Кремниевый эпитаксиально-планарный диод с барьером Шоттки 2ДШ2121АС/ИМ

Срок доставки: 

5 — 15 дней

Цена:

По запросу

Диодная сборка 2ДШ2121АС/ИМ двух кремниевых эпитаксиально–планарных кристаллов диодов с барьером Шоттки с общим катодом. Предназначена для использования в импульсных устройствах, преобразователях высокочастотного напряжения, генераторах, детекторах, пускорегулирующих устройствах, а также других узлах и блоках аппаратуры специального назначения. Категория качества ВП.

Особенности

• Диапазон рабочих температур от — 60 до + 125 С.
• Обозначение технических условий АЕЯР.432120.294 ТУ.
• Корпусное исполнение: 2ДШ2121АС/ИМ — металлостеклянный корпус КТ-9 (ТО-3).
• Указания по применению и эксплуатации – по ГОСТ В 28146, ОСТ 11 336.907.0 и ОСТ 11 336.907.6 с дополнениями и уточнениями, приведенными в настоящем разделе.

Основное назначение сборки – использование в преобразователях напряжения, источниках вторичного электропитания, пускорегуляторах и другой аппаратуре специального назначения.

• Допустимое значение статического потенциала сборки 100 В.
• Значение собственной нижней резонансной частоты 11,5 кГц.
• 95 — процентный ресурс сборки (Т ) в режимах и условиях, допускаемых ТУ – 50 000 ч.
• 95 — процентный ресурс сборки (Т ) в облегченных режимах и условиях – 100 000 ч.

Справочное значение интенсивности отказов приборов при эксплуатации ( э), полученное по данным эксплуатации и по данным по аналогичным сборкам 1.10-6 1/ч. Сборки пригодны для монтажа в аппаратуре методом пайки паяльником:

• Температура припоя не выше 265 С.
• Время пайки не более 4 с.
• Время лужения – 2 с.

Допустимое число перепаек выводов сборки при проведении монтажных (сборочных) операций не более трех. Расстояние от корпуса до места лужения и пайки (по длине вывода) не менее 5 мм. При распайке температура корпуса не должна превышать 125 С. Допускаются другие режимы и условия пайки при обеспечении сохранения целостности конструкции и надежности сборки, что должно подтверждаться проведением ресурсных испытаний на предприятии- потребителе. Не допускается прикладывать к выводам вращающих усилий. Сборки необходимо применять с теплоотводами. Крепление сборки к теплоотводу должно обеспечивать надежный тепловой контакт. Допускается применение сборок, изготовленных в обычном климатическом исполнении, в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации во всех климатических условиях, при покрытии сборок непосредственно в аппаратуре лаком (в 3-4 слоя) марки УР-231 ТУ 6-21-14 или ЭП-730 ГОСТ 20824 с последующей сушкой.

Требования надежности

• Минимальная наработка сборки (Тн.м) в режимах и условиях, допускаемых ТУ – 25 000ч.
• Минимальная наработка сборки (Тн.м) в облегченных режимах Iпр 0,7 Iпр мах, Tкорп = (100 ± 5) С — 50 000 ч.
• Групповой показатель безотказности — интенсивность отказов при испытании в течении наработки в режимах и условиях, допускаемых ТУ, ( и) при доверительной вероятности Р* = 0,6 не более 10-6 1/ч.
• Минимальный срок сохраняемости 25 лет по ГОСТ В 28146.

Технические характеристики

Наименование	Буквенное обозначение параметра	Норма
Max допустимое постоянное обратное напряжение диода, В	Uобр max	100
Max допустимый средний прямой ток диода,* А	Iпр,ср, max	5
Max допустимый повторяющийся импульсный прямой ток диода, * (tи 2мс, f = 50 Гц), А	Iпр,и,п max	50
Max допустимый неповторяющийся импульсный прямой ток диода (единичная синусоидальная полуволна tи 10мс),* А	Iпр,и,нп max	120
Max допустимая температура перехода, С	Максимально допустимая температура перехода, С	150
Тепловое сопротивление переход-корпус, °С/Вт	R пер-кор	3,5

Диод Кремниевый КД2999А КД2999В КД2997В КД2997Б А

₴0. 00

Купить Диод Кремниевый КД2999А КД2999В КД2997В КД2997Б КД2997А б.у. в магазине радиотоваров Ретро-ИФ! Отправка по Украине!

Немає в наявності

Категорії: Діоди, Немає в наявності

• Опис
• Відгуки (0)

Опис

Диод Кремниевый КД2999А КД2999В КД2997В КД2997Б КД2997А б.у.
С проверкой.
Количество уточняйте!
Товары комбинируем!
ОПТом дешевле!

КД2999А

Диоды КД2999А кремниевые, эпитаксиально-диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц.
Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами (металлическое основание корпуса соединено с отрицательным электродом).
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 4 г.
Тип корпуса: КД-23.
Технические условия: аА0.336.646 ТУ.

Основные технические характеристики диода КД2999А:
• Uoбp max – Максимальное постоянное обратное напряжение: 200 В;
• Uoбp и max – Максимальное импульсное обратное напряжение: 250 В;
• Inp max – Максимальный прямой ток: 20 А;
• Inp и max – Максимальный импульсный прямой ток: 100 А;
• fд – Рабочая частота диода: 100 кГц;
• Unp – Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 20 А;
• Ioбp – Постоянный обратный ток: не более 200 мкА при Uoбp 250 В;
• tвoc обр – Время обратного восстановления: не более 0,2 мкс

КД2999В

Диоды КД2999В кремниевые, эпитаксиально-диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц.
Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами (металлическое основание корпуса соединено с отрицательным электродом).
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 4 г.
Тип корпуса: КД-23.
Технические условия: аА0.336.646 ТУ.

Основные технические характеристики диода КД2999В:
• Uoбp max – Максимальное постоянное обратное напряжение: 50 В;
• Uoбp и max – Максимальное импульсное обратное напряжение: 100 В;
• Inp max – Максимальный прямой ток: 20 А;
• Inp и max – Максимальный импульсный прямой ток: 100 А;
• fд – Рабочая частота диода: 100 кГц;
• Unp – Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 20 А;
• Ioбp – Постоянный обратный ток: не более 200 мкА при Uoбp 100 В;
• tвoc обр – Время обратного восстановления: не более 0,2 мкс

 

КД2997Б

Диоды КД2997Б кремниевые, эпитаксиально-диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц.
Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами (металлическое основание корпуса соединено с отрицательным электродом).
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 4 г.
Тип корпуса: КД-23.
Технические условия: аА0.336.647 ТУ.

Основные технические характеристики диода КД2997Б:
• Uoбp max – Максимальное постоянное обратное напряжение: 100 В;
• Uoбp и max – Максимальное импульсное обратное напряжение: 290 В;
• Inp max – Максимальный прямой ток: 30 А;
• Inp и max – Максимальный импульсный прямой ток: 100 А;
• fд – Рабочая частота диода: 100 кГц;
• Unp – Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 30 А;
• Ioбp – Постоянный обратный ток: не более 25 мА при Uoбp 100 В;
• tвoc обр – Время обратного восстановления: не более 0,2 мкс

КД2997А

Диоды КД2997А кремниевые, эпитаксиально-диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц.
Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами (металлическое основание корпуса соединено с отрицательным электродом).
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 4 г.
Тип корпуса: КД-23.
Технические условия: аА0.336.647 ТУ.

Основные технические характеристики диода КД2997А:
• Uoбp max – Максимальное постоянное обратное напряжение: 200 В;
• Uoбp и max – Максимальное импульсное обратное напряжение: 250 В;
• Inp max – Максимальный прямой ток: 30 А;
• Inp и max – Максимальный импульсный прямой ток: 100 А;
• fд – Рабочая частота диода: 100 кГц;
• Unp – Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 30 А;
• Ioбp – Постоянный обратный ток: не более 25 мА при Uoбp 200 В;
• tвoc обр – Время обратного восстановления: не более 0,2 мкс

Магазин:

Телефони для зв’язку:
+38(050)-59-68-695 (Vodafone)
+38(099)17-45-45-8 (ТІЛЬКИ VIBER)

Адреса магазину: м. Івано-Франківськ, вул. Бельведерська 10, Ретро Магазин Радіотоварів

Час роботи:
Понеділок—П’ятниця: 9:00–16:00.
Субота: 9:00–13:00.
Неділя — вихідний!
Електронна пошта:
[email protected]
Пишіть нам в формі зворотнього зв’язку!

Інформація для Покупців:

•  Відправляємо як і по передОплаті так і по післяОплаті(накладений платіж)!
•  Запитуйте все що Цікавить! Максимально швидко і якісно постараємось надати вичерпну відповідь!
•  Робимо додаткові фото чи відео без проблем! (по запиту)
•  Кількість товару, що цікавить уточнюйте, може бути більша кількість товару в наявності!
•  Товари(лоти, оголошення) комбінуємо в одну посилку, щоб Вам було менше платити за доставку!
•  Упаковуємо Товар самі надійно, щоб все доїхало ціле та не ушкоджене та щоб Ви не переплачували за доставку!

Про сайт

Веб-сайт Магазину Радянських Радіодеталей та Радіотоварів і Ретро Техніки в Івано-Франківську

— Запитуйте, далеко не всі товари які є в наявності викладено на сайт!
— Всі Товари відправляємо!
— Приймаємо пропозиції по товарам(торг та інші пропозиції).
— Кількість уточнюйте, якщо цікавить більше!
— Є самовивіз, можна забрати в магазині.
— Замовлення тільки за телефоном що Ви бачите вище!
— Робимо додаткові фото чи відео чи інформація про товар по запиту!

Останні пости в блозі:

Наші партнери:

DT-670 Кремниевые диоды

Особенности DT-670-SD

• Лучшая точность в самом широком диапазоне рабочих температур — от 1,4 К до 500 К – среди всех кремниевых диодов в промышленности
• Самые жесткие допуски для приложений от 30 К до 500 К среди всех кремниевых диодов на сегодняшний день
• Прочный и надежный корпус Lake Shore SD, разработанный для того, чтобы выдерживать многократные циклические изменения температуры и минимизировать самонагрев датчика0006
• Различные варианты упаковки

Характеристики DT-670E-BR

• Диапазон температур: от 1,4 К до 500 К
• Датчики без кристалла с наименьшим размером и самым быстрым тепловым откликом среди всех кремниевых диодов, представленных сегодня на рынке
• Немагнитный датчик

Особенности DT-621-HR

• Диапазон температур: от 1,4 К до 325 К*
• Немагнитная упаковка
• Открытая плоская подложка для поверхностного монтажа

*Калиброванный до 1,4 К, некалиброванный (кривая DT-670) до 20 К

Диодная термометрия

Диодная термометрия основана на температурной зависимости прямого падения напряжения в p-n переходе, смещенном при постоянном токе, обычно 10 мкА. Поскольку сигнал напряжения относительно велик, от 0,1 В до 6 В, диоды просты в использовании. и приборка простая.

Кремниевые диоды серии DT-670 обеспечивают более высокую точность в более широком диапазоне температур, чем любые ранее продаваемые кремниевые диоды. В соответствии со стандартной кривой зависимости напряжения от температуры Curve DT-670 датчики серии DT-670 являются взаимозаменяемыми, и для многих применений не требуют индивидуальной калибровки. Датчики DT-670 в упаковке SD доступны в четырех диапазонах допусков: три для общего криогенного использования в диапазоне температур от 1,4 К до 500 К и один, обеспечивающий превосходную точность для приложений от 30 К до комнатной температуры. Датчики ДТ-670 тоже идут в седьмом диапазоне допусков, B и E, которые доступны только в чистом виде. Для приложений, требующих большей точности, доступны диоды DT-670-SD с калибровкой во всем диапазоне температур от 1,4 К до 500 К.

Датчик без кристалла, DT-670E-BR, имеет наименьший физический размер и самое быстрое время температурного отклика среди всех кремниевых диодов, представленных сегодня на рынке. Это важное преимущество для приложений, в которых размер и время отклика на температуру имеют решающее значение, в том числе решетки в фокальной плоскости и высокотемпературные сверхпроводящие фильтры для сотовой связи.

DT-621-HR миниатюрный кремниевый диод

Миниатюрный кремниевый диодный датчик температуры DT-621 сконфигурирован для установки на плоские поверхности. Блок датчиков DT-621 демонстрирует точную монотонную температурную характеристику во всем полезном диапазоне. Чип датчика находится в непосредственном контакте с эпоксидной смолой. купол, который вызывает повышение напряжения ниже 20 К и препятствует полному соответствию Curve DT-670. Для использования при температуре ниже 20 К требуется калибровка.

	DT-SD, CU/CU-HT, DI, BO, LR, CY, MT, ET, CO, DT-BR, DT-621-HR, DT-614-UN, датчики температуры
Пакет Lake Shore SD — The самый прочный и универсальный корпус в отрасли Комплект SD с прямым креплением датчика к сапфировому основанию, герметичным уплотнением и припаянными выводами Kovar обеспечивает самые прочные и универсальные датчики в отрасли с лучшим соединением образца с чипом. Разработанный таким образом, чтобы тепло, поступающее по проводам, миновало чип, он может выдерживать несколько тысяч часов при температуре 500 К (в зависимости от модели) и совместим с большинством приложений сверхвысокого вакуума. Он может быть припаян индием к образцам без изменения калибровки датчика. При желании пакет SD также доступен без выводов Kovar.

Типовое напряжение диода DT-670

Типовая чувствительность диода DT-670

Кремниевый диод | ЮниверситиВафер, Инк.

Какие подложки действуют как кремниевые диоды?

У одного ученого были следующие вопросы:

Я хочу продемонстрировать свойства PN-переходов в полупроводниках для учащихся средней школы. Материалы макромасштаба легче понять.

1. Будет ли одна из ваших легированных кремниевых пластин вести себя как кремниевый диод?
2. Какой ток я могу через него пропустить?
3. Вы рекомендуете другой субстрат?

Ответы см. ниже.

Получите предложение БЫСТРО! Или Купите онлайн и начните поиск сегодня!

Ваше имя:

Компания:

Ваш адрес электронной почты:

Ваше сообщение:

Ответы:

Легированная кремниевая пластина ведет себя как кремниевый диод?

Легированная кремниевая пластина сама по себе не ведет себя как кремниевый диод, но ее можно использовать для создания кремниевых диодов и других полупроводниковых устройств.

Какой ток может пройти через кремниевый диод?

Максимальный ток, который может пройти через кремниевый диод, зависит от размера диода, типа корпуса и температуры окружающей среды.

Для кремниевых диодов с малым сигналом, таких как 1N4148, максимальный номинальный ток обычно составляет около 200 мА. Для силовых кремниевых диодов, таких как 1N4007, максимальный номинальный ток обычно составляет около 1 А. Однако существуют более мощные диоды, которые могут выдерживать гораздо более высокие токи, в диапазоне от нескольких ампер до нескольких сотен ампер.

Номинальный ток кремниевого диода указан в его техническом паспорте, который содержит информацию о максимальном токе, который диод может выдержать при определенных условиях. Важно отметить, что превышение максимального номинального тока диода может привести к его перегреву и потенциальному повреждению, поэтому важно выбрать диод с соответствующим номинальным током для применения.

Какая подложка может работать как кремниевый диод? Вы рекомендуете другой субстрат?

Хотя кремний является наиболее часто используемой подложкой для создания диодов, существуют и другие материалы, которые также можно использовать для создания диодов. Некоторые материалы, которые могут действовать как кремниевый диод, включают:

1. Германий : Германий — еще один полупроводниковый материал, который можно использовать для создания диодов. Германиевые диоды похожи на кремниевые диоды, но имеют меньшее прямое падение напряжения и большую утечку обратного тока.

2. Арсенид галлия : Арсенид галлия (GaAs) представляет собой полупроводниковый материал, который используется в высокоскоростных электронных устройствах, таких как микроволновые диоды и солнечные элементы. Диоды GaAs имеют более высокую подвижность электронов, чем кремниевые диоды, что делает их более быстрыми и эффективными для высокоскоростных приложений.

3. Карбид кремния : Карбид кремния (SiC) представляет собой полупроводниковый материал с широкой запрещенной зоной, который используется в мощных и высокотемпературных устройствах. Диоды SiC имеют более высокое напряжение пробоя и более высокую скорость переключения, чем кремниевые диоды, что делает их идеальными для использования в устройствах с высокой мощностью, таких как электромобили и системы возобновляемой энергии.

4. Алмаз : Алмаз представляет собой уникальный полупроводниковый материал с высокой теплопроводностью и высоким напряжением пробоя. Алмазные диоды все еще находятся на экспериментальной стадии, но они могут произвести революцию в мощных и высокотемпературных электронных приложениях.

Таким образом, хотя кремний является наиболее часто используемой подложкой для создания диодов, существуют и другие полупроводниковые материалы, которые можно использовать для создания диодов с различными свойствами и рабочими характеристиками.

 

Высоковольтные кремниевые диоды для катодной защиты

Исследователь компании запросил следующее:

напряжение и ток 300А. количество 50 шт.

Что такое кремниевый диод?

Кремниевый диод — это полупроводник, который позволяет электрическому току течь в одном направлении и ограничивает его в другом направлении. Они также используются в источниках питания.

Кремниевый диод имеет низкое падение прямого напряжения около 0,7–0,9 В и выдерживает температуру до 140°C. Его обратное напряжение пробоя составляет около 70-100В.

Это полупроводник

Кремниевый диод — это тип полупроводника, способный проводить ток в одном направлении и ограничивать его в противоположном направлении. Их можно использовать для усиления или выпрямления напряжения и для преобразования энергии в свет или электрическую энергию. Они также используются для мониторинга распределения ЭМ и температуры в сильных микроволновых полях.

В общем, существует три типа твердых материалов: проводники (которые могут пропускать большой ток), изоляторы (у которых вообще нет свободных электронов, что ограничивает прохождение тока) и полупроводники (которые может проводить небольшой ток). Полупроводник представляет собой комбинацию проводника и изолятора.

Проводимость полупроводника можно контролировать путем легирования материала примесями. Примеси бывают металлическими или полимерными и добавляются в материал во время производства, чтобы изменить его поведение.

Эти примеси могут вызвать изменение вольтамперной характеристики диода, в результате чего диод станет нелинейным. Это может быть полезно в широком спектре приложений, таких как регулирование напряжения (стабилитроны), защита цепей от скачков напряжения (лавинные диоды), электронная настройка радио- и телевизионных приемников (варакторные диоды), генерация радиочастотных колебаний (туннельные диоды). , диоды Ганна, диоды IMPATT) и производящие свет (светоизлучающие диоды).

Когда полупроводник легирован примесью, он образует область избыточных валентных электронов (называемых акцепторами), которые соединяются с дырками, образуя полупроводники р-типа. Они используются для создания различных диодов.

Они доступны с различными структурами p-n переходов, такими как p-n, n-p и p-n-p. Структура n-p является наиболее распространенной и состоит из нелегированного или собственного слоя кремния, окруженного серией легированных слоев. Это обычная структура во многих силовых полупроводниковых устройствах, включая IGBT и MOSFET.

Сопротивление диода току, протекающему в обратном направлении, внезапно падает, когда внешнее напряжение обратного смещения превышает его напряжение пробоя, вызывая волну рекомбинации в p-n переходе, вызывая большой электрический ток. Это явление иногда называют лавинным эффектом, и оно может быть чрезвычайно полезным при переключении очень больших токов.

Это транзистор

Кремниевый диод — это полупроводниковое устройство, которое проводит и изолирует электрический ток или напряжение. Он используется для изготовления электронных устройств, таких как калькуляторы и компьютеры. Он также используется в слуховых аппаратах.

Транзисторы — одно из самых важных изобретений в истории науки. Разработанные в 1947 году Джоном Бардином, Уолтером Браттейном и Уильямом Шокли, они произвели революцию в электронике и являются строительными блоками практически каждого современного электронного устройства.

Существует множество различных материалов, из которых можно сделать транзистор. Однако наиболее распространенным является кремний. Это потому, что он находится в правильном месте в периодической таблице, где им можно манипулировать, чтобы получить широкий спектр полупроводниковых свойств (от почти изолирующих до почти полностью проводящих).

Обычно транзисторы состоят из трех частей: эмиттера, базы и коллектора. Эмиттер служит источником электронов, база — управляющим терминалом, а коллектор — стоком.

Материал, используемый для изготовления транзисторов, обладает особыми свойствами, называемыми легированием. Легирование — это химический процесс, который позволяет материалу приобретать дополнительный положительный или дополнительный отрицательный заряд. Этот дополнительный заряд можно получить, добавив больше электронов к N-типу или сделав дырки в P-типе.

При рекомбинации двух материалов лишние электроны N-типа и избыточные дырки P-типа будут притягиваться друг к другу. Это вызывает образование неподвижных ионов, которые называются ионами-донорами и ионами-акцепторами в областях N-типа и P-типа соответственно.

Затем эти ионы сопротивляются потоку электронов и дырок через них, образуя барьер между материалами. Этот барьер известен как область истощения, и ширина барьера зависит от концентрации легирующей примеси в материалах.

Если к p-n переходу приложить внешнее напряжение, которое больше и противоположно встроенному потенциалу, рекомбинирует значительное количество электронов и дырок. Это может привести к очень большому току, протекающему через p-n переход.

Это может быть существенным недостатком диода, когда он используется для быстрого переключения очень большого количества электричества. К счастью, этот эффект устраняется тем фактом, что требуется небольшое количество времени для восстановления заряда обратного восстановления tr от диода при снятии внешнего напряжения.

Это выпрямитель

Кремниевый диод — это полупроводниковое устройство, которое позволяет электрическому току течь в одном направлении, ограничивая его в противоположном направлении. Именно этот процесс делает его выпрямителем и важен для работы многих электронных устройств.

Выпрямители являются жизненно важным компонентом многих электронных устройств и источников питания, и они преобразуют электричество переменного тока (AC) в энергию постоянного тока (DC). Они часто встречаются в автомобильных генераторах переменного тока и умножителях напряжения Кокрофта-Уолтона.

Они также используются во множестве других приложений, включая обработку сигналов и демодуляцию. Например, полуволновые выпрямители часто используются в AM-радио в качестве детектора пиков сигнала.

В отличие от других типов диодов, кремниевые диоды не имеют внешнего слоя, разделяющего полупроводниковые области n-типа и p-типа, поэтому они могут работать в обоих направлениях. Однако между двумя областями есть область обеднения, которую необходимо преодолеть, прежде чем диод начнет проводить ток.

Это делается путем создания разности электрических потенциалов между областями n-типа и p-типа диода. Когда потенциал увеличивается на стороне n-типа диода, это позволяет электронам проходить через обедненную область.

Обедненная область представляет собой слой, который естественным образом образуется при изготовлении диода за счет комбинации дырок и электронов. Он очень мал, но его необходимо преодолеть, прежде чем диод сможет работать в режиме прямого смещения.

При применении условия обратного смещения диод не будет проводить ток, а вместо этого создаст электрический обратный клапан. Это единственный способ предотвратить повреждение схем внутри электронного устройства из-за полярности входов переменного тока.

Доступно несколько различных типов диодов, которые различаются по токопроводящей способности от миллиампер до десятков ампер. Некоторые имеют обратное напряжение пробоя в тысячи вольт.

Они могут быть хорошим выбором для широкого спектра применений, таких как источники питания и высоковольтные преобразователи. Они обладают отличной температурной стабильностью и малыми токами утечки.

Они доступны в различных формах, включая твердотельные диоды, ламповые диоды, кремниевые выпрямители и ртутно-дуговые вентили. Большинство этих устройств имеют два вывода: один положительный (анод), а другой отрицательный (катод).

Это диод

Кремниевый диод — это тип полупроводникового устройства, которое проводит электричество в одном направлении. Он имеет положительный конец, называемый анодом, и отрицательный конец, называемый катодом. Он имеет незначительное сопротивление на положительной стороне и высокое сопротивление на отрицательной стороне.

Чтобы сделать диод, вы добавляете немного материала p-типа и немного материала n-типа. Материалом p-типа обычно является кремний, а материалом n-типа обычно является германий.

Добавление дополнительных атомов в полупроводник может увеличить его проводимость или способность передавать энергию. Дополнительные атомы называются легированием.

Легирование можно осуществить, добавив в материал определенное количество примесных атомов. Атомы примесей могут быть в форме бора, сурьмы, фосфора, мышьяка, индия или висмута.

Это называется концентрацией легирования, и эту концентрацию можно контролировать, изменяя количество материалов n-типа или p-типа, добавляемых к материалу.

Когда материалы n-типа и p-типа объединяются вместе без приложения напряжения, избыточные электроны в материале N-типа будут притягиваться к избыточным дыркам в материале P-типа. Это притяжение приведет к образованию ионов.

В результате два материала теперь связаны друг с другом, и ионы задерживаются между ними (формируя барьер). Этот барьер называется областью истощения.

Диод подобен вентилю в электрической цепи, с пренебрежимо малым сопротивлением на одном конце и высоким сопротивлением на другом. Электричество может течь только в одном направлении через диод, поэтому его можно использовать для управления током в электрической цепи.

Наиболее распространен полупроводниковый диод с p-n переходом. Это диод, сделанный из кремния, и в материал часто добавляются другие элементы для улучшения его проводимости.