характеристики datasheet на русском, аналоги, параметры, схема, распиновка и схема включения, аналог
Аналоги транзистора IRFZ44N
Маркировка | Pol | Struct | Pd | Uds | Ugs | Ugs(th) | Id | Tj | Qg | Tr | Cd | Rds | Caps |
2SK1542 | N | MOSFET | 125 | 60 | 20 | 45 | 150 | 20 | 1500 | 0.02 | TO220AB | ||
2SK3270-01 | N | MOSFET | 135 | 60 | 30 | 80 | 150 | 0.0065 | TO220AB | ||||
2SK3435 | N | MOSFET | 84 | 60 | 20 | 80 | 150 | 60 | 1200 | 0. 014 | TO220AB | ||
AM90N06-15P | N | MOSFET | 300 | 60 | 20 | 1 | 90 | 175 | 49 | 10 | 290 | 0.0105 | TO220AB |
AM90N06-16P | N | MOSFET | 300 | 60 | 20 | 1 | 90 | 175 | 21 | 17 | 184 | 0.0165 | TO220AB |
AM90N08-08P | N | MOSFET | 300 | 80 | 20 | 1 | 90 | 175 | 58 | 45 | 449 | 0.011 | TO220AB |
AM90N10-14P | N | MOSFET | 300 | 20 | 1 | 90 | 175 | 60 | 49 | 392 | 0.016 | TO220AB | |
AM90N10-23P | N | MOSFET | 300 | 100 | 20 | 1 | 110 | 175 | 30 | 9 | 0.023 | TO220AB | |
AUIRF1010EZ | N | MOSFET | 140 | 60 | 20 | 84 | 58 | 0. 0085 | TO220AB | ||||
AUIRF1018E | N | MOSFET | 110 | 60 | 20 | 4 | 79 | 175 | 46 | 0.0084 | TO220AB | ||
AUIRFB3607 | N | MOSFET | 140 | 75 | 80 | 56 | 0.009 | TO220AB | |||||
AUIRFZ48N | N | MOSFET | 94 | 55 | 20 | 4 | 64 | 175 | 42 | 0.014 | TO220AB | ||
AUIRFZ48Z | N | MOSFET | 91 | 55 | 20 | 4 | 61 | 175 | 43 | 0.011 | TO220AB | ||
AUIRL3705Z | N | MOSFET | 130 | 55 | 16 | 3 | 86 | 175 | 40 | 0.008 | TO220AB | ||
BUK7506-55A | N | MOSFET | 300 | 55 | 20 | 4 | 75 | 175 | 0. 0063 | TO220AB | |||
BUK7507-55B | N | MOSFET | 203 | 55 | 20 | 4 | 75 | 175 | 53 | 0.0071 | TO220AB | ||
BUK7509-55A | N | MOSFET | 211 | 55 | 20 | 4 | 75 | 175 | 62 | 0.009 | TO220AB | ||
BUK7509-75A | N | MOSFET | 230 | 75 | 20 | 4 | 75 | 175 | 0.009 | TO220AB | |||
BUK7511-55A | N | MOSFET | 166 | 55 | 20 | 4 | 75 | 175 | 0.011 | TO220AB | |||
BUK7511-55B | N | MOSFET | 157 | 55 | 20 | 4 | 75 | 175 | 37 | 0.011 | TO220AB | ||
BUK7513-75B | N | MOSFET | 157 | 75 | 75 | 40 | 0. 013 | TO220AB | |||||
BUK7514-55A | N | MOSFET | 166 | 55 | 20 | 4 | 73 | 175 | 0.014 | TO220AB | |||
BUK7515-100A | N | MOSFET | 300 | 100 | 20 | 4 | 75 | 175 | 0.015 | TO220AB | |||
BUK7516-55A | N | MOSFET | 138 | 55 | 20 | 4 | 65.7 | 175 | 0.016 | ||||
BUK7520-100A | N | MOSFET | 200 | 100 | 20 | 4 | 63 | 175 | 0.02 | TO220AB | |||
BUK7520-55A | N | MOSFET | 118 | 55 | 20 | 4 | 54 | 175 | 0.02 | TO220AB | |||
BUK7523-75A | N | MOSFET | 138 | 75 | 20 | 4 | 53 | 175 | 0. 023 | TO220AB | |||
BUK9506-55B | N | 258 | 55 | 15 | 2 | 75 | 175 | 60 | 0.0054 | TO220AB | |||
BUK9508-55B | N | MOSFET | 203 | 55 | 15 | 2 | 75 | 175 | 45 | 0.007 | TO220AB | ||
BUK9509-75A | N | MOSFET | 230 | 75 | 10 | 2 | 75 | 175 | 0.0085 | TO220AB | |||
BUK9511-55A | N | MOSFET | 166 | 55 | 10 | 2 | 75 | 175 | 0.01 | TO220AB | |||
BUK9512-55B | N | MOSFET | 157 | 55 | 15 | 2 | 75 | 175 | 31 | 0.01 | TO220AB | ||
BUK9514-55A | N | MOSFET | 149 | 55 | 10 | 2 | 73 | 175 | 0. 013 | TO220AB | |||
BUK9515-100A | N | MOSFET | 230 | 100 | 10 | 2 | 75 | 175 | 0.0144 | TO220AB | |||
BUK9516-55A | N | 138 | 55 | 10 | 2 | 66 | 175 | 0.015 | TO220AB | ||||
BUK9516-75B | N | MOSFET | 157 | 75 | 15 | 2 | 67 | 175 | 35 | 0.014 | TO220AB | ||
BUK9518-55A | N | MOSFET | 136 | 55 | 15 | 2 | 61 | 175 | 0.016 | TO220AB | |||
BUK9520-100A | N | MOSFET | 200 | 100 | 10 | 2 | 63 | 175 | 0.019 | TO220AB | |||
BUK9520-100B | N | MOSFET | 203 | 100 | 15 | 2 | 63 | 175 | 53. 4 | 0.0185 | TO220AB | ||
BUK9520-55A | N | MOSFET | 118 | 55 | 10 | 2 | 54 | 175 | 0.018 | TO220AB | |||
BUK9523-75A | N | MOSFET | 138 | 75 | 10 | 2 | 53 | 175 | 0.022 | TO220AB | |||
BUK9524-55A | N | MOSFET | 105 | 55 | 10 | 2 | 46 | 175 | 0.0217 | TO220AB | |||
CS3205_A8 | N | MOSFET | 230 | 60 | 20 | 120 | 175 | 82 | 750 | 0.008 | TO220AB | ||
CS3205_B8 | N | MOSFET | 230 | 55 | 20 | 110 | 175 | 51 | 903 | 0.0085 | TO220AB | ||
CS3710_B8 | N | MOSFET | 200 | 100 | 20 | 57 | 175 | 30 | 620 | 0. 023 | TO220AB | ||
CS4145 | N | MOSFET | 200 | 60 | 20 | 84 | 175 | 75 | 375 | 0.01 | TO220AB | ||
CS75N75_B8H | N | MOSFET | 230 | 75 | 20 | 100 | 175 | 57 | 720 | 0.0115 | TO220AB | ||
CSZ44V-1 | N | MOSFET | 150 | 60 | 20 | 55 | 175 | 27 | 280 | 0.01 | TO220AB | ||
FDP10AN06A0 | N | MOSFET | 135 | 60 | 20 | 4 | 75 | 175 | 128 | 340 | 0.0105 | TO220AB | |
FDP13AN06A0 | N | MOSFET | 115 | 60 | 20 | 4 | 62 | 175 | 96 | 260 | 0.0135 | TO220AB | |
FDP14AN06LA0 | N | MOSFET | 125 | 60 | 20 | 3 | 67 | 175 | 169 | 270 | 0. 0116 | TO220AB | |
FDP20AN06A0 | N | MOSFET | 90 | 60 | 20 | 4 | 45 | 175 | 98 | 185 | 0.02 | TO220AB | |
FDP5500 | N | MOSFET | 375 | 55 | 20 | 4 | 80 | 175 | 34 | 1310 | 0.007 | TO220AB | |
HUF76432P3 | N | MOSFET | 130 | 60 | 16 | 3 | 56 | 175 | 53 | 0.021 | TO220AB | ||
HUF76437P3 | N | MOSFET | 155 | 60 | 16 | 64 | 175 | 0.017 | TO220AB | ||||
HY110N06T | N | MOSFET | 125 | 55 | 20 | 3 | 110 | 175 | 12.июн | 385 | 0.0055 | TO220AB | |
HY75N075T | N | MOSFET | 83. 3 | 75 | 20 | 4 | 75 | 175 | 19.фев | 650 | 0.009 | TO220AB | |
HY80N075T | N | MOSFET | 125 | 75 | 20 | 4 | 80 | 175 | 18.фев | 420 | 0.008 | TO220AB | |
HY80N07T | N | MOSFET | 96.7 | 65 | 20 | 4 | 80 | 175 | 22.июн | 660 | 0.0072 | TO220AB | |
IRF1010EZ | N | MOSFET | 140 | 60 | 20 | 4 | 84 | 175 | 58 | 0.0085 | TO220AB | ||
IRF1018E | N | MOSFET | 110 | 60 | 20 | 79 | 46 | 0.0084 | TO220AB | ||||
IRF4410A | N | MOSFET | 230 | 100 | 20 | 4 | 97 | 175 | 52 | 430 | 0. 009 | TO220AB | |
IRFB3607 | N | MOSFET | 140 | 75 | 20 | 80 | 56 | 0.009 | TO220AB | ||||
IRFB3607G | N | MOSFET | 140 | 75 | 20 | 80 | 56 | 0.009 | TO220AB | ||||
IRFB3607GPBF | N | MOSFET | 140 | 75 | 20 | 4 | 80 | 175 | 56 | 110 | 280 | 0.009 | TO220AB |
IRFB3607PBF | N | MOSFET | 140 | 75 | 20 | 4 | 80 | 175 | 56 | 110 | 280 | 0.009 | TO220AB |
IRFB4510PBF | N | MOSFET | 140 | 100 | 20 | 4 | 62 | 175 | 58 | 32 | 220 | 0.0135 | TO220AB |
IRFB7545 | N | MOSFET | 125 | 60 | 20 | 03. июл | 95 | 175 | 72 | 370 | 0.0059 | TO220AB | |
IRFB7546 | N | MOSFET | 99 | 60 | 20 | 03.июл | 75 | 175 | 51 | 280 | 0.0073 | TO220AB | |
IRFB7740 | N | MOSFET | 143 | 75 | 20 | 03.июл | 87 | 175 | 60 | 370 | 0.0073 | TO220AB | |
IRFB7746 | N | MOSFET | 99 | 75 | 20 | 03.июл | 59 | 175 | 36 | 255 | 0.0106 | TO220AB | |
IRFB7787 | N | MOSFET | 125 | 75 | 20 | 03.июл | 76 | 175 | 48 | 330 | 0.0084 | TO220AB | |
IRFZ44E | N | MOSFET | 110 | 60 | 10 | 4 | 48 | 150 | 40 | 0. 023 | TO220AB | ||
IRFZ44N | N | MOSFET | 83 | 55 | 10 | 4 | 41 | 150 | 62 | 0.024 | TO220AB | ||
IRFZ44V | N | MOSFET | 115 | 60 | 20 | 55 | 44.7 | 0.0165 | TO220AB | ||||
IRFZ44VZ | N | MOSFET | 92 | 60 | 20 | 4 | 57 | 175 | 43 | 0.012 | TO220AB | ||
IRFZ46N | N | MOSFET | 88 | 55 | 10 | 46 | 150 | 48 | 0.02 | TO220AB | |||
IRFZ48N | N | MOSFET | 94 | 55 | 10 | 53 | 150 | 54 | 0.016 | TO220AB | |||
IRFZ48Z | N | MOSFET | 91 | 55 | 20 | 4 | 61 | 175 | 43 | 0. 011 | TO220AB | ||
IRL3705Z | N | MOSFET | 130 | 55 | 16 | 3 | 86 | 175 | 40 | 0.008 | TO220AB | ||
IRL3705ZPBF | N | MOSFET | 130 | 55 | 16 | 3 | 75 | 175 | 240 | 420 | 0.008 | TO220AB | |
IRLZ44N | N | MOSFET | 83 | 55 | 41 | 150 | 32 | 0.022 | TO220AB | ||||
IRLZ44NPBF | N | MOSFET | 110 | 55 | 16 | 2 | 47 | 175 | 84 | 400 | 0.022 | TO220AB | |
KF50N06P | N | MOSFET | 96 | 60 | 20 | 50 | 150 | 100 | 405 | 0.0142 | TO220AB | ||
KF60N06P | N | MOSFET | 113 | 60 | 20 | 60 | 150 | 75 | 490 | 0. 0115 | TO220AB | ||
KF70N06P | N | MOSFET | 125 | 60 | 20 | 70 | 150 | 110 | 543 | 0.01 | TO220AB | ||
KF80N08P | N | MOSFET | 230 | 75 | 20 | 80 | 175 | 228 | 840 | 0.0085 | TO220AB | ||
KMB050N60P | N | MOSFET | 120 | 60 | 20 | 50 | 175 | 100 | 460 | 0.018 | TO220AB | ||
KMB050N60PA | N | MOSFET | 120 | 60 | 25 | 50 | 175 | 100 | 70 | 0.016 | TO220AB | ||
KMB060N60PA | N | MOSFET | 150 | 60 | 25 | 60 | 175 | 220 | 360 | 0.0115 | TO220AB | ||
KMB080N75PA | N | MOSFET | 300 | 75 | 25 | 80 | 175 | 25 | 730 | 0. 01 | TO220AB | ||
KU034N08P | N | MOSFET | 192 | 75 | 20 | 170 | 150 | 250 | 1150 | 0.003 | TO220AB | ||
KU045N10P | N | MOSFET | 192 | 100 | 20 | 150 | 150 | 240 | 1000 | 0.0039 | TO220AB | ||
MTE010N10E3 | N | MOSFET | 150 | 100 | 20 | 70 | 175 | 48 | 12 | 250 | 0.0096 | TO220AB | |
MTN1308E3 | N | MOSFET | 230 | 75 | 30 | 80 | 175 | 42 | 200 | 340 | 0.0105 | TO220AB | |
MTN2510E3 | N | MOSFET | 155 | 100 | 30 | 50 | 175 | 67 | 236 | 0.017 | TO220AB | ||
MTN2510LE3 | N | MOSFET | 155 | 100 | 20 | 50 | 175 | 45 | 200 | 224 | 0. 022 | TO220AB | |
MTN3205E3 | N | MOSFET | 200 | 55 | 20 | 128 | 175 | 116 | 580 | 0.0039 | TO220AB | ||
MTN50N06E3 | N | MOSFET | 120 | 60 | 20 | 50 | 175 | 58 | 364 | 0.019 | TO220AB | ||
PHP110NQ06LT | N | MOSFET | 200 | 55 | 15 | 2 | 75 | 175 | 123 | 520 | 0.007 | TO220AB | |
PHP110NQ08LT | N | MOSFET | 230 | 75 | 20 | 2 | 75 | 175 | 185 | 905 | 0.0085 | TO220AB | |
PHP110NQ08T | N | MOSFET | 230 | 75 | 20 | 4 | 75 | 175 | 107 | 840 | 0.009 | TO220AB | |
PHP112N06T | N | MOSFET | 200 | 55 | 20 | 4 | 75 | 175 | 94 | 720 | 0. 008 | TO220AB | |
PHP119NQ06T | N | MOSFET | 200 | 55 | 20 | 4 | 75 | 175 | 52 | 554 | 0.0071 | TO220AB | |
PHP160NQ08T | N | MOSFET | 300 | 75 | 20 | 4 | 75 | 175 | 56 | 845 | 0.0056 | TO220AB | |
PHP52N06T | N | MOSFET | 120 | 60 | 20 | 4 | 52 | 175 | 74 | 290 | 0.022 | TO220AB | |
PHP54N06T | N | MOSFET | 118 | 55 | 20 | 4 | 54 | 175 | 74 | 290 | 0.02 | TO220AB | |
PHP73N06T | N | MOSFET | 166 | 60 | 20 | 4 | 73 | 175 | 79 | 421 | 0.014 | TO220AB | |
PHP75NQ08T | N | MOSFET | 157 | 75 | 20 | 4 | 75 | 175 | 36 | 320 | 0. 013 | TO220AB | |
PHP79NQ08LT | N | MOSFET | 157 | 75 | 15 | 2 | 73 | 175 | 30 | 0.016 | TO220AB | ||
PSMN012-80PS | N | MOSFET | 148 | 80 | 20 | 4 | 74 | 175 | 43 | 0.011 | TO220AB | ||
PSMN013-100PS | N | MOSFET | 170 | 100 | 20 | 4 | 68 | 175 | 59 | 0.0139 | TO220AB | ||
PSMN015-60PS | N | MOSFET | 86 | 60 | 20 | 4 | 50 | 175 | 20.сен | 0.0148 | TO220AB | ||
PSMN016-100PS | N | MOSFET | 148 | 100 | 20 | 4 | 96 | 175 | 49 | 0.016 | TO220AB | ||
PSMN017-80PS | N | MOSFET | 103 | 80 | 20 | 4 | 50 | 175 | 26 | 0. 017 | TO220AB | ||
PSMN7R6-60PS | N | MOSFET | 149 | 60 | 20 | 4 | 92 | 175 | 38.7 | 0.0078 | TO220AB | ||
PSMN8R7-80PS | N | MOSFET | 170 | 80 | 20 | 4 | 90 | 175 | 52 | 0.0087 | TO220AB | ||
RFP50N06LE | N | MOSFET | 142 | 60 | 50 | 150 | 0.022 | TO220AB | |||||
RJK1008DPN | N | MOSFET | 125 | 100 | 80 | 0.0085 | TO220AB | ||||||
RJK1021DPN | N | MOSFET | 100 | 100 | 70 | 0.016 | TO220AB | ||||||
RJK1536DPN | N | MOSFET | 125 | 150 | 50 | 0. 024 | TO220AB | ||||||
SQP120N06-06 | N | MOSFET | 175 | 60 | 20 | 03.май | 119 | 175 | 14 | 708 | 0.006 | TO220AB | |
SQP120N10-09 | N | MOSFET | 375 | 100 | 20 | 03.май | 120 | 175 | 24 | 635 | 0.0095 | TO220AB | |
SQP60N06-15 | N | MOSFET | 107 | 60 | 20 | 03.май | 56 | 175 | 12 | 314 | 0.015 | TO220AB | |
STK5006P | N | MOSFET | 120 | 60 | 20 | 50 | 150 | 105 | 445 | 0.022 | TO220AB | ||
STK7006P | N | MOSFET | 147 | 60 | 20 | 70 | 175 | 43 | 200 | 722 | 0.016 | TO220AB |
Наименование прибора: IRFZ44N
- Тип транзистора: MOSFET
- Полярность: N
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 W
- Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V
- Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V
- Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V
- Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 41 A
- Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
- Общий заряд затвора (Qg): 62 nC
- Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0. 024 Ohm
- Тип корпуса: TO220AB
Irfz44 описание на русском
Наших услуг:. Часто задаваемые вопросы:. Импортные пошлины, налоги и сборы не включены в пункт цены или доставку. Эти сборы за покупателя. Guangdong, China.
Поиск данных по Вашему запросу:
Схемы, справочники, даташиты:
Прайс-листы, цены:
Обсуждения, статьи, мануалы:
Дождитесь окончания поиска во всех базах.
По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.
Содержание:
- IRFZ44N to-220
- Транзистор IRFZ44N: параметры, цоколевка, аналог, datasheet
- IRFZ44 к-220 60 В 50A мощность mosfet транзисторы
- IRFZ44N (E) datasheet мощный полевой MOSFET транзистор описание на русском
- 10pcs IRFZ44N IRFZ44 Power MOSFET 49A 55V TO-220
- IRFZ44 datasheet
- Возможность скачать даташит (datasheet) IRFZ44 в формате pdf электронных компонентов
ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Mosfet Powerful Voltage Regulator IRFZ44 Mosfet
youtube.com/embed/VgAI1P4bkms» frameborder=»0″ allowfullscreen=»»/>IRFZ44N to-220
Гарантия возврата денег Возврат за 15 дней. Посмотреть все 76 отзывы. Защита Покупателя Гарантия возврата денег Возврат за 15 дней. Обзор Axxxa RU. Хороший продавец, рекомендую.
Отправил быстро, доставка немногим больше месяца до Приморского края. Выглядит не плохо, похоже на оригинал, как минимум выполнены качественно. В работе не проверял ещё, магнитом тоже. Упаковка очень качественная, пришли в коробке, внутри пупырка, всё проложено качественно.
Так же сами микросхемы в пластиковой антистатической упаковке по 10 штук. Продавец ответственный, буду при необходимости обращаться ещё. Посмотреть все отзывы. Бесплатная доставка 10 шт. Бесплатная доставка; набор из 10 шт. Показать еще. Axxxa RU. Dxxxv RU. Фото ниже. Не проверял еще. Позже- дополню отзыв Продавец общительный, оперативно реагирует на вопросы о заказе. Истикало мое время защиты заказа, я связался с продавцом, мол, так-то и так-то, продавец оперативно отреагировал, сказал, что были некоторые проблемы с таможней, и после этого сразу же продлил время защиты еще на 30 дней.
Exxxn RU. Продавцу спасибо. Sxxxv RU. Доставка в Саратов 20 дней, это быстро. Упаковано все в пластиковый контейнер. Проверил несколько тестером транзисторов, все рабочее. Все отлично. Dxxxh RU. А так все норм, в принципе доволен так как спешить некуда заказывал на запас. Axxxo RU. Пришла не быстро. Проверил все мосфеты, рабочие. Цена количество радует, качество пока неизвестно. Всё равно спасибо продавцу! Транзисторы совершенно не держат нагрузку дальше думайте брать или нет,упаковкой и доставкой вполне доволен!
Смотреть описание. Бесплатная доставка шт. Оптовая торговля в Интернет : tda svarosvki прямоугольная волна 10pcs mosfet banvasac irfz w voltage regulator irf transistor Популярные товары по запросу «»: tdac tdaa 20n60 svarosvki attiny45 w voltage regulator rd16hhf1 Большая скидка на : tdac 20n60 relay module high low trigger svarosvki rf transistor irfpn irf arduino nano rd16hhf1 низкая цена для : gy irfb irfz48 tda svarosvki shup irlb k содержательные обзоры : gy rf transistor svarosvki irfpn irf mosfet ch p digit potentiometer.
Али Экспресс на русском — китайский интернет-магазин на русском языке в российских рублях.
Транзистор IRFZ44N: параметры, цоколевка, аналог, datasheet
Правила форума. Правила Расширенный поиск. Опции темы Версия для печати Отправить по электронной почте… Подписаться на эту тему…. На сколько я понимаю в L заведена обратня связь по току , вот он и шимит по мере сил и разумения. Отрегулируете нормально ток , по номиналу движка он и будет в заданных технически характеристиках работать , для людей не сведующих совсем в электронике наверное есть схемы по проще без полушага , если ток не большой то лучше поставить линейный стабилизатор тока например на LM и пусть себе тепло рассеивает на радиаторе простенько и со вкусом , вам что жалко электричества? Надеюсь что ни кого не задел , но в том то и прелесть L , что она шимит , и выставляет ток в зависимости от скорости вращения движка.
Многих интересует описание на русском LMN, но даташит большой, основная часть . IRFZ характеристики datasheet на русском, аналоги.
IRFZ44 к-220 60 В 50A мощность mosfet транзисторы
Применение Источник бесперебойного питания Переключение Электропитания применение Жесткие коммутируемые и высокочастотные схемы. Маркировка посылка и информация о заказе. Группу описания транспортного средства. ID постоянного тока. Идм с верхней частью в виде крыльев. Ток слива-непрерывный Ток-импульсный примечание 1. Пиковая диодный модуль напряжения. Зарядное устройство PD. Ограничения фактор. Электронного отслеживания товаров, при заказе.
IRFZ44N (E) datasheet мощный полевой MOSFET транзистор описание на русском
Очередной раз столкнувшись с необходимостью искать по справочникам замену импортным и отечественным транзисторам , решил создать таблицу аналогов. Полные и функциональные аналоги. Даташит на каждый транзистор можно посмотреть введя название в поисковую форму datasheet в правой части сайта. Цены на радиодетали смотрите в любом интернет магазине. Партнер статьи: Electronoff.
Баба Яга — против! Жалко терять 3 Вольта на глупом проходном транзисторе.
10pcs IRFZ44N IRFZ44 Power MOSFET 49A 55V TO-220
We supply all kinds children baby products, office and school stationery, Health and beauty, fashion accessories, Fashion apparel, The products have sold well in many countries such as: USA, Europe, Middle East, and in Southeast Asia etc, We warmly welcome more customers from all world. Доставка Окт 23 и Ноя Дешевые mosfet мост, купить качество mosfet 20a непосредственно из Китая mosfet p поставщиков: краткое введение:они являются совершенно новыми. Деталь погружен не познее 3 рабочего дня как только полная компенсация установлена. Мы ответим ваши почте в течение 24 часов обычно.
IRFZ44 datasheet
Войти через. Гарантия возврата денег Возврат за 15 дней. Клиент Услуги политики Мы более чем рады ответить на любые вопросы, которые у вас есть, пожалуйста, свяжитесь с нами, и мы сделаем все возможное, чтобы как можно быстрее вернуть вам. Сфера деятельности: Авто IC, цифровая аналоговая схема, одночиповый микрокомпьютер, фотоэлектрическая муфта, хранение, трехклеммный регулятор напряжения, SCR, эффект поля, Шоттки, реле, резисторы конденсаторы, Световая трубка, разъемы, и другие услуги поддержки! Доставка по всему миру.
Купить товар Yuxinyuan 10 шт IRFZ24 IRFZ34 IRFZ44 IRFZ46 IRFZ48 LMT IRF транзистор К IRFZ44PBF можно приобрести непосредственно.
Возможность скачать даташит (datasheet) IRFZ44 в формате pdf электронных компонентов
Новый клиент? Начинать здесь. Если повреждение связано с экраном, эта ситуация не должна считаться включенной в сферу действия настоящей гарантии.
Регистрация Забыл пароль. IRFZ44N мощный полевой трензистор, имеет низкую емкость затвора, напряжение открытия. Используется в промышленной, бытовой аппаратуре и конструкциях Arduino. Обратите внимание, что транзисторы одной марки могут иметь различный тип корпуса исполнение , поэтому смотрите картинку и параметры корпуса.
Терморезисторы КМТ-1 — негерметизированные, незащищенные, неизолированные.
Войти через. Гарантия возврата денег Возврат за 15 дней. Если вам нужно больше деталей, пожалуйста, нажмите И отправьте заказ. Если вам нужно больше количества, пожалуйста, свяжитесь с нами. Если вы не возражаете против цены, если некоторые детали не могут узнать в моем магазине, пожалуйста, свяжитесь с нами, у нас все еще есть много частей, которые не изданы. Мы отправим Последняя версия продукта, u Pgraded функции.
Есть много запасов не на полках, если необходимо, пожалуйста, предоставьте нам модели или фотографии О насМы обещаем : 1 : производство только лучших потребительских товаров и обеспечение максимально высокого качества. Объем бизнеса : auto IC, digital to аналоговая схема, single chip microcomputer, фотоэлектрическая муфта, хранение, трехклеммный регулятор напряжения, SCR, полевой эффект, Шоттки, реле, резисторы конденсаторов, Световая трубка, разъемы, и другие односторонние вспомогательные услуги! Описание : Двигатель низкой мощности в V светодиодный освещенияЖесткий питание электроприводаМаршрутизаторы и сетевое оборудование 9 в 12 В 15 вОборудование для беспроводной связиБеспроводной пульт дистанционного управления M MВнимание : Это DCDC модуль преобразователя Напряжения, следует отметить при использовании : 1 Входное напряжение не может быть больше, чем максимальный диапазон ввода2 выходная мощность не может быть больше максимальной нагрузки в течение длительного времени3 Входная мощность должна быть больше выходной мощности, потому что Потребляемая мощность самого модуляИзменить параметр Описание : 1.
Чтение кривых MOSFET — Блог — WorkBench Wednesdays
Когда вам нужно выбрать режим расширения N-Channel MOSFET, какие характеристики вы бы рассмотрели?
Ключевые параметры MOSFET
При проектировании MOSFET в качестве переключателя люди обычно оценивают два параметра:
- Vgs-threshold . Падение напряжения от затвора к истоку, которое управляет каналом между стоком и истоком полевого МОП-транзистора.
- RDS-ON . Величина сопротивления между стоком и истоком, когда МОП-транзистор активен.
Знание порога Vgs имеет решающее значение, поскольку многие мощные МОП-транзисторы имеют напряжение Vgs в диапазоне от 10 до 15 вольт. Такой высокий порог означает, что вам нужна схема драйвера при использовании встроенных контроллеров 3v3 или 5 вольт, таких как Arduino, Raspberry Pi или Beaglebone. Вместо драйвера можно попробовать найти МОП-транзистор с более низким порогом напряжения. Иногда производители называют эти транзисторы полевыми МОП-транзисторами «логического уровня». Примером является IRFZ44N.
Рис. 2. Пороговый диапазон Vgs для IRFZ44N
На Рис. 2 показан Vgs-th для IRFZ44N. Обратите внимание, как это диапазон от 2,0 до 4,0 вольт. Не совершайте ошибку, которую предварительно лысый инженер совершил много лет назад. Это значение не является рабочим диапазоном для Vgs . Этот диапазон говорит вам, что все, что выше 4,0 вольт, гарантирует, что МОП-транзистор включен, а все, что ниже 2,0, гарантирует, что МОП-транзистор выключен. Промежуточное напряжение может включать или не включать полевой МОП-транзистор. Но. Это еще не все, что можно объяснить пороговым напряжением.
Примечание. Многие люди, в том числе опытные инженеры, делают ошибку, глядя на таблицу «Абсолютные максимальные рейтинги». Обычно он идет первым и выглядит аналогично таблице электрических характеристик. Значения в таблице абсолютных максимальных значений указывают условия, которые могут (и вызывают) повреждение компонента. Не работайте при этих значениях и не превышайте их!
Другим важным параметром является сопротивление между стоком и истоком, или Rds-ON. Как и любое сопротивление, ток через него генерирует тепло и падение напряжения. Если тепла достаточно, может потребоваться радиатор. Не упускайте из виду падение напряжения на стоке и истоке, Vds, из-за сопротивления.
Таким образом, при использовании полевого МОП-транзистора в качестве переключателя его следует моделировать как резистор при включении, а не как короткое замыкание. Но какое сопротивление?
Рис. 3. Заголовок спецификации IRFZ44N, показывающий (минимум) Rds-ON
На первой странице спецификации IRFZ44N указано, что сопротивление Rds-ON составляет 17,5 мОм. Что ж, это было легко! Или это было? Во-первых, позвольте мне обратиться к крошечной сумме. Кто-то однажды спросил меня: «Разве 17,5 мОм — это практически 0 Ом?» Ну нет. Нет. Не только это, но и сопротивление от стока к истоку зависит от различных условий! В том числе приложенное напряжение от затвора к истоку (Vgs).
Итак, Vgs и Rds-ON имеют существенную взаимосвязь. (Позже вы увидите, что ток через сток тоже имеет значение.) Плохая новость заключается в том, что, как и в большинстве вещей в технике; это не простые отношения. Нужны графики, чтобы объяснить, что происходит, и увлеченный дизайнер, чтобы правильно их интерпретировать.
Хорошей новостью является то, что вам нужно просмотреть только два графика. (И я бы поспорил только с одним из них.)
Графики MOSFET: где Rds-On?
В таблице данных найдите график под названием «Характеристики передачи» и график под названием «Характеристики вывода». График выходных характеристик также можно назвать «по области». Ни на одном из этих графиков нет оси для Rds-ON. На самом деле, в большинстве спецификаций MOSFET этого нет. Впрочем, ничего страшного, между выходной и передаточной характеристиками есть информация о сопротивлении.
Передаточные характеристики
По сравнению с другими данными в техническом описании график передаточных характеристик легко читается. Он содержит ток стока при подаче определенного напряжения на затвор. Обратите внимание, что этот график начинается с 4,0 вольт, что является максимальным значением, указанным в таблице электрических характеристик. 9Рис. 4. Передаточные характеристики Если бы я управлял IRFZ44 от 3,3-вольтового микроконтроллера, а моя нагрузка требовала не менее 10 ампер, я бы использовал драйвер для увеличения напряжения затвора. В то время как 4 вольта достаточно, чтобы включить этот конкретный МОП-транзистор, его сопротивление во включенном состоянии будет (относительно) высоким.
Выходные (региональные) характеристики
График выходных характеристик выглядит загруженным. Но в нем содержится масса полезной информации. Он показывает падение напряжения на Vds в зависимости от величины тока, проходящего через сток, который также зависит от напряжения Vgs. Есть дополнительная деталь.
Рис. 5. Выходные характеристики
Оранжевая часть графика показывает линейную рабочую область. Показанные условия являются идеальной «областью» для работы MOSFET при использовании в качестве переключателя.
R d s O N = V d s I d =400 m V 6 A =66.67 m O h m
Вы можете использовать закон Ома, чтобы найти сопротивление при известном напряжении и известном токе. Поскольку этот график показывает напряжение сток-исток (Vds) при определенном токе стока (Id), он содержит сопротивление в открытом состоянии (Rds-ON). Синяя линия показывает 4,5 В, Rds-ON для MOSFET будет 66 мОм.
Измерение выходных характеристик
Вы могли заметить, что в описании большинства этих измерений используется слово «типичный». Это слово имеет большое значение. Это означает, что отдельные транзисторы работают по-разному. Чтобы получить кривые МОП-транзистора конкретного транзистора, вам необходимо его измерить.
Как? Ну, с чем-то, что называется кривая трассировки. Это устройство является испытательным оборудованием, которое показывает рабочие характеристики в различных условиях. Например, они подают напряжение на затвор полевого МОП-транзистора, измеряя ток через его сток. Скольжение по диапазону напряжений создает достаточно точек данных для построения или отслеживания графиков.
Оборудование, используемое для рисования диаграмм, содержащихся в технических описаниях компонентов, довольно дорогое. Однако существует недорогой инструмент, который может обеспечить практически те же функции, хотя и с некоторыми ограничениями.
Недавно сообщество element14 прислало мне DCA Pro от PEAK Electronics. Это полупроводниковый анализатор. (Ранее я писал о ESR70, который измеряет емкость и ESR.) Это небольшое портативное устройство стоит около 150 долларов США. Для широкого спектра полупроводников он может определять распиновку, измерять ключевые характеристики и строить кривые параметров. Он работает с дидо, стабилитронами, светодиодами, BJT, MOSFET, IGBT, JFET, SCR, симисторами и ДАЖЕ регуляторами напряжения. (Правда!)
Определение распиновки и тестирование компонентов — это основная причина для приобретения DCA Pro. Есть небольшая проблема с трассировкой кривой. Посмотрите на рис. 6, на котором сравниваются графики выходных характеристик из таблицы данных и DCA pro. Обратите внимание, как сильно отличаются их формы. Оба графика имеют одинаковые названия осей, и оба имеют несколько линий Vgs. Однако это единственное сходство. Но почему?
Рис. 6. Сравнение выходных характеристик
Причина в ограниченном токе DCA Pro. Он может пропускать через сток только несколько миллиампер, до 10-12 мА. Объединим этот факт с тремя пунктами из этого поста:
- На этом графике показано падение напряжения от стока к истоку.
- Напряжение Vgs устанавливает сопротивление между стоком и истоком.
- МОП-транзисторы подчиняются закону Ома при работе в своей линейной области.
Поскольку наш анализатор полупроводников может выдавать ток только 10 мА, измеренное значение Vds значительно ограничено. В случае этого IRFZ44 мы сравниваем ток стока в миллиамперах с амперами. Таким образом, отображаемые данные верны, но кажутся ошибочными. (Кроме того, в техническом описании используется логарифмическая шкала, тогда как программное обеспечение DCA Pro использует линейную шкалу.) Означает ли это сравнение, что DCA Pro бесполезен для измерения силовых полупроводников? Нет, совсем нет. Мне очень нравится DCA Pro, и я думаю, что он стоит своей цены. Только не ожидайте, что он заменит криволинейный анализатор за 10 000 долларов.
Подробнее о DCA Pro
Если вам интересно узнать больше об устройстве, посмотрите мой полный видеообзор. В видео я сравниваю, как он работает с различными полупроводниками. Я был рад видеть, что он может правильно идентифицировать такие компоненты, как N-Channel Depletion Mode MOSFET. Вы также можете увидеть программное обеспечение DCA Pro в действии. В сообщении Workbench в среду у меня есть zip-файл с примерами данных из компонентов, которые я измерил, которые вы можете использовать в программном обеспечении PEAK.
Заключение
В качестве автономного устройства DCA Pro уже фантастичен. Как индикатор кривой, он лучше подходит для маломощных устройств, таких как диоды. Однако даже для транзисторов с большим током это все же может намекнуть на производительность транзистора. С разверткой на рис. 7 посмотрите, как этот транзистор соответствует минимальным и максимальным пороговым значениям Vgs из таблицы данных. Прямо при 3,00 вольт Vgs достаточно высок, чтобы едва включить MOSFET. При 2,75 и ниже полевой МОП-транзистор полностью выключен. При 3,175В и выше включается. Так же, как написано в техпаспорте. Довольно круто, да?
Рис. 7. DCA Pro находит пороговое значение Vgs
МОП-транзисторы представляют собой сложное устройство. Используя эту информацию, вы сможете взглянуть на пару графиков и таблиц в MOSFET, чтобы понять, как с ними работать. В случаях, когда этого недостаточно, какие еще части таблицы данных вам нужна помощь в чтении? Позвольте мне знать в комментариях ниже.
Полупроводниковые и системные решения — Infineon Technologies
Соединение точек в переходе к энергетике
Вебинар 15 ноября: Как взаимодействуют возобновляемые источники энергии, хранение, передача и потребление энергии и почему зарядка электромобилей является ключевым фактором.
Сохраните свое место сейчас
electronica 2022
Посетите нас на выставке electronica в этом году — живите в Мюнхене или в цифровом формате!
Учить больше
Infineon выпускает PSoC™ 4100S Max
Недорогое высокоинтегрированное решение с технологией CAPSENSE™ следующего поколения, позволяющее инженерам легко проектировать и быстро выводить на рынок недорогую систему человеко-машинного интерфейса.
Учить больше
Электрификация первичного распределения электроэнергии
Узнайте, как мегатенденции в автомобилестроении вызывают децентрализацию и электрификацию системы распределения электроэнергии.
кликните сюда
Очеловечивание энергии: технологии и обезуглероживание
Можете ли вы представить, что электронный чип толщиной с волос может изменить ситуацию, когда речь идет о достойном будущем?
Смотреть видео
Производительность GiGaNtic в адаптерах/зарядных устройствах USB-C
Первая в отрасли комбинированная ИС с коррекцией коэффициента мощности и гибридной обратной связью для конструкций со сверхвысокой плотностью.