Принцип работы переключающего диода и анализ метода переключения — Знания

Принцип работы переключающего диода

Когда полупроводниковый диод включен, он эквивалентен замкнутому переключателю (цепь включена), а когда он выключен, он эквивалентен разомкнутому переключателю (цепь выключена), поэтому диод можно использовать как переключатель. Обычно используется модель 1N4148. Поскольку полупроводниковый диод имеет характеристики однонаправленной проводимости, PN-переход включается при прямом смещении, а сопротивление во включенном состоянии очень мало, от десятков до сотен Ом; при обратном смещении он находится в выключенном состоянии, его сопротивление очень велико, обычно кремниевые диоды имеют сопротивление выше 10 МОм, а германиевые лампы также имеют сопротивление от десятков до сотен кОм. Используя эту функцию, диод будет играть роль в управлении током включения или выключения в цепи, становясь идеальным электронным переключателем.

Приведенное выше описание действительно применимо к любому обычному диоду или принципу самого диода. Но для переключающих диодов наиболее важной особенностью является работа в условиях высоких частот.

В условиях высоких частот барьерная емкость диода имеет чрезвычайно низкий импеданс и включена параллельно диоду. Когда емкость барьерного конденсатора достигает определенного уровня, это серьезно влияет на коммутационные характеристики диода. В экстремальных условиях диод будет закорочен, и высокочастотный ток больше не будет проходить через диод, а будет напрямую обходить барьерный конденсатор, и диод выйдет из строя. Барьерная емкость переключающего диода, как правило, очень мала, что эквивалентно блокированию пути барьерной емкости, обеспечивая эффект поддержания хорошей однонаправленной проводимости в условиях высоких частот.

Анализ схемы переключающих диодов

Переключающий диод представляет собой структуру с PN-переходом, как и обычные диоды. Разница в том, что коммутационные характеристики этого диода должны быть лучше.

Когда прямое напряжение подается на переключающий диод, диод находится во включенном состоянии, что эквивалентно включенному состоянию переключателя; когда на переключающий диод подается обратное напряжение, диод находится в выключенном состоянии, что эквивалентно выключенному состоянию переключателя. Включенное и выключенное состояния диода дополняют функции включения и выключения.

Переключающие диоды используют эту характеристику, и в процессе производства характеристики переключения становятся лучше, то есть скорость переключения выше, емкость PN-перехода меньше, внутреннее сопротивление при его включении меньше, а сопротивление в выключенном состоянии большое.

Схема коммутирующего диода

VD1 в схеме представляет собой переключающий диод, и его функция эквивалентна переключателю, который используется для включения и выключения конденсатора C2.

Следующие пункты поясняются относительно идей анализа схемы диодного переключателя:

(1) В схеме последовательно соединены C2 и VD1. В соответствии с характеристиками последовательной цепи C2 и VD1 либо подключены к цепи одновременно, либо отключены в одно и то же время. Если вам нужно только подключить C2 параллельно к C1, вы можете напрямую подключить C2 к C1 параллельно, но диод VD1 подключен последовательно, показывая, что VD1 управляет доступом и отключением C2.

(2) В соответствии с характеристиками проводимости и отсечки диода, VD1 включается, когда требуется подключить C2 к цепи, и VD1 отключается, когда C2 не требуется подключать к цепи. Схема называется схемой диодного переключателя.

(3) Включение и выключение диода должно контролироваться напряжением. Анод VD1 в цепи подключен к выводу постоянного напряжения + V через резистор R1 и переключатель S1. Это напряжение является управляющим напряжением диода.

(4) Переключатель S1 в цепи используется для контроля того, подключено ли к цепи рабочее напряжение + V. Согласно схеме переключателя S1 легче подтвердить, что диод VD1 работает в состоянии переключения, потому что включение и выключение S1 управляет включением и выключением диода.

Рабочие характеристики коммутирующего диода

Время от отключения (состояние с высоким импедансом) до проводимости (состояние с низким сопротивлением) переключающего диода называется временем включения; время от включения до отключения называется временем обратного восстановления; сумма двух времен называется временем переключения. Как правило, время обратного восстановления больше времени включения, поэтому в параметрах использования переключающего диода указывается только время обратного восстановления. Скорость переключения диодов довольно высокая. Например, время обратного восстановления кремниевых переключающих диодов составляет всего несколько наносекунд, и даже для германиевых переключающих диодов оно составляет всего несколько сотен наносекунд.

Переключающие диоды обладают такими характеристиками, как высокая скорость переключения, небольшие размеры, длительный срок службы и высокая надежность. Они широко используются в схемах переключения, схемах обнаружения, схемах высокочастотных и импульсных выпрямителей и схемах автоматического управления электронным оборудованием.

Классификация переключающих диодов

Переключающие диоды подразделяются на обычные переключающие диоды, высокоскоростные переключающие диоды, сверхбыстродействующие переключающие диоды, переключающие диоды малой мощности, переключающие диоды с высоким обратным напряжением, кремниевые переключающие диоды напряжения и т. Д.

Переключающий диод — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4

Cтраница 4

Важной эксплуатационной характеристикой переключающих диодов, как и других типов полупроводниковых приборо в, является зависимость параметров от температуры окружающей среды. Приведенные на рис. 9 вольтамперные характеристики переключающего диода, снятые при нормальной и повышенной температуре, дают наглядное представление об изменении статических параметров с изменением температуры.  [46]

Последовательная цепочка переключающих диодов с запуском на один прибор.  [47]

Очень малое сопротивление переключающего диода в проводящем состоянии позволяет пропускать че-рез прибор импульсный ток, в десять и более раз превышающий предельное значение тока для транзистора с такой же площадью электронно-дырочного перехода.  [48]

Влияние нагрузки и напряжения источника питания на режим работы релаксатора.  [49]

Возможность параллельного соединения переключающих диодов вследствие разброса параметров отдельных приборов практически исключается.  [50]

Рассмотренный прибор называют переключающим диодом или динистором.  [51]

Иногда вместо стабилитрона используют переключающий диод ( динистор), который обеспечивает более четкий уровень срабатывания датчика в момент открытия динистора.  [52]

Ток, протекающий через переключающий диод при напряжении, равном напряжению переключения ( ток переключения / пер), у большинства приборов весьма мал и не является параметром, определяющим эксплуатационные возможности прибора. Однако у некоторых образцов переключающих диодов величина тока переключения достаточно велика, чтобы установить определенные требования для значения внутреннего сопротивления схемы запуска.  [53]

По величине тока выключения переключающие диоды условно разбиваются на два типа: переключающие и генераторные. Использование таких приборов в генераторных схемах весьма затруднительно из-за жестких ограничений на величину нагрузки и из-за сужения диапазона рабочих температур. Чтобы облегчить использование переключающих диодов в генераторных схемах, некоторые зарубежные фирмы поставляют приборы с ограничением тока выключения не только по максимальному значению, но и по минимальному.  [54]

Ток, протекающий через переключающий диод при напряжении, равном напряжению переключения ( ток переключения / пер), у большинства приборов весьма мал и не является параметром, определяющим эксплуатационные возможности прибора. Однако у некоторых образцов переключающих диодов величина тока переключения достаточно велика, чтобы установить определенные требования для значения внутреннего сопротивления схемы запуска.  [55]

По величине тока выключения

переключающие диоды условно разбиваются на два типа: переключающие и генераторные. Использование таких приборов в генераторных схемах весьма затруднительно из-за жестких огражу, ничений на величину — нагрузки и из-за сужения диапазона, рабочих температур. Чтобы облегчить использование пе — — реключающих диодов в генераторных схемах, некоторые зарубежные фирмы поставляют приборы с ограничением: тока выключения не только по максимальному значению, но и по минимальному.  [56]

Схема приставки для просмотра ВАХ переключающих диодов.  [57]

Для проверки ВАХ управляемых переключающих диодов на управляющий электрод подают напряжение от стабилизированного регулируемого источника постоянного тока И. Замкнув контакт выключателя В, устанавливают заданное-значение тока управления. Увеличивая напряжение на выходе трансформатора Tpi, наблюдают за вольтамперной характеристикой. Диод считается годным, если он переключается в пределах заданных значений напряжения на диоде и тока управления.  [58]

Схема генератора мощных импульсов тока.| Схема полувибратора с высоким входным сопротивлением.  [59]

Вьшл — В этой точке переключающий диод возвращается в запертое состояние и цикл повторяется.  [60]

Страницы:      1    2    3    4    5

Переключающий диод | Диоды | LCSC

в запасе

1N4148W-7-F

. 20 В

75775775 755 755 757. ) 200 мВт Одиночный 1 В при 10 мА 4 нс 5 мкА при 75 В 300 мА SOD-523F Переключающий диод ROHS

2,5UA -адрес

Техническая спецификация

Min: 50 Mult: 50 Full Reel: 3000

2721850 In Stock

1N4148W

Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd.

100V +150 ℃@(Tj) 500 мВт Одиночный 1,25 В при 150 мА 4 нс 1 мкА при 75 В 150 мА SOD-123 Переключающий диод ROHS

C2099

SOD-123

лента и катушка (TR)

100V

+150 ℃@(TJ)

500MW

1. 25V@150ma

40004

.

150 мА

Техническая спецификация

Мин.: 20 Мульти: 20 Полная катушка: 3000

1311080 В наличии0008

BAV70,215

NEXPERIA

100 В +150 ℃@(TJ) 250 МВт Двойной Common Cathod

Tape & Reel (TR)

100V

+150℃@(Tj)

250mW

Dual Common Cathode

1.25V@150mA

4ns

500nA@80V

215mA

Техническая спецификация

мин. : 20 Mult: 20 Полная катушка: 3000

6

Diodes Incorporated

9595 *

9559595959595959595959595959595959595 9 000495955959595959595 гг. 150 ℃@(TJ) 400 МВт Сингл 1.25V@150ma 4NS 1UA@75V 300MA SOD-123 Diode ROHS

C83528

SOD-123

лента и повторная (TR)

100V

лента и повторная лента (TR)

100V

℃~+150 ℃@(Tj)

400 мВт

Одинарный

1,25 В при 150 мА

4 нс

1 мкА при 75 В

300 мА

Техническая спецификация

Min: 20 Mult: 20 Full Reel: 3000

457060 In Stock

1N4148WS-7-F

Diodes Incorporated

75V -65℃~+ 150 ℃@(Tj) 200 мВт Одиночный 1,25 В при 150 мА 4 нс 1 мкА при 75 В 150 мА SOD-323 Переключающий диод ROHS

C60580

SOD -323

лента и катушка (TR)

75V

-65 ℃ ~+150 ℃@(TJ)

200MW

1,258. 4 нс

1 мкА при 75 В

150 мА

Техническая спецификация

Мин.: 100 Мульти: 100 Полная катушка: 3000

428400 In Stock

1N4148WS

Guangdong Hottech

75V +150℃@(Tj) 200mW Single 1.25V@150mA 4ns 1uA@75V 150mA SOD-323 Switching Diode ROHS

C181133

SOD- 323

Tape & Reel (TR)

75V

+150℃@(Tj)

200mW

Single

1. 25V@150mA

4ns

1uA@75V

150mA

Техническая спецификация

мин.: 20 Mult: 20 Полный катушка: 3000

272980 в Стопах

100v99,215

4000 100v 99v 9000 9000 40000 40v. Dual 1.25V@150ma 4NS 500NA@80V 215MA SOT-23 DIDODE ROHS

C2500

SOT-23

лента и катушка (TR)

100V

+150 ℃@(TJ)

100 В

+150 ℃@(TJ)

9000v

+150 ℃@(TJ)

. 250 мВт

Двойной

1,25 В при 150 мА

4 нс

500 нА при 80 В

215 мА

Техническая спецификация

мин.: 20 Mult: 20 Полный катушка: 3000

241340 в запасах

BAS316,115

4008

100 100 В. 2 независимых 1,25 В при 150 мА 4 нс 500 нА при 80 В 250 мА SOD-323 Переключающий диод ROHS

C109218

SOD-323

лента и барабан при 80 В

250 мА

Техническая спецификация

Мин. : 20 Мульти: 20 Полная катушка: 3000

207320 В наличии

BAV99LT1G

ONSEMI

100V -65 ℃ ~+150 ℃@(TJ) 300 МВт DUAL 1,25 В.

SOT -23

лента и катушка (TR)

100V

-65 ℃ ~+150 ℃@(TJ)

300MW

Dual

1,25V@150ma

6NS

1UA@1000008

6NS

1000. 215 мА

Техническая спецификация

мин. : 20 Mult: 20 Полная катушка: 3000

186780 в запасе

MMSD4148T1G

oTSEMI

9

9000

. 425 МВт одиночный 1V@10MA 4NS 5UA@75V 200MA SOD-123 DIDODE ROHS

C11177

SOD-123

лента и отта (Tj)

425 мВт

Одноместный

1 В при 10 мА

4 нс

5 мкА при 75 В

200 мА

Техническая спецификация

мин. : 20 Mult: 20 Полная катушка: 2500

16320 в Stock

LL4148

ONSEMI

100V -5555

neSemi

100 В -5555

. ) 500 мВт 1 В при 10 мА 4 нс 25 нА при 20 В 200 мА SOD-80 Переключающий диод ROHS

C84135

SOD -80

лента и катушка (TR)

100 В

-55 ℃ ~+175 ℃@(TJ)

500MW

—

1V@10ma

40008

1V@10MA

40008

1V@10ma

40008

1V@100008

40008

—

1V@100008

40008

—

200 мА

Техническая спецификация

мин.: 10 Mult: 10 Полная катушка: 3000

9020 в запасе

BAV70LT1G

onsemi

100V -55℃~+150℃@(Tj) 300mW Dual Common Cathode 1.25V@150mA 6ns 1uA@100V 200mA SOT-23 Switching Diode ROHS

C82479

SOT-23

лента и катушка (TR)

100V

-55 ℃ ~+150 ℃@(TJ)

300MW

Двойной общий катод

1,25V@150ma

6NS

1UA@100V

888888988

1UA@100V

1UA.

СКИДКА 5% Техническая спецификация

Min: 20 Mult: 20 Full Reel: 3000

613460 In Stock

1N4448W-7-F

Diodes Incorporated

80V -65℃~+ 150 ℃@(TJ) 150 МВт сингл 1.25V@150ma 4NS 100NA@80V 125MA SOD-123 DIDODE ROHS

C124191

SOD-123

лента и повторная лента (TR)

8

-658

лента и повторная лента (TR)

8

—658

. ℃~+150 ℃@(Tj)

150 мВт

Одиночный

1,25 В при 150 мА

4 нс

100 нА при 80 В

125 мА

7 0000 7% ВЫКЛ. Техническая спецификация

мин.: 50 Mult: 50 Полная катушка: 3000

350100 в запасах

1N4148WS

40008 100vs 9000ws

4000.+1555ws

40004. ) 400 мВт Одиночный 1,25 В при 150 мА 8 нс 1 мкА при 75 В 300 мА SOD-323 Переключающий диод ROHS

C727111

SOD -323

лента и катушка (TR)

100V

-55 ℃ ~+150 ℃@(TJ)

400MW

1,2558

4

1,2558

4

,2558

VST 8 нс

1 мкА при 75 В

300 мА

СКИДКА 5% Техническая спецификация

Мин. : 50 Мульти: 50 Полная катушка: 3000

326100 в складе

1N4148WS

MDD (Microdiode Electronics)

100V +125 ℃@(TJ) 400MW 1,25V@150MA 8NS 1UA@75V 150MA SOD-32333333333333333333333333333333333333333333333333333. C437156

SOD -323

лента и катушка (TR)

100V

+125 ℃@(TJ)

400MW

—

1,25V@150ma

8

8

8

8

8

8

8

8

8

.

СКИДКА 1% Техническая спецификация

мин.: 10 Mult: 10 Полная катушка: 8000

322580 в запасе

1N4148WT

oNSEMI

C232841

SOD-523F 70008

Лента9 50TR

Лента

-55 ℃ ~+150 ℃@(TJ)

200MW

Single

1V@10MA

4NS

5UA@75V

300MA

1%. Техническая спецификация

мин.: 20 Mult: 20 Полный катушка: 3000

299040 в запасе

@50v70wt1g

@10008 100v70wt1g

4000@+ 100. ) 300 мВт Двойной общий катод 1,25 В при 150 мА 6 нс 1 мкА при 100 В 200 мА SOT-323 Переключающий диод ROHS

C93031

SOT -323

лента и катушка (TR)

100V

-55 ℃ ~+150 ℃@(TJ)

300MW

Dual Cotal Cathode

14.

6 нс

1 мкА при 100 В

200 мА

СКИДКА 12% Техническая спецификация

Мин. : 50 Мульти: 50 Полная катушка: 3000

260150 в складе

1N4148W

TWGMC

100 В -55 ℃ ~+150 ℃@(TJ) 400MW Single 1,5V@300MA 8NS 1UA@75V 300MA SOD -12333. DOOD DIOD DIOD DIOD DIOD DIOD DIOD DIOD DIOD DIOD DIOD DIOD DIOD DIOD DIOD DIOD DIOD DIOD Dду

C727110

SOD-123

Tape & Reel (TR)

100V

-55℃~+150℃@(Tj)

400mW

Single

1.5V@300mA

8ns

1 мкА при 75 В

300 мА

СКИДКА 5% Техническая спецификация

мин. : 5 Mult: 5 Полный катушка: 3000

223605 в запасе

BAS516,115

4008

100v. Одиночный 1,25 В при 150 мА 4 нс 500 нА при 80 В 250 мА SOD-523 Переключающий диод ROHS

C10037

SOD-523

Лента и катушка (TR)

100V

+150℃@(Tj)

500mW

Single

1.25V@150mA

4ns

500nA@80V

250mA

20% OFF Техническая спецификация

Min: 5 Mult: 5 Full Reel: 3000

208835 In Stock

MMBD4448HTW-7-F

Diodes Incorporated

80V -65 ℃ ~+150 ℃@(TJ) 200 МВт 3 Независимый 1,25V@150ma 4NS 100NA@70V 500MA SOT-363 Diode ROHS

C435910

SOT-363

CLIP & REEL & REEL & REEL & REEL & REEL & REEL & REEL & REEL & REEL & REEL & REEL & REEL (REA TR)

80V

-65 ℃ ~+150 ℃@(TJ)

200 МВт

3 Independing

1,25V@150ma

4NS

100NA@70V

500MA

70V

500MA

70V

500MA

7 Техническая спецификация

мин. : 20 Mult: 20 Полный катушка: 2500

189080 в запасах

PMLL4148L, 115

40008

9000

9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 8

9000 9000 8

. Single 1V@50MA 4NS 25NA@20V 200MA SOD-80C Переключающий диод ROHS

C78613

SOD-80C

лента и катушка (TR)

100 В

+200 ℃@(TJ)

5004 5004.

Одноместный

1 В при 50 мА

4 нс

25 нА при 20 В

200 мА

5% ВЫКЛ Техническая спецификация

мин.: 100 Mult: 100 Полный катушка: 3000

187400 в Stock

1N4148W-T4

GUANGDONG HOTTECH

9000 9000 77v-T4. 500 мВт Одиночный 1,25 В при 150 мА 4 нс 1 мкА при 75 В 150 мА SOD-123 Переключающий диод ROHS

C181134

SOD-123

Tape & Reel (TR)

75V

+150℃@(Tj)

500mW

Single

1.25V@150mA

4ns

1uA @75 В

150 мА

5% ВЫКЛ Техническая спецификация

Мин.: 50 Мульти: 50 Полная катушка: 3000

182950 In Stock

1N4148WL

GOODWORK

100V -55℃~+150℃@(Tj) 400mW Single 1. 25V@150mA 8ns 1uA@150mA 150mA SOD-123FL Switching Diode ROHS

C2 0

SOD -123FL

TAPE & REEL (TR)

100V

-55 ℃ ~+150 ℃@(TJ)

400MW

1,25V@150ma

1,25V@150ma

1,25V@150ma

.

150 мА

СКИДКА 4% Техническая спецификация

мин. : 50 Mult: 50 Полная катушка: 3000

167400 в запасе

1N4148W

yfw

100v ~ ~+

@FW

9000 100v ~+

400008

@fw

. ) 400 мВт Одиночный 1,25 В при 150 мА 4 нс 1 мкА при 75 В 200 мА SOD-123 Переключающий диод ROHS

C1884539

SOD-123

Лента (TR & 9)0008

100V

-55℃~+150℃@(Tj)

400mW

Single

1. 25V@150mA

4ns

1uA@75V

200mA

5% OFF Техническая спецификация

мин.: 50 Mult: 50 Полная катушка: 3000

162850 в Сток

BAV70

MDD （MicroDIOD0008

70V -55℃~+150℃@(Tj) 225mW Dual Common Cathode 1.25V@150mA 6ns 2.5uA@70V 200mA SOT-23 Switching Diode ROHS

C408391

SOT-23

Tape & Reel (TR)

70V

-55 ℃ ~+150 ℃@(TJ)

225MW

Двойной общий катод

1,25V@150ma

6NS

2,5UA@70V

СКИДКА 5% Техническая спецификация

мин. : 50 Mult: 50 Полная катушка: 3000

162750 в Stock

MDD （Microdiode Electronics）

955959559595955 705 705 705 705 705 705 705 705 7057 70000 700008

. ℃@(TJ) 225 МВт Dual 1.25V@150ma 6NS 2.5UA@70V 200MA SOT-23 DIDODE ROHS

C408392

SOT-23

лента и повторная (TR)

70V

лента и повторная лента (TR)

70V

℃~+150℃@(Tj)

225 мВт

Dual

1.25V@150mA

6ns

2. 5uA@70V

200mA

Self-Switching Diode

Nano-diode that does not rely on pn junction

Professor A. M. Song

 

Следующая новая концепция диода то, что мы недавно продемонстрировали, возможно, не только самый простой диод на сегодняшний день, но также и самые быстрые электронные наноустройства сообщил.

Самопереключающееся устройство (SSD) сделано всего за один шаг нанолитографии, просто создав изолирующие канавки в полупроводниковом слое. На следующем рисунке (а) представлена ​​микрофотография устройство, показывающее, что между две (протравленные) изоляционные траншеи. Поскольку всегда есть некоторая родная область обеднения (серая область), близкая к вытравленной интерфейсов реальный канал еще уже (б). Если положительное напряжение приложенный к правой стороне, положительный потенциал с обеих сторон канала будет притягивать (отрицательно заряженные) электроны в канал, что приводит к большой ток, как показано на вольт-амперной характеристике в (д). Напротив, если отрицательное напряжение применяется, электроны будут отталкиваться от канала отрицательный потенциал с обеих сторон наноканала, что затрудняет или ток невозможен. Таким образом, функциональность диода реализована. Это совершенно новая концепция устройства, поскольку SSD не основан на каком-либо легирующем (pn) переходе или структуре энергетического барьера, как в обычный диод.

SSD производится только в одном шаг нанолитографии и является плоским как с электродами, так и с активным полупроводником. внутри двумерной плоскости. Это резко контрастирует с традиционным диод, который изготавливается в несколько этапов литографии и всегда является сложным трехмерная вертикальная структура. Простота в устройстве устройства а литография заведомо приводит к значительному сокращению производства Стоимость.

Устройство показывает некоторые уникальные характеристики. Например, пороговое напряжение самопереключающегося устройства может быть произвольно настроенным, от нуля до примерно 10 В. Нулевой порог позволяет обнаружения очень слабых сигналов, даже если не используется внешняя схема смещения. А нормальный диод всегда имеет пороговое напряжение, обычно около 0,7 В, что фиксируется и определяется используемым полупроводником. Если применяемый сигнал ниже порог, диод не будет работать, если диод не смещен извне за порог.

Из-за простого планарного структуру, даже некоторые простые схемы можно сделать, просто «написав» изолирующие линии на полупроводниковом слое. Ниже приведены два примера: слева — диодный логический элемент ИЛИ, а справа — мостовой выпрямитель.

Чрезвычайно простая архитектура обеспечивает очень низкую паразитную емкость и, следовательно, очень высокую скорость работы скорость. В наших экспериментах прибор показал очень стабильную частотную зависимость до 110 ГГц, что является самой высокой частотой, которую мы могли измерить в нашем лаборатория. Тем не менее, это самая высокая скорость, которая когда-либо продемонстрировано в различных типах новых электронных наноустройств на сегодняшний день. Из моделирования, ожидается, что устройство будет работать также в ТГц (1000 ГГц) частотный режим, в котором очень широкий спектр приложений был предполагалось.

Для обнаружения микроволнового излучения в диапазоне ГГц или ТГц, SSD можно очень легко превратить в массив. Ниже представлена ​​микрофотография массив твердотельных накопителей и установка для микроволновых измерений на частоте 110 ГГц. Наш последний эксперименты продемонстрировали работу SSD при комнатной температуре на частоте 1,5 ТГц (1500 ГГц), что, насколько нам известно, является самым быстрым новым наноэлектронным устройством на сегодняшний день. В настоящее время устройство проходит используется для сбора энергии из-за его сверхвысокой скорости и нулевой порог.

Технология привела к дочерняя компания, работающая над печатной электроникой. Для получения дополнительной информации о Nano ePrint Ltd, вы можете нажать здесь Nano ePrint Ltd.

Ссылки:

Научные статьи:

• C. Balocco, A.M. Song, M. Берг, А. Форхель, Т. Гонслез, Дж. Матеос, И. Максимов, М. Миссус, А.А. Резазаде2, Дж. Сайетс, Л. Самуэльсон, Д. Валлин, К. Уильямс, Л. Worschech, HQ Xu, Микроволновое обнаружение на частоте 110 ГГц с помощью нанопроводов с Нарушенная симметрия, нанобуквы, нанобуквы, Vol. 5, № 7, стр. 1423 (2005).

о Дж. Матеос, а! Б. Г. Васалло, Д. Пардо, Т. Гонслез, Операция и высокочастотные характеристики наноразмерных униполярных выпрямительных диодов, Прикладные Physics Letters, 86, 212103 (2005)

• AM Song, M. Missous, P. Омлинг, И. Максимов, В. Зайферт и Л. Самуэльсон, Нанометровый масштаб, двухполюсная, полупроводниковая память, работающая при комнатной температуре, прикладная Письма по физике, 86, 042106 (2005)
• А. М. Песня, И. Максимов, М. Миссус и В. Зайферт, Диодные характеристики нанометрового масштаба. Полупроводниковые каналы с нарушенной симметрией, Physica E, Vol.