Напряжение затвор-исток (при короткозамкнутых выводах сток-исток) моппт (gate-source voltage, drain-source short circuited (mosfet))
Термин и определение
максимально допустимое напряжение, гарантирующее изолирующие свойства подзатворного диэлектрика, при закороченном стоке и истоке.
Еще термины по предмету «Электроника, электротехника, радиотехника»
Силовой трансформатор (Supply transformer, Power transformer)
трансформатор, nредназнаqенный для преобразования электрической энергии в электрических сетях и в установках, предназначенных для приема и использования электрической энергии.
Страничная организация памяти
организация памяти, при которой адрес ячейки рассматривается как состоящий из двух частей, причем старшая часть указывает на страницу (субмодуль), а младшая является адресом слова на данной странице (в данном субмодуле).
Устройство (электронное)
функционально (а иногда и конструктивно) законченная электронная схема.
Похожие
- Напряжение сток — исток (Drain- source voltage)
- Разность напряжений затвор-исток
- Емкость сток-исток
- Исток
- Емкость затвор-исток
- Ток утечки затвора при закороченных выводах сток-исток МОППТ) (Gate-source ieakage current, drain-source short circuited MOSFET)
- Пороговое напряжение МОППТ или МОПБТ (Gate-source (emitter) threshold voltage)
- Температурный уход разности напряжений затвор-исток
- Исток реки
- Сопротивление сток-исток в закрытом состоянии
- Обратный ток перехода затвор-исток
- Затвор (Gate)
- Пробивное напряжение коллектор — затвор (Collector-gate voltage)
- Ток затвора МОППТ или МОПБТ (Gate current)
- Исток сигнального графа
- Начальный ток истока
- Напряжение управления тиристором (Gate voltage)
- Напряжение затвор-эмиттер (при короткозамкнутых выводах коллектор — эмиттер) МОПБТ (Gate emitter voltage, collector—emitter short circuited (IGBT))
Повышай знания с онлайн-тренажером от Автор24!
- 📝 Напиши термин
- ✍️ Выбери определение из предложенных или загрузи свое
- 🤝 Тренажер от Автор24 поможет тебе выучить термины, с помощью удобных и приятных карточек
Справочники.
Сокращения. Справочники. Сокращения.Ham Radio Site by UN7PPX
Справочники.
Главная Обо мне Гостевая книга Обратная связь Новости Ссылки Космонавтика Софт Антенны Конструкции Схемы Модернизация Радиолюбительская технология Справочники QSL-bureau
Страница обновлена
Главная / Справочники
/..
Сокращения. |
© R P Blackwell, G4PMK
© Перевод UN7PPX
Сокращения
| Расшифровка
| Пояснения, перевод.
|
amp | amplifier | Усилитель |
atten | attenuator | Аттенюатор, ослабитель сигнала |
a | anode | Анод, положительный электрод |
base | База | |
c | cathode | Катод, отрицательный электрод |
ca | common anode | Общий анод |
cc | common cathode | Общий катод |
comp | complement | Комплементарный, дополняющий |
d | drain | Сток |
dg | dual gate | Двойное усиление |
dtr | digital transistor (see codebook introduction) | Цифровой транзистор. (см. введение) |
enh | enhancement (mode — FETs) | Расширение |
fet | field effect transistor | |
fT | transition frequency | Частота перехода |
GaAsfet | Gallium Arsenide field effect transistor | Арсенид-галлиевый полевой транзистор |
g | gate | Усиление |
gnd | ground | Земля. Т.е. «общий провод», заземление. |
gp | Общее применение | |
hfe | small signal current gain | Усиление малого текущего сигнала |
i/p | input | Вход |
Id | drain current | Ток стока |
Ig | gate current | Ток затвора |
Ir | reverse leakage current (diodes) | Обратный ток утечки (для диодов) |
jfet | junction field effect transistor | Переход полевого транзистора |
MAG | maximum available gain | Максимальное возможное усиление |
max | maximum | Максимум. Наибольшее значение |
min | minimum | Минимум. Наименьшее значение |
mmic | microwave minature integrated circuit | Тонкопленочная технология ИМС |
modamp | modular amplifier — an mmic amplifier | Модульный усилитель |
mosfet | metal oxide insulated gate fet | Изолированный затвор полевого транзистора; металл-окисел-изолятор. |
n-ch | n-channel fet (any type) | Полевой транзистор с каналом n-типа |
npn | npn bipolar transistor | n-p-n биполярный транзистор |
o/p | output | Выход |
p-ch | p-channel fet (any type) | Полевой транзистор с каналом p-типа |
pin | pin diode | pin-диод. (коммутационный диод) |
pkg | package | Пакет |
pnp | pnp bipolar transistor | p-n-p биполярный транзистор |
prot | protection, protected (as in mosfet gate) | Защита, защищенная (как в затворах МОП-транзистора) |
res | resistor | Резистор |
s | source | Источник |
ser | series | Серия, ряд. |
Si | silicon | Кремний |
substr | substrate | Подложка |
sw | switch or switching | Выключатель или переключатель |
Vce | collector — emitter voltage (maximum) | Макс. напряжение коллектор — эмиттер |
Vcc | collector supply voltage | Напряжение питания на коллекторе. |
На главную Наверх
Используются технологии uCoz
gate%2fdrain-%c3%9cberlappungskapazit%c3%a4t — Перевод на немецкий — примеры русский
Премиум История Избранное
Реклама
Скачать для Windows Это бесплатно
Загрузите наше бесплатное приложение
Реклама
Реклама
Нет объявлений с Премиум
Эти примеры могут содержать нецензурные слова, основанные на вашем поиске.
Эти примеры могут содержать разговорные слова на основе вашего поиска.
Перевод — на основе технологии ИИ
Перевод занимает больше времени, чем обычно. Подождите или нажмите здесь, чтобы открыть перевод в новом окне.
Ой! У нас возникли проблемы с получением данных. Мы работаем над решением этой проблемы.
ворота%2fdrain-%c3%9cberlappungskapazit%c3%a4t
Для более длинных текстов регистр Авторизоваться
Голосовой перевод и длинные тексты
Способ по п. 4, отличающийся тем, что этап ( с3 ) является частью формирования изоляционной пленки ворот путем термического окисления.
Verfahren nach Anspruch 4, bei dem der Schritt ( c3 ) einen Bestandteil der Herstellung eines Gate-lsolierfilms durch thermische Oxidation bildet.
После завершения вы можете приступить к созданию аудиторий и действий A4T .
Sobald sie abgeschlossen ist, können Sie mit der Erstellung von Zielgruppen und A4T-Aktivitäten beginnen.
В этой статье объясняются предварительные условия для запроса предоставления общих аудиторий и А4Т .
In diesem Artikel werden die Voraussetzungen beschrieben, die es für eine Bereitstellungsanfrage für freigegebene Zielgruppen und A4T gibt .
Существуют более строгие минимальные требования для использования предложений перенаправления с A4T .
Die Mindestanforderungen für die Verwendung von Weiterleitungsangeboten mit A4T синтетика.
Устройство по п. 1 или п. 2, отличающееся тем, что бинарное дерево логического элемента OR- означает (11), что он содержит множество логических элементов OR- (B0-B7, C0-, C3 , D0-D1).
Vorrichtung nach Anspruch 1 или Anspruch 2, wobei der Binärbaum der ODER-Gattereinrichtung (11) mehrere ODER-Gatter (B0-B7, C0-C3 , D0-D1) enthält.
При использовании A4T все показатели успеха, доступные для ваших действий, являются показателями Analytics.
Wenn Sie A4T verwenden , sind alle Erfolgsmetriken, die für Ihre Aktivitäten zur Verfügung stehen, Analytics-Metriken.
Когда в 12:35 началась посадка, мадам проводила меня из зала до 9.0039 Gate C3 и довез меня на «Автомобиле первого класса» до Gate .
Начало посадки в 12:35 Uhr beginnen soll begleitet mich die Dame aus der Lounge rechtzeitig zum Gate C3 und fährt mich mit dem gleichen «First-Class-Fahrzeug» bis Gate .
Ознакомьтесь с предварительными условиями, необходимыми перед использованием A4T .
Verstehen der Voraussetzungen für die Verwendung von А4Т
Прежде чем вы сможете начать использовать A4T , вам необходимо запросить подготовку вашей учетной записи для интеграции.
Bevor Sie A4T verwenden können, müssen Sie eine Bereitstellung Ihres Kontos für die Integration anfordern.
При рассмотрении возможности использования A4T помните о следующих моментах.
Wenn Sie über einen Einsatz von A4T nachdenken , sollten Sie die die folgenden Punkte beachten
6. Система регулировки фазы тактового сигнала по п.6, в которой указанные емкости (C1, C2, , C3, , C4), подключенные к вентилям 2p NOR , являются паразитными емкостями, имеющими разные соответствующие значения.
Ein Taktphaseneinstellungssystem nach Anspruch 6, bei dem die genannten Kapazitäten (C1, C2, C3 , C4), die mit den 2 p NOR-Gattern verbunden sind, Streukapazitäten sind, die unterschiedliche entsprechende Werte haben.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что вывод (А) схемы регулирования напряжения соединен с емкостью ( С3, , С6) для управления затвором элементов управления током (Т1, Т2).
2. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß an einen Anschluß (A) der Spannungsregelschaltung eine Kapazität ( C3 , C6) zur Gate-Ansteuerung der Stromsteuerorgane (T1, T2) angeschlossen ist.
Ворота и дверные системы, включая парковочные системы, снова будут расположены в павильоне B3 и небольшой части павильона C3 .
Tor- und Türantriebstechniken inklusive Parksysteme belegen wieder die Halle B3 sowie einen kleinen Teil der Halle C3 .
Схема по п.1 или 2, отличающаяся тем, что катод каждого тиристора (Th2, Th3, Th4) соединен с его затвором через конденсатор ( C3 , C4, C5) или резистор.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 или 2, daurch gekennzeichnet, daß die Kathode jedes Тиристоры (Th2, Th3, Th4) über einen Конденсатор ( C3 , C4, C5) или Widerstand mit seinem Ворота verbunden ist.
Интеграция A4T позволяет использовать отчеты Analytics для изучения результатов.
Mit der A4T-Integration können Sie Ihre Ergebnisse and von Analytics-Berichten überprüfen.
Чтобы увидеть полную интеграцию A4T , вам необходимо следующее
Венн Си über einen Einsatz von A4T nachdenken , sollten Sie die die folgenden Punkte beachten
При просмотре отчетов о действиях A4T в целевом пользовательском интерфейсе вы просматриваете данные Analytics.
Wenn Sie in der Target-Benutzeroberfläche Berichte zu einer A4T-Aktivität anzeigen, werden Ihnen Analytics-Daten angezeigt.
Поддержка Analytics в качестве источника отчетов ( А4Т )
Unterstützung von Analytics как Berichtsquelle ( A4T )
Устройство по п. 1, отличающееся тем, что задний затвор указанного четвертого транзистора (P12) соединен с третьей точкой соединения ( C3 ), соединяющей между собой указанный третий транзистор (N11) и указанный четвертый транзистор (P12).
Einrichtung nach Anspruch 1, daduch gekennzeichnet, daß das Rückgage des Vierten Transistors (P12) mit einem dritten Verbindungspunkt ( C3 ) verbunden ist, der den den dritten Transistor (N11) und den vierten Transistor (P12) verbindet.
Интеграция Target в Analytics ( A4T )
Integrieren von Target in Analytics ( A4T )
Возможно неприемлемый контент
Примеры используются только для того, чтобы помочь вам перевести искомое слово или выражение в различных контекстах. Они не отбираются и не проверяются нами и могут содержать неприемлемые термины или идеи. Пожалуйста, сообщайте о примерах, которые нужно отредактировать или не отображать. Грубые или разговорные переводы обычно выделены красным или оранжевым цветом.
Зарегистрируйтесь, чтобы увидеть больше примеров Это простой и бесплатный
регистр Соединять
Ничего не найдено для этого значения.Больше возможностей с нашим бесплатным приложением
Голос и фото перевод, офлайн функций, синонимов , спряжение , обучение игры
Время действия: 137108. Exlapsedactms.
Документы Корпоративные решения Спряжение Синонимы Проверка грамматики Помощь и оИндекс слова: 1-300, 301-600, 601-900
Индекс выражения: 1-400, 401-800, 801-1200
Индекс фразы: 1-400, 401-800, 801-1200
сток перевод ворот на французский | Англо-французский словарь
[+дом] канализация ф
канализация
[+дом] les canalisations
→ совет пришлет инспектора, чтобы осмотреть место, проверить канализацию и так далее.
→ требуется водопроводная вода и канализация
Стоки засорены. Les canalisations sont bouchées.
насмарку * (=потерянный, потраченный впустую) jeté (e) par les fenêtres
→ Это еще 20 фунтов на ветер.
на свалку * (=быть разрушенным) être anéanti (e)
→ Их публичный имидж катился насмарку.
→ Четыре года его жизни прошли насмарку из-за травмы.
→
дренажные стержни
[+город] канализация f
→ муниципальные работники прокладывали канализацию на автомагистрали A917 в Питмилли, недалеко от Сент-Эндрюса
(отверстие на обочине, закрыто металлической сеткой) bouche f d’égout
→ Он уронил ключи в канализацию.
отток ресурсов une poction
→ Они считают пенсионеров оттоком ресурсов.
утечка средств une ponction
→ Банки сталкиваются с большой утечкой средств.
→ Денежные потери партии будут значительными.
, чтобы быть истощением STH [+ресурсы, фонды] Составляющие Une Ponction Dans QCH, составляющий Une Ponction Sur QCH
→ Обнищаемые пенсионеры будут больше в течение NHS
VT
[+Земля, марш, марш, марш, марш, марш, марш, марш. мой] осушитель, ассешер
→ Генрих VIII осушил болото.
для слива воды из чего-н [+land, mines] Drainer qch
→ Туннели сливают воду из шахт.
[+овощи] égoutter
→ Слейте воду с нута и промойте его.
(=пусто)
[+резервуар] видер
[+стакан, чашка] видер
→ Памела осушила свой стакан и снова наполнила его.
(=ласточка)
[+напиток] vider d’un trait
→ Он допил остатки своего напитка.
(=усталость)
[+person] exténuer
→ Эмоциональная суматоха этой недели истощила меня.
→ Ей понадобилось три часа, чтобы добраться до работы в Истборне — это действительно начинало ее истощать.
чувствовать истощение (энергии, эмоций)
être épuisé (e)
ви
[вода] s’écouler
→ Вся вода стекает в реку.
утечка мозгов
n fuite f des cerveaux
→ Мы рискуем потерять большую часть талантов из-за утечки мозгов за границу.
дренажные стержни
npl furet м
→ вставьте дренажные стержни в центральный участок трубы и поверните их
Перевод английского на французский Словарь Коллинза  
Смотрите также:
дренажные стержни, утечка мозгов, осушать, втягивать
Совместный словарь Англо-французскийВы хотите отклонить эту запись: дайте нам свои комментарии (неправильный перевод/определение, повторяющиеся записи. ..) |
Чтобы добавлять слова в свой словарь, станьте участником сообщества Reverso или войдите в систему, если вы уже являетесь его участником. Это просто и занимает всего несколько секунд:
Или зарегистрируйтесь традиционным способом
» сливной вентиль «: примеры и переводы в контекстеПосле завершения слива компьютерный терминал завершает цикл очистки, закрывая сливную заслонку и открывая входную и выходную заслонки. | Une fois le дренажный терминал, le terminal d’ordinateur complète le cycle de nettoyage en fermant la Porte du Drain et en ouvrant les portes d’entrée et de sortie. |
в продолжении дренажного затвора первая частичная площадь имеет размер, существенно превышающий глубину проникновения направленной наружу диффузии в подложку | в удлинительной дренажной решетке, часть премьер-зоны представлена в одном размере, вышестоящем по ширине проникновения внешней диффузии в подложке |
В еще одном варианте осуществления положительное напряжение смещения vbias получается путем деления выбранного напряжения затвора стока vcc с помощью двух последовательно соединенных резисторов. |