Site Loader

Транзисторы типа: КТ814А, КТ814Б, КТ814В, КТ814Г

Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные p-n-p универсальные низкочастотные мощные: КТ814А, КТ814Б, КТ814В, КТ814Г. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Масса транзистора не более 1 грамма.

Чертёж транзистора КТ814А, КТ814Б, КТ814В, КТ814Г

Электрические параметры.

Граничное напряжение при IЭ=50 мА, τи≤300 мкс, Q≥100, не менее
КТ814А 25 В
КТ814Б 40 В
КТ814В 60 В
КТ814Г 80 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при IК=0,5 А, IБ=0,05 А, не более 0,6 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=0,5 А, IБ=0,05 А, не более 1,2 В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКБ=2 В, IЭ=0,15 А, не менее
КТ814А, КТ814Б, КТ814В 40
КТ814Г 30
Граничная частота коэффициента передачи тока при UКЭ=5 В, IЭ=0,03 А, не менее 3 МГц
Ёмкость коллекторного перехода при UКЭ=5 В, ƒ=465 кГц, не более 60 пФ
Ёмкость эмиттерного перехода при UЭБ=0,5 В, ƒ=465 кГц, не более 75 пФ
Обратный ток коллектора при UКБ=40 В, не более
при Тк≤298 К 50 мкА
при Тк=373 К 1000 мкА

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБЭ≤100 Ом
КТ814А 40 В
КТ814Б 50 В
КТ814В 70 В
КТ814Г 100 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при IБ=0
КТ814А 25 В
КТ814Б 40 В
КТ814В 60 В
КТ814Г 80 В
Постоянное напряжение база-эмиттер 5 В
Постоянный ток коллектора 1,5 А
Импульсный ток коллектора при τи≤10 мс, Q≥100 3 А
Постоянный ток базы 0,5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом при Тк≤298 К 10 Вт
без теплоотвода при Т=233-298 К 1 Вт
Температура перехода 24,85°С
Температура окружающей среды От -40,15 до Тк=99,85°С

Примечания: 1. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода при Т=298÷373 К снижается линейно на 0,01 Вт через 1 К и с теплоотводом при Т

к=298-373 К на 0,1 Вт через 1 К.

2. Пайку выводов разрешается производить на расстоянии не менее 5 мм от корпуса. При пайке жало паяльника должно быть заземлено.

Изгиб выводов допускается на расстоянии не менее 5 мм от корпуса транзистора с радиусом закругления 1,5-2 мм, при этом должны приниматься меры, исключающие возможность передачи усилий на корпус. Изгиб в плоскости выводов не допускается.

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора.

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора и зависимость максимально допустимой постоянной рассеиваемой мощности коллектора от температуры корпуса

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора и зависимость максимально допустимой постоянной рассеиваемой мощности коллектора от температуры корпуса.


Параметры, характеристики транзистора КТ814, аналоги, цоколевка

Параметры, характеристики транзистора КТ814, аналоги, цоколевка 

| Зарядные устройства | Металлоискатели | Основы электроники | Справка по электронным компонентам | Строительство | Прочее |

КТ814 – биполярные транзисторы p-n-p большой мощности (Pк max > 1,5 Вт) низкой частоты (Fгр ≤ 3 МГц). Применяются в линейных и ключевых схемах, узлах и блоках радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.

  • Прототип КТ814 Б — BD136
  • Прототип КТ814 В — BD138
  • Прототип КТ814 Г — BD140
  • Максимально допустимая температура корпуса — 100 °C
  • Комплиментарная пара – КТ815
  • пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126)

№1 — Эмиттер

№2 — Коллектор

№3 — База

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IK max):

  • КТ814А, Б, В, Г —
    1,5 А

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (IK, и max):

  • КТ814А, Б, В, Г — 3 А

Граничное напряжение (UKЭ0 гр):

  • КТ814А — 25 В
  • КТ814Б — 40 В
  • КТ814В — 60 В
  • КТ814Г — 80 В

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (UЭБ0 max):

  • КТ814А, Б, В, Г — 5 В

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектоpа (PK max) при температуре корпуса 25° C:

  • КТ814А, Б, В, Г — 10 Вт

Максимально допустимая температура перехода (Тп max):

  • КТ814А, Б, В, Г — 125° C

Статический коэффициент передачи тока (h21Э) при постоянном напряжении коллектор-база (UКБ) 2 В, при постоянном токе эмиттера (IЭ) 0,15 А:

  • КТ814А, Б, В — 40
  • КТ814Г — 30

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (UКЭ нас)

  • КТ814А, Б, В, Г — 0,6 В

Обратный ток коллектоpа (IКБО)

  • КТ814А, Б, В, Г — 0,05 мА

Граничная частота коэффициента передачи тока (fгр)

  • КТ814А, Б, В, Г — 3 МГц

Емкость коллектоpного перехода (CК)

  • КТ814А, Б, В, Г — 60 пф

Емкость эмиттеpного перехода (CЭ)

  • КТ814А, Б, В, Г — 75 пф

Тепловое сопротивление переход-корпус (RТп-к)

  • КТ814А, Б, В, Г — 10° С/Вт

| Микросхемы | Транзисторы | Диоды | Тиристоры |

DataSheet PDF Search Site




Вы устали рыскать по Интернету в поисках нужных вам спецификаций? Не ищите ничего, кроме Datasheet39. com, основного источника таблиц данных. С обширной коллекцией спецификаций для электронных компонентов, от транзисторов до микроконтроллеров, Datasheet39В домене .com есть все, что вам нужно для завершения ваших электронных проектов.

Новые списки

Номер детали Функция Производители ПДФ
2N7588T3 РАДИАЦИОННО-УСТОЙЧЕННЫЙ МОЩНЫЙ МОП-транзистор
Международный выпрямитель
2N7590T3 РАДИАЦИОННО-УСТОЙЧЕННЫЙ МОЩНЫЙ МОП-транзистор
Международный выпрямитель
2N7592T3 РАДИАЦИОННО-УСТОЙЧЕННЫЙ МОЩНЫЙ МОП-транзистор
Международный выпрямитель
2N7594T3 РАДИАЦИОННО-УСТОЙЧЕННЫЙ МОЩНЫЙ МОП-транзистор
Международный выпрямитель
2N7599T3 РАДИАЦИОННО-УСТОЙЧЕННЫЙ МОЩНЫЙ МОП-транзистор
Международный выпрямитель
2SB1465 PNP КРЕМНИЕВЫЙ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР
Ренесас
2SK613 Кремниевый N-канальный переходной полевой транзистор
Сони
3521 ШИМ-КОНТРОЛЛЕР
Юнисоник Текнолоджиз
51494 монолитная биполярная интегральная схема
Юнисоник Текнолоджиз
7130-1 LDO малой мощности 30 мА
Холтек



Лист данных PDF Search Site




Вы устали рыскать по Интернету в поисках нужных вам спецификаций? Не ищите ничего, кроме Datasheet39.

alexxlab

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *