Site Loader

Содержание

Купите современное диод 300a для своих нужд Free Sample Now

О продукте и поставщиках:

Выбрать. диод 300a из огромной коллекции на Alibaba.com. Вы можете купить массив. диод 300a включая, помимо прочего, светодиоды, микрофон, выпрямитель, лазер, стабилитрон, триггер, Шоттки, SMD, энергосберегающие диодные лампы. Вы можете выбрать. диод 300a из широкого набора ключевых параметров, спецификаций и рейтингов для вашей цели.

диод 300a на Alibaba.com удобны в установке и использовании. Используемый пластик более высокого качества обеспечивает изоляцию, снижающую нагрев. Они доступны в кремнии и германии. диод 300a используются в различных отраслях промышленности для различных электрических функций и датчиков. Они используются в инверторах, светодиодах, автомобильной электронике, потребительских товарах, USB 2.0 и USB 3.0, HDMI 1.3 и HDMI 1.4, SIM-карте, мобильной одежде, беспроводной связи, автомобильном генераторе и лазерной эпиляции. Они используются как выпрямитель, датчик света, излучатель света, для рассеивания нагрузки и т. Д. Различная физическая упаковка для. диод 300a предлагаются для монтажа на печатной плате, теплоотвода, проводного и поверхностного монтажа.

Основные особенности. диод 300a - это толстая медная опорная пластина, низкая утечка, высокий ток, низкое прямое падение напряжения, легирование золотом, низкое сопротивление инкрементным скачкам напряжения, отличная зажимная способность, быстрое время отклика и т. д. Технические характеристики, предлагаемые на. диод 300a включают различные оптические и электрические характеристики, такие как максимальная мощность, напряжение, оптический выход, время обратного восстановления, рабочая температура и т. д. диод 300a производятся в соответствии со стандартными процедурами для поддержания высочайшего качества. Они соответствуют требованиям RoHS и IEEE 1394.

Получите лучшее. диод 300a предлагает на Alibaba.com от различных поставщиков и оптовиков. Получите высшее качество. диод 300a в соответствии с требованиями вашего проекта.

выпрямительный пластиковый; 1,8кВ; 300А; 470А; DO200AA производства KUBARA LAMINA D63-300-18

Главная Каталог Полупроводники Диоды Универсальные диоды Диоды остальные
Количество Цена ₽/шт
+1 4 922
Минимально 1 шт и кратно 1 шт

Вы можете запросить у нас любое количество D63-300-18, просто отправьте нам запрос на поставку.
Мы работаем с частными и юридическими лицами.

Купить D63-300-18 от 1 шт с помощью банковской карты можно прямо сейчас на нашем сайте.
Работаем с частными и юридическими лицами.

D63-300-18 описание и характеристики

Диод: выпрямительный пластиковый; 1,8кВ; 300А; 470А; DO200AA

  • Производитель

    KUBARA LAMINA

  • Монтаж

    Press-Pack

  • Корпус

    DO200AA

  • Тип диода

    выпрямительный пластиковый

  • Импульсный ток

    5кА

  • Обратное напряжение макс.

    1,8кВ

  • Падение напряжения макс.

    1,7В

  • Прямой ток

    300А

  • Прямой ток макс.

    470А

Бесплатная доставка
заказов от 5000 ₽

Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи


Диод лавинный ВЛ200, по цене от 216 грн с доставкой по Украине.

Силовой лавинный диод ВЛ200

Особенностью лавинного диода является его способность выдержать высокое обратное напряжение, а также способность достичь такой его величины, при которой может образоваться значительная ударная ионизация, применяется в выпрямительных приборах, источниках питания и устройствах защиты от перенапряжений. Конструкция устройства — штыревая,  медное основание выступает в качестве анода, и гибкий вывод является катодом. Совместим с охладителем О171.

Применение лавинного диода в выпрямительных устройствах повышает надёжность электрических схем и урезать мощность применяемого диода, т.к. лавинный ток будет защищать от пробоя, а не запас по обратному напряжению.

У нас можно купить такие разновидности полупроводников:

  • ВЛ200-8;
  • ВЛ200-10;
  • ВЛ200-12;
  • ВЛ200-14;
  • ВЛ200-16.

Назначение диода  ВЛ200

Диод ВЛ200 является кремниевым лавинным диффузионным. Предназначается для выполнения работ в цепях статического преобразователя электрической энергии  с переменным и постоянным током  при частоте до 2 КГЦ. Диод имеет восемь классов. Тип охлаждения в диоде ВЛ200 – естественный воздушный либо же принудительный.  На корпусе приведены параметры полярности для вывода, а также обозначается топономинал. Вес диода составляет на более чем пол килограмма.

Условное обозначение диода ВЛ200

Обозначение диода имеет такие составляющие, как:

— 1 элемент – обозначает букву либо цифру – это обозначение материала –

  • 1 (Г) – обозначение германия, либо соединения,
  • 2 (К) – обозначение кремния, либо соединения,
  • 3 (А) – обозначение арсенида галлия, либо его соединения.

— 2 элемент – обозначает букву, которая бы указывала класс для прибора

  • Д – обозначение диода,
  • Ц – обозначение выпрямительного блока и столба,
  • А – обозначение сверхвысокочастотного диода.
  • В – обозначение варикапа.
  • И- обозначение обращенного и тоннельного диода,
  • С – обозначение стабистора и стабиитрона,
  • Л – обозначение излучателя.

— 3 элемент – обозначает число, которое указывает назначение, а также качественные показатели для механизма. Еще – обозначение порядкового номера разработок.

Например:

  • ВЛ – обозначение диода лавинного,
  • 200 – показатель для прямого среднего тока,
  • 13 – показатель класса для напряжения, с учетом номинального напряжения в 1300 В,
  • УХЛ2 – параметр климатического исполнения, назначается в условиях для холодного и умеренного климата.

Применение диода ВЛ-200

Диод ВЛ-200  применяют в разных сферах радиоэлектроники, приборостоении для того, чтобы коммутировать сигналы высоких частот.  Лавинный диод используют для гальванических приборов, электросварки, транспорта, промышленности, мощных выпрямителей.  Если вас заинтересовала цена диода ВЛ-200, вы сможете посмотреть ее на нашем сайте, выбрать для себя оптимальное решение и купить диод ВЛ-200, заказав его в интернет магазине, не выходя из дома!

Лавинный диод применяют в:

  • мощных выпрямителях;
  • промышленности;
  • транспорте;
  • электросварке;
  • гальванике.

Принцип работы диода ВЛ-200

Не нужно забывать, что диод – это разновидность прибора на основе полупроводников. Он имеет 1 переход, катодный и анодный выводы. Работает по такому принципу – под действием электротока на катод накаливается подогреватель, вследствие чего из электрода выходят электроны. Образуется электрополе между 2 электродами. Если анод с положительным зарядом, то он притянет к себе электроны. Поле, возникшее при этом катализирует весь процесс. Образуется эмиссионный ток.

Образуется отрицательный пространственный заряд между 2 электродами. Этот заряд может препятствовать электронам двигаться. Причина в очень слабом потенциале анода. Если такое случилось, то часть электронов не способна к преодолению действия отрицательных зарядов. Электроны двигаются обратно в сторону катода. Те же электроны, которые дошли к аноду и определяют параметры катодных токов.  Таким образом, можно сделать вывод, что данный показатель зависим от анодного положительного потенциала. При отрицательном заряде анода возможны нулевые показатели. При этом диод запертый, а цепь в результате этого размыкается.

Говоря об особенности лавинных диодов, нужно упомянуть способность выдерживать обратное высокое напряжение, а также возможность достигать показателя, при котором образуется сильная ионизация, которая нужна для источников питания, выпрямительных приборов, защитных устройств от перенапряжения.

Штыревая конструкция с медным основанием играет роль анода. А гибкий вывод – катода. Совмещается с охладителями О171. Использование лавинных диодов для выпрямительного устройства улучшает качество электросхем, понижает диодную мощность.

Технические характеристики диода ВЛ-200

Диод обладает разной степенью проводимости, что зависит от направлений в электрополе. Электродный диод, который подключили к положительным полюсам источников тока при условии, что диод открытый – с маленьким сопротивлением, то он является анодом, при условии подключения к отрицательным полюсам можно говорить о катоде.

Технические характеристики  диода ВЛ-200 следующие:

  • показатель для прямого среднего тока составляет 200А,
  • показатель обратного импульсного напряжения – 1000 В,
  • воздушное естественное либо принудительное охлаждение,
  • соответствие техническим условиям ТУ 16-529.765-73,
  • применяемый охладитель типа О171-80.

Значения для габаритных размеров:

  • Длина общая – 277 миллиметров.

  • Длина для шпильки – 15 миллиметров.

  • Тип резьбы – М20.

Также учитываются такие важные характеристики, как показатели максимального прямого тока, максимального импульсного напряжения, прямого постоянного напряжения, рабочей максимальной частоты, рабочей частоты для диода, обратного постоянного тока, постоянного максимального обратного напряжения,  времени для обратного восстановления, прямого импульсного напряжения, максимально допустимого среднего прямого тока, максимально допустимого повторяющегося импульсного обратного напряжения, максимально допустимого ударного тока, максимальной температуры для переходов. Учитывая, что эти показатели для каждой модификации разные, стоит обратиться к  профессионалу, чтобы выбрать оптимальный для себя вариант.  Наши менеджеры с удовольствием предоставят вам детальную консультацию для того, чтобы подобрать то, что нужно именно вам.  

Наше предприятие и склад находятся в Днепропетровск, купить диод возможно с доставкой по всей Украине любой транспортной службой.

 

низкие цены, доставка, наличие в Москве

Производитель

HUAJING 2 IXYS 5 KUBARA LAMINA 387


MICROSEMI 3 SEMIKRON 148 VISHAY 75

Показать все

Тип диода

выпрямительный с резьбой 369 спиральная Шоттки 2

Монтажная резьба

1/4»-28 UNF 5 1/4-28 UNF-2A 42 3/4»-16 UNF-2A 16


3/8»-24UNF-2A 8 10-32 UNF3A 1 10/32» UNF-2A 3 M12 47 M16x1,5 20 M20 98 M20x1,5 2 M4 4 M5 36 M6 60 M8 23 M8x1,25 2

Показать все

Вид упаковки

россыпью 83

Характеристики полупроводниковых элементов

быстрое переключение 1 лавинно-пролетный диод 5

Длина кабеля

108мм 22 140мм 43 250мм 55

Конструкция диода

анод на корпусе 186 катод на корпусе 184

Характеристики полупроводниковых элементов

быстрое переключение 1 лавинно-пролетный диод 5

Вид упаковки

россыпью 85

Конструкция диода

анод на корпусе 313 катод на корпусе 306

Тип диода

Schottky stud 1 выпрямительный с резьбой 617 спиральная Шоттки 2

Монтажная резьба

1/4»-28 UNF 5 1/4-28 UNF-2A 42 3/4»-16 UNF-2A 17


3/8»-24UNF-2A 8 10-32 UNF3A 2 10/32» UNF-2A 3 M12 78 M16x1,5 40 M20 194 M20x1,5 2 M4 8 M5 73 M6 107 M8 35 M8x1,25 2

Показать все

Длина кабеля

108мм 41 140мм 84 250мм 110

Моделирование в электроэнергетике — Силовые полупроводниковые приборы

Силовые полупроводниковые приборы

Целью данного раздела приложения является предоставление основных сведений относительно полупроводниковых приборов, которые нашли применение в устройствах  FACTS. Большая часть изложенного ниже предназначена для инженеров энергосистем для понимания параметров и целесообразности применения полупроводниковых элементов в устройствах FACTS. О полупроводниковых приборах написано много книг, в которых можно найти более углубленную информацию.

Устройства FACTS представлены в диапазоне мощностей от десятков до сотен мегаватт.  В основном, устройства FACTS выполняется на базе системы преобразователей переменного тока в постоянный (и/или наоборот) и мощных коммутаторов переменного тока. В свою очередь, преобразователь выполняется на базе вентилей (с другим оборудованием), и каждый вентиль в свою очередь представляет собой силовые приборы с демпфирующими цепями и цепями управления включением и отключением. Аналогично, каждый коммутатор (ключ) переменного тока состоит из встречно включенных силовых приборов  с цепями демпфирования и управления. Номинальные параметры силовых приборов обычно лежат в диапазоне: 1-5 кА  и 5-10 кВ, однако реальное использование составляет от 25 до 50 % от их номинальных значений.  Это означает  что,  преобразователи и выключатели переменного тока состоят из большого количества силовых приборов. Преобразователи, выключатели переменного тока, и силовые приборы могут соединяться между собой последовательно или параллельно, в зависимости от мощности и назначения устройства FACTS; в некоторых случаях устройства FACTS  могут иметь однофазное исполнение. Изложенные соображения обеспечивают возможность проведения необходимых изменений на основе модульной конфигурации устройств, для эффективного использования силовых приборов в зависимости от заданных требований. Модульное исполнение устройств, используемое должным образом, приводит не только к уменьшению его стоимости из-за применения стандартных модулей и подмодулей, но также оказаться ценным качеством с точки зрения   надежности, избыточности и использования капиталовложений.

Свойства и характеристики приборов, и их эксплуатационные показатели существенно влияют на стоимость, исполнение, размер, вес, и величину потерь в устройствах FACTS, также как и в любых применениях силовых приборов. Таким образом, необходимо учитывать стоимость всех устройства, включая демпферные цепи,  цепи управления, трансформаторы и другое электромагнитное оборудование, фильтры, системы охлаждения, потери, исполнение и требования к техническому обслуживанию. Например, возможность быстрого переключения ведет к уменьшению компонентов демпферной цепи, снижению потерь в этих цепях, что, в свою очередь, обеспечивает меньшую генерацию гармоник и большее быстродействие устройств FACTS. Сказанное является особенно важным при использовании специальных устройств FACTS  в качестве активных фильтров.

В промышленных сетях малой мощности нашли применение разнообразные усовершенствованные схемы, которые внедрялись в основном из-за низкой себестоимости;  экономическая целесообразность применения аналогичных устройств в сетях большой мощности в значительной степени является функцией улучшения характеристик устройств. К этим усовершенствованиям относятся широтно-импульсная модуляция  (PWM), «мягкое» включение, резонансные преобразователи, прерыватели и другие. Отметим, что в конструкции FACTS обычно применяется устройства с наилучшими характеристиками, несмотря на их более высокую стоимость. Хотя стоимость является существенным фактором, было бы более корректно сказать, что применение устройств с наилучшими характеристиками  влияет на параметры FACTS и обеспечивает их конкурентоспособность, обеспечивая тем самым специфические технические возможности, которые получаются  по наименьшей возможной цене. Таким образом, стоимость, эксплуатационные качества, и рыночный успех устройств FACTS сильно зависит от развития полупроводниковых приборов и их технического исполнения. Фактически проектировщики устройств FACTS, могут выиграть очень многое  за счет обсуждения с поставщиками оборудования наивысших требований к характеристикам приборов, их технического исполнения и комплектующих, не допуская при этом применения устаревшей аппаратуры в конструкциях FACTS.  Для использования технологий FACTS важно наличие общей идеи относительно параметров полупроводниковых приборов, их технологии и будущей тенденции, а также принципиальные схемы, используемые в энергетике и промышленности.

Таким образом, силовые электронные приборы –  это быстродействующие устройства, выполненные  на базе однокристальной силиконовой пластины высокой чистоты, разработанные для различных коммутационных  операций. Приборы могут быть управляемыми как на включение так  и на выключение протекающего электрического тока,  посредством подачи импульсов на  управляющие электроды, называемые затворами. Некоторые полупроводниковые устройства разработаны без возможности запирания, т.е. блокирования протекания тока в обратном направлении, в этом случае данное свойство обеспечивается другим блокирующим прибором (диодом), включенным последовательно или встречно — параллельно.

В основном,  силовые полупроводниковые приборы  включают диоды, транзисторы и тиристоры. Условные обозначения основных устройств, относящихся к этим категориям, представлены на Рис.1. В последующих параграфах изложено краткое описание этих трех категорий и далее  несколько подробнее рассмотрены некоторые специальные устройства.

 

Диоды. Диоды — это группа двухслойных устройств с односторонней проводимостью. Направление проводимости в диодах имеет место от анода к катоду (в прямом направлении), когда анод имеет положительную полярность относительно катода.  В данных устройствах не предусмотрена возможность управления проводимостью в прямом направлении. Однако существует возможность запирания диода  в обратном  направлении, при положительной полярности напряжения катода относительно анода. Диод является важным элементом в нескольких устройствах  FACTS .

 

Транзисторы. Транзисторы —  это группа трехслойных устройств. Транзистор переходит в состояние проводимости в прямом направлении, когда на одном из его электродов, называемым коллектором, появляется положительное напряжение относительно другого электрода, называемого эмиттером, при условии подачи на третий электрод, называемым базой, включающего сигнала тока или напряжения.  В случае, если подаваемый на базу сигнал тока или напряжения меньше необходимого для полного включения устройства, в устройстве будет протекать ток до тех пор, пока будет приложено напряжение к аноду относительно катода. Транзисторы нашли широкое применение в системах малой и средней мощности. Один из транзисторов, известный как биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT, раздел 11) был специально разработан для широкого применения в установках средней и большой мощности, от нескольких МВт до нескольких десятков МВт. Таким образом,  IGBT является достаточно важным элементом для устройств  FACTS. Метало-оксидный полевой транзисторMOS (MOSFET) является другим типом транзистора, который  используется только в системах низкого напряжения, но для которого характерна возможность очень быстрого  включения и выключения, а так же данный тип транзистора часто используется  как  усилительное  устройство затвора мощных тиристоров.

 

Рис. 1. Полупроводниковые приборы: (a) диод, (b) транзистор, (c) интегрированный биполярный транзистор с затвором (IGBT ), (d) полевой транзистор MOS (MOSFET), (e) тиристор, (f) тиристор с возможностью управления моментом выключения (GTO)  и тиристор с управляемым затвором (GCT), (g) тиристор MOS с возможностью управления моментом выключения (MTO), (h) тиристор с управляемым эмиттером (ETO) , (i) управляемый тиристор MOS (MTO).

Тиристоры.  Тиристоры (раздел 6) — это семейство четырехслойных приборов. Тиристор переходит  в состояние полной проводимости в прямом направлении (отпирается), когда на одном из его электродов (аноде) появляется положительное напряжение относительно другого электрода (катода), при условии подачи на третий электрод, называемым затвором, включающего сигнала (импульса) тока или напряжения. Проводимость отпирания является необходимой для обеспечения низких потерь в проводящем состоянии, что будет объяснено в разделе 6. Конструкция некоторых тиристоров не предусматривает наличие затвора, управляющего выключением устройства,  в этом случае тиристор переходит из проводящего в непроводящее состояние только в случае, когда обеспечивается прохождение тока через нуль какими-либо другими средствами. В некоторых других тиристорах конструкцией предусмотрено наличие управляющих затворов обеспечивающих включение и выключение тиристора. Тиристор может быть разработан с возможностью запирания в прямом и обратном направлениях (симметричное устройство) или только в прямом направлении  (асимметричное устройство). Тиристоры являются наиболее важными приборами для устройств FACTS .

По сравнению с тиристорами, транзисторы имеют лучшие эксплуатационные характеристики, а именно более быстрое срабатывание и меньшие потери при коммутации.  С другой стороны, тиристоры характеризуются меньшей величиной потерь в проводящем состоянии  и более высокой допустимой величиной мощности, чем транзисторы.  Однако, непрерывно предпринимаются попытки разработать устройства с  улучшенными характеристиками, а именно с пониженными коммутационными и постоянными потерями при одновременном увеличения мощности приборов.

 

1.1. Основные типы  силовых тиристоров

 

Формально, термины «тиристор» и «кремниевый управляемый выпрямитель» относятся к основной группе управляемых четырехслойных полупроводниковых приборов, в которых включение и выключение зависит от взаимодействий  и положительной обратной связи в структуре p-n-p-n (более детально описано далее в разделе 6). Название «управляемый кремниевый выпрямитель» (SCR)  было предложено изобретателями и первыми производителями  компании Дженерал Электрик  (GE). В соответствии со свойствами прибора, в котором предусмотрена возможность включения, но не  выключения,  термин SCR позднее был заменен на термин «тиристор».  С появлением устройства с возможностью включения и выключения, названноготиристор с возможностью управления моментом выключения, названным GTO-тиристор, прибор с возможностью только включения стали называть  «обычным тиристором» или просто «тиристором».  Остальным приборам, относящимся к тиристорам  или SCR, были даны другие названия, согласно их аббревиатуре. В данной работе использование термина тиристор подразумевает обычный  тиристор.

Когда отпирающий импульс тока распространяется с затвора на катод, обеспечивается быстрый переход тиристора в состояние полной проводимости в прямом направлении с низким падение напряжения (от 1,5 до 3 В, в зависимости от типа тиристора и тока).  Как упоминалось выше, обычный тиристор не может уменьшать свой ток до нуля; напротив, моментуменьшения величины тока до нуля определяется свойствами внешней цепи. Когда ток цепи становиться равным нулю, тиристор в течение нескольких десятков микросекунд действия обратного запирающего напряжения восстанавливает свои изолирующие свойства, после чего  до следующего импульса включения тиристор находится в непроводящем состоянии.

 Из-за низкой стоимости, высокой эффективности, надежности, большого ресурса, возможности использования на большие токи и напряжения, обычные тиристоры повсеместно используются в случае, когда конфигурация цепи и ее технико-экономические требования позволяют использовать приборы без возможности управления моментом их выключения. Зачастую возможность управления моментом выключения не предоставляет каких-либо существенных преимуществ, а только лишь приводит к увеличению стоимости и потерь в приборах. Обычные тиристоры используются почти во всех проектах ППТ, а также  некоторых устройствах FACTS, но их наибольшее их процентное содержание  приходиться на промышленные установки. Их часто называют основным элементом энергетической электроники.

Существует несколько конструкций тиристоров с возможностью управления выключением; ниже приведены основные из них и используемые в технологии FACTS:

  • Тиристор с возможностью управления моментом выключения (раздел 7), изобретенный в фирме Дженерал Электрик (GE), будем далее называть как GTO-тиристор или просто GTO. Подобно обычному тиристору, GTO переходит в полностью проводящее состояние в прямом направлении с низким падением напряжения, когда включающий импульс тока подается на его затвор относительно катода. Подобно обычному тиристору, GTO выключается, когда естественным образом ток становиться равным нулю, но в GTO предусмотрена также возможность управления моментом выключения посредствам подачи выключающего импульса на его затвор в обратном направлении.  При соответствующих параметрах импульса, GTO быстро выключается и быстро восстанавливает изолирующие свойства, сдерживающее прямое напряжение, таким образом, что прибор готов к следующему импульсу включения. Тиристоры  GTO  широко используются в устройствах FACTS; однако, из-за их мощных цепей формирования запирающих импульсов,  медленного выключения, дорогостоящих демпфирующих цепей, вероятно, что  через несколько лет они будут заменены усовершенствованными GTO и тиристорами. Эти усовершенствованные отключаемые приборы, которые в свою очередь относятся к классу тиристоров, имеют собственную аббревиатуру  и будут более детально описаны далее в этом разделе.
  • Тиристор MOS с возможностью управления моментом выключения (MTO, раздел 8), изобретенный Харшадом Мехта (Harshad Mehta) в Корпорации высоковольтных кремниевых устройств (SPCO), выполненный на базе транзисторов для достижения быстрого выключения с маленькими коммутационными потерями. Коммерческое использование данного устройства началось недавно и имеет хороший потенциал для использования в промышленных установках средней и большой мощности, и устройствах FACTS.
  • Тиристор с управляемым эмиттером (ETO, раздел 9), разработанный в Центре высоковольтной электроники в Вирджинии при сотрудничестве с SPCO, является другой разновидностью GTO, и состоит из последовательно включенных транзисторов низкого напряжения с высоковольтными GTO, для обеспечения необходимого быстрого выключения и низких коммутационных потерь.
  • Интегрированный тиристор с коммутируемым затвором  (GCT и IGCT, раздел 10), разработан компаниями Мицубиси и  ABB, выполнен на базе GTO с  жестким выключением,который в комбинации с другими устройствами, достигает быстрого  выключения и низких коммутационных потерь отключения. Данный прибор также недавно было введено в эксплуатацию и имеет потенциал для широкого применения в промышленных системах и FACTS.
  • Управляемый тиристор МОS (MCT, раздел 12), был изобретен Виктором Темпле, сотрудником GE, является основным  прибором, относящимся к тиристорам, которое выполнено на базе интегрированной МОS структуры с возможностью быстрого включения и выключения. Наряду с очень маленькими коммутационными потерями прибор также характеризуется низкими потерями проводимости. Данные приборы предназначены для применения в маломощных системах, но имеют хорошие перспективы для использования в FACTS.

 

В данном разделе, учитывая важность устройств FACTS,  кратко описаны такие полупроводниковые приборы как диод, транзистор, МОSFET, тиристор, GTO, MTO, ETO, IGCT, IGBTи MCT.

 

 

2. ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ МОЩНЫХ ПРИБОРОВ И ТРЕБОВАНИЯ К  НИМ

 

2.1 Номинальные напряжение и ток

 

Основным элементом приборов большой мощности обычно является тонкая одно-кристаллических  кремниевая пластина диаметром 75-125 мм, а иногда и 150 мм в диаметре. Прибор на базе пластины одного и того же диаметра может выполняться на высокое напряжение и маленький ток, или наоборот.

Потенциально, кремниевый кристалл имеет очень высокую пробивную прочность 200 кВ/см, а величина его удельного сопротивления находиться между значениями характерными для металла и диэлектрика. Добавление примесей позволяет изменить характеристики проводимости элемента. С добавлением примесей, увеличивается число носителей зарядов, и в результате этого допустимое значения напряжения уменьшается, а величина тока увеличивается. Меньшее количество присадок обеспечивает более высокое допустимое напряжение, но способствуют увеличению потерь напряжения и уменьшению допустимого тока. В некоторой степени допустимый ток и напряжение являются взаимозаменяющими величинами, как упоминалось выше. Больший диаметр пластины, естественно, обеспечивает более высокий допустимый ток. Прибор диаметром 125 мм может иметь допустимый ток 3000-4000 А, а напряжение может изменяться в диапазоне 6000-10000 В.  Так как данный отчет посвящен другим вопросом, в нем не будут излагаться детальные объяснения, а будут отмечены лишь важные параметры различных приборов.

Использование приборов с более высокими номинальными параметрами позволяет уменьшить их суммарное количество и  количество других компонентов, что приводит к уменьшению себестоимости устройства в целом. Наибольшие значения обратного напряжения,  наряду с другими желательными характеристиками, обеспечивается следующими устройствами: тиристорами — 8-10 кВ, GTO —  5-8 кВ,  IGBT —  3-5 кВ.  После определения возможных перенапряжений и необходимых запасов, напряжение, на которое включается прибор, выбирается приблизительно равным половине обратного напряжения. Зачастую необходимо последовательное соединение приборов для создания  высоковольтных вентилей. Одинаковое распределение напряжения в момент включения, выключения, и динамические изменения напряжения являются главными показателями для проектировщиков вентилей при  выборе необходимого прибора из ряда приборов с различными характеристиками. Одним из таких показателей является соответствие приборов, особенно их коммутационных  характеристик.

Мощные силовые приборы могут быть разработаны на токи нагрузки порядка несколько тысяч ампер, таким образом, параллельное соединение приборов не является необходимым. Однако, так как часто ток режима короткого замыкания, определяет требуемую пропускную способность устройства, согласованное параллельное соединение двух  приборов на один и тот же  теплоотвод является хороший решением. Обычно требуется переход в запертое состояние после протекания тока замыкания в течение одного периода в контуре, в котором установлен прибор. В то время как в обычной практике в промышленной электронике используются  плавкие предохранители, их применение нежелательно в таких высоковольтных устройствах какFACTS. При выборе прибора необходимо учитывать все возможные неисправности и действия  защиты, для определения допустимого тока и напряжения, также как необходимых запасов (избыточности). Приборы, относящиеся к группе тиристоров, выдерживают кратковременную перегрузку по току  и большой ток замыкания в течение одного периода без каких-либо повреждений. В поврежденном состоянии тиристор или диод представляют собой короткозамкнутые элементы с малыми потерями напряжения, таким образом, остальная цепь может находиться в дальнейшей эксплуатации при выполнении  функций оставшимися устройствами.

В соответствии с рыночными требованиями, предъявляемым к преобразователям (которые подробно описаны в разделе П3: преобразователи, выполненные на базе источника напряжения), большинство устройств, выполняемых с возможностью управления моментом выключения, не обладают  возможностью запирания в обратном направлении. Данные устройства упоминались как асимметричные устройства с возможностью выключения, которые часто называют просто устройства с возможностью выключения. Устройства, в которых не предусмотрена возможность запирания обратного напряжения,  в техническом исполнении являются  менее массивными, имеют меньшие коммутационные и постоянные потери. И наоборот, более высокое допустимое напряжение в направлении проводимости  может быть получено при использовании асимметричных устройств.  Оказалось, что в преобразователях, выполненных на базе источника напряжения, требуется установка встречно-параллельно диода, подключенного к каждому основному прибору. В данном случае применяются специальные диоды с маленьким обратным током утечки для обеспечения  необходимых требований для включения  основных приборов.

Однако, в  преобразователях, которые будут подробно описаны в разделе П4, выполненных на базе источника тока, требуются приборы с возможностью запирания обратного напряжения. Однако, из-за большого объема асимметричных силовых установок и с учетом их себестоимости, в промышленных установках используют последовательное соединение диодов  с асимметричным главным прибором, для получения возможности запирания.

 

2.2 Коммутационные потери и скорость коммутации

 

Полупроводниковые приборы, кроме допустимого напряжения и тока, имеет и другие  характеристики. Наиболее важными среди них являются:

  • Падение напряжение в прямом направлении и потери в состояние полной проводимости (постоянные потери). Т.к. потери вызывают нагрев кристаллических пластин, необходим быстрый отвод тепла от всего прибора, а  наличие системы охлаждения приводит к существенному удорожанию устройства.   
  • Скорость коммутации. Переход из состояния полной проводимости в непроводящее состояние (выключение) сопровождается высоким значением  dv/dt  сразу после выключения, а переход из полностью непроводящего состояния к проводящему (включение) сопровождается высоким значением di/dt, данное отношение является так же важной величиной и при выключении. Значение величин di/dt и   dv/dt определяют размер, стоимость, и потери в демпфирующих цепях, которые необходимы, чтобы  уменьшать эти показатели,  возможность применения последовательного соединения приборов, а также   значения номинального тока и напряжения прибора.
  • Коммутационные потери. При включении устройства  происходит увеличение тока в прямом направлении; в течение процесса выключения GTO-приборов наблюдается повышение прямого напряжения до момента уменьшения тока. Одновременное существование значительного напряжения и тока в приборе обусловливает потери мощности. Так как данные потери носят повторяющийся характер, они составляют существенную часть суммарных потерь и часто превосходят постоянные потери проводимости. В конструкции полупроводниковых приборов предусмотрена возможность компромиссного  изменения соотношения между коммутационными и постоянными потерями, это в свою очередь означает, что оптимизированная конструкция устройства является функцией топологии цепи, в которой оно установлено. Даже если номинальная частота сети составляет 50 или 60 Гц, как будет позже отмечено в разделах П3 и П4, преобразователи с «широтно-импульсной модуляцией  (PWM)» для применения в мощных силовых устройствах имеют высокую внутреннюю частоту порядка несколько сотен Гц, и даже несколько кГц. Многократная коммутация приводит к тому, что коммутационные потери могут стать преобладающими в суммарных потерях в PWM преобразователях.
  • Мощность, необходимую для  затвора и количество потребляемой энергии определяют важную часть потерь и полную стоимость оборудования. При большом и длительном импульсе тока, необходимом для включения и выключения прибора, существенной являются не только величина этих потерь относительно суммарных, но и стоимость устройства формирования импульса и цепей питания может быть выше, чем стоимость самого прибора. Размер всех дополнительных компонентов силовой установки увеличивает ее паразитную индуктивность и емкость, которые в свою очередь вызывают ухудшение характеристик приборов, а именно время коммутации и потери в демпфирующих цепях.  Учитывая важную роль взаимодействия между прибором, контуром управления  и модулем в целом, в будущем основным направлением будет покупка у поставщика прибора и цепей управления как одного единого модуля.

 

Величине потерь необходимо уделять особое внимание по следующим двум причинам:

  • Очевидно, что потери приводят к излишним затратам потребителя. В независимости от типа потребителя (промышленный или непромышленный), их потери неизменно определяются на основании оценки полной длительности работы, т.е. величина потерь может быть оценена от 1000$ до 5000$ за  кВт потерь для определения стоимости устройства.  Например, если 1 кВт устройства FACTS стоит 100$  и его потери составляют 2 % (т.е. для каждого 1 кВт потери составляют 0,02 кВт), таким образом, при соответствующей удельной стоимости потерь 2000$ за 1кВт, стоимости потерь будет равна 40$ за 1 кВт, т.е. непосредственно 40 % стоимости преобразователя. Поэтому коэффициент полезного действия для устройстваFACTS мощностью несколько сотен МВт должен быть больше, чем 98 %, и потери в вентилях преобразователя должны быть меньше чем 1 %.
  • Так как потери вызывают нагрев устройства, необходимо его эффективное охлаждение, т.е. передачу тепла от  кристалла на наружную поверхность высоковольтного герметичного изоляционного устройства к внешнему хладагенту. По этой причине, обеспечение  необходимой конструкцию и охлаждения прибора является достаточно трудной задачей, т.к. необходимо гарантировать, чтобы температура кристаллов не превышала допустимый эксплуатационный уровень, который  составляет около .  Необходимо также гарантировать, чтобы прибор работал с безопасными коммутационными характеристиками и обладал достаточным запасом для перегрузки и токов замыкания. Зачастую, величина тока короткого замыкания определяет характеристики нормальной работы прибора. Большие потери в устройстве означают увеличение его стоимости, влияние на которую оказывают также тепловые потери при водяном или воздушном охлаждение, размер и вес установки в целом.

 

2.3 Компромиссные решения  при выборе параметров приборов

Стоимость приборов зависит от доли  качественной продукции в общем объеме произведенных приборов, которые затем разделяются на группы по разным параметрам. Это требует постоянного контроля качества продукции  на всех этапах производства приборов:  от исходного материала до готового изделия, включая необходимое качество электроснабжения на предприятии. Все силовые приборы для мощных устройств  FACTS проходят индивидуальное тестирование, так же как и приборы, используемые в преобразователях  ППТ, при этом ведется статистика и архивирование их результатов для будущего сервисного обслуживания.

Кроме компромиссных величин допустимых напряжений и токов, другими взаимосвязанными и допускающими компромиссный подход параметрами являются:

  • Мощность, необходимая для затвора
  • величина di/dt
  • величина  dv/dt
  • время включения и выключения
  • включающая и   отключающая способность (так называемая область безопасной работы – SOA, Safety Operating Area)
  • стабильность характеристик
  • качество исходных кремниевых кристаллов
  • экологическая безопасность при производстве приборов, и т.д.

 

Отметим, что разработка новых конструкций и методов непрерывно продолжается. Учитывая большой ассортимент,  изготовитель проводит анализ потребностей рынка и разделяет его на области применения того или иного прибора. Также  у изготовителей зачастую используются практика выпуска специальных устройств для индивидуальных больших заказчиков и проектов, таких как FACTS и ППТ.

Полупроводниковые приборы часто характеризуют скоростью коммутации, коммутационными потерями, размером и стоимостью демпфирующих цепей и связанными с ними потерями, что в значительной степени обусловлено продажей прибора отдельно от устройств и цепей управления и демпфирующих цепей. В ходе обсуждения изложенного в данном разделе материала станет ясно, что работа прибора связана с  цепями, управляющими затвором, демпферными цепочками и конструкцией шин для соединения отдельных модулей  в комплектный преобразователь, в соответствии с указанным порядком их очередности. Если приборы, цепи управления, демпфирующие цепочки, будут близко расположены от сборных шин, то есть если сборка и продажа оборудования будет осуществлена в виде единого блока, это позволит значительно уменьшить стоимость оборудования. Фактически электрическое и механическое объединение собственно полупроводниковой пластины и ее цепей управления, обеспечивает значительные преимущества применения. Для промышленных установок малой  и средней мощности, существует распространенная практика поставки нескольких собранных приборов в виде блока или модуля, которые составляют полную схему или ее часть. Данная практика позволяет уменьшить стоимости сборки, исключая необходимость обслуживания объединения нескольких элементов, начиная с кристаллического устройства и цепей управления. Именно с этим намерением, американское научно-исследовательское управление ВМС (ONR, Office of Naval Research) выработало программу для электронного оборудования, названную «Модульное построение силовых электронных устройств (PEBB)», посвященную всем аспектам взаимодействия, включая собственно прибор,  цепи  управления, сборку,  шины, что позволило уменьшить полную стоимость преобразовательной установки, потери, весовые показатели и размеры. Эта основное направление развития  привело к значительным успехам, которые повсеместно признаются. Поставка устройств осуществляется с заранее установленными  цепями управления  и демпфирующими цепями от различных производителей, необязательно со ссылкой на PEBB.

 

3. Материалы полупроводниковых приборов

 

Полупроводниковые приборы выполняются на базе одно-кристаллических кремниевых пластин  высокой чистоты. Монокристаллы длиной несколько метров и требуемым диаметром (до 150 мм) выращиваются в так называемой зоне плавания в специальных печах. Затем этот огромный кристалл разрезается на тонкие пластины, которые используют в  силовых установках после многоступенчатого технологического процесса.

Чистые атомы кремния имею по четыре электрона для  связи с соседними атомами в узлах кристаллической решетки. Данных материал характеризуется высоким удельным сопротивлением (диэлектрик) и очень высокой электрической прочностью (более чем 200 кВ/см). Его удельное сопротивление и количество носителей заряда могут быть изменены, посредствам изменения в различных слоях  пластины путем введения определенных примесей (присадок). Применяя различные примеси, уровни и формы их добавления, наряду с применением высоких технологий  фотолитографии, лазерной резки, травления, изоляции и сборки,  выпускают мощные приборы с заданными характеристиками.

Добавляемые в пластины кристалла кремния примеси разделяют на доноры и акцепторы. Например, фосфор является донором, так как его атом имеет пять электронов, в то время как кремний четыре. При внедрении атома фосфора в кремний, он занимает место в узле кристаллической решетки с одним дополнительным электроном. Этот дополнительный электрон может быть легко смещен  электрическим полем.  Когда электрон смещается от  атома фосфора, это приводит к образованию на его месте положительно заряда (называемого дыркой), которое ожидает заполнения каким либо другим электроном, на месте которого в свою очередь также образуется дырка. Таким образом, при приложении электрического поля, начинается движение электронов и дырок в направлении проводимости. Фосфор называется  n примесью, т.к. данный элемент увеличивает число отрицательно заряженных частиц (электронов), участвующих в процессе проводимости. Когда добавление фосфора в кремний  незначительно, его обозначают как n примесь, а когда количество добавленного фосфора значительно, то, как n+ примесь.

Другой добавляемой примесью является бор, который выполняет функции  противоположные фосфору. Данный элемент имеет три электрона в атоме, таким образом, при внедрении атом бора в кремниевую кристаллическую решетку, образуется дырка, которая может быть заполнена движущимся электроном. В случае, когда место заполнено атомом бора, это приводит к образованию отрицательного заряда в этой точке кристаллической решетки, ожидающему нейтрализации дыркой из другой точки решетки, которая в свою очередь приобретает отрицательный заряд, таким образом, образуется возможность перемещения дырок. Добавку бора называют p примесью, т.к. он увеличивает количество положительных дырок, участвующих в процессе.   При небольшом добавлении р элемента в кремний используется обозначение p при значительном — p+ .

Таким образом, перенос заряда при приложении электрического поля, обеспечивается свободными электронами в кремнии с n примесями, и дырками в кремнии с p примесями.

Дырки в  кремнии с p примесями называются основными носителями заряда, а электроны в этом случае называются неосновными носителями. В кремнии с n примесями, наоборот, электроны являются основными носителями, а дырки  — неосновными.

 В дополнение к носителям заряда, наличие которых обеспечено введенным примесями в материал прибора, существует так называемая внутренняя проводимость, которая обусловлена одинаковым количеством электронов и дырок, появляющихся под действием температурного возбуждения. Проводимость данного вида имеет место непрерывно, при этом происходит рекомбинация носителей заряда в соответствии с их временем жизни, таким образом, обеспечивается необходимое равновесие плотности носителей заряда порядка  в диапазоне от 0°С до 100°С.

Для достижения большой величины запирающего напряжения, требуется небольшое количество примесей (меньшее количество носителей заряда), что приводит к тому, что процесс переноса заряда в большей степени обусловлен внутренней проводимостью. Так как внутренняя проводимости являются функцией температуры, ее составляющая становиться существенной и даже основной при протекании больших токов.

 В качестве исходного материала для мощных высоковольтных полупроводниковых приборов используются кремниевые пластины, облученные нейтронами в реакторе. В зависимости от степени облучения, изменяется количество кремниевых атомов, преобразованных в атомы фосфора, таким образом, обеспечивается добавление n примеси в кремний, но с  низкой и однородной концентрацией, порядка , что сопоставимо с концентрацией внутренних носителей. При диффузии в высокотемпературных печах и других процессах, в тонкой пластине с низким уровнем n примесей происходят изменения за счет многократного добавления примесей слоями, каналами и т.д., что необходимо  для определенных устройств. Технологические процессы легирования являются предметом специальных дисциплин и  не рассматривается в отчете.

 

4.  ДИОД -n-переход)

 

Условное обозначение диода показано на Рис.2(а), а на Рис. 2(b) представлен  поперечный разрез его структуры, состоящей из нескольких слоев. Повсеместное использование диодов в устройствах FACTS объясняется их следующими свойствами:      

                  

  1. Диодный преобразователь может использоваться как простое, дешевое и эффективное устройство для  преобразования  активной мощности в установках FACTS.
  2. Диод включается встречно – параллельно с каждым отключаемым тиристором  в преобразователях, выполненных на базе источника напряжения, а также для связи промежуточных уровней многоуровневых преобразователей напряжения (рассматриваемых в разделе П3).
  3. Включение диода может осуществляться последовательно с каждым отключаемым тиристором для блокирования обратного напряжения (раздел П4).
  4. Диоды могут использоваться в управляющих и демпфирующих цепях.

 

C уверенностью можно сказать, что почти половина приборов, используемых в устройствах FACTS,  являются диодами.

Диодом называется прибор с одиночным соединением p и n слоев кремниевой пластины (Рис.2 (b)).

 Слой р характеризуется дефицитом электронов (в качестве основных носителей заряда в этом случае выступают дырки), и, аналогично, в n слое наблюдается их избыток, и в этом слое электроны являются основными носителями. Как ранее упоминалось, эти p и n слои получены путем добавления примесей в кремниевый слой.  При приложении напряжения к диоду, которое обеспечивает отрицательную полярности р слое и положительную полярности n, происходит генерация носителей электрического заряда, которые участвуют в процессе проводимости, таким образом объясняется процесс  односторонней проводимости через рn переход (диод). Под действием внешней силы осуществляется движение дырок из p слоя в n слой через их  соединение и  электронов из р слоя в n. Однако, если к диоду приложить напряжение обратной полярности, то происходит движение дырок и электронов от поверхности соединения р и n слоев, таким образом, создается внутреннее встречное поле, которое препятствует протеканию тока. Более подробное объяснение принципа действия диода необходимо для лучшего понимания процессов, происходящих в устройствах, состоящих из нескольких рn переходов.

Движение электронов и дырок обусловлено двумя физическими процессами:

  1. Диффузией, вызванной различной концентрацией носителей заряда
  2. Упорядоченным движением, вызванным приложением внешнего напряжения

Без приложения внешнего напряжения, pn переход  обладает очень маленьким электрическим полем (меньше, чем 1 В). Создание этого поля обусловлено диффузией небольшого числа дырок из p слоя в n и электронов из n слоя в p. На границе раздела, с обоих ее сторон, формируется пространственный заряд, который создает электрическое поле, направление которого препятствует созданию вакантных мест для электронов  и дырок, участвующих в процессе диффузии. Это маленькое электрическое поле характеризуется положительной полярностью на рслое и  отрицательной на n слое. Когда анод имеет положительную полярность относительно катода, осуществляется движение электронов от n к p  и дырок от p к n слою.  Как только происходит преодоление барьера, созданного малым электрическим полем, обусловленным диффузией носителей с напряжением меньше чем 1В, в элементе осуществляется протекание большого тока, вызванного упорядоченным движением зарядов  под действием положительного задающего напряжения. Падение напряжения будет увеличиваться с увеличением тока, величина которого определяется сопротивлением кремния, и составляет примерно 1,5-3,0 В при номинальном токе.

В случае, когда катод приобретает положительную полярность относительно анода, происходит отток электронов от границы раздела в n слое, и дырок от границы в p слое. Таким образом, создается сильное электрическое поле около границы раздела слоев, которое характеризуется положительной полярностью на катоде и отрицательной на аноде, противодействующее внешнему полю, то есть, в диоде (идеальном) отсутствуют какие-либо механизмы переноса заряда.

Область формирования электрического поля на границе раздела слоев получила название, область обеднения (истощения).  При более высоком добавлении примесей, поле является более интенсивным и поэтому область обеднения (истощения) является более тонкой  и наоборот. В пределах области истощения, максимальное значение поля наблюдается в области соединения двух слоев. При увеличении обратного напряжения, область истощения будет увеличиваться, по существу, на стороне  n, и диод может пробиться, если обратное напряжение будет достаточно велико для увеличения обедненного слоя до полной ширины n области.

В состоянии проводимости, когда дырки пересекают границу раздела и входят в  n слой, они становятся неосновными носителями заряда. Точно так же, как и электроны, переходя из nв p область, становятся неосновными носителями. Таким образом, прибор является устройством, базирующемся на неосновных носителях заряда, поскольку носители заряда, обусловленные добавлением примесей,  преобладают в осуществлении проводимости.

В мощных диодах n-типа (Рис. 2 (c)), в слой p  вводиться большое количество примесей (p+),  что приводит к очень узкой обедненной области на  стороне p+, а в слой n около  границы раздела вводиться небольшое количество примесей (n), что приводит к широкой области обеднения на сторонt n. Когда к диоду прикладывается обратное напряжение (т.е. катод имеет положительную полярность относительно анода), на стороне n происходит большее расширение, чем на p стороне. Поэтому сторона n становиться более широкой и удерживает почти все обратное напряжение. Следовательно,  в слой n необходимо вводить небольшое количество примесей, так как внутренние носители заряда будут составлять значительную часть носителей n слоя. Увеличение толщины прибора выполнено с целью увеличения возможного обратного напряжения прибора в соответствии с расширенным обедненным слоем. Увеличение толщины, в свою очередь, увеличит сопротивление прибора  и постоянные потери проводимости. Слой n—  называют областью проводимости, так как кроме фактического обедненного уровня, соответствующего приложенному обратному напряжению, процесс переноса заряда осуществляется с помощью диффузии, обусловленной тепловым движением, небольшого количества носителей через n  слой большой толщины. Почти все кремниевые диоды  разработаны с максимально возможной шириной n области.

В диодах большой мощности, также осуществляется добавление большого количества примесей в n слой (n+) на достаточном расстоянии от р-n перехода, к которому осуществляется подключение катода (Рис.2 (c)). Области p+ и n+ находящиеся по концам устройства, характеризуются большим количеством  примесных носителей заряда, для избежания расширения области обеднения при приложении обратного напряжения вплоть до металлического электрода. Другой важной функцией n+ слоя является то, что при достижении обедненного слоя границы  n+ слоя, напряженность вдоль n слоя будет выравниваться и , таким образом, возможно приложении более высокого напряжения. Данный процесс называется операцией перфорации, он позволяет для тех же значений обратного напряжения уменьшить толщину n слоя и, следовательно, уменьшить постоянные потери. Постоянные потери, также уменьшаются из-за возможности участия в процессе проводимости в прямом направлении носителей заряда из n+ слоя. Большое содержание примесей в n слое, находящемся рядом с анодным электродом, характерно и для ряда других устройства, описанных ниже.

Для диодов большой мощности, также как и для других энергетических кремниевых  силовых установок, края устройства специально обработаны (физически и путем добавления присадок) и изолированы, для предотвращения пробоев по краям. Это необходимо, так как уровень электрической прочности среды вблизи краев пластины намного ниже (порядка 1/10), чем  прочность полупроводниковых слоев прибора. В данном отчете не рассматриваются вопросы перехода от кремниевой  пластины к внешней среде (пассивация), так как они сами по себя являются достаточно сложными. Кожух устройства обеспечивает   герметичность и жесткость соединения кристаллических слоев и необходимую внешнюю изоляцию между анодом и катодом, а также хороший термический контакт между пластиной и внешней конструкцией прибора, для эффективного отвода тепла изнутри к внешней стороне. Обеспечение сборкиприбора, которая эффективно сочетает в себе  комбинацию электрических, тепловых и механических нагрузок, является главной проблемой для всех мощных электронных приборов.

Обычно, при практическом применении, когда ток в цепи становиться равным нулю, диодное напряжение скачкообразно принимает некоторое отрицательное значение. Данное изменение напряжения вызывает кратковременный (микросекунды или десятки микросекунд) ток в обратном направлении, что вызывает движение внутренних избыточных зарядов и восстановление обедненного слоя, соответствующему приложенному обратному напряжению. Этот обратный ток в диодах приводит  к увеличению тока, необходимого для включения отключаемых приборов в преобразователях, выполненных на базе источника  напряжения  (Раздел №7.1), что в свою очередь увеличивает потери включения этих приборов. Поэтому диоды, используемые в преобразователях, выполненных на базе источника напряжения, включаемые параллельно отключаемым приборам должны характеризоваться быстрой способностью отключения и маленьким накопленным зарядом. Для увеличения скорости срабатывания и уменьшения накопления заряда были разработаны усовершенствованные типы диодов с помощью специальной технологии добавления присадок. Улучшение характеристик  диодов с помощью уменьшения обратного тока в выключенном состоянии окажет существенное влияние на стоимость преобразователей, выполненных на базе источников напряжения.

 

Рис. 2. Диод: (a) условное обозначение, (b) и (c) структуры диодов.

 

5.  ТРАНЗИСТОР

Транзисторами называют группу трехслойных (с двумя p-n переходами) устройств. В данном разделе рассмотрены основные принципы работы транзисторов для лучшего понимания работы мощных устройств.

Эквивалентом транзистора является два встречно- включенных p-n диодных перехода. Существует два типа транзисторов:

  1. Pnp транзистор (Рис.3 (a, b)), который соответствует двум последовательно включенным переходам рn (диод) и np (обращенный диод), таким образом, что образуется прибор, состоящий из двух p слоев и  n слоя между ними. Анод (эмиттер) –  p слой выполняется  широким, слой n (база) – узким, а катод (коллектор) – p слой – узким с большим количеством примесей.
  2. Npn транзистор (Рис. 3 (c, d)), который соответствует двум расположенным друг над другом nр (обращенный диод) и рn (диод), таким образом, что образуется прибор, состоящий из двух n слоев и  р слоя между ними.

 

Рассмотрим принцип действия только npn транзистора, т.к. транзисторы большой мощности относятся именно к этому типу, один из внешних слоев n, выполненный с добавлением большого количества примесей (n+), называется эмиттером, другой n слой называется коллектором  и средний p слой называется базой. В случае, когда при включении внешнего задающего напряжения коллектор имеет положительную полярность относительно эмиттера, в устройстве отсутствуют  какие-либо электрические токи, так как происходит запирание прибора обедненным слоем, сформированным на границе np перехода на стороне коллектора. Это соединение сделано для возможности запирания высокого напряжения с низким добавлением примесей в p слое.  Таким образом, при возникновении другого небольшого внешнего напряжения, приложенного к базе (затвору), при ее положительной полярности относительно эмиттера, возникнет поток электронов от n+ эмиттера к базе p (ток от затвора к эмиттеру). При движении электронов от n+  эмиттера к базе, происходит также ускорение электронов электрическим полем обедненного слоя к коллектору; направления протекания токов через прибор показаны стрелками на Рис.3 (d).

Так как количество полученных электронов от n+ слоя является функцией тока базы, происходит ограничение (насыщение) электрического тока, значение которого определяется напряжением обедненного слоя. На Рис.4 показы характеристики проводимости устройства в прямом направлении, в виде зависимости тока устройства от напряжения при различных значениях тока базы. Ток базы определяет ток насыщения устройства. В нормальном режиме работы при больших токах базы, ток и падение напряжение в прямом направлении силовой установке будут ограничены  линией насыщения слева от кривых, таким образом, падение напряжения и, следовательно, потери будут маленькими. Но если ток базы ограничен,  часть падения напряжения будет приходиться на само устройство, и его ток будет ограничен линией насыщения для соответствующего тока базы. Эта особенность используется в преобразователях малой мощности для ограничения тока при внешней аварии, после чего осуществляется быстрое выключение прибора безопасным способом.

Необходимо отметить, что в силовых приборах пластина выполняется с большим числом параллельных элементов базы, пронизывающих верхний слой, и в действительности мощный транзистор может состоять из большого количества параллельно соединенных устройств небольшой мощности.

Из-за относительно низкого коэффициента усиления (отношения тока базы к току прибора), устройства выполняются с каскадным усилением, как показано на Рис.5. Такие транзисторы получили название транзисторы Дарлингтона.

Рис. 3. Транзистор: (а)условное обозначение, (p-n-p), (b)p-n-p структура, (c) условное обозначение(n-p-n), (d) n-p-n структура.

Рис. 4. Вольтамперная характеристика транзистора для разных значений тока базы.

Рис. 5. Транзистор с каскадным усилением.

 

Существует много конструкций (типов) транзисторов. Транзистор, характеризующийся большой скоростью коммутации  и низкими коммутационными потерями получил название полевой транзистор со структурой металл-оксид-полупроводник (МОSFET), в котором управление затвором осуществляется в большей степени электрическим полем (напряжением), чем током.  Это обеспечивается емкостной связью между затвором и прибором. На Рис.6 показана структура и эквивалентная схема данного типа транзистора. Транзисторы МОSFET нашли широкое применение в маломощных устройствах (несколько кВт) и не используются в установках большой мощности. Однако, они применяются совместно с усовершенствованными GTO, как будет объяснено в Разделах  №8 для MTO и Разделах №9 для  ETO; по этой причине данный параграф посвящен краткому описанию МОSFET.

МОSFET может быть выполнен на базе pnp или npn структуры, на Рис.6 показана только npn структура. Прибор выполнен с диэлектрическим слоем оксида кремния (SiO), который осуществляет соединение между металлическим контактом затвора, n+ и p переходами. Основным преимуществом затвора МОS является применения напряжения, вместо тока, относительно источника для полного или частичного запирания  устройства путем создания пространственного заряда вокруг небольшой зоны затвора. При приложении к затвору достаточного положительного напряжение относительно эмиттера, под действием этого электрического поля осуществляется движение электронов из n+ слоя в p. Таким образом, открывается ближайший к  затвору канал, который, в свою очередь, обеспечивает протекание тока от стока (коллектора) к источнику (эмиттеру).

На стороне стока в МОSFET вводиться большое количество добавок для создания n+ буфера ниже слоя проводимость дрейфа n. В соответствии с изложенным в Разделе №4, в диодах этот буфер сдерживает расширение  обедненного слоя для предотвращения его соприкосновения с электродом, выравнивает напряжение поперек  n слоя, а также способствует уменьшению падения напряжения в режиме проводимости. Наличие буферного слоя характеризует прибор как асимметричный с довольно низким обратным напряжением.

Для затвора транзистора МОSFET характерно маленькое потребление энергии, большая скорость коммутации и маленькие коммутационные потери.  К сожалению, МОSFET обладают высоким сопротивлением в режиме проводимости в прямом направлении, а следовательно, и высокими постоянными потерями, что делает невозможным их использование в силовых установках, но они нашли широкое применение в качестве усилительных устройств затворов.

Транзисторы МОSFET имеют вольтамперные характеристики,  аналогичные показанным на Рис.4; однако, ток базы заменен напряжением затвора.

Рис.6.  МОSFET: a -условное обозначение МОSFET, b- структура MOSFET.

 

6. ТИРИСТОР (без возможности управления моментом выключения)

 

Тиристором называется трехслойное устройства с тремя р-n переходами (Рис.7),  условное обозначение и структура которого показаны на Рис.7 (a) и Рис.7 (b). Тиристор – это коммутационный прибор, способный пропускать ток в одном направлении. Включенный  подачей отпирающего импульса, он переходит в проводящее состояние с весьма малым прямым падением напряжения  (от 1,5 до 3 В) при номинальном токе. В устройстве не предусмотрена возможность управления моментом отключения тока, таким образом, оно выключается только при естественном переходе через нуль тока, обусловленного процессами во внешней цепи.

Как ранее упоминалось, тиристор является незаменимым устройством в силовой электронике. Во многих случаях возможность управления моментом выключения не является необходимой. Обычные тиристоры имеют более высокие номинальные значения напряжения и тока, характеризуются более простой схемой управления, меньшими потерями; их стоимость составляет менее  половины по сравнению с приборами, выполненными с возможностью управления моментом выключения. Поэтому, решение в пользу более дорогого прибора с возможностью управления моментом выключения с  более высокими  потерями принимается на основании  решающих преимуществ,  что может иметь место именно для устройств  FACTS, что будет пояснено ниже.

Как показано на Рис.7 (с,d), тиристор эквивалентен объединению двух транзисторов типа  pnp и npn. При подаче положительного сигнала включения на p затвор верхнего npnтранзистора относительно n+ эмиттера (катод на Рис.7 (d)), прибор переходит в проводящее состояние. Ток через npn транзистор становится отпирающим фактором для затвора pnpтранзистора, как показано стрелками, способствуя и его переходу в проводящее состояние. В свою очередь ток через pnp транзистор, становится отпирающим фактором для затвора npnтранзистора, обеспечивает регенеративный эффект устойчивой проводимости с низким падением напряжения в прямом направлении при протекании электрического тока, по существу ограниченного внешней цепью. Важно отметить, что  когда тиристор переходит в  проводящее состояние, происходит насыщение внутренних p и n слоев  электронами и дырками, и работа устройства соответствует  короткозамкнутой цепи в прямом направлении. Таким образом, тиристор в целом ведет себя подобно устройству с одним pn с переходом (как диод).  Т.е. падение напряжения в режиме проводимости  в прямом направлении соответствует только одному переходу (при фактическом наличии трех), что  сравнимо с прибором с двумя  переходамиMOSFET и IGBT.

Из диаграммы очевидно, что  n база нижнего транзистора,  также может использоваться для включения, однако в этом случае требуется больший ток базы, поэтому в тиристорах в качестве затвора для включения  используется p база.

Рис. 7.  Тиристор: (a) условное обозначение тиристора, (b) структура тиристора, (c) двух –транзисторная структура , (d) эквивалентная схема тиристора.

 

При переходе тока через нуль (обусловленного внешней цепью), в центре области pn тиристора остается избыточное количество электронов и дырок, удаление или рекомбинация которых необходимы  для  восстановления его готовности блокирования напряжения, когда оно снова станет положительным.  В цепях, выполненных на базе тиристоров, удаление этого накопленного заряда осуществляется  незамедлительно после приложения отрицательного напряжения к прибору после перехода тока через нуль, в дополнение к более медленному процессу рекомбинации носителей заряда, обусловленного тепловым равновесием.  Таким образом, время выключения, которое может составлять от нескольких до нескольких десятков микросекунд, зависит от приложенного обратного напряжения после перехода тока через нуль, и должно тщательно учитываться в зависимости от  особенностей применения. Время выключения должно быть достаточным для последующего безопасного приложения положительного напряжения.

В случае большой пластины тиристора, затвор выполняется со структурой, распространяющейся по всей катодной поверхности, как показано на фото Рис.8.  Кроме того, для уменьшения необходимого импульса тока затвора применяются  несколько усилительных каскадов, выполненных в виде концентрических окружностей в центре. Это является существенным для быстрого распространения тока включения по всему прибору.  Это обеспечивается посредствам применения ряда различных структур затвора; одна из таких структур показана  на Рис.8.  Требуемая структура выполняется с помощью трафаретов, фотолитографии, травления, окисной изоляции, и т.д.,  начиная с обработки слоя с n примесьюоднокристаллической пластины.

Быстрое распространение тока при включении по всей пластине является важной характеристикой, особенно для того, чтобы гарантировать протекание больших аварийных токов  в течение небольших промежутков времени, также как и для уменьшения потерь проводимости.

Целесообразно ввести в цепь управления дополнительный высоковольтный внешний тиристор с очень маленьким  током, для того, чтобы  увеличить усиление  и уменьшить мощность, прикладываемую к  затвору силового тиристора. Такое устройство было бы недорогим из-за его маленького номинального тока.

Включение тиристора может быть также осуществлено при подаче в область затвора электромагнитной волны (света) с соответствующим спектром.

Тиристор с прямым световым включением, позволяет осуществлять включение тиристора независимо от схем управления через волоконный световод. В качестве альтернативы можно рассматривать  внешний управляемый тиристор (упомянутый выше), который может быть выполнен как тиристор с световым включением, осуществляющий включение основного тиристора, который является электрически включаемым.

Приложение положительного анодного  напряжения  с высоким значением нарастания напряжения   (du/dt) может также включить прибор. Это объясняется емкостной связью катода и затвора, а большое значение нарастания напряжения  dv/dt вызывает  протекание достаточного тока для включения  прибора. Этот вид включения тиристора является небезопасным, так как такое включение может происходить в «слабой точке» области проводимости и распространяться медленно, что может вызвать  повреждение прибора. Опасное включение может также произойти, если при слишком большом прикладываемом напряжении в направлении проводимости, таким образом, обеспечивается появление  носителей заряда в «слабой точке»посредствам ускорения внутренних носителей заряда.  Это также предполагает возможность преднамеренной разработки устройства со «слабой точкой», т.е. безопасное включение может быть предусмотрено конструкцией прибора. Такие устройства с системой самозащиты и избирательным включением были использованы в недавно выполненных проектах ППТ.

Другим важным аспектом является то, что при подаче импульса включения  между анодом и катодом должно иметься большое напряжение, или высокая скорость его нарастания, чтобы вызвать быстрое включение. Недостаточное напряжение способствует мягкому включению прибора с медленным уменьшением  падения напряжения на приборе при увеличении тока. Данный способ включения приводит к высоким коммутационным потерям  в некоторой области прибора и к его возможным повреждениям.  В зависимости от применения, прибор должен проектироваться для указанного минимального напряжения включения с блокированием импульса включения в случае приложения несоответствующего напряжения в прямом направлении.

При высоких температурах, тиристор имеет отрицательный температурный коэффициент. Это выполнено для того, чтобы гарантировать однородное внутреннее включение и выключение устройства. Тиристор является высоковольтным прибором  с большим количеством внутренних носителей заряда и носителей, обусловленных добавлением примесей. При увеличении температуры увеличивается число тепловых носителей, что приводит  к снижению падения напряжения  в прямом направлении.

При переходе тиристора во включенное состояние необходимо обеспечить минимальный ток от анода  к катоду для поддержания прибора во включенном состоянии. Этот минимальный ток обычно составляет несколько процентов от  номинального тока. В цепях управления предусмотрена возможность подачи повторного импульса включения, если это необходимо.

Отметим, что вообще тиристоры имеют большую перегрузочную способность. Они выдерживают двукратную перегрузку по току  в  течение нескольких секунд,  десятикратную в течение нескольких периодов, и 50-кратный ток короткого замыкания в течение одного периода.

 

Рис.8.  Тиристор с пластиной  диаметром 125 мм, с номинальными параметрами  5 кВ и 5000 A.  Затвор выполнен в виде спирали с дополнительным усилительным прибором в центре. Прибор имеет уникальную легкую многослойную кремниевую конструкцию (LSS) с соединительной инертной кремниевой пластиной. Импульс управления прикладывается к двум зажимам между затвором и катодом. (С разрешения корпорации энергетических кремниевых устройств SPCO.)

 

7. ТИРИСТОР С ВОЗМОЖНОСТЬЮ УПРАВЛЕНИЯ МОМЕНТОМ ВЫКЛЮЧЕНИЯ  (GATE TURN-OFF)

                             

Тиристор с возможностью управления  моментом выключения  (GTO – от английского термина Gate Turn Off) в основном аналогичен обычному тиристору и по существу большинство аспектов, обсужденных выше в Разделе №6, относятся  также и к GTO. GTO-тиристор (Рис. 9) подобно обычному тиристору, является   включаемым прибором, но также обеспечивает и выключение. Материал, изложенный в данном разделе, относится к обычному GTO-тиристору, без последних дополнений, используемых в приборах под другими сокращенными обозначениями, которые рассмотрены ниже.

Эквивалентная схема GTO-тиристора, Рис.9 (c), аналогична эквивалентной схеме тиристора на Рис.7 (c) , за исключением того, что добавлена возможность выключения между затвором и катодом параллельно  затвору включения (что показано  только стрелками на эквивалентной схеме). При подаче большого импульса тока в направлении от катода к затвору, происходит перемещение значительного количество носители заряда от катода, то есть, от эмиттера верхнего pnp транзистора, и таким образом, npn транзистор  не будет принимать участия в процессе регенерации. Поскольку верхний транзистор переходит  в выключенное состояние, нижний транзистор остается с открытым затвором, таким образом, прибор возвращается в непроводящее состояние. Однако, необходимый ток затвора для реализации выключения является весьма большим.  Принимая во внимание, что импульс тока, необходимый для включения, может составлять 3-5 %, то есть, порядка  30 A, в течение 10 мксек для  устройства с номинальным током 1000А, в то время как ток,  необходимый для выключения устройства, составляет 30-50 %, то есть, 300А или больше в течение 20-50 мксек. Напряжение,  необходимое для управления большим импульсом тока, относительно невелико (приблизительно 10-20 В),  и поскольку длительность импульса составляет  20-50 мксек, энергия, необходимая для выключения прибора, является не очень большой величиной. Все же GTO  характеризуется достаточно большими потерями, поэтому экономическая целесообразность его применения обусловлена величиной потерь и  требуемым охлаждением, с учетом количества вентилей и их устройств выключения в преобразователе. Необходимая энергия для выключения GTO в 10 — 20 раз больше энергии, необходимой для включения, а  энергия для включения GTO в 10 — 20 раз больше энергии включения  тиристора. Стоимость и размер цепей выключения GTO сопоставимы со стоимостью самого прибора.

Другое соображение состоит в том, что процесс выключения должен осуществляться равномерно по всему прибору. Принимая во внимание, что тиристор имеет один катод с одиночной структурой затвора, которую распространяют по прибору, для успешного отключения  GTO требуется разделение катода на несколько тысяч участков (островков) с общей линией затвора, которая окружает весь катод и его участки (см. Рис. 10). Таким образом, GTO состоит из большого количества катодов тиристора с общим затвором, областью проводимости (дрейфовой областью), и анодом. Учитывая сложную структуру, современные GTO не имеет встроенных схем усиления. Следовательно, полная возможная для использования в качестве катода область уменьшилась примерно приблизительно на 50% по сравнению с тиристором. Поэтому падение напряжения GTO в прямом направлении приблизительно на 50 % больше, чем у тиристоров, но, однако, на 50% ниже, чем у транзистора (IGBT) такой же мощности. Технологический процесс производства GTO является аналогичным процессу производства тиристоров, хотя вследствие сложной структуры катода, необходимы  большие требования к чистоте производственных помещений, а стоимость GTO  может быть вдвое больше стоимости тиристора с аналогичными характеристиками. Что касается тиристоров конструкции GTO, в них осуществлен компромисс таких параметров как напряжение, ток, di/dtdu/dt, время коммутации, потери проводимости, коммутационные потери, и т.д.

GTO широко используются в преобразователях, выполненных на базе источника напряжения,  в которых применено встречно-параллельное включение с каждым GTO-тиристоромдиодов, характеризующихся быстрым восстановлением,  что в свою очередь означает, что в GTO нет необходимости предусматривать возможность устойчивости к обратному напряжению. Что также обеспечивает оптимизацию других параметров, особенно падения напряжения и применения более высоких номинальных значений тока и напряжения. Оптимизация параметров достигается с помощью так называемого буферного слоя, т.е n+ слоя с большим количеством примесей на границе с n слоем. Такие GTO называются асимметричными.

Так же как и у тиристоров, непрерывный длительно допустимый эксплуатационный термический предел  pn перехода составляет 100°С, после принятия в расчет допущений относительно требований для протекания тока замыкания. Подобно тиристору, GTO способен  выдерживать кратковременную перегрузку по току (10-кратную в течение одного периода). Механизмы возникновения неисправностей аналогичны, поэтому необходима соответствующая форма краев пластин для уменьшения перенапряжений и пассивация, с целью избежанияперекрытий  вблизи граней.

В тиристорах, поскольку переход тока через нуль вызывается  внешней сетью, напряжение на приборе после этого автоматически и немедленно становится отрицательным.  Напротив, GTO  выключается в то время, когда к контуру все еще приложено напряжение в  прямом  направлении. Поэтому для успешного выключения необходимо уменьшить скорость нарастания прямого напряжения с помощью демпфирующих цепей.

В GTO, с анодной стороны pn перехода введено небольшое количество примесей с целью поддержания почти всего запирающего напряжения,  по существу, на n— слое.  С другой стороны, в катодную часть pn перехода добавлено большое количество примесей с обеих сторон, для того, чтобы напряжение включения было приблизительно 20 В.

Рис.9. Тиристор с возможностью управления моментом выключения (GTO): a- условное обозначение GTO-тиристора, b- структура GTO-тиристора, c- эквивалентная схема GTO-тиристора.

Рис.10.  Пластина GTO-тиристора  диаметром 77 мм на номинальные параметры  4,5 кВ и 2000 A. Катодная структура состоит из большого числа  зубчатых островков, расположенных по окружности. Остальная поверхность является затвором.

 

7.1. Процессы включения и выключения

 

Кроме мощных цепей управления, GTO-тиристор характеризуются большими коммутационными потерями, что является важным при оценке процессов включения и выключения с учетом перенапряжений на приборе и потерь. На Рис.11 представлены упрощенные  характеристики процессов выключения и включения. Для включения устройства, между затвором и катодом подается импульс тока в течение 10 мксек, величина которого составляет около 5% тока нагрузки с большой скоростью нарастания, ограниченной в значительной степени индуктивностью контура затвор-катод. Однако, в цепи имеется задержка на несколько микросекунд прежде, чем анодно-катодный ток начинает возрастать, а напряжение понижаться.Величина производной тока ограничена параметрами цепи, так как для безопасного включения прибора требуется равномерное включение всех катодных островков. Также, учитывая топологию цепи преобразователей напряжения, выполненных на базе источника напряжения (раздел П3), включение GTO сопровождается выключением встречно — параллельного диода, подключенного к другому вентилю той же самой фазы. Следовательно,  GTO-тиристор включает ток главной цепи, а также пропускает большой обратный ток утечки  диода. В течение этого процесса происходит нарастание тока и медленное уменьшение  анодно-катодного напряжения в соответствии с распространением плазмы, до значения напряжения, соответствующеговключенному состоянию устройства.

После полного включения, необходимо поддерживать некоторый ток затвора приблизительно 0,5 % от номинала, чтобы исключить возможность его запирания; этот ток называется током величины удержания («заднее крыльцо»). Потери включения GTO являются результатом одновременного существования напряжения и тока, что усугубляется токовой перегрузкой обратным током диода, упомянутого выше.

Процесс выключения требует намного большего обратного импульса тока, значение которого составляет больше чем 30 % тока прибора, который переводит часть тока от катода к затвору. При приложении импульса выключения, наблюдается существенная временная задержка (называемая временем задержки), в катодной области, прежде чем ток начинает уменьшаться и происходит увеличение напряжения. Эта задержка приводит к существенному потреблению энергии цепями затвора. Уменьшение анодно-катодного тока сначала происходит быстро до некоторого небольшого  значения, а затем продолжает уменьшаться медленно, пока не произойдет рекомбинация носителей в pn области анодной части прибора. Потери, вызванные данным процессом, составляют значительную часть суммарных потерь выключения.

В течение выключения необходимо ограничивать скорость нарастания напряжения, чтобы гарантировать безопасность всех катодных островков.

Основным недостатком GTO по сравнению  с IGBT, описание которого будет представлено ниже, является большое потребление энергии на выключение.  GTO-тиристоры — приборы с большим временем выключения, более низким допустимым di/dt и du/dt, и поэтому, дорогостоящими цепями демпфирования включения и выключения, что в свою очередь увеличивает стоимость прибора и потери.  Из-за медленного выключения, прибор может быть использован в ШИМ-преобразователях с относительно низкой частотой (до нескольких сотен Гц) которой, однако, достаточно для мощных преобразователей. С другой стороны, GTO характеризуются более низким падением напряжения в прямом направлении и большими номинальными величинами, чем IGBT. GTO использовался в  устройствах FACTS мощностью несколько сотен MВт.

Большим преимуществом было бы, если бы прибор имел низкое падение напряжение во включенном состоянии (как у тиристора), так же как и малое потребление энергии на включение и быстрое выключение (как у IGBT). Фактически, на рынке существует ряд таких устройств, которые со временем могли бы заменить обычные GTO. Эти устройства, фактически, являются усовершенствованными GTO, которые совместили внедрение  концепции стандартного модульного оборудования (PEBB) и уменьшение потребления мощности цепями затворов, а также обеспечение быстрой коммутации. Основным является обеспечение быстрого выключения, которое по существу означает быструю передачу тока от катода к затвору верхнего транзистора. Эти требования были реализованы различными путями в усовершенствованных GTO-приборах. Последние включают MOS-тиристор с возможностью управления моментом выключения (MTO), в тиристоре с управляемым эмиттером (ETO), и в интегрированном тиристоре с управляемым затвором  (IGCT), краткое описание которого приведено ниже.

                                               а                                             b                                

Рис. 11. Процессы включения и выключения GTO-тиристора: a- включение и b- выключение.

 

8. MOS ТИРИСТОР С ВОЗМОЖНОСТЬЮ УПРАВЛЕНИЯ МОМЕНТОМ ВЫКЛЮЧЕНИЯ (MTO)

 

Компания SPCO разработала MTO-тиристор, который является комбинацией GTO и MOSFET, в данном тиристоре преодолены ограничения GTO относительно мощности затвора, демпфирующих цепей и ограничений  по du/dt. В отличие от IGBT (Раздел  №12), МОS структура не распространяется по полной поверхности прибора, а вместо этого элементарныеMOSFET расположены  вокруг GTO, чтобы устранить потребность GTO в больших импульсах тока выключения. По существу в устройстве сохранена структура GTO для использования ее преимуществ: большого напряжения (до 10кВ), большого тока (до 4000 A) и более низких потерь проводимости, чем в IGBT.  С помощью MOSFET и плотной сборки, удается минимизировать паразитные  индуктивности в цепи катод- затвор, MTO становятся существенно более эффективными, чем обычные GTO, т.к. в них требуется значительно меньшие мощности цепи управления, несмотря на уменьшение времени зарядки при выключении, что обеспечивает улучшение эксплуатационных характеристик и уменьшение системных затрат. Как и  прежде для GTO, необходимо двустороннее охлаждение, что позволяет выполнить технологическую сборку устройства более компактной для эффективного теплоотвода как от GTO.

На Рис.12 изображено условное обозначение, структурная и эквивалентная схемы MTO; на Рис.13 представлена его фотография. MTO представляет собой четырехслойное устройство с двумя затворами, один из которых управляет моментами включения, а другой выключения. У обоих затворов электроды непосредственно соединены с р слоями. Аналогично GTO,включение тиристора обеспечивается импульсом тока включения в течение 5-10мксек, который составляет 0,1 от номинального тока и последующим небольшим поддерживающим током. Импульс включения подается на верхний npn транзистор, который в свою очередь включает  нижний pnp, что приводит к устойчивому включению.

Выключение устройства выполняется посредствам приложения импульса напряжения приблизительно 15В к затворам  MOSFET, и, таким образом, е включенным транзисторам, чтозакорачивает контур между эмиттером и базой npn транзистора, что обеспечивает переход в  запертое состояние. В отличие от выше представленных рассуждений, выключение обычного GTO осуществляется переводом тока из контура  эмиттер — база верхнего npn транзистора большим импульсом отрицательной полярности, для предотвращения регенеративного процесса (проводимости). В  новом приборе одинаково важным является то, что его выключение  может быть произведено намного быстрее, (1-2 мксек вместо 20-30 мксек), и потери, связанные свременем зарядки будут почти устранены. Это также означает большое значение  du/dt,  меньшую емкость и устранение активного сопротивления демпфирующих цепей.

Малое время выключения также означает, что включение  в цепь MTO последовательно может осуществляться  без подбора характеристик приборов, так как фактически выключение всех приборов осуществляется одновременно, и каждый прибор пропускает свою долю тока. Так как MOSFET по существу включены параллельно катоду затвора GTO, то для быстрого выключения необходимы MOSFET с очень малым падением напряжения в прямом направлении. MOSFET являются маленькими, недорогими и производимыми в больших количествах приборами. Быстрое выключение MTO и других усовершенствованных типов GTO может по существу преодолеть недостатки GTO по сравнению с IGBT в отношении защиты от сверхтоков,  что будет показано в Разделе №11 на примере  IGBT.

Необходимо отметить, что продолжительная часть характеристики выключения, показанная в  конце процесса выключения  на Рис.11 является реальной и  характерной для применяемых в настоящее время приборов;  следующее включение прибора произойдет только после того, как остаточный заряд на стороне анода  рассеется  в результате процесса рекомбинации.  Это также применяется в других усовершенствованных тиристорных устройствах, описанных ниже,  кроме MCT. Однако, было бы более выгодно, если бы на анодной стороне имелся другой затвор, что позволило бы ускорить рассеяние заряда в анодной области. Такое устройство позволило бы значительно улучшить характеристики полупроводниковых приборов большой мощности. Данный подход был предложен SPCO, которая также предлагает монолитную конструкцию устройства,  в которой MOSFET- транзисторы внедрены в p слои GTO.

Рис.12. MOS-тиристор с возможностью управления моментом выключения (MTO) : a- условное обозначение MTO, b- структура MTO, c- эквивалентная схема MTO и d- уточненная эквивалентная схема MTO.

Рис.13. MOS-тиристор с управляемым затвором диаметром 50 мм (MTO ™), выполненный на номинальные характеристики 4,5кВ и 500 A. Полностью собранный прибор показан со снятой крышкой. Внутри прибора установлен  GTO- тиристор, такой же, как на рисунке П2.10, но окружности которого расположены низковольтные MOSFET транзисторы для затвора выключения. Это кольцо частично разрезано, чтобы показать MOSFET. Затвор включения — стандартный для GTO. (С разрешения Корпорации энергетических кремниевых устройств  (SРCO). MTO  —  это торговая марка SPCO.)

 

9. ЗАПИРАЕМЫЙ  ТИРИСТОР С УПРАВЛЯЕМЫМ ЭМИТТЕРОМ (ETO)

 

Подобно MTO, ETO представляет собой другую эксплуатационную разновидность устройства, сочетающего в себе свойства тиристора и транзистора, то есть, GTO и MOSFET.  ETO был изобретен в Центре энергетической электроники в Виржинии при сотрудничестве с SPCO. Условное обозначение ETO и его эквивалентная схема представлены на Рис.14. Как показано на рисунке, MOSFET T1 (N) соединен последовательно c GTO, а  второй MOSFET T2 (P) соединен между этим MOSFET и затвором GTO. Фактически T1 состоит из нескольких N-MOSFET транзисторов, а T2  из несколько P- MOSFET, установленных вокруг GTO, с целью уменьшения индуктивности между транзисторами и катодным затвором GTO. N- и P-транзисторы и GTO являются устройствами массового производства.

Прибор ETO имеет два затвора: один затвор является затвором GTO и  используется для включения, а другой — затвором последовательного MOSFET и используется для выключения. Когда на N- MOSFET  транзистор подается выключающий сигнал напряжения, он выключается и передает весь ток от катода (n эмиттера верхнего npn транзистора GTO) к базе  через MOSFET T2, предотвращая, таким образом, регенеративное запирающее состояние и обеспечивая быстрое выключение. Важно заметить, что к MOSFET- транзисторам не прикладывается высокое напряжение, вне зависимости от того, насколько высоким является напряжение ETO. T2 соединен с его затвором, закороченным его стоком, и, следовательно,  напряжение на нем будет чуть выше, чем пороговое напряжение, и максимальное напряжение на T1 не может превышать напряжения T2.

        Преимущество последовательных MOSFET состоит в том, что передача тока от катода является полной и быстрой, обеспечивая тем самым одновременное выключение всех индивидуальных катодов. Недостатком последовательных MOSFET транзисторов является  то, что они должны пропускать полный ток GTO, что приводит к увеличению полного падения напряжения и соответствующих потерь. Однако, так как  эти MOSFET-транзисторы являются  низковольтными устройствами, добавочное падение напряжения невелико (примерно 0,3-0,5В), хотя им нельзя пренебрегать.

Таким образом, ETO это по существу GTO, который с помощью вспомогательных MOSFET увеличивает скорость коммутаций GTO и, соответственно, уменьшает потери, что приводит к значительному удешевлению  цепей управления затвором и демпфирующих цепей, что является большим недостатком  мощных высоковольтных  GTO.

Необходимо отметить, что продолжительная часть характеристики выключения, показанная в  конце процесса выключения  на Рис.11, является реальной и  характерной для применяемых в настоящее время приборов;  следующее включение прибора произойдет только после того, как остаточный заряд на стороне анода  рассеется  в результате процесса рекомбинации.

Рис.14.  Тиристор с управляемым эмиттером (ETO): а — условное обозначение ETO и b- эквивалентная схема ETO.

 

10. ИНТЕГРИРОВАННЫЙ ТИРИСТОР С УПРАВЛЯЕМЫМ ЗАТВОРОМ (GCT и IGCT)

Тиристор с управляемым затвором  (GCT) является  интенсивно коммутируемым GTO,  выключение которого осуществляется с помощью очень короткого и большого импульса тока, величина которого равна полному номинальному току, при этом осуществляется распространение всего тока от катода к затвору за 1 мсек, для обеспечения быстрого выключения. Структура и эквивалентная схема GCT является такой же, как и GTO, показанного на Рис.9. IGCT — это прибор с  дополнительными свойствам GCT, включая многослойную печатную цепь затвора, поставляемую в комплекте с основным прибором,  который  также может включать в себя обратный диод, структура IGCT  показана на Рис.15, а  фотография — на Рис.16.

Для того чтобы применять быстро растущий и большой ток затвора, в конструкции GCT (IGCT) предприняты  специальные меры для того, чтобы уменьшить индуктивность цепей затвора (контур, состоящий из  цепей управления затвором – затвора — катода) до минимального значения, что также требуется и для MTO и ETO. Основным существенным отличием GCT (IGCT) является быстродействие управляющих цепей затвора, что обеспечивается коаксиальной передачей тока на катодный затвор и многослойными цепями управления  затвором, которые дают возможность возрастать току затвора со скоростью  4 кА/мксек при  напряжении затвор — катод 20 В. За 1 мксек осуществляется полное включение верхнего транзистора GTO, а нижний pnp транзистор остается с открытой базой  выключения. Так как импульс тока является кратковременным, энергия  цепей управления затвора значительно уменьшена. Также,  дляизбежания  перерегулирования затвора, расход энергии цепей управления минимизирован. Потребление энергии  цепями затвора  уменьшено в 5 раз  по сравнению с обычным GTO.  Как и в обычном GTO,  MTO и ETO, буферный слой находится на анодной стороне n-слоя, который уменьшает обычные потери  проводимости и делает устройство асимметричным.

Анодный р-слой выполняется тонким с небольшим количеством примесей, что обеспечивает  более быстрое перемещение зарядов с анодной стороны  в процессе выключения. В структуру IGCT может также входить обратный диод, который представлен n+np переходом, находящимся в правой части структурной схемы Рис.15. Как ранее упоминалось, обратный диод необходим в преобразователях, выполненных на базе источника напряжения. Буферный n слой  выравнивает напряжение n слоя, толщина n слоя уменьшена на  40 %, для того чтобы обеспечивать  конструктивное введение диода с падением напряжением в прямом направление в режиме проводимости, сопоставимым с внешне подключенным диодом.  Естественно, объединение диодов означает соответствующее распределение кремниевой активной поверхности, которая в свою очередь уменьшает область для GTO на данной пластине.

Как следует из описания MTO, ETO и GCT, основные возможности GTO обусловлены  вытеснением тока между катодом и базой верхнего транзистора настолько быстро, насколько это возможно. Уменьшенная величина индуктивности  цепей затвора и катодного контура является свойством всех усовершенствованных типов GTO, описание которых приведено выше и также применяется в обычных GTO. Для всех них характерно  большое значение dv/dt, однородный и кратковременный ток выключения, что способствует увеличению отключаемого тока до максимально возможного. Это, в свою очередь приводит к уменьшению емкости демпфирующих цепей без резистора, что способствует более простому последовательному соединению GTO, и включению с низкими затратами энергии, такими же как и в обычном GTO. В соответствии с  изложенным в Разделе №2, эти приборы и MCT (описанный ниже)  по существу  представляют главное в  концепции стандартного модульного оборудования (PEBB). Объединение  цепей управления обеспечивает главное преимущество усовершенствованных GTO, которые заменят обычные GTO, по крайней мере при применении в таких устройствах, характеристики которых должны быть значительно улучшены, например, —  в устройствах  FACTS.

Такое усовершенствование идеологии GTO представляет собой основное достижение, основанное  на применении концепции PEBB, благодаря которой исключены паразитные индуктивности и емкости    цепей управления  и шинных соединений, которые имеют значительное влияние на величину полных потерь, демпфирующих цепей и всего вспомогательного оборудования.

Рис.15.  Структура IGCT  с управляемым затвором и обратным диодом.

Рис.16.  Интегрированный тиристор с управляемым затвором (IGCT), который состоит из тиристорного устройства с коммутируемым затвором (GCT)  и  цепей затвора с малой индуктивностью. На рисунке показаны также две подложки различной конструкции.  Нижняя  пластина является новой разработкой GTO, а верхняя подложка характерна для GTO с обратным диодом, который является частью устройства.

 

11. БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ (IGBT).

 

Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) является современным энергетическим транзистором.  Он работает  как транзистор, и предназначен для эксплуатации при больших напряжениях и токах, а также характеризуется небольшим падением напряжения  в состоянии проводимости.

IGBT — это прибор, который отчасти является тиристором, но разработан таким образом, что он не переходит  в состояние полной проводимости  (что эквивалентно падению напряжения на одном переходе), вместо этого IGBT в отпертом состоянии работает как транзистор. Кроме этого, прибор имеет интегрированную МОS структуру с изолированным затвором, подобно МОSFET. Поперечный разрез его структуры и эквивалентная схема показаны на Рис.17. Подобно тиристорам и GTO, прибор имеет двух — транзисторную структуру. Но включение и выключение осуществляется структурой MOSFET через ее npn транзистор, вместо np эммитерного затвора верхнего npn транзистора. При включении осуществляется протекание тока через базу к  эмиттеру npn транзистора, как в тиристоре, однако его недостаточно для образования лавины, которая способствовало бы к переходу в состояние полной проводимости.  Как показано на Рис.17, соединение база – эмиттер шунтировано активным сопротивлением, которое встроено в структуру устройства. Через это сопротивление протекает часть катодного тока.

На представленной структуре прибора  верхний  n+  слой MOS является источником  n- носителей заряда, p-слой является базой, n-слой является дрейфовой областью, нижний p+ -буферный слой, и наконец p+ — слой является подложкой.  Подобно МОSFET, для включения прибора необходимо наличие положительной полярности затвора относительно эмиттера, тогда осуществляется движение n носителей заряда в p канал около области затвора, которые прямо смещаются к базе npn-транзистора, который таким образом включается. Включение IGBT осуществляется только приложением положительного напряжения к базе, т.е. при открытии канала для n носителей заряда, а выключение при снятии напряжения с базы, т.е для закрытияканала, что приводит  к очень простому контуру управления.  В принципе, это может быть достигнуто и в MTOS и ETOS, если бы МОSFET были также добавлены и для включения.

Учитывая комплексную технологию МОS  на полной поверхности устройства, IGBT  выполняются размером приблизительно 1 см2.  Для создания  устройств большой мощности используется параллельное соединение нескольких  IGBT,  объединенных общим корпусом,  имеющих вид  одиночного устройства.  

Преимуществом IGBT является быстрое включение и выключение, так как оно аналогично прибору с основными носителями заряда (электронами).  Поэтому оно может использоваться в преобразователях широтно-импульсной модуляции (PWM), работающих на высокой частоте. С другой стороны, будучи транзисторным устройством,   IGBT характеризуется большим падением напряжения в прямом направлении по сравнению с приборами тиристорного типа, таких как GTO. Однако IGBT является основным прибором, используемым  в промышленных целях, и достиг необходимых параметров для применения в устройствах с  номинальной мощностью 10 МВт  или более.

 Транзисторные приборы, такие как MOSFET и IGBT, потенциально имеют возможность ограничивать  предельный ток путем управления напряжением затвора. В случае такоготокоограничения, потери в устройстве очень высоки, и  при использовании устройства в системах большой мощности токоограничивающее воздействие может осуществляться только в течение очень коротких периодов, т.е.  нескольких микросекунд. Однако, этого времени может быть достаточно для срабатывания других систем защиты для безопасного выключения устройств. Эта особенность чрезвычайно важна в преобразователях, выполненных на базе источников напряжения, в которых возрастание тока замыкания до больших значений осуществляется очень быстро из-за наличия мощного конденсатора постоянного тока в преобразователе. С другой стороны, при быстродействующем управлении, сочетающемся с возможностью быстрого выключения в усовершенствованных GTO, эффективное гашение тока может быть достигнуто в пределах 2-3 микросекунд. Этот метод также позволяет избежать в этих приборах мощного выделения энергии и в состоянии уменьшить его используемую мощность. Время выключения обычного GTO, как правило, слишком велико для быстродействующего защитного отключения. В сетях малой мощности устройства IGBT постепенно заменяет обычные GTO, по мере того, как параметры приборов, состоящих из параллельно соединенных IGBT, повышаются.  Это происходит потому, что обычные GTO имеют ряд серьезных недостатков, а именно большое энергопотребление цепей затвора, медленную коммутацию и высокие коммутационные потери. Развитие GTO в MTO, ETO и IGCT/GCT показало, что они являются результатом разрешения предыдущих не устраненных проблем, связанных с построением цепей затвора и паразитными индуктивностями  в контуре затвор — катод.

IGBT имеет ряд собственных ограничений, включая: большое падение напряжения в прямом направлении, сложности с обеспечением двустороннего охлаждения, свойствами множественных MOS, размещенных на пластинах, что ограничивает возможности  увеличения запираемого напряжения. Для производства IGBT необходимы  более чистые производственные помещения.

Главными преимуществами IGBT, используемыми в устройствах большой мощности, являются небольшие коммутационные потери, быстрая коммутация и возможностьтокоограничения. Однако, с усовершенствованными GTO и MCT (рассматриватся в следующем разделе), существует перспектива их использования в разнообразных устройствах  FACTS.

С другой стороны, будущий результат часто зависит от конъюнктуры рынка и объема продаж, что в свою очередь, способствует увеличению производства IGBT для систем большой мощности.

Рис.17. Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT): a — условное обозначение IGBT, b —  эквивалентная схема IGBT и c- структура IGBT.

                                                                           

12. ТИРИСТОР, УПРАВЛЯЕМЫЙ МОS-СТРУКТУРОЙ   (MCT)

 

Управляемый МОS-структурой  тиристор (MCT) содержит структуры, аналогичные MOSFET, в обоих устройствах включения и выключения.

На Рис.18 показан MCT n-типа.  Эквивалентная схема для n-MCT,  предназначенная для включения, состоит из n-типа  МОSFET (обозначенного как n-FET), включенного вдоль катодной стороны npn транзистора, аналогично IGBT. Другой  р-тип МОSFET (обозначенный как p-FET) включен вдоль катода затвора с катодной стороны npn транзистора и предназначен для выключения, аналогично MTO.

Включение n-FET происходит при приложении положительного напряжения к затвору относительно катода, при этом осуществляется протекание тока от анода к базе нижнего npnтранзистора, который включается и приводит к устойчивому включению тиристора. Как показано, то же самое напряжение затвора подается на базу p-FET, который гарантирует, что p-FETне участвует в операциях.

Когда напряжение затвора станет отрицательным, произойдет выключение n-FET и включение р-FET. Таким образом, р-FET шунтирует катод затвора, обеспечивая запирание тиристора.

МОS  структура распространена по всей поверхности прибора, обеспечивая быстрое включение и выключение с маленькими коммутационными потерями. Мощность/энергия, требуемая для включения и  выключения прибора  мала, так же как и время запаздывания (время зарядки). Кроме того, так как прибор является запираемым, он характеризуется незначительным падением напряжения во включенном состоянии, так же как тиристор. Процесс его производства по существу такой же, как и IGBT.

Основное преимущество  MCT, по сравнению с другими запираемыми тиристорами, состоит в том, что в данном случае распределенные затворы МОS для включения и выключения расположены очень близко к распределенным катодам, что способствует  быстрой коммутации и небольшим коммутационным потерям в тиристорном приборе. Поэтому MCT представляет почти полностью выключаемый тиристор с небольшими коммутационными потерями и потерями проводимости, а также является быстрым коммутационным прибором, необходимым для мощных усовершенствованных преобразователей с возможностью использования в  активных фильтрах.

Рис.18.  Тиристор, управляемый МОS-структурой  (MCT): (a) условное обозначение MCT, (b) эквивалентная схема MCT и (c) структура MCT.

Для того, чтобы добавить Ваш комментарий к статье, пожалуйста, зарегистрируйтесь на сайте.

Диод: выпрямительный; THT; 100В; 5А; Упаковка: Ammo Pack; Ø8×7,5мм

Диод: выпрямительный; THT; 100В; 5А; Упаковка: Ammo Pack; Ø8×7,5мм — ООО «Компания Радионикс»
Вид упаковки Ammo Pack
Время готовности 300нс
Импульсный ток 300А
Конструкция диода одиночный диод
Корпус Ø8×7,5мм
Монтаж THT
Обозначение производителя MR821
Обратное напряжение макс. 100В
Падение напряжения при If 1.2В
Производитель DIOTEC SEMICONDUCTOR
Прямой ток макс. 60А
Прямой ток
Тип диода выпрямительный
Ток утечки 10мкА
Характеристики полупроводниковых элементов быстрый диод
Масса брутто1.3 g
Срок поставки10-15 рабочих дней

2021 ООО «Компания Радионикс»

красивое число: диодов

выбор выпрямительных диодов средней мощности оао завод эклогической техники и экопитаниядиод газовый диод схема правильного паяния диодов диода цветов диод ка 263 область применения полупроводниковых диодов диоды на схеме или плате зеркала с диодами диод кд409а вольт-амперная характеристика высоковольтные диоды к свч магазин завода диод микросхемы транзисторы диоды b1163a b880-y b834-y lm2576-5 0 278в33 np31c диод p4ke триод и диод песня под которую выходит жигуль ао диод мленинский проспект диод rl205 вах для вакуумного диода www m3club ru диоды полупроводниковые диоды на автомобиле ленты из диодов в пороги аналог диода byt 52 mv воскресенский в в иваницкий а м применение туннельных диодов в импульсной технике может ли тиристор работать как выпрямительный диод диод д161-320-12 лазерые диоды завод диод каталог взаимозамены диодов особенности работы тунельного диода электровакумный диод и триот справочники по диодам р15ке36са и пентоды гептоды гептагриды диод-пентоды триод-пентоды зарубежные индикаторы настройки другие зарубежные лампы лазерные диоды екатеринбург dk 50 диод характеристика спб зеркало с диодами на ваз 21093 диод нувистор д6-24н вольт-амперная характеристика высокочастотных диодов диоды r 91 m как обозначается диод на схеме параметры диод д245 оборонный завод диод маркировка диодов иностранного производства 10 триод и диод г смоленск что такое диод гп? диоды 300 вольт полупроводниковые приборы диоды тиристоры оптоэлектронные приборы справочник под общей редакцией н н горюнова издание 3-е переработанное м энергоатомиздат 1987 ил аналоги диод kvp 64a диоды авангард петербург полупроводниковый диод кд 522 реферат классификация полупроводниковых диодов где взять диод 1n4148 диоды и схемы лазерная резка и лазерный диод lasercomponents ru триод и диод сочи гала концерт магазин экологии диод картинки диода транзисторыдиоды и т д песня под которую выходит жигуль и триод и диод установка диодов к компу диод д204-20х диод википедиядиод 2в25 ограничители перенапряжений на лавинных диодах диод byt03-400 справочник по зарубежным диодам диод by всё про диоды характеристика диода hvr1-3 чип диоды в кнопках габаритов справочник диоды кц402 диод кдш 2968 диод т25-4 куплю фанари на свето диодах диоды бмв е65 диод агностика г ст обитому проверка диода шоттки завод диод душевный чай изолированный вентиль с ультро быстрым мягким диодом восстановления выпрямительные диоды средней мощности серии кд устройство диода ijnnrb диод 2д213а презентация по диодам характеристики диода 2д202д где анод катод у диода кд105 техническое описание диод 1n4004 квн триод и диод 2009 18 финала диод 15smc18at3 диод д100 диод stta505f характеристики импортных диодов и интегральных мостов диод тт92n16kof схема диода зарубежные аналоги диодов даташит на диод 1r5 схема включения реле с шунтирующим диодом курсовая диоды в200-12 диод д250 работа вакумного диода диод hvr1-3 высоковольтные pin диоды параметры диод sincere 14d151k диод 20ctq045 to-220 диод сварочный данные диода кд202а компания диод диоды кд213 параметры диода 1n248 справочник диоды стабилитроны как опредилить полярность у диода диод д229 оао диод в санкт-петербурге диод vd1 в детекторном приемнике гептоды гептагриды диод-пентоды триод-пентоды зарубежные индикаторы настройки другие зарубежные лампы аналог диода p4ke10 полупроводники диод транзисторы скачать учебник аналоги отечественных и зарубежных диодов и тиристоров диод fr605 схема правилного паяния диодов реферат на тему полуповодниковый диод транзисторы магазины по продаже автомобильных диодов по москве диод ctvr06 диод д 104 а работа вакуумного диода пожаротушение диод 1n4004 характеристика диодов ford focus 2 диоды задние фары диоды кд202 маркировка диод in4007 аналог диод графические изобра справочник по зарубежным транзисторам и диодам характеристики диодов серии д диоды в габариты под свет ксенона 4300 кельвинов ipf скачать учебник про упровляющий диод где кадот у диода отличия диода от стабилитрона ск комплект диод диод выпрямительный на генератор 3 sbe 255-4 диод д диод 1r5 документация высоковольтные диоды рефират на тему электрический ток полу провадников?собственая провадимостьдонорная экцепреная примесьполу проводников диодтранзица? диод д200 диод 1n5408 параметры диод осм2д103а производитель диод pj53 диод кд 923 даташит диод cars03 характеристики диоды 2501a диод т25-4 установка диода фото клуб диод чертановская диод ед-247 диод 1009 гост вольт амерная характеристика кремненевого диода гормональные таблетки диод 35 диод шоттки 2дш21 диоды выпрямительного моста диод 200-13 справочные данные спарвочник зарубежные диоды диод осм2д103а 3362060ту по070052 производитель диоды мощные отечественные скачать бесплатные рефераты по теме полупроводники собственная проводимость полупроводников примесная проводимость полупроводников p-n-переход полупроводниковые диоды транзисторы лазерные диоды в новосибирске диоды kvp64a на диодах светомузыка схема скачать закорочен диод в матрице мо защитный диод 15 ke36a наличие d магазине ампы автомобильные-диоды диод rur g 5060 ангром авто диоды устройство диода шоттки диод кс218 электрический ток в вакуме работа вакумного диода диоды д 320а диод 33j диоды эс-01-14 много цветный диод техническая характеристика диода д 231 а диод дл161-200 чем заменить диод гд 507 схема дополнительного питания сигналки через диод вах диода с учетом температуры подключение диода 3л107б диод типа вл-200 вес мост диод электровакуумные приборы диод изображение параметры диода 5кр30 платина в диодах тунельные диоды определениепараметры процессы описание ламповые диоды диод д 205 прямое и обратное напряжение диода их порядок и величины измерение параметров вакуумного диода кде анод у диода кд105 замена аналоги диодов лампа из диодов куплю диод 2д103а замена диода fr 207 диод sr506-российский аналог диоды для гашения эдс самоиндукции диоды cph62 диод 200-13 справочные даные что такое полупроводниковый диод смеситель на диоде полупроводниковые приборыдиоды выпрямительные справочник под редакцией горькова ту диода 2д204а крит-диод диод к-214 к-215 продажа диодов р600 в фанарики на свето диодах диод 9750199833 для kempi диод ia85 0005 лелик оао диод сущность работы триода в режими прямого перехвата цель приведения триода в эквивалентному диоду изменение цвета на диоды синяя подцветка панели приборов ваз 2112 ультрафиолетовые диоды ксенон или диоды диод в200 изготовление выбор выпрямительных диодов средней мощности справочник полупроводниковый диод игоря замыкание в положительных и отрицательных диодах диоды для электронных табло азс диод bzx55 диод типа вл-800 вес полупроводниковыи диод характеристика и параметры песни группы диоды как подключать диоды транзисторы диоды микросхемы-куплю диоды для фар прибор проверки диодов адрес завода диод в москве диод кд203а зао диод диод на 220 в золото в диодах диоды в зание фонари на ниссан штраф за синие диоды подцветки номеров опн выполненные на лавинных диодах чип диод а1 диод кд 917 силовые диоды в10 диод московский завод оао отдел маркетинга и рекламы диоды в автомобиле как правило используются в диод кд-205а маломощных диодов супрессорные диоды в генераторах частоты сборка диодов 20003tv1 диод sr5100 параметры диод кд 2001 параметры диод д 204-20 в москве диод sho-me alpha-02 фото с авто диоды серии кд параметры как поступить в диод аналог диода ng05ab rhrp860 выбор диода справочник диод gh26 диоды в 200 лазерный диод от принтера hp2410 устройство полупроводниковых диодов диоды cargo nissan диод площадь ильича диоды силовые для сварочного аппарата ремонт ваз2107 электро проводка диод аналоги диода p600b продажа диодов для автомобилей по москве как сделать денистор из диодов подключение диодов диод 2д522б pdf подключение электродвигателя черед диод диоды рамки с диодами диод кд922а цветовая маркировка отечественных диодов как строится теоретическая анодная характеристика диода диод yx2-1235 cl01-12 rg507 диод диод дкв-7м зарубежные аналоги полупроводниковых диодов диоды с батарейным отсеком расчёт диодов лазерные диоды в санкт петербурге полоса на диода кд521 диод 1n540 hyg я и диод диод кц-405 а диод зенера стабилитрон полупроводниковые диоды реферат скачать диод р15ке36са поиск продокция московского завода диод квн трищд диод скачать реферат выпрямительные диоды справочник по диодам серии д диод ru2m диод sr506 аналог в режиме насыщения анодный ток диода с вольфрамовым катодом растёт при увеличении анодного напряжения это объясняется тем что диод n4001 вл 10 диод технические данные полу провадник овые диоды диоды мама говорила начальный ток через диод диод 1235 1600 а область применения диодов шоттки диод 2д906а спрвочник свч диод кд 413 диод шоттки 2дш диоды справочник григорьев о п замятин в я кондратьев б в пожидаев с л м радио и связь 1990 336 с ил массовая радиобиблиотека выпуск 1158 диод д122 зеркала с диодами на ваз 2109 купить выпрямительные диоды для сварочного аппрата диоды шотки диод vd1 диод в-200-9 фотодиоды диоды диоды в multisim 2001 корпуса диодов диод в200 из чего сделан схемма глюкометра на инфрокрасных диодах замена выпрямительных диодов ваз 21074 что такое диод справочник полупроводниковые приборы диоды теристоры отпоэлектронные приборы полноцветные диоды диод in4935 диодчтобы лампы не сгорали смоленская команда квн триод и диод smd диоды реп песня я тебя никому диодам диод sho-me 4300 применение диодов модель полупроводникового диода диоды sf56 аналоги диода кд280 vd-1n4002 stat 1206 диоды лазерные диоды 5000мвт в санкт петербурге полупроводниковый диод брокдауз и ефрон диодные стабилитроны варикапы силовые диоды сборки диодные разные диоды дросселид диод д 246 параметры нелинейность диода обусловливает переизлучение такой меткой сигнала с измененным спектром в котором наиболее сильна вторая фармацевтическая компания диод диоды кц 410б региональное представительство завода диод в красноярске скачать видео триод и диод куплю резичсторыдиодыконденсаторымикросхемы какие диоды на вспышке p1i диод-конденсатор схема подключение коммутатора на 34 дио 3 диодов ое зажигание цп диод полупроводниковые диод характеристика и параметры диоды новосиб данные диода zn 2054 региональное представительстов завола диод в красноярске импульсный высоковольтный диод csd01060a e коммутация диодов диод в50 чипы диодов диод by255 полупроводниковые диоды электронно-дырочный переход прямой ток диода кд2999в мощность полупроводниковых диодов импульсный диод диод in4007 fr103 выступления смоленской команды квн триод и диод диод lp379a трехфазный выпрямитель на шести диодах иностранные диоды in5408 маркировка диодов кс 168 в диод описание и фото диод 1n4004geg 001861 avn технические характеристики диода кд2997а рашифровка диода кд521 диоды фирмы semikron диоды силовые диод 151 изготовление лазерного диода диод 60cpq магазин лазерный диод устройство автомобиля полупроводниковые диоды отчет по лабораторной работе 1 исследование статических характеристик полупроводниковых диодов hldh-660-a-50-01 лазерный диод 658нм 50мвт энергосберегающая автолампа диод увлажнители из диода диод д112 фонарь 21 диод характеристики как самому собрать светильник с диодами от usb ситроен диоды led как выглядит диод кд509 диод в цепи постоянного тока диод b50 многоцветный диод подключение вентилятора через диод баум а к билинский и я тунельные диоды в схемах промышленной электроники диоды мама мне говорит диоды — 1n5400 диод lp379ah для германиевых диодов характерен лавинный пробой туннельный пробой таблица диодов 33j поверхностные диоды 525 200a аппараты диод диод выпрямительный c защитными сопротивлениями 3 sbe 255-4 готовые кросворды на тему диоды и транзисторы диод в10-10 оао завод экологической техники и экопитаниядиод клипы сафари диод диод д1009 характеристика ситроен электролюминисцентные диоды вл 10 диод диоды силовые высокочастотные селеновый диод код тнвэд на диод пн переход и полупроводниковые диоды не мигает диод на cd-rome справочник по отечественным диодам диод pby304 состав команды квн триод и диод смоленск технические характеристики диодов серии д 202 — д 215 вместе c диодами характеристика диодов д226 диод д 104-20 крио-диод схема подключения диодов зарубежный диод her307 uf5406mur480e технические характеристики на диоды в200-12 диод 6a2 подробное устройство диода частотные свойства диодов диод вл диоды smd белые сверхплоские продам теристоры диоды диод gbu808 диод транзистор разновидность транзисторов диод 1n 042 цветомузыка на диодах скачать параметры диода au01z схема выключателя с диодом принцип работы диода венгерский диод gy122 квн триод и диод 2008 сочи купить лазерный диод вах выпрямительного диода туннельный диод устройство принцип действия usb подсвет диод вакуумный диод диод 200в 300а слиман диод диод дкв7м импульсный высоковольтный диод реферат опн лавинные диоды обратное напряжение на двух диодах реферат на тему диоды свч и вч диод д161 гост экспоненциальная зависимость обратного тока полупроводникового диода от температуры как подключить диоды к мотороллеру магазины по продаже автомобильных диодов какое напряжение будет на лампе накаливания если ее подключить к сети переменного тока напряжением 220в через диод? варианты ответа 380в 220в 156в 127в 110в защита от пробоя диодов цоколёвка диода деталь диод dvd-rw из терристора диод исследование напряжения и тока диода при прямом и обратном смещении р-п перехода диод кд522б her105 диоддиод uh860 диод кд 923 datasheets диод-вл -200 диод 2д522б модуль тиристор-диод купить лазер-диод характеристика диода p300d gi9336 защитный диод супрессор трансил на arracuda 72007 диоды д320а физика устройство и принцип диода диод 1n4937 ленты из диодов в пороги подсоединить вольт-амперная характеристика диода д229в диод db4 диод д1009 энергосберегающая лампа мигает выключатель с диодом диоды 50а марки физические процессы в диоде ганна полупроводниковые фотоэлементы диод диод 1n 4005 диод 336 7а30 купить диоды диод sel12-12a ? параметры диодов серии кц405 какие бывают разновидности резисторов транзисторов диодов и их обозначения диод красноярск xx фестиваль кивин 2009 триод и диод случай в семье диод тт цена на диод ку 103а штраф за диоды в солоне авто скачать бесплатно справочник зарубежные диоды и их аналоги усиленные диоды где андом у диода обратное напряжение на двух последовательно соединенных диодах справочник по силовым диодам производство диоды в200-12 выбор диодов в схеме диодов диод к209а выпрямитель собран на четырех диодах д6~дэ типа д7ж по мостовой схеме диод pr3002 справочник диоды 1n4001 импульсный диод схема основные свойства резисторов диодов транзисторов поставщики свето диоды характеристика диода in5408 лазерный диод подключение лайтбоксы с диодами освещение современное диоды для квартир диоды проверять диоды диод kvp 64a цвето музыка из герлянд на диодах схема применяемые металлы в диодах классификация диодов свето диоды для рекламы зао диод сайт параллельное подключение диодов диод sf30-02 диод эсп-01-14 бесплдтные рефераты на тему диоды диод д 1009 лабы электроника полупроводниковые диоды диод шоттке диод агностика г ст оцитому справочник диоды 2а 509а триод и диод сочи диод-mr3495 диод лавинно пролетный триод и диод видео смотреть лазеный диод проходя через диод дь сигнал пч детектируется и поступает на регулятор громкости ?2о и на усилитель нч собранный на четырех транзисторах т7m-^wто вакумный диод что такое диоды шотки диод ву251 диод в200 наличие серебра реферат на тему полупроводниковый диод диод дк5-7м диод 226д смд диод что это как определить полярность у диода чип дипе диод kaa-3528 перепайваем диоды на панели приборов хундай соната 5 sho me диоды выпромительный диод диод д203 справочник размеры триод и диод музыка из выступлений почему диод горит при выключений света electrical механический thermal связь лазерных диодов питание ик-диодов диоды перменного тока диоды cargo nissan patrol диоды gk12281 вольт-амперная характеристика диода д814а как сделать динистор из диодов диоды кд2997 ик диоды для спай рамки проектор на свето диодах диод her307 uf5406mur480e диод b250 физические процессы в p-i-n-диодах что называется эквививалент ным диодом маркировка полупроводниковых диодов диод д151-160-10 реферат по физике на тему работа вакумного диода диод 1600 а диод кд 200 параметры диод дв 104 диоды лавинные дл161-200 мощные свето диоды прайс на диод кд 103а диоды справочник д-238 прожектора на диодах микросхемы транзисторы импортные диоды lm2575-5 0 278r33 как споять диоды диод выпрямительный д231а диоды силовые высокочастотные кд2998г диод 2д204а сгорели диоды vd1 и vd3 зу рассвет — 2 диод трехконтактный фирма диод техническая характеристика диодов диод препараты фонарь с диодом p7 съемка террористов в бислане кривбассви диод сколько стоит защитный диод vdr1 диод д161-250 супрессор-диод гептагриды диод-пентоды триод-пентоды зарубежные индикаторы настройки другие зарубежные лампы электро дитали например диод лазерные диоды 250 мвт екатеринбург виды диодов таблица диоды фотки cq652 диод 4007 диод д 245 параметры формула сопротивления диода диод «фаза-2» диоды d253 2000 24 саранск песня под которую выходит жигуль и череп триод и диод автомобильные диоды найти аналог диод p300d gi9336 бесплатные рефераты на тему диоды саранск по орбита производство диодов приборная доска газ-31105 на диодах супрессорный диод с эффектом подавления выбросов диоды для ксинона цена диоды хуго диод осм2д103а справочник свч диоды 2а 509а диод д161-320-9 характеристика диод д161-250 в челябинске как выглядет диод кд509 лампа диод диод 2дл132-50-10 изготовитель диод дв характеристики диода bas35замена дневных ламп диодами где купить диоды технические данные диода 112 25х-10 диод топливная аппаратура на трактора и комбайны диоды шотки cq652 сачать бесплатно песню диоды цепи и кольца справочник по диодам кд202а диоды на 1000 вольт годовой отчет за 2008 год оао «диод производитель диод д151-160-10 диод rj 1c завод экологической техники и экопитания диод диод в детекторном приемнике автосвето диоды диод bas 35 импортные диоды 1n5408 диод кд509 продажа диодов и предохранителей для автомобилей по москведиоды д245 изучение работы полупроводникового диода поиск свето диоды в освещение luminot яркость диода скачать бесплатно песню мама мне говорит группы диоды импортные аналоги диода кд242б как отражается на работе выпрямителя тот факт что диоды не идеальны диод 2дл132-50-10 диод 2д213в резонансно-туннельный диод диод sr560 обозначение диодов на схеме команда квн триод и диод диод завод экопитания цена диод д 104 а продам лазерные диоды диод 204-20 зао диод улкибальчича 28 замена диода д242 на импортные диод д 204 в москве диода-лазерная эпиляция диод z 5v1 диод д253-2000 диод 246 характеристики диод д-122 диод ганна на диодах цветомузыка схема скачать диод вл 200 электрические параметры настольный светильник с разноцветными диодами омыватель стекла с диодом диод 1r5gu температура диод гп реферат на тему полупроводниковый диод транзисторы настольные светильники с диодами как опредилить где у диода и где — как меняется диоды в фарах depo диоды определение выпрямительные диоды их устройство диод guf20f газонаполненный цилиндрический диод описание тюнинга диодами диод rh2s диод 258 а технические характеристики чем обусловлена проводимость диода в обратном направлении? диод московский завод оао цветовая маркеровка диодов 1n5344b параметры диод диоды для dvd rw микроника и диод триод и диод г смоленск свето диоды цена диод dsa3a1 технические характеристики диод d1005b бесплатно скачать саундтрек фильму вместе с диодами фонарь-часы6 диодов проекция часов тесла диоды электрические параметры мощных диодов что называется эквививалентным диодом аналоги диода д229диод 22 диоды на панели приборов хундай соната 5 диод кд 102б номер диода для двд рв реферат ограничители перенапряжений на лавинных диодах диод экономическое положение диод 112-25х-10 технические характеристики диодов в200 защитный диод супрессор транссиб на barracuda 72007 какие диоды на вспышке p1i фото конструкция диод кд102а stat 1206d диоды плпроводниковый диод часть шестую сколько лет было диод нту диод dvd-rw диод кд343 справочные данные полупроводникового диода кд-209 а диод cgj-1 диод 12v диод 204-20 спб выпрямительный диод что такое pin-диод реферат полу проводниковые диоды диод sr5100 данные автомобильных диодов диод излучающий 10мм принцип действия диода диоды интернет магазин полупроводниковые элементыдиоды транзисторы теристоры область применения диодов шоттки теория диода 2д112-10 диод stps -25d маркировка диод д237 диод gbu808f диод полупроводниковый кд 922а диод д204-20 корпус диода кд-16 диод вл 200 классификация диоды рисунки фонарик из 7 диодов 15 в диод д 246а скачать бесплатно песню диоды цепи и кольца анодная характеристика диода реферат на тему диоды максимальная температура диода графического процессора команда квн триод и диод жигуль и череп технические данные автомобильных диодов тюнинг диоды диод кд2997а в4-10 диод технические данные схема нестабилизирующего умножителя фонарика из 7 диодов 15 в технические характеристики диода t3512 перспективы развития полупроводниковых диодов устройство свето диодов диод лавинного типа вл-800 масса 1206d диоды счётчик меркурий 200 мигает красный диод диод кд 102 диоды для приборной панели диод кд 203 гмаркировка импортных диодов диод кд 202 а и его характеристика груповое соединение диодов и тирристоров можно ли к 1 батарейке подключить 20 диодов ph-33d диод применение полупроводниковых диодов в автомобиле реферат скачать провера диода шоттки схема фонарика из 7 диодов и лазер 15 в диод rs605 что такое пин-диод цветы с диодами мини-лампа для рукоделия с одним диодом диод r107 схема мониторов lg с диодом dmv1500 свето диоды диоды д242 московский завод диод диод лавинного типа вл-200-10 вес диод ss 14 автомобильные свето диоды справочник по отечественным диодами тиристорам диоды оборудование лазерный диод 30 мвт схема лазерного диода мошные света диоды для освешени улиц разработк в европе сделать габариты из диодов как у ауди на 2112 какие диоды ставить для электромагнитных замков ml-295a электрический ток в вакууме диод диода цветов порядках лампа осветительная neodrive гибкая ножка 3 диода инфракрасные диоды диод кд522бpdf порядок прозвонки диодов мигающие диоды вид диодов математическая модель диода диод лавинного типа вл-200-10 масса диод вл 25 диод byv95c омск свето диоды диод йод-актив измерение электрических параметров мощных диодов диод кд105 инфракрасный лазерный диод с непрерывным излучением диод дл1235 1600 а кц-405в справочник диодов смд диод свойства и разновидности диодов песня команды триод и диод диод 2д213 диод д229в стоимость замена диода кд 226д амена диода fr 207 диод kiv 22 обратный диод на dc-шине skr 141 f 15 фирма semikron sho-mi диод принцип действия выпрямительных диодов диода тиристорная сборка ндт-500-12 определение полярности диода кд521 диоды c62ph диоды для ауди а4 диоды лавинные дл161-200 by диоды осветления высокочастотные перемножительные диоды диод 242 коммутатор 3 диодов ое зажигание на dio 34 полупроводниковый диод ганна фото клиника диода полу проводниковые диоды диод hvr-1x 3 где в тольятти купить диоды на ленте диод-пентоды триод-пентоды зарубежные индикаторы настройки другие зарубежные лампы 012] импульсный генератор для лазерного диода полупроводниковый диод реферат купить диоды в приборную панель для 2115 диоды кд 103 а характеристика диодов 226 вышел из строя диод rl203 диоды 1600 параметры диода hvm15 зенер диоды в телевизорах panasonic диоды как правило используются в диод тиристоры аналог диода byt03-400 полупроводниковые диоды лекция аналог параметра диода д161-320-12 проводниковый диод аа 112 где анодом у диода диод в250 диод завод телефоны устройство диода щетки готовые кроссворды на тему диоды и транзисторы рекламный ролик диод «фаза-2» драивер на лазерныи диод от dvd- rw zotac gf9800gt диод гп характеристика свч-диодов реферат на тему электрический ток в акууме диод выпрямительные диоды кд справочник по полупроводниковым диодам диоды с плоскими линзами диоды на генераторах их функции? двойные тетроды и пентоды гептоды гептагриды диод-пентоды триод-пентоды зарубежные индикаторы настройки другие триод и диод видео частотные свойства полупроводниковых диодов пробой диодов сверхяркие светоизлучающие диоды где анод у диода кд105 примеры маркмровки выпрямительных диодов малойсредней и большой мощности диод c502 селеновый диод 140 гт 12я-к1 справочник по диодам bas 35 основные элменты электроники диоды трянзисторы тиристоры назначения их характиристики корпус диода do — 213 тепловая модель диода как спаять диоды замена аналоги диодов kvp 64a два диода в качестве транзистора диод на 60 а диоды в днепропетровске куплю настольный светильник с сразноцветными диодами болты для номеров с инфракрасным диодом кд226 диод обозначение как сделать фару из диода диод jtvr06 диод sf12 свч диоды супрессорные диоды в преобразователях частоты диод дл 161-200 как проверить диод магазин диод dvd-rw диод в200 его сплавы параметры диода диод на 30 вт диод q5 купить диод ug2d микросхемы транзисторы импортные диоды lm2576-5 0 278r33 ассортимент товаров диод диод мд4-360-2 спецификация диодов rl205 диод jtvro6 диод m7 характеристика полупроводниковых диодов полупроводниковые приборы диоды тиристоры оптоэлектронные приборы силовые диоды параметры диоды ленты диоде 35 справочник по импортным диодам бесплатный справочник по диодом ford focus 2 pro sport диоды последовательное соединение диодов в цепь полупровдниковые диоды в санкт петербурге можно где нибудь купить лазерные диоды 100- 5000мвт и диод света в темном царстве диод д246 на зу рассвет2 горят диоды vd1 и vd3 аналог диода sr5100 скачать бесплатно справочник по диодам диод дч251-16 диод 20003tv1 мед центр диод свето диоды продажа применение полупроводниковых диодов скачать селеновый диод 140гт 12я-к1 диоды в ближний свет кивин-2009 триод и диод видео диод h4r диода цветов порятках в каком справочнике найти диод р15ке36са поиск продукция московского завода диод размеры транзисторовдиодоврезисторов на схемах лампы на световых диодах для наращивания ногтей стоимость диода д248б диод уд601 цена диод la85 0005 принцип действия туннельного диода применение полупроводниковых диодов в автотранспорте реферат скачать диод skr 141 f15 диоды 1600 соранск радиолокационные отражатели ван атта с pin диодами ча­стотомер состоит из конденсаторов с9 сю диодов дъ д4 проволочных переменных резисторов ri8i r19 и пе­реключателя п cbu808 диод д7б диод полупроводниковый диод и его применение днп и лазерный диод lasercomponents ru диоды излучающие kingbright l816b программа справочьник по диодам диоды в динамики psp инструкция интегральный диод фото рисунки полупроводниковых диодов свойства и разновидности свч диодов спарвочник зарубежные диоды и их аналоги диод кд209 зенеровский диод прайс диоды цветовая маркировка импортных диодов скачать реферат на тему модель полупроводникового диода характеристики диода кд 917 диод 1r5 электронная схема 6 диодов лекарственный препарат диоде лили диод сайт света диод овая подсветка для машин ног водителяи псажира диод кд 201 параметры влияние диода на экологию тетроды и пентоды гептоды гептагриды диод-пентоды триод-пентоды зарубежные индикаторы настройки другие физика свето диоды выпрямительный диод средней мощности 2д201б диод gh26p40a8cлинейка гибкая верт wl-r30w-cf 30 белых диодов применение переключательных диодов выпрямительные полупроводниковые диоды квн диод триод квн 2008 — триод и диод смоленск лазерные диод 4вт диод d 2091 технические характеристики приглушить диод модулятор на диодах диод д161ив200 диод в-320 автодиски с диод автомобильные диоды по москвесхема глюкометра на инфракрасных диодах мозг диода диод кц4058 диоды 6smb18cat3 где катод у диода диод 226г рефератсветоизлучающий диод скачать бесплатно диода ксин фото диоды диоды д 161 каталог диодов mur 160 диод триод и диод 18 финала 2009 какую люстру лучше купить с лампочками или с диодами диод выпрямительный c защитными cjghjnbdktybz vb3 sbe 255-4 где в челябинске купить диоды диод в пу диоды 2д213а украина куплю проверка диодов антенна через диод диод в200 применяемые сплавы диод кд258а объемные буквы на диодах лазерная резка состав триод и диод характеристики диодов серии д 202 характиристика свч-диодов диод д242б супрессор dsa 3a 1 диод кроссорды по электронике на темудиоды и транзисторы диод вк10 проверка диодов мультиметром описание диода д132-50-1 цена на диод кд 102акроссворды по электронике на темудиоды и транзисторы диод kiv410 диод д-226аповерхностные диоды транзисторы импортные диоды lm2576-50 278r33 чт сделать из свето диодов? цветовая маркировка стабилитронов и диодов купить выпрямительные диоды для сварочного аппарата ззавод диод основной элемент полупроводникового диода отечественный аналог диода in540 поверхностные диоды to1 gp435 hyundai accent диоды безцокольные диоды хелла диод д204-20-2 диод дзэ фото диод д246 жарактеристика полупроводниковые диоды устройство и принцип действия диод бад в чем заключается основное свойство выпрямительного диода кд 531а диод диоды москва диод в 250-10 высокочастотные пере множительные диоды транзисторы импортные диоды lm2576-50 мо532 278r33 951 полупроводниковый диод ганна принцип работы диодов схемы подключения фото диоды и фото транзисторы диод кд522 диод выпрямительный c защитными сопротивлениями на генератор 3 sbe 255-4 бу автомобильные диоды технические параметры диода д161-320-12 супрессор dsa3a1 диод диод кд409а диоды в приборной панеле использование полупроводниковых диод клуб диод постоянная германиевого диода диод z8 корпус диода кд16 рефераты туннельные диоды диод д202н лазерный диод 4н02 диод кд202р в запорожье свето диоды матрицы не включается и не горит света диод дежурный режим проекционный телевизор changhong прайс на диоды высоковольтные вч диоды диод кд230е меркурий 200 мигает красный диод диод адд 2 2502 диоде ломбард талдыкорган диод — это диод 112 электрический ток в ваккуумедиод поиск параметр диода д302 температура диод гп что это такое характериски диодов д242 диод кд205 где раздобыть лазерные диоды тюнинг десятки свето-диоды характеристики диода в25 защитные диоды для электромагнитных замков ml-295a диод д143-800 ситроен электролюминисцентные диоды led лазерные диоды и их выхода общение в диоде и внутригрупповое общение переключающие диоды диоды cree диод iwr0520f реферат полупроводниковые элементыдиоды транзисторы теристоры диод 2д206а диод дл 80 справочник по выпрямительным диодам под редакцией горькова как работает смд диод romanov stile свето диоды реферат по диодам свч и вч gp 08d диод характеристики диод д231 диоды для витрин спб диод 160 442 диод телефоны диод а7s супрессорный диод диод д206 прямой ток диода кд242б цветная маркировка свч диодов диод гп это что? купить лазерные диоды 100- 5000мвт в санкт петербурге характеристики диод д203 переход p-n и n-pполупроводниковый диод и транзистор скчать видео квн 2009 триод и диод устройство вакуумного диода его параметры и вольт-амперная характеристика свойства диод rl205 справочник обозначение диоды резисторы транзисторы кристаллы имс типы кремниевых диодов физикадиод диоды — 1n4148 диод д206вп диоды md 206 диоды dwm120 основные параметры и характеристики полупроводникового диода проверка диодов с рисунками электро детали например диод как ставить диоды диод цена схема фонарика из 7 диодов 15 в сверхъяркие светоизлучающие диоды обратных токов германиевых выпрямительных диодов малой и средней мощности составляют специальные типы полупроводниковых диодов варикапы стабисторы диод ганна рисунок магазин диод где антом у диода истиные размеры транзисторовдиодоврезисторовтрансформаторов и тд диоды для электромагнитных замков свето диоды для автомобилей диод in5408 диод д6-24 н полупроводниковый диод ганна картинка диод z 8v1 диоды в динамики psp диоды в приборную панель на скайлайн аналог диода 220 диод dsei 2*61 лазерный диод от принтера указка радиодеталь диод dvd-rw диоды излучающие справочник по супрессорным диодам цветомузыка на диодах как запитать диоды к компьютеру? импортные транзисторы и диоды замена на отечественные рефераты лавинопролетные диоды съемка террористов в беслане кривбассви диод диоды автомобиль лекции электрические схемы диод-транзистора выпрямительный мост диодов в-200а диод att505f почему диод горит при выключений света на выключателе аналог диода 6n3v описание диода кд522б выпрямительные диоды средней мощности уф диоды диод dsa3a1 квн команда триод и диод сф мэи смоленск дисплей из диодов диод fr107 скачать бесплатно выступления команды квн триод и диод тех даные диода mur160 442 диодытриодысхема устройствапринцып работы и применения прайс на диод кд 102а сайт завода диод диод т25-4 купить диоды на фары диод полупроводниковый д246а пораметры диода au01z спецификация диодов внутреннее сопротивление триода больше чем диода потому что характеристики д1008 диод тунельные диоды реферат проам теристоры диоды диод д226 продажа лазерные диоды в бердске диод ганна фото как с помощью диода сделать постоянный ток объемные буквы на диодах вольт-амперная характеристика диода д229 диоды шоттки как поменять диоды в щитке приборов диоды с барьером шоттки полупроводниковые диоды диод вл 200 классификация диодов и тиристоров сайт диод пилотная смена создай свой проект 9 класс диоды-мама мне говорит скачать лампы автомобильные-диоды подробное устройство диодаконструкции его электродов и их назначение энергосберегающая диод продажа медицинских товаров завода диод где атод у диода выравнивание потенциаловнапряжения между последовательнопараллельно соединенными диодами тиристор и диод товары московского завода диод в нижнем тагиле принцеп действия полупроводниковых диодов триод и диод скачать питание лазерного диода как подсоединять диод описание диода 2д204а как запитать диод от usb кабеля справочник по диодам и транзисторам новые технологии в производстве pin диодов скачать видео триод и диод сочи инфракрасный лазерный диод диод и принцип работы диоды dwm120 x 2-03n сравнение полупроводникового диода и тиристора аптека диод на дербеневской даташит диод sars03 характеристики диод rurg 5060 диод sars03 характеристики диод для 3-х фазного инвертора диод реферат характеристики диоды кд 203 г диод 1n4004 куплю силовые тиристорыдиоды лазерные диоды уф двойной диод светильник диод диодер диоды 1n4007 диод д203 сборка диодов 80евu02 сопротивление диода диоды для dvd rw рефераты по физике полупроводниковый диод параметры диода kbpc 3510 импульсный высоковольтный диод stih 2003cg диодру освещение современное диоды а в баюков полупроводниковые приборы диоды тиристоры оптоэлектронные приборы полупроводниковый диод его принцып работы стеклянный диод кд-409 диоды в атомобиле как правило используются в как меняется обратный ток в полупроводниковом диоде с ростом температуры полу провадниковые диоды диоды переменного тока принцип выпрямления переменного тока выпрямительными диодами поупроводниковый диод реферат ld лазерные диоды диоды в габариты под свет ксенона 4300 кельвинов диоды оборудование авангард петербург infinity box не горит синий диод лазерные диоды 100- 5000мвт в санкт петербурге диод эрго схему прибора проверки диодов встроенная защита диодов шотки диоды 2000 саранск диоды фара кремниевый диод д-242а диод дл253 1600 а диод д 132-63-10 диоды в 10 параметры инфрокрасный диод другая причина для беспокойства связана с тем что миллионы случаев деменции остаются недиагностированными также в десятку лидеров рынка бадов и глс в 2006 году попала биологически активная добавка капилар отечественного производителя диод высокочастотные диоды особенности работы вольтамперная характеристика и области применения тунельного диода диоды для детекторного приемника диод двд рв диод пермь радиодетали диоды транзисторы оао меркурий диод д 204-2088 диоды радуга лазерный диод от принтера электрический механический термический связь лазерных диодов защитный диод vdr1 квн2009триод и диод сборка диодов схематическое обозначение диоды резисторы транзисторы диод в200 теория по полупроводниковому диоду анод диод генератор на диоде диод 042маркировку диода кд202а какой он мощности диод 1n540 принцип работы диодов скачать ангельские глазки 2106 поменять диод диоды ipf диод в6 точечный диод маркировка диодов электролюминисцентные диоды диод д814в электроческий механический термоческий связь лазерных диодов диоды шоттки bt169d pbf диод д249 диод 1n4004geg диоды саранск д1008 диод лавинопролетныу диоды electrical механический thermal connectivity лазерных диодов по полоса на диода кд521 маркировки кремниевых диодов принцип выпрямления переменного тока полупроводниковыми диодами диод dsel12-12a ? туннельный диод продажа диодов и предохранителей для автомобилей prolight на 60 диодов триод и диод сочи скачать бесплатно диоды 1600 саранск проверка диодов мультиметром dt 832 устройство и принцип работы полупроводниковых диодов на автомобиле реферат скачать настольный светильник с белыми пушистыми ниточками с диодами и пентоды гептоды гептагриды диод-пентоды триод-пентоды зарубежные индикаторы настройки другие зарубежные диод dsa3a1 технические параметры для германиевых диодов характерен лавинный пробой туннельный пробой кремниевых диод кд521 ford focus 2 диоды нагрузочная прямая на вах диода диоды и их зарубежные аналоги защитный диод на barracuda 72007 xx фестиваль кивин триод и диод случай в семье на сколько вольт диод mur460l диод транзистор тиристор определение диоды 1n5404 люстра чижевского диод области применения тунельного диода диод gh эл параметры диода bav20 устройствопринцип действияхарактеристикипараметрыприменения вакуумного диода диод ss36 тип монтажа диод кд521б диоды в фары диод д6-24н информация по диоду au01z диоды справочник аналог диода схемы включения диодов квн триод и диод смоленск триод и диод xx фестиваль отечественные диоды диод ke 400ca справочник по диодам под редакцией горькова импортные диоды справочник диод k iv 22 товары завода диод в красноярске как подключить диод к hdd усиленные диоды для автомобилей реферат газоразрядник диод использование опто диодов в управлении нагрузкой электрические параметры диодов диод россия цвето музыка на диодах схема диоды d2nk электрические параметры диода 5кр30 технические параметры диода 5кр30 основное свойство выпрямительного диода проверит диод с рисунками мультиметром диод к209 люстры с диодами спраочник диод аналоги диодов для ноутбуков 220 6n триод и диод случай в семье гаснет дежурн свето диод при включении str f6653 бесплатно скачать реферат полупроводниковый диодзапирающий слой в области контак диод rgp 10 g gi 9616 прайс супрессорные диоды диод le az диод mur160 442 диод эрготом подсветка салона диодами лабораторная работа 1 исследование статических характеристик полупроводниковых диодов замена диодов кд 103а диод cgj-i аналог диода кд-202 транзисторыдиодымикросхемы диод шотки 25d диоды фирмы маяк принцып работы диодов диоды sf85 диод д161 где можно купить по самым низким ценам свето диоды куплю диод д202 диод кд 202 диод rl203 лазерный диод 4н02 00009 от принтера полупроводниковый диод викепидия диод ba159 прайс на диод д 122-32 лазерный диод и твердотельный лазер lasercomponents ru диод in 5399 диод завод бад вакансии поиск магазины свето диоды в казане диод p600bдиоды д202 диод экономическое состояние электрические схемы диод-транзистора разработки фар на диодах импульсный высоковольтный диод stth 2003cg справочник диод д1005б диоды луганск маркировка диода кд503 маркеровка иностранных диодов лазерная гравировка таблички диод овая подсветка диоды fr308 капилар диод доехать да завода диод фото диод характеристики как подключить диод к компьютеру диод by238 диод д404 света диод овая подсветка для машин диоды для ксинона диод 2а517-2 тто336028 ту диод д 245 описание диода mur160 442 обозначение диода справочник по отечественным диодам и тирсторам диод мост кврс5010 диод кд-205 цена прайс листпрограмма справочник по диодам диоды в мышь выступления команды квн триод и диоддиод 1n4148 ударные перегрузки полупроводниковые диоды автотранспорт скачать диод q5 диоды и их характеристики лампа для рукоделия с одним диодом сообщение по физике полупроводниковый диод и транзистор справочник по импортным диодам rurp8100 вл 85 диод характеристика справочные данные диод кд-209 а диод выпрямительный цена www диодcomua диод ка 507 диод кд 521а скачать видео триод и диод 2009 активатор воды завод диод диод 6а1 авто центр москва диоды диод in 4007 полупроводниковый диод кирилл и мефодии товары завода диод в нижнем тагиле авто диоды цветовая маркировка диода кд503 справочник свч диод кд 413 невская компания диоды аналог диода д161-320-12 диод 2а518б-4 изготовитель энергетика опн выполненные на лавинных диодах диод д405б высоковольтные диоды 100 кв справочник по кремниевым диодам триод и диод диод д246 характеристика уго импульсный диодв каком направлении включен выпрямительный диод по отношению к напряжению? как опредилить палярность у диода вольтамперная характеристика тунельного диода выступление команды триод и диод энергосберегающия лампа мигает выключатель с диодом параметры зарубежных диодов лампа светодиодов 12 диодов е27 диод 2а518б-4 годывыпуска групповое соединение диодов и тиристоров диод кд-209 диод д203 спровочник значения обратных токов германиевых выпрямительных диодов малой и средней мощности составляют инфракрасные световые диоды триод и диод песня диод sf30 зарубежный аналог диода д9в технические характеристики диодов д 242- д247 полупроводниковые диоды на автомобиле реферат скачать силовые диоды справочник теория конструктивное исполнение диодов шоттки продукция московского завода диод в нижнем тагиле ограничительный диод кд409а диод д203 справочник существует ли диод кд 2001 диода in5408 замена на русский поворотник стоп диод мото xx фестиваль кивин триод и диод клип купить свето диоды справочник отечественные диоды аналоги диод-артро-актив диод д9 конструкция точечного диода сущность работы триода в режими прямого перехвата цель триода в эквивалентному диоду высокомощные лазерные диоды диоды в ближний свет golf 4 кроссворд полупроводниковые диоды триод и диод кивин 2009 лабораторная работа на тему исследование вольт-амперной характеристики полупроводникового диода саранск диод гп диоды новосибирск электронный диод оао диод света диоды кремневый диод д246-vd10 цена на диод аод 101а сверхмощные диоды рефераты варикапы варакторные диоды диод завод бад теоретическая анодная характеристика диода диод t25-4-l2 сверх яркие диоды бесплатный справочник защитных диодом клип триод и диод ток смещения диода супрессор dsa 3a1 диод диод д203 параметры диод ru4am оптрон из диода диод 200-13 посоветуйте высокочастотный диод запирающее напряжение диоды зенера сборка схем со свето диодами справочник полупроводниковые приборы диоды тиристоры оптоэлектронные приборы диод sr506 диод кд-203д трехфазный выпрямитель на 6 диодах как обеспечить тепловой режим в мощных диодах цветовая и кодовая маркировка диодов микросхема транзистор реле диод стабилитрон команда квн диод и триод на сочинском фестивале транзисторыдиоды и т дгде у них какие ноги диод 122 диод 6a1 квн — триод и диод сочи 2009 ленты из диодов что такое инжекционный лазерный диод презентация полупроводниковые диоды портотивные проекторы на свето диодах параметры диод д161-320-12 вставка диодов в подсветку щитка ваз 2107 диоды в приборную панель для ваз dow диоды стабилитрон полупроводниковый диод ед 243производствоаналог диода ub736 что лучше ксенон или диоды аналог диода p300d gi9336 чип диод на корпусе а1 диод дл161-200 описание электровакуумный диод и троит нагрузочная прямая вах диода диод 132-63-10 как поменять диоды в щитке приборов vw bora справочник по зарубежным диодам dmv1500 цифровой диод куплю тиристоры диоды диод д204в диоды на10а диод кд409авах тип диода с надписью на корпусе а1 яркие фонари с большими диодами крем-бальзам артро-актив питающий туба 35г n1x1 диод рос основные своиства резисторов диодов транзисторов гост графическое обозначение диода внутреннее сопротивление триода больше чем диода это объясняется тем чтопосоветуйте свч диод блок диодов кц 410б диоды на марк 2 теория резисторов диодов транзисторов фонарик из 7 диодов как светит диод оао диод москва аналоги диода кд280 сета диоды разработк в европе вакансии завод диод доставка товаров магазина диод ролики смоленской команды квн триод и диод полупроводниковый диод д100 цена диод 237 б диод дл 161-200 в россии устройство диода фотки параметры диода д242 прайс на диод кд мощные лазерные диоды электротехнический справочник диоды стабилитроны диоды вместо ламп в освещении электровакуумный диод куплю силовые диоды шотки диод b140smd rgb диоды «триод и диод» смоленск сочи 2009 диод и его обозначения ик-диоды диод вл 250-10 диоды fag33 справочник зарубежных диодов скачать справочник по выпрямительным диодам песни диоды мама мне говорит диод sv036n анлог диода 6n3v диод 30 мвт типы корпусов диодов квн 2009 триод и диод куплю резисторыдиодыконденсаторымикросхемы диоды кд103 диод 1600 а 1200 в вольт амперная характеристика кремниевого диода туэльный диод цвето музыка на свето диодах скачать схемы аиг и лазерный диод lasercomponents ru справочник зарубежные диоды и их аналоги нарезка выступлений команды квн триод и диод свето диод led стабилитрон полупроводниковый диод ед 242 производство автомобили полупроводниковые диоды скачать высоковольтные диоды 8 кв выпрямительный диод определение вентильные свойства диода как доехать да завода диод вставка в щиток ваз2101 диодов диоды-мама диод кд210 диоды 12в справочник по импорным диодам как меняется обратный ток в полупроводноковом диоде с ростом температуры квн триод и диод стрижов 1206 диод чем заменить? скачать справочник по диодам база диодов диод кврс 2502 тюнинг задней оптики диодами светильник диод диодор диоды v200 диод шотки скоростные 25d выпрямительные диоды серии кд песня диоды-мама мне говорит отличается ли по внешнему виду вольтамперная характеристика ge и si полупроводниковых диодов? справочник диод д242б диоды d 253 2000 24 саранск диод vd1 принцип работы паролельное подключение диодов каким диодом можно заменить диод sr 360 hb dsa 3a 1 диод ограничивающие диоды скачать учебник про управляющий диод диод vu ae gp 540 как определить где у диода и где — марка диода с надписью на корпусе а1 диод pby 304 справочные данные диод полупроводниковый д243 триод диод gold crest 36441 ] мини-лампа для рукоделия с одним диодом диоды кд найти скачать справочник по диодам шотки расшифровка диода кд521 импортные транзисторы и диоды тех данные диода mur160 600v 1a принцып работы свето диодов диод ух 2 — 1235 диод шотки tps 25d транзисторы импортные диоды 278r33 классификация диодов и тиристоров диода цвет завод диод георгий рефератсветлоизлучающий диод скачать бесплатно пусковые диоды диоды для автомобилей цвето музыка на диодах схема скачать бесплатно диод вл-25 цена основные элементы электроники диоды транзисторы тиристоры назначения их характеристики диод шотки 10l 25d технические характеристики силовых диодов в10-10 диоды шоттки реферат 1206 диод технические характеристики диодов в200-12 диод db электро детали диод кдш2968 диод типа вл-800 масса диод эсп-10-14 как запитать лазерный диод от принтера характеристики диод силовые диод в200 наличие драгметалов диоды philips диод rp 4040 диоды cargo принцип работы полупроводникового диода диод 4005 диоды выпрямительного мостаи их расчет конструктивное исполнение диодов шоттки диод p629xa схема с диодами диоды д7д для чего исползуеться вакумный диод защитный диод 15 ke36a наличие в магазине диод д248 высоковольтные диоды 100 киловольт яркие диоды диод д9в полупроводниковые диоды в машине скачать полупроводниковые диоды в авто скачать схемы выпрямительных диодов диод гп на zotac gf9800gt справочник транзисторы диоды резисторы скачать бесплатно справочник радиодеталей диодов купить выпрямительные диоды диод лавинного типа вл-200 масса выравнивание потенциаловнапряжения между последовательнопараллельно соединенными диодами с 35 на 12v бу автомобильные диоды по москве диод 2d507 диод кд509 картинка диоды генератор цветовая маркировка и обозначение стабилитрон и диодов светоизлучающие диоды устройство и работа диода шоттке параметры диода 2д112-10 диод шотки 10 25d диоды транзисторы теристоры диоды для электромагнитных замков ml-295a особенности конфликтов в диоде руководитель-подчиненный павел титов триод и диод свойства выпрямительных диодов эквививалентный диод ремонт люстр с диодами устройство диода щотткихарактеристики свето диодов диод vd1 в приемниках фото изображение диода led диод кд258 полупроводниковые приборы характеристики диодов параметры диода hvr-1x 3 аналоги диодов для ноутбуков выравнивание потенциаловнапряжения между последовательнопараллельно соединенными диодами с 35 на 12 характеристики диодов серии д 202 — д 215 lumenux вставка диоды led электролюминисцентные диоды параметры свето диодов 222 рамки с диодами скачать через emule диод 153 уд 601 цена диод р600 в подробное устройство диодаконструкции его электродов и их назначение реферат диод d206 производители силовых диодов и тиристоров диод д204в характеристика реферат история диода описание диода pro sport диоды диоды r91m характеристики диода dsa3a1 обозначение отечественных диодов диод кд 202а фото элемент фото диод заказать методы измерение электрических параметров мощных диодов диоды устройство диод д247 полупроводник диод подсветка диод овал для скутеров диод sho-me led-194 диод в200 его устройство завод диод лекарственные травы диод 1n5817 габариты диоды диод sf26 диод pby 304 диоды производство спб диоды кд2997 замена диод byt 01 400 малогабаритный супергетеродинный радиоприемник^m радиоприемник цс-5 собран по супергетеродинной схеме с отдельным гетеродином на одиннадцати транзисторах и пяти диодах электронная схема 6 диодов и аккумулятор диод медицинский центр аналоги диода sr 360 hb анод и катод диода диод серии дл кому нужны диоды диод полупроводниковый д105асм3 диод свч 2а543ва-5 диод mic rl 256 диод д206а как подключить диоды аудио диод диод mur460l справочник по диодам аналог диода ng05ab диод кд-209 а какие диоды серии кд выпускаются дисплеем на светоизлучающих диодах мощные диоды kd636 характеристики диода кд 258д статические параметры диодов стандартный ряд диодов диод 1s1835 вольт-амперная характеричтика диода д229в посетила аеgt есть электрический бойлер 80л 15 квт ели его через диод пуститить аеgt мощности останется ватт 400 почему зарубежный диод her307 оптом продам радиодитали диоды как работает диод самостоятельная установка диодов в авто реферат опн выполненные на лавинных диодах диод в7 320 купить список предприятий выпускающих или продающих диоды тунельный диод квн триод и диод полупроводниковый диод ганна рисунок диод s1f50 свойства диодов шоттки чем заменить диод in 5399 диод шотки 10 l25d мощность диодов переделка приборной панели диодами в skyline r34 диод n5404 диоды мама мне говорит клип обратный диод skr 141 f 15 полупроводниковый диод википедия скачать справочник по ипортным диодам диод энс-кардио вах диод шоттке какие свето диоды лутше использовать в автомобилях диод dsei 2*61-02a диоды с барьером шоттки реферат диод шоттке описание лазерные диоды виды корпусов диодов что такое диоды зенера диод au01z размеры транзисторовдиодоврезисторов и тд российский аналог диода byt03-400 диод в пульт характеристики диода кд242б самые низкие цены на свето диоды продажа диодов для приборных панелей диод 2d507 описаниедиод zn2054 диод д237 диод д 242 параметры диод in4003 аналоги диода vd-1n4002 фти диоды диоды аналитическая и графическая модель вах диода что называется эквивалентным диодом идеальный диод исследование полупроводниковых диодов транзисторы импортные диоды диод in5408 замена рефепат на тему диоды здания эпохи диод триод и диод смоленск диод ss36 electrical mechanical thermal connectivity лазерных диодов диод аа119 диод диллеры xx фестиваль кивин триод и диод цветная маркировка диодов диод 6a диод д-226 причина поломки диода диоды по надписи на корпусе импортные диоды данные диода zn сопротивление переменному току диода характеристики диода д212-25х изолированный вентиль с ультробыстрым мягким диодом восстановления как поменять диоды в щитке приборов мц bora диод вспышки p1i фото диод д229 технические параметры квн фестиваль в сочи 2009 триод и диод выпрямление на быстрых диодах зарубежные полупроводниковые диоды диод изображение сравнение работы полупроводникового диода и тиристора купить лазерный диод в бердске ключи с диодом шотки диод 2д202д замена штатных лампочек диодами в скайлайне силовой диод дл 112-25 диод дл132-80-10 электровакуумный диод изображение диод her 302 выпрямительный диоды и стабилитрон как питать диоды в в компе диоды 5404 полупроводниковый диод брокгауз и ефрон диоды a1t как опредилить у диода где катод и анод диоды силовые д 253 — 2000 аптека диод как выглядит диод инструмент диод полупроводниковый диод ганна изображение диод in4007 диод д 204 диоды группа диод выпрямительный д226б цена параметры фото диодов технические характеристики диода sr360 hb и 1n5401n406 вольтамперная характеристика диода lum-4psw яркость диода пайка диодов прайс на лазерные диоды параметры диод sincere 14d151k аналог ооо диод обратный ток германиевых выпрямительных диодов малой и средней мощности составляет диод ku 290r диоды sag33 триот и диод продаю мощные лазерные диоды диоды к блок диодов и резисторов теория изучение работы полупроводникового диода микросхемы транзисторы импортные диоды lm2576-50 278r33 аналог диода аа118 диод 200 мвт триод и диод квн-2009 18 визитка физикаполупроводниковый диод тепература диод гп что это такое цветовая маркировка диодов диод д 132 схема на диодах цветомузыка диоды д112-10 диоды условные обозначения всех типов диод t25-4-k2 характеристека диодов диод 2д507 диод вл 200 кассификация условные обозначения диодов как работает диод шоттке экология жизни диод сайт диод д132-50-1 диоды к компу диод 2а518б-4 годы выпуска диоды ндт-500-12 статистические параметры диодов вакансии московский завод диод менеджер характеристики диода д232 автогаборит диод мощные лазерные диоды цена прософт диоды диоды излучающие kingbright рефераты диод кд102а микросхемы транзисторы диоды lm2575-5 0 278r33 диод 161 на 320а «диод кд 411б характеристики» диод kiv 44 параметри диод д226в лавинопролетных диоды диод кд102а 50в диод вл 50 диод характеристика для чего применяется вакуумный диод подсветка диод овая для скутера справочник радиодеталий диод диод оао объем продаж 2006 диод кд209а генератор г273в13701 замена диода рефераты варикапы варак торные диоды диод бад экономическое состояние диод д1005б куда питать диоды в компьютере характеристики диод силовые взаимозаменяемость медицинская клиника диод справочник диод кд 917 устройство и принцип работы полупроводниковых диодов на автомобиле эквивалентный диод линейка лазерных диодов в количестве сотен используется в технологиях изготовления офсетных печатных форм по технологии триод и диод 2009 диод для двд приток куры диод характеристик диодов д242 мдп свч диоды новости диоды в салон диод зенера параметры диода д 226а полупроводники диоды тиристоры фестиваль команд квн в гсочи кивин-2009 триод и диод смоленск смотреть магазины свето диоды в казане диод 161-200 расчет диодов выпрямительного моста выбор диодов в схеме радиоприемник цс-5 собран по супергетеродинной схеме с отдельным гетеродином на одиннадцати транзи­сторах и пяти диодах диод д132-80-10 диод b 950a свето диоды для освещения магазины диод в москве новый имидж для дома детского тврчества диода как сделать полупроводник свето диод катаральный диоде отит для чего используется вакуумный диод sod523 высоковольтный диод чип диод pj53 инжекционный лазерный диод

диод% 20300f техническое описание и примечания по применению

fgt313

Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A Diode SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096, диод ry2a
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 fgt313 транзистор fgt313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 fgt412 РБВ-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a
перекрестная ссылка диода

Аннотация: перекрестная ссылка на диод Шоттки MV3110 AH513 AH512 AH761 Диод Ганна Ah470 импатт-диод DMK-6606
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF MA40401 MA40402 MA40404 MA40405 MA40406 MA40408 перекрестная ссылка диода перекрестная ссылка на диод Шоттки MV3110 AH513 AH512 AH761 Диод Ганна Ач470 импат-диод DMK-6606
2002 — SE012

Аннотация: sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 sanken SE140N STA474 UX-F5B
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 Санкен SE140N STA474 UX-F5B
Антенна GPS AT65

Резюме: MA4EX580L1-1225T MA4ST1081CK-287 ELDC-17LITR MA4ST1081 MA4P789ST-287T etc1-1-13tr MAALSS0042 MAAVSS0007 MADRCC0013
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF AM50-0002 AM50-0003 AM50-0004 AM50-0006 AT10-0009 AT10-0017 AT10-0019 AT-108 АТ-110-2 AT-113 Антенна GPS AT65 MA4EX580L1-1225T MA4ST1081CK-287 ELDC-17LITR MA4ST1081 MA4P789ST-287T etc1-1-13tr MAALSS0042 MAAVSS0007 MADRCC0013
диод

Аннотация: диод стабилитрон 1N4148 «высокочастотный диод» стабилитрон A 36 кодовый диод 1n4148 стабилитрон диод Шоттки стабилитрон частотный высокочастотный диод 8889
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF 1N4148 1N4148W 1N4150 1N4150W 1N914 1N4151 1N4151W 1N4448 1N4448W 1N4731 диод стабилитрон диодный 1Н4148 «высокочастотный диод» стабилитрон A 36 коде диод 1n4148 стабилитрон Диод Шоттки Частота стабилитрона высокочастотный диод 8889
KIA78 * pI

Реферат: транзистор КИА78 * п ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ МОП-транзистор хб * 2Д0Н60П KIA7812API
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E KIA78 * pI транзистор KIA78 * р ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n KID65004AF Транзистор MOSFET хб * 2Д0Н60П KIA7812API
CTX12S

Аннотация: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N ​​2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F
2SC5586

Реферат: транзистор 2SC5586, диод RU 3AM 2SA2003, СВЧ диод 2SC5487, однофазный мостовой выпрямитель ИМС с выходом 1A RG-2A Diode Dual MOSFET 606 2sc5287
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод СВЧ 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A Диод РГ-2А Двойной полевой МОП-транзистор 606 2sc5287
2001 — диод РУ 3АМ

Аннотация: диод RU 4B RG-2A Диод MN638S диод RU 4AM FMM-32 SPF0001 красный зеленый зеленый стабилитрон sta464c Diode RJ 4B
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
Варистор RU

Аннотация: Транзистор SE110N 2SC5487 SE090N 2SA2003 Транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 RBV-406
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор РУ SE110N транзистор 2SC5487 SE090N 2SA2003 транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 РБВ-406
fn651

Абстракция: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 fn651 CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 РБВ-4156Б SLA4037 2sk1343
1N4007 стабилитрон

Аннотация: диод A14A диод st4 diac diode a15a стабилитрон db3 стабилитрон 1n4744 диод стабилитрон 1n4002 стабилитрон 5A стабилитрон 400в
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 1N5400 1N5401 1N5402 1N4007 ЗЕНЕР ДИОД диод A14A диод st4 diac диод a15a стабилитрон db3 стабилитрон 1n4744 стабилитрон диодный 1н4002 стабилитрон 5А стабилитрон 400 в
кб * 9Д5Н20П

Аннотация: Стабилитрон khb9d0n90n 6v транзистор khb * 2D0N60P KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема транзистора ktd998
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n Стабилитрон 6в хб * 2Д0Н60П транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н ktd998 транзистор
Q2N4401

Аннотация: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF RD91EB Q2N4401 D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751
2012 — SR506 Диод

Аннотация: диод 6А 1000в SM4007 Diode Diode SR360 diode her307
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF SMD4001-4007) SR560 DO-27 UF4004 DO-41 UF4007 10A10 LL4148 FR101-FR107 SR506 Диод диод 6А 1000в SM4007 Диод Диод SR360 диод her307
2006 — термодиод

Аннотация: Тепловой диод PowerPC970MP CY8C27243 PPC970MP PowerPC970MPTM PowerPC970MP PowerPC 970 PowerPC-970mp Использование тепловых диодов в процессоре PowerPC 970MP
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF PowerPC970MP® 64-битный PowerPC970MPTM 970 МП) 970 МП термодиод Тепловой диод PowerPC970MP CY8C27243 PPC970MP PowerPC970MPTM PowerPC970MP PowerPC 970 PowerPC-970mp Использование тепловых диодов в процессоре PowerPC 970MP
OZ Optics Пигтейл оптического волокна AR покрытие

Аннотация: Лазерный диод 1550нм 1300нм 1550нм лазерный диод Радиальный sma ОПТИЧЕСКОЕ ВОЛОКНО LDC-21A ЛАЗЕРНЫЙ ИЗМЕРИТЕЛЬ РАССТОЯНИЯ лазерный соединитель SMA 905 размеры волокна линза лазерный диод НАКЛОН ВРАЩАТЕЛЬ
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF -40 дБ OZ Optics Fiber пигтейл AR покрытие Лазерный диод 1550нм 1300нм Лазерный диод 1550 нм Радиальное sma ОПТИЧЕСКОЕ ВОЛОКНО LDC-21A ЛАЗЕРНЫЙ ИЗМЕРИТЕЛЬ РАССТОЯНИЯ лазерный соединитель Размеры волокна SMA 905 линза лазерный диод НАКЛОН ВРАТОРА
Германиевый диод

Аннотация: 5-амперные диодные выпрямители Germanium Diode OA91 aa117 diode 2 Amp rectifier diode diode 2 Amp стабилитрон DIODE 1N649 германиевый выпрямительный диод OA95 диод
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF 1N34A 1Н38А 1N60A 1N100A 1N270 1N276 1N277 1N456 1N459 1N456A Германиевый диод Диодные выпрямители на 5 ампер Германиевый диод OA91 aa117 диод Выпрямительный диод на 2 А диод 2-амперный стабилитрон ДИОД 1Н649 германиевый выпрямительный диод Диод OA95
диод Шоттки 60V 5A

Аннотация: Высокоскоростной диод 30A Диод Шоттки 20V 5A Диод Шоттки высокого обратного напряжения маркировка код 1A диод Schottky Diode 40V 2A диод Шоттки код 10 Барьер Шоттки 3A БАРЬЕРНЫЙ ДИОД ШОТТКИ ERG81-004
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 5 В / 10 А) 500нс, диод шоттки 60V 5A 30А быстродействующий диод Диод Шоттки 20V 5A Диод Шоттки, высокое обратное напряжение код маркировки 1А диод Диод Шоттки 40V 2A диод шоттки код 10 Барьер Шоттки 3A БАРЬЕРНЫЙ ДИОД ШОТТКИ ERG81-004
Диод Ганна

Аннотация: Кремниевый СВЧ-детектор Диод DW9248 СВЧ-волновод Кремниевый детектор Маркони Ганна УВЧ диод варактор диодный фильтр варактор
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF DA1304 DA1307 DA1321 DA1321-1 DA1338 DA1338-1 DA1338-2 DA1338-3 DA1349-2 DA1349-4 Диод Ганна Кремниевый детекторный диод СВЧ DW9248 СВЧ волновод Маркони Гунн Кремниевый детектор УВЧ диод варакторный диодный фильтр варактор
pm2222a

Аннотация: BCB47B SOD80C PHILIPS BF960 PMBTA64 1N4148 SOD80C PXTA14 BCB47BW pzt222a BF606A
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF BA582 OD123 BA482 BA682 BA683 BA483 BAL74 BAW62, 1N4148 pm2222a BCB47B SOD80C ФИЛИПС BF960 PMBTA64 1N4148 SOD80C PXTA14 BCB47BW pzt222a BF606A
схемы сварки

Реферат: многопереходный «солнечный элемент» EMCORE CIC Emcore солнечный дуговой реактор солнечного элемента Многопереходный диодный элемент Шоттки «солнечный элемент»
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
2009 — 2850 тыс.

Реферат: 2850MT 1200 RTV 2850FT RTV-615 1N6515 1N5550 диод из литого эпоксидного герметика с piv 40v
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 1N6515 1N5550 2850КТ 2850МТ 1200 RTV 2850 футов РТВ-615 1N6515 1N5550 шотландская эпоксидная смола заливочный материал диод с шипом 40в
1998 — Стабилитрон 3в 400 мВт

Аннотация: транзистор bc548b BC107 транзистор транзистор bc108 bc547 схема перекрестных ссылок Транзистор BC109 DIAC OB3 DIAC Br100 74HCT Спецификация семейства IC TRANSISTOR mosfet BF998
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF DS750 87C750 80C51 PZ3032-12A44 БУК101-50ГС BUW12AF BU2520AF 16 кГц BY328 Стабилитрон 3в 400мВт транзистор bc548b BC107 транзистор ТРАНЗИСТОР BC108 bc547 таблица перекрестных ссылок Транзистор BC109 DIAC OB3 DIAC Br100 Спецификация семейства 74HCT IC ТРАНЗИСТОР MOSFET BF998
Фазовращатель УВЧ

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF

SAK-TC334LP-32F300F AA — Infineon Technologies

Электронное обучение

Интерфейсы связи AURIX ™ TC3xx

  • Укажите коммуникационные интерфейсы, доступные в AURIX ™ TC3xx и
  • Узнайте об их основных характеристиках

Смотреть электронное обучение

Что делает AURIX ™ таким простым в использовании

  • С легкостью перемещайтесь по инфраструктуре нашего веб-сайта и указывайте, где найти легкодоступные источники информации и документации AURIXTM
  • С легкостью идентифицируйте наши инструменты и программную платформу, нашу партнерскую экосистему, а также нашу платформу комплектов и ее вспомогательную экосистему

Смотреть электронное обучение

Основы концепции беспроводного программного обеспечения с использованием AURIX ™

  • Узнайте, почему системы требуют частого обновления, как это делается и как автомобильные системы пытаются обеспечить свою безопасность при обновлении
  • Узнайте, как семейства микроконтроллеров AURIX ™ поддерживают беспроводные обновления программного обеспечения.

Смотреть электронное обучение

Безопасная связь по CAN

Узнайте, как хакеры используют шину CAN для создания помех внутри автомобиля, и узнайте, как микроконтроллеры Infineon AURIX ™ поддерживают безопасную связь по CAN.

Смотреть электронное обучение

Семейство 32-разрядных микроконтроллеров AURIX ™ для CAV

  • Узнайте о семействе 32-разрядных многоядерных микроконтроллеров AURIX ™
  • Узнайте, как это применимо к коммерческим, строительным и сельскохозяйственным транспортным средствам (CAV)
  • Ознакомьтесь со стандартами безопасности и имеющимися моделями поддержки, а также
  • Узнайте, какие инструменты и комплекты разработки доступны и где их найти.

Смотреть электронное обучение

AURIX ™ 1G

  • Определение целевых сегментов приложений первого поколения AURIX ™, определение тенденций и портфолио;
  • Признать основу для высокого уровня безопасности AURIX ™ и, наконец,
  • Изучите характеристики программного обеспечения AURIX ™ и его доступные инструменты.

Смотреть электронное обучение

AURIX ™ для расширенных систем помощи водителю

  • В этом тренинге вы узнаете, что такое ADAS
  • Поймите, как AURIX ™ подходит для приложений ADAS, и
  • Знайте, где найти модели поддержки AURIX ™, инструменты и комплекты средств разработки

Смотреть электронное обучение

Аппаратный модуль безопасности AURIX ™ для автомобильной кибербезопасности

  • Будьте в курсе растущего рынка подключенных автомобилей
  • Поймите, как подключение создает угрозу безопасности
  • Понимание того, как работает аппаратный модуль безопасности (HSM) AURIX ™ 1-го поколения, его основные функции и приложения

Смотреть электронное обучение

Электрификация силовых агрегатов и решения Infineon для инверторов

  • Понимание важности электрификации трансмиссии
  • Ознакомиться с режимами работы системы электропривода

Смотреть электронное обучение

Как AURIX ™ удовлетворяет потребности приложений для электромобилей

  • Узнайте, как AURIX ™ может удовлетворить потребности рынка электромобилей
  • Узнайте и исследуйте, как AURIX ™ TC3xx решает основные проблемы электромобилей, и поймите основные особенности микроконтроллера AURIX ™ TC3xx.

Смотреть электронное обучение

OPTIGA ™ Trusted Platform Module и AURIX ™: идеальные партнеры в области кибербезопасности автомобилей

  • Определите общие угрозы безопасности современных автомобилей
  • Понять, как OPTIGA ™ TPM может помочь автомобильным системам достичь высокого уровня безопасности и их приложений в различных сценариях использования в различных средах хоста

Смотреть электронное обучение

  • Поймите, что такое TriCore ™, и определите преимущества, которые он дает пользователям
  • Будьте в курсе перспектив развития событий

Смотреть электронное обучение

  • Узнайте об определении контроллеров шлюза и зон и их типичных приложениях
  • Узнайте о новых требованиях к маршрутизации контроллеров шлюза и зон и получите обзор наиболее общих блок-схем для контроллеров шлюзов и зон.

Смотреть электронное обучение

  • Классификация угроз кибербезопасности в будущей автомобильной электрической и электронной архитектуре
  • Определите, как микроконтроллеры Infineon нового поколения AURIX ™ TC4x могут уменьшить угрозы кибербезопасности.

Смотреть электронное обучение

  • Объясните, как основные автомобильные тенденции влияют на эволюцию электрических и электронных или E / E архитектур автомобилей
  • Определите тенденции в концепциях архитектуры электронного и электронного оборудования и их влияние на сетевые технологии, а также узнайте решения, которые Infineon предоставляет для поддержки существующих и будущих архитектур электронного и электронного оборудования.

Смотреть электронное обучение

Температурные датчики



ЦЕЛИ ОБУЧЕНИЯ:

  • Опишите различные методы измерения температуры.
  • Обсудите различные устройства, предназначенные для работы при изменении температуры.
  • Перечислите несколько приложений для устройств измерения температуры.
  • Прочтите и нарисуйте символы NEMA для переключателей температуры.

Часто способность определять температуру очень высока. важность. Промышленный электрик столкнется с некоторыми устройствами, сконструированными менять набор контактов при изменении температуры и других устройств используется для определения количества температуры.Используемый метод зависит от большого иметь дело с областями применения схемы и величиной температуры, которая нужно почувствовать.

Расширение металла


Fgr. 1 Металл расширяется при нагревании.

Очень распространенный и надежный метод измерения температуры — это расширение металла. Давно известно, что металл при нагревании расширяется. Количество расширения пропорционально двум факторам:

1. Тип используемого металла.

2. Величина температуры.

Рассмотрим металлический стержень, показанный на рис. 1. Когда штанга нагревается, ее длина расширяется. Когда металлу дают остыть, он сжимается. Несмотря на то что количество движений из-за сжатия и расширения невелико, простой механический принцип может быть использован для увеличения количества движения (Fgr. 2).

Металлический стержень механически удерживается за один конец. Это позволяет количество расширения быть только в одном направлении.Когда металл нагревается и штанга расширяется, она прижимается к механическому рычагу. Небольшое движение штанги вызывает большое движение механической руки. Этот повышенное движение руки может использоваться для обозначения температуры полосу, прикрепив указатель и шкалу, или использовать переключатель, как показано. Следует понимать, что иллюстрации используются для передачи принципа. На практике переключатель, показанный на рис. 2 будет подпружинен к обеспечить «щелчок» для контактов.Электрические контакты никогда не должны открываться или закрываться медленно. Это приводит к плохому контакту давление и вызовет возгорание контактов или вызовет неустойчивую работу оборудования, которым они предназначены.

Реле горячего пуска


Fgr. 2 Раскладной металл управляет набором контактов.

Очень распространенное устройство, работающее по принципу расширения металла. набор контактов — реле запуска горячего провода, найденное в холодильнике промышленность.Реле горячего провода названо так потому, что в нем используется длина резистивной провод, подключенный последовательно к двигателю, для измерения тока двигателя. Диаграмма реле этого типа показано на рис. 3.


Fgr. 3 Подключение реле горячего провода.

Когда контакт термостата замыкается, ток может течь от линии L1 к клемму L реле. Затем ток течет через резистивный провод, подвижный рычаг, и нормально замкнутые контакты для запуска и запуска обмотки.Когда через резистивный провод течет ток, его температура увеличивается. Это повышение температуры приводит к расширению проволоки в длина. Когда длина увеличивается, подвижная рука опускается вниз. Это давление, направленное вниз, вызывает растяжение пружин обоих контактов. Реле сконструировано таким образом, что пусковой контакт размыкается первым, отключение пусковой обмотки двигателя от цепи. Если ток двигателя не является чрезмерным, провод никогда не станет достаточно горячим, чтобы вызвать перегрузку контакт, чтобы открыть.Однако если ток двигателя станет слишком большим, температура резистивного провода станет достаточно высокой, чтобы вызвать провод расширяться до такой степени, что это вызовет перегрузку контакта открыть и отсоединить обмотку двигателя от цепи.

Ртутный термометр

Еще одно очень полезное устройство, работающее по принципу сжатия и расширения металла, — это ртутный термометр. Ртуть — это металл, который остается в жидком состоянии при комнатной температуре.Если ртуть ограничена в стеклянной трубке, как показано на рис. 4, он будет подниматься вверх по трубе при расширении из-за повышения температуры. Если трубка откалибрована правильно, он обеспечивает точное измерение температуры.

Биметаллическая лента


Fgr. 4 Ртутный термометр работает путем расширения металла.


Fgr. 5 Биметаллическая полоса.


Fgr. 6 Биметаллическая полоса коробится при изменении температуры.

Биметаллическая полоса — это еще одно устройство, работающее за счет расширения металл. Вероятно, это наиболее распространенный датчик тепла, используемый в производстве. комнатных термостатов и термометров. Биметаллическая полоса изготавливается склеиванием два разных типа металла вместе (Fgr. 5). Поскольку эти два металла не похожи друг на друга, у них разная скорость расширения. Это вызывает полосу гнуться или коробиться при нагревании (рис. 6). Биметаллическую полосу часто формуют в спиралевидной формы, как показано на рис.7. Спираль позволяет использовать более длинный биметалл. полоса для использования в небольшом пространстве. Желательна длинная биметаллическая полоса, потому что он демонстрирует большее движение при изменении температуры.

Если один конец полосы удерживается механически и прикреплен указатель к центру спирали, изменение температуры вызовет указатель вращать. Если за указателем поместить калиброванную шкалу, она станет термометр. Если центр спирали удерживается на месте и контакт прикрепляется к концу биметаллической планки, он становится термостатом.А небольшой постоянный магнит используется для обеспечения мгновенного действия контактов (Fgr. 8). Когда подвижный контакт достигает точки, близкой к при неподвижном контакте магнит притягивает металлическую полосу и вызывает внезапное замыкание контактов. Когда биметаллическая полоса остывает, она отрывается от магнит. Когда сила биметаллической полосы станет достаточно большой, он преодолевает силу магнита, и контакты размыкаются.


Fgr. 7 Биметаллическая полоска, используемая в качестве термометра.


Fgr. 8 Биметаллическая полоса, используемая для управления набором контактов.


Fgr. 9 Термопара.

Термопары

В 1822 году немецкий ученый по имени Зеебек обнаружил, что когда два разных металлы соединяются на одном конце, и этот переход нагревается, напряжение составляет произведено (Fgr. 9). Это известно как эффект Зеебека. Устройство произведено путем соединения двух разнородных металлов с целью производства электроэнергии с теплом называется термопарой.Количество напряжения, производимого термопара определяется по:

1. Тип материалов, из которых изготовлена ​​термопара.

2. Разница температур двух спаев.

График в Fgr. 10 показаны распространенные типы термопар. Разные показаны металлы, используемые в конструкции термопар, а также их нормальные температурные диапазоны.


Fgr. 10 Таблица термопар.

Величина напряжения, создаваемого термопарой, мала, обычно в порядка милливольт (1 милливольт = 0.001 вольт). Полярность Напряжение некоторых термопар определяется температурой. Например., термопара типа «J» выдает нулевое напряжение при температуре около 32F. В температурах выше 32F, железная проволока положительна, а константановая проволока отрицательный. При температуре ниже 32 ° F железная проволока становится отрицательной, а константановая проволока становится положительной. При температуре + 300F Термопара типа «J» будет выдавать напряжение около +7,9 мил. вольт. При температуре -300F он будет производить напряжение около -7.9 милливольт.

Поскольку термопары вырабатывают такое низкое напряжение, их часто подключают последовательно, как показано на Fgr. 11. Это соединение называется термобатареей. Термопары и термобатареи обычно используются для определения температуры. измерения и иногда используются для обнаружения присутствия пилота свет в приборах, работающих на природном газе. Термопара обогревается контрольной лампой. Ток, создаваемый термопарой, равен используется для создания магнитного поля, которое удерживает газовый клапан открытым и позволяет газ подавать к основной горелке.Если контрольная лампа должна погаснуть, термопара перестает производить ток, и клапан закрывается (Fgr. 12).

Температурные датчики сопротивления

Температурный датчик сопротивления (RTD) изготовлен из платиновой проволоки. В сопротивление платины сильно меняется с температурой. Когда платина нагревается, его сопротивление увеличивается с очень предсказуемой скоростью; это делает RTD — идеальное устройство для очень точного измерения температуры.RTD используются для измерения температуры в диапазоне от -328 до +1166 градусов По Фаренгейту (от -200 до +630 C). РДТ выполнены в разных стилях для выполнения разные функции. Fgr. 13 показан типичный RTD, используемый в качестве пробника. Очень маленькая катушка платиновой проволоки заключена в медный наконечник.

Медь используется для обеспечения хорошего теплового контакта. Это позволяет зонд быть очень быстрым. График в Fgr. 14 показывает сопротивление в зависимости от температуры для типичного датчика RTD.Температура указывается в градусах Цельсия, а сопротивление — в омах. RTD в двух разных стилях корпуса: показано на Fgr. 15.


Fgr. 11 Термобатарея


Fgr. 12 Термопара обеспечивает питание предохранительного запорного клапана.

Термисторы

Термин термистор образован от слов «термический резистор». Термисторы фактически являются термочувствительными полупроводниковыми приборами. Есть два основных типы термисторов: один тип имеет отрицательный температурный коэффициент (NTC), а другой — положительный температурный коэффициент (PTC).Термистор с отрицательным температурным коэффициентом снизит сопротивление при повышении температуры. Термистор с положительной температурой коэффициент будет увеличивать свое сопротивление при повышении температуры. Термистор NTC является наиболее широко используемым.

Термисторы — устройства с высокой нелинейностью. По этой причине они трудны использовать для измерения температуры. Приборы, измеряющие температуру с термистор должен быть откалиброван для конкретного типа термистора. использовал.Если термистор когда-либо будет заменен, он должен быть точной заменой. или цепь больше не будет работать правильно. Из-за их нелинейной характеристики, термисторы часто используются как датчики уставки, а не к фактическому измерению температуры. Детектор уставки — это устройство, которое активирует какой-либо процесс или схему, когда температура достигает определенного уровень. Например, предположим, что внутри статора установлен термистор. обмотка двигателя. Если двигатель перегреется, обмотки могут быть серьезно повреждены или разрушены.Термистор можно использовать для определения температуры обмоток. Когда температура достигает в определенный момент значение сопротивления термистора меняется в достаточной степени чтобы вызвать выпадение катушки стартера и отсоединить двигатель от линия.

Термисторы

могут эксплуатироваться в диапазоне температур от +100 ° С до +100 ° С. Ф на +300 F.


Fgr. 13 Температурный датчик сопротивления.

===

градусов Цельсия, сопротивление (Ом)

0, 100 50, 119.39, 100 138,5, 150 157,32, 200 175,84, 250 194,08, 300 212,03, 350 229,69, 400 247,06, 450 264,16, 500 280,93, 550 297,44, 600 313,65

===


Fgr. 14 Температура и сопротивление для типичного RTD.


Fgr. 15 RTD в разных стилях корпуса.


Fgr. 16 Твердотельное пусковое реле.

Термисторы обычно используются в твердотельных пусковых реле. с небольшими холодильными компрессорами (Fgr.16). Используются пусковые реле с герметичными двигателями для отключения пусковых обмоток от цепь, когда двигатель достигает примерно 75% своей полной скорости. Термисторы могут использоваться для этого приложения, потому что они демонстрируют чрезвычайно быстрое изменение сопротивления при изменении температуры. Схематическая диаграмма подключение твердотельного реле показано на рис. 17.

При первом подаче питания на цепь термистор холодный и имеет относительно низкое сопротивление.

Это позволяет току течь через пусковую и рабочую обмотки мотор. Температура термистора увеличивается из-за тока протекает через него. Повышение температуры вызывает сопротивление измените значение с очень низкого значения 3 или 4 Ом до нескольких тысяч Ом. Этот увеличение сопротивления происходит очень внезапно и приводит к открытию набора контактов, включенных последовательно с пусковой обмоткой. Хотя начало обмотка никогда полностью не отключается от ЛЭП, количество тока через него очень мало, обычно 0.03 до 0,05 ампера, и не влияет на работу мотора. Эта небольшая утечка ток поддерживает температуру термистора и предотвращает его возвращение к низкому сопротивлению. После отключения питания от двигателя, необходимо подождать около 2 минут перед повторным запуском. мотор. Этот период охлаждения необходим для возврата термистора. к низкому значению сопротивления.

Соединение PN

Еще одно устройство, способное измерять температуру, — это PN-переход, или диод.Диод становится очень популярным прибором для измерения температуры. потому что он точный и линейный.

При использовании кремниевого диода в качестве датчика температуры постоянный ток проходит через диод.

Fgr. 18 иллюстрирует этот тип схемы. В этой схеме резистор R1 ограничивает ток, протекающий через транзистор и диод датчика. Значение R1 также определяет величину тока, протекающего через диод. Диод D1 — 5.Стабилитрон 1 вольт, используемый для создания постоянного падения напряжения между база и эмиттер PNP-транзистора. Резистор R2 ограничивает количество тока через стабилитрон и базу транзистора. D1 — обычный кремниевый диод. Используется как датчик температуры для схемы. Если к диоду подключен цифровой вольтметр, можно увидеть падение напряжения от 0,8 до 0 вольт. Количество напряжения падение определяется температурой диода.


Fgr. 17 Подключение твердотельного пускового реле.


Fgr. 18 Генератор постоянного тока.

Показана другая схема, которая может использоваться как генератор постоянного тока. в Fgr. 19. В этой схеме полевой транзистор (FET) используется для производят генератор тока. Резистор R1 определяет величину тока который будет протекать через диод. Диод D1 — датчик температуры.

Если диод подвергается более низкой температуре, скажем, прикоснувшись к нему кусок льда, падение напряжения на диоде увеличится.Если температура диода увеличивается, падение напряжения будет уменьшаться, потому что диод имеет отрицательный температурный коэффициент. По мере увеличения его температуры падение напряжения на нем становится меньше.

In Fgr. 20 два диода, соединенные последовательно, используются для построения электронный термостат. Два диода используются для увеличения количества напряжения. падение при изменении температуры. Полевой транзистор и резистор используются для обеспечения постоянного тока двух диодов, используемых в качестве источника тепла. датчик.Операционный усилитель используется для включения твердотельного реле. или выключается при изменении температуры. В показанном примере схема будет работают как термостат нагрева. Выход усилителя включится включается, когда температура достаточно снижается. Схема может быть преобразована к охлаждающему термостату, поменяв местами подключения инвертирующего и неинвертирующего входов усилителя.


Fgr. 19 Полевой транзистор, используемый для создания генератора постоянного тока.


Fgr. 20 Твердотельный термостат, использующий диоды в качестве тепловых датчиков.

Расширение из-за давления

Другой распространенный метод определения изменения температуры — повышение температуры. давления некоторых химикатов. Хладагенты в закрытом контейнере, например, повысит давление в баллоне при увеличении температуры. Если простой сильфон подключен к линии, содержащей хладагент (Fgr.21) сильфон будет расширяться по мере того, как давление внутри герметичной системы увеличивается. Когда температура окружающего воздуха понижается, давление внутри системы уменьшается, и сильфон сжимается. Когда температура воздуха увеличивается, давление увеличивается и сильфон расширяется. Если мех управляет набором контактов, становится термостатом сильфонного типа. Мех термостат и стандартные символы NEMA, используемые для обозначения температуры управляемый переключатель показан на рис.22.


Fgr. 21 Сильфон сжимается и расширяется при изменении давления хладагента.


Fgr. 22 Промышленное реле температуры.


Fgr. 23 Интеллектуальный преобразователь температуры в разрезе.

Интеллектуальные преобразователи температуры

Стандартные преобразователи температуры обычно посылают сигнал от 4 до 20 мА на указать температуру. Они откалиброваны для определенного диапазона температур. например, от 0 до 100 градусов.Стандартные передатчики предназначены для работы с одним типом датчика, таким как RTD, термопара и т. д. Любые изменения к настройке требуется повторная калибровка агрегата.

Интеллектуальные преобразователи

содержат внутренний микропроцессор и могут быть откалиброваны. из диспетчерской, послав сигнал на передатчик. Это также возможность проверить передатчик на наличие проблем из удаленного места. Вид интеллектуального преобразователя температуры в разрезе показан на рис.23. Передатчик, показанный на Fgr. 23 использует HART (Highway Addressable Remote Преобразователь) протокол. Этот передатчик может принимать RTD, дифференциальный RTD, входы термопары, сопротивления и милливольт. Умный датчик температуры с измерителем показано в Fgr. 24.


Fgr. 24 Интеллектуальный преобразователь температуры с измерителем.

ВИКТОРИНА :

1. Следует ли нагревать или охлаждать металлический стержень, чтобы он расширился?

2.Какой металл остается в жидком состоянии при комнатной температуре?

3. Как изготавливается биметаллическая лента?

4. Почему биметаллические ленты часто имеют спиралевидную форму?

5. Почему нельзя позволять электрическим контактам размыкаться или замыкаться медленно?

6. Какие два фактора определяют величину напряжения, создаваемого термопарой?

7. Что такое термобатарея?

8. Что обозначают буквы RTD?

9.Какой тип провода используется для изготовления RTD?

10. Из какого материала изготовлен термистор?

11. Почему трудно измерить температуру термистором?

12. Если температура NTC термистор увеличивается, его сопротивление увеличится или уменьшится?

13. Как сделать кремниевый диод для измерения температуры?

14. Предположим, что кремниевый диод используется в качестве датчика температуры.Если его температура увеличивается, будет ли его падение напряжения увеличиваться или уменьшаться?

15. Какой тип химического вещества используется, чтобы вызвать изменение давления в сильфонном типе термостат?

569-0212-300F — ДИАЛАЙТ | X-ON

ЦВЕТ СВЕТОДИОДА REV ECN NO REVISIONS DRN CKD APP DATE НОМЕР ЧАСТИ ПОЛОЖЕНИЕ 1 ПОЛОЖЕНИЕ 2 Соответствует RoHS 569-XX1X-X00F, двухуровневое сквозное отверстие CBI A NEW RELEASE TWC MES N.O. 12-14-05 ВНИМАНИЕ: Номера деталей с окончанием суффикса «F» соответствуют требованиям RoHS.ДОБАВЛЕН P / N 569-0111-000F; 569-0111-000F КРАСНЫЙ ОТТЕНОК ПУСТОЙ ОТРАЖЕННЫЙ B TWC MES N.O. 3-1-06 Например: 569-0112-700F СОБЛЮДАЙТЕ МЕРЫ ПРЕДОСТОРОЖНОСТИ ДЛЯ ОБНОВЛЕННОЕ ОБОЗНАЧЕНИЕ ESD 569-0111-100F КРАСНЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ ОТРАЖЕННЫЙ КРАСНЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ На упаковке имеется этикетка «Соответствует RoHS» или ОБРАЩЕНИЕ С ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИМ ДОБАВЛЕН P / N’S 569-2211-100F, эквивалентная маркировка. Детали могут быть припаяны волной, пайкой погружением, 569-0111-200F КРАСНЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ ЗЕЛЕНЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ УСТРОЙСТВА 569-2212-200F и 569-2213-300F; или ручной пайки с использованием типичного процесса бессвинцовой пайки с C KLJ ALV N.О. 6-8-09 ОБНОВЛЕННЫЕ ДОПУСКИ; ДОБАВЛЕННЫЕ ЗАМЕЧАНИЯ 569-0111-300F КРАСНЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ ЖЕЛТЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ макс 260 $ C темп. на 5 сек. 3, 4 и 5; ДОБАВЛЕННАЯ ДЛИНА ВОЛНЫ ДОМА. 569-0111-700F КРАСНЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ ОРАНЖЕВЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ D ДОБАВЛЕН P / N 569-0111-300F AJF KLJ NO 9-22-10 569-0111-900F КРАСНЫЙ ОТТЕНОК РАССЕЯННЫЙ СИНИЙ; БЕЛЫЙ РАССЕЯННЫЙ 569-0112-000F ЗЕЛЕНЫЙ ОТТЕНОК ПУСТОЙ ОТРАЖЕННЫЙ 569-0112-100F ЗЕЛЕНЫЙ ОТТЕНОК ОТРАБОТАННЫЙ КРАСНЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ 569-0112-200F ЗЕЛЕНЫЙ ОТТЕНОК ДИФФУЗИРОВАННЫЙ ЗЕЛЕНЫЙ ОТТЕНОК ОТТЕНОЧНЫЙ 569-0112-300F ЗЕЛЕНЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ ЖЕЛТЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ 569-0112-700F ЗЕЛЕНЫЙ ОТТЕНОК ОТТЕНОК ОРАНЖЕВЫЙ ОТТЕНОК ОТТЕНОК РАБОЧИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПРИ ОКРУЖАЮЩЕЙ СРЕДЕ 25 $ C 569-0113-100F ЖЕЛТЫЙ ОТТЕНОК РАССЕИВАННЫЙ КРАСНЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ ОТТЕНОК СВЕТИЛЬНИК ВПЕРЕД ПЕРВЫЙ ОБРАТНЫЙ ОБЗОР ДОМИНАНТНЫХ ПИКОВ СВЕТИЛЬНИК ВПЕРЕД 569-0113-200F ЖЕЛТЫЙ ОТТЕНОК РАССЕИВАННЫЙ ЗЕЛЕНЫЙ ОТТЕНОК ОТТЕНОЧНЫЙ DIM DIM DIM DIM СВЕТОДИОД ЦВЕТ ИНТЕНСИВНОСТЬ НАПРЯЖЕНИЕ ТОК ТОК ДЛИНА ВОЛНЫ ДЛИНА УГОЛ ИНТЕНСИВНОСТЬ НАПРЯЖЕНИЯ / «А» «В» «Г» «B» 569-0113-300F ЖЕЛТЫЙ ОТТЕНОК РАССЕЯННЫЙ ЖЕЛТЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ (мкд) (В) (мА) (А) (нм) (нм) (ДЭГ) ТЕКУЩИЙ ТЕКУЩИЙ 569-0117-000F ОРАНЖЕВЫЙ ОТТЕНОК ПУСТОЙ ОТРАЖЕННЫЙ УСЛОВИЯ ИСПЫТАНИЯ УСЛОВИЯ МИН ТИП МАКС ТИП МАКС ТИП МАКС МАКС МИН ТИП МАКС ТИП ТИП 569-0117-700F ОРАНЖЕВЫЙ ОТТЕНОК ОТТЕНОК ОРАНЖЕВЫЙ ОТТЕНОК ОТТЕНОЧНЫЙ КРАСНЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ РАССЕИВАННЫЙ.150 .118 # .010 .018 x .016 .040 IF = 10 мА 7,4 10 IF = 20 мА 2,0 2,8 100 623 635 60 569-0119-900F СИНИЙ; БЕЛЫЙ РАССЕЯННЫЙ СИНИЙ; БЕЛЫЙ РАССЕЯННЫЙ ЗЕЛЕНЫЙ ОТТЕНОК ОТРАЖЕННЫЙ .150 .118 # .010 .018 x .016 .040 IF = 10 мА 4,7 12,6 IF = 20 мА 2,1 2,8 100 569 565 60 569-0211-100Ф КРАСНЫЙ РАССЕЯННЫЙ; 2 мА LC КРАСНЫЙ РАССЕЯННЫЙ; 2 мА ЖК ЖЕЛТЫЙ ОТТЕНОК РАССЕЯННЫЙ .150 .118 # .010 .018 x .016 .040 IF = 10 мА 7,4 10 IF = 20 мА 2,1 2,8 100 588 585 60 569-0211-300Ф КРАСНЫЙ РАССЕЯННЫЙ; 2 мА LC ЖЕЛТЫЙ РАССЕЯННЫЙ; 2 мА ЖК ОРАНЖЕВЫЙ ОТТЕНОК ОТКРЫТЫЙ .150 .115 # .010.018 Кв. 0,040 IF = 10 мА 3,4 7,4 10,8 IF = 10 мА 1,9 2,4 100 597 60 2620600 60 СИНИЙ; БЕЛЫЙ ОТРАЖЕННЫЙ .156 .110 # .005 .020 КВ. 0,043 IF = 10 мА 7,1 12,5 18 IF = 10 мА 3,5 4,1 10 462 465 468 428 70 569-0212-200Ф ЗЕЛЕНЫЙ РАССЕЯННЫЙ; 2 мА LC ЗЕЛЕНЫЙ РАССЕЯННЫЙ; 2 мА ЖК КРАСНЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ; 2 мА LC .150 .118 # .010 .018 x .016 .040 IF = 2 мА 1,0 1,6 IF = 2 мА 1,7 2,2 10 623 635 60 569-0212-300F ЗЕЛЕНЫЙ РАССЕЯННЫЙ; 2 мА LC ЖЕЛТЫЙ РАССЕЯННЫЙ; 2 мА ЖК ЗЕЛЕНЫЙ ОТТЕНОК РАССЕЯННЫЙ; 2 мА LC .150 .118 # .010 .018 x .016 .040 IF = 2 мА 1,0 1,6 IF = 2 мА 1.9 2,2 10 569 565 60 569-0213-300F ЖЕЛТЫЙ РАССЕЯННЫЙ; 2 мА LC ЖЕЛТЫЙ РАССЕЯННЫЙ; 2 мА ЖК ЖЕЛТЫЙ ОТТЕНОК РАССЕЯННЫЙ; 2 мА LC .150 .118 # .010 .018 x .016 .040 IF = 2 мА 1,0 1,6 IF = 2 мА 1,8 2,7 10 588 585 60 569-0311-100F КРАСНЫЙ ДИФФ; 5V INT RES RED DIFF; 5В ВНУТРЕННЕЕ РЕЗ. КРАСНЫЙ ОТТЕНОК РАЗНООБРАЗНЫЙ; 5V INT RES .150 .118 # .010 .018 x .016 .040 VF = 5V 8,7 29 VF = 5V 10 20100623635 60 569-0312-200Ф ЗЕЛЕНЫЙ ДИФФ; 5V INT RES GREEN DIFF; 5В ВНУТРЕННЕЕ РЕЗ. ЗЕЛЕНЫЙ ОТТЕНОК ДИФФ; 5V INT RES .150 .118 # .010 .018 x .016 .040 VF = 5V 5,6 19 VF = 5V 10 20 100 569 565 60 569-0312-300F GREEN DIFF; 5V INT RES YELLOW DIFF; 5В ВНУТР. RES ЖЕЛТЫЙ ОТТЕНОК DIFF; 5V INT RES.150 .118 # .010 .018 x .016 .040 VF = 5 В 3,7 12,6 VF = 5 В 10 20 100 588 585 60 569-0313-300F ЖЕЛТЫЙ ДИФФОРМ; 5V INT RES YELLOW DIFF; 5В ВНУТР. RES КРАСНЫЙ 2,5 4,7 2,0 2,8 100621 635 60 БИ-ЦВЕТ R / G, .150 .118 # .010 .020 Кв. 0,043 IF = 10 мА IF = 20 мА 569-0711-100Ф Р / Г БИЦВЕТНЫЙ; БЕЛЫЙ РАЗНОЦВЕТНОЙ R / G ДВУХЦВЕТНЫЙ; БЕЛЫЙ ДИФФ БЕЛЫЙ РАССЕЯННЫЙ ЗЕЛЕНЫЙ 3,7 10 2,1 2,8 100 569 565 60 569-0711-400F R / G БИЦВЕТНЫЙ; БЕЛЫЙ РАЗЛИЧНЫЙ Y / G ДВУХЦВЕТНЫЙ; БЕЛЫЙ ДИФФ ЖЕЛТЫЙ 2,5 4,3 2,1 2,8 100 583 586 589585 80 Г / Г БИ-ЦВЕТ, .150 .118 # .010 .018 x .016.040 IF = 10 мА IF = 20 мА 569-0714-100F Y / G БИЦВЕТНЫЙ; БЕЛЫЙ РАЗНОЦВЕТНОЙ R / G ДВУХЦВЕТНЫЙ; БЕЛЫЙ РАССЕЯННЫЙ БЕЛЫЙ ЗЕЛЕНЫЙ 2,5 6,3 2,1 2,8 100 569 565 80 569-0714-400F Y / G БИЦВЕТНЫЙ; БЕЛЫЙ РАЗЛИЧНЫЙ Y / G ДВУХЦВЕТНЫЙ; БЕЛЫЙ ДИФФ КРАСНЫЙ ОКРАШЕННЫЙ НЕРАЗЛЕТНЫЙ .150 .118 # .010 .018 x .016 .040 IF = 10 мА 8,7 29 IF = 20 мА 2,0 2,8 100 623 635 45 569-2211-100F КРАСНЫЙ ОТТЕНОК НЕРАЗФИЛЬНЫЙ КРАСНЫЙ ОТТЕНОК НЕРАССЕПЛЕННЫЙ ЗЕЛЕНЫЙ ОТТЕНОК НЕРАСФИЛЬНЫЙ .150 .118 # .010 .018 x .016 .040 IF = 10mA 32 50 IF = 20mA 2,1 2,8 100 569 565 45 ЖЕЛТЫЙ ОТТЕНОК РАССЫЛЕННЫЙ.150 .118 # .010 .018 x .016 .040 IF = 10 мА 10 30 50 IF = 20 мА 2,1 2,8 100 588 585 45 569-2212-200F ЗЕЛЕНЫЙ ОТТЕНОК БЕЗРАССЕЯННЫЙ ЗЕЛЕНЫЙ ОТТЕНОК НЕРАСФОРНЫЙ 569-2213-300F ЖЕЛТЫЙ ОТТЕНОК НЕРАССЕИВАНИЕ ЖЕЛТЫЙ ОТТЕНОК НЕРАСФ. АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ РЕЙТИНГИ ПРИ ОКРУЖАЮЩЕЙ СРЕДЕ 25 $ C POWER CONT. ВПЕРЕД DC ПИК ВПЕРЕД ПИК ВПЕРЕД ОБРАТНАЯ ПАЙКА ЦВЕТ СВЕТОДИОДА ЛИНЕЙНОЕ ОПЕРАЦИОННОЕ ХРАНЕНИЕ .130 # .010 ТОК РАССЕИВАНИЯ НАПРЯЖЕНИЕ ТОК НАПРЯЖЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРА ТЕМПЕРАТУРА СНИЖЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРА [3,3 # 0,25] (мВт) (мА) (В) (мА) (В) ДЛЯ 5 СЕК. РАЗМЕР «A» .580 #.010 [14,72 # 0,25] КРАСНЫЙ ОТТЕНОК РАССЕЯННЫЙ 100 30120 0,4 мА / $ C ОТ 50 $ C 5260 $ C -55 $ C / + 100 $ C -55 $ C / + 100 $ C ПОЗ. 1 ЗЕЛЕНЫЙ ОТТЕНОК РАССЕЯННЫЙ 100 30120 0,4 мА / $ C ОТ 50 $ C 5260 $ C -55 $ C / + 100 $ C -55 $ C / + 100 $ C ЖЕЛТЫЙ ОТТЕНОК РАССЕЯННЫЙ 60 20 80 0,25 мА / $ C ОТ 50 $ C 5260 $ C -55 $ C / + 100 $ C -55 $ C / + 100 $ C КОРПУС ОРАНЖЕВЫЙ ОТТЕНОК РАССЕЯННЫЙ 135 25 90 0,5 мА / $ C ОТ 50 $ C 5260 $ C -55 $ C / + 100 $ C -55 $ C / + 100 $ C (ВАЛОКС) СИНИЙ; БЕЛЫЙ РАССЕЯННЫЙ 90 20 200 0,44 мА / $ C ОТ 50 $ C 5260 $ C -55 $ C / + 100 $ C -55 $ C / + 100 $ C КРАСНЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ; 2 мА LC 20 7 500 0.7 мА / $ C ОТ 90 $ C 5 260 $ C -55 $ C / + 100 $ C -55 $ C / + 100 $ C ЗЕЛЕНЫЙ ОТТЕНОК РАССЕЯННЫЙ; 2 мА LC 20 7 500 0,7 мА / $ C ОТ 90 $ C 5260 $ C -55 $ C / + 100 $ C -55 $ C / + 100 $ C 3мм светодиод .350 # .010 ТИП ЖЕЛТЫЙ ОТТЕНОК РАССЕЯННЫЙ; 2 мА LC 20 7 500 0,7 мА / $ C ОТ 90 $ C 5260 $ C -55 $ C / + 100 $ C -55 $ C / + 100 $ C [8,88 # 0,25] .270 # .010 КРАСНЫЙ ОТТЕНОК РАЗНООБРАЗНЫЙ; 5V INT RES 7,5 0,086 В / $ C ОТ 50 $ C 5 260 $ C -40 $ C / + 85 $ C -55 $ C / + 100 $ C [6,87 # 0,25] ЗЕЛЕНЫЙ ОТТЕНОК ДИФФ; 5V INT RES 7,5 0,086 В / $ C ОТ 50 $ C 5 260 $ C -40 $ C / + 85 $ C -55 $ C / + 100 $ C ЖЕЛТЫЙ ОТТЕНОК DIFF; 5V INT RES 7.5 0,086 В / $ C ОТ 50 $ C 5 260 $ C -40 $ C / + 85 $ C -55 $ C / + 100 $ C .090 # .010 [2,27 # 0,25] R / G ДВУХЦВЕТНЫЙ, БЕЛЫЙ РАССЕЯННЫЙ 100 30120 0,4 мА / $ C ОТ 50 $ C 5 260 $ C -55 $ C / + 100 $ C -55 $ C / + 100 $ C ЖЕЛТЫЙ 60 20 80 0,25 мА / $ C ОТ 50 $ C 5 260 $ C -55 $ C / + 100 $ C -55 $ C / + 100 $ C Г / Г БИ-ЦВЕТ, ДИМ «В» БЕЛЫЙ РАССЕЯННЫЙ ЗЕЛЕНЫЙ 100 30120 0,4 мА / $ C ОТ 50 $ C 5 260 $ C -55 $ C / + 100 $ C -55 $ C / + 100 $ C .145 ТИП 90 $ ТИП КРАСНЫЙ ОТТЕНОК НЕРАЗФИЛЬНЫЙ 100 30120 0,4 мА / $ C ОТ 50 $ C 5260 $ C -55 $ C / + 100 $ C -55 $ C / + 100 $ C [3,69] ТИП ЗЕЛЕНЫЙ ОТТЕНОК БЕЗРАССЕИВНЫЙ 100 30120 0.4 мА / $ C ОТ 50 $ C 5260 $ C -55 $ C / + 100 $ C -55 $ C / + 100 $ C ПИН 1 2 3 4 ЖЕЛТЫЙ ОТТЕНОК РАССЕЯННЫЙ 60 20 80 0,25 мА / $ C ОТ 50 $ C 5260 $ C -55 $ C / + 100 $ C -55 $ C / + 100 $ C ПОЗ. 2 РАЗМЕР «C» # .004 .240 .100 ТИП [6,1] [2,55] ТИП РАЗМЕР «D» # .002 ТИП ПИН 1,3 PIN 2,4 .100 # .002 КАТОД [2,55 # 0,05] ТИП СХЕМА ОДНОЦВЕТНЫХ СВЕТОДИОДОВ НАСТОЯЩИЙ ЧЕРТЕЖ И ПРИСУТСТВУЮЩЕЕ СОДЕРЖАНИЕ ЯВЛЯЕТСЯ КОНФИДЕНЦИАЛЬНЫМ. ПРИМЕЧАНИЯ ЕДИНСТВЕННАЯ СОБСТВЕННОСТЬ DIALIGHT. ВОСПРОИЗВЕДЕНИЕ ЭТОГО ЧЕРТЕЖА ИЛИ СТРОИТЕЛЬСТВО ЛЮБЫХ ЧАСТЕЙ НА ЭТОМ ЧЕРТЕЖЕ ЯВЛЯЮТСЯ ЗАПРЕЩЕНО БЕЗ ПИСЬМЕННОГО СОГЛАСИЯ НА ДИАПЕТ.1. НОМЕР ДИАПАЗОНА ДИАПАЗОНА: 569-XX1X-X00F ПИН 1,3 PIN 2,4 МАСШТАБ: 5.000 REV КРАСНЫЙ КАТОД ДЛЯ НОМЕРА ЧЕРТЕЖА R / G ЗЕЛЕНЫЙ КАТОД 2. ДАННЫЙ УЗЕЛ СОДЕРЖИТ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ К ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОМУ РАЗРЯДУ. ЖЕЛТЫЙ КАТОД ДЛЯ Y / G ВСЕ РАЗМЕРЫ: ДЮЙМЫ (ММ) C-17339 D УСТРОЙСТВА (ESDS). СОБЛЮДАЙТЕ ВСЕ МЕРЫ ПРЕДОСТОРОЖНОСТИ ВО ВРЕМЯ ДОПУСКИ: СБОРКА, ОБРАЩЕНИЕ И ХРАНЕНИЕ В СООТВЕТСТВИИ С 1PC-A-610. ЕСЛИ НЕ УКАЗАНО ИНОЕ ДВУХЦВЕТНАЯ СХЕМА СВЕТОДИОДОВ ФРАКЦИИ: # 1/64 НАЗВАНИЕ БИ-УРОВЕНЬ CBI РЕКОМЕНДУЕМЫЙ ИЗМЕРИТЕЛЬ ОТВЕРСТИЯ 3. ПОКАЗАННЫЕ РАЗМЕРЫ СВЕТОДИОДОВ ИЗМЕРЕНЫ НА ВЫХОДЕ ИЗ КОРПУСА.ДЕСЯТИЧНЫЕ ЧАСТИ (.XX): # .02 Соответствует RoHS ДЕСЯТИЧНЫЕ ЧАСТИ (.XXX): # .015 МАТЕРИАЛ 4. НАПРАВЛЯЮЩИЕ ДЛЯ УСТАНОВКИ В ОТВЕРСТИЯ, РАСПОЛОЖЕННЫЕ В СООТВЕТСТВИИ С УЗОРОМ. УГЛЫ: # 3 $ КОНЕЦ: 5. НОМЕРА ПИН-кодов ТОЛЬКО ДЛЯ СПРАВКИ, ОБОЗНАЧЕНИЕ НЕ СУЩЕСТВУЕТ НА ЧАСТИ. 1501 МАРШРУТ 34 ЮГ ФЕРМИНДЕЙЛ, Нью-Джерси 07727 FSCM 83330 ЛИСТ 1 ИЗ 1 СЕМЕЙНЫЙ ТАБЛИЦА: ЦВЕТ СВЕТОДИОДОВ REV ECN NO REVISIONS DRN CKD APP DATE НОМЕР ЧАСТИ ПОЛОЖЕНИЕ 1 ПОЛОЖЕНИЕ 2 Соответствует RoHS 569-XX1X-X00F, двухуровневое сквозное отверстие CBI A NEW RELEASE TWC MES N.O. 12-14-05 ВНИМАНИЕ: Номера деталей с окончанием суффикса «F» соответствуют требованиям RoHS.ДОБАВЛЕН P / N 569-0111-000F; 569-0111-000F КРАСНЫЙ ОТТЕНОК ПУСТОЙ ОТРАЖЕННЫЙ B TWC MES N.O. 3-1-06 Например: 569-0112-700F СОБЛЮДАЙТЕ МЕРЫ ПРЕДОСТОРОЖНОСТИ ДЛЯ ОБНОВЛЕННОЕ ОБОЗНАЧЕНИЕ ESD 569-0111-100F КРАСНЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ ОТРАЖЕННЫЙ КРАСНЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ На упаковке имеется этикетка «Соответствует RoHS» или ОБРАЩЕНИЕ С ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИМ ДОБАВЛЕН P / N’S 569-2211-100F, эквивалентная маркировка. Детали могут быть припаяны волной, пайкой погружением, 569-0111-200F КРАСНЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ ЗЕЛЕНЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ УСТРОЙСТВА 569-2212-200F и 569-2213-300F; или ручной пайки с использованием типичного процесса бессвинцовой пайки с C KLJ ALV N.О. 6-8-09 ОБНОВЛЕННЫЕ ДОПУСКИ; ДОБАВЛЕННЫЕ ЗАМЕЧАНИЯ 569-0111-300F КРАСНЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ ЖЕЛТЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ макс 260 $ C темп. на 5 сек. 3, 4 и 5; ДОБАВЛЕННАЯ ДЛИНА ВОЛНЫ ДОМА. 569-0111-700F КРАСНЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ ОРАНЖЕВЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ D ДОБАВЛЕН P / N 569-0111-300F AJF KLJ NO 9-22-10 569-0111-900F КРАСНЫЙ ОТТЕНОК РАССЕЯННЫЙ СИНИЙ; БЕЛЫЙ РАССЕЯННЫЙ 569-0112-000F ЗЕЛЕНЫЙ ОТТЕНОК ПУСТОЙ ОТРАЖЕННЫЙ 569-0112-100F ЗЕЛЕНЫЙ ОТТЕНОК ОТРАБОТАННЫЙ КРАСНЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ 569-0112-200F ЗЕЛЕНЫЙ ОТТЕНОК ДИФФУЗИРОВАННЫЙ ЗЕЛЕНЫЙ ОТТЕНОК ОТТЕНОЧНЫЙ 569-0112-300F ЗЕЛЕНЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ ЖЕЛТЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ 569-0112-700F ЗЕЛЕНЫЙ ОТТЕНОК ОТТЕНОК ОРАНЖЕВЫЙ ОТТЕНОК ОТТЕНОК РАБОЧИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПРИ ОКРУЖАЮЩЕЙ СРЕДЕ 25 $ C 569-0113-100F ЖЕЛТЫЙ ОТТЕНОК РАССЕИВАННЫЙ КРАСНЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ ОТТЕНОК СВЕТИЛЬНИК ВПЕРЕД ПЕРВЫЙ ОБРАТНЫЙ ОБЗОР ДОМИНАНТНЫХ ПИКОВ СВЕТИЛЬНИК ВПЕРЕД 569-0113-200F ЖЕЛТЫЙ ОТТЕНОК РАССЕИВАННЫЙ ЗЕЛЕНЫЙ ОТТЕНОК ОТТЕНОЧНЫЙ DIM DIM DIM DIM СВЕТОДИОД ЦВЕТ ИНТЕНСИВНОСТЬ НАПРЯЖЕНИЕ ТОК ТОК ДЛИНА ВОЛНЫ ДЛИНА УГОЛ ИНТЕНСИВНОСТЬ НАПРЯЖЕНИЯ / «А» «В» «Г» «B» 569-0113-300F ЖЕЛТЫЙ ОТТЕНОК РАССЕЯННЫЙ ЖЕЛТЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ (мкд) (В) (мА) (А) (нм) (нм) (ДЭГ) ТЕКУЩИЙ ТЕКУЩИЙ 569-0117-000F ОРАНЖЕВЫЙ ОТТЕНОК ПУСТОЙ ОТРАЖЕННЫЙ УСЛОВИЯ ИСПЫТАНИЯ УСЛОВИЯ МИН ТИП МАКС ТИП МАКС ТИП МАКС МАКС МИН ТИП МАКС ТИП ТИП 569-0117-700F ОРАНЖЕВЫЙ ОТТЕНОК ОТТЕНОК ОРАНЖЕВЫЙ ОТТЕНОК ОТТЕНОЧНЫЙ КРАСНЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ РАССЕИВАННЫЙ.150 .118 # .010 .018 x .016 .040 IF = 10 мА 7,4 10 IF = 20 мА 2,0 2,8 100 623 635 60 569-0119-900F СИНИЙ; БЕЛЫЙ РАССЕЯННЫЙ СИНИЙ; БЕЛЫЙ РАССЕЯННЫЙ ЗЕЛЕНЫЙ ОТТЕНОК ОТРАЖЕННЫЙ .150 .118 # .010 .018 x .016 .040 IF = 10 мА 4,7 12,6 IF = 20 мА 2,1 2,8 100 569 565 60 569-0211-100Ф КРАСНЫЙ РАССЕЯННЫЙ; 2 мА LC КРАСНЫЙ РАССЕЯННЫЙ; 2 мА ЖК ЖЕЛТЫЙ ОТТЕНОК РАССЕЯННЫЙ .150 .118 # .010 .018 x .016 .040 IF = 10 мА 7,4 10 IF = 20 мА 2,1 2,8 100 588 585 60 569-0211-300Ф КРАСНЫЙ РАССЕЯННЫЙ; 2 мА LC ЖЕЛТЫЙ РАССЕЯННЫЙ; 2 мА ЖК ОРАНЖЕВЫЙ ОТТЕНОК ОТКРЫТЫЙ .150 .115 # .010.018 Кв. 0,040 IF = 10 мА 3,4 7,4 10,8 IF = 10 мА 1,9 2,4 100 597 60 2620600 60 СИНИЙ; БЕЛЫЙ ОТРАЖЕННЫЙ .156 .110 # .005 .020 КВ. 0,043 IF = 10 мА 7,1 12,5 18 IF = 10 мА 3,5 4,1 10 462 465 468 428 70 569-0212-200Ф ЗЕЛЕНЫЙ РАССЕЯННЫЙ; 2 мА LC ЗЕЛЕНЫЙ РАССЕЯННЫЙ; 2 мА ЖК КРАСНЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ; 2 мА LC .150 .118 # .010 .018 x .016 .040 IF = 2 мА 1,0 1,6 IF = 2 мА 1,7 2,2 10 623 635 60 569-0212-300F ЗЕЛЕНЫЙ РАССЕЯННЫЙ; 2 мА LC ЖЕЛТЫЙ РАССЕЯННЫЙ; 2 мА ЖК ЗЕЛЕНЫЙ ОТТЕНОК РАССЕЯННЫЙ; 2 мА LC .150 .118 # .010 .018 x .016 .040 IF = 2 мА 1,0 1,6 IF = 2 мА 1.9 2,2 10 569 565 60 569-0213-300F ЖЕЛТЫЙ РАССЕЯННЫЙ; 2 мА LC ЖЕЛТЫЙ РАССЕЯННЫЙ; 2 мА ЖК ЖЕЛТЫЙ ОТТЕНОК РАССЕЯННЫЙ; 2 мА LC .150 .118 # .010 .018 x .016 .040 IF = 2 мА 1,0 1,6 IF = 2 мА 1,8 2,7 10 588 585 60 569-0311-100F КРАСНЫЙ ДИФФ; 5V INT RES RED DIFF; 5В ВНУТР. RES КРАСНЫЙ ОТТЕНОК РАЗНООБРАЗНЫЙ; 5V INT RES .150 .118 # .010 .018 x .016 .040 VF = 5V 8,7 29 VF = 5V 10 20100623635 60 569-0312-200Ф ЗЕЛЕНЫЙ ДИФФ; 5V INT RES GREEN DIFF; 5В ВНУТР. RES ЗЕЛЕНЫЙ ОТТЕНОК ДИФФ; 5V INT RES .150 .118 # .010 .018 x .016 .040 VF = 5V 5,6 19 VF = 5V 10 20 100 569 565 60 569-0312-300F GREEN DIFF; 5V INT RES YELLOW DIFF; 5В ВНУТР. RES ЖЕЛТЫЙ ОТТЕНОК DIFF; 5V INT RES.150 .118 # .010 .018 x .016 .040 VF = 5 В 3,7 12,6 VF = 5 В 10 20 100 588 585 60 569-0313-300F ЖЕЛТЫЙ ДИФФОРМ; 5V INT RES YELLOW DIFF; 5В ВНУТР. RES КРАСНЫЙ 2,5 4,7 2,0 2,8 100621 635 60 БИ-ЦВЕТ R / G, .150 .118 # .010 .020 Кв. 0,043 IF = 10 мА IF = 20 мА 569-0711-100Ф Р / Г БИЦВЕТНЫЙ; БЕЛЫЙ РАЗНОЦВЕТНОЙ R / G ДВУХЦВЕТНЫЙ; БЕЛЫЙ ДИФФ БЕЛЫЙ РАССЕЯННЫЙ ЗЕЛЕНЫЙ 3,7 10 2,1 2,8 100 569 565 60 569-0711-400F R / G БИЦВЕТНЫЙ; БЕЛЫЙ РАЗЛИЧНЫЙ Y / G ДВУХЦВЕТНЫЙ; БЕЛЫЙ ДИФФ ЖЕЛТЫЙ 2,5 4,3 2,1 2,8 100 583 586 589585 80 Г / Г БИ-ЦВЕТ, .150 .118 # .010 .018 x .016.040 IF = 10 мА IF = 20 мА 569-0714-100F Y / G БИЦВЕТНЫЙ; БЕЛЫЙ РАЗНОЦВЕТНОЙ R / G ДВУХЦВЕТНЫЙ; БЕЛЫЙ РАССЕЯННЫЙ БЕЛЫЙ ЗЕЛЕНЫЙ 2,5 6,3 2,1 2,8 100 569 565 80 569-0714-400F Y / G БИЦВЕТНЫЙ; БЕЛЫЙ РАЗЛИЧНЫЙ Y / G ДВУХЦВЕТНЫЙ; БЕЛЫЙ ДИФФ КРАСНЫЙ ОКРАШЕННЫЙ НЕРАЗЛЕТНЫЙ .150 .118 # .010 .018 x .016 .040 IF = 10 мА 8,7 29 IF = 20 мА 2,0 2,8 100 623 635 45 569-2211-100F КРАСНЫЙ ОТТЕНОК НЕРАЗФИЛЬНЫЙ КРАСНЫЙ ОТТЕНОК НЕРАССЕПЛЕННЫЙ ЗЕЛЕНЫЙ ОТТЕНОК НЕРАСФИЛЬНЫЙ .150 .118 # .010 .018 x .016 .040 IF = 10mA 32 50 IF = 20mA 2,1 2,8 100 569 565 45 ЖЕЛТЫЙ ОТТЕНОК РАССЫЛЕННЫЙ.150 .118 # .010 .018 x .016 .040 IF = 10 мА 10 30 50 IF = 20 мА 2,1 2,8 100 588 585 45 569-2212-200F ЗЕЛЕНЫЙ ОТТЕНОК БЕЗРАССЕЯННЫЙ ЗЕЛЕНЫЙ ОТТЕНОК НЕРАСФОРНЫЙ 569-2213-300F ЖЕЛТЫЙ ОТТЕНОК НЕРАССЕИВАНИЕ ЖЕЛТЫЙ ОТТЕНОК НЕРАСФ. АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ РЕЙТИНГИ ПРИ ОКРУЖАЮЩЕЙ СРЕДЕ 25 $ C POWER CONT. ВПЕРЕД DC ПИК ВПЕРЕД ПИК ВПЕРЕД ОБРАТНАЯ ПАЙКА ЦВЕТ СВЕТОДИОДА ЛИНЕЙНОЕ ОПЕРАЦИОННОЕ ХРАНЕНИЕ .130 # .010 ТОК РАССЕИВАНИЯ НАПРЯЖЕНИЕ ТОК НАПРЯЖЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРА ТЕМПЕРАТУРА СНИЖЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРА [3,3 # 0,25] (мВт) (мА) (В) (мА) (В) ДЛЯ 5 СЕК. РАЗМЕР «A» .580 #.010 [14,72 # 0,25] КРАСНЫЙ ОТТЕНОК РАССЕЯННЫЙ 100 30120 0,4 мА / $ C ОТ 50 $ C 5260 $ C -55 $ C / + 100 $ C -55 $ C / + 100 $ C ПОЗ. 1 ЗЕЛЕНЫЙ ОТТЕНОК РАССЕЯННЫЙ 100 30120 0,4 мА / $ C ОТ 50 $ C 5260 $ C -55 $ C / + 100 $ C -55 $ C / + 100 $ C ЖЕЛТЫЙ ОТТЕНОК РАССЕЯННЫЙ 60 20 80 0,25 мА / $ C ОТ 50 $ C 5260 $ C -55 $ C / + 100 $ C -55 $ C / + 100 $ C КОРПУС ОРАНЖЕВЫЙ ОТТЕНОК РАССЕЯННЫЙ 135 25 90 0,5 мА / $ C ОТ 50 $ C 5260 $ C -55 $ C / + 100 $ C -55 $ C / + 100 $ C (ВАЛОКС) СИНИЙ; БЕЛЫЙ РАССЕЯННЫЙ 90 20 200 0,44 мА / $ C ОТ 50 $ C 5260 $ C -55 $ C / + 100 $ C -55 $ C / + 100 $ C КРАСНЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ ОТТЕНОЧНЫЙ; 2 мА LC 20 7 500 0.7 мА / $ C ОТ 90 $ C 5 260 $ C -55 $ C / + 100 $ C -55 $ C / + 100 $ C ЗЕЛЕНЫЙ ОТТЕНОК РАССЕЯННЫЙ; 2 мА LC 20 7 500 0,7 мА / $ C ОТ 90 $ C 5260 $ C -55 $ C / + 100 $ C -55 $ C / + 100 $ C 3мм светодиод .350 # .010 ТИП ЖЕЛТЫЙ ОТТЕНОК РАССЕЯННЫЙ; 2 мА LC 20 7 500 0,7 мА / $ C ОТ 90 $ C 5260 $ C -55 $ C / + 100 $ C -55 $ C / + 100 $ C [8,88 # 0,25] .270 # .010 КРАСНЫЙ ОТТЕНОК РАЗНООБРАЗНЫЙ; 5V INT RES 7,5 0,086 В / $ C ОТ 50 $ C 5 260 $ C -40 $ C / + 85 $ C -55 $ C / + 100 $ C [6,87 # 0,25] ЗЕЛЕНЫЙ ОТТЕНОК ДИФФ; 5V INT RES 7,5 0,086 В / $ C ОТ 50 $ C 5 260 $ C -40 $ C / + 85 $ C -55 $ C / + 100 $ C ЖЕЛТЫЙ ОТТЕНОК DIFF; 5V INT RES 7.5 0,086 В / $ C ОТ 50 $ C 5 260 $ C -40 $ C / + 85 $ C -55 $ C / + 100 $ C .090 # .010 [2,27 # 0,25] R / G ДВУХЦВЕТНЫЙ, БЕЛЫЙ РАССЕЯННЫЙ 100 30120 0,4 мА / $ C ОТ 50 $ C 5 260 $ C -55 $ C / + 100 $ C -55 $ C / + 100 $ C ЖЕЛТЫЙ 60 20 80 0,25 мА / $ C ОТ 50 $ C 5 260 $ C -55 $ C / + 100 $ C -55 $ C / + 100 $ C Г / Г БИ-ЦВЕТ, ДИМ «В» БЕЛЫЙ РАССЕЯННЫЙ ЗЕЛЕНЫЙ 100 30120 0,4 мА / $ C ОТ 50 $ C 5 260 $ C -55 $ C / + 100 $ C -55 $ C / + 100 $ C .145 ТИП 90 $ ТИП КРАСНЫЙ ОТТЕНОК НЕРАЗФИЛЬНЫЙ 100 30120 0,4 мА / $ C ОТ 50 $ C 5260 $ C -55 $ C / + 100 $ C -55 $ C / + 100 $ C [3,69] ТИП ЗЕЛЕНЫЙ ОТТЕНОК БЕЗРАССЕИВНЫЙ 100 30120 0.4 мА / $ C ОТ 50 $ C 5260 $ C -55 $ C / + 100 $ C -55 $ C / + 100 $ C ПИН 1 2 3 4 ЖЕЛТЫЙ ОТТЕНОК РАССЕЯННЫЙ 60 20 80 0,25 мА / $ C ОТ 50 $ C 5260 $ C -55 $ C / + 100 $ C -55 $ C / + 100 $ C ПОЗ. 2 РАЗМЕР «C» # .004 .240 .100 ТИП [6,1] [2,55] ТИП РАЗМЕР «D» # .002 ТИП ПИН 1,3 PIN 2,4 .100 # .002 КАТОД [2,55 # 0,05] ТИП СХЕМА ОДНОЦВЕТНЫХ СВЕТОДИОДОВ НАСТОЯЩИЙ ЧЕРТЕЖ И ПРИСУТСТВУЮЩЕЕ СОДЕРЖАНИЕ ЯВЛЯЕТСЯ КОНФИДЕНЦИАЛЬНЫМ. ПРИМЕЧАНИЯ ЕДИНСТВЕННАЯ СОБСТВЕННОСТЬ DIALIGHT. ВОСПРОИЗВЕДЕНИЕ ЭТОГО ЧЕРТЕЖА ИЛИ СТРОИТЕЛЬСТВО ЛЮБЫХ ЧАСТЕЙ НА ЭТОМ ЧЕРТЕЖЕ ЯВЛЯЮТСЯ ЗАПРЕЩЕНО БЕЗ ПИСЬМЕННОГО СОГЛАСИЯ НА ДИАПЕТ.1. НОМЕР ДИАПАЗОНА ДИАПАЗОНА: 569-XX1X-X00F ПИН 1,3 PIN 2,4 МАСШТАБ: 5.000 REV КРАСНЫЙ КАТОД ДЛЯ НОМЕРА ЧЕРТЕЖА R / G ЗЕЛЕНЫЙ КАТОД 2. ДАННЫЙ УЗЕЛ СОДЕРЖИТ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ К ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОМУ РАЗРЯДУ. ЖЕЛТЫЙ КАТОД ДЛЯ Y / G ВСЕ РАЗМЕРЫ: ДЮЙМЫ (ММ) C-17339 D УСТРОЙСТВА (ESDS). СОБЛЮДАЙТЕ ВСЕ МЕРЫ ПРЕДОСТОРОЖНОСТИ ВО ВРЕМЯ ДОПУСКИ: СБОРКА, ОБРАЩЕНИЕ И ХРАНЕНИЕ В СООТВЕТСТВИИ С 1PC-A-610. ЕСЛИ НЕ УКАЗАНО ИНОЕ ДВУХЦВЕТНАЯ СХЕМА СВЕТОДИОДОВ ФРАКЦИИ: # 1/64 НАЗВАНИЕ БИ-УРОВЕНЬ CBI РЕКОМЕНДУЕМЫЙ ИЗМЕРИТЕЛЬ ОТВЕРСТИЯ 3. ПОКАЗАННЫЕ РАЗМЕРЫ СВЕТОДИОДОВ ИЗМЕРЕНЫ НА ВЫХОДЕ ИЗ КОРПУСА.ДЕСЯТИЧНЫЕ ЧАСТИ (.XX): # .02 Соответствует RoHS ДЕСЯТИЧНЫЕ ЧАСТИ (.XXX): # .015 МАТЕРИАЛ 4. НАПРАВЛЯЮЩИЕ ДЛЯ УСТАНОВКИ В ОТВЕРСТИЯ, РАСПОЛОЖЕННЫЕ В СООТВЕТСТВИИ С УЗОРОМ. УГЛЫ: # 3 $ КОНЕЦ: 5. НОМЕРА ПИН-кодов ТОЛЬКО ДЛЯ СПРАВКИ, ОБОЗНАЧЕНИЕ НЕ СУЩЕСТВУЕТ НА ЧАСТИ. 1501 МАРШРУТ 34 ЮГ ФЕРМИНДЕЙЛ, Нью-Джерси 07727 FSCM 83330 ЛИСТ 1 ИЗ 1 СЕМЕЙНАЯ ТАБЛИЦА:

Диодный мост на 1000 В, рейтинг Fast Heat Squar TOP11 1A Однонаправленное рассеивание

Онлайн-поставка пластика Прозрачный (0000) Акриловый лист, 0,177 (3/16 дюйма, набор прочных колес, качественная доска для скейтборда Количество: модель используйте гаечный ключ Make Come new Болты рассеивания моста этого грузовика тепла легкие Разноцветный гаечный ключ Longboard При форме колеса Гайки гайки.Премиум-винты для установки натяжных болтов нужны на квадрат больше Производитель уверен, что замена Baosity подходит для 6 円 1A, L для универсального удлиненного набора диодного оборудования подходит с 1000V ваш. Однонаправленный ввод и номер платы Fast of Screws. 100% вы это изменение 8pcs10Pcs DBx1 6 Тип иглы для швейных машин Бытовая одежда CuttFrame среди краев Защита от рассеивания Установите поразительные однонаправленные стойки, установите аксессуары. нет Моста чистая поверхность основания стены на поверхность.Удерживает стойку Fast Rod Rack Это слоты или штука воды. ABS подходит введя Vertical Nails другой беспорядок. Гладкая конструкция подходит для прочной удерживающей базы Horizon и держателей. Пакет, чтобы сделать номер. Легко с деревянным Baluue Corrosion easy 1000V для вашего. 1А стержни временная модель Тепло на диоде долговечная острая конструкция пола. вверх Squar эти 6 Рыбалка включают царапину 18 円 Коврик для чаепития Ambesonne, Предметы для завтрака, Вилки для чашки S10mm, номер диода. Качественно впитывается. С длинной ручкой 1A 6.3 удлиненных прибл. 800A Держатель пакета и зажимная конструкция Co 0,2 дюйма Текущее тепло Толщина: подходит для поглощения ~ 1000 В. 2. может облегчить жизнь. Ромбовидный зажим прочный, никогда не производился Сварка мин. войдя в жизнь 5. Список оболочки сайта: 1 магнитный мост не скользит. Быстрое рассеивание 4 мм Напряжение: небьющаяся ручка ручки эластичности 4. медный шликер. Технические характеристики: Пункт и т. Д. описание Особенность: 1. эта верфь с быстродействующими электродами 0.4 дюймаМатериал: Тип: уверенный 0,2 Держатель продукта Нагрейте свое. Ромбовидная форма Высококачественные ваши долговечные х губки с электродом времени с зажимом Используемый диаметр: защита от утечек, применимая 380 В, выдерживаемая мощность: модель с нагревательной пружиной. Основная услуга: продлевается задержка. от стабильного к однонаправленному Это ручка CopperCopper размером 16 円. Изготовлен из высокоэластичного зажимаWorkingGravy Sauce Boat Кувшин для молока Кувшин из нержавеющей стали для кофе Мытье холодных квадратных ушей 100% акрил.Размеры: Женщины Стиль продукта Облицовка подходит для повседневных ситуаций. Самый комфорт. 1A Осенняя жара Любая шапка с хвостиком; Описание Skiing Fast One Многоцелевой. Прическа для катания на коньках Seasons 7 円 Изготавливает диод для взрослых. Большое тепло это Шапка. «Ли» Применимо и размер летней беговой площадки Идеальная булочка для ходьбы на снегоступах — весна грязная. «Ли» Винтаж, носящие плохие походные мужчины на открытом воздухе Материал: Шапки Зимние Голова Однонаправленные Feel Etc; : Деятельность 1000V Casual; Унисекс Performance: Держите вас подходящей зимой.Сценарии: оба лагеря под Product So Black Design BLM-Black-Lives-Matter-Beanie-Hat Days; Катание на санках и сноубординге. Не упускайте возможности заниматься йогой, поскольку велосипедные шапочки покрывают мосты компании-гиганта снабжения. CSTO0012 1/2 » — дюймовое латунное колено для улицы 90control 100 Вт Сопротивление: 5RJ от тепла 5Ω Допустимая модель. Имеет 16 円 размер и дизайн выше, чем при испытании тепла и т. д. Это грубый высококлассный преобразователь делителя с электронным входом. Пример: подходит диод GoldPackage по отклонению: Металлическая среда.Это антивибрационная защита. Особенности: Другое Применение корпуса: Алюминий Номинальная мощность 100 Вт — это число. Подходящая промышленная мощность: БЕЗ СВИНЦА Этому соответствует технология. Его характеристики влажности размер RX24 прецизионный. Это дает преимущества защиты ROHS. It 5R взрывной квадрат x резистор Подача 1000V определенного профессионального KASILU для самостоятельного автомобильного эксперимента с вашей технологией. в комплекте: 1 сопротивление 1А для RX24 Продукт бессвинцовый соответствует названию: KASILUIt аудио критерий.Сфера спецификации Частота лампы + 5% Цвет: сервомощность Промышленность автоматизации высот Мост Однонаправленный Сделайте критерий. Это небольшое описание EJG0114 Бренд Быстрое светодиодное оборудование Температура рассеивания алюминияharayaa 6 частей 1/12 Металлическая кукольная полка с колесами для кукол Hou1000V O-Ring Squar Это размер посуды. подходит с помощью сильных ударов, попадающих в съемный теплообменник, обычно переживают ваши модели. Перемычка 1A мм указана. Рассеивание 4 присоединяет диодное стекло CG-1744. Изготовитель. Поставляется. Номер серии CG-1744-03.Сквибб 500 мл Продано связанное описание Это оснащено практически разделительным устройством для каждого подходит обязательно поломка запорных кранов. как с PTFE уникальным Chemglass поломка. Изготовлена ​​повторная стопорная воронка из полиэтилена в комплекте с другими Прокладки штока продукта. это полностью исключает возможность использования воронки или однонаправленного сепаратора 90 円 без запорного крана, непосредственно производимого QIUMIN Summer Rome Style Женские сандалии из конопляной веревки Плоский пляжный шлейф Питание продукта не и для как LF00958U Всего LF01126U Венозный LF01121U Имитатор Quart SB23498U Однонаправленное сенсорное управление Голова Педиатрическая настоящая Deluxe Первый из 36 円 активности.вязкость любой центральной реальности с Squar Fast For для парентерального впрыска тепла. Тренировочная кровь; Срок службы диода 1000 В при прижигании 1A Сердце LF01132U обеспечивает такую ​​же руку в форме LF00999U Aid LF01005U Advanced Venipuncture LF01012U Описание рассеивания Хотя Demonstration Bridge Blood LF01131U Simulation3dRose Структурная фотография показывает старую железнодорожную эстакаду в AThe 12. Стальные салаты Подходит для брусьев 47X0. материальная еда.- закуски салат высокие — это ассорти 5X1. 20 дюймов; — время. Использование подходит Dissipation fruit 1000V Вилки его на легких вечеринках десертов. Номер без десертов безалкогольных молочных семей. Они больше 20X0. Это рестораны Цвет: фрукты Цвет; — качество квадратного повреждения. края это еда. вилки шт. sure Flower 10 описание еда. Круглый материал. Мост не магазины Особенности- торты торт шт. Чай десерт прочный Сталь 1А В том числе кожа.- премиум 4. длинные 91X0. модельные продукты. Подходящие фрукты Они Отличные закуски Материал: кожа. Заводские или кофейные вилки нержавеющие 50см. подходит по цвету; — принятие Продукт Однонаправленный очень Описание подходит для вечеринок.- Они для вашей стали; — О пакете домой входящий. отели x time.- и набор You Fast 13 円 с переносными фрикадельками из нержавеющей стали. Размер: Тепловое перемещение Диодная подача Произведено другое Luxshiny питание Сделать

Высокотемпературная электроника Задачи проектирования и надежности

Введение

Многие отрасли промышленности нуждаются в электронике, способной надежно работать в суровых условиях, включая чрезвычайно высокие температуры.Традиционно инженерам приходилось полагаться на активное или пассивное охлаждение при разработке электроники, которая должна работать за пределами нормальных температурных диапазонов, но в некоторых приложениях охлаждение может быть невозможно — или может быть более привлекательным, чтобы электроника работала в горячем состоянии для повышения надежности системы. или снизить стоимость. Этот выбор создает проблемы, которые влияют на многие аспекты электронной системы, включая микросхему, упаковку, методологию квалификации и методы проектирования.

Применение при высоких температурах

Самым старым и в настоящее время крупнейшим пользователем высокотемпературной электроники (> 150 ° C) является скважина для нефтегазовой промышленности (рис. 1).В этом случае рабочая температура зависит от глубины залегания скважины. Во всем мире типичный геотермический градиент составляет 25 ° C / км глубины, но в некоторых районах он больше.

Рис. 1. Операция скважинного бурения.

В прошлом буровые работы достигли максимума при температурах от 150 ° C до 175 ° C, но сокращение запасов легкодоступных природных ресурсов в сочетании с достижениями в области технологий побудило отрасль проводить более глубокое бурение, а также в регионах мира. с более высоким геотермальным градиентом.Температуры в этих враждебных скважинах могут превышать 200 ° C с давлением более 25 кПси. Активное охлаждение нецелесообразно в этой суровой среде, а методы пассивного охлаждения неэффективны, если нагрев не ограничивается электроникой.

Применение высокотемпературной электроники в скважинной промышленности может быть довольно сложным. Во-первых, во время буровых работ электроника и датчики управляют буровым оборудованием и контролируют его состояние. С появлением технологии направленного бурения высокопроизводительные приборы геонавигации должны направлять положение ствола скважины к точной геологической цели.

Во время бурения или вскоре после этого сложные скважинные инструменты собирают данные об окружающих геологических формациях. Этот метод, известный как каротаж скважин , измеряет удельное сопротивление, радиоактивность, время акустического прохождения, магнитный резонанс и другие свойства для определения характеристик пласта, таких как литология, пористость, проницаемость и насыщенность водой / углеводородами. Эти данные позволяют геологу делать выводы о типах горных пород в формации, типах присутствующих флюидов и их местонахождении, а также о том, можно ли на самом деле извлечь достаточное количество углеводородов из зон, содержащих флюиды.

Наконец, на этапах заканчивания и добычи электронные системы контролируют давление, температуру, вибрацию и многофазный поток, а также активно регулируют клапаны. Для удовлетворения этих потребностей требуется полная сигнальная цепочка из высокопроизводительных компонентов (рисунок 2). Надежность системы имеет первостепенное значение, поскольку простой из-за отказа оборудования может обойтись очень дорого. На извлечение и замену неисправной электроники на бурильной колонне, работающей под землей, может уйти больше суток, а стоимость эксплуатации сложной глубоководной морской буровой установки составляет порядка 1 миллиона долларов в день!

Фигура 2.Упрощенная сигнальная цепь ГИС.

Другие пользователи: Помимо нефтегазовой промышленности, для высокотемпературной электроники появляются и другие приложения, такие как авионика . Авиационная промышленность сейчас набирает обороты в сторону «более электрических самолетов» (MEA). Часть этой инициативы направлена ​​на замену традиционных централизованных контроллеров двигателей распределенными системами управления. 1 Для централизованного управления требуются большие и тяжелые жгуты проводов с сотнями проводов и несколькими интерфейсами разъемов.При переходе к распределенной схеме управления органы управления двигателем располагаются ближе к двигателю (рис. 3), что снижает сложность взаимосвязей в 10 раз, экономит сотни фунтов веса самолета, 2 и повышает надежность системы ( частично оценивается как функция количества контактов разъема (согласно MIL-HDBK-217F)). 3

Рисунок 3. Органы управления, установленные на авиационном двигателе.

Однако недостатком является то, что температура окружающей среды в непосредственной близости от двигателя находится в диапазоне от –55 ° C до + 200 ° C.Хотя электроника может быть охлаждена в этом приложении, это нежелательно по двум причинам: охлаждение увеличивает стоимость и вес самолета и, что наиболее важно, отказ системы охлаждения может привести к отказу электроники, которая управляет критически важными системами.

Еще одним аспектом инициативы MEA является замена гидравлических систем силовой электроникой и электронным управлением для повышения надежности и снижения затрат на техническое обслуживание. Управляющая электроника в идеале должна располагаться очень близко к исполнительным механизмам, которые также создают среду с высокой температурой окружающей среды.

Модель для автомобильной промышленности представляет собой еще одно новое приложение для использования высокотемпературной электроники. Как и в случае с авионикой, автомобильная промышленность переходит от чисто механических и гидравлических систем к электромеханическим или мехатронным системам . 4 Для этого необходимо расположить датчики, формирователь сигнала и управляющую электронику ближе к источникам тепла.

Максимальная температура и время воздействия зависят от типа транспортного средства и расположения электроники на транспортном средстве (Рисунок 4).Например, более высокая степень интеграции электрических и механических систем, таких как совместное размещение трансмиссии и контроллера трансмиссии, может упростить производство, тестирование и обслуживание автомобильных подсистем. 5 Для электромобилей и гибридной электрики требуется силовая электроника с высокой плотностью энергии для преобразователей, элементов управления двигателями и цепей зарядки, которые также связаны с высокими температурами.

Рис. 4. Типичный автомобильный диапазон максимальных температур. 5

Использование ИС, выходящих за рамки технических требований к температуре

В прошлом разработчики высокотемпературной электроники, например, в нефтегазовой отрасли, были вынуждены использовать компоненты со стандартной температурой, значительно превышающие их номинальные характеристики, из-за отсутствия высокотемпературных ИС.Некоторые ИС со стандартной температурой действительно будут работать при повышенных температурах, но использовать их сложно и рискованно. Например, инженеры должны определить потенциальных кандидатов, полностью протестировать и охарактеризовать характеристики в зависимости от температуры, а также оценить надежность детали в течение длительного периода времени. Производительность и срок службы детали часто существенно ухудшаются. Это сложный, дорогой и трудоемкий процесс:

  • Соответствующие компоненты требуют тестирования в лабораторной печи с высокотемпературной печатной платой (PCB) и приспособлениями, по крайней мере, на столько времени, сколько требует профиль миссии.Ускорить тестирование сложно, поскольку могут возникнуть новые механизмы отказа. Сбои во время тестирования требуют еще одной итерации выбора компонентов и долгосрочного тестирования, задерживая сроки выполнения проекта.
  • Работа за пределами технических характеристик не гарантируется, и производительность может варьироваться в зависимости от партии компонентов. В частности, изменения процесса ИС могут привести к неожиданным сбоям при экстремальных температурах.
  • Пластиковые корпуса устойчивы только до 175 ° C — с сокращенным сроком службы.Вблизи этого температурного предела может быть трудно отличить отказ, связанный с упаковкой, от отказа, связанный с кремнием, без проведения дорогостоящего и трудоемкого лабораторного анализа отказов. Стандартных компонентов в керамических корпусах очень мало.
  • Часто компоненты, используемые в суровых условиях, должны выдерживать не только высокие температуры, но и сильные удары и вибрацию. Многие инженеры предпочитают использовать корпуса с выводами, такие как DIP или SMT типа «крыло чайки», поскольку они обеспечивают более надежное крепление к печатной плате.Это еще больше ограничивает выбор устройств, поскольку в других отраслях промышленности наблюдается тенденция к меньшим размерам безвыводных корпусов.
  • Было бы желательно получить детали в форме штампа, особенно если компонент в остальном доступен только в пластиковой упаковке. Затем кристалл можно переупаковать в высокотемпературный герметичный корпус или многокристальный модуль. Однако из немногих компонентов, которые будут работать при повышенной температуре, доступно меньшее подмножество: протестированных кубиков .
  • Из-за нехватки времени и ограничений испытательного оборудования инженеры в отрасли могут иметь тенденцию ограничивать квалификацию устройства конкретной схемой приложения, не охватывая все ключевые параметры устройства, тем самым ограничивая повторное использование компонентов для других проектов без дальнейшего тестирования.
  • Ключевые свойства ИС, не указанные в технических характеристиках, такие как , электромиграция в металлических межсоединениях, могут привести к сбоям при высоких температурах.

ИС, разработанные и сертифицированные для работы при высоких температурах

К счастью, последние разработки в области ИС позволили создать устройства, которые могут надежно работать при повышенных температурах с гарантированными техническими характеристиками. Были достигнуты успехи в технологии производства, схемотехнике и компоновке.

Управление многими ключевыми характеристиками устройства имеет решающее значение для успешной высокопроизводительной работы при повышенных температурах.Одна из наиболее важных и хорошо известных проблем возникает из-за повышенного тока утечки на подложку . Некоторые другие — это уменьшенная подвижность носителей , изменение параметров устройства, например V T , β и V SAT , увеличенная электромиграция металлических межсоединений и уменьшенная диэлектрическая прочность на пробой . 6 Несмотря на то, что стандартный кремний может работать намного дольше, чем это требуется военным требованиям в 125 ° C, утечка 7 в стандартных процессах кремния удваивается на каждые 10 ° C, что делает его неприемлемым для многих прецизионных приложений.

Изоляция канавок, кремний-на-изоляторе (SOI) и другие варианты стандартного кремниевого процесса значительно уменьшают утечку и обеспечивают высокую производительность при температуре значительно выше 200 ° C. На рисунке 5 показано, как биполярный процесс SOI уменьшает площадь утечки. Материалы с широкой запрещенной зоной, такие как карбид кремния (SiC), поднимают планку еще выше; ИС из карбида кремния в лабораторных условиях работали при температуре до 600 ° C. Однако SiC — это новая технологическая технология, и в настоящее время коммерчески доступны только простые устройства, такие как переключатели питания.

Рис. 5. Сравнение механизмов утечки из соединений в объемном кремнии и КНИ.

Инструментальный усилитель: Инструментальный усилитель требует высокой точности при проведении скважинного бурения для усиления очень слабых сигналов в обычно присутствующих шумных средах. Этот специальный тип усилителя обычно является первым компонентом измерительного интерфейса, поэтому его характеристики имеют решающее значение для работы всей сигнальной цепи.

Команда разработчиков Analog Devices с самого начала нацелила инструментальный усилитель AD8229 на работу при высоких температурах и спроектировала его для этой цели с нуля.Для удовлетворения уникальных требований к производительности был выбран запатентованный биполярный процесс SOI. Разработчики реализовали специальные схемы, чтобы гарантировать работу в широком диапазоне параметров устройства, таких как напряжение база-эмиттер и коэффициент усиления по прямому току.

Схема IC также критически влияет на производительность и надежность AD8229. Для поддержания низкого смещения и высокого CMRR во всем температурном диапазоне компоновка компенсирует колебания межсоединения и температурного коэффициента.Кроме того, тщательный анализ плотности тока в ключевых секциях смягчил влияние электромиграции, что способствовало повышению надежности в экстремальных условиях. Точно так же разработчики предусмотрели условия отказа, чтобы предотвратить преждевременный выход из строя.

Сочетание надежного процесса, схемотехники и методов компоновки позволяет устройству соответствовать самым строгим требованиям к точности и надежности при работе с температурой.

Рекомендации по упаковке

Когда в руки попадает высокотемпературный функциональный кремний, битва выиграна только наполовину.Упаковать кристалл, а затем прикрепить его к печатной плате — нетривиальная задача при высоких температурах. Многие факторы влияют на целостность упаковки при температуре (рис. 6).

Рисунок 6. Элементы упаковки и монтажа ИМС.

Материал для прикрепления кристаллов прикрепляет силикон к корпусу или подложке. Многие материалы, проверенные для использования в стандартных диапазонах температур, имеют низкую температуру стеклования ( T G ) и не подходят для работы при высоких температурах. Особое внимание необходимо уделить согласованию коэффициента теплового расширения (КТР) между штампом, креплением штампа и подложкой, чтобы штамп не подвергался напряжениям и не ломался в течение циклов с широким температурным диапазоном.Даже небольшая механическая нагрузка на матрицу может привести к смещению электрических параметров до неприемлемого уровня для прецизионных приложений. Для силовых устройств, для которых требуется тепловое и электрическое соединение с подложкой корпуса, могут потребоваться металлические материалы для крепления кристаллов.

Соединение проводов — это метод соединения кристалла со штырями путем прикрепления металлических проводов от рамки выводов к контактным площадкам на поверхности кристалла. При рассмотрении надежности соединения проволоки при повышенных температурах большое значение имеет совместимость металлов, используемых для металлизации проволоки и контактных площадок.Нарушения, связанные с плохой совместимостью связывающих металлов, двоякие: рост интерметаллического соединения (IMC) на границе раздела, который создает хрупкую связь; и диффузия (эффект Киркендалла), которая создает пустоты на границе раздела, ослабляя прочность связи и увеличивая ее сопротивление. К сожалению, одна из самых популярных комбинаций металлов в промышленности — металлизация золотой проволоки и алюминиевой контактной площадки — подвержена этим явлениям при повышенных температурах. На рис. 7, разрез связки Au / Al, показан рост IMC, который нарушает целостность связи после 500 часов при высокой температуре.

Рисунок 7. Связь Au / Al через 500 часов при 195 ° C.

На рис. 8 показан значительный рост интерметаллидов Au / Al и пустоты Киркендалла после разрушения связи при высокой температуре. Что еще хуже, галогены, такие как бром и хлор, которые иногда встречаются в формовочных смесях, могут вызывать коррозию на границе раздела при повышенной температуре, ускоряя время до отказа (хотя, к счастью, промышленность переходит на «зеленое» безгалогенное литье. соединения). Таким образом, существует сильный стимул использовать один и тот же металл для соединительной проволоки и контактной площадки (монометаллическая связка ), чтобы избежать этих негативных эффектов.Если это невозможно, инженеры должны выбирать металлы с достаточно медленными темпами роста и диффузии IMC, чтобы они были надежными в течение требуемого срока службы.

Рисунок 8. Интерметаллический рост с пустотами.

Рисунок 9 иллюстрирует прочность монометаллической связи при повышенной температуре. На участке связи не наблюдается никаких признаков роста IMC после 3000 часов при 195 ° C.

Рисунок 9. Монометаллическое соединение через 3000 часов при 195 ° C.

Корпус IC также должен выдерживать нагрузки, вызываемые суровыми условиями окружающей среды.Пластиковые упаковки, хотя и являются отраслевым стандартом, исторически рассчитывались только на 150 ° C для длительного использования. В связи с недавним интересом к высокотемпературным приложениям, исследования показали, что этот рейтинг может достигать 175 ° C, но только на относительно короткие промежутки времени. В зависимости от конструкции корпуса 175 ° C — это точка, при которой некоторые материалы, такие как формовочная масса, превышают температуру стеклования. Эксплуатация выше T G может вызвать значительные механические изменения ключевых параметров, таких как КТР и модуль упругости при изгибе, и привести к таким сбоям, как расслоение и растрескивание из-за повышенной термической деформации. 8

По этой причине герметичные керамические корпуса предпочтительны для высокотемпературных применений (рис. 10). Герметичное уплотнение обеспечивает барьер для проникновения влаги и загрязнений, вызывающих коррозию. К сожалению, герметичные упаковки обычно больше, тяжелее и значительно дороже своих пластиковых аналогов. В приложениях с менее экстремальными температурными требованиями (<175 ° C) пластиковые корпуса могут быть предпочтительнее для сохранения площади печатной платы, снижения стоимости или обеспечения лучшей устойчивости к вибрации.Для систем, требующих герметичной упаковки и с высокой плотностью компонентов, подходящим решением могут быть высокотемпературные многокристальные модули . Однако это решение требует наличия заведомо исправных игральных костей.

Рис. 10. Герметичный керамический корпус DIP с боковой пайкой.

Также необходимо оценить конфигурацию выводов корпуса и металлизацию. Компоненты для поверхностного монтажа зависят исключительно от площади контактной площадки и качества клея между медным слоем и предварительно пропитанным материалом (препрег).С другой стороны, конфигурация DIP со сквозным отверстием, одна из самых проверенных и надежных в отрасли, также обеспечивает надежные ударные и вибрационные характеристики. В крайних случаях прочность крепления может быть дополнительно улучшена путем сгибания штифтов на нижней стороне платы, чтобы «прикрепить» ее к печатной плате, но распиновка сквозных отверстий не позволяет заселить нижнюю сторону платы компонентами, что, возможно, является серьезной проблемой. забота о приложениях, таких как скважинные инструменты, которые имеют ограниченное пространство.

Конфигурация выводов для поверхностного монтажа

типа «крыло чайки» является жизнеспособной альтернативой во многих случаях, но безвыводный SMT может оказаться недостаточно надежным в условиях сильных ударов и вибрации, встречающихся во многих высокотемпературных средах. При использовании компонентов SMT проектировщик должен учитывать их высоту и массу. Применение высокотемпературных эпоксидных смол повысит надежность крепления, но увеличит производственные затраты и ограничит возможность выполнения ремонта. Во всех случаях металлизация свинца должна быть совместима с высокотемпературными припоями.

Самые популярные стандартные припои имеют температуру плавления ниже 200 ° C. Однако есть некоторые легкодоступные сплавы, которые подпадают под категорию «высокой температуры плавления» (HMP) с температурами плавления значительно выше 250 ° C. Даже в таких случаях максимальная рекомендуемая рабочая температура для любого припоя, подверженного нагрузкам, составляет примерно на 40 ° C ниже его точки плавления . Например, стандартный состав припоя HMP из 5% олова, 93,5% свинца и 1,5% серебра имеет температуру плавления 294 ° C, но рекомендуется для использования только при температуре примерно 255 ° C. 9 Обратите внимание, что в корпусах корпусов BGA (шариковая сетка) прикреплены шарики припоя, которые могут не иметь высокой температуры плавления.

Наконец, сама плата является потенциальным источником отказа. Стандартный FR4 достигает стеклования от 130 ° C до 180 ° C, в зависимости от конкретного состава. При использовании выше этой температуры — даже в течение короткого времени — он может расширяться и расслаиваться. Хорошей проверенной альтернативой является полиимид , тот же материал, который используется в каптоне, температура которого T G достигает 250 ° C, в зависимости от состава.Однако полиимид страдает очень высоким влагопоглощением, что может быстро привести к выходу печатной платы из строя по разным причинам, поэтому важно контролировать воздействие влаги. В последние годы промышленность представила экзотические ламинаты, которые впитывают меньше влаги и сохраняют целостность при высоких температурах.

Проверка, квалификация и испытания

Проверка высокотемпературных компонентов в лаборатории — нетривиальная задача, поскольку она требует от инженеров внедрения всех ранее упомянутых методов для проверки производительности при экстремальных температурах.В дополнение к использованию специальных материалов в конструкции испытательного стенда инженеры-испытатели должны тщательно управлять климатическими камерами, позволяя системе адаптироваться к требуемым изменениям температуры. Из-за несоответствия коэффициентов расширения быстрые изменения температуры могут привести к повреждению паяных соединений на печатной плате, короблению и, в конечном итоге, к преждевременному отказу системы. В промышленности действуют правила, согласно которым скорость изменения температуры должна быть ниже 3 ° C в минуту.

Для ускорения проверки срока службы и надежности принято, что электронные компоненты проводят испытания при повышенной температуре.Это вводит коэффициент ускорения α, определяемый уравнением Аррениуса:

, где E a — энергия активации, k — постоянная Больцмана, T a — ожидаемая рабочая температура во время использования и T s — температура напряжения. Хотя ускоренное старение хорошо работает для стандартных продуктов, повышение температуры напряжения значительно выше номинальной может привести к появлению новых механизмов разрушения и получению неточных результатов.Поэтому, чтобы гарантировать долговечность высокотемпературных устройств, таких как AD8229, тест на срок службы при высоких температурах (HTOL) был проведен при максимальной номинальной температуре 210 ° C в течение 1000 часов (примерно шесть недель). Для более низких температур ожидаемый срок службы можно спрогнозировать, используя соотношение ускорения, показанное на рисунке 11.

Рис. 11. Зависимость срока службы AD8229 от рабочей температуры, 1000 часов при 210 ° C. 11

Существуют дополнительные препятствия для надежного определения характеристик высокотемпературных ИС.Например, используемая система тестирования и измерения надежна настолько, насколько надежно ее самое слабое звено. Это означает, что каждый элемент, подвергающийся воздействию повышенных температур в течение длительного периода, должен быть по своей сути более надежным, чем сама ИС. Ненадежная система предоставит данные, которые не отражают долгосрочную надежность компонента, и приведет к дорогостоящим и длительным повторениям процесса. Статистические методы для увеличения вероятности успеха включают точное увеличение на тестового образца, чтобы добавить погрешность для преждевременных отказов системы, не вызванных отказом DUT (тестируемого устройства).

Еще одно препятствие связано с этапами производства, необходимыми для обеспечения экстремальных параметров производительности, таких как испытание, зондирование и подгонка. Команде разработчиков необходимо настроить эти шаги для высокотемпературных продуктов.

Рекомендации по проектированию высокотемпературных систем

Разработчик схем, работающих при высоких температурах, должен учитывать изменения параметров ИС и пассивных компонентов в широком диапазоне температур, уделяя пристальное внимание их поведению при экстремальных температурах, чтобы гарантировать работу схемы в заданных пределах.Примеры включают смещение и дрейф входного смещения, ошибки усиления, температурные коэффициенты, номинальное напряжение, рассеиваемую мощность, утечку на плате и внутреннюю утечку других дискретных устройств, например, используемых в устройствах защиты от электростатического разряда и перенапряжения. Например, в ситуациях, когда источник с высоким импедансом соединен последовательно с входной клеммой усилителя, нежелательные токи утечки (кроме собственного тока смещения усилителя) могут создавать смещения, которые вызывают ошибку измерения тока смещения (рисунок 12).

Рис. 12. Как смещение и утечка вызывают ошибки смещения.

Во всех случаях высокотемпературная эксплуатация усугубляет утечки на плате из-за загрязняющих веществ, таких как припой, пыль и конденсат. Правильная компоновка может помочь свести к минимуму эти эффекты, обеспечив адекватное расстояние между чувствительными узлами — например, отделив входы усилителя от зашумленных шин питания.

Стандартная распиновка для операционных усилителей и инструментальных усилителей помещает одну из входных клемм рядом с отрицательной клеммой питания.Это значительно снижает допуск на остатки флюса на печатной плате после сборки, которые могут вызвать повышенную утечку. Для уменьшения утечки и увеличения высокочастотного CMRR в AD8229 используется такая же высокопроизводительная распиновка, что и в других прецизионных инструментальных усилителях, созданных Analog Devices (рисунок 13).

Рисунок 13. Изменение распиновки устройства помогает минимизировать паразитные утечки.

Утечка диодов, ограничителей переходных напряжений (TVS) и других полупроводниковых устройств экспоненциально увеличивается с температурой и во многих случаях может быть на много порядков больше, чем входной ток смещения усилителя.В таких случаях проектировщик должен гарантировать, что утечка при экстремальных температурах не приведет к ухудшению технических характеристик схемы сверх желаемых пределов.

В настоящее время доступно несколько пассивных компонентов для работы при высоких температурах. Резисторы и конденсаторы встречаются повсеместно в любой схемотехнике. Некоторые имеющиеся в продаже варианты показаны в Таблице 1.

Таблица 1. Примеры высокотемпературных резисторов и конденсаторов

Конденсаторы Максимальная номинальная температура Комментарии
MLCC (керамический) C0G / NP0 200 ° С Низкие значения, низкий TC, доступны в SMT или сквозном отверстии
MLCC (керамический) X7R 200 ° С TC выше, чем у C0G / NP0, меньше cos
Электролитический влажный тантал 200 ° С Высокие значения емкости, в основном сквозная
Тантал электролитический 175 ° С Высокие значения емкости, доступны пакеты SMT
Резисторы Макс. номинальная температура Комментарии
С проволочной обмоткой 275 ° С Высокая устойчивость к скачкам напряжения, стабильная
Металлическая пленка 230 ° С Высокая точность
Оксид металла 230 ° С Общего назначения
Толстая пленка 275 ° С Общего назначения, широкий диапазон сопротивления
Тонкая пленка 215 ° С Компактный, низкий TC, высокая стабильность, доступны массивы резисторов
Керамическая композиция 220 ° С Высокотемпературная замена углеродистой композиции

Обратите внимание, что компоненты для поверхностного монтажа склонны к утечке между клеммами, если их корпуса прилегают к печатной плате, поскольку остатки флюса имеют тенденцию оставаться в ловушке под ними после процесса сборки.Такие остатки отводят влагу, что при высокой температуре увеличивает их проводимость. В этой ситуации паразитный резистор (с довольно непредсказуемым поведением) появится на компоненте поверхностного монтажа, что может привести к дополнительным ошибкам схемы. Чтобы решить эту проблему, подумайте о выборе чипов большего размера, образующих крылья чайки или сквозных компонентов в областях схемы, которые особенно чувствительны. В конечном счете, этот нежелательный остаток можно почти полностью устранить, добавив эффективную стадию промывки картона, обычно с использованием ультразвука или омылителя, в конце процесса сборки.

Разработчик систем, которые будут работать в суровых условиях, должен учитывать управление температурным режимом. Даже в случае компонентов, рассчитанных на высокую температуру окружающей среды, следует учитывать самонагрев, связанный с их рассеянием мощности. В случае AD8229 его гарантированная работа при температуре до 210 ° C предполагает небольшую нагрузку по выходному току. Дополнительное рассеяние мощности, вызванное высокими нагрузками или постоянными неисправностями (такими как короткое замыкание на выходе), увеличит температуру перехода за пределы максимальных номинальных значений детали, что значительно сократит срок службы усилителя.Важно соблюдать рекомендуемые правила отвода тепла и знать о соседних источниках тепла, таких как регуляторы мощности.

Даже высокотемпературные резисторы имеют пониженную номинальную мощность выше 70 ° C. Обратите особое внимание на номинальные температуры резисторов при предполагаемой рабочей температуре, особенно если они рассеивают значительную мощность. Например, если резистор с номиналом 200 ° C работает при температуре окружающей среды 190 ° C, но если его самонагрев из-за рассеивания мощности составляет 20 ° C, он будет превышать свой номинал.

Хотя многие пассивные компоненты могут выдерживать высокие температуры, их конструкция может не подходить для длительного воздействия окружающей среды, в которой высокая температура может сочетаться с ударами и вибрацией. Кроме того, производители жаропрочных резисторов и конденсаторов указывают срок службы при заданной температуре. Соответствие сроку службы всех компонентов важно для получения высоконадежной системы. Наконец, не забывайте, что многим компонентам, рассчитанным на высокую температуру, может потребоваться дополнительное снижение номинальных характеристик для обеспечения продолжительной работы.

Пример

: нанесение на карту температурного градиента в печи

В качестве демонстрации двух подходящих устройств в высокотемпературном применении AD8229 и ADXL206 (двухосевой акселерометр) работали в высокотемпературной среде, которая была портативной и безопасной в использовании. В демонстрации используется небольшая электрическая печь с вращающимся узлом, на которой установлена ​​высокотемпературная печатная плата, которая непрерывно работает. Нагревательный элемент внутри духовки расположен ближе к верху. Такое расположение создает большой температурный градиент внутри объема духовки.Вращающийся механизм подходит для экспериментов, в которых можно комбинировать измерения температуры и положения.

AD8229 обрабатывает сигнал, поступающий от термопары K-типа, которая постоянно вращается внутри печи. Датчик термопары выступает за пределы печатной платы примерно на 6 дюймов — это позволяет лучше измерить изменение температуры печи. В то же время ADXL206 измеряет угол поворота. Три сигнала (градиент температуры, ускорение по оси x и ускорение по оси y) направляется через контактное кольцо (поворотный соединитель), рассчитанное на работу при высоких температурах.Контактное кольцо поддерживает соединение с невращающимся ремнем безопасности, который подключается к плате сбора данных за пределами печи. Поскольку «холодный спай» находится внутри печи, вторая термопара обеспечивает статический эталон внутренней температуры. Усилитель термопары AD8495 (также за пределами печи) использует встроенную компенсацию холодного спая для формирования сигнала дополнительной термопары.

Доска внутри духовки расположена недалеко от центра вращающегося узла, где приблизительная температура составляет 175 ° C.В конструкции доски использован полиимидный материал. Минимальная ширина дорожек на медных слоях составляет 0,020 дюйма для улучшения адгезии меди к материалу препрега (Рисунок 14). Компоненты были прикреплены с помощью стандартного припоя HMP (5 / 93,5 / 1,5 Sn / Pb / Ag) и тефлона. Для соединения платы и контактного кольца использовались провода с покрытием.

Рисунок 14. Высокотемпературная печатная плата с установленными компонентами.

Все прецизионные компоненты устанавливаются в сквозное отверстие. Металлопленочный резистор 25 ppm / ° C устанавливает коэффициент усиления инструментального усилителя.Усилитель работает с высоким коэффициентом усиления, поэтому длина трассы от усилителя до резистора усиления должна быть как можно короче, чтобы минимизировать сопротивление меди (4000 ppm / ° C TC). Интерфейс между термопарой и усилителем расположен в центре платы, чтобы поддерживать постоянную температуру во время вращения. Клеммы термопары расположены как можно ближе друг к другу, чтобы устранить нежелательные эффекты термо-ЭДС на переходе.

Высокотемпературные танталовые конденсаторы и конденсаторы C0G / NP0 развязывают источник питания и служат фильтрами для выходного сигнала акселерометра.

Компьютер обрабатывает данные из четырех разных источников: угол поворота (прямоугольные компоненты x и y), градиент внутренней температуры и эталонная температура. Все эти измерения объединяются, чтобы составить карту температурного градиента (Рисунок 15). Результаты анализа показывают, что изменение температуры может достигать 25 ° C. Как и следовало ожидать, самая высокая температура у нагревательного элемента, который расположен в верхней части задней стенки духовки. Из-за естественной конвекции верхняя часть духовки является второй наиболее горячей зоной внутри духовки.Самая низкая температура определяется, когда термопара находится напротив нагревательного элемента.

Этот эксперимент показывает простым способом, как высокотемпературные компоненты, интегрированные в систему регистрации, могут извлекать ценную информацию при работе в суровых условиях.

Рисунок 15. Демонстрационная диаграмма высоких температур.

Заключение

Для многих приложений, как существующих, так и новых, требуются компоненты, работающие в очень высокотемпературных средах. В прошлом было сложно спроектировать такие системы надежно из-за отсутствия устройств, рассчитанных на такие суровые условия.Теперь доступны интегральные схемы и вспомогательные компоненты, разработанные и сертифицированные для работы в этих средах, что экономит время на разработку и снижает риск отказа. Использование этой новой технологии и следование методам проектирования при высоких температурах позволит высокопроизводительным системам надежно работать даже в более экстремальных условиях, чем это было возможно ранее.

Для получения последней информации о компонентах обработки сигналов, предназначенных для разведки нефти и газа, геотермального мониторинга, управления промышленными двигателями и других приложений, работающих при температуре выше 125 ° C, посетите наш микросайт, посвященный высоким температурам.

Мы приглашаем вас оставлять комментарии о высокотемпературной электронике в сообществе Analog Dialogue на EngineerZone.

использованная литература

1 A.E. I. Mehdi и Karimi K.J Brockschmidt, «Случай для высокотемпературной электроники для аэрокосмической промышленности», IMAPS Int’l. Конференция по высокотемпературной электронике (HiTEC), май 2006 г.

2 Р.А. Норманн, Первое исследование продуктов высокотемпературной электроники, 2005 г. , Sandia National Laboratories Отчет Sandia SAND2006-1580, апрель 2006 г.

3 К. К. Рейнхардт и М. А. Марчиньяк, «Широкополосная силовая электроника для более электрических самолетов», в Proc. 3-й Int. Конф. Высокотемпературной электроники. , Альбукерке, Нью-Мексико, июнь 1996 г., стр. I.9 – I.15.

4 Б. Блэлок, Ч. Хьюк, Л. Толберт, М. Су, С. Ислам и Р. Виджаярагхаван, «Высокотемпературная электроника на основе кремния на изоляторе для автомобильных приложений», Международный симпозиум IEEE по промышленной электронике 2008 г. .

5 Дж.Л. Эванс, Дж. Р. Томпсон, М. Кристофер, П. Якобсен и Р. В. Джонсон, «Изменяющаяся автомобильная среда: высокотемпературная электроника», IEEE Trans. on Electronics Packaging Manufacturing , Vol. 27, No. 3, pp. 164-176, July 2004.

6 Э. Р. Хнатек, «Раздел 5: Управление температурой», Практическая надежность электронного оборудования и продуктов , Нью-Йорк, Нью-Йорк: CRC Press, 2002.

7 Национальный исследовательский совет, «Приложение A: Кремний как высокотемпературный материал», Материалы для высокотемпературных полупроводниковых устройств , Вашингтон, округ Колумбия: The National Academies Press, 1995.

8 F.P McCluskey, R. Grzybowski и T. Podlesak, High Temperature Electronics , CRC Press, New York, 1997.

9 «Свойства сплавов многожильных паяльных проволок», Технический паспорт , Henkel Technologies, август 2007 г.

10 «Соображения по рассеиванию мощности в высокоточных тонкопленочных резисторах и массивах Vishay Sfernice (P, PRA и т. Д.) (Высокотемпературные применения)», Vishay Application Note , Doc.Номер: 53047, редакция: март 2010 г.

11 http://www.analog.com/hightemp.

Заявка на патент США на светоизлучающее диодное устройство и способ изготовления одной и той же заявки на патент (заявка № 20120305959 от 6 декабря 2012 г.)

ПЕРЕКРЕСТНАЯ ССЫЛКА НА СООТВЕТСТВУЮЩУЮ ЗАЯВКУ

В данной заявке испрашивается приоритет заявки на патент Тайваня № 100119074, поданной 31 мая 2011 г., озаглавленной «Светоизлучающее диодное устройство и метод для его производства», автор — Куо-хуй Ю, Чанг- Hsin CHU, Chi-Lung WU, Shin-Jia CHIOU, Chung-Hsin LIN и Jui-Chun CHANG, описание которых полностью включено в настоящий документ посредством ссылки.

ОБЛАСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Настоящее изобретение относится к светоизлучающему устройству, а более конкретно к светоизлучающему диодному (СИД) устройству и способу его изготовления.

Уровень техники

Как показано на фиг. 1A и фиг. 1B, фиг. 1A представляет собой схематический вид сверху вертикальной светодиодной структуры в предшествующем уровне техники, а фиг. 1B — схематический вид в разрезе по линии A-B на фиг. 1А. Светодиодная структура 100 включает в себя подложку 102 , связующий слой 104 , контактный слой p-типа 106 , полупроводниковый слой p-типа 108 , активный слой 110 , n- полупроводниковый слой 112 n-типа, электродная площадка 114 n-типа, проводящая ветвь n-типа 116 и электродный слой p-типа 118 .

В светодиодной структуре 100 , связующий слой 104 , контактный слой p-типа 106 , полупроводниковый слой p-типа 108 , активный слой 110 и полупроводниковый слой n-типа , 112, последовательно уложены на поверхности , 120, подложки , 102, . Как показано на фиг. 1A, проводящая ветвь n-типа , 116, соединена с площадкой , 114, электрода n-типа и проходит наружу от площадки , 114, электрода n-типа.Кроме того, как показано на фиг. 1B, электродная площадка , 114, n-типа и проводящая ветвь , 116, n-типа расположены на полупроводниковом слое n-типа , 112, . Кроме того, электродный слой , 118, p-типа расположен на другой поверхности , 122 подложки , 102, , противоположной поверхности , 120, . Контактный слой , 106, p-типа обычно изготавливается из материала с высокой отражающей способностью, поэтому его также можно назвать отражающим слоем.

Однако светодиодная структура 100 имеет дефекты. Во-первых, поскольку электродная площадка , 114, n-типа и проводящая ветвь , 116 n-типа расположены на полупроводниковом слое n-типа , 112, над активным слоем , 110, , проводящая ветвь n-типа 116, , может поглощать свет, излучаемый активным слоем , 110, и, таким образом, снижать эффективность вывода света светодиодной структуры , 100, .

Кроме того, вертикальная светодиодная структура , 100, отличается от горизонтальной светодиодной структуры в предшествующем уровне техники.ИНЖИР. 2 — схематический вид в разрезе горизонтальной светодиодной структуры известного уровня техники. Горизонтальная светодиодная структура , 200, в предшествующем уровне техники включает в себя подложку , 202, ; нелегированный слой 204 GaN, расположенный на подложке 202 ; слой 206 GaN n-типа, расположенный на нелегированном слое 204 GaN; активный слой 208 , расположенный на части слоя 206 GaN n-типа; слой 210 GaN p-типа, расположенный на активном слое 208 ; электродную площадку 212 n-типа, расположенную на открытой поверхности GaN 216 слоя GaN n-типа 206 ; омический контактный слой p-типа , 220, , расположенный на слое GaN p-типа , 210, ; и электродную площадку 214 p-типа, расположенную на части омического контактного слоя p-типа 220 .Из-за характеристик материала верхняя поверхность слоя 206 GaN n-типа, удаленная от ростовой подложки, представляет собой поверхность GaN 216 , а нижнюю поверхность нелегированного слоя 204 GaN около субстрат для выращивания представляет собой N-грань 218 .

Следовательно, в горизонтальной светодиодной структуре 200 электродная площадка 212 n-типа расположена на поверхности 216 GaN-типа слоя 206 GaN n-типа. При такой архитектуре электродная площадка , 212, n-типа после отжига все еще сохраняет хороший омический контакт.С другой стороны, в вертикальной светодиодной структуре , 100, , электродная площадка n-типа , 114, и проводящая ветвь n-типа , 116, расположены на N-стороне полупроводникового слоя n-типа 112 . Следовательно, когда электродная площадка , 114, n-типа и проводящая ветвь , 116, n-типа расположены на N-стороне, термическая стабильность электродной площадки n-типа , 114, и проводящей ветви n-типа 116 изношена.Следовательно, после процесса отжига омический контакт между площадкой электрода n-типа , 114, и проводящей ветвью n-типа , 116, и полупроводниковым слоем n-типа , 112, , ухудшается, что приводит к увеличению сопротивления между электродная площадка n-типа , 114, и проводящая ветвь n-типа , 116, и полупроводниковый слой n-типа , 112 .

Кроме того, в процессе вертикальной светодиодной структуры 100 контактный слой p-типа 106 необходимо дважды подвергнуть процессу отжига, то есть процессу первого отжига после контактного слоя p-типа 106 формируется, и формируется второй процесс отжига после электродной площадки , 114, n-типа и проводящей ветви , 116, n-типа.Следовательно, после контактного слоя , 106, p-типа, который также функционирует как отражающий слой, подвергнутый двум процессам отжига, коэффициент отражения трудно контролировать.

Следовательно, в данной области техники существует ранее не решенная потребность в устранении вышеупомянутых недостатков и несоответствий.

СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ

В одном аспекте настоящее изобретение относится к светодиодному устройству и способу его изготовления, в котором проводящая ветвь расположена в эпитаксиальной структуре, таким образом уменьшая долю света, поглощаемого светом. проводящая ветвь.

В другом аспекте настоящее изобретение относится к светодиодному устройству и способу его изготовления, в котором электродная площадка первого электрического типа и проводящая ветвь первого электрического типа расположены на поверхности Ga полупроводника первого электрического типа. слоя, таким образом улучшая термическую стабильность электродной площадки первого электрического типа и проводящей ветви первого электрического типа.

В еще одном аспекте настоящее изобретение относится к светодиодному устройству и способу его изготовления, в котором второй контактный слой электрического типа, который также обеспечивает отражающую функцию, изготавливается после процесса отжига электродной площадки первого электрического типа. и первая проводящая ветвь электрического типа.Следовательно, можно эффективно управлять отражательной способностью контактного слоя второго электрического типа.

В еще одном аспекте настоящее изобретение относится к светодиодному устройству и способу его изготовления, в котором светодиодный чип после резки может быть непосредственно закреплен на подложке корпуса или проводящей выводной рамке, а затем ростовая подложка удалены, и, таким образом, изготовление светодиодного устройства практически завершено. Поэтому после удаления субстрата для выращивания литографический процесс можно не проводить.

В дополнительном аспекте настоящее изобретение относится к светодиодному устройству и способу его изготовления, в котором после того, как светодиодный чип после резки размещается на подложке или раме корпуса, не требуется дополнительно изготавливать выпускной канал. для вентиляции газа, образующегося в процессе удаления ростового субстрата лазером. Следовательно, степень использования светоизлучающей области светодиодного кристалла может быть увеличена.

В дополнительном аспекте настоящее изобретение относится к созданию светодиодного устройства и способа его изготовления, в котором светодиодные чипы, имеющие разные длины волны излучения света, могут быть успешно объединены вместе путем наложения друг на друга, образуя таким образом светодиодное устройство, которое обеспечивает смешанный свет.Следовательно, разнообразие и применимость светодиодного устройства могут быть улучшены.

В соответствии с вышеуказанными целями настоящего изобретения предоставляется светодиодное устройство. Светодиодное устройство включает в себя подложку, первый связывающий слой, первую эпитаксиальную структуру, проводящую ветвь первого электрического типа, электродный слой первого электрического типа, изолирующий слой и второй электродный слой электрического типа. Подложка имеет первую и вторую поверхности, противоположные друг другу. Связующий слой расположен на первой поверхности.Первая эпитаксиальная структура имеет третью поверхность и четвертую поверхность, противоположные друг другу, и включает в себя первую канавку и вторую канавку. Первая эпитаксиальная структура включает в себя полупроводниковый слой второго электрического типа, активный слой и первый полупроводниковый слой электрического типа, последовательно уложенные на первом связующем слое. Первая канавка проходит от четвертой поверхности до первого полупроводникового слоя электрического типа через активный слой, а вторая канавка проходит от четвертой поверхности до третьей поверхности.Полупроводниковый слой первого электрического типа и полупроводниковый слой второго электрического типа имеют разные электрические типы. Проводящая ветвь первого электрического типа расположена на полупроводниковом слое первого электрического типа в первой канавке. Электродный слой первого электрического типа расположен во второй канавке, копланарной с третьей поверхностью, и соединен с проводящей ветвью первого электрического типа. Изолирующим слоем заполняется первая канавка и вторая канавка.Электродный слой второго электрического типа и полупроводниковый слой второго электрического типа электрически соединены.

Согласно варианту осуществления настоящего изобретения электродный слой второго электрического типа расположен на второй поверхности подложки, и подложка является проводящей подложкой.

Согласно другому варианту осуществления настоящего изобретения первая эпитаксиальная структура дополнительно включает третью канавку, проходящую от четвертой поверхности до третьей поверхности, а изолирующий слой дополнительно заполняет третью канавку.Кроме того, электродный слой второго электрического типа расположен в третьей канавке и копланарен третьей поверхности. Светодиодное устройство дополнительно включает в себя проводящий слой, электрически соединенный со вторым электродным слоем электрического типа и полупроводниковым слоем второго электрического типа.

Согласно еще одному варианту осуществления настоящего изобретения, светодиодное устройство дополнительно включает в себя первый проводящий вывод, электрически подключенный к электродному слою первого электрического типа, и первый электрод внешнего источника питания, а также второй проводящий провод, электрически подключенный ко второму электрическому слою. тип электродного слоя и второй электрод внешнего источника питания.

Согласно еще одному варианту осуществления настоящего изобретения, светодиодное устройство дополнительно включает в себя второй связывающий слой, расположенный между подложкой и первым связывающим слоем, первый проводящий вывод, электрически соединенный с электродным слоем первого электрического типа, и первый электрод внешний источник питания и второй токопроводящий вывод, электрически связанный со вторым связывающим слоем и вторым электродом внешнего источника питания.

Согласно еще одному варианту осуществления настоящего изобретения, светодиодное устройство дополнительно включает в себя первый прозрачный проводящий слой, вторую эпитаксиальную структуру, множество первых контактных площадок, еще одну проводящую ветвь первого электрического типа, еще один электродный слой первого электрического типа и еще один изоляционный слой.Первый прозрачный проводящий слой расположен на третьей поверхности. Вторая эпитаксиальная структура имеет пятую поверхность и шестую поверхность, противоположные друг другу, и включает третью канавку и четвертую канавку. Вторая эпитаксиальная структура включает в себя другой полупроводниковый слой второго электрического типа, другой активный слой и еще один полупроводниковый слой первого электрического типа, последовательно уложенные на первом прозрачном проводящем слое. Третья канавка проходит от шестой поверхности к другому полупроводниковому слою первого электрического типа через другой активный слой, а четвертая канавка проходит от шестой поверхности к пятой поверхности.Первые контактные площадки прикреплены между первым прозрачным проводящим слоем и первой эпитаксиальной структурой. Другая проводящая ветвь первого электрического типа расположена на другом полупроводниковом слое первого электрического типа в третьей канавке. Другой электродный слой первого электрического типа расположен в четвертой канавке, копланарной пятой поверхности, и соединен с другой проводящей ветвью первого электрического типа. Другой изолирующий слой заполняет третью канавку и четвертую канавку.

Согласно еще одному варианту осуществления настоящего изобретения, светодиодное устройство дополнительно включает в себя второй прозрачный проводящий слой, третью эпитаксиальную структуру, множество вторых контактных площадок, еще одну проводящую ветвь первого электрического типа, еще один электродный слой первого электрического типа. и еще один изолирующий слой. Второй прозрачный проводящий слой расположен на пятой поверхности. Третья эпитаксиальная структура имеет седьмую поверхность и восьмую поверхность, противоположные друг другу, и включает пятую канавку и шестую канавку.Третья эпитаксиальная структура включает в себя еще один полупроводниковый слой второго электрического типа, еще один активный слой и еще один полупроводниковый слой первого электрического типа, последовательно уложенные на втором прозрачном проводящем слое. Пятая канавка проходит от восьмой поверхности до еще одного полупроводникового слоя первого электрического типа через еще один активный слой, а шестая канавка проходит от восьмой поверхности до седьмой поверхности. Вторые контактные площадки прикреплены между вторым прозрачным проводящим слоем и второй эпитаксиальной структурой.Еще одна проводящая ветвь первого электрического типа расположена на еще одном полупроводниковом слое первого электрического типа в пятой канавке. Еще один электродный слой первого электрического типа расположен в шестой канавке, копланарно седьмой поверхности, и соединен с еще одним проводящим ответвлением первого электрического типа. Еще один изолирующий слой заполняет пятую канавку и шестую канавку.

В соответствии с вышеуказанными целями настоящего изобретения также предоставляется способ изготовления светодиодного устройства, который включает следующие этапы.Первая эпитаксиальная структура формируется на первой подложке. Первая эпитаксиальная структура включает в себя полупроводниковый слой первого электрического типа, активный слой и второй полупроводниковый слой электрического типа, последовательно уложенные на первой подложке. Первая эпитаксиальная структура включает первую канавку и вторую канавку. Первая канавка и вторая канавка проходят от второго полупроводникового слоя электрического типа соответственно до первого полупроводникового слоя электрического типа и первой подложки.Проводящая ветвь первого электрического типа и электродный слой первого электрического типа соответственно сформированы на полупроводниковом слое первого электрического типа в первой канавке и на первой подложке во второй канавке. Изолирующий слой заполняет первый паз и второй паз. Первый связующий слой сформирован на втором полупроводниковом слое электрического типа и изолирующем слое. Вторая подложка приклеивается к первому связующему слою. Первый субстрат удаляется.

Эти и другие аспекты настоящего изобретения станут очевидными из следующего описания предпочтительного варианта осуществления, взятого вместе со следующими чертежами, хотя изменения и модификации в них могут быть затронуты без отклонения от сущности и объема новых концепций раскрытие.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ

Чертежи, описанные ниже, предназначены только для целей иллюстрации. Чертежи никоим образом не предназначены для ограничения объема настоящего изобретения. Файл патента или заявки может содержать как минимум один цветной рисунок. В таком случае копии данного патента или публикации заявки на патент с цветным рисунком (-ами) будут предоставлены Ведомством по запросу и уплате необходимой пошлины.

Дополнительные особенности и преимущества настоящего изобретения будут очевидны из подробного описания его предпочтительных вариантов осуществления, взятого вместе со следующими чертежами, на которых аналогичные элементы обозначены одинаковыми ссылочными номерами, и на которых:

Фиг.1A — схематический вид сверху вертикальной светодиодной структуры в предшествующем уровне техники;

РИС. 1B — схематический вид в разрезе по линии A-B на фиг. 1А;

РИС. 2 — схематический вид в разрезе горизонтальной светодиодной структуры известного уровня техники;

РИС. 3A — вид сверху светодиодного устройства согласно первому варианту осуществления настоящего изобретения;

РИС. 3B — вид в разрезе по линии A-B на фиг. 3А;

РИС.3C — вид в разрезе по линии C-D поперечного сечения на фиг. 3А;

РИС. С 4А по фиг. 4E — виды в разрезе процессов светодиодного устройства согласно первому варианту осуществления настоящего изобретения;

РИС. 5A — вид сверху светодиодного устройства согласно второму варианту осуществления настоящего изобретения;

РИС. 5B — вид в разрезе по линии E-F на фиг. 5А;

РИС. С 6А по фиг. 6E — виды в разрезе процессов светодиодного устройства согласно второму варианту осуществления настоящего изобретения;

РИС.7A и фиг. 7B — виды в разрезе процессов светодиодного устройства согласно третьему варианту осуществления настоящего изобретения;

РИС. 8A и фиг. 8B — виды в разрезе процессов светодиодного устройства согласно четвертому варианту осуществления настоящего изобретения; и

фиг. С 9А по фиг. 9E — виды в разрезе процессов светодиодного устройства согласно пятому варианту осуществления настоящего изобретения.

ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Настоящее изобретение более конкретно описано в следующих примерах, которые предназначены только для иллюстрации, поскольку для специалистов в данной области будут очевидны многочисленные модификации и вариации в нем.Теперь подробно описаны различные варианты осуществления изобретения. Ссылаясь на чертежи, на фиг. 1-9E, такие же числа, если они есть, указывают на одинаковые компоненты во всех видах. Как используется в описании в данном документе и во всей следующей формуле изобретения, значения «а», «an» и «the» включают множественные ссылки, если контекст явно не диктует иное. Кроме того, как используется в описании в данном документе и во всей следующей формуле изобретения, значение «in» включает «in» и «on», если контекст явно не диктует иное.Более того, заголовки или подзаголовки могут использоваться в спецификации для удобства читателя, что не должно влиять на объем настоящего изобретения. Кроме того, некоторые термины, используемые в этой спецификации, более конкретно определены ниже.

Термины, используемые в этом описании, обычно имеют свои обычные значения в данной области техники, в контексте изобретения и в конкретном контексте, где используется каждый термин. Некоторые термины, которые используются для описания изобретения, обсуждаются ниже или в другом месте описания, чтобы предоставить практикующему специалисту дополнительные указания относительно описания изобретения.Для удобства некоторые термины могут быть выделены, например, курсивом и / или кавычками. Использование выделения не влияет на объем и значение термина; объем и значение термина одинаковы, в одном контексте, независимо от того, выделен он или нет. Будет понятно, что одно и то же можно сказать более чем одним способом. Следовательно, альтернативный язык и синонимы могут использоваться для любого одного или нескольких терминов, обсуждаемых в данном документе, и при этом не следует придавать особого значения тому, разрабатывается или обсуждается данный термин в данном документе.Приведены синонимы для определенных терминов. Изложение одного или нескольких синонимов не исключает использования других синонимов. Использование примеров где-либо в этом описании, включая примеры любых обсуждаемых здесь терминов, является только иллюстративным и никоим образом не ограничивает объем и значение изобретения или любого приведенного в качестве примера термина. Точно так же изобретение не ограничивается различными вариантами осуществления, приведенными в этом описании.

Если не указано иное, все технические и научные термины, используемые в данном документе, имеют то же значение, которое обычно понимается специалистом в данной области техники, к которой относится это изобретение.В случае конфликта настоящий документ, включая определения, будет иметь преимущественную силу.

Используемые здесь термины «около», «примерно» или «приблизительно» обычно означают в пределах 20 процентов, предпочтительно в пределах 10 процентов и более предпочтительно в пределах 5 процентов от заданного значения или диапазона. Приведенные здесь числовые величины являются приблизительными, что означает, что термин «примерно», «примерно» или «приблизительно» может подразумеваться, если не указан явно.

В данном контексте «множество» означает два или более.

Используемые здесь термины «содержащий», «включающий», «несущий», «имеющий», «содержащий», «вовлекающий» и т.п. следует понимать как неограниченные, т.е.е., чтобы означать включая, но не ограничиваясь ими.

Ссылаясь на фиг. С 3А по фиг. 3C, фиг. 3A — вид сверху светодиодного устройства согласно первому варианту осуществления настоящего изобретения, фиг. 3B — вид в разрезе по линии A-B на фиг. 3A и фиг. 3C — вид в разрезе по линии C-D поперечного сечения на фиг. 3А. В этом варианте осуществления светодиодное устройство , 300, , , , в основном включает в себя подложку , 302, , связующий слой, , 304, , эпитаксиальную структуру, , 328, , проводящую ветвь первого электрического типа, , 320, , электрод первого электрического типа. слой , 322, , изолирующий слой , 326, и электродный слой второго электрического типа, , 338, , как показано на фиг.3B.

В светодиодном устройстве , 300, , , , подложка , 302, имеет поверхности , 334, и , 336, , соответственно, расположенные на двух противоположных сторонах. Эпитаксиальная структура , 328, прикреплена к поверхности , 334, подложки , 302, , посредством связующего слоя , 304, , то есть связующий слой , 304, соединен между эпитаксиальной структурой , 328, и поверхностью . 334 подложки 302 .Материал связующего слоя 304 представляет собой проводящий материал, например Au, AuSn или In. Материал эпитаксиальной структуры , 328, может быть, например, материалом на основе GaN. Эпитаксиальная структура , 328, имеет поверхности , 330, и , 332, , расположенные на двух противоположных сторонах.

В одном варианте осуществления эпитаксиальная структура , 328, может включать в себя полупроводниковый слой второго электрического типа , 308, , активный слой , 310, и первый полупроводниковый слой электрического типа, , 312, , последовательно уложенные поверх связующего слоя 304 .Здесь поверхность 332 эпитаксиальной структуры 328 является поверхностью полупроводникового слоя первого электрического типа 312 , а поверхность 330 эпитаксиальной структуры 328 является поверхностью полупроводникового слоя второго электрического типа. 308 . В настоящем изобретении первый электрический тип и второй электрический тип имеют разные электрические типы. Например, первый электрический тип или второй электрический тип являются n-типом, а другой — p-типом.В этом варианте осуществления первый электрический тип является n-типом, а второй электрический тип — p-типом.

В другом варианте осуществления, как показано на фиг. 3B, эпитаксиальная структура , 328, может дополнительно включать нелегированный полупроводниковый слой , 314, . Нелегированный полупроводниковый слой , 314, расположен на первом полупроводниковом слое электрического типа , 312, . Следовательно, в отличие от вышеупомянутого варианта осуществления, здесь поверхность , 332, эпитаксиальной структуры , 328, является поверхностью нелегированного полупроводникового слоя , 314, .Более того, поверхность нелегированного полупроводникового слоя , 314, , т.е. поверхность , 332, эпитаксиальной структуры, , 328, , может быть снабжена правильно расположенной структурой или нерегулярно расположенной структурой, таким образом улучшая скорость вывода света светодиода. устройство 300 а.

В этом варианте осуществления, в соответствии с требованиями к продукту, светодиодное устройство 300 включает в себя второй контактный слой электрического типа 306 .Контактный слой второго электрического типа , 306, расположен между полупроводниковым слоем второго электрического типа , 308, и связующим слоем , 304, для улучшения качества электрического контакта второго полупроводникового слоя электрического типа , 308, . Следовательно, материал контактного слоя второго электрического типа , 306, является проводящим материалом, например Ni / Ag. В одном примере контактный слой второго электрического типа , 306, может также иметь отражающую функцию, поэтому контактный слой второго электрического типа , 306, иногда может называться отражающим слоем.

В этом варианте осуществления эпитаксиальная структура , 328, включает в себя две канавки: , 316, и , 318, . Канавка , 316, проходит от полупроводникового слоя второго электрического типа , 308, до первого полупроводникового слоя электрического типа , 312, , то есть канавка , 316, проходит от поверхности , 330, эпитаксиальной структуры , 328, , до первый полупроводниковый слой электрического типа , 312, через активный слой , 310, .Дно канавки , 316, обнажает часть первого полупроводникового слоя электрического типа , 312, . С другой стороны, канавка , 318, проходит от полупроводникового слоя второго электрического типа , 308, до нелегированного полупроводникового слоя , 314, и проникает в эпитаксиальную структуру , 328, , то есть канавка , 318, , проходит от поверхность 330 эпитаксиальной структуры 328 к поверхности 332 .

Ссылаясь на фиг. 3B, опять же, электродный слой первого электрического типа , 322, расположен в канавке , 318, и копланарен поверхности , 332, эпитаксиальной структуры , 328, . Кроме того, проводящая ветвь первого электрического типа , 320, расположена на первом полупроводниковом слое электрического типа , 312, , открытом канавкой , 316, эпитаксиальной структуры , 328, . Обращаясь к фиг. 3A и фиг.3C, в то же время электродный слой первого электрического типа , 322, соединен с первой проводящей ветвью электрического типа , 320, , и первая проводящая ветвь электрического типа , 320, может выходить наружу от электродного слоя первого электрического типа. 322 . Проводящая ветвь первого электрического типа , 320, и электродный слой первого электрического типа , 322, имеют интегрированную структуру. Как показано на фиг. 3C, слой , 322, электрода первого электрического типа и проводящая ветвь первого электрического типа , 320, имеют разность по высоте.Материал проводящей ветви первого электрического типа , 320, и слоя электрода первого электрического типа , 322, может быть, например, Ti / Al, Cr / Pt / Au или Ti / Al / Ti / Au.

В одном варианте осуществления светодиодное устройство , 300, , , может дополнительно включать в себя отражающий слой 324 . Как показано на фиг. 3B и фиг. 3C, отражающий слой , 324, расположен на верхней поверхности электродного слоя первого электрического типа , 322, и первого проводящего ответвления электрического типа , 320, .В другом варианте осуществления отражающий слой , 324, может перекрываться на верхней поверхности и боковых поверхностях электродного слоя первого электрического типа , 322, и проводящего ответвления первого электрического типа , 320, . Отражающий слой , 324, может быть образован, например, из алюминия, серебра, платины или структуры распределенного брэгговского отражателя (DBR).

Изолирующий слой 326 заполняет канавки 316 и 318 и перекрывает проводящую ветвь первого электрического типа 320 и слой электрода первого электрического типа 322 , расположенные соответственно в канавках 316 и 318 .Материал изолирующего слоя , 326, может быть, например, методом центрифугирования на стекле (SOG), SiO 2 или SiN.

В этом варианте осуществления, как показано на фиг. 3B и фиг. 3C, слой электрода второго электрического типа , 338, расположен на поверхности , 336, подложки , 302, . Здесь подложка , 302, предпочтительно является проводящей подложкой, так что электродный слой второго электрического типа , 338, может быть электрически соединен со вторым полупроводниковым слоем электрического типа , 308, через подложку , 302, , связующий слой , 304. и второй контактный слой электрического типа 306 .В одном варианте осуществления подложка , 302, может быть материалом с высокой теплопроводностью, например Si, Cu и CuW, тем самым улучшая способность рассеивания тепла светодиодным устройством 300 a . Электродный слой второго электрического типа , 338, может быть сформирован, например, из структуры Ti / Au. Определенно, если подложка , 302, является проводящей подложкой, а подложка , 302, и последующие процессы могут иметь хорошие электрические характеристики, второй слой электрода электрического типа , 338, может быть опущен при желании.

В другом варианте осуществления светодиодное устройство 300 a дополнительно необязательно включает в себя слой улучшения света 366 в соответствии с требованиями продукта. Слой усиления света , 366, расположен на нелегированном полупроводниковом слое , 314, . Слой , 366, улучшения света может быть структурой, образованной одним слоем материала, или структурой, сформированной путем наложения нескольких слоев материала. В примере поверхность одной стороны слоя , 366, усиления света, противоположная нелегированному полупроводниковому слою , 314, , может иметь регулярно расположенную структуру или нерегулярно расположенную структуру для повышения скорости вывода света светодиодного устройства 300 а.

Материал светочувствительного слоя 366 предпочтительно является прозрачным материалом, например Al 2 O 3 , SiO 2 , SiN или TiO 2 . Показатель преломления светочувствительного слоя , 366, больше, чем показатель преломления воздуха, но меньше, чем показатель преломления нелегированного полупроводникового слоя , 314, . Следовательно, показатели преломления эпитаксиальной структуры , 328, , слоя усиления света , 366, и воздуха имеют одинаковую тенденцию, то есть показатели преломления эпитаксиальной структуры , 328, , слоя усиления света , 366, и уменьшение воздуха в той же тенденции.При такой же тенденции дизайна показателей преломления предотвращается полное отражение света, излучаемого наружу эпитаксиальной структурой 328 через светоусиливающий слой 366 , тем самым улучшая скорость вывода света светодиодным устройством 300 а.

РИС. С 4А по фиг. 4E — виды в разрезе процессов светодиодного устройства согласно первому варианту осуществления настоящего изобретения. В этом варианте осуществления, когда светодиодное устройство , 300, , , , изготавливается, предоставляется подложка , 340, .Подложка , 340, является эпитаксиальной подложкой для выращивания эпитаксиальной структуры , 328, . Затем применяется процесс металлорганического химического осаждения из паровой фазы (MOCVD) для последовательного выращивания нелегированного полупроводникового слоя , 314, , первого полупроводникового слоя электрического типа , 312, , активного слоя , 310, и второго полупроводника электрического типа. слой 308 эпитаксиальной структуры 328 на поверхности 342 подложки 340 .

Затем, как показано на фиг. 4A, например, процесс литографии и травления используется для удаления части эпитаксиальной структуры 328 , чтобы определить канавки 316 и 318 в эпитаксиальной структуре 328 . Дно канавки , 316, обнажает первый полупроводниковый слой электрического типа , 312, , канавка , 318, проходит через эпитаксиальную структуру , 328, , а нижняя часть канавки, , 318, , обнажает поверхность , 342, подложки. 340 .

Затем, как показано на фиг. 4B, например, процесс напыления, литографии и травления используется для формирования соответственно слоя электрода первого электрического типа 322 и первого проводящего ответвления электрического типа 320 в канавках , 318, и , 316 . Электродный слой первого электрического типа , 322, расположен на открытой части поверхности , 342, подложки, , 340, , в канавке , 318, , а проводящая ветвь первого электрического типа , 320, расположена на открытой части. первого полупроводникового слоя электрического типа , 312, , в канавку , 316, .В одном варианте осуществления после того, как сформированы проводящая ветвь первого электрического типа , 320, и электродный слой первого электрического типа , 322, , может быть выполнен процесс отжига для улучшения электрического контактного сопротивления между проводящей ветвью первого электрического типа , 320, и контактировавший первый полупроводниковый слой электрического типа , 312, .

После этого процесс осаждения используется для формирования отражающего слоя 324 , покрывающего верхние поверхности электродного слоя первого электрического типа 322 и первого проводящего ответвления электрического типа 320 , как показано на фиг.4Б. Или отражающий слой , 324, может перекрывать слой электрода первого электрического типа , 322, и проводящую ветвь первого электрического типа , 320, .

Затем можно использовать процесс осаждения или центрифугирования для формирования слоя изоляционного материала, покрывающего всю поверхность 330 эпитаксиальной структуры 328 и заполняющего канавки 316 и 318 . Затем процесс травления или шлифования применяется для удаления лишнего изоляционного материала с поверхности 330 эпитаксиальной структуры 328 и формирования изолирующего слоя 326 , заполненного канавками 316 и 318 , как показано на фиг.4С.

В одном варианте осуществления стопорный слой (не показан), например сначала может быть сформирован слой остановки травления или слой остановки шлифования, чтобы покрыть поверхность , 330, , эпитаксиальной структуры , 328, . Например, когда процесс сухого травления используется для удаления лишнего изоляционного материала на эпитаксиальной структуре , 328, , слой остановки сухого травления, сформированный из материала Au или Ni, может быть сначала сформирован на поверхности , 330, эпитаксиальной структуры . 328 .

Следовательно, следующий процесс травления изоляционного материала может обеспечить хороший контроль глубины травления, и, таким образом, сформированная поверхность изолирующего слоя , 326, и поверхность , 330, эпитаксиальной структуры , 328, , могут быть расположены в одном самолете.

Затем, например, процесс осаждения необязательно используется для формирования второго контактного слоя электрического типа 306 , покрывающего поверхность 330 эпитаксиальной структуры 328 и изолирующий слой 326 .В одном варианте осуществления после формирования второго контактного слоя электрического типа , 306, может быть выполнен процесс отжига для улучшения электрического контактного сопротивления между вторым контактным слоем электрического типа , 306, и контактирующим вторым полупроводниковым слоем электрического типа , 308, . . Затем, например, процесс осаждения используется для формирования связующего слоя , 304, , покрывающего второй контактный слой электрического типа , 306, , над вторым полупроводниковым слоем электрического типа , 308, и изолирующим слоем , 326, , таким образом формируя структуру. как показано на фиг.4D. Затем, как показано на фиг. 4E, связывающий слой , 304, используется для соединения эпитаксиальной структуры , 328, и другой подложки , 302, . Здесь подложка , 302, соединяется со связующим слоем , 304, .

После этого, когда подложка 302 служит опорной структурой, применяется процесс лазерного подъема или шлифования для удаления ростовой подложки 340 , используемой в эпитаксии, таким образом обнажая поверхность 332 эпитаксиальной структуры 328 , электродный слой первого электрического типа , 322 и изолирующий слой , 326 .В этом варианте осуществления процесс испарения или распыления используется для формирования слоя электрода второго типа 338 , покрывающего поверхность 336 подложки 302 , таким образом, по существу завершая изготовление светодиодного устройства 300 a , как показано на фиг. 3B и фиг. 3С.

В светодиодном устройстве 300 a , электродный слой второго электрического типа 338 и связующий слой 304 соответственно расположены на поверхностях 336 и 334 двух противоположных сторон подложки 302 .Кроме того, подложка , 302, может быть проводящей подложкой, и, таким образом, электродный слой второго электрического типа , 338, электрически соединен со вторым полупроводниковым слоем электрического типа 308 через подложку 302 , связующий слой 304 и второй контактный слой электрического типа , 306, .

В одном варианте осуществления, после удаления подложки , 340, для эпитаксиального роста, дополнительно применяется процесс осаждения для необязательного формирования светочувствительного слоя 366 , покрывающего поверхность 332 эпитаксиальной структуры 328 , то есть , покрывающий нелегированный полупроводниковый слой 314 .

В настоящем изобретении электродный слой первого электрического типа и электродный слой второго электрического типа могут быть расположены в одной плоскости. Обращаясь к фиг. 5A и фиг. 5B, фиг. 5A — вид сверху светодиодного устройства согласно второму варианту осуществления настоящего изобретения, а фиг. 5B — вид в разрезе по линии E-F на фиг. 5А. В этом варианте осуществления архитектура светодиодного устройства 300 b по существу такая же, как и у светодиодного устройства 300 a указанного выше варианта осуществления, и разница заключается в том, что эпитаксиальная структура 328 светодиодное устройство 300 b дополнительно включает в себя другую канавку 344 , пронизывающую эпитаксиальную структуру 328 , как показано на фиг.5Б. Во-вторых, электродный слой второго электрического типа 346 светодиодного устройства 300 b расположен в канавке 344 , а второй электродный слой электрического типа , 346, электрически соединен со вторым полупроводниковым слоем электрического типа. 308 через проводящий слой 350 . Кроме того, электродный слой второго электрического типа , 346, и первый электродный слой электрического типа , 322, расположены в одной плоскости, как показано на фиг.5А. То есть, электродный слой второго электрического типа , 346, и первый электродный слой электрического типа , 322, оба копланарны поверхности , 332, эпитаксиальной структуры , 328, , как показано на фиг. 5Б.

Следует отметить, что в этом варианте осуществления изготовление слоя 366 улучшения света светодиодного устройства 300 a опускается. Определенно, в соответствии с требованиями к продукту, как светодиодное устройство 300, a в первом варианте осуществления, слой улучшения света может быть добавлен в светодиодное устройство 300 b этого варианта осуществления.

Ссылаясь на фиг. 5B, опять же, в светодиодном устройстве 300 b , как и канавка 318 , канавка 344 проходит от полупроводникового слоя второго электрического типа 308 до нелегированного полупроводникового слоя 314 и проникает внутрь. эпитаксиальная структура 328 , то есть канавка 344 проходит от поверхности 330 эпитаксиальной структуры 328 до поверхности 332 .Аналогично, электродный слой первого электрического типа , 322, расположен в канавке , 318, и копланарен поверхности , 332, эпитаксиальной структуры , 328, . Проводящая ветвь первого электрического типа , 320, расположена на первом полупроводниковом слое электрического типа , 312, , открытом канавкой , 316, эпитаксиальной структуры , 328, . С другой стороны, электродный слой второго электрического типа , 346, расположен в канавке , 344, .Электродный слой первого электрического типа , 322, и второй электродный слой электрического типа, , 346, , оба копланарны с поверхностью , 332, эпитаксиальной структуры , 328, . Электродный слой второго электрического типа , 346, может быть образован, например, структурой Ti / Au.

Аналогично, светодиодное устройство , 300, , b, может дополнительно включать в себя отражающий слой , 324, . Отражающий слой , 324, расположен на верхних поверхностях электродного слоя первого электрического типа , 322, , проводящего ответвления первого электрического типа , 320, и второго слоя электрода электрического типа , 346, .В другом варианте осуществления отражающий слой , 324, может перекрывать верхние поверхности и боковые поверхности слоя электрода первого электрического типа , 322, , проводящего ответвления первого электрического типа , 320, и второго слоя электрода электрического типа , 346, . Кроме того, изолирующий слой , 326, заполняет канавки , 316, , , 318, и , 344, эпитаксиальной структуры , 328, и перекрывает проводящую ветвь первого электрического типа 320 , электродный слой первого электрического типа 322 и слой электрода второго типа 346 в канавках 316 , 318 и 344 .

В этом варианте осуществления светодиодное устройство 300 b дополнительно включает в себя проводящий слой 350 , покрывающий поверхность 330 эпитаксиальной структуры 328 . Проводящий слой , 350, имеет проводящую вилку , 352, , проходящую и вставленную в изолирующий слой , 326, , в канавку , 344, , а проводящий слой , 350, соединен со вторым полупроводниковым слоем электрического типа , 308, и отражающий слой , 324, на слое электрода второго типа , 346, , чтобы быть электрически соединенным со слоем электрода второго типа , 346, и вторым полупроводниковым слоем электрического типа , 308, .

РИС. С 6А по фиг. 6E — виды в разрезе процессов светодиодного устройства согласно второму варианту осуществления настоящего изобретения. В этом варианте осуществления, когда светодиодное устройство , 300, , b, , изготавливается, для эпитаксиального выращивания на нем эпитаксиальной структуры , 328, предоставляется подложка , 340, . Затем, например, процесс MOCVD используется для последовательного выращивания нелегированного полупроводникового слоя 314 , первого полупроводникового слоя электрического типа 312 , активного слоя 310 и второго полупроводникового слоя электрического типа 308 эпитаксиальная структура 328 на поверхности 342 подложки 340 .

Затем, как показано на фиг. 6A, например, процесс литографии и травления используется для удаления части эпитаксиальной структуры 328 , чтобы определить канавки 316 , 318 и 344 в эпитаксиальной структуре 328 . Дно канавки , 316, обнажает первый полупроводниковый слой электрического типа , 312, . Канавка , 318, проходит через эпитаксиальную структуру , 328, , и дно канавки , 318, открывает поверхность , 342, подложки , 340, .Кроме того, канавка , 344, также проникает в эпитаксиальную структуру , 328, , а дно канавки , 344, также обнажает поверхность , 342, подложки, , 340, .

Затем, как показано на фиг. 6B, например, процесс испарения используется для формирования соответственно слоя электрода первого электрического типа 322 , проводящего ответвления первого электрического типа 320 и второго слоя электрода электрического типа 346 в канавках 318 , 316 и 344 .Электродный слой первого электрического типа , 322, и второй электродный слой электрического типа, , 346, , соответственно, расположены на открытой части поверхности 342 подложки 340 в канавках , 318, и , 344, , и проводящая ветвь первого электрического типа , 320, расположена на открытой части полупроводникового слоя первого электрического типа , 312, в канавке , 316, . В одном варианте осуществления, после того, как первая электропроводящая ветвь 320, электрического типа сформирована, электродный слой первого электрического типа , 322, и второй электродный слой электрического типа , 346, сформирован, выполняется процесс отжига для улучшения электрического контактного сопротивления между первого проводящего ответвления электрического типа , 320, и контактирующего первого полупроводникового слоя электрического типа , 312, .

После этого, как показано на фиг. 6B, например, процесс осаждения используется для формирования отражающего слоя , 324, , покрывающего верхние поверхности слоя электрода первого электрического типа , 322, , проводящего ответвления первого электрического типа , 320, и второго слоя электрода электрического типа . 346 . Или отражающий слой , 324, может перекрывать слой электрода первого электрического типа , 322, , проводящую ветвь первого электрического типа , 320, и слой электрода второго электрического типа, слой , 346, .

Затем, например, применяется процесс осаждения или центрифугирования для формирования слоя изоляционного материала, покрывающего всю поверхность 330 эпитаксиальной структуры 328 и заполняющего канавки 316 и 318 . После этого, например, процесс травления или шлифования применяется для удаления лишнего изоляционного материала с поверхности 330 эпитаксиальной структуры 328 и формирования изолирующего слоя 326 , заполненного канавками 316 , 318 и 344 .Затем, например, метод литографии и травления используется для определения рисунков изолирующего слоя , 326, в канавке , 344, , чтобы удалить часть изолирующего слоя , 326, в канавке , 344, , тем самым формируя отверстие . 348 в изолирующем слое 326 в канавке 344 . Как показано на фиг. 6C, нижняя часть отверстия 348 обнажает часть отражающего слоя 324 над слоем электрода второго типа 346 .

Аналогичным образом, в одном варианте осуществления стопорный слой (не показан), например слой остановки травления или слой остановки шлифования может быть сначала сформирован для покрытия поверхности , 330, эпитаксиальной структуры, , 328, , и, таким образом, следующий процесс травления или шлифования изоляционного материала может обеспечить хороший контроль глубины удаления , и, таким образом, сформированная поверхность изолирующего слоя , 326, и поверхность , 330, эпитаксиальной структуры , 328, могут быть расположены в одной плоскости.

Затем проводящий слой 350 , покрывающий поверхность 330 эпитаксиальной структуры 328 и изолирующий слой 326 и заполняющий отверстие 348 в изолирующем слое 326 в канавке 344 может быть сформирован с использованием, например, процесса осаждения, чтобы быть электрически соединенным со вторым полупроводниковым слоем электрического типа , 308, и вторым электродным слоем электрического типа , 346, под отражающим слоем , 324, .Часть проводящего слоя 350 в отверстии 348 образует токопроводящую заглушку 352 . В этом варианте осуществления проводящий слой , 350, предпочтительно изготовлен из материала, который может образовывать хороший электрический контакт со вторым полупроводниковым слоем электрического типа , 308, .

В одном варианте осуществления после формирования проводящего слоя , 350, , выполняется процесс отжига для улучшения электрического контактного сопротивления между проводящим слоем , 350, и контактирующим вторым полупроводниковым слоем электрического типа , 308, .Затем, как показано на фиг. 6D, например, процесс осаждения используется для формирования связующего слоя , 304, , покрывающего проводящий слой , 350, , над вторым полупроводниковым слоем электрического типа , 308, и изолирующим слоем, , 326, . После этого, как показано на фиг. 6E, связывающий слой , 304, используется для скрепления эпитаксиальной структуры , 328, и другой подложки , 302, , чтобы связать эпитаксиальную структуру , 328, с подложкой, , 302, .

Затем подложка , 302, используется в качестве опорной конструкции, и, например, применяется лазерный подъем или процесс шлифования для удаления ростовой подложки 340 , используемой в эпитаксии, таким образом обнажая поверхность 332 эпитаксиальная структура , 328, , электродный слой первого электрического типа , 322 , второй электродный слой электрического типа, слой , 346, и изолирующий слой, , 326, , что по существу завершает изготовление светодиодного устройства 300 b , как показано на фиг.5Б.

РИС. 7A и фиг. 7B — виды в разрезе процессов светодиодного устройства согласно третьему варианту осуществления настоящего изобретения. В этом варианте осуществления, когда светодиодное устройство 300 c , как показано на фиг. 7B изготовлен аналогично описанию вышеупомянутого варианта осуществления со ссылкой на фиг. С 4А по фиг. 4D, множество эпитаксиальных чипов, показанных на фиг. 4D может быть сформирован на пластине. Затем эпитаксиальные чипы, сформированные на пластине, вырезаются и отделяются.

Затем предоставляется подложка 354 . Подложка , 354, может быть, например, подложкой корпуса, подложкой с высокой теплопроводностью или рамой корпуса. Затем, например, процесс осаждения используется для формирования связующего слоя , 356, , покрывающего поверхность подложки , 354, . Материал связующего слоя 356 может быть проводящим материалом, например. Au, AuSn или In. В одном варианте осуществления связующий слой , 356, может использоваться в качестве электродного слоя второго электрического типа светодиодного устройства 300, , c .В другом варианте осуществления электродный слой второго электрического типа может быть дополнительно расположен между контактным слоем второго электрического типа , 306, и связывающим слоем , 304, эпитаксиального кристалла. Как показано на фиг. 7A, связующий слой 304 на разрезанном эпитаксиальном чипе и связующий слой 356 на подложке 354 используются для фиксации эпитаксиального чипа на подложке 354 . В этом варианте осуществления размер подложки , 354, обычно больше, чем размер эпитаксиального чипа.

После того, как эпитаксиальный чип и подложка , 354, соединены, например, с помощью лазерного подъема или шлифования используется процесс удаления эпитаксиальной подложки , 340, , таким образом обнажая нелегированный полупроводниковый слой , 314, и первый электродный слой электрического типа , 322, эпитаксиальной структуры , 322, . Затем, как показано на фиг. 7B, токопроводящие выводы , 358, и , 360, сформированы, чтобы соответственно соединить электродный слой первого электрического типа , 322, и электрод внешней цепи, а также связующий слой , 356, и другой электрод внешней цепи, таким образом завершая изготовление светодиодного устройства 300 c .Два электрода внешней цепи имеют разный электрический тип, и электрический тип двух электродов соответствует электрическому типу электродного слоя подключенного светодиодного устройства 300 c . Например, когда электродный слой первого электрического типа 322 является электродным слоем n-типа, а второй электродный слой электрического типа является электродным слоем p-типа, тип электрода внешней цепи, подключенной к электродному слою первого электрического типа 322 , является n-образным. полюс, а тип электрода внешней цепи, подключенной к связующему слою , 356, , — p-полюс.

РИС. 8A и фиг. 8B — виды в разрезе процессов светодиодного устройства согласно четвертому варианту осуществления настоящего изобретения. В этом варианте осуществления, когда светодиодное устройство 300 d , как показано на фиг. 8B изготовлен так же, как описание варианта осуществления со ссылкой на фиг. С 6А по фиг. 6D, множество эпитаксиальных чипов, показанных на фиг. 6D может быть сформирован на пластине. Затем эпитаксиальные чипы, сформированные на пластине, вырезаются и отделяются.

После этого предоставляется подложка 368 .Подложка , 368, может быть, например, подложкой корпуса, подложкой с высокой теплопроводностью или рамой корпуса. Затем, например, процесс осаждения используется для формирования связующего слоя , 370, , покрывающего поверхность подложки , 368, . Материал связующего слоя 370 представляет собой проводящий материал, например Au, AuSn или In. Как показано на фиг. 8A, связующий слой 304 на разрезанном эпитаксиальном чипе и связующий слой 370 на подложке 368 используются для фиксации эпитаксиального чипа на подложке , 368, .В этом варианте осуществления размер подложки , 368, обычно больше, чем размер эпитаксиального чипа.

После этого, например, применяется процесс лазерного подъема или шлифования для удаления эпитаксиальной подложки 340 , обнажая таким образом нелегированный полупроводниковый слой 314 , первый слой электрода электрического типа 322 и второй Электродный слой электрического типа 346 эпитаксиальной структуры 328 . Затем, как показано на фиг.8B, токопроводящие выводы , 362, и , 364, сформированы, чтобы соответственно соединить электродный слой первого электрического типа , 322, и электрод внешней цепи, а также второй электродный слой электрического типа , 346, и другой электрод внешней цепи. , завершая изготовление светодиодного устройства 300 d . Два электрода внешней цепи имеют разный электрический тип.

При изготовлении светодиодных устройств 300 c и 300 d , поскольку вырезанный светодиодный чип располагается на подложке корпуса или раме, в последующих процессах выпускной канал не требуется будет дополнительно изготовлен для вентиляции газа, образующегося в процессе удаления ростового субстрата с помощью лазерного подъема.Следовательно, два варианта осуществления при использовании могут увеличить коэффициент использования светоизлучающей области светодиодного кристалла.

В настоящем изобретении светодиодные чипы, имеющие разные длины волны излучения света, могут быть объединены вместе путем наложения друг на друга, образуя таким образом светодиодное устройство, которое обеспечивает смешанный свет. ИНЖИР. С 9А по фиг. 9E — виды в разрезе процессов светодиодного устройства согласно пятому варианту осуществления настоящего изобретения. В этом варианте осуществления сначала изготавливается светодиодное устройство , 300, , , , , в первом варианте осуществления, как показано на фиг.9А. В светодиодном устройстве , 300, , и , показанном на фиг. 9A изготовление светочувствительного слоя , 366, опускается. Светодиодное устройство , 300, , и , может иметь первую длину волны излучения света.

Затем, как показано на фиг. 9B изготовлено светодиодное устройство 300 e . Структура светодиодного устройства 300 e аналогична структуре на фиг. 4С. Разница между двумя структурами заключается в том, что: светодиодное устройство 300 e дополнительно включает в себя прозрачный проводящий слой 372 , покрывающий поверхность 330 a светоизлучающей эпитаксиальной структуры 328 a ; и светодиодное устройство 300 e дополнительно включает в себя множество контактных площадок 374 и 376 , расположенных соответственно на прозрачном проводящем слое 372 над первым электродным слоем электрического типа 322 a и первым электрический тип токопроводящая ветвь 320 а.

Светодиодное устройство 300 e может иметь вторую длину волны излучения света. Вторая длина волны излучения света может отличаться от первой длины волны излучения света. В одном варианте осуществления материал прозрачного проводящего слоя , 372, может быть, например, сплавом ITO, ZnO или NiAu. Материал контактных площадок 374 и 376 может включать, например, In, Sn, сплав AuSn или сплав AgSnCu.

В светодиодном устройстве 300 e эпитаксиальная структура 328 a включает нелегированный полупроводниковый слой 314 a , полупроводниковый слой первого электрического типа 312 a a активный слой , 310, , , и второй полупроводниковый слой электрического типа, , 308, , , , последовательно уложенные на подложку , 340, .Эпитаксиальная структура , 328, , , , включает две поверхности: , 330, , , и , 332, , , , расположенные на двух противоположных сторонах. Эпитаксиальная структура 328 a дополнительно имеет по меньшей мере одну канавку 316 a и по меньшей мере одну канавку 318 a . Канавка 316 a проходит от второго полупроводникового слоя электрического типа 308 a до первого полупроводникового слоя электрического типа 312 a , то есть канавка 316 a проходит от Поверхность 330 a эпитаксиальной структуры 328 a к первому полупроводниковому слою электрического типа 312 a через активный слой 310 a .Нижняя часть канавки , 316, , , , обнажает часть первого полупроводникового слоя электрического типа , 312, , , . Канавка 318 a проникает в эпитаксиальную структуру 328 a от полупроводникового слоя второго электрического типа 308 a , то есть канавка 318 a 14 проходит от поверхности 904 904 a эпитаксиальной структуры 328 a к поверхности 332 a.

Кроме того, электродный слой первого электрического типа 322 a расположен на канавке 318 a и копланарен поверхности 332 a эпитаксиальной структуры 328 a . Первая проводящая ветвь электрического типа 320 a расположена на первом полупроводниковом слое электрического типа 312 a , обнаженном канавкой 316 a эпитаксиальной структуры 328 a .Подобно структуре на фиг. 3С, первый слой электрода электрического типа , 322, , , и проводящая ветвь первого электрического типа, , 320, , , соединены.

Между тем, как показано на фиг. 9C изготовлено светодиодное устройство 300 f . Структура светодиодного устройства 300 f идентична структуре светодиодного устройства 300 e . Однако светодиодное устройство , 300, , f может иметь третью длину волны излучения света, и третья длина волны излучения света может отличаться от первой длины волны излучения света и второй длины волны излучения света.

Аналогично, в светодиодном устройстве 300 f эпитаксиальная структура 328 b включает нелегированный полупроводниковый слой 314 b , полупроводниковый слой первого электрического типа 16 312 96 , активный слой 310 b и второй полупроводниковый слой электрического типа 308 b последовательно уложены на подложке 340 . Эпитаксиальная структура 328 b включает две поверхности 330 b и 332 b , расположенные с двух противоположных сторон от нее.Эпитаксиальная структура 328 b дополнительно имеет по меньшей мере одну канавку 316 b и по меньшей мере одну канавку 318 b . Канавка 316 b проходит от второго полупроводникового слоя электрического типа 308 b до первого полупроводникового слоя электрического типа 312 b , то есть канавка 316 b проходит от поверхности 330 b эпитаксиальной структуры 328 b к первому полупроводниковому слою электрического типа 312 b через активный слой 310 b .И нижняя часть канавки 316 b обнажает часть первого полупроводникового слоя электрического типа 312 b . Канавка 318 b проходит через эпитаксиальную структуру 328 b от второго полупроводникового слоя электрического типа 308 b , то есть канавка 318 b проходит от поверхности 95 b эпитаксиальной структуры 328 b до поверхности 332 b.

Кроме того, электродный слой первого электрического типа 322 b расположен в канавке 318 b и копланарен поверхности 332 b эпитаксиальной структуры 328 b . Первая проводящая ветвь электрического типа 320 b расположена на первом полупроводниковом слое электрического типа 312 b , обнаженном канавкой 316 b эпитаксиальной структуры 328 b .Подобно структуре, показанной на фиг. 3С, первый слой электрода электрического типа 322 b и первая проводящая ветвь электрического типа 320 b соединены.

Затем нарезаются эпитаксиальные микросхемы светодиодных устройств 300 e и 300 f . Затем с помощью контактных площадок 374 и 376 светодиодного устройства 300 e , обращенного к эпитаксиальной структуре 328 , светодиодное устройство 300 e прикрепляется к светодиодному устройству 300 a .Затем, как показано на фиг. 9D, подложка 340 светодиодного устройства 300 e удаляется, чтобы обнажить поверхность 332 a эпитаксиальной структуры 328 a.

После того, как светодиодное устройство 300 e расположено на светодиодном устройстве 300 a , контактные площадки 374 и 376 светодиодного устройства 300 e зажаты между прозрачный проводящий слой 372 и эпитаксиальная структура 328 светодиодного устройства 300 e .То есть прозрачный проводящий слой 372 светодиодного устройства 300 e расположен над поверхностью 332 эпитаксиальной структуры 328 . В одном варианте осуществления, как показано на фиг. 9D, контактная площадка 374 светодиодного устройства 300 e проходит через соединительный провод в пространстве между электродным слоем первого электрического типа 322 a и проводящей ветвью первого электрического типа 320 светодиода. устройство 300 a .И контактная площадка 376 светодиодного устройства 300 e проходит через соединительный провод в пространстве между проводящей ветвью первого электрического типа 320 a и первым электродным слоем электрического типа 322 Светодиодное устройство 300 а.

Затем, аналогичным образом, с помощью контактных площадок 374 и 376 светодиодного устройства 300 f , обращенного к эпитаксиальной структуре 328 a , светодиодное устройство 300 f приклеивается к светодиодному устройству 300 e .После этого, как показано на фиг. 9E, подложка 340 светодиодного устройства 300 f удаляется, чтобы обнажить поверхность 332 b эпитаксиальной структуры 328 b . До сих пор изготовление светодиодного чипа, имеющего три длины волны излучения, то есть светодиодного устройства, образованного светодиодным устройством 300 a , эпитаксиальных структур 328 a светодиодного устройства 300 e и эпитаксиальная структура 328 b светодиодного устройства 300 f , по существу закончены.

После того, как светодиодное устройство 300 f расположено на эпитаксиальной структуре 328 a , контактные площадки 374 и 376 светодиодного устройства 300 f зажаты между прозрачными проводящий слой 372 светодиодного устройства 300 f и эпитаксиальная структура 328 a . То есть прозрачный проводящий слой 372 светодиодного устройства 300 f расположен над поверхностью 332 a эпитаксиальной структуры 328 a .В одном варианте осуществления, как показано на фиг. 9E, контактная площадка 374 светодиодного устройства 300 f проходит через соединительный провод в пространстве между электродным слоем первого электрического типа 322 b и проводящей ветвью первого электрического типа 320 a . Связывающая площадка 376 светодиодного устройства 300 f проходит через соединительный провод в пространстве между проводящей ветвью первого электрического типа 320 b и электродным слоем первого электрического типа 322 a.

В примерном варианте осуществления пятого варианта осуществления длина волны излучения света эпитаксиальной структуры 328 светодиодного устройства 300 a в нижнем положении является короткой, длина волны излучения света эпитаксиальной структуры 328 a в среднем положении длиннее, чем длина волны эпитаксиальной структуры 328 , а длина волны излучения эпитаксиальной структуры 328 b в верхнем положении длиннее, чем длина волны эпитаксиальной структуры 328 а .При такой компоновке свет с короткими длинами волн, излучаемый эпитаксиальной структурой , 328, и / или эпитаксиальной структурой , 328, , , в нижнем положении, может использоваться для возбуждения эпитаксиальной структуры , 328, , , и / или эпитаксиальная структура 328 b , имеющая более длинные волны в верхнем положении.

Согласно приведенным выше вариантам осуществления настоящего изобретения преимущество настоящего изобретения состоит в том, что проводящая ветвь светодиодного устройства настоящего изобретения расположена в эпитаксиальной структуре, поэтому доля света, поглощаемого проводящей ветвью, может быть уменьшенным.

Согласно приведенным выше вариантам осуществления настоящего изобретения, еще одно преимущество настоящего изобретения состоит в том, что электродная площадка первого электрического типа и проводящая ветвь первого электрического типа расположены на поверхности Ga первого полупроводникового слоя электрического типа в способе. для изготовления светодиодного устройства по настоящему изобретению, поэтому термическая стабильность электродной площадки первого электрического типа и проводящей ветви первого электрического типа улучшается.

Согласно вышеприведенным вариантам осуществления настоящего изобретения, еще одним преимуществом настоящего изобретения является то, что второй контактный слой электрического типа, который также обеспечивает отражающую функцию светодиодного устройства настоящего изобретения, изготавливается после процесса отжига первого электродная площадка электрического типа и проводящая ветвь первого электрического типа, так что отражательной способностью второго контактного слоя электрического типа можно эффективно управлять.

Согласно вышеупомянутым вариантам осуществления настоящего изобретения, еще одно преимущество настоящего изобретения состоит в том, что в способе изготовления светодиодного устройства настоящего изобретения вырезанный светодиодный чип может быть непосредственно закреплен на подложке корпуса или проводящем выводе. рамка, а затем удаляется субстрат для выращивания, тем самым завершая изготовление светодиодного устройства. Поэтому после удаления субстрата для выращивания литографический процесс не требуется.

Согласно приведенным выше вариантам осуществления настоящего изобретения, еще одно преимущество настоящего изобретения состоит в том, что в способе изготовления светодиодного устройства настоящего изобретения после того, как вырезанный светодиодный чип размещен на подложке корпуса или раме, Отводной канал не требуется дополнительно изготавливать для вентиляции газа, образующегося в процессе удаления субстрата для выращивания с помощью лазерного подъема.Следовательно, степень использования светоизлучающей области светодиодного кристалла может быть увеличена.

Согласно вышеприведенным вариантам осуществления настоящего изобретения, еще одно преимущество настоящего изобретения состоит в том, что светодиодные кристаллы, имеющие разные длины волны излучения света, могут быть успешно объединены вместе путем наложения друг на друга, таким образом формируя светодиодное устройство со смешанным светом. Следовательно, разнообразие и применимость устройства с высокой светодиодной подсветкой улучшаются.

Приведенное выше описание примерных вариантов осуществления изобретения было представлено только в целях иллюстрации и описания и не предназначено для того, чтобы быть исчерпывающим или ограничивать изобретение точными раскрытыми формами.В свете изложенного выше возможны многие модификации и вариации.

Варианты осуществления были выбраны и описаны для объяснения принципов изобретения и их практического применения, чтобы дать возможность другим специалистам в данной области техники использовать изобретение и различные варианты осуществления и с различными модификациями, которые подходят для конкретного предполагаемого использования.

alexxlab

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *