Site Loader

Содержание

КТ315 характеристики транзистора, цоколевка и российские аналоги

Характеристики транзистора КТ315 – сделали его самым популярным и самый известным во времена СССР, изготавливался в пластиковом корпусе по эпитаксиально-планарной технологии. По своему устройству является кремниевым, биполярным, NPN-транзистором, малой мощности и высокой частоты. Начал выпускаться в далеком 1967 г., а в уже 1968 г. на его основе стали производить первые электронные приборы.

С ростом современных технологий популярность этого транзистора начала резко таять. Однако на многих форумах молодые радиолюбители продолжают спорить со старожилами о качестве данного устройства и возможности его применения. Сравнения ведутся зачастую с современными зарубежными решениями. На наш взгляд такое сравнение некорректно. Несомненно, современные аналоги обгоняют кт315 по своим свойствам и параметрам. Однако стоит признать, что для своего времени он был действительно прорывным и технически совершенным.

Распиновка

В советское и перестроечное время производился в корпусе КТ-13, который никогда не использовался зарубежными производителями. Притом, что КТ315 рабочая лошадка советской радиопромышленности. В наши дни, его продолжают выпускать в корпусе КТ-26 (TO-92) и КТ-46А (SOT-23), а так же в ограниченных количествах в КТ-13. Посмотрите внимательней на фотографии цоколевки КТ315 в разных корпусах и на буквы обозначающие назначение его электродов. 

Несмотря на внешние различия транзисторов, их распиновка совпадает. Так, если смотреть на маркировку любого из них, то электроды слева на право будут всегда иметь следующее назначение: эмиттер (Э), коллектор (К) и база (Б), соответственно. Исходя из этого, становится понятной аббревиатура из трех букв «ЭКБ», которая встречается на технических форумах.

Характеристики

Технические свойства этого биполярника на удивление хороши, даже по сегодняшним меркам. К сожалению, в даташит современного производителя КТ315, представлена только основная информация. В них не найти графиков, отражающих поведение устройство в различных условиях эксплуатации, которыми наполнены современные технические описания на другие подобные устройства от зарубежных производителей.

Максимальные характеристики

Максимальные значения допустимых электрических режимов эксплуатации КТ315 до сих пор впечатляют начинающих радиолюбителей. Например, максимальный ток коллектора может достигать уровня в 100 мА, а рабочая частота у некоторых экземпляров превышает заявленные 250 МГц. Его более дорогие современники из серии КТ2xx/3xx, даже имея металлический корпус, не могли похвастаться такими показателями. КТ315 был долгое время своеобразным техническим лидером, пока ему на смену не пришёл усовершенствованный КТ3102. Рассмотрим максимально допустимые электрические режимы эксплуатации КТ315, в корпусе ТО-92, белорусского ОАО «Интеграл». В конце обозначения таких приборов присутствует цифра «1».

Основные электрические параметры

Будьте внимательны, несмотря на свои достаточно хорошие характеристики, КТ315 не может конкурировать с современными устройствами по некоторым параметрам. Так у современной серии КТ315, как и 50 лет назад, относительно небольшой диапазон рабочих температур от — 45 до + 100°C. А коэффициент шума (КШ) достигает 40 Дб, что уже много для современного устройства, предназначенного для усиления в низкочастотных трактах.

Классификация

Кроме основных параметров, в техническом описании можно найти распределение устройств по группам. Таблица классификации дает представление о параметрах всей серии КТ315. Используя её можно подобрать нужное устройство, путем сравнения основных характеристик всей серии.

Комплементарная пара

У КТ315 имеется комплементарная пара – КТ361. Эти устройства довольно часто применялись вместе, особенно в бестрансформаторных двухтактных схемах. Совместное применение данной пары безусловно вошло в историю российской электроники.

Историческая справка

Созданию первого транзистора по планарной технологии способствовали знания и опыт, полученные СССР при разработке интегральных микросхем. Их разработка в 60-е годы велась в НИИ «Пульсар», НИИ-35 и различных опытно-конструкторских бюро на предприятиях советской промышленности. В 1962 году в НИИ «Пульсар» перешли на планарную кремневую технологию, которая в последующем дала жизнь КТ315.

В 1962 году, под руководством инженера Осокина Ю.Н., были созданы первые советские германиевые микросхемы Р12–2 (Рижский завод полупроводниковых приборов). Эти микросхемы были своеобразным ответом СССР на первые подобные устройства появившиеся в США у компании Texas Instruments.

Небольшой временной период от разработки до серийного выпуска этого устройства, позволяет судить о высоком уровне развития электронной промышленности СССР в те времена. Судите сами, на сколько быстро и оперативно это было сделано. В 1966 г. министр энергетической промышленности Шокин А.И. узнал о появлении в США технологии промышленного изготовления транзисторов по планарной технологии. Уже в 1967 г. Фрязинский завод полупроводниковых приборов так же начинает выпускать первый в СССР высокочастотник в пластиковом корпусе, по аналогичной технологии – КТ315.

В 1968 г. начался выпуск первого электронного калькулятора — «Электроника-68», в котором насчитывалось около 400 транзисторов данного вида. А к 1973 он стал основой для разработки более 20 подобных полупроводниковых устройств. Примерно до начала 90-х годов КТ315 оснащалась почти вся отечественная электроника, так как, несмотря на свою дешевизну, он получился весьма надежным и технологичным. В настоящее время, в мире насчитывается более 7 миллиардов этих транзисторов. Они были выпущены не только в нашей стране, но и за рубежом по государственной лицензии от СССР.

Аналоги

Зарубежные аналоги КТ315, с похожими параметрами являются: BC547, 2SC9014, 2N3904, PN2222. Российской заменой можно считать усовершенствованный КТ3102 (ТО-92), но он имеет другую цоколевку. Зарубежных аналогов в корпусе КТ-13 в настоящее время не существует. Для министерства обороны СССР выпускались идентичные устройства в метало-стеклянных корпусах с маркировкой 2Т312, 2Т316.

Маркировка

По маркировке кт315 можно точно понять, что перед нами именно он, рассмотрим его в корпусе КТ13. Он имеет цифробуквенное обозначение и может отличается от своих собратьев цветом. Чаще всего встречается в оранжевом исполнении. В правом верхнем углу корпуса размещен знак завода-изготовителя, а в левом группа коэффициента усиления. Под условными обозначениями группы и предприятия-изготовителя указана дата выпуска. Вот их фотографии во всем цветовом разнообразии.

Устройства в таком исполнении до 1986 года имели золоченные контакты. После 1986 года количество содержания драгметаллов в них значительно снизилось. А в современных устройствах его практически нет. Усовершенствованный KT315 выпускается в корпусах для дырочного КТ-26 (TO-92) и поверхностного монтажа КТ-46А (SOT-23). На фотографии пример такого устройства — КТ315Г1 (TO-92).

Цифра «1», в конце указывает на современный КТ315(TO-92), а предпоследняя буква «Г» на группу, к которой относится транзистор из этой серии. На основе значений параметров в  группе, можно определить его основное назначение. Например, КТ315Н1 использовался ранее в цветных телевизорах, а KT315P и КТ315Р1 применялись в видеомагнитофонах «Электроника ВМ».

Схема мультивибратора

Этот транзистор до сих пор применяется в учебных целях в различных радиолюбительских кружках. В сети интернет представлено множество схем, собранных на его основе. Наиболее популярная у начинающих радиолюбителей схема мультивибратора на кт315.

Проверка мультиметром

С помощью мультиметра можно проверить кт315, да и собственно любой полупроводниковый триод в два этапа. На первом этапе надо посмотреть состояние p-n переходов между базой и другими выводами. Как известно, p-n переходы у транзистора представляют собой два диода. Для их проверки надо установить на мультиметре режим измерения для диодов.

Далее приложите положительный щуп «+» мультиметра к базе, а отрицательны «-» на любой из электродов. Если переходы рабочие, то падение напряжения на них должно быть в пределах 500-700 милливольт. При подключения тестера по другому, когда отрицательный щуп  установлен на базе,  на экране мультиметра должна отображается единица. Единица указывает на бесконечно большое сопротивление перехода. Если эти условия не выполняются, то транзистор не проходит первый этап проверки и считается не исправным.

Падение напряжения на переходе база-эммитер должно быть больше  чем на базе-коллектор. Обычно так определяют его контакты.

На втором этапе проверяется проводимость между выводами коллектора и эммитера. Щупы прикладываются разными способами между этими электродами, при этом на мультиметре должна отображаться единица. Если это не так –полупроводниковый прибор не исправен.

Нестандартное применение

А вот пример нестандартного применения нашего героя. На одном из технических форумов выложена интересная поделка из радиодеталей. Таким изящным образом радиолюбители продлевают жизнь давно вышедшим из строя, но дорогим сердцу радиодеталям.

Производители

В настоящее время производство данного транзистора значительно снизилось. Многие предприятия больше его не выпускают, в связи растущим применением в электронике более современных решений. Небольшими партиями транзистор КТ315 иногда впускается в корпусе КТ-13 компанией СКБ «Элькор» в Республике Кабардино-Балкария г. Нальчик. Белорусский конкурент ОАО «Интеграл» (холдинг завод «Транзистор») производит его в корпусе ТО-92. Скачать полную версию datasheet на этот прибор в формате pdf можно по ссылке.

Транзистор КТ315 — DataSheet

Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ315А BFP719, 2N2476 *3, 2N5225 *3, 2N3291 *3, 2N3292 *3, 2SC3881S *3, KST1009F1 *3, 40218 *3, 2N3294 *3, KM9011 *3, K917 *3, CD9011 *3, 2N3131 *3
КТ315Б BFP20, 2N2712, ВС170А *3, 2N3293 *3, BSY73 *3, SE1010 *3, 2N5219 *3, BSY95A *1, BSY27 *1, BSY95 *1, 2SC33 *3, BSX66 *3, 2N5223 *1, A5T5223 *3
КТ315В BFP721, 2N3512 *3, С63 *3, BSX24 *3, 2SC394 *3, PET8005 *1, 2SC460 *3, 2SC460A *3, 2SC461 *3, 2N3854A *3, MPS9624 *3
КТ315Г BFP722, BSX24 *3, 2SC4128 *1, 2SC4128N *1, 2SC4018K *1, 2SC4018KN *1, KTN5010R *3, KTN5010 *3, KTC941TMR *3, KTC941TM *3, 2SC941 *3, 2SC394 *3, PET8005 *3, 2SC461 *3, 2SC460 *3, 2SC460A *3, CX917 *3
КТ315Д 2SC641, 2N3512 *3
КТ315Е 2N3397, BSX24 *3, 2SC4128 *1, 2SC4128N *1, 2SC4018K *1, 2SC4018KN *1, KTN5010R *3, KTN5010 *3, KTC941TMR *3, KTC941TM *3, 2SC941 *3, 2SC394 *3, PET8005 *3, 2SC461 *3, 2SC460 *3, 2SC460A *3, CX917 *3
КТ315Ж 2N2711, 2N3293 *3, 2N3294 *3, 2SC398 *3, 2SC399 *3
, 2N706C *3, 2N3825 *3, 2N706B/46 *3, 2N706J
КТ315И 2SC634, HSE166 *3, SS9011 *3, JE9011D *3, 2SC381 *3
КТ315Н BFP722
КТ315Р 2SC633, 2SC380A-О *1, 2SC380A-R *3, 2SC380A *3, 2SC2076 *3, HSE133 *3, BF234 *3, BF235 *3, CX917 *3, KTC9016 *3, 2SC839 *3, 2SC838 *3, BF594 *3
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ315А 150(250*) мВт
КТ315Б 150(250*)
КТ315В 150(250*)
КТ315Г 150(250*)
КТ315Д
150(250*)
КТ315Е 150(250*)
КТ315Ж 100
КТ315И 100
КТ315Н 150
КТ315Р 150
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h31б, f**h31э, f***max КТ315А
≥250 МГц
КТ315Б ≥250
КТ315В ≥250
КТ315Г ≥250
КТ315Д ≥250
КТ315Е ≥250
КТ315Ж ≥250
КТ315И ≥250
КТ315Н ≥250
КТ315Р ≥250
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ315А 25 В
КТ315Б 20
КТ315В 40
КТ315Г 35
КТ315Д
10к 40*
КТ315Е 10к 35*
КТ315Ж 10к 20*
КТ315И 10к 60*
КТ315Н 10к 35*
КТ315Р 10к 35*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ315А
6 В
КТ315Б 6
КТ315В 6
КТ315Г 6
КТ315Д 6
КТ315Е 6
КТ315Ж 6
КТ315И 6
КТ315Н 6
КТ315Р 6
Максимально допустимый постоянный ток коллектора
IK max, I*К , и max КТ315А 100 мА
КТ315Б 100
КТ315В 100
КТ315Г 100
КТ315Д 100
КТ315Е 100
КТ315Ж 50
КТ315И 50
КТ315Н 100
КТ315Р 100
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ315А 10 В ≤0.5 мкА
КТ315Б 10 В ≤0.5
КТ315В
10 В
≤0.5
КТ315Г 10 В ≤0.5
КТ315Д 10 В ≤0.6
КТ315Е 10 В ≤0.6
КТ315Ж 10 В ≤0.6
КТ315И 10 В ≤0.6
КТ315Н 10 В ≤0.6
КТ315Р 10 В ≤0.5
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ315А 10 В; 1 мА 30…120*
КТ315Б 10 В; 1 мА 50…350*
КТ315В 10 В; 1 мА 30…120*
КТ315Г 10 В; 1 мА 50…350*
КТ315Д 10 В; 1 мА 20…90*
КТ315Е 10 В; 1 мА 50…350*
КТ315Ж 10 В; 1 мА 30…250*
КТ315И 10 В; 1 мА ≥30*
КТ315Н 10 В; 1 мА 50…350*
КТ315Р 10 В; 1 мА 150…350*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ315А 10 В ≤7 пФ
КТ315Б 10 В ≤7
КТ315В 10 В ≤7
КТ315Г 10 В ≤7
КТ315Д 10 В ≤7
КТ315Е 10 В ≤7
КТ315Ж 10 В ≤10
КТ315И 10 В ≤10
КТ315Н 10 В ≤7
КТ315Р 10 В ≤7
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ315А ≤20 Ом, дБ
КТ315Б ≤20
КТ315В ≤20
КТ315Г ≤20
КТ315Д ≤30
КТ315Е ≤30
КТ315Ж ≤25
КТ315И ≤45
КТ315Н ≤5.5
КТ315Р ≤20
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ315А ≤40* Дб, Ом, Вт
КТ315Б ≤40*
КТ315В ≤40*
КТ315Г ≤40*
КТ315Д ≤40*
КТ315Е ≤40*
КТ315Ж
КТ315И
КТ315Н
КТ315Р
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ315А ≤300 пс
КТ315Б ≤500
КТ315В ≤500
КТ315Г ≤500
КТ315Д ≤1000
КТ315Е ≤1000
КТ315Ж ≤800
КТ315И ≤950
КТ315Н ≤1000
КТ315Р ≤500

КТ315 цоколевка, КТ315 параметры, КТ315 характеристики

Транзистор КТ315 — один из самых массовых отечественных транзисторов, был запущен в производство в 1967 году. Первоначально выпускался в пластиковом корпусе КТ-13.

КТ315 цоколевка

Если расположить КТ315 маркировкой к себе выводами вниз, то левый вывод это эмиттер, центральный — коллектор, а правый — база.

В последствии КТ315 стал выпускаться и в корпусе КТ-26 (зарубежный аналог TO92), транзисторы в этом корпусе получили дополнительную ”1” в обозначении, например КТ315Г1. Цоколевка КТ315 в этом копусе такая же как и в КТ-13.

КТ315 параметры

КТ315 это маломощный кремниевый высокочастотный биполярный транзистор с n-p-n структурой. Имеет комплементарный аналог КТ361 c p-n-p структурой.
Оба этих транзистора предназначались для работы в схемах усилителей как звуковой так промежуточной и высокой частоты.
Но благодаря тому, что характеристики этого транзистора были прорывными, а стоимость ниже существующих германиевых аналогов КТ315 нашел самое широкое применение в отечественной электронной технике.

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером (fгр.) – 250 МГц.

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (Pкmax)

  • Для КТ315А, Б, В, Г, Д, Е – 0,15 Вт;
  • Для КТ315Ж, И, Н, Р – 0,1 Вт.

Максимально допустимый постоянный ток коллектора (Iкmax)

  • Для КТ315А, Б, В, Г, Д, Е, Н, Р – 100 мА;
  • Для КТ315Ж, И – 50 мА.

Постоянное напряжение база-эмиттер — 6 В.

Основные электрические параметры КТ315 которые зависят от буквы приведены в таблице.

  • Uкбо — Максимально допустимое напряжение коллектор-база,
  • Uкэо — Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер,
  • h21э — Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером,
  • Iкбо — Обратный ток коллектора.
Наимен. Uкбо и Uкэо, В h21э Iкбо, мкА
КТ315А 25 30-120 ≤0,5
КТ315Б 20 50-350 ≤0,5
КТ315В 40 30-120 ≤0,5
КТ315Г 35 50-350 ≤0,5
КТ315Г1 35 100-350 ≤0,5
КТ315Д 40 20-90 ≤0,6
КТ315Е 35 50-350 ≤0,6
КТ315Ж 20 30-250 ≤0,01
КТ315И 60 ≥30 ≤0,1
КТ315Н 20 50-350 ≤0,6
КТ315Р 35 150-350 ≤0,5

Маркировка транзисторов КТ315 и КТ361

Именно с КТ315 началось кодированное обозначение отечественных транзисторов. Мне попадались КТ315 с полной маркировкой, но гораздо чаще с единственной буквой из названия смещенной чуть левее от центра, справа от буквы был логотип завода выпустившего транзистор. Транзисторы КТ361 тоже маркировались одной буквой, но буква располагалась по центру и слева и справа от неё были тире.

И конечно у КТ315 есть зарубежные аналоги, например: 2N2476, BSX66, TP3961, 40218.

КТ315 — биполярный кремниевый NPN транзистор — параметры, использование, цоколёвка, datasheet. — Биполярные отечественные транзисторы — Транзисторы — Справочник Радиокомпонентов — РадиоДом


КТ315 — биполярный кремниевый NPN транзистор — параметры, использование, цоколёвка, datasheet.


Основные технические параметры кремниевого NPN транзистора КТ315
Тран
зистор
IК, макс (И)
мА
UКЭ макс
В
UКБ макс
В
UЭБ макс
В
PК макс
 Вт
h21Э UКЭ нас
В
IКБ0
мкА
fгр
МГц
КТ315А 100 25 25 6 0,15 30..120 0,4 0,5 250
КТ315Б 100 20 20 6 0,15 50..350 0,4 0,5 250
КТ315В 100 40 40 6 0,15 30..120 0,4 0,5 250
КТ315Г 100 35 35 6 0,15 50..350 0,4 0,5 250
КТ315Д 100 40 40 6 0,15 20..90 0,6 0,6 250
КТ315Е 100 35 35 6 0,15 50..350 0,6 0,6 250
КТ315Ж 50 20 20 6 0,1 30..250 0,5 0,6 250
КТ315И 50 60 60 6 0,1 30 0,9 0,6 250
КТ315Н 100 25 25 6 0,1 50..350 0,4 0,5 250
КТ315Р 100 25 25 6 0,1 150..350 0,4 0,5 250

Обозначение на схеме кремниевого NPN транзистора КТ315

Цоколёвка и размеры кремниевого NPN транзистора КТ315

Внешний вид кремниевого NPN транзистора КТ315

КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж, КТ315И, КТ315Р

Поиск по сайту


Транзистор КТ315 — кремниевый, эпитаксиально-планарный, обратный (структуры n-p-n), усилительный. Предназначен для генерирования и усиления ВЧ колебаний. Может также работать в различных импульсных схемах. Часто применяется в паре с «прямыми» транзисторами КТ361. Имеет герметичный пластмассовый корпус. Буква соответствующего типономинала указывается на корпусе прибора, а также на этикетке. Выводы — гибкие, в форме полоска. Весит не более 0,18г.


КТ315 цоколевка

Цоколевка КТ315 показана на рисунке. Проще можно объяснить его цоколёвку так. Если смотреть на транзистор КТ315 со стороны нанесённой буквы его типономинала и выводы расположить вниз или на себя, то цоколёвка будет следующая, слева направо: эмиттер, коллектор, база.


Электрические параметры КТ315

• Коэффициент передачи тока (статический). Схема с общим эмиттером.
Uкэ = 10В, Iк = 1 мА:
КТ315А, КТ315В 30 ÷ 120
КТ315Б, КТ315Г, КТ315Е 50 ÷ 350
КТ315Д 20 ÷ 90
КТ315Ж 30 ÷ 250
КТ315И не менее 30
КТ315Р 150 ÷ 350
• Граничная частота коэффициента передачи тока
Uкэ = 10В, Iк = 1 мА.
не менее 250 МГц
• Постоянная времени цепи обратной связи.
Iэ = 5 мА, Uкб = 10В, не более:
КТ315А 300 пс
КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Р 500 пс
КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж 1000 пс
КТ315И 950 пс
• Граничное напряжение. Iэ = 5 мА, не менее:
КТ315А, КТ315Б, КТ315Ж 15 В
КТ315В, КТ315Д, КТ315И 30 В
КТ315Г, КТ315Е, КТ315Р 25 В
• Напряжение насыщения К-Э.
Iб = 2 мА, Iк = 20 мА, не более:
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Р    0.4 В
КТ315Д, КТ315Е 0.6 В
КТ315Ж 0.5 В
КТ315И 0.9 В
• Напряжение насыщения Б-Э.
Iб = 2 мА, Iк = 20 мА, не более:
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Р    1 В
КТ315Д, КТ315Е 1.1 В
КТ315Ж 0.9 В
КТ315И 1.3 В
• Ток коллектора (обратный). Uкб = 10 В не более 1 мкА
• Ток К-Э (обратный).
Rбэ = 10 кОм, Uкэ = Uкэ, max, не более:
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Р    1 мкА
КТ315Ж 10 мкА
КТ315И 100 мкА
• Ток Э (обратный). Uэб = 5 В, не более: 50 мкА
• Ёмкость коллекторного перехода. Uкб = 10 В, не более:
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Р    7 пФ
КТ315Ж, КТ315И 10 пФ

Предельные эксплуатационные характеристики КТ315

• Напряжение К-Э (постоянное). Rбэ = 10 кОм:
КТ315А 25 В
КТ315Б, КТ315Ж 20 В
КТ315В, КТ315Д 40 В
КТ315Г, КТ315Е, КТ315Р 35 В
КТ315И 60 В
• Постоянное напряжение Б-Э 6 В
• Ток коллектора (постоянный):
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Р    100 мА
КТ315Ж, КТ315И 50 мА
• Рассеиваемая мощность коллектора (постоянная). Т ≤ +25°C:
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Р    150 мВт
КТ315Ж, КТ315И 100 мВт
• Температура перехода (p-n) +120°C
• Рабочая температура (окружающей среды) −60 ÷ +100°C

В особых случаях возможна эксплуатация транзисторов КТ315 при Iк = 20 мА и Uкб = 12.5 В в режиме Pк = 250 мВт.



Транзисторы КТ315,КТ3102,КТ817 — маркировка и цоколевка,основные параметры.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ3102.

КТ3102А — 2N4123
КТ3102А — 2N2483
КТ3102А — 2SC828
КТ3102А — BC546C
КТ3102А — B547B
КТ3102А — BC547C

Транзисторы КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г.

Транзисторы КТ817, — кремниевые, универсальные, мощные низкочастотные, структуры — n-p-n.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, преобразователях и импульсных схемах.
Корпус пластмассовый, с гибкими выводами.
Масса — около 0,7 г. Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса, может быть двух типов.

Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и некодированная — в две. Первый знак в кодированной маркировке КТ817 цифра 7, второй знак — буква, означающая класс. Два следующих знака, означают месяц и год выпуска. В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке. На рисунке ниже — цоколевка и маркировка КТ817.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ817А, КТ817Б, КТ817В — 20.
У транзистора КТ817Г — 15.

Граничная частота коэффициента передачи тока 3 МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. У транзистора КТ817А — 25в.
У транзисторовКТ817Б — 45в.
У транзистора КТ817В — 60в.
У транзистора КТ817Г — 80в.

Максимальный ток коллектора.3А. Рассеиваемая мощность коллектора 1 Вт, без теплоотвода, 25 Вт — с теплоотводом.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А — не более 1,5в.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А — не более 0,6в.

Обратный ток коллектора у транзисторов КТ817А при напряжении коллектор-база 25в, транзисторов КТ817Б при напряжении коллектор-база 45в, транзисторов КТ817В при напряжении коллектор-база 60в, транзисторов КТ817Г при напряжении коллектор-база 100 в — 100мкА.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в, на частоте 1МГц — не более — 60 пФ.

Емкость эмиттерного перехода при напряжении эмиттер-база 0,5 в — 115 пФ.

Комплиментарный (аналогичный по параметрам, но противоположной проводимости)транзистор — КТ816.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ817.

КТ817А — TIP31A
КТ817Б — TIP31B
КТ817В — TIP31C
КТ817Г — 2N5192.


На главную страницу

КТ315 транзистор: характеристики, цоколевка, аналоги, параметры

Транзистор КТ315 — кремниевый, маломощный, высокочастотный биполярный транзистор с n-p-n структурой. Используется в схемах усилителей высокой, промежуточной и низкой частоты. Также может работать в различных импульсных схемах. КТ315 нашел самое широкое применение в отечественной электронной технике.

Цоколевка транзистора КТ315

Характеристики транзистора КТ315

Транзистор Uкбо(и),В Uкэо(и), В Iкmax(и), мА Pкmax(т), мВт h31э fгр., МГц
КТ315А 25 25 100 150 30-120 250
КТ315Б 20 20 100 150 50-350 250
КТ315В 40 40 100 150 30-120 250
КТ315Г 35 35 100 150 50-350 250
КТ315Д 40 40 100 150 20-90 250
КТ315Е 35 35 100 150 50-350 250
КТ315Ж 20 20 50 100 30-250 150
КТ315И 60 60 50 100 >30 250
КТ315Н 25 25 100 100 50-350 250
КТ315Р 35 35 100 100 150-350 250

Uкбо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-база
Uкэо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер
Iкmax(и) — Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора
Pкmax(т) — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом)
h31э — Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
fгр — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером

Аналоги транзистора КТ315

КТ315А: BFP719
КТ315Б: 2N2712, 2SC633, BFP720
КТ315В: BFP721
КТ315Г: 2SC634, 2SC641, BFP722
КТ315Е: 2N3397
КТ315Ж: 2N2711

Эквивалент транзистора

Kt315 pdf

Эквивалент транзистора Kt315 pdf

Bu515 можно заменить на bu508, потому что оба используются в секции горизонтального отклонения телевизора. Kt315 datasheet, kt315 pdf, kt315 data sheet, kt315 manual, kt315 pdf, kt315, datenblatt, electronics kt315, alldatasheet, free, datasheet, datasheets, data sheet. Ищу что-нибудь может заменить эти транзисторы. Наша компания занимается поставкой на экспорт электронных компонентов, произведенных в России и бывшем Советском Союзе.Транзисторный эквивалент c945 может быть недостаточной информацией для определения точного устройства для замены. Ss8050 ss8050c ss8050d 55oc ss8050 эквивалент ss8050d ss8050c npn-транзистор ss8050d 800ma ss8050 транзистор ss8050d 1. 2n3904 — это обычный npn-транзистор с биполярным переходом, используемый для универсальных маломощных усилительных или коммутационных приложений. Идентификатор, напечатанный на компонентах, может вводить в заблуждение и иногда является сокращенной версией всей информации, необходимой для точной перекрестной ссылки.Просмотр сообщений форума личное сообщение просмотр записей блога просмотр статей полный членский уровень 4. Техническое описание Kt315i, эквивалент, поиск по перекрестным ссылкам. KT361 является дополнением к транзистору KT315, поэтому он часто использовался в паре с ним в двухтактных каскадах, транзисторы KT315 и KT361 стали первыми когда. Не выбирайте транзистор с гораздо большим ft, так как это может увеличить риск колебаний.

Символ параметр условия единица значения rthja тепловое сопротивление от перехода к окружающей среде примечание 1 500 кВт.Pc max ucb max uce max ueb max ic max ft max cctip pf hfe tj эквивалент в евро, эквивалент сша. Примечания к выбору транзисторной замены электроники. Российские электронные компоненты трейдер диод, терморезистор. Kt315g — параметры, поиск аналогов. Это советский npn-транзистор с биполярным переходом, используемый для маломощных усилительных или коммутационных приложений общего назначения, заключенный в пластиковый корпус kt. Список перекрестных ссылок полупроводников и транзисторов. База данных биполярных транзисторов содержит более 46000 транзисторов.K3569 datasheet vdss600v, nch транзистор toshiba, 2sk3569 datasheet, k3569 pdf, распиновка k3569, эквивалент k3569, данные, схема k3569, схема k3569. C1815 перекрестные ссылки на электронные схемы, схемы телевизоров. Ic перекрестная ссылка перекрестная ссылка ci stk перекрестная ссылка ci tda перекрестная ссылка ci четкая перекрестная ссылка Hitachi аудио IC перекрестная ссылка и схемы приложения SMD перекрестная ссылка и эквивалент Мы делаем все возможное, чтобы материалы на этом сайте были точными, однако мы не гарантируем или представить это.

Знание того, как заменить транзистор другого типа, может ускорить работу. Очевидно, усилители и генераторы должны работать несколько ниже этой частоты. Инструкции по определению теплового сопротивления rths для ребер охлаждения можно найти на странице 11. 21 сентября 2009 г. для kt315 используйте практически любой маломощный тип npn. Kt315 datasheet npn bipolar junction transistor, kt315a datasheet, kt315 pdf, распиновка kt315, руководство kt315, схема kt315, эквивалент kt315, данные kt315. Апидиктор был разработан в начале 1950-х годов и содержал три типа транзисторов, каждый из которых мог быть двух указанных типов, но на начало 2000-х ни один из них не находился в общей поставке.Kt361a datasheet, kt361a pdf, kt361a распиновка, эквивалент, замена pnp транзистора и т. Д., Схема, схема, руководство. 2n3904 демонстрирует свой бета-пик прямого усиления при более низком токе, чем 2n2222, и может использоваться в усилителях с пониженным i c, e. Irfz43 ka3842d irf510 транзистор-переключатель mc7805ct транзистор mc7812ct ka336z irfz44 pnp высоковольтный pnp-транзистор 700в ks82c670n. Перекрестная ссылка на универсальный транзистор, ссылка на страницу 1.

K3569 datasheet vdss600v, mosfet транзистор toshiba.KT315 — это советский кремниевый биполярный npn-транзистор общего назначения. Ссылки слева могут помочь вам найти собственные заменяемые транзисторы. Транзисторные эквиваленты для замены современных транзисторов в старых проектах. Если используется слюдяная изоляция, необходимо добавить тепловое сопротивление слюдяной шайбы, которое составляет около 0. Выберите заменяющий транзистор с эквивалентными футами. Первоначально он был изготовлен из металлической банки to18, как показано на рисунке, рассматривается 2n2222. очень распространенный транзистор, и есть.Без дополнительных деталей схемы я не могу сказать наверняка, но, вероятно, рассчитан как минимум на 10 ампер и 30 вольт. Если на транзистор будет подано напряжение, превышающее максимально допустимое, он может быть необратимо поврежден. Посмотреть все форматы и редакции, скрыть другие форматы и редакции. Перекрестные ссылки — это не волшебство, понимание схемы и параметрический поиск важных параметров намного надежнее. Транзисторные эквиваленты на замену современным. 2n2222 — это обычный npn-транзистор с биполярным переходом bjt, используемый для усиления или коммутации малой мощности общего назначения.Таблицы эквивалентов между русской и западной частями.

Замена транзистора Распайка и замена транзистора занимает очень мало времени. Больше времени уходит на выяснение того, что заменить, а иногда и чем заменить. При максимальном напряжении, также называемом напряжением пробоя bv, электроны. Kt315 datasheet npn bipolar junction transistor datasheetcafe. Оригинальный транзистор может нуждаться в особом заказе или быть снят с производства и быть недоступным. KT361 является дополнением к транзистору KT315, поэтому он часто соединялся с ним в двухтактных каскадах.Поскольку распределение тепла в кристалле транзистора неравномерно и зависит от напряжения и. Kt315b — параметры поиска по каталогам. Полупроводниковый транзистор, диод, перекрестная ссылка на микросхему. Для kt315 используйте практически любой тип npn малой мощности.

Kt315 datasheet npn bipolar junction transistor, даташит kt315a, pdf kt315, распиновка kt315, руководство kt315, схема kt315, kt315. Если вы найдете какую-либо информацию, которая может заполнить любой из пробелов в таблице ниже. Эквивалентная таблица данныхpdf a1425apl84c microsemi corporation.KT361 является дополнительным pnp для транзистора KT315, поэтому он часто соединялся с ним в двухтактных каскадах. Здесь я собрал всю имеющуюся у меня информацию о заменах западных частей на российские компоненты, которые я использую в своих конструкциях. Npn-транзистор средней мощности имеет сильноточное низкое напряжение насыщения, дополняющее 2sb772, драйвер реле регулирования напряжения, общий переключатель, аудио усилитель мощности, преобразователь постоянного тока, описание, устройство представляет собой npn-транзистор, изготовленный с использованием планарной технологии, что приводит к созданию прочных высокопроизводительных устройств.Форум схем, проектов транзисторной эквивалентной электроники. Так называемые эквивалентные части или замены могут вообще не работать в некоторых случаях, потому что они были хуже в некоторых спецификациях, или схема была разработана с предположением, что часть имеет довольно низкую полосу пропускания.

Необходимо убедиться, что заменяемый транзистор сможет работать на соответствующих частотах, поэтому рекомендуется использовать аналогичный или немного более высокий ft. Замещающий транзистор должен иметь ту же полярность (pnp или npn), что и исходный.Kt315a — параметры поиска по каталогам. Диод 1n9148 1n4307 1n4532 диод 1n3605 2n2222 микросхема 2n2369 транзистор se708 ma1704 ma1703 текст. Если вы установите неправильную полярность, бутерброд не подойдет. 25 августа 2011 г. перекрестные ссылки — это не волшебство, понимание схемы и параметрический поиск важных параметров намного надежнее. 2n3904 очень часто используется в проектах электроники для хобби, включая самодельные радиолюбители, генераторы кодовых практик, аналоговые усилители и устройства сопряжения для.Кт315а 2н2712, 2с633, бфп719 транзистор ссср лот. Характеристики tj 25 c, если не указано иное. 24 октября 2015 г. Я ищу что-нибудь, что может заменить эти транзисторы. База данных биполярных транзисторов содержит более 46000 данных транзисторов npn и pnp. 9 декабря 2016 г. это советский npn-транзистор с биполярным переходом, используемый для маломощных усилительных или коммутационных приложений общего назначения, заключенный в пластиковый корпус kt. C1815 перекрестные ссылки электронные схемы, схемы тв, аудио.Nte — компания, специализирующаяся на деталях с перекрестными ссылками.

Мы можем предложить вам доставку комплектующих с нашего склада, заводов, а также поиск компонентов, которые больше не производятся. 2n3904 — это npn-транзистор, который может включать только треть тока, чем 2n2222, но в остальном имеет аналогичные характеристики. Процесс pct эпитаксиального типа pnp кремния Toshiba транзистора. Он разработан для низкого и среднего тока, малой мощности, среднего напряжения и может работать на умеренно высоких скоростях.30.11.2015 усиление транзистора падает с увеличением частоты. Эквивалентный datasheetpdf microsemi corporation a1425apl84c datasheet, до 10 000 вентильных матриц, эквивалентных вентилей, до 25 000 эквивалентных вентилей pld, micropac industries 66191 datasheet, hammond Manufacturing ltd. Bf199, bf494, 2n4001, 2n4003, mpsa18 и все, что у меня есть. Данные о мировых эквивалентах транзисторов az by eca author 4.

Мы можем предложить вам доставку комплектующих с нашего склада, заводов, а также поиск, который вам сложно найти.Kt805 datasheet, kt805 pdf, распиновка kt805, аналог, замена транзистора и т. Д., Схема, схема, руководство. KT315 — это советский кремниевый npn-транзистор с биполярным переходом, используемый для маломощных усилительных или коммутационных приложений общего назначения, заключенный в пластиковый корпус kt. Эквивалентную схему транзистора теперь можно развить с помощью двухполюсных формул для основной цепи транзистора, показанной на рис. Ic перекрестная ссылка перекрестная ссылка ci stk перекрестная ссылка ci tda перекрестная ссылка ci четкая перекрестная ссылка Hitachi аудио IC перекрестная ссылка и схемы приложения SMD перекрестная ссылка и эквивалент Мы делаем все возможное, чтобы материалы на этом сайте были точными, однако мы не гарантируем или заявляем, что информация бесплатна.Irfz43 ka3842d irf510 транзистор-переключатель mc7805ct транзистор mc7812ct ka336z irfz44 pnp высоковольтный pnp-транзистор 700в. Это транзистор на 200 мА, 40 В, 625 мВт с переходной частотой 300 МГц, с минимальным коэффициентом усиления по току, равным 100, при токе коллектора 10 мА. Kt315 npn компоненты транзистора техническое описание pdf техническое описание бесплатно из технического описания поиск для интегрированного. Этот тип был зарегистрирован Motorola Semiconductor в середине 1960-х годов вместе с дополнительным pnp-типом 2n3906 и представлял собой значительное улучшение производительности, поскольку пластиковый корпус to92 заменял металлические банки.

Pc max ucb max uce max ueb max ic max ft max cctip pf hfe tj эквивалент в евро, эквивалент сша, эквивалент ссср, эквивалент в Японии. 26 июня 2017 г. k3569 datasheet vdss600v, nch транзистор toshiba, 2sk3569 datasheet, k3569 pdf, распиновка k3569, эквивалент k3569, данные, схема k3569, схема k3569. Но 8050 и 8550 кажутся подходящими для создания двухтактных усилителей. Схема испытания, эквивалентная времени задержки и нарастания. 2. 28 апреля 2014 г. скачайте бесплатно базу данных по биполярным транзисторам.

315, кт315«

315, кт315«


315 (, н-п-н)


Т = 25С R (R ), С /
Т = 25С
I , макс. Я .макс U R макс (U 0 макс ), U 0 макс , U 0 макс , P макс , (P макс ), Т, С T макс , C T макс , C ч 21 21 ) У ), Я ), U , I 0 , (I R ), ф х31 ), , С , С , т ,
315 ​​ 100 25 6 150 25 120 100 20.0,90 (10) 1 0,4 1 250 7 670
315 ​​ 100 20 6 150 25 120 100 50..350 (10) 1 0,4 1 250 7 670
315 ​​ 100 40 6 150 25 120 100 20.0,90 (10) 1 0,4 1 250 7 670
315 ​​ 100 35 6 150 25 120 100 50..350 (10) 1 0,4 1 250 7 670
315 ​​ 100 40 6 150 25 120 100 20.0,90 (10) (1) 1 1 250 7 670
315 ​​ 100 35 6 150 25 120 100 50..350 (10) (1) 1 1 250 7 670
315 ​​ 50 15 6 100 25 120 100 30…250 (10) (1) 0,5 1 150 10 670
315 ​​ 50 60 6 100 25 120 100 30 (10) (1) 1 250 7 670


www.5в.ру

Эквивалент транзистора

Kt315 pdf

Эквивалент транзистора Kt315 pdf

Руководство по перекрестным ссылкам на транзисторы, в котором перечислено около 5000 моделей транзисторов основных европейских и американских производителей того времени, с азиатскими эквивалентами, если таковые имеются. Его также можно использовать для переключения, как и другие pnp.Как единственный человек, контактирующий с пользователями системы, так и есть. Основное применение 2sa — это усилители звуковой частоты. Коммутационные и линейные приложения для усилителей постоянного тока и УКВ. Введение на итальянском языке, но большая часть книги — это таблицы данных с заголовками на английском языке. Эквивалентные схемы также делятся на эквивалентные схемы с малым и большим сигналом.

Kt315g datasheet, pdf распиновка npn биполярных транзисторов. Kt315g datasheet, kt315g pdf, распиновка kt315g, эквивалент, замена биполярных транзисторов npn и т. Д., Схема, схема, руководство.Техасские инструменты выпустили лист данных для своей версии этой части, датированный март 1973 года. Советский 315 npn транзистор с биполярным переходом 19451991. Kt315 datasheet электронных компонентов мета поисковый сайт. Tip140, tip141, tip142, tip145, tip146, tip147 Дарлингтон. Он широко использовался в советской электронной технике. Основы транзисторов: переход эмиттер-база смещен в прямом направлении, обычно переход от коллектора к базе — смещен в обратном направлении. Обычно транзисторы работают с током, поэтому сначала следует применить kcl.

Таблицы эквивалентов между российской и западной частями. Electro tech — это онлайн-сообщество, насчитывающее более 170 000 участников, которым нравится обсуждать и создавать электронные схемы, проекты и гаджеты. 21 июня 2020 г. tip41c — это недорогой силовой транзистор общего назначения, который можно использовать для усиления и переключения в ваших электронных схемах. Металл To18 может размер упаковки минимум максимум a 5. Эпитаксиальный плоский высокочастотный малошумящий усилитель на npn-транзисторе, усилитель диапазона УКВ, техническое описание ktc3195, схема ktc3195, техническое описание ktc3195Мы можем предложить вам доставку комплектующих с нашего склада, заводов, а также осуществить поиск комплектующих, которые больше не производятся.

12 апр.2020 г. Техническое описание kt, перекрестные ссылки, схемы и примечания по применению в формате pdf. KT361 является дополнением к транзистору KT315, поэтому он часто соединялся с ним в двухтактных каскадах. Распиновка транзистора MPSA42, аналог, применение и применение. Список перекрестных ссылок полупроводников и транзисторов. Цифровой тестер транзисторов, цифровой тестер параметров постоянного тока транзисторов.Примечания к выбору транзисторной замены электроники. Kt315 datasheet npn bipolar junction transistor datasheetcafe. Решил заменить транзисторы на западные аналоги.

Перечень перекрестных ссылок силовых транзисторов для компонентов motorola, philips и sgsthomson. Прочее, краткие данные и перекрестные ссылки, разные таблицы данных, сканирование, pdf. Скромный транзистор q1 эмиттер e коллектор c база b основы транзистора эмиттер-базовый переход смещен в прямом направлении, обычно коллектор-базовый переход смещен в обратном направлении, обычно транзисторы являются устройствами, управляемыми током, поэтому.Pdf kt315 indikatoransteuerung02 6g asz1016 транзистор bu 5027 транзистор kt 816 транзистор sd 5024 j 5027r bu 5027 kt 817 транзистор транзистор ku 607 mda 2020 rft e 355 d. При максимальном напряжении, также называемом дробным напряжением bv, в транзисторах начинается лавина электронов. Kt315 мета-поиск, kt315 таблицы данных и информация для электронных компонентов и полупроводников. Вы всегда можете помнить, что стрелка указывает на n материала. Справочник по малосигнальным транзисторам, 86 страниц, 1984, Motorola. Kt315 datasheet npn bipolar junction transistor, kt315a datasheet, kt315 pdf, распиновка kt315, руководство kt315, схема kt315, kt315.KT3102E — техническое описание транзистора, pdf, эквивалент KT3102E. Если транзистор pnp, то стрелка указывает на базу транзистора, в противном случае — на выход. Показаны трубка 315 или rohre 315 id43007, транзистор, провода и преобразователь частоты. Транзистор KT315 и использует новые схемы усиления звука, промежуточные и высокие частоты.

Инструкция для термомагнитного расцепителя kt. Kec, alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников.Также доступны подробные спецификации asi, спецификации и габаритные чертежи упаковки. Руководство по перекрестным ссылкам на транзисторы, дополнение к предыдущему выбору радио и телевидения, Hi-Fi электроника, 1980 г. Было введено не менее 36 000 новых типов транзисторов. Kt315b — параметры поиска по каталогам. Я ищу аналог транзистора d965. Техническое описание транзистора kt315b, pdf, эквивалент kt315b. Предупреждение, пожалуйста, внимательно прочтите примечание для установщиков. Это предупреждение содержит важную информацию.Dec 09, 2020 kt315 datasheet npn bipolar junction transistor, даташит kt315a, pdf kt315, распиновка kt315, руководство kt315, схема kt315, эквивалент kt315, данные kt315.

Наша компания занимается поставкой на экспорт электронных компонентов, произведенных в России и бывшем СССР. Кт3157а интегралкт3157а даташит, дискретные полупроводниковые транзисторы. Commons — это свободно лицензируемое хранилище медиафайлов. 5 апреля 2021 г. — описание транзистора в формате pdf, эквивалент. KT361 является дополнительным pnp для транзистора KT315, поэтому он часто используется с ним в паре в двухтактных схемах.Самый старый кт315а, который нам удалось найти, был изготовлен в марте 1978 года. Символ транзистора имеет стрелку на эмиттере. Nella Coppia, это должно быть все, что нужно, чтобы использовать все схемы и преобразовать их в надлежащую температуру. Kt315 datasheet, kt315 pdf, kt315 data sheet, kt315 manual, kt315 pdf, kt315, datenblatt, electronics kt315, alldatasheet, free, datasheet, datasheets, data sheet. Bc548, функционально эквивалентный транзистор, используемый в Европе. KT361 является дополнением к транзистору KT315, поэтому он часто использовался в паре с ним в двухтактных каскадах, транзисторы KT315 и KT361 стали первыми когда.Kt315 datasheet npn bipolar junction transistor, kt315a datasheet, kt315 pdf, распиновка kt315, руководство kt315, схема kt315, эквивалент kt315, данные kt315.

Он разработан для низкого и среднего тока, малой мощности, среднего напряжения и может работать на умеренно высоких скоростях. Российские электронные компоненты трейдер диод, терморезистор. Биполярный транзистор с изолированным затвором vces600v, vceontyp. KT361 является дополнительным pnp для транзистора KT315, поэтому он часто соединялся с ним в двухтактных каскадах.

2n3773 — это силовой транзистор для базового блока питания, разработанный для высоких частот. Elenca около 5000 типов транзисторов основных европейских и американских производителей, с ограничениями, эквивалентными азиатским. Связанные части для редактирования электрически подобных устройств, таких как mmbt3904, доступны во множестве небольших корпусов для сквозного и поверхностного монтажа, включая to92, sot23 и sot. Распиновка транзистора Tip41c, аналог, спецификации, даташит. Когда коллекторы разомкнуты, на выходных транзисторах имеется около 22 вольт.Kt315g — параметры, поиск аналогов. Ktc3114 datasheet, ktc3114 pdf, ktc3114 data sheet, ktc3114 manual, ktc3114 pdf, ktc3114, datenblatt, electronics ktc3114, alldatasheet, free, datasheet, datasheets. Информация описания этой страницы представлена ​​рядом. Форум схем, проектов транзисторной эквивалентной электроники. Kt3102 datasheet, kt3102 pdf, kt3102 data sheet, kt3102 manual, kt3102 pdf, kt3102, datenblatt, electronics kt3102, alldatasheet, free, datasheet, даташиты, данные.Текущая рыночная цена заменяемого продукта взимается за каждую заменяемую единицу.

2n2222 — это обычный npn-транзистор с биполярным переходом bjt, используемый для общих маломощных усилительных или коммутационных приложений. Вы можете увидеть дефекты нарезки кубиков и много лишнего места вокруг транзистора. Mpsa42 — это транзистор npn bjt, предназначенный для высоковольтных приложений, таких как переключение высокого напряжения и усиление высокого напряжения. Первоначально он был изготовлен из металлической банки to18, как показано на рисунке, 2n2222 считается очень распространенным транзистором и используется в качестве транзистора.Знаменитая книга по перекрестным ссылкам на транзисторы — это руководство по замене для мастера Филиппа ЭКГ. KT315 — это советский кремниевый npn-транзистор с биполярным переходом, используемый для маломощных усилительных или коммутационных приложений общего назначения, заключенный в пластиковый корпус kt. KT315 — это советский npn-транзистор с биполярным переходом, используемый для общих маломощных усилительных или коммутационных приложений, выполненных в пластиковом корпусе kt. Эквивалентные параметры характеристик транзистора включают в себя параметры устройства, тесно связанные с его внутренней работой, и параметры схемы, которые представлены в виде матрицы, рассматривая транзистор как четырехконтактную сеть.

Эта потребность была предусмотрена в моей первой книге эквивалентов и заменителей транзисторов, опубликованной в 1971 году и переизданной по крайней мере 10 раз с той даты, было продано более одного миллиона экземпляров. Это транзистор на 200 мА, 40 В, 625 мВт с переходной частотой 300 МГц, с минимальным коэффициентом усиления по току, равным 100, при токе коллектора 10 мА. Мы перечисляем многочисленные коммерческие номера деталей и их точную замену или предлагаем аналогичные устройства. Инструкции Cutlerhammer по установке и эксплуатации термомагнитного расцепителя kt с серией kframe c.Практическое использование транзистора требует, чтобы он использовался для частот намного меньше, чем f t. 2n2907 — это широко доступный pnp-транзистор с биполярным переходом, используемый для общих маломощных усилительных или коммутационных приложений. Это может быть идеальный транзистор, если вы хотите заменить в своей схеме транзисторы tip31, tip31c или другие подобные транзисторы для увеличения нагрузки. Для 2n2907 произведение коэффициента усиления на ширину полосы при определенных условиях тестирования, или f t, составляет 200 мегагерц, что условно является частотой, на которой текущий коэффициент усиления падает до единицы.

7 1381 1389688 792455 1021 692471795641 1766 1677 1703560 37 1381 553 149 432 1019 935 1961 37 550 1551 552 1958 1701 136

KT315_7701104.PDF Техническое описание Скачать — IC-ON-LINE

ЧАСТЬ Описание Чайник
BFG520 BFG520_XR X BFG520_X BFG520XR BFG520 / XR BFG NPN широкополосный транзистор, 9 ГГц, L BAND, Si, NPN, RF МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР
NPN, широкополосный транзистор, 9 ГГц (NPN 9G 赫兹 赫兹 晶体
NXP Semiconductors N.V.
PHILIPS [Philips Semiconductors]
ZXT11N15DF ZXT11N15DFTC ZXT11N15DFTA Дискретный — Биполярные транзисторы — Главный стол транзисторов (BJT) — Транзисторы
3000 мА, 15 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР SOT-23, 3 КОНТАКТА
15 В NPN КРЕМНИЙНЫЙ ТРАНЗИСТОР НИЗКОГО НАСЫЩЕНИЯ
NPN Транзистор с низким уровнем насыщения
Diodes, Inc.
Diodes Incorporated
Zetex Semiconductors
FZT491 FZT491A NPN Транзистор с низким уровнем насыщения
NPN Транзистор средней мощности
SOT223 КРЕМНИЙНЫЙ ПЛАНАРНЫЙ ТРАНЗИСТОР СРЕДНЕЙ МОЩНОСТИ NPN
Тип: Розетка для настенного монтажа; Расположение вставки: 18-11
Zetex Semiconductors
Diodes Incorporated
TWT4805-15BI TWT1205-15BI TWT4805-15BZ TWT2405-15B ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ СИЛОВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
Кремниевый транзистор высокой мощности NPN
Кремниевый переключающий транзистор NPN
Кремниевый транзистор NPN
Силовой транзистор PNP
Малосигнальный транзистор NPN
Кремниевый транзистор NPN средней мощности
Двойной комплементарный биполярный транзистор npn-pnp
Дополнительный силовой транзистор
Мощный NPN-транзистор транзисторы 模拟 IC
Аналог IC 模拟 IC
RECOM Electronic GmbH
Vishay Intertechnology, Inc.
2N2916 2N2914 2N2918 2N2914CECC 2N2918CECC ДВОЙНЫЕ ПЛАНАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ NPN В УПАКОВКЕ TO77
Двойной планарный транзистор NPN в герметичном корпусе TO-77 (体管 TO-77 陶瓷 封装
NPN 30 мА, 45 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-77
5- Контакт & # 181; P контрольные схемы со сторожевым таймером и ручным сбросом 30 мА, 45 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-77
Seme LAB
TT electronics Semelab Limited
TT electronics Semelab, Ltd.
FTM3725 Усилитель общего назначения NPN
Транзистор NPN 1200 мА, 40 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, MS-012AC
FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
Fairchild Semiconductor, Corp.
BFP650 Цифровые транзисторы — ВЧ-транзистор NPN SiGe, усилители высокой мощности, малошумящий ВЧ-транзистор в корпусе SOT343, 4 В, 150 мА
Кремниево-германиевый ВЧ-транзистор NPN
Infineon Technologies AG
2SC5346 2SC5346S ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 150V V (BR) Генеральный директор | 50MA I (C) | SC-71VAR 50 мА, 150 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР
Кремниевый NPN эпитаксиальный строгальный станок (для усиления низкочастотного высокого пробивного напряжения)
Panasonic, Corp.
Мацшита / Panasonic
Panasonic Semiconductor
KTC1008 KTC1008GR KTC1008-15 ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКИЙ NPN транзистор
Общий транзистор
1000 мА, 60 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-92
KEC (Korea Electronics)
Korea Electronics (KEC)
2N6132 2N6101 2N6491 2N6486 2N6487 2N6489 2N6099 2 КРЕМНИЙНЫЙ ТРАНЗИСТОР NPN
КРЕМНИЙНЫЙ ТРАНЗИСТОР NPN 15 А, 80 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР, TO-220AB
(2N6130 — 2N6134) КРЕМНИЕВОЙ ТРАНЗИСТОР NPN
Силовой транзистор общего назначения
Силовой транзистор Дарлингтона
http: //
ON Semiconductor
Central Semiconductor Corp.
Advanced Semiconductor
CENTRAL [Central Semiconductor Corp]
Central Semiconductor C …
FJPF13007h3TTU FJPF13007TU Кремниевый транзистор NPN 8 А, 400 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР, TO-220AB
Кремниевый транзистор NPN; Пакет: ТО-220Ф; Количество контактов: 3; Контейнер: Рейка 8 А, 400 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР, TO-220AB
Fairchild Semiconductor, Corp.
2SB1516F5 / NP 2SA1727F5 / NP 2SD1918F5 / NP 2SD1767T101 3000 мА, 80 В, PNP, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР
500 мА, 400 В, PNP, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР
1500 мА, 160 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР
0.7 А, 80 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР
3000 мА, 20 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР
5 А, 20 В, PNP, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР
1 А, 32 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР
2000 мА, 100 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР
International Rectifier, Corp.
Dielectric Laboratories, Inc.

KT315_7701105.PDF Техническое описание Загрузить — IC-ON-LINE

Транзистор с двойным усилителем
ЧАСТЬ Описание Чайник
BB1 BB1A4A BB1A4M BB1L3N BB1A3M BB1F3P BB1J3P BB1L Составной транзистор на кристалле Резистор Кремниевый эпитаксиальный транзистор NPN Для коммутации на средних скоростях
Гибридный транзистор
NEC Corp.
NEC [NEC]
2SB798 2SB798-T2 2SB798-T1 2SB794L 2SB798DK-AZ 2SB 1000 мА, 25 В, PNP, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР MINIMOLD PACKAGE-3
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 60В В (BR) Генеральный директор | 1.5A I (C) | TO-126
PNP КРЕМНИЙ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР POWER MINI MOLD
Кремниевый транзистор
IRC Advanced Film
NEC [NEC]
2N1122 2N1405 2N1407 2N1101 2N1140 2N1535 2N1472 2 ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 11В В (BR) Генеральный директор | 50MA I (C) | ТО-24
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 20В В (BR) Генеральный директор | 50MA I (C) | ТО-12
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 15В В (BR) Генеральный директор | 100MA I (C) | ТО-22
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 45В В (BR) Генеральный директор | 5A I (C) | ТО-3
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 25В В (BR) Генеральный директор | 100MA I (C) | ТО-9
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 50V V (BR) Генеральный директор | 3.5A I (C) | ТРАНЗИСТОР ИСТ-3РТ-1/2
| BJT | ПНП | 40В В (BR) Генеральный директор | 50MA I (C) | ТО-5
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 40В В (BR) Генеральный директор | 50A I (C) | TO-36
5-контактная контрольная схема микропроцессора со сторожевым таймером и ручным сбросом ТРАНЗИСТОР
| BJT | NPN | 150V V (BR) Генеральный директор | 7.5A I (C) | ТО-82
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 250V V (BR) Генеральный директор | 7.5A I (C) | ТО-82
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 50V V (BR) Генеральный директор | 12A I (C) | ТО-3
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 110В В (BR) Генеральный директор | ТО-5
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 30В В (BR) Генеральный директор | 50MA I (C) | ТО-5
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 35В В (BR) Генеральный директор | 100MA I (C) | ТО-5
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 25MA I (C) | ТО-22ВАР
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 60В В (BR) Генеральный директор | 5A I (C) | ТО-3
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 40В В (BR) Генеральный директор | 25A I (C) | ТО-36
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 40В В (BR) Генеральный директор | 5A I (C) | ТО-3
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 20В В (BR) Генеральный директор | 5A I (C) | ТО-3
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 30В В (BR) Генеральный директор | 5A I (C) | ТО-3
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 90В В (BR) Генеральный директор | 5A I (C) | ТО-3
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 50V V (BR) Генеральный директор | 7A I (C) | TO-3 晶体管 | 体管 | 进步 党 | 50 В 五 (巴西) 总裁 | 7A 条 一 (c) |
5-контактные ИС с несколькими входами и программируемым сбросом 晶体晶 | 晶体管 | 进步 党 | 12V 的 五 (巴西) 总裁 | 100 мА 的 一 (c) |
5-контактные ИС с несколькими входами и программируемым сбросом 晶体晶 | 晶体管 | 进步 党 | 65V 的 五 (巴西) 总裁 | 5A ((c) | 6
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 15A I (C) | ТО-36
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 38V V (BR) Генеральный директор | 15A I (C) | К-41
NXP Semiconductors N.V.
Microsemi, Corp.
2SB1713 2SB1714 2SB852K1 2SC2412K1 2SC41021 2SC472 -3A / -12V Биполярный транзистор
-2A / -30V Биполярный транзистор
Транзистор усилителя с высоким коэффициентом усиления (? 32V,? 0,3A)
Транзистор общего назначения (50V, 0,15A)
Транзистор высокого напряжения усилителя (120V, 50mA) )
Высокочастотный транзистор усилителя (11 В, 50 мА, 3,2 ГГц)
Силовой транзистор (60 В, 3 А)
Транзистор средней мощности (60 В, 2 А)
Транзистор средней мощности (60 В, 0.5A)
Транзистор усилителя с высоким коэффициентом усиления (32 В, 0,3 А)
Транзистор средней мощности (32 В, 1 А)
Транзистор мощности (80 В, 1 А)
Транзистор с низким напряжением VCE (насыщенный) (стробоскопическая вспышка)
Транзистор средней мощности с высоким коэффициентом усиления (20 В, 0,5 А)
Усилитель низкой частоты
4 В, привод Nch MOS FET
10 В, привод Nch MOS FET
2,5 В, привод Nch MOS FET
4 А, 600 В N-CHANNEL POWER MOSFET
UTC
ROHM [Rohm]
2N2369AU 2N2369AUA 2N2369AUB 2N4449 2N4449UA 2N444 КРЕМНИЙНЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР NPN 200 мА, 15 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-206AB
БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР NPN
Транзистор NPN
Microsemi, Corp.
MICROSEMI [Microsemi Corporation]
SDT13204 SDT1617 SDT1618 SDT1621 SDT1622 SDT1623 S ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 175В В (BR) Генеральный директор | 5A I (C) | ТО-66
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 450V V (BR) Генеральный директор | 10A I (C) | К-210AC
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 175В В (BR) Генеральный директор | 5A I (C) | ТО-3
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 200В В (BR) Генеральный директор | 5A I (C) | ТО-3
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 40В В (BR) Генеральный директор | 5A I (C) | ТО-3
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 60В В (BR) Генеральный директор | 5A I (C) | ТО-3
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 80В В (BR) Генеральный директор | 5A I (C) | ТО-3
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 100В В (BR) Генеральный директор | 5A I (C) | ТО-3
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 125В В (BR) Генеральный директор | 5A I (C) | ТО-3
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 150V V (BR) Генеральный директор | 5A I (C) | ТО-3
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 400V V (BR) Генеральный директор | 5A I (C) | ТО-3
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 80В В (BR) Генеральный директор | 10A I (C) | ТО-39
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 60В В (BR) Генеральный директор | 5A I (C) | ТО-66
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 60В В (BR) Генеральный директор | 5A I (C) | СТР-10
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 60В В (BR) Генеральный директор | 5A I (C) | ТО-111
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 60В В (BR) Генеральный директор | 5A I (C) | ТО-3
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 40В В (BR) Генеральный директор | 5A I (C) | СТР-10
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 60В В (BR) Генеральный директор | 5A I (C) | TO-5
5-контактная контрольная схема микропроцессора со сторожевым таймером и ручным сбросом ТРАНЗИСТОР
| BJT | NPN | 550V V (BR) Генеральный директор | 5A I (C) | ТО-210AC
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 700V V (BR) Генеральный директор | 5A I (C) | ТО-210AC
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 40В В (BR) Генеральный директор | 5A I (C) | ТО-66
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 80В В (BR) Генеральный директор | 5A I (C) | СТР-10
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 600V V (BR) Генеральный директор | 5A I (C) | ТО-210AC
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 750V V (BR) Генеральный директор | 5A I (C) | ТО-210AC
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 60В В (BR) Генеральный директор | 10A I (C) | ТО-66
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 80В В (BR) Генеральный директор | 10A I (C) | ТО-66
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 40В В (BR) Генеральный директор | 10A I (C) | ТО-66
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 750V V (BR) Генеральный директор | 5A I (C) | ТО-3
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 800V V (BR) Генеральный директор | 5A I (C) | TO-3
晶体管 | 体管 | 叩 | 60V 的 五 (巴西) 总裁 | 5A 一 c) | 11
体管 | 体管 | 叩 | 40V 的 五 (巴西) 总裁 | 5A 一 c) | 11
体管 | 体管 | 叩 | 80V 的 五 (巴西) 总裁 | 5A 条 一 c) | 11
5-контактные контрольные схемы & # 181; P со сторожевым таймером и ручным сбросом 5 引 amp; # 181; 和 手动 的 P 监控 电路 ТРАНЗИСТОР
| BJT | NPN | 120V V (BR) Генеральный директор | 10A I (C) | TO-210AC 晶体管 | 体管 | npn 型 | 120 伏特 五 (巴西) 总裁 | 10A 条 一 (c) | 10AC
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 50V V (BR) Генеральный директор | 5A I (C) | TO-5 晶体管 | 晶体管 | 叩 | 50 В 五 (巴西) 总裁 | 5A 条 一 (c) |
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 400V V (BR) Генеральный директор | 10A I (C) | TO-210AC 晶体管 | 体管 | 叩 | 400 В 五 (巴西) 总裁 | 10A 条 一 (c) | 10AC
Serpac Electronic Enclosures
Atmel, Corp.
AUK, Corp.
AT-42036 AT-42036-TR1 AT-42036-BLK AT-42036 · Транзистор общего назначения
Agilent AT-42036 Кремниевый биполярный транзистор средней мощности до 6 ГГц
TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V (BR) Генеральный директор | 80MA I (C) | МИКРО-Х
Agilent (Hewlett-Packard)
HP [Agilent (Hewlett-Packard)]
GA1F4Z GA1F4ZL65 GA1F4ZL64 GA1F4Z-T2 Гибридный транзистор
ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЙ РЕЗИСТОР СРЕДНЕЙ СКОРОСТИ, ВСТРОЕННЫЙ ТИП NPN ТРАНЗИСТОР
ТРАНЗИСТОР | 50V V (BR) Генеральный директор | 100MA I (C) | SOT-323 晶体管 | 50 В 五 (巴西) 总裁 | 100 мА 的 一 (c) | 的 SOT — 323
NEC [NEC]
NEC Corp.
NEC, Corp.
2N2060A (малосигнальный двойной транзистор в герметичном корпусе TO-77)放大器 功能 的 双 晶体管 (至 77 封装 两个 小 信号 晶体管))
ДВОЙНОЙ транзисторного усилителя 500 мА, 60 В, 2 КАНАЛА, NPN, Si малого сигнала ТРАНЗИСТОР, МО-002AF
Central Semiconductor, Corp.
TT electronics Semelab, Ltd.
Semelab (Magnatec)
TT electronics Semelab Limited
SEME-LAB [Seme LAB]
2SA1708S-AN EN3094B 2SC4488T-AN 2SC4488S-AN Биполярный транзистор
Биполярный транзистор Принятие FBET, процессы MBIT
Биполярный транзистор? 0V,? A, низкий VCE (sat) PNP Single PCP
ОН Полупроводник
IPP100N04S2-04 IPB100N04S2-04 SP0002-19061 SP0002- OptiMOSPower-Transistor для OptiMOS㈢ 功率 体管
OptiMOS? Силовой транзистор
OptiMOS® Силовой транзистор
100 А, 40 В, 0.0036 Ом, N-КАНАЛ, Si, ПИТАНИЕ, МОП-транзистор, TO-220AB GREEN, ПЛАСТИК, TO-220, 3 КОНТАКТА
Infineon Technologies AG
CP617 Малосигнальный транзистор PNP — кремниевый обломок RF-транзистора
Форма обломока: RF-транзистор
Central Semiconductor Corp

KT-315 — KANTECH SYSTEMS — Reader

Политика доставки и выполнения

При заказе продукции Anixter.com, заказ обрабатывается в течение одного-двух рабочих дней. Заказы, полученные в нерабочие дни, обрабатываются на следующий рабочий день.

У вас есть несколько вариантов доставки посылок: стандартная доставка от 5 до 7 рабочих дней, от 2 до 3 рабочих дней или на следующий рабочий день.

Anixter.com заказывает доставку по адресам в Мексике. Заказы Anixter.com в настоящее время не доставляются по адресам за пределами Мексики или военным / правительственным пунктам APO / FPO. Мы также не можем отправлять на адреса почтовых ящиков.Если вы хотите отправить товар по адресу за пределами Мексики или в военное / правительственное учреждение, обратитесь к местному торговому представителю Anixter, чтобы обсудить возможные варианты.

Кроме того, Anixter.com предлагает вариант «LTL» для товаров, которые не могут быть отправлены посылкой. Для продуктов, которые будут отправляться через LTL, вам будет предоставлен набор аксессуаров на выбор, чтобы предоставить Anixter дополнительные сведения о доставке, такие как доставка на дом, внутренняя доставка, подъемная дверь или ограниченный доступ.

  • Доставка по месту жительства — Плата за доставку по месту жительства применяется к отправлениям на дом или в частную резиденцию, включая места, где бизнес ведется из дома, или к любому отправлению, в котором грузоотправитель указал адрес доставки в качестве места жительства.
  • Внутренняя доставка — по запросу грузовой перевозчик выгружает грузы из или в районы, которые не находятся рядом с прицепом, такие как торговые центры или офисные здания. Лифт должен быть доступен для обслуживания этажей выше или ниже прицепа.
  • Подъемная дверь — грузовой перевозчик при необходимости предоставляет услуги подъемной откидной двери для загрузки и разгрузки груза, когда погрузочно-разгрузочные доки недоступны.
  • Пункты с ограниченным доступом — Место с ограниченным доступом — это место, где вывоз или доставка ограничены или ограничены.

Стоимость доставки рассчитывается на основе выбранного вами варианта доставки и предоплачивается вами во время доставки.

Как минимизировать время блокировки ADF4153 — Вопросы и ответы — RF и микроволновая печь

Здравствуйте, Артем,

иногда Vtune o / p показывает больший выброс, чем обычно, что приводит к более длительному времени установления для определенных частотных шагов.

Это известная проблема в наших устройствах ФАПЧ предыдущего поколения, которая может быть вызвана одним из следующих сценариев.

  1. Если внутренние счетчики обновляются до того, как цифровая логика, связанная с шиной SPI, установила свое правильное значение (при смене каналов), неправильные данные загружаются в счетчики, но повторно загружаются с правильными данными при следующем обновлении счетчиков. Также объясняется как: «
  2. »
  3. Если время счетчика R истекло до нуля, когда новое содержимое защелкивается с использованием LE, то в течение короткого периода времени счетчика R нет, и PFD сочтет, что частота обратной связи слишком высока, и принудительно снизит CP (это похоже на происходить).С VCXO это может быть плохо, так как если они рельсы, им может потребоваться много времени, чтобы восстановиться.

… отсюда и сбой на V tune.

Внутренние счетчики обновляются по заднему фронту REFIN, поэтому, если вы загружаете новые данные с шины SPI, синхронизированные с передним фронтом REFIN, это позволит цифровой логике установить полный полупериод REFIN перед следующим обновлением внутреннего счетчика. .

Рекомендуемый обходной путь для этой проблемы — внешняя синхронизация переднего фронта REFIN с задним фронтом LE, это даст достаточно времени, чтобы цифровая логика установилась до того, как произойдет внутреннее обновление счетчиков, и, таким образом, избежать неправильного счетчика перезагрузить.

Простой триггер выполнит свою работу, гарантируя, что импульс LE стробируется нарастающим фронтом REFIN, что означает, что разница во времени между ними всегда одинакова.

В дополнение к обеспечению повторяемости времени блокировки требуется сброс счетчика перед загрузкой счетчиков и сброс после их загрузки.

alexxlab

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.