Site Loader

Фоторезист | это… Что такое Фоторезист?

Фоторезист (от фото и англ. resist) — полимерный светочувствительный материал. Наносится на обрабатываемый материал в процессе фотолитографии или фотогравировки с целью получить соответствующее фотошаблону расположение окон для доступа травящих или иных веществ к поверхности обрабатываемого материала.

Экспонирование производится в ультрафиолетовом диапазоне спектра (фотолитография), электронным лучом (электронно-лучевая литография) или мягким рентгеновским излучением (рентгеновская литография). Воздействие либо разрушает полимер (позитивный фоторезист), или, наоборот, вызывает его полимеризацию и понижает его растворимость в специальном растворителе (негативный фоторезист). При последующей обработке происходит травление в «окнах», образованных засвеченными (позитивный фоторезист) или незасвеченными (негативный фоторезист) участками полимера.

Разрешающая способность фоторезиста определяется как максимальное количество минимальных элементов на единице длины (1мм). R=L/2l, где L — длина участка, мм; l — ширина элемента, мм. Разрешающая способность позитивного фоторезиста считается более высокой, что определило его более широкое использование.

Различают два основных типа фоторезистов, используемых при производстве печатных плат: Сухой пленочный фоторезист (СПФ) и аэрозольный «POSITIV». СПФ получил более широкое распространение в производстве, так как обеспечивает равномерный слой. Представляет собой 3-х слойный «бутерброд» — два слоя защитной пленки, между ними — слой фоторезиста. К обрабатываемому материалу приклеивается при помощи ламинатора. Одним из крупнейших производителей СПФ является компания DuPont (США). Выпуская СПФ под торговым названием Riston, в рулонах по 152 м.

Типичные фоторезисты

В качестве фоторезистов, чувствительных к видимому свету часто применяются:

  • Позитивные — сульфо-эфиры ортонафтохинондиазида в качестве светочувствительного вещества и новолачные, феноло- или крезолоформальдегидные смолы в качестве пленкообразователя.
  • Негативные — циклоолефиновые каучуки, использующие в качестве сшивающих агентов диазиды; слои поливинилового спирта с солями хромовых кислот или эфирами коричной кислоты; поливинилциннамат.

Для работы с дальним ультрафиолетом применяются:

  • Позитивные — сенсибилизированные полиметакрилаты и арилсульфоэфиры, использующие фенольные смолы
  • Негативные — галогенированные полистиролы, диазиды с феноло-формальдегидными смолами

Также используются фоторезисты с химическим усилением скрытого изображения, состоящие из светочувствительных ониевых солей и эфиров нафтоловых резольных смол, в которых происходят химические реакции под действием солей.

Для регистрации электронных, рентгеновских и ионных потоков используются:

  • Позитивные — производные полиметакрилатов, полиалкиленкетонов и др.
  • Негативные — полимеры производных метакрилата, бутадиена и др.

Литература

  • Фотолитография и оптика, М. Берлин, 1974; Мазель Е. З., Пресс Ф. П., Планарная технология кремниевых приборов, М., 1974
  • У. Моро. Микролитография. В 2-х ч. М., Мир, 1990.
  • БСЭ, статья «Фоторезист»
  • Валиев К. А., Раков А. А., Физические основы субмикронной литографии в микроэлектронике, M., 1984;
  • Светочувствительные полимерные материалы, под ред. А. В. Ельцова, Л., 1985. Г. К. Селиванов.

Ссылки

  • Изготовление печатной платы с помощью пленочного фоторезиста
  • Изготовление ПП при помощи пленочного фоторезиста с заводским качеством на дому до 3 класса точности
  • Изготовление ПП при помощи негативного фоторезиста.
  • Способ сушки платы с нанесенным спреевым фоторезистом в домашних условиях

ХиМиК.ru — ФОТОРЕЗИСТЫ — Химическая энциклопедия

А Б В Г Д Е Ж З И К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я

ФОТОРЕЗИСТЫ, светочувствит. материалы, применяемые в фотолитографии для формирования рельефного покрытия заданной конфигурации и защиты нижележащей пов-сти от воздействия травителей.

Фоторезисты обычно представляют собой композиции из светочувствит. орг. в-в, пленкообразователей (феноло-формальдегидные и др. смолы), орг. р-рителей и спец. добавок. Характеризуют фоторезисты светочувствительностью, контрастностью, разрешающей способностью и теплостойкостью (см. Репрография, Фотографические материалы). Область спектральной чувствительности фоторезистов определяется наличием в светочувствит. орг. в-вах хромофорных групп способных к фотохим. превращениям, и областью пропускания пленкообразователя.

По спектральной чувствительности различают фоторезисты для видимой области спектра, ближнего ( 320-450 нм) и дальнего (180-320 нм) УФ излучения, по характеру взаимод. с излучением делят на позитивные и негативные. Фоторезисты могут быть жидкими, сухими и пленочными.

Жидкие фоторезисты содержат 60-90% по массе орг. р-рителя, пленочные — менее 20%, сухие обычно состоят только из светочувствит. в-ва. Жидкие фоторезисты наносят на подложку (см. Планарная технология)центрифугированием, напылением или накаткой валиком, сухие -напылением и возгонкой, пленочные — накаткой. Последние имеют вид пленки, защищенной с двух сторон тонким слоем светопроницаемого полимера, напр. полиэтилена. В зависимости от метода нанесения формируют слои толщиной 0,1-10 нм; наиб. тонкие слои (0,3-3,0 мкм) формируют из жидких фоторезистов методом центрифугирования или из сухих фоторезистов методом возгонки.

При экспонировании в слое фоторезиста образуется скрытое изображение. При этом светочувствит. компонент претерпевает ряд фотохим. превращений, напр. подвергается фотополимеризации или структурированию либо разлагается с выделением газообразных продуктов; в зависимости от этого светочувствит.

в-во закрепляется (сшивается) на экспониров. участках и не удаляется при дальнейшем проявлении (визуализации) под действием орг. или водно-щелочных р-рителей или плазмы (негативные фоторезисты) либо переходит в растворимое состояние и легко удаляется с экспониров. участков при проявлении (позитивные фоторезисты).

Из позитивных фоторезистов наиб. распространены композиции, содержащие в качестве светочувствит. компонента сульфо-эфиры о-нафгохинондиазида (5-40% по массе), а в качестве пленкообразователя — новолачные смолы (до 50%). При экспонировании сульфоэфир переходит в сульфопроизводное инденкарбоновой к-ты (ф-ла I) и при проявлении под действием водно-щелочного р-рителя удаляется с экспониров. участков пов-сти вместе со смолой:

Среди негативных фоторезистов наиб. распространены композиции на основе циклоолефиновых каучуков с диазидами в качестве сшивающих агентов, а также сенсибилизированные поливиниловый спирт, поливинилциннамат и др.

Схема превращения негативного фоторезиста на основе каучука и диазида представлена р-цией:


Сшитый полимер закрепляется на подложке, а рельефное изображение (маска) образуется в результате вымывания фоторезиста с неэкспониров. участков.

Для дальнего УФ излучения применяют позитивные фоторезисты на основе сенсибилизиров. полиметакрилатов и арилсульфоэфи-ров с фенольными смолами, а также негативные фоторезисты на основе композиций галогенированных полистиролов и диазидов с феноло-формальдегидными и др. смолами. Перспективны фоторезисты, работающие на принципе хим. усиления скрытого изображения; такие фоторезисты в качестве светочувствит. компонента содержат ониевые соли (напр., Ph

3S+X и Ph2I+X, где X = AsF6, SbF6, PF6, CF3SO3), катализирующие темновые р-ции др. компонентов фоторезистов (напр., эфиров нафтолов, резольных смол).

Позитивные фоторезисты чувствительны к экспозиции 10-250 мДж/см2

, имеют разрешающую способность 0,1-2,0 мкм, контрастность 1,5-5, теплостойкость 120-140 0C; негативные фоторезисты, как правило, более чувствительны, но имеют худшую разрешающую способность.

Для получения защитных покрытий заданной конфигурации помимо фоторезистов используют материалы, чувствительные к воздействию пучка электронов с энергией 5-50 кэВ (электронорезисты), рентгеновского излучения с0,2-0,5 нм (рентгенорезисты) или ионов легких элементов (напр., H+, Не+, O+, Ar+) с энергией более 50 кэВ (ионорезисты). В качестве наиб. Вaжныx позитивных электроно-, рентгено- и ионорезистов применяют композиции на основе производных полиметакрилатов (напр., галоген-, циано- и амидозамещенных), поли-алкиленкетонов и полиолефинсульфонов, в качестве негативных — гомо- и сополимеры производных метакрилата, бутадиена, изопрена, стирола, кремнийорг.

соед. и др.

Лит.: Валиев К.А., Раков А.А., Физические основы субмикронной литографии в микроэлектронике, M., 1984; Светочувствительные полимерные материалы, под ред. А.В. Ельцова, Л., 1985. Г.К. Селиванов.

А Б В Г Д Е Ж З И К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я

Что такое фоторезист? | UniversityWafer, Inc.

Пластины, используемые для фоторезиста

Технология фоторезиста довольно увлекательна, но существует множество способов ее использования, и может быть трудно понять, что делает каждый из них.

Фоторезист — светочувствительный материал, используемый в нескольких процессах, включая фотолитографию, фотогравировку и травление фоторезиста. Каждый из этих процессов имеет свои уникальные преимущества и цели.

Поняв основы технологии фоторезиста, вы сможете лучше понять, как ее можно использовать в вашей отрасли. Наша команда в фоторезисте понимает эту технологию вдоль и поперек, поэтому

мы здесь, чтобы помочь вам на каждом этапе пути.

См. пример ниже.

Получите предложение БЫСТРО!

Ваше имя:

Компания:

Ваш адрес электронной почты:


Ваше сообщение:

Кварцевые подложки, используемые в фоторезисте

Ученый запросил следующее:

«Если я отправлю вам 4-дюймовую кварцевую пластину толщиной: 625 мкм с рисунком на одной стороне, то можете ли вы уменьшить толщину подложки с обратной стороны примерно до 50 мкм (или меньше) и Также нарежьте его кубиками до ~ 3 мм x 8 мм? Пожалуйста, дайте мне знать об ограничениях процесса утончения, чтобы мы могли соответствующим образом адаптировать наш дизайн. Если это возможно, пришлите мне предложение. Я могу отправить вам коробку с 9 образцами (изображение фиктивная коробка прилагается). Каждый образец представляет собой кварцевую подложку размером 3,5 мм x 7 мм x 625 мкм. На верхней части есть узоры Ti/Cr/Au. Мы хотим сохранить рисунок Au и уменьшить толщину подложки до толщины 50 мкм. Мы можем накрутить немного фоторезиста сверху, чтобы защитить поверхность».

UniversityWafer, Inc. Цитата:

Мы делаем все возможное, и, пожалуйста, сначала намотайте немного фоторезиста сверху, чтобы защитить поверхность, а затем вы можете отправить их нам, чтобы сделать пробный образец.

Чтобы узнать цены, укажите номер 266573.

Что такое фоторезист?

Фоторезист — это светочувствительный материал, используемый в нескольких процессах, включая фотолитографию, фотогравировку и травление фоторезиста. Основное назначение фоторезиста – создание узорчатых покрытий на поверхности. Этот процесс чрезвычайно важен в электронной промышленности. Технология фоторезиста довольно увлекательна, и существует множество способов ее использования. Вот три способа.

Первый тип фоторезиста называется отрывным. Этот процесс наносит тонкие пленки на подложки в условиях чистой комнаты. Отрыв происходит перед осаждением и химическим травлением. Шаговый двигатель используется для проецирования изображения схемы на подложку. Свет проецируется через маску для создания негативного изображения. Второй процесс, инвертирование изображения, инвертирует тона позитивных фоторезистов, чтобы выявить основной рисунок.

Другой тип фоторезиста называется жидким фоторезистом. Сухой пленочный фоторезист известен как сухой пленочный фоторезист. Он используется в полупроводниках, плазменных дисплеях и печатных платах. Жидкий фоторезист более гибок, чем стандартная пленка, и лучше подходит для чувствительных приложений. Это универсальный материал, который можно использовать во многих приложениях, включая полупроводники и ЖК-дисплеи.

Фоторезист бывает разных видов в зависимости от области применения. Одни виды изготавливаются из жидкого фоторезиста, другие из тонкой пленки. Первый используется в полупроводниках, плазменных дисплеях и печатных платах, а сухой пленочный фоторезист используется в электронике. Это также распространенный материал в лазерной печати, поскольку он помогает уменьшить количество света, проходящего через подложку.

Наиболее распространенной формой фоторезиста является позитив. Он чувствителен к ультрафиолетовому излучению и меняет свою химическую структуру. Обнаженные участки фоторезиста растворимы, а участки, не подвергавшиеся воздействию УФ-излучения, остаются нерастворимыми. Отрицательный тип используется в производстве полупроводников. Это тип ацетата, который позволяет изготавливать сложные детали. Основной материал изготовлен из кремния. Помимо полупроводников, он также используется для других приложений.

Фоторезисты бывают двух типов: сухие и жидкие. Последний представляет собой тонкую пленку, устойчивую к воздействию УФ-излучения. Жидкая форма используется в полупроводниках, а сухая пленка используется в плазменных дисплеях и печатных платах. Этот тип также используется в производстве электронных устройств. Другими словами, важны оба типа фоторезиста. Итак, что такое фоторезист? Существует множество различных применений этого химического вещества.

Основная функция фоторезиста — сделать его совместимым со светочувствительными поверхностями. На рынке доступны различные типы фоторезистов. Самый распространенный – для формирования печатных плат. Это важно для микропроцессоров, полупроводников и плоских дисплеев. Изображение красной стрелки выполнено на черной части фоторезиста. Напротив, темный цвет фоторезиста виден только в ультрафиолетовом свете.

Позитивный фоторезист — светочувствительный материал. Его использование ограничено количеством возможных субстратов. Светочувствительный материал обычно наносят на поверхность фоторезиста. Для создания фотографии фоторезист должен подходить для желаемой подложки. Он также должен быть совместим с принтером. Однако он должен иметь возможность печатать высококачественное изображение.

Чувствительность фоторезистов зависит от их чувствительности. Это вещество, которое позволит выявить открытые участки. В процессе очень важно использовать материал, чувствительный к ультрафиолетовому излучению, поскольку он может давать высококачественное изображение. Это важно, потому что он может быть чувствителен к ультрафиолетовому излучению, а это означает, что это тип материала, устойчивого к ультрафиолетовому излучению. На самом деле, единственный способ определить, достаточно ли хороши ваши фоторезисты, — это проверить их качество.

Фоторезисты, используемые в полупроводниках, представляют собой очень светочувствительные полимеры, которые изменяют свою структуру под воздействием излучения. Их прядут на подходящей для экспонирования поверхности. После этого они подвергаются воздействию радиации и могут образовывать тонкие слои. В результате высококачественный фоторезист может помочь в различных процессах обработки полупроводников. Следующие этапы будут использоваться при производстве фоторезистов.

Видео: Фоторезист

Что такое инверсная литография и что она может дать в производстве полупроводников?

Что такое инверсионная литография и что она может дать производству полупроводников? Давайте начнем с краткого обзора литографии, которую мы обсудим более подробно чуть позже. Фоторезист и подложки используются в производстве полупроводников. В этой статье мы поговорим о том, как можно использовать фоторезист и подложки в инверсионной литографии.

Что такое инверсная литография

Инверсная литография — это процесс создания узоров на кремниевых чипах, начиная с желаемых элементов на пластине. Затем с помощью компьютерных алгоритмов создается фотошаблон, воспроизводящий эти функции. До недавнего времени этот процесс был непрактичным и слишком трудоемким для продвинутых производителей микросхем. Но с появлением новых технологий это меняется. ILT теперь предлагает решение проблемы маленькой несовершенной маски.

Инверсионная литография основана на методах установки уровней, объединенных с процессом инверсии. Этот метод используется для вставки SRAF там, где они необходимы, не затрагивая целевой шаблон или основной шаблон. Это позволяет полупроводниковым компаниям печатать более сложные и продвинутые микросхемы без необходимости модернизации своего оборудования. Результирующее изображение может содержать бесконечное количество одинаковых контуров резиста.

Литография в производстве полупроводников

Технология обратной литографии (ILT) может значительно ускорить процесс изготовления полупроводниковых микросхем. Этот новый метод начинается с желаемых функций на пластине и вычисляет точную форму фотошаблона, необходимую для достижения этих функций. Традиционный литографический метод создания макетов микросхем оказался слишком трудоемким для опытных производителей микросхем. Однако новый метод может сократить время, необходимое для выполнения этого важного шага, до одного дня.

В настоящее время проектирование ИС по-прежнему выполняется с использованием литографии с длиной волны 193 нм. Однако были разработаны новые методы для смягчения изменений процесса, вызванных этой новой технологией. В частности, литографический зазор, вызывающий серьезные искажения из-за оптической дифракции, наносит серьезный ущерб производительности. Следовательно, необходима полная смена парадигмы в дизайне макетов. Но как это можно реализовать?

Подложки

Технология обратной литографии (ИЛ) позволяет расширить границы литографии, улучшая разрешение и воспроизводимость. Традиционные методы ILT трудоемки и неточны, но новый параллельный метод, ориентированный на плавное слияние, быстр, точен и может учитывать окружающую среду. Это особенно важно для крупносерийного производства в полупроводниковой промышленности. Этот метод также идеально подходит для сложных конструкций устройств, где необходимо оптимизировать размер и сложность отдельных слоев.

Технология обратной литографии основана на применении плазменной обработки поверхности. Этот процесс работает, обеспечивая непрерывное синхронное движение платформы пластины и сетки сетки во время экспонирования пластины. Одна компания, Canon, разработала технологию управления синхронизацией, позволяющую достичь точности позиционирования менее нанометра. В нем используется легкая и жесткая платформа для многократного ускорения платформы сетки со скоростью 12 G, что обеспечивает высокую производительность.

Фоторезист

Настоящее изобретение относится к многослойному просветляющему покрытию для полупроводникового производства фоторезистов. По мере развития технологий производители полупроводников все чаще ищут новые способы минимизации стоячих волн в фоторезистах. Закон Мура гласит, что количество транзисторов и других электронных устройств на единицу площади удваивается каждые 18-24 месяца. Этот быстрый рост является результатом усовершенствований конструкции, включая уменьшение минимальных размеров элементов. В настоящее время самые маленькие полупроводниковые устройства имеют размер 0,15 микрона или меньше.

В инверсионной литографии слой фоторезиста 120 содержит тонкий слой полупроводникового материала. Этот слой имеет высокоинтенсивное антибликовое покрытие, которое помогает уменьшить отражения. Этот новый тип покрытия используется при изготовлении высококачественных устройств. Однако важно отметить, что слои фоторезиста трудно удалить после высыхания. 19инструменты 3iPL. Ключ к этому процессу заключается в его способности генерировать почти нулевые отходы, поскольку используется лишь часть объема фоторезиста. Высококачественный мелкосерийный процесс является привлекательным вариантом для производителей полупроводников, и в конечном итоге он принесет пользу существующим компаниям-производителям полупроводников и поставщикам.

Инверсионная литография — одна из самых многообещающих технологий повышения разрешения, поскольку она может довести литографию до предела. Существующие методы ILT трудоемки и неточны, но новый параллельный метод, ориентированный на плавное слияние, быстр и точен и учитывает изменения окружающей среды. Эта технология может произвести революцию в производстве полупроводников. Но это вызов, который нужно преодолеть. Вот некоторые из проблем внедрения технологии:

Видео: технология инверсной литографии

 

Определение и значение фоторезиста — Merriam-Webster

фо ·​сопротивляться ˈfō-tō-ri-zist 

ˌfō-tō-ri-zist

: светочувствительная смола, которая теряет свою устойчивость к химическому травлению под воздействием излучения и используется, в частности, для переноса схемы на полупроводниковый чип при производстве интегральной схемы.

Примеры предложений

Недавние примеры в Интернете Более темные пятна — это места, где 9Фоторезист 0018 подвергся воздействию лазера, что в конечном итоге приведет к образованию отверстий в алюминии. Журнал Discover , 15 мая 2013 г. Воздействие интенсивного света приводит к тому, что фоторезист затвердевает и превращается в защитную маску. — Журнал Discover , 29 июня 2010 г. Во-первых, пленка из светочувствительного материала, или 9Фоторезист 0018 наносится на кремниевую пластину. — Журнал Discover , 29 июня 2010 г. В январе-мае 94% импорта Южной Кореи фторированного полиимида и 92% импорта фоторезиста приходилось на Японию, согласно отчету Moody’s Investors Service со ссылкой на данные о торговле Южной Кореи. — Washington Post , 8 июля 2019 г. Южная Корея обеспокоена усилением японского контроля за экспортом 9Фоторезисты 0018 и другие чувствительные материалы, которые в основном используются для производства полупроводников и экранов дисплеев, потенциально могут нанести ущерб ее экспортно-зависимой экономике. Washington Post , 15 июля 2019 г. Материалы — фторированные полиамиды, фоторезисты , и фтористый водород — используются, в том числе, для изготовления компьютерных микросхем. —Шерис Фам, CNN , 2 авг. 2019 г. Два других японских экспортных товара — фторированный полиимид, химическое вещество, используемое для изготовления дисплеев смартфонов, и фоторезист , светочувствительный материал, используемый в производстве микросхем, — находят применение в военных самолетах. — Маюми Негиши и Аластер Гейл, WSJ , 10 июля 2019 г. На прошлой неделе Токио ужесточил процесс утверждения поставок фоторезистов 9.0019 и другие конфиденциальные материалы в Южную Корею, заявив, что они могут быть экспортированы только надежным торговым партнерам. — Washington Post , 13 июля 2019 г. Узнать больше

Эти примеры предложений автоматически выбираются из различных онлайн-источников новостей, чтобы отразить текущее использование слова «фоторезист». Мнения, выраженные в примерах, не отражают точку зрения Merriam-Webster или ее редакторов. Отправьте нам отзыв.

История слов

Первое известное использование

1953 год, в значении, определенном выше

Путешественник во времени

Первое известное использование фоторезиста было в 1953 году

Посмотреть другие слова того же года

Словарные статьи Рядом с

фоторезист

фоторепродукция

фоторезист

фоторезистентность

Посмотреть другие записи поблизости

Процитировать эту запись «Фоторезист».

Словарь Merriam-Webster.com , Merriam-Webster, https://www.merriam-webster.com/dictionary/photoresist. По состоянию на 23 марта 2023 г.

Copy Citation

Подробнее от Merriam-Webster о фоторезисте

Britannica.com: Энциклопедическая статья о фоторезисте

Последнее обновление: — Обновлены примеры предложений

Подпишитесь на крупнейший словарь Америки и получите тысячи дополнительных определений и расширенный поиск без рекламы!

Merriam-Webster без сокращений

симбиоз

См. Определения и примеры »

Получайте ежедневно по электронной почте Слово дня!


Как ты меня только что назвал?

  • Перед тем, как мы пошли к ней домой, Ханна сказала нам, что ее тетя была флиббертигиббет .

alexxlab

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *