Диод шотки. Как правильно проверить. — HAM-DMR

 

К многочисленному семейству полупроводниковых диодов названных по фамилиям учёных, которые открыли необычный эффект, можно добавить ещё один. Это диод Шоттки. Немецкий физик Вальтер Шоттка открыл и изучил так называемый барьерный эффект возникающий при определённой технологии создания перехода металл-полупроводник.

Основной «фишкой» диода Шоттки является то, что в отличие от обычных диодов на основе p-n перехода, здесь используется переход металл-полупроводник, который ещё называют барьером Шоттки. Этот барьер, так же, как и полупроводниковый p-n переход, обладает свойством односторонней электропроводимости и рядом отличительных свойств.

В качестве материала для изготовления диодов с барьером Шоттки преимущественно используется кремний (Si) и арсенид галлия (GaAs), а также такие металлы как золото, серебро, платина, палладий и вольфрам.

На принципиальных схемах диод Шоттки изображается вот так.

Как видим, его изображение несколько отличается от обозначения обычного полупроводникового диода. Кроме такого обозначения на схемах можно встретить и изображение сдвоенного диода Шоттки (сборки).

Сдвоенный диод – это два диода смонтированных в одном общем корпусе. Выводы катодов или анодов у них объединены. Поэтому такая сборка, как правило, имеет три вывода. В импульсных блоках питания обычно применяются сборки с общим катодом.

Так как два диода размещены в одном корпусе и выполнены в едином технологическом процессе, то их параметры очень близки. Поскольку они размещены в едином корпусе, то и температурный режим их одинаков. Это увеличивает надёжность и срок службы элемента.

У диодов Шоттки есть два положительных качества: весьма малое прямое падение напряжения (0,2-0,4 вольта) на переходе и очень высокое быстродействие.

К сожалению, такое малое падение напряжения проявляется при приложенном напряжении не более 50-60 вольт. При дальнейшем его повышении диод Шоттки ведёт себя как обычный кремниевый выпрямительный диод.

К недостаткам диодов с барьером Шоттки можно отнести то, что даже при кратковременном превышении обратного напряжения они мгновенно выходят из строя и главное необратимо. В то время как кремниевые силовые вентили после прекращения действия превышенного напряжения прекрасно самовосстанавливаются и продолжают работать. Кроме того обратный ток диодов очень сильно зависит от температуры перехода. На большом обратном токе возникает тепловой пробой.

Проверка диодов Шоттки мультиметром.

Проверить диод Шоттки можно с помощью рядового мультиметра. Методика такая же, как и при проверке обычного полупроводникового диода с p-n переходом. Но и тут есть подводные камни. Особенно трудно проверить диод с утечкой. Прежде всего, элемент необходимо выпаять из схемы для более точной проверки. Достаточно легко определить полностью пробитый диод. На всех пределах измерения сопротивления неисправный элемент будет иметь бесконечно малое сопротивление, как в прямом, так и в обратном включении. Это равносильно короткому замыканию.

Сложнее проверить диод с подозрением на «утечку». Если проводить проверку мультиметром DT-830 в режиме «диод», то мы увидим совершенно исправный элемент. Можно попробовать измерить в режиме омметра его обратное сопротивление. На пределе «20кОм» обратное сопротивление определяется как бесконечно большое. Если же прибор показывает хоть какое-то сопротивление, допустим 3 кОм, то этот диод следует рассматривать как подозрительный и менять на заведомо исправный. Стопроцентную гарантию может дать полная замена диодов Шоттки по шинам питания +3,3V и +5,0V.

Где ещё в электронике используются диоды Шоттки? Их можно обнаружить в довольно экзотических приборах, таких как приёмники альфа и бета излучения, детекторах нейтронного излучения, а в последнее время на барьерных переходах Шоттки собирают панели солнечных батарей. Так, что они питают электроэнергией и космические аппараты.

Принцип работы диода Шоттки, как его проверить и чем заменить

Основные характеристики диодов

Для начала вспомним, что такое обычный диод и как он работает. Это полупроводниковый прибор, который стоит из двух зон. При определённых условиях через этот переход перемещаются электроны.

Устройство и обозначение диода

Основное свойство элемента — он пропускает ток в одном направлении, и не пропускает в другом. Диоды Шоттки имеет такие же характеристики, как и обычные. На некоторых заострим внимание поподробнее. Это падение напряжения, обратный ток, обратное напряжение, частота.

Диод Шоттки отличается от обычных кремниевых диодов

Диод Шоттки делают из кремния (Si), арсенида галлия (GaAs) и редко — на основе германия (Ge). Металл в соединении с полупроводником определяет многие параметры диода. Этим металлом, может быть, золото (Au), ралладий (Pd), платина (Pt), вольфрам (W) которые наносятся на полупроводники.

А также как и обычный диод соединение полупроводник-металл обладает односторонней проводимостью с рядом положительных, а также отрицательных качеств.

Вольт-амперная характеристика диода шоттки

Вольт-амперная характеристика диода Шоттки отличается от обычного полупроводникового большей нелинейностью.

Что дает использование соединения металл-полупроводник? Два положительных момента:

1. Очень небольшое падение напряжения на прямом переходе — 0,2-0,4 В. Для кремниевого диода «среднее» значение этого параметра — 0,7 В. Правда, малое падение напряжения имеют только приборы с небольшим напряжением пробоя — до 100 В. Для более мощных это падение только чуть ниже, чем у кремниевых.
2. Высокое быстродействие. То есть, он быстро меняет своё состояние. Переход из открытого состояния в закрытое и обратно происходит за очень короткий промежуток времени и определяется только барьерной ёмкостью. Их применяют в системах коммутации, где важна скорость реакции.

Что такое диод Шоттки и как он обозначается на схеме

Есть у них и минусы. При повышении температуры у них значительно возрастает обратный ток.

Второй недостаток — при превышении максимально допустимого обратного напряжения происходит необратимый пробой. То есть, прибор выходит из строя. Есть и ещё один минус — малое падение прямого напряжения только у диодов Шоттки с малым напряжением пробоя (до сотни вольт). У вариантов с более высоким напряжением потери сравнимы с кремниевыми.

Обозначение, применение и параметры диодов Шоттки

К многочисленному семейству полупроводниковых диодов названных по фамилиям учёных, которые открыли необычный эффект, можно добавить ещё один. Это диод Шоттки.
Немецкий физик Вальтер Шоттка открыл и изучил так называемый барьерный эффект возникающий при определённой технологии создания перехода металл-полупроводник.

Основной «фишкой» диода Шоттки является то, что в отличие от обычных диодов на основе p-n перехода, здесь используется переход металл-полупроводник, который ещё называют барьером Шоттки. Этот барьер, так же, как и полупроводниковый p-n переход, обладает свойством односторонней электропроводимости и рядом отличительных свойств.

В качестве материала для изготовления диодов с барьером Шоттки преимущественно используется кремний (Si) и арсенид галлия (GaAs), а также такие металлы как золото, серебро, платина, палладий и вольфрам.

На принципиальных схемах диод Шоттки изображается вот так.

Как видим, его изображение несколько отличается от обозначения обычного полупроводникового диода.

Кроме такого обозначения на схемах можно встретить и изображение сдвоенного диода Шоттки (сборки).

Сдвоенный диод – это два диода смонтированных в одном общем корпусе. Выводы катодов или анодов у них объединены. Поэтому такая сборка, как правило, имеет три вывода. В импульсных блоках питания обычно применяются сборки с общим катодом.

Так как два диода размещены в одном корпусе и выполнены в едином технологическом процессе, то их параметры очень близки. Поскольку они размещены в едином корпусе, то и температурный режим их одинаков. Это увеличивает надёжность и срок службы элемента.

У диодов Шоттки есть два положительных качества: весьма малое прямое падение напряжения (0,2-0,4 вольта) на переходе и очень высокое быстродействие.

К сожалению, такое малое падение напряжения проявляется при приложенном напряжении не более 50-60 вольт. При дальнейшем его повышении диод Шоттки ведёт себя как обычный кремниевый выпрямительный диод. Максимальное обратное напряжение для Шоттки обычно не превышает 250 вольт, хотя в продаже можно встретить образцы, рассчитанные и на 1,2 киловольта (VS-10ETS12-M3).

Так, сдвоенный диод Шоттки (Schottky rectifier) 60CPQ150 рассчитан на максимальное обратное напряжение 150V, а каждый из диодов сборки способен пропустить в прямом включении 30 ампер!

Также можно встретить образцы, выпрямленный за полупериод ток которых может достигать 400А максимум! Примером может служит модель VS-400CNQ045.

Очень часто в принципиальных схемах сложное графическое изображение катода попросту опускают и изображают диод Шоттки как обычный диод. А тип применяемого элемента указывают в спецификации.

К недостаткам диодов с барьером Шоттки можно отнести то, что даже при кратковременном превышении обратного напряжения они мгновенно выходят из строя и главное необратимо. В то время как кремниевые силовые вентили после прекращения действия превышенного напряжения прекрасно самовосстанавливаются и продолжают работать. Кроме того обратный ток диодов очень сильно зависит от температуры перехода. На большом обратном токе возникает тепловой пробой.

К положительным качествам диодов Шоттки кроме высокого быстродействия, а, следовательно, малого времени восстановления можно отнести малую ёмкость перехода (барьера), что позволяет повысить рабочую частоту. Это позволяет использовать их в импульсных выпрямителях на частотах в сотни килогерц. Очень много диодов Шоттки находят своё применение в интегральной микроэлектронике. Выполненные по нано технологии диоды Шоттки входят в состав интегральных схем, где они шунтируют переходы транзисторов для повышения быстродействия.

В радиолюбительской практике прижились диоды Шоттки серии 1N581x (1N5817, 1N5818, 1N5819). Все они рассчитаны на максимальный прямой ток (IF(AV)) – 1 ампер и обратное напряжение (VRRM) от 20 до 40 вольт. Падение напряжения (VF) на переходе составляет от 0,45 до 0,55 вольт. Как уже говорилось, прямое падение напряжения (Forward voltage drop) у диодов с барьером Шоттки очень мало.

Также достаточно известным элементом является 1N5822. Он рассчитан на прямой ток в 3 ампера и выполнен в корпусе DO-201AD.

Также на печатных платах можно встретить диоды серии SK12 – SK16 для поверхностного монтажа. Они имеют довольно небольшие размеры. Несмотря на это SK12-SK16 выдерживают прямой ток до 1 ампера при обратном напряжении 20 – 60 вольт. Прямое падение напряжения составляет 0,55 вольт (для SK12, SK13, SK14) и 0,7 вольт (для SK15, SK16). Также на практике можно встретить диоды серии SK32 – SK310, например, SK36, который рассчитан на прямой ток 3 ампера.

Применение диодов Шоттки в источниках питания.

Диоды Шоттки активно применяются в блоках питания компьютеров и импульсных стабилизаторах напряжения. Среди низковольтных питающих напряжений самыми сильноточными (десятки ампер) являются напряжения +3,3 вольта и +5,0 вольт. Именно в этих вторичных источниках питания и используются диоды с барьером Шоттки. Чаще всего используются трёхвыводные сборки с общим катодом. Именно применение сборок может считаться признаком высококачественного и технологичного блока питания.

Выход из строя диодов Шоттки одна из наиболее часто встречающихся неисправностей в импульсных блоках питания. У него может быть два «дохлых» состояния: чистый электрический пробой и утечка. При наличии одного из этих состояний блок питания компьютера блокируется, так как срабатывает защита. Но это может происходить по-разному.

Применение в электронике

Такие свойства, как быстродействие и малое падение напряжения позволяет использовать диоды Шоттки в высокочастотных схемах. Например, в силовых высокочастотных выпрямителях (до сотен килогерц), где они работают как высокочастотные выпрямители. Применяют их и в усилителях звука, так как по сравнению с обычными диодами они дают меньший уровень помех.

Если вы посмотрите на плату источника питания, точно увидите диод Шоттки

Ещё одна область применения — составная часть более сложных полупроводниковых приборов. Например, МОП — транзисторы, диодные сборки и силовые диоды со встроенным диодом Шоттки имеют лучшие характеристики.

Сфера применения изделий велика, но наиболее часто их применяют в блоках питания компьютеров. А также в схемах для модуляции света в приёмниках излучения, солнечных батареях.

Номенклатура диодов Шоттки [ править | править код ]

Диоды Шоттки — составные части современных дискретных полупроводниковых приборов:

• МОП-транзисторы со встроенным обратным диодом Шоттки (впервые выпущены компанией International Rectifier под торговой маркой FETKY в 1996) — основной компонент синхронных выпрямителей. В отличие от обычного МОП-транзистора, обратный диод которого отличается высоким прямым падением напряжения и посредственными временны́ми характеристиками (так как представляет собой обычный диод на p-n переходе, образуемый областями стока и подложкой, объединённой с истоком), использование обратного диода Шоттки позволяет строить силовые синхронные выпрямители с частотой преобразования в сотни кГц и выше. Существуют приборы этого класса со встроенными драйверами затворов и устройствами управления синхронным выпрямлением.
• Так называемые ORing [3] -диоды и ORing-сборки — силовые диоды и диодные сборки, применяемые для объединения параллельных источников питания общей нагрузки в устройствах повышенной надёжности (логическое ИЛИ по питанию). Отличаются особо низким, нормируемым прямым падением напряжения. Например, специализированный миниатюрный диод MBR140 (30 В, 1 А) при токе 100 мА имеет прямое падение напряжения не более 360 мВ при +25 °C и 300 мВ при +85 °C. ORing-диоды характеризуются относительно большой площадью p-n-перехода и низкими удельными плотностями тока.

Условное обозначение и характеристики

На схеме диод Шоттки имеет особое обозначение. Отличие от обычного состоит в том, что перекладина у треугольника имеет загнутые края. Не один, как у стабилитрона, а оба. И края эти загнуты в разные стороны. На рисунке приведено обозначение по ГОСТу.

Диод Шоттки на схеме: условное обозначение

Про характеристики уже говорили. Это три основных параметра:

Приведённые параметры — средние. Есть довольно серьёзный разбег и для каждого случая можно подобрать нужные характеристики по каждому из пунктов. Иногда ещё важен такой параметр, как скорость переключения (быстродействие).

Диоды Шоттки: описание, принцип работы, схема, основные параметры, применение, характеристики

В конце 30-х годов XX века немецкий физик Вальтер Шоттки обнаружил, что внешнее электрическое поле заставляет свободные электроны покидать зону проводимости и в буквальном смысле выходить из твёрдого тела. Данная квантовая зависимость впоследствии была названа именем её первооткрывателя и теперь известна, как эффект Шоттки.

Несмотря на то, что открытие германского учёного относится к области теоретической физики, оно находит применение в практической радиотехнике и лежит в основе функциональности таких радиокомпонентов, как диоды Шоттки. Их отличие от обычных электрических вентилей заключается в отсутствии классического полупроводникового p-n-перехода. Его роль играет контакт между полупроводником и металлом.

Металл и полупроводник: особенности контакта.

В контактной области полупроводниковых и металлических материалов эффект Шоттки приводит к образованию в полупроводнике слоя, сильно обеднённого электронами. Он обладает вентильными свойствами, присущими полупроводниковому p-n-переходу. Эта зона представляет собой преграду для носителей заряда, поэтому данные радиокомпоненты часто называют диодами с барьером Шоттки.

Элементы отличаются от обычных полупроводниковых вентилей следующими качествами:

1. пониженное падение напряжения при прямом смещении;
2. незначительная собственная ёмкость;
3. малый обратный ток;
4. низкое допустимое обратное напряжение.

При прямом смещении разность потенциалов на диоде Шоттки не превышает 0,5 В, тогда как на обычном выпрямительном вентиле падение напряжения составляет около 2-3 В. Это объясняется небольшим сопротивлением переходного участка между полупроводником и металлом.

Хорошие частотные характеристики диодов Шоттки обусловлены отсутствием в переходной зоне неосновных носителей заряда. Из-за этого в контактной области не протекают обычные для чисто полупроводникового p-n-перехода процессы диффузии и рекомбинации дырок и электронов. Следовательно, собственная ёмкость этого слоя стремится к нулю. Данное свойство делает диоды с барьером Шоттки предпочтительными для использования в высоко- и сверхвысокочастотных схемах, а также аппаратуре с импульсными режимами работы – всевозможных цифровых устройствах, системах управления электроникой и импульсных блоках питания.

Низковольтные диоды.

Особенность диодов Шоттки состоит в том, что они являются низковольтными. Если приложенная разность потенциалов превышает некоторый допустимый уровень, то в соответствии с квантовыми законами происходит пробой, который в обычном полупроводниковом радиокомпоненте может быть туннельным, лавинным или тепловым. После первых двух диод восстанавливается и продолжает исправно работать. Тепловой пробой означает фатальную поломку.

В диодах с барьером Шоттки пробой всегда бывает только тепловым. Такова особенность металло-полупроводникового перехода. При большом обратном смещении элемент выходит из строя и нуждается в замене. Этим, кстати, объясняется сильная чувствительность диодов Шоттки к статическому электричеству – при их монтаже и обслуживании радиоаппаратуры с этими элементами необходимо заземлять спецодежду и инструменты.

Однако чувствительность этих радиокомпонентов не всегда является их недостатком. Например, благодаря этой характеристике диоды с барьером Шоттки используются в особо чувствительных гетеродинах, которые получают способность обрабатывать радиосигналы очень малой мощности.

Основные параметры.

1. Максимальное постоянное обратное напряжение;
2. Максимальное импульсное обратное напряжение;
3. Максимальный (средний) прямой ток;
4. Максимальный импульсный прямой ток;
5. Постоянное прямое напряжение на диоде при заданном прямом токе через него;
6. Обратный ток диода при предельном обратном напряжении;
7. Максимальная рабочая частота диода;
8. Время обратного восстановления;
9. Общая емкость диода.

Производство диодов Шоттки.

В качестве полупроводниковой составляющей используются стандартные материалы – кремний, германий и арсенид галлия. На них в процессе изготовления радиокомпонентов напыляются такие металлы, как золото, серебро, палладий, вольфрам. Именно эти элементы таблицы Менделеева обеспечивают достаточно высокий потенциальный барьер, определяющий функциональность диодов Шоттки.

Германиевые радиокомпоненты показывают высокую устойчивость к изменению температурного режима, поэтому данный материал чаще кремния и арсенида галлия используется при производстве диодов для мощных схем питания. Зато кремниевые и галлиевые элементы демонстрируют лучшие частотные параметры.

Виды диодов Шоттки

В настоящее время в электронных устройствах обычно применяют именно этот тип диодов. Бывают следующих видов:

Сдвоенные диоды Шоттки (или диодные сборки) выполнены в одном корпусе, похожи на силовые ключи, имеют три вывода. Диоды в сборке имеют одинаковые или очень близкие параметры, так как выполняются в одном технологическом цикле.

Часто диоды Шоттки выглядят именно так, но есть еще и в виде обычных диодов и СМД варианты. Как видите, на пластиковых стоит обозначение связки двух диодов — с общим анодом

Деталь имеет обычный корпус в виде небольших цилиндров с двумя проволочными выводами. Катод помечен полосой.

Таблица названий и характеристик

Диоды Шоттки выпускаются определёнными сериями. Не так много производителей в мире, несколько десятков серий. В таблице собраны наиболее часто встречающиеся элементы отечественного и импортного производства (некитайского).

Отечественные диоды Шоттки	Импортные диоды Шоттки	U max, V	Imax, А	Тип
1N5817	20-25	1	Одинарный
1N5820	20-25	3	Одинарный
КД269 А, АС	20-25	5	Одинарный/сдвоенный
КД238АС	20-25	7,5	Сдвоенный
КД270 А, АС	20-25	7,5	Одинарный/сдвоенный
КД271 А, АС	20-25	10	Одинарный/сдвоенный
КД272 А, АС	SR1620	20-25	15	Одинарный/сдвоенный
КД273 А, АС	20-25	20	Одинарный/сдвоенный
1N5818	30-35	1	Одинарный
1N5821	30-35	3	Одинарный
КД638 А, АС	30-35	5	Сдвоенные
КД238 А, АС	30-35	7,5	Сдвоенные
10TQ0. 5	30-35	10	Одинарный
12TQ035	30-35	15	Одинарный
20TQ035	30-35	20	Одинарный
SR5030	30-35	50	Сдвоенные
1N5819	40-45	1	Одинарный
1N5822	40-45	3	Одинарный
КД638 АС	SR540	40-45	5	Одинарный
КД238 АС	6TQ045	40-45	7.5	Сдвоенные
10TQ045	40-45	10	Одинарный
12TQ045	40-45	15	Одинарный
20TQ045	40-45	20	Одинарный
SR350	50	3	Одинарный
КД269 Б, БС	50	5	Одинарный/сдвоенный
КД270 Б, БС	SR850	50	7.5	Одинарный/сдвоенный
КД271 Б, БС	50	10	Одинарный/сдвоенный
КД272 Б, БС	50	15	Одинарный/сдвоенный
КД273 Б, БС	18TQ050	50	20	Одинарный/сдвоенный
SR160	60	1	Одинарный
SR360	60	3	Одинарный
КД638 БС	SR560	60	5	Сдвоенные
КД636 АС	SR1660	60	15	Сдвоенные
КД637 АС	60	25	Сдвоенные
КД269 В, ВС	50SQ080	75	5	Одинарный/сдвоенный
КД270 В, ВС	8TQ060	75	7,5	Одинарный/сдвоенный
КД271 В, ВС	75	10	Одинарный/сдвоенный
КД272 В, ВС	75	15	Одинарный/сдвоенный
КД273 В, ВС	75	20	Одинарный/сдвоенный
30CPQ80	75	30	Сдвоенные
11DQ09	90-100	1. 1	Одинарный
31DQ10	90-100	3.3	Одинарный
КД638 ВС	90-100	5	Сдвоенные
КД269 Г, ГС	50SQ100	90-100	5	Одинарный/сдвоенный
КД270 Г, ГС	8TQ100	90-100	7.5	Одинарный/сдвоенный
КД271 Г, ГС	90-100	10	Одинарный/сдвоенный
КД272 Г, ГС	90-100	15	Одинарный/сдвоенный
КД273 Г, ГС	90-100	20	Одинарный/сдвоенный
30CPQ100	90-100	30	Сдвоенные
КД638 ГС	150	5	Сдвоенные
КД269 Д, ДС	150	5	Одинарный/сдвоенный
КД638 ДС	150	5	Сдвоенные
КД270 Д, ДС	150	7,5	Одинарный/сдвоенный
КД271 Д, ДС	10CTQ150	150	10	Одинарный/сдвоенный
КД636 БС	150	15	Сдвоенные
КД272 Д, ДС	150	15	Одинарный/сдвоенный
КД273 Д, ДС	150	20	Одинарный/сдвоенный
КД637 БС	150	25	Одинарный/сдвоенный
30CPQ150, SF303	150	30	Сдвоенные
UF4003, SF14	200	1	Одинарный
SF24	200	2	Одинарный
SF34, HER303	200	3	Одинарный
КД369 Е, ЕС	200	5	Одинарный/сдвоенный
КД638 ЕС	200	5	Сдвоенные
КД270 Е, ЕС	200	7,5	Одинарный/сдвоенный
КД271 Е, ЕС	200	10	Одинарный/сдвоенный
КД272 Е, ЕС	200	15	Одинарный/сдвоенный
КД638 ВС	200	15	Сдвоенные
КД273 Е, ЕС	200	20	Одинарный/сдвоенный
КД637 ВС	200	25	Сдвоенные
SF304, 30EPF02	200	30	Одинарный
UF4004. SF16	400	1	Одинарный
SF26	400	2	Одинарный
SF26, HER305	400	3	Одинарный
КД640 А, АС	400	8	Одинарный/сдвоенный
КД271 К, КС, К1	10ETF04	400	10	Одинарный/сдвоенный
КД272 К, КС, К1	16CTU04	400	15	Одинарный/сдвоенный
КД641 А, АС	400	15	Одинарный/сдвоенный
КД636ГС	400	15	Сдвоенные
КД273К, КС, К1	400	20	Одинарный/сдвоенный
КД637ГС	30CPF04	400	25 (30)	Сдвоенные
КД640 Б, БС	500	8	Одинарный/сдвоенный
КД640 Е, ЕС	500	8	Одинарный/сдвоенный
КД271 Л, ЛС, Л1	500	10	Одинарный/сдвоенный
КД272 Л, ЛС, Л1	500	15	Одинарный/сдвоенный
КД640 Б, БС	500	15	Одинарный/сдвоенный
КД640 Е, ЕС	500	15	Одинарный/сдвоенный
КД273 Л, ЛС, Л1	500	20	Одинарный/сдвоенный
UF4005, SF17	600	1	Одинарный
SF27	600	2	Одинарный
SF37, HER306	600	3	Одинарный
HFA04TB60	600	4	Одинарный
КД640 В, ВС	HFA08TB60, HFA08pB60	600	8	Одинарный/сдвоенный
КД271, М, МС, М1	10ETF06	600	10	Одинарный/сдвоенный
КД636 ДС	600	12	Сдвоенные
КД272, М, МС, М1	600	15	Одинарный/сдвоенный
КД641В, ВС	600	15	Одинарный/сдвоенный
КД273, М, МС, М1	600	20	Одинарный/сдвоенный
КД637 ДС	600	25	Сдвоенные
30СPF06	600	30	Одинарный/сдвоенный
40EPF06	600	40	Одинарный
60EPF06	600	60	Одинарный
КД640 Г, ГС	700	8	Одинарный/сдвоенный
КД640 Г, ГС	700	15	Одинарный/сдвоенный
UF4006, SF18	800	1	Одинарный
SF28	800	2	Одинарный
SF38, HER307	800	3	Одинарный
КД636 ЕС	800	12	Сдвоенные
КД637 ЕС	20ETF08	800	25	Сдвоенные
UF4007, SF19	1000-1200	1	Одинарный
SF29	1000-1200	2	Одинарный
SF39, HER308	1000-1200	3	Одинарный
HFA06TB120	1000-1200	6	Одинарный
HFA08TB120, HFA06PB120	1000-1200	8	Одинарный
20ETF12	1000-1200	20	Одинарный
30ETF12	1000-1200	30	Одинарный/сдвоенный
60ETF12	1000-1200	60	Одинарный

Для удобства они отсортированы по напряжению пробоя. Внутри группы прямой ток идет по возрастающей. Так удобнее ориентироваться.

Отличия в графическом изображении диода Шоттки и обычного

Некоторые из перечисленных супербыстрые: SF 17/18/19 в группе с высоким обратным напряжением (от 600 В). В группе с напряжением пробоя 400 В их несколько — всё по списку начиная от тока 8А. Такая же картина наблюдается с пробоем на 300 В. В этой группе почти все отличатся высоким быстродействием. Только три позиции (UF4003 и SF 24 и 34) имеют «нормальную» для диодов Шоттки скорость срабатывания. Она всё равно намного выше, чем у обычных кремниевых деталей.

Если проанализировать таблицу, можно заметить, что диоды с малым обратным током почти без исключений импортного производства.

Как проверить

Вообще, он проверяется как обычный диод. Проверка основана на том, что они в одном направлении пропускают ток и имеют малое сопротивление, во втором ток не пропускают и сопротивление имеют высокое — почти обрыв.

Чтобы проверить диод Шоттки мультиметром, переводим его в режим прозвонки. Прикладываем щупы к выводам проверяемой детали. В одном положении должно «звониться», поменяв щупы, должна получить обрыв. Если «звонится» и в любом положении щупов — переход пробит и диод неисправен. Но никакие другие характеристики мультиметром вы не проверите. Можно только сказать работает он или пробит, а также где анод и катод.

Можно проверить диод Шоттки имея обычный мультиметр. В обратном положении должен показывать «обрыв».

Где анод, а где катод? Анод там где положительный щуп, катод — где земляной при таком положении когда диод ток пропускает. В обычном исполнении (КД) катод там, где корпус имеет расширение.

Проверить исправность диода Шоттки вообще не проблема, если имеете универсальный тестер. В слоты вставляем ножки детали и нажимаем на кнопку тестирования. На экране должен высветиться символ диода и характеристики, которыми он обладает. Перечень характеристик зависит от модели измерителя, но падение напряжения на прямом переходе, напряжение пробоя и обратный ток должны быть обязательно. А ещё вам распишут, к какому слоту подключён анод, а к какому катод. Если он сдвоенный, то и общий коллектор/база будут прописаны.

Диод с барьером Шоттки 40 В

%PDF-1.4 % 1 0 объект > эндообъект 6 0 объект /Title (NSR0340P2 — диод с барьером Шоттки, 40 В) >> эндообъект 2 0 объект > эндообъект 3 0 объект > эндообъект 4 0 объект > ручей application/pdf

NSR0340P2 — Диод с барьером Шоттки 40 В

ОН Полупроводник

Диоды с барьером Шоттки

оптимизированы для очень низкого прямого напряжения падение и низкий ток утечки и используются в широком диапазоне dc-dc преобразователи, зажимы и защиты в портативных устройствах. NSR0340P2 в SOD-923 миниатюрная упаковка позволяет дизайнерам решить непростую задачу достижения более высокой эффективности и удовлетворения уменьшенные требования к пространству.

2017-03-28T16:35:29-07:00BroadVision, Inc.2020-10-20T15:12:15+02:002020-10-20T15:12:15+02:00Acrobat Distiller 10. 1.16 (Windows)uuid: dbf196f4-1c05-4cea-b346-b726ecd093c8uuid:d07ef1d4-92f6-47b9-8aab-82e665c38293Print конечный поток эндообъект 5 0 объект >

эндообъект 7 0 объект > эндообъект 8 0 объект > эндообъект 9

Диоды с барьером Шоттки (SBD) | Диоды

6 10262 . (DO-214AB) Диоды с барьером Шоттки (SBD) ROHS

В наличии

.0014 Nexperia

Техническая спецификация

мин. : 20 Mult: 20 Полная катушка: 5000

774680 в складе

SS34

MDD （Microde （Microde （Microde （Microde （Microde （Microde. 0,55 В при 3 А SMA(DO-214AC) Диоды с барьером Шоттки (SBD) ROHS

C8678

SMA(DO-214AC)

Tape & Reel (TR)

0.5mA@40V

40V

Single

3A

0.55V@3A

Техническая спецификация

Min: 20 Mult: 20 Full Reel: 3000

307020 In Stock

BAT54S,215

Nexperia

30V 800mV@100mA 200mA SOT-23( SOT-23-3) Диоды с барьером Шоттки (SBD) ROHS

C47546

SOT-23(SOT-23-3)

Tape & Reel (TR)

—

30V

—

200mA

800mV@100mA

Техническая спецификация

Min: 50 Mult: 50 Full Reel: 3000

278000 In Stock

1N5819W

JSMSEMI

5uA@30V 40V Single 350mA 600mV@200mA SOD-123 Schottky Barrier Diodes (SBD) ROHS

C963381

SOD-123

Tape & Reel (TR)

5uA@30V

40V

Одинарный

350 мА

600 мВ при 200 мА

Техническая спецификация

Мин. : 1 Мульти: 1 Полная катушка: 3000

258071 In Stock

1N5819WS S4

JSMSEMI

5uA@30V 40V Single 350mA 600mV@200mA SOD-323 Schottky Barrier Diodes (SBD) ROHS

C2927280

SOD-323

Лента и катушка (TR)

5 мкА при 30 В

40 В

Одинарная

350 мА

600 мВ при 200 мА

33

Техническая спецификация

мин.: 20 Mult: 20 Полный катушка: 3000

225860 В Стопах

BAT54C, 215

NEXPERIA

9000 2 30V-40018

9000 2 3000MATIATIATIATIATIATIATIATIRIA. TOT-2AOT-2 (2 215

. 23-3) Schottky Barrier Diodes (SBD) ROHS

C37704

SOT-23(SOT-23-3)

Tape & Reel (TR)

—

30V

—

200mA

800 мВ при 100 мА

Техническая спецификация

Min: 50 Mult: 50 Full Reel: 3000

206450 In Stock

SD103AWS

Guangdong Hottech

40V 600mV@200mA 350mA SOD-323 Schottky Barrier Диоды (SBD) ROHS

C181207

SOD-323

Лента и катушка (TR)

—

40 В

—

350 мА

600 мВ при 200 мА

Техническая спецификация

Min: 50 Mult: 50 Full Reel: 3000

195450 In Stock

BAT54S

JSMSEMI

2uA@25V 30V Dual 200mA 800mV@100mA SOT- 23 Диоды с барьером Шоттки (SBD) ROHS

C916425

SOT-23

Tape & Reel (TR)

2uA@25V

30V

Dual

200mA

800mV@100mA

Техническая спецификация

мин. : 10 Mult: 10 Полная катушка: 2000

123420 GUNGDONG

. 70014 8.0VER

. 70014 70014. 70014 70014. 70014

. 800014. (DO-214AC) Диоды с барьером Шоттки (SBD) ROHS

C2886580

SMA(DO-214AC)

—

500uA@40V

40V

Single

3A

500mV@3A

Техническая спецификация

Min: 10 Mult: 10 Full Reel: 2000

122240 In Stock

SS34

KUU

500uA@40V 40V 550mV@3A 3A SMA(DO -214AC) Диоды с барьером Шоттки (SBD) ROHS

C2891718

SMA(DO-214AC)

Tape & Reel (TR)

500uA@40V

40V

—

3A

550mV@3A

Техническая спецификация

Min: 5 Mult: 5 Full Reel: 5000

112225 In Stock

B340A-13-F

Diodes Incorporated

40V 500mV@3A 3A SMA(DO-214AC) Schottky Barrier Diodes (SBD) ROHS

C85098

SMA(DO-214AC)

Tape & Reel (TR)

—

40V

—

3 А

500 мВ при 3 А

Техническая спецификация

Мин. : 10 Мульти: 10 Полная катушка: 2000

63370 In Stock

SS34-MS

MSKSEMI

500uA@40V 40V 3A 550mV@3A SMA(DO-214AC) Schottky Barrier Diodes (SBD) ROHS

C2836396

SMA(DO- 214AC)

лента и катушка (TR)

500UA@40V

40V

—

3A

550MV@3A

Техническая спецификация

Мин: 20 Mult: 20 Полная катушка: 5000

55800 в складе

B340A

FUXINSEMI

500UA@40V 40V 3A 550V@3A 3A (DOT-2AIOD) SMAIOD) SMAIOD) SMAIOD). ROHS

C3018525

SMA(DO-214AC)

Tape & Reel (TR)

500uA@40V

40V

—

3A

550mV@3A

Техническая спецификация

Min: 1 Mult: 1 Full Reel: 3000

45758 In Stock

B560C-13-F

Diodes Incorporated

60V 700mV@5A 5A SMC (DO-214AB) Schottky Barrier Diodes (SBD) ROHS

C85100

SMC(DO-214AB)

Tape & Reel (TR)

—

60V

—

5A

700mV @5А

Техническая спецификация

мин. : 20 Mult: 20 Полный катушка: 3000

33120 в складе

1N5819W

Public

1N5819W

. 123 Диоды с барьером Шоттки (SBD) ROHS

C2 0

SOD-123

Лента и катушка (TR)

1 мА при 40 В

40 В

—

1 А

900 мВ при 3 А

Техническая спецификация

мин.: 5 Mult: 5 Полный катушка: 3000

28730 в запасе

B540C-13-F

Diodes Incodes

C72264

SMC (DO -214AB)

лента и катушка (TR)

—

40V

—

5A

550MV@5A

9 9 MMV@5A

9169169. Техническая спецификация

мин.: 5 Mult: 5 Полный катушка: 5000

22375 в запасе

SB1045L

SB1045L

. 277 Диоды с барьером Шоттки (SBD) ROHS

C 7

TO-277

лента и катушка (TR)

150UA@45V

45V

Одино Техническая спецификация

мин.: 5 Mult: 5 Полный катушка: 3000

NSR0320MW2T1G

ONSEMI

20V 500MV@900MA 900MA 900MA 900MA 900MA 900MA 900MA 900MA 900MA 900MA 900MA 900MA.0009

C48192

SOD-323

Tape & Reel (TR)

—

20V

—

1A

500mV@900mA

5% OFF Техническая спецификация

мин. : 50 Mult: 50 Полный катушка: 5000

8

в складе

SS14

MDD （Microde （Microde （Microde （Microde （Microde （Microde （Microde （Microde

.0018

0.5mA@40V 40V Single 1A 0.55V@1A SMA(DO-214AC) Schottky Barrier Diodes (SBD) ROHS

C2480

SMA(DO-214AC)

Tape & Reel (TR)

0,5 мА при 40 В

40 В

Одинарный

1 А

0,55 В при 1 А

2 5% СКИДКА 6 Техническая спецификация

Мин. : 20 Мульти: 20 Полная катушка: 2000

550860 In Stock

SS34

TWGMC

500uA@40V 40V Single 550mV@3A 3A SMA Schottky Barrier Diodes (SBD) ROHS

C727060

SMA

Tape & Катушка (TR)

500 мкА при 40 В

40 В

Одиночный

3 А

550 мВ при 3 А

900 300% Техническая спецификация

Min: 5 Mult: 5 Full Reel: 3000

541950 In Stock

BAT46W-7-F

Diodes Incorporated

100V 450mV@10mA 150mA SOD -123 Schottky Barrier Diodes (SBD) ROHS

C83152

SOD-123

Tape & Reel (TR)

—

100V

—

150mA

450mV@10mA

СКИДКА 7% Техническая спецификация

Min: 50 Mult: 50 Full Reel: 2000

532700 In Stock

SS14

TWGMC

500uA@40V 40V Single 550mV@1A 1A SMA Schottky Барьерные диоды (SBD) ROHS

C727050

SMA

Лента и катушка (TR)

500 мкА при 40 В

40 В

Одноместный

1 А

550 мВ при 1 А

5% ВЫКЛ 62 Техническая спецификация

Min: 20 Mult: 20 Full Reel: 2000

516080 In Stock

SS14

JSMSEMI

500uA@40V 40V 550mV@1A 1A SMA(DO -214AC) Диоды с барьером Шоттки (SBD) ROHS

C2837270

SMA(DO-214AC)

Tape & Reel (TR)

500uA@40V

40V

—

1A

550mV@1A

5% OFF Техническая спецификация

мин. : 20 Mult: 20 Полный катушка: 3000

410040 В наличии

BAT54,215

BAT54215

30V 800MV@100MA 200MA SOT-23 (SOT-23-3) Schottky Barrier Diodes (SBD) ROHS

C85084

SOT-23 (SOT-23-3)

SOT-23 (SOT-23-3)

SOT-23 (SOT-23-3)

SOT-23 (SOT-23-3)

. Катушка (TR)

—

30 В

—

200 мА

800 мВ при 100 мА

900 12% ВЫКЛ. Техническая спецификация

Мин.: 10 Мульти: 10 Полный катушка: 3000

344000 в складе

B0530WS SE

Jiangsu Changjing Electronics Co., Ltd.

30V 450MV@500MA 500MA 500MA

30V 450MV@500MA 500MA 500MA 500MA

30V 450MV@500MA 500MA 500MA 500MA 500MA 500MA 500MA 500MA).

C22626

SOD-323

Tape & Reel (TR)

—

30V

—

500mA

450mV@500mA

5% OFF Техническая спецификация

мин. alexxlab Добавить комментарий Отменить ответ Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены * Комментарий * Имя * Email * Сайт Рубрики Прост Радио Разное Своими руками Советы Схем Схемы Транзист Транзисторы Электрон Электроника