Где купить

Усовершенствованная технология обработки Сверхнизкое сопротивление во включенном состоянии Двойной N- и P-канальный MOSFET для поверхностного монтажа Доступен на ленте и катушке Динамический рейтинг dv/dt Быстрое переключение Описание

четвертого поколения компании International Rectifier используются передовые технологии обработки для достижения минимально возможного сопротивления в открытом состоянии на единицу площади кремния.

N-Channel ID 70C IDM = 25C ​​VGS dv/dt TJ, TSTG Непрерывный ток стока, при 10 В Непрерывный ток стока, при 10 В Импульсный ток стока Рассеиваемая мощность Линейный коэффициент снижения характеристик Пиковое напряжение затвор-исток Восстановление диода Соединение dv/dt и Диапазон температур хранения 150–3,0

При монтаже на 1-дюймовую квадратную печатную плату или материал G-10).

Параметр V(BR)DSS Напряжение пробоя сток-исток N-Ch P-Ch N-Ch P-Ch N-Ch RDS(ON) Статическое сопротивление сток-исток On P-Ch VGS(th) gfs Пороговое напряжение затвора Прямая крутизна N-Ch P-Ch N-Ch P-Ch N-Ch P-Ch N-Ch P-Ch N-P N-Ch P-Ch N-Ch P-Ch N-Ch P-Ch N- Ч П-Ч Н-Ч П-Ч Н-Ч П-Ч Н-Ч П-Ч Н-П Н-Ч П-Ч Н-Ч П-Ч Н-Ч П-Ч Мин. тип. Макс. Единицы В В/С

Ток утечки сток-исток Прямой ток утечки от затвора к истоку Общий заряд затвора Заряд от затвора к истоку Заряд от затвора к стоку («Миллер») Время задержки включения Время нарастания Время задержки выключения Время спада Внутреннее Индуктивность стока Индуктивность внутреннего источника Входная емкость Coss Выходная емкость

Условия VGS = 250 А VGS = -250 А Опорный сигнал = 1 мА Опорный сигнал = -1 мА VGS = 1,0 А VGS = 0,50 А VGS = -1,0 А VGS = -0,50 А VDS = VGS, = 250 А VDS = VGS, = -250 А VDS = 3,0 A VDS = -3,0 A VDS = 16 В, VGS = 0 В VDS = -16 В, VGS = 0 В VDS = 16 В, VGS = 125C VDS = -16 В, VGS = 125C VGS 20 В N-канал = 10 В

нКл P-канал = -10 В N-канал VDD 20 нс P-канал VDD 20 нГн Между кончиком свинца и центром контакта кристалла N-канал VGS 1,0 МГц пФ P-канал VGS = 1,0 МГц

Параметр IS ISM VSD trr Qrr ton Непрерывный ток источника (корпусной диод) Импульсный ток источника (корпусной диод) Диод Прямое напряжение Обратное время восстановления Обратное восстановление заряда Прямое время включения N-Ch P-Ch N-Ch P-Ch N- Ч П-Ч Н-Ч П-Ч Н-Ч П-Ч Н-П Мин.

N-канальный ISD 2.3A, di/dt V DD V(BR)DSS, J 150C P-канальный ISD-2.3A, di/dt V DD V(BR)DSS, J 150C Ширина импульса 300 с; рабочий цикл 2%.

1N3673A: 700 В, 12 А, станд.

IR2166: Регулятор балласта PFC в 16-контактном корпусе погружения

SD4000C34R : 3000 В 4450 А станд. Восстановительный диод в корпусе Б-44 (Р-Пук)

ST700C22L0L : Тиристор управления фазой

20CTQ150-1PBF : Выпрямитель Шоттки

MBRB2090CTTRRP : Выпрямитель Шоттки 20 А

IRF3415-010PBF: 37000 мА, 150 В, N-КАНАЛ, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛ, МОП-транзистор, TO-220AB Технические характеристики: Полярность: N-канал; MOSFET Режим работы: Улучшение; V(BR)DSS: 150 вольт; RDS(вкл.): 0,0420 Ом; Количество единиц в ИС: 1

IRKE235-12NPBF : 230 А, 400 В, КРЕМНИЕВЫЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД Технические характеристики: Конфигурация: Одинарный; Пакет: POWER, INT-A-PAK-2 ; Количество выводов: 2; Количество диодов: 1 ; ЕСЛИ: 230000 мА; ВРРМ: 400 вольт

IRKKF180-06DJS20: 282,6 А, 200 В, SCR Технические характеристики: Тип тиристора: SCR; Количество выводов: 5; ВДРМ: 200 вольт; ВРРМ: 200 вольт; ИТ (RMS): 283 ампер

IRL2203-012PBF : 92 А, 30 В, 0,01 Ом, N-КАНАЛ, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB Технические характеристики: Полярность: N-канал; MOSFET Режим работы: Улучшение; V(BR)DSS: 30 вольт; RDS(вкл. ): 0,0100 Ом; Количество единиц в ИС: 1

GR3281 : статическое ОЗУ. Энергонезависимая статическая память CMOS размером 32768 слов на 8 бит x 8), изготовленная с использованием передовой технологии CMOS с кремниевым затвором и высоконадежного литиевого элемента питания. Распиновка GR3281 соответствует стандартам JEDEC и полностью совместима с обычными статическая RAM. Цепь отключения питания полностью автоматическая и рассчитана на 4,5 вольта. В этот момент.

LC587004 : 140-сегментный ЖК-дисплей (35 строк, 1/4 загрузки), встроенный синтезатор несущей с дистанционным управлением, упаковка : чип.

IRFR110PBF : Силовой МОП-транзистор. VDS (В) RDS(on) Qg (макс.) (nC) Qgs (nC) Qgd (nC) Конфигурация VGS 2.3 3.8 Одиночный динамический номинал dV/dt Повторяющийся лавинный номинал для поверхностного монтажа (IRFR110/SiHFR110) Прямой кабель (IRFU110/SiHFU110) ) Доступны в ленточном и катушечном исполнении. Быстрое переключение. Простота параллельного соединения. Отсутствие свинца. Доступные силовые МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay.

S30D40D : Выпрямители с барьером Шоттки (30a, 30-60v).

RM17TG20 : РЕЛЕ, УПРАВЛЕНИЕ ФАЗОЙ, 208-440 В переменного тока, 2 перекидных контакта. s: Конфигурация контактов: — ; Тип фазы: Трехфазный; Потребляемая мощность: 1,8 ВА; Максимальное напряжение питания: 440 В переменного тока; Макс. потребляемый ток: — ; Максимальное напряжение переключения: 250 В; Диапазон времени работы: — ; Монтаж реле: DIN-рейка; Серия: Зелио.

F931E335KAA : Танталовый конденсатор 3,3F 1206 (метрическая система 3216) 25 В; CAP TANT 3. 3UF 25V 10% 1206. s: Емкость: 3.3F; Напряжение — Номинальное: 25 В; Допуск: 10%; : Общее назначение ; Рабочая температура: -55C ~ 125C; Расстояние между выводами: — ; ESR (эквивалентное последовательное сопротивление): 6000 Ом; Срок службы при темп.: — ; Тип монтажа: поверхностный монтаж; Тип: Литой; Пакет/кейс:.

87438-0333 : Поверхностный монтаж с оловянными выводами, прямоугольный прямоугольный — разъемы, штекерные разъемы, межблочный разъем, с кожухом; СОЕДИНИТЕЛЬНАЯ ГОЛОВКА 3POS 1,5MM R/A SMD. s: Цвет: Бежевый; Тип разъема: Заголовок, Закрытый; Контактная отделка: олово-свинец; Длина сопряжения контактов: 0,106 дюйма (2,70 мм) ; : — ; Тип монтажа: поверхностный монтаж, под прямым углом ; количество загруженных позиций: все ; номер.

1759460000 : Свободно висящие (линейные) клеммные колодки — разъемы, вилки и розетки, межблочные вилки, розетки; СОЕДИНЕНИЕ ПЛАТА BLIDC 5.08 9ПОС БК. s: Тип клеммной колодки: Вилка, гнездовые розетки; Позиций на уровень: 9 ; Шаг: 0,200″ (5,08 мм); Количество уровней: 1; Ориентация разъема: -; Штекерный ввод: 180; Заделка: IDC; Калибр провода: 20-22 AWG; Ток:

04450001N : Зажим защиты цепи держателя предохранителя 10A 250V; ЗАЖИМ ПРЕДОХРАНИТЕЛЯ-ЖЕСТЬ 5. s: Тип: Зажим ; Размер предохранителя: диаметр 5 мм; Тип монтажа: печатная плата, горизонтальный; Материал: пружинная латунь, оловянная отделка; Тип прекращения: Штырь ПК; Количество цепей: 1 ; Напряжение: 250 В; Текущий рейтинг: 10А; Статус без свинца: без свинца; Статус RoHS: соответствует требованиям RoHS.

1-1879683-5 : 150 Ом, 0,25 Вт, 1/4 Вт, сквозные резисторы; RES 150 OHM 1/4W 0.1% AXIAL. s: Сопротивление (Ом): 150 Ом; Мощность (Ватт): 0,25 Вт, 1/4 Вт; Допуск: 0,1%; Упаковка: навалом; Состав: Металлическая пленка; Температурный коэффициент: 50ppm/C; Статус без свинца: без свинца; Статус RoHS: соответствует требованиям RoHS.

602SJR00500 : 0,005 Ом 0,25 Вт, 1/4 Вт Чип-резистор — поверхностный монтаж; ДАТЧИК ТОКА RES 0,005 Ом 0,25 Вт 5%. с: Сопротивление (Ом): 0,005 Ом; Мощность (Ватт): 0,25 Вт, 1/4 Вт; Допуск: 5%; Упаковка: навалом; Состав: Металлический элемент; Температурный коэффициент: 100ppm/C; Статус без содержания свинца: содержит свинец; Статус RoHS: не соответствует требованиям RoHS.

28

: Разное Неопределенная категория; ЭЛЕКТРОННЫЙ КОРПУС. s: Без свинца Статус: Без свинца ; Статус RoHS: соответствует требованиям RoHS.

TMP86C949XB(ES) : дополнительные программаторы, система разработки; ЭМУЛЯЦИОННЫЙ ЧИП RTE870/C MODEL15. s: Тип аксессуара: Адаптер ; для использования с/связанными продуктами: RTE870/C MODEL15; Статус без свинца: без свинца; Статус RoHS: соответствует требованиям RoHS.

V480LS40AP : ТВ — варисторы, защита цепи Mov 4,5 кА 825 В; VARISTR 480V 105J 14MM STRGHT LA. s: Максимальное напряжение переменного тока: 480 В переменного тока; Максимальное напряжение постоянного тока: 640 В постоянного тока; Скачок тока: 4,5 кА; Упаковка/Чехол: Диск 14мм; Варистор Напряжение: 825 В; Энергия: 105 Дж; Количество цепей: 1 ; Статус без свинца: без свинца; Статус RoHS: соответствует требованиям RoHS.

ZXTP4003ZTA : Транзистор (bjt) — один дискретный полупроводниковый продукт 1A 100V 1. 5W PNP; ТРАНС ПНП 100В 1А К-243АА. s: Тип транзистора: PNP; Напряжение — пробой коллектор-эмиттер (макс.): 100 В; Ток — коллектор (Ic) (макс.): 1A; Мощность — макс.: 1,5 Вт; Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce: 100 при 150 мА, 200 мВ; Насыщенность Vce (макс.) @ Ib, Ic: — ; Частота — Переход:.

EML4T2R : 500 мА, 12 В, PNP, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР. s: Полярность: PNP; Тип упаковки: EMT5, 5 PIN.

NX5310EH : ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКИЙ ЛАЗЕРНЫЙ ДИОДНЫЙ ИЗЛУЧАТЕЛЬ, 1290–1330 нм, 1250 Мбит/с, КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНЫМ ОТВЕРСТИЕМ. s: Тип лазера: Лазерные диоды; Диапазон длин волн: от 1290 до 1330 нм (от 12900 до 13300 Å); Рабочий ток: 20 мА; Рабочая температура: от -40 до 85 C (от -40 до 185 F).

LTC4150 : Кулоновский счетчик/батарейный газовый манометр. LTC4150 измеряет разрядку и зарядку аккумуляторов в портативных ПК и портативных устройствах. Устройство контролирует ток через внешний чувствительный резистор между положительной клеммой батареи и нагрузкой или зарядным устройством батареи. Преобразователь напряжения в частоту преобразует текущее измерительное напряжение в последовательную форму.

1999 — 4514 л.

Резюме: программное обеспечение mitsubishi серии 740 «7790» ассемблер Mitsubishi серии 740 S1912 8-контактный SMD ic 4570 4570 8-контактный ic 4500 микрокомпьютер M16C/80 техпаспорт 8-контактный ic 4570
Текст: Нет доступного текста файла

У18042ЭЭ1В2АН00

Аннотация: Руководство пользователя отладчика Green Hills U18005EE1V2AN00 NEC V850 ES V850EEPROM
Текст: Нет доступного текста файла

2010 — S-PQFP-N32

Аннотация: UCD9081 SLVA275 0x60-0x6F 20E060
Текст: Нет доступного текста файла

V850E2 Флэш-память данных

Резюме: v850e2 70F3537 U19003EE2V0UM00 Микроконтроллер XML V850E1 eeelib C КОД ДЛЯ V850E2 e026 PG-FP5 Программатор флэш-памяти
Текст: Нет доступного текста файла

1990 — 1770-кф2

Резюме: Распиновка кабеля DF1.

alexxlab