Где купить

74VHCT244PW,118 : Буферы и линейные драйверы CMOS 8CH NON-INVERT Технические характеристики: Производитель: NXP ; RoHS: Подробная информация ; Полярность: неинвертирующая; Напряжение питания (макс. ): 5,5 В; Напряжение питания (мин.): 4,5 В; Максимальная рабочая температура: + 125 С; Тип монтажа: СМД/СМТ; Пакет/кейс: ЦСОП-20 ; Упаковка: катушка; Тип логики: CMOS; Количество каналов на канал

74LVC841ADB,112 : Интегральная схема логики — защелки (ics) Прозрачная трубка защелки D-типа 24 мА, 24 мА 2,7 В ~ 3,6 В; IC 10BIT TRANSP LATCH 24SSOP Технические характеристики: Тип логики: Прозрачная защелка D-типа; Независимые цепи: 1; Цепь: 10 10 ; Тип выхода: три состояния; Ток — выход высокий, низкий: 24 мА, 24 мА; Тип монтажа: поверхностный монтаж; Упаковка/футляр: 24-SSOP (0,209 дюйма, ширина 5,30 мм); упаковка: трубка; рабочая температура: -40°C ~ 125°C;

74ABT541DB,118 : Логика — буферы, драйверы, приемники, интегральная схема приемопередатчика (ics) Буферный/линейный драйвер, неинвертирующая отрезная лента (CT) 32 мА, 64 мА 4,5 В ~ 5,5 В; IC BUFF/DVR TRI-ST 8BIT 20SSOP Технические характеристики: Тип логики: Буферный/линейный драйвер, неинвертирующий; Пакет/кейс: 20-ССОП (0,209″, ширина 5,30 мм); Упаковка: отрезная лента (CT); Тип монтажа: поверхностный монтаж; Количество бит на элемент: 8; Количество элементов: 1; Рабочая температура: -40C ~ 85C; Напряжение питания: 4,5 В ~ 5,5 В, С

BZX884-B9V1,315 : Диод — Стабилитрон — Однодисковый полупроводниковый продукт 500 нА при 6 В 9,1 В 250 мВт для поверхностного монтажа; ДИОД стабилитрон 250 МВт 9,1 В SOD882 Технические характеристики: Напряжение — стабилитрон (ном. ) (Vz): 9,1 В; Мощность — макс.: 250 мВт; Импеданс (макс.) (Zzt): 10 Ом; Напряжение — прямое (Vf) (макс.) @ Если: 900 мВ @ 10 мА; Ток — обратная утечка при Vr: 500 нА при 6 В; Допуск: 2%; Тип монтажа: поверхностный монтаж; Пакет/кейс: SOD-882 ; Упаковка: Cut Tape (CT);

PHX6N50E127 : 3,1 А, 500 В, 1,5 Ом, N-КАНАЛ, Si, POWER, MOSFET, TO-220 Технические характеристики: Полярность: N-канал; MOSFET Режим работы: Улучшение; V(BR)DSS: 500 вольт; RDS(вкл.): 1,5 Ом; Тип упаковки: ТО-220, ТО-220, 3 контакта; Количество единиц в ИС: 1

933776000215 : 100 мА, 40 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР Технические характеристики: Полярность: NPN ; Тип упаковки: ПЛАСТИК, SST3, 3 PIN

934056513115 : КРЕМНИЙ, ДИОД УВЧ, СМЕСИТЕЛЬНЫЙ ДИОД Спецификации: Расположение: Общий катод; Тип диода: МИКСЕРНЫЙ ДИОД; Применение диодов: смеситель; Соответствует RoHS: RoHS; Упаковка: ПЛАСТИКОВАЯ, SMD, UMT3, SC-70, CMPAK-3 ; Количество выводов: 3; Количество диодов: 2

9351884

1SV251 : . Малые габариты корпуса обеспечивают высокую плотность монтажа и позволяют уменьшить размеры применяемого в 1SV251 оборудования. Небольшая межполюсная емкость (C=0,23 пФ тип.). Небольшое прямое последовательное сопротивление (rs=4,5 max). s Параметр Обратное напряжение Прямой ток Допустимая мощность рассеивания Температура перехода Температура хранения Обозначение P Tj Tstg Условия Номинальные значения.

EZ1585 : Регуляторы положительного напряжения с малым падением напряжения на 4,6 А. Высокопроизводительные стабилизаторы положительного напряжения серии EZ1585 предназначены для использования в приложениях, требующих низких характеристик падения напряжения до 4,6 А. Кроме того, серия EZ1585 обеспечивает превосходную регулировку при изменениях линии, нагрузки и температуры. Выдающиеся характеристики включают низкое падение напряжения при номинальном токе, быструю переходную характеристику, внутренние характеристики.

HGT1S3N60B3DS : 7a, 600v, N-канальный Igbt-транзистор серии Ufs с антипараллельным сверхбыстрым диодом.

M27W102-100B6TR : 1 Мбит 64kb X16 Низковольтное УФ EPROM и OTP EPROM. до 3,6 В НИЗКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ В ОПЕРАЦИИ ЧТЕНИЯ ВРЕМЯ ДОСТУПА ЧТЕНИЯ: 70 нс при VCC 80 нс при VCC до 3,6 В PIN СОВМЕСТИМО с M27C1024 НИЗКОЕ ПОТРЕБЛЕНИЕ МОЩНОСТИ: 15 A макс. Ток в режиме ожидания 15 мA макс. Активный ток при 5 МГц Защита от электростатического разряда 200 мА Защита от блокировки Иммунитет ЭЛЕКТРОННАЯ ПОДПИСЬ Производитель.

V62C3161024 : Статическое ОЗУ 3,3 В, 64 КБ X16. Сверхнизкое энергопотребление — Активный: 40 мА ICC 55 нс — В режиме ожидания: 5 А (вход/выход CMOS) 1 А (вход/выход CMOS, версия L) Время доступа 55/70/85/100 нс Равное время доступа и цикла Источник питания от одного до 3,3 В. Выход с тремя состояниями. Автоматическое отключение питания при отмене выбора. Несколько центральных контактов питания и заземления для повышения помехоустойчивости.

DF13-30DP-1.25C : Миниатюрный обжимной соединитель с шагом 1,25 мм. Разработан в низком профиле с монтажной высотой 5,8 мм. (Прямой монтаж SMT) (Для типа DIP высота монтажа 5,3 мм по прямой и 3,6 мм под прямым углом) Закрепите автоматическую плоскую область для автоматической монтажной машины абсорбционного типа. Двухрядный тип обеспечивает многоконтактность до 40 контактов и обеспечивает на 30% большую плотность монтажа.

HC13193 : Отрывная головка 0,025 (0,64 мм) Квадратные стойки.

2SK4044 : N-канальный кремниевый MOSFET переключатель общего назначения. Низкое сопротивление включению. Загрузка приложений переключения. Гарантия лавинной защиты. s Параметр Напряжение сток-исток Напряжение затвор-исток Ток стока (постоянный) Ток стока (импульсный) Допустимая мощность рассеивания Температура канала Температура хранения Энергия лавины (одиночный импульс) *1 Ток лавины *2 Символ VDSS VGSS ID IDP PD Tch ЦТГ ЕАС IAV PW10s,.

ECOS2CA102CA : Большие алюминиевые электролитические конденсаторы. Срок службы 3000 часов* при температуре 105°C с высокой устойчивостью к току пульсаций Широкий диапазон размеров корпуса, включая 20 мм, малую длину профиля НОВИНКА: размеры диаметром от 40 мм до 100WV. Конструкция с вентиляцией Номинальное рабочее напряжение: Рабочая температура: Номинальная емкость: Коэффициент рассеяния: (120 Гц, ~ 250 В пост. тока, 68000F (допуск 20%) 3000 часов* при +105C с указанным максимальным значением.

KM732V589A : Синхронная SRAM 32kx32. 32Kx36-Bit Synchronous Pipelineed Burst SRAM, 3.3V Power Спецификации для 100TQFP Прилагаемые спецификации подготовлены и одобрены SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. оставляем за собой право изменять п. SAMSUNG Electronics оценит ваши запросы и вопросы о параметрах этого устройства и ответит на них. Если у вас есть вопросы,.

UHZ0J272MPM : Алюминиевые электролитические конденсаторы. Импеданс ниже, чем у серии HN. Адаптировано к директиве RoHS (2002/95/ЕС). Элемент Категория Температура Диапазон номинального напряжения Диапазон номинальной емкости Допуск емкости Ток утечки Рабочие характеристики (120 Гц, 20°C) После 2-минутного применения номинального напряжения ток утечки составляет менее 0,03 л.с. Для емкости более 1000 Ф следует добавить 0,02.

LPC660AIM/NOPB : Линейный — Усилитель — Инструментальный, ОУ, Интегральная схема буферного усилителя (ics) Лампа общего назначения 160 А 4,75 В ~ 15,5 В, 2,38 В ~ 7,75 В; IC OP AMP QUAD LP CMOS 14-SOIC. s: Упаковка: Тюбик; Тип усилителя: общего назначения; Количество цепей: 4 ; Упаковка/кейс: 14-SOIC (0,154″, 3,9)0мм Ширина) ; Скорость нарастания: 0,11 В/с; Продукт увеличения пропускной способности:.

V150A36C500B : Блок питания с преобразователем постоянного тока — монтаж на плате; ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ МОД DC/DC 36V 500W. s: Тип: Изолированный ; Количество выходов: 1 ; Напряжение — вход (мин. ): 100 В; Входное напряжение (макс.): 200 В; Напряжение — Выход 1: 36 В; Напряжение — Выход 2: — ; Напряжение — Выход 3: — ; Ток — выход (макс.): * ; Мощность (Ватт) — Производственная серия: 500 Вт; Напряжение — Изоляция: * ; Вести.

R0605300 : 5 МГц — 65 МГц УЗКОПОЛОСНЫЙ ВЧ/СВЧ УСИЛИТЕЛЬ ВЫСОКОЙ МОЩНОСТИ. s: Тип усилителя: Усилитель мощности; Применения: микроволновая печь РФ; Соответствует RoHS: RoHS; Диапазон частот: от 5 до 65 МГц; Минимальный выигрыш: 290,3 дБ; Тип упаковки: СООТВЕТСТВУЕТ ROHS, SOT-115J, 7 PIN; Номинальное сопротивление: 75 Ом; Рабочая температура: от -30 до 100 C (от -22 до 212 F).