Site Loader

Содержание

Диоды 1Т5817, 1N5818, 1N5819 диоды Шотке Однополупериодные выпрямители

Габариты, электрические параметры, характеристики, маркировка

1N5817      1N5818     1N5819

 

 

Диоды 1N5818 1N5819, это выпрямители Шоттки, изделия оптимизированы для выпрямления очень низких напряжений, с умеренным током утечки. Типичные области применения, это импульсные источники питания, преобразователи, диоды, защита аккумуляторов.

Особенности ДИОДОВ    1N5817      1N5818     1N5819

Низкий профиль
Высокая чистота инкапсуляции, температурная стойкость
Очень низкое падение напряжения
Устройство разработано для применения на промышленном уровне.Расширенная механическая прочность и влагостойкость
Высокая частота операций
Свинец (Pb) -свободная плакировка
Предохранительное кольцо для улучшения прочности и надежности

Общие сведения

1n5818 1n5819
Категория Дискретные, полупроводниковые продукты
Семейство Диоды, однополупериодные выпрямители
Прямое напряжение при токе 1A 600mВ
Обратное напряжение постоянного тока1n5818 30В
Обратное напряжение постоянного тока1n5819 40В
Выпрямляемый ток 1A
Обратный ток утечки 1n5818 1мА при 30В
Обратный ток утечки 1n5819 1мА при 40В
Тип диода Шоттки
Скорость Быстрое восстановление =< 500нс > 200мА
Тип монтажа Через отверстие
Корпус DO-204AL, DO-41, Axial
Другое название 1n5819 1N5819IR

Основные параметры, характеристики и габариты вы можете узнать скачав Datasheet 

DATASHEET-1n5817-1n5818-1n5819-Fairchild-Semiconductor-Corporation

DATASHEET-1n5819-Vishay-Semiconductors

DATASHEET-1n5818-1n5819-IRF

DATASHEET-1n5817-IRF

DATASHEET-1n5817-1n5818-1n5819-Philips-Semiconductors

1n5819 характеристики диода, datasheet, отечественный аналог

Диод 1N5819 по своим характеристикам, относится к мощным полупроводниковым устройствам с барьером Шоттки. Применяется в импульсных блоках питания, зарядках, различных преобразователях электрического питания, выпрямителях, в качестве шунтирующих устройств в разнообразном оборудовании различного назначения. При прямом включении способен пропускать через себя ток величиной в 1 А, при достаточно низком падении напряжения (до 0,6 В).

Цоколевка

Распиновка у рассматриваемого диода стандартная, она не отличается от большинства подробных устройств. Корпус DO-41 выполнен в виде черного пластмассового цилиндра, который имеет два аксиальных вывода. Со стороны катода нарисована белая тонкая полоска.

Технические характеристики

1n5819 выгодно отличается от обычных кремниевых собратьев меньшим падением напряжения при прямом включении, что способствует выделению более низкой рассеиваемой мощности в виде тепла. P-n-переход заменен барьер Шоттки, у которого очень низкая электрическая ёмкость (110 пФ), позволяющая работать устройству на высоких частотах (до 1000 кГц).

Максимальные параметры

Рассмотрим максимальные параметры диода 1n5819:

  • обратное напряжение (VRRMmax) до 40 В;
  • падение прямого напряжения на диоде (VF max) до 0,6 В;
  • прямой (от анода к катоду) действующий ток (IF max) до 1 А;
  • диапазон рабочих температур перехода (TJ) -65 … +150 oC.

Превышение максимальных параметров может привести к выйду диода из строя.

Электрические параметры

Способность к быстрому восстановлению при переключениях делают 1n5819 незаменимым спутником многих логических интегральных микросхем. Однако, с ростом температуры кристалла резко увеличивается ток утечки и падение прямого напряжения на переходе. Эта особенность наглядно продемонстрирована в таблице электрических параметров и является одним из основных недостатков всех диодов Шоттки.

Скачать основные характеристики диода 1n5819 на русском языке можно по этой ссылке.

Аналоги

Американец SB140 от Vishay — это полноценный аналог 1N5819. Это копия старичка 11DQ04 от японской компании Nihon Inter Electronics Corporation. В качестве функциональной замены можно использовать: 1N5822 (STM), MBR140P (ON Semiconductor), BYV10-40 (STM), но они имеют другое корпусное исполнение.

КДШ2105В – отечественный аналог в пластиковой упаковке КТ-26 (ТО-92) от белорусского предприятия «Интеграл».

Достоинства и недостатки

Несмотря на свои неплохие параметры, 1n5819 не способен стать полноценной заменой для обычных выпрямительных диодов с p-n-переходом. Это связано с его конструктивными особенностями и свойствами. Он неплохо работает в высокочастотных цепях, меньше греется из-за низкого прямого падения напряжения не нём. Но есть и минусы, которые перекрывают все эти плюсы.

В сравнении с обычными диодами, которые неспособны работать в высокочастотных режимах, у Шоттки в разы меньшая величина максимально допустимого обратного напряжения. У них гораздо больший ток утечки, который непропорционально быстро растет с повышением температуры кристалла. В этом можно наглядно убедиться, если сравнить параметры из даташит этих устройств между собой.

Производители

Скачать datasheet на 1N5819 можно, если кликнуть мышкой по наименованию производителя. Устройство выпускается многими зарубежными компаниями. В России распространены следующие брэнды: STMicroelectronics, ON Semiconductor, Fairchild Semiconductor.

Диоды с барьером Шоттки 1N5817 – 1N5822

Основная особенность диодов с барьером Шоттки – практически полное отсутствие времени обратного восстановления. Обусловлено это свойствами перехода металл-полупроводник и отсутствием p-n перехода.

Это позволяет использовать этот тип диодов на относительно высоких (до сотен килогерц) частотах. Максимальная рабочая частота диодов с барьером Шоттки ограничена лишь паразитной емкостью перехода.

Еще одно отличие диодов такого типа от обычных – вдвое, иногда втрое меньшее падение прямого напряжения (0.3 … 0.5 против 0.7 … 1.0), что  уменьшает рассеиваемую на диоде мощность и позволяет использовать прибор при больших токах без специальных мер по отводу тепла. Вышесказанное хорошо иллюстрирует график, приведенный ниже. Две верхние ветви принадлежат обычным диодам, две нижние – диодам с барьером Шоттки.

Зависимость падения напряжения на приборе  от тока через него для обычных диодов и диодов с барьером Шоттки

Единственным, пожалуй, недостатком приборов Шоттки является их относительная «низковольтность» — обычно не более 20 … 40 В, хотя некоторые типы могут выдерживать напряжение до 100 В, но они имеют достаточно высокую стоимость.  В принципе при высоких напряжениях применение диодов Шоттки чаще неоправданно, поскольку в таких случаях  потери на p-n переходах обычных диодов не превышают 1%.

При использовании диодов стоит учитывать, что во время нагрева величина  падения напряжения на кристалле падает (это хорошо), но существенно (до 50%) уменьшается максимально допустимое обратное напряжение, что очень опасно. Таким образом, при использовании диодов в тяжелых тепловых режимах, необходимо предусмотреть значительный запас по этому параметру.  Применяются диоды с барьером Шоттки в выпрямителях переменного тока, работающих на частотах 0 … сотни килогерц и в качестве защиты от переполюсовки.

Основные электрические характеристики диодов Шоттки 1N5817 – 1N5822

 

1N5817

1N5817

1N5817

1N5817

1N5817

1N5817

Максимально допустимое обратное напряжение, В 20 30 40 20 30 40
Максимально допустимый прямой ток, А 1 1 1 3 3 3
Максимально допустимый импульсный ток, А 25 25 25 75 75 75
Падение напряжения на диоде, В 0.45 0.55 0.60 0.45 0.55 0.60
Емкость диода, пФ (4 В, 1 мГц) 110 110 110 250 250 250

Диоды шоттки характеристики и параметры

Диоды Шоттки: описание, принцип работы, схема, основные параметры, применение, характеристики

В конце 30-х годов XX века немецкий физик Вальтер Шоттки обнаружил, что внешнее электрическое поле заставляет свободные электроны покидать зону проводимости и в буквальном смысле выходить из твёрдого тела. Данная квантовая зависимость впоследствии была названа именем её первооткрывателя и теперь известна, как эффект Шоттки.

Несмотря на то, что открытие германского учёного относится к области теоретической физики, оно находит применение в практической радиотехнике и лежит в основе функциональности таких радиокомпонентов, как диоды Шоттки. Их отличие от обычных электрических вентилей заключается в отсутствии классического полупроводникового p-n-перехода. Его роль играет контакт между полупроводником и металлом.

Металл и полупроводник: особенности контакта.

В контактной области полупроводниковых и металлических материалов эффект Шоттки приводит к образованию в полупроводнике слоя, сильно обеднённого электронами. Он обладает вентильными свойствами, присущими полупроводниковому p-n-переходу. Эта зона представляет собой преграду для носителей заряда, поэтому данные радиокомпоненты часто называют диодами с барьером Шоттки.

Элементы отличаются от обычных полупроводниковых вентилей следующими качествами:
  1. пониженное падение напряжения при прямом смещении;
  2. незначительная собственная ёмкость;
  3. малый обратный ток;
  4. низкое допустимое обратное напряжение.

При прямом смещении разность потенциалов на диоде Шоттки не превышает 0,5 В, тогда как на обычном выпрямительном вентиле падение напряжения составляет около 2-3 В. Это объясняется небольшим сопротивлением переходного участка между полупроводником и металлом.

Хорошие частотные характеристики диодов Шоттки обусловлены отсутствием в переходной зоне неосновных носителей заряда. Из-за этого в контактной области не протекают обычные для чисто полупроводникового p-n-перехода процессы диффузии и рекомбинации дырок и электронов. Следовательно, собственная ёмкость этого слоя стремится к нулю. Данное свойство делает диоды с барьером Шоттки предпочтительными для использования в высоко- и сверхвысокочастотных схемах, а также аппаратуре с импульсными режимами работы – всевозможных цифровых устройствах, системах управления электроникой и импульсных блоках питания.

Низковольтные диоды.

Особенность диодов Шоттки состоит в том, что они являются низковольтными. Если приложенная разность потенциалов превышает некоторый допустимый уровень, то в соответствии с квантовыми законами происходит пробой, который в обычном полупроводниковом радиокомпоненте может быть туннельным, лавинным или тепловым. После первых двух диод восстанавливается и продолжает исправно работать. Тепловой пробой означает фатальную поломку.

В диодах с барьером Шоттки пробой всегда бывает только тепловым. Такова особенность металло-полупроводникового перехода. При большом обратном смещении элемент выходит из строя и нуждается в замене. Этим, кстати, объясняется сильная чувствительность диодов Шоттки к статическому электричеству – при их монтаже и обслуживании радиоаппаратуры с этими элементами необходимо заземлять спецодежду и инструменты.

Однако чувствительность этих радиокомпонентов не всегда является их недостатком. Например, благодаря этой характеристике диоды с барьером Шоттки используются в особо чувствительных гетеродинах, которые получают способность обрабатывать радиосигналы очень малой мощности.

Основные параметры.

  1. Максимальное постоянное обратное напряжение;
  2. Максимальное импульсное обратное напряжение;
  3. Максимальный (средний) прямой ток;
  4. Максимальный импульсный прямой ток;
  5. Постоянное прямое напряжение на диоде при заданном прямом токе через него;
  6. Обратный ток диода при предельном обратном напряжении;
  7. Максимальная рабочая частота диода;
  8. Время обратного восстановления;
  9. Общая емкость диода.

Производство диодов Шоттки.

В качестве полупроводниковой составляющей используются стандартные материалы – кремний, германий и арсенид галлия. На них в процессе изготовления радиокомпонентов напыляются такие металлы, как золото, серебро, палладий, вольфрам. Именно эти элементы таблицы Менделеева обеспечивают достаточно высокий потенциальный барьер, определяющий функциональность диодов Шоттки.

Германиевые радиокомпоненты показывают высокую устойчивость к изменению температурного режима, поэтому данный материал чаще кремния и арсенида галлия используется при производстве диодов для мощных схем питания. Зато кремниевые и галлиевые элементы демонстрируют лучшие частотные параметры.

Обозначение, применение и параметры диодов Шоттки

К многочисленному семейству полупроводниковых диодов названных по фамилиям учёных, которые открыли необычный эффект, можно добавить ещё один. Это диод Шоттки.

Немецкий физик Вальтер Шоттка открыл и изучил так называемый барьерный эффект возникающий при определённой технологии создания перехода металл-полупроводник.

Основной «фишкой» диода Шоттки является то, что в отличие от обычных диодов на основе p-n перехода, здесь используется переход металл-полупроводник, который ещё называют барьером Шоттки. Этот барьер, так же, как и полупроводниковый p-n переход, обладает свойством односторонней электропроводимости и рядом отличительных свойств.

В качестве материала для изготовления диодов с барьером Шоттки преимущественно используется кремний (Si) и арсенид галлия (GaAs), а также такие металлы как золото, серебро, платина, палладий и вольфрам.

На принципиальных схемах диод Шоттки изображается вот так.

Как видим, его изображение несколько отличается от обозначения обычного полупроводникового диода.

Кроме такого обозначения на схемах можно встретить и изображение сдвоенного диода Шоттки (сборки).

Сдвоенный диод – это два диода смонтированных в одном общем корпусе. Выводы катодов или анодов у них объединены. Поэтому такая сборка, как правило, имеет три вывода. В импульсных блоках питания обычно применяются сборки с общим катодом.

Так как два диода размещены в одном корпусе и выполнены в едином технологическом процессе, то их параметры очень близки. Поскольку они размещены в едином корпусе, то и температурный режим их одинаков. Это увеличивает надёжность и срок службы элемента.

У диодов Шоттки есть два положительных качества: весьма малое прямое падение напряжения (0,2-0,4 вольта) на переходе и очень высокое быстродействие.

К сожалению, такое малое падение напряжения проявляется при приложенном напряжении не более 50-60 вольт. При дальнейшем его повышении диод Шоттки ведёт себя как обычный кремниевый выпрямительный диод. Максимальное обратное напряжение для Шоттки обычно не превышает 250 вольт, хотя в продаже можно встретить образцы, рассчитанные и на 1,2 киловольта (VS-10ETS12-M3).

Так, сдвоенный диод Шоттки (Schottky rectifier) 60CPQ150 рассчитан на максимальное обратное напряжение 150V, а каждый из диодов сборки способен пропустить в прямом включении 30 ампер!

Также можно встретить образцы, выпрямленный за полупериод ток которых может достигать 400А максимум! Примером может служит модель VS-400CNQ045.

Очень часто в принципиальных схемах сложное графическое изображение катода попросту опускают и изображают диод Шоттки как обычный диод. А тип применяемого элемента указывают в спецификации.

К недостаткам диодов с барьером Шоттки можно отнести то, что даже при кратковременном превышении обратного напряжения они мгновенно выходят из строя и главное необратимо. В то время как кремниевые силовые вентили после прекращения действия превышенного напряжения прекрасно самовосстанавливаются и продолжают работать. Кроме того обратный ток диодов очень сильно зависит от температуры перехода. На большом обратном токе возникает тепловой пробой.

К положительным качествам диодов Шоттки кроме высокого быстродействия, а, следовательно, малого времени восстановления можно отнести малую ёмкость перехода (барьера), что позволяет повысить рабочую частоту. Это позволяет использовать их в импульсных выпрямителях на частотах в сотни килогерц. Очень много диодов Шоттки находят своё применение в интегральной микроэлектронике. Выполненные по нано технологии диоды Шоттки входят в состав интегральных схем, где они шунтируют переходы транзисторов для повышения быстродействия.

В радиолюбительской практике прижились диоды Шоттки серии 1N581x (1N5817, 1N5818, 1N5819). Все они рассчитаны на максимальный прямой ток (IF(AV)) – 1 ампер и обратное напряжение (VRRM) от 20 до 40 вольт. Падение напряжения (VF) на переходе составляет от 0,45 до 0,55 вольт. Как уже говорилось, прямое падение напряжения (Forward voltage drop) у диодов с барьером Шоттки очень мало.

Также достаточно известным элементом является 1N5822. Он рассчитан на прямой ток в 3 ампера и выполнен в корпусе DO-201AD.

Также на печатных платах можно встретить диоды серии SK12 – SK16 для поверхностного монтажа. Они имеют довольно небольшие размеры. Несмотря на это SK12-SK16 выдерживают прямой ток до 1 ампера при обратном напряжении 20 – 60 вольт. Прямое падение напряжения составляет 0,55 вольт (для SK12, SK13, SK14) и 0,7 вольт (для SK15, SK16). Также на практике можно встретить диоды серии SK32 – SK310, например, SK36, который рассчитан на прямой ток 3 ампера.

Применение диодов Шоттки в источниках питания.

Диоды Шоттки активно применяются в блоках питания компьютеров и импульсных стабилизаторах напряжения. Среди низковольтных питающих напряжений самыми сильноточными (десятки ампер) являются напряжения +3,3 вольта и +5,0 вольт. Именно в этих вторичных источниках питания и используются диоды с барьером Шоттки. Чаще всего используются трёхвыводные сборки с общим катодом. Именно применение сборок может считаться признаком высококачественного и технологичного блока питания.

Выход из строя диодов Шоттки одна из наиболее часто встречающихся неисправностей в импульсных блоках питания. У него может быть два «дохлых» состояния: чистый электрический пробой и утечка. При наличии одного из этих состояний блок питания компьютера блокируется, так как срабатывает защита. Но это может происходить по-разному.

В первом случае все вторичные напряжения отсутствуют. Защита заблокировала блок питания. Во втором случае вентилятор «подёргивается» и на выходе источников питания периодически то появляются пульсации напряжения, то пропадают.

То есть схема защиты периодически срабатывает, но полной блокировки источника питания при этом не происходит. Диоды Шоттки гарантированно вышли из строя, если радиатор, на котором они установлены, разогрет очень сильно до появления неприятного запаха. И последний вариант диагностики связанный с утечкой: при увеличении нагрузки на центральный процессор в мультипрограммном режиме блок питания самопроизвольно отключается.

Следует иметь в виду, что при профессиональном ремонте блока питания после замены вторичных диодов, особенно с подозрением на утечку, следует проверить все силовые транзисторы выполняющие функцию ключей и наоборот: после замены ключевых транзисторов проверка вторичных диодов является обязательной процедурой. Всегда необходимо руководствоваться принципом: беда одна не приходит.

Проверка диодов Шоттки мультиметром.

Проверить диод Шоттки можно с помощью рядового мультиметра. Методика такая же, как и при проверке обычного полупроводникового диода с p-n переходом. Но и тут есть подводные камни. Особенно трудно проверить диод с утечкой. Прежде всего, элемент необходимо выпаять из схемы для более точной проверки. Достаточно легко определить полностью пробитый диод. На всех пределах измерения сопротивления неисправный элемент будет иметь бесконечно малое сопротивление, как в прямом, так и в обратном включении. Это равносильно короткому замыканию.

Сложнее проверить диод с подозрением на «утечку». Если проводить проверку мультиметром DT-830 в режиме «диод», то мы увидим совершенно исправный элемент. Можно попробовать измерить в режиме омметра его обратное сопротивление. На пределе «20кОм» обратное сопротивление определяется как бесконечно большое. Если же прибор показывает хоть какое-то сопротивление, допустим 3 кОм, то этот диод следует рассматривать как подозрительный и менять на заведомо исправный. Стопроцентную гарантию может дать полная замена диодов Шоттки по шинам питания +3,3V и +5,0V.

Где ещё в электронике используются диоды Шоттки? Их можно обнаружить в довольно экзотических приборах, таких как приёмники альфа и бета излучения, детекторах нейтронного излучения, а в последнее время на барьерных переходах Шоттки собирают панели солнечных батарей. Так, что они питают электроэнергией и космические аппараты.

Виды диодов

Диод Шоттки относится к семейству диодов. Выглядит он почти также, как и его собраться, но есть небольшие отличия.

Простой диод выглядит на схемах вот так:

обозначение диода на схеме

Стабилитрон уже обозначается, как диод с “кепочкой”

обозначение стабилитрона на схеме

Диод Шоттки имеет две “кепочки”

обозначение диода шоттки на схеме

Чтобы проще запомнить, можно добавить голову и ножки и представить себе человечка, танцующего ламбаду)

Обратное напряжение диода

Итак, как вы помните, диод пропускает электрический ток только в одном направлении, а в другом направлении блокирует прохождение электрического тока до какого-то критического значения, называемым обратным напряжением диода.

Это значение можно найти в даташите

обратное напряжение диода

Для каждой марки диода оно разное

Если превысить это значение, то произойдет пробой, и диод выйдет из строя.

Падение напряжения на диоде Шоттки

Если же подать прямой ток на диод, то на диоде будет “оседать” напряжение. Это падение напряжения называется прямым падением напряжения на диоде. В даташитах обозначается как Vf , то есть Voltage drop.

прямое падение напряжения на диоде

Если пропустить через такой диод прямой ток, то мощность, которая будет на нем рассеиваться, будет определяться формулой:

Vf – прямое падение напряжение на диоде, В

Поэтому, одним из главных преимуществ диода Шоттки является то, что его прямое падение напряжения намного меньше, чем у простого диода. Следовательно, он будет меньше рассеивать тепло, или простым языком, меньше нагреваться.

Давайте рассмотрим один из примеров. Возьмем диод 1N4007. Его прямое падение напряжения составляет 0,83 Вольт, что типично для простого полупроводникового диода.

падение напряжение на диоде в прямом включении

В настоящий момент через него проходит сила тока, равная 0,5 А. Давайте рассчитаем его рассеиваемую мощность в данный момент. P=0,83 x 0,5 = 0,415 Вт.

Если рассмотреть этот случай через тепловизор, то можно увидеть, что его температура корпуса составила 54,4 градуса по Цельсию.

Теперь давайте проведем тот же самый эксперимент с диодом Шоттки 1N5817. Как вы видите, его прямое падение напряжения составило примерно 0,35 В.

падение напряжения на диоде Шоттки при прямом включении

При прохождении силы тока через диод Шоттки в 0,5 А, мы получим рассеиваемую мощность P=0,5 x 0,35 = 0,175 Вт. При этом тепловизор нам покажет, что температура корпуса уже будет 38,2 градуса.

Следовательно, Шоттки намного эффективнее, чем простой полупроводниковый диод в плане пропускания через себя прямого тока, так как он обладает меньшим падением напряжения, а следовательно, меньше рассеивает тепло в окружающее пространство и меньше нагревается.

Прямое падение напряжения можно также посмотреть и в даташитах. Например, прямое падение напряжения на диоде Шоттки 1N5817 можно найти из графика зависимости прямого тока от падения напряжения на диоде Шоттки

график зависимости прямого тока от напряжения

В нашем случае если следовать графо-аналитическому способу, то мы как раз получаем значение 0,35 В

Диод Шоттки в ВЧ цепях

Также диоды Шоттки обладают быстрой скоростью переключения. Это значит, что мы можем использовать их в высокочастотных (ВЧ) цепях.

Итак, возьмем генератор частоты и выставим синус частотой в 60 Гц

Возьмем диод 1N4007 и диод Шоттки 1N5817. Подключим их по простой схеме однополупериодного выпрямителя

и будем снимать с них показания

Как вы видите, оба они прекрасно справляются со своей задачей по выпрямлению сигнала на частоте в 60 Гц.

Но что будет, если мы увеличим частоту до 300 кГц?

Ого! Диод Шоттки более-менее справляется со своей задачей, что нельзя сказать о простом диоде 1N4007. Простой диод не может справиться со своей задачей не пропускать обратный ток, поэтому на осциллограмме мы видим отрицательный выброс

Отсюда можно сделать вывод: диоды Шоттки рекомендуется использовать в ВЧ цепях.

Обратный ток утечки

Но раз уж диоды Шоттки такие крутые, то почему бы их не использовать везде? Почему мы до сих пор используем простые диоды?

Если мы подключим диод в обратном направлении, то он будет блокировать прохождение электрического тока. Это верно, но не совсем. Очень маленький ток все равно будет проходить через диод. В некоторых случаях это не принимают во внимание. Этот маленький ток называется обратным током утечки. На английский манер это звучит как reverse leakage current.

Он очень мал, но имеет место быть.

Проведем простой опыт. Возьмем лабораторный блок питания, выставим на нем 19 В и подадим это напряжение на диод в обратном направлении

Замеряем ток утечки

обратный ток утечки диода

Как вы видите, его значение составляет 0,1 мкА.

Давайте теперь повторим этот же самый опыт с диодом Шоттки

обратный ток утечки диода Шоттки

Ого, уже почти 20 мкА! Ну да, в некоторых случаях это сущие копейки и ими можно пренебречь. Но есть схемы, где все-таки недопустим такой незначительный ток. Например, в схемах пикового детектора

схема пик детектора

В этом случае эти 20 мкА будут весьма значительны.

Но есть также еще один камень преткновения. С увеличением температуры обратный ток утечки возрастает в разы!

зависимость обратного тока утечки от температуры корпуса диода Шоттки

Поэтому, вы не можете использовать Шоттки везде в схемах.

Но и это еще не все. Обратное напряжение для диодов Шоттки в разы меньше, чем для простых выпрямительных диодов. Это можно также увидеть из даташита. Если для диода 1N4007 обратное напряжение составляет 1000 В

То для диода Шоттки 1N5817 это обратное напряжение уже будет составлять всего-то 20 В

Поэтому, если это напряжение превысит значение, которое описано в даташите, мы в итоге получим:

Применение диодов Шоттки


Диоды Шоттки находят достаточно широкое применение. Их можно найти везде, где требуется минимальное прямое падение напряжения, а также в цепях ВЧ. Чаще всего их можно увидеть в компьютерных блоках питания, а также в импульсных стабилизаторах напряжения.

Также эти диоды нашли применение в солнечных панелях, так как солнечные панели генерируют электрический ток только в светлое время суток. Чтобы в темное время суток не было обратного процесса потребления тока от аккумуляторов, в панели монтируют диоды Шоттки

Шоттки в солнечных панелях

В компьютерной технике чаще всего можно увидеть два диода в одном корпусе

При написании данной статьи использовался материал с этого видео

Исследование полупроводниковых выпрямительных диодов

кафедра электроники

Отчет по лабораторной работе №1

«Исследование полупроводниковых выпрямительных диодов»

Екатеринбург

2006 г

Цель: измерение вольтамперных характеристик (ВАХ) кремниевого диода КД103 и диода Шоттки 1N5817, сравнительная оценка полученных характеристик и определение параметров диодов.

Паспортные данные исследуемых диодов:

Электрические параметры

КД 103

1N5817

Постоянное прямое напряжение не более, В

1

0,45-0,6

Постоянный обратный ток не более, мкА

1

500

Максимальный выпрямительный ток, мА

100

1000

Предельно допустимое обратное напряжение, В

50

20

Схемы:

— прямое включение

— обратное включение

Формулы:

Статическое сопротивление:

Дифференциальное сопротивление:

Практическая часть:

Прямое включение диода КД103

Uпр, В

0,515

0,607

0,661

0,674

0,692

0,706

Iпр, мА

0,1

1,05

3,75

5

7,36

10

Прямое включение диода 1N5817

Uпр, В

0,218

0,265

0,317

0.349

0,368

0,391

Iпр, мА

0,52

1,23

3,05

5,14

7,01

10,1

Обратное включение диода КД103

Uобр, В

0,5

1

3

5

7

10

14,7

Iобр, мА

0

0

0

0

0

0

0

Обратное включение диода 1N5817

Uобр, В

1,8

3,13

5

7,62

10

14,9

Iобр, мА

0,001

0,001

0,001

0,002

0,004

0,021

Вольтамперная характеристика.

Рассчитаем статическое сопротивление диодов на прямой и обратной ветвях:

 

Кремниевый диод (КД103)

Диод Шоттки (1N5817)

Прямая ветвь

Ro=0,661/(3,75*10-3)=176,26 Ом

Ro=0,317/(3,05*10-3)=103,93 Ом

Обратная ветвь

——-

Ro=7,62/(0,002*10-3)=3,81*104Ом

Рассчитаем дифференциальное сопротивление диодов на прямой и обратной ветвях:

 

Кремниевый диод (КД103)

Диод Шоттки (1N5817)

Прямая ветвь

Ri=(0,674-0,661)/(5-3,75)=10,4 Ом

Ri=(0,349-0,317)/(3,05-1,23)=17,58 Ом

Обратная ветвь

————

Ri=(7,62-5)/(0,002-0,001)=26,2*105 Ом

Вывод:

В данной лабораторной работе мы исследовали кремниевый диод и диод Шоттки.

Проведя исследования, мы пришли к выводу, что обратные токи намного меньше, чем прямые. Прямая ветвь вольтамперной характеристики диодов идёт круто вверх, практически параллельно вертикальной оси. Она характеризует быстрый рост прямого тока при незначительном увеличении прямого напряжения. Обратная ветвь идёт почти параллельно горизонтальной оси, характеризуя незначительный рост обратного тока, при значительном увеличении обратного напряжения. По вольтамперной характеристике можно сделать вывод, о том, что диод имеет одностороннюю проводимость.

Сопротивление диода не постоянно: при прямом включении единицы — десятки Ом, при обратном – тысячи. Для преодоления потенциального барьера нужно подать внешнее напряжение: для кремниего диода 0,5 – 0,6 В, для диода Шоттки 0,2 – 0,3 В, тогда сопротивление диода значительно уменьшается, он начинает пропускать ток.

Диод шоттки принцип работы: описание, характеристики

Автор Почемучка На чтение 25 мин. Просмотров 75

В случае электрического пробоя все вторичные напряжения в блоке питания отсутствуют. Во случае утечки вентилятор компьютерного БП может «подёргиваться» и на выходе могут появляются пульсации выходного напряжения, периодически пропадающие. То есть модуль защиты периодически срабатывает, но полной блокировки не происходит. Диоды Шоттки 100% сгорели, если радиатор, на котором они закреплены, очень теплый или сильно пованивает горелым от них.

На принципиальных схемах они обозначается почти как диод, мотри рисунок выше, но с небольшими графическими отличиями, кроме того достаточно часто попадаются сдвоенные диоды-шоттки.

Сдвоенный диод Шоттки – это два отдельных элемента собранных в одном общем корпусе причем выводы катодов или анодов этих компонентов объединены. Поэтому сдвоенный диод, обычно трех выводной. В импульсных и компьютерных блоках питания можно достаточно часто увидеть сдвоенные диоды Шоттки с общим катодом.

Так как оба диода размещены в едином корпусе и собраны при одинаковом технологическом процессе, то их технические параметры почти идентичны. При подобном размещение в одном корпусе, во время работе они будут находится в одном температурном режиме, а это один из главный факторов увеличения надежность работы устройства в целом.

  1. Максимальное постоянное обратное напряжение;
  2. Максимальное импульсное обратное напряжение;
  3. Максимальный (средний) прямой ток;
  4. Максимальный импульсный прямой ток;
  5. Постоянное прямое напряжение на диоде при заданном прямом токе через него;
  6. Обратный ток диода при предельном обратном напряжении;
  7. Максимальная рабочая частота диода;
  8. Время обратного восстановления;
  9. Общая емкость диода.

В конце 30-х годов XX века немецкий физик Вальтер Шоттки обнаружил, что внешнее электрическое поле заставляет свободные электроны покидать зону проводимости и в буквальном смысле выходить из твёрдого тела. Данная квантовая зависимость впоследствии была названа именем её первооткрывателя и теперь известна, как эффект Шоттки.

Несмотря на то, что открытие германского учёного относится к области теоретической физики, оно находит применение в практической радиотехнике и лежит в основе функциональности таких радиокомпонентов, как диоды Шоттки. Их отличие от обычных электрических вентилей заключается в отсутствии классического полупроводникового p-n-перехода. Его роль играет контакт между полупроводником и металлом.

Металл и полупроводник: особенности контакта.

В контактной области полупроводниковых и металлических материалов эффект Шоттки приводит к образованию в полупроводнике слоя, сильно обеднённого электронами. Он обладает вентильными свойствами, присущими полупроводниковому p-n-переходу. Эта зона представляет собой преграду для носителей заряда, поэтому данные радиокомпоненты часто называют диодами с барьером Шоттки.

Элементы отличаются от обычных полупроводниковых вентилей следующими качествами:
  1. пониженное падение напряжения при прямом смещении;
  2. незначительная собственная ёмкость;
  3. малый обратный ток;
  4. низкое допустимое обратное напряжение.

При прямом смещении разность потенциалов на диоде Шоттки не превышает 0,5 В, тогда как на обычном выпрямительном вентиле падение напряжения составляет около 2-3 В. Это объясняется небольшим сопротивлением переходного участка между полупроводником и металлом.

Низковольтные диоды.

Особенность диодов Шоттки состоит в том, что они являются низковольтными. Если приложенная разность потенциалов превышает некоторый допустимый уровень, то в соответствии с квантовыми законами происходит пробой, который в обычном полупроводниковом радиокомпоненте может быть туннельным, лавинным или тепловым. После первых двух диод восстанавливается и продолжает исправно работать. Тепловой пробой означает фатальную поломку.

В диодах с барьером Шоттки пробой всегда бывает только тепловым. Такова особенность металло-полупроводникового перехода. При большом обратном смещении элемент выходит из строя и нуждается в замене. Этим, кстати, объясняется сильная чувствительность диодов Шоттки к статическому электричеству – при их монтаже и обслуживании радиоаппаратуры с этими элементами необходимо заземлять спецодежду и инструменты.

Однако чувствительность этих радиокомпонентов не всегда является их недостатком. Например, благодаря этой характеристике диоды с барьером Шоттки используются в особо чувствительных гетеродинах, которые получают способность обрабатывать радиосигналы очень малой мощности.

Основные параметры.

  1. Максимальное постоянное обратное напряжение;
  2. Максимальное импульсное обратное напряжение;
  3. Максимальный (средний) прямой ток;
  4. Максимальный импульсный прямой ток;
  5. Постоянное прямое напряжение на диоде при заданном прямом токе через него;
  6. Обратный ток диода при предельном обратном напряжении;
  7. Максимальная рабочая частота диода;
  8. Время обратного восстановления;
  9. Общая емкость диода.

Производство диодов Шоттки.

В качестве полупроводниковой составляющей используются стандартные материалы – кремний, германий и арсенид галлия. На них в процессе изготовления радиокомпонентов напыляются такие металлы, как золото, серебро, палладий, вольфрам. Именно эти элементы таблицы Менделеева обеспечивают достаточно высокий потенциальный барьер, определяющий функциональность диодов Шоттки.

Германиевые радиокомпоненты показывают высокую устойчивость к изменению температурного режима, поэтому данный материал чаще кремния и арсенида галлия используется при производстве диодов для мощных схем питания. Зато кремниевые и галлиевые элементы демонстрируют лучшие частотные параметры.

Так вот барьер Шоттки – это переход между металлом и полупроводником. В обычном диоде у нас используется переход между полупроводниками p-типа и n-типа, а здесь уже совсем другая история – металл + полупроводник.

Приветствую всех на сайте MicroTechnics снова! Сегодня мы продолжим курс “Основы электроники“, и героем статьи станет еще один электронный компонент, а именно диод Шоттки. В недавних статьях мы рассматривали принцип работы и применение обычных диодов и стабилитронов:

И вот настало время диода Шоттки!

Основной отличительной особенностью этого элемента является малое падение напряжения при прямом включении (относительно обычного выпрямительного диода). Давайте разберемся, с чем же в данном случае связано это пониженное падение.

“Сердцем” диода Шоттки является не p-n переход, который образуется при соприкосновении двух полупроводников с разными типами проводимости, а так называемый барьер Шоттки. И элемент, и барьер названы так в честь немецкого физика Вальтера Шоттки, который занимался исследованием этих процессов и явлений в 1930-х годах.

Так вот барьер Шоттки – это переход между металлом и полупроводником. В обычном диоде у нас используется переход между полупроводниками p-типа и n-типа, а здесь уже совсем другая история – металл + полупроводник.

Для работы барьера Шоттки необходимо, чтобы работы выхода использующихся металла и полупроводника были различными. А работа выхода, в свою очередь, это энергия, которую необходимо сообщить электрону для его удаления из твердого тела. Рассмотрим случай, когда барьер образуется при контакте металла и полупроводника n-типа. Причем работа выхода электронов из полупроводника меньше, чем работа выхода из металла:

Здесь нам важно заметить, что поскольку phi_ > phi_ , то, напротив, j_ . В результате этого при контакте металла и полупроводника в пограничной области буду скапливаться заряды:

Иными словами, из-за того, что работа выхода из полупроводника меньше, то электронам проще перейти из него в металл, чем наоборот, в обратном направлении. Но как и для p-n перехода этот процесс не будет протекать бесконечно. Эти заряды создадут дополнительное электрическое поле в граничной области, и, в результате, под действием этого поля токи термоэлектронной эмиссии выравняются.

Как видите, в целом, процессы, протекающие в барьере Шоттки, по своей сути очень похожи на то, что происходит в p-n переходе при контакте двух полупроводников. При подключении внешнего напряжения возникает дополнительное поле, которое смещает баланс токов в пограничной области.

Как вы помните, при прямом смещении в обычном диоде в полупроводниковых областях накапливаются неосновные носители заряда – дырки в n-области и электроны в p-области:

Так вот в момент перехода диода в закрытое состояние (при подаче обратного смещения) неосновные носители начинают перемещаться навстречу друг другу, что приводит к возникновению кратковременного импульса обратного тока. Для диодов Шоттки же этот негативный и нежелательный эффект фактически сводится на нет!

Итак, суммируем все, что мы рассмотрели, и построим вольт-амперную характеристику диода Шоттки и обычного выпрямительного диода:

А теперь резюмируем плюсы и минусы этих элементов:

А теперь давайте проведем несколько практических экспериментов. Протестируем две аналогичные схемы на работу с сигналами высокой частоты. Только в одной схеме задействуем диод Шоттки, а в другой обычный выпрямительный диод и сравним осциллограммы сигналов на выходе.

На принципиальных схемах диод Шоттки обозначается так:

Тесты будем проводить на простой схеме однополупериодного выпрямителя:

Для эксперимента я взял диод Шоттки 10BQ015 и выпрямительный диод 1N4001. Попробуем подать на вход синусоиду с частотой 1 КГц:

Первый канал (желтый) – сигнал на входе
Второй канал (красный) – сигнал на выходе цепи с диодом Шоттки
Третий канал (синий) – сигнал на выходе цепи с обычным диодом

Результат вполне ожидаем. Диоды пропускают ток только в одном направлении, поэтому нижний полупериод входного сигнала срезается. Пока разницы, честно говоря, никакой не наблюдается. Увеличиваем частоту входного сигнала до 100 КГц:

Первый канал (желтый) – сигнал на входе
Второй канал (красный) – сигнал на выходе цепи с диодом Шоттки
Третий канал (синий) – сигнал на выходе цепи с обычным диодом

И здесь уже видим, что обычный диод с таким сигналом попросту перестает справляться. При переключении диода (из открытого состояния в закрытое) возникает нежелательный импульс обратного тока (в точности так, как мы и обсудили чуть ранее).

Итак, мы рассмотрели устройство, основные характеристики и принцип работы диода Шоттки. Давайте на этом и завершим сегодняшнюю статью, всем большое спасибо за уделенное время и до встречи в новых статьях!

У сдвоенных вентилей выходы катодов или анодов совмещены. Отсюда следует, что такое изделие обладает тремя концами. Сборки с общим катодом, например, работают там, где требуются импульсные блоки питания. Диоды Шоттки с общим анодом используются существенно реже.

Диод Шоттки: принцип работы

От классического вида вентиль Шоттки отличается тем, что основу его работы составляет пара полупроводник-металл. Зачастую эта пара упоминается как барьер Шоттки. Этот барьер, кроме схожей с p-n переходом способности проводить электричество в одну сторону, обладает несколькими полезными особенностями.

Арсенид галлия и кремний – основные поставщики материала для производства электронного элемента в промышленных условиях. В более редких случаях используют драгоценные химические элементы: платина, палладий и им подобные.

Его графическое условное выражение на электрических схемах не совпадает с классическими диодами. Маркировка электронных элементов похожа. Также встречаются двойные диоды в виде сборки.

Важно! Двойной диод – это пара диодов, совмещенных в общем объеме.

Сдвоенный диод с барьером Шоттки

У сдвоенных вентилей выходы катодов или анодов совмещены. Отсюда следует, что такое изделие обладает тремя концами. Сборки с общим катодом, например, работают там, где требуются импульсные блоки питания. Диоды Шоттки с общим анодом используются существенно реже.

Диоды находятся в едином корпусе и используют для их изготовления одну технологию производства, поэтому по набору своих параметров они как близнецы-братья. Температура работы у них тоже одинаковая, т.к. находятся в общем пространстве. Данное свойство значительно уменьшает необходимость их замены из-за потери работоспособности.

Самые важные отличительные свойства рассматриваемых вентилей – это незначительное прямое падение напряжения (до 0,4 В) в момент перехода и высокое время срабатывания.

Однако упомянутая величина падения напряжения обладает узким диапазоном прикладываемого напряжения – не более 60 В. И сама эта величина мала, что задаёт достаточно узкий спектр применения данных диодов. Если напряжение превысит указанную величину, барьерный эффект исчезает, и диод начинает работать в режиме обычного выпрямительного диода. Обратное напряжение для большинства из них не выходит за рамки 250 В, однако существуют образцы с величиной обратного напряжения 1,2 кВ.

При проектировании электрических схем проектировщики частенько на принципиальных схемах диод Шоттки не выделяют графически, однако в спецификации к заказу указывают на его использование, прописывая в типе. Поэтому при заказе оборудования на это нужно обращать пристальное внимание.

Диоды Шоттки в источниках питания

В компьютерных блоках питания очень часто расположены вентили Шоттки. Пятивольтовое напряжение обеспечивает серьёзный ток в десятки ампер, что для низковольтных систем питания является рекордом. Для этих блоков питания и применяют вентили Шоттки. В основном, используются сдвоенные диоды с единым катодом. Ни один качественный современный питающий блок компьютеров не обходится без такой сборки.

Диагноз. «Перегоревший» питающий блок электронного устройства чаще всего означает необходимость замены сгоревшей сборки Шоттки. Причины неисправности всего две: увеличенный ток утечки и электрический пробой. При наступлении описанных состояний электрическое питание на компьютер перестаёт подаваться. Защитные механизмы сработали. Рассмотрим, как это происходит.

Напряжение на входе компьютера отсутствует на постоянной основе. Блок питания полностью заблокирован вшитой в компьютер защитой.

После ремонта блока питания, связанного с заменой сдвоенных диодов Шоттки, необходимо «прозвонить» и транзисторы. При обратной процедуре диоды также требуют проверки. Особенно это правило актуально, если причиной ремонта стала утечка.

Такое универсальное использование элемента связано с способностью полупроводникового диода с эффектом Шоттки во много раз усиливать работоспособность любого прибора и увеличивать его эффективность. Обратное сопротивление электротока восстанавливается, за счет чего он сохраняется в электрической сети. Потери динамики напряжения минимизируются. Также диод Шоттки вбирает несколько видов излучений.

Маркировка и схема диода Шоттки

На схеме преподносится почти как стандартный полупроводниковый диод, но имеются и отличия.


Обозначения диодов

В маркировке используется набор символов, они всегда обозначаются сбоку изделия. Используются международные стандарты, но в зависимости от производителя маркировка может отличаться.

Сочетание цифр и букв на корпусе не всегда понятно, но в радиотехнических справочниках всегда можно найти точную расшифровку.

Диоды в сборке имеют очень близкие параметры, поскольку каждая такая сборка изготавливается единым технологическим циклом, и в итоге их рабочий температурный режим одинаков, соответственно выше и надежность. Прямое падение напряжения 0,2 — 0,4 вольта наряду с высоким быстродействием (единицы наносекунд) — несомненные преимущества диодов Шоттки перед p-n-собратьями.

Диоды Шоттки или более точно — диоды с барьером Шоттки — это полупроводниковые приборы, выполненные на базе контакта металл-полупроводник, в то время как в обычных диодах используется полупроводниковый p-n-переход.

Диод Шоттки обязан своим названием и появлением в электронике немецкому физику изобретателю Вальтеру Шоттки, который в 1938 году, изучая только что открытый барьерный эффект, подтвердил выдвинутую ранее теорию, согласно которой хоть эмиссии электронов из металла и препятствует потенциальный барьер, но по мере увеличения прикладываемого внешнего электрического поля этот барьер будет снижаться. Вальтер Шоттки открыл этот эффект, который затем и назвали эффектом Шоттки, в честь ученого.

Создадим условия, когда при контакте полупроводника, например n-типа, с металлом термодинамическая работа выхода электронов из металла была бы больше, чем термодинамическая работа выхода электронов из полупроводника. В таких условиях, в соответствии с уравнением Ричардсона, ток термоэлектронной эмиссии с поверхности полупроводника окажется больше, чем ток термоэлектронной эмиссии с поверхности металла:

В начальный момент времени, при контакте названных материалов, ток от полупроводника в металл превысит обратный ток (из металла в полупроводник), в результате чего в приповерхностных областях как полупроводника, так и металла — станут накапливаться объемные заряды — положительные в полупроводнике и отрицательные — в металле. В контактной области возникнет электрическое поле, образованное этими зарядами, и будет иметь место изгиб энергетических зон.

Под действием поля термодинамическая работа выхода для полупроводника возрастет, и возрастание будет происходить до тех пор, пока в контактной области не уравняются термодинамические работы выхода, и соответствующие им токи термоэлектронной эмиссии применительно к поверхности.

Картина перехода к равновесному состоянию с формированием потенциального барьера для полупроводника p-типа и металла аналогична рассмотренному примеру с полупроводником n-типа и металла. Роль внешнего напряжения — регулировка высоты потенциального барьера и напряженности электрического поля в области пространственного заряда полупроводника.

На рисунке выше представлены зонные диаграммы различных этапов формирования барьера Шоттки. В условиях равновесия в области контакта токи термоэлектронной эмиссии выравнялись, вследствие эффекта поля возник потенциальный барьер, высота которого равна разности термодинамических работ выхода: φк = ФМе — Фп/п.

Очевидно, вольт-амперная характеристика для барьера Шоттки получается несимметричной. В прямом направлении ток растет по экспоненте вместе с ростом прикладываемого напряжения. В обратном направлении ток не зависит от напряжения. В обоих случаях ток обусловлен электронами в качестве основных носителей заряда.

Диоды Шоттки поэтому отличаются быстродействием, ведь в них исключены диффузные и рекомбинационные процессы, требующие дополнительного времени. С изменением числа носителей и связана зависимость тока от напряжения, ибо в процессе переноса заряда участвуют эти носители. Внешнее напряжение меняет число электронов, способных перейти с одной стороны барьера Шоттки на другую его сторону.

Вследствие технологии изготовления и на основе описанного принципа действия, — диоды Шоттки имеют малое падение напряжения в прямом направлении, значительно меньшее чем у традиционных p-n-диодов.

Здесь даже малый начальный ток через контактную область приводит к выделению тепла, которое затем способствует появлению дополнительных носителей тока. При этом отсутствует инжекция неосновных носителей заряда.

У диодов Шоттки поэтому отсутствует диффузная емкость, поскольку нет неосновных носителей, и как следствие — быстродействие достаточно высокое по сравнению с полупроводниковыми диодами. Получается подобие резкого несимметричного p-n-перехода.

Таким образом, прежде всего диоды Шоттки — это СВЧ-диоды различного назначения: детекторные, смесительные, лавинно-пролетные, параметрические, импульсные, умножительные. Диоды Шоттки можно применять в качестве приемников излучения, тензодатчиков, детекторов ядерного излучения, модуляторов света, и наконец — выпрямителей высокочастотного тока.

Обозначение диода Шоттки на схемах

Диоды Шоттки сегодня

На сегодняшний день диоды Шоттки распространены весьма широко в электронных устройствах. На схемах они изображаются по иному, чем обычные диоды. Часто можно встретить сдвоенные выпрямительные диоды Шоттки, выполненные в трехвыводном корпусе свойственном силовым ключам. Такие сдвоенные конструкции содержат внутри два диода Шоттки, объединенные катодами или анодами, чаще — катодами.

Диоды в сборке имеют очень близкие параметры, поскольку каждая такая сборка изготавливается единым технологическим циклом, и в итоге их рабочий температурный режим одинаков, соответственно выше и надежность. Прямое падение напряжения 0,2 — 0,4 вольта наряду с высоким быстродействием (единицы наносекунд) — несомненные преимущества диодов Шоттки перед p-n-собратьями.

Особенность барьера Шоттки в диодах, применительно к малому падению напряжения, проявляется при приложенных напряжениях до 60 вольт, хотя быстродействие остается непоколебимым. Сегодня диоды Шоттки типа 25CTQ045 (на напряжение до 45 вольт, на ток до 30 ампер для каждого из пары диодов в сборке) можно встретить во многих импульсных источниках питания, где они служат в качестве силовых выпрямителей для токов частотой до нескольких сотен килогерц.

Нельзя не затронуть тему недостатков диодов Шоттки, они конечно есть, и их два. Во-первых, кратковременное превышение критического напряжения мгновенно выведет диод из строя. Во-вторых, температура сильно влияет на максимальный обратный ток. При очень высокой температуре перехода диод просто пробьет даже при работе под номинальным напряжением.

Ни один радиолюбитель не обходится без диодов Шоттки в своей практике. Здесь можно отметить наиболее популярные диоды: 1N5817, 1N5818, 1N5819, 1N5822, SK12, SK13, SK14. Эти диоды есть как в выводном исполнении, так и в SMD. Главное, за что радиолюбители их так ценят — высокое быстродействие и малое падение напряжения на переходе — максимум 0,55 вольт — при невысокой цене данных компонентов.

Редкая печатная плата обходится без диодов Шоттки в том или ином назначении. Где-то диод Шоттки служит в качестве маломощного выпрямителя для цепи обратной связи, где-то — в качестве стабилизатора напряжения на уровне 0,3 — 0,4 вольт, а где-то является детектором.

В приведенной таблице вы можете видеть параметры наиболее распространенных сегодня маломощных диодов Шоттки.

Так как два диода размещены в одном корпусе и выполнены в едином технологическом процессе, то их параметры очень близки. Поскольку они размещены в едином корпусе, то и температурный режим их одинаков. Это увеличивает надёжность и срок службы элемента.

К многочисленному семейству полупроводниковых диодов названных по фамилиям учёных, которые открыли необычный эффект, можно добавить ещё один. Это диод Шоттки.

Немецкий физик Вальтер Шоттка открыл и изучил так называемый барьерный эффект возникающий при определённой технологии создания перехода металл-полупроводник.

Основной «фишкой» диода Шоттки является то, что в отличие от обычных диодов на основе p-n перехода, здесь используется переход металл-полупроводник, который ещё называют барьером Шоттки. Этот барьер, так же, как и полупроводниковый p-n переход, обладает свойством односторонней электропроводимости и рядом отличительных свойств.

В качестве материала для изготовления диодов с барьером Шоттки преимущественно используется кремний (Si) и арсенид галлия (GaAs), а также такие металлы как золото, серебро, платина, палладий и вольфрам.

На принципиальных схемах диод Шоттки изображается вот так.

Как видим, его изображение несколько отличается от обозначения обычного полупроводникового диода.

Кроме такого обозначения на схемах можно встретить и изображение сдвоенного диода Шоттки (сборки).

Сдвоенный диод – это два диода смонтированных в одном общем корпусе. Выводы катодов или анодов у них объединены. Поэтому такая сборка, как правило, имеет три вывода. В импульсных блоках питания обычно применяются сборки с общим катодом.

Так как два диода размещены в одном корпусе и выполнены в едином технологическом процессе, то их параметры очень близки. Поскольку они размещены в едином корпусе, то и температурный режим их одинаков. Это увеличивает надёжность и срок службы элемента.

У диодов Шоттки есть два положительных качества: весьма малое прямое падение напряжения (0,2-0,4 вольта) на переходе и очень высокое быстродействие.

К сожалению, такое малое падение напряжения проявляется при приложенном напряжении не более 50-60 вольт. При дальнейшем его повышении диод Шоттки ведёт себя как обычный кремниевый выпрямительный диод. Максимальное обратное напряжение для Шоттки обычно не превышает 250 вольт, хотя в продаже можно встретить образцы, рассчитанные и на 1,2 киловольта (VS-10ETS12-M3).

Так, сдвоенный диод Шоттки (Schottky rectifier) 60CPQ150 рассчитан на максимальное обратное напряжение 150V, а каждый из диодов сборки способен пропустить в прямом включении 30 ампер!

Также можно встретить образцы, выпрямленный за полупериод ток которых может достигать 400А максимум! Примером может служит модель VS-400CNQ045.

Очень часто в принципиальных схемах сложное графическое изображение катода попросту опускают и изображают диод Шоттки как обычный диод. А тип применяемого элемента указывают в спецификации.

К недостаткам диодов с барьером Шоттки можно отнести то, что даже при кратковременном превышении обратного напряжения они мгновенно выходят из строя и главное необратимо. В то время как кремниевые силовые вентили после прекращения действия превышенного напряжения прекрасно самовосстанавливаются и продолжают работать. Кроме того обратный ток диодов очень сильно зависит от температуры перехода. На большом обратном токе возникает тепловой пробой.

В радиолюбительской практике прижились диоды Шоттки серии 1N581x (1N5817, 1N5818, 1N5819). Все они рассчитаны на максимальный прямой ток (IF(AV)) – 1 ампер и обратное напряжение (VRRM) от 20 до 40 вольт. Падение напряжения (VF) на переходе составляет от 0,45 до 0,55 вольт. Как уже говорилось, прямое падение напряжения (Forward voltage drop) у диодов с барьером Шоттки очень мало.

Также достаточно известным элементом является 1N5822. Он рассчитан на прямой ток в 3 ампера и выполнен в корпусе DO-201AD.

Также на печатных платах можно встретить диоды серии SK12 – SK16 для поверхностного монтажа. Они имеют довольно небольшие размеры. Несмотря на это SK12-SK16 выдерживают прямой ток до 1 ампера при обратном напряжении 20 – 60 вольт. Прямое падение напряжения составляет 0,55 вольт (для SK12, SK13, SK14) и 0,7 вольт (для SK15, SK16). Также на практике можно встретить диоды серии SK32 – SK310, например, SK36, который рассчитан на прямой ток 3 ампера.

Применение диодов Шоттки в источниках питания.

Диоды Шоттки активно применяются в блоках питания компьютеров и импульсных стабилизаторах напряжения. Среди низковольтных питающих напряжений самыми сильноточными (десятки ампер) являются напряжения +3,3 вольта и +5,0 вольт. Именно в этих вторичных источниках питания и используются диоды с барьером Шоттки. Чаще всего используются трёхвыводные сборки с общим катодом. Именно применение сборок может считаться признаком высококачественного и технологичного блока питания.

Выход из строя диодов Шоттки одна из наиболее часто встречающихся неисправностей в импульсных блоках питания. У него может быть два «дохлых» состояния: чистый электрический пробой и утечка. При наличии одного из этих состояний блок питания компьютера блокируется, так как срабатывает защита. Но это может происходить по-разному.

В первом случае все вторичные напряжения отсутствуют. Защита заблокировала блок питания. Во втором случае вентилятор «подёргивается» и на выходе источников питания периодически то появляются пульсации напряжения, то пропадают.

То есть схема защиты периодически срабатывает, но полной блокировки источника питания при этом не происходит. Диоды Шоттки гарантированно вышли из строя, если радиатор, на котором они установлены, разогрет очень сильно до появления неприятного запаха. И последний вариант диагностики связанный с утечкой: при увеличении нагрузки на центральный процессор в мультипрограммном режиме блок питания самопроизвольно отключается.

Следует иметь в виду, что при профессиональном ремонте блока питания после замены вторичных диодов, особенно с подозрением на утечку, следует проверить все силовые транзисторы выполняющие функцию ключей и наоборот: после замены ключевых транзисторов проверка вторичных диодов является обязательной процедурой. Всегда необходимо руководствоваться принципом: беда одна не приходит.

Проверка диодов Шоттки мультиметром.

Проверить диод Шоттки можно с помощью рядового мультиметра. Методика такая же, как и при проверке обычного полупроводникового диода с p-n переходом. Но и тут есть подводные камни. Особенно трудно проверить диод с утечкой. Прежде всего, элемент необходимо выпаять из схемы для более точной проверки. Достаточно легко определить полностью пробитый диод. На всех пределах измерения сопротивления неисправный элемент будет иметь бесконечно малое сопротивление, как в прямом, так и в обратном включении. Это равносильно короткому замыканию.

Где ещё в электронике используются диоды Шоттки? Их можно обнаружить в довольно экзотических приборах, таких как приёмники альфа и бета излучения, детекторах нейтронного излучения, а в последнее время на барьерных переходах Шоттки собирают панели солнечных батарей. Так, что они питают электроэнергией и космические аппараты.

Эти электронные элементы, представленные выше, можно встретить в нашем мире практически везде: в компьютерах, стабилизаторах, бытовой технике, радиовещании, телевидении, блоках питания, солнечных батареях, транзисторах и во многих других приборах из всех сферах жизни.

Эти электронные элементы, представленные выше, можно встретить в нашем мире практически везде: в компьютерах, стабилизаторах, бытовой технике, радиовещании, телевидении, блоках питания, солнечных батареях, транзисторах и во многих других приборах из всех сферах жизни.

Во всех случаях поднимает эффективность и работоспособность, уменьшает численность потерь динамики напряжения, восстанавливает обратное сопротивление тока, принимает на себя излучение альфа, бета и гамма- зарядов, позволяет работать достаточно много времени без пробоев, удерживает ток в напряжении электрической цепи.

Для ускорения процесса накопления и рассасывания неосновных носителей заряда целесообразно ограничить их накопление. Достичь этого можно путем шунтирования коллекторного перехода транзистора диодом Шоттки, т. е. диодом с выпрямляющим электрическим переходом между металлом и полупроводником. Структура такого интегрального транзистора показана на рис. 7.5.

27. Вертикальная структура транзистора Шоттки.

Наибольшее распространение получили транзисторы, имеющие вертикальную структуру, в которой все выводы от областей транзистора расположены в одной плоскости на поверхности подложки Такая структура называется планарной.

Для ускорения процесса накопления и рассасывания неосновных носителей заряда целесообразно ограничить их накопление. Достичь этого можно путем шунтирования коллекторного перехода транзистора диодом Шоттки, т. е. диодом с выпрямляющим электрическим переходом между металлом и полупроводником. Структура такого интегрального транзистора показана на рис. 7.5.

Рис. 7.5. Структура транзистора с диодом Шоттки

Иногда на принципиальных схемах затруднительно графически обозначить этот элемент, его рисуют, как обычный диод, а в спецификации дополнительно указывают тип.

Принцип действия и обозначение

Если обычный полупроводниковый диод основан на свойствах p-n перехода, то принцип работы диода Шоттки основан на свойствах перехода при контакте металла и полупроводника. Такой контакт получил в физике получил название «барьер Шоттки». В качестве полупроводника чаще всего используется арсенид галлия (GaAs), а из металлов применяют в основном следующие:

  • вольфрам;
  • платину;
  • серебро;
  • золото;
  • палладий.

На радиотехнических схемах обозначение диода Шоттки похоже на обозначение обычного полупроводникового элемента, но есть заметное различие: со стороны катода, где есть небольшая перпендикулярная к основной линии черта, у нее дополнительно загибаются края в разные стороны под прямым углом или с плавным изгибом.

Иногда на принципиальных схемах затруднительно графически обозначить этот элемент, его рисуют, как обычный диод, а в спецификации дополнительно указывают тип.

При прохождении электрического тока по цепи положительные и отрицательные заряды скапливаются по всему периметру устройства, включая защитное кольцо. Скопление частиц происходит в различных элементах диода. Это обеспечивает возникновение электрического поля с последующим выделением определенного количества тепла.

Сфера применения

Диод Шоттки может включать в себя любой аккумулятор.

Он входит в устройство солнечной батареи. Солнечные панели, которые уже давно успешно работают в условиях космического пространства, собираются именно на основании барьерных переходов Шоттки. Такие гелиосистемы устанавливаются на космических аппаратах (спутниках и телескопах, проводящих работу в жестких условиях безвоздушного пространства).

Устройство незаменимо при работе компьютеров, бытовой техники, радиоприемников, блоков электропитания. При правильном использовании диод Шоттки увеличивает производительность любого устройства, предотвращает потери тока. Он способен принимать на себя альфа-, бета- и гамма-излучение. Именно поэтому он незаменим в условиях космоса.

С помощью такого устройства можно осуществить параллельное соединение диодов, используя их в качестве сдвоенных выпрямителей. Таким образом можно объединить межлу собой два параллельных источника питания. Один корпус включает в себя два полупроводника, а концы положительного и отрицательного зарядов связываются друг с другом. Есть и более простые схемы, где диоды Шоттки очень малы. Это характерно для очень мелких деталей в электронике.

Диод Шоттки является незаменимым элементом во многих электронных устройствах. Главное — понимать специфику его работы и использовать его корректно.

Источники

Источник — http://www.texnic.ru/books/electronika/010.html
Источник — http://eandc.ru/news/detail.php?ID=27665
Источник — http://microtechnics.ru/diod-shottki-ustrojstvo-princzip-raboty-i-osnovnye-harakteristiki/
Источник — http://amperof.ru/elektropribory/diod-shottki.html
Источник — http://principraboty.ru/princip-raboty-dioda-shottki-chto-tako-diod-shottki/
Источник — http://electricalschool.info/electronica/1827-diody-shottki-ustrojjstvo-vidy.html
Источник — http://go-radio.ru/diod-schottky.html
Источник — http://instrument.guru/elektronika/diod-shottki-harakteristiki-printsip-raboty.html
Источник — http://studfile.net/preview/7387615/page:10/
Источник — http://220v.guru/elementy-elektriki/diody/chto-takoe-diod-shottki-i-princip-ego-raboty.html
Источник — http://batteryk.com/diod-shottki-printsip-raboty

Исследование полупроводниковых выпрямительных диодов — n1.doc

Исследование полупроводниковых выпрямительных диодов
скачать (71.5 kb.)
Доступные файлы (1):

n1.doc

кафедра электроники

Отчет по лабораторной работе №1

«Исследование полупроводниковых выпрямительных диодов»

Екатеринбург

2006 г
Цель: измерение вольтамперных характеристик (ВАХ) кремниевого диода КД103 и диода Шоттки 1N5817, сравнительная оценка полученных характеристик и определение параметров диодов.
Паспортные данные исследуемых диодов:


Электрические параметры

КД 103

1N5817

Постоянное прямое напряжение не более, В

1

0,45-0,6

Постоянный обратный ток не более, мкА

1

500

Максимальный выпрямительный ток, мА

100

1000

Предельно допустимое обратное напряжение, В

50

20

Схемы:
— прямое включение

— обратное включение
Формулы:

Статическое сопротивление:

Дифференциальное сопротивление:

Практическая часть:

Прямое включение диода КД103


Uпр, В

0,515

0,607

0,661

0,674

0,692

0,706

Iпр, мА

0,1

1,05

3,75

5

7,36

10

Прямое включение диода 1N5817


Uпр, В

0,218

0,265

0,317

0.349

0,368

0,391

Iпр, мА

0,52

1,23

3,05

5,14

7,01

10,1

Обратное включение диода КД103


Uобр, В

0,5

1

3

5

7

10

14,7

Iобр, мА

0

0

0

0

0

0

0

Обратное включение диода 1N5817


Uобр, В

1,8

3,13

5

7,62

10

14,9

Iобр, мА

0,001

0,001

0,001

0,002

0,004

0,021

Вольтамперная характеристика.

Рассчитаем статическое сопротивление диодов на прямой и обратной ветвях:


 

Кремниевый диод (КД103)

Диод Шоттки (1N5817)

Прямая ветвь

Ro=0,661/(3,75*10-3)=176,26 Ом

Ro=0,317/(3,05*10-3)=103,93 Ом

Обратная ветвь

——-

Ro=7,62/(0,002*10-3)=3,81*104Ом

Рассчитаем дифференциальное сопротивление диодов на прямой и обратной ветвях:


 

Кремниевый диод (КД103)

Диод Шоттки (1N5817)

Прямая ветвь

Ri=(0,674-0,661)/(5-3,75)=10,4 Ом

Ri=(0,349-0,317)/(3,05-1,23)=17,58 Ом

Обратная ветвь

————

Ri=(7,62-5)/(0,002-0,001)=26,2*105 Ом

Вывод:
В данной лабораторной работе мы исследовали кремниевый диод и диод Шоттки.

Проведя исследования, мы пришли к выводу, что обратные токи намного меньше, чем прямые. Прямая ветвь вольтамперной характеристики диодов идёт круто вверх, практически параллельно вертикальной оси. Она характеризует быстрый рост прямого тока при незначительном увеличении прямого напряжения. Обратная ветвь идёт почти параллельно горизонтальной оси, характеризуя незначительный рост обратного тока, при значительном увеличении обратного напряжения. По вольтамперной характеристике можно сделать вывод, о том, что диод имеет одностороннюю проводимость.

Сопротивление диода не постоянно: при прямом включении единицы — десятки Ом, при обратном – тысячи. Для преодоления потенциального барьера нужно подать внешнее напряжение: для кремниего диода 0,5 – 0,6 В, для диода Шоттки 0,2 – 0,3 В, тогда сопротивление диода значительно уменьшается, он начинает пропускать ток.


Осевые свинцовые выпрямители

, SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 1.0 AMPERE 20, 30 и 40 VOLTS

% PDF-1.4 % 1 0 объект > эндобдж 5 0 obj > эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > эндобдж 4 0 obj > транслировать заявка / pdf

  • onsemi
  • 1N5817 — Осевые свинцовые выпрямители, SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 1.0 AMPERE 20, 30 и 40 VOLTS
  • В этой серии используется принцип барьера Шоттки в силовом диоде металл-кремний большой площади. Современная геометрия включает хромированный барьерный металл, эпитаксиальную конструкцию с оксидной пассивацией и металлический контакт внахлест.
  • 2021-08-03T13: 07: 38 + 02: 00BroadVision, Inc.2021-08-06T11: 39: 31 + 02: 002021-08-06T11: 39: 31 + 02: 00Acrobat Distiller 18.0 (Windows) uuid: 0040fb80- 3a8a-4469-a5f0-c6363443fafbuuid: c32d208b-1a19-480d-b1b4-1da063e062b5 конечный поток эндобдж 6 0 obj > эндобдж 7 0 объект > эндобдж 8 0 объект > эндобдж 9 0 объект > эндобдж 10 0 obj > эндобдж 11 0 объект > эндобдж 12 0 объект > эндобдж 13 0 объект > эндобдж 14 0 объект > эндобдж 15 0 объект > эндобдж 16 0 объект > эндобдж 17 0 объект > эндобдж 18 0 объект > эндобдж 19 0 объект > транслировать HTVK7) д) G F) ~ xZl ~ EjhBi ~} o._ \ — ¥ AsjQ {~ f

    1N5817 Техническое описание диода Шоттки, его вывод, характеристики и применение

    Электронные компоненты

    Привет, ребята! Приветствую вас на борту. Рад тебя видеть. Спасибо, что нажали на это чтение. Сегодня в этом посте я подробно расскажу о введении в 1n5817.

    1n5817 — это диод Шоттки, который используется в приложениях с очень быстрым переключением и обеспечивает высокую стойкость к прямому скачку и низкое прямое падение напряжения. Он доступен в пакете DO-201AD и может выполнять высокочастотные операции.

    Прочтите этот пост до конца, так как я расскажу о полном введении в 1n5817, включая техническое описание, распиновку, функции и приложения этого компонента.

    Приступим.

    Введение в 1N5817
    • 1n5817 — это диод Шоттки, также известный как диод с горячей несущей, используемый в приложениях с очень быстрым переключением.
    • Он поставляется в корпусе DO-201AD и имеет низкое прямое падение напряжения и высокую способность к прямому скачку напряжения.
    • В некоторых приложениях требуется меньшее рассеивание мощности, в этом случае вместо диодов Шоттки используются полевые МОП-транзисторы.
    • Диод Шоттки также известен как диод с горячими носителями из-за низкой электронной энергии, которую он демонстрирует в несмещенном состоянии.
    • Эта низкая энергия создает барьер, блокирующий движение электронов. Это образование барьера является причиной того, что диоды Шоттки также известны как диоды с горячими носителями.

    • Диод Шоттки и обычный диод одинаковы с точки зрения протекания тока i.е. оба позволяют току течь только в одном направлении и блокируют его в противоположном направлении.
    • Но эти диоды разные, когда дело касается напряжения, необходимого для включения этих диодов. Оба диода получают напряжение источника постоянного тока 2 В, но диоду Шоттки требуется только 0,3 В, а 1,7 В остается для питания диода. А нормальному диоду требуется 0,7 В, а 1,3 В для питания диода не учитывается.

    1N5817 Лист данных

    Прежде чем включать этот компонент в свою электрическую схему, лучше взглянуть на техническое описание устройства, в котором указаны номинальные мощности компонента, что поможет вам лучше понять основные характеристики устройства. .Если вы хотите загрузить техническое описание 1n5817, щелкните ссылку, приведенную ниже.

    Распиновка 1N5817

    На следующем рисунке представлена ​​схема выводов диода Шоттки 1n5817.

    • Этот силовой диод поставляется с двумя выводами, известными как анод и катод. Обе клеммы используются для внешнего соединения с электрической цепью.
    • Сторона анода положительная, а сторона катода отрицательная. Ток поступает в диод с вывода анода и покидает диод с вывода катода.
    • И ток течет от вывода анода к выводу катода. Диод позволяет току течь только в одном направлении, то есть от анода к катоду. Он блокирует ток от катода к анодному выводу.

    1N5817 Характеристики
    • Обладает небольшими потерями проводимости.
    • 1n5817 очень эффективен.
    • Хорошо защищен от перенапряжения.
    • Используется для очень быстрого переключения.
    • Доступен в упаковке DO-201AD.
    • Обладает высокой устойчивостью к скачкам напряжения.
    • Имеет низкое прямое падение напряжения.

    1n5817 Конструкция диода Шоттки
    • 1n5817 создается, когда полупроводниковый материал смешивается с металлом, который создает барьер.
    • Когда металлы, такие как хром, платина, вольфрам и молибден, объединяются с полупроводниковым материалом n-типа, это приводит к образованию диода Шоттки. Полупроводник n-типа — это материал, в котором электроны действуют как основные носители заряда, а дырки — как неосновные носители.
    • Диод Шоттки содержит две клеммы, называемые анодом и катодом. Сторона анода положительна и состоит из металлического материала, а сторона катода — отрицательна и изготовлена ​​из полупроводникового материала. Ток течет от положительной металлической стороны анода к отрицательной полупроводниковой стороне катода. Кроме того, ток поступает в диод со стороны анода и выходит из диода со стороны катода.
    • Полупроводниковые материалы n-типа и p-типа могут использоваться в качестве катодного вывода в диоде Шоттки, но материалы n-типа предпочтительнее материала p-типа, поскольку последний имеет низкое падение напряжения.
    • Прямое падение напряжения в основной цепи диода Шоттки зависит от природы металла и полупроводникового материала, используемого для формирования барьера.

    1N5817 Приложения
    • Включены в схемы выборки и хранения.
    • Используется в инверторах высокого и низкого напряжения.
    • Используется для защиты полярности и преобразователей постоянного / постоянного тока.
    • Используется в схемах свободного хода и логических схемах.
    • Используется для обнаружения сигналов и очень быстрого переключения приложений.
    • Включено в солнечные системы.
    • Используется для управления электронным зарядом.
    • Используется в радиочастотных приложениях.

    Вот и все о введении в 1n5817. Надеюсь, это чтение окажется для вас полезным. Если вы не уверены или у вас есть вопросы, вы можете оставить свой комментарий в разделе ниже, я помогу вам как можно лучше. Не стесняйтесь держать нас в курсе ваших ценных мыслей и предложений, они помогают нам создавать качественный контент, адаптированный к вашим точным требованиям.Спасибо, за то что прочитали эту статью.

    Почтовая навигация

    (упаковка из 100 штук) Chanzon 1N5817 Выпрямительные диоды с барьером Шоттки 1A 20V DO-41 (DO-204AL) Axial 5817 IN5817 1 Amp 20 Volt: Amazon.com: Industrial & Scientific

    Amazon’s Choice выделяет высоко оцененные продукты по хорошей цене, доступные для немедленной отправки.

    Amazon Выбор в диодах Шоттки от CHANZON

    • Убедитесь, что это подходит введя номер вашей модели.
    • Номер детали: 1N 5817 / Прямой ток: 1 А / Максимальное повторяющееся пиковое обратное напряжение: 20 В
    • Бессвинцовый / соответствующий требованиям RoHS электронный компонент / сквозное отверстие
    • Возможность высокого прямого импульсного тока / высокотемпературная пайка / низкие потери мощности, высокая эффективность
    • См. Рисунок 2-7 для ознакомления с техническими данными.
    • Упакуйте в сумку ESD с этикеткой основных характеристик для долговременной защиты и идентификации.
    ]]>
    Характеристики
    Фирменное наименование ШАНЗОН
    Идентификатор отраслевого стандарта Соответствует RoHS и не содержит свинца
    Форма изделия Do-41
    Материал Другой
    Номер модели 1N5817 x 100 шт.
    Номер детали 1N5817-DO-41-100
    Размер 100 шт.
    Особенности Сумка ESD с этикеткой основных спецификаций для долговременной защиты и идентификации.
    Соответствие спецификации Рисунок 2-7 для таблицы технических характеристик
    Код UNSPSC 32111504

    1N5817-5819 Лист данных компании ON Semiconductor

    Rm

    125

    115

    105

    95

    85

    75 2015107.05.04.03.0

    2.0

    TR, ОПОРНАЯ ТЕМПЕРАТУРА (

    °

    C)

    VR, ОБРАТНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ ПОСТОЯННОГО ТОКА (ВОЛЬТЫ)

    Рисунок 1. Максимальная опорная температура

    1N5817

    40

    80

    RqJA (° C / Вт) = 110

    125

    115

    105

    95

    85

    75 2015107.05.0 304.03.0

    40 30 23

    RqJA (° C / W ) = 110

    80 60

    Рисунок 2.Максимальная эталонная температура

    1N5818

    125

    115

    105

    95

    85

    75 2015107.05.0 304.0 40

    RqJA (° C / Вт) = 110

    60

    80

    80

    .Максимальная эталонная температура

    1N5819

    40

    30

    23

    TR, ОПОРНАЯ ТЕМПЕРАТУРА (C)

    °

    VR, ОБРАТНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ ПОСТОЯННОГО ТОКА (ВОЛЬТ)

    VOLTS, ОБРАТНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ ПОСТОЯННОГО ТОКА

    TR, ЭТАЛОННАЯ ТЕМПЕРАТУРА (

    °

    C)

    1N5817, 1N5818, 1N5819

    http: // onsemi.com

    3

    ПРИМЕЧАНИЕ 3. — ОПРЕДЕЛЕНИЕ МАКСИМАЛЬНЫХ НОМИНАЛОВ

    Обратное рассеивание мощности и возможность теплового разгона

    необходимо учитывать при работе этого выпрямителя при

    обратном напряжении выше 0,1 VRWM. Правильное снижение номинальных характеристик может составлять

    , что достигается с помощью уравнения (1).

    А (макс.)

    , где TA (макс.) =

    ТДж (макс.) =

    PF (AV) =

    PR (AV) =

    Rq

    =

    ТДж (макс.) — RqJAPF ( AV) — RqJAPR (AV)

    Максимально допустимая температура окружающей среды

    Максимально допустимая температура перехода

    Средняя рассеиваемая мощность в прямом направлении

    (125 ° C или температура, при которой происходит термический разгон

    , в зависимости от того, что ниже)

    Средняя обратная рассеиваемая мощность

    Тепловое сопротивление перехода к окружающей среде

    Рисунки 1, 2 и 3 позволяют проще использовать уравнение (1) для

    , принимая во внимание обратное рассеяние мощности и тепловой разгон в

    .Цифры рассчитаны для эталонной температуры

    , как определено уравнением (2).

    R

    Дж (макс)

    qJA

    R (AV)

    ubставляя уравнение (2) в уравнение (1), получаем:

    T

    = T

    — Rq

    P

    Проверка уравнений (2) и (3) показывает, что TR — это температура окружающей среды

    , при которой происходит тепловой разгон, или

    , где TJ = 125 ° C, когда прямая мощность равна нулю.Переход

    от одного граничного условия к другому равен

    , что очевидно на кривых рисунков 1, 2 и 3 как разность

    в скорости изменения наклона около 115 ° C. Данные

    на рисунках 1, 2 и 3 основаны на условиях постоянного тока. Для использования

    в общих выпрямительных схемах в таблице 1 указаны предлагаемые коэффициенты

    для эквивалентного напряжения постоянного тока для использования в консервативной конструкции

    , то есть: (4)

    VR (экв.) = Vin (PK) x F

    Коэффициент F рассчитывается с учетом свойств различных выпрямительных схем

    и обратных характеристик диодов Шоттки

    .

    ПРИМЕР: Найдите TA (макс.) Для 1N5818, работающего от источника постоянного тока

    12 В с использованием мостовой схемы с емкостным фильтром

    , так что IDC = 0,4 A (IF (AV) = 0,5 A), I (FM) / I (AV) = 10, вход

    Напряжение = 10 В (действующее значение), RqJA = 80 ° C / Вт.

    R (экв.)

    . Считайте F = 0,65 из таблицы 1,

    Шаг 1. Найдите VR (эквив.) = (1,41) (10) (0,65) = 9,2 В.

    Шаг 2. Найдите TR на рисунке 2. Считайте TR = 109 ° C.

    Шаг 1. Найдите @ VR = 9,2 В и RqJA = 80 ° C / Вт.

    Шаг 3. Найдите PF (AV) на рисунке 4. ** Считайте PF (AV) = 0,5 Вт

    @I (FM)

    I (AV) = 10 и IF (AV) = 0,5 A.

    Шаг 4. Найдите TA (max) из уравнения (3).

    Шаг 4. Найдите TA (макс.) = 109 — (80) (0,5) = 69 ° C.

    * Значения даны для 1N5818. Мощность немного ниже для

    N5817 из-за более низкого прямого напряжения и выше для

    N5819.

    Схема

    Нагрузка

    Полуволна

    Резистивная емкостная *

    Полноволновая, мостовая

    Резистивная емкостная

    Полная волна, с отводом по центру * †

    Резистивная емкостная

    Квадратная волна

    .5

    0,75

    1,3

    1,5

    0,5

    0,75

    0,65

    0,75

    1,0

    1,5

    1,3

    9000 PK2 1,5

    ** Обратите внимание, что VR (PK) . † Используйте линию для центрального отвода напряжения для Vin.

    Таблица 1. Значения для фактора F

    1n5817% 20smd техническое описание и примечания по применению

    HW-11-20-SM-D-669-100 Samtec Inc Разъем для штабелирования плат, 22 контакта, 2 ряда, папа, прямой, клемма для пайки, Бесплатный образец
    HW-11-20-SM-D-590-110 Samtec Inc Разъем для штабелирования плат, 22 контакта, 2 ряда, папа, прямой, клемма для пайки, Бесплатный образец
    HTSW-110-20-SM-D Samtec Inc Разъем для платы, 20 контактов, 2 ряда, папа, прямой, клемма под пайку, Бесплатный образец
    SSM-120-SM-DV-LC Samtec Inc Разъем для платы, 40 контактов, 2 ряда, гнездовой, прямой, клемма для поверхностного монтажа, гнездо, Бесплатный образец
    SSM-120-SM-DH Samtec Inc Разъем для платы, 40 контактов, 2 ряда, гнездовой, под прямым углом, клемма для поверхностного монтажа, гнездо, Бесплатный образец
    SSM-120-SM-DV-K-TR Samtec Inc Разъем для платы, 40 контактов, 2 ряда, гнездовой, прямой, клемма для поверхностного монтажа, гнездо, Бесплатный образец

    Промышленное электрическое оборудование Промышленное и научное 100шт. Набор выпрямительных диодов 10 значений с прозрачной коробкой 1N4001 ~ 1N4007 1N5817 ~ 1N5819 Walfront ziptimberline.com

    100 шт. Набор выпрямительных диодов 10 значений с прозрачной коробкой 1N4001 ~ 1N4007, 1N5817 ~ 1N5819: промышленные и научные, бесплатная доставка по всему миру, интернет-магазины часов, отличное обслуживание клиентов, официальный интернет-магазин, гарантия лучшего качества — до 80%. , Набор выпрямительных диодов на 10 значений с прозрачной коробкой 1N4001 ~ 1N4007 1N5817 ~ 1N5819 Walfront, набор выпрямительных диодов в ассортименте с прозрачной коробкой 1N4001 ~ 1N4007 1N5817 ~ 1N5819 Walfront 100 шт. На 10 значений, набор на выбор из диодов с прозрачной коробкой Выпрямитель.

    Технические характеристики: высокая эффективность и низкие потери мощности, поэтому вы можете удобно носить комплект куда угодно. 1N4003, 1N5817 ~ 1N5819: промышленный и научный, можно использовать в течение длительного времени, 1N4006, N007, 1N5819, N003, материал: германий, 1N4004, 1N4005, 1N5817, сортируются вручную, в этом наборе 0 значений, которые могут быть обычно используются в качестве источников опорного напряжения и шунтирующих регуляторов для регулирования напряжения в небольших цепях. 100 шт. Набор выпрямительных диодов 10 значений в ассортименте с прозрачной коробкой 1N4001 ~ 1N4007« И поставляется в прозрачной пластиковой коробке.Поставляется с удобной коробкой для хранения, N00, В комплект входит:, с этикеткой на коробке, N00, N587, 00Pcs × Rectifier, Низкая утечка, Спасибо за понимание. 1N5818, этот продукт содержит всего 00 выпрямительных диодов, поэтому возможны небольшие ошибки в типе и количестве. N589, тип :, 1N4002, 1N4007, набор из 10 выпрямительных диодов на 10 значений с прозрачной коробкой 1N4001 ~ 1N4007, 1N5817 ~ 1N5819: Industrial & Scientific. Вы можете легко найти нужный вам диод. Количество: 0 шт. каждого типа, что наверняка сэкономит ваше время. N588. Широко используется в качестве опорного напряжения и шунтирующих регуляторов для регулирования напряжения в небольших цепях. Примечание: 10 значений: 1N4001, вперед. падение напряжения, простота использования, N006, Всего 100 выпрямительных диодов в одном наборе.с четкой маркировкой N002, вы легко найдете нужный тип, более того, N005.

    1N5817 1A 1 A 20V выпрямительный диод Шоттки

    Стоимость доставки почтой первого класса:

    Минимальная сумма заказа
    Сумма заказа Максимум
    Тарифы на доставку первым классом в США
    $ 00.01
    25,00 $
    $ 5,85
    25 долларов США.01
    35,00 $
    $ 6,85
    35,01 долл. США
    45,00 $
    $ 8,85
    45,01 долл. США
    55,00 $
    $ 9,85
    $ 55,01
    75,01 долл. США
    $ 11,85
    75,01 долл. США
    100,00
    12 долларов.85
    $ 100,01
    200,00 $
    $ 14,85
    200,01 долл. США
    300,00 долл. США
    $ 15,85
    300,01 долл. США
    500,00 долл. США
    $ 17,85
    500,01 долл. США
    +
    $ 18,85

    Стоимость доставки приоритетной почтой:

    Минимальная сумма заказа
    Сумма заказа Максимум
    Тарифы на доставку приоритетной почтой в США
    00 руб.01
    25,00 $
    10,50 долл. США
    25,01 долл. США
    35,00 $
    $ 11,50
    35,01 долл. США
    45,00 $
    12,50 долл. США
    45,01 долл. США
    55,00 $
    $ 13,50
    $ 55,01
    75,01 долл. США
    14 долларов США.50
    75,01 долл. США
    100,00
    $ 16,50
    $ 100,01
    200,00 $
    18,50 долл. США
    200,01 долл. США
    300,00 долл. США
    21,50 долл. США
    300,01 долл. США
    500,00 долл. США
    $ 24,50
    500,01 долл. США
    +
    25 долларов.50

    Canada First Class International (исключения см. На странице доставки)

    Минимальная сумма заказа
    Сумма заказа Максимум
    Канада Первый класс Международный
    $ 00.01
    45,00 $
    $ 15.95
    45,01 долл. США
    $ 90,00
    $ 29.95
    90 $.01
    150,00 $
    $ 49.95
    150,01 долл. США
    300,00 долл. США
    $ 59.95
    300,01 долл. США
    700,00 $
    $ 79.95
    700,01 долл. США
    $ 2000,00
    $ 99.95

    Canada Priority Mail (исключения см. На странице доставки)

    Минимальная сумма заказа
    Сумма заказа Максимум
    Приоритетная почта Канады
    00 руб.01
    45,00 $
    $ 29.95
    45,01 долл. США
    $ 90,00
    $ 39.95
    $ 90,01
    150,00 $
    $ 59.95
    150,01 долл. США
    300,00 долл. США
    $ 79.95
    300,01 долл. США
    700,00 $
    99 долларов.95
    700,01 долл. США
    $ 2000,00
    $ 109.95

    Международный — За пределами США / CA (исключения см. На странице доставки)

    Минимальная сумма заказа
    Сумма заказа Максимум
    Международный — за пределами США / Калифорнии
    $ 100,00
    150,00 $
    79 долларов.95
    150,01 долл. США
    300,00 долл.

    alexxlab

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *