Транзистор КТ815: характеристики (параметры), зарубежные аналоги

Главная » Транзистор

КТ815 — биполярный транзистор на кремниевой основе, изготовлен по эпитаксиально-планарной технологии со структурой перехода NPN.

Содержание

1. Корпус, цоколевка и размеры
2. Применение
3. Особенности транзистора
4. Маркировка
5. Модификации
6. Предельные эксплуатационные характеристики
7. Электрические параметры
8. Условия монтажа
9. Комплементарная пара
10. Аналоги
11. Графические зависимости

Корпус, цоколевка и размеры

Корпус компонента исполнен в стандарте КТ-27, который является аналогом ТО-126. Транзистор также встречается в корпусе КТ-89 для поверхностного монтажа. 

Применение

КТ815 — низкочастотный и мощный транзистор, что позволяет его применять во многих линейных или ключевых схемам. Компонент может использоваться в операционных схемах, дифференциальных или низкочастотных усилителях, различных импульсных электрических устройствах и преобразователях.

Наличие у транзистора комплементарной пары обуславливает частое их применение в схемах предкаскадах усилителей мощности и стабилизаторов напряжения небольших нагрузок.

Особенности транзистора

• Низкая частота;
• Высокая мощность;
• Наличие комплементарной пары;
• Несколько модификаций.

Маркировка

Транзисторы серии КТ815 имеют два основных метода маркировки:

1. Первый заключается в нанесении на корпус полного названия, например КТ815А;
2. Второй заключается в нанесении четырехзначной маркировки, где первым символом будет 5, вторым модель, а последние два символа — дата выпуска. Например 5ВU2 это транзистор КТ815В.

Модификации

Транзистор имеет несколько модификаций, которые имеют небольшие, но важные различия:

• КТ815А — U_кбо(и) = 40 В, U_кэо(и) = 30 В;
• КТ815Б — U_кбо(и) = 50 В, U_кэо(и) = 45 В;
• КТ815В — U_кбо(и) = 70 В, U_кэо(и) = 65 В;
• КТ815Г — U_кбо(и) = 100 В, U_кэо(и) = 85 В.

Предельные эксплуатационные характеристики

Характеристика	Обозначение	КТ815А	КТ815Б	КТ815В	КТ815Г
Значение напряжения коллектор-эмиттер	Uкэ макс, В	40	50	70	100
Значение напряжения эмиттер-база	Uэб макс, В	5
Значение постоянного тока на коллекторе	Iк макс, А	1.5
Значение импульсного тока на коллекторе	Iки макс, А	3
Максимальный рабочий ток на базе	Iб макс, А	0.5
Значение рассеиваемой мощности на коллекторе	Pк макс, Вт	10
Максимальная рабочая температура на переходе	Tмакс, °C	150
Диапазон температуры окружающей среды	Tокр, °C	-60. .+125

Стоит отметить, что граничная частота для данных транзисторов находится в районе 3 МГц, и редко указывается в документации.

Электрические параметры

Характеристика	Обозначение	КТ815А	КТ815Б	КТ815В	КТ815Г
Значение граничного напряжения на коллекторе-эмиттере	Uкэо гp. , В	30	45	65	85
Значение обратного тока на коллекторе	Iкбо, мкА	50
Значение обратного тока на коллекторе-эмиттере	Iкэr, мкА	100
Коэффициент усиления	h21э	40..275			30..275
Значение напряжения насыщения коллектор-эмиттер	Uкэ нас, В	0.6
Емкость коллекторного перехода	Ск, пФ	60
Емкость эмиттерного перехода	Сэ, 75 пФ	75

Условия монтажа

При применении транзисторов КТ815 и их монтаже, следует придерживаться следующих правил:

• Изгиб выводов транзистора должен находиться минимум в 5 мм от корпуса, при этом радиус закругления должен быть в районе от 1. 5 до 2 мм;
• Не допускается установка, при которой на корпус будет передаваться усилие;
• При пайке транзистора необходимо держать жало паяльника на расстоянии не менее 5 мм от корпуса;
• Выводы должны подвергаться пайке при температуре не выше 250 °C не более 2 секунд.

Комплементарная пара

Для всех моделей транзистора КТ815 имеется своя комплементарная пара серии КТ814, с соответствующей буквой в маркировке. Например: для КТ815В комплементарной парой является КТ814В.

Аналоги

Тип	Uкбо(и), В	Uкэо(и), В	Iкmax(и), А	Pкmax(т), Вт	h21э	fгр., МГц
Оригинал
КТ815А	40	25	1.5 (3)	10	40	3
КТ815Б	50	40	1.5 (3)	10	40	3
КТ815В	70	60	1. 5 (3)	10	40	3
КТ815Г	100	80	1.5 (3)	10	30	3
Зарубежное производство
BD135	45	45	1.5 (3)	8	63	—
BD137	60	60	1.5 (3)	8	63	—
BD139	80	80	1.5 (3)	8	63	—
Отечественное производствто
КТ817	от 40	от 40	3 (6)	25	25	3

Стоит отметить, что транзистор КТ817 имеет широкий модельный ряд, позволяющий подобрать замену для каждой из модификации КТ815.

Примечание: данные в таблице взяты из даташип компаний-производителей.

Графические зависимости

Основные зависимости на которые стоит обращать внимание при проектировании устройств с применением транзисторов КТ815

Рис 1. Зависимость коэффициента усиления от значения тока на эмиттере.

Рис 2. Зависимость значений напряжений насыщения КЭ и БЭ от тока на коллекторе.

КТ815 параметры | Практическая электроника

Биполярный транзистор КТ815 часто использовался в советской бытовой технике выпуска 80-х годов прошлого века. Он был предназначен для работы как в ключевых так и в линейных схемах.
У транзистора КТ815 параметры читаются уже в названии:

• К – кремниевый;
• Т – транзистор;
• 8 – мощный, среднечастотный;
• 15 – номер разработки;
• А, Б, В, Г – буква определяющая максимальное обратное напряжение.

КТ815 является транзистором с n-p-n структурой. Существует комплементарный транзистор с p-n-p структурой – КТ814, на КТ815 и КТ814 часто строились схемы комплементарного эмиттерного повторителя.

КТ815 цоколевка

КТ815 изготавливался в корпусах для объемного монтажа КТ-27 (по зарубежной классификации ТО-126):

Сейчас также изготавливают КТ815А9, КТ815Б9, КТ815В9, КТ815Г9 в корпусах для поверхностного монтажа КТ-89 (по зарубежной классификации DPAK):

КТ815 параметры сходные для всех модификаций

Таблица с предельно допустимыми электрическими режимами:

Параметры	Обозначение	Значение
Напряжение эмиттер — база	Uэб max	5 В
Постоянный ток коллектора	Iк max	1,5 А
Импульсный ток коллектора	Iк max	3 А
Максимально допустимый постоянный ток базы	Iб max	0,5 А
Рассеиваемая мощность коллектора	Pк max	10 Вт
Температура перехода	Tпер	150 °C

Основные электрические параметры КТ815 при Токр. среды = 25°С

Паpаметpы	Обозначение	Режимы измеpения	Min	Maх	Ед.измеp
Обратный ток коллектора	Iкбо	Uкэ=50 В (А,Б), Uкэ=65 В (В,Г)		50	мкА
Обратный ток коллектор-эмиттер	Iкэо	Rэб ≤ 100 Ом, Uкэ=50 В (А,Б), Uкэ=65 В (В,Г)		100	мкА
Статический коэффициент передачи тока	h31э	Uкб=2 В, Iэ=0,15 А	40,30(Г)	275
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	Uкэ нас	Iк=0,5 А, Iб=50 мА		0,6	В

 

Напряжение коллектор — эмиттер Uкэ max (Rэб ≤ 100 Ом)

• КТ815А, КТ815А9 — 40 В
• КТ815Б, КТ815Б9 — 50 В
• КТ815В, КТ815В9 — 70 В
• КТ815Г, КТ815Г9 — 100 В

Граничное напряжение коллектор — эмиттер Uкэо гр. (Iэ = 50 мА, tи = 0,3-1 мс)

• КТ815А, КТ815А9 — 30 В
• КТ815Б, КТ815Б9 — 45 В
• КТ815В, КТ815В9 — 65 В
• КТ815Г, КТ815Г9 — 85 В

Маркировка транзисторов КТ815

Первоначально на транзисторы наносилась полная маркировка типа (например КТ815Г), месяц и год выпуска. В дальнейшем оставили только цифру и буквы, например для КТ815Г — 5Г.

Зарубежные прототипы

• КТ815Б — BD135
• КТ815В — BD137
• КТ815Г — BD139

Запись опубликована 23.03.2016 автором в рубрике Электроника для начинающих.

Транзистор КТ819, КТ315

DataSheet PDF Search Site

Новые списки

Номер детали	Функция	Производители	ПДФ
АПТМ50ДАМ35ТГ	Модуль питания МОП-транзистора с повышающим прерывателем	Микросеми
В1569	2SB1569	СавантИК
ИЛ3361Д	Светодиодный драйвер	Интеграл
ИЛ3361ДХ	Светодиодный драйвер	Интеграл
ИЛ7150	Драйвер светоизлучающего диода (LED)	ИК Полупроводник
ИЛ7150А	Драйвер светоизлучающего диода (LED)	ИК Полупроводник
ИЛ9910-А	УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ДРАЙВЕР СВЕТОДИОДОВ	ИК Полупроводник
ИЛ9910-Б	УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ДРАЙВЕР СВЕТОДИОДОВ	ИК Полупроводник
ИЛ9910-С	УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ДРАЙВЕР СВЕТОДИОДОВ	ИК Полупроводник
ИЛ9910А	УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ДРАЙВЕР СВЕТОДИОДОВ	ИК Полупроводник

kt815langen HTML ПРОСМОТР PDF СКАЧАТЬ

Название детали

Описание

MFG CO.

9

Не указано 2 3 4 5 6 7 8

ДИСКРЕТНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК

Транзисторы

• МОП-транзисторы малой мощности

Деталь

КП501А

КП501Б

КП501В

КП502А

КП503А

КП504А

КП504Б

КП504В

КП504Г

КП504Д

КП504Е

КП505А

КП505Б

КП505В

КП505Г

КП507А

КП508А

КП509А9

КП509Б9

КП509В9

КП510А9

КП511А

КП511Б

КП523А

КП523Б

КП214А9

Контакт к контакту P макс., Vgs макс.,

Совместимость Вт

В

ЗВН2120

0,5

±20

БСС124

1,0

±10

БСС129

1,0

±10

БСС88

1,0

±10

1,0

0,7

0,7

0,7

0,7

БСС295

1,0

±10

1,0

1,0

0,7

БСС315

1,0

±20

БСС92

1,0

±20

БСС131

0,36

±14

0,50

0,36

ИРМЛ2402

0,54

±12

ТН0535

ТН0540

0,75

±20

БСС297

1,0

±20

1,0

±14

2N7002LT1

0,2

±40

Вдс макс,

В

240

200

200

400

400

250

250

200

180

200

200

50

50

60

8

-50

-240

240

240

200

20

350

400

200

200

60

Vgs(выкл. ),

В

1,0…3,0

1,0…3,0

1,5…2,5

1,5…2,5

0,6…1,2

0,8…2,0

0,8…2,0

0,8…2,0

0,4…0,8

-0,8…-2,0

-0,8…-2,0

0,8…-2,0

0,6…-1,2

0,8…-2,0

0,7…-1,6

0,8…-2,0

0,8…2,0

0,8…2,0

1,0…2,5

Рдс(на),

Ом

10

10

15

28

28

8

8

8

10

8

8

0,3

0,3

0,3

1,2

0,8

20

16

8

16

0,25

22

2,0

4,0

7,5

Максимальный идентификатор,

А

10

0,12

0,12

0,32

1,4

-1,1

-0,15

0,1

0,25

0,1

1,2

0,14

0,48

0,34

0,115

г фс,

А/В

>0,1

0,1

0,1

0,14

0,5

0,5

0,5

0,06

0,14

0,06

1,3

0,125

0,5

0,5

0,08

• Силовые N-канальные МОП-транзисторы

Деталь

Контакт к контакту

Совместимость

КП723А

ИРФЗ44

КП723Б

ИРФЗ45

КП723В

ИРФЗ40

КП726А

БУЗ90А

КП726Б

БУЗ90

КП727А

БУЗ71

КП727Б

ИРФЗ34

КП728Г1,Г2 БУЗ80А

КП728С1,С2

КП728Е1,Е2

КП739А

ИРФЗ14

КП739Б

ИРФЗ10

КП739В

ИРФЗ15

КП740А

ИРФЗ24

КП740Б

ИРФЗ20

КП740В

ИРФЗ25

КП741А

ИРФЗ48

КП741Б

ИРФЗ46

КП742А

СТХ75Н06

КП742Б

СТХ80Н05

Вдс макс,

В

60

60

50

600

50

60

700

650

600

60

50

60

60

50

60

60

50

60

50

Рдс (вкл.