Даташіт — Вікіпедія
Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.
Технічний опис, даташіт(англ. Datasheet, data sheet) — документ, який підсумовує технічні характеристики продукту, матеріалу, компоненту (наприклад, електронного) чи підсистеми, що призначений для використання інженером-конструктором. Як правило, даташит створюється компанією-виробником і починається із вступної сторінки, за якою слідують списки конкретних характеристик. У випадку наявності вихідного коду, він розташовується в кінці документа або у окремому файлі.
Зазвичай даташити використовуються для опису технічних характеристик деталі чи продукту.
Типовий склад даташиту[ред. | ред. код]
Даташит на електронний компонент[ред. | ред. код]
Типовий даташит на електронний компонент містить наступну інформацію:
- Назва виробника
- Код та назва продукту
- Список доступних типів корпусів (з кресленнями)
- Особливі властивості компоненту
- Короткий опис функцій
- Схема підключення (розпіновка)
- Мінімальні і максимальні значення (напруга живлення, споживана потужність, вхідні струми, температура для зберігання, експлуатації, пайки тощо)
- Рекомендовані умови експлуатації
- Часова діаграма роботи
- Мінімальні/типові/максимальні розміри корпусу/виводів/контактних площадок тощо
- Тестова схема включення
- Рекомендації щодо застосування
Гибридная микросхема — Википедия
Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Гибридная интегральная схема (гибридная микросхема, микросборка, ГИС, ГИМС) — интегральная схема, в которой наряду с элементами, неразъёмно связанными на поверхности или в объёме подложки, используются навесные микроминиатюрные элементы (транзисторы, конденсаторы, полупроводниковые диоды, катушки индуктивности, вакуумные электронные приборы, кварцевые резонаторы и др.). В зависимости от метода изготовления неразъёмно связанных элементов различают гибридные, плёночную и полупроводниковую интегральные схемы.
Резисторы, контактные площадки и электрические проводники в ГИС изготовляют либо последовательным напылением на подложку различных материалов в вакуумных установках[1] (метод напыления через маски, метод фотолитографии — ГИС тонкоплёночной технологии), либо нанесением их в виде плёнок (химические способы, метод шёлкографии и др. —
Величины плёночных резисторов могут быть скорректированы в процессе производства с помощью лазерной подгонки (лазерное воздействие локально испаряет материал резистора, уменьшая его сечение), что необходимо, например, для создания высокоточных ЦАП и АЦП.
Навесные элементы крепят на одной подложке с плёночными элементами, а их выводы присоединяют к соответствующим контактным площадкам пайкой или сваркой. ГИС, как правило, помещают в корпус и герметизируют. Применение ГИС в электронной аппаратуре повышает её надёжность, уменьшает габариты и массу.
Гибридные МС являются дальнейшим развитием идеи микромодулей — компактных законченных функциональных блоков, собранных на миниатюрных бескорпусных элементах очень плотным монтажом. Микромодули же, в свою очередь, продолжают идеи компактронов — комбинированных радиоламп, содержащих в одном баллоне 3 и более лампы. Ещё до Второй Мировой войны существовали компактроны, в которых сразу были выполнены межэлектродные соединения ламп в нужную схему, а также имелись проволочные резисторы и дроссели, это и были первые микромодули и непосредственные предки гибридных МС.
Наиболее массово выпускаются гибридные интегральные микросхемы кварцевых генераторов.
Первая в мире гибридная интегральная схема «Квант» (позже получившая обозначение «ГИС серии 116») была разработана в 1962 году в ленинградском НИИ Радиоэлектроники (НИИРЭ, позже НПО «Ленинец»), главный конструктор — А. Н. Пелипченко. Она же была первой в мире ГИС с двухуровневой интеграцией — в качестве активных элементов в ней использованы не дискретные бескорпусные транзисторы, а третья в мире полупроводниковая ИС «Р12-2», разработанная и изготовленная в том же 1962 году по заказу НИИРЭ Рижским заводом полупроводниковых приборов (РЗПП), главный конструктор — Ю. В. Осокин. ГИС производилась до середины 1990-х годов, то есть более 30 лет.
Первая зарубежная ГИС была анонсирована фирмой IBM в 1964 году в виде STL-модулей, которые были созданы фирмой для нового семейства компьютеров IBM-360[2].
Следующая гибридная толстоплёночная интегральная микросхема (серия 201 «Тропа») была разработана в 1963-65 годах в НИИ точной технологии («Ангстрем»), серийное производство с 1965 года
Разработки и исследования в области специальной микроэлектроники велись ЛНПО «Авангард». Результатом работы было создание новых видов комплектующих изделий РЭА — микросборок и устройств функциональной электроники.
Сегодня микросборки не потеряли своего значения и по-прежнему применяются в электронике. В России существуют технологии ГИС на керамических многослойных платах[5] и технологии на основе полимерных плёнок.[6]
Как правильно читать datasheet или техническая документация для электронщика
Сегодня мы поговорим о таком страшном слове, как datasheet…
Почему страшном? А вы попробуйте «сходу» разобраться в документе на 300 листов 4-го формата, при этом всём еще и на английском. Тут на русском не во все сразу въезжаешь…) Но не будем о грустном)
Электронщики решают по несколько задач параллельно. Сроки выполнения всегда сжаты «до не могу» и нет времени на разжёвывание изложенной в datasheet информации. Более менее детализированный взгляд на первую страницу и галоп по необходимым главам.
Но нам уважаемые читатели, спешить некуда.
Хвала разработчикам стандартов, что существуют правила, по которым создаются datasheet на микросхемы.
Поговорим о первой странице. На ней приводятся основные параметры, характеристики, области применения, структурная схема, максимальные и минимальные величины, типовые параметры. Однако не следует останавливаться только на ней.
Часто в начале datasheet расписаны основные функции выводов микросхемы. Однако, как писал ранее, у одного вывода может быть несколько функций, которые описываются в соответствующих разделах документа. Поэтому копаем дальше…
Начинающие электронщики скачивают тонны литературы по программированию и бесславно «погибают» в технических альманахах… Я сам был такой и к большому сожалению частично таким остаюсь. Всё, что приведено в книгах взято из datasheet и иногда донесено до читателей не в лучшем виде. Все таки первоисточник надежнее будет)
Поэтому скачивайте datasheet на выбранный МК на английском и/или на русском. Если не владеете английским на должном уровне, ищите любой datasheet такой же фирмы (рядом стоящие модели МК) на русском языке, открывайте два документа и начинайте изучать, постепенно, раздел за разделом, гугля непонятные моменты. Ниже приведена картинка — сравнение datasheet для двух МК AVR….
Советую начать с раздела таймеры. Почему именно таймеры? А об этом мы поговорим в статье, где будем мигать светодиодом.)
datasheet attiny2313
datasheet attiny2313a
Спасибо за внимание!)
Картотека программирования
ПОДЕЛИТЕСЬ С ДРУЗЬЯМИ!
About alexlevchenko
Ценю в людях честность и открытость. Люблю мастерить разные самоделки. Нравится переводить статьи, ведь кроме того, что узнаешь что-то новое — ещё и даришь другим возможность окунуться в мир самоделок.datasheet — с английского на русский
datasheet — UK [ˈdeɪtəˌʃiːt] US [ˈdeɪtəˌʃit] noun [countable] [singular datasheet plural datasheets] computing an Internet document that gives a description of something in detail, especially a product … Useful english dictionary
Datasheet — A floppy disk controller datasheet. A datasheet, data sheet, or spec sheet is a document summarizing the performance and other technical characteristics of a product, machine, component (e.g. an electronic component), material, a subsystem (e.g.… … Wikipedia
datasheet — UK [ˈdeɪtəˌʃiːt] / US [ˈdeɪtəˌʃɪt] noun [countable] Word forms datasheet : singular datasheet plural datasheets computing an Internet document that gives a description of something in detail, especially a product … English dictionary
Datasheet — Un datasheet es un documento que resume el funcionamiento y otras características de un componente (por ejemplo, un componente electrónico) o subsistema (por ejemplo, una fuente de alimentación) con el suficiente detalle para ser utilizado por un … Wikipedia Español
datasheet — noun A document summarizing the performance and other technical characteristics of a product … Wiktionary
Datasheet Archive — The Datasheet Archive Type Datasheet Search Engine Industry Electronics Founded 1993 (2003 DatasheetArchive.com, 1993+ CD Release, Various Other Domains) Headquarters Kensington, London Website … Wikipedia
Mobile Molecular DataSheet — The Mobile Molecular DataSheet is (MMDS) is a mobile app which provides chemical structure diagram editing, molecular datasheet management and various other productivity tools. Currently it is available for BlackBerry smartphones and Apple mobile … Wikipedia
Table of the most isolated major summits of the United States — Main article: Mountain peaks of the United States See also: Table of the highest major summits of the United States and Table of the most prominent summits of the United States Contents 1 Table 2 … Wikipedia
Table of the most prominent summits of the United States — Main article: Mountain peaks of the United States See also: Table of the highest major summits of the United States, Table of the ultra prominent summits of the United States, and Table of the most isolated major summits of the United States … Wikipedia
Mountain peaks of the United States — Mount McKinley (also known as Denali) in Alaska is the highest mountain peak of the United States of America … Wikipedia
Comparison of 802.15.4 radio modules — This table lists production ready to use modules only, not radio chips. A ready to use module is a complete MCU+Transceiver+Antenna on a printed circuit board. While most of the modules in this list are ZigBee, ISA100.11a, or WirelessHART modules … Wikipedia
Интегральная схема специального назначения — Википедия
Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Лоток с микросхемами.ASIC (аббревиатура от англ. application-specific integrated circuit, «интегральная схема специального назначения») — интегральная схема, специализированная для решения конкретной задачи. В отличие от обычных интегральных схем для общего назначения, специализированные интегральные схемы применяются в конкретном устройстве и выполняют строго ограниченные функции, характерные только для данного устройства; вследствие этого выполнение функций происходит быстрее и, в конечном счёте, дешевле. Примером ASIC может являться микросхема, разработанная исключительно для управления мобильным телефоном, микросхемы аппаратного кодирования/декодирования аудио- и видеосигналов (сигнальные процессоры).
Микросхема ASIC имеет узкий круг применения, обусловленный жёстко предопределённым набором её функций.
Современные ASIC часто содержат 32-битный или даже 64-битный процессор, иногда в количестве нескольких ядер, блоки памяти (как ПЗУ, так и ОЗУ) и другие крупные блоки. Такие ASIC часто называют однокристальной системой.
При разработке цифровых ASIC для описания их функциональности используют языки описания аппаратных устройств (HDL), такие как Verilog и VHDL.
Проектирование на основе стандартных ячеек[править | править код]
Проектирование с СФ-блоками, программным и аппаратным обеспечением макро[править | править код]
Особенность задачи майнинга криптовалют позволяет применить максимальное распараллеливание вычислений. В силу специфики строения, для этого начали широко применять графические процессоры (GPU) с небольшой дополнительной программой[1]. Ещё более эффективным стало применение специализированных процессоров. Существует несколько типов алгоритмов, применяемых в разных криптовалютах. Например, Биткойн использует SHA-256, а Litecoin — Scrypt, что не позволяет использовать одни и те же ASIC для майнинга любой криптовалюты. Примерно с 2012[2]—2013 года майнинг распространённых криптовалют на чём-либо кроме специализированных чипов, стал невыгодным — стоимость потребляемой электроэнергии превышает средний результат.
Википедия — свободная энциклопедия
Избранная статья
Флами́нговые (лат. Phoenicopteridae) — семейство новонёбных птиц отряда фламингообразных. Крупные птицы с очень длинной шеей и ногами. Три передних пальца соединены перепонкой. Клюв в средней части сильно изогнут вниз, из-за чего зазор между челюстями одинаков по всей его длине. С помощью многочисленных роговых пластин по краю клюва фламинго процеживают фито- и зоопланктон, межвидовые различия позволяют им питаться пищей разного размера и сосуществовать на одной территории без конкуренции. Характерный розовый цвет оперения, особенно на кроющих перьях крыльев, достигается за счёт каротиноидов, синтезируемых водорослями или другими организмами, попадающими в организм фламинго напрямую или через питающихся ими беспозвоночных. Этот нестойкий пигмент быстро разрушается на свету.
Фламинго распространены в тропических и субтропических районах, изредка проникая в умеренные широты, наибольшее видовое разнообразие наблюдается в Южной Америке. Встречаются как на уровне моря, так и высоко в горах. За пределами сезона размножения совершают кочёвки, полноценные миграции характерны только для птиц в северной части ареала.
Хорошая статья
Господь Гнева (лат. Deus Irae) — антивоенный постапокалиптический роман американских писателей Роджера Желязны и Филипа Дика, вышедший в 1976 году. Основной темой романа является двойственность Бога, а также особенности конструирования новых мифов. Начало романа было написано Филипом Диком, после чего он почувствовал, что не сможет продолжить роман из-за недостатка знаний о христианстве. Существенная часть романа была написана Роджером Желязны, для которого главным было переосмысление мифов, Филипом Диком была дописана последняя глава. Роман рассказывает историю паломничества по постапокалиптической Америке в поисках человеческого воплощения бога Гнева. Роман принято относить к творческой неудаче обоих авторов.
Изображение дня
Радиационно-стойкая интегральная схема — Википедия
Радиационно стойкая интегральная схема — интегральная схема, к которой предъявлены повышенные требования устойчивости к сбоям, вызванным воздействием радиации. Основная область применения подобных схем — это космические аппараты, военная техника и медицинская электроника.
Воздействие радиации на интегральные схемы[править | править код]
Высокоэнергетические частицы при торможении в материале корпуса электронного устройства порождают гамма-излучение, рентгеновское излучение и тяжёлые ионы. Эти частицы ионизируют структуры КМОП-транзисторов, в частности затвор и подзатворный оксид. В результате изменяются параметры транзисторов такие как: токи утечки, время нарастания и спада фронтов. Степень разрушения интегральной схемы увеличивается как по мере роста общей полученной дозы излучения, так и по мере роста интенсивности внешнего облучения.
Большая мгновенная доза радиации может вызвать импульс напряжения на шинах питания, что приводит: к случайным сбоям переключения (англ. Single Event Transient, SET), к защёлкиванию транзисторов (англ. latch-up), а также к повреждению проводников питания.
Нарастание тока утечки увеличивает рассеиваемую в выключенном состоянии транзистора мощность, что может приводить к перегреву и термическому разрушению транзистора.
Наиболее частые проблемы вызываются так называемыми случайными воздействиями (англ. Single Event Effects, SEE), которые происходят, когда интегральная схема облучается тяжёлыми частицами (космические лучи, протоны, электроны, альфа-частицы, термические нейтроны и т. д.) Проходя сквозь объём полупроводника они оставляют за собой трек (шлейф) из свободных носителей заряда. Это приводит к генерации электронно-дырочных пар в подзатворном окисле обычных КМОП-схем.
Наиболее часто случайное воздействие приводит к одиночным сбоям (англ. Single-event Upset, SEU). Обычно такие события происходят в ячейках памяти или в статических триггерах при попадании в них ионов. Возникший при этом импульс тока переводит ячейку или триггер в противоположное состояние (это равнозначно программной команде «не», т. е. побитовой инверсии). Обнаружив такое событие, его последствия легко устранить перезаписью неправильного состояния. Чем меньше размеры транзистора, тем меньше величина заряда, необходимого для переключения состояния схемы и тем больше вероятность возникновения одиночного сбоя. В результате существует фактор-ограничитель минимального размера транзисторов пригодных для работы в условиях радиации.
Другое следствие случайного воздействия — это защёлкивание транзисторов. Причина защелкивания транзисторов заключена в наличии в интегральных схемах построенных по КМОП-технологии паразитных структур из пар p-n-p и n-p-n транзисторов, которые вместе образуют схему близкую к тиристору. Большой потенциал вызванный ионом образует импульс тока, открывающий такой «тиристор», а это уже приводит к возникновению большого тока через структуры транзисторов, причём этот ток не уменьшается и после снятия высокого потенциала, вызванного ионом. В результате устройство перегревается и может полностью выйти из строя.
Для повышения радиационной стойкости интегральных схем используется целый ряд мер на всех этапах конструирования: выбор схемотехнических решений, моделирование в САПР, изготовление, корпусирование.
Кремний на диэлектрике[править | править код]
Способ, получивший наибольшее распространение, — технология «кремний на диэлектрике» (англ. Silicon-on-insulator, SOI). Он заключается во введении в поверхность подложки слоя кислорода, который при нагревании формирует непрерывный слой оксида кремния толщиной примерно в 0,2 мкм. Этот слой является изолятором канала КМОП от подложки из кремния.
Такая конструктивная схема снижает токи утечки, паразитные ёмкости, и исключает образование «тиристоров».
Для космических и военных приложений требуется значительно повысить стойкость углубленного оксида, иначе индуцированный гамма-излучением заряд с течением времени попадает в оксид, а далее рекомбинирует на границу SiO2-Si изменяя пороговое напряжение транзистора. Для борьбы с этим явлением организуют возможность для стока заряда из области контакта окисла и кремния на шину заземления. Обратной стороной такого схемотехнического приёма является уменьшение полезной площади на 30%, поэтому в коммерческих приложениях не связанных с космической деятельностью этот приём не используют.
Себестоимость конечного устройства произведенного по технологическому процессу «кремний на диэлектрике» (англ. Silicon-on-insulator, SOI) может превышать в 5-10 раз себестоимость производства по обычной КМОП-технологии.
Резервирование[править | править код]
Метод основан на создании нескольких аналогичных устройств и выборе окончательного значения состояния устройства схемой голосования на основе значений на выходах этих устройств. Троирование[en] позволяет полностью ликвидировать последствия одиночных отказов. Излучение способно изменить состояние такой схемы только, когда страдает сразу несколько узлов одновременно. Однако такой подход ведёт к увеличению требуемой площади кристалла и увеличивает задержки и потребляемую энергетическую мощность.
Существуют более сложные схемотехники, которые не только предоставляют правильное значение, но и восстанавливают состояние пострадавших узлов, — для этого организуются обратные связи.
Задержки установления состояния[править | править код]
Триггеры иногда оснащают подсистемами, удерживающими его от переключения в течение времени рекомбинации сгенерированных вторгшимся ионом зарядов. Недостаток этого метода — сниженное быстродействие системы в целом.
Корректирующие коды[править | править код]
Помехозащищенное кодирование: биты чётности или корректирующие коды (англ. ECC) используются многими производителями для защиты больших объёмов памяти. Однако при воздействии на память относительно высокоэнергетических нейтронов возникают вторичные заряженные частицы, которые способны инициировать переключение сразу нескольких ячеек, в таких случаях контроль чётности уже не способен выявить ошибку.
Фильтрация по времени[править | править код]
Другой подход — сохранение нескольких состояний линии данных с некоторым интервалом и последующее голосование на основе сохранённых состояний. Если интервал сохранения больше, чем время воздействия заряженной частицы на интегральную схему, то такая организация хорошо защищает от одиночных воздействий. Однако данный метод чувствителен к сбоям на линии синхронизации, а также увеличивает площадь схемы узла примерно втрое.
