Фоторезисты. Позитивные и негативные фоторезисты

Электротехника \ Микроэлектронные устройства

Страницы работы

2 страницы (Word-файл)

Посмотреть все страницы

Скачать файл

Содержание работы

Фоторезисты

В качестве светочувствительных материалов в полупроводнико­вой промышленности применяют различные составы на основе органических веществ. Основное свойство такого состава — существенное изменение физикохимических свойств под действием облучения актиничным светом — объясняется фотохимическими реакциями между компо­нентами состава, в результате которых происходит в одних случаях сшивание молекул вещества в полимерные структуры, в других — разрушение межмолекулярных связей. В результате растворимость пленки такого вещества в проявителях специального состава изме­няется таким образом, что в облученных местах пленка переходит для одних веществ из нерастворимого состояния в растворимое (

позитивный ФР) или из растворимого в нерастворимое (негативный ФР) для других веществ. В пленке позитивного фоторезиста после проявления на облученных участ­ках получаются окошки, для негативного фоторезиста картина будет обратной (негативной) — облученным участкам будет соответство­вать нерастворенная пленка.

Позитивные фоторезисты чаще всего синтезируются на основе нафтохинондиазидов. Принцип действия этих фоторезистов заключается в замене (деструкции) диазогруппы на другие функциональные группы под действием света, в результате чего пленка фоторезиста приобретает растворимость в щелочных проя­вителях.

В негативных фоторезистах

в качестве основной составляющей применяют поливинилциннамат, который получают этерификацией поливинилового спирта. Необлученный поливинилциннамат хорошо растворяется в органических растворителях: толуоле, хлорбензоле, смеси толуола с хлорбензолом и др. При облучении актиничным светом пленка поливинилциннамата переходит и нерастворимое соединение за счет образования трехмерной структуры молекул (из-за светочувствительной циннамоильной группы, содержащей двойную углеродную связь С=С, которая разрывается при облучении УФ светом и приводит к сшиванию молекул поливинилового спирта в трехмерную структуру).

Поливинилциннаматы  чувствительны  к  ультрафиолетовой   об­мети спектра с длиной волны от 330 нм и меньше, но с помощью специальных сенсибиллизаторов граница чувствительности может быть существенно смещена в длинноволновую область спектра до 450 нм. Позитивные фоторезисты имеют длинноволновую границу ;сточувствительности в районе 460-480 нм,что снимает ряд требований к прозрачным материалам при конструировании аппаратуры для экспонирования. В частности, для экспонирования позитив­ного фоторезиста  можно использовать обычную оптику, а не кварцевую.  Это  обстоятельство  делает  позитивный  фоторезист  более удобным для проекционной печати.

Основные требования, предъявляемые к фоторезистам, вытекают из технологических особенностей их применения.

Светочувствительные материалы должны образовывать однород­ные растворы заданной степени вязкости, с тем чтобы обеспечить равномерное нанесение сплошной тонкой (0,3 – 0,6 мкм)пленки, высыхающей достаточно быстро. Фоторезистивные составы не должны иметь механических нерастворенных включений (пыли) с размерами частиц более чем 0,1 — 0,2 мкм, в противном случае эти частицы образуют проколы в обработанной пленке фоторезиста.

Пленки фоторезистов должны иметь достаточно высокую адгезионную способность к подложкам и стойкость к травителям раз­ного состава, сохраняя при травлении хорошую адгезию и обеспе­чивая травление рельефа на необходимую глубину, определяемую технологическим процессом изготовления основного изделия. Фото­резисты должны обеспечивать достаточно высокую разрешающую способность, а также воспроизводимую гравировку рельефа с ми­нимальными поперечными размерами. Кроме того, к составам фоторезистов предъявляются требования стабильности их свойств во времени и от партии к партии.

В отечественной и зарубежной промышленности создано боль­шое количество фоточувствительных материалов, отвечающих указанным выше требованиям. Основные фоторезисты, нашедшие наи­более широкое применение в промышленности, приведены и табл. 6.3.

Разрешающая способность приведенных фоторезистов зависит от толщины пленки и при ее снижении до 0,2-0,3 мкм может достигать 1200-2000 лин/мм, что позволяет фотогравировать структуры самых различных конфигураций с размерами элементов структур до 1 мкм, и менее.

Изображения, полученные на фоторезистовых пленках, имеют более четкие границы, чем могут обеспечить фотоэмульсии высокой разрешающей способности. Это явление обусловлено тем, что по своей природе фоторезисты имеют молекулярную, а не зернистую структуру, характерную для всех фотоэмульсий на основе галоидных соединений серебра.

Однако следует помнить, что разрешающая способность фоторезиста определяется на проявлен­ном рельефе, а разрешающая способность процесса фотолитографии в целом определяется после травления пленки на подложке. На разрешающую способность процесса в значительной степени оказывают влияние как условия экспонирования (время, освещенность), так и качество обработки пластин после экспони­рования (время проявления, кислотостойкость ФР, время травления).

Под кислотостойкостью ФР понимается стойкость фоторезиста к воздействию агрессивных сред при выполнении операций травле­ния, т. е. при получении рельефа на подложке. Для этой цели в фотолитографии на полупроводниковой пластине используются кислоты: азотная, плавиковая и др.

, при производстве фотошаблонов — как правило, соляная кислота.

Недостаточная кислотостойкость фоторезиста проявляется в сле­дующем: фоторезист подтравливается на краях рельефа (что изменяет геометрические размеры рисунка), а также отслаивается от подложки при травлении или  разрушается полностью (что является совершенно недопустимым).

Похожие материалы

Информация о работе

Скачать файл

Выбери свой ВУЗ

• АлтГТУ 419
• АлтГУ 113
• АмПГУ 296
• АГТУ 267
• БИТТУ 794
• БГТУ «Военмех» 1191
• БГМУ 172
• БГТУ 603
• БГУ 155
• БГУИР 391
• БелГУТ 4908
• БГЭУ 963
• БНТУ 1070
• БТЭУ ПК 689
• БрГУ 179
• ВНТУ 120
• ВГУЭС 426
• ВлГУ 645
• ВМедА 611
• ВолгГТУ 235
• ВНУ им. Даля 166
• ВЗФЭИ 245
• ВятГСХА 101
• ВятГГУ 139
• ВятГУ 559
• ГГДСК 171
• ГомГМК 501
• ГГМУ 1966
• ГГТУ им. Сухого 4467
• ГГУ им. Скорины 1590
• ГМА им. Макарова 299
• ДГПУ 159
• ДальГАУ 279
• ДВГГУ 134
• ДВГМУ 408
• ДВГТУ 936
• ДВГУПС 305
• ДВФУ 949
• ДонГТУ 498
• ДИТМ МНТУ 109
• ИвГМА 488
• ИГХТУ 131
• ИжГТУ 145
• КемГППК 171
• КемГУ 508
• КГМТУ 270
• КировАТ 147
• КГКСЭП 407
• КГТА им. Дегтярева 174
• КнАГТУ 2910
• КрасГАУ 345
• КрасГМУ 629
• КГПУ им. Астафьева 133
• КГТУ (СФУ) 567
• КГТЭИ (СФУ) 112
• КПК №2 177
• КубГТУ 138
• КубГУ 109
• КузГПА 182
• КузГТУ 789
• МГТУ им. Носова 369
• МГЭУ им. Сахарова 232
• МГЭК 249
• МГПУ 165
• МАИ 144
• МАДИ 151
• МГИУ 1179
• МГОУ 121
• МГСУ 331
• МГУ 273
• МГУКИ 101
• МГУПИ 225
• МГУПС (МИИТ) 637
• МГУТУ 122
• МТУСИ 179
• ХАИ 656
• ТПУ 455
• НИУ МЭИ 640
• НМСУ «Горный» 1701
• ХПИ 1534
• НТУУ «КПИ» 213
• НУК им. Макарова 543
• НВ 1001
• НГАВТ 362
• НГАУ 411
• НГАСУ 817
• НГМУ 665
• НГПУ 214
• НГТУ 4610
• НГУ 1993
• НГУЭУ 499
• НИИ 201
• ОмГТУ 302
• ОмГУПС 230
• СПбПК №4 115
• ПГУПС 2489
• ПГПУ им. Короленко 296
• ПНТУ им. Кондратюка 120
• РАНХиГС 190
• РОАТ МИИТ 608
• РТА 245
• РГГМУ 117
• РГПУ им. Герцена 123
• РГППУ 142
• РГСУ 162
• «МАТИ» — РГТУ 121
• РГУНиГ 260
• РЭУ им. Плеханова 123
• РГАТУ им. Соловьёва 219
• РязГМУ 125
• РГРТУ 666
• СамГТУ 131
• СПбГАСУ 315
• ИНЖЭКОН 328
• СПбГИПСР 136
• СПбГЛТУ им. Кирова 227
• СПбГМТУ 143
• СПбГПМУ 146
• СПбГПУ 1599
• СПбГТИ (ТУ) 293
• СПбГТУРП 236
• СПбГУ 578
• ГУАП 524
• СПбГУНиПТ 291
• СПбГУПТД 438
• СПбГУСЭ 226
• СПбГУТ 194
• СПГУТД 151
• СПбГУЭФ 145
• СПбГЭТУ «ЛЭТИ» 379
• ПИМаш 247
• НИУ ИТМО 531
• СГТУ им. Гагарина 114
• СахГУ 278
• СЗТУ 484
• СибАГС 249
• СибГАУ 462
• СибГИУ 1654
• СибГТУ 946
• СГУПС 1473
• СибГУТИ 2083
• СибУПК 377
• СФУ 2424
• СНАУ 567
• СумГУ 768
• ТРТУ 149
• ТОГУ 551
• ТГЭУ 325
• ТГУ (Томск) 276
• ТГПУ 181
• ТулГУ 553
• УкрГАЖТ 234
• УлГТУ 536
• УИПКПРО 123
• УрГПУ 195
• УГТУ-УПИ 758
• УГНТУ 570
• УГТУ 134
• ХГАЭП 138
• ХГАФК 110
• ХНАГХ 407
• ХНУВД 512
• ХНУ им. Каразина 305
• ХНУРЭ 325
• ХНЭУ 495
• ЦПУ 157
• ЧитГУ 220
• ЮУрГУ 309

Полный список ВУЗов

Фильтрация фоторезиста при промышленном производстве микроэлектроники

Задачей фотолитографии является создание защитной маски, заданной конфигурации на подложке полупроводника. Это комплексный процесс, включающий выбор и очистку светочувствительного материала, подготовку подложек с дальнейшим формированием на них защитных пленок и дальнейшие технологические операции (экспонирование, термообработка, травление, проявление).

Светочувствительный материал, наносимый на подложку, называется фоторезистом. Фоторезисты – это полимерные системы, обладающие комплексными свойствами: способностью изменять свои свойства под воздействием света (светочувствительность) и способностью сопротивляться воздействию температуры и агрессивных кислотных и щелочных сред (резистивность).

В зависимости от реакции фоторезиста на воздействие света они делятся на позитивные и негативные. Негативные образуют на поверхности пластины нерастворимые участки, которые являются негативным отображением оригинала и остаются на поверхности пластины после проявления. Позитивные, напротив, создают растворимые участки и являются копией рисунка оригинала.

Среди негативных наиболее распространены соединения на основе сшитых полимеров на основе диазидов с фенол- и крезолформальдегидными смолами или циклоолефиновыми каучуками. Реакция полимеризации инициируется воздействием света, в результате происходит превращение диазида в нитрен с выделением азота с последующим присоединением нитрена к смоле или каучуку путем образования диазиридиновых мостиков. Механизм реакции может быть представлен уравнением:

Также применяются фоторезисты на основе сенсобилизированного поливинилового спирта [-CH₂CH- (OH)-]_n или состав на основе его сложного эфира с коричной кислотой – поливинилциннамата.

Для негативных фоторезистов применяются органические растворители, например, ксилол, толуол (их смеси), хлорбензол, циклогексанон (их смеси).

Типичными позитивными фоторезистами выступают системамы в которых в качестве светочувствительного компонента выступает сульфо-эфир о-нафтохинондиазида, содержание которого находится в пределах 5-40 %масс., а в качестве пленкообразующего агента выступают новолачные смолы. Также новолачные смолы значительно улучшают адгезию и химическую стойкость.

 

При воздействии света сложный эфир превращается в производное индекарбоновой кислоты. При воздействии водного раствора калийной щелочи при проявлении оно удаляется с поверхности вместе с новолачной смолой.

Очевидно, что качество фоторезиста напрямую влияет на процесс фотолитографии. Поэтому перед нанесением необходима фильтрация непосредственно перед точкой ввода в процесс – Point-of-Use. Среди возможных нежелательных включений в фоторезистах можно выделить следующие:

• Твердые механические частицы. Оседая между компонентами микросхемы, частица размером 0,2-0,3 мкм может приводить короткому замыканию и, как следствие, браку всего изделия. Также такие частицы препятствуют формированию равномерного слоя, причем этот дефект накапливается с каждым последующем слоем и может стать критическим.
• Мягкие частицы (гели). Присутствие частиц данного типа в фоторезисте обусловлено особенностями процесса производства и хранения. В отличие от твердых частиц они способны к деформации при определенном давлении.
• Растворенные металлы. Остаточные концентрации железа, натрия, кальция в концентрациях более 20 мкг/л могут приводить к нарушениям проводящих свойств, что сказывается на качестве изделия в целом.
• Микропузырьки воздуха и газов. Для современных техпроцессов требуется применения фильтрующих элементов с тонким рейтингом фильтрации. В процессах могут применяться покрытия, содержащие ПАВ. Фоторезисты содержат достаточно большие количества растворенного воздуха. Эти факторы являются причиной возникновения микропузырьков, которые не только оказывают влияние на правильность нанесения и создания защитных масок, но и напрямую будут влиять на процесс фильтрации.

Исходя из понимания состава фоторезистов, возможных нежелательных включений и их особенностей, можно сформулировать требования к фильтрующим элементам:

• Должны обладать химической совместимостью с фоторезистом и должны быть чистыми. Учитывая крайне малый размер частиц, приводящий к негативным последствиям необходимо, чтобы фильтрующие элементы не привносили никаких дополнительных загрязнений в фильтрат. Как правило, фоторезист подается небольшими количествами и насосы, используемые для его подачи, не рассчитаны на длительные циклы отмывки элементов

• Должны обеспечивать минимальное дифференциальное давление при фильтрации. Данное требование вытекает сразу из двух возможных видов загрязнений фоторезиста: гелей и микропузырьков. Гели могут деформироваться под воздействием давления. Чем выше дифференциальное давление на элементе, тем большее давление на входе требуется для поддержания постоянного потока. В итоге при росте перепада давления входное давление может достичь значения, достаточного для деформации частицы и проникновения ее в фильтрат. Повышенное дифференциальное давление является одной из причин появления микропузырьков. Попадая в пору гидрофобного фильтрующего элемента, они приводят к недостаточной смачиваемости, в результате чего пора блокируется. По мере увеличения количества заблокированных пор растет перепад давления (происходит усиление эффекта) и снижается пропускная способность элемента.
• Фильтрующий материал должен обладать хорошей смачиваемостью. Хорошая смачиваемость материала с одной стороны значительно снижает время подготовки элемента к фильтрации за счет быстрого удаления воздуха из пор, а с другой – предотвращает образование пузырьков и блокирование пор в процессе фильтрации. Величина критического поверхностного натяжения смачивания определяет необходимость предварительного смачивания материала и продолжительность подготовки к фильтроциклу.

Для фильтрации фоторезиста мы рекомендуем картридж Amazon Supapore 16TTG, мембрана которого выполнена из гидрофобного ПТФЭ, а оснастка из PFA. Рекомендуемая рабочая температура – до 170 °С. Доступные рейтинги фильтрации от 0,05 до 10,0 мкм.

Также отличным выбором станет элемент Amazon Supapore Halar, с фильтрующим материалом ECTFE Halar и оснасткой из нейлона или полипропилена.

Фильтрующие элементы Amazon 16MPG – конструкция, полностью изготовленная из полипропилена. Абсолютная мембрана из полипропилена с рейтингом 0,1 или 0,2 мкм обладает широкой химической совместимостью, превосходной смачиваемостью и низким дифференциальным давлением.

Все, что вы должны знать о фотолитографии в нанотехнологиях

Фотолитография — один из самых популярных методов создания наноразмерных компонентов схемы. Нисефор Ньепс, французский ученый, разработал первый фоторезист в 1820 году. Этот компонент имеет основополагающее значение для фотолитографии в нанотехнологии. Фоторезисты — это вещества, вступающие в химическую реакцию под воздействием света. Сегодняшняя фотолитография очень похожа на оригинальный процесс Ньепса. Фотолитография в нанотехнологиях — это шестиэтапный процесс.

• Подготовка вафель
• нанесение фоторезиста
• Запекание перед экспозицией
• Воздействие
• Запекание после экспонирования
• Разработка

Пластина представляет собой тонкий кусок полупроводникового материала, такого как кристаллический кремний, образующий основу для фотолитографии. Прежде чем пластина будет готова к использованию, она должна пройти несколько этапов подготовки и очистки от органических загрязнений.

В чем разница между фотолитографическим позитивным негативным резистом?

Фоторезист является важным материалом для поставщиков полупроводников. Однако два типа этого светочувствительного материала, отрицательный и положительный, по-разному реагируют на УФ-излучение. Поэтому крайне важно полностью понимать различия между фотолитографическим позитивным негативным резистом и резистом , чтобы обеспечить высочайшее качество результатов в бизнесе по производству полупроводников.

Позитивные фоторезисты

Позитивные фоторезисты стратегически нацелены на зону поставщика полупроводников для удаления УФ-излучения. Химическая структура фоторезиста изменяется под воздействием УФ-излучения. Он становится более растворимым в проявителях фоторезиста.

Растворитель для проявителя фоторезиста используется для смывания экспонированных участков, оставляя нижележащий материал. Проявитель фоторезиста не растворяет области, которые не подвергались воздействию УФ-излучения. Вы получаете идентичную копию шаблона при работе с позитивными фоторезистами в производстве полупроводников. Эта маска помещается на пластину.

Негативные фоторезисты

Воздействие УФ-излучения может вызвать полимеризацию негативных резистов. Это противоположность позитивным фоторезистам. Негативные фоторезисты менее растворимы и труднее растворяются. Таким образом, обработанный УФ-излучением негативный резист остается на поверхности, а раствор для проявления фоторезиста удаляет неэкспонированные области. Это создает маску с рисунком, обратным оригиналу, нанесенному на пластину.

Хотя сегодня в производстве полупроводников все еще можно использовать как позитивные, так и негативные фоторезисты, многие поставщики полупроводников предпочитают позитивные фоторезисты из-за их более высокого разрешения. Поскольку растворитель, используемый для проявления фоторезиста, не проникает в области, не подверженные воздействию УФ-излучения, позитивные фоторезисты могут сохранять свой рисунок и размер. Негативные резисты могут вызывать искажения рисунка, проникая как в области, подвергшиеся воздействию УФ-излучения, так и в области, не подвергавшиеся воздействию.

Заключительные мысли

Хотя позитивные фоторезисты имеют преимущество, они не являются единственным вариантом. Негативные резисты могут быть отличным выбором для полупроводниковых источников питания с низкими требованиями к разрешению. Негативные резисты работают быстрее, чем позитивные фоторезисты, имеют более широкий диапазон процессов, более низкие эксплуатационные расходы и более высокую скорость фотопечати. Кроме того, негативные фоторезисты имеют более высокую адгезию к определенным материалам подложки. В результате как негативные, так и позитивные фоторезисты необходимы в производстве полупроводников и позволяют производить различные высококачественные продукты.

Олеофобные фоторезисты и пример корпуса

02/

Пример применения технологии олеофобного фоторезиста при производстве OLED-дисплеев

В этом разделе объясняется, почему технология олеофобного фоторезиста стала необходимой при производстве OLED-дисплеев, проблемы, которые были решены, требуемые спецификации и т. д.

OLED-дисплей используется в качестве примера технологии олеофобного фоторезиста. Объясняется, почему эта технология стала необходимой при производстве OLED-дисплеев, решаемые проблемы, требуемые характеристики и т. д. Пожалуйста, изучите возможности олеофобного фоторезиста на примере этого случая.

Почему олеофобность стала необходимой при производстве OLED-панелей

Почему олеофобность стала необходимой при производстве
панели OLED-дисплея

Традиционными методами производства панелей OLED-дисплеев являются метод осаждения из паровой фазы белого цвета + цветной фильтр и метод осаждения из паровой фазы RGB. Эти производственные процессы требуют больших вакуумных устройств и тонких масок. Однако использование этих методов для больших дисплеев сопряжено с чрезвычайными техническими трудностями, а также с увеличением производственных затрат из-за низкой эффективности производства, увеличением стоимости материалов из-за низкого коэффициента использования материалов и воздействия на окружающую среду.

Между тем, метод печати RGB, который был предметом исследований и разработок, сокращает процессы больших вакуумных устройств и не требует тонкой маски. Это позволило наладить массовое производство мониторов среднего размера, повысить эффективность производства и снизить производственные затраты. JOLED Inc. запустила линию массового производства с использованием метода RGB-печати для производства 32-дюймового дисплея (OLEDIO™) в 2021 году.

JOLED Inc.:
https://www.j-oled.com/eng/technology/

JOLED Inc.:
https://www.j-oled.com/eng/press/20210329/

Олеофобная технология имеет важное значение в методе печати RGB.

Отдельное применение чернил RGB на струйном OLED-дисплее с использованием олеофобной технологии

Отдельное приложение для чернил RGB
на струйном OLED-дисплее
решено по олеофобной технологии

В методе печати RGB, который является эффективным способом производства OLED-дисплеев, люминесцентные материалы наносятся на пиксели RGB внутри панели OLED-дисплея с помощью струйной печати.
OLED использует органические соединения (чернила) в качестве люминесцентных материалов. Также имеются пиксели RGB шириной от 10 до 30 мкм и толщиной пленки от 1 до 2 мкм, выровненные внутри панели, как показано на рис. 3.

Для предотвращения смешения цветов между соседними пикселями, когда чернила наносятся на пиксели в качестве люминесцентного материала. , стена (банка), разделяющая пиксели, должна быть олеофобной. В процессе фотолитографии гидрофобный и олеофобный слой формируются только в верхней части стенки (банки), разделяющей RGB-пиксели (см. рис. 4), для предотвращения смешения цветов.

Рис. 3: RGB-пиксели на подложке OLED-дисплея

Рис. 4: Поперечное сечение RGB-пикселей на подложке OLED-дисплея

Олеофобный фоторезист, поддерживающий метод RGB-печати для изготовления панелей OLED-дисплеев

Олеофобный фоторезист, поддерживающий
метод печати RGB
для производства OLED-панелей

Для олеофобного фоторезиста, используемого в методе RGB-печати, гидрофобный и олеофобный слой должны формироваться только на верхней части стенки (банки), разделяющей RGB-пиксели в процессе фотолитографии.
Подложка с гидрофобным и олеофобным слоем, сформированным после процесса фотолитографии, направляется в процесс нанесения люминесцентного материала (чернил) внутрь пикселей методом струйной печати. В этом процессе можно контролировать чернила, поскольку люминесцентный материал (чернила) скользит вниз и оседает внутри пикселя благодаря олеофобным характеристикам, даже когда чернила капают на гидрофобный и олеофобный слой в верхней части блока (см. 5).

Рис. 5: Поперечное сечение пикселей RGB на подложке OLED-дисплея и функция гидрофобного и олеофобного слоев в олеофобном фоторезисте

Свойство переноса фтора на поверхность, которое требуется в олеофобном фоторезисте для струйных дисплеев OLED

Поверхностная переносимость фтора,
что требуется в олеофобном фоторезисте
для струйных OLED-панелей

Соединение фтора используется в олеофобных фоторезистах для струйных OLED-дисплеев. Это связано с тем, что фтор обладает свойствами гидрофобности и олеофобности, а также переносом поверхности на границу раздела с воздухом. В частности, свойство поверхностного переноса важно для формирования гидрофобного и олеофобного слоев только в верхней части стенки (банки), разделяющей RGB-пиксели.

Фтор переносится на поверхность благодаря малой силе Ван-дер-Ваальса (межмолекулярной силе) и малой внутренней энергии. В то время как в растворителе олеофобного фоторезиста смешиваются несколько соединений, включая фтористый компонент, фтористый компонент отделяется от других компонентов из-за разницы в силе Ван-дер-Ваальса при удалении растворителя в процессе фотолитографии. Поскольку воздух обладает небольшой силой Ван-дер-Ваальса, аналогичной фторсодержащей составляющей, фторсодержащая составляющая, обладающая относительно небольшой внутренней энергией по сравнению с другими соединениями, имеет тенденцию двигаться к поверхности раздела с воздухом, чтобы стабилизировать пленку покрытия (см. 6).

Данная характеристика позволяет избирательно переносить фторсодержащую составляющую на поверхность, формируя таким образом олеофобный фоторезист с гидрофобным и олеофобным слоем только в верхней части банки.