Site Loader

КР198НТ1 (А, Б) — матрицы n-p-n транзисторов — DataSheet

Перейти к содержимому

 

Корпус типа 201.14-1

Схема включения

Описание

Микросхемы представляют собой матрицы n-p-n транзисторов. Корпус типа 201.14-1. Масса не более 1,2 г.

 
Электрические параметры 
ПараметрыУсловияКР198НТ1АКР198НТ1БЕд. изм.
Напряжение насыщения база-эмиттерпри Iк = 3 мА, IБ = 0,5 мА, Т = +25 °С не более 1 не более 1В
Напряжение насыщения коллектор—эмиттерпри Iк = 3 мА, IБ = 0,5 мА, Т = +25 °С не более 0,7  не более 0,7В
Обратный ток коллекторапри UКБ = 6 В, Т = +25 °С  не более 0,04  не более 0,04мкА
Статический коэффициент передачи тока в
схеме с общим эмиттером
при Uкэ = 3 В, Iэ = 0,5 мА, Т = +25 °С20…12560…250 —
 Разброс значений статического коэффициента
передачи тока дифференциальной пары в микросхемах
КР198НТ1А, КР198НТ1Б
не более 15 не более 15 %
Разброс прямых напряжений база—эмиттер
дифференциальной пары в микросхемах
КР198НТ1А, КР198НТ2А
не более 4 не более 4мВ
 
Предельно допустимые режимы эксплуатации
ПараметрыУсловияКР198НТ1АКР198НТ1БЕд. изм.
Постоянное напряжение коллектор—база1515В
Постоянное напряжение коллектор—эмиттер1515В
Обратное напряжение коллектор — эмиттер1515
В
Обратное напряжение база— эмиттер44В
Постоянный ток коллектор1010мА
Постоянный ток коллектора в режиме насыщения3030мА
Постоянная рассеиваемая мощность в диапазоне температур окружающей средыТ = -45…+85 °С одним транзистором2020мВт
Т = -45…+85 °С матрицей100100
Температура окружающей среды-45…+85 -45…+85°С

 

Зависимости обратного тока
коллектора транзисторов, входящих
в состав микросхем от температуры окружающей среды.  Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией
показана типовая зависимость

Зависимости напряжений насыщения
коллектор—эмиттер и база—эмиттер транзисторов, входящих в состав микросхем, от температуры окружающей среды при IБ = 0,7 мА, Iк = 3 мА.  Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

Зависимости напряжений насыщения
коллектор—эмиттер и база—эмиттер транзисторов, входящих в состав
микросхем, от тока базы при Iк = 3 мА

Зависимости напряжения насыщения коллектор—эмиттер транзисторов, входящих в состав микросхем, от тока коллектора при IБ = 0,5 мА. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

Зависимости тока базы транзисторов, входящих в состав микросхем, от напряжения база-эмиттер

Выходные вольт-амперные характеристики транзисторов, входящих в состав микросхем

Зависимость разности прямых напряжений база—эмиттер
транзисторов, входящих в состав

микросхем (дифференциальной
пары), от температуры окружающей
среды при ΣIэ = 0,5 мА, Т = +25 °С.   Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

Зависимости коэффициента передачи
тока в схеме с общим эмиттером транзисторов, входящих в состав микросхем, от тока эмиттера при UКБ = 3 В. Заштрихована область разброса значений параметра для 95% микросхем. Сплошной линией показана типовая зависимость

Зависимости разности статических
коэффициентов передачи тока в схеме с общим эмиттером дифференциальной пары транзисторов, входящих

в состав микросхем, от температуры окружающей среды

Зависимость статического коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером транзисторов, входящих в
состав микросхем, от температуры
окружающей среды

 

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Простой магнитофон

Магнитофон имеет довольно простую конструкцию и полностью собран на распространенных деталях. Схема магнитофона приведена на рис.1. Предварительный усилитель построен на транзисторах VT1 и VT2 [1]. Транзисторы имеют значительный коэффициент усиления и маленький уровень шумов (последний показатель очень важен). Смещение транзисторов задают резисторы R1 и R4. Конденсатор С1 вместе с головкой воспроизведения BS1 образовывает колебательный контур, настроенный на частоту 12500 Гц (для пленки с рабочим слоем Fezft) или на частоту 14000 Гц (для пленки с рабочим слоем C&). Этот конденсатор подбирают под конкретную головку.

Развязывающие фильтры C3R3 и C5R6 предотвращают самовозбуждение усилителя. Цепочка C7C8R8 уменьшает уровень фона от работающего двигателя. Усилитель мощности выполнен на транзисторах VT3, VT4, VT5 и VT6 по двухтактной схеме. Усилитель имеет выходную мощность 0,5 Вт. Стабилизатор оборотов двигателя (СОД) в импортных микроэлектродвигателях наиболее часто установлен прямо в корпусе двигателя. Если же используют отечественный электродвигатель, то можно взять готовый СОД на микросхеме КР198НТ1Б.

Блок питание магнитофона обычный, без стабилизации. Он спаян на трансформаторе Т1 и диодном мостике VD1-VD4. Конденсатор С11 сглаживает пульсации переменного тока. Выключатель питания S1 совмещен с регулятором звука R7. Выключатель включен в цепь постоянного тока для того, чтобы не было наводок фона на вход усилителя.

Контакты S2 размещены прямо на лентопротяжном механизме (ЛПМ). Они замыкаются при перемотке и в режиме воспроизведения. Очень интересно включен светодиод VD6. Если контакты S2 разомкнуты, то есть двигатель отключен, он светит тускло, а если они соединены (двигатель работает)  -ярко.

Детали. Транзисторы VT1 и VT2 можно взять типа КТ3102Е(В, Г,Д) с коэффициентом усиления не меньшее 400; транзисторы VT3 и VT4 типа КТ315, КТ3102 с любым индексом. В выходном каскаде можно использовать такие пары: МП38 и МП39, КТ503 и КТ502, ГТ404 и ГТ402, КТ815 и КТ814. Радиаторов они не требуют.

СОД готовый заводской, при его отсутствия можно спаять самодельный по схеме на рис.

2 [1, 2]. Транзистор VT2 любой типа КТ с соответствующей структурой и с коэффициентом усиления не меньшее 200. VT1 типа КТ816, КТ814. Резистором R3 регулируют частоту оборотов двигателя. Отладка магнитофон почти не требуется.

 

 

 

Надо только выставить скорость движения пленки (4,76 см/с) и отрегулировать головку. Также обязательно надо подобрать конденсатор С1 (рис.1) под конкретную головку. Как это делать, детально описано в [1]. В случае нестабильной работы необходимо подобрать сопротивления резисторов R1, R4, R11 и R13. Напряжение в точке соединения эмиттеров транзисторов VT5, VT6 должно равняться половине напряжения питания (ее подбирают резистором R11).

Усилитель магнитофона имеет небольшую выходную мощность. Увеличить ее можно использованием второго усилителя с большей выходной мощностью. Например, такой усилитель можно изготовить на довольно распространенной микросхеме TDA2003 (отечественный аналог — К174УН14). Его схема показана на рис. 3. Усилитель имеет неплохие характеристики и дает на выходе мощность 4-6 Вт. Схема не имеет особенностей. При самовозбуждении микросхемы прибавляют цепочку Сдоп Ядоп (Сдоп=39 пф, Ядоп =43 Ом). Диоды VD1-VD4 при использовании этого усилителя заменяют на более мощные КД202, а трансформатор Т1 берут мощностью не меньше 15 Вт (например, ТВК-110).

Магнитофон монтируют в любом подходящем корпусе.

Магнитофон можно выполнить и в автомобильном варианте с питанием от бортовой сети. Трансформатор и выпрямитель исключают из схемы, а сам магнитофон питают через фильтр, схема которого приведенная на рис.4 [2]. Диод VD1 оберегает магнитофон от переполюсовки. Дросселя L1 и L2 намотаны проводом с диаметром, не меньшим 0,6-0,8 мм.

Автор:  О. В. Тимошенко, Черниговская обл. 

Литература:

1. Елкин С. А. Восстановление кассетных магнитофонных проигрывателей //Радиолюбитель. -2000.-№7.-С.3-4.

2. Справочник. Радиоприемники, радиолы, электрофоны, магнитофоны. -К.: Техника, 1988.

alexxlab

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *