Технические характеристики выпрямительных диодов малой мощности

Выпрямительные диоды предназначены для преобразования переменного тока в постоянный.
Обычно к быстродействию, ёмкости p-n перехода и стабильности параметров данного типа диодов специальных требований не предъявляется.
Частотный диапазон выпрямительных диодов невелик, предельная частота в большинстве случаев не превышает 20 кГц.
Среди выпрямительных диодов следует особо выделить диоды Шоттки, создаваемые на базе контакта металл-полупроводник и отличающиеся более высокой рабочей частотой (для 1 МГц и более), низким прямым падением напряжения (менее 0,6 В).

Мощность выпрямительных диодов определяется максимально допустимым прямым током.

В соответствии с этой характеристикой принята следующая классификация:
— Слаботочные выпрямительные диоды, они используются в цепях с током не более 0,3 А.
Такие устройства, как правило, выполнены в пластмассовом корпусе и имеют малый вес и небольшие габариты.

— Устройства, рассчитанные на среднюю мощность, могут работать с током в диапазоне 0,3-10 А.
Такие элементы, в большинстве своём, изготавливаются корпусе из металла и снабжены жёсткими выводами.
— Силовые полупроводниковые элементы, рассчитанные на прямой ток свыше 10 А.
Производятся такие устройства в металлокерамических или металлостеклянных корпусах штыревого или таблеточного типа.

Условные обозначения электрических параметров, характеризующих свойства
выпрямительных полупроводниковых диодов малой мощности:

Uоб/Uимп	максимально допустимое постоянное (Uоб) или импульсное (Uимп) обратное напряжение на диоде.
Iпр/Iимп	максимально допустимый постоянный (Iпр) или импульсный (Iимп) прямой ток через диод.
Uпр/Iпр	максимальное падение напряжения (Uпр) на диоде при заданном прямом токе (Iпр) через него.
Cд/Uд	ёмкость диода (Cд) и напряжение на диоде (Uд), при котором она измеряется.
Io(25)/Ioм	обратный ток диода при предельном обратном напряжении. Приводится для температуры +25 (Iо(25)) и максимальной рабочей температуры (Iом).
Fмах	максимальная рабочая частота диода.
P	максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на диоде.

Диод	Uоб/Uимп    В/В	Iпр/Iимп    А/А	Uпр/Iпр   В/А	Cд/Uд пф/В	Io(25)Ioм мкА/мкА	Fmax кГц	P  Вт	Корпус
2Д101А	30/	0. 02/0.3	1.0/0.1		5/25			57
КД102А КД102Б	250/250  300/300	0.1/2  0.1/2	1.0/0.05 1.0/0.05		0.1/50   3/50	4   4		3   3
КД103А КД103Б	50/   50/	0.1/2  0.1/2	1.5/0.5 2.0/0.5	20/5 20/5	0.4/10 0.4/10			3   3
КД104А	500/	0. 01/1	1.0/0.01		3/100	20		3
КД105А КД105Б КД105В КД105Г	400/     /400     /600     /800	0.3/15  0.3/15  0.3/15  0.3/15	1.0/0.3 1.0/0.3 1.0/0.3 1.0/0.3		100/300 100/300 100/300 100/300	1   1   1   1		25  25  25  25
КД106А	100/100	0.3/3	1.0/0.3		10/100	30	0. 75	4
ГД107А ГД107Б	15/   20/	— 0.0025			20/200 100/			1   1
2Д108А 2Д108Б	800/800 1000/1000	0.1/4.3  0.1/4.3	1.5/0.1 1.5/0.1		150/500 150/500	1   1	0.15 0.15	5   5
КД109А КД109Б КД109В	/100     /300     /600	0.3/  0.3/  0. 3/	1.0/0.3 1.0/0.3 1.0/0.3		100/300 100/300 100/300	10  10  10		26  26  26
АД110А	30/50	0.01/0.05	1.5/0.01	3/	5/100	1000		20,21
КДС111А КДС111Б КДС111В	300/400  300/400  300/400	0.2/0.5  0.2/0.5  0.2/0.5	1.2/0.1 1.2/0.1 1.2/0.1		3/50   3/50   3/50	20  20  20		27  27  27
АД112А	50/	0. 3/	3/0.3		100/300			22
ГД113А	115/	.015/.048	1/0.03		/250			1
2Д114А5 2Д114Б5 2Д114В5	75/100   50/100   30/75	0.2/2  0.2/2  0.2/2	1/0.05   1/0.05   1/0.05		2/   2/   2/	500 500 500
2Д115А1	100/	0. 03/0.1	1.5/0.05	45/0	.001/0.03			41
КД116А1 КД116Б1	100/   50/	.025/0.11  0.1/0.11	.95/.025 1.0/.05		.001/0.05    /0.01		.024 .024	41  41
2Д118А1	200/	0.3/10	1.2/0.3		0.05/2			78
2Д120А1	100/100	0. 3/3	1.0/0.3		2/20	100		42
2Д121А	80/100	0.1/2	1.0/0.05		1/10	20		53
2Д122АС 2Д122БС	75/100   50/75	0.2/2  0.2/2	1/0.05   1/0.05	20/5 20/5	2/75   2/75	500 500
2Д123А91	100/100	0. 3/3	1/0.3		1/20	100		43
КД126А	300/	0.25/1.1	1.4/0.25		2/20	20	0.5/	58
КД127А	800/800	0.25/1.1	1.4/0.25		2/20	20	0.5/	58
КД128А КД128Б КД128В	50/65   75/90   95/105	0. 16/ 0.16/ 0.16/	1.0/ 1.0/ 1.0/		0.01/ 0.01/ 0.01/

ГД107, ГД113	КД102, КД103, КД104	КД106
2Д108	АД110	АД110
АД112	КД105	КД109
КДС111	2Д115	КД116
2Д123А	2Д121	2Д101
КД126, КД127	2Д118А

 

Диоды Шотки: технология совершенствуется — Время электроники

PDF версия

10. 11.201104.03.2020 Аналитика Статьи

В статье обсуждаются сравнительные достоинства и недостатки диодов Шоттки на примерах продукции ведущих производителей, а также предпочтительные области применения этих компонентов. Большое внимание уделено преимуществам карбидокремниевой технологии, обеспечивающей высокий КПД системы и меньший расход потребляемой энергии.

Карбидокремниевые диоды Шоттки используются в приложениях силовой электроники благодаря такой характеристике как низкое падение прямого напряжения, что позволяет уменьшить потери мощности по сравнению с кремниевыми диодами на p-n-переходе. За счет ряда преимуществ диоды Шоттки применяются в приложениях с низким напряжением включения, малым временем восстановления и малой емкостью перехода.
Высокая плотность тока диодов Шоттки и малое падение прямого напряжения обеспечивают меньшее потребление мощности, чем традиционные диоды на p-n-переходе. За счет большей энергоэффективности диодам Шоттки требуется меньшее охлаждение.

Меньшее напряжение включения

Как видно из рисунка 1, у диода Шоттки — типичная характеристика полупроводникового диода в прямом направлении, но с намного меньшим напряжением включения. При больших значениях тока угол ее наклона уменьшается, и она ограничивается последовательным сопротивлением или максимальным уровнем тока инжекции. У стандартного диода на p-n-переходе падение напряжения заключено в диапазоне 0,6…1,7 В, а у диода Шоттки — в пределах 0,15…0,45 В. Меньшее падение напряжения позволяет повысить скорость переключения, а также КПД системы.
Существенное отличие диодов на p-n-переходе и диодов Шоттки заключается во времени обратного восстановления, когда диод переключается из непроводящего состояния в проводящее, и наоборот. У стандартного диода с p-n-переходом это время составляет сотни наносекунд и меньше в случае с ультрабыстрыми диодами на p-n-переходе. У диодов Шоттки время обратного восстановления настолько мало, что не нормируется. У высокомощных диодов Шоттки время переключения достигает десятков наносекунд. При переключении p-n-перехода возникает обратный ток восстановления, что приводит к появлению электромагнитных помех. Напротив, диоды Шоттки переключаются практически мгновенно, т.к. их емкостная нагрузка невелика.

 

Рис. 1. Ампер-вольтные характеристики сдвоенного кремниевого диода Шоттки STPS30150C компании STMicroelectronics при 150 В

Диод Шоттки — полупроводник с носителями основного типа. Если он легирован носителями n-типа, они играют определяющую роль в нормальных условиях функционирования устройства. Основные носители быстро инжектируются в зону проводимости металлического контакта, находящегося на другой стороне диода, и становятся свободно перемещающимися электронами. Таким образом, диод Шоттки прекращает проводить быстрее, чем диод на p-n-переходе. Это качество позволяет использовать устройство меньшего размера и с более быстрым переходом. Одной из причин, по которой диод Шоттки используется в импульсных источниках питания, является его высокая скорость, т.е. возможность работать в диапазоне частот 200 кГц…2 МГц. Как следствие, в схеме используются дроссели и конденсаторы меньшего размера.
У диодов Шоттки имеются ограничения — их относительно малое номинальное обратное напряжение. Обратный ток утечки, увеличиваясь с ростом температуры, может вызвать температурную нестабильность устройства. Часто это обстоятельство вынуждает ограничивать обратное напряжение диода величиной, значительно меньшей максимально допустимой.
Таким образом, к недостаткам диодов Шоттки относятся:
– намного больше обратный ток утечки, чем у стандартных диодов на p-n-переходе;
– максимальная температура перехода, которая, как правило, ограничена диапазоном 125–175°C по сравнению с 200°C у выпрямителей на кремниевых диодах;
– ограниченное обратное напряжение, максимальное значение которого, как правило, составляет около 100 В.

Карбидокремниевые диоды Шоттки

За последнее десятилетие карбидокремниевые (SiC) диоды Шоттки стали выпускаться на напряжения в 300…700 В. У этого типа диодов примерно в 40 раз меньше обратный ток утечки, чем у кремниевых диодов Шоттки. У карбида кремния высокая удельная теплопроводность и потому изменение температуры мало сказывается на его параметрах переключения и тепловых характеристиках. Благодаря специальному корпусу рабочая температура перехода может превышать 500 К, что исключает необходимость в принудительном охлаждении этих устройств в авиакосмических приложениях.
Падение прямого напряжения у стандартных кремниевых диодов составляет около 0,6 В, а у германиевых — 0,3 В. На рисунке 2 показаны характеристики типичного карбидокремниевого диода Шоттки.
Компания Cree анонсировала линейку карбидокремниевых диодов Шоттки на 650 В, в которой учтены последние изменения в силовой архитектуре центров обработки данных (ЦОД). По мнению отраслевых экспертов, энергоэффективность за счет этих устройств вырастет до 5%. В силу того, что ЦОД потребляют около 10% всей вырабатываемой в мире электрической энергии, любое увеличение КПД систем позволяет значительно снизить суммарное потребление.

 

Рис. 2. Ампер-вольтные характеристики карбидокремниевого диода Шоттки CSD01060 компании Cree при 600 В

Диапазон входного напряжения стандартных импульсных источников питания, как правило, составляет 90…264 В. Существующие ЦОД питаются от трехфазных 480-В сетей. Напряжение этих сетей преобразуется силовым трансформатором в 208 В, а затем подается на источник питания сервера. Потери в трансформаторе уменьшают совокупную эффективность источника тока.

Универсальный вход

Чтобы повысить КПД силовой архитектуры ЦОД, в последнее время стало исключаться преобразование 480 В/208 В. При этом вместо того чтобы подавать напряжение 120 В АС с 3-фазной 208-В линии относительно нейтрали, на источники питания серверов подается напряжение более широкого диапазона 90…305 В (277 В плюс 10% на защитную полосу) непосредственно с 3-фазной 480-А линии относительно нейтрали.
Для оптимального функционирования источников питания серверов с высоким входным напряжением диапазона 90…305 В требуются диоды Шоттки, у которых расширенный диапазон максимального запирающего напряжения, достигающего 650 В. Новые 650-В компоненты Cree обеспечивают необходимое решение при построении современных источников питания для серверов ЦОД и оборудования связи. Эти карбидокремниевые диоды не только характеризуются высоким запирающим напряжением в 650 В, но и позволяют снизить расход электроэнергии по сравнению с кремниевыми устройствами за счет отсутствия потерь на обратное восстановление.
В семейство 650-В диодов Шоттки серии C3DXX065A входят 4-, 6-, 8- и 10-А варианты устройств в корпусах TO-220-2. Диапазон рабочих температур этих компонентов составляет –55…175°C.
Cree также анонсировала первые в отрасли 1700-В диоды Шоттки для коммерческого применения. За счет того, что эти диоды не имеют потерь при переключении, они с успехом используются в высоковольтных преобразователях для электроприводов, в ветроэнергетических установках и городском транспорте.
В число первых изделий 1700-В серии вошли диоды Шоттки на 10 и 25 А, выполненные в виде кристаллов для интеграции в 1700-В силовые модули, которые работают в диапазоне токов 50…600 А. Новая серия диодов на 1700 В позволяет увеличить КПД, надежность и срок службы силовых систем, уменьшив общие размеры системы, ее вес и стоимость.
В 2010 г. компания Infineon Technologies анонсировала второе поколение карбидокремниевых диодов Шоттки в корпусе TO-220 FullPAK. Это полностью изолированный корпус, который обеспечивает более простой и надежный монтаж и не требует изоляции.
Устройства в корпусе TO-220 FullPAK характеризуются тем же тепловым сопротивлением между переходом и теплоотводом, что и неизолированные устройства в корпусе TO-220. Это достигается за счет запатентованного метода диффузионной пайки, применение которого позволяет существенно снизить тепловое сопротивление между кристаллом и выводами, а также эффективно компенсировать тепловое сопротивление внутреннего изолирующего слоя FullPAK. Infineon предлагает серию компонентов в корпусе FullPAK на номинальные токи 2…6 А. Эти карбидокремниевые диоды Шоттки рассчитаны на 600 и 1200 В.

Коррекция коэффициента мощности

Коррекция коэффициента активной мощности широко используется в схемах импульсных источников питания AC/DC в соответствии с требованиями IEC-61000-4-3, вступившими в силу в январе 2001 г. Для импульсных источников питания с выходной номинальной мощностью выше 300 Вт повышающие преобразователи с активным ККМ, как правило, проектируются для работы в режиме непрерывной проводимости (Continuous Conduction Mode, CCM). Карбидокремниевые диоды Шоттки идеально подходят для таких приложений.
Во время выключения вольтодобавочного диода схемы ККМ и включения повышающего MOSFET избыточный обратный ток восстановления в кремниевом диоде повышает в нем потери на переключение. Кроме того, этот ток увеличивает потери при коммутации MOSFET, что приводит к необходимости использовать MOSFET и повышающий диод большего размера, чтобы соответствовать требованиям к эффективности и тепловым характеристикам.
Применение обычных кремниевых диодов в импульсных источниках питания приводит к потере 1% КПД из-за того, что диоды не выключаются мгновенно. Карбидокремниевые устройства позволяют снизить расход энергии при переключении. За счет такой экономии карбидокремниевая технология допускает меньшие значения максимального номинального тока диода. В результате размеры схемных компонентов уменьшаются при той же потребляемой мощности. В высоковольтных системах размеры теплоотводов уменьшаются, за счет чего плотность мощности источников тока растет.
Еще одним преимуществом использования карбидокремниевых диодов в импульсных источниках питания является возможность функционирования на более высоких частотах переключения, что, в свою очередь, позволяет уменьшить размеры и стоимость таких компонентов как конденсаторы фильтров и дроссели, а также сократить энергопотребление.

Отсутствие заряда обратного восстановления

Карбидокремниевая технология имеет ряд преимуществ за счет того, что заряд обратного восстановления не накапливается в режиме нормальной проводимости диода. Когда стандартный биполярный кремниевый диод выключается, этот заряд рассеивается при рекомбинации групп носителей заряда вблизи области перехода. Ток, протекающий во время рекомбинации, называется обратным током восстановления. Протекание этого нежелательного тока совместно с напряжением на соответствующих силовых ключах приводит к выделению на них тепла.
За счет отсутствия заряда обратного восстановления у карбидокремниевых диодов Шоттки намного меньшие потери при переключении. Следовательно, их эффективность выше, а рассеиваемое тепло — меньше. На рисунке 3 сравнивается время восстановления стандартного диода Шоттки, ультрабыстрого диода Шоттки STTH806DTI и карбидокремниевого диода Шоттки STPSC606D компании STMicroelectronics.

 

Рис. 3. Сравнение времени восстановления диодов Шоттки компании STMicroelectronics

Тестирование показало, что у карбидокремниевого диода Шоттки эффективность взыше на 0,5%, а при большой нагрузке на высоких частотах — на 1%. Использование карбидокремниевых диодов также позволяет увеличить плотность мощности за счет дросселя и трансформатора меньшего размера при увеличении частоты переключения.
Наконец, отсутствие шумов от карбидокремниевых диодов позволяет уменьшить и размеры фильтра электромагнитных помех. В результате плотность мощности дополнительно возрастает.

 

Power Schottky Low VF — STMicroelectronics

• STPS120M

  20 В, 1 A STMITE Power Schottky Pertifier

• STPS1L20M

  20 В, 1 A STMITE Low Drop Power Schottkier

• STPS30L30C

  30 V, 30 -й Droplier

9
• STPS30L30C

  30 V, 30 -й Droplier

9
• . Выпрямитель Шоттки с малым падением мощности

• STPS10L60C

  60 В, 10 А Двойной выпрямитель Шоттки с малым падением мощности

• STPS10L60

  60 В, 10 А Выпрямитель Шоттки с малым падением мощности

• STPS10L40C

  40 В, 10 A Dual Low Drop Power Schottky Fertifier

• STPS2L40

  40 В, 2 А. 30 В, 2 А Выпрямитель Шоттки с малым падением мощности

• STPS2L25

  25 В, 2 А Выпрямитель Шоттки с малым падением мощности

• STPS8L30

  30 В, 8 А DPAK Выпрямитель Шоттки с малым падением мощности

• STPS61L45C

  45 В, 60 a Dual High High Effectiany Power Power Schottky Dextifier

• STPS120L15

  15 В, 120 с низкой каплей или мощностью Schottky Power

• STPS2L60

  60 В. 2 A Выпрямитель

• STPS20L60C

  60 В, 20 Двойной низкой падение мощности Шоттки Выпрямитель

• STPS5L40

  40 В, 5 Аназок.0005

• STPS20L45C

  45 В, 20 Двойной низкой падение мощности Шоттки выпрямитель

• STPS20L25C

  25 В, 20 Двойной низкой падение мощности Шоттки. Прямо

• STPS20L15

  15 В, 20 Low Drop Power Scottky Protifier SCOTTAKY PRETIFIE

• STPS30L30DJF

  30 В, 30 A Powerflat Low Drop Power Schottky Dextifier

• STPS60L45C

  45 В, 60 Двойной низкий уровень капли Schottky RECTIFIE0005

• STPS5L60

  60 В, 5 A Schottky Prodifier

• STPS15L30CDJF

  30 В, 15 A Dual Powerflat Low Drop Power Schottky Fortifier

• STPS3L45AF

  45 V, 3 A LOW DRAP SCHOTTE SCHOTTE

  AF

  4 45 V, 3 A LOW DRAP SCHOTTIE DRAPTIE

• STPS1L60

  60 В, 1 А, выпрямитель Шоттки с малым падением напряжения

• STPS1L30

  30 В, 1 А, выпрямитель Шоттки с малым падением напряжения

• STPS41L60C

  Двойной выпрямитель с низким падением напряжения, 90 В, 40 А0005

• STPS41L45C

  45 В, 41 Dual Low Drop Power Schottky Diode

• STPS41L30C

  30 A, 40 A Dual Low Drop Power Schottky Fertifier

• STPS40L45C

  45 V, 40 A Dual Low Power SCHOTTY SCHOTTY DRALTIN

• STPS1L40

  40 В, 1 А Выпрямитель Шоттки с малым падением мощности

• STPS5L60SF

  60 В, 5 А PSMC Выпрямитель Шоттки с малым падением мощности

• STPS0520Z

  Силовой выпрямитель Шоттки 20 В, 0,50005

• STPS10L40CSF

  40 В, 10 A Dual Low VF Power Schottky Fertifier

• STPS1L40M

  40 В, 1 A STMITE Low Drop Power Schottky RECTIFIE

• STPS40L15C

  15 В, 40 А, сдвоенный выпрямитель Шоттки с малым падением мощности

• STPS15L60C

  60 В, 15 А, сдвоенный выпрямитель Шоттки с малым падением мощности

• STPS3L60S
• A, 60 В0005
• STPS120MF

  20 В, 1 A STMITE FLAT POWER SCHOTTKY Выпрямитель

• STPS15L25

  25 В, 15 А 60 В, 3 A Выпрямитель Шоттки с малым падением мощности

• STPS30L120C

  120 В, 30 A Выпрямитель Шоттки с малым падением мощности

• STPS340

  40 В, 3 A SMD Power Выпрямитель Шоттки

• STPS30L60C

  60 В, 30 Двойной низкой падение мощности Schottky Dextifier

• STPS1L30MF

  30 В, 1 A STMITE FLAT POWER Low Drop Schottky RECTIFIE

• STPS1L20MF

  20 В, 1 А STmite плоский выпрямитель Шоттки с малым падением мощности

• STPS15L45C

  45 В, 15 А двойной выпрямитель Шоттки с малым падением мощности

• STPS15L30C

  30 V, 15 A dual DPAK Low Drop Power Schottky Rectifier

	Part number	Description		Supplier	Licence type		Supported Devices

	Название ресурса	Тип ресурса

	Название ресурса	Тип ресурса

Диоды Шоттки: Сделайте эффективность своим приоритетом

Диоды Шоттки: Сделайте эффективность своим приоритетом

• 17 августа 2021 г.

Диоды Шоттки, быстро завоевавшие популярность в низковольтных и сильноточных приложениях, широко используются в солнечных панелях и возобновляемых источниках энергии. Более того, диоды Шоттки имеют низкое напряжение включения, быстрое время восстановления и малую энергию потерь на более высоких частотах.

Низкое напряжение включения

Диод Шоттки потребляет меньше напряжения для включения по сравнению с традиционными кремниевыми диодами. Напряжение на клеммах диода Шоттки падает примерно от 0,2 до 0,3 вольта по сравнению с обычными диодами, у которых падение напряжения составляет от 0,6 до 0,7 вольт.

Быстрое время восстановления

Меньшее падение напряжения обеспечивает более высокую скорость переключения. Для включения диода Шоттки требуется от 0,2 до 0,3 вольта. В этом диоде свободные электроны перестают переходить из полупроводника n-типа в металл при напряжении менее 0,2 вольта, переходя из включенного (проводящего) в выключенное (непроводящее) состояние. В этом состоянии накопленные заряды в области истощения удаляются.

Энергия с малыми потерями на более высоких частотах

Более высокие частоты обусловлены двумя факторами. Первым фактором является низкое напряжение включения диода Шоттки, что позволяет легко переходить остальную частоту. Второй фактор — небольшая область обеднения, которая может легко преодолеть встроенное напряжение (отвечающее за предотвращение потока электронов). Эти два фактора делают небольшое напряжение достаточным для производства даже большого тока.

Производство чипа на заводе стоимостью в миллиард долларов обычно занимает более трех месяцев. От преобразования простого песка до миллиардов крошечных переключателей, называемых транзисторами, страны теперь сталкиваются с трудностями в обеспечении самодостаточности полупроводников первого уровня.

По этой причине Chip 1 Exchange предлагает альтернативные варианты для некоторых деталей или марок, затронутых дефицитом.

Ректрон Полупроводник

Компания Rectron Semiconductor, широко известная как производитель дискретных полупроводников, представляет список активных продуктов для систем безопасности и автомобилестроения. Chip 1 Exchange является одним из эксклюзивных и авторизованных дистрибьюторов Rectron.

Таблица перекрестных ссылок Rectron Благодаря высокоинтегрированному процессу производства и сборки компания Rectron поддерживает качественную продукцию и предлагает эквивалентные аналоги для различных брендов. Одним из них является диод Шоттки. Его главная особенность включает в себя низкий ток утечки, металлургическую конструкцию, соответствующую стандарту AEC-Q101 и идеально подходящую для поверхностного монтажа. Диоды Шоттки — FM340

Применение диода Шоттки

Быстрые переходы из проводящего состояния в непроводящее благодаря низкому напряжению включения, быстрому времени восстановления и низким потерям энергии на высоких частотах — диоды Шоттки стали идеальным выбором для полупроводниковые приборы во многих приложениях. Вот шесть наиболее распространенных применений диодов Шоттки.

1. Радиочастота

Благодаря очень низкому прямому напряжению, высокой скорости переключения и работе на высоких частотах диод Шоттки идеально подходит для ВЧ смесителей и детекторов.

2. Выпрямление мощности

Диод Шоттки также ценен для цепей приложений высокой мощности, схем смесителей или детекторов мощности.
Диоды Шоттки являются лучшими полупроводниковыми устройствами для использования в приложениях, связанных с выпрямлением мощности, поскольку эти устройства имеют как низкое прямое падение напряжения, так и высокую плотность тока. Этим преимуществам способствуют меньшие по размеру радиаторы, включенные в конструкцию, и более низкие уровни нагрева. Кроме того, более низкие уровни приводят к общему повышению эффективности электронной системы.

3. Обнаружение сигнала

Важнейшим элементом в цепи детектора может быть диод Шоттки. Радиочастотные устройства должны эффективно контролировать передаваемую мощность, чтобы свести к минимуму радиочастотные помехи и потребление энергии другими электронными устройствами. Обнаружение мощности работает путем выпрямления сигнала переменного тока через диод Шоттки, а затем передачи выпрямленного сигнала через интегратор (для получения составляющей постоянного тока).

Даже на частотах до 24 ГГц малая высота барьера диода Шоттки и очень малое прямое напряжение делают эту серию устройств идеальным выбором для функций микшера и определения мощности. Шоттки даже определит частотный диапазон цепи детектора.

 

4. Логические схемы

Диод Шоттки можно использовать в приложениях в транзисторно-транзисторной логической схеме, где используются два параллельных источника питания. Низкое прямое падение напряжения на диоде Шоттки делает его пригодным для использования в силовых или схемных приложениях. Кроме того, эти диоды предотвращают протекание обратного тока от одного источника к другому, что делает их идеальным выбором для цифровых компьютеров.

 

5. Солнечные батареи

Солнечные элементы часто подключаются к перезаряжаемым батареям для хранения энергии, поскольку солнце не всегда доступно в качестве источника энергии. Диоды Шоттки предотвращают разрядку батарей солнечных элементов ночью.

 

6. Безопасность

Диоды Шоттки идеально подходят для обнаружения и используются в терагерцовом диапазоне частот (100 ГГц – 10 ТГц) электромагнитного спектра. Потенциальные приложения в визуализации используются для

● скрытое обнаружение оружия
● авиационная помощь
● защищенная высокоскоростная передача данных
● радар ближнего действия
● спектроскопия

Эти ТГц-детекторы для обработки изображений стали популярными из-за их потенциальной низкой стоимости, высокой производительности и отличной интеграции с другими схемами обработки сигналов.

ВАМ ТАКЖЕ ПОНРАВИТСЯ

Технология аккумуляторов для электромобилей: новый рубеж

29 ноября 2022 г.