Светильник ЛЮЧИЯ Свеча сл.кость воск.св/диод свеча имит пламя на 3xAAA

Каталог товаров

Каталог товаров

Оплата заказа по номеру

Введите номер заказа для оплаты

Описание

Имитация восковой свечи. Издалека полное впечатление, что смотришь на настоящую свечу. Работает от 3-х батареек AAA. При отключении электричества можно использовать, как автономный, не зависимый источник освещения.

Характеристики

Отзывы

Пока никто не оставил отзыв о товаре.
Авторизуйтесь! И будьте первым!

Характеристики

Торговый дом «ВИМОС» осуществляет доставку строительных, отделочных материалов и хозяйственных товаров. Наш автопарк — это более 100 единиц транспортных стредств. На каждой базе разработана грамотная система логистики, которая позволяет доставить Ваш товар в оговоренные сроки. Наши специалисты смогут быстро и точно рассчитать стоимость доставки с учетом веса и габаритов груза, а также километража до места доставки.

Заказ доставки осуществляется через наш колл-центр по телефону: +7 (812) 666-66-55 или при заказе товара с доставкой через интернет-магазин. Расчет стоимости доставки производится согласно тарифной сетке, представленной ниже. Точная стоимость доставки определяется после согласования заказа с вашим менеджером.

Уважаемые покупатели! Правила возврата и обмена товаров, купленных через наш интернет-магазин регулируются Пользовательским соглашением и законодательством РФ.

• Возврат товара надлежащего качества
• Возврат и обмен товара ненадлежащего качества

ВНИМАНИЕ! Обмен и возврат товара надлежащего качества возможен только в случае, если указанный товар не был в употреблении, сохранены его товарный вид, потребительские свойства, пломбы, фабричные ярлыки, упаковка.

Доп. информация

Цена, описание, изображение (включая цвет) и инструкции к товару 

Светильник ЛЮЧИЯ Свеча сл.кость воск.св/диод свеча имит пламя на 3xAAA на сайте носят информационный характер и не являются публичной офертой, определенной п.2 ст. 437 Гражданского кодекса Российской федерации. Они могут быть изменены производителем без предварительного уведомления и могут отличаться от описаний на сайте производителя и реальных характеристик товара. Для получения подробной информации о характеристиках данного товара обращайтесь к сотрудникам нашего отдела продаж или в Российское представительство данного товара, а также, пожалуйста, внимательно проверяйте товар при покупке.

Купить Светильник ЛЮЧИЯ Свеча сл.кость воск.св/диод свеча имит пламя на 3xAAA в магазине Лодейное Поле вы можете в интернет-магазине «ВИМОС».

Сертификаты

26083100 информационное письмо.pdf

Статьи по теме

• Pinotex Base – основа основ
• Ремонт без пыли, грязи и шума за короткий срок
• Монтажный клей Quelyd Мастификс приклеит все
• Bostik — монтаж в удовольствие
• По фасаду встречают
• Резиновая краска ТМ Master Good — то, что Вам нужно
• Главное о лессировке – как защитить и покрасить дом в один приём
• Краски аэрозольные Coralino
• Антисептик ТОНОТЕКС Krona – высокая прочность покрытия
• «Жидкий Локер» NIP Ponace вы оцените по достоинству
• Marshall EXPORT 7 – для различных поверхностей
• Marshall для кухни и ванной – надежная защита поверхностей

Биржевые новости и аналитика от БКС Экспресс

Биржевые новости и аналитика от БКС Экспресс

Все новости Рынок нефти Валютный рынок Российский рынок Теханализ Торговые рекомендации* Среднесрочные тренды Мировые рынки Обучение Дивиденды Мнения Около рынка

17 сентября в 01:14

Копилка Дяди Сэма. 3 бумаги, которые могут отскочить в ближайшие дни

В этом обзоре мы рассмотрим бумаги трех американских компаний, на которые стоит обратить внимание в ближайшие дни 

Мировые рынки

Избранное

16 сентября в 20:13

Рынок США. Падение может продолжиться

Об основных факторах на пятницу. Оценка ситуации на американском рынке акций

Мировые рынки

Избранное

16 сентября в 19:58

Итоги торгов. Рынок теряет поддержку ЦБ

В начале торгов индекс МосБиржи активно повышался, обновив недельный максимум, но после сигналов регулятора о вероятной паузе в смягчении монетарной политики перешел к снижению

Российский рынок

Избранное

16 сентября в 19:24

В акции какого рынка недвижимости стоит инвестировать: России или США

О ситуации на рынке недвижимости

Среднесрочные тренды

Избранное

16 сентября в 18:59 Главный конкурент Газпрома.

Во что Норвегия инвестирует сверхдоходы

Среднесрочные тренды

Избранное

16 сентября в 18:36

ЦБ продлевает ограничения на раскрытие информации банков до конца 2022

Также регулятор еще квартал не будет раскрывать на своем официальном сайте отчетность банков

Российский рынок

Избранное

16 сентября в 17:43

Акции СПБ Биржи теперь будут торговаться только в рублях

Торговая площадка сообщила, что ее акции с 22 сентября начнут торговаться только в российской валюте

Российский рынок

Избранное

Оксана Холоденко Эксперт БКС Экспресс

16 сентября в 17:22

Заседание ФРС. Ждем новых агрессивных шагов

Мнения

Избранное

16 сентября в 16:53

ЦБ: ослабление рубля связано не только со снижением цены нефти

Зампред Банка России прокомментировал динамику российской валюты за последние несколько месяцев

Валютный рынок

Избранное

16 сентября в 16:05

Вебинар. «Обзор недели. Анализ, статистика, прогнозы»

Сегодня в 16:30 МСК руководитель учебного центра БКС Виктор Романовский проведет вебинар «Обзор недели. Анализ, статистика, прогнозы»

Российский рынок

Избранное

16 сентября в 15:52

Итоги недели. ЦБ снижает ставку и берет паузу, торговый день удлиняется, инфляция в США пугает рынки

Подводим итоги недели на российском и мировых рынках

Российский рынок

Избранное

16 сентября в 15:39

Главное за неделю. Нам не по пути

Чего ждать после снижения ставки, у каких компаний больше всего выручка, что общего у России и ЮАР, пора ли покупать акции в девелоперов — и другие темы, которые интересно обсудить инвесторам

Среднесрочные тренды

Избранное

16 сентября в 15:12

Набиуллина. Цикл снижения ставки близок к завершению

Глава ЦБ РФ прокомментировала решение регулятора, а также текущую экономическую ситуацию, риски для российской экономики, перспективы действий Банка России

Новости

Избранное

16 сентября в 15:02

Не смогли удержаться в плюсе

Российский рынок начал пятницу в небольшом минусе, потом успел выйти в плюс и опустился ниже уровней четверга

Российский рынок

Избранное

16 сентября в 15:00

ЦБ оказал поддержку рублю

Российская валюта после умеренного снижения стала возвращать утраченные позиции, ускорив восстановление благодаря сигналам Банка России о возможном замедлении ужесточения монетарной политики

Валютный рынок

Избранное

Больше новостей

Каждую неделю мы высылаем актуальную аналитику и самые свежие новости. Коротко, емко и по делу.

Спасибо! Подписка оформлена

Согласен на обработку персональных данных

{{publishDate}}

Откройте брокерский счет
и зарабатывайте
с «БКС Мир инвестиций»

Покупайте и продавайте валюту на бирже

Составляйте свой индивидуальный инвестиционный портфель

Совершайте операции с ценными бумагами

Бесплатное открытие счета онлайн за 5 минут.
Вам понадобится только паспорт

Открыть счет

Профит

Открыть счет

Общество с ограниченной ответственностью «Компания Брокеркредитсервис» (ООО «Компания БКС») использует «Cookie-файлы» для обеспечения функционирования веб-сайта и повышения удобства его использования.
ООО «Компания БКС» ответственно подходит к вопросам защиты Ваших персональных данных — ознакомьтесь с условиями и принципами их обработки.
Ограничить использование и сохранение ООО «Компания БКС» информации о Ваших прошлых посещениях веб-сайта можно в настройках браузера.

Понятно

LED прожектор Hikeren, Соларен — eMAG.bg

Код на продукта: 4552

Сподели

Сравни

LED прожектор Hikeren, Соларен

Доставка в:

Ползи:

ПЦД: 40^,00 лв. Продажната цена е обявена по-долу» data-ph-open-on=»hover»/>

35^,00 лв.

Разлика: 5^,00 лв.

Предлаган и с доставка от: DMD Net

Последен продукт

Подобни продукти

Други потребители са разгледали и

Спецификации

Основни характеристики

Тип монтиране	Стена
Цвят	чернo

Производител: Hikeren

eMAG.bg полага постоянни усилия да съхрани точната информация от тази страница. Рядко има съдържание с неточности – снимката е с информативен характер и може да съдържа аксесоари, които не са включени в стандартния пакет; някои от спецификациите или цените могат да бъдат променени от производителя без предизвестие или могат да съдържат експлоатационни грешки. Всички промоции, предлагани в сайта, се предлагат до изчерпване на количествата.

Ревюта




Бъди първият написал ревю

Избери звезда за да оцениш продукта

Добави ревю

Най-често добавяни продукти в Любими

Въпроси и отговори от клиенти




Имаш въпроси?

Задай въпрос и може да получиш отговор.

Полезни линкове:

Осветление & Електроматериали Соларни лампи Соларни лампи Hikeren Соларни лампи — Специални оферти Соларни лампи — Разопаковани Соларни лампи — No brand Соларни лампи — vidaXL Соларни лампи — Garden of Eden Соларни лампи — 5 Соларни лампи — да Соларни лампи — Окачване Соларни лампи — Плаващ Соларни лампи — Почва Соларни лампи — Smart Соларни лампи — Без превключвател Соларни лампи — Дистанционно

Виж повече

Твоята история на навигиране

Други потребители са разгледали и:

Изтрий историята за навигиране

Разширете бизнеса си!

• Бърз достъп до хиляди клиенти дневно
• Регистрацията е безплатна
• Намираш се само на няколко клика до успешните продажби

Искам да продавам в eMAG

smd%20diode%20code%20sl техническое описание и примечания по применению

Модель ECAD Производитель Описание Техническое описание Скачать Купить Часть org/Product»> SCT3080KW7 РОМ Полупроводник 1200 В 30 А, 7-контактный SMD, траншейная структура, карбид кремния (SiC) MOSFET SCT3030AW7 РОМ Полупроводник 650 В 70 А, 7-контактный SMD, траншейная структура, карбидокремниевый (SiC) МОП-транзистор SCT3060AW7 РОМ Полупроводник 650 В 38 А, 7-контактный SMD, траншейная структура, карбид кремния (SiC) MOSFET org/Product»> SCT4026DW7HR РОМ Полупроводник 750 В, 51 А, 7-контактный SMD, траншейная конструкция, полевой МОП-транзистор на основе карбида кремния (SiC) для автомобильной промышленности SCT3105KW7 РОМ Полупроводник 1200 В 23 А, 7-контактный SMD, траншейная структура, карбид кремния (SiC) MOSFET SCT4045DW7HR РОМ Полупроводник 750 В, 31 А, 7-контактный SMD, траншейная конструкция, полевой МОП-транзистор на основе карбида кремния (SiC) для автомобильной промышленности

smd%20diode%20code%20sl Листы данных Context Search

org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»> org/Product»>

Каталог данных	MFG и тип	ПДФ	Теги документов
СМД 43 Реферат: Катушки индуктивности Силовые катушки индуктивности smd диод j 100N 1FW+43+smd Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDC2D18LD 2Д18ЛД СМД 43 Индукторы Силовые индукторы smd-диод j 100Н 1FW+43+СМД
SDC3D11 Реферат: smd led smd диод j транзистор SMD 41 068 smd Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDC3D11 смд светодиод smd-диод j транзистор СМД 41 068 смд
СМД 356 В Реферат: дроссель smd we 470 356 AT smd транзистор SMD 24 SDC3D16 smd транзистор 560 smd диод j Led smd дроссель smd 470 SMD INDUCTOR 47 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDC3D16LD 3Д16ЛД СМД 356 АТ индуктор смд мы 470 356 В СМД транзистор СМД 24 SDC3D16 смд транзистор 560 smd-диод j светодиод смд индуктор смд 470 СМД ИНДУКТОР 47
СМД d105 Реферат: SMD a34 B34 SMD smd 028 F индукторы 25 34 SMD силовые индукторы k439 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDS3012E 3012E СМД д105 СМД а34 Б34 СМД СМД 028 Ф катушки индуктивности 25 34 СМД Силовые индукторы к439
к439 Аннотация: B34 SMD SMD a34 SDS301 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDS3015ELD 3015ELD к439 Б34 СМД СМД а34 SDS301
СДК2Д14 Реферат: SDC2D14-2R2N-LF Индуктор bo smd транзистор SMD 24 smd сопротивление smd led «Силовые индукторы» МОЩНЫЕ ДАТЧИКИ SMD индуктор Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDC2D14 СДК2Д14-2Р2Н-ЛФ Индуктор бо smd транзистор СМД 24 смд сопротивление смд светодиод «Силовые индукторы» СИЛОВЫЕ ИНДУКТОРЫ Индуктор поверхностного монтажа
SDS2D10-4R7N-LF Резюме: SDS2D10 smd led smd 83 smd транзистор 560 4263B катушки индуктивности 221 a32 smd Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDS2D10 SDS2D10-4R7N-LF смд светодиод смд 83 смд транзистор 560 4263Б катушки индуктивности 221 а32 смд
2012 — Недоступно Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDC3D28
СДК2Д11-100Н-ЛФ Реферат: Катушки индуктивности Силовые катушки smd led «Силовые катушки индуктивности» smd 123 smd диод j 4263B SMD INDUCTOR 47 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDC2D11 СДК2Д11-100Н-ЛФ Индукторы Силовые индукторы смд светодиод «Силовые индукторы» смд 123 smd-диод j 4263Б СМД ИНДУКТОР 47
СДК2Д11ХП-3Р3Н-ЛФ Реферат: Силовые индукторы Катушки индуктивности smd led smd диод j 4263B Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDC2D11HP 2Д11ХП SDC2D11HP-3R3N-LF Силовые индукторы Индукторы смд светодиод smd-диод j 4263Б
2012 — СДК2Д14-1Р5Н-ЛФ Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDC2D14 СДК2Д14-1Р5Н-ЛФ
А44 СМД Резюме: смд 5630 5630 смд койлмастер смд B44 SDS4212E-100M-LF Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDS4212E 4212Е A44 СМД смд 5630 5630 смд койлмастер смд б44 SDS4212E-100M-LF
индуктор Резюме: смд светодиод SDC2D14HPS-221M-LF 13dBo 100N SDC2D14HPS Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	СДК2Д14ХП 2Д14ЛС индуктор смд светодиод SDC2D14HPS-221M-LF 13 дБ Бо 100Н SDC2D14HPS
катушки индуктивности Реферат: СИЛОВЫЕ ДАТЧИКИ Диод smd 86 smd диод j 100N SDC2D18HP «Силовые индукторы» Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDC2D18HP 2Д18ХП катушки индуктивности СИЛОВЫЕ ИНДУКТОРЫ Диод смд 86 smd-диод j 100Н «Силовые индукторы»
2012 — Недоступно Резюме: нет абстрактного текста Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDC2D18HP 2Д18ХП
СМД .А40 Резюме: a40 smd smd D10 Inductors Power Inductors SMD A40 smd g12 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDS4010E 4010Е СМД .А40 а40 смд смд д10 Индукторы Силовые индукторы СМД А40 смд г12
Силовые индукторы Реферат: smd диод j 100N Катушки индуктивности Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDC3D18 Силовые индукторы smd-диод j 100Н Индукторы
2Д18 Реферат: катушки индуктивности 221 лф 1250 smd j диод SDS2D18 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDS2D18 2Д18 катушки индуктивности 221 1250 лф smd-диод j
СМД 43 Реферат: катушки индуктивности Power Inductors 3D-14 smd диод j «Power Inductors» 3D14 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDC3D14 СМД 43 катушки индуктивности Силовые индукторы 3Д-14 smd-диод j «Силовые индукторы» 3D14
смд 3250 Реферат: SMD-диод Coilmaster Electronics j Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDC2D09 смд 3250 Койлмастер Электроника smd-диод j
пмб 4220 Резюме: Siemens pmb 4220 PMB 27251 4310 SMD IC 2197-T smd 2035 82526-N SICOFI PEF 2465 DSP/pmb 4220 2705-F Текст: Нет доступного текста файла	OCR-сканирование	PDF	2025-Н 2025-П 2026Т-П 2026Т-С 20320-Н 2035-Н 2035-П 2045-Н 2045-П 2046-Н 4220 пмб Сименс пмб 4220 ПМБ 27251 ИС 4310 для поверхностного монтажа 2197-Т СМД 2035 82526-Н СИКОФИ ПЭФ 2465 DSP/пмб 4220 2705-Ф
Катушки индуктивности Реферат: Силовые индукторы 068 smd 0621 smd SMD a34 D160 SDS3015EHP-100M-LF Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDS3015EHP 3015EHP Индукторы Силовые индукторы 068 смд 0621 смд СМД а34 Д160 SDS3015EHP-100M-LF
СМД 43 Реферат: Дроссели транзисторные SMD мы SDS2D12-100M-LF h22 smd 2D12 smd диоды j 340 smd «Дроссели силовые» a32 smd Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	SDS2D12 СМД 43 Индукторы транзистор SMD мы СДС2Д12-100М-ЛФ h22 смд 2D12 smd-диод j 340 смд «Силовые индукторы» а32 смд
2004 — стабилитрон SMD маркировка код 27 4F Реферат: smd диод код Шоттки маркировка 2F smd стабилитрон код 5F panasonic MSL уровень smd стабилитрон код a2 SMD стабилитрон a2 smd стабилитрон 27 2f SMD маркировка стабилитрона код 102 A2 SMD smd стабилитрон код bf Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	2002/95/ЕС) стабилитрон SMD маркировка код 27 4F SMD-диод с кодом Шоттки, маркировка 2F smd стабилитрон код 5F уровень Panasonic MSL smd стабилитрон код a2 SMD ЗЕНЕР ДИОД a2 смд стабилитрон 27 2ф Маркировка стабилитрона SMD код 102 A2 для поверхностного монтажа код стабилитрона smd bf
5a6 стабилитрон Реферат: Двойной MOSFET DIP стабилитрон 6.2v 1w 10v ZENER DIODE 5A6 smd sot23 DG9415 Текст: Нет доступного текста файла	Оригинал	PDF	Si4418DY 130 мОм@ Si4420BDY Si6928DQ 35 мОм@ Si6954ADQ 53 мОм@ SiP2800 СУМ47Н10-24Л 24 мОм@ стабилитрон 5а6 двойной мосфет провал диод стабилитрон 6.2в 1вт 10В ЗЕНЕРСКИЙ ДИОД 5А6 смд сот23 ДГ9415

Предыдущий 1 2 3 … 23 24 25 Next

Аксессуары для каналов Builder — SLIM

• Выберите вариант…

  • КАНАЛ — 48 дюймов. Икс
  • КАНАЛ — 72 дюйма. Икс
  • КАНАЛ — 96 дюймов. Икс
  • КРЫШКА — Premium Diffusion — 48 дюймов. Икс
  • КРЫШКА — Premium Diffusion — 72 дюйма. Икс
  • КРЫШКА — Premium Diffusion — 96 дюймов. Икс
  • КРЫШКА — матовая крышка — 48 дюймов. Икс
  • КРЫШКА — матовая крышка — 72 дюйма. Икс
  • КРЫШКА — матовая крышка — 96 дюймов. Икс
  • КРЫШКА — прозрачная крышка — 48 дюймов. Икс
  • КРЫШКА — прозрачная крышка — 72 дюйма. Икс
  • КРЫШКА — Прозрачная крышка — 96 дюймов. Икс
  • END-CAP – Премиум-распространение Икс
  • ЗАГЛУШКА — матовая/прозрачная Икс
  • МОНТАЖ — U-образный зажим Икс
  • МОНТАЖ — Лента 12 футов Икс
  • МОНТАЖ — 4-футовая лента Икс
  • КРЕПЛЕНИЕ — Магнитное Икс

• Выберите вариант. ..

  • Белый Икс
  • Черный Икс
  • Н/Д Икс
  • Алюминий Икс

• Выберите вариант…

  • 1 пара Икс
  • Одинокий Икс
  • Пакет из 10 Икс

Артикул: выберите варианты выше

Моделирование и оптимизация акустического диода на основе микропузырьковой нелинейности

. 2013 г., февраль; 133(2):1119-25.

дои: 10.1121/1.4773256.

Сяшэн Го ¹ , Чжоу Линь, Цзюань Ту, Бинь Лян, Цзяньчунь Ченг, Дун Чжан

принадлежность

• ¹ Ключевая лаборатория современной акустики, МЧС, Институт акустики, факультет физики, Нанкинский университет, Нанкин 210093, Китай.
• PMID: 23363127
• DOI: 10.1121/1.4773256

Сяшэн Го и др. J Acoust Soc Am. 2013 фев.

. 2013 г., февраль; 133(2):1119-25.

дои: 10.1121/1.4773256.

Авторы

Сяшэн Го ¹ , Чжоу Линь, Хуан Ту, Бинь Лян, Цзяньчунь Ченг, Дун Чжан

принадлежность

• ¹ Ключевая лаборатория современной акустики, МЧС, Институт акустики, факультет физики, Нанкинский университет, Нанкин 210093, Китай.
• PMID: 23363127
• DOI: 10.1121/1.4773256

Абстрактный

Недавно был предложен первый акустический диод (AD), который состоит из объединения сверхрешетки (SL) с нелинейной средой (NLM), чтобы создать улицу с односторонним движением для потока акустической энергии. Это устройство препятствует прохождению акустических волн с одного направления, но разрешает передачу волны второй гармоники (генерируемой НЛМ) с другого направления. Для улучшения его характеристик крайне важно с помощью NLM передать больше акустической энергии из полосы задерживания акустического фильтра (т. е. SL) в его полосу пропускания. В этой работе разработана модель конечной разности во временной области для изучения динамического поведения AD, в которой суспензия микропузырьков играет роль NLM. На основе этой модели исследуется метод оптимизации АД на основе нелинейности путем изучения его производительности в отношении нескольких параметров, таких как число периодичности SL, распределение пузырьков по размерам, параметры оболочки пузырьков и концентрация пузырьков. Также предполагается, что вместо коэффициента выпрямления было бы разумнее характеризовать работу АД с помощью коэффициентов затухания энергии (или потерь при передаче) для обоих направлений падения.

Похожие статьи

• Влияние нелинейности оболочки пузырька на нелинейное распространение ультразвука через популяции микропузырьков.

  Тан М.С., Лофран Дж., Страйд Э., Чжан Д., Экерсли Р.Дж. Танг М.Х. и др. J Acoust Soc Am. 2011 март; 129(3):EL76-82. дои: 10.1121/1.3544677. J Acoust Soc Am. 2011. PMID: 21428471

• Чирп-резонансная спектроскопия одиночных покрытых липидом микропузырьков с использованием «акустической камеры».

  Рено Г., Бош Д.Г., ван дер Стен А.Ф., де Йонг Н. Рено Г. и др. J Acoust Soc Am. 2012 декабрь; 132 (6): EL470-5. дои: 10.1121/1.4767448. J Acoust Soc Am. 2012. PMID: 23231210

• Моделирование несферических колебаний и устойчивости микропузырьков с акустической оболочкой.

  Лофран Дж., Экерсли Р.Дж., Танг М.С. Лофран Дж. и соавт. J Acoust Soc Am. 2012 июнь; 131 (6): 4349-57. дои: 10. 1121/1.4707479. J Acoust Soc Am. 2012. PMID: 22712909

• Зависимость ультрагармонического отклика контрастных микропузырьков от атмосферного давления.

  Сунь Т., Цзя Н., Чжан Д., Сюй Д. Сан Т. и др. J Acoust Soc Am. 2012 г., июнь; 131 (6): 4358-64. дои: 10.1121/1.4707512. J Acoust Soc Am. 2012. PMID: 22712910

• Исследование порога инерционной кавитации и свойств оболочки коммерческих микропузырьков ультразвукового контрастного вещества.

  Го С, Ли Кью, Чжан З, Чжан Д, Ту Дж. Го X и др. J Acoust Soc Am. 2013 г., август; 134 (2): 1622-31. дои: 10.1121/1.4812887. J Acoust Soc Am. 2013. PMID: 23927202

Посмотреть все похожие статьи

Цитируется

• NEMS с нарушенной Т-симметрией: однонаправленные линии акустической передачи на основе графена.

  Занджани М.Б., Давоян А.Р., Энгета Н., Лукес Дж.Р. Занджани М.Б. и др. Научный представитель 2015 г., 20 мая; 5:9926. дои: 10.1038/srep09926. Научный представитель 2015. PMID: 25993637 Бесплатная статья ЧВК.

Типы публикаций

термины MeSH

вещества

Продолжительность дополнительного светодиодного (LED) освещения, обеспечивающего дальнее красное излучение во время выращивания рассады, влияет на последующее время цветения длиннодневных однолетников 281, 30 апреля 2021 г., 109956

https://doi.org/10.1016/j.scienta.2021.109956Получить права и контент

•

Обеспечение рассады 15 мкмоль∙м ⁻¹ ∙2 доп. красное излучение может ускорить цветение длиннодневных растений.

•

Растения длинного дня должны подвергаться дополнительному облучению дальним красным светом в период рассады не менее 14 дней перед пересадкой.

•

Саженцы были такого же или более высокого качества при выращивании под светодиодами дальнего красного света, чем под натриевыми лампами высокого давления.

•

15 мкмоль∙м ⁻² ∙с ⁻¹ дополнительного дальнего красного излучения во время выращивания рассады не оказывало негативного влияния на нейтральные по дневному излучению растения.

•

Проростки при 15 мкмоль∙м ⁻² ∙с ⁻¹ дополнительного дальнего красного излучения были такими же или более компактными в период цветения, чем под натриевыми лампами высокого давления.

Соотношение низкого красного (R) и дальнего красного (FR) излучения может ускорить или способствовать реакции цветения у многих длиннодневных растений (LDP). Тем не менее, большинство светодиодных (LED) светильников дополнительного освещения (SL) на рынке содержат только синие (B) и R светодиоды, и, таким образом, расцвет некоторых LDP может быть задержан, если излучение FR не включено в спектр. Цели этого исследования состояли в том, чтобы определить 1) минимальную продолжительность FR-излучения, необходимую на стадии проростков для стимулирования последующего цветения LDP, и 2) количественно оценить реакцию дневно-нейтральных растений на добавление FR-излучения. После прорастания проростки калибрахоа ‘Kabloom Light Pink Blast’ или ‘Kabloom Pink Blast’ ( Calibrachoa × hybrida ), импатиенс «Accent Premium Red» ( Impatiens walleriana ), петуния «Wave Carmine Velour» ( Petunia ×hybrida ) и львиный зев «Liberty Classic Yellow» ( Antirrhinum ma96), подвергались световой обработке, которая включала 9-часовой укороченный короткий день (SD) или пять обработок SL, обеспечивающих общую плотность потока фотонов ( TPFD ) 70 мкмоль м ^-2 с ^-1 в течение до 16 часов день ^–1 на основе мгновенного порога. Обработки LED SL определяются их диапазонами волн (плотность потока фотонов в мкмоль м ^–2 s ^–1 ) излучения B (400–500 нм) и R (600–700 нм) с или без излучения FR (700–800 нм) были B ₁₅ R ₄₀ FR ₁₅ или B ₂₀ R ₅₀ . Через 14 или 21 день в условиях B ₂₀ R ₅₀ LED SL случайно выбранные проростки переносили в B ₁₅ R ₄₀ FR ₁₅ LED SL, где они оставались до конца эксперимента, в общей сложности 28 дней. Таким образом, процедур было 9.-H SD, HPS SL, B ₂₀ R ₅₀ , B ₂₀ R ₅₀ (21 день) + B ₁₅ R ₄₀ FR ₁₅ (7 дней), B _{2017 20817 20817 20817 20817 20817 20817 20817 20817 20817 20817 20817 20817 20817 20817 20817 20817 20817. R 50 (14 дн.) + B 15 R 40 FR 15 (14 дн.) и B 15 R 40 FR 15 28 дн. На длину стебля петунии световая обработка не влияла, тогда как львиный зев был на 17 % выше при B 20 R 50 (21 или 14 дней) + B 15 R 40 FR 15 SL (7 или 14 дней) и HPS SL по сравнению с B 15 R 40 FR 15 SL. Кроме того, сухая масса корней львиного зева была на 33 % и на 22 % ниже при B 20 R 50 (14 дней) + B 15 R 40 FR 15 SL (14 дней) или B 15 R 40 FR 15 SL соответственно по сравнению со всеми другими видами обработки. Время появления первых видимых бутонов и цветков было ускорено с помощью B 15 R 40 FR 15 SL (7–28 дней) до 3 и 8 дней для калибрахоа и львиного зева соответственно по сравнению с HPS или B 20 R 50 SL. Наши результаты показывают, что включение FR-излучения через LED SL в течение ≥14 дней в конце стадии проростков может ускорить время цветения LDP без чрезмерного удлинения стебля в период цветения.}

ADT

среднесуточная температура

B

синее излучение

DLI

daily light integral

DNP

day-neutral plant

FR

far-red radiation

G

green radiation

GI

growth index

HPS

high-pressure sodium

LAI

индекс площади листа

светодиод

светоизлучающий диод

LDP

растение длинного дня

LMA

масса листа на площадь

PPFD fluthetic

фотосинтическая плотность

0137

PFD

photon flux density

QI

quality index

R

red radiation

RDM

root dry mass

R:S

root-to-shoot ratio

R:FR

Отношение красного и красного излучения

SD

Короткий день

SDM

Стрельба

SDP

Короткий день в день

SL

5 Заплата

SL

5. Заплата

SL

5. Заплата

SL

5. Получение

SL

.0137

SQ

sturdiness quotient

TDM

total dry mass

TPFD

total photon flux density

VPD

vapor-pressure deficit

Antirrhinum majus

Calibrachoa ×hybrida

Daily light интеграл

Impatiens walleriana

Petunia ×hybrida

Соотношение красного и дальнего красного излучения

Посмотреть полный текст

© 2021 Опубликовано Elsevier B.V.

Agilent 1200 Series G1315C Dad SL Diode-Array Detector SL

Agilent 1200 Series G1315C DAD SL Diode-Array Detector SL

ID ID:

HP-DT-DT-0530

9013

HP-DT-DT-0530

9013

HP-DT-DT-0530

9013

HP-DT-DT-0530

437. Наличие: Есть в наличии

Производитель: Agilent (HP)Цена:

Запросить цену/предложение

Гарантия включена, возможна установка на месте/удаленная установка и обучение

Доставка:

Канада/США: 3-5 рабочих дней
Международный: 5-10 рабочих дней

Для получения помощи и дополнительной информации:


Бесплатный звонок: 1-866-777-3688
Тел.: 905-946-8066
Электронная почта: [email protected]


Spectralab — это универсальный магазин, в котором можно найти все необходимое для аналитической лаборатории!

Ваш источник

Б/У

и Spectralab Scientific

СЕРТИФИЦИРОВАННОЕ

Оборудование.

Мы будем соответствовать цене нашего конкурента!

Для продажи, обмена или обслуживания вашего оборудования

• Описание
• Запросить цену
• Почему выбирают Спектралаб

Технические характеристики Детектор с диодной матрицей Agilent 1200 SL

• Тип детектора: 1024-элементная диодная матрица
• Источник света: дейтериевая и вольфрамовая лампа
• Кратковременный шум: < ± 0,8 x 10 -5 а. е. при 254 нм и 750 нм
• Дрейф: < 0,9 x 10 -3 а.е./час, при 254 нм
• Линейность: >2 AU верхний предел
• Диапазон длин волн: 190–950 нм
• Точность длины волны: ± 1 нм, самокалибровка по линиям дейтерия, проверка с помощью фильтра из оксида гольмия
• Ширина щели Программируется: 1, 2, 4, 8, 16 нм
• Ширина диода: < 1 нм

Этот детектор Agilent серии 1200 G1315C DAD SL с диодной матрицей SL находится в отличном состоянии. Он был протестирован в SpectraLab Scientific.

Включена гарантия на 90 дней.

Мы опытные профессионалы в этой области, и мы были бы очень рады, если бы вы поговорили с одним из наших экспертов здесь, в SpectraLab.

Спасибо за внимание, и мы с нетерпением ждем вашего ответа!

Цитата запроса:

*Мы не делимся ваша информация*

.

Имя
Компания
Адрес (город, штат)
Country	Country AfghanistanAlbaniaAlgeriaAmerican SamoaAndorraAngolaAnguillaAntarcticaAntigua and BarbudaArgentinaArmeniaArubaAustraliaAustriaAzerbaijanBahamasBahrainBangladeshBarbadosBelarusBelgiumBelizeBeninBermudaBhutanBoliviaBosnia and HerzegowinaBotswanaBouvet IslandBrazilBritish Indian Ocean TerritoryBrunei DarussalamBulgariaBurkina FasoBurundiCambodiaCameroonCanadaCape VerdeCayman IslandsCentral African RepublicChadChileChinaChristmas IslandCocos (Keeling) IslandsColombiaComorosCongoCongo, the Democratic Republic of theCook IslandsCosta RicaCote d’IvoireCroatia (Hrvatska)CubaCyprusCzech RepublicDenmarkDjiboutiDominicaDominican RepublicEast TimorEcuadorEgyptEl SalvadorEquatorial GuineaEritreaEstoniaEthiopiaFalkland Islands (Malvinas) Фарерские островаФиджиФинляндияФранцияФранция, метрополияФранцузская ГвианаФранцузская ПолинезияФранцузские южные территорииГабонГамбияГрузияГерманияГанаГибралтарГрецияГренландияГренадаГваделупаГуамГватемалаГвинеяГвинея-БисауГайанаГаитиHeard and Mc Donald IslandsHoly See (Vatican City State)HondurasHong KongHungaryIcelandIndiaIndonesiaIran (Islamic Republic of)IraqIrelandIsraelItalyJamaicaJapanJordanKazakhstanKenyaKiribatiKorea, Democratic People’s Republic ofKorea, Republic ofKuwaitKyrgyzstanLao People’s Democratic RepublicLatviaLebanonLesothoLiberiaLibyan Arab JamahiriyaLiechtensteinLithuaniaLuxembourgMacauMacedonia, The Former Yugoslav Republic ofMadagascarMalawiMalaysiaMaldivesMaliMaltaMarshall IslandsMartiniqueMauritaniaMauritiusMayotteMexicoMicronesia, Federated States ofMoldova, Republic ofMonacoMongoliaMontserratMoroccoMozambiqueMyanmarNamibiaNauruNepalNetherlandsNetherlands AntillesNew CaledoniaNew ZealandNicaraguaNigerNigeriaNiueNorfolk IslandNorthern Mariana IslandsNorwayOmanPakistanPalauPanamaPapua New ГвинеяПарагвайПеруФилиппиныПиткэрнПольшаПортугалияПуэрто-РикоКатарРеюньонРумынияРоссийская ФедерацияРуандаСент-Китс и НевисСент-ЛЮСИЯСент-Винсент и ГренадиныСамоаСан-МариноСан-Томе и ПринсипиСаудовская Аравия enegalСейшелыСьерра-ЛеонеСингапурСловакия (Словацкая Республика)СловенияСоломоновы островаСомалиЮжная АфрикаЮжная Джорджия и Южные Сандвичевы островаИспанияШри-ЛанкаSt. ЕленаСв. Pierre and MiquelonSudanSurinameSvalbard and Jan Mayen IslandsSwazilandSwedenSwitzerlandSyrian Arab RepublicTaiwan, Province of ChinaTajikistanTanzania, United Republic ofThailandTogoTokelauTongaTrinidad and TobagoTunisiaTurkeyTurkmenistanTurks and Caicos IslandsTuvaluUgandaUkraineUnited Arab EmiratesUnited KingdomUnited StatesUnited States Minor Outlying IslandsUruguayUzbekistanVanuatuVenezuelaVietnamVirgin Islands (British)Virgin Islands (U.S.)Wallis and Futuna IslandsWestern SaharaYemenZambiaZimbabwe
Электронная почта
Подтверждение по электронной почте
Телефон
Ваш бюджет/ предложение
QUERCIRY

Design Optimization for 25Gbps DML InAIGaAs/InP SL-MQW Laser Diode

• DOI:10. 1364/ACPC.2016.AF2A.62
• Corpus ID: 96431999

 @article{Ke2016DesignOF,
  title={Оптимизация дизайна для лазерного диода DML InAIGaAs/InP SL-MQW 25 Гбит/с},
  автор = {Чэн Кэ, Сюнь Ли и Яньпин Си},
  journal={2016 Азиатская конференция по коммуникациям и фотонике (ACP)},
  год = {2016},
  страницы={1-3}
} 

• Cheng Ke, Xun Li, Yanping Xi
• Опубликовано 2 ноября 2016 г.
• Физика
• Азиатская конференция по коммуникациям и фотонике (ACP) 2016 г.

лазер с множественными квантовыми ямами с напряженным слоем (SL-MQW) с прямой модуляцией. Основные параметры активной области оптимизированы для достижения максимальной ширины полосы модуляции при температуре окружающей среды от 25°C до 85°C.

Просмотр на IEEE

doi.org

Оптимизация параметров модели эквивалентной схемы РОС-лазеров с помощью модели RSM и алгоритма NSGA-II

Группа параметров модели эквивалентной схемы лазера с распределенной обратной связью (РОС) на основе одномодового Уравнения скорости являются ключом к точному представлению характеристик отклика DFB, поэтому… 3-м AlGaInAs – лазеры InP с несколькими квантовыми ямами

• S. Selmic, T. Chou, G. Evans

• Physics

• 2001

Комплексный метод проектирования длинноволновых напряженных лазеров с квантовыми ямами применяется для разработки неохлаждаемых многоквантовых ям AlGaInAs–InP 1,3-метровые лазеры для систем связи. Метод…

Улучшение ширины полосы модуляции в полупроводниковых лазерах с помощью пассивной обратной связи

Можно продемонстрировать значительное улучшение ширины полосы модуляции при малых токах инжекции и объяснить основные механизмы в этих устройствах, которые имеют решающее значение для модуляции на высокой скорости. .

Разработка и определение характеристик лазеров AlGaInAs-InP с несколькими квантовыми ямами, 1,3 мкм/л мкм/м

• S. Selmic, T. Chou, G. Evans

• Физика

• 2001 27 903 Комплексный дизайн метод для длинноволновых напряженных лазеров с квантовыми ямами применен для создания неохлаждаемых многоквантовых лазеров AlGaInAs-InP 1,3-/spl mu/m лазеров с квантовыми ямами для систем связи. …

  Лазер на МКЯ InGaAlAs-InGaAsP с полосой пропускания 30 ГГц и длиной волны 1,55 мкм с компенсацией деформации

  Высокоскоростные лазерные диоды 1,55 мкм/мкм/м с полосой модуляции 3 дБ на частоте 30 ГГц были изготовлены с использованием грибовидных структур с коротким резонатором из нелегированного InGaAlAs-InGaAsP с компенсацией деформации…

  Экономичность до 40 Производительность передачи Гбит/с лазеров с прямой модуляцией 1310 нм для малых и средних расстояний

  • B. Huiszoon, R. Jonker, P.V. van Bennekom, G. Khoe, H. de Waardt

  • Physics

    Journal of Световая технология

  • 2005

  В этом документе представлены успешные эксперименты по передаче данных со скоростями 20 и 40 Гбит/с с потенциально низкой стоимостью с использованием лазеров с распределенной обратной связью (DML) с прямой модуляцией 1310 нм в диапазоне от очень короткого до среднего…

  1,3- $ \mu$m AlGaInAs полуизолирующие лазеры с распределенной обратной связью и скрытой гетероструктурой с несколькими квантовыми ямами для высокоскоростной прямой модуляции

  для высокоскоростной прямой модуляции. Комбинация большого дифференциального усиления…

  Моделирование переноса носителей и нелинейностей в лазерных диодах с квантовыми ямами

  • M. Grupen, K. Hess

  • Физика

  • 1998

  Двумерная (2-D) квантовая яма подробно представлен лазерный диодный симулятор Minilase-II. Этот симулятор содержит полное описание динамики носителей, включая массовую транспортировку,…

  Новые материалы и новые конструкции для неохлаждаемых источников, пригодных для приложений передачи данных и телекоммуникаций

  • М. Мелига, К. Кориассо, Р. Паолетти

  • Физика

    SPIE ITCom

  • 2003

  более важно, даже в локальных сетях (LAN) и городских сетях (MAN).…

  Высокоскоростные лазеры с квантовыми ямами и эффекты переноса несущей

  • Р. Нагараджан, М. Исикава, Т. Фукусима, Р. Гилс , Дж. Бауэрс

  • Физика

  • 1992

  Транспорт носителей может существенно влиять на скоростные свойства лазеров с квантовыми ямами.