Урок физики на тему «Полупроводники. Электрический ток через контакт полупроводников p-n типов. Полупроводниковый диод. Транзисторы»
Урок в 10-м классе.
Тема: «Полупроводники. Электрический ток через контакт полупроводников р- и n—типов. Полупроводниковый диод. Транзисторы».
Цели:
- образовательные: сформировать представление о свободных носителях электрического заряда в полупроводниках при наличии примесей с точки зрения электронной теории и опираясь на эти знания выяснить физическую сущность p-n-перехода; научить учащихся объяснять работу полупроводниковых приборов, опираясь на знания о физической сущности p-n-перехода;
- развивающие: развивать физическое мышление учащихся, умение самостоятельно формулировать выводы, расширять познавательный интерес, познавательную активность;
- воспитательные: продолжить формирование научного мировоззрения школьников.
Оборудование: презентация по теме: «Полупроводники. Электрический ток через контакт полупроводников
Слайд 1.
Слайд 2. Полупроводник – вещество, у которого удельное сопротивление может изменяться в широких пределах и очень быстро убывает с повышением температуры, а это значит, что электрическая проводимость (1/R) увеличивается.
Наблюдается у кремния, германия, селена и у некоторых соединений.
Слайд 3.
Механизм проводимости у полупроводников
Слайд 4.
Кристаллы полупроводников имеют атомную кристаллическую решетку, где внешние 
При низких температурах у чистых полупроводников свободных электронов нет и они ведут себя как диэлектрики.
Полупроводники чистые (без примесей)
Если полупроводник чистый(без примесей), то он обладает собственной проводимостью, которая невелика.
Собственная проводимость бывает двух видов:
Слайд 6. 1) электронная (проводимость «n » – типа)
При низких температурах в полупроводниках все электроны связаны с ядрами и сопротивление большое; при увеличении температуры кинетическая энергия частиц увеличивается, рушатся связи и возникают свободные электроны – сопротивление уменьшается.
Свободные электроны перемещаются противоположно вектору напряженности электрического поля.
Электронная проводимость полупроводников обусловлена наличием свободных электронов.
1017 1024
Слайд 7.
2) дырочная (проводимость » p» – типа)
При увеличении температуры разрушаются ковалентные связи, осуществляемые валентными электронами, между атомами и образуются места с недостающим электроном – «дырка».
Она может перемещаться по всему кристаллу, т.к. ее место может замещаться валентными электронами. Перемещение «дырки» равноценно перемещению положительного заряда.
Перемещение дырки происходит в направлении вектора напряженности электрического поля.
Кроме нагревания, разрыв ковалентных связей и возникновение собственной проводимости полупроводников могут быть вызваны освещением (фотопроводимость) и действием сильных электрических полей. Поэтому полупроводники обладают ещё и дырочной проводимостью.
Общая проводимость чистого полупроводника складывается из проводимостей «p» и «n» -типов и называется электронно-дырочной проводимостью.
Полупроводники при наличии примесей
У таких полупроводников существует собственная + примесная проводимость.
Наличие примесей проводимость сильно увеличивает.
При изменении концентрации примесей изменяется число носителей электрического тока – электронов и дырок.
Возможность управления током лежит в основе широкого применения полупроводников.
Слайд 8. 1) донорные примеси (отдающие) – являются дополнительными поставщиками электронов в кристаллы полупроводника, легко отдают электроны и увеличивают число свободных электронов в полупроводнике.
Слайд 9. Это проводники » n » – типа, т.е. полупроводники с донорными примесями, где основной носитель заряда – электроны, а неосновной – дырки.
Такой полупроводник обладает электронной примесной проводимостью. Например – мышьяк.
Слайд 10. 2) акцепторные примеси (принимающие) – создают «дырки» , забирая в себя электроны.
Это полупроводники » p «- типа, т.е. полупроводники с акцепторными примесями, где основной носитель заряда – дырки, а неосновной – электроны.
Такой полупроводник обладает дырочной примесной проводимостью.
Слайд 11. Например – индий. Слайд 12.
Рассмотрим, какие физические процессы происходят при контакте двух полупроводников с различным типом проводимости, или, как говорят, в р—n-переходе.
Слайд 13-16.
Электрические свойства «p-n» перехода
«p-n» переход (или электронно-дырочный переход) – область контакта двух полупроводников, где происходит смена проводимости с электронной на дырочную (или наоборот).
В кристалле полупроводника введением примесей можно создать такие области. В зоне контакта двух полупроводников с различными проводимостями будет проходить взаимная диффузия. электронов и дырок и образуется запирающий электрический слой. Электрическое поле запирающего слоя препятствует дальнейшему переходу электронов и дырок через границу. Запирающий слой имеет повышенное сопротивление по сравнению с другими областями полупроводника.
Внешнее электрическое поле влияет на сопротивление запирающего слоя.
При прямом (пропускном) направлении внешнего электрического поля электрический ток проходит через границу двух полупроводников.
Т.к. электроны и дырки движутся навстречу друг другу к границе раздела, то электроны, переходя границу, заполняют дырки. Толщина запирающего слоя и его сопротивление непрерывно уменьшаются.
Пропускной режим р-n перехода:
При запирающем (обратном) направлении внешнего электрического поля электрический ток через область контакта двух полупроводников проходить не будет.
Т.к. электроны и дырки перемещаются от границы в противоположные стороны, то запирающий слой утолщается, его сопротивление увеличивается.
Запирающий режим р-n перехода:
Таким образом, электронно-дырочный переход обладает односторонней проводимостью.
Полупроводниковые диоды
Полупроводник с одним «p-n» переходом называется полупроводниковым диодом.
– Ребята, запишите новую тему: «Полупроводниковый диод».
– Какой там ещё идиот?», – с улыбкой переспросил Васечкин.
– Не идиот, а диод! – ответил учитель, – Диод, значит имеющий два электрода, анод и катод. Вам ясно?– А у Достоевского есть такое произведение – «Идиот», – настаивал Васечкин.
– Да, есть, ну и что? Вы на уроке физики, а не литературы! Прошу больше не путать диод с идиотом!
Слайд 17–21.
При наложении эл.поля в одном направлении сопротивление полупроводника велико, в обратном – сопротивление мало.
Полупроводниковые диоды основные элементы выпрямителей переменного тока.
Слайд 22–25.
Транзисторами называют полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний.
Полупроводниковые транзисторы – также используются свойства» р-n «переходов, — транзисторы используются в схемотехнике радиоэлектронных приборов.
В большую «семью» полупроводниковых приборов, называемых транзисторами, входят два вида: биполярные и полевые. Первые из них, чтобы как – то отличить их от вторых, часто называют обычными транзисторами. Биполярные транзисторы используются наиболее широко. Именно с них мы пожалуй и начнем. Термин «транзистор» образован из двух английских слов: transfer – преобразователь и resistor – сопротивление. В упрощенном виде биполярный транзистор представляет собой пластину полупроводника с тремя (как в слоеном пироге) чередующимися областями разной электропроводности (рис. 1), которые образуют два р – n перехода. Две крайние области обладают электропроводностью одного типа, средняя – электропроводностью другого типа. У каждой области свой контактный вывод. Если в крайних областях преобладает дырочная электропроводность, а в средней электронная (рис. 1, а), то такой прибор называют транзистором структуры p – n – р. У транзистора структуры n – p – n, наоборот, по краям расположены области с электронной электропроводностью, а между ними – область с дырочной электропроводностью (рис.
При подаче на базу транзистора типа n-p-n положительного напряжения он открывается, т. е. сопротивление между эмиттером и коллектором уменьшается, а при подаче отрицательного, наоборот – закрывается и чем сильнее сила тока, тем сильнее он открывается или закрывается. Для транзисторов структуры p-n-p все наоборот.
Основой биполярного транзистора (рис. 1) служит небольшая пластинка германия или кремния, обладающая электронной или дырочной электропроводимостью, то есть n-типа или p-типа. На поверхности обеих сторон пластинки наплавляют шарики примесных элементов. При нагревании до строго определенной температуры происходи диффузия (проникновение) примесных элементов в толщу пластинки полупроводника. В результате в толще пластинки возникают две области, противоположные ей по электропроводимости. Пластинка германия или кремния p-типа и созданные в ней области n-типа образуют транзистор структуры n-p-n (рис. 1,а), а пластинка n-типа и созданные в ней области p-типа — транзистор структуры p-n-p (рис.
1,б).
Независимо от структуры транзистора его пластинку исходного полупроводника называют базой (Б), противоположную ей по электропроводимости область меньшего объема — эмиттером (Э), а другую такую же область большего объема — коллектором (К). Эти три электрода образуют два p-n перехода: между базой и коллектором — коллекторный, а между базой и эмиттером — эмиттерный. Каждый из них по своим электрическим свойствам аналогичен p-n переходам полупроводниковых диодов и открывается при таких же прямых напряжениях на них.
Условные графические обозначения транзисторов разных структур отличаются лишь тем, что стрелка, символизирующая эмиттер и направление тока через эмиттерный переход, у транзистора структуры p-n-p обращена к базе, а у транзистора n-p-n — от базы.
Слайд 26–29.
III. Первичное закрепление.- Какие вещества называются полупроводниками?
- Какую проводимость называют электронной?
- Какая проводимость наблюдается ещё у полупроводников?
- О каких примесях теперь вам известно?
- В чем заключается пропускной режим p-n- перехода.
- В чем заключается запирающий режим p-n- перехода.
- Какие полупроводниковые приборы вам известны?
- Где и для чего используют полупроводниковые приборы?
- Как меняется удельное сопротивление полупроводников: при нагревании? При освещении?
- Будет ли кремний сверхпроводящим, если его охладить до температуры, близкой к абсолютному нулю? (нет, с понижением температуры сопротивление кремния увеличивается).
§ 113-116 – учить, пов. § 109–112.
Физика и техника полупроводников
Журнал основан в 1967 году.
Журнал публикует статьи и краткие сообщения по следующим направлениям физики
и техники полупроводников: аморфные полупроводники, микро- и наноструктуры,
дефекты и примеси, легирование и имплантация, радиационные эффекты,
эпитаксия и рост тонких пленок, зонная структура полупроводников,
транспортные явления, эффекты туннелирования, прикладные аспекты материаловедения.
Периодичность выхода в свет — ежемесячно.
ISSN: 0015-3222 (print), 1726-7315 (online)
Учредителями являются:
- Российская академия наук
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук
Издается ФТИ им. А.Ф.Иоффе.
Запрещается использование материалов сайта журнала «Физика и техника полупроводников» в коммерческих целях, а также передача этих материалов третьим лицам для коммерческого использования.
Владимир Иванович Иванов-Омский
Роберт Арнольдович Сурис (к 85-летию со дня рождения)
Уважаемые авторы статей, опубликованных в журналах ФТИ им. А.Ф. Иоффе!
ФТИ им. А.Ф. Иоффе начал самостоятельную публикацию переводных англоязычных версий всех издаваемых им на русском языке журналов, начиная с первых выпусков этого года.
К концу сентября на сайте Института будут опубликованы англоязычные выпуски журналов за первую половину 2022, а также не изданные по вине недобросовестного партнера переводы статей из русскоязычных выпусков конца 2021 года.
Публикация осуществляется в режиме открытого доступа (open access). Для получения полного доступа к англоязычным выпускам достаточно пройти по ссылке «Переводная версия» на русскоязычном сайте интересующего вас журнала.
Лицензионные соглашения c компанией Pleiades Publishing расторгнуты ФТИ им. А.Ф. Иоффе в одностороннем порядке вследствие длительного невыполнения ею условий соглашений и непрекращавшихся попыток рейдерского захвата лицензионных переводных англоязычных версий наших журналов.
Дирекция ФТИ и главные редакторы журналов
Уважаемые авторы статьей, опубликованных в журналах ФТИ им. А.Ф. Иоффе!
1) Информируем Вас о том, что вследствие длительного невыполнения компанией Pleiades Publishing условий Лицензионных соглашений (ЛС) по журналам ФТИ им.
А.Ф. Иоффе 22 июля 2022 года ФТИ в одностороннем порядке досрочно прекратил действие этих соглашений, уведомив компанию соответствующими письмами. Расторжение ЛС позволит пресечь попытки рейдерского захвата лицензионных переводных англоязычных версий журналов ФТИ им. А.Ф. Иоффе компанией Pleiades Publishing, а также разрушение ею процесса издания переводных англоязычных версий.
В начале сентября ФТИ начнет публикацию на своем сайте переводных англоязычных версий всех издаваемых им на русском языке журналов, начиная с выпусков 2022 года, а также всех неизданных недобросовестным партнером переводов статей из русскоязычных версий 2021 года.
2) Доводим также информацию от нашей юридической команды о прогрессе в споре ФТИ им. А.Ф. Иоффе с Pleiades Publishing о правах на товарные знаки на английские названия журналов в Патентном ведомстве США.
Издательство Pleiades Publishing подало заявки на товарные знаки в США, чтобы завладеть английскими названиями журналов, фактически принадлежащих ФТИ.
Чтобы защитить свои права, ФТИ официально выступил против этих заявок в Ведомстве по товарным знакам на судебном и апелляционном Совете по товарным знакам США (TTAB), заявив права на названия журналов, основанные на десятилетиях их предыдущего использования. В ответ в ходе предварительного рассмотрения издательство Pleiades Publishing подало ходатайство об отклонении претензий ФТИ, заявив, что спор может быть разрешен только в арбитраже в Швеции, а претензии Института не обоснованы.
После получения подробных разъяснений от Pleiades Publishing и от ФТИ, TTAB отклонил ходатайство Pleiades Publishing об отклонении претензий ФТИ и дал сторонам 120 дней на арбитражное решение любых вопросов, которые они хотят урегулировать через арбитраж. По истечении 120 дней разбирательство в ТТАВ возобновится и будут заслушаны возражения ФТИ по существу.
ФТИ и его юридическая команда уверены в своей позиции, которая основана на известной в мире репутации Института и многолетнем предыдущем использовании им английских названий журналов, и ожидают от предстоящего рассмотрения в TTAB признания и защиты своих прав.
Благодарим Вас за поддержку борьбы за наши журналы в интересах российской науки!
Дирекция ФТИ и главные редактора журналов
Обращение Главного редактора и дирекции ФТИ им. А.Ф. Иоффе к авторам журнала Физика и техника полупроводников
Уважаемые авторы журнала Физика и техника полупроводников!
Опубликованное 14 марта 2022 г. компанией Pleiades Publishing (PP) заявление о приостановке выполнения существующих соглашений с учреждениями Российской Федерации, находящимися в государственной собственности или под государственным управлением (https://www.pleiades.online/ru/publishers/news/70/), сделало невозможным издание и публикацию ею англоязычных переводных версий журналов ФТИ им. А.Ф. Иоффе: «Technical Physics», «Technical Physics Letters», «Physics of the Solid State», «Semiconductors» и «Optics and Spectroscopy», осуществляемой PP исключительно и только в рамках действующих Лицензионных соглашений с учредителями (ФТИ и РАН).
Однако PP продолжает пиратское издание и публикацию собственных «оригинальных англоязычных журналов» под теми же названиями, сформированных из еще не изданных на английском языке публикаций русскоязычных версий журналов, в обход их учредителей, главных редакторов и редакций, что полностью противоречит Лицензионным соглашениям. Для этого РР использует переданные напрямую некоторыми авторами тексты опубликованных в русскоязычных выпусках статей и договоры о передаче прав. Так, опубликованный РР дополнительный выпуск журнала «Semiconductors» за 2021 г. (выпуск 1, supl. декабрь, 12 статей) и выпуски журналов за 2022 г (выпуск 1 «Physics of the Solid State», 5 статей; выпуск 1 «Technical Physics», 6 статей) не имеют ничего общего с оригинальными выпусками этих журналов на русском языке.
С целью предотвращения этих разрушительных действий PP для англоязычных версий наших журналов дирекция ФТИ совместно с главными редакторами журналов приняли единственно возможное решение о переходе к самостоятельному изданию англоязычных переводных версий своих журналов «Technical Physics», «Technical Physics Letters», «Physics of the Solid State», «Semiconductors» и «Optics and Spectroscopy», начиная с 2022 г.
, и параллельной публикации не выставленных PP переводов выпусков журналов за 2021 г. В ближайшие дни ФТИ направит в адрес PР уведомление о расторжении Лицензионных соглашений.
В связи с этим просим авторов статей, опубликованных в конце 2021 г. и в 2022 г. в русскоязычных выпусках журнала Физика и техника полупроводников, но не выставленных в англоязычной версии на сайте Springer, или принятых в публикацию в 2022 г., подписать и направить в редакцию Журнала прилагаемый Договор с ФТИ, согласно которому ФТИ выполняет функции издателя англоязычной версии. Если статья ужевышла в русскоязычных выпусках, то нужно указать том, выпуск и страницы от и до.
Рассчитываем на ваше понимание и солидарность в защите наших российских журналов и информируем вас о том, что дирекция ФТИ совместно с главными редакторами его журналов прикладывают необходимые усилия для скорейшего восстановления графика издания англоязычных переводных версий, продолжения их индексации в Web of Science и Scopus и дальнейшего развития журналов.
С уважением,
Главный редактор журнала Физика и техника полупроводников, Сурис Р.А.
Директор ФТИ им. А.Ф. Иоффе, С.В. Иванов
Уважаемые авторы!
ФТИ им. А.Ф. Иоффе испытывает глубокую обеспокоенность из-за заявления издательства Pleiades Publishing от 14 марта 2022 г. о приостановке выполнения существующих соглашений с учреждениями в Российской Федерации, находящимися в государственной собственности или под государственным управлением: https://www.pleiades.online/ru/publishers/news/70/. Согласно действующим Лицензионным соглашениям, этот акт издательства Pleiades Publishing делает невозможным издание и опубликование переводных версий научных журналов Института. В качестве вынужденной ответной меры Институт также приостанавливает выполнение Лицензионных соглашений, заключенных с этим издательством.
В случае невозвращения Pleiades Publishing к исполнению Лицензионных соглашений в самое ближайшее время, Институт оставляет за собой право самостоятельного издания англоязычных переводных версий своих журналов.
При этом Институт предпримет все необходимые усилия для продолжения индексации издаваемых им журналов в базах данных Web of Science и Scopus.
13 апреля 2022 г.
Уважаемые авторы!
Из-за постоянных нарушений Лицензионного договора со стороны Pleiades Publishing, редакция журнала «Физика и техника полупроводников» и дирекция ФТИ им. А.Ф. Иоффе, как их издателя и соучредителя, категорически возражают против прямых контактов Pleiades Publishing c авторами опубликованных на русском языке статей и просят авторов решать вопросы о публикации англоязычных версий своих статей только через редакцию Журнала.
11 апреля 2022 г.
Уважаемые авторы!
С большим сожалением редколлегия журнала ”Физика и техника полупроводников“ вынуждена констатировать, что начиная с третьего выпуска 2021 года компания ”Pleiades Publishing, Inc.“ прекратила выставлять на своем сайте и сайте компании-распространителя Springer журнал ”Semiconductors“ с переводными версиями статей из нашего российского журнала.
Это было сделано несмотря на то, что редколлегия журнала отправляла все подготовленные статьи на русском языке для перевода на английский язык своевременно, в полном согласии в условиями Лицензионного соглашения. Такие действия представляют собой грубейшее нарушение Лицензионного соглашения между компанией ”Pleiades Publishing, Inc.“ и Соучредителями журнала в лице РАН и ФТИ им.А.Ф.Иоффе. Главный редактор журнала, а также ФТИ им. А.Ф.Иоффе как Издатель и Соучредитель журнала ”Физика и техника полупроводников“ неоднократно письменно обращались к президенту компании ”Pleiades Publishing, Inc.“ г-ну А. Е. Шусторовичу с законным требованием о выставлении всех отправленных ранее номеров журнала на сайте ”Semiconductors“, но безрезультатно. Это вынудило редколлегию прервать дальнейшую отправку статей в компанию начиная с одиннадцатого номера 2021 года. В настоящее время ФТИ им. А. Ф. Иоффе предпринимает практические шаги к самостоятельному изданию номеров журнала ”Semiconductors“ 2022 года на английском языке с размещением их на журнальном портале института.
Невыставленные компанией ”Pleiades Publishing, Inc.“ номера журнала ”Semiconductors“ 2021 года будут также выставлены на журнальном портале института в течение первой половины следующего года. Редколлегия журнала приносит искренние извинения за вынужденный сбой в издании английской версии нашего журнала.
Редколлегия
Уважаемые авторы!
С сентября 2021 года журнал ”Физика и Техника Полупроводников“ переходит на электронную подачу статей исключительно через онлайн систему Open Journal System (OJS). Для подачи статьи необходимо пройти по ссылке: https://ojs.ioffe.ru/index.php/ftp/submissions и после регистрации в системе следовать инструкциям.
При возникновении любых вопросов просьба обращаться к ответственному секретарю редколлегии Нестоклону Михаилу Олеговичу по электронной почте: [email protected].
Руководство Бритни Спирс по физике полупроводников
| [ Дом ]
[ Картинные галереи ]
[Руководство Бритни Спирс по физике полупроводников] [Ссылки] [ Текст песни ] [Реклама] [Вещи] [ Чат ] [Ссылка на нас] [Награды] [Бритни Сплетни] |
Малоизвестный факт, что г-жа Спирс является экспертом в области полупроводников. | Научный калькулятор Реклама здесь кликните сюда
пожертвовать еду голодающим людям мира. |
физика. Не довольствуясь только пением и игрой, на следующих страницах она
познакомит вас с основами жизненно важных полупроводниковых лазерных компонентов, которые позволили услышать ее супермузыку в цифровом формате.
|
|
Splung. | |
| Bad-Ads.co.uk Ненавидите телевизионную рекламу? Читать плохие объявления |
com Physics| [ Дом ]
[ Картинные галереи ]
[Руководство Бритни Спирс по физике полупроводников] [Ссылки] [ Текст песни ] [Реклама] [Вещи] [ Чат ] [Ссылка на нас] [Награды] [Бритни Сплетни] |
Физика полупроводников | Курсера
Об этом курсе
36 672 недавних просмотров
Этот курс также может быть принят для академического кредита как ECEA 5630, часть степени магистра наук CU Boulder в области электротехники.
Гибкие сроки
Сброс сроков в соответствии с вашим графиком.
Совместно используемый сертификатСовместно используемый сертификат
Получите сертификат по завершении
100% онлайн100% онлайн
Начните сразу и учитесь по собственному графику.
СпециализацияКурс 1 из 3 в рамках специализации
«Полупроводниковые устройства»
Продвинутый уровеньПродвинутый уровень
Часов для прохождения Прибл.
15 часов, чтобы закончить
Английский
Субтитры: арабский, французский, португальский (европейский), итальянский, вьетнамский, немецкий, русский, английский, испанский
Гибкие срокиГибкие сроки
Сброс сроков в соответствии с вашим графиком.
Совместно используемый сертификатСовместно используемый сертификат
Получите сертификат по завершении
100% онлайн100% онлайн
Начните сразу и учитесь по собственному графику.
СпециализацияКурс 1 из 3 в
Специализация «Полупроводниковые устройства»
Продвинутый уровеньПродвинутый уровень
Часов на выполнениеПрибл. 15 часов
Доступные языкиАнглийский
Субтитры: арабский, французский, португальский (европейский), итальянский, вьетнамский, немецкий, русский, английский, испанский
Инструктор
Wounjhang Park
Профессор электрики
3, 90 и энергетика
35 009 Учащиеся
6 Курсы
Предлагает
Университет Колорадо в Боулдере
CU-Boulder — это динамичное сообщество ученых и учащихся в одном из самых живописных университетских городков страны.
Являясь одним из 34 государственных учреждений США, входящих в престижную Ассоциацию американских университетов (AAU), мы гордимся традициями академического превосходства, в котором пять лауреатов Нобелевской премии и более 50 членов престижных академических академий.
Начните работать над получением степени магистра
Этот курс является частью 100% онлайн-курса магистра наук в области электротехники Университета Колорадо в Боулдере. Если вы допущены к полной программе, ваши курсы засчитываются для получения степени.
Узнать больше
Отзывы
4.4
Заполненная звезда Заполненная звезда Заполненная звезда Заполненная звезда Наполовину заполненная звезда02714 stars
19.91%
3 stars
6.77%
2 stars
2.11%
1 star
4.66%
TOP REVIEWS FROM SEMICONDUCTOR PHYSICS
Filled StarFilled StarFilled StarFilled StarFilled Star от PR5 июня 2020 г.
Очень полезный курс для понимания физики полупроводников. И планомерно действующий курс.
Заполненная звездаЗаполненная звездаЗаполненная звездаЗаполненная звездаЗаполненная звездаот AMA11 августа 2021 г.
Отличный класс. Часть материала не освещена в лекции.
Filled StarFilled StarFilled StarFilled StarFilled Starby SMApr 12, 2021
Очень хорошо проведенный и объясненный курс по фундаментальным понятиям полупроводниковой физики.
Filled StarFilled StarFilled StarFilled StarStarот GUJun 4, 2020
вы получите глубокое понимание решетчатых структур и того, как существуют запрещенные зоны в полупроводниках.
Посмотреть все отзывы
О специализации полупроводниковых устройств
Курсы по этой специализации также могут быть приняты для получения академического кредита как ECEA 5630-5632, часть степени магистра наук CU Boulder в области электротехники. Зарегистрируйтесь здесь.
