Site Loader

Содержание

Пиксельные диоды

 

Система светодиодов LEDPIX 9 предназначена для создания открытых, точечных элементов, в том числе инкрустации букв и контуров, создания световых панно, акцентировки архитектурных объектов и рекламных конструкций. Система LEDPIX 9 представляет собой 9-ти миллиметровые светодиоды в герметичном корпусе, соединенные двужильным проводом в гирлянды по 50 штук. Корпус диодов имеет специальные зажимы, позволяющие зафиксировать изделие в монтажном отверстии и полностью скрыть коммутацию системы. 

Технические характеристики:

 — Выходное напряжение: 12 Вольт

— Мощность: 0,1 Вт.

— Угол рассеивания: 120 градусов
— Яркость светового потока: белый 6000-8000К, синий 460-470К, зеленый 520-530К, желтый 585-595К, красный 620-630К.

Рекомендации по установке и подключению: 
— Работы по установке и подключению пикселов должны производиться квалифицированным персоналом с соблюдением правил данного руководства.

Нарушение правил установки и подключения может быть 
причиной неправильной работы пикселов и существенного сокращения срока их службы. 
— При подключении строго соблюдайте полярность, нарушение полярности может привести к выходу из строя изделия. Провод с отметкой «+» от цепи светодиодных пикселов должен быть соединен с положительной клеммой блока питания, с отметкой «-» – с отрицательной. Оголенные провода необходимо изолировать. 
— Пожалуйста, должным образом вычислите общее энергопотребление используемых пикселов и соедините с соответствующим потреблению источником питания. Суммарное энергопотребление пикселов не должно 
превышать 80% от указанной максимальной мощности блока питания. 
— Поверхность с монтажными отверстиями, в которую необходимо монтировать пикселы, должна быть выполнена из материала способного выдержать расчётные весовые и ветровые нагрузки. Края монтажных 
отверстий должны быть качественно отфрезерованы, иметь гладкие и ровные края без задранных, острых участков. При некачественной фрезеровке монтажных отверстий возможны повреждения корпуса и 
фиксирующих элементов пикселов. 
— Корпус светодиодных пикселов выполнен из термоклеевого состава, на основе силиконов, поэтому диаметр корпуса изделий даже в одной гирлянде может отличаться (в пределах заявленных параметров). Не 
рекомендуем приступать к фрезеровке монтажных отверстий без фактических замеров диаметров корпусов полученных пикселов (среднее значение). 
— Если вы используете для временной или постоянной фиксации пикселов клей или герметики, то удостоверьтесь, что они обеспечат надежное крепление продукции. Не используйте клеи и герметики, содержащие ацетон и другие агрессивные растворители или кислоты (уксусная кислота). 
— Проложите основные провода (линии) питания и соедините с отдельными линиями светодиодов. Удостоверьтесь, что количество пикселов, соединенных в одну линию (последовательно), не превышает 
рекомендуемое (50 шт.). В случае если необходимо подключить большее количество пикселов, проложите новую последовательную линию.  
— При выборе типа провода и его сечения обязательно учитывать следующие требования: 
— провод должен быть медным многожильным – акустическим; 
— сечение провода рассчитывается исходя из максимальной Силы тока на выходе блока питания и 
протяжённости линии связи от блока питания до линий светодиодных пикселов; 
— принцип расчёта типов проводов и их сечений для низковольтной продукции значительно отличается от расчётов, применяемых для подбора проводов, используемых в сетях переменного тока общего пользования.

Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Основные размеры – РТС-тендер

     
     ГОСТ 23448-79

Группа Э02

Дата введения 1981-01-01

1. РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Министерством электронной промышленности СССР

2. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 29.01.79 N 302

3. Срок проверки — 1991 г.; периодичность проверки — 5 лет

4. Стандарт соответствует международному стандарту МЭК 191-2

5. ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ

6. ПЕРЕИЗДАНИЕ (август 1993 г.) с Изменениями N 1, 2, 3, 4, 5, утвержденными в феврале 1983 г., марте 1984 г., июне 1985 г., апреле 1986 г., июне 1990 г. (ИУС 6-83, 6-84, 9-85, 8-86, 9-90)

1. Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые инфракрасные излучающие диоды (далее — диоды) и устанавливает габаритные и присоединительные размеры их корпусов.

Корпуса диодов КДИ-2, КДИ-3, КДИ-12 соответствуют Публикации МЭК 191-2, за исключением расстояния между выводами.

(Измененная редакция, Изм. N 3).

2. Габаритные и присоединительные размеры корпусов диодов должны соответствовать указанным на черт.2, 4, 5, 8-10, 12-16.

Допускается уменьшать предельные отклонения размеров. Форму и размеры выводов в зоне не устанавливают (см. черт.2, 4, 5, 8-10, 12-16). Форму поверхности диода в зоне не устанавливают.

(Измененная редакция, Изм. N 1, 2, 3, 4, 5).

3. Диаметр вывода в зоне не должен быть больше наружного диаметра резьбы (см. черт.8, 12).

(Измененная редакция, Изм. N 3).

4. Условное обозначение корпусов диодов состоит из:

буквы К — корпус полупроводникового прибора;

буквы Д — диод;

буквы И — излучающий;

тире;

цифр, определяющих порядковый номер исполнения.

Пример условного обозначения корпуса диода в исполнении КДИ-7:

Исполнение КДИ-7 ГОСТ 23448-79


КДИ-2, КДИ-3, КДИ-12

Исполнение

, мм

Номин.

Пред. откл.

КДИ-2

5,6

-0,48

КДИ-3

6,7

-0,58

КДИ-12

8,3

-0,90

       
Черт.2*

________________

* Черт.1 исключен (Изм. N 3).

Примечания:

1. Допускается изготавливать диоды с двумя выводами, расположенными на одной оси.

2. Диоды в исполнении КДИ-2 допускается изготавливать в технически обоснованных случаях.

3. Допускается длина выводов (30±1) мм (в новых разработках не применять).

КДИ-6, КДИ-7


Исполнение

, мм

Номин.

Пред. откл.

КДИ-6

4,8

-0,75

КДИ-7

6,3

-0,9

     
Черт.4*

________________

* Черт.3 исключен (Изм. N 3).

Примечание. Допускается длина выводов (28±2) мм (в новых разработках не применять).

КДИ-8


Черт.5

Примечание. Форма поверхности не устанавливается.

КДИ-11


Черт.8*

________________

* Черт.6, 7 исключены (Изм. N 3).

КДИ-13


Черт.9

Примечание к черт.9-12. Диоды в данных исполнениях допускается изготавливать в технически обоснованных случаях.


Черт.10

Примечания:

1. Не допускаются затеки компаунда на выводы и между ними свыше 0,5 мм.

2. Не допускается облой свыше 0,2 мм в пределах допуска на размеры 2,5 и 4 мм.

КДИ-16


Черт.12*

________________

* Черт. 11 исключен (Изм. N 3).

КДИ-17


Черт.13

Примечание. Допускается изготовлять диоды с двумя выводами, расположенными на одной оси.

КДИ-18


Черт.14


КДИ-19


Черт.15

Примечания:

1. Форма поверхности В не устанавливается.

2. В технически обоснованных случаях допускается длина выводов (28±2) мм.

КДИ-20, КДИ-21, КДИ-22

Исполнение

, мм

Номин.

Пред. откл.

КДИ-20

5,8

-0,9

КДИ-21

7,0

-1,2

КДИ-22

8,3

     
Черт. 16

Примечание. Форма поверхностей В не устанавливается.

Диоды. For dummies / Хабр

Введение


Диод — двухэлектродный электронный прибор, обладает различной проводимостью в зависимости от направления электрического тока. Электрод диода, подключённый к положительному полюсу источника тока, когда диод открыт (то есть имеет маленькое сопротивление), называют анодом, подключённый к отрицательному полюсу — катодом. (wikipedia)

Все диоды можно разделить на две большие группы: полупроводниковые и неполупроводниковые. Здесь я буду рассматривать только первую из них.

В основе полупроводникового диода лежит такая известная штука, как p-n переход. Думаю, что большинству читателей о нем рассказывали на уроках физики в школе, а кому-то более подробно еще и в институте. Однако, на всякий случай приведу общий принцип его работы.

Два слова о зонной теории проводимости твердых тел

Прежде, чем начать разговор о p-n переходе, стоит обговорить некоторые теоретические моменты.

Считается, что электроны в атоме расположены на различном расстоянии от ядра. Соответственно, чем ближе электрон к ядру, тем сильнее связь между ними и тем большую энергию надо приложить, чтобы отправить его «в свободное плаванье». Говорят, что электроны расположены на различных энергетических уровнях. Заполнение этих уровней электронами происходит снизу вверх и на каждом из них может находиться не больше строго определенного числа электронов (атом Бора). Таким образом, если уровень заполнен, то новый электрон не может на него попасть, пока для него не освободится место. Чтобы электрон мог перейти на уровень выше, ему нужно сообщить дополнительную энергию. А если электрон «падает» вниз, то излишек энергии освобождается в виде излучения. Электроны могут занимать в атоме только сторого определенные орбиты с определенными энергиями. Орбиты эти называются разрешенными. Соответственно, запрещенными называют те орбиты (зоны), в которых электрон находиться не может. Подробнее об этом можно почитать по ссылке на атом Бора выше, здесь же примем это как аксиому.

Самый верхний энергетический уровень называется валентным. У большинства веществ он заполнен только частично, поэтому электроны внешних подуровней других атомов всегда могут найти на нем себе место. И они действительно хаотично мигрируют от атома к атому, осуществляя таким образом связь между ними. Нижний слой, в котором могут перемещаться свободные электроны, называют зоной проводимости. Если валентная зона частично заполнена и электроны в ней могут перемещаться от атома к атому, то она совпадает с зоной проводимости. Такая картина наблюдается у проводников. У полупроводников валентная зона заполнена целиком, но разница энергий между валентным и проводящим уровнями у них мала. Поэтому электроны могут преодолевать ее просто за счет теплового движения. А у изоляторов эта разница велика, и чтобы получить пробой, нужно приложить значительную энергию.

Такова общая картина энергетического строения атома. Можно переходить непосредственно к p-n переходу.

p-n переход

Начнем с того, что полупроводники бывают n-типа и p-типа. Первые получают легированием четырехвалентного полупроводника (чаще всего кремния) пятивалентным полупроводником (например, мышьяком). Эту пятивалентную примесь называют

донором

. Ее атомы образуют четыре химических связи с атомами кремния, а пятый валентный электрон остается свободным и может выйти из валентной зоны в зону проводимости, если, например, незначительно повысить температуру вещества. Таким образом, в проводнике n-типа возникает избыток электронов.

Полупроводники p-типа тоже получаются путем легирования кремния, но уже трехвалентной примесью (например, бором). Эта примесь носит название акцептора. Он может образовывать только три из четырех возможных химических связей. А оставшуюся незаполненной валентную связь принято называть дыркой. Т.е. дырка — это не реальная частица, а абстракция, принятая для более удобного описания процессов, происходящих в полупроводнике. Ее заряд полагают положительным и равным заряду электрона. Итак, в полупроводнике p-типа у нас получается избыток положительных зарядов.

В полупроводниках обоих типов кроме основных носителей заряда (электроны для n-типа, дырки для p-типа) в наибольшом количестве присутствуют неосновные носители заряда: дырки для n-области и электроны для p-области.

Если расположить рядом p- и n-полупроводники, то на границе между ними возникнет диффузный ток. Произойдет это потому, что с одной стороны у нас чересчур много отрицательных зарядов (электронов), а с другой — положительных (дырок). Соответственно, электроны будут перетекать в приграничную область p-полупроводника. А поскольку дырка — место отсутствия электрона, то возникнет ощущение, будто дырки перемещаются в противоположную сторону — к границе n-полупроводника. Попадая в p- и n-области, электроны и дырки рекомбинируют, что приводит к снижению количества подвижных носителей заряда. На этом фоне становятся ясно видны неподвижные положительно и отрицательно заряженные ионы на границах полупроводников (от которых «ушли» рекомбинировавшие дырки и электроны). В итоге получим две узкие заряженные области на границе веществ. Это и есть p-n переход, который также называют обедненным слоем из-за малой концентрации в нем подвижных носителей заряда. Естественно, что здесь возникнет электрическое поле, направление которого препятствует дальнейшей диффузии электронов и дырок. Возникает потенциальный барьер, преодолеть который основные носители заряда смогут только обладая достаточной для этого энергией. А вот неосновным носителям возникшее электрическое поле наоборот помогает. Соответственно, через переход потечет ток, в противоположном диффузному направлении. Этот ток называют дрейфовым. При отсутствии внешнего воздействия диффузный и дрейфовый ток уравновешивают друг друга и перетекание зарядов прекращается.

Ширина обедненной области и контактная разность потенциалов границ перехода (потенциальный барьер) являются важными характеристиками p-n перехода.

Если приложить внешнее напряжение так, чтобы его электрическое поле «поддерживало» диффузный ток, то произойдет снижение потенциального барьера и сужение обедненной области. Соответственно, ток будет легче течь через переход. Такое подключение внешнего напряжения называют прямым смещением.

Но можно подключиться и наоборот, чтобы внешнее электрическое поле поддерживало дрейфовый ток. Однако, в этом случае ширина обедненной зоны увеличится, а потенциальный барьер возрастет. Переход «закроется». Такое подключение называют обратным смещением. Если величина приложенного напряжения превысит некоторое предельное значение, то произойдет пробой перехода, и через него потечет ток (электроны разгонятся до такой степени, что смогут проскочить через потенциальный барьер). Эта граничная величина называется напряжением пробоя.

Все, конец теории, пора перейти к ее практическому применению.

Диоды, наконец-то


Диод, по сути, одиночный p-n переход. Если он подключен с прямым смещением, то ток через него течет, а если с обратным — не течет (на самом деле, небольшой дрейфовый ток все равно остается, но этим можно пренебречь). Этот принцип показан в условном обозначении диода: если ток направлен по стрелке треугольника, то ему ничего не мешает, а если наоборот — то он «натыкается» на вертикальную линию. Эта вертикальная линия на диодах-радиоэлементах обозначается широкой полосой у края.

Помню, когда я была глупой студенткой и впервые пришла работать в цех набивки печатных плат, то сначала ставила диоды как бог на душу положит. Только потом я узнала, что правильное расположение этого элемента играет весьма и весьма значительную роль. Но это так, лирическое отступление.

Диоды имеют нелинейную вольт-амперную характеристику.

Области применения диодов


  1. Выпрямление пременного тока. Основано оно именно на свойстве диода «запираться» при обратном смещении. Диод как бы «срезает» отрицательные полуволны.
  2. В качестве переменной емкости. Эти диоды называются варикапами.

    Здесь используется зависимость барьерной емкости перехода от обратного смещения. Чем больше его значение, тем шире обедненная область p-n перехода. Ее можно представить себе как плоский конденсатор, обкладками которого явялются границы области, а сама она выступает в качестве диэлектрика. Соответственно, чем толще «слой диэлеткрика», тем ниже барьерная емкость. Следовательно, изменяя приложенное напряжение можно электрически менять емкость варикапа.
  3. Для стабилизации напряжения. Принцип работы таких диодов заключается в том, что даже при значительном увеличении внешнего падения напряжения, падение напряжения на диоде увеличится незначительно. Это справедливо и для прямого, и для обратного смещений. Однако напряжение пробоя при обратном смещении намного выше, чем прямое напряжение диода. Таким образом, если нужно поддерживать стабильным большое напряжение, то диод лучше включать обратно. А чтобы он сохранял работоспособность, несмотря на пробой, нужно использовать диод особого типа — стабилитрон.

    В прямосмещенном режиме он будет работать подобно обычному выпрямляющему диоду. А вот в обратносмещенном не будет проводить ток до тех пор, пока приложенное напряжение не достигнет так называемого напряжения стабилитрона, при котором диод сможет проводить значительный ток, а напряжение будет ограничено уровнем напряжения стабилитрона.
  4. В качестве «ключа» (коммутирующего устройства). Такие диоды должны уметь очень быстро открываться и закрываться в зависимости от приложенного напряжения.
  5. В качестве детекторов излучения (фотодиоды).

    Кванты света передают атомам в n-области дополнительную энергию, что приводит к появлению большого числа новых пар электрон-дырка. Когда они доходят до p-n перехода, то дырки уходят в p-область, а электроны скапливаются у края перехода. Таким образом, происходит возрастание дрейфового тока, а между p- и n-областями возникает разность потенциалов, называемая фотоЭДС. Величина ее тем больше, чем больше световой поток.
  6. Для создания оптического излучения (светодиоды).

    При рекомбинации дырок и электронов (прямое смещение) происходит переход последних на более низкий энергетический уровень. «Излишек» энергии выделяется в виде кванта энергии. И в зависимости от химического состава и свойств того или иного полупроводника, он излучает волны того или иного диапазона. От состава же зависит и эффективность излучения.

Немного экзотики

Не стоит забывать о том, что p-n переход — одно из явлений микромира, где правит балом квантовая физика и становятся возможными странные вещи. Например,

туннельный эффект

— когда частица может пройти через потенциальный барьер, обладая меньшей энергией. Это становится возможным благодаря неопределенности соотношения между импульсом и координатами частицы (привет, Гейзенберг!). Этот эффект лежит в основе

туннельных диодов

.


Чтобы обеспечить возможность «просачивания» зарядов, их делают из вырожденных полупроводников (содержащих высокую концентрацию примесей). В результате получают резкий p-n переход с тонким запирающим слоем. Такие диоды маломощные и низкоинерционные, поэтому их можно применять в СВЧ-диапазоне.

Есть еще одна необычная разновидность полупроводниковых диодов — диоды Шоттки.

В них используется не традиционный p-n переход, а переход металл-полупроводник в качестве барьера Шоттки. Барьер этот возникает в том случае, когда разнятся величины работы выхода электронов из металла и полупроводника. Если n-полупроводник имеет работу выхода меньше, чем контактирующий с ним металл, то приграничный слой металла будет заряжен отрицательно, а полупроводника — положительно (электронам проще перейти из полупроводника в металл, чем наоборот). Если же у нас контакт металл/p-полупроводник, причем работа выхода для второго выше, чем для первого, то получим положительно заряженный приграничный слой металла и отрицательно заряженный слой полупроводника. В любом случае, у нас возникнет разность потенциалов, с помощью которой работы выхода из обоих контактирующих веществ сравняются. Это приведет к возникновению равновесного состояния и формированию потенциального барьера между металлом и полупроводником. И так же, как и в случае p-n перехода, к переходу металл/полупроводник можно прикладывать прямое и обратное смещение с аналогичным результатом.

Диоды Шоттки отличаются от p-n собратьев низким падением напряжения при прямом включении и меньшей электрической емкостью перехода. Таким образом, повышается их рабочая частота и понижается уровень помех.

Заключение

Само собой, здесь рассмотрены далеко не все существующие виды диодов. Но надеюсь, что по написанному выше можно составить достаточно полное суждение об этих электронных компонетах.

Источники:
ru.wikipedia.org
mda21.ru
elementy.ru
femto.com.ua

Физики создали диод из одной молекулы: Наука и техника: Lenta.ru

Международный коллектив физиков создал диод — одно из важнейших устройств в электронике, состоящий из одной молекулы. Статья ученых опубликована в журнале Nature Chemistry. Основная суть работы изложена в пресс-релизе Королевского химического общества.

Особенность диода в том, что он пропускает электрический ток только в одном направлении. Диоды используются во всех электрических устройствах. В связи с тенденцией к миниатюризации ученые постоянно разрабатывают диоды все меньших размеров. Диод, созданный авторами новой работы, представляет собой молекулу, состоящую из четырех колец циклических углеводородов. Два «первых» кольца обеднены электронами, в то время как на «второй» паре колец наблюдается их избыток.

Для того чтобы молекула работала как диод, ученым необходимо было прикрепить ее к двум электродам (катоду и аноду) при помощи ковалентных связей. В зависимости от ориентации молекулы по отношению к электродам, она будет пропускать излучение в одном или в другом направлении. Обеспечить единственный способ прикрепления ученые смогли за счет особой схемы образования связей.

К разным концам молекулы были присоединены химические группы, образующие связи с материалом электродов при различных условиях. Будущий диод сначала помещался в условия, способствующие образованию только одного типа связей. После прикрепления одного конца молекулы к нужному электроду, система помещалась в условия, при которых формировались связи между электродом и химической группой на другом конце молекулы.

Авторы исследования не указывают, готово ли созданное ими устройство для массового внедрения в практику. Теоретически, мономолекулярный диод поможет добиться чрезвычайно существенного уменьшения размеров электронных устройств.

Недавно появилось сообщение о другом прорыве в области создания различного типа диодов. Группе физиков из Массачусетского технологического института удалось создать микроволновый диод — диод, пропускающий в одном направлении только излучение соответствующего диапазона частот.

Белок на углеродной нанотрубке стал одновременно молекулярным прожектором и элементом памяти

Российские ученые совместно с зарубежными коллегами разработали полноценный биоэлектронный фотоэлемент на основе всего одной молекулы светящегося белка, соединенного с углеродной нанотрубкой. Такая система способна менять свои электронные свойства под действием света и в зависимости от того, как прикрепить белок, она может либо служить прожектором, либо хранить информацию. Исследование открывает перспективы для создания экологически чистых элементов электроники, запоминающих устройств и солнечных батарей.

Результаты работы, поддержанной грантом Российского научного фонда (РНФ), опубликованы в журнале Advanced Functional Materials.

Оптоэлектронные устройства, которые способны хранить и передавать информацию, воспринимая свет различных длин волн, лежат в основе лазеров, светодиодов и некоторых запоминающих приборов. Среди них большой научный интерес вызывают системы, содержащие помимо электронных элементов биомолекулы, например белки. Такие гибридные системы дешевле, экологичнее и при этом сохраняют необходимые оптические свойства. Их можно использовать в качестве компонентов для молекулярной электроники, светоизлучающих диодов (LED), новейших лазеров и оптических транзисторов.

Ученые из Национального исследовательского университета «МИЭТ» (Москва), Физического института имени П. Н. Лебедева РАН (Москва), Сколковского института науки и технологий (Москва) с коллегами из Кардиффского университета (Великобритания), Университета Аалто (Финляндия) и Нови-Садского университета (Сербия) модифицировали углеродные нанотрубки зеленым флуоресцентным белком (ЗФБ).  

«В данном случае однослойная углеродная нанотрубка играет роль активного проводника и носителя белковой молекулы, с которой она связана через фенилазидную группу, обеспечивающую ковалентную сшивку и образование общих электронных пар между компонентами электронного устройства», – рассказывает заведующий Лабораторией наноматериалов, проф. Сколковского института науки и технологий, Насибулин Альберт Галийевич.  

ЗФБ представляет собой «бочонок» из складчатой аминокислотной цепи, внутри которого располагается молекула флуорофора. Последний под действием излучения приобретает дополнительную энергию, претерпевает электронные перестройки, а затем возвращается в исходное состояние, отдавая избыток энергии в виде собственного излучения. Возможен и другой вариант — выделение тепла, но от этого его и защищает «бочонок», обеспечивая длительное сохранение флуоресцентных свойств. 

Исследователи изучили структуру полученных соединений и выяснили, что можно контролировать тип формируемого оптоэлектронного элемента за счет белка. Эта система может обмениваться с внешней средой не только энергией, но и носителями заряда. Именно на этом свойстве авторы работы и построили новые наноустройства. 

«Углеродная нанотрубка является незаменимым объектом при создании биоподобных сенсорных конструкций, позволяя фиксировать малейшие изменения в структуре и заряд единичных биомолекул, связанных с ней», — рассказывает Никита Некрасов, аспирант Научно-образовательного центра «Зондовая микроскопия и нанотехнологии» «МИЭТ».

Углеродные нанотрубки богаты свободными электронами, которые по фенилазидному мостику могут мигрировать на ЗФБ и обратно. Ученые по-разному присоединяли белок — как бы размещая «бочонок» стоя или на боку — и наблюдали, как будет себя вести фотоэлемент. Оказалось, что, если присоединить белок к углеродной нанотрубке его гидрофобной частью («боком»), то есть той, которая отталкивает от себя воду, то вся система начинает работать как прожектор, управляющий проводимостью нанотрубки. Это происходит потому, что при включении и выключении возбуждающего света нанотрубка и белок активно обмениваются электронами. В случае же, когда белок присоединили к нанотрубке более гидрофильной частью («дном») — той, что активно взаимодействует с водой, — то в области между нанотрубкой и белком происходит захват заряда, поэтому устройство приобретает способность хранить информацию десятки минут. При этом благодаря защитной белковой оболочке элемент сохранял стабильность в течение длительного времени.

«Наша разработка позволит создать мощные и компактные устройства для хранения и передачи информации, управляемые светом. Кроме того, оба компонента наших элементов являются биоразлагаемыми и не несут вреда окружающей среде, поэтому могут стать основой экологически чистых солнечных батарей», — рассказывает Иван Бобринецкий, руководитель проекта по гранту РНФ, доктор технических наук, ведущий научный сотрудник Научно-образовательного центра «Зондовая микроскопия и нанотехнологии» «МИЭТ».

Вт и диоды G-диапазона

ОБЗОР

Наши планарные диоды доступны в виде отдельных устройств или нескольких устройств, расположенных последовательно, встречно-последовательно и встречно-параллельно. Эти диоды обеспечивают современные характеристики и надежность. На вкладке «Диоды» представлены графики цен на наши диоды W-Band и G-Band. В таблице есть ссылки на спецификации для каждого наименования детали. Примечания, показанные ниже, относятся к техническим характеристикам, общим для всех деталей. VDI может обеспечить доставку диодов в течение 2-3 недель.Пожалуйста, позвоните для получения дополнительной информации о других типах диодов.

Примечания VDI по монтажу диодов и пайке
Приведенные выше примечания представляют собой некоторые общие рекомендации и сведения, которые могут быть полезны при монтаже/пайке диодов VDI в микросхемах с перевернутым кристаллом. Указанная здесь процедура по существу является процедурой, используемой VDI. Контактные площадки для пайки диодов VDI представляют собой тонкие пленки Au. Время обработки и температура варьируются и зависят от используемых заказчиком схем или подложек.Этот план просто предназначен для того, чтобы дать некоторые общие рекомендации по монтажу и пайке диодных флип-чипов.

Примечания VDI к спецификациям диодов  (VDI-1004)
Приведенные выше примечания описывают, как интерпретировать спецификации диодов VDI.

Все заказы на диоды поставляются с листом спецификаций. Данные о токе/напряжении для каждого отгруженного кристалла могут быть включены за дополнительную плату в размере 300,00 долларов США, которая должна быть включена отдельной строкой в ​​заказ на поставку. Одна надбавка применяется к каждому заказу на 500 штампов или меньше; свыше 500 кубиков взимается дополнительная плата за каждые дополнительные 500 кубиков.

Технические характеристики, общие для всех типов диодов:

  • Максимальная рабочая температура: 80°C
  • Максимальная температура хранения: 100°C
  • Максимальная рассеиваемая мощность при соответствующем теплоотводе: 5 дБм для ZBD, 10 дБм для одинарного анода, 13 дБм для встречно-параллельного и тройникового соединения
  • Классификация ESD: 100 В HBM (модель человеческого тела) 

ДИОДЫ

  

  
Чтобы разместить заказ, отправьте его на адрес [email protected].

 

 

  

РЕСУРСЫ

Наши планарные диоды доступны в виде отдельных устройств или нескольких устройств, расположенных последовательно, встречно-последовательно и встречно-параллельно. Эти диоды обеспечивают современные характеристики и надежность. На вкладке «Диоды» представлены графики цен на наши диоды W-Band и G-Band. В таблице есть ссылки на спецификации для каждого наименования детали. Примечания, показанные ниже, относятся к техническим характеристикам, общим для всех деталей.VDI может обеспечить доставку диодов в течение 2-3 недель. Пожалуйста, позвоните для получения дополнительной информации о других типах диодов.

Примечания VDI по монтажу диодов и пайке
Приведенные выше примечания представляют собой некоторые общие рекомендации и сведения, которые могут быть полезны при монтаже/пайке диодов VDI в микросхемах с перевернутым кристаллом. Указанная здесь процедура по существу является процедурой, используемой VDI. Контактные площадки для пайки диодов VDI представляют собой тонкие пленки Au. Время обработки и температура варьируются и зависят от используемых заказчиком схем или подложек.Этот план просто предназначен для того, чтобы дать некоторые общие рекомендации по монтажу и пайке диодных флип-чипов.

Примечания VDI к спецификациям диодов (VDI-1004)
Приведенные выше примечания описывают, как интерпретировать спецификации диодов VDI.

Все заказы на диоды поставляются с листом спецификаций. Данные о токе/напряжении для каждого отгруженного кристалла могут быть включены за дополнительную плату в размере 300 долларов США, которая должна быть включена отдельной строкой в ​​заказ на поставку. Одна надбавка применяется к каждому заказу на 500 штампов или меньше; свыше 500 кубиков взимается дополнительная плата за каждые дополнительные 500 кубиков.

Технические характеристики, общие для всех типов диодов:

  • Максимальная рабочая температура: 80°C
  • Максимальная температура хранения: 100°C
  • Максимальная рассеиваемая мощность при соответствующем теплоотводе: 5 дБм для ZBD, 10 дБм для одинарного анода, 13 дБм для встречно-параллельного и тройникового соединения
  • Классификация ESD: 100 В HBM (модель человеческого тела) 

Модели диодов
Модели Keysight ADS, AWR Corp. MWO (Microwave Office) и Keysight Genesys для одноанодных диодов W-диапазона и ZBD-диодов W-диапазона можно найти на веб-сайте Modelithics, Inc.Веб-сайт.

«MODELITHICS, INC. – передовая технологическая компания, предоставляющая комплексные услуги по измерению ВЧ, СВЧ и миллиметрового диапазона, а также высокомасштабируемые, точные, основанные на измерениях модели электронных компонентов для высокочастотного проектирования. Модели Modelithics охватывают сложные характеристики и паразитные эффекты ВЧ- и СВЧ-компонентов и конструкций.Они предлагают масштабируемые параметры проектирования, такие как масштабирование подложки, масштабирование контактных площадок и масштабирование стоимости детали, а также настраиваемые входные параметры, такие как смещение и температура для моделей активных устройств.Это обеспечивает точное соответствие приложениям дизайнеров. Модели также работают с процессами оптимизации, предлагаемыми в определенном программном обеспечении EDA. Эти функции приводят к более успешному проектированию с первого прохода и более эффективному процессу проектирования.

В рамках партнерской программы Modelithics Vendor Partner Program (MVP) компания Modelithics сотрудничает с производителями радиочастотных компонентов и полупроводниковых устройств, разрабатывая высококачественные модели для своей продукции.

 

 Вопросы? Свяжитесь с VDI по телефону [email protected]

.

  

Светодиоды методом зонной инженерии в ван-дер-ваальсовых гетероструктурах

  • Новоселов К.С. и др. Двумерные атомарные кристаллы. Проц. Натл акад. науч. США 102 , 10451–10453 (2005 г.).

    КАС Статья Google ученый

  • Новоселов К.С. и др. Эффект электрического поля в атомарно тонких углеродных пленках. Наука 306 , 666–669 (2004).

    КАС Статья Google ученый

  • Гейм А.К.2. Григорьева И.В. Ван-дер-ваальсовые гетероструктуры. Природа 499 , 419–425 (2013).

    КАС Статья Google ученый

  • Бритнелл, Л. и др. Резонансное туннелирование и отрицательная дифференциальная проводимость в графеновых транзисторах. Природа Коммуна. 4 , 1794 (2013).

    КАС Статья Google ученый

  • Бритнелл, Л.и другие. Полевой туннельный транзистор на основе вертикальных графеновых гетероструктур. Наука 335 , 947–950 (2012).

    КАС Статья Google ученый

  • Бритнелл, Л. и др. Сильные взаимодействия света с веществом в гетероструктурах из атомарно тонких пленок. Наука 340 , 1311–1314 (2013).

    КАС Статья Google ученый

  • Ю, В.Дж. и др. Высокоэффективная генерация фототока с перестройкой затвора в вертикальных гетероструктурах из слоистых материалов. Природа Нанотех. 8 , 952–958 (2013).

    КАС Статья Google ученый

  • Новоселов К.С. Нобелевская лекция: Графен: Материалы на равнине. Ред. Мод. физ. 83 , 837–849 (2011).

    КАС Статья Google ученый

  • Яо Ю., Хоффман, А.Дж. и Гмахл, К.Ф. Квантовые каскадные лазеры среднего инфракрасного диапазона. Фотон природы. 6 , 432–439 (2012).

    КАС Статья Google ученый

  • Ван, К. Х., Калантар-Заде, К., Кис, А., Коулман, Дж. Н. и Страно, М. С. Электроника и оптоэлектроника двумерных дихалькогенидов переходных металлов. Природа Нанотех. 7 , 699–712 (2012).

    КАС Статья Google ученый

  • Мак К. Ф., Ли, К., Хон, Дж., Шан, Дж. и Хайнц, Т.Ф. Атомарно тонкий MoS2: новый прямозонный полупроводник. Физ. Преподобный Летт. 105 , 136805 (2010 г.).

    Артикул Google ученый

  • Мак, К.Ф. и др. Прочно связанные трионы в монослое MoS2. Природа Матери. 12 , 207–211 (2013).

    КАС Статья Google ученый

  • Сяо Д., Liu, G-B., Feng, W., Xu, X. & Yao, W. Связанная физика спина и долины в монослоях MoS2 и других дихалькогенидов группы VI. Физ. Преподобный Летт. 108 , 196802 (2012).

    Артикул Google ученый

  • Росс, Дж. С. и др. Электрический контроль нейтральных и заряженных экситонов в монослойном полупроводнике. Природа Коммуна. 4 , 1474 (2013).

    Артикул Google ученый

  • Росс, Дж. С. и др. Электрически перестраиваемые экситонные светодиоды на основе монослойных p–n-переходов WSe2. Природа Нанотех. 9 , 268–272 (2014).

    КАС Статья Google ученый

  • Сундарам, Р. С. и др. Электролюминесценция в однослойном MoS2. Нано Летт. 13 , 1416–1421 (2013).

    КАС Статья Google ученый

  • Поспищиль А., Фурчи, М.М. и Мюллер, Т. Преобразование солнечной энергии и излучение света в атомарном монослойном p – n-диоде. Природа Нанотех. 9 , 257–261 (2014).

    КАС Статья Google ученый

  • Baugher, BWH, Churchill, HOH, Yang, Y. & Jarillo-Herrero, P. Оптоэлектронные устройства на основе электрически перестраиваемых p–n-диодов в монослое дихалькогенида. Природа Нанотех. 9 , 262–267 (2014).

    КАС Статья Google ученый

  • Ривера, П. и др. Наблюдение долгоживущих межслоевых экситонов в монослойных гетероструктурах MoSe2–WSe2. Препринт на http://arXiv.org/abs/1403.4985 (2014)

  • Wang, L. et al. Одномерный электрический контакт с двумерным материалом. Наука 342 , 614–617 (2013).

    КАС Статья Google ученый

  • Хей, С.Дж. и др. Изображение поперечного сечения отдельных слоев и скрытых интерфейсов гетероструктур и сверхрешеток на основе графена. Природа Матери. 11 , 764–767 (2012).

    КАС Статья Google ученый

  • Тонгей, С. и др. Дефекты активируют фотолюминесценцию в двумерных полупроводниках: взаимодействие между связанными, заряженными и свободными экситонами. наук. 3 , 2657 (2013).

    Артикул Google ученый

  • Sercombe, D. et al. Оптическое исследование естественного электронного легирования тонких пленок MoS2, нанесенных на диэлектрические подложки. наук. 3 , 3489 (2013).

    КАС Статья Google ученый

  • Канг Дж., Тонгай С., Чжоу Дж., Ли Дж. Б. и Ву Дж. К. Смещения зон и гетероструктуры двумерных полупроводников. Заяв. физ. лат. 102 , 012111 (2013).

    Артикул Google ученый

  • Сакс, Б. и др. Механизмы легирования в гибридах графен-MoS2. Заяв. физ. лат. 103 , 251607 (2013).

    Артикул Google ученый

  • Lee, G.H. et al. Туннелирование электронов через атомарно-плоский и сверхтонкий гексагональный нитрид бора. Заяв. физ. лат. 99 , 243114 (2011).

    Артикул Google ученый

  • Бритнелл, Л. и др. Туннелирование электронов через сверхтонкие кристаллические барьеры из нитрида бора. Нано Летт. 12 , 1707–1710 (2012).

    КАС Статья Google ученый

  • Gutierrez, H.R. et al. Необычайная фотолюминесценция при комнатной температуре в треугольных монослоях WS2. Нано Летт. 13 , 3447–3454 (2013).

    КАС Статья Google ученый

  • Райнеке, С. и др. Белые органические светодиоды с эффективностью люминесцентной лампы. Природа 459 , 234–238 (2009).

    КАС Статья Google ученый

  • Lee, C.H. et al. Атомарно тонкие p–n-переходы с ван-дер-ваальсовыми гетерограницами. Природа Нанотех. 9 , 676–681 (2014).

    КАС Статья Google ученый

  • Произошла ошибка при настройке пользовательского файла cookie

    Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности. Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт.


    Настройка браузера для приема файлов cookie

    Существует множество причин, по которым файл cookie не может быть установлен правильно.Ниже приведены наиболее распространенные причины:

    • В вашем браузере отключены файлы cookie. Вам необходимо сбросить настройки браузера, чтобы принять файлы cookie, или спросить вас, хотите ли вы принимать файлы cookie.
    • Ваш браузер спрашивает, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались. Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, нажмите кнопку «Назад» и примите файл cookie.
    • Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Попробуйте другой браузер, если вы подозреваете это.
    • Дата на вашем компьютере в прошлом.Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г., браузер автоматически забудет файл cookie. Чтобы это исправить, установите правильное время и дату на своем компьютере.
    • Вы установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie. Вы должны отключить приложение при входе в систему или проконсультироваться с системным администратором.

    Почему этому сайту требуются файлы cookie?

    Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу.Предоставить доступ без файлов cookie потребует от сайта создания нового сеанса для каждой посещаемой вами страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня.


    Что сохраняется в файле cookie?

    Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в файле cookie; никакая другая информация не фиксируется.

    Как правило, в файле cookie может храниться только информация, которую вы предоставляете, или выбор, который вы делаете при посещении веб-сайта.Например, сайт не может определить ваше имя электронной почты, если вы не решите ввести его. Разрешение веб-сайту создавать файлы cookie не дает этому или любому другому сайту доступ к остальной части вашего компьютера, и только сайт, создавший файл cookie, может его прочитать.

    Команда Sandia разработала GaN-диод, который является важным шагом на пути к защите энергосистемы от ЭМИ

    Ученые из Sandia National Laboratories разработали новый диод на основе нитрида галлия (GaN), который может шунтировать избыточное электричество за несколько миллиардных долей секунды, работая при рекордных 6400 вольт, что является важным шагом на пути к защите национальной электросети от электромагнитного излучения. импульс (ЭМИ).

    Команда опубликовала результаты изготовления и тестирования своего устройства 10 марта в журнале IEEE Transactions on Electron Devices . Конечная цель команды — обеспечить защиту от скачков напряжения ЭМИ, которые могут привести к перебоям в подаче электроэнергии на несколько месяцев, с помощью устройства, работающего при напряжении до 20 000 вольт. Большая часть электроники распределительной сети работает при напряжении около 13 000 вольт.

    ЭМИ может быть вызвано природными явлениями, такими как солнечные вспышки, или деятельностью человека, например ядерным взрывом в атмосфере.ЭМИ вызывает огромное напряжение за несколько миллиардных долей секунды, что потенциально влияет на электронные устройства и повреждает их на больших территориях страны.

    ЭМИ маловероятно, сказал Боб Каплар, менеджер исследовательской группы по полупроводниковым устройствам в Sandia, но если они произойдут и повредят огромные трансформаторы, составляющие основу электросети, на их замену и восстановление питания могут уйти месяцы. пострадавшей части нации.

    Причина, по которой эти устройства важны для защиты сети от ЭМИ, заключается не только в том, что они могут достигать высокого напряжения — другие устройства могут достигать высокого напряжения, — но и в том, что они могут реагировать за пару миллиардных долей секунды. Пока устройство защищает сеть от ЭМИ, оно находится под очень высоким напряжением, и через него проходят тысячи ампер, что является огромной мощностью. Материал может выдерживать определенную мощность только в течение определенного периода времени, но мы считаем, что материал в нашем диоде имеет некоторые преимущества по сравнению с другими материалами.

    — Боб Каплар

    «Диоды — это электронные компоненты, присутствующие почти в каждом электронном устройстве, и они служат в качестве односторонних регулирующих клапанов», — сказала Мэри Кроуфорд, старший научный сотрудник Sandia, занимающаяся проектированием и изготовлением диодов для проекта.Диоды позволяют электричеству течь в одном направлении через устройство, но не в другом. Их можно использовать для преобразования мощности переменного тока в мощность постоянного тока, а в этом проекте — для отвода вредного высокого напряжения от чувствительных сетевых трансформаторов.

    В регулирующем клапане, даже если вы полностью откроете этот клапан, вы не сможете пропустить через него бесконечное количество воды. Точно так же существует ограничение на то, сколько тока вы можете пропустить через наш диод. Если клапан на трубе закрыт, если давление достигнет определенного значения, она лопнет.Аналогично, диод не может блокировать бесконечное напряжение. Однако наше ЭМИ-устройство использует точку, в которой диод больше не может блокировать высокое напряжение, удерживает напряжение на этом «давлении», шунтируя избыточный ток через себя, на землю и от сетевого оборудования в контролируемой, ненагруженной системе. — деструктивная мода.

    — Боб Каплар

    Скачки напряжения, вызванные ЭМИ, в сто раз быстрее, чем вызванные молнией, поэтому эксперты не знают, будут ли устройства, предназначенные для защиты сети от ударов молнии, эффективными против ЭМИ, сказал Джек Фликер, специалист по устойчивости электрических сетей Sandia. эксперт в команде.

    По словам Каплара, часть того, что делает диод особенным, заключается в том, что он сделан из нитрида галлия. По словам Кроуфорда, нитрид галлия является полупроводником, как и кремний, но из-за своих химических свойств он может выдерживать гораздо более высокое напряжение до разрушения, чем кремний. Сам материал также очень быстро реагирует и поэтому является хорошим кандидатом для достижения быстрого отклика, необходимого для защиты сети от ЭМИ.

    По ее словам, Кроуфорд и материаловеды Брендан Ганнинг и Эндрю Аллерман изготовили устройства путем «выращивания» полупроводниковых слоев нитрида галлия с использованием процесса, называемого химическим осаждением из паровой фазы.Сначала они нагревают имеющуюся в продаже пластину нитрида галлия примерно до 1800 градусов по Фаренгейту, а затем добавляют пары, содержащие атомы галлия и азота. Эти химические вещества образуют слои кристаллического нитрида галлия на поверхности пластины.

    Изменяя ингредиенты и процесс, команда могла производить слои с различными электрическими свойствами. Создавая эти слои в определенном порядке в сочетании с этапами обработки, такими как травление и добавление электрических контактов, команда создала устройства с необходимым поведением.

    Основной проблемой при создании этих очень высоковольтных диодов является необходимость иметь очень толстые слои нитрида галлия. Дрейфовые области этих устройств имеют толщину около 50 микрон, или 1/6 листа блокнота. Это может показаться не таким уж большим, но используемый нами процесс роста может иметь скорость роста всего один или два микрона в час. Второй серьезной проблемой является поддержание очень низкой плотности кристаллических дефектов, особенно примесей или отсутствующих атомов в полупроводниковом материале, на протяжении всего времени выращивания, чтобы создавать устройства, работающие при таких очень высоких напряжениях.

    —Мэри Кроуфорд

    По словам Кроуфорда, чтобы команда достигла своей конечной цели — устройства, работающего при напряжении 20 000 вольт, им необходимо будет сделать толстый слой еще более толстым с еще меньшим количеством дефектов. Она добавила, что при создании устройства, способного работать при таких высоких напряжениях и токах, возникает несколько других технических проблем, в том числе проектирование управления очень сильными внутренними электрическими полями внутри устройств.

    По словам Каплара, диодные устройства, такие как диод из нитрида галлия Sandia, могут использоваться для других целей, помимо защиты сети от ЭМИ.К ним относятся интеллектуальные трансформаторы для сети, электронные устройства для преобразования электроэнергии от солнечных батарей на крышах в энергию, которая может использоваться бытовой техникой, и даже инфраструктура для зарядки электромобилей.

    Он добавил, что обычно преобразователи солнечных батарей и инфраструктура зарядки электромобилей могут работать с напряжением 1200 или 1700 вольт. Но работа при более высоком напряжении позволяет повысить эффективность и снизить потери электроэнергии. Другой частью проекта является разработка диодов для этих типов устройств, которые работают при высоком, но не рекордном напряжении, но более просты в производстве, сказал Каплар.Военно-морская исследовательская лаборатория возглавляет эту часть проекта.

    Это исследование финансируется ARPA-E, а более крупный проект проводится в партнерстве с Военно-морской исследовательской лабораторией, Стэнфордским университетом, Национальным институтом стандартов и технологий, EDYNX и Sonrisa Research.

    Ресурсы

    • Л. Йейтс и др. (2022) «Демонстрация пробивного напряжения > 6,0 кВ в вертикальных p-n-диодах GaN большой площади со ступенчато-вытравленными переходными расширениями», IEEE Transactions on Electron Devices doi: 10.1109/ТЭД.2022.3154665.

    УФ-лазерные диоды на основе нитридов группы III

  • M. Kneissl, J. Rass (eds.), III-нитридные ультрафиолетовые излучатели: технология и применение , vol. 227, серия по материаловедению (Springer, Cham, 2016)

    Google ученый

  • С. Нагахама, Т. Янамото, М. Сано, Т. Мукаи, яп. Дж. Заявл. физ. 40 , L785 (2001)

    ОБЪЯВЛЕНИЕ перекрестная ссылка Google ученый

  • С.Нагахама, Т. Янамото, М. Сано, Т. Мукаи, Яп. Дж. Заявл. физ. 41 , 5 (2002)

    Google ученый

  • М. Кнайсль, Д.В. Treat, M. Teepe, N. Miyashita, N.M. Johnson, Appl. физ. лат. 82 , 2386 (2003)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • М.Кнайсль, Д.В. Treat, M. Teepe, N. Miyashita, N.M. Johnson, Phys. Стат. Сол. (А) 200 , 118 (2003)

    ОБЪЯВЛЕНИЕ перекрестная ссылка Google ученый

  • М. Кнайсль, Д.В. Treat, M. Teepe, N. Miyashita, N.M. Johnson, Appl. физ. лат. 82 , 4441 (2003)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • Дж. Эдмонд, А. Абаре, М. Бергман, Дж. Бхаратан, К.Л. Банкер, Д. Эмерсон, К. Хаберерн, Дж. Иббетсон, М. Леунг, П. Рассел, Д. Слейтер, Дж. Крист. Прирост 272 , 242 (2004)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • Х. Йошида, Ю. Ямасита, М. Кувабара, Х. Кан, Нат. Фотоника 2 , 551 (2008)

    CrossRef Google ученый

  • H. Yoshida, Y. Yamashita, M. Kuwabara, H. Kan, Appl. физ.лат. 93 , 241106 (2008)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • Ю. Аоки, М. Кувабара, Ю. Ямасита, Ю. Такаги, А. Сугияма, Х. Йошида, Appl. физ. лат. 107 , 151103 (2015)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • М.Х. Кроуфорд, А.А. Аллерман, А.М. Армстронг, М.Л. Смит, К.С. Крест, заявл. физ. Экспресс 8 , 112702 (2015)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • S. Okawara, Y. Aoki, Y. Yamashita, H. Yoshida, 6th Int. Symp. Growth III-Nitrides (ISGN-6), paper # I-Tu -B3 (2015)

    Google Scholar 

  • Z. Zhang, M. Kushimoto, T. Sakai, N. Sugiyama, L.J. Schowalter, C.Сасаока, Х. Амано, Appl. физ. Экспресс 12 , 124003 (2019)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • T. Wunderer, JE Northrup, NM Johnson, in III-Nitride Ultraviolet Emitters: Technology and Applications , ed. М. Кнайсль, Дж. Расс. Материаловедение, том. 227 (Спрингер, Чам, 2016 г.)

    Google ученый

  • Х.-Х. Ли, Т. Детчпром, Т.-Т. Као, М.М. Саттер, С.-К. Шен, П.Д. Йодер, Р.Д. Дюпюи, С. Ван, Ю.О. Вэй, Х. Се, А.М. Fischer, F.A. Ponce, T. Wernicke, C. Reich, M. Martens, M. Kneissl, Appl. физ. лат. 105 , 141106 (2014)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • Х.Kawanishi, M. Senuma, T. Nukui, Appl. физ. лат. 89 , 041126 (2006)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • M. Kneissl, Z. Yang, M. Teepe, N.M. Johnson, Proc. SPIE 7230 , 7230-13 (2009)

    Google ученый

  • Т. Вундерер, К.Л. Чуа, Дж.Э. Нортрап, З. Ян, Н.М. Джонсон, М. Кнайсль, Г.А. Гарретт, Х. Шен, М. Врабак, Б. Муди, Х.С. Крафт, Р. Шлессер, Р.Ф. Dalmau, Z. Sitar, Phys. Стат. Сол. (К) 9 (3–4), 822 (2012)

    Google ученый

  • Й. Ешке, М. Мартенс, А. Кнауэр, В. Кюллер, У. Займер, К. Нетцель, К. Кун, Ф. Крюгер, К. Райх, Т. Вернике, М. Кнайсль, М. Вейерс, IEEE Photonics Technol. лат. 27 (18), 1969 (2015)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • З.Bryan, I. Bryan, S. Mita, J. Tweedie, Z. Sitar, R. Collazo, Appl. физ. лат. 106 , 232101 (2015)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • C. Kuhn, T. Simoneit, M. Martens, T. Markurt, J. Enslin, F. Mehnke, K. Bellmann, T. Schulz, M. Albrecht, T. Wernicke, M. Kneissl, Phys. Стат. Сол. (А) 215 , 1800005 (2018)

    Google ученый

  • М.Мартенс, Диссертация, Технический университет Берлина, 2018

    Google ученый

  • В.И. Козловский, А.Б. Крыса, Ю.К. Скаясырский, Ю.М. Попов, А. Абаре, М.П. Мак, С. Келлер, У. К. Мишра, Л. Колдрен, С. ДенБаарс, М. Д. Тибери, Т. Джордж, MRS Internet J. Nitride Semicond. Рез. 2 , Е38 (1997)

    Google ученый

  • Т. Вундерер, Я. Ешке, З.Ян, М. Типе, М. Батрес, Б. Вансил, Н. М. Джонсон, IEEE Photonics Technol. лат. 29 (16), 1344 (2017)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • F. Tabataba-Vakili, T. Wunderer, M. Kneissl, Z. Yang, M. Teepe, M. Batres, M. Feneberg, B. Vancil, N.M. Johnson, Appl. физ. лат. 109 , 181105 (2016)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • М.Кнайсль, Т.-Ю. Seong, J. Han, H. Amano, Nat. Фотоника 13 , 233 (2019)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • М.Л. Накарми, Н. Непал, К. Уголини, Т.М. Альтахтамуни, Дж.Ю. Лин, Х.Х. Цзян, заявл. физ. лат. 89 , 152120 (2006)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • Дж.Л. Лайонс, А. Джанотти, К.Г. Ван де Валле, Phys. Преподобный Летт. 108 , 156403 (2012)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • Б. Ченг, С. Чой, Дж. Э. Нортруп, З. Ян, К. Нолленберг, М. Типе, Т. Вундерер, К.Л. Чуа, Н.М. Джонсон, Appl. физ. лат. 102 , 231106 (2013)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • А.А. Аллерман, М.Х. Кроуфорд, М.А. Миллер, С.Р. Ли, Дж. Крист. Прирост 312 , 756 (2010)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • Дж.Саймон, В. Протасенко, К. Лиан, Х. Син, Д. Йена, Science 327 , 60 (2010)

    ADS перекрестная ссылка Google ученый

  • Р. Дахал, Дж. Ли, С. Маджети, Б.Н. Панта, X.К. Цао, Дж.Ю. Лин, Х.Х. Цзян, заявл. физ. лат. 98 , 211110 (2011)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • Ю. Чжан, С. Кришнамурти, Ф. Акйол, А.А. Аллерман, М.В.Мозли, А.М. Армстронг, С. Раджан, Appl. физ. лат. 109 , 121102 (2016)

    ОБЪЯВЛЕНИЕ перекрестная ссылка Google ученый

  • Ф. Менке, М. Гуттманн, Дж. Энслин, К. Кун, К. Райх, Дж. Джордан, С. Капанке, А. Кнауэр, М. Лапейрад, У. Займер, Х. Крюгер, М. Rabe, S. Einfeldt, T. Wernicke, H. Ewald, M. Weyers, M. Kneissl, IEEE J. Sel. Верхняя. Квантовый электрон. 23 , 2 (2017)

    Google ученый

  • М.Guttmann, F. Mehnke, B. Belde, F. Wolf, C. Reich, L. Sulmoni, T. Wernicke, M. Kneissl, Jap. Дж. Заявл. физ. 58 , SCCB20 (2019)

    Google ученый

  • M. Martens, C. Kuhn, E. Ziffer, T. Simoneit, V. Kueller, A. Knauer, J. Rass, T. Wernicke, S. Einfeldt, M. Weyers, M. Kneissl, Appl. физ. лат. 108 , 151108 (2016)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • М.Röwe, P. Michler, J. Gutowski, S. Bader, G. Brüderl, V. Kümmler, S. Miller, A. Weimar, A. Lell, V. Härle, Phys. Стат. Сол. (А) 194 , 414 (2002)

    Google ученый

  • Х. Браун, К. Лаутербах, Юта Шварц, В. Лайно, Б. Витцигманн, К. Румбольц, М.О. Schillgalies, A. Lell, V. Härle, U. Straus, Phys. Стат. Сол. (С) 4 , 2772 (2007)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • Дж.Глааб, К. Плох, Р. Кельц, К. Штёльмакер, М. Лапейрад, Н. Лобо Плох, Дж. Расс, Т. Кольбе, С. Эйнфельдт, Ф. Менке, К. Кун, Т. Вернике, М. Вейерс , М. Kneissl, J. Appl. физ. 118 , 094504 (2015)

    Google ученый

  • T. Kolbe, T. Sembdner, A. Knauer, V. Kueller, H. Rodriguez, S. Einfeldt, P. Vogt, M. Weyers, M. Kneissl, Phys. Стат. Сол. (А) 207 , 2198 (2010)

    ОБЪЯВЛЕНИЕ перекрестная ссылка Google ученый

  • С.-Н. Ли, Х.Ю. Рю, Х.С. Пэк, Дж.К. Сон, Т. Саконг, Т. Джанг, Ю.Дж. Сунг, К.С. Ким, К.Х. Ха, О.Х. Nam, Y. Park, Phys. Стат. Сол. (С) 4 , 2788 (2007)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • Т. Вейг, Диссертация, Университет Альберта Людвига во Фрайбурге в Брайсгау, 2015

    Google ученый

  • Б. Ван Даэле, Г. Ван Тенделу, В. Руйторен, Дж. Дерлюйн, М.R. Leys, M. Germain, Appl. физ. лат. 87 , 061905 (2005)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • С. Рувимов, З. Лилиенталь-Вебер, Дж. Уошберн, Д. Цяо, С.С. Лау, П.К. Чу, заявл. физ. лат. 73 , 2582 (1998)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • А. Мотайед, Р. Бате, М.К. Вуд, О.С. Диуф, Р.Д. Виспуте, С.Н. Мохаммед, Дж.заявл. физ. 93 , 1087 (2003)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • М.А. Миллер, Б.Х. Ку, К.Х.А. Богарт, С.Э. Мони, Дж. Электрон. Матер. 37 , 564 (2008)

    Google ученый

  • М. Лапейрад, А. Мухин, С. Эйнфельдт, У. Цеймер, А. Могилатенко, М. Вейерс, М. Кнайсль, Semicond. науч. Технол. 28 , 125015 (2013)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • Н.Нагата, Т. Сенга, М. Ивая, Т. Такеучи, С. Камияма, И. Акасаки, Phys. Стат. Сол. (К) 14 , 1600243 (2017)

    Google ученый

  • F. Mehnke, T. Wernicke, H. Pingel, C. Kuhn, C. Reich, V. Kueller, A. Knauer, M. Lapeyrade, M. Weyers, M. Kneissl, Appl. физ. лат. 103 , 212109 (2013)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • Ф.Mehnke, L. Sulmoni, M. Guttmann, T. Wernicke, M. Kneissl, Appl. физ. Экспресс 12 , 012008 (2019)

    ОБЪЯВЛЕНИЕ перекрестная ссылка Google ученый

  • Г.В. Джанг, К.М. Чон, Дж.К. Ким, Ж.-Л. Ли, заявл. физ. лат. 78 , 2015 (2001)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • С.Дж. Пиртон, заявл. Серф. науч. 117/118 , 597 (1997)

    Google ученый

  • З.Mouffak, A. Bensaoula, L. Trombetta, J. Appl. физ. 95 , 727 (2004)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • Х.А. Цао, Х. Пяо, С.Ф. ЛеБёф, Дж. Ли, Дж.Ю. Лин, Х.Х. Цзян, заявл. физ. лат. 89 , 082109 (2006)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • М.А. Миллер, С.Э. Мохни, А. Никифоров, Г.С. Каргилл, К.Х.А. Богарт, заявл.физ. лат. 89 , 132114 (2006)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • A. Knauer, V. Kueller, U. Zeimer, M. Weyers, C. Reich, M. Kneissl, Phys. Стат. Сол. (А) 210 , 451 (2013)

    Google ученый

  • Единое время Schwarz, M. Kneissl, Phys. Стат. Сол. РРЛ 1 , А44 (2007)

    Google ученый

  • Т.Kolbe, A. Knauer, J. Stellmach, C. Chua, Z. Yang, S. Einfeldt, P. Vogt, N. M. Johnson, M. Weyers, M. Kneissl, SPIE Proc. 7939 , 79391G (2011)

    ОБЪЯВЛЕНИЕ перекрестная ссылка Google ученый

  • Т. Такано, Ю. Отаки, Ю. Нарита, Х. Каваниши, Япония. Дж. Заявл. физ. 43 (10А), L1258 (2004)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • Х. Сун, Э.Ф. Пекора, Дж. Вудворд, Д.Дж. Smith, L. Dal Negro, T.D. Moustakas, Phys. Стат. Сол. (А) 213 , 1165 (2016)

    Google ученый

  • J.R. van Look, S. Einfeldt, O. Krüger, V. Hoffmann, A. Knauer, M. Weyers, P. Vogt, M. Kneissl, IEEE Photonics Technol. лат. 22 (6), 416 (2010)

    Google ученый

  • М. Бикерманн, в III-нитридные ультрафиолетовые излучатели: технология и применение , изд.М. Кнайсль, Дж. Расс. Серия Springer по материаловедению, том. 227. (Спрингер, Чам, 2016)

    Google ученый

  • HexaTech Inc., HexaTech выпускает 2-дюймовые подложки AlN (2018 г.), http://www.hexatechinc.com/news-events.html. По состоянию на 24 апреля 2018 г.

  • М. Мартенс, Ф. Менке, К. Кун, К. Райх, В. Кюллер, А. Кнауэр, К. Нетцель, К. Хартманн, Дж. Волльвебер, Дж. Расс, Т. Вернике, М. Бикерманн, М. Вейерс, М.Kneissl, IEEE Photonics Technol. лат. 26 , 342 (2014)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • A. Rice, R. Collazo, J. Tweedie, R. Dalmau, S. Mita, J. Xie, Z. Sitar, J. Appl. физ. 108 , 043510 (2010)

    ОБЪЯВЛЕНИЕ перекрестная ссылка Google ученый

  • А. Могилатенко, А. Кнауэр, У. Цеймер, К. Нетцель, Я. Ешке, Р.-С. Унгер, К. Хартманн, Дж.Wollweber, A. Dittmar, U. Juda, M. Weyers, M. Bickermann, J. Cryst. Рост 505 , 69 (2019)

    Google ученый

  • P. Drechsel, P. Stauss, W. Bergbauer, P. Rode, S. Fritze, A. Krost, T. Markurt, T. Schulz, M. Albrecht, H. Riechert, U. Steegmüller, Phys. Стат. Сол. (А) 209 , 427 (2012)

    Google ученый

  • А. Могилатенко, А.Knauer, U. Zeimer, C. Hartmann, H. Oppermann, M. Weyers, J. Cryst. Прирост 462 , 18 (2017)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • А. Кнауэр, А. Могилатенко, С. Хагедорн, Дж. Энслин, Т. Вернике, М. Кнайсль, М. Вейерс, Phys. Стат. Сол. (B) 253 , 809 (2016) и опечатки Phys. Стат. Сол. (Б) 253 , 1228 (2016)

    Google ученый

  • И.Брайан, З. Брайан, С. Мита, А. Райс, Дж. Твиди, Р. Коллазо, З. Ситар, Дж. Крист. Прирост 438 , 81 (2016)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • Дж. Эдмонд, Дж. Лагали, JOM 49 , 24 (1997)

    CrossRef Google ученый

  • О. Реентиля, Ф. Бруннер, А. Кнауэр, А. Могилатенко, В. Нейманн, Х. Процманн, М. Хойкен, М. Кнайсль, М. Вейерс, Г.Трэнкле, Дж. Крист. Прирост 310 , 4932 (2008)

    Google ученый

  • С. Мон, Н. Столярчук, Т. Маркурт, Р. Кирсте, М.П. Hoffmann, R. Collazo, A. Courville, R. Di Felice, Z. Sitar, P. Vennéguès, M. Albrecht, Phys. Преподобный заявл. 5 , 054004 (2016)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • B. Kuhn, F. Scholz, Phys. Стат. Сол. (А) 188 , 629 (2001)

    Google ученый

  • Ф.Brunner, H. Protzmann, M. Heuken, A. Knauer, M. Weyers, M. Kneissl, Phys. Стат. Сол. (С) 5 , 1799 (2008)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • Х. Хираяма, Т. Ятабэ, Н. Ногучи, Т. Охаши, Н. Камата, Appl. физ. лат. 91 , 071901 (2007)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • М. Имура, К. Накано, Г. Нарита, Н. Фудзимото, Н.Окада, К. Балакришнан, М. Ивая, С. Камияма, Х. Амано, И. Акасаки, Т. Норо, Т. Такаги, А. Бандох, Дж. Крист. Прирост 298 , 257 (2007)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • V. Kueller, A. Knauer, U. Zeimer, H. Rodriguez, A. Mogilatenko, M. Kneissl, M. Weyers, Phys. Стат. Сол. (К) 8 , 2022 (2011)

    Google ученый

  • В.Kueller, A. Knauer, U. Zeimer, M. Kneissl, M. Weyers, J. Cryst. Прирост 368 , 83 (2013)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • А. Книгге, М. Брендель, Ф. Бруннер, С. Эйнфельдт, А. Кнауэр, В. Кюллер, У. Займер, М. Вейерс, Jpn. Дж. Заявл. физ. 52 , 08JF03 (2013)

    Перекрестная ссылка Google ученый

  • У. Займер, Ю. Ешке, А. Могилатенко, А.Knauer, V. Kueller, V. Hoffmann, C. Kuhn, T. Simoneit, M. Martens, T. Wernicke, M. Kneissl, M. Weyers, Semicond. науч. Технол. 30 , 114008 (2015)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • А. Могилатенко, В. Кюллер, А. Кнауэр, Й. Йешке, У. Цаймер, М. Вейерс, Г. Трэнкле, Дж. Крист. Рост 402 , 222 (2014)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • Х.Мияке, К.-Х. Лин, К. Токоро, К. Хирамацу, Дж. Крист. Прирост 456 , 155 (2016)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • Н. Сусило, С. Хагедорн, Д. Йегер, Х. Мияке, У. Займер, К. Райх, Б. Нойшульц, Л. Сульмони, М. Гуттманн, Ф. Менке, К. Кун, Т. Wernicke, M. Weyers, M. Kneissl, Appl. физ. лат. 112 , 041110 (2018)

    ОБЪЯВЛЕНИЕ перекрестная ссылка Google ученый

  • Ф.А. Понсе, Дж.С. Майор, В.Е. Плано, Д.Ф. Уэлч, заявл. физ. лат. 65 , 2302 (1994)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • А. Могилатенко, Дж. Энслин, А. Кнауэр, Ф. Менке, К. Беллманн, Т. Вернике, М. Вейерс, М. Кнайсль, Semicond. науч. Технол. 30 , 114010 (2015)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • К. Кун, М. Мартенс, Ф.Mehnke, J. Enslin, P. Schneider, C. Reich, F. Krueger, J. Rass, J.B. Park, V. Kueller, A. Knauer, T. Wernicke, M. Weyers, M. Kneissl, J. Phys. Д: заявл. физ. 51 , 415101 (2018)

    Перекрестная ссылка Google ученый

  • Ф. Менке, Х.Т. Трин, Х. Пингел, Т. Вернике, Э. Янсен, Н.Т. Son, M. Kneissl, J. Appl. физ. 120 , 145702 (2016)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • К.Л. Шакли, Р.Ф. Леэни, заявл. физ. лат. 18 , 475 (1971)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • Л.А. Колдрен, С.В. Corzine, Диодные лазеры и фотонные интегральные схемы (Wiley Interscience, 1995)

    Google ученый

  • С.-Х. Wei, A. Zunger, Appl. физ. лат. 69 , 2719 (1996)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • К.Б. Нам, Дж. Ли, М.Л. Накарми, Дж.Ю. Лин, Х.Х. Цзян, заявл. физ. лат. 84 , 5264 (2004)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • К. Райх, М. Гуттманн, М. Фенеберг, Т. Вернике, Ф. Менке, К. Кун, Дж. Расс, М. Лапейрад, С. Эйнфельдт, А. Кнауэр, В. Кюллер, М. Weyers, R. Goldhahn, M. Kneissl, Appl. физ. лат. 107 , 142101 (2015)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • Х.-ЧАС. Ли, Т.-Т. Као, М.М. Саттер, Ю.О. Вэй, С. Ван, Х. Се, С.-К. Шен, П.Д. Йодер, А.М. Fischer, F.A. Ponce, T. Detchprohm, R.D. Dupuis, Appl. физ. лат. 106 , 041115 (2015)

    ОБЪЯВЛЕНИЕ перекрестная ссылка Google ученый

  • В.В. Chow, M. Kneissl, J. Appl. физ. 98 , 114502 (2005)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • Ф. Нипперт, М.Толлаби Мазраэно, М.Дж. Дэвис, М.П. Хоффманн, Х.-Й. Lugauer, T. Kure, M. Kneissl, A. Hoffmann, M.R. Wagner, Appl. физ. лат. 113 , 071107 (2018)

    ОБЪЯВЛЕНИЕ перекрестная ссылка Google ученый

  • М. Курамото, К. Сасаока, Н. Футагава, М. Нидо, А.А. Ямагути, физ. Стат. Сол. (А) 192 , 329 (2002)

    Google ученый

  • В. Лайно, Ф.Ремер, Б. Витцигманн, К. Лаутербах, У.Т. Шварц, К. Румбольц, М.О. Schillgalies, M. Furitsch, A. Lell, V. Härle, IEEE J. Quantum Electron. 43 , 16 (2007)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • Ю. Чен, Т. Такеучи, Х. Амано, И. Акасаки, Н. Ямада, Ю. Канеко, С.Ю. Ван, заявл. физ. лат. 72 , 710 (1998)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • В.Сан, К.Д. Ерино, Т.С. Ко, Ю.С. Чо, И.-Х. Lee, J. Han, M.E. Coltrin, J. Appl. физ. 104 , 093523 (2008)

    Google ученый

  • J. Enslin, A. Knauer, A. Mogilatenko, F. Mehnke, M. Martens, C. Kuhn, T. Wernicke, M. Weyers, M. Kneissl, Phys. Стат. Сол. (А) 216 , 1

  • 2 (2019)

    Google ученый

  • К. Беллманн, У.В. Поль, К.Kuhn, T. Wernicke, M. Kneissl, J. Cryst. Прирост 478 , 187 (2017)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • M. Pristovsek, K. Bellmann, F. Mehnke, J. Stellmach, T. Wernicke, M. Kneissl, Phys. Стат. Сол. (Б) 254 , 1600711 (2017)

    Google ученый

  • J. Jeschke, U. Zeimer, L. Redaelli, S. Einfeldt, M. Kneissl, M. Weyers, Appl.физ. лат. 105 , 173501 (2014)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • П. Редди, К. Го, Дж. Твиди, С. Вашияма, Ф. Кэсс, С. Мита, М.Х. Брекенридж, Р. Кирсте, Р. Коллазо, А. Кламп, Б. Сакар, З. Ситар, в IEEE Research and Applications of Photonics in Defense Conference , 2018, vol. 1 (2018)

    Google ученый

  • М.Martens, C. Kuhn, T. Simoneit, S. Hagedorn, A. Knauer, T. Wernicke, M. Weyers, M. Kneissl, Appl. физ. лат. 110 , 081103 (2017)

    ОБЪЯВЛЕНИЕ перекрестная ссылка Google ученый

  • HH Poole, Philos. Маг. 32 , 112 (1916)

    Google ученый

  • J. Frenkel, Phys. 54 , 647 (1938)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • Дж.Пипрек, проц. SPIE 8262 , 82620E-1 (2012)

    Google ученый

  • F. Römer, B. Witzigmann, J. Comput. Электрон. 14 , 456 (2015)

    CrossRef Google ученый

  • М.Е. Левинштейн, С.Л. Румянцев, М.С. Шур (ред.) Свойства перспективных полупроводниковых материалов GaN, AlN , InN, BN, SiC, SiGe (J.Wiley and Sons, Нью-Йорк, 2001 г., стр. 1–47)

    Google ученый

  • T. Takano, T. Mino, J. Sakai, N. Noguchi, K. Tsubaki, H. Hirayama, Appl. физ. Экспресс 10 , 031002 (2017)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • Б.-Ж. Ким, К. Ли, Ю. Юнг, К. Хён Байк, М.А. Мастро, Дж.К. Hite, C.R. Eddy Jr., J. Kim, Appl. физ. лат. 99 , 143101 (2011)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • Ю.Kashima, N. Maeda, E. Matsuura, M. Jo, T. Iwai, T. Morita, M. Kokubo, T. Tashiro, R. Kamimura, Y. Osada, H. Takagi, H. Hirayama, Appl. Phys. Express 11 , 012101 (2018)

    ADS  CrossRef  Google Scholar 

  • M. Malinverni, D. Martin, N. Grandjean, Appl. Phys. Lett. 107 , 051107 (2015)

    ADS  CrossRef  Google Scholar 

  • A.Г. Чайновет, В.Л. Фельдманн, Р.А. Логан, физ. 121 , 684 (1961)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • С.-Р. Чон, Ю.-Х. Песня, Х.-Дж. Джанг, Г.М. Ян, С.В. Хван, С.Дж. Сын, заявл. физ. лат. 78 , 3265 (2001)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • М. Диагне, Ю. Хе, Х. Чжоу, Э. Макарона, А.В. Нурмикко, Дж. Хан, К.Е. Уолдрип, Дж.J. Figiel, T. Takeuchi, M. Krames, Appl. физ. лат. 79 , 3720 (2001)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • Ю. Чжан, С. Кришнамурти, Ф. Акйол, С. Баджадж, А.А. Аллерман, М. В. Мозли А. М. Армстронг, С. Раджан, Appl. физ. лат. 110 , 201102 (2017)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • К. Кун, Л. Сулмони, М. Гуттманн, Дж.Glaab, N. Susilo, T. Wernicke, M. Weyers, M. Kneissl, Photonics Res. 7 , B7 (2019)

    Перекрестная ссылка Google ученый

  • Б.П. Йонки, Э.К. Янг, К. Ли, Дж.Т. Леонард, С.П. ДенБаарс, Дж.С. Спек, С. Накамура, Opt. Экспресс 24 , 7816 (2016)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • М. Малинверни, К. Тарди, М. Россетти, А. Кастилья, М.Дуэльк, К. Велес, Д. Мартин, Н. Гранжан, Appl. физ. Экспресс 9 , 061004 (2016)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • C. Skierbiszewski, G. Muziol, K. Nowakowski-Szkudlarek, H. Turski, M. Siekacz, A. Feduniewicz-Zmuda, A. Nowakowska-Szkudlarek, M. Sawicka, P. Perlin, Appl. физ. Экспресс 11 , 034103 (2018)

    АДС перекрестная ссылка Google ученый

  • Лидер в области лазерных решений и технологий фотоники

    Регион * United StatesCanadaAfghanistanAland IslandsAlbaniaAlgeriaAmerican SamoaAndorraAngolaAnguillaAntarcticaAntigua и BarbudaArgentinaArmeniaArubaAustraliaAustriaAzerbaijanBahamasBahrainBangladeshBarbadosBelarusBelgiumBelizeBeninBermudaBhutanBoliviaBosnia и HerzegovinaBotswanaBouvet IslandBrazilBritish Индийский океан TerritoryBritish Virgin IslandsBrunei DarussalamBulgariaBurkina FasoBurundiCambodiaCameroonCape VerdeCayman IslandsCentral африканских RepublicChadChileChinaChristmas IslandCocos (Килинг) IslandsColombiaComorosCongo (Браззавиль) Конго (Киншаса) Кук IslandsCosta RicaCroatiaCubaCuraçaoCyprusCzech RepublicCôte d’IvoireDenmarkDjiboutiDominicaDominican RepublicEcuadorEgyptEl SalvadorEquatorial GuineaEritreaEstoniaEthiopiaFalkland (Мальвинские) острова Фарерские островаФиджиФинляндияФранцияФранцузская ГвианаФранцузская ПолинезияФранцузские Южные ТерриторииГабонГамбияГрузияГерманияГанаГибралтарГрецияГренландияГренадаГваделупаГуамГватемалаГернсиГвинеяГвинея-БиссауГайанаГаитиХерд и Макдоналд Исла ndsHoly Престол (Ватикан) HondurasHong Kong, SAR ChinaHungaryIcelandIndiaIndonesiaIran, Исламская Республика ofIraqIrelandIsle из ManIsraelItalyJamaicaJapanJerseyJordanKazakhstanKenyaKiribatiKoreaKuwaitKyrgyzstanLao PDRLatviaLebanonLesothoLiberiaLibyaLiechtensteinLithuaniaLuxembourgMacao, SAR ChinaMadagascarMalawiMalaysiaMaldivesMaliMaltaMarshall IslandsMartiniqueMauritaniaMauritiusMayotteMexicoMicronesia, Федеративные Штаты ofMoldovaMonacoMongoliaMontenegroMontserratMoroccoMozambiqueMyanmarNamibiaNauruNepalNetherlandsNetherlands AntillesNew CaledoniaNew ZealandNicaraguaNigerNigeriaNiueNorfolk IslandNorth KoreaNorth MacedoniaNorthern Mariana IslandsNorwayOmanPakistanPalauPalestinian TerritoryPanamaPapua Новый GuineaParaguayPeruPhilippinesPitcairnPolandPortugalPuerto RicoQatarRomaniaRussian FederationRwandaRéunionSaint-BarthélemySaint HelenaSaint Киттс и NevisSaint LuciaSaint-MartinSaint Пьер и МикелонСент-Винсент и ГренадиныСамоаСан-МариноСан-Томе и ПринсипиСинт-Мартен (Dut ч часть) Саудовская ArabiaSenegalSerbiaSeychellesSierra LeoneSingaporeSlovakiaSloveniaSolomon IslandsSomaliaSouth AfricaSouth Джорджия и Южные Сандвичевы IslandsSouth KoreaSouth SudanSpainSri LankaSudanSurinameSvalbard и Ян Майен IslandsSwazilandSwedenSwitzerlandSyrian Арабская Республика (Сирия) TaiwanTajikistanTanzania, Объединенная Республика ofThailandTimor-LesteTogoTokelauTongaTrinidad и TobagoTunisiaTurkeyTurkmenistanTurks и Кайкос IslandsTuvaluU.S. Minor Outlying IslandsU.S. Virgin IslandsUgandaUkraineUnited Arab EmiratesUnited KingdomUruguayUzbekistanVanuatuVenezuela (Bolivarian Republic)Viet NamWallis and Futuna IslandsWestern SaharaYemenZambiaZimbabweVirgin Islands (British) Virgin Islands (U.S.)

    StateALAKAZARCACOCTDEDCFLGAHIIDILINIAKSKYLAMEMDMAMIMNMSMOMTNENVNHNJNMNYNCNDOHOKORPARISCSDTNTXUTVTVAWAWVWIWY

    Double Opt In * 已阅读并同意 《 Coherent用户服务协议》 《 Coherent中国个人信息保护政策》

    Opt In YES! I want Coherent news and promotions emailed to me.Конфиденциальность

    Обязательное поле

    Выравнивание полос в органических светоизлучающих диодах — На траектории толщины в зависимости от смещения напряжения

    https://doi.org/10.1016/j.orgel.2016.11.018Получить права и содержание органические гетеропереходы в двух OLED исследуются с помощью XPS/UPS.

    Наблюдается изгиб полос на границах эмиссионных слоев.

    Сдвиги начального напряжения, зависящие от толщины, по-прежнему существуют в случае устройств, состоящих только из отверстий.

    Изгиб полосы вверх определяется как источник толщины, зависящий от смещения напряжения.

    Abstract

    В этой статье мы сообщаем о неясном влиянии на ВАХ органических светоизлучающих диодов (OLED).При увеличении толщины эмиттерного слоя на основе модифицированного фенилкарбозольного триплетного основного материала (TH) в устройстве можно заметить значительный сдвиг начального напряжения в сторону более высоких значений. Сдвиг напряжения не наблюдается, если TH заменен на изомер с незначительным изменением молекулярной структуры. В предыдущей публикации мы уже могли показать, что электрическое поле интерфейса необходимо для описания поведения начального напряжения.

    alexxlab

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован.