IRFZ44N to-263 | Полевые транзисторы
Транзистор IRFZ44N (IRFZ44, IRFZ44NS)
IRFZ44N мощный полевой трензистор, имеет низкую емкость затвора, напряжение открытия. Используется в промышленной, бытовой аппаратуре и конструкциях Arduino.
Параметры и характеристики
- Напряжение сток-исток Uси (max): 60В
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max): 50А
- Напряжение затвор-исток Uзи (max): ±20В
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси: 28 мОм
- Рассеиваемая мощность Pси (max): 110Вт
- Крутизна характеристики : 15S
- Пороговое напряжение на затворе: 4В
- Корпус: TO-263
Особенности
- Advanced Process Technology
- Ultra Low On-Resistance
- Dynamic dv/dt Rating
- 175°C Operating Temperature
- Fast Switching
- Fully Avalanche Rated
| Код товара : | M-156-11114 |
|---|---|
| Обновление: | 2022-08-07 |
| Тип корпуса : | TO-263 |
Дополнительная информация:
Обратите внимание, что транзисторы одной марки могут иметь различный тип корпуса (исполнение), поэтому смотрите картинку и параметры корпуса.
На нашем сайте опубликованы только основные параметры и характеристики. Полная информация о том как проверить IRFZ44N to-263, чем его заменить, схема включения, отечественный аналог, цоколевка, полный Datasheet и другие данные по этому транзистору, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс и тд.
В магазине указаны розничные цены. Для оптовиков, мы готовы предложить оптовые цены (скидки), в этом случае, присылайте ваш запрос на наш емайл, мы отправим вам коммерческое предложение.
На нашем сайте опубликованы только основные параметры и характеристики. Полная информация о том как проверить IRFZ44N to-263, чем его заменить, схема включения, отечественный аналог, цоколевка, полный Datasheet и другие данные по этому транзистору, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс и тд.*** тэги, это текстовые метки, которые формируют сами посетители, для быстрого поиска требуемых компонентов, радиотоваров, инструментов, и тд. Например, добавив метку «ремонт», этот товар будет отображаться в результатах поиска по этому слову. В дальнейшем, достаточно будет нажать на ссылку для вывода списка товаров с этой меткой.
Что еще купить вместе с IRFZ44N to-263 ?
Огромное количество электронных компонентов и технической информации на сайте Dalincom, может затруднить Вам поиск и выбор требуемых дополнительных радиотоваров, радиодеталей, инструментов и тд.
Следующую информационную таблицу мы подготовили для Вас, на основании выбора других наших покупателей.
| Код | Наименование | Краткое описание | Розн. цена |
** более подробную информацию (фото, описание, маркировку, параметры, технические характеристики, и тд.) вы сможете найти перейдя по ссылке описания товара | |||
| 11114 | IRFZ44N to-263 | Транзисторы IRFZ44N (IRFZ44, IRFZ44NS) — Power MOSFET, N-Channel, 55V, 41A, TO-263 | 37 pyб. |
| 10245 | CL6201 | Микросхема CL6201 (маркировка 7001) — LED Driver IC, SOT-23-6 | 25 pyб. |
| 6775 | Отсек для двух аккумуляторов 18650 | Отсек для двух батареек (Li-ion аккумулятора) формата 18650 (ICR18650) | 43 pyб. |
| 5527 | SRD-24VDC-SL-C | Реле электромагнитное SRD-24VDC-SL-C (24В, 10A 250VAC, 1 группа на переключение, размеры 19.2X15.5X15.2mm) | 43 pyб. |
| 8798 | MF58-103F-3950 (10K) | NTC термистор MF58-103F-3950, номинал 10 кОм | 3 pyб. |
| 4478 | Разъем DC-015 2.0mm | Разъем DC-015 2.0mm (диаметр внутреннего отверстия 5,5мм, толщина внутреннего контакта 2,0mm) | 7.5 pyб. |
| 8799 | MF58-104F-3950 (100K) | NTC термисторы MF58-104F-3950, номинал 100 кОм | 3 pyб. |
| 2043 | IRFZ44N to-220 | Транзисторы IRFZ44 (IRFZ44N, IRFZ44NPBF) — Power MOSFET, N-Channel, 55V, 41A, TO-220 | 32 pyб. |
| 1429 | 2SD669A | Транзистор 2SD669 (2SD669AC, 2SD669A) — Silicon NPN Epitaxial Transistor, 2A, 160V, TO-126 | 11 pyб. |
| 1770 | LM324N dip-14 | Микросхема LM324N — Low power quad operational amplifiers, DIP-14 | 11 pyб. |
Аналоги для IRFZ44N / Infineon
| Исходное наименование | i | Упаковка | Корпус | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFZ44N (INFIN)
| в линейках 50 шт | TO-220-3 | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | ||||||||||||||||
| Полностью совместимая по корпусу, выводам и основным параметрам замена | |||||||||||||||||||
| IRFZ44PBF (VISH/IR)
| P= | в линейках 50 шт | TO-220-3 | ||||||||||||||||
| Совместимая по корпусу и выводам, но с отличиями по параметрам замена | |||||||||||||||||||
| HRFZ44N (ONS-FAIR)
| P- | — | Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 55V, 0. | ||||||||||||||||
| Аналогичная по основным параметрам, но без гарантии совместимости по корпусу или выводам замена | |||||||||||||||||||
| WMO80N06T1 (WAYON)
| A+ |
| в ленте 2500 шт | ||||||||||||||||
| STD60NF06T4 (ST)
| A+ | в ленте 2500 шт | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0. 016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | ||||||||||||||||
| STP55NF06 (ST)
| A+ | в линейках 50 шт | |||||||||||||||||
| STP65NF06 (ST)
| A+ | в линейках 50 шт | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0. 014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | ||||||||||||||||
| WMK80N06T1 (WAYON)
| A+ | в линейках 1000 шт | TO-220-3 | ||||||||||||||||
| STP75NF75 (ST)
| A+ | в линейках 50 шт | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0. 011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | ||||||||||||||||
| WMO076N06LG2 (WAYON)
| A+ |
| в ленте 2500 шт | ||||||||||||||||
| WMQ060N06LG2 (WAYON)
| A+ |
| 1 шт | ||||||||||||||||
| WMQ098N06LG2 (WAYON)
| A+ |
| 3000 шт | ||||||||||||||||
| AUIRF2807 (INFIN)
| A+ |
| в линейках 50 шт | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0. 013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | |||||||||||||||
| CSD18537NQ5A (TI)
| A+ |
| в ленте 2500 шт | DFN-8 TDFN8 | 60-V N-Channel NexFET Power MOSFET | ||||||||||||||
| WMO060N06LG2 (WAYON)
| A+ |
| в ленте 2500 шт | ||||||||||||||||
| IRFZ44NSPBF (INFIN)
| A+ | в линейках 50 шт | TO-263-3 D2PAK | ||||||||||||||||
| IRFZ44NSTRLPBF (INFIN)
| A+ |
| в ленте 800 шт | ||||||||||||||||
| IRFI1010NPBF (INFIN)
| A+ |
| в линейках 50 шт | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel | |||||||||||||||
| STB140NF55T4 (ST)
| A+ | 1000 шт | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0. 008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | ||||||||||||||||
| STI76NF75 (ST)
| A+ |
| TO-262-3 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | |||||||||||||||
| STD60NF55LT4 (ST)
| A+ | 2500 шт | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 55V, 0. 017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | ||||||||||||||||
| STD80N6F6 (ST)
| A+ |
| 2500 шт | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | |||||||||||||||
| STD70N6F3 (ST)
| A+ | — | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 60V, 0. 0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | ||||||||||||||||
| STD65N55F3 (ST)
| A+ | 2500 шт | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | ||||||||||||||||
| STD60N55F3 (ST)
| A+ | 2500 шт | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0. 0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | ||||||||||||||||
| STD45NF75T4 (ST)
| A+ | 2500 шт | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 75V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | ||||||||||||||||
| STP55NF06FP (ST)
| A+ | в линейках 50 шт | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0. 018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | ||||||||||||||||
| Близкий по наименованию товар | |||||||||||||||||||
| IRFZ44N (HOTTECH)
IRFZ44N (INFIN) | SN |
| — | ||||||||||||||||
| IRFZ44NPBF-VB (VBSEMI)
| SN |
| — | ||||||||||||||||
| IRFZ44NS (YOUTAI)
IRFZ44NS (INFIN) | SN |
| — | ||||||||||||||||
| IRFZ44NS-VB (VBSEMI)
| SN |
| — | ||||||||||||||||
IRFZ44N Спецификация: N-канальный МОП-транзистор для переключения мощных устройств
IRFZ44N МОП-транзистор серии IR
Без сомнения, транзисторы являются одним из основных активных электронных компонентов.
Хотя на рынке существует бесчисленное множество транзисторов, в основном их всего два типа. У многих инженеров есть предпочтительный тип ; однако между биполярными транзисторами и полевыми транзисторами есть заметные различия.
Основное различие между BJT и FET заключается в том, как они управляются или включаются и выключаются. BJT управляются током, как и их предшественники, электронные лампы, а FET управляются путем подачи напряжения на затвор. BJT также обычно больше и имеют более высокий коэффициент усиления, чем FET. И хотя биполярные транзисторы дешевле, чем полевые транзисторы, они применяются реже.
Среди полевых транзисторов, которые включают полевые транзисторы с переходом (JFET) и полевые транзисторы на основе оксида металла (MOSFETS), MOSFET считаются лучшими для многих приложений. Это связано с их высоким входным сопротивлением и высоким сопротивлением стока. Infineon Technologies является известным производителем этих устройств, таких как IRLZ44N и IRFZ44N, которые подпадают под серию IR MOSFET.
Для наилучшего использования последнего необходимо использовать техническое описание IRFZ44N и легкодоступные проектные данные САПР.
Особенности и применение полевых МОП-транзисторов серии IR
Полевые МОП-транзисторы серии IR компании Infineon характеризуются следующими особенностями:
В частности, IRFZ44NPbF имеет следующие атрибуты:
- Быстрое переключение
- Рассчитан на полную лавину
- Низкое рабочее сопротивление
- Диапазон температур до 175 °C
- Бессвинцовый
Этот усилитель высокой мощности обычно используется в таких различных приложениях, как выключатели нагрузки, системы освещения, импульсные источники питания, инверторы и двигатели постоянного тока.
Важные технические характеристики представлены ниже.
Функциональность и работа IRFZ44N MOSFET
IRFZ44N присутствует на рынке уже несколько десятилетий. Это связано с его благоприятными параметрами устройства, которые указаны в техническом описании IRFZ44N и показаны ниже.
Атрибуты и параметры
Абсолютные максимальные номинальные значения для IRFZ44N
Ниже приведены электрические характеристики для использования в окружающей среде.
IRFZ44N электрические характеристики
IRFZ44N Эксплуатационные характеристики
Как показано в техническом описании IRFZ44N, выходная характеристика усилителя остается постоянной в широком диапазоне токов.
Влияние температуры на работу IRFZ44N
Для защиты устройства и обеспечения безопасной работы необходимо соблюдать указанные ниже ограничения.
Безопасный рабочий диапазон IRFZ44N
Оптимальная конструкция с использованием листа технических данных IRFZ44N
Использование IRFZ44N дает несколько преимуществ, о чем свидетельствует его долговечность и использование.
Однако для наилучшего проектирования техническое описание IRFZ44N должно сопровождаться надежными и точными чертежами САПР, как показано ниже, а также информацией о моделировании и тестировании, доступной в онлайн-библиотеке UL.
CAD-модели и проектная поддержка для выпрямителя IRFZ44N
Если вам нужны CAD-модели и/или проектные данные для общих компонентов, таких как техническое описание IRFZ44N, Ultra Librarian поможет, собрав всю исходную и CAD-информацию в одном место. Работа с Ultra Librarian настроит вашу команду на успех, обеспечив оптимизированное и безошибочное проектирование, производство и поиск поставщиков. Зарегистрируйтесь сегодня бесплатно .
mosfet — Почему IRFZ44N полностью включается при разрядке аккумулятора, а IRFZ46N — нет?
\$\начало группы\$
Некоторое время назад я сделал простой тестер NiMH аккумуляторов AA, управляемый микроконтроллером, и он отлично работает.
На схеме ниже показана его разрядная цепь для одного элемента NiMH AA.
Q3 — МОП-транзистор IRFZ44N. Сигналы с по АЦП 1 и с по АЦП 2 используются микроконтроллером для измерения напряжения батареи и МОП-транзистора соответственно, в то время как от MCU — это сигнал 5 В, который включает и выключает полевой МОП-транзистор для управления разрядом элемента через R8.
Тестер независимо разряжает две ячейки (таким образом, он имеет два независимых экземпляра вышеуказанной схемы).
Короче говоря, сегодня я заменил один из IRFZ44N на IRF46N, и соответствующая разрядная цепь перестала работать . Я проверил IRFZ46N с помощью цифрового мультиметра и убедился, что он не включается с сигналом MCU 5 В: 1,2 В от батареи появляются между истоком и стоком.
Потом проверил оригинальный IRFZ44N на другом разрядном контуре (на той же плате) и он полностью включается. Его напряжение стока к источнику составляет около 15 мВ во включенном состоянии, а остальная часть напряжения батареи подключена к резистору R8, как и предполагалось.
Что мне кажется странным, так это то, что эти МОП-транзисторы почти идентичны, Z46 лишь немного мощнее, чем Z44 (максимальный ток 56 А у первого против 49 А у второго).
Я знаю, что, вероятно, использую неправильные МОП-транзисторы. Они оба имеют пороговое напряжение от 2 до 4 В (Vgs-th), поэтому они, вероятно, полностью включаются при напряжении выше 5 В (возможно, 9 В).или 10В?). Я должен был выбрать один с 1V Vgs-th, но теперь мне любопытно: , почему Z44N полностью включается, а Z46N — нет?
- мосфет
- разрядка
\$\конечная группа\$
2
\$\начало группы\$
Вы не должны были измерять напряжение батареи на воротах.
В техническом описании irfz46N указано:
VGS(th) Пороговое напряжение затвора 2,0 ––– 4,0 В VDS = VGS, ID = 250 мкА
1,2 В на этом устройстве мало что даст.
