ44N MOSFET: техническое описание, приложение, эквивалент [Видео]

Описание

IRFZ44N — это N-канальный силовой полевой МОП-транзистор, в этом блоге рассказывается о распиновке, техническом описании, эквиваленте, функциях и другой информации о том, как использовать и где использовать МОП-транзистор IRFZ44N. используйте это устройство.

Каталог

IRFZ44N CAD Модель

IRFZ44N Обозначение

IRFZ44N Площадь основания


IRFZ44N Распиновка

Номер контакта

Имя контакта

Описание

1

Источник

Ток течет через Источник

2

Ворота

Управляет смещением полевого МОП-транзистора

3

Слив

Ток протекает через сток


Цепь IRFZ44N

  • Цепь проверки времени переключения

  • Цепь индуктивного тестирования без зажимов

  • Испытательная цепь dv / dt восстановления пикового диода


IRFZ44N Applications

  • Зарядные устройства
  • Системы управления батареями
  • Зарядные устройства и приложения для солнечных батарей
  • Приложения быстрого переключения
  • Источники бесперебойного питания
  • Цепи драйвера двигателя
  • Солнечные источники бесперебойного питания

IRFZ44N Характеристики

  • Передовые технологические процессы
  • Сверхнизкое сопротивление
  • Dynamic dv / dt Рейтинг
  • 175 ° C Рабочая температура
  • Быстрое переключение
  • Полностью лавинный рейтинг
  • Без свинца

IRFZ44N Advantage

IRFZ44N — широко используемый полевой МОП-транзистор, предназначенный для использования в различных приложениях общего назначения.Транзистор обладает способностью к высокоскоростному переключению, что делает его идеальным для использования в приложениях, где высокая скорость переключения является решающим требованием. Транзистор способен управлять нагрузкой до 49 А, а максимальное напряжение нагрузки может составлять 55 В. Однако пиковый импульсный ток может достигать 160 А. Минимальное пороговое напряжение, необходимое для перехода этого транзистора в полностью открытое состояние, составляет от 2 до 4 В. Этот транзистор также может использоваться в качестве усилителя звука или в каскадах звукового усилителя; он способен обеспечить максимальную мощность звука 94 Вт.


IRFZ44N Упаковка


IRFZ44N Параметры

Марка

Infineon / IR

Режим канала

Улучшение

Конфигурация

Одноместный

Время осени

45 нс

Прямая крутизна — мин.

19 ю

Высота

15.65 мм

Id — постоянный ток утечки

49 А

Длина

10 мм

Производитель

Infineon

Максимальная рабочая температура

+ 175 К

Минимальная рабочая температура

— 55 С

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Количество каналов

1 канал

Упаковка / ящик

ТО-220-3

Pd — рассеиваемая мощность

94 Вт

Категория продукта

МОП-транзистор

Тип продукта

МОП-транзистор

Rds On — сопротивление сток-исток

17.5 мОм

Время нарастания

60 нс

Подкатегория

МОП-транзисторы

Технологии

Si

Полярность транзистора

N-канал

Тип транзистора

1 канал N

Тип

МОП-транзистор с полевым HEXFET

Типичное время задержки выключения

44 нс

Типичное время задержки включения

12 нс

Масса устройства

0.211644 унция

Vds — напряжение пробоя сток-исток

55 В

Vgs — Напряжение затвор-исток

— 20 В, + 20 В

Ширина

4,4 мм


IRFZ44N Документы


IRFZ44N Соответствие продукции

USHTS

85412

  • ТАРИК

    8541100000

    ECCN

    EAR99


    IRFZ44N Альтернативы

    IRF2807, IRFB3207, IRFB4710


    IRFZ44N эквиваленты

    IRFZ46N, STP55N06, 2SK2376, BUK456-60H, STP50N06, 2SK2312, 2SK2376, BUZ 102S, IRF1010A


    Разница между IRLZ44N и IRFZ44N

    МОП-транзисторы IRLZ44N и IRFZ44N часто путают друг с другом и используются неправильно. IRLZ44N представляет собой МОП-транзистор логического уровня с очень низким пороговым напряжением затвора 5 В, что означает, что МОП-транзистор может быть полностью включен с помощью всего 5 В на его выводе затвора, что устраняет необходимость в схеме драйвера.

    IRLZ44N

    IRFZ44N , с другой стороны, требует схемы драйвера затвора, если MOSFET должен быть полностью включен с помощью микроконтроллера, такого как Arduino. Тем не менее, он частично включается при прямом питании 5 В от вывода ввода / вывода, но выходной ток стока будет ограничен.

    IRFZ44N


    Где использовать IRFZ44N

    IRFZ44N известен своим высоким током стока и быстрой скоростью переключения. В дополнение к этому он также имеет низкое значение Rds, что поможет повысить эффективность коммутационных схем. МОП-транзистор начнет включаться при небольшом напряжении затвора 4 В, но ток стока будет максимальным только при приложении напряжения затвора 10 В. Если МОП-транзистор должен управляться напрямую от микроконтроллера, такого как Arduino, попробуйте версию МОП-транзистора IRLZ44N с логическим уровнем.


    Как использовать IRFZ44N

    В отличие от транзисторов полевые МОП-транзисторы являются устройствами, управляемыми напряжением. Это означает, что они могут быть включены или выключены путем подачи необходимого порогового напряжения затвора (VGS). IRFZ44N — это N-канальный полевой МОП-транзистор, поэтому выводы стока и истока будут оставаться открытыми, когда на вывод затвора не подается напряжение. Когда подается напряжение затвора, эти контакты закрываются.

    Если требуется переключение с помощью Arduino, тогда простая схема управления с использованием транзистора будет работать, чтобы обеспечить необходимое напряжение затвора для полного открытия полевого МОП-транзистора.Для других применений коммутации и усиления требуется специальная ИС драйвера MOFET.


    Как безопасно и длительно эксплуатировать IRFZ44N в схемах

    Чтобы получить долгосрочную работу с IRFZ44N , рекомендуется не использовать этот транзистор на его максимальных номиналах. Использование любых компонентов с максимальным номиналом может вызвать нагрузку на компонент и может повредить или ослабить его внутреннюю схему, что приведет к снижению производительности. Мы всегда рекомендуем использовать любой компонент на 20% ниже максимальной мощности или спецификаций.То же правило будет применяться к IRFZ44N. Максимальный ток стока составляет 49 ампер, поэтому не используйте нагрузку более 39 ампер. Максимальное напряжение нагрузки составляет 55 В, и в целях безопасности не нагружайте нагрузку более 44 В. Напряжение между затвором и источником должно быть ниже ± 20 В и всегда хранить или эксплуатировать транзистор при температуре выше -55 и ниже +175 по Цельсию.


    IRFZ44N Производитель

    Infineon Technologies AG — мировой лидер в области полупроводниковых решений, которые делают жизнь проще, безопаснее и экологичнее.Микроэлектроника от Infineon — залог лучшего будущего. В 2019 финансовом году (заканчивающемся 30 сентября) объем продаж компании составил около 8 миллиардов евро, в ней работало около 41 400 сотрудников по всему миру. Компания Infineon котируется на Франкфуртской фондовой бирже (тикер: IFX) и в США на внебиржевом рынке OTCQX International Premier (тикер: IFNNY).


    Техническое описание компонентов

    Техническое описание IRFZ44N


    Часто задаваемые вопросы

    IRFZ44N — это N-канальный полевой МОП-транзистор с высоким током стока 49 А и низким сопротивлением сопротивления 17.5 мОм. Он также имеет низкое пороговое напряжение 4 В, при котором полевой МОП-транзистор начинает проводить. Следовательно, он обычно используется с микроконтроллерами для управления напряжением 5 В.

    • Для чего используются силовые полевые МОП-транзисторы?

    Силовые полевые МОП-транзисторы широко используются в транспортной технике, включая широкий спектр транспортных средств. В автомобильной промышленности силовые МОП-транзисторы широко используются в автомобильной электронике. Силовые полевые МОП-транзисторы (включая DMOS, LDMOS и VMOS) обычно используются для множества других приложений.

    IRFZ44N — это N-канальный полевой МОП-транзистор, поэтому выводы стока и истока будут оставаться открытыми, когда на вывод затвора не подается напряжение. Когда подается напряжение затвора, эти контакты закрываются.

    • Как включить канал MOSFET?

    N-Channel — Для N-канального MOSFET источник заземлен. Чтобы включить полевой МОП-транзистор, нам нужно поднять напряжение на затворе.Чтобы выключить его, нам нужно подключить ворота к земле. P-канал — источник подключен к шине питания (Vcc).

    Как использовать полевые МОП-транзисторы IRFZ44N, IRF9540

    Здесь мы увидим, как основные действия (в основном переключение) силового полевого МОП-транзистора, такого как IRFZ44N и IRF9540, работают с сигналами, генерируемыми микроконтроллером вместе с нагрузкой, и как операция переключения выполняется без какой-либо опасности цепи.

    Мы будем использовать набор светодиодов 12 В для нашей нагрузки в цепи переключения, а ниже представлена ​​схема макетной платы, на которой подключены нагрузка и полевой МОП-транзистор.

    Введение в IRFZ44N

    Вышеупомянутый полевой МОП-транзистор IRFZ44N имеет сверхнизкое сопротивление наряду с динамическим рейтингом du / dt. Рабочая температура транзистора составляет 175 градусов по Цельсию, и некоторые из его характеристик приведены ниже.

    • Показывает быструю коммутацию.
    • Полностью лавинный МОП-транзистор
    • Устройство не содержит свинца

    На рисунке выше показано физическое описание силового МОП-транзистора IRFZ44N.

    Теперь мы создадим нашу схему для моделирования операции переключения, и для этого, пожалуйста, выполните следующие шаги.

    Во-первых, подключите аккумулятор или источник питания к макетной плате и подключите светодиодную нагрузку 12 В

    Во-вторых, просто подключите полевой МОП-транзистор IRFZ44N к макетной плате, а затем мы должны подключить все элементы в соответствии с правилами электроники.

    Схема подключения играет жизненно важную роль в любых электронных операциях, поэтому мы

    Теперь мы можем приступить к созданию наших собственных схем переключения. Просто посмотрите на приведенную ниже диаграмму, показывающую, как действует схема переключения, и выполните соединения в соответствии с приведенной ниже схемой.

    Когда провод, который соединяет базу с резистором, касается клеммы с маркировкой ON, светодиод загорается, а при прикосновении к другой клемме светодиод переходит в состояние вне каскада, поэтому мы можем выполнить эту небольшую операцию переключения цепи с IRFZ44N на домой очень легко.

    Теперь мы обсудим, как управлять переключением с помощью платы микроконтроллера, такой как Arduino.

    Как использовать MOSFET с Arduino

    Есть всего два шага для подключения Arduino к MOSFET, просто следуйте инструкциям ниже.

    • Соедините цифровой вывод (D13) с выводом резистора, как описано выше.
    • Подключите положительную сторону источника питания к клемме + 5V на Arduino.

    Затем загрузите скетч мерцания, как предусмотрено в Arduino IDE, на плату через свой ПК с USB

    .

    Вы также можете включить механизм ШИМ для увеличения и уменьшения яркости нагрузки (светодиода)

    Просто загрузите пример кода из Arduino IDE для PWM Control

    Введение в IRF9540

    Это полевой МОП-транзистор с p-каналом, который также работает аналогично предыдущему, а также может использоваться для операций переключения и может использоваться вместе с платами микроконтроллеров, такими как Arduino.

    На рисунке выше показано физическое описание полевого МОП-транзистора IRF9540

    .

    Для использования его с подходом, управляемым микроконтроллером, просто выполните следующие шаги и сделайте схему такой же, как на приведенной ниже принципиальной схеме.

    Схема очень похожа на предыдущую, просто сделайте схему и проверьте ее.

    Но поскольку это МОП-транзистор с p-каналом, для предотвращения повреждения схемы мы должны использовать отдельный NPN-транзистор.

    Итак, из приведенной выше схемы схема вполне понятна.

    И теперь ваша схема готова к тестированию. Теперь вы можете загрузить мигающий код из Arduino IDE и протестировать систему для отладки схемы.

    Заключение

    Итак, мы обсудили полевые МОП-транзисторы, которые можно использовать в различных схемах, поэтому для их покупки по лучшей цене посетите сайт utsource.net

    irfz44n% 20pin% 20out техническое описание и примечания по применению

    IRFZ44N

    Аннотация: абстрактный текст недоступен
    Текст: нет текста в файле


    OCR сканирование
    PDF 1303B IRFZ44N IRFZ44N
    2001-МОП-транзистор IRFZ44N

    Резюме: IRFZ44N для вывода irfz44n IRFZ44N IRFz44n эквивалент таблицы данных irfz44n для irfz44n ne 22 Лист данных mosfet для irfz44n
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF IRFZ44N О-220АБ 100 мс МОП-транзистор IRFZ44N IRFZ44N для irfz44n штифт IRFZ44N Эквивалент IRFz44n из irfz44n техническое описание irfz44n NE 22 MOSFET — описание производителя лист данных для irfz44n
    IRFZ44N

    Аннотация: MOSFET IRFZ44N IRFZ44N эквивалент GS 069
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF IRFZ44N О-220 О-220АБ IRFZ44N МОП-транзистор IRFZ44N Эквивалент IRFZ44N GS 069
    2001 — IRFZ44N

    Аннотация: МОП-транзистор IRFZ44N IRFz44n, эквивалентный для irfz44n, таблица данных irfz44n, таблица данных для irfz44n, IRFZ44N, ПРИМЕНЕНИЕ, ПРИМЕЧАНИЕ top240
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF IRFZ44N О-220 IRFZ44N МОП-транзистор IRFZ44N Эквивалент IRFz44n для irfz44n техническое описание irfz44n лист данных для irfz44n IRFZ44N ПРИМЕЧАНИЕ ПО ПРИМЕНЕНИЮ наверх240
    2001-МОП-транзистор IRFZ44N

    Аннотация: вывод irfz44n полевого МОП-транзистора IRFZ44N IRFZ44N IRFZ44N для irfz44n
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF IRFZ44N О-220АБ 100 мс МОП-транзистор IRFZ44N irfz44n штифт IRFZ44N IRFZ44N МОП-транзистор ИРФЗ44Н для irfz44n
    IRFZ44N

    Аннотация: абстрактный текст недоступен
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF IRFZ44N О-220 IRFZ44N
    1997 — IRFZ44N

    Аннотация: таблица данных для irfz44n IRFz44n эквивалентного МОП-транзистора IRFZ44N, таблица данных irfz44n для irfz44n IRF N-канальные силовые МОП-транзисторы 25A-di
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF 1303B IRFZ44N О-220 IRFZ44N лист данных для irfz44n Эквивалент IRFz44n МОП-транзистор IRFZ44N техническое описание irfz44n из irfz44n N-канальные силовые МОП-транзисторы IRF 25A-di
    2001 — Нет в наличии

    Аннотация: абстрактный текст недоступен
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF IRFZ44N О-220 О-220АБ
    irfz44n

    Реферат: МОП-транзистор irfz44n IRFZ44N для irfz44n
    Текст: нет текста в файле


    OCR сканирование
    PDF IRFZ44N О-220 irfz44n из irfz44n МОП-транзистор IRFZ44N для irfz44n
    IRFZ44N

    Аннотация: вывод IRFZ44N irfz44n для вывода irfz44n irfz44n
    Текст: нет текста в файле


    OCR сканирование
    PDF IRFZ44N T0220AB IRFZ44N штифт IRFZ44N из irfz44n для irfz44n irfz44n контактный
    IRFZ44N ПРИМЕНЕНИЕ

    Реферат: двигатель постоянного тока irfz44n IRFz44n, эквивалентный лист данных irfz44n MOSFET IRFZ44N IRFZ44N, таблица данных irfz44n контакта IRFZ44N IRFZ44N DATASHEET 0010T2
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF IRFZ44N О-220 IRFZ44N ПРИМЕЧАНИЕ ПО ПРИМЕНЕНИЮ двигатель постоянного тока irfz44n Эквивалент IRFz44n техническое описание irfz44n МОП-транзистор IRFZ44N IRFZ44N лист данных для irfz44n штифт IRFZ44N ТЕХНИЧЕСКАЯ ИНФОРМАЦИЯ IRFZ44N 0010T2
    irfz44n

    Аннотация: МОП-транзистор IRFZ44N irfz44n для irfz44n
    Текст: нет текста в файле


    OCR сканирование
    PDF IRFZ44N О-220АБ MIL-STD-750, irfz44n МОП-транзистор IRFZ44N из irfz44n для irfz44n
    1999 — транзистор irfz44n

    Аннотация: irfz44n для вывода irfz44n IRFZ44N IRFZ44N эквивалент irfz44n datasheet irfz44n
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF O220AB IRFZ44N транзистор irfz44n irfz44n для irfz44n штифт IRFZ44N Эквивалент IRFZ44N из irfz44n техническое описание irfz44n
    IRFZ44N

    Аннотация: 11-нм МОП-транзистор IRFZ44N irfz44
    Текст: нет текста в файле


    OCR сканирование
    PDF 1303B IRFZ44N О-220 IRFZ44N 11 Нм МОП-транзистор IRFZ44N irfz44
    1RFZ44N

    Аннотация: 1RFZ44 3s4 КОД МАРКИРОВКИ ДИОДНЫЙ МОП-транзистор IRFZ44N для 1rfz44n IRFZ44N irfz44n IRF1010 jj37
    Текст: нет текста в файле


    OCR сканирование
    PDF IRFZ44N О-220 1RFZ44N 1RFZ44 3s4 КОД МАРКИРОВКИ ДИОД МОП-транзистор IRFZ44N для 1rfz44n из irfz44n IRF1010 jj37
    1998 — эквивалент IRF3205

    Аннотация: IRF 9732 IRFz44n эквивалент IRF3710 эквивалент IRF4905 эквивалент IRC540 эквивалент IRF 9450 IRF 9734 IRF5305 эквивалент IRF 9740
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF О-220 / Д2ПАК IRF9630 IRF9510L IRF9520 IRF9510 IRF9Z14 IRF9Z34 IRCZ34 IRCZ44 IRC540 Эквивалент IRF3205 IRF 9732 Эквивалент IRFz44n Эквивалент IRF3710 Эквивалент IRF4905 Эквивалент IRC540 irf 9450 IRF 9734 Эквивалент IRF5305 irf 9740
    Нет в наличии

    Аннотация: абстрактный текст недоступен
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF IRFZ44N
    2008-БЮТ BC547

    Аннотация: контактная схема IRFZ44N BC547 BJT управления скоростью двигателя постоянного тока. Программирование шагового униполярного шагового двигателя irfz44n на биполярном транзисторе c 1n4148 t4 npn IRFZ44N. ПРИМЕЧАНИЕ ПО ПРИМЕНЕНИЮ Шаговый двигатель MG1 IRFZ44N.
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF AN012805-0708 BJT BC547 схема контактов IRFZ44N BC547 BJT управление скоростью двигателя постоянного тока irfz44n шаг Программирование униполярного шагового двигателя на языке c 1n4148 t4 Биполярный переходной транзистор npn IRFZ44N ПРИМЕЧАНИЕ ПО ПРИМЕНЕНИЮ Шаговый двигатель MG1 IRFZ44N
    IRFZ44N

    Аннотация: FP60N BS108 MOSFET FP75N FP50N
    Текст: нет текста в файле


    OCR сканирование
    PDF 2N7000 2N7002 BS108 BS170 BS250 BS850 FP70N FP75N IRFZ44N IRFZ44NS IRFZ44N FP60N BS108 MOSFET — описание производителя FP50N
    8SS138

    Абстракция: GFP80N03 SFB50N03 BS170 bss138 2N7002 60V SOT-23 Fet irfz44n
    Текст: нет текста в файле


    OCR сканирование
    PDF TN0205AD * TN0200T ОТ-363 ОТ-23 БШ205 GF6968A GF6968E GF9926 GF4126 8SS138 GFP80N03 SFB50N03 BS170 bss138 2Н7002 60В СОТ-23 Фет irfz44n
    IRFZ44N

    Аннотация: MOSFET IRFZ44N эквивалент IRFz44n
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF IRFZ44N -20 В постоянного тока 55 В постоянного тока, 44 В постоянного тока, 20 В постоянного тока 10 В постоянного тока, О-220-АБ IRFZ44N МОП-транзистор IRFZ44N Эквивалент IRFz44n
    МОП-транзистор IRFZ44N

    Аннотация: IRFZ44N IRFZ44N MOSFET
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF ИРФИЗ44НПбФ IRFZ44N О-220 I840G МОП-транзистор IRFZ44N IRFZ44N МОП-транзистор
    1RFPC50

    Аннотация: 1RFPC50LC IRF840LC IRlz24n IRFz44n IRF540n 1RFPc
    Текст: нет текста в файле


    OCR сканирование
    PDF T0-220AB IRF740LC IRF840LC IRFBC40LC IRL3803 IRL3705N IRLZ14 IRLZ24N IRLZ34N IRLZ44N 1RFPC50 1RFPC50LC IRFz44n IRF540n 1RFPc
    2003 — IRFZ44N распиновка

    Аннотация: теория униполярного ШАГОВОГО ДВИГАТЕЛЯ 5 В 4k7 pot VARIABLE RESISTOR DC motor irfz44n mosfet DRIVER Analog Devices с использованием bc547 zilog z8f ШАГОВЫЙ ДВИГАТЕЛЬ IRFZ44N ПРИМЕЧАНИЕ ПРИМЕНЕНИЯ IRFZ44N Коды униполярного шагового двигателя 12 В STEPPER CONTROL SIGMA MOTOR
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF AN012803-0203 Распиновка IRFZ44N теория на 5V униполярном ШАГОВОМ ДВИГАТЕЛЕ 4k7 pot ПЕРЕМЕННЫЙ РЕЗИСТОР двигатель постоянного тока irfz44n ДРАЙВЕР mosfet Analog Devices, использующий bc547 zilog z8f ШАГОВЫЙ ДВИГАТЕЛЬ IRFZ44N ПРИМЕЧАНИЕ ПО ПРИМЕНЕНИЮ IRFZ44N Коды униполярных шаговых двигателей 12 в СИГМА-ДВИГАТЕЛЬ ШАГОВОГО УПРАВЛЕНИЯ
    1994 — IRF5905

    Аннотация: MOSFET IRF 9732 эквивалент транзистора irf510 IRF3710 эквивалент IRFz44n эквивалент IRF 9732 irf2807 эквивалент IRF3205 приложение HTGB IRD110
    Текст: нет текста в файле


    Оригинал
    PDF О-220 / Д2ПАК IRF5905 МОП-транзистор IRF 9732 транзисторный эквивалент irf510 Эквивалент IRF3710 Эквивалент IRFz44n IRF 9732 эквивалент irf2807 Приложение IRF3205 HTGB IRD110

    Z44n лист данных MOSFET — hypapophysis.bahia-mais.site

    Power MOSFET (Vdss = 55V, Rds (on) = mohm, Id = 49A), паспорт IRFZ44N.

    4. IRFZ44N представляет собой N-канальный полевой МОП-транзистор с высоким током стока 49 А и низким сопротивлением сопротивления мОм. Он также имеет низкое пороговое напряжение 4 В, при котором полевой МОП-транзистор начинает проводить. Распиновка, характеристики, эквиваленты и техническое описание полевого МОП-транзистора IRFZ44N. IRFZ44N Datasheet Power MOSFET (Vdss = 55V, Rds (on) = mohm, Id = 49A) — International Rectifier N-CHANNEL Power MOSFET, Suntac Electronic Corp.

    IRFZ44NL.N-канальный режим расширения Транзистор TrenchMOS, техническое описание IRFZ44N, схема IRFZ44N, техническое описание IRFZ44N: PHILIPS, все данные, техническое описание, сайт поиска технических данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников.

    IRFZ44N Transistor Datasheet, IRFZ44N Equivalent, PDF Data Sheets. МОП-транзистор. Параметры и характеристики. Каталог электронных компонентов. IRLZ44N Технический паспорт (PDF) SizeK _international_rectifier.

    PD — Силовой МОП-транзистор BIRLZ44NHEXFET с логическим уровнем затвораD Передовая технологическая технология VDSS = 55 В Динамическое значение dv / dt C Рабочая температура RDS (вкл.) = Быстрое переключениеG Полностью лавинный номинальный ID = 47AS Описание HEXFET-транзисторы пятого поколения от международных производителей.

    ISC N-канальный MOSFET-транзистор, техническое описание IRFZ44N, схема IRFZ44N, техническое описание IRFZ44N: ISC, все технические данные, техническое описание, сайт поиска технических данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников.

    Тип: n-канальный Напряжение пробоя сток-исток: 55 В Напряжение затвор-исток, макс .: ± 20 В; Сопротивление сток-исток в открытом состоянии, макс .: мОм. Непрерывный ток утечки: 41 А Общий заряд затвора: 42 нКл. Рассеиваемая мощность: 83 Вт. Упаковка: TOAB.· STABL предлагает модульные аккумуляторные инверторы / преобразователи, которые устраняют необходимость в высоковольтных аккумуляторных батареях. Модульный подход работает с более безопасными низковольтными аккумуляторными модулями и обеспечивает отказоустойчивость во избежание выхода из строя аккумуляторной батареи.

    Новый принцип преобразования снижает потери энергии до 70% и увеличивает полезную емкость батарей.

    Irfz44 Распиновка MOSFET. Распиновка IRFZ44N — Vdss = 55V, силовой полевой МОП-транзистор — IR

    Распиновка MOSFET

    Irfz44

    Джугрель 11.01.2021

    Устройство чрезвычайно универсально по своим характеристикам и, таким образом, становится идеальным для множества электронных приложений. Это устройство лучше всего подходит для коммутации постоянного тока большой мощности, например, в сильноточных источниках питания SMPS, схемах компактных ферритовых инверторов, схемах инверторов с железным сердечником, понижающих и повышающих преобразователях, усилителях мощности, регуляторах скорости двигателя, робототехнике и т. Д.

    Сток должен быть подключен к положительной клемме источника питания через нагрузку, которая должна управляться устройством.Если триггерный вход не является логическим источником, убедитесь, что затвор постоянно подключен к земле через резистор высокого номинала. Когда устройство используется для переключения индуктивных нагрузок, таких как трансформатор или двигатель, обратный диод обычно должен быть подключен к нагрузке, а катод диода подключен к положительной стороне нагрузки.

    Однако IRFN имеет встроенный лавинный защитный диод, поэтому обычно внешний диод может не требоваться; его можно включить, если вы хотите обеспечить дополнительную безопасность устройства.

    Если у вас есть какие-либо вопросы, связанные со схемой, вы можете взаимодействовать с ними через комментарии, я буду очень рад помочь! Ваш адрес электронной почты:. Я очень ценю ваши усилия, посвятившие свою жизнь тому, чтобы быть благословением для нас, ваших поколений. Сэр, не могли бы вы просветить меня, как построить циклоконвертер для понижения частоты переменного тока.

    Входное напряжение 15 В. Спасибо, сэр, пожалуйста, сколько ватт 33ампер равно, я предполагаю, что правильно?

    Эндрю, умножьте рейтинги Vds и Id МОП-транзистора, чтобы получить максимальную допустимую мощность МОП-транзистора, при условии, что его температура не может достигать 60 градусов Цельсия через соответствующий радиатор.Сэр, что-то не так с подключением двух или трех irf fet параллельно к инвертору, который должен работать от батареи 12v 36amp? Если да, предложите MOSFET и номер для параллельного подключения, так как мне нужен только ватт на выходе и 2, как я могу узнать трансформатор VA, просто физически глядя на него.

    Как написать письмо соседям по поводу забора

    Ваш электронный адрес не будет опубликован. Сообщите мне по электронной почте, если кто-нибудь ответит на мой комментарий. Вам также понравится: 1. Ваши комментарии слишком ценны! Но, пожалуйста, убедитесь, что они имеют отношение к указанной выше статье, а не не по теме!

    Сэр, пожалуйста, дайте мне диаметр схемы IRF для управления скоростью вентилятора постоянного тока 12 В.Выполните поиск на этом веб-сайте. Отменить ответ Ваш электронный адрес не будет опубликован.

    Мы используем файлы cookie, чтобы обеспечить максимальное удобство использования нашего веб-сайта.

    IRFZ44N MOSFET

    Если вы продолжите использовать этот сайт, мы будем считать, что он вам нравится. Хорошо Политика конфиденциальности. Однако слишком много информации может означать, что слишком много данных для сортировки. Если вы хотите построить низкочастотный переключатель, какую минимальную информацию вам нужно понять?

    Как оказалось, вам нужно всего несколько фрагментов данных из таблицы и посмотреть на пару кривых MOSFET, чтобы найти большую часть того, что вам нужно знать.Хотя, если вы заглянете в учебник, там, вероятно, написано, что «s» означает кремний. Слои кремния образуют типы с N-каналом и P-каналом, каждый из которых имеет три вывода: затвор, сток и исток.

    Коды вспышки печи Honeywell

    И, наконец, два общих функциональных типа — это «режим улучшения» и «режим истощения». Есть некоторые дополнительные детали, которые я замалчиваю.

    Такой высокий порог означает, что вам нужна схема драйвера при использовании с 3v3 или Встроенные контроллеры на 5 В, такие как Arduino, Raspberry Pi или Beaglebone.Обратите внимание, как это диапазон от 2. Не ошибитесь, предварительно облысев, инженер сделал много лет назад. Это значение не является рабочим диапазоном для Vgs. Этот диапазон говорит вам все, что выше 4. Существует даже больше объяснения порогового напряжения.

    Примечание. Многие люди, в том числе опытные инженеры, совершают ошибку, глядя на таблицу «Абсолютные максимальные рейтинги». Обычно он идет первым и похож на таблицу электрических характеристик. Значения в таблице абсолютных максимумов говорят об условиях, которые могут повредить компонент.Не работайте с этими значениями и не превышайте их! Другой важный параметр — сопротивление между стоком и истоком, или Rds-ON. Как и любое сопротивление, ток через него вызывает нагревание и падение напряжения.

    Если тепла достаточно, может потребоваться радиатор. Не упускайте из виду падение напряжения на стоке и истоке Vds из-за сопротивления. Но сколько сопротивления? Что ж, это было легко!

    Или было? Во-первых, позвольте мне обратиться к крошечной сумме. Кто-то однажды спросил меня: «Разве нет, это не так.Не только это, но и сопротивление от стока к истоку варьируется в различных условиях! В том числе приложенное напряжение от затвора к источнику Vgs. Итак, между Vgs и Rds-ON есть существенные отношения.

    Позже вы увидите, что ток через сток тоже имеет значение. Плохая новость в том, что, как и большинство инженерных вещей; это не простые отношения. Требуются графики, чтобы объяснить, что происходит, и увлеченный дизайнер, чтобы правильно их интерпретировать.

    Хорошая новость в том, что вам нужно посмотреть только два графика.Последние проекты Образование. JavaScript отключен. Для лучшего опыта, пожалуйста, включите JavaScript в вашем браузере, прежде чем продолжить. Автор этой темы zulkifli Дата начала 17 июн, Искать по форуму Новые сообщения. Автор этой темы zulkifli Зарегистрирован 5, 4 мая. Уважаемые все, я изо всех сил пытаюсь понять концепцию mosfet. Купите, глядя на таблицу, что на самом деле мы ищем для синхронизации с нашим дизайном.

    Как такое возможно. Прокрутите, чтобы продолжить содержимое. Audioguru присоединился к группе 20, 11 декабря. Исходный вывод вашего Mosfet — это выход для вашего светодиода.

    IRFZ44n datasheet — Распиновка МОП-транзистора Irfz44n n-канальный силовой транзистор

    Но его затвор должен быть на 10 В выше источника, чтобы он мог полностью включиться. Для Mosfet логического уровня требуется 4. AdrianN присоединился 27 апреля. Посмотрите на ток стока в зависимости от вертикальной линии на 8. Добавьте к этому напряжению падение напряжения на светодиоде, и вы получите минимальный уровень затвора, чтобы светодиод для работы.

    При мА транзистору требуется напряжение затвор-исток 8 В. Вот почему Аудиогуру сказал в своем ответе, что вам нужно около 10 В импульсов на затворе транзистора.Эти импульсы относятся к земле. Сделайте свой расчет на основе характеристик светодиодов. Последний раз редактировалось: 17 июня, он получил «Источник и сток». Я потратил 30 минут, пытаясь понять, почему это не сработает.

    Перейдите к 2 минутам 12 секундам, чтобы увидеть его принципиальную схему, это сбивает с толку, я предпочитаю, чтобы ворота включались Drain Обеспечить питание для источника Источник обеспечить питание для приложения Каков правильный способ?

    SgtWookie Присоединился 17 июля 22 г. Он контролирует ворота с помощью 5v, и это то, с чем у меня проблема.Для полного включения IRF необходимо 10 В.

    В остальном все нормально. За исключением того, что IRF не подходил бы для автомобильной фары. Я должен добавить здесь, что это не идеальный способ управления светодиодом. Ток через светодиод регулируется либо амплитудой импульсов, либо их скважностью. Небольшие изменения в затворе могут вызвать большие колебания тока светодиода, и вы можете превысить его максимально допустимый ток.

    Вам нужен источник тока. Транзистор должен быть в цепи отрицательной обратной связи, чтобы им было легко управлять с помощью генератора напряжения.Mosfet не нуждается в отрицательной обратной связи, так как он используется как выключатель. Токоограничивающий резистор, включенный последовательно со светодиодом, создает для него источник тока.

    Схема, показанная на видео, верна, за исключением того, что напряжение затвора должно быть от 0 до 10 В. Учебник по Mosfet. Если есть резистор, включенный последовательно со светодиодом, да, он работает, поэтому он обычно используется с микроконтроллерами для управления напряжением 5 В.

    Кроме того, он также имеет низкое значение Rds, что помогает повысить эффективность коммутационных цепей.Если МОП-транзистор должен управляться напрямую от микроконтроллера, такого как Arduino, попробуйте версию МОП-транзистора IRLZ44N с логическим уровнем. То есть их можно включить или выключить, подав необходимое пороговое напряжение затвора VGS. Когда подается напряжение затвора, эти контакты закрываются. Если требуется переключение с помощью Arduino, тогда простая схема управления с использованием транзистора будет работать, чтобы обеспечить необходимое напряжение затвора для полного открытия полевого МОП-транзистора.

    Тогда он не откроется полностью, и максимальный ток стока будет зависеть от напряжения, приложенного к контакту затвора.График ниже показывает, какой ток стока разрешен для порогового напряжения затвора от 4 В до 10 В. Если оно где-то около 5 В, то ток стока ограничен до 20 А и так далее. Если вы разрабатываете печатную плату или плату Perf с этим компонентом, то следующий рисунок из таблицы данных будет полезен, чтобы узнать тип и размеры его корпуса. Подпишитесь, чтобы быть в курсе последних компонентов и новостей отрасли электроники.

    Обычно используется с Arduino из-за низкого порогового тока.Спецификация компонентов. Получите нашу еженедельную рассылку! Корпуса Armor IPX имеют прочную тандемную конструкцию со сквозными отверстиями, которая упрощает установку. Высокая эффективность 2.

    IRFZ44 49A 55V N MOSFET-транзистор силы канала первоначально IC

    2. Соединители серии SMP. Разъемы серии SMP обычно используются в миниатюрных высокочастотных коаксиальных модулях.

    Программа для американской визы в Интернет

    EZ Connectors. Соединители EZ имеют оплетку без обрезки, что устраняет трудоемкий этап и сокращает FOD.Его можно использовать как для коммутации, так и для усиления. При использовании в качестве переключателя он может управлять нагрузкой в ​​мА. Он способен выполнять быстрое переключение и способен переключать нагрузку примерно за 7 наносекунд, благодаря чему его можно использовать в высокоскоростных цепях. Он также может хорошо работать при низком напряжении, благодаря чему является идеальным MOSFET для использования в портативных устройствах и устройствах с батарейным питанием.

    Кроме этого, его также можно использовать в качестве усилителя, и вы можете использовать его в схемах аудиоусилителя, а также для любых требований к усилению сигнала общего назначения.BS может использоваться для любых целей переключения и усиления общего назначения, его можно использовать в качестве переключателя для управления нагрузками ниже мА, что является достаточным током стока для управления большинством реле, ламп, светодиодов и т. Д. Кроме того, он также может использоваться в вывод микроконтроллеров и платформ, таких как arduino и raspberry pi, для управления нагрузками.

    С другой стороны, его также можно использовать в качестве аудиоусилителя, в каскадах аудиоусилителей, для усиления сигнала низкого уровня и т. Д. 8 августа, 17 июня, 15 июня, Ваш адрес электронной почты не будет опубликован.

    Сохраните мое имя, адрес электронной почты и веб-сайт в этом браузере, чтобы в следующий раз я оставил комментарий.

    Оставить комментарий Отменить ответ Ваш электронный адрес не будет опубликован. Найдите компонент. Мы используем файлы cookie, чтобы обеспечить максимальное удобство использования нашего веб-сайта.

    Csgo 4_3 разрешения

    Если вы продолжите использовать этот сайт, мы будем считать, что он вам нравится. Ok Политика конфиденциальности BC, 2N, IRFZ44 Конфигурация выводов этих транзисторов может отличаться от 2N, поэтому проверьте их конфигурацию перед заменой в вашей схеме.Кроме того, он также может обеспечить хорошую производительность при использовании в качестве усилителя, поэтому вы можете использовать его для аудио и других целей усиления сигнала.

    Для затвора требуется небольшое напряжение для управления током через сток к источнику. Но следует иметь в виду одну важную вещь, что проводимость BJT контролируется входным током, подаваемым на их базу, а проводимость MOSFET контролируется напряжением, приложенным к их затвору. Не используйте нагрузку более мА. 7 июля, 21 июня, 9 сентября Ваш электронный адрес не будет опубликован.

    Mindaa muudamtoota siyaasa

    Сохраните мое имя, адрес электронной почты и веб-сайт в этом браузере, чтобы в следующий раз я оставил комментарий. Оставить комментарий Отменить ответ Ваш электронный адрес не будет опубликован. Найдите компонент. Мы используем файлы cookie, чтобы обеспечить максимальное удобство использования нашего веб-сайта. Если вы продолжите использовать этот сайт, мы будем считать, что он вам нравится. Хорошо, Политика конфиденциальности. Центральный контакт — сток, левый контакт — вентиль, правый контакт — исток, а металлический язычок — сток.

    Он может управлять вентилятором постоянного тока без необходимости в реле.Его также можно использовать в схеме h-моста для создания контроллера двигателя для проектов Arduino. Его можно использовать как драйвер светодиода; однако это было бы излишним, потому что этот транзистор способен выдавать 49 ампер!

    Тем не менее, IRFZ44N широко и легко доступен во многих магазинах электроники, в том числе в оптовых магазинах eBay. Нагрузкой может быть практически любая нагрузка, от автомобильных фар до управления вентилятором. Сначала маркировка полевого МОП-транзистора может сбить с толку новичков, поскольку исток подключается к земле, а сток — к положительной шине питания.

    Однако все это имеет смысл, если вы понимаете, что это поток электронов. Электроны отрицательны и перемещаются от отрицательного рельса к положительному. Многие студенты GCSE склонны ошибаться в этом. МОП-транзистор — это устройство, управляемое напряжением, что означает, что затвор требует положительного напряжения для его проведения и включения.

    Напряжение создает электрическое поле, которое увеличивает количество носителей заряда. При подаче напряжения заряд остается на переходе в течение длительного времени, поддерживая транзистор в проводящем состоянии.Чтобы этого не произошло, между затвором и истоком необходим понижающий резистор, который разряжает любой остаточный заряд.

    Эти транзисторы относительно недороги и обычно продаются в Farnell и eBay.

    alexxlab

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован.