Стабилитрон Д815Ж
Количество драгоценных металлов в стабилитроне Д815Ж согласно документации производителя. Справочник массы и наименований ценных металлов в советских стабилитронах Д815Ж.
Стабилитрон Д815Ж количество содержания драгоценных металлов:
Золото: 0,0004 грамм.
Серебро: 0 грамм.
Платина: 0 грамм.
Палладий: 0 грамм.
Согласно данным: .
Справочник содержания ценных металлов из другого источника:
Стабилитрон Д815Ж 0,0004 0 0 0 троп. Стабилитрон Д815Ж 0,0004 0 0 0 эксп.
Стабилитроны Д815Ж теория
Полупроводниковый стабилитрон, или диод Зенера — полупроводниковый диод, работающий при обратном смещении в режиме пробоя. До наступления пробоя через стабилитрон протекают незначительные токи утечки, а его сопротивление весьма высоко. При наступлении пробоя ток через стабилитрон резко возрастает, а его дифференциальное сопротивление падает до величины, составляющей для различных приборов от долей Ома до сотен Ом.
Прежде всего, не следует забывать, что стабилитрон работает только в цепях постоянного тока. Напряжение на стабилитрон подают в обратной полярности, то есть на анод стабилитрона будет подан минус “-“. При таком включении стабилитрона через него протекает обратный ток (I обр) от выпрямителя. Напряжение с выхода выпрямителя может изменяться, будет изменяться и обратный ток, а напряжение на стабилитроне и на нагрузке останется неизменным, то есть стабильным. На следующем рисунке показана вольт-амперная характеристика стабилитрона.
Основное назначение стабилитронов — стабилизация напряжения. Серийные стабилитроны изготавливаются на напряжения от 1,8 В до 400 В. Интегральные стабилитроны со скрытой структурой на напряжение около 7 В являются самыми точными и стабильными твердотельными источниками опорного напряжения: лучшие их образцы приближаются по совокупности показателей к нормальному элементу Вестона.
Стабилитроны Д815Ж Принцип действия
Советские и импортные стабилитроны
Полупроводниковый стабилитрон — это диод, предназначенный для работы в режиме пробоя на обратной ветви вольт-амперной характеристики. В диоде, к которому приложено обратное, или запирающее, напряжение, возможны три механизма пробоя: туннельный пробой, лавинный пробой и пробой вследствие тепловой неустойчивости — разрушительного саморазогрева токами утечки. Тепловой пробой наблюдается в выпрямительных диодах, особенно германиевых, а для кремниевых стабилитронов он не критичен. Стабилитроны проектируются и изготавливаются таким образом, что либо туннельный, либо лавинный пробой, либо оба эти явления вместе возникают задолго до того, как в кристалле диода возникнут предпосылки к тепловому пробою. Серийные стабилитроны изготавливаются из кремния, известны также перспективные разработки стабилитронов из карбида кремния и арсенида галлия.
Первую модель электрического пробоя предложил в 1933 году Кларенс Зенер, в то время работавший в Бристольском университете. Его «Теория электического пробоя в твёрдых диэлектриках» была опубликована летом 1934 года. В 1954 году Кеннет Маккей из Bell Labs установил, что предложеный Зенером туннельный механизм действует только при напряжениях пробоя до примерно 5,5 В, а при бо́льших напряжениях преобладает лавинный механизм. Напряжение пробоя стабилитрона определяется концентрациями акцепторов и доноров и профилем легирования области p-n-перехода. Чем выше концентрации примесей и чем больше их градиент в переходе, тем больше напряжённость электрического поля в области пространственного заряда при равном обратном напряжении, и тем меньше обратное напряжение, при котором возникает пробой:
Туннельный, или зенеровский, пробой возникает в полупроводнике только тогда, когда напряжённость электрического поля в p-n-переходе достигает уровня в 106 В/см. Такие уровни напряжённости возможны только в высоколегированных диодах (структурах p+-n+-типа проводимости) с напряжением пробоя не более шестикратной ширины запрещённой зоны (6 EG ≈ 6,7 В), при этом в диапазоне от 4 EG до 6 EG (4,5…6,7 В) туннельный пробой сосуществует с лавинным, а при напряжении пробоя менее 4 EG (≈4,5 В) полностью вытесняет его.
В диодах с меньшими уровнями легирования, или меньшими градиентами легирующих примесей, и, как следствие, бо́льшими напряжениями пробоя наблюдается лавинный механизм пробоя. Он возникает при концентрациях примесей, примерно соответствующих напряжению пробоя в 4 EG (≈4,5 В), а при напряжениях пробоя выше 4 EG (≈7,2 В) полностью вытесняет туннельный механизм. Напряжение, при котором возникает лавинный пробой, с ростом температуры возрастает, а наибольшая величина ТКН пробоя наблюдается в низколегированных, относительно высоковольтных, переходах.
Механизм пробоя конкретного образца можно определить грубо — по напряжению стабилизации, и точно — по знаку его температурного коэффициента. В «серой зоне» (см. рисунок), в которой конкурируют оба механизма пробоя, ТКН может быть определён только опытным путём.
Оптимальная совокупность характеристик стабилитрона достигается в середине «серой зоны», при напряжении стабилизации около 6 В. Дело не столько в том, что благодаря взаимной компенсации ТКН туннельного и лавинного механизмов эти стабилитроны относительно термостабильны, а в том, что они имеют наименьший технологический разброс напряжения стабилизации и наименьшее, при прочих равных условиях, дифференциальное сопротивление. Наихудшая совокупность характеристик — высокий уровень шума, большой разброс напряжений стабилизации, высокое дифференциальное сопротивление — свойственна низковольтным стабилитронам на 3,3—4,7 В.
Область применения стабилитрона Д815Ж
Основная область применения стабилитрона — стабилизация постоянного напряжения источников питания. В простейшей схеме линейного параметрического стабилизатора стабилитрон выступает одновременно и источником опорного напряжения, и силовым регулирующим элементом. В более сложных схемах стабилитрону отводится только функция источника опорного напряжения, а регулирующим элементом служит внешний силовой транзистор.
Прецизионные термокомпенсированные стабилитроны и стабилитроны со скрытой структурой широко применяются в качестве дискретных и интегральных источников опорного напряжения (ИОН), в том числе в наиболее требовательных к стабильности напряжения схемах измерительных аналого-цифровых преобразователей. C середины 1970-х годов и по сей день (2012 год) стабилитроны со скрытой структурой являются наиболее точными и стабильными твердотельными ИОН. Точностные показатели лабораторных эталонов напряжения на специально отобранных интегральных стабилитронах приближаются к показателям нормального элемента Вестона.
Особые импульсные лавинные стабилитроны («подавители переходных импульсных помех», «суппрессоры», «TVS-диоды») применяются для защиты электроаппаратуры от перенапряжений, вызываемых разрядами молний и статического электричества, а также от выбросов напряжения на индуктивных нагрузках. Такие приборы номинальной мощностью 1 Вт выдерживают импульсы тока в десятки и сотни ампер намного лучше, чем «обычные» пятидесятиваттные силовые стабилитроны. Для защиты входов электроизмерительных приборов и затворов полевых транзисторов используются обычные маломощные стабилитроны. В современных «умных» МДП-транзисторах защитные стабилитроны выполняются на одном кристалле с силовым транзистором.
Маркировка стабилитронов Д815Ж
Маркировка стабилитронов
Есть информация о стабилитроне Д815Ж – высылайте ее нам, мы ее разместим на этом сайте посвященному утилизации, аффинажу и переработке драгоценных и ценных металлов.
Фото Стабилитрон Д815Ж:
Предназначение Стабилитрон Д815Ж.
Характеристики Стабилитрон Д815Ж:
Купить или продать а также цены на Стабилитрон Д815Ж (стоимость, купить, продать):
Отзыв о стабилитроне Д815Ж вы можете в комментариях ниже:
- Стабилитроны
Стабилитроны Д815Ж | Festima.Ru — Мониторинг объявлений
Pазныe рaдиодетали из личных запасoв. Сoветскoгo и импоpтного пpoизвoдcтвa. Hовые и б/у аккуpатно демoнтиpовaнныe. Kaждая из дeтaлей в нaличии в нeбoльшoм количеcтвe 1-3 шт. Mикpocхeмы: 8581CP, 93LС66A, A81DC, AN78М05, АS2525A, AS2591А, DP804С, EZ1084CТ-3.3, HCF4066BЕ, НS20-01D5 (DС-DС CONVЕRТER), KА2142, КIA7805A, КS0063В, КS0076В02, L7805СV, L7805UС, L7809СV, L7812СV, L7815СV, L7817СV, L7905СV, L7912СV, LА4285, LА7840, LF347N, LМ2466ТА, LМ2480NА, LМ324N, М38123М4-053SР, М57704Н, МСА640, МСА650, МDА3505, МL2035СР, NТ68F63U, РIС16F72-I/SР, РQО5RF11, РSТ529D, SЕ140N, SТ24С04WР, SТR11006, SТRG6653, SТRS6307, ТDА2003, ТDА4605, ТDА7297, ТDА7496, ТDА8174А, ТNY178РN, ТОР243Y, UС3842В, 140УД12, 140УД1А, 140УД1Б, 155ЛИ1, 170ЛА1, К155ЛА3, К157ДА1, К174АФ4А, К174УН14, К174УН4А, К174УН9, К176ИД1, К224ХП1, К548УН1А, К555ЛА10, К561ЛА7, КМ155ЛА3, КР140УД1Б, КР1533ТР2, КР188РУ2А, КР198НТ1Б, КРЕН1Б. Транзисторы: 20N60С3, 2SВ647С, 2SС1815Y, 2SС2482, 2SС2688, 2SС4217, 2SС4370А, 2SС4544, 2SD1468S, 2SD1555, 2SD1556, 2SD2089, 2SD2396, 2SD2499, 2SJ6916, 2SК2611, 2SК2761, ВU508DF, D2058Y, D4204D, НLD133D, IRF630В, IRF634В, IRF640А, IRF840А, IRFР450, IRFР9530, IRFR210, IRFUС20, IRL2203N, МJЕ13003, РНХ7NQ60Е, SТ13003ВR, SТ2009DНI, SТР3NА60FI, ВС107А, 1Т308В, 1Т403Г, ГТ115В, ГТ308Б, ГТ309В, ГТ322А, ГТ322Б, ГТ322В, ГТ402Е, ГТ402Ж, ГТ403А, ГТ403Б, ГТ701А, КП103К, КП103М, КП301Б, КП303В, КП303Ж, КП707В2, 2Т203Г, 2Т312Б, 2Т312В, 2Т316Б, 2Т602А, 2Т602Б, 2Т704А, 2Т803А, 2Т803АОС, 2Т819А, 2Т825А, 2Т828А, 2Т830Б, 2Т831Б, 2Т903Б, 2Т926А, КТ117А, КТ201Б, КТ203А, КТ203Г, КТ209Л, КТ3102Б, КТ3102Д, КТ3102Е, КТ312А, КТ313Б, КТ315Б, КТ315Г, КТ316Б, КТ361Б, КТ361Г, КТ601А, КТ602Б, КТ602БМ, КТ603А, КТ603Б, КТ608Б, КТ646Б, КТ801Б, КТ803А, КТ805АМ, КТ805ИМ, КТ808А, КТ808БМ, КТ809А, КТ8101Б, КТ8102А, КТ812А, КТ814Б, КТ814Г, КТ815Б, КТ815В, КТ815Г, КТ816А, КТ817А, КТ817Г, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г, КТ819А, КТ819Б, КТ819Г, КТ829А, КТ835Б, КТ837В, КТ837У, КТ840А, КТ846В, КТ850А, КТ851А, КТ872А, КТ903Б, КТ908Б, КТ940А, КТ961Б, КТ972А, КТ972Б, КТ972Г, П210А, П213А, П213Б, П214А, П217Б, П217В, П307В, П605, П605А, П701А, ТК235-32-05-1. Тиристоры, симисторы: АС03Е, АС05D, ТF361М, КН102А, КН102Б, КУ101А, КУ101Б, КУ201Г, КУ201Д, КУ201К, КУ202И, КУ202Н, КУ208А, КУ208Г, Т112-10-6-4, Т122-25-6-4. Диоды, мосты, стабилитроны: 1N5392, 1N5400, 1N5406, 31DF4, ВYМ36С, ВYW36, D2SВА60, DТV1500НFР, ЕR1002F, ЕR1002FСТ, ЕSАD92-02, FСF10А40, FМРG12S, GВU406, GВU606, GРJ15М, GUR460, НВR16200, ISL9R860Р2, КВР205G, КВU8К, МВR3045SТG, RНRР1560, RU3YХ, S1WВS60, S30SС4М, SВ520, SВ540, SR504, SТРR1020СF, SТРS1545СТ, SТРS2045СТ, SТРS20Н100СТ, SТРS3045СТ, SТРS40Н100СW, SТТН806DТI, ТS20Р06G, UG2D, 2Д202М, 2Д202Р, 2Д504А, Д223Б, Д226Б, Д242А, Д242Б, Д808, Д810, Д813, Д814А, Д814АПП, Д814Б, Д814В, Д814Г, Д814Д, Д815А, Д815Г, Д815Д, Д816А, Д816Б, Д816В, Д817Б, Д817В, Д818Г, Д818Е, КД202А, КД202Р, КД213А, 2С107А, КС119А, КС133А, КС139А, КС156А, КС162А, КС168А, КС168В, КС175А, КС182А, КС213Б, КС468А, КС482А, КС515А, КС527А. ИК-приёмники: ТSОР1238, ТSОР1738, VS1838, GР1U5. Реле: G5РА-1 12VDС, ТV-5 835-1А-В-С 12VDС, РПС20 РС4.521.754, РЭС6 РФ0.452.133, РЭС9 РС4. 529.029-0001, РЭС22 РФ4.523.023-0401, РЭС22 РФ4500131, РЭС42 РС4.569.151, РЭС49 4640986, РЭС60 РС4.569.435-0001, МКУ48С-12В РА4.501.089. Резисторы, конденсаторы, переключатели и другие детали, в список не помещается. Пересылка по РФ отсутствует.
Аудио и видео техника
D815G — Диоды | Российская электронная компания
Главная / Товары / Диоды / Д815Г
Стабиливольты Д815Г кремниевые, диффузионно-легированные, средней мощности, предназначены для регулирования напряжения.
Стабиливольты выпускаются в стеклометаллическом корпусе с жесткими выводами. На корпусе маркируется тип стабилитрона
.
Корпус стабилитрона в рабочем режиме — отрицательный электрод (катод).
Масса стабилитрона с комплектующими – не более 6 г.
Основные технические параметры Стабиливольтов Д815Г:
• Разброс напряжения регулирования: 5. ..6,2 В при Iст 1 А;
• Температурный коэффициент регулирования напряжения: 0,045 %/°С;
• Повторяемость напряжения регулирования: ± 4 %;
• Постоянное постоянное напряжение: 1,5 В при Id 500 мА;
• Дифференциальное сопротивление стабилитронов: 0,6 Ом;
• Минимальный номинальный ток стабилизации: 50 мА;
• Максимальный номинальный ток стабилизации: 1,4 А;
• Максимальная номинальная рассеиваемая мощность на стабилитроне: 8 Вт;
• Рабочий интервал температуры окружающей среды: -60 … +125 ° С
Технические характеристики стабиливолтов D815A, D815B, D815V, D815G, D815D, D815, D815ZH:
777ZH:
|