Где купить

Характеристики Пассивированное стекло. Оценка перегрузки по импульсу: пик 150 ампер. Надежная недорогая конструкция с использованием

4A Максимальное повторяющееся обратное напряжение Максимальное среднеквадратичное входное напряжение моста Обратное напряжение постоянного тока (номинальное значение VR) Средний выпрямленный прямой ток, = 40C Неповторяющийся пиковый прямой импульсный ток 8,3 мс Одиночный полусинусоидальный диапазон температур хранения Рабочая температура перехода 140 200

*Эти номинальные значения являются предельными значениями, выше которых работоспособность любого полупроводникового устройства может ухудшиться.

Прямое напряжение, на элемент 4,0 A Обратный ток, на элемент при номинальной температуре 125C Номинал I2t для предохранителя 8,35 мс

Следующие зарегистрированные и незарегистрированные товарные знаки принадлежат Fairchild Semiconductor или имеют право на их использование, и не являются исчерпывающим списком всех таких товарных знаков.

ACExTM BottomlessTM CoolFETTM CROSSVOLT TM DenseTrenchTM DOMETM EcoSPARKTM E2CMOSTM EnSignaTM FACTTM FACT Серия QuietTM

FAST FASTrTM FRFETTM GlobalOptoisolatorTM GTOTM HiSeCTM ISOPLANARTM LittleFETTM MicroFETTM MicroPakTM MICROWIRETM

OPTOLOGICTM OPTOPLANARTM PACMANTM POPTM Power247TM PowerTrench QFETTM QSTM QT OptoelectronicsTM Quiet SeriesTM SILENT SWITCHER

SMART STARTTM STAR*POWERTM StealthTM SuperSOTTM-6 SuperSOTTM-8 SyncFETTM TinyLogicTM TruTranslationTM UHCTM UltraFET

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ОСТАВЛЯЕТ ЗА СОБОЙ ПРАВО ВНЕСИТЬ ИЗМЕНЕНИЯ БЕЗ ДОПОЛНИТЕЛЬНОГО УВЕДОМЛЕНИЯ В ЛЮБУЮ ПРОДУКЦИЮ ДЛЯ ПОВЫШЕНИЯ НАДЕЖНОСТИ, ФУНКЦИОНАЛЬНОСТИ ИЛИ КОНСТРУКЦИИ. FAIRCHILD НЕ НЕСЕТ НИКАКОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТИ, ВЫТЕКАЮЩЕЙ В СВЯЗИ С ПРИМЕНЕНИЕМ ИЛИ ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ЛЮБОГО ПРОДУКТА ИЛИ СХЕМЫ, ОПИСАННЫХ ЗДЕСЬ; ЭТО НЕ ПРЕДОСТАВЛЯЕТ НИКАКИХ ЛИЦЕНЗИЙ В СООТВЕТСТВИИ С СВОИМИ ПАТЕНТНЫМИ ПРАВАМИ И ПРАВАМИ ДРУГИХ ЛИЦ.

ПОЛИТИКА ЖИЗНЕОБЕСПЕЧЕНИЯ ПРОДУКТЫ FAIRCHILD НЕ РАЗРЕШЕНЫ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В КАЧЕСТВЕ ВАЖНЕЙШИХ КОМПОНЕНТОВ В УСТРОЙСТВАХ ИЛИ СИСТЕМАХ ЖИЗНЕОБЕСПЕЧЕНИЯ БЕЗ ЯВНОГО ПИСЬМЕННОГО УТВЕРЖДЕНИЯ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION. Используемый здесь: 1. Устройства или системы жизнеобеспечения — это устройства. 2. Критический компонент — это любой компонент систем жизнеобеспечения, который (а) предназначен для хирургического имплантирования в поддерживающее устройство или систему, отказ от работы которых может привести к повреждению организма, или ( b) поддерживать или поддерживать жизнь, или (c) которые, как разумно ожидать, могут привести к сбою срока службы при надлежащем использовании в соответствии с поддерживающим устройством или системой или повлиять на его безопасность или с инструкциями по применению, указанными на маркировке, может быть эффективность. разумно ожидать, что это приведет к серьезным травмам пользователя. ОПРЕДЕЛЕНИЯ СОСТОЯНИЯ ПРОДУКТА Определение терминов Идентификация технического паспорта Предварительная информация Статус продукта В стадии разработки или в разработке Определение В этом техническом паспорте содержатся проектные спецификации для разработки продукта. Спецификации могут быть изменены любым образом без предварительного уведомления. Этот лист данных содержит предварительные данные, а дополнительные данные будут опубликованы позднее. Fairchild Semiconductor оставляет за собой право вносить изменения в любое время без предварительного уведомления с целью улучшения конструкции. Это техническое описание содержит окончательные спецификации. Fairchild Semiconductor оставляет за собой право вносить изменения в любое время без предварительного уведомления с целью улучшения конструкции.

Это техническое описание содержит характеристики продукта, производство которого было прекращено компанией Fairchild semiconductor. Спецификация печатается только для справочной информации.

IRF240-243 : Мощные N-канальные МОП-транзисторы, 18a, 150–200 В

IRLS510A: IRLS510A — 100 В N-канальный логический уровень A-FET / Заменитель IRLS510

NC7WB3125 : Tinylogic Dual Low Power Bus Switch

SA58A : Подавители переходных напряжений мощностью 500 Вт

UA9667PC: Драйверы Дарлингтона для сильного тока/напряжения

FQI7N60TU: полевой транзистор — однодисковый полупроводниковый продукт 7,4 А, 600 В, 3,13 Вт, сквозное отверстие; MOSFET N-CH 600V 7. 4A I2PAK Характеристики: Тип монтажа: Сквозное отверстие; Тип FET: N-канальный MOSFET, оксид металла; Напряжение стока к источнику (Vdss): 600 В; Ток — непрерывный сток (Id) при 25 °C: 7,4 А; Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ом @ 3,7 А, 10 В; Входная емкость (Ciss) при Vds: 1430 пФ при 25 В; Мощность — макс.: 3,13 Вт; Упаковка: Ту

FQI2N90TU : Fet — один дискретный полупроводниковый продукт 2.2A 900V 3.13W Сквозное отверстие; MOSFET N-CH 900V 2.2A I2PAK Характеристики: Тип монтажа: Сквозное отверстие; Тип FET: N-канальный MOSFET, оксид металла; Напряжение стока к источнику (Vdss): 900 В; Ток — непрерывный сток (Id) при 25 °C: 2,2 А; Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7,2 Ом @ 1,1 А, 10 В; Входная емкость (Ciss) при Vds: 500 пФ при 25 В; Мощность — макс.: 3,13 Вт; Упаковка: Т

MMSD4148_D87Z : Диоды, выпрямитель — один дискретный полупроводниковый продукт 200 мА, 100 В, стандарт; ДИОД SS 100V 200MA SOD-123 Технические характеристики: Тип диода: Стандартный; Напряжение обратного постоянного тока (Vr) (макс. ): 100 В; Ток — средний выпрямленный (Io): 200 мА; Напряжение — прямое (Vf) (макс.) @ Если: 1 В @ 10 мА; Время обратного восстановления (trr): 4 нс; Ток — обратная утечка @ Vr: 5A @ 75V; Скорость: слабый сигнал = < 200 мА (Io), любая скорость; Моу

BZX85C11_T50A: диод — стабилитрон — один дискретный полупроводниковый продукт 500 нА при 7,7 В 11 В 1 Вт сквозное отверстие; ДИОД стабилитрон 11В 1Вт DO-41 Технические характеристики: Напряжение — стабилитрон (ном.) (Вз): 11В ; Мощность — макс.: 1 Вт; Импеданс (макс.) (Zzt): 8 Ом; Напряжение — прямое (Vf) (макс.) @ Если: 1,2 В @ 200 мА; Ток — обратная утечка при Vr: 500 нА при 7,7 В; Допуск: 5,45%; Тип крепления: Сквозное отверстие; Пакет/кейс: ДО-204АЛ, ДО-41, Осевой ; Упаковка: Та

BC184LC_L34Z : Транзистор (bjt) — один дискретный полупроводниковый продукт 200 мА 30 В 625 мВт NPN; ТРАНЗИСТОР NPN 30V 200MA TO-92 Технические характеристики: Тип транзистора: NPN; Напряжение — пробой коллектор-эмиттер (макс.): 30 В; Ток — коллектор (Ic) (макс. ): 200 мА; Мощность — макс.: 625 мВт; Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce: 130 при 100 мА, 5 В; Насыщение Vce (макс.) при Ib, Ic: 600 мВ при 5 мА, 100 мА; Частота-переход: 150 МГц; Текущий

J106D75Z: N-КАНАЛЬНЫЙ, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛ, JFET, TO-92 Технические характеристики: Полярность: N-канальный; RDS(вкл.): 6 Ом; PD: 625 мВт; Количество единиц в ИС: 1

NDB4050L86Z: 15 А, 50 В, 0,1 Ом, N-КАНАЛ, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB Технические характеристики: Полярность: N-канал; MOSFET Режим работы: Улучшение; V(BR)DSS: 50 вольт; RDS(вкл.): 0,1000 Ом; Количество единиц в IC: 1

5JLZ47 : Пиковое повторяющееся обратное напряжение VRRM (В) = 600 ;; Средний прямой или средний выходной выпрямленный ток (А) = 5 ;; Время обратного восстановления TRR (макс.) (нс) = 35 ;; Конфигурация = Один ;; Пакет = ТО-220НИС (центральный вырез).

80CNQ035ASL. : Выпрямитель Шоттки, Упаковка : Минимод.

GBPC1005 через GBPC110 : . Стеклянный пассивированный однофазный мостовой выпрямитель обратного напряжения Тип корпуса GBPC1 Пластиковая упаковка имеет класс воспламеняемости лаборатории страховщиков 94V-0 Эта серия внесена в список UL в соответствии с Индексом признанных компонентов, номер файла E54214. Пассивированный стеклом переход чипа. Высококачественный диэлектрик с постоянным напряжением 1500 Вср. кв. Типичное сопротивление IR менее 0,1 А.

GMS05 : . Футляр: упаковка SOT-23-6L Класс воспламеняемости формовочной массы: UL 94V-0 Код маркировки: 05 Коды упаковки Опции: 10K на катушку 13 дюймов, 3K на катушку 7 дюймов, 30K/коробка Защита от переходных процессов для линий передачи данных в соответствии с IEC 1000- 4-2 (ESD) 15 кВ (воздух), 8 кВ (контакт) IEC 1000-4-4 (EFT) 40 A (tp = 5/50 нс) IEC 1000-4-5 (молния) 24 A (tp = 8/20 с) Малый пакет для использования в портативном.

MRF327 : 80 Вт, 100–500 МГц, силовой радиочастотный транзистор NPN Silicon. . разработан в первую очередь для широкополосных выходных усилителей с большим сигналом в диапазоне частот до 500 МГц. Гарантированная производительность при 400 МГц, 28 В пост. тока Выходная мощность = 80 Вт в полосе до 400 МГц Минимальное усиление при 400 МГц Встроенная согласующая сеть для широкополосной работы с использованием метода двойного согласования 100% тестирование на несоответствие нагрузки при всех фазовых углах с соотношением 30:1.

NTE90 : NTE90 (NPN) и NTE91 (PNP), кремниевые дополнительные транзисторы Усилитель общего назначения с высоким коэффициентом усиления.

SFS9624 : 250 В P-канальный A-FET. Технология Avalanche Rugged Технология Rugged Gate Oxide Меньшая входная емкость Улучшенный заряд затвора Расширенная безопасная рабочая зона Меньший ток утечки 10 А (макс.) при VDS = -250 В Низкий RDS(ON) : 1,65 (тип. ) Символ VDSS ID IDM VGS EAS IAR EAR dv/dt TJ , TSTG TL Характеристика Напряжение сток-исток Непрерывный ток стока (TC=25 C) Непрерывный сток.

0810-2h5R-N9 : ТРАНСФОРМАТОР ДАННЫХ ДЛЯ. s: Категория: Сигнал ; Другие типы трансформаторов/применения: Импульсные трансформаторы, DATACOM TRANSFORMER.

APTGF90X60E3G : 130 А, 600 В, N-КАНАЛЬНЫЙ IGBT. s: Полярность: N-канальный ; Тип упаковки: МОДУЛЬ-33; Количество юнитов в ИС: 6.

C1453-AL : 5 Вт, ИМПУЛЬСНЫЙ ТРАНСФОРМАТОР. s: Категория: Мощность, Сигнал; Другие типы трансформаторов/применения: SMPS TRANSFORMER; Монтаж: Чип-трансформатор; Рабочая частота: 1,00E6 Гц; Входное напряжение: от 36 до 57 вольт; Выходное напряжение: 3,3 вольта; Стандарты: RoHS.

EKE00AA022H00K : КОНДЕНСАТОР АЛЮМИНИЕВЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ, НЕТВЕРДЫЙ, ПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 50 В, 0,22 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНЫМ ОТВЕРСТИЕМ. s: конфигурация/форм-фактор: конденсатор с выводами; Соответствие RoHS: Да; : поляризованный; Диапазон емкости: 0,2200 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 20 (+/- %); WVDC: 50 вольт; Ток утечки: 4 мкА; ESR: 603000 мОм; Способ крепления: сквозное отверстие; Операционная.

IHLP1212ABER1R0M11 : 1 ЭЛЕМЕНТ, 1 мкГн, КОМПОЗИТНЫЙ СЕРДЕЧНИК, ОБЩИЙ НАЗНАЧЕНИЕ ИНДУКТОР, SMD. s: Вариант монтажа: технология поверхностного монтажа; Устройства в упаковке: 1 ; Основной материал: КОМПОЗИТ ; Стиль ведения: WRAPAROUND; Литой/экранированный: экранированный; Применение: Общего назначения, сильноточный; Диапазон индуктивности: 1 мкГн; Номинальный постоянный ток: 3000 мА; Рабочая Температура:.

PTZ10ATE25 : 1 Вт, КРЕМНИЕВЫЙ, ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ ДИОД РЕГУЛЯТОРА НАПРЯЖЕНИЯ. s: Тип диода: ДИОД РЕГУЛЯТОРА НАПРЯЖЕНИЯ ; Соответствует RoHS: RoHS.

18ZR07D : РЕЗИСТОР, ЗАВИСИМЫЙ НАПРЯЖЕНИЕМ, 13 В, 0,8 Дж, КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНЫМ ОТВЕРСТИЕМ. s: Категория/применение: Общее использование; Монтаж/упаковка: Сквозное отверстие; Номинальная мощность: 0,0200 Вт (2,68E-5 л.с.); Рабочее напряжение постоянного тока: 13 вольт.

8100LAM0405MK000 : КРЫШКА, AL2O3, 10 мкФ, 6,3 В постоянного тока, 20% -ПОЛ, 20% +ПОЛ. s: Приложения: общего назначения; Электролитические конденсаторы: алюминиевые электролитические.