Site Loader

Содержание

Ремонт FF-SB14R044-S2L — Honeywell — Safety

5 сентября 2021 г. 20:11

Ремонт FF-SB14R044-S2L — Honeywell — Safety — Light Curtain. Профессиональная диагностика и исправление на уровне компонентов печатных плат выполняется в Санкт-Петербурге. Возможно выполнение ремонта с доставкой оборудования в населенные пункты России и стран СНГ.
Устройства промышленной электроники включают в себя следующие узлы: плата управления (реализована на основе: контроллера управления, гальванической развязки, модуля цифровых входов, цифро-аналогового преобразователя, шины данных, кварцевого генератора, постоянного запоминающего устройства, оперативной памяти, модуля выходов, интерфейса связи, устройства программирования) — представляет собой часть для реализации алгоритма работы микропроцессорного устройства в целом и обеспечивает предусмотренное выполнение требуемых функций в соответствии с назначением; плата источника питания (на основе: трансформатора, выпрямительных диодов, стабилизатора, сглаживающего фильтра) — обеспечивает снабжение всех компонентов устройства стабилизированным электрическим питанием; схема сигнализатора (на основе: драйвера, декодера, светодиодов, токоограничительных резисторов, ЖК дисплея) — передает обработанную информацию о текущем состоянии устройства и подключенных датчиков; схема автоматической диагностики (спроектирована на основе: модуля проверки контрольной суммы, сторожевого таймера, модуля опроса датчиков, модуля внутрисхемного тестирования, интерфейса отладки) — позволяет оценить состояние практически всех частей при подаче питания; схема определения характеристик (на основе: защитных диодов, источника опорного напряжения, делителя напряжения, активного фильтра, датчика тока, датчика температуры, аналого-цифрового преобразователя, операционного усилителя) — служит для регистрации отклонений контролируемых характеристик.

Условия ремонта

Общие условия выполнения диагностики и ремонта размещены на странице Условия.

Примеры серийных номеров на шильде


WPA-2709633244780159
CYU-5348845673859379
CQL-6146797834324580
DZF-2281315486083692

Для получения самой актуальной на данный момент информации об условиях осуществления данных работ пришлите сообщение с описанием неисправности на адрес электронной почты [email protected]

Примеры работ
Услуги
Контакты

Время выполнения запроса: 0,00276184082031 секунд.

Маркировка радиодеталей, Коды SMD S2, S2**, S20**, S21, S21**, S22**, S23, S23**, S23B, S24**, S24B, S25**, S26**, S27**, S28**, S28B, S29**. Даташиты 1N4448WS, 2302, BBY40, LA9010, LM2704MF-ADJ, LM2788MM-1.8, LM2788MM-2.0, LM3500TL-21, LR1120G-25-AF5-A-R, LR1120G-25-AL5-A-R, LR1120G-28-AF5-A-R, LR1120G-28-AL5-A-R, R1162N201B, R1162N211B, R1162N221B, R1162N231B, R1162N241B, R1162N251B, R1162N261B, R1162N271B, R1162N281B, R1162N291B, SD101BWS, SD106WS, SDB310Q, SST200.

S2 SOD-323 1N4448WSFairchildДиод
S2 SOT-23 2302HFZTN-канальный MOSFET
S2 SOT-23 BBY40Zetex (Now Diodes)Варикап
S2 SOD-323 SD101BWSTIPДиод Шоттки
S2 SOD-523 SDB310QTIPПереключающий диод
S2 SOT-23 SST200VishayN-канальный JFET
S2** SOT-25 LA9010InnoКонтроллер заряда
S20** SOT-25 R1162N201BRicohСтабилизатор напряжения
S21 SOD-323 SD106WSTIPПереключающий диод
S21** SOT-25 R1162N211BRicohСтабилизатор напряжения
S22** SOT-25 R1162N221BRicohСтабилизатор напряжения
S23 micro SMD-8 LM3500TL-21NationalПовышающий пребразователь
S23** SOT-25 R1162N231BRicohСтабилизатор напряжения
S23B MSOP-8 LM2788MM-1.8NationalПонижающий преобразователь
S24** SOT-25 R1162N241BRicohСтабилизатор напряжения
S24B MSOP-8
LM2788MM-2.0
NationalПонижающий преобразователь
S25** SOT-25 LR1120G-25-AF5-A-RUTCСтабилизатор напряжения
S25** SOT-353 LR1120G-25-AL5-A-RUTCСтабилизатор напряжения
S25** SOT-25 R1162N251BRicohСтабилизатор напряжения
S26** SOT-25 R1162N261BRicohСтабилизатор напряжения
S27** SOT-25 R1162N271BRicohСтабилизатор напряжения
S28**
SOT-25
LR1120G-28-AF5-A-RUTCСтабилизатор напряжения
S28** SOT-353 LR1120G-28-AL5-A-RUTCСтабилизатор напряжения
S28** SOT-25 R1162N281BRicohСтабилизатор напряжения
S28B SOT-25 LM2704MF-ADJNationalПовышающий пребразователь
S29** SOT-25 R1162N291BRicohСтабилизатор напряжения

404 Error — КС Системы

ООО «КС Системы» является российским производителем низковольтных комплектных устройств (НКУ), распределительных щитов, шкафов управления и автоматики, выполненные на релейной логике или с помощью систем управления на программируемых логических контроллерах (ПЛК) с использованием операторских панелей или промышленных компьютеров. Сборка осуществляется как по проектам, которые разработали наши специалисты по требованию ТЗ заказчика, так и по документации предоставленной заказчиком. Компания имеет собственное производство в Санкт-Петербурге.

Наличие в штате высококвалифицированных инженерно-технических специалистов дают возможность выполнять работы по проектированию и монтажу НКУ на высоком уровне качества. В нашей работе первое место занимает качество производимой продукции, конкурентная конечная стоимость, ответственный подход к каждому проекту. Основным нашим конкурентным преимуществом является высокое качество изделия и конечная стоимость для Заказчика.

Направления использования НКУ являются: станкостроение, машиностроение, энергетическая промышленность, промышленные предприятия, деревообрабатывающее производство строительные организации промышленных и жилых зданий, а также модернизация различного оборудования.

В наших проектах используются комплектующие различных отечественных и импортных производителей, таких как: ABB, DKC, IEK, Klemsan, Legrand, LG(LS), Siemens, Schneider-Electric, WAGO, TDM, ОВЕН, КЭАЗ и другие, что позволяет найти подход к любым требованиям Заказчика. Производство оборудования на базе этих комплектующих, позволяет нам производить качественные изделия и соответствовать требованиям ГОСТ Р и Евразийского союза (ЕАС).

Компания ООО «КС Системы» поможет Вам найти оптимальное решение Вашей задачи на любом этапе разработки от проекта до изготовления готового НКУ. Обеспечит цикл услуг по оптимизации технико-экономического решения с учетом специфических требований Заказчика на изготовление электрощитового оборудования. Проверит документацию предоставленную Заказчиком, выявит возможные ошибки в документации и предложит оптимальное их решение.

Основное направление деятельности нашей компании является изготовление электрощитового оборудования на напряжение 220/380 В, шкафов управления и автоматики любой сложности.

АВР — автоматический ввод резерва.
ВРУ — вводно-распределительные устройства.
ГРЩ — главный распределительный щит.
ЩА — щиты автоматики (шкаф автоматики).
ЩУ — щиты управления (шкаф управления).
ЩО — щит освещения (шкаф освещения).
ЩС — щит силовой (шкаф силовой).
ЩЭ — щит этажный.
ЩРЭ — щиты распределительные этажные.
ЩК — Щит квартирный/коттеджный.

IP-камера Longse LBG60A300 PoE

Описание

Уличная IP видеокамера с разрешением записи до 1080р — 30 к/сек. Металлический корпус, мощная инфракрасная подсветка, для записи в полной темноте. Камера легко монтируется на любую стену, система питания по технологии POE (802.3af) упрощает монтаж, требуется проложить только один сетевой кабель, камера питается прямо по линии Ethernet, также осталась возможность использовать обычные блоки питания (POE адаптеры и блоки питания продаются отдельно). Совместима с видеорегистраторами по протоколу ONVIF, также в комплект поставки входит простое программное решение, которое позволит создать видеорегистратор на базе любого компьютера. 

Область применения 
— создание системы видеонаблюдения
Комплект поставки
— видеокамера
— герметичный ввод
— диск с программным обеспечением
— монтажные элементы

Характеристики

Процессор S2L
Интерфейсы Ethernet 1 х 10/100 Мбит/с
Поддержка POE Да PoE 802.3af
Питание 12В 0,7А (Джек)
Потребляемая мощность 8,5 Вт
Рабочие условия -10°С + 50°С
Пыле-влагозащита IP66
Матрица IMX124 ; 3МП, 1/2.8″ CMOS ; 0.1Lux
Разрешение записи FHD (1920 х 1080)
Объектив 6 мм/F2.0 Фиксированный
Угол обзора V-28° H-47°
ИК Фильтр Автоматический
Дальность ИК подсветки 40 метров
Видеокодеки H.264 ; Поддержка AVI
Запись кадров\сек. 30к/с (1920?1080)
Совместимость ONVIF 2.4
Тип корпуса Уличный
Настройка ракурса 2 осевая
Тип камеры IP (локальная сеть)
Количество ИК диодов ? 42мм х 2шт.
Затвор 1/25s~~1/10,000s , 1/30s~~1/10,000s

10-04-2016

Shengyongbao рибка custom photography backgrounds prop wooden planks theme photography background 2003309hz-012 купи онлайн / Фотографско студио

Етикети: кал дискове, престилки dior, fw шорти, диск 2242, диод К16, диод s2l, фен fx v2, диск 05мм, технически характеристики на fz1.

Винил изработени по поръчка на фона на снимки Prop Photo Studio Background ние сме професионален фабрика за производство на фон снимки, ние можем да направим фон всякакъв размер,просто ви харесва това е нормално.Ако можете да предложите ясни изображения, тогава ние можем да го направят за вас.Ако се интересувате от него, или имате някакви въпроси,моля не се колебайте да се свържете с нас .Описание: обектът на представлява напълно нов компютърен печатни фон.Той е достатъчно лек,за да не се пренасят движения (особено ако работите на място), но достатъчно здрав, за да продължи дълго време и да свършат правилно!Лесно може да заставам или виси направо!Той е подходящ за всички видове фотография: семейна, детска градина, ученици, булки, модели или дори за търговска работа.Нашите тези елементи също могат да се използват за украса на жилище,можете да ги залепите на стената като тапет,това ще позволи на вашата стая да изглежда много по-красива и великолепнее.PS: Ако ширината и дължина на фона на двете е повече от 150 см(5 фута), на заден план ще бъдат отпечатани в две части, с други думи, той не е бесшовным, но най-важното е, че шева не ще попречи на снимките, ние ще ги сложим в едно парче, преди да изпратите, и не е по джоба на горната част.Характеристики: Материал-винил, дебелината му ще бъде почти същата като тази на корицата magzine.На заден план не в джоба или шест, отпечатани на компютъра за реализъм.Снимките, които правите, изглеждат така, сякаш модел наистина съществува, а не за карикатура тук.Отпечатан върху материала, химически влакна за по-лесно отслабване и лесен за боравене.Отлична цветова обработка и реалистични детайли.Идеален за студийната, клубна, событийной или домашна снимки.Красив, универсален фон и произведение на изкуството.На фона на изцяло нов материал характеристики: 1. той може да оформя, лесен за пренасяне ; 2. той може да тампон, напоен с вода,лесно да се поддържат чисти; 3. висока резолюция,stong артикулация; 4.Нашите винил фонове водоустойчив, отблясъци са свободни и раскатываются самолет

Забележка: съгласно правилата на пощенски клон, дължина продукт не може да бъде повече от 60 виж Елементи ще бъдат изпратени скръстени.Така че може да се сгъва.Ще трябва да се справят с това сами.1) плътно се разточва патрон на 3-4 дни, всичко ще бъде наред. 2) загрейте го парна ютия от обратната страна на продукта, и тогава той отново ще се превърне в гладка.Един от реални декори изглежда така, за ваше сведение: когато фонът е разхвърлян по грешка, след това можете да използвате суха кърпа, затопленную няколко капки вода,за да го изчисти, защото винил материал не е водоустойчив, така че водата ще наводни, но не се притеснявай, просто го оставете да изсъхне самостоятелно или използвайте вентилатор, за да го взривяват, фон отново ще бъде естествен. *Моля, спазвайте дистанция при заснемане на снимки, за да се избегне размазване * удовлетвореността на клиентите моля, не се колебайте да се свържете с нас, ако имате някакви въпроси или проблеми, преди или след вашата покупка.Ние неуморно се стремим към това, да сте останали доволни на 100%.Доставка 1. Цена за доставка: Натиснете бутона за доставка и плащане, на страницата с информация за продукта и ще видите детайли за доставка.Можете да изчислите цената на доставката, като въведете необходимата информация.ако купувате голямо количество,вие можете да се свържете с нас,ние ще Рабат за вас. 2. Време за пътуване: транзитно време варира в зависимост от различни методи на доставка.ние ще се опитаме да направим всичко възможно, за да изберете относително бърз начин за доставка на вашата поръчка. 3. Времето за обработка на стоката: по принцип, времето за обработка може да бъде от 1 до 2 РАБОТНИ дни.Обратната връзка, тъй като вашата обратна връзка е много важно за развитието на нашия бизнес, ние искрено ви каним да оставите положителен отзив за нас, ако сте доволни от нашия продукт и обслужване.Това ще ви отнеме само минута.Благодарим ви!

Полевой транзистор вместо биполярного — Яхт клуб Ост-Вест

В современной цифровой электронике, транзисторы работают, как правило — в ключевом (импульсном) режиме: открыт-закрыт. Для таких режимов оптимально подходят – полевые транзисторы. Название «полевой» происходит от «электрическое поле». Это значит, что они управляются полем, которое образует напряжение, приложенное к управляющему электроду. Другое их название – униполярный транзистор. Так подчеркивается, что используются только одного типа носители заряда (электроны или дырки), в отличии от классического биполярного транзистора. «Полевики» по типу проводимости канала и типу носителей бывают двух видов: n-канальный – носители электроны и p-канальный – носители дырки. Транзистор имеет три вывода: исток, сток, затвор.

исток (source) — электрод, из которого в канал входят (истекают) носители заряда, источник носителей. В традиционной схеме включения, цепь истока n-канального транзистора подключается к минусу питания, p-канального — к плюсу питания.

сток (drain) — электрод, через который из канала выходят (стекают) носители заряда. В традиционной схеме включения, цепь стока n-канального транзистора подключается к плюсу питания, p-канального — к минусу питания.

затвор (gate) — управляющий электрод, регулирует поперечное сечения канала и соответственно ток протекающий через канал. Управление происходит напряжением между затвором и истоком – Vgs.

Полевые транзисторы бывают двух основных видов: с управляющим p-n переходом и с изолированным затвором. С изолированным затвором делятся на: с встроенным и индуцированным каналом. На рис.1 изображены типы полевых транзисторов и их обозначения на схемах.

Рис.1. Типы полевых транзисторов и их схематическое обозначение.

«Полевик» с изолированным затвором и индуцированным каналом

Нас интересуют транзисторы Q5 и Q6. Именно они используются в цифровой и силовой электронике. Это полевые транзисторы с изолированным затвором и индуцированным каналом. Их называют МОП (метал-оксид-полупроводник) или МДП (метал-диэлектрик-полупроводник) транзисторами. Английское название MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor). Таким названием подчеркивается, что затвор отделен слоем диэлектрика от проводящего канала. Жаргонные названия: «полевик», «мосфет», «ключ».

Индуцированный канал — означает, что проводимость в нем появляется, канал индуцируется носителями (открывается транзистор) только при подаче напряжения на затвор. В отличии от транзисторов Q3 и Q4 которые тоже МОП транзисторы, но со встроеным каналом, канал всегда открыт, даже при нулевом напряжении на затворе. Схематически, разница между этими двумя типами транзисторов на схемах обозначается сплошной (встроенный) или пунктирной (индуцированный) линией канала. Другое название индуцированного канала – обогащенный, встроенного – обеднённый.

Обратный диод

Технология изготовления МОП транзисторов такова, что образуются некоторые паразитные элементы, в частности биполярный транзистор, включенный параллельно силовым выводам. См. рис.2. Он оказывает негативное влияние на характеристики транзистора, поэтому технологической перемычкой замыкают вывод истока с подложкой (замыкают переход: база-эмиттер, паразитного транзистора), а оставшийся переход: коллектор-база, образует диод, включенный параллельно стоку-истоку, в направлении обратном протеканию тока (в классической схеме включения). Параметры этого диода производители уже могут контролировать, поэтому он не оказывает существенного влияния на работу транзистора. И даже наоборот, его наличие специально используется в некоторых схематических решениях.

Именно этот диод (стабилитрон) обозначается на схематическом изображении МОП транзистора, а технологическая перемычка показана стрелкой соединенной с истоком. Существуют и транзисторы без технологической перемычки, на их условном обозначения нет стрелкой.

В зависимости от модели транзистора, диод может быть, как и штатный – паразитный, низкочастотный, так и специально добавленный, с заданными характеристиками (высокочастотный или стабилитрон). Это указывается в документации к транзистору.

Рис.2. Паразитные элементы в составе полевого транзистора.

Основные преимущества MOSFET

  • меньшее потребление, высокий КПД. Транзисторы управляются напряжением, и в статике не потребляют ток управления.
  • простая схема управления.Схемы управления напряжением более просты, чем схемы управления током.
  • высокая скорость переключения.Отсутствуют неосновные носители. Следовательно не тратится время на их рассасывание. Частота работы сотни и тысячи килогерц
  • повышеная теплоустойчивость. С ростом температуры растет сопротивление канала, следовательно понижается ток, а это приводит к понижению температуры. Происходит саморегуляция.

Основные характеристики MOSFET

  • Vds(max) – максимальное напряжение сток-исток в закрытом состоянии транзистора
  • Rds(on) – активное сопротивление канала в открытом состоянии транзистора. Этот параметр указывают для определенных значений Vgs 10В или 4.5В или 2.5 В при которых сопротивление становится минимальным.
  • Vgs(th) – пороговое напряжение при котором транзистор начнет открываться.
  • Ids – максимальный постоянный ток через транзистор.
  • Ids(Imp) – импульсный (кратковременный) ток, который выдерживает транзистор.
  • Ciss, Crss, Coss – емкость затвор-исток (input), затвор-сток (reverse), сток-исток(output).
  • Qg – заряд который необходимо передать затвору для переключения.
  • Vgs(max) – максимальное допустимое напряжение затвор-исток.
  • t(on), t(of) – время переключения транзистора.
  • характеристики обратного диода сток-исток ( максимальный ток, падение напряжения, время восстановление)

Что еще нужно знать про полевой транзистор?

P-канальные транзисторы имеют хуже характеристики чем N-канальные. Меньше рабочая частота, больше сопротивление, больше площадь кристалла. Они реже используются и выпускаются в меньшем ассортименте.

МОП транзистор — потенциальный прибор и управляется напряжением (потенциалом), затвор отделен слоем диэлектрика , по сути это конденсатор и через него не протекает постоянный ток, поэтому он не потребляет ток управления в статике, но во время переключения требуется приличный ток для заряда-разряда емкости.

МОП транзистор имеет хоть и не большое, но активное сопротивление в открытом состоянии Rds. Это сопротивление уменьшается с ростом отпирающего напряжения и становится минимальным при определенном напряжении затвор-исток, 4.5В или 10В. По сути – это резистор, сопротивление которого управляется напряжением Vgs.

Vgs – управляющее напряжение, Vg-Vs. Если измерять относительно общего минуса, то: для n канального Vgs>0, для p канального Vgs

Схема включения MOSFET

Традиционная, классическая схема включения «мосфет», работающего в режиме ключа (открыт-закрыт), приведена на рис 3. Это схема, с общим истоком. Она наиболее распространена, легка в реализации и имеет самый простой способ управления транзистором.

Нагрузку включают в цепь стока. Встроенный диод, оказывается включенным в обратном направлении и ток через него не протекает.

Для n-канального: исток на землю, сток через нагрузку к плюсу. Тогда для его открытия, на затвор нужно подать положительное напряжение, подтянуть к плюсу питания. При работе от ШИМ (широтно импульсный модулятор), открывать его будет положительный импульс.

Для p-канального: исток на плюс питания, сток через нагрузку на землю. Тогда для его открытия, на затвор нужно подать отрицательное напряжение, подтянуть к минусу питания (земле). При управлении от ШИМ, открывающим будет – отрицательный импульс (отсутствие импульса).

Рис. 3. Классическая схема включения MOSFET в ключевом режиме.

МОП транзистор, в открытом состоянии, будет пропускать ток как от истока к стоку, так и от стока к истоку. Также и нагрузку можно включать как в цепь стока, так и истока. Но при «нестандартном» включении, усложняется управление транзистором, так для n-канального может потребоваться, напряжение выше питания, а для p-канального – отрицательное напряжение ниже земли (двухполярное питание).

МОП транзис торы, используемые в цифровой электронике, делятся на два типа.

  1. Мощные силовые – используются в импульсных преобразователях напряжения и в цепях питания.
  2. Транзисторы логического уровня – используются как ключи, коммутируют различные сигналы и управляются микросхемами.

Транзисторы бывают в разных корпусах, с разным количеством выводов, часто в одном корпусе объединяют два транзистора.

Другие популярные статьи

MacBook не включается. Что делать?

Читателей за год: 8483

Пожалуй одна из самых распространенных неисправностей, заявленная клиентами при сдаче в ремонт своего MacBook – «не включается». В этой заметке рассмотрим следующие вопросы.

Типовые неисправности MacBook Pro A1398

Читателей за год: 7852

МасBook Pro Retina A1398 появился в середине 2012 года.С 2012 года было выпущено 5 платформ A1398 и с десяток комплектаций.К сожалению, все модели имеют типовые неисправности.

Проблемы с видео в MacBook и их лечение

Читателей за год: 6806

В нашу мастерскую часто попадают MacBook’и с неисправностью графического процессора (он же видеокарта, видеоускоритель, видеочип). Некоторые проблемы решаются софтовым путем – настройка или переустановка системы. В большинство же случаев требуются вмешательство на уровне «железа» – компонентный ремонт – замена чипа на паяльной станции.

Оставить комментарий

Что делать если Mac не включается? (видео) Новое в блоге MacBook не грузится дальше «яблока» после обновления macOS Mojave 10.14.5 7 июня 2019 г. Может ли небольшая мастерская назвать себя международной ?:) 2 апреля 2019 г. 5 сайтов распродаж программ для MacOS 21 марта 2019 г. Какие игры идут на MacBook и iMac? 18 февраля 2019 г. Что ломается в Макбуке при его залитии? 7 февраля 2019 г. Проверить статус заказа

Введите номер телефона, указанный в заказе:

Биполярные транзисторы, включенные по схеме Дарлингтона, т. е. соединенные с общим коллектором (транзистор Дарлингтона), часто являются составным элементов радиолюбительских конструкций. Как известно, при таком включении коэффициент усиления по току, как правило, увеличивается в десятки раз. Однако добиться значительного запаса работоспособности по напряжению, воздействующему на каскад, удается не всегда. Усилители по схеме Дарлингтона, состоящие из двух биполярных транзисторов (Рис. 1.23), часто выходят из строя при воздействии импульсного напряжения, даже если оно не превышает значение электрических параметров, указанных в справочной литературе.

С этим неприятным эффектом можно бороться разными способами. Одним из них — самым простым — является наличие в паре транзистора с большим (в несколько раз) запасом ресурса по напряжению коллектор-эмиттер. Относительно высокая стоимость таких «высоковольтных» транзисторов приводит к увеличению себестоимости конструкции. Можно, конечно, приобрести специальные составные кремниевые транзисторы в одном корпусе, например: КТ712, КТ825, КТ827, КТ829, КТ834, КТ848, КТ852, КТ853, КТ894, КТ897, КТ898, КТ972, КТ973 и др. Этот список включает мощные и средней мощности приборы, разработанные практически для всего спектра радиотехнических устройств. А можно воспользоваться классической схемой Дарлингтона — с двумя параллельно включенными полевыми транзисторами типа КП501В — или использовать приборы КП501А…В, КП540 и другие с аналогичными электрическими характеристиками (Рис. 1.24). При этом вывод затвора подключают вместо базы VT1, а вывод истока — вместо эмиттера VT2, вывод стока — вместо объединенных коллекторов VT1, VT2.

Рис. 1.23. Схема включения транзисторов по схеме Дарлингтона

Рис. 1.24. Замена полевыми транзисторами составного транзистора по схеме Дарлингтона

После такой несложной доработки, т.е. замены узлов в электрических схемах, универсального применения, усилитель тока на транзисторах VT1, VT2 не выходит из строя даже при 10-кратной и более перегрузке по напряжению. Причем сопротивление ограничительного резистора в цепи затвора VT1 также увеличивается в несколько раз. Это приводит к тому, что полевые транзисторы имеют более высокое входное сопротивление и, как следствие, выдерживают перегрузки при импульсном характере управления данным электронным узлом.

Коэффициент усиления по току полученного каскада не менее 50. Увеличивается прямо пропорционально увеличению напряжения питания узла.

Элементы схемы и их назначение

Резистор Rt. Сопротивление резистора зависит от характера на грузки и выбирается таким, чтобы на выводе затвора параллельно соединенных полевых транзисторов присутствовало 0,5 Упит. При этом максимальный ток не должен превышать 0.2 А (в случае применения полевого транзистора из серии КП501).

Полевые транзисторы VT1, VT2. При отсутствии дискретных транзисторов типа КП501А…В можно без потери качества работы устройства использовать микросхему 1014КТ1В. В отличие, например, от 1014КТ1А и 1014КТ1Б эта микросхема выдерживает более высокие перегрузки по приложенному напряжению импульсного характера — до 200 В постоянного напряжения. Цоколевка включения транзисторов микросхемы 1014КТ1А…1014К1В показана на Рис. 1.25.

Так же как и в предыдущем варианте (Рис. 1.24), полевые транзисторы включают параллельно.

Цоколевка полевых транзисторов в микросхеме 1014КТ1А…В

Автор опробовал десятки электронных узлов, включенных по схеме Дарлингтона. Такие узлы используются в радиолюбительских конструкциях в качестве токовых ключей аналогично составным транзисторам, включенным по схеме Дарлингтона. К перечисленным выше особенностям полевых транзисторов можно добавить их энергоэкономичность, так как в закрытом состоянии из-за высокого входного сопротивления они практически не потребляют тока. Что касается стоимости таких транзисторов, то сегодня она практически такая же, как и стоимость среднемощных транзисторов типа КТ815, КТ817, КТ819 (и аналогичным им), которые принято использовать в качестве усилителя тока для управления устройствами нагрузки.

Источник: Кяшкаров А. П., Собери сам: Электронные конструкции за один вечер. — М.: Издательский дом «Додэка-ХХ1», 2007. — 224 с.: ил. (Серия «Собери сам»).

В данной статье я хочу описать, на какие критерии нужно обращать внимание при подборе замены транзисторам . Надеюсь, статья будет полезной для начинающих радиолюбителей. Постараюсь информацию изложить очень кратко, но достаточно для правильного подбора транзистора при отсутствии аналогичного.

Биполярные транзисторы.

Предлагаю оценку и подбор аналога для замены транзистора начинать с анализа схемы – частота, напряжение, ток. Начнем подбор по быстродействию транзистора, то есть рабочей частоте транзистора. При этом граничная fгр. МГц (эта та на которой его коэффициент усиления равен единице) частота транзистора должна быть больше реальной частоты на которой работает устройство, желательно, во много раз. После подбора по частоте, производим выбор по допустимой мощности, иными словами ток коллектора транзистора должен превышать максимальный ток в первичной цепи. Далее подбираем транзистор по допустимому напряжению эмиттер-коллектор, которое также должно превышать максимальное прикладываемое к транзистору напряжение в любой момент времени. Коэффициент усиления: известно, что ток коллектора у биполярного транзистора с током базы связан через параметр h31. Проще говоря, ток коллектора больше тока базы в h31. Из этого можно сделать вывод, что лучше применять транзисторы значение этого параметра у которых как можно больше. Это позволит повысить КПД за счет снижения затрат на управление транзисторами, да и потом, транзистор с большим значением этого параметра проще ввести в режим насыщения. Далее чтобы меньше мощности потерять на транзисторе (при этом он будет меньше греться), нужно чтобы его напряжение насыщения (напряжение коллектор-эмиттер в открытом состоянии) было как можно меньше, ведь мощность выделяемая на транзисторе, равна произведению тока, протекающего через него, и падению напряжения на нем и еще, максимальная мощность рассеяния коллектора (приводится в справочнике) должна быть не меньше реально выделяемой, иначе транзистор не справится (мгновенно выйдет из строя). В статье «Транзисторы для импульсных блоков питания телевизоров. Замена» я уже описывал приемы замены транзисторов .

Полевые транзисторы.

Преимуществ перед биполярными у них много, а самое главное, цена ниже. Наиболее важные преимущества полевых транзисторов, на мой взгляд следующие:

  1. Он управляется не током, а напряжением (электрическим полем), это значительно упрощает схему и снижает затрачиваемую на управление мощность.
  2. В полевых транзисторах нет неосновных носителей, поэтому они могут переключаться с гораздо более высокой скоростью.
  3. Повышенная теплоустойчивость. Рост температуры полевого транзистора при подаче на него напряжения приведет, согласно закону Ома, к увеличению сопротивления открытого транзистора и, соответственно, к уменьшению тока.

Термоустойчивость полевого транзистора помогает разработчику при параллельном соединении приборов для увеличения нагрузочной способности. Можно включать параллельно достаточно большое число полевиков без выравнивающих резисторов в силовых цепях и при этом не опасаться рассиметрирования токов, что очень опасно для биполярных транзисторов. Однако параллельное соединение полевых транзисторов тоже имеет свои особенности.

Что касается подбора транзисторов для замены , то порядок примерно тот же самый, т е быстродействие затем мощность. Напряжение исток-сток также выбирается из тех же соображений, что и для биполярных, максимальный ток стока также выбирается с запасом, здесь это выбрать гораздо проще, т к полевые транзисторы имеют довольно большие допустимые токи стока и их разнообразие очень большое, чего не скажешь про биполярные — биполярные транзисторы с током коллектора больше 20 А, это уже редкость. Полевые транзисторы не имеют напряжения насыщения, у них есть аналогичный параметр — сопротивление открытого канала, у транзисторов с допустимым напряжением до 150 В оно составляет десятки миллиом, у более высоковольтных — омы. Чем меньше значение этого сопротивления, тем ближе параметры транзистора к идеальным и тем меньше потери. Мощность потерь (рассеяния) в открытом состоянии определяется как квадрат тока умноженный на сопротивление открытого канала. Естественно, чем меньше будет это значение, тем меньше будет транзистор греться. Аналог параметра h31 у полевого транзистора это крутизна характеристики. Этот параметр связывает между собой ток стока и напряжение на затворе, иными словами ток стока определяется как произведение напряжения на затворе и крутизны характеристики транзистора. Как правило ключевые транзисторы имеют большую крутизну характеристики. Еще у этого вида транзисторов есть так называемое порговое напряжение на затворе — это минимальное значения управляющего напряжения достаточное для введения транзистора в абсолютно открытый режим (насыщение). При подборе необходимо учитывать, чтобы минимальное напряжение на затворе не было ниже порогового, иначе вся мощность будет выделяться на транзисторе а не на нагрузке, т к он не полностью открыт. Такой режим работы, как правило, транзисторы не выдерживают — после включения выгорают с небольшой (или большой) задержкой. Параметр мощность рассеяния коллектора для биполярного транзистора имеет аналогичный для полевого — мощность рассеяния стока. Параметры абсолютно идентичны.

Активней пользуйтесь справочниками и интернетом, информации по параметрам транзисторов сейчас достаточно.

Сразу оговоримся, что речь пойдет о подборе аналогов N-канальных, «logic-level», полевых транзисторов которые можно встретить в цепях питания на материнских платах и видеокартах. Logic-level, в данном случае, означает, что речь идет о приборах которые управляются, т.е. способны полностью открывать переход Drain to Source, при приложении с затвору относительно небольшого, до 5 вольт, напряжения.

Как может выглядеть полевый транзистор

Рис.2
Корпус типа DPAK, так же известен как TO-252-3.
Наиболее часто используется, представляет собой уменьшенный D²PAK.

Рис.3
Корпус типа SO-8.
Встречается на материнских платах и видеокартах, чаще на последних. Внутри может скрываться один или два полевых транзистора.

Рис.4
SuperSO-8, оно же – TDSON-8. Отличается от SO-8 тем, что 4 вывода соединены с подложкой транзистора, что облегчает температурный режим. Характерен для продуктов фирмы Infineon. Легко заменяется на аналог в корпусе SO-8

Рис.5
IPAK. Другое название – TO-251-3. По сути – полный аналог DPAK, но с полноценной второй ногой. Такой тип транзисторов очень любит использовать фирма Интел на ряде своих плат

Рис.A Первый вариант, один N-канальный транзистор.

Рис.B
Второй, два N-канальных транзистора.

Рис.C
Третий, N-канальный плюс P-канальный транзисторы в одном флаконе.

Рис.D
Корпус типа LFPAK или SOT669.
Частный случай корпуса SO-8 с одним N-канальным транзистором, где ножки с 5″ой по 8″ю заменены на теплоотводный фланец. На данный момент замечен только на видеокартах.

Как правило на место прибора в корпусе D²PAK без проблем ставиться аналогичный но в корпусе DPAK.

При определенной сноровке можно на посадочное место под DPAK «раскорячить» D²PAK, хотя выглядеть будет не эстетично.

LFPAK естественно без проблем меняется на SO-8 с одним N-канальным транзистором, и наоборот.

В остальных случаях необходимо подбирать прибор в полностью аналогичном корпусе.

Где может использоваться полевый транзистор

Выше мы договорись что рассматриваем только подсистему питания, посему вариантов немного:

  • Импульсный преобразователь напряжения.
  • Линейный стабилизатор напряжения.
  • Ключ в цепях коммутации напряжения.

Система маркировки полевых транзисторов

Рассмотрим оную на примере. Пускай, у нас есть 20N03. Это означает, что он рассчитан на напряжение (Vds)

20A. Буковка N означает, что это N-канальный транзистор. Но из любого правила есть исключения, так, например, фирма Infineon указывает в маркировке полевика Rds, а не максимальный ток.

IPP15 N03 Vds=30V Rds=12.6mΩ >IPB15 N03 L – Infineon OptiMOS N-channel MOSFET Vds=30V Rds=12.6mΩ >SPI80 N03 S2L-05 – Infineon OptiMOS N-channel MOSFET Vds=30V Rds=5.2mΩ >NTD40 N03 R – On Semi Power MOSFET 45 Amps, 25 Volts Rds=12.6mΩ
STD10 PF06 – ST STripFET™ II Power P-channel MOSFET 60V 0.18Ω 10A IPAK/DPAK

Итак, в случае маркировки XXYZZ мы можем утверждать, что XX – или Rds, или Id Y – тип канала ZZ – Vds

Основные характеристики N-канального полевого транзистора

В общем различных параметров важных, и не очень, у полевых транзисторов много. Мы подойдем к вопросу с прикладной точки зрения и ограничимся рассмотрением необходимых нам практически параметров.

  • Vds – Drain to Source Voltage – максимальное напряжение сток-исток.
  • Vgs – Gate to Source Voltage – максимальное напряжение затвор-исток.
  • Id – Drain Current – максимальный ток стока.
  • Vgs(th) – Gate to Source Threshold Voltage – пороговое напряжение затвор-исток при котором начинает открываться переход сток-исток.
  • Rds(on) – Drain to Source On Resistance – сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии.
  • Q(tot) – Total Gate Charge – полный заряд затвора.

Хочу обратить внимание что параметр Rds(on) может указываться при разных напряжениях затвор-исток, как правило это 10 и 4.5 вольта, это важная особенность которую нужно обязательно учитывать.

Степень критичности параметров в разных применениях

  • Vds, Vgs – параметры всегда учитываемые, т.к. если если их превысить транзистор выходит из строя. Должен быть больше либо равен аналогичному параметру заменяемого прибора. В случае работы в импульсном преобразователе не стоит использовать приборы с запасом по рабочему напряжению более чем в 2-2.5 раза, т.к. приборы с большим рабочим напряжением, как правило, имеют худшие скоростные характеристики.
  • Id – параметр важный только в импульсном преобразователе, т.к. в остальных случаях ток крайне редко превышает 10% от номинального даже не слишком мощных приборов. Должен быть больше либо равен аналогичному параметру заменяемого прибора в случае с импульсным преобразователем, и быть не меньше 10 ампер в остальных случаях.
  • Vgs(th) – имеет, некоторое, значение при работе в линейном стабилизаторе, т.к. только там транзистор работает в активном, а не ключевом, режиме. Хотя практически logic-level полевых транзисторов которые могут не подойти по этому параметру не выпускается. Данный параметр критичен для линейных стабилизаторов, где в качестве управляющего элемента используется TL431 с питанием от +5В (к примеру, такая схема часто используется в линейных стабилизаторах напряжения на видеокартах)
  • Rds(on) – от этого параметра прямо-пропорционально зависит нагрев транзистора работающего в ключевом режиме, при прохождении тока через открытый канал. В данном случае чем меньше – тем лучше . ВНИМАНИЕ не следует забывать что защита от токовой перегрузки и КЗ ШИМ серий HIP63** и некоторых других исползует Rds(on) нижнего ключей (те что с дросселя на землю) в качестве датчика тока-зачителное его изменение изменит ток защиты и либо защита по току-будет работать раньше чем надо-результат просадки питания на пиках нагрузки-либо ток КЗ столь велик что убьет ключи раньше чем мама отключит БП снятием PW-ON поэтому строго говоря надо еще и Risen у шимки поменять(но это никто обычно не делает!)
  • Q(tot) – влияет на время перезаряда затвора, и соотвественно способно затягивать открытия и закрытия транзистора. Опять же чем меньше – тем лучше .

Документ от Fairchild Selection of MOSFETs in Switch Mode DC-DC Converters – рекомендации по подбору (а значит и замене) MOSFETs.

За изобретение этого компонента учёные-физики получили Нобелевскую премию, благодаря чему была совершена революция в появлении интегральных схем и компьютеров. Транзисторы используют для управления током в электрической цепи. Они могут усиливать, преобразовывать и генерировать электрические сигналы. Для увеличения выходного тока и напряжения эти приборы применяют в области цифровой связи, в процессорах, цифровой технике. Используют полевые (униполярные) и биполярные приборы.

Транзисторы различаются по частоте (низко- и высокочастотные), по мощности, по материалам (германиевые, кремниевые, арсенидо-галлиевые, получаемые путём соединени галлия и мышьяка). В матрицах дисплеев на данный момент используют приборы на основе прозрачных полупроводников, предполагается в скором времени применять полупроводниковые полимеры.

У радиолюбителей иногда возникают трудности с заменой зарубежных, в частности японских, транзисторов. В бытовой технике используется большое количество различных приборов полупроводникового типа. Больше всего производят биполярных транзисторов (обратной и прямой проводимости). Их выпускает электронная промышленность в странах Северной Америки, Европы и Япония. На корпусах приборов можно встретить маркировку, одинаковую для Японии и Южной Кореи.

В зависимости от сложности предстоящего ремонта аппаратуры, можно рассмотреть общие подходы к замене транзисторов. В первом случае на корпусе транзистора есть маркировка, по которой определяется его тип, и этот прибор можно приобрести по небольшой цене на обычном рынке радиоприборов. В более сложном случае тип прибора легко определить, но трудно приобрести в силу дороговизны или отсутствия на отечественном рынке. В сложных случаях не возможно определить тип прибора или отсутствует инструкция по его эксплуатации.

Трудность заключается в том, что зачастую приходится заменять мощные импульсные транзисторы зарубежного производства отечественными аналогами, которые не всегда соответствуют всем необходимым параметрам. Например, трудно подобрать прибор в компактных корпусах и корпусах, сделанных из пластмассы, пластика. Но с лёгкостью можно подобрать отечественную замену приборам типа ТО-3 в металлическом корпусе. Важно учитывать размеры прибора, они должны совпадать.

Правильная замена прибора происходит при соблюдении соответствия изоляции двух вариантов (поломанного и купленного), способ соединения коллектора с пластиной корпуса, которая отводит тепло.

Если прибор, требующий замены, снабжён корпусом, обеспечивающим изоляцию, а его аналог имеет лишь в креплении пластиковую втулку, то устанавливаем для защиты прокладку из фторопласта или слюды. Фторопластом делают первичную обмотку высоковольтных проводов благодаря высокой способности к изоляции тока. Может понадобиться изолировать винт крепления, если нет изоляции втулки. Важно помнить при замене прибора, что транзисторы в металлическом корпусе лучше выполняют теплоотвод, чем их аналоги в пластмассовом корпусе.

При замене прибора вначале определитесь, какие параметры наиболее важны для данной техники, и руководствуйтесь ими в выборе заменителя. Для этого нужно иметь конкретные представления о схемах и параметрах включении транзистора. В ремонте чаще всего приходится заменять приборы для бытовой техники, видеомагнитофонов, телевизоров (выходные каскады импульсных блоков питания).

Для бытовой техники лучше всего подходят высокочастотные транзисторы . По указаниям на приборе можно определить, как изолирован корпус, насколько шумно работает прибор, где его использовать (например, для средств связи применяют тип G). Но в приборах со встроенными резисторами, диодами и прочими модификациями маркировка может отличаться от общепринятой. Так фирмы NEC и TOSHIBA имеют собственные обозначения высоко- и низкочастотных транзисторов.

Поломка полупроводникового прибора может произойти из-за перегрузок, колебаний напряжения в сети. Поэтому нужно искать замену с защитными резисторами, диодами, учитывать уровень сопротивления. Чтобы корпус не перегревался и не произошла повторная поломка, нужен быстродействующий прибор.

Когда заменяем транзистор, нужно учесть коэффициент передачи по току, рабочее напряжение на коллекторе прибора. Желательно, чтобы замена не была худшего качества, чем оригинал. Или включить параллельно несколько приборов меньшей мощности, но одного типа. При ошибке в установке аналога может происходить перегревание системы.

Полевые транзисторы заменить труднее, нежели биполярные. Их разновидностей меньше, а параметры значительно различаются. Выделяют два основных типа: с изолированным затвором и с р-n переходом. На этих приборах базируется вся современная цифровая техника. Их изготавливают на кристаллах кремния и применяют для построения схем процессора, памяти, логики. Однако кремниевые транзисторы обычно не работают при напряжениях выше 1 000 вольт.

Рис.1 Корпус типа D²PAK, так же известен как TO-263-3.
Встречается в основном на пожилых платах, на современных используется редко.

автореферат диссертации по радиотехнике и связи, 05.12.04, диссертация на тему:Разработка методов построения измерителей коэффициентов передачи и отражения четырёхполюсников СВЧ

Автореферат диссертации по теме «Разработка методов построения измерителей коэффициентов передачи и отражения четырёхполюсников СВЧ»

V/

Наградах рукописи

/А’/;,’;//

005″^

Мильченко Дмитрий Николаевич

РАЗРАБОТКА МЕТОДОВ ПОСТРОЕНИЯ ИЗМЕРИТЕЛЕМ КОЭФФИЦИЕНТОВ ПЕРЕДАЧИ И ОТРАЖЕНИЯ ЧЕТЫРЁХПОЛЮСНИКОВ СВЧ

Специальность 05.12.04 «Радиотехника, в том числе системы и устройства телевидения»

Специальность 05.12.07 «Антенны СВЧ — устройства и их технологии»

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание учёной степени кандидата технических наук

9 АВ Г 2012

Таганрог 2012

005046593

Работа выполнена на кафедре радиофизики Кубанского государственного университета

Научный руководитель: доктор технических наук, доцент Коротков Константин Станиславович (КубГУ г. Краснодар)

Официальные оппоненты: Червяков Георгий Георгиевич, доктор технических наук, профессор, ТТИ ЮФ»!

зав. кафедрой РТЭ,

Чернышев Валерий Михайлович, кандидат технических наук, доцент ФГОУ ВГ Новороссийский Морской университет им. Адмирала Ф. Ф. Ушакова

Ведущая организация ОАО «ФНПЦ «Нижнегородский научно-исследовательский приборостроительный и статут «КВАРЦ» им. А. П. Горшкова» Защита диссертации состоится « 20» сентября 2012 года в 14 часов 20 мин. в а; дитории Д-406 на заседании диссертационного совета Д 212.208.20 при Федерально государственном автономном образовательном учреждении высшего профессионал ного образования «Южный федеральный университет» в Технологическом институте ЮФУ по адресу: пер. Некрасовский, 44, г. Таганрог, Ростовская область, ГСП — 17А, 347928. С диссертацией можно ознакомиться в Зональной научной библиотеке Южного федерального университета по адресу: ул. Пушкинская, 148, г. Ростов-на-Дону, 344065.

Автореферат разослан июля 2012 г.

Учёный секретарь

диссертационного совета Д212.208.20 кандидат технических наук, дог/ент

В. В. Савельев

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы В процессе развития техники СВЧ и повышения требований к электрическим характеристикам СВЧ устройств, актуальной является проблема повышения точности измерений их электрических параметров. Поэтому при разработке, создании и промышленном выпуске радиоэлектронных средств, содержащих СВЧ-устройства, необходимо иметь приборы, позволяющие достаточно точно измерять их основные электрические параметры, такие как модуль и фазу коэффициента передачи, S — параметры в диапазоне частот (в панораме), то есть их амплитудно-частотные и фазочастотные характеристики. Измерители параметров коэффициентов передачи и отражения СВЧ — устройств с семидесятых годов двадцатого века разделились на две группы приборов: одна — измерители скалярных параметров СВЧ — устройств, другая — векторные анализаторы цепей. Парк таких измерителей весьма широк. Их выпускают фирмы Anritsu, Agilent Technologies, Rohde & Schwarz и ряд других более мелких фирм. Панорамные измерители скалярных параметров СВЧ — устройств их коэффициентов передачи и отражения наиболее распространённый тип СВЧ — радиоизмерительных приборов, имеют ограниченный динамический диапазон измерений и умеренную точность. Однако благодаря этому они обладают малыми весога-баритными характеристиками, просты и удобны в эксплуатации.

Векторные панорамные измерители комплексных коэффициентов передачи и измерители S — параметров четырёхполюсников СВЧ имеют максимально широкий динамический диапазон измеряемых величин и весьма высокую точность измерений, но сложны в эксплуатации, обладают большими весогабаритными характеристиками и относительно дороги.

Развитие электронных средств вооружения, навигации и космической техники, работающих только в диапазоне СВЧ, приводит к необходимости постоянного расширения пределов измерений их электрических параметров и повышения точности. Внедрение в средства измерений микропроцессоров и контроллеров для производства и обработки измерений делает процесс улучшения их параметров непрерывным и актуальным.

В последнее время остро обозначилась проблема создания метрологических эталонных мер холостого хода (XX), короткого замыкания (КЗ) и согласованной нагрузки

(СН) с целью замены ими созданных ещё в шестидесятых годах прошлого века аналогичных эталонных мер, которые по точности их аттестации и конструктивным парг метрам не отвечают требованиям к эталонным мерам для проверки устройств СВ принятым на вооружение.

Аналогичные меры используют при аттестации собственных погрешностей изм< рителей Б — параметров. Неточности определения коэффициентов отражения этих ме полностью определяют погрешности, которыми обладают эти измерения. Отсюда ак туальной является задача поиска путей снижения погрешностей измерений панорам ными измерителями 8 — параметров или, как их ещё называют, анализаторами цепей з счёт повышения точности определения их собственных Б — параметров и поиска опти мальных схем их построения. Решению вышеперечисленных задач и посвящена дан ная диссертационная работа.

Объектом исследований являются устройства для измерения параметров — изме рители коэффициентов передачи и отражения четырёхполюсников СВЧ.

Предметом исследований являются способы повышения точности и расширения динамического диапазона устройств, для измерения параметров — коэффициентов передачи и отражения четырёхполюсников СВЧ

Цель исследований состоит в поиске методов повышения точности определения коэффициентов передачи и отражения измерителями параметров испытуемых четырёхполюсников СВЧ при одновременном расширении динамического диапазона измеряемых ими комплексных коэффициентов передачи.

Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи:

1. Разработать и исследовать аналитическую модель панорамного измерителя параметров: скалярных коэффициентов передачи и отражения четырёхполюсников СВЧ с целью определения причин, ограничивающих динамический диапазон измеряемых ими амплитуд сигналов и влияющих на точность их измерений.

2. Провести анализ измерительного фазового моста СВЧ измерителя параметров комплексных коэффициентов передачи четырёхполюсников СВЧ, для определения путей и методов расширения их пределов и снижения погрешностей измерений.

3. Исследовать измерители Б-параметров четырёхполюсников СВЧ использующих рефлектометры с целью выявления причин, определяющих пределы и погрешности их измерений.

4. Исследовать влияние амплитудно-фазовой погрешности на точность измерения модуля и фазы коэффициентов передачи и отражения четырёхполюсников СВЧ.

5. Провести анализ влияния погрешностей аттестации собственных Б — параметров измерителя комплексных коэффициентов передачи и отражения четырёхполюсников СВЧ на его точность.

6. Выполнить поиск и исследование методов повышения точности измерителя 8 — параметров испытуемых четырёхполюсников СВЧ за счёт снижения погрешностей аттестации его входных портов.

Результаты, выносимые на защиту:

1. Основными причинами, влияющими на динамический диапазон амплитуд панорамных измерителей скалярных коэффициентов передачи и отражения устройств СВЧ, являются шумы и нелинейность вольтамперной характеристики его детекторных диодов, а погрешность таких измерений определяют развязки по испытательному сигналу между выходами его измерительных СВЧ мостов.

2.Найден новый способ расширения динамического диапазона амплитуд панорамного измерителя, скалярных коэффициентов передачи и отражения, основанный на аппроксимации его детекторной характеристики степенными уравнениями методом выбранных точек и разработан новый измеритель, реализующий этот способ.

3.В результате анализа измерительного фазового моста СВЧ, выявлены причины ограничивающие , пределы и погрешности измерений устройства для измерения комплексных коэффициентов передачи четырёхполюсников СВЧ.

4. Проведен анализ направленного графа рефлектометров, используемых в измерителе Б-параметров четырёхполюсников СВЧ, в результате чего определены пределы и погрешности их измерений.

5.Найден новый способ устранения влияния амплитудно-фазовой погрешности на результаты измерений четырёхполюсников СВЧ, создан новый измеритель, реализующий этот способ.

6. Разработана новая методика определения численных величин собственных 8-параметров измерителя модуля и фазы коэффициентов передачи и отражения уст ройств СВЧ в условиях априорной вероятности нестабильности контактов присоеди нительных разъёмов его входных портов.

Научная новизна:

1. Разработан метод математического анализа структурных схем построения па норамных измерителей скалярных коэффициентов передачи и отражения устройст СВЧ.

2. Предложен новый способ расширяющий динамический диапазон измеряемы; амплитуд и повышающий точность их измерений скалярным измерителем коэффициентов передачи и отражения устройств СВЧ, основанный на аппроксимации его детекторной характеристики степенными функциями.

3. Разработан направленный граф измерительного фазового моста СВЧ, позволяющий рассчитывать пределы и погрешности измерений приборами для измерения комплексных параметров четырёхполюсников СВЧ.

4. Проведён анализ направленного графа рефлектометра, применяемого в измерителе Б-параметров, в результате чего получено выражение для расчёта пределов и погрешностей измеряемых с его помощью комплексных коэффициентов передачи испытуемых четырёхполюсников СВЧ.

5. Предложен новый способ исключения влияния амплитудно-фазовой погрешности на результаты измерений комплексных коэффициентов передачи и отражения четырёхполюсников СВЧ.

6. Выполнен анализ влияния погрешностей аттестации собственных 8-параметров измерителя комплексных характеристик четырёхполюсников СВЧ, на основе которого, разработан новый способ расчёта численных величин собственных 8-параметров, повышающий точность измерений в условиях априорной вероятности нестабильности контактов присоединительных разъёмов входных портов измерителя 8-параметров.

Методы исследовании, применяемые в процессе выполнения работы, включают в себя анализ цепей СВЧ методом линейных электрических цепей применительно к диапазону СВЧ, метод направленных графов цепей СВЧ, метод анализа цепей СВЧ матрицами передачи и рассеяния, способы аппроксимации вольтамперных характери-

стик нелинейных элементов кусочно-ломаной прямой, степенными функциями методом выбранных точек, метод наименьших квадратов. Для достижения поставленных задач использовано компьютерное моделирование, программа МаЛСАБ 14.0, методы численного анализа.

Апробация диссертационной работы. Результаты исследований докладывались

на:

1. Седьмой всероссийской научно-технической конференции «Метрологическое обеспечение обороны и безопасности в Российской Федерации», Поведники Московской обл., 21 — 23 октября 2008 г.

2. XV Международной научно-технической конференции «Радиолокация, навигация, связь», Воронеж, 2009 г.

3. Международной научной конференции «Излучение и рассеяние электромагнитных волн», Таганрог — Дивноморское, 2009 г.

4. XVI Международной научной конференции «Радиолокация, навигация, связь», Воронеж, 2010 г.

5. XVII Международной конференции «Радиолокация, навигация, связь», Воронеж, 2011 г.

6. XVI Международной конференции «Излучение и рассеяние электромагнитных волн», Таганрог — Дивноморское, 2011 г.

Публикации. Основные результаты исследований опубликованы в трёх статьях журналов, включённых в список ВАК, одна из них без соавторов лично диссертантом, по результатам выполненных исследований получены три патента РФ на способ и два патента на устройство.

Личный вклад автора. Автор самостоятельно выполнил все этапы диссертационного исследования: провёл анализ проблемы, постановку задач, проведение научных исследований и экспериментов. Автором предложены структурные схемы построения устройств по двум патентам, натурные испытания которых проведены лично им.

Структура и объём диссертации. Диссертация состоит из введения, трёх разделов, заключения, списка используемой литературы из 82 наименования и двух приложений.

Общий объём диссертации — 192 страниц, включая 48 рисунков и 162 формулы.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении определены области применения материалов диссертации, направления исследований и пути их решения, показана новизна диссертационной работы, новизна полученных решений и их практическая применимость, определены положения выносимые на защиту, степень достоверности полученных результатов и сведения об их практическом внедрении в промышленность.

В первом разделе рассмотрены принципы построения панорамных измерителей скалярных параметров СВЧ — устройств. На основании электрической схемы измерительного моста панорамного измерителя скалярных величин коэффициентов передачи и отражения приведённой на рисунке 1 и разработанного на её основе направленного графа представленного на рисунке 2, проведён анализ причин ограничивающих пределы измерений и снижающих их точность.

В схеме на рисунке 1 резисторы Zl=Z2=Zз=Z4 имеют комплексный характер Ъг — внутренне комплексное сопротивление генератора СВЧ, Е испытательных сигналов, а Zo — опорное сопротивление, Zx — сопротивление испытуемого устройства СВЧ. Анализ схемы рисунка 1 и направленного графа на рисунке 2, показал, что частотный и динамический диапазон измеряемых параметров ограничивается там, где начинают проявляться реактивности резисторов Ъ\, 7.2, Zз, Поэтому измерительный мостпри оптимальной конструкции обладает наибольшей широкополосностью. Анализ графа

2

Г

Рисунок 1 — Электрическая схема моста

Рисунок 2 — Направленный граф моста

на рисунке 2 позволил получить выражения связывающее измеряемое напряжение их на резисторе с коэффициентом отражения испытуемого устройства Гх . Проведённый анализ показал, что основными источниками погрешностей являются ненаправленность измерительного моста и рассогласование генератора СВЧ испытательных сигналов с коэффициентами отражений измерительных портов моста. . На основании графа на рисунке2 получена формула (1) для величины напряжения снимаемого с детектора измерительного моста при измерениях коэффициента передачи испытуемого четырёхполюсника:

Лс^г.зз

из которой следует, что основная погрешность измерений возникает из-за рассогласования между генератором испытательных сигналов и испытуемым устройством СВЧ . Из неё же в частности видно, что погрешность измерений будет существенно меньше при симметрии плеч моста, а значит и малом набеге фазы комплексной передачи Б31е-1’Рз1. Отсюда следует вывод, что, чем меньше геометрические размеры измерительного моста, тем меньше паразитный набег фазы и следовательно выше точность измерений. Выполненный анализ показал, что нижний предел динамического диапазона измеряемых амплитуд испытательных сигналов ограничивают шумы детектора измерительного моста. Главным фактором, ограничивающим динамический диапазон измерителя скалярных параметров сверху выступает его погрешность из за неквадра-тичности детектора измерительного моста для больших уровней испытательных сигналов составляющие, как правило, единицы милливатт, да и то с применением специальных корректирующих устройств .

На основании проведенного анализа предложен новый способ (патент № 2365927)расширения динамического диапазона измерителя коэффициентов передачи и отражения устройств СВЧ отличающийся большим динамическим диапазоном измеряемых амплитуд и большей точностью измерений, чем известные. Способ основан на аппроксимации нелинейного участка детекторной характеристики приведенной на рисунке 3, и представляющей зависимость амплитуды выходного напряжения детектора измерительного моста от уровня мощности сигнала СВЧ на его входе- прямой линией. Для её получения конкретный полупроводниковый диод детектора измери-

тельного моста подвергают калибровке. С этой целью на его вход подают различные уровни мощности зондирующего сигнала СВЧ, лежащие в пределах его нелинейност] от минимальной соответствующего квадратичному участку ВАХ детекторного диод; величиной около 10~5Вт, до максимально допустимого для применяемого диода, и фиксируют уровни продетектированных напряжений на нагрузке детектора в вольтах. По полученным данным строят детекторную характеристику. За тем на нелинейном участке этой детекторной характеристики в соответствии с методом выбранных точек, выбирают точки-узлы интерполяции а, Ь, с, и <1, для её аппроксимации в каждой из которых составляют степенные уравнения в виде многочлена приведенного на рисунке 4. Решая такую систему уравнений относительно коэффициентов а, Ъ, с, с1 находят их численные величины, которые затем используют для построения детекторной характеристики конкретного детекторного диода которую затем применяют при приизмере-ниях испытуемых четырёхполюсников, четырёхполюсников СВЧ. Этот способ позволил реализовать динамический диапазон амплитуд в 80 дБ и точность измерения 0,01 дБ.

I

И1

1-10- 1-10- 1-10- 110-

11111

0,01 г„ [«Вт]

аи0+Ьи1+си1+ = и(Р0) аих + Ш,2 + с£/,3 + Л/,4 = и{Р1) аи2+ЪЩ + си\ + ¿и\ = и(Р2) аиъ+Ъи1+ си\ + Л/34 = и{Рг)

Рисунок 3 Детекторная характеристика

Рисунок 4 Степенные уравнения

На базе найденного способа разработана новая схема построения (патент № 2364877) панорамного измерителя скалярных коэффициентов передачи и отражения, который реализуется путём включения в состав панорамного измерителя калибровочного гене-

ратора зондирующих сигналов и набора аттенюаторов с эталонными ослаблениями с помощью которых и реализуют выбранные точки аппроксимации.

В выводах по первой главе диссертации содержатся сведения о достижениях существенного улучшения эксплуатационных параметров панорамных измерителей скалярных коэффициентов передачи и отражения устройств СВЧ полученные в результате проведённых исследований.

Во второром разделе исследованы методы построения измерителей комплексных коэффициентов передачи и отражения четырёхполюсников СВЧ. На основании структурной схемы построения измерителя комплексных коэффициентов передачи испытуемых четырёхполюсников СВЧ, состоящей из двухчастотного генератора испытательных сигналов СВЧ, охваченных системой фазовой автоподстройки частоты (ФАПЧ), измерительного фазового моста, делящего испытательный сигнал на измерительный и опорный каналы и двухканального супергетеродинного приёмника с фазо-чувствительным индикатором отношений сигналов измерительного и опорного каналов, разработан направленный граф приведенный на рисунке 5 в котором, ГКЧ-1 и ГКЧ-2 генераторы качающей частоты образующие двухчастотный генератор испытательных сигналов СВЧ с частотами coi и сс>2, [НО-1] и [НО-2] направленные ответвите-ли системы ФАПЧ, со смесителем [См1 ФАПЧ].1 и ¿7″. Анализ графа на рис. 5 измерительного фазового моста анализ показал, что главными факторами, ограничивающими динамический диапазон измеряемых коэффициентов передачи, является прохождение паразитных сигналов по каналам гетеродина связывающего смесители супергетеродинного приёмника. Паразитные связи не позволяют реализовать динамический диапазон больше 60 дБ. С целью устранения этой причины, предложена схема активной развязки «усилитель — аттенюатор» приведенная fia рисунке 6 в которой роль невзаимных развязывающих устройств выполняют усилители

-80дБ

ЮдБ

ЮдБ

Q-o

о

ЗдБ

Рисунок 6— Структурная схема активной развязки «усилитель — аттенюатор

СВЧ и резистивные аттенюаторы, включённые последовательно в количестве необходимом для обеспечения развязки. Такие системы включаются в качестве противоположных плеч трактов СВЧ связывающих выходные разъёмы делителя сигналов Д2 с гетеродинными входами смесителей СВЧ измерительного и опорного каналов, что позволяет достигнуть динамический диапазон в 108 дБ.

Однако измеритель комплексных коэффициентов передачи на основе измерительного фазового моста не может проводить измерения комплексных коэффициентов отражения из-за отсутствия в нём узлов выделяющих отражённый сигнал типа направленного ответвителя.

. Для этих целей применяют измерители S-параметров которые позволяют определять все четыре параметра матрицы рассеяния испытуемого четырёхполюсника СВЧ. В диссертации была исследована структурная схема измерителя S-параметров состоящего из двухчастотного генератора испытательных сигналов СВЧ, двух рефлектометров, векторного вольтметра входы которого соединены с выходами вторичных каналов направленных ответвителей рефлектометров, испытуемого четырёхполюсника СВЧ и переключателя меняющего направление подачи испытательного сигнала на его входы .Процесс определения коэффициентов передачи испытуемого четырёхполюсника СВЧ в измерителе S-параметров может быть представлен произведением собственных матриц рассеяния его входных портов (ш1)-[5′»‘], (;n2)-[.s,, + s2lr2sl4

которая позволяет рассчитывать требования к собственным параметрам рефлектомет ра и пути снижения погрешности измерений.

Разработана и исследована структурная схема векторного вольтметра, измерител амплитуды и фазы испытуемого четырёхполюсника СВЧ, в том числе при измерени его S-параметров, который работает на основе выборок из сигналов взятых за один и период с помощью АЦП и показано, что при таком методе измерений достигаете точность 0,003 дБ по амплитуде и 0, 002 0 по фазе.

и>

Рисунок 7- Ориентированный граф рефлектометра в режиме измерения коэффициентов отражения.

Результаты измерений комплексных коэффициентов передачи и особенно отражения испытуемых четырехполюсников СВЧ существенно искажаются амплитудно-фазовыми погрешностями измерителя 8-параметров и особенно сильно его собственными (внутренними) Б-параметрами.

Поэтому в третьем разделе рассмотрены способы повышения точности измерений Б-параметров измерителя комплексных коэффициентов передачи и отражения четырёхполюсников СВЧ.

Предложен новый способ снижения амплитудно-фазовой погрешности (патент №2377591) состоящий в том, что динамический диапазон амплитуд испытательных сигналов СВЧ делят на равные по величине динамические поддиапазоны, в которых амплитудно-фазовая погрешность не проявляется и которые реализуют с помощью дискретно переключаемых операционных усилителей, коэффициенты усиления в которых автоматически изменяют переключением резисторов в цепях их обратных связей вслед за изменением пределов измерений. На базе нового способа аттестации амплитудно-фазовой погрешности разработана новая структурная схема устройства для измерения комплексных коэффициентов передачи четырёхполюсников СВЧ, в которой отсутствуют амплитудно-фазовые погрешности (патент № 2377583)

Главной и основной погрешностью имеющей место быть в измерителях комплексных коэффициентов передачи и отражения четырёхполюсников СВЧ, в том числе и в измерителях 8- параметров является ошибка возникающая в них за счёт присутствия в результатах измерений их собственных Б-параметров особенно параметров

входных разъёмов, которые надо учитывать. Проведенные исследования позволили найти новый способ [6] аттестации собственных 8-параметров с помощью этало ных нагрузок КЗ, XX, СН и эталонной меры волнового сопротивления (МВС), предп лагающий представление погрешностей измерений в виде отдельной теоретическ< матрицы рассеяния содержащей только погрешности аттестации эталонных мер К XX и СН постоянно включённой между входным портом измерителя и измеряемь: объектом численное определение элементов которой и их учёт позволяет повыси точность измерений. Этот же способ позволил существенно повысить точность атт стации самих эталонных мер КЗ, XX и СН требуемую для их применения в качест] эталонов для проверки новых устройств СВЧ

В заключении сформулированы основные научные и практические результат диссертационной работы.

В приложении 1 приведён общий вид, технические характеристики и структу] ная схема измерителя КСВН и ослаблений Р2-142, разработанного на основании р зультатов диссертационной работы.

В приложении 2 приведён общий вид, технические характеристики и структу] ная схема измерителя Б-параметров РК4-73 разработанного на основании результате диссертационной работы.

Основные результаты работы:

1. Проведены исследования методов расширения динамического диапазона аи плитуд и путей повышения точности измерений панорамных измерителей скалярны коэффициентов передачи и отражения четырёхполюсников СВЧ в результате которы выявлены оптимальные пути решения этих задач.

2 Найден новый способ расширения динамического диапазона амплитуд пан< рамного измерителя скалярных коэффициентов передачи и отражения, основанный и аппроксимации его детекторной характеристики степенными уравнениями методо выбранных точек и разработан новый измеритель реализующий этот способ, позве ляющий получить динамический диапазон амплитуд до 80 дБ и точность измерени достигающую ± 0,01 дБ.

3. Проанализированы причины возникновения погрешностей измерений в устроР ствах для измерения комплексных коэффициентов передачи четырёхполюсников СВ1

одновременно ограничивающих динамический диапазон измеряемых амплитуд сигналов в результате чего предложено схемотехническое решение позволяющее увеличить динамический диапазон амплитуд до 100 и более децибел

.4. Исследован измеритель Б-параметров четырёхполюсников СВЧ использующих рефлектометры с целью выявления причин, определяющих пределы и погрешности их измерений.

5. Проведен анализ направленного графа рефлектометров, используемых в измерителе Б-параметров четырёхполюсников СВЧ, в результате чего определены пределы и погрешности их измерений.

5.Найден новый способ устранения влияния амплитудно-фазовой погрешности на результаты измерений четырёхполюсников СВЧ создан новый измеритель реализующий этот способ..

6. Разработана новая методика определения численных величин собственных Б-параметров измерителя модуля и фазы коэффициентов передачи и отражения устройств СВЧ в условиях априорной вероятности нестабильности контактов присоединительных разъёмов его входных портов, позволяющая повысить точность измерений.

7. В результате проведенных исследований разработаны и серийно выпускаются измерители КСВН и ослаблений Р2-132, Р2-142 и измерители Б-параметров РК4-71, РК4-73, внешний вид и характеристики которых приведены в приложении.

Основные результаты, полученные в диссертации, изложены в следующих публикациях:

1. Астафьев Ю. Г., Конышев А. В., Мильченко Д. Н., Шевченко И. Н. Системы средства метрологического обеспечения эталонных и рабочих средств измерения п раметров СВЧ трактов //. Доклад «Метрологическое обеспечение обороны и безопа ности в Российской Федерации». Материалы седьмой всероссийской научн технической конференции. — Поведники, Московская обл., 21-23 октября 2008 г.

2. Патент РФ на изобретение№2377591. Астафьев Ю. Г., Короткое К. С., Мил ченко Д. Н., Шевченко И. Н. Способ аттестации амплитудно-фазовой погрсшнос устройств, для измерения комплексных коэффициентов передачи и отражения чет! рёхполюсников СВЧ. — Опубликовано 27.12.2009г. Бюл.№36.

3. Патент РФ на изобретение №2377583. Астафьев Ю. Г., Короткое К. С., Мил ченко Д. Н., Шевченко И. Н. Устройство для измерения комплексных коэффициенте передачи и отражения четырёхполюсников СВЧ. — Опубликовано 27.12.2009 Бюл.№29.

4. Патент РФ на изобретение№2365927. Астафьев Ю. Г., Короткое К. С., Мил] ченко Д. Н., Шевченко И. Н. Способ определения амплитудно-частотных характер] стик четырёхполюсника СВЧ. — Опубликовано 27.08.2009г. Бюл.№24.

5. Патент РФ на изобретение №2364877. Астафьев Ю. Г., Короткое К. С., Мил: ченко Д. Н., Шевченко И. Н. Устройство для измерения амплитудно-частотных xapai теристик четырёхполюсников СВЧ. — Опубликовано 20.08.2009г. Бюл.№23.

6. Решение о выдаче патента на изобретение по заявке № 2011119094/28 (0282 Ь от 12.05.2011. Короткое К.С, Левченко А.С, Мильченко Д.Н, Шевченко И.Н. Спосс аттестации собственных S-параметров устройств, для измерения комплексных коэс] фициентов передачи и отражения четырёхполюсников СВЧ. G01R 27/28(2006.01).

7. Короткое К. С., Мильченко Д. Н. Пути повышения измерительных характер! стик устройств, для определения коэффициентов передачи четырёхполюсников СВЧ. «Радиолокация, навигация, связь»: Материалы XV международной паучж технической конференции. — Воронеж 2009г. Том 1 с.605 — 610.

8. Короткое К. С., Мильченко Д. Н. Анализ путей улучшения характеристик уст ройств, для измерения коэффициентов передачи четырёхполюсников СВЧ и новы

19

пособ их определения. // «Излучение и рассеяние электромагнитных волн»: Материа-[Ы Международной научной конференции. — Таганрог — Дивноморское, июнь — июль :009г. с.326 — 330.

9. Короткое К. С., Мильченко Д. Н. Особенности применения рефлектометров (ля измерения комплексных коэффициентов передачи и отражения четырёхполюсни-:ов СВЧ. // «Излучение и рассеяние электромагнитных волн»: Материалы Междуна-юдной научной конференции. — Таганрог — Дивноморское, июль 2011г. с.326 — 330.

10. Гатченко М. А., Левченко А. С., Мильченко Д. Н. Особенности измерения параметров с помощью рефлектометров в диапазоне СВЧ. // Экологический вестник научных центров ЧЭС, 2010, №3. — с. 20 — 24.

11. Короткое К. С., Мильченко Д. Н., Цветаш Я. Ю. Некоторые особенности расчёта волноводных направленных ответвителей.// «Радиолокация, навигация, связь»: Материалы XVII Международной научно — технической конференции. — Воронеж 2011г, Том 2. — с. 1661 — 1667.

12. Короткое К. С., Мильченко Д. Н. Особенности применения рефлектометров для измерения комплексных коэффициентов передачи и отражения четырёхполюсников СВЧ // «Радиолокация, навигация, связь»: Материалы XVII Международной научно — технической конференции. — Воронеж 2011г, Том 2. — с. 1657- 1660.

13. Короткое К. С., Мильченко Д. Н. Особенности измерителей, использующих рефлектометры для определения Б-параметров четырёхполюсников СВЧ. // Телекоммуникации, 2011, № 9.

14. Мильченко Д. Н. Способ аттестации собственных Б- параметров анализатора цепей СВЧ. // Экологический вестник научных центров Черноморского экономического сотрудничества, 2012, № 1. — с. 21 — 26.

Заказ № Тираж 100 экз.

350040, г. Краснодар, ул. Ставропольская, 149, Центр «Универсервис», тел. 21-99-551

S2-LP — Высокопроизводительный трансивер со сверхнизким энергопотреблением и частотой менее 1 ГГц

MAIA

Активный

Беспроводной шлюз M-Bus / NB-IoT.

Компоненты и модули WEPTECH электроник MAIA

Описание:

Беспроводной шлюз M-Bus / NB-IoT.

RC-S2LP-XXX

Активный

RC-S2LP-434, RC-S2LP-868, RC-S2LP-915 Маломощный суб 1 ГГц Многоканальные радиоприемопередающие модули

Компоненты и модули Радиоуправление RC-S2LP-XXX

Описание:

RC-S2LP-434, RC-S2LP-868, RC-S2LP-915 Модули многоканальных радиоприемопередатчиков с малым энергопотреблением sub 1 ГГц

RC-S2LP-XXX-HA

Активный

RC-S2LP-868-HA, RC-S2LP-915-HA, модули многоканальных радиоприемопередатчиков сверхнизкого энергопотребления, суб 1 ГГц

Компоненты и модули Радиоуправление RC-S2LP-XXX-HA

Описание:

RC-S2LP-868-HA, RC-S2LP-915-HA, модули многоканальных радиоприемопередатчиков сверхнизкого энергопотребления с частотой менее 1 ГГц

RC-SPIRIT2-XXX

Активный

RC-SPIRIT2-433, RC-SPIRIT2-868, модули многоканальных радиоприемопередатчиков сверхнизкого энергопотребления с частотой 1 ГГц

Компоненты и модули Радиоуправление RC-SPIRIT2-XXX

Описание:

RC-SPIRIT2-433, RC-SPIRIT2-868, модули многоканальных радиоприемопередатчиков сверхнизкого энергопотребления суб 1 ГГц

Радиочастотные модули

Активный

ВЧ-модулей для субгигагерц и Bluetooth.

Компоненты и модули DiZiC Радиочастотные модули

Описание:

Радиочастотные модули для Sub GigaHz и Bluetooth.

SIGFOX-MOD1-C / -E

Активный

SIGFOX-MOD1 — это модули со сверхнизким энергопотреблением, разработанные специально для приложений сенсорных узлов, установленных с чип-антенной.

Компоненты и модули XoverIoT SIGFOX-MOD1-C / -E

Описание:

SIGFOX-MOD1 — это модули со сверхнизким энергопотреблением, разработанные специально для приложений сенсорных узлов, установленных с чип-антенной.

SIGFOX-MOD2-C / -E

Активный

SIGFOX-MOD2 — это модули со сверхнизким энергопотреблением только для восходящего канала, разработанные специально для приложений сенсорных узлов, использующих протоколы Sigfox, subGHz и проприетарные протоколы.

Компоненты и модули XoverIoT SIGFOX-MOD2-C / -E

Описание:

SIGFOX-MOD2 — это модули со сверхнизким энергопотреблением только для восходящего канала, разработанные специально для приложений сенсорных узлов, использующих протоколы Sigfox, subGHz и проприетарные протоколы.

ЛЕБЕДЬ2

Активный

Беспроводной шлюз M-Bus / NB-IoT.

Компоненты и модули WEPTECH электроник ЛЕБЕДЬ2

Описание:

Беспроводной шлюз M-Bus / NB-IoT.

SensiSUB

Активный

Подключение маломощного РЧ-приемопередатчика SUB 1 ГГц к облаку с полностью настраиваемыми датчиками, 32-битным процессором ARM® Cortex®-M4 и монетным аккумулятором.

Компоненты и модули SensiEDGE SensiSUB

Описание:

Подключение маломощного РЧ-трансивера SUB 1 ГГц к облаку с полностью настраиваемыми датчиками, 32-битным процессором ARM® Cortex®-M4 и монетным аккумулятором.

Список поставщиков S2L60, S2L-60, S2L / 60, S2L60U, S2L60-5000, S2L60-4000

Каталожный номер
Дистрибьютор Наличие DC Производитель Описание

S2L60

84210 12

5000

50050 SHINDENGE DO-15

56820 . SHINDENGE

65900 16 SHINDENGE DO-15

23000 DAA Н / Д

22500 12PB AcO AX10

170465 SHINDENGEN DO-15 — 0,18

113400 2020 SHINDENGEN / AcO DIP2

16200 10 SHINDENGEN DIP2

50050 2012 SHINDENGEN

С2Л-60

180 99

193 99

S2L / 60

84210 12

23000 SHINDENGEN НЕТ

С2Л60У

84210 12

5000

38500 15/16 SHINDENGEN / BL DO-15 (AX14)

23000 DAA Н / Д

0

С2Л60-5000

70 05 SHINDENGE DO-15

2500 2012 RoHS SHINDENGE

104 новые Shindengen Диоды — общего назначения, силовые, коммутационные, высокое напряжение

10000 SHINDENGEN NA

С2Л60-4000

336 05 SHINDENGEN AX10

336 05 SHINDENGE AX10

336 2012 SHINDENGEN

С2Л60-4004-П20

84210 12

2525 1998 Shindenge

2525 2021 Shindenge

С2Л60-4004П15

84210 12

6570 SHINDENGEN DO15

3200 05 SHINDENGE DO-15

С2Л60-5001П15

200 11 SHINDENGEN DO-15

200 11 SHINDENGE DO-15

200 2012 SHINDENGEN

S2L60-5003P15

248 10 SHINDENGEN DO-15

248 10 SHINDENGE DO-15

248 2012 SHINDENGEN

S2L60-5004P15

300 08 SHINDENGEN AX10

300 08 SHINDENGE AX10

300 2012 SHINDENGEN

С2Л60-5060

5000 10 SHINDENGE

0 Shindengen Выпрямители VRM = 600 IFSM = 50

0 новые Shindengen Диоды — общего назначения, силовые, коммутационные VRM = 600

С2Л60-7000

1900 13 SHINDENGE DO-15

1900 13 SHINDENGE DO-15

1900 2012 SHINDENGEN

С2Л60-4060

0 Shindengen Выпрямители VRM = 600 IFSM = 50

0 новый Shindengen Выпрямители VRM = 600 IFSM = 50

С2Л60-4061

0 Shindengen Выпрямители VRM = 600 IFSM = 50

0 новый Shindengen Выпрямители VRM = 600 IFSM = 50

С2Л60-5001П12.5

600 13 SHINDENGEN DO-15

600 2012 SHINDENGEN

С2Л60-5002П7.5

6570 SHINDENGEN DO15

2600 2012 SHINDENGEN

S2L60 600 В 1.5A

4583 SINDENGEN

S2L60F

STPS2L60A

55120 ST IC2world.com

83500 STM

26800 ST SMA

498101 12

99800 2017PB STMicroec SMA

ST SMA

41000 2017 ST SMA

25604 1746 СТО SMA

20363 новый STMicroelectronics Диоды и выпрямители Шоттки 2.0 А 60 Вольт

6506 СТ МИКРОЭЛЕКТРОНИКС

30000 2018 СТ

40000 2020 СТ DO-214A

105350 20PB VISHAY DO-214AC

30000 2019 ST SMA

5800 16 ST SMA

3189 14 ST SMA

5000 STMicroelectronics Диоды и выпрямители Шоттки 2.0 А 60 Вольт

43865 STMicroelectronics ДИОД SCHOTTKY 60V 2A SMA

20000 STM

5000 11 СТ DO-214A

5000 2021 ST

60110 2019 STMicroelectronics ДИОД SCHOTTKY 60V 2A SMA

30000 2021 STMicroelectronics ДИОД SCHOTTKY 60V 2A SMA

STPS2L60RL

498101 12

5000

55400 07PB STM 1A

SGS SOD

42000 07 СТ DO-41

12000 07 СТ DO-41

27853 07 СТ DO-41 — 0,22

8000 07 ST

25000 2019 СТ DO-41

80000 07 СТ DO-41

160000 STMicroelectronics DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO41

10932 STMicroelectronics DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO41

43328 2021 STMicroelectronics

25110 2019 STMicroelectronics ДИОД SCHOTTKY 60V 2A DO41

30000 2021 STMicroelectronics ДИОД SCHOTTKY 60V 2A DO41

STPS2L60UF

110 0903 ST SMD

498101 12

8000 17 STMicroelectronics SMBflat

30823 13 ST SMB

110 0903 ОСТ SMD

2558 new STMicroelectronics Диоды и выпрямители Шоттки Power Schottky Re

29000 2018 СТ

232000 2020 ST SMBflat

350350 20PB VISHAY SMBF

30000 2019 ST SMD

5921 0924 ST SMB

360 STMicroelectronics ДИОД SCHOTTKY 60V 2A SMBFLAT

110 2019 STMicroelectronics ДИОД SCHOTTKY 60V 2A SMBFLAT

30000 2021 STMicroelectronics ДИОД SCHOTTKY 60V 2A SMBFLAT

STPS2L60

498101 12

650 DO-41

33550 2016 Н / Д Оригинал новый

8000 STM

8377 12 СТ DO-41

25604 1746 СТО SMA

5034 новый STMicroelectronics Диоды и выпрямители Шоттки 2.0 А 60 Вольт

51468 2020 ST

84000 20PB ST NA

1425 10 DO-41

645 STMicroelectronics POWER SCHOTTKY RECTIFIER | ДИОД SCHOTTKY 60V 2A D

4110 2019 STMicroelectronics DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO41

30000 2021 STMicroelectronics ДИОД SCHOTTKY 60V 2A DO41

STPS2L60AY

60000 2018 ST SMADO-214AC

34988 1722PBF STM DO-214AC

7667 1620 СТО SMA

7807 новый STMicroelectronics Диоды и выпрямители Шоттки Auto pwr Schottky

51512 2020 ST SMA

70 20PB ST DO-214A

25000 2019 ST DO-214AC

11439 ST SMA

15898 STMicroelectronics Диоды и выпрямители Шоттки Auto pwr Schottky

1 STMicroelectronics ДИОД SCHOTTKY 60V 2A SMA

11329 19 ST SMA

25110 2019 STMicroelectronics ДИОД SCHOTTKY 60V 2A SMA

30000 2021 STMicroelectronics ДИОД SCHOTTKY 60V 2A SMA

STPS2L60ZFY

98252 1812 СТ .

6000 1720 STM SOD-123F

40005 новый STMicroelectronics Диоды и выпрямители Шоттки Automotive low dr

21000 20PB ST Оригинал

3520 1844 ST SOD-123FL

2920 ST SOD-123FL

3110 2019 STMicroelectronics ДИОД SCHOTTKY 60V 2A SOD123F

30000 2021 STMicroelectronics ДИОД SCHOTTKY 60V 2A SOD123F

STPS2L60U

498101 12

10000 2012 СТ DO-214AA

2147483647 2014 СТ DO-214AA

29000 17 ST SMBflat

140350 20PB VISHAY DO-214AA

STPS2L60R

100 1025 ST SOD

30000 07 СТ DO-41

700 2020 ST SOD

STPS2L60BL

25000 04 СТ 2А.600A

0

STPS2L60L

30000 16 СТ DO-41

0

STPS2L60A-TR

STPS2L60AFN

30000 2021 STMicroelectronics 60 В, 2 А НИЗКАЯ МОЩНОСТЬ SCHOTTK

STPS2L60UY

80000 16 ST DO-214AA

Техническое описание Mosfets Prod Guide от Toshiba Semiconductor and Storage

рмснима омыммяйымн.aym yys sums yayyes anm a yes [mmuenyyeyy “msHIam yeseyye me ngny ym вносить изменения m yne ynymyynayymn yn ynys ummuyneyu. Anm Yeyayem Naymuaye smuwaye aym sysyeyns (mmnemyyeyy vndun ywuymuy nmume ) rnys mmmuyneny anm any ynmynyaumn neyeyyy nyay nmy me yemymmumem wunmuy mnmy wnyyen meyynyssymn yymyn msyyymA ayen wyyn rosyyyaAs wnyyen meyynyssymn yemymmumymn ys meynyyssymye mnyy yy yemymuuyaymn ys wyynmuy ayyeyaymnmnyyssmn a rnmumn msyyyaA прогулки cummquy m ynymymye aymuums muanyy anm yeyyamynyy Fmdum mayy ynayyunyaymn my yayy nusmyneys aye yesmmyysymye lur mmynmyyynm wyyn sayeoy syanmayms ayym ymy Dvnvydmg amemuaye mesymyys ayym sayemuayms ymy yneyy naymwaye smnwaye anu sysyenys wnymyy nyynynyme nsk aum aum aymym syyuay yys yn wnymn a ynayyuyymymn my yayyuye my Pm mausemssmynuynan we mmmyyyynyuyy my uanyame m mymmeny mdudmg maya ymss my mmnumymn Eeymyemyeayynm ayym pmducmg mesygnsanmusyng musymyneysynusyaysm yeyeyym ayym mmynmyy W (a) me yayesy yeysymns my au yeyeyany rosHyaA yyyymnnayymn yyymyumynm wunmuy yyynyyaumyy ynys musunyeny yne smemyyymayymns.yne uaya sneeys anm ammyysaumn nmyes ymy Fmdum aym yne myemauyymns anm mmnmyyymns sey ymnn yn yne wosmaA Semmnduclnr Rehzbymy Handbauk ‘anu ymy yne ynsyyumumns ymy yne ammnmayymn may Pmdum my me usem wyyyy my lnr cusymnyeys aye smyeyy yesmmnsymye ymy au asmeays my ynen awn mymmumy uesygn my ammnmayymns. ynmyumyng muy nmy nynyyeu my (a) meyeynyynynm yne ammymmnayeness my me use DI ynys Pvnducl yyy sumn uesygn my ammyyma yys [m eyayuaung anu delemwvmg yne ammyymamyyyoy my ayyy ynymyynayymn mmnyaynem yn ynys mmmunyeny my yyy mnans myamyanys.mymmyayns aymmyyynnys sammye ammyysayymn myeuyys myany myney yeyeyeyymem mmmunyenys anm (my yanu ng an mmeyayynm mayayneyeysymysumn uesymns anu ammnmayymns rosmaA AssuMas N0 uAaImv aon ПОЛЬЗОВАТЕЛЬСКИЙ ДИЗАЙН ПО ПРИМЕНЕНИЮ, ) aymmunysynyenmeuymyuseynmeneyayeyemymnymsammnmaymns (emsmnymuyeys meysmnayemuymnyeny myyymeemuymnyeny yneasunngemuymyneyu.ynmusyyyayymmmy anuyymnyeeyemyymnms ammnanmesy my ymy smemyyym zpphcaouns as exmyessyy syayem yyy ynys ummuyneny Pmducl ys neyyney ynyenuem nmy wayyayuem ymy use yyy emuymnyeny my sysyeyns may yemuyye emanmman‘y nymn yeyeys my quamy anm / my yeyyamynyy anumy a nyauunyaymn my yayyuye my wmm может вызвать ymss my nunyan Iyye.мммйы мун]. senmus mymmeny повредить мой senmus mumnm ynymaya runynyenueu Используйте ‘) Unynyenmem используйте ynmyumes wunmuy yynyyyayymn emuymyneyu usem yn numyeay yamynues. emuymyneny usem yn yne aeymsmame ynmusyyy nyemysay emuymnyeny emuymyneyu usem lnr auymynmmyyes. yyayns snyms anu myney yyansmmnaymn. yyayum symnayynm emuymnyeny emuymyneyu usem ym mmnyymy mmnymusyymns my exmymsymyys salely ueyymes. Eyeyaymys Anm esmayaymys meyymes yeyayeu ym eyemnm mmwey anm emuymnyeny usem yn llnanceale‘a‘ed yyeyms nm nmy use Pmdum luv unynyenmem use uyuess smemyyymany meyynyyyeu yyyynys ummuyneyu ну нмы уйсассейнмые анализировать.levevseaenglneel. айы. ниммый янсяй мой мой Пвндун. когда ты знаешь мой фургон a Fmdum snau nmy me useu ymymy ynmmymmyayeu yyum any mymmumys my sysyeyns wnmse ynanuyayauye use. моя распродажа ys mymnymuem unuey any ammyysamye yaws my yemuyayymns a rne ynymyynayymn mmnyaynem neyeyyy ys myesenyeu myyyy as mumanme ymy Pmdum use ym yesmmyysymymy ys assuynem my rosHyaA lnr ayyy mlnngemem my mayenys my any myney ynyeueyauay mymmeny ngNs мои ynyym мемы могут ynay yesuu yymyn мне использовать мой Pvnducl Nu yymeyyse m any ynyeyyeayuay mymmeny nmny ys myayuem my ynys ummuyneyu.что это за мой yynmyyem мой esymmmey мой myneywyse AESENT A wnmau ПОДПИСАЛ Аонаамам. axoam As paovman IN ma СООТВЕТСТВУЮЩИЕ БАРАНЫ И ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ, или САЛА Для: женщин И МАМА МАКСМУМ anam ДОПУСТИМЫЙ МОЙ ЗАКОН. msmaA m AssuMas Mo UABILIW wyynsoavzk, momma wrmour LIMITATIOM mmnaon consaouayynAIs SPACIAL, ИЛИ СЛУЧАЙНЫЕ УБЫТКИ ИЛИ УБЫТКИ, ВКЛЮЧАЯ убытки, УБЫТКИ или стоны, Убытки или потери, БЕЗОПАСНОСТЬ И УБЫТКУ или НЕТ, И мой msowus Эми И Аи. EkaEss 0R mpuan WAanAunas Ann КОНТАКТЫ, СВЯЗАННЫЕ С 10 ПРОДАЖИ НАС: or paomm.0R maonMAnoN, мама ГАРАНТИИ на общие кобылы oaMananmAaluw, накопить ряд A ОСОБЕННЫЕ кобылы: Acounon или mroauAmM, 0R NONINFRINGEMENL ) om nmy use my myneywyse make ayayyamye Fromm my yeyayem mnwale my yemnnmymmy luv any ynymayy muymmses ynmyumyyym wyynmuy yynyyyayymn lnr yne mesymn ueyeymmnyeny use symmAmyyyng мой ynayyuyamuyynm мой yyumyeay myyenyymay мой mymymmymay weannns my yyyyssyye yemnuymmy mymuuyas [масса mesyyuaumn weammnsy Fmdum anu yeyayeu smyywaye anu yemnnmm nyay меня mmnyymuem под мной японский amyeymn Exchange anu amyeymn name Law мы нас Ewan Amynynysyyaumyy Regmzllnns Expcn anm reaexpcn my Pvndun my yeyayem smuwaye my yemyyymmmy aye syncuy mymnymyyeu excem yn smnymyyanme wyyn an ammyysamye expnn yaws anm yemuyaumns > Пожалуйста, mmyuamy ymuy rosHyaA sayes yemyesenyauye ymy meyayys as m enyyymnyneyuay ynayyeys sumn as me f uHS mmynmayymyyyyy my Pmdum pyease use Fromm yyy smnymnanme wyyn an ammnmamye yaws aym yeguyaumyysynay yemuyaye yne ynmyusmn мое использование мое smnyymuem sumsyanmes ynmyuuynm wunmuy yynyuayymn yne au RDHS nyyemyyye msmaA assuynes nm yyamyyyyyymy maynames my ymsses mmsuynnm as a yesuyy my nmnmmynmyyanse wuyy ammyymamye законы aym yemuyayymns © 2009 мамы янесайямуу eysyaussuyuan EcEnusZA amum uyxysm Du TOSHIBA EORFDRATION U BCEOOBZB

Корпорация Toshiba и ее дочерние и зависимые компании (совместно именуемые «TOSHIBA») оставляют за собой право вносить изменения в информацию в этом документе, а также в соответствующее оборудование, программное обеспечение и системы

(совместно именуемые «Продукт») без предварительного уведомления.

Воспроизведение этого документа и любой информации в нем без предварительного письменного разрешения TOSHIBA запрещено. Даже с письменного разрешения TOSHIBA воспроизведение

разрешено только в том случае, если воспроизведение без изменений / пропусков.

Хотя TOSHIBA постоянно работает над улучшением качества и надежности Продукции, Продукт может работать со сбоями или выходить из строя. Заказчики несут ответственность за соблюдение стандартов безопасности и

за обеспечение надлежащего дизайна и мер безопасности для своего оборудования, программного обеспечения и систем, которые минимизируют риск и избегают ситуаций, в которых неисправность или отказ Продукта

может привести к гибели людей, телесным повреждениям или материальный ущерб, включая потерю или повреждение данных.Перед созданием и изготовлением дизайнов и использованием заказчики должны также ознакомиться с

и соответствовать им (а) последним версиям всей соответствующей информации TOSHIBA, включая, помимо прочего, этот документ, спецификации, спецификации и примечания по применению для продукта

. а также меры предосторожности и условия, изложенные в «Руководстве по надежности TOSHIBA Semiconductor Reliability Handbook» и (b) инструкциях по применению, в котором будет использоваться Продукт

или для которого. Заказчики несут единоличную ответственность за все аспекты дизайна своего собственного продукта или приложений, включая, помимо прочего, (а) определение целесообразности использования

этого Продукта в таком дизайне или приложениях; (b) оценка и определение применимости любой информации, содержащейся в этом документе, или в диаграммах, схемах, программах, алгоритмах

, примерах схем приложений или любых других ссылочных документах; и (c) проверка всех рабочих параметров для таких конструкций и приложений.TOSHIBA НЕ НЕСЕТ ОТВЕТСТВЕННОСТИ

ЗА ДИЗАЙН ПРОДУКТА ИЛИ ПРИМЕНЕНИЯ КЛИЕНТА.

Продукт предназначен для использования в общей электронике (например, компьютеры, персональное оборудование, офисное оборудование, измерительное оборудование, промышленные роботы и бытовая электроника

) или для специальных приложений, как прямо указано в этом документе. Продукт не предназначен и не подлежит использованию в оборудовании или системах, требующих исключительно высокого уровня качества и / или надежности

, и / или неисправность или отказ которых может привести к гибели людей, телесным повреждениям, серьезному ущербу собственности или серьезному ущербу для населения. impact

(«Использование не по назначению»).Непреднамеренное использование включает, помимо прочего, оборудование, используемое на ядерных установках, оборудование, используемое в аэрокосмической промышленности, медицинское оборудование, оборудование

, используемое для автомобилей, поездов, кораблей и других транспортных средств, сигнальное оборудование, оборудование, используемое для контроля возгорания или взрыва, безопасность устройства, лифты и эскалаторы

, устройства, связанные с электроэнергией, а также оборудование, используемое в областях, связанных с финансами. Не используйте Продукт по назначению, если это специально не разрешено в этом документе.

Запрещается разбирать, анализировать, реконструировать, изменять, модифицировать, переводить или копировать Продукт, полностью или частично.

Продукт нельзя использовать или включать в какие-либо продукты или системы, производство, использование или продажа которых запрещены любыми применимыми законами или нормативными актами.

Информация, содержащаяся в данном документе, представлена ​​только в качестве руководства по использованию Продукта. Компания TOSHIBA не несет ответственности за любые нарушения патентов или других прав интеллектуальной собственности третьих лиц, которые могут возникнуть в результате использования Продукта.Настоящий документ не предоставляет никаких лицензий на какие-либо права интеллектуальной собственности, явные или подразумеваемые, в порядке эстоппеля

или иным образом.

ОТСУТСТВУЕТ ПИСЬМЕННО ПОДПИСАННОЕ СОГЛАШЕНИЕ, ЗА ИСКЛЮЧЕНИЕМ, ПРЕДУСМОТРЕННОМ В СООТВЕТСТВУЮЩИХ УСЛОВИЯХ ПРОДАЖИ ПРОДУКЦИИ, И В МАКСИМАЛЬНОЙ СТЕПЕНИ

, ДОПУСТИМОЙ ЗАКОНОДАТЕЛЬСТВОМ, TOSHIBA (1) НЕ НЕСЕТ НИКАКОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТИ, КОТОРОЙ, КОСВЕННО, НЕЗАВИСИМО ОТ ОТВЕТСТВЕННОСТИ. СПЕЦИАЛЬНЫЙ ИЛИ

СЛУЧАЙНЫЕ УБЫТКИ ИЛИ УБЫТКИ, ВКЛЮЧАЯ БЕЗ ОГРАНИЧЕНИЙ, ПОТЕРЮ ПРИБЫЛИ, ПОТЕРЮ ВОЗМОЖНОСТЕЙ, ПРЕРЫВАНИЕ БИЗНЕСА И ПОТЕРЮ ДАННЫХ,

И (2) ОТКАЗЫВАЕТСЯ ОТ ЛЮБЫХ И ВСЕХ ЯВНЫХ ИЛИ ПОДРАЗУМЕВАЕМЫХ ГАРАНТИЙ ИЛИ ПОДРАЗУМЕВАЕМЫХ ПРОДУКТА ИЛИ ИНФОРМАЦИИ, ВКЛЮЧАЯ

ГАРАНТИИ ИЛИ УСЛОВИЯ КОММЕРЧЕСКОЙ ЦЕННОСТИ, ПРИГОДНОСТИ ДЛЯ КОНКРЕТНОЙ ЦЕЛИ, ТОЧНОСТИ ИНФОРМАЦИИ ИЛИ НЕЗАЩИТЫ ОТ ИНФОРМАЦИИ.

Запрещается использовать или иным образом предоставлять Продукт или связанное программное обеспечение или технологию для любых военных целей, включая, помимо прочего, проектирование, разработку, использование,

накопление или производство ядерного, химического или биологического оружия или продуктов ракетной технологии ( оружие массового поражения). Продукт и соответствующее программное обеспечение и технология

могут контролироваться в соответствии с Законом Японии о иностранной валюте и внешней торговле и Правилами экспортного управления США.Экспорт и реэкспорт Продукта или связанного с ним программного обеспечения или технологии

строго запрещены, за исключением случаев соблюдения всех применимых экспортных законов и правил.

Пожалуйста, свяжитесь с торговым представителем TOSHIBA для получения подробной информации по вопросам защиты окружающей среды, например о совместимости продукта с директивой RoHS. Пожалуйста, используйте Продукт в соответствии со всеми применимыми законами и постановлениями

, которые регулируют включение или использование контролируемых веществ, включая, помимо прочего, Директиву ЕС RoHS.TOSHIBA не несет ответственности за

убытков или убытков, возникших в результате несоблюдения применимых законов и правил.

BCE0082B

Предыдущая редакция: BCE0082A

2009-9 (1k) SO-DQ

2009

MOSFETs

2009-9

Веб-сайт: http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng

Semiconductor Company

ЗАРУБЕЖНЫЕ ДОЧЕРНИЕ И ДОЧЕРНИЕ ПРЕДПРИЯТИЯ

Toshiba America

Electronic Components, Inc.

• Главный офис — Ирвин, CA

Тел .: (949)623-2900 Факс: (949)474-1330

• Buffalo Grove (Чикаго)

Тел: (847)484-2400 Факс: (847) 541) -7287

• Дулут, Джорджия (Атланта)

Тел .: (770)931-3363 Факс: (770)931-7602

• Инженерный центр Сан-Хосе, CA

Тел: (408)526-2400 Факс: (408)526-2410

• Wixom (Детройт)

Тел: (248)347-2607 Факс: (248)347-2602

Toshiba Electronics do Brasil Ltda).

Телефон: (011) 2539-6681 Факс: (011) 2539-6675

Toshiba India Private Ltd.

Телефон: (011) 2331-8422 Факс: (011) 2371-4603

Toshiba Electronics Europe GmbH

• Главный офис в Дюссельдорфе

Тел: (0211) 5296-0 Факс: (0211) 5296-400

• Филиал во Франции

Тел: (1) 48-12-48-12 Факс: (1) 48-94 -51-15

• Филиал в Италии

Тел: (039) 68701 Факс: (039) 6870205

• Филиал в Испании

Тел: (91) 660-6798 Факс: (91) 660-6799

• U .K. Филиал

Тел .: (0870) 060-2370 Факс: (01252) 53-0250

• Филиал в Швеции

Тел: (08) 704-0900 Факс: (08) 80-8459

Toshiba Electronics Asia ( Сингапур) Pte. Ltd.

Тел .: (6278) 5252 Факс: (6271) 5155

Toshiba Electronics Service (Thailand) Co., Ltd.

Тел: (02) 501-1635 Факс: (02) 501-1638

Toshiba Electronics Trading (Малайзия) Sdn. Bhd.

• Главный офис в Куала-Лумпуре

Тел: (03) 5631-6311 Факс: (03) 5631-6307

• Офис в Пенанге

Тел: (04) 226-8523 Факс: (04) 226-8515

Toshiba Electronics Philippines, Inc.

Тел .: (02) 750-5510 Факс: (02) 750-5511

Toshiba Electronics Asia, Ltd.

• Главный офис в Гонконге

Тел .: 2375-6111 Факс: 2375-0969

• Офис в Пекине

Телефон: (010) 6590-8796 Факс: (010) 6590-8791

• Офис в Чэнду

Тел: (028) 8675-1773 Факс: (028) 8675-1065

• Офис в Циндао

Тел: (532) 8579-3328 Факс: (532) 8579-3329

Toshiba Electronics Shenzhen Co., Ltd.

Тел: (0755) 2399-6897 Факс: (0755) 2399-5573

Toshiba Electronics (Shanghai) Co ., Ltd.

• Главный офис в Шанхае

Тел .: (021) 6841-0666 Факс: (021) 6841-5002

• Офис в Ханчжоу

Тел: (0571) 8717-5004 Факс: (0571) 8717-5013

• Офис в Нанкине

Тел .: (025) 8689-0070 Факс: (025) 8689-0125

Toshiba Electronics (Dalian) Co., Ltd.

Тел: (0411) 8368-6882 Факс: (0411) 8369-0822

Tsurong Xiamen Xiangyu Trading Co., Ltd.

Тел: (0592) 226-1398 Факс: (0592) 226-1399

Toshiba Electronics Korea Corporation

• Главный офис в Сеуле

Тел: (02 ) 3484-4334 Факс: (02) 3484-4302

• Офис в Тэгу

Тел: (053)428-7610 Факс: (053)428-7617

Toshiba Electronics Taiwan Corporation

• Главный офис в Тайбэе

Тел. : (02) 2508-9988 Факс: (02) 2508-9999

• Офис в Гаосюне

Тел: (07) 237-0826 Факс: (07) 236-0046

(По состоянию на 01 апреля 2009 г.)

% PDF-1.6 % 326 0 объект > 1>] >> / PageMode / UseOutlines / Pages 322 0 R / Type / Catalog >> эндобдж 378 0 объект > поток конечный поток эндобдж 348 0 объект > эндобдж 359 0 объект > эндобдж 322 0 объект > эндобдж 323 0 объект > эндобдж 327 0 объект > / ProcSet [/ PDF / Text / ImageC] / XObject >>> / Rotate 0 / Trans> / Type / Page >> эндобдж 1 0 объект > / ProcSet [/ PDF / Text] >> / Повернуть 0 / Trans> / Type / Page >> эндобдж 3 0 obj > / ProcSet [/ PDF / Text / ImageC] / XObject >>> / Rotate 0 / Trans> / Type / Page >> эндобдж 7 0 объект > / ProcSet [/ PDF / Text] >> / Повернуть 0 / Trans> / Type / Page >> эндобдж 13 0 объект > / ProcSet [/ PDF / Text] >> / Повернуть 0 / Trans> / Type / Page >> эндобдж 15 0 объект > / ProcSet [/ PDF / Text / ImageC] / XObject >>> / Rotate 0 / Trans> / Type / Page >> эндобдж 18 0 объект > / Font> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageC / ImageI] / XObject >>> / Rotate 0 / Trans> / Type / Page >> эндобдж 25 0 объект > / Font> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageC / ImageI] / XObject >>> / Rotate 0 / Trans> / Type / Page >> эндобдж 30 0 объект > / ProcSet [/ PDF / Text] >> / Повернуть 0 / Trans> / Type / Page >> эндобдж 32 0 объект > / ProcSet [/ PDF / Text / ImageC] / XObject >>> / Rotate 0 / Trans> / Type / Page >> эндобдж 35 0 объект > / ProcSet [/ PDF / Text / ImageC] / XObject >>> / Rotate 0 / Trans> / Type / Page >> эндобдж 41 0 объект > / ProcSet [/ PDF / Text] >> / Повернуть 0 / Trans> / Type / Page >> эндобдж 44 0 объект > / ProcSet [/ PDF / Text] >> / Повернуть 0 / Trans> / Type / Page >> эндобдж 47 0 объект > / Font> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageC / ImageI] / XObject >>> / Rotate 0 / Trans> / Type / Page >> эндобдж 61 0 объект > / ProcSet [/ PDF / Text / ImageC] / XObject >>> / Rotate 0 / Trans> / Type / Page >> эндобдж 75 0 объект > / ProcSet [/ PDF / Text / ImageC] / XObject >>> / Rotate 0 / Trans> / Type / Page >> эндобдж 86 0 объект > / ProcSet [/ PDF / Text / ImageC] / XObject >>> / Rotate 0 / Trans> / Type / Page >> эндобдж 94 0 объект > / ProcSet [/ PDF / Text / ImageC] / XObject >>> / Rotate 0 / Trans> / Type / Page >> эндобдж 99 0 объект > / ProcSet [/ PDF / Text / ImageC] / XObject >>> / Rotate 0 / Trans> / Type / Page >> эндобдж 103 0 объект > / ProcSet [/ PDF / Text / ImageC] / XObject >>> / Rotate 0 / Trans> / Type / Page >> эндобдж 107 0 объект > / ProcSet [/ PDF / Text / ImageC] / XObject >>> / Rotate 0 / Trans> / Type / Page >> эндобдж 111 0 объект > / ProcSet [/ PDF / Text] >> / Повернуть 0 / Trans> / Type / Page >> эндобдж 113 0 объект > / ProcSet [/ PDF / Text] >> / Повернуть 0 / Trans> / Type / Page >> эндобдж 116 0 объект >>> / Повернуть 0 / Транс> / Тип / Страница >> эндобдж 117 0 объект > поток H * T0T0

Печатная плата драйвера лазерного диода

Схема драйвера — это схема, которая может соответствующим образом ограничивать величину тока, подаваемого в лазерный диод, чтобы он мог правильно работать.ДИОДНЫЕ ПЛАТЫ ДРАЙВЕРА. Схемы драйверов для лазерных диодов представляют собой либо схемы автоматического регулирования мощности (APC), которые поддерживают постоянную выходную мощность света, либо схемы автоматического регулирования тока (ACC), которые поддерживают постоянный ток. Купить сейчас. Схемы драйверов для лазерных диодов представляют собой либо схемы автоматического регулирования мощности (APC), которые поддерживают постоянную выходную мощность света, либо схемы автоматического регулирования тока (ACC), которые поддерживают постоянный ток.

С выходными токами до ампер драйвер мощного лазерного диода серии LDDHC доступен с 3 уровнями мощности и широким диапазоном согласованных напряжений для печатной платы драйвера лазерного диода.Драйверы непрерывного лазерного диода используются для точного управления оптическим выходом лазерного диода, одновременно защищая печатную плату драйвера лазерного диода от перегрузки по току. Это означает, что если какой-либо переключатель в цепочке блокировки станет ОТКРЫТЫМ, тогда цепь разомкнется, и лазер отключит лазер. Тройник смещения лазерного диода T1G предназначен для наложения тока модуляции на ток питания постоянного тока лазерного диода, тем самым модулируя выходную мощность лазера. Тройник смещения лазерного диода T1G предназначен для наложения тока модуляции на ток питания постоянного тока лазерного диода, тем самым модулируя выходную мощность лазера.Вам нужен драйвер (источник постоянного тока) вместо линейного регулятора на 5 вольт, если вы говорите о голом диоде (а не о модуле, в который включен драйвер). 11 июля · В этом проекте разработана схема драйвера лазерного диода с регулируемым регулятором напряжения LM для управления лазерным диодом 50 мВт красного цвета, нм. .

Извините за столь элементарные вопросы, I. Эти печатные платы драйвера лазерных диодов ни в коем случае не являются стандартами, а просто обобщением, основанным на опыте автора в мире контроллеров лазерных диодов.Эта оценочная плата лазерного драйвера поставляется с небьющимся фиктивным лазерным диодом, образованным серией обычных диодов.

Схема используется в некоторых 1-ваттных лазерах, работающих от двух батарей CR. Они могут работать двумя способами: 1) производить постоянное регулируемое напряжение; 2) создают постоянный ток через нагрузку LD. Аксессуары для лазерных диодов. Эти небольшие печатные платы представляют собой доступные драйверы для лазерных диодов, требующие до пяти ампер тока смещения. Драйверы для лазерных диодов PLD позволяют работать с лазерами с высокой податливостью или несколькими сложенными лазерами, позволяя управлять лазером от отдельного источника питания с напряжением до 30 В.

Армированная оптоволоконная перемычка — это новый продукт, который можно легко использовать как проволоку. [HOST] предлагает продукты для схем драйверов лазерных диодов. Печатная плата драйвера лазерного диода Контроллеры лазерных диодов. Шаг 2: Схема драйвера лазерной указки. 31 декабря · Вот отличное видео о том, как сделать драйвер лазерного диода.

Информация о платеже Мы принимаем оплату только через Paypal. Школа электротехники Бернарда Киппелена и компьютерная школа электротехники и вычислительной техники Доктор. Если мы подключим его напрямую к источнику питания, из-за большего тока он выйдет из строя.Найдите много отличных новых и бывших в употреблении опций и получите лучшие предложения на печатную плату привода источника питания с лазерным диодом nm Green 10mwmw mw nm по лучшим онлайн-ценам на. Для лабораторных и настольных приложений драйверов лазерных диодов AMI предлагает контроллеры лазерных диодов моделей D и D. Макетные платы EPC и EPCHC в первую очередь предназначены для управления лазерными диодами с помощью сильноточных импульсов с общей длительностью импульса до 5 нс (10% от пика). Пользователь устанавливает предельный ток на основе рабочих параметров лазерного диода (обычно значительно ниже порога повреждения).

С уважением, Григорий. По возможности лазер TO-типа следует устанавливать по краю, чтобы исключить паразитное влияние сквозных соединений. Пол Коль. Фигура .

Эта статья поможет вам разобраться в импульсном лазерном диоде. Эта схема также позволяет осуществлять цифровую импульсную / модуляцию [HOST]: Nick Davis. В конструкцию включены несколько уровней защиты лазерных диодов для защиты от условий перегрузки по току. Любезно спасибо за вашу поддержку. включают (1) выходную схему драйвера лазера, (2) печатную плату драйвера лазерного диода, электрические характеристики лазерного диода и (3) интерфейс между ними (который обычно реализуется с помощью печатной платы).Схема драйвера лазерного диода представляет собой печатную плату драйвера лазерного диода, которая используется для ограничения тока, а затем подает на лазерный диод, чтобы он мог работать должным образом. Ваша следующая лидарная система будет нуждаться в схеме драйвера импульсного лазерного диода, которая поместится в небольшом корпусе, будет иметь разумное энергопотребление и будет работать с высоким разрешением и диапазоном. Не могли бы вы.

Мы отправим вам товар, как только вы выиграете и заплатите. Для управления ЛАЗЕРНЫМИ диодами (ЛД) используются специальные схемы драйверов.Мне нужна помощь как можно скорее, что мне следует изменить в этой схеме, чтобы управлять моим ИК-лазерным диодом. Самая большая разница между этой печатной платой драйвера лазерного диода и RepRap — это лазер (очевидно). NICHIA NUBM08 9-миллиметровый синий нм W + лазерный диод с шаровой линзой (Совершенно новый) Высокомощный нм-нм лазерный диод Коллимирующий фокусирующий лазерный диод с покрытием Линза / Mpx Во избежание этого в блок питания лазерного диода включена схема ограничения. Недорогая печатная плата драйвера лазерного диода от Opt Lasers, сравните ВСЕ ВЕДУЩИЕ БРЕНДЫ и поставщиков лазерных драйверов, получите САМЫЕ НИЗКИЕ ЦЕНЫ.EPC поставляется с наземным полевым транзистором EPCC eGaN, управляемым драйвером затвора UCC Texas Instruments.

Драйвер лазера имеет систему блокировки, которая ОБЫЧНО ЗАКРЫТА и содержит напряжение в кабеле 12 В, подаваемое от платы драйвера лазера. Пол Коля. ДИОДНЫЕ ПЛАТЫ ДРАЙВЕРА. Печатная плата драйвера лазера &. Введение в драйверы импульсных лазерных диодов Боб Шмид Научно-техническая поддержка DEI [HOST] @ [HOST] 21 февраля Общие положения Если вас смущают технические характеристики импульсных лазерных диодов, не уверены, какая печатная плата драйвера лазерных диодов вам нужна, или нет инженер-электрик, не бойтесь!

Драйвер VLDC OEM VCSEL без регулятора температуры, к разъему на плате; Драйвер VITC OEM VCSEL с регулятором температуры, разъемы TO и TO-5 на плате; VLDC и VITC — это компактные и простые в использовании контроллеры печатной платы драйвера лазерного диода для лазерных диодов для VCSEL Diodes (лазер с вертикальной полостью, излучающий поверхность).Извините за столь простые вопросы, я просто никогда не делал ничего подобного. На выходную мощность и длину волны лазерного диода может влиять изменение температуры.

Таким образом, выход DC / DC преобразователя используется только лазером и не используется в проекте драйвера лазерного диода 2 Вт нм. Не могли бы вы подробнее рассказать, как использовать схему тестирования. Использование коротких соединений от драйвера лазера к лазеру, коротких выводов (для корпуса типа TO) или улучшенных корпусов лазера уменьшит последовательную индуктивность.Приглашаем вас посетить нас для культурного обмена, совместного развития и прогресса бизнеса. Новый драйвер сильноточного лазерного диода Новый драйвер лазера четвертого поколения обладает всеми замечательными функциями и теперь повышает безопасность! опорная схема и 12 В — это печатная плата драйвера лазерного диода, используемая операционным усилителем и внешним вентилятором. Предпочтительно использовать тестер диодов с ограничением напряжения до 5 В и тока до пары мА.

Если ток на плате драйвера лазерного диода низкий, он не будет работать из-за недостаточной мощности для запуска.Они предназначены для питания лазеров с возможностью регулировки максимального тока 5 мА, и они позволяют пользовательской плате драйвера лазерного диода модулировать лазер с полосой пропускания до кГц. Около 52% из них составляют интегральные схемы, 16% — детали лазерного оборудования и 3% — датчики. Печатная плата драйвера лазерного диода 16 июля · Пожалуйста, дайте мне знать, можно ли использовать этот драйвер для управления лазерным диодом W IR, напряжением питания 2 В, потребляемым током A. Печатная плата V, заполненная плата драйвера лазерного диода Elabz V2. Доступная оценочная печатная плата PLDEVALPCB снижает ваши затраты на разработку и позволяет вам сосредоточиться на разработке функций, которые выделят вашу систему печатной платы драйвера лазерного диода.Выходной сигнал операционного усилителя OPA CMOS R-R (U2) использует Q1 в качестве усилителя тока. Собрав все компоненты, нам нужно разработать схему драйвера для управления лазерным диодом. Проект драйвера лазерного диода

поможет вам безопасно управлять (постоянным током) лазерным диодом видимого диапазона мощностью 3 мВт для вашего приложения. 16 июня · Печатная плата драйвера лазерного диода Печатная плата драйвера лазерного диода Платы драйвера (PCB) Простые в обращении небольшие платы драйверов для лазерных диодов Параметры привода LD, специфичные для LD, можно регулировать в широком диапазоне.Монтаж лазера на кромке Это обычное дело на печатной плате. Я хотел бы построить эту схему так, как вы собирались ее построить. Сопряжение схем лазерного драйвера с коммерчески доступными лазерными диодами при высоких скоростях передачи данных может быть сложной и разочаровывающей задачей. Это драйверы уровня кВт, доступные в импульсном и QCW-режиме. Не могли бы вы подробнее рассказать, как использовать схему тестирования. Тестирование схем драйвера лазерного диода Тестовый источник лазерного диода Sam’s 1 Это базовый источник питания, использующий пару регуляторов микросхемы платы драйвера лазерного диода для обеспечения переменного напряжения с регулируемым пределом тока.

Лазерный диод (нм, 5 мВт) Лазерный диод — это устройство, которое излучает свет в процессе оптического усиления, зависящего от вынужденного излучения электромагнитного излучения печатной платы драйвера лазерного диода, проще говоря, Лазерный свет. Следовательно, необходима схема драйвера, чтобы обеспечить точный диапазон тока, необходимый для печатной платы драйвера лазерного диода, чтобы наш диод работал. Печатная плата драйвера лазерного диода В качестве лазера я использовал LPC, который может работать с током до мА и широко доступен на eBay.

Рис. Активный предел тока. Платы драйверов лазерных диодов (PCB) Простые в обращении небольшие платы драйверов для лазерных диодов Параметры привода LD, специфичные для них, можно регулировать в широком диапазоне. Расширен ассортимент плат драйверов для лазерных диодов. Эта схема драйвера состоит из регулятора напряжения LM, двух параллельно соединенных резисторов, лазерного диода, батареи, кнопочного переключателя и конденсаторов, которые подключены, как показано на рисунке. Купить на eBay. Схема печатной платы драйвера лазерного диода — это схема, которая может соответствующим образом ограничивать количество тока, подаваемого в лазерный диод, чтобы он мог правильно работать.

Вместо того, чтобы комбинировать эти функции, используется пара регуляторов грубой силы — одна для напряжения, а другая печатная плата драйвера лазерного диода для ограничения тока. Это полезно в приложениях, где информация передается по оптоволокну. Приглашаем вас посетить нас для культурного обмена, совместного развития и прогресса бизнеса. Эта плата драйвера подходит для непрерывной работы в приложениях типа лазерного светового шоу. Правильные значения для внешних частей зависят от характеристик лазерного диода.

Некоторые цепи ограничения ограничивают ток на максимальном уровне и продолжают работать. Если вы просто хотите управлять им на частоте 38 кГц, вы можете использовать генератор NE для передачи мощности переключения MOSFET на схему драйвера LASER. Пришлось изменить схему, которую я нашел, чтобы заставить ее работать печатную плату драйвера лазерного диода, показал, что я сделал в видео. Мартин Брук, советник д-р Дэвид Шиммель Д-р. Вот как работает ваша схема драйвера импульсного лазерного диода и как разместить ее на печатной плате.

С помощью всего двух резисторов на плате драйвера лазерного диода пользователь может регулировать как рабочий ток (и, следовательно, мощность лазера), так и длину импульса.Оба напряжения сделаны из входного напряжения 24 В. нм нм нм Плата драйвера LD для лазерного диода, 12 В, 2 Вт, понижающая схема постоянного тока источника питания с модуляцией TTL. Параллельный драйвер лазерного диода 1 (Схема и части описания от Сабо Габора. Таким образом, вам понадобится лазер и схема для управления лазером. Гарантия возврата денег!

После сбора всех компонентов нам нужно разработать схему драйвера, чтобы управляйте лазерным диодом.Для лазерного диода вы обычно хотите управлять им с источником постоянного тока.и паразитные индуктивности на дорожках печатной платы, выводах компонентов и т. д.

КОНСТРУКЦИЯ ВЫСОКОСКОРОСТНОГО КМОП-ЛАЗЕРНОГО ДРАЙВЕРА С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СТАНДАРТНОЙ КМОП-ТЕХНОЛОГИИ ДЛЯ ПЕРЕДАЧИ ОПТИЧЕСКИХ ДАННЫХ Утверждено: доктором Дешёвым прядильщиком плат, Покупайте качественный модуль камеры платы напрямую от Китайского модуля двигателя Поставщики: Синий лазерный драйвер nm TTL лазерный диодный модуль печатная плата 12V diy Наслаждайтесь бесплатной доставкой по всему миру! 12 июня · Простая схема драйвера лазерного диода, использующая TI LM (PDF). Драйвер J Tech Photonics High Power Laser Diode разработан с учетом характеристик, защиты, размера и стоимости.Benet от использования драйверов лазерных диодов iC-Haus! Слишком большой ток — перегорит лазерный диод. нм нм нм 1 Вт Вт 2 Вт Печатная плата драйвера лазерного диода V 9×20 мм.

Возможна бесплатная доставка. Это полезно в приложениях, где информация передается по оптоволокну. Он имеет полную прикладную схему, светодиод для индикации рабочего состояния драйвера и вентилятор для снижения температуры фиктивного лазерного диода при работе от сильного тока. В этом примечании к применению сначала будут обсуждаться индивидуально характеристики лазерного диода и лазерного драйвера, а затем они будут обсуждаться.Продажа с ограниченным сроком действия. Легкий возврат.

У меня есть красный лазерный диод мВт, в, мА. Я делаю плату драйвера для. Драйвер лазерного диода с TTL управлением. специализированные интегрированные решения для лазерных драйверов поддерживают частоты переключения до МГц и токи лазера до мА. Правильные значения для внешних частей зависят от характеристик лазерного диода. Мальцан (iC-Haus GmbH) вождение лазерных диодов 27 апреля, 34/35 Для дальнейшего.

Разработан для красных лазеров, нм до мВт с дополнительным контролем TTL. Эта схема драйвера состоит из регулятора напряжения LM, двух параллельно соединенных резисторов, лазерного диода, аккумулятора, кнопочного переключателя и конденсаторов.17 ноября, · Обычно LM используется для регулирования мощности в цепи платы драйвера лазерного диода. 1 показана схема приложения iC-NZN. Интегральные схемы (ИС) — PMIC — Драйверы для лазеров есть в наличии у DigiKey.

схема (1) схема (3) схема (2) ELMxB Драйвер лазерного диода ELMxB D1 Плата драйвера лазерного диода MD LD D2 C2 V1 CMP ILM GND VCC R1 VR1 C1 R2 KLD AMD. 28 июля · Готовый обзор дизайна схемы и печатной платы 10-ваттного лазерного драйвера. Он включает в себя несколько вариантов монтажа лазерных диодов на печатной плате драйвера лазерных диодов и может управлять ими через разряжающий конденсатор (при поставке) или напрямую от шины питания.13 мая · Просто показываю мои подключения от платы Arduino cnc к плате драйвера TTL лазера. Драйвер VLDC OEM VCSEL без регулятора температуры, к разъему на плате; Драйвер VITC OEM VCSEL с регулятором температуры, разъемы TO и TO-5 на плате; VLDC и VITC — это компактные и простые в использовании контроллеры лазерного тока для диодов VCSEL (лазер с вертикальной полостью, излучающий поверхность). Пакет: 2 x Печатная плата драйвера лазерного диода для зеленой лазерной указки нм 3VV mA. Заказать сейчас! Самая большая разница в том, что традиционный.

вот новая версия печатной схемы, которую я сделал из схемы с сайта лазерной указки, это для схемы драйвера лазера ddl, это схема тестовой нагрузки для этого, так что вы можете настроить драйвер лазерного диода ddl и использовать следующую схему для проверки Схема нагрузки для этого, чтобы настроить этот драйвер лазерного диода ddl, я думаю, это для лазерного диода вольт или около того. Слишком низкий ток, и лазерный диод не будет иметь достаточной мощности для включения и работы. включают (1) выходную схему драйвера лазера, (2) электрические характеристики лазерного диода и (3) интерфейс между ними (который обычно реализуется с помощью печатной платы).См. «Проекты и дополнительная информация о продукте» для получения дополнительной информации о драйверах лазерных диодов, тестовых нагрузках, советах по настройке тока и т. Д.

Большой диапазон лазерных диодов и (промышленных) приложений, охватываемых драйверами лазерных диодов iC-Haus Малое количество деталей и место на плате требуется Простая установка Безопасная работа и высокая надежность Отличная поддержка приложений Печатная плата драйвера лазерного диода Uwe M. Надеюсь, это поможет вам настроить систему и заставить ее работать. Цепь ограничения: Эта часть драйвера лазерного диода является ключевой для защиты лазерного диода.

Эти готовые к установке в стойку системы обеспечивают выходной ток для управления лазерными диодами для накачки твердотельных лазеров. 29 августа · Я новичок во всем этом, не могли бы вы рассказать мне компоненты для тестирования схемы красного лазерного драйвера? Дэвид Шиммель Др. Нм / нм / нм Печатная плата привода синего лазерного диода мВт / 1Вт Печатная плата драйвера для синего лазерного диода нмнм Входное напряжение: армированная перемычка оптического волокна, разъем. Подробности доставки.

Однако в будущей версии устройства может быть использовано напряжение 5 В.Смотреть. Взято из видео с почтовым ящиком # Печатная плата драйвера для нм нм нм нм Зеленый Красный лазерный диод 12 В TTL: [HOST]: Industrial & Scientific. Драйвер лазерного диода устанавливает DC cu. В качестве основы этого драйвера лазерного диода в этой схеме используется токовая накачка Хауленда с усилителем тока. Совершенно новый. Мартин Брук, советник доктора. Ограниченная продажа. Легкий возврат.

Преимущества интегрированных решений с драйверами лазера: Повышенная стабильность выходной мощности (1% или выше) Сокращение места на плате (до 80%) Контроль ошибок.Пользователь определяет максимальную настройку, и выходной ток не должен превышать этот уровень. WLD — это простая в использовании аналоговая схема для лазерных диодов с ограниченным пространством. С помощью этой схемы мы можем регулировать интенсивность света. 03 июля · DDL Laser Circuit. Требуется напряжение питания примерно на В выше, чем рабочее напряжение лазерного диода. Как сделать драйвер лазерного диода, который позволяет сжигать бумагу: дешевый лазерный диод — это первое, что вам понадобится печатная плата драйвера лазерного диода, чтобы сделать ваш собственный мощный лазер, способный сжигать бумагу, лазерные диоды умерли из-за отсутствия Правильных драйверов Лазерный диод потребляет ток, он потребует все, что может.Входное питание — до 6 В постоянного тока; Встроенная предустановка для регулировки тока, подаваемого на лазерный диод; Светодиодный индикатор включения питания; Разъем для подключения входного питания и модуля ЛАЗЕРНЫЙ ДИОД; Лазерный диод в комплект не входит.

LASER DIODE [HOST] — Руководство для новичков по основам работы с драйвером лазерного диода и основам проектирования, статья объясняет, как работает драйвер лазера, и. Печатная плата драйвера лазерного диода Лазер и драйвер лазера. Бесплатная доставка. В таблице 2 показаны примерные значения в случае использования лазерного диода, который имеет прямой ток 35 мА и фототок мА на целевой выходной мощности.Он работает от до V и может управлять лазерными диодами N, M и P с мониторным диодом или без него. Эта оценочная плата лазерного драйвера поставляется с небьющимся фиктивным лазерным диодом, образованным серией обычных диодов. Краткий обзор схемы лазерного драйвера.

Соедините детали и проверьте цепь на работоспособность. Слишком большой ток, и лазерный диод на плате драйвера лазерного диода перегорит. Это хорошая идея — защитить ваши вложения в диод для записи DVD-дисков, правильно подключив его.Чтобы построить схему лазерного диода, мы должны создать схему драйвера для лазерного диода. Драйвер лазерного диода устанавливает DC cu. Получите бесплатное мгновенное онлайн-предложение прямо сейчас! Дешевый прядильщик платы, Купите качественный модуль камеры платы прямо из Китайского модуля двигателя Поставщики: Синий лазерный драйвер нм TTL лазерный диодный модуль Драйвер лазерный диодный драйвер печатная плата Печатная плата 12 В diy Наслаждайтесь бесплатной доставкой по всему миру!

Три основных части головоломки с лазерным интерфейсом. схема (1) схема (3) схема (2) Драйвер лазерного диода ELMxB ELMxB D1 MD LD D2 C2 V1 CMP ILM GND VCC R1 VR1 C1 R2 KLD AMD.В отличие от большинства других схем драйвера лазерных диодов, эта схема по существу лишает диод тока, так что его можно добавить к большинству существующих систем постоянного тока без изменения их конструкции. Школа электротехники Бернарда Киппелена и компьютерная школа электротехники и компьютерной инженерии Доктор Базируется в Ухане, провинция Центральный Китай Хубэй, Lilly Electronics занимается производством, продажей и исследованиями в области бытовой электроники, главным образом в индустрии лазеров, интегральных схем и светодиодов! я ж.

Утверждены ISO, TS и UL. Это драйвер лазерного диода, подходящий для лазерного диода / модуля нм и лазерной указки! У меня есть красный лазерный диод мВт, в, мА, для которого я делаю плату драйвера. Купить лазерный драйвер lights88 для нм нм нм нм Лазерный модуль Печатная плата лазерного привода 2 упаковки: осветительное оборудование и аксессуары — [ХОЗЯИН] БЕСПЛАТНО. Он имеет полную прикладную схему, светодиод для индикации рабочего состояния драйвера и печатную плату драйвера лазерного диода с вентилятором для снижения температуры фиктивного лазерного диода, когда он приводится в действие сильным током.. В этом примечании к применению сначала будут обсуждаться индивидуально характеристики лазерного диода и лазерного драйвера, а затем они будут обсуждаться. [HOST] предлагает продукты для схем драйверов лазерных диодов.

Введение в драйверы импульсных лазерных диодов Печатная плата драйвера лазерных диодов Боб Шмид Научно-техническая поддержка DEI У импульсного драйвера не возникает проблем с запуском короткого замыкания, поскольку ток регулируется до определенного значения. Заказать сейчас! Обычно источники питания лазерных диодов включают в себя регулирующий механизм, например, подстроечный резистор.. WLD В разделе «Используйте оценочную плату WLD» доступны пять моделей драйверов лазерных диодов для быстрого создания прототипа полной системы управления лазерными диодами с использованием of.

EAGLE усложняет для обычного пользователя различение различных атрибутов некоторых используемых компонентов. я ж. Узнайте больше здесь. В таблице 2 показаны примерные значения в случае использования лазерного диода, который имеет прямой ток 35 мА и фототок мА на целевой выходной мощности.

На выходную мощность и длину волны лазерного диода может влиять изменение температуры.$ Из Китая. Второй тип более прост в разработке и использовании, и существуют различные схемы для их реализации. 06 ноября, · Интегральные схемы (ИС) — PMIC — Драйверы для лазеров есть в наличии на DigiKey. КОНСТРУКЦИЯ ВЫСОКОСКОРОСТНОГО КМОП-ЛАЗЕРНОГО ДРАЙВЕРА С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СТАНДАРТНОЙ КМОП-ТЕХНОЛОГИИ ДЛЯ ПЕРЕДАЧИ ОПТИЧЕСКИХ ДАННЫХ Утверждено: доктором. Около 52% из них — интегральные схемы, 16% — части лазерного оборудования и 3% — датчики.

Плата EPC поставляется с полевым транзистором (FET) в режиме расширения EPC (eGaN®), максимальное напряжение устройства V, способное генерировать импульсы тока до 75 A.Интегральные схемы (ИС) отправляются в тот же день. нм Плата драйвера синего лазерного диода mWW Схема понижающего преобразователя 12 В f Печатная плата драйвера лазерного диода NDB7A75 См. Печатную плату драйвера лазерного диода, больше похожую на эту СПОНСИРУЕМЫЙ Osram PLTBB ​​нм W Синий лазерный диод / Синий лазер TO18 мм высокой мощности. Вам доступен широкий спектр вариантов схем драйверов лазерных диодов. Существуют поставщики схем драйверов лазерных диодов, в основном расположенные в Азии. Мы предлагаем приводную электронику для упрощения работы со всеми типами лазерных диодов. Принципиальная схема Необходимые компоненты Хлебная плата Лазерный диод, нм, 5 мВт IC.Драйвер лазерных диодов высокой мощности серии LDDHC — это новое семейство драйверов лазерных диодов OEM, разработанное для развивающейся индустрии лазерных диодов большой мощности.

Драйвер мощного лазерного диода — от 5 А до 1 А в режиме CW. Более сложная схема лазерного драйвера, показанная на рисунке 10 ниже, использует битовый ЦАП (с использованием 3-проводного последовательного входа) для работы и поддержания постоянной средней оптической выходной мощности лазерного диода. Компания Lilly Electronics, расположенная в Ухане, провинция Хубэй в Центральном Китае, занимается производством, продажей и исследованиями бытовой электроники в основном в области лазеров, интегральных схем и светодиодов! в схеме драйвера для лазера мне нужно регулировать не только напряжение, но и ток.На плате нет лазерного диода, который должен быть предоставлен пользователем.

Как сделать драйвер лазерного диода, который позволяет сжигать бумагу: дешевый лазерный диод — это первое, что вам нужно, чтобы сделать вашу печатную плату драйвера лазерного диода очень мощным лазером, способным сжигать бумагу. Отсутствие подходящих драйверов. Лазерный диод потребляет ток, он потребует все, что может. Печатная плата драйвера лазерного диода Для измерения тока в этой схеме используется падение напряжения на шунтирующем резисторе (RSHUNT) последовательно с лазерным диодом, которое измеряется дифференциально., все. Эта схема подходит для постоянного и непрерывного свечения лазерного диода. Коллиматоры из стекла или пластика используются для получения максимально точного профиля луча излучающего лазерного диода.

Интегральные схемы (ИС) отгружаются в тот же день. Я новичок во всем этом, не могли бы вы рассказать мне компоненты для тестирования схемы красного лазерного драйвера? 1) Интегрированные решения драйвера печатной платы лазерного диода. В обычных схемах драйвера лазерного диода обычно используются дискретные компоненты по низкой цене наряду с низкими требованиями к производительности [2].ЛАЗЕРНЫЕ КОМПОНЕНТЫ Серия LSP40 представляет собой недорогой модуль драйвера plug & play, используемый для точного управления импульсными лазерными диодами (PLD). Вам доступен широкий спектр вариантов печатной платы драйвера лазерного диода схемы драйвера лазерного диода. Есть поставщики схем драйвера лазерного диода, в основном расположенные в Азии.

Шаг 2: Схема драйвера лазерной указки.


Автономная клеточная светочувствительность через Opsin3 регулирует использование топлива в коричневых адипоцитах

Abstract

Opsin3 (Opn3) представляет собой трансмембранный гептахелический рецептор, связанный с G-белком (GPCR), с потенциалом для создания невидимого фоторецептивного эффекта.Интересно, что анатомическое профилирование GPCR показывает, что мРНК Opn3 высоко экспрессируется в жировой ткани. Фоточувствительные функции Opn3 у млекопитающих плохо изучены, и совершенно неизвестно, играет ли Opn3 роль в жире. В этом исследовании мы обнаружили, что Opn3 -нокаут-мыши ( Opn3 -KO) были предрасположены к ожирению, вызванному диетой, и к инсулинорезистентности. На клеточном уровне коричневые адипоциты Opn3 -KO, культивируемые в темноте, имели пониженное поглощение глюкозы и более низкое индуцированное питательными веществами митохондриальное дыхание, чем клетки дикого типа (WT).Воздействие света способствовало митохондриальной активности и поглощению глюкозы в адипоцитах дикого типа, но не в клетках Opn3 -KO. Коричневые адипоциты, несущие дефектную мутацию в предполагаемом G-связывающем домене Opn3, также демонстрируют снижение поглощения глюкозы и митохондриального дыхания в темноте. Используя РНК-секвенирование, мы идентифицировали несколько новых светочувствительных и Opn3-зависимых молекулярных сигнатур в коричневых адипоцитах. Важно отметить, что прямое воздействие света на коричневую жировую ткань (BAT) у живых мышей значительно увеличивало термогенную способность BAT, и этот эффект был уменьшен у животных Opn3 -KO.Эти результаты раскрывают ранее нераспознанный клеточно-автономный светочувствительный механизм в коричневых адипоцитах посредством передачи сигналов Opn3-GPCR, который может регулировать топливный метаболизм и митохондриальное дыхание. Наша работа также обеспечивает молекулярную основу для разработки световых методов лечения ожирения и связанных с ним метаболических нарушений.

Образец цитирования: Sato M, Tsuji T, Yang K, Ren X, Dreyfuss JM, Huang TL, et al. (2020) Автономная клеточная светочувствительность через Opsin3 регулирует использование топлива в коричневых адипоцитах.PLoS Biol 18 (2): e3000630. https://doi.org/10.1371/journal.pbio.3000630

Академический редактор: Пол Титченелл, Университет Пенсильвании, США

Поступила: 24 января 2019 г .; Принята к печати: 27 января 2020 г .; Опубликовано: 10 февраля 2020 г.

Авторские права: © 2020 Sato et al. Это статья в открытом доступе, распространяемая в соответствии с условиями лицензии Creative Commons Attribution License, которая разрешает неограниченное использование, распространение и воспроизведение на любом носителе при условии указания автора и источника.

Доступность данных: Данные депонированы в репозитории Dryad: https://doi.org/10.5061/dryad.p5hqbzkkv [исх. № 70]. Данные РНК-seq депонированы в репозиторий Gene Expression Omnibus (GEO) под номером доступа GSE140764.

Финансирование: Эта работа была частично поддержана грантами Национального института здравоохранения США (NIH) (https://www.nih.gov/grants-funding) R01DK077097 (для Y-HT), R01DK102898 (для Y- HT), R01 EY26921 (для K-WY) и гранты Национального института диабета, болезней органов пищеварения и почек (https: // www.niddk.nih.gov) P30DK036836 (для Исследовательского центра диабета). MS была поддержана исследовательской стипендией SUNSTAR (стипендия Хироо Канеда, Sunstar Foundation, Япония, http://www.sunstarfoundation.org/about/structure/43) и Японским агентством науки и технологий, Исследование прекурсоров для эмбриональной науки и технологий (https: //www.jst.go.jp/kisoken/presto/en/index.html) JP43170001. TT также был поддержан исследовательской стипендией SUNSTAR (стипендия Хироо Канеда, Sunstar Foundation, Япония, http: //www.sunstarfoundation.орг / о / структура / 43). Финансирующие организации не играли никакой роли в дизайне исследования, сборе и анализе данных, принятии решения о публикации или подготовке рукописи.

Конкурирующие интересы: Авторы заявили, что никаких конкурирующих интересов не существует.

Сокращения: β3b AdR, β3 рецептор адреналина b; β3a AdR, β3 адреналиновый рецептор а; AU, произвольная единица; AP2, белок 2 адипоцитов; ATGL, триглицерид липаза жировой ткани; AUC, площадь под кривой; ЛЕТУЧАЯ МЫШЬ, коричневая жировая ткань; Сидея, Фактор фрагментации ДНК, индуцирующий гибель клеток, -подобный эффектор A ; CPT1, карнитин пальмитоилтрансфераза 1; Cry1, криптохром-1 ; Cry2, криптохром-2 ; DEXA, двухэнергетическая рентгеновская абсорбциометрия; ФАС, Синтаза жирных кислот ; ФК, изменение кратности; FCCP, карбонилцианид 4- (трифторметокси) фенилгидразон; FDR, коэффициент ложного обнаружения; ВВП, гуанозиндифосфат; Glut1, транспортер глюкозы 1; Glut4, транспортер глюкозы 4 ; GPCR, Рецептор, связанный с G-белком; Gt, трансдуцин; HadhB, субъединица бета гидроксиацил-КоА дегидрогеназы ; HFD, жирная диета; HSL, гормоночувствительная липаза; IBMX, 3-изобутил-1-метилксантин; КО, Вырубить; ВЕЛ, светодиод; Lpl, липопротеинлипаза; НИЗ, нормальная чау-диета; ND1, Субъединица 1 НАДН-дегидрогеназы; ND6, Субъединица 6 НАДН-дегидрогеназы; NE, норадреналин; OCR, скорость потребления кислорода; Опн3, Opsin3; Опн3-ГМ, мутант области связывания белка G Opn3; Per1, Период-1 ; Per2, Период-2 ; Per3, Период-3 ; PGC1α, рецептор, активированный пролифератором пероксисом, гамма-коактиватор-1 альфа; PPARg, рецептор, активируемый пролифератором пероксисом g ; PRDM16, PR-домен, содержащий 16; РНК-seq, РНК-секвенирование; Scd2, Стеароил-кофермент А десатураза 2 ; Slc25a10, Семейство переносчиков растворенных веществ 25 Член 10 ; SOD, супероксиддисмутаза; Thrsp, , реагирующий на гормон щитовидной железы ; Цку, Tsukushi ; TXNIP, белок, взаимодействующий с тиоредоксином ; UCP1, разобщающий белок-1; ВО 2 , г. потребление кислорода; WAT, белая жировая ткань; WT, дикий тип

Введение

Ожирение изменяет метаболические и эндокринные функции жировой ткани и приводит к развитию ряда распространенных заболеваний, таких как сахарный диабет 2 типа, сердечно-сосудистые заболевания, неалкогольный ожирение печени и даже рак [1].У млекопитающих есть два функционально различных типа жировой ткани. Белая жировая ткань (WAT) содержит клетки с одной липидной каплей и отвечает за хранение топлива [2]. Коричневая и связанная с ней бежевая жировая ткань содержит клетки с многокомпонентными липидными каплями и специализируется на расходе энергии за счет выделения тепла [3]. Поскольку изменение энергетического баланса жировой ткани способствует развитию и прогрессированию метаболических заболеваний, расширение нашего понимания регуляции жировой ткани может раскрыть потенциальные подходы к лечению ожирения и связанных с ним метаболических нарушений.

Коричневая жировая ткань (БЖТ) существует в основном в межлопаточной области у грызунов. Хотя BAT также обнаруживается в той же области у детей грудного возраста, они постепенно исчезают с возрастом, а у взрослых активные BAT преимущественно локализуются в глубоких шейных и шейных надключичных областях [4–6]. BAT сжигает глюкозу и жирные кислоты и рассеивает энергию в виде тепла посредством митохондриальной экспрессии разобщающего белка-1 (UCP1) [3,7]. Поскольку активация BAT способствует улучшению гомеостаза глюкозы в организме и чувствительности к инсулину как у грызунов, так и у людей [8–10], способы повышения активности BAT имеют большой потенциал для лечения и профилактики ожирения и его последствий.Воздействие холода — хорошо известный внешний стимул для активации BAT [5,11], но мало что известно о других внешних или внутренних сигналах, которые могут активировать BAT.

Opsin3 (Opn3) был клонирован в 1999 г. и обнаружил, что он широко экспрессируется в мозге мышей [12]. Десять лет спустя было обнаружено, что Opn3 также высоко экспрессируется в жировой ткани [13]. Интересно, что далекие гомологи Opn3 способны опосредовать прямую фоторецепцию в различных невизуальных тканях путем активации передачи сигналов G-белок-связанный рецептор (GPCR) светозависимым образом [14–16].Эти данные побудили нас задаться вопросом, действительно ли жировая ткань может воспринимать свет напрямую через передачу сигналов Opn3-GPCR, и если да, то каковы метаболические последствия этих сигнальных путей. Фототерапия была предложена как способ уменьшить жировые отложения и улучшить заживление диабетических ран [17–19]. Однако эффективность такой терапии не была полностью оценена, а основные механизмы полностью неизвестны. Наши результаты позволяют предположить, что Opn3 является потенциальной мишенью фототерапии жировой ткани.

Результаты

Мыши с отсутствием

Opn3 становятся тучными и инсулинорезистентными при кормлении с высоким содержанием жиров

Глобальные мыши с нокаутом (KO) Opn3 демонстрируют нормальную физиологию и отсутствие очевидных дефектов зрения [15]. Не было разницы в массе тела между взрослыми мышами дикого типа (WT) и Opn3- KO, соблюдающими нормальную диету (NCD) (рис. S1A), что позволяет предположить, что Opn3 не влияет на развитие жировой ткани или энергетический метаболизм в нормальных условиях. Однако при заражении диетой с высоким содержанием жиров (HFD) мыши Opn3 -KO набрали больше веса, чем животные однопометного помета WT (фиг. 1A), несмотря на равное потребление пищи (фиг. 1B).Это было связано с увеличением жировой массы у мышей Opn3 -KO, получавших HFD, по сравнению с животными WT, получавшими HFD (фиг. 1C). Более того, мыши Opn3 -KO, получавшие HFD, были более инсулинорезистентными по сравнению с мышами WT, получавшими HFD (рис. 1D), хотя не было различий в толерантности к глюкозе между животными WT, получавшими HFD, и животными Opn3 -KO (S1B, рис. ). Таким образом, Opn3 -KO мышей были предрасположены к индуцированному диетой ожирению и инсулинорезистентности. Кроме того, мыши Opn3 -KO показали нарушение максимальной термогенной способности с уменьшенным выделением тепла («Тепло») и уменьшенным потреблением кислорода («VO 2 ») в ответ на обработку норадреналином (NE) по сравнению с мышами WT (рис. 1E, S1C рис.).Взятые вместе, эти данные предполагают, что Opn3 может напрямую способствовать метаболизму всего тела, вероятно, через регулирование использования топлива для адаптации к метаболическим проблемам.

Рис. 1. Мыши Opn3 -KO демонстрируют фенотипы ожирения и инсулинорезистентности при кормлении с высоким содержанием жиров.

(A) Opn3 -KO и однопометных мышей WT в возрасте 4–5 недель кормили HFD в течение 13 недель. Слева: BW измеряли еженедельно. Справа: процентное изменение BW ( n = 8–13).(B) Среднее дневное потребление пищи, рассчитанное после 13 недель HFD ( n = 6). (C) Общий объем жира, измеренный с помощью DEXA-сканирования после 13 недель HFD и нормализованный до BW ( n = 6). (D) Слева: ИТТ, выполненная после 12 недель HFD. Мышей не кормили в течение 6 часов с последующей внутрибрюшинной инъекцией инсулина. Уровни глюкозы в крови определяли в указанное время после инъекции. Справа: AUC для ITT была рассчитана для соответствующего временного интервала ( n = 8–13). (E) Слева: ΔHeat (увеличение расхода энергии), измеренное с помощью CLAMS в течение 35 минут у мышей WT и Opn3 -KO после внутрибрюшинной инъекции NE ( n = 6).Справа: показано количественное определение AUC ΔHeat. Мышей WT и Opn3 -KO кормили нормальной пищей, и использовали мышей в возрасте 15 недель. Данные представлены как среднее ± SEM. Значения p определяли с помощью непарного теста t ([A – E], справа) и двустороннего дисперсионного анализа с повторными измерениями с последующим тестом Бонферрони ([E], слева). * p <0,05, ** p <0,01. Данные для этого рисунка можно найти в репозитории Dryad: https://doi.org/10.5061/dryad.p5hqbzkkv [70]. AUC - площадь под кривой; BW - масса тела; CLAMS, Комплексная система мониторинга лабораторных животных; DEXA, двухэнергетическая рентгеновская абсорбциометрия; HFD, диета с высоким содержанием жиров; IP, внутрибрюшинно; ITT, тест на толерантность к инсулину; КО, нокаут; NE, норадреналин; n.s., не имеет значения; Opn3 , Opsin3; WT, дикий тип.

https://doi.org/10.1371/journal.pbio.3000630.g001

Opn3 важен для топливного метаболизма и митохондриального дыхания в коричневых жировых клетках

В последние годы было продемонстрировано, что BAT играют ключевую роль в расходе энергии и системном метаболизме [20,21].Поскольку мыши Opn3 -KO показали сниженную максимальную термогенную способность, мы исследовали, участвует ли Opn3 в использовании клеточных питательных веществ в коричневых адипоцитах in vitro. Анализ нескольких генов опсина в предшественниках коричневых адипоцитов WT (преадипоциты) показал высокую экспрессию Opn3 по сравнению с другими членами семейства опсинов (S2A фиг.), И экспрессия продолжала увеличиваться во время адипогенной дифференцировки (S2B фиг.). Более того, не только мышиные, но и коричневые адипоциты человека экспрессировали высокие уровни мРНК Opn3 и (S2C на фиг.).Мы обнаружили, что BAT от взрослых мышей Opn3 -KO лишены экспрессии мРНК Opn3 без компенсаторного увеличения экспрессии других опсинов (S1D фиг.). Для прямого сравнения мы изолировали преадипоциты от BAT мышей WT и Opn3 -KO параллельно и иммортализовали их, как описано ранее [22]. Клетки культивировали и дифференцировали в течение 8 дней в темноте в инкубаторе CO 2 . Opn3 мРНК не обнаруживалась в коричневых преадипоцитах Opn3 -KO (рис. 2A), но эти клетки, тем не менее, были способны нормально дифференцироваться в ответ на адипогенную индукцию с уровнями адипоцитного белка 2 мРНК ( AP2 ) и белок, белок рецептора, активируемого пролифератором пероксисом (PPARg), и накопление липидов не затронуты (S2D – S2G, рис.).Однако экспрессия мРНК и белка BAT-специфического маркера Ucp1 была значительно ниже в клетках Opn3 -KO (S2H на фиг.). Эти результаты были воспроизведены в двух дополнительных линиях иммортализованных преадипоцитов Opn3 -KO коричневого цвета (S2I – S2K, фиг.).

Рис. 2. Opn3 -KO коричневые адипоциты демонстрируют нарушение всасывания и использования топлива.

(A) Экспрессия мРНК Opn3 в преадипоцитах WT и Opn3 -KO коричневых ( n = 4).(B) Базальное поглощение глюкозы измеряли с использованием 2-DG в дифференцированных адипоцитах дикого типа и Opn3 -KO коричневых адипоцитах ( n = 4). Эксперимент был повторен независимо четыре раза. (C) Слева: Вестерн-блот-анализ белка Glut1 в коричневых адипоцитах WT и Opn3 -KO на 0, 4 и 8 день дифференцировки. Справа: количественное определение белка Glut1 на 8 день ( n = 3). Этот эксперимент был повторен трижды с аналогичными результатами. (D) Базальное поглощение глюкозы дифференцированными Opn3 -KO коричневыми адипоцитами и Opn3 -KO клетками со сверхэкспрессией Opn3 (KO + Opn3-OE) ( n = 6).Эксперимент проводился в трех независимых экспериментах. (E) Липолиз измеряли в дифференцированных адипоцитах WT и Opn3 -KO, стимулированных носителем, CL-316,243 (5 мкМ) или IBMX (100 мкМ) ( n = 3). Эксперимент независимо повторяли два раза. (F) Слева: Вестерн-блоттинг анализ CPT1 в преадипоцитах WT и Opn3 -KO коричневых на 0, 4, 8 и 10 день дифференцировки. Справа: количественное определение белка CPT1 на 8 день ( n = 4). Эксперимент на 8-й день был повторен четыре раза с аналогичными результатами.(G) Слева: глюкозозависимый OCR в дифференцированных адипоцитах дикого типа и Opn3 -KO коричневых адипоцитах. FCCP ( n = 11). Справа: количественная оценка OCR ( n = 11). Эксперимент был повторен независимо пять раз. (H) Слева: зависимые от жирных кислот OCR в дифференцированных WT и коричневых адипоцитах Opn3 -KO ( n = 7). Справа: количественная оценка OCR ( n = 7). Эксперимент независимо повторяли трижды. Во всех вышеупомянутых экспериментах клетки культивировали и дифференцировали в нормальных условиях темноты в инкубаторе CO 2 .Значения обозначают среднее значение ± стандартная ошибка среднего, сравнения были выполнены с помощью теста Стьюдента t . * p <0,05; ** p <0,01; *** р <0,001. Данные для этого рисунка можно найти в репозитории Dryad: https://doi.org/10.5061/dryad.p5hqbzkkv [70]. 2-DG, 2-дезокси-D-глюкоза; CPT1, карнитин пальмитоилтрансфераза 1; БСА, бычий сывороточный альбумин; FCCP, карбонилцианид 4- (трифторметокси) фенилгидразон; GAPDH, глицеральдегид-3-фосфатдегидрогеназа; Glut1, переносчик глюкозы 1; IBMX, 3-изобутил-1-метилксантин; КО, нокаут; OCR, скорость потребления кислорода; Opn3, Opsin3; Opn3-OE, сверхэкспрессия Opn3 ; WT, дикий тип.

https://doi.org/10.1371/journal.pbio.3000630.g002

Поскольку BAT контролирует метаболизм всего тела, используя глюкозу и жирные кислоты в качестве источников топлива [8,9], мы также измерили поглощение глюкозы и жирных кислот. как скорость потребления кислорода митохондриями (OCR) в адипоцитах WT и Opn3 -KO коричневых. Базальное поглощение глюкозы было значительно снижено в коричневых адипоцитах Opn3 -KO по сравнению с клетками WT (фиг. 2B), предположительно из-за снижения белка транспортера глюкозы 1 (Glut1) в клетках KO (фиг. 2C).Сходные уровни снижения поглощения глюкозы наблюдались в двух других иммортализованных клеточных линиях Opn3 -KO по сравнению с клетками WT (S2L фиг.). Генетическое спасение Opn3 в коричневых преадипоцитах Opn3 -KO путем трансфекции клеток KO плазмидой, экспрессирующей кДНК Opn3, приводило к сверхэкспрессии Opn3 (S2M фиг., Слева). Это привело к повышенным уровням экспрессии мРНК Ucp1 (S2M фиг., Справа) и позволило устранить дефект в захвате глюкозы в клетках Opn3 -KO (фиг. 2D), предполагая, что сниженная метаболическая функция Opn3 — KO коричневых адипоцитов действительно происходило из-за отсутствия Opn3.

В дополнение к снижению поглощения глюкозы мы обнаружили, что коричневые адипоциты Opn3 -KO также демонстрируют значительно сниженную липолитическую скорость в базальном состоянии и в ответ на агонисты β3-адренергических рецепторов CL-316,243 и 3-изобутил-1-метилксантин ( IBMX) (рис. 2E). Эта более низкая скорость липолиза, вероятно, была связана со сниженным уровнем белка триглицерид-липазы жировой ткани (ATGL), но не гормоночувствительной липазой (HSL), которая, по-видимому, не изменилась в клетках Opn3 -KO (S2N фиг.).Экспрессия белка карнитин пальмитоилтрансферазы 1 (CPT1), который является ограничивающим скорость ферментом для транспорта жирных кислот в митохондрии, также была снижена на 34% ± 13,48% в коричневых адипоцитах Opn3 -KO по сравнению с клетками WT (рис. 2F). Несколько парадоксально, захват жирных кислот клетками был немного увеличен в клетках Opn3 -KO (S2O фиг.). В целом эти данные предполагают, что делеция Opn3 в коричневых адипоцитах изменяет их использование питательных веществ.

Затем мы проанализировали зависимый от глюкозы или жирных кислот митохондриальный OCR путем обработки дифференцированных коричневых адипоцитов олигомицином, ингибитором АТФ-синтазы, и карбонилцианидом 4- (трифторметокси) фенилгидразоном (FCCP), разобщителем митохондрий.Перед добавлением реагентов измеряли базальную OCR, а затем измеряли максимальную OCR при воздействии FCCP. Как следствие сниженной способности переносить питательные вещества в митохондрии, клетки Opn3 -KO демонстрировали притупление митохондриального дыхания в присутствии глюкозы или жирной кислоты в качестве источника топлива по сравнению с клетками дикого типа (рис. 2G и 2H). Более того, число копий митохондриальной ДНК, которое определяли по экспрессии митохондриально кодируемой субъединицы 1 (ND1) и 6 (ND6) митохондриальной NADH-дегидрогеназы, нормализованной к ядерной ДНК, а также активность цитохром-с-оксидазы в митохондриях были значительно ниже. в Opn3 -KO по сравнению с контрольными коричневыми адипоцитами (S2P и S2Q на фиг.).Эти данные подчеркивают критическую роль Opn3 в регуляции метаболизма питательных веществ и дыхания митохондрий в коричневых адипоцитах в нормальных темных условиях.

Световая стимуляция через Opn3 активирует топливный метаболизм и дыхание митохондрий в коричневых адипоцитах

Поскольку Opn3 содержит мотивы последовательности, характерные для светового сенсора [14,23,24], мы предположили, что свет может регулировать метаболическую функцию коричневых адипоцитов посредством Opn3 клеточно-автономным образом.Чтобы проверить эту гипотезу, мы высевали коричневые преадипоциты в культуральные чашки внутри черных ящиков, оснащенных светодиодами (LED), способными излучать свет 450-650 нм (рис. 3A, рис. S3A). Коробки со светодиодной подсветкой и без нее выдерживали в инкубаторе для клеточных культур в течение 8 дней, чтобы позволить адипогенную дифференцировку. Мы также убедились, что через черные ящики инкубатора проходит достаточный воздушный поток, и что светодиодный индикатор не изменяет температуру культуральной среды при включении (S3B Рис.).Экспрессия мРНК Opn3 не подвергалась воздействию света как в дифференцированных WT, так и в коричневых адипоцитах Opn3 -KO (фиг. S3C). Воздействие света значительно увеличивало поглощение глюкозы и глюкозозависимое митохондриальное дыхание в коричневых адипоцитах (рис. 3B и 3C, а также рис. S3D). Хотя свет не влиял на липолиз, экспрессию белка ATGL, количество митохондрий или цитохром-соксидазную активность клеток (S3E – S3H Рис.), Он заметно увеличивал как базальный, так и максимальный VO 2 , когда пальмитат использовался в качестве топлива (Рис. 3D, S3I Рис.).Важно отметить, что скорости поглощения глюкозы и митохондриального дыхания в клетках Opn3 -KO, уже более низкие в темноте по сравнению с клетками WT, были почти полностью притуплены в ответ на световую стимуляцию (Рис. 3B – 3D, S3D и S3I Рис.). Более того, повторная экспрессия Opn3 восстанавливала нарушенное поглощение глюкозы как в темноте, так и в условиях света в клетках Opn3 -KO (фиг. 3E). На молекулярном уровне экспрессия белка CPT1 была значительно усилена световым воздействием в клетках WT, и как базальная, так и индуцированная светом экспрессия белка CPT1 были уменьшены в клетках Opn3 -KO (рис. 3F).Кроме того, ингибитор СРТ1, этотоксир, устраняет индуцированный светом, зависимый от жирных кислот VO 2 (рис. 3G). Эти результаты предполагают, что световая стимуляция через Opn3 может регулировать метаболизм глюкозы и жирных кислот в коричневых жировых клетках.

Рис. 3. Световая стимуляция через Opn3 увеличивает потребление и использование топлива коричневыми адипоцитами.

(A) Изготовленный черный ящик с белой светодиодной подсветкой или без нее. (B) Поглощение глюкозы дифференцированными адипоцитами WT и Opn3 -KO коричневыми с или без световой стимуляции ( n = 4–5).Эксперимент независимо повторяли трижды. (C) Глюкозозависимый OCR в коричневых адипоцитах WT и Opn3 -KO со световой стимуляцией или без нее. FCCP ( n = 10–11). Эксперимент независимо повторяли трижды. (D) Зависимые от жирных кислот OCR в коричневых адипоцитах WT и Opn3 -KO со световой стимуляцией или без нее ( n = 7). Эксперимент независимо повторяли трижды. (E) Поглощение глюкозы коричневыми адипоцитами Opn3, -KO и KO + Opn3-OE со светом или без него ( n = 5-6).Эксперимент проводился в трех биологических независимых экспериментах. (F) Вверху: Вестерн-блот-анализ уровня белка CPT1 в коричневых адипоцитах дикого типа и Opn3 -KO, дифференцированных в светлом или темном состоянии. Ниже: количественное определение белка CPT1 ( n = 4). Этот эксперимент был повторен четыре раза с аналогичными результатами. (G) Верхний: Зависимый от жирных кислот OCR измерялся в присутствии или отсутствии CPT1 ингибитора Eto в коричневых адипоцитах, дифференцированных в светлом или темном состоянии ( n = 3-7).Нижний: количественная оценка OCR ( n = 3–7). Эксперимент независимо повторяли трижды. Значения обозначают среднее значение ± стандартная ошибка среднего, сравнения были выполнены с помощью теста Стьюдента t . * p <0,05; ** p <0,01; *** р <0,001. Данные для этого рисунка можно найти в репозитории Dryad: https://doi.org/10.5061/dryad.p5hqbzkkv [70]. 2-DG, 2-дезокси-D-глюкоза; BSA, бычий сывороточный альбумин; CPT1, карнитин пальмитоилтрансфераза 1; Это, этомоксир; FCCP, карбонилцианид 4- (трифторметокси) фенилгидразон; КО, нокаут; Светодиод, светодиод; п.с., не имеет значения; OCR, скорость потребления кислорода; Opn3, Opsin3; Opn3-OE, сверхэкспрессия Opn3 ; WT, дикий тип.

https://doi.org/10.1371/journal.pbio.3000630.g003

Световая стимуляция хорошо известна как важный триггер для активации центральных часов [25], тогда как пищевой сигнал является основным индуктором для активации периферийные часы [26]. Гены часов, контролируемые как центральными, так и периферическими часами, регулируют метаболизм всего тела [27].Хотя свет потенциально может запускать периферические часы независимо от центральных часов [28] in vivo, мы, тем не менее, обнаружили, что свет не изменяет ритмическую экспрессию циркадных генов, а именно, Период-2, ( Период 2, ), Период. 3 ( Per3 ), Clock и BMAL1 — в коричневых адипоцитах (S3J Fig), тогда как экспрессия Period-1 ( Per1 ), Cryptochrome-1 ( Cry1 ), мРНК Cryptochrome-2 ( Cry2 ) была немного изменена после 24 часов воздействия света.Эти результаты предполагают, что световая стимуляция через Opn3 контролирует использование топлива в коричневых адипоцитах независимо от часов.

Opn3 регулирует клеточный метаболизм коричневых адипоцитов через GPCR-опосредованный сигнальный путь

Чтобы определить, включают ли эффекты Opn3 в коричневых адипоцитах передачу сигналов GPCR, мы выделили коричневые преадипоциты от мышей, несущих мутацию в области связывания G-белка Opn3 (мутант области связывания G-белка Opn3 [ Opn3 — GM]), предназначенный для нарушения взаимодействия с его нижележащим G-белком. Opn3- Коричневые преадипоциты GM дифференцировались нормально, о чем свидетельствует равное количество экспрессии белка AP2 и накопления липидов в клетках WT и GM (S4A и S4B, фиг.). Подобно тому, что наблюдалось в адипоцитах Opn3- KO, экспрессия мРНК Ucp1 была значительно снижена в коричневых адипоцитах Opn3- GM по сравнению с клетками WT (фиг. S4C). Коричневые адипоциты Opn3- GM также показали снижение базального поглощения глюкозы и глюкозозависимого митохондриального дыхания по сравнению с клетками дикого типа (рис. 4A и 4B).Как базальное, так и индуцированное светом увеличение белка CPT1 в клетках WT было заметно снижено в клетках Opn3- GM (рис. 4C). Взятые вместе, эти данные демонстрируют, что влияние света на топливный метаболизм коричневых адипоцитов опосредуется фоторецептором Opn3 через сигнальный путь GPCR.

Рис. 4. Opn3 регулирует потребление и использование топлива в коричневых адипоцитах посредством передачи сигналов GPCR.

(A) Поглощение глюкозы дифференцированными адипоцитами WT и Opn3 -GM коричневыми ( n = 5-7).Эксперимент был повторен независимо шесть раз. (B) Верхний: глюкозозависимый OCR в дифференцированных адипоцитах дикого типа и Opn3 -GM коричневых адипоцитов ( n = 5). Нижний: количественная оценка OCR. FCCP ( n = 5). Эксперимент независимо повторяли трижды. (C) Вверху: Вестерн-блот-анализ белка CPT1 в коричневых адипоцитах WT и Opn3 -GM, дифференцированных в светлом или темном состоянии. Ниже: количественное определение белка CPT1 ( n = 4). Этот эксперимент был повторен четыре раза, и были получены аналогичные результаты.В экспериментах (A) и (B) клетки культивировали и дифференцировали в нормальных условиях темноты в инкубаторе CO 2 . Значения обозначают среднее значение ± стандартная ошибка среднего, сравнения были выполнены с помощью теста Стьюдента t . * p <0,05; *** р <0,001. Данные для этого рисунка можно найти в репозитории Dryad: https://doi.org/10.5061/dryad.p5hqbzkkv [70]. 2-DG, 2-дезокси-D-глюкоза; CPT1, карнитин пальмитоилтрансфераза 1; FCCP, карбонилцианид 4- (трифторметокси) фенилгидразон; GPCR, рецептор, связанный с G-белком; OCR, скорость потребления кислорода; Opn3, Opsin3; Opn3 -GM, мутант области связывания белка G Opn3 ’; WT, дикий тип.

https://doi.org/10.1371/journal.pbio.3000630.g004

Идентификация Opn3-опосредованных и светочувствительных генов с помощью анализа секвенирования РНК

Чтобы понять молекулярные события, запускаемые светоактивированным Opn3 в коричневых адипоцитах, мы выполнили РНК-секвенирование (RNA-seq) в коричневых адипоцитах WT и Opn3 -KO, которые либо подвергались воздействию света, либо содержались в темноте, как описано выше. Среди 53797 транскриптов 1726 светочувствительных генов были обнаружены в клетках WT путем сравнения экспрессии в световых условиях с экспрессией в темноте (ΔWT) и с использованием порогового значения менее 5% ложного обнаружения (FDR).Из этих светочувствительных генов мы искали Opn3-опосредованные гены, идентифицируя транскрипты, на которые свет оказывал большее влияние на клетки WT, чем на клетки Opn3 -KO. Мы определили гены, опосредованные Opn3, как имеющие следующие два критерия. Во-первых, ΔWT значительно отличался от индуцированного светом изменения экспрессии в клетках Opn3 -KO (ΔKO) с отсечкой менее 5% FDR. Во-вторых, величина (абсолютная величина) ΔWT была больше, чем величина ΔKO. Используя эти критерии, было идентифицировано 140 опосредованных Opn3 светочувствительных генов (рис. 5А).

Рис. 5. РНК-seq и анализ путей Opn3-зависимых и светочувствительных генов.

(A) Блок-схема анализа для идентификации светочувствительных и опосредованных Opn3 генов. ΔWT и ΔKO представляют собой разницу в экспрессии генов между темными и светлыми условиями в клетках WT и Opn3 -KO соответственно. (B) Тепловая карта 50 лучших светочувствительных и опосредованных Opn3 генов. (C) Гистограмма путей, обогащенных FDR <5% для Opn3-опосредованных генов. n = 3 независимых образца на группу.Данные для этого рисунка можно найти в репозитории Dryad: https://doi.org/10.5061/dryad.p5hqbzkkv [70]. D, темный; FC, изменение кратности; FDR — коэффициент ложного обнаружения; КО, нокаут; L, светлый; Opn3, Opsin3; RNA-seq, РНК-секвенирование; WT, дикий тип.

https://doi.org/10.1371/journal.pbio.3000630.g005

Затем мы отсортировали 140 Opn3-опосредованных генов по значимости на основе первого критерия, описанного выше, и нанесли 50 наиболее значимых генов на тепловую карту ( Рис 5B).Мы идентифицировали пять различных кластеров генов на основе паттернов экспрессии генов в клетках WT по сравнению с клетками Opn3 -KO в темноте или на свету. Среди этих кластеров кластер 3 представлял гены, которые в высокой степени индуцировались светом в клетках WT, и такая индукция была уменьшена в клетках Opn3 -KO. Представители этого кластера включали митохондриальных носителя Solute Carrier Family 25 Member 10 ( Slc25a10 ) и Thyroid Hormone Responsive ( Thrsp ).Интересно, что ранее было обнаружено, что Slc25a10 участвует в синтезе жирных кислот в адипоцитах и ​​чувствительности к инсулину [29,30]. Напротив, кластер 4 состоял из генов, экспрессия которых снижалась под действием света в клетках WT и поддерживала низкие уровни экспрессии в клетках Opn3 -KO. Одним из генов, обнаруженных в этой категории, был тиоредоксин-взаимодействующий белок ( TXNIP ), который участвует в передаче клеточного окислительно-восстановительного сигнала [31]. Гены кластера 1 индуцировались светом в клетках WT, и уровни их экспрессии были повышены в клетках Opn3 -KO по сравнению с клетками WT, независимо от условий освещения или темноты.Представители этого кластера включали Tsukushi ( Tsku ), который представляет собой недавно идентифицированный гепатокин, который может регулировать расход энергии BAT [32], и Stearoyl-Coenzyme A Desaturase 2 ( Scd2 ), который необходим для PPARg. экспрессия в жировых клетках 3T3-L1 [33]. Кластеры 2 и 5 включали гены, которые проявляли противоположные ответы на световую стимуляцию между клетками WT и Opn3 -KO.

Мы также выполнили анализ путей для Opn3-опосредованных генов и идентифицировали обогащенные пути, используя FDR <5% в качестве критерия (рис. 5C).В соответствии с нашими выводами in vitro, идентифицированные пути в первую очередь участвовали в окислении жирных кислот, метаболизме аминокислот и митохондриальном метаболизме. Например, альфа-окисление жирных кислот III и митохондриальные пути L-карнитина были обогащены. Карнитин необходим для переноса жирных кислот в митохондрии для последующего β-окисления [34,35], а CPT1 катализирует карнитин-зависимый транспорт жирных кислот в митохондрии [36]. Таким образом, эти данные RNA-seq дополнительно подтверждают наши функциональные исследования, показывающие критическую роль Opn3 в дыхании митохондрий CPT1-жирных кислот.Интересно, что было обнаружено, что гены пути радикальной деградации супероксида также регулируются Opn3 (рис. 5C). Электронная транспортная цепь митохондрий использует кислород для производства не только энергии, но и супероксида [37]. Супероксид разлагается ферментами, такими как супероксиддисмутаза (СОД), чтобы предотвратить повреждение клеток [38]. Вполне возможно, что световая стимуляция через Opn3 увеличивает дыхание митохондрий и, в то же время, запускает антиоксидантную защиту через путь распада супероксидных радикалов.Вместе эти данные раскрывают потенциальные молекулярные механизмы, лежащие в основе автономной для клеток светочувствительности коричневых адипоцитов, и выявляют новые светочувствительные гены в нетрадиционных фоторецептивных клетках.

Освещение in vivo активирует BAT-опосредованный термогенез через Opn3

Чтобы исследовать, может ли свет напрямую стимулировать активность BAT через Opn3 in vivo, мы создали оптоэлектрическую систему in vivo для освещения BAT. В этой системе световое устройство работает без батарей, а освещением можно управлять и контролировать с помощью беспроводной системы с обратной связью [39].Чтобы осветить светом с длиной волны, подобной нашим исследованиям in vitro, мы использовали белый свет (комбинированный 465 и 565 нм) в качестве экспериментального μLED и красный свет (650 нм) в качестве контроля, потому что мыши по своей природе нечувствительны к красному свету из-за отсутствие опсина, чувствительного к красному свету (длинноволновый опсин1) [40,41]. Используя протокол, описанный Shin et al., 2017 [39], мы обнаружили, что непрерывное 12-часовое освещение при 100% рабочем цикле (20 Гц, 100%, 10 Вт) привело к повышению температуры устройства, тогда как освещение при Рабочий цикл 20% (20 Гц, 20%, 10 Вт) не повлиял на температуру устройства (S5A, рис.), Что соответствует предыдущему справочнику.Таким образом, мы выбрали настройку освещения при рабочем цикле 20% (20 Гц, 20%, 10 Вт), что обеспечивает максимально возможное пропускание света через ткань с минимальным влиянием на температуру устройства.

Чтобы определить, может ли свет проникать через кожу и стимулировать BAT, мы измерили интенсивность света через кожу и мех живых мышей. Мы обнаружили, что как белый, так и красный свет могут проникать через кожу и мех, а передаваемая интенсивность увеличивается от освещения при рабочем цикле 20–100% (20 Гц, 10 Вт) (рис. 6A).Однако скорость передачи снизилась более чем на 75% при наличии меха как для белого, так и для красного света. При 465 нм, что является пиком поглощения для Opn3 позвоночных [14], светопропускание упало до 40% через бритую кожу и стало менее 10% через кожу с мехом (рис. 6B). Таким образом, хотя свет может проникать через кожу и мех, его непосредственная способность активировать Opn3 значительно ослабляется. Однако в естественных условиях животного наблюдается длительная временная интеграция светового сигнала, что может привести к значительному эффекту.

Рис. 6. Воздействие прямого света активирует BAT через Opn3 in vivo.

(A) Самцов мышей C57BL / 6 в возрасте 12 недель подвергали анестезии, и у живых мышей измеряли проникновение света через кожу поверх BAT ( n = 3). Показана интенсивность прохождения белого и красного света через бритую кожу шеи и кожу с мехом. Использовались две настройки освещения. Частота следования импульсов: 20 Гц; мощность: 10 Вт; процент периодов освещения: 20% или 100%. (B) Спектры проходящего света в диапазоне от 400 до 800 нм через бритую кожу или кожу с мехом ( n = 3, репрезентативные данные).(C) Слева: ΔHeat (расход энергии), измеренный с помощью CLAMS в течение 2 часов у мышей, имплантированных μLED, и мышей с ложной операцией, получавших внутрибрюшинную инъекцию NE ( n = 6-7). Эксперимент проводили на самцах мышей C57BL / 6 в возрасте 12 недель. Справа: показаны количественные оценки AUC ΔHeat. (D) Слева: ΔHeat мышей из однопометника Opn3 -KO, получавших внутрибрюшинную инъекцию NE ( n = 3-4). Справа: показаны количественные показатели AUC. (E) Уровни экспрессии генов в BAT взрослых мышей-самцов C57BL / 6, подвергнутых воздействию освещения в течение 8 дней ( n = 4-7).Данные представлены как среднее значение ± стандартная ошибка среднего. Значения p определяли следующим образом: (A) Однофакторный дисперсионный анализ с последующим тестом множественного сравнения Даннета. *** p <0,001, 20% или 100% по сравнению с периодом освещения 0% в тех же ситуациях. ([C и D], справа, и [E]) Односторонний дисперсионный анализ с тестом множественного сравнения Тьюки. ([C и D], слева) Двусторонний дисперсионный анализ с повторными измерениями, за которым следует тест множественного сравнения Тьюки. * p <0,05, ** p <0,01; * значительная разница между легкой группой и фиктивной группой. p <0,05; значительная разница между длиной волны света (белый и красный). Данные для этого рисунка можно найти в репозитории Dryad: https://doi.org/10.5061/dryad.p5hqbzkkv [70]. β3b AdR, β3 адреналиновый рецептор b; β3a AdR, β3 рецептор адреналина a; AU, условная единица; AUC — площадь под кривой; BAT — коричневая жировая ткань; Cidea, эффектор А, подобный фактору фрагментации ДНК, вызывающему гибель клеток; CLAMS, Комплексная система мониторинга лабораторных животных; Cpt1b, карнитин-пальмитоилтрансфераза 1b; FAS, синтаза жирных кислот; Glut1, переносчик глюкозы 1; Glut4, переносчик глюкозы 4; HadhB, бета-субъединица гидроксиацил-CoA дегидрогеназы; IP, внутрибрюшинно; КО, нокаут; Светодиод, светодиод; Lpl, липопротеинлипаза; NE, норадреналин; п.с., не имеет значения; Opn3, Opsin3; PGC1α, рецептор, активируемый пролифератором пероксисом, гамма-коактиватор-1 альфа; PPARγ, гамма-рецептор, активируемый пролифератором пероксисом; PRDM16, PR-домен, содержащий 16; UCP1, разобщающий белок 1.

https://doi.org/10.1371/journal.pbio.3000630.g006

Чтобы выяснить, активирует ли световое воздействие напрямую функцию BAT, мышей C57BL / 6 разделили на три группы и имплантировали световые устройства (белая группа, имплантированный белый μLED ; красная группа, имплантированный красный μLED; фиктивная группа, белый μLED, имплантированный и выключенный).Световые устройства были имплантированы в верхнюю часть межлопаточной БАТ (S5D, рис. Слева и посередине). Через 7 дней после восстановления после операции световое освещение было активировано на 8 дней (S5D Рис. Справа). Важно отметить, что максимальная термогенная способность, измеренная по выработке тепла и VO 2 в ответ на стимуляцию NE, была значительно повышена в группе с белым светом, но не в группе с красным светом, по сравнению с фиктивной группой (Рис. 6C и S5B Рис.). Более того, эти индуцированные белым светом эффекты по существу исчезли у мышей Opn3 -KO (фиг. 6D и S5C).На молекулярном уровне белый свет увеличивает гены метаболизма липидов, включая Cpt1b , гидроксиацил-CoA дегидрогеназу бета-субъединицу ( HadhB ) и экспрессию мРНК Cd36 , а также BAT-селективные гены, такие как Ucp1. , Фактор фрагментации ДНК, индуцирующий гибель клеток — α-подобный эффектор A ( Cidea ), транспортер глюкозы 4 ( Glut4 ) и ген β3 адреналинового рецептора , по сравнению с фиктивным контролем или контролем красного света группы (рис. 6E).Экспрессия общих генов адипоцитов, таких как PPARg , синтаза жирных кислот ( FAS ) и лептин , не изменялась под воздействием света по сравнению с имитацией. Эти результаты демонстрируют, что белый свет может напрямую стимулировать термогенную функцию BAT через Opn3-зависимый механизм.

Обсуждение

В этом отчете мы демонстрируем, что фоторецепция через Opn3-GPCR может регулировать топливный метаболизм и митохондриальное дыхание в коричневых адипоцитах.In vivo мы обнаружили, что прямое воздействие света на BAT увеличивает термогенную способность Opn3-зависимым образом. Opn3 был первоначально идентифицирован в ткани мозга мышей и классифицирован как GPCR на основании его аминокислотной последовательности [12]. Opn3 классифицируется как член опсина, связанного с Gt-белком трансдуцина (Gt) [42,43]. Поскольку Opsins являются мембранными белками [43], Opn3 также, как предполагается, локализуется на клеточной мембране и может активировать передачу сигналов GPCR. Хотя спектр поглощения и биохимические характеристики Opn3 млекопитающих не описаны, другие Opn3 позвоночных, такие как таковые из рыбок данио и кур, способны активировать G белки светозависимым образом при экспрессии в клетках млекопитающих [44]. Opn3 -GM клетки несут мутацию ERY (Glu-Arg-Tyr) -to-RDR в G-белок-связывающем мотиве Opn3. Этот высококонсервативный мотив ERY расположен на цитоплазматическом конце третьего трансмембранного домена GPCR класса A (семейство родопсина) [45,46] и связывает конформационные состояния рецептора с активацией G-белка в нескольких GPCR [47–49], включая родопсин [ 50–52]. Таким образом, мутанты по мотиву ERY родопсина [50,51], рецептора вазопрессина V2 [53] и рецептора гонадотропин-рилизинг-гормона [54] все привели к нарушению передачи сигнала, влияя на стадию высвобождения гуанозиндифосфата (GDP) в соответствующие каскады активации G-белка.Например, взаимодействие между мутантом REY в родопсине и его нижележащим белком Gt уменьшается в 7000 раз при незначительном изменении экспрессии мутантного белка и морфологии сетчатки [51]. То же самое может относиться к рассматриваемому мутанту Opn3 -GM. К сожалению, в настоящее время не существует надежных антител против Opn3 для проверки уровня его экспрессии в жировой ткани. В любом случае, вполне вероятно, что функциональный дефект в Opn3 -GM коричневых адипоцитах действительно является результатом отсутствия или чрезвычайно слабой передачи сигналов GPCR.

Наши результаты показывают, что недостаток Opn3 в коричневых жировых клетках приводит к нарушению липолиза и снижению митохондриальной активности даже в темноте, предположительно отражая некоторую базальную конститутивную активность Opn3, которая существует в жировой ткани без света (на примере родопсина; [51]). Мы использовали подход RNA-seq и идентифицировали 30 наиболее значимо различных генов между клетками WT и Opn3 -KO в темноте (ранжированные по p -значению) (таблица S1). Эти гены нечувствительны к свету и связаны с Opn3 в темноте.Следовательно, Opn3 играет роль в функции коричневых адипоцитов, регулируя как светочувствительные гены, так и светочувствительные гены.

Увеличение расхода энергии за счет активации BAT — потенциальный терапевтический подход к лечению и профилактике ожирения и связанных с ним метаболических заболеваний [55,56]. Воздействие холода и последующее повышение адренергического тонуса являются хорошо известными стимуляторами активации BAT [57], а некоторые метаболические и гормональные сигналы также могут активировать функцию коричневого жира [3,58].В этом исследовании мы определили свет как новый регулятор BAT, который включает ранее неизвестный светочувствительный механизм Opn3-GPCR в регуляции использования топлива и митохондриального дыхания в коричневых адипоцитах. Кроме того, наши исследования освещения in vivo предоставляют прямые доказательства индуцированной светом активации термогенеза BAT через Opn3. Эти результаты предлагают как новое понимание роли светового восприятия в нетрадиционных фоторецептивных типах клеток, так и потенциальную молекулярную основу для дальнейшей оценки световой терапии.

Материалы и методы

Заявление о соблюдении этических норм

Все процедуры на животных были одобрены Комитетом по уходу и использованию животных (IACUC) в Диабетическом центре Джослин. Все эксперименты проводились в соответствии с соответствующими руководящими принципами и правилами, описанными в утвержденном IACUC протоколе № 09–01.

Мыши и эксперименты

Мыши

Opn3 -KO и Opn3 -GM были получены в лаборатории доктора Кинг-Вай Яу в Университете Джона Хопкинса и охарактеризованы в Центре диабета Джослина.Процедуру получения мышей Opn3 -KO выполняли, как описано ранее [15], и все эксперименты с использованием мышей Opn3 -KO проводили с использованием однопометников. Поколение мышей Opn3 -GM описано ниже. Мышей кормили HFD в возрасте 4–5 недель в течение 13 недель. Потребление пищи и общий объем жира измеряли в возрасте 17–18 недель. Тест на толерантность к глюкозе (2 г декстрозы на килограмм веса тела) и тест на толерантность к инсулину (1 Ед / кг веса тела, Human R, Lilly) проводили на несдержанных мышах в сознании, которые голодали в течение 6 часов.Кровь собирали из хвоста через 15, 30, 60 и 120 минут после инъекции. Концентрации глюкозы определяли в крови с помощью измерителя уровня глюкозы в крови Infinity (US Diagnostics).

Генерация мышей с мутацией

Opn3 -GM

Мыши Opn3 -GM несут мутацию ERY-to-RDR на G-белок-связывающем мотиве Opn3. Эти мыши были созданы с использованием системы CRISPR / Cas9. Вкратце, инструмент CRISPR Design Tool (http://crispr.mit.edu/) был использован для выбора одной целевой последовательности однонаправленной РНК (sgRNA) (5′-CTA TGA ACG TTA TAT CCG TGT GG-3 ‘), близкой к желаемый сайт мутации в гене Opn3 мыши.Согласно онлайн-протоколу (http://crispr.mit.edu/), олигонуклеотиды комплементарной ДНК были синтезированы, отожжены и клонированы в вектор pX330 (addgene) перед последовательностью trans -активирующей РНК CRISPR (tracrRNA) для создания химерная конструкция sgRNA. ПЦР-амплифицированный продукт этой химерной последовательности использовали в качестве матрицы для транскрипции in vitro с помощью набора для синтеза T7 Quick High Yield RNA Synthesis Kit (New England Biolabs). Очищенную sgRNA смешивали с мРНК Cas9 (TriLink Biotechnologies) и синтезированным олиго размером 170 п.н. (5′-AGG GAC TTA CCC CTA TCC ATA TTC TAC TTT CCT TTC TTG CAG GGT TCG TTT CCA TTA CCA CCC TCA CTG TGC TGG CCT ATC GCG ACA GGA TCC GTG TGG TAC ATG CCA GAG TGA TCA ACT TTT CCT GGG CCT GGA GGG CCA TTA CCT ATA TCT GGC TCT ACT CCT TGG CA-3 ‘, Integrated DNA Technologies) для гомологически-направленной репарации.Смесь sgRNA и мРНК Cas9 инъецировали в пронуклеусы эмбрионов C57BL / 6 в Трансгенной базовой лаборатории Медицинской школы Университета Джона Хопкинса. Животных с целевой мутацией идентифицировали с помощью ПЦР на хвостовой ДНК и подтверждали секвенированием. Для генотипирования мутировавшего аллеля использовали набор праймеров: Opn3-GM For, 5’-TTG GCA GAA CTT TGG ACA GAG GC-3 ‘; и Opn3-GM Rev, 5’-A TGT GGG CAT CGT TTG GAG AGG-3 ‘. Продукты ПЦР непосредственно расщепляли Nru I (буфер 3.1, NEB). WT давал одиночную полосу из 650 п.н., а мутировавший аллель давал одиночную полосу из 325 п.н.Чтобы уменьшить любой потенциальный эффект нецелевого действия, линия была пересечена по крайней мере три раза до мышей C57BL / 6. Геномная ПЦР не выявила каких-либо непреднамеренных мутаций в нецелевых сайтах, предсказанных с помощью CRISPR Design Tool.

Измерение проникновения света in vivo

Мышей полностью анестезировали пентобарбиталом (50 мг / кг веса тела, внутрибрюшинная инъекция). Перед операцией мышам вводили дозу анальгезии (банамин, 2,5 мг / кг массы тела, подкожная инъекция) для минимизации и предотвращения послеоперационной боли и стресса.Волосы на спине мышей вокруг межлопаточной области сбривали, а затем делали разрез кожи. Было выполнено тупое рассечение жировой ткани. Оптический датчик (16 × 10 мм), подключенный к измерителю мощности (Laser Power Meter LP1, SANWA Electric Instrument), вводили под кожу. Световой прибор помещали на кожу. Интенсивность света измеряли с помощью измерителя мощности.

Измерение спектров света

Бритая кожа и кожа с покрытыми мехом BAT были получены от взрослых мышей C57BL6 WT.Спектры проходящего света через кожу и мех измерялись с помощью многоканального спектрометра (Ocean Optics) в диапазоне от 400 до 800 нм со встроенными коллимирующими линзами (Ocean Optics). Спектры пропускания корректировались положительным контролем (спектры без каких-либо препятствий) и отрицательным контролем (проходящие спектры через препятствие), которые полностью отключали светопропускание.

Измерение температуры прибора при освещении

Перед началом эксперимента термозонд [39] был запрограммирован на автоматическую регистрацию температуры каждые 10 минут.Зонды помещались под осветительное устройство μLED. Температуру регистрировали после отсутствия освещения или освещения белым или красным светом в течение 12 часов при двух различных настройках освещения (частота импульсов: 20 Гц; мощность: 10 Вт; процент периодов освещения: 20% или 100%).

Эксперименты по освещению in vivo

Мышей полностью анестезировали пентобарбиталом (65 мг / кг массы тела, внутрибрюшинная инъекция). Перед операцией мышам давали анальгезирующую дозу (банамин, 2,5 мг / кг массы тела, s.c. инъекция), чтобы свести к минимуму и предотвратить послеоперационную боль и стресс. Волосы на спине мышей вокруг межлопаточной области были сбриты, а затем разрез кожи был сделан прямо над BAT. Произведено тупое рассечение до жировой ткани. На НДТ было имплантировано одиночное световое устройство, привязанное к центру. Устройство (мозговой прибор без индикатора, NeuroLux, США) пришивали к трапециевидной мышце на тыльной стороне шеи монофиламентной нитью (5–0). После операции по имплантации открытая кожа ушита шелковыми нитями (5–0).Мышам давали доступ к пище и воде и достаточному количеству подстилок для гнездования, и их регулярно наблюдали на предмет каких-либо признаков недомогания или болезни. Мышам дали 7 дней выздоровления перед включением света через блок беспроводного контроллера (система NeuroLux Optogenetics, NeuroLux). Свет был включен 24 часа в сутки в течение 8 дней. Осветительное устройство работает без батарей и контролируется и контролируется беспроводной системой с обратной связью. Информация об этой системе, включая световые устройства и оборудование, была получена от NeuroLux (http: // www.Neurolux.org/).

Измерение максимальной термогенной емкости

Мышей полностью анестезировали пентобарбиталом (65 мг / кг массы тела, внутрибрюшинная инъекция). Мышей помещали в клетки системы комплексного лабораторного мониторинга животных (CLAMS, Columbus Instruments) на 10 минут, пока они полностью не заснули, а затем начинали измерение CLAMS. После четвертого измерения для каждой мыши мышам вводили NE (1 мг / кг веса тела, подкожная инъекция) и наблюдали в течение дополнительных 120 минут.Данные для VO 2 , потребления углекислого газа (VCO 2 ) и расхода энергии (тепла) были нормализованы до базального уровня до инъекции NE (ΔVO 2 , ΔVCO 2 и ΔHeat) и проанализированы. среди белых, красных и фальшивых групп.

Выделение и культивирование клеток

Коричневые адипоциты и их предшественники были выделены из новорожденных мышей WT Opn3 -KO и Opn3 -GM путем расщепления коллагеназой и иммортализованы, как описано ранее [22].Клетки дифференцировали в адипоциты в течение 8 дней согласно протоколу, описанному в предыдущем исследовании [59]. Три независимые иммортализованные клеточные линии Opn3 -KO были использованы для измерения способности к дифференцировке, экспрессии мРНК Ucp1 и поглощения глюкозы, как показано на рис. S2. Коричневые адипоциты человека были созданы в нашей лаборатории и культивированы, как описано ранее [6].

Световое воздействие in vitro

Чашку для культивирования клеток помещали внутрь черного ящика с белыми светодиодными лампами (продукция RTGS), прикрепленными к крышке ящика.Черный ящик хранили в инкубаторе, и клетки дифференцировались в течение 8 дней в этом состоянии. Спектры стационарной фотолюминесценции светодиодного света регистрировались на JASCO FP-6500 (Jasco), и спектры корректировались на нелинейность детектора.

Трансфекция ДНК и выделение стабильных клеток со сверхэкспрессией Opn3

Вектор экспрессии Opn3 мыши (EX-Mm02247-M67) и вектор отрицательного контроля (EX-NEG-M67) были приобретены у GeneCopoeia. Преадипоциты Opn3 -KO коричневые трансфицировали этими плазмидами с использованием реагента для трансфекции Xfect (Takara).После трансфекции добавляли 250 мкг / мл гигромицина для отбора устойчивых к гигромицину клеток, которые стабильно экспрессируют Opn3. Клетки культивировали в среде, содержащей гигромицин, в течение 2 недель для получения линии клеток, сверхэкспрессирующих Opn3.

Анализ поглощения глюкозы

После голодания сыворотки в среде DMEM с низким содержанием глюкозы (Gibco) в течение 4 часов дифференцированные коричневые адипоциты промывали буфером HEPES. Транспорт глюкозы определяли добавлением 2-дезокси- [3H] глюкозы (0,1 мМ, 0,01 моль).5 мкКи / мл; PerkinElmer Life и аналитическая наука). После 5 минут инкубации реакцию останавливали ледяным 0,9% -ным буфером NaCl. Затем клетки лизировали в 0,1% SDS и оценивали поглощение глюкозы в 4 мл сцинтилляционного раствора с использованием сцинтилляционного счетчика Beckman LS6500 (Beckman Coulter). Неспецифическое поглощение 2-дезокси- [3H] глюкозы измеряли в присутствии цитохалазина B (20 мкМ) и вычитали из общего поглощения, чтобы получить удельное поглощение глюкозы. Результаты выражали как среднее значение ± стандартная ошибка среднего для указанного числа экспериментов.Содержание белка определяли методом Брэдфорда (рис. 2B, 3B и 4A).

Поглощение глюкозы измеряли с помощью набора для флуорометрического анализа поглощения глюкозы (Sigma) в соответствии с протоколом производителя. Вкратце, после голодания сыворотки в течение ночи в среде DMEM с высоким содержанием глюкозы (Gibco) дифференцированным коричневым адипоцитам не хватало глюкозы в буфере Кребса-Рингера-фосфат-HEPES в течение 40 минут. После голодания добавляли 2-DG и инкубировали в течение 20 минут. Затем клетки лизировали, и поглощение 2-DG определяли с помощью анализа сопряженных ферментов, в котором фосфорилированный 2-DG, 2-DG6P, окисляется, что приводит к образованию НАДФН, который реагирует с зондом с образованием флуорометрического продукта. .Результаты выражали как среднее значение ± стандартная ошибка среднего для указанного числа экспериментов. Содержание белка определяли методом Брэдфорда (фиг. S2D и 3E и фиг. S2L).

Анализ липолиза

Клетки выращивали в 96-луночных планшетах для тканевых культур и дифференцировали в течение 8 дней. Анализ липолиза проводили с использованием набора для анализа липолиза адипоцитов (Zen-Bio) в соответствии с протоколом производителя. Вкратце, дифференцированные адипоциты промывали и инкубировали в буфере для анализа липолиза с тестируемыми соединениями, такими как 5 мкМ CL-316,243 и 100 мкМ IBMX, при 37 ° C в инкубаторе.Через 3 часа после инкубации определяли содержание глицерина в буфере для анализа.

Измерение сотового OCR

Клетки высевали на покрытые желатином чашки с морским коньком и дифференцировали в течение 8 дней. Клетки голодали по сыворотке в течение 1 часа до начала эксперимента. OCR контролировали в приборе Seahorse Bioanalyzer XF24 (Agilent) с использованием олигомицина (1 мкМ), FCCP (1,2 мкМ) и ротенона (1 мкМ), что позволяло проводить четыре измерения после каждой инъекции. Дополнительно мы использовали 25 мМ глюкозы или 2.5 мМ глюкозы плюс 0,5 мМ карнитина и 0,175 мМ пальмитат-БСА (в текучей среде) в качестве топлива и 100 мкМ этомоксира (Sigma) использовали для блокирования активности CPT1. Для нормализации дыхания до содержания белка клетки лизировали в буфере RIPA, и концентрации белка измеряли с помощью набора Pierce BCA (Life Technologies).

Вестерн-блоттинг

Клетки лизировали в буфере RIPA, и концентрации белка определяли с использованием набора Pierce BCA (Life Technologies) в соответствии с инструкциями производителя.Равные концентрации белка (определенные с помощью анализа Брэдфорда) загружали в гель SDS-PAGE. Затем белки переносили на мембрану PVDF и зондировали антителами к Glut1 (Abcam, ab115730), CPT1-M (Alpha Diagnostic, CPT1M11-A), UCP1 (Abcam, ab10983), PPARγ (Santa Cruz Biotechnology, sc-7273), HSL (# 18381), Phospho-HSL (Ser563: # 4139, Ser565: # 4137, Ser660: # 4126), ATGL (# 2439), FABP4 (AP2: # 3544), GAPDH (# 2118) и b-тубулин. (# 2146) (все из Cell Signaling) с последующей инкубацией с соответствующими вторичными антителами и визуализацией с субстратом усиленной хемилюминесценции.

РНК-последовательность

Суммарную РНК экстрагировали из клеток с использованием набора спин-колонок (Zymo Research). Целостность и чистоту общей РНК оценивали с помощью биоанализатора Agilent 2100 (Agilent Technologies). Протокол мРНК TruSeq Stranded компании Illumina был использован для приготовления библиотек РНК-seq и секвенирован на аппарате HiSeq 2500 (Illumina) в качестве считываний парных концов, 100 пар оснований.

Анализ РНК-seq

Парные считывания секвенирования из HiSeq 2500 были подвергнуты обрезке адаптера с использованием программы cutadapt версии 1.1 (https://cutadapt.readthedocs.io/en/stable/) и были обрезаны по качеству с использованием Trimmomatic версии 0.32 [60]. Затем мы использовали TopHat (версия 2.0.14 [61]) с параметрами по умолчанию для сопоставления эталонного генома (GRCm38, mm10). Подсчет рассчитывали с использованием Cufflinks (версия 2.2.1 [62]) со ссылкой на транскриптом (Ensembl Mouse Transcript). Из 53 797 транскриптов мы отфильтровали те, у которых не было хотя бы одного счета на миллион (CPM), по крайней мере, в трех образцах, оставив 13 910 транскриптов. Мы нормализовали счет с помощью метода TMM [63].Затем мы преобразовали данные подсчета в журнал 2 -счет на миллион (logCPM), оценили отношение среднего значения к дисперсии и использовали его для вычисления весов на уровне наблюдения, что позволяет моделировать линейную регрессию с помощью пакета Limma [64,65] . Затем мы протестировали групповые сравнения в каждом гене с помощью эмпирических байесовских моделей линейной регрессии Лиммы и учли множественное тестирование с помощью FDR Бенджамини-Хохберга. Мы протестировали обогащение метаболических путей HumanCyc [66], полученных из Harmonizome [67], в нашем списке Opn3-опосредованных генов с помощью метода предварительного ранжирования Limma CAMERA [68], который учитывает корреляции между генами.

Количественная RT-PCR

Суммарную РНК экстрагировали из клеток с помощью тризола и очищали с использованием набора спин-колонок (Zymo Research). РНК (500–1000 нг) подвергали обратной транскрипции с помощью набора для обратной транскрипции комплементарной ДНК (кДНК) высокой емкости (Applied Biosystems). Анализы qRT-PCR проводили и количественно оценивали в системе определения последовательностей ABI Prism 7900 с использованием SYBR green PCR Master Mix (Roche). Относительную экспрессию мРНК определяли методом ΔCt, и значения нормировали на экспрессию кислого рибосомного фосфопротеина P0 (ARBP).Последовательности праймеров, использованные в этом исследовании, представлены в таблице S2.

Количественная оценка содержания митохондриальной ДНК методом qPCR

ДНК

выделяли из адипоцитов WT и Opn3 -KO на 8 день дифференцировки. Праймеры ND1 и ND6 использовали для оценки митохондриальной ДНК, а праймеры GAPDH, предназначенные для нацеливания на интронную область гена, использовали для измерения ядерной ДНК. qPCR выполняли с 50 нг ДНК, и уровень экспрессии ND1 и ND6 был нормализован по экспрессии GAPDH.Последовательности праймеров указаны в таблице S2.

Окрашивание Oil Red O

Для окрашивания липидных капель внутри клеток проводили окрашивание Oil Red O. Клетки дважды промывали PBS и фиксировали 10% забуференным формалином в течение ночи при 4 ° C. Затем клетки окрашивали в течение 2–4 часов при комнатной температуре фильтрованным раствором Oil Red O (0,5% Oil Red O в изопропиловом спирте), дважды промывали дистиллированной водой и затем визуализировали.

Анализ поглощения жирных кислот

Поглощение

жирных кислот определяли путем измерения поглощения [14C] пальмитиновой кислоты, как описано ранее [69].

Анализ цитохромоксидазы

Митохондрии выделяли из дифференцированных коричневых адипоцитов с помощью набора для выделения митохондрий (Abcam). Мы измерили активность митохондриального комплекса IV с использованием набора для анализа цитохром с оксидазы (SIGMA) в соответствии с протоколом производителя. Вкратце, в кювете на 1 мл мы добавили восстановленный цитохром с и буфер для анализа цитохром с оксидазы к 3 мкг митохондриального белка и зарегистрировали снижение поглощения при 550 нм в течение 10 минут на спектрометре (Denovix).Снижение абсорбции пропорционально увеличению окисленного цитохрома c. Мы представили активность цитохромоксидазы как (единиц / мг) = [(Absorbance1 — Absorbance2) / (t1 –t2)] / (21,84 × объем образца). Одна единица окисляет 1 мкмоль восстановленного цитохрома с в минуту.

Статистический анализ

Все статистические данные были рассчитаны с использованием Microsoft Excel и GraphPad Prism. Все данные были представлены в виде среднего значения ± стандартная ошибка среднего, и сравнения были выполнены с помощью теста Стьюдента t , однофакторного дисперсионного анализа ANOVA и двухфакторного дисперсионного анализа с повторными измерениями в зависимости от ситуации.Подробности описаны в легенде каждого рисунка. Результаты считались значимыми, если * p <0,05, ** p <0,01 или *** p <0,001. Все эксперименты проводились как минимум на двух-трех независимых экспериментах, за исключением исследования RNA-seq. Эксперименты не были рандомизированы, и размер выборки не был заранее определен.

Дополнительная информация

S1 Рис. Экспрессия опсинов и метаболический анализ у мышей Opn3-KO.

(A) Однопометных мышей кормили NCD, а массу тела измеряли каждую неделю ( n = 4–6) (B) Слева: GTT выполняли после 12 недель HFD.Мышей не кормили в течение 6 часов с последующей внутрибрюшинной инъекцией декстрозы. Уровни глюкозы в крови определяли в указанные моменты времени после инъекции. Справа: AUC для GTT была рассчитана для соответствующего временного интервала ( n = 8–13). (C) ΔVO 2 , измеренная с помощью CLAMS в течение 35 минут у мышей Opn3 -KO и WT, получавших NCD, получавших внутрибрюшинную инъекцию NE в условиях NCD ( n = 6). Справа: показаны количественные оценки AUC ΔVO 2 . (D) Opn3 и Opsin1MW 2 , 4 и 5 Экспрессия мРНК в коричневой жировой ткани, выделенной у взрослых однопометных мышей WT и мышей Opn3 -KO (от 10 до 11 недель, n = 6-7).Данные представлены как среднее значение ± стандартная ошибка среднего. Значения p определяли с помощью двухфакторного дисперсионного анализа с повторными измерениями с последующим тестом Бонферрони ([C], слева) и непарным тестом t ([C], справа и [D]). ** p < 0,01, **** p < 0,0001. Данные для этого рисунка можно найти в репозитории Dryad: https://doi.org/10.5061/dryad.p5hqbzkkv [70]. AUC — площадь под кривой; CLAMS, Комплексная система мониторинга лабораторных животных; GTT, тест толерантности к глюкозе; HFD, диета с высоким содержанием жиров; IP, внутрибрюшинно; КО, нокаут; MW , средняя длина волны; НИЗ, обычная чау-диета; NE, норадреналин; Opn3, Opsin3; ВО 2 , потребление кислорода; WT, дикий тип.

https://doi.org/10.1371/journal.pbio.3000630.s001

(TIF)

S2 Рис. Экспрессия генов и метаболический анализ в коричневых жировых клетках WT и Opn3-KO.

(A) Экспрессия мРНК опсинов в коричневых адипоцитах WT в день 0 ( n = 3). Эксперимент проводился в трех технических повторностях. (B) Opn3 Экспрессия мРНК в коричневых адипоцитах WT в ходе дифференцировки (день 0-8) ( n = 3). (C) Экспрессия мРНК опсинов в коричневых преадипоцитах человека ( n = 3).(D) Экспрессия мРНК AP2 ( n = 3). (E, F) Вестерн-блот-анализ уровня белка AP2 и PPARg в коричневых адипоцитах WT и Opn3 -KO и количественное определение белка AP2 ( n = 4) и PPARg ( n = 3). Эксперимент независимо повторяли трижды. (G) Верх: липидные капли в коричневых адипоцитах WT и Opn3 -KO на 8-й день дифференцировки окрашивали масляным красным О (см. Материалы и методы). Нижний: количественная оценка окрашивания масляным красным О ( n = 6).Эксперимент проводился в трех независимых биологически независимых экспериментах. (H) мРНК (слева, n = 3) и белок (справа, количественная оценка n = 5) Ucp1 , специфический маркер для коричневой жировой ткани, экспрессия в коричневых адипоцитах WT и KO в день 0 и 8-й день дифференциации. Эти эксперименты были выполнены в трех биологических независимых экспериментах. (I) Экспрессию мРНК AP2 измеряли в двух других иммортализованных линиях клеток коричневого жира Opn3 -KO на 8 день дифференцировки ( n = 3).Эксперимент проводился в трех биологических независимых экспериментах. (J) Окрашивание масляным красным О выполняли с двумя другими иммортализованными клеточными линиями Opn3 -KO на 8 день дифференцировки, и окрашивание оценивали количественно ( n = 6). (K) Экспрессию мРНК Ucp1 измеряли в двух других иммортализованных линиях клеток коричневого жира Opn3 -KO на 8 день дифференцировки ( n = 3). Эксперимент проводился в трех биологических независимых экспериментах.(L) Поглощение глюкозы двумя другими иммортализованными линиями клеток коричневого жира Opn3 -KO. ( n = 7–8). Эксперимент проводился в трех биологических независимых экспериментах. (M) Opn3 и Ucp1 экспрессию мРНК измеряли в клетках WT, Opn3 -KO и Opn3 -KO + Opn3-OE на 8 день дифференцировки ( n = 3). Эксперимент проводился в трех биологических независимых экспериментах. (N) Слева: Вестерн-блот-анализ уровней белка HSL и ATGL в клетках WT и Opn3 -KO.Этот эксперимент был повторен трижды с аналогичными результатами. Справа: показано количественное определение ATGL ( n = 3). (O) Поглощение жирных кислот дифференцированными адипоцитами WT и Opn3 -KO коричневыми ( n = 10). Эксперимент независимо повторяли два раза. (P) содержание мтДНК определяли с помощью кПЦР с геномной ДНК. МтДНК-специфичные ND1 и ND6, нормализованные к ядерно-специфическому гену GAPDH ( n = 3). Этот эксперимент был повторен трижды с аналогичными результатами.(Q) Слева: Измерение снижения поглощения при 550 нм восстановленного цитохрома c, вызванного его окислением цитохром с оксидазой, содержащейся в митохондриальном белке дифференцированных клеток WT и Opn3 -KO ( n = 3). Снижение абсорбции указывает на повышение активности цитохром с оксидазы. Справа: активность цитохром-с-оксидазы, определяемая скоростью изменения линейного изменения ( n = 6, см. Материалы и методы). Эксперимент независимо повторяли трижды.Во всех вышеупомянутых экспериментах клетки культивировали и дифференцировали в нормальных условиях темноты в инкубаторе CO 2 . Значения обозначают среднее значение ± SEM, и сравнения были сделаны с помощью теста Стьюдента t ([A – L] и [N – Q]) или однофакторного дисперсионного анализа с последующим апостериорным тестом Тьюки (M). * р < 0,05; ** p < 0,01; *** p < 0,001. Данные для этого рисунка можно найти в репозитории Dryad: https://doi.org/10.5061/dryad.p5hqbzkkv [70]. AP2 , адипоцитарный белок 2 ; ATGL, триглицерид липаза жировой ткани; GAPDH, глицеральдегид-3-фосфатдегидрогеназа; HSL, гормоночувствительная липаза; КО, нокаут; мтДНК, митохондриальная ДНК; ND1, субъединица 1 НАДН-дегидрогеназы; ND6, субъединица 6 НАДН-дегидрогеназы; Opn3, Opsin3; Opn3-OE, сверхэкспрессия Opn3 ; PPARg, рецептор, активируемый пролифератором пероксисом g; КПЦР, количественная полимеразная цепная реакция; Ucp1 , разобщающий белок-1 ; WT, дикий тип.

https://doi.org/10.1371/journal.pbio.3000630.s002

(TIF)

S3 Рис. Индуцированные светом метаболические изменения в коричневых адипоцитах WT и Opn3-KO.

(A) Спектр белого светодиодного света. (B) Слева: клетки культивировали со световой стимуляцией или без нее, и температуру среды контролировали каждый 1 час в течение 24 часов. Справа: средняя температура 24 часа. Эксперимент независимо повторяли два раза. (C) Экспрессию мРНК Opn3 и измеряли в коричневых адипоцитах WT и Opn3 -KO, дифференцированных в светлых или темных условиях ( n = 3).(D) Количественная оценка OCR, показанная на рис. 3C ( n = 10–11). (E) Анализ липолиза дифференцированных WT и коричневых жировых клеток Opn3 -KO, стимулированных носителем, CL-316,243 (5 мкМ) или IBMX (100 мкМ) ( n = 3). Эксперимент независимо повторяли два раза. (F) Вестерн-блот-анализ уровня белка ATGL в коричневых адипоцитах WT и Opn3 -KO, дифференцированных в светлых или темных условиях, и показана количественная оценка полосы ( n = 3). Этот эксперимент был повторен трижды с аналогичными результатами.(G) содержание мтДНК определяли с помощью кПЦР с геномной ДНК. МтДНК-специфичные ND1 и ND6, нормализованные к ядерно-специфическому гену GAPDH ( n = 3). Этот эксперимент был повторен трижды с аналогичными результатами. (H) Цитохром с-оксидазная активность (см. Материалы и методы) дифференцированных адипоцитов WT и Opn3 -KO коричневого цвета со световой стимуляцией или без нее ( n = 3). Эксперимент независимо повторяли трижды. (I) Количественная оценка OCR показана на рис. 3D ( n = 7).(J) Клетки собирали в указанные моменты времени после шока дексаметазоном, и уровни экспрессии гена часов анализировали с помощью кПЦР ( n = 3). Эксперимент проводился в трех независимых технических повторностях. Значения обозначают среднее значение ± стандартная ошибка среднего, сравнения были выполнены с помощью теста Стьюдента t . * р < 0,05; ** p < 0,01; *** p < 0,001. Данные для этого рисунка можно найти в репозитории Dryad: https://doi.org/10.5061/dryad.p5hqbzkkv [70]. ATGL, триглицерид липаза жировой ткани; GAPDH, глицеральдегид-3-фосфатдегидрогеназа; IBMX, 3-изобутил-1-метилксантин; КО, нокаут; Светодиод, светодиод; мтДНК, митохондриальная ДНК; ND1, субъединица 1 НАДН-дегидрогеназы; ND6, субъединица 6 НАДН-дегидрогеназы; OCR, скорость потребления кислорода; Opn3, Opsin3; КПЦР, количественная полимеразная цепная реакция; WT, дикий тип.

https://doi.org/10.1371/journal.pbio.3000630.s003

(TIF)

S4 Рис. Анализ экспрессии генов в коричневых жировых клетках Opn3-GM.

(A) Экспрессия и количественное определение белка AP2 на 8 день ( n = 4). Эксперимент независимо повторяли трижды. (B) Верх: Окрашивание масляным красным О в адипоцитах WT и Opn3 -GM коричневых на 8-й день дифференцировки. Нижний: количественное определение клеток, окрашенных масляным красным О ( n = 4). Эксперимент независимо повторяли два раза. (C) Слева: экспрессия мРНК Ucp1 , специфического маркера коричневой жировой ткани, и экспрессия в коричневых адипоцитах WT и Opn3 -GM в день 0 и день 8 дифференцировки ( n = 3).Справа: экспрессия и количественное определение белка Ucp1 на 8-й день дифференцировки ( n = 4). Эти эксперименты были повторены независимо три раза. Во всех вышеупомянутых экспериментах клетки культивировали и дифференцировали в нормальных условиях темноты в инкубаторе CO 2 . Значения обозначают среднее значение ± стандартная ошибка среднего, и сравнения были сделаны с помощью теста Стьюдента t . ** p < 0,01. Данные для этого рисунка можно найти в репозитории Dryad: https://doi.org/10.5061/dryad.p5hqbzkkv [70]. AP2, белок 2 адипоцитов; Opn3, Opsin3; Opn3 -GM, мутант области связывания белка G Opn3 ’; Ucp1 , разобщающий белок-1 ; WT, дикий тип.

https://doi.org/10.1371/journal.pbio.3000630.s004

(TIF)

S5 Рис. Прямая световая стимуляция BAT через Opn3, активирующую активность BAT in vivo.

(A) Слева: температура устройства при белом освещении, красном свете или отсутствии освещения измерялась каждые 10 минут в течение 12 часов при двух различных настройках освещения (частота импульсов: 20 Гц; мощность: 10 Вт; процент периодов освещения: 20%. или 100%, n = 3–4).Справа: средняя температура устройства за 12 часов ( n = 3–4). (B) Слева: ΔVO 2 , измеренная с помощью CLAMS в течение 2 часов на имплантированных μLED и ложно оперированных мышах, получавших внутрибрюшинную инъекцию норадреналина ( n = 6-7). Эксперимент проводили на взрослых самцах мышей C57BL / 6. Справа: показаны количественные оценки AUC ΔVO 2 . (C) Слева: измерение ΔVO 2 у мышей из одного помета Opn3 -KO, получавших внутрибрюшинную инъекцию норадреналина ( n = 3–4).Справа: показаны количественные показатели AUC. (D) Фотографии операции по освещению in vivo. Слева и посередине: световое устройство было размещено на верхней части межлопаточной летучей мыши (обведено желтой линией). Справа: свет был активирован после хирургического восстановления. Стрелки указывают на освещение. Данные представлены как среднее значение ± стандартная ошибка среднего. Значения p определяли следующим образом: (A) обычный односторонний дисперсионный анализ с последующим тестом множественного сравнения Тьюки. ** p < 0,01, *** p < 0,001; * существенная разница между освещением и неосвещением.([B] и [C], слева) Двусторонний дисперсионный анализ с повторными измерениями, за которым следует тест множественного сравнения Тьюки. ([B] и [C], справа) Обычный односторонний дисперсионный анализ с тестом множественного сравнения Тьюки. * p < 0,05, ** p < 0,01; * значительная разница между легкой группой и фиктивной группой. p < 0,05, †† p < 0,01; значительная разница между длиной волны света (белый и красный). Данные для этого рисунка можно найти в репозитории Dryad: https: // doi.org / 10.5061 / dryad.p5hqbzkkv [70]. AUC — площадь под кривой; BAT — коричневая жировая ткань; CLAMS, Комплексная система мониторинга лабораторных животных; IP, внутрибрюшинно; КО, нокаут; Светодиод, светодиод; Opn3, Opsin3; ВО 2 , потребление кислорода.

https://doi.org/10.1371/journal.pbio.3000630.s005

(TIF)

Благодарности

Мы благодарим К. Катаяму из Технологического института Нагои за полезные советы по интерпретации данных.

RNA-seq анализ был проведен при поддержке Harvard Catalyst | Гарвардский центр клинических и трансляционных наук (Национальный центр развития трансляционных наук, награда Национального института здравоохранения UL 1TR002541) и финансовые взносы Гарвардского университета и связанных с ним академических медицинских центров. Авторы несут полную ответственность за содержание, которое не обязательно отражает официальную точку зрения Harvard Catalyst, Гарвардского университета и связанных с ним академических медицинских центров или Национальных институтов здравоохранения.

Список литературы

  1. 1. Лазарь М.А. Как ожирение вызывает диабет: не новость. Наука. 2005. 307 (5708): 373–5. pmid: 15662001.
  2. 2. Розен ЭД, Шпигельман БМ. Адипоциты как регуляторы энергетического баланса и гомеостаза глюкозы. Природа. 2006. 444 (7121): 847–53. pmid: 17167472; PubMed Central PMCID: PMC3212857.
  3. 3. Шульц Т.Дж., Ценг Ю.Х. Коричневая жировая ткань: развитие, обмен веществ и не только. Биохим Дж. 2013; 453 (2): 167–78.pmid: 23805974; PubMed Central PMCID: PMC3887508.
  4. 4. Sidossis L, Kajimura S. Коричневый и бежевый жир у людей: термогенные адипоциты, которые контролируют энергию и гомеостаз глюкозы. J Clin Invest. 2015; 125 (2): 478–86. Epub 2015/02/02. pmid: 25642708; PubMed Central PMCID: PMC4319444.
  5. 5. Сайпесс AM, Lehman S, Williams G, Tal I, Rodman D, Goldfine AB и др. Идентификация и важность коричневой жировой ткани у взрослых людей. N Engl J Med. 2009. 360 (15): 1509–17.pmid: 106; PubMed Central PMCID: PMC2859951.
  6. 6. Xue R, Lynes MD, Dreyfuss JM, Shamsi F, Schulz TJ, Zhang H и др. Клональные анализы и профилирование генов позволяют идентифицировать генетические биомаркеры термогенного потенциала коричневых и белых преадипоцитов человека. Nat Med. 2015; 21 (7): 760–8. Epub 2015/06/15. pmid: 26076036; PubMed Central PMCID: PMC4496292.
  7. 7. Gesta S, Tseng YH, Kahn CR. Происхождение жира в результате развития: отслеживание источника ожирения. Клетка. 2007. 131 (2): 242–56.pmid: 17956727.
  8. 8. Chondronikola M, Volpi E, Børsheim E, Porter C, Annamalai P, Enerbäck S, et al. Коричневая жировая ткань улучшает гомеостаз глюкозы в организме и чувствительность к инсулину у людей. Диабет. 2014; 63 (12): 4089–99. Epub 2014/07/23. pmid: 25056438; PubMed Central PMCID: PMC4238005.
  9. 9. Stanford KI, Middelbeek RJ, Townsend KL, An D, Nygaard EB, Hitchcox KM, et al. Коричневая жировая ткань регулирует гомеостаз глюкозы и чувствительность к инсулину.J Clin Invest. 2013. 123 (1): 215–23. Epub 2012/12/10. pmid: 23221344; PubMed Central PMCID: PMC3533266.
  10. 10. Бартельт А., Брунс О.Т., Реймер Р., Хоэнберг Х., Иттрих Х., Пельдшус К. и др. Активность коричневой жировой ткани контролирует клиренс триглицеридов. Nat Med. 2011. 17 (2): 200–5. Epub 2011/01/23. pmid: 21258337.
  11. 11. Смит RE, Робертс JC. Термогенез бурой жировой ткани у акклиматизированных к холоду крыс. Am J Physiol. 1964; 206: 143–8. pmid: 14117643.
  12. 12.Блэкшоу С, Снайдер Ш. Энцефалопсин: новый экстраретинальный опсин млекопитающих, дискретно локализованный в головном мозге. J Neurosci. 1999. 19 (10): 3681–90. pmid: 10234000.
  13. 13. С уважением, JB, Sato IT, Coughlin SR. Анатомический профиль экспрессии рецепторов, связанных с G-белками. Клетка. 2008. 135 (3): 561–71. pmid: 18984166; PubMed Central PMCID: PMC25.
  14. 14. Коянаги М., Такада Э., Нагата Т., Цукамото Х., Теракита А. Гомологи Opn3 позвоночных потенциально служат световым датчиком в нефоторецептивной ткани.Proc Natl Acad Sci U S. A. 2013; 110 (13): 4998–5003. Epub 2013/03/11. pmid: 23479626; PubMed Central PMCID: PMC3612648.
  15. 15. Buhr ED, Yue WW, Ren X, Jiang Z, Liao HW, Mei X и др. Опосредованное нейропсином (OPN5) фотоэнтезирование местных циркадных осцилляторов в сетчатке и роговице млекопитающих. Proc Natl Acad Sci U S. A. 2015; 112 (42): 13093–8. Epub 2015/09/21. pmid: 263

    ; PubMed Central PMCID: PMC4620855.
  16. 16. Оздеслик Р.Н., Олински Л.Е., Триеу М.М., Опрян Д.Д., Оанча Э.Невизуальный опсин 3 человека регулирует пигментацию эпидермальных меланоцитов посредством функционального взаимодействия с рецептором меланокортина 1. Proc Natl Acad Sci U S. A. 2019; 116 (23): 11508–17. Epub 2019/05/16. pmid: 31097585; PubMed Central PMCID: PMC6561246.
  17. 17. Houreld NN. Освещение нового метода лечения диабетических ран: обзор фототерапии. ScientificWorldJournal. 2014; 2014: 398412. Epub 2014/01/06. pmid: 24511283; PubMed Central PMCID: PMC35.
  18. 18.Sene-Fiorese M, Duarte FO, de Aquino Junior AE, Campos RM, Masquio DC, Tock L, et al. Потенциал фототерапии для уменьшения жировых отложений, инсулинорезистентности и «метаболической негибкости», связанных с ожирением, у женщин, проходящих курс лечения для снижения веса. Лазеры Surg Med. 2015; 47 (8): 634–42. Epub 2015/07/29. pmid: 26220050.
  19. 19. Маша Р.Т., Хурельд Н.Н., Абрахамсе Х. Низкоинтенсивное лазерное излучение при длине волны 660 нм стимулирует транскрипцию генов, участвующих в цепи переноса электронов.Photomed Laser Surg. 2013. 31 (2): 47–53. Epub 2012/12/16. pmid: 23240874.
  20. 20. Каджимура С., Шпигельман Б.М., Сил П. Коричневый и бежевый жир: физиологические роли за пределами тепловыделения. Cell Metab. 2015; 22 (4): 546–59. pmid: 26445512; PubMed Central PMCID: PMC4613812.
  21. 21. Недергаард Дж., Кэннон Б. Измененный метаболический мир с коричневой жировой тканью человека: терапевтические видения. Cell Metab. 2010. 11 (4): 268–72. pmid: 20374959
  22. 22. Fasshauer M, Klein J, Ueki K, Kriauciunas KM, Benito M, White MF и др.Существенная роль субстрата-2 рецептора инсулина в стимуляции инсулином транслокации Glut4 и захвата глюкозы коричневыми адипоцитами. J Biol Chem. 2000. 275 (33): 25494–501. pmid: 10829031.
  23. 23. Регаззетти С., Сормани Л., Дебейл Д., Бернерд Ф., Тулич М.К., Де Донатис Г.М. и др. Меланоциты воспринимают синий свет и регулируют пигментацию с помощью опсина-3. J Invest Dermatol. 2018; 138 (1): 171–8. Epub 24.08.2017. pmid: 28842328.
  24. 24. Баррето Ортис С., Хори Д., Номура Й., Юн Х, Цзян Х., Йонг Х. и др.Опсины 3 и 4 опосредуют индуцированную светом легочную вазорелаксацию, которая усиливается ингибированием киназы 2 рецептора, связанного с G-белком. Am J Physiol Lung Cell Mol Physiol. 2018; 314 (1): L93 – L106. Epub 2017/09/07. pmid: 28882814.
  25. 25. Dunlap JC. Молекулярные основы циркадных часов. Клетка. 1999. 96 (2): 271–90. pmid: 9988221.
  26. 26. Масри С., Сассоне-Корси П. Циркадные часы: каркас, связывающий метаболизм, эпигенетику и функцию нейронов. Nat Rev Neurosci.2013. 14 (1): 69–75. Epub 2012/11/28. pmid: 23187814; PubMed Central PMCID: PMC5720680.
  27. 27. Панда С. Циркадная физиология обмена веществ. Наука. 2016; 354 ​​(6315): 1008–15. pmid: 27885007.
  28. 28. Husse J, Eichele G, Oster H. Синхронизация системы циркадных часов млекопитающих: свет может управлять периферийными часами независимо от часов SCN: альтернативные маршруты увлечения оптимизируют согласование сети циркадных часов организма с внешним временем.Биологические исследования. 2015; 37 (10): 1119–28. Epub 2015/08/07. pmid: 26252253; PubMed Central PMCID: PMC5054915.
  29. 29. Мидзуараи С., Мики С., Араки Х., Такахаши К., Котани Х. Идентификация дикарбоксилатного носителя Slc25a10 в качестве переносчика малата в синтезе жирных кислот de novo. J Biol Chem. 2005. 280 (37): 32434–41. Epub 2005/07/15. pmid: 16027120.
  30. 30. Kulyté A, Ehrlund A, Arner P, Dahlman I. Глобальное профилирование транскриптомов идентифицирует KLF15 и SLC25A10 как модификаторы чувствительности адипоцитов к инсулину у женщин с ожирением.PLoS ONE. 2017; 12 (6): e0178485. Epub 2017/06/01. pmid: 28570579; PubMed Central PMCID: PMC5453532.
  31. 31. Yoshihara E, Masaki S, Matsuo Y, Chen Z, Tian H, Yodoi J. Тиоредоксин / Txnip: редоксисома, как окислительно-восстановительный переключатель для патогенеза заболеваний. Фронт Иммунол. 2014; 4: 514. Epub 2014/01/09. pmid: 24409188; PubMed Central PMCID: PMC3885921.
  32. 32. Ван Кью, Шарма В.П., Шен Х., Сяо Й., Чжу Кью, Сюн Х и др. Гепатокин Цукуши регулирует расход энергии посредством симпатической иннервации бурого жира.Nat Metab. 2019; 1 (2): 251–60. Epub 2019.01.14. pmid: 31535079; PubMed Central PMCID: PMC6750233.
  33. 33. Кристиансон Дж. Л., Николоро С., Страубхаар Дж., Член парламента Чехии. Стеароил-КоА-десатураза 2 необходима для экспрессии гамма-рецептора, активируемого пролифератором пероксисом, и адипогенеза в культивируемых клетках 3T3-L1. J Biol Chem. 2008. 283 (5): 2906–16. Epub 2007/11/21. pmid: 18032385.
  34. 34. Хоппель С. Роль карнитина в нормальном и измененном метаболизме жирных кислот. Am J Kidney Dis.2003; 41 (4 Suppl 4): S4–12. pmid: 12751049.
  35. 35. Лонго Н., Фриджени М., Паскуали М. Транспорт карнитина и окисление жирных кислот. Biochim Biophys Acta. 2016; 1863 (10): 2422–35. Epub 2016/01/29. pmid: 26828774; PubMed Central PMCID: PMC4967041.
  36. 36. Ли К., Кернер Дж., Хоппель К.Л. Митохондриальная карнитин-пальмитоилтрансфераза 1a (CPT1a) является частью комплекса переноса жирных кислот через внешнюю мембрану. J Biol Chem. 2011. 286 (29): 25655–62. Epub 26.05.2011. pmid: 21622568; PubMed Central PMCID: PMC3138250.
  37. 37. Мартинес-Рейес I, Diebold LP, Kong H, Schieber M, Huang H, Hensley CT и др. Цикл TCA и потенциал митохондриальной мембраны необходимы для разнообразных биологических функций. Mol Cell. 2016; 61 (2): 199–209. Epub 2015/12/24. pmid: 26725009; PubMed Central PMCID: PMC4724312.
  38. 38. Мелов С., Коскун П., Патель М., Туинстра Р., Коттрелл Б., Джун А.С. и др. Митохондриальная болезнь у мышей с мутантом супероксиддисмутазы 2. Proc Natl Acad Sci U S. A. 1999; 96 (3): 846–51.pmid: 9

    6; PubMed Central PMCID: PMC15313.
  39. 39. Шин Дж., Гомес А.М., Аль-Хасани Р., Чон Й.Р., Ким Дж., Се З. и др. Гибкая беспроводная оптоэлектроника ближнего поля в качестве подкожных имплантатов для широкого применения в оптогенетике. Нейрон. 2017; 93 (3): 509–21.e3. Epub 2017/01/26. pmid: 28132830; PubMed Central PMCID: PMC5377903.
  40. 40. Джейкобс Г. Х., Нейтц Дж., Диган Дж. Ф. Рецепторы сетчатки у грызунов максимально чувствительны к ультрафиолету. Природа. 1991. 353 (6345): 655–6.pmid: 12.
  41. 41. Джейкобс Г. Х., Уильямс Г. А., Фенвик Дж. А. Влияние коэкспрессии пигмента колбочек на спектральную чувствительность и цветовое зрение у мышей. Vision Res. 2004. 44 (14): 1615–22. pmid: 15135998.
  42. 42. Шичида Ю., Мацуяма Т. Эволюция опсинов и фототрансдукция. Philos Trans R Soc Lond B Biol Sci. 2009. 364 (1531): 2881–95. pmid: 19720651; PubMed Central PMCID: PMC2781858.
  43. 43. Теракита А. Опсины. Genome Biol. 2005; 6 (3): 213.Epub 2005/03/01. pmid: 15774036; PubMed Central PMCID: PMC1088937.
  44. 44. Сугихара Т., Нагата Т., Мейсон Б., Коянаги М., Теракита А. Характеристики поглощения невизуальных опсинов позвоночных, Opn3. PLoS ONE. 2016; 11 (8): e0161215. Epub 2016/08/17. pmid: 27532629; PubMed Central PMCID: PMC4988782.
  45. 45. Capra V, Veltri A, Foglia C, Crimaldi L, Habib A, Parenti M и др. Мутационный анализ высококонсервативного мотива ERY тромбоксанового рецептора A2: альтернативная роль в передаче сигналов рецептора, связанного с G-белком.Mol Pharmacol. 2004; 66 (4): 880–9. Epub 2004/06/30. pmid: 15229298.
  46. 46. Parnot C, Miserey-Lenkei S, Bardin S, Corvol P, Clauser E. Уроки конститутивно активных мутантов рецепторов, связанных с G-белком. Trends Endocrinol Metab. 2002. 13 (8): 336–43. pmid: 12217490.
  47. 47. Сибата Т., Сузуки С., Охниши Дж., Мураками К., Миядзаки Х. Идентификация регионов человеческого рецептора ангиотензина II типа 1, ответственных за сцепление Gi и Gq, путем исследования мутагенеза.Biochem Biophys Res Commun. 1996. 218 (1): 383–9. pmid: 8573166.
  48. 48. Шеер А., Коста Т., Фанелли Ф., Де Бенедетти П. Г., Мхаути-Коджа С., Абуин Л. и др. Мутационный анализ высококонсервативного аргинина в мотиве Glu / Asp-Arg-Tyr альфа (1b) -адренергического рецептора: влияние на изомеризацию и активацию рецептора. Mol Pharmacol. 2000. 57 (2): 219–31. pmid: 10648631.
  49. 49. Чанг Д.А., Уэйд С.М., Фаулер С.Б., Вудс Д.Д., Абада П.Б., Мосберг Н.И. и др. Мутагенез и пептидный анализ мотива DRY в адренергическом рецепторе альфа2А: доказательства альтернативных механизмов в рецепторах, связанных с G-белком.Biochem Biophys Res Commun. 2002. 293 (4): 1233–41. pmid: 12054508.
  50. 50. Ачарья С, Карник СС. Модуляция высвобождения GDP из трансдуцина с помощью консервативной последовательности Glu134-Arg135 в родопсине. J Biol Chem. 1996. 271 (41): 25406–11. pmid: 8810308.
  51. 51. Юэ WWS, Сильверман Д., Рен Х, Фредериксен Р., Сакаи К., Ямасита Т. и др. Элементарный ответ, вызванный трансдуцином в стержнях сетчатки. Proc Natl Acad Sci U S. A. 2019; 116 (11): 5144–53. Epub 2019/02/22. pmid: 30796193; PubMed Central PMCID: PMC6421417.
  52. 52. Franke RR, König B, Sakmar TP, Khorana HG, Hofmann KP. Мутанты родопсина, которые связываются, но не активируют трансдуцин. Наука. 1990. 250 (4977): 123–5. pmid: 2218504.
  53. 53. Розенталь В., Антарамян А., Гилберт С., Бирнбаумер М. Несахарный нефрогенный диабет. Рецептор вазопрессина V2, неспособный стимулировать аденилатциклазу. J Biol Chem. 1993. 268 (18): 13030–3. pmid: 8514744.
  54. 54. Ballesteros J, Kitanovic S, Guarnieri F, Davies P, Fromme BJ, Konvicka K и др.Функциональные микродомены в рецепторах, связанных с G-белком. Консервативный мотив аргининовой клетки в рецепторе гонадотропин-рилизинг-гормона. J Biol Chem. 1998. 273 (17): 10445–53. pmid: 9553103.
  55. 55. Ценг Й.Х., Сайпесс А.М., Кан ЧР. Клеточная биоэнергетика как мишень терапии ожирения. Nat Rev Drug Discov. 2010. 9 (6): 465–82. pmid: 20514071; PubMed Central PMCID: PMC2880836.
  56. 56. Townsend K, Tseng YH. Коричневая жировая ткань: последние данные о развитии, метаболической функции и терапевтическом потенциале.Адипоцит. 2012; 1 (1): 13–24. pmid: 23700507; PubMed Central PMCID: PMC3661118.
  57. 57. van Marken Lichtenbelt WD, Vanhommerig JW, Smulders NM, Drossaerts JM, Kemerink GJ, Bouvy ND, et al. Холодная активированная коричневая жировая ткань у здоровых мужчин. N Engl J Med. 2009. 360 (15): 1500–8. pmid: 105.
  58. 58. Cereijo R, Giralt M, Villarroya F. Термогенный коричневый и бежевый / бритый адипогенез у людей. Ann Med. 2015; 47 (2): 169–77. Epub 2014/09/18. pmid: 25230914.
  59. 59.Ценг Й.Х., Криаучюнас К.М., Коккотоу Э., Кан ЧР. Дифференциальная роль субстратов рецепторов инсулина в дифференцировке коричневых адипоцитов. Mol Cell Biol. 2004. 24 (5): 1918–29. pmid: 14966273; PubMed Central PMCID: PMC350563.
  60. 60. Bolger AM, Lohse M, Usadel B. Trimmomatic: гибкий триммер для данных последовательности Illumina. Биоинформатика. 2014; 30 (15): 2114–20. Epub 2014/04/01. pmid: 24695404; PubMed Central PMCID: PMC4103590.
  61. 61. Трапнелл С., Пахтер Л., Зальцберг С.Л.TopHat: обнаружение сплайсинговых соединений с помощью RNA-Seq. Биоинформатика. 2009. 25 (9): 1105–11. Epub 2009/03/16. pmid: 1

    45; PubMed Central PMCID: PMC2672628.

  62. 62. Робертс А., Трапнелл С., Донаги Дж., Ринн Дж. Л., Пачтер Л. Улучшение оценок экспрессии RNA-Seq путем корректировки смещения фрагментов. Genome Biol. 2011; 12 (3): R22. Epub 2011/03/16. pmid: 21410973; PubMed Central PMCID: PMC3129672.
  63. 63. Робинсон М.Д., Ошлак А. Метод масштабной нормализации для анализа дифференциальной экспрессии данных РНК-seq.Genome Biol. 2010; 11 (3): R25. Epub 2010/03/02. pmid: 20196867; PubMed Central PMCID: PMC2864565.
  64. 64. Ло CW, Чен Й, Ши В, Смит Г.К. voom: Прецизионные веса разблокируют инструменты анализа линейной модели для подсчета считывания RNA-seq. Genome Biol. 2014; 15 (2): R29. Epub 2014/02/03. pmid: 24485249; PubMed Central PMCID: PMC4053721.
  65. 65. Ричи М.Э., Фипсон Б., Ву Д., Ху Ю., Лоу С.В., Ши В. и др. limma обеспечивает анализ дифференциальной экспрессии для секвенирования РНК и исследований микрочипов.Nucleic Acids Res. 2015; 43 (7): e47. Epub 2015/01/20. pmid: 25605792; PubMed Central PMCID: PMC4402510.
  66. 66. Каспи Р., Биллингтон Р., Феррер Л., Ферстер Х., Фулчер К.А., Кеселер И.М. и др. База данных метаболических путей и ферментов MetaCyc и коллекция баз данных путей / геномов BioCyc. Nucleic Acids Res. 2016; 44 (D1): D471–80. Epub 2015/11/02. pmid: 26527732; PubMed Central PMCID: PMC4702838.
  67. 67. Rouillard AD, Gundersen GW, Fernandez NF, Wang Z, Monteiro CD, McDermott MG, et al.Гармонизома: набор обработанных наборов данных, собранных, чтобы служить и добывать знания о генах и белках. База данных (Оксфорд). 2016; 2016. Epub 2016/07/03. pmid: 27374120; PubMed Central PMCID: PMC44.
  68. 68. Ву Д., Смит Г.К. Камера: тест конкурентного набора генов с учетом межгенной корреляции. Nucleic Acids Res. 2012; 40 (17): e133. Epub 2012/05/25. pmid: 22638577; PubMed Central PMCID: PMC3458527.
  69. 69. Townsend KL, An D, Lynes MD, Huang TL, Zhang H, Goodyear LJ и др.Повышенная митохондриальная активность в коричневых адипоцитах, обработанных BMP7, из-за повышенного поглощения жирных кислот, опосредованного CPT1 и CD36. Антиоксидный окислительно-восстановительный сигнал. 2013. 19 (3): 243–57. Epub 2012/10/09. pmid: 221; PubMed Central PMCID: PMC36.
  70. 70. Сато М. Автономная клеточная светочувствительность через Opsin3 регулирует использование топлива в коричневых адипоцитах [набор данных]. 2020 [цитируется 20 января 2020 года]. Цифровой репозиторий Dryad. Доступно по ссылке: https://datadryad.org/stash/dataset/doi:10.5061/dryad.p5hqbzkkv.

Product Focus Силовой модуль — тиристоры и диоды

Pace-Pak GBPC KBPC KAB KBB KBP.

VISHAY INTERTECHNOLOGY, INC. Высокомощные продукты Руководство по выбору мостовых модулей MTK MTP Pace-Pak MT MB GBPC KBPC KAB KBB Мостовые модули KBP Универсальные и высокоэффективные мостовые модули из отраслевого стандарта

Дополнительная информация

PMURA2J / MURB2J / MUR260K

ВЫПРЯМИТЕЛИ СУПЕРБЫСТРОГО ВОССТАНОВЛЕНИЯ Напряжение 600 В Сила тока 2 А Характеристики Сверхбыстрое время восстановления — эпитаксиальная конструкция Низкое прямое напряжение, высокие токи Герметичность.Низкая утечка Высокая помпаж

Дополнительная информация

Семейство драйверов SEMIKRON IGBT SKYPER

Семейство драйверов SEMIKRON IGBT SKYPER Устойчиво к промышленным циклам со средней наработкой на отказ> 6 миллионов часов Стабильное управление с характеристиками ЭМС по стандартам EN Безопасное управление воротами с быстрым и регулируемым управлением ошибками

Дополнительная информация

Ограничитель скачков напряжения

Лист 1 ОПИСАНИЕ ИЗДЕЛИЯ Преобразователи переменного / постоянного тока используются для выпрямления сетевого напряжения для промежуточного контура, обычно используются неуправляемые или регулируемые выпрямители без или с блоком регенеративной обратной связи.

Дополнительная информация

Стабилитроны напряжения

Стабилитроны напряжения 200 мВт SOD 323 для поверхностного монтажа Эта серия стабилитронов упакована в корпус SOD 323 для поверхностного монтажа с рассеиваемой мощностью 200 мВт. Они рассчитаны на напряжение

Дополнительная информация

Установка / Техника управления

Техника установки / управления Интерфейсное реле, интерфейсное реле Система ввода-вывода Интерфейсное реле IK 3070, I_ 3070 0633 IK 3070 Схемы электрических соединений IS 3070 Согласно IEC / EN 61810-1 Реле, симистор или

Дополнительная информация

Стабилитроны для поверхностного монтажа, 500 мВт, допуск 5%

Стабилитроны SMD мощностью 500 мВт, допуск 5% ОСОБЕННОСТИ Широкий выбор стабилитронов: 2.От 4 В до 75 В Выбор допуска по Z ± 5% Тип устройства для поверхностного монтажа (SMD) Уровень чувствительности к влаге: уровень, согласно J-STD-020

Дополнительная информация

MMSZ5221B-AU ~ MMSZ5262B-AU

СИЛИКОНОВЫЕ ДИОДЫ НА ПОВЕРХНОСТИ НАПРЯЖЕНИЕ От 2,4 до 51 В МОЩНОСТЬ 500 мВт ХАРАКТЕРИСТИКИ 0,154 (3,90) 0,141 (3,60) Плоская конструкция кристалла Рассеиваемая мощность 500 мВт Идеально подходит для автоматизированных процессов сборки

Дополнительная информация

Микроконтакторы серии MA

Контактор релейного размера, что делает его самым маленьким в мире контактным зазором> 3 мм в соотв.

alexxlab

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *