Принцип работы переключающего диода и анализ метода переключения — Знания
Принцип работы переключающего диода
Когда полупроводниковый диод включен, он эквивалентен замкнутому переключателю (цепь включена), а когда он выключен, он эквивалентен разомкнутому переключателю (цепь выключена), поэтому диод можно использовать как переключатель. Обычно используется модель 1N4148. Поскольку полупроводниковый диод имеет характеристики однонаправленной проводимости, PN-переход включается при прямом смещении, а сопротивление во включенном состоянии очень мало, от десятков до сотен Ом; при обратном смещении он находится в выключенном состоянии, его сопротивление очень велико, обычно кремниевые диоды имеют сопротивление выше 10 МОм, а германиевые лампы также имеют сопротивление от десятков до сотен кОм. Используя эту функцию, диод будет играть роль в управлении током включения или выключения в цепи, становясь идеальным электронным переключателем.
Приведенное выше описание действительно применимо к любому обычному диоду или принципу самого диода.
Но для переключающих диодов наиболее важной особенностью является работа в условиях высоких частот.
В условиях высоких частот барьерная емкость диода имеет чрезвычайно низкий импеданс и включена параллельно диоду. Когда емкость барьерного конденсатора достигает определенного уровня, это серьезно влияет на коммутационные характеристики диода. В экстремальных условиях диод будет закорочен, и высокочастотный ток больше не будет проходить через диод, а будет напрямую обходить барьерный конденсатор, и диод выйдет из строя. Барьерная емкость переключающего диода, как правило, очень мала, что эквивалентно блокированию пути барьерной емкости, обеспечивая эффект поддержания хорошей однонаправленной проводимости в условиях высоких частот.
Анализ схемы переключающих диодов
Переключающий диод представляет собой структуру с PN-переходом, как и обычные диоды. Разница в том, что коммутационные характеристики этого диода должны быть лучше.
Когда прямое напряжение подается на переключающий диод, диод находится во включенном состоянии, что эквивалентно включенному состоянию переключателя; когда на переключающий диод подается обратное напряжение, диод находится в выключенном состоянии, что эквивалентно выключенному состоянию переключателя.
Включенное и выключенное состояния диода дополняют функции включения и выключения.
Переключающие диоды используют эту характеристику, и в процессе производства характеристики переключения становятся лучше, то есть скорость переключения выше, емкость PN-перехода меньше, внутреннее сопротивление при его включении меньше, а сопротивление в выключенном состоянии большое.
Схема коммутирующего диода
VD1 в схеме представляет собой переключающий диод, и его функция эквивалентна переключателю, который используется для включения и выключения конденсатора C2.
Следующие пункты поясняются относительно идей анализа схемы диодного переключателя:
(1) В схеме последовательно соединены C2 и VD1. В соответствии с характеристиками последовательной цепи C2 и VD1 либо подключены к цепи одновременно, либо отключены в одно и то же время. Если вам нужно только подключить C2 параллельно к C1, вы можете напрямую подключить C2 к C1 параллельно, но диод VD1 подключен последовательно, показывая, что VD1 управляет доступом и отключением C2.
(2) В соответствии с характеристиками проводимости и отсечки диода, VD1 включается, когда требуется подключить C2 к цепи, и VD1 отключается, когда C2 не требуется подключать к цепи. Схема называется схемой диодного переключателя.
(3) Включение и выключение диода должно контролироваться напряжением. Анод VD1 в цепи подключен к выводу постоянного напряжения + V через резистор R1 и переключатель S1. Это напряжение является управляющим напряжением диода.
(4) Переключатель S1 в цепи используется для контроля того, подключено ли к цепи рабочее напряжение + V. Согласно схеме переключателя S1 легче подтвердить, что диод VD1 работает в состоянии переключения, потому что включение и выключение S1 управляет включением и выключением диода.
Рабочие характеристики коммутирующего диода
Время от отключения (состояние с высоким импедансом) до проводимости (состояние с низким сопротивлением) переключающего диода называется временем включения; время от включения до отключения называется временем обратного восстановления; сумма двух времен называется временем переключения.
Как правило, время обратного восстановления больше времени включения, поэтому в параметрах использования переключающего диода указывается только время обратного восстановления. Скорость переключения диодов довольно высокая. Например, время обратного восстановления кремниевых переключающих диодов составляет всего несколько наносекунд, и даже для германиевых переключающих диодов оно составляет всего несколько сотен наносекунд.
Переключающие диоды обладают такими характеристиками, как высокая скорость переключения, небольшие размеры, длительный срок службы и высокая надежность. Они широко используются в схемах переключения, схемах обнаружения, схемах высокочастотных и импульсных выпрямителей и схемах автоматического управления электронным оборудованием.
Классификация переключающих диодов
Переключающие диоды подразделяются на обычные переключающие диоды, высокоскоростные переключающие диоды, сверхбыстродействующие переключающие диоды, переключающие диоды малой мощности, переключающие диоды с высоким обратным напряжением, кремниевые переключающие диоды напряжения и т.
Д.
Переключающий диод — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4
Cтраница 4
Важной эксплуатационной характеристикой переключающих диодов, как и других типов полупроводниковых приборо в, является зависимость параметров от температуры окружающей среды. Приведенные на рис. 9 вольтамперные характеристики переключающего диода, снятые при нормальной и повышенной температуре, дают наглядное представление об изменении статических параметров с изменением температуры. [46]
| Последовательная цепочка переключающих диодов с запуском на один прибор. [47] |
Очень малое сопротивление переключающего диода в проводящем состоянии позволяет пропускать че-рез прибор импульсный ток, в десять и более раз превышающий предельное значение тока для транзистора с такой же площадью электронно-дырочного перехода. [48]
Влияние нагрузки и напряжения источника питания на режим работы релаксатора. |
Возможность параллельного соединения переключающих диодов вследствие разброса параметров отдельных приборов практически исключается. [50]
Рассмотренный прибор называют переключающим диодом или динистором. [51]
Иногда вместо стабилитрона используют переключающий диод ( динистор), который обеспечивает более четкий уровень срабатывания датчика в момент открытия динистора. [52]
Ток, протекающий через переключающий диод при напряжении, равном напряжению переключения ( ток переключения / пер), у большинства приборов весьма мал и не является параметром, определяющим эксплуатационные возможности прибора. Однако у некоторых образцов переключающих диодов величина тока переключения достаточно велика, чтобы установить определенные требования для значения внутреннего сопротивления схемы запуска. [53]
По величине тока выключения переключающие диоды условно разбиваются на два типа: переключающие и генераторные.
Использование таких приборов в генераторных схемах весьма затруднительно из-за жестких ограничений на величину нагрузки и из-за сужения диапазона рабочих температур. Чтобы облегчить использование переключающих диодов в генераторных схемах, некоторые зарубежные фирмы поставляют приборы с ограничением тока выключения не только по максимальному значению, но и по минимальному.
[54]
Ток, протекающий через переключающий диод при напряжении, равном напряжению переключения ( ток переключения / пер), у большинства приборов весьма мал и не является параметром, определяющим эксплуатационные возможности прибора. Однако у некоторых образцов переключающих диодов величина тока переключения достаточно велика, чтобы установить определенные требования для значения внутреннего сопротивления схемы запуска. [55]
По величине тока выключения
Чтобы облегчить использование пе — — реключающих диодов в генераторных схемах, некоторые зарубежные фирмы поставляют приборы с ограничением: тока выключения не только по максимальному значению, но и по минимальному.
[56]
| Схема приставки для просмотра ВАХ переключающих диодов. [57] |
Для проверки ВАХ управляемых переключающих диодов на управляющий электрод подают напряжение от стабилизированного регулируемого источника постоянного тока И. Замкнув контакт выключателя В, устанавливают заданное-значение тока управления. Увеличивая напряжение на выходе трансформатора Tpi, наблюдают за вольтамперной характеристикой. Диод считается годным, если он переключается в пределах заданных значений напряжения на диоде и тока управления. [58]
Схема генератора мощных импульсов тока.| Схема полувибратора с высоким входным сопротивлением. |
Вьшл — В этой точке переключающий диод возвращается в запертое состояние и цикл повторяется. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5
Техническая спецификация | Min: 50 Mult: 50 Full Reel: 3000 | 2721850 | 1N4148W | Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. | 100V +150 ℃@(Tj) 500 мВт Одиночный 1,25 В при 150 мА 4 нс 1 мкА при 75 В 150 мА SOD-123 Переключающий диод ROHS | C2099 | SOD-123 | лента и катушка (TR) | 100V | +150 ℃@(TJ) | 500MW | 1. | 40004 | . | 150 мА | ||||||||||||||||||||||||||
Техническая спецификация | Мин.: 20 Мульти: 20 Полная катушка: 3000 | 1311080 В наличии0008 | BAV70,215 | NEXPERIA | 100 В +150 ℃@(TJ) 250 МВт Двойной Common Cathod | Tape & Reel (TR) | 100V | +150℃@(Tj) | 250mW | Dual Common Cathode | 1.25V@150mA | 4ns | 500nA@80V | 215mA | |||||||||||||||||||||||||||
Техническая спецификация | мин. Mult: 20 Полная катушка: 3000 | 6 | Diodes Incorporated | 9595 * | 9559595959595959595959595959595959595 9 000495955959595959595 гг. 150 ℃@(TJ) 400 МВт Сингл 1.25V@150ma 4NS 1UA@75V 300MA SOD-123 Diode ROHS | C83528 | SOD-123 | лента и повторная (TR) | 100V | лента и повторная лента (TR) | 100V | ℃~+150 ℃@(Tj) | 400 мВт | Одинарный | 1,25 В при 150 мА | 4 нс | 1 мкА при 75 В | 300 мА | |||||||||||||||||||||||
Техническая спецификация | Min: 20 Mult: 20 Full Reel: 3000 | 457060 In Stock | 1N4148WS-7-F | Diodes Incorporated | 75V -65℃~+ 150 ℃@(Tj) 200 мВт Одиночный 1,25 В при 150 мА 4 нс 1 мкА при 75 В 150 мА SOD-323 Переключающий диод ROHS | C60580 | SOD -323 | лента и катушка (TR) | 75V | 200MW | 1,258. 4 нс | 1 мкА при 75 В | 150 мА | ||||||||||||||||||||||||||||
Техническая спецификация | Мин.: 100 Мульти: 100 Полная катушка: 3000 | 428400 In Stock | 1N4148WS | Guangdong Hottech | 75V +150℃@(Tj) 200mW Single 1.25V@150mA 4ns 1uA@75V 150mA SOD-323 Switching Diode ROHS | C181133 | SOD- 323 | Tape & Reel (TR) | 75V | +150℃@(Tj) | 200mW | Single | 1. 25V@150mA | 4ns | 1uA@75V | 150mA | |||||||||||||||||||||||||
Техническая спецификация | мин.: 20 Mult: 20 Полный катушка: 3000 | 272980 в Стопах | 100v99,215 | 4000 100v 99v 9000 9000 40000 40v. Dual 1.25V@150ma 4NS 500NA@80V 215MA SOT-23 DIDODE ROHS | C2500 | SOT-23 | лента и катушка (TR) | 100V | +150 ℃@(TJ) | 100 В | +150 ℃@(TJ) | 9000v | +150 ℃@(TJ) | . 250 мВт | Двойной | 1,25 В при 150 мА | 4 нс | 500 нА при 80 В | 215 мА | ||||||||||||||||||||||
Техническая спецификация | мин.: 20 Mult: 20 Полный катушка: 3000 | 241340 в запасах | BAS316,115 | 4008 | 100 100 В. 2 независимых 1,25 В при 150 мА 4 нс 500 нА при 80 В 250 мА SOD-323 Переключающий диод ROHS | C109218 | SOD-323 | лента и барабан при 80 В | 250 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
Техническая спецификация | Мин. Мульти: 20 Полная катушка: 3000 | 207320 В наличии | BAV99LT1G | ONSEMI | 100V -65 ℃ ~+150 ℃@(TJ) 300 МВт DUAL 1,25 В. | SOT -23 | лента и катушка (TR) | 100V | -65 ℃ ~+150 ℃@(TJ) | 300MW | Dual | 1,25V@150ma | 6NS | 1UA@1000008 | 6NS | 1000. 215 мА | |||||||||||||||||||||||||
Техническая спецификация | мин. Mult: 20 Полная катушка: 3000 | 186780 в запасе | MMSD4148T1G | oTSEMI | 9 | 9000 | . 425 МВт одиночный 1V@10MA 4NS 5UA@75V 200MA SOD-123 DIDODE ROHS | C11177 | SOD-123 | лента и отта (Tj) | 425 мВт | Одноместный | 1 В при 10 мА | 4 нс | 5 мкА при 75 В | 200 мА | |||||||||||||||||||||||||
Техническая спецификация | мин. Mult: 20 Полная катушка: 2500 | 16320 в Stock | LL4148 | ONSEMI | 100V -5555 | neSemi | 100 В -5555 | . ) 500 мВт 1 В при 10 мА 4 нс 25 нА при 20 В 200 мА SOD-80 Переключающий диод ROHS | C84135 | SOD -80 | лента и катушка (TR) | 100 В | -55 ℃ ~+175 ℃@(TJ) | 500MW | — | 1V@10ma | 40008 | 1V@10MA | 40008 | 1V@10ma | 40008 | 1V@100008 | 40008 | — | 1V@100008 | 40008 | — | .200 мА | |||||||||||||
Техническая спецификация | мин.: 10 Mult: 10 Полная катушка: 3000 | 9020 в запасе | BAV70LT1G | onsemi | 100V -55℃~+150℃@(Tj) 300mW Dual Common Cathode 1.25V@150mA 6ns 1uA@100V 200mA SOT-23 Switching Diode ROHS | C82479 | SOT-23 | лента и катушка (TR) | 100V | -55 ℃ ~+150 ℃@(TJ) | 300MW | Двойной общий катод | 1,25V@150ma | 6NS | 1UA@100V | 888888988 | 1UA@100V | 1UA. | |||||||||||||||||||||||
СКИДКА 5% Техническая спецификация | Min: 20 Mult: 20 Full Reel: 3000 | 613460 In Stock | 1N4448W-7-F | Diodes Incorporated | 80V -65℃~+ 150 ℃@(TJ) 150 МВт сингл 1.25V@150ma 4NS 100NA@80V 125MA SOD-123 DIDODE ROHS | C124191 | SOD-123 | лента и повторная лента (TR) | 8 | -658 | лента и повторная лента (TR) | 8 | —658 | . ℃~+150 ℃@(Tj) | 150 мВт | Одиночный | 1,25 В при 150 мА | 4 нс | 100 нА при 80 В | 125 мА | |||||||||||||||||||||
| 7 0000 7% ВЫКЛ. Техническая спецификация | мин.: 50 Mult: 50 Полная катушка: 3000 | 350100 в запасах | 1N4148WS | 40008 100vs 9000ws | 4000.+1555ws | 40004. ) 400 мВт Одиночный 1,25 В при 150 мА 8 нс 1 мкА при 75 В 300 мА SOD-323 Переключающий диод ROHS | C727111 | SOD -323 | лента и катушка (TR) | 100V | -55 ℃ ~+150 ℃@(TJ) | 400MW | 1,2558 | 4 | 1,2558 | 4 | ,2558 | VST 8 нс | 1 мкА при 75 В | 300 мА | |||||||||||||||||||||
СКИДКА 5% Техническая спецификация | Мин. Мульти: 50 Полная катушка: 3000 | 326100 в складе | 1N4148WS | MDD (Microdiode Electronics) | 100V +125 ℃@(TJ) 400MW 1,25V@150MA 8NS 1UA@75V 150MA SOD-32333333333333333333333333333333333333333333333333333. C437156 | SOD -323 | лента и катушка (TR) | 100V | +125 ℃@(TJ) | 400MW | — | 1,25V@150ma | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | . | |||||||||||||||||||
СКИДКА 1% Техническая спецификация | мин.: 10 Mult: 10 Полная катушка: 8000 | 322580 в запасе | 1N4148WT | oNSEMI | C232841 | SOD-523F 70008 | Лента9 50TR | Лента | -55 ℃ ~+150 ℃@(TJ) | 200MW | Single | 1V@10MA | 4NS | 5UA@75V | 300MA | ||||||||||||||||||||||||||
1%. | мин.: 20 Mult: 20 Полный катушка: 3000 | 299040 в запасе | @50v70wt1g | @10008 100v70wt1g | 4000@+ 100. ) 300 мВт Двойной общий катод 1,25 В при 150 мА 6 нс 1 мкА при 100 В 200 мА SOT-323 Переключающий диод ROHS | C93031 | SOT -323 | лента и катушка (TR) | 100V | -55 ℃ ~+150 ℃@(TJ) | 300MW | Dual Cotal Cathode | 14. | 6 нс | 1 мкА при 100 В | 200 мА | |||||||||||||||||||||||||
СКИДКА 12% Техническая спецификация | Мин. Мульти: 50 Полная катушка: 3000 | 260150 в складе | 1N4148W | TWGMC | 100 В -55 ℃ ~+150 ℃@(TJ) 400MW Single 1,5V@300MA 8NS 1UA@75V 300MA SOD -12333. DOOD DIOD DIOD DIOD DIOD DIOD DIOD DIOD DIOD DIOD DIOD DIOD DIOD DIOD DIOD DIOD DIOD DIOD Dду | C727110 | SOD-123 | Tape & Reel (TR) | 100V | -55℃~+150℃@(Tj) | 400mW | Single | 1.5V@300mA | 8ns | 1 мкА при 75 В | 300 мА | |||||||||||||||||||||||||
СКИДКА 5% Техническая спецификация | мин. Mult: 5 Полный катушка: 3000 | 223605 в запасе | BAS516,115 | 4008 | 100v. Одиночный 1,25 В при 150 мА 4 нс 500 нА при 80 В 250 мА SOD-523 Переключающий диод ROHS | C10037 | SOD-523 | Лента и катушка (TR) | 100V | +150℃@(Tj) | 500mW | Single | 1.25V@150mA | 4ns | 500nA@80V | 250mA | |||||||||||||||||||||||||
20% OFF Техническая спецификация | Min: 5 Mult: 5 Full Reel: 3000 | 208835 In Stock | MMBD4448HTW-7-F | Diodes Incorporated | 80V -65 ℃ ~+150 ℃@(TJ) 200 МВт 3 Независимый 1,25V@150ma 4NS 100NA@70V 500MA SOT-363 Diode ROHS | C435910 | SOT-363 | CLIP & REEL & REEL & REEL & REEL & REEL & REEL & REEL & REEL & REEL & REEL & REEL & REEL (REA TR) | 80V | -65 ℃ ~+150 ℃@(TJ) | 200 МВт | 3 Independing | 1,25V@150ma | 4NS | 100NA@70V | 500MA | 70V | 500MA | 70V | 500MA | |||||||||||||||||||||
| 7 Техническая спецификация | мин. Mult: 20 Полный катушка: 2500 | 189080 в запасах | PMLL4148L, 115 | 40008 | 9000 | 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 9000 8 | 9000 9000 8 | . Single 1V@50MA 4NS 25NA@20V 200MA SOD-80C Переключающий диод ROHS | C78613 | SOD-80C | лента и катушка (TR) | 100 В | +200 ℃@(TJ) | 5004 5004. | Одноместный | 1 В при 50 мА | 4 нс | 25 нА при 20 В | 200 мА | ||||||||||||||||||||||
5% ВЫКЛ Техническая спецификация | мин.: 100 Mult: 100 Полный катушка: 3000 | 187400 в Stock | 1N4148W-T4 | GUANGDONG HOTTECH | 9000 900077v-T4. 500 мВт Одиночный 1,25 В при 150 мА 4 нс 1 мкА при 75 В 150 мА SOD-123 Переключающий диод ROHS | C181134 | SOD-123 | Tape & Reel (TR) | 75V | +150℃@(Tj) | 500mW | Single | 1.25V@150mA | 4ns | 1uA @75 В | 150 мА | |||||||||||||||||||||||||
5% ВЫКЛ Техническая спецификация | Мин.: 50 Мульти: 50 Полная катушка: 3000 | 182950 In Stock | 1N4148WL | GOODWORK | 100V -55℃~+150℃@(Tj) 400mW Single 1. | C2 0 | SOD -123FL | TAPE & REEL (TR) | 100V | -55 ℃ ~+150 ℃@(TJ) | 400MW | 1,25V@150ma | 1,25V@150ma | 1,25V@150ma | . | 150 мА | |||||||||||||||||||||||||
СКИДКА 4% Техническая спецификация | мин. Mult: 50 Полная катушка: 3000 | 167400 в запасе | 1N4148W | yfw | 100v ~ ~+ | @FW | 9000 100v ~+ | 400008 | @fw | . ) 400 мВт Одиночный 1,25 В при 150 мА 4 нс 1 мкА при 75 В 200 мА SOD-123 Переключающий диод ROHS | C1884539 | SOD-123 | Лента (TR & 9)0008 | 100V | -55℃~+150℃@(Tj) | 400mW | Single | 1. 25V@150mA | 4ns | 1uA@75V | 200mA | ||||||||||||||||||||
5% OFF Техническая спецификация | мин.: 50 Mult: 50 Полная катушка: 3000 | 162850 в Сток | BAV70 | MDD （MicroDIOD0008 | 70V -55℃~+150℃@(Tj) 225mW Dual Common Cathode 1.25V@150mA 6ns 2.5uA@70V 200mA SOT-23 Switching Diode ROHS | C408391 | SOT-23 | Tape & Reel (TR) | 70V | -55 ℃ ~+150 ℃@(TJ) | 225MW | Двойной общий катод | 1,25V@150ma | 6NS | 2,5UA@70V | 2,5UA -адресСКИДКА 5% Техническая спецификация | мин. Mult: 50 Полная катушка: 3000 | 162750 в Stock | MDD （Microdiode Electronics） | 955959559595955 705 705 705 705 705 705 705 705 7057 70000 700008 | . ℃@(TJ) 225 МВт Dual 1.25V@150ma 6NS 2.5UA@70V 200MA SOT-23 DIDODE ROHS | C408392 | SOT-23 | лента и повторная (TR) | 70V | лента и повторная лента (TR) | 70V | ℃~+150℃@(Tj) | 225 мВт | Dual | 1.25V@150mA | 6ns | 2. 5uA@70V | 200mA |
: 20
: 20
: 20
20 В
: 50
Техническая спецификация
: 50
: 5
: 20
25V@150mA 8ns 1uA@150mA 150mA SOD-123FL Switching Diode ROHS
: 50
: 50Self-Switching Diode
Nano-diode that does not rely on pn junction
Professor A. M. Song
Следующая новая концепция диода то, что мы недавно продемонстрировали, возможно, не только самый простой диод на сегодняшний день, но также и самые быстрые электронные наноустройства сообщил.
Самопереключающееся устройство (SSD)
сделано всего за один шаг нанолитографии, просто создав изолирующие канавки
в полупроводниковом слое. На следующем рисунке (а) представлена микрофотография
устройство, показывающее, что между
две (протравленные) изоляционные траншеи.
Поскольку всегда есть некоторая родная область обеднения (серая область), близкая к вытравленной
интерфейсов реальный канал еще уже (б). Если положительное напряжение
приложенный к правой стороне, положительный потенциал с обеих сторон канала
будет притягивать (отрицательно заряженные) электроны в канал, что приводит к
большой ток, как показано на вольт-амперной характеристике в (д).
Напротив, если отрицательное напряжение
применяется, электроны будут отталкиваться от канала
отрицательный потенциал с обеих сторон наноканала, что затрудняет или
ток невозможен. Таким образом,
функциональность диода реализована. Это совершенно новая концепция устройства, поскольку
SSD не основан на каком-либо легирующем (pn) переходе или структуре энергетического барьера, как в
обычный диод.
SSD производится только в одном шаг нанолитографии и является плоским как с электродами, так и с активным полупроводником. внутри двумерной плоскости. Это резко контрастирует с традиционным диод, который изготавливается в несколько этапов литографии и всегда является сложным трехмерная вертикальная структура. Простота в устройстве устройства а литография заведомо приводит к значительному сокращению производства Стоимость.
Устройство показывает некоторые уникальные
характеристики. Например, пороговое напряжение самопереключающегося устройства может
быть произвольно настроенным, от нуля до примерно 10 В.
Нулевой порог позволяет
обнаружения очень слабых сигналов, даже если не используется внешняя схема смещения. А
нормальный диод всегда имеет пороговое напряжение, обычно около 0,7 В, что
фиксируется и определяется используемым полупроводником. Если применяемый сигнал ниже
порог, диод не будет работать, если диод не смещен извне
за порог.
Из-за простого планарного структуру, даже некоторые простые схемы можно сделать, просто «написав» изолирующие линии на полупроводниковом слое. Ниже приведены два примера: слева — диодный логический элемент ИЛИ, а справа — мостовой выпрямитель.
Чрезвычайно простая архитектура
обеспечивает очень низкую паразитную емкость и, следовательно, очень высокую скорость работы
скорость. В наших экспериментах прибор показал очень стабильную частотную зависимость
до 110 ГГц, что является самой высокой частотой, которую мы могли измерить в нашем
лаборатория. Тем не менее, это самая высокая скорость, которая когда-либо
продемонстрировано в различных типах новых электронных наноустройств на сегодняшний день.
Из
моделирования, ожидается, что устройство будет работать также в ТГц (1000 ГГц)
частотный режим, в котором очень широкий спектр приложений был
предполагалось.
Для обнаружения микроволнового излучения в диапазоне ГГц или ТГц, SSD можно очень легко превратить в массив. Ниже представлена микрофотография массив твердотельных накопителей и установка для микроволновых измерений на частоте 110 ГГц. Наш последний эксперименты продемонстрировали работу SSD при комнатной температуре на частоте 1,5 ТГц (1500 ГГц), что, насколько нам известно, является самым быстрым новым наноэлектронным устройством на сегодняшний день. В настоящее время устройство проходит используется для сбора энергии из-за его сверхвысокой скорости и нулевой порог.
Технология привела к дочерняя компания, работающая над печатной электроникой. Для получения дополнительной информации о Nano ePrint Ltd, вы можете нажать здесь Nano ePrint Ltd.
Ссылки:
Научные статьи:
- C.
Balocco, A.M. Song, M.
Берг, А. Форхель, Т. Гонслез, Дж. Матеос, И. Максимов, М. Миссус, А.А.
Резазаде2, Дж. Сайетс, Л. Самуэльсон, Д. Валлин, К. Уильямс, Л.
Worschech, HQ Xu, Микроволновое обнаружение на частоте 110 ГГц с помощью нанопроводов с
Нарушенная симметрия, нанобуквы, нанобуквы, Vol. 5, № 7, стр. 1423
(2005).
Balocco, A.M. Song, M.
Берг, А. Форхель, Т. Гонслез, Дж. Матеос, И. Максимов, М. Миссус, А.А.
Резазаде2, Дж. Сайетс, Л. Самуэльсон, Д. Валлин, К. Уильямс, Л.
Worschech, HQ Xu, Микроволновое обнаружение на частоте 110 ГГц с помощью нанопроводов с
Нарушенная симметрия, нанобуквы, нанобуквы, Vol. 5, № 7, стр. 1423
(2005).о Дж. Матеос, а! Б. Г. Васалло, Д. Пардо, Т. Гонслез, Операция и высокочастотные характеристики наноразмерных униполярных выпрямительных диодов, Прикладные Physics Letters, 86, 212103 (2005)
- AM Song, M. Missous, P. Омлинг, И. Максимов, В. Зайферт и Л. Самуэльсон, Нанометровый масштаб, двухполюсная, полупроводниковая память, работающая при комнатной температуре, прикладная Письма по физике, 86, 042106 (2005)
- А. М. Песня, И. Максимов, М.
Миссус и В. Зайферт, Диодные характеристики нанометрового масштаба.
Полупроводниковые каналы с нарушенной симметрией, Physica E, Vol.
