электротехника — Стр 7
= u — i
= i — u
u
i
143. Задание {{ 152 }} ТЗ № 152
При Im = 10 A, i = 30 мгновенное значение тока, если частота 50 Гц …
i 10sin(314t 30 )
i 10sin(314t 30)
i 10sin 314t
i 10sin(50t 30 )
144.Задание {{ 154 }} ТЗ № 154
При Im = 10 A, i = 30 и R= 10 Ом мгновенное значение напряжения, если частота 50 Гц …
u 100sin(314t 30 )
u 100sin(314t 30 )
u 100sin(314t 50 )
u 100sin(314t 60 )
145.Задание {{ 155 }} ТЗ № 155
Амплитудное напряжение, если мгновенное напряжение
u = 200sin (314t+60 ) …
200В
314 B
282В
142В
146.Задание {{ 156 }} ТЗ № 156
Действующее значение напряжения, если мгновенное напряжение u = 141sin (314t+60 ) …
100В
141В
199В
314В
147.Задание {{ 157 }} ТЗ № 157
Амплитудное значение тока, если мгновенное напряжение u = 200sin (314t+60 ) и сопротивление цепи R = 10 Ом …
20А
31,4А
6 А
200А
148. Задание {{ 158 }} ТЗ № 158
Действующее значение тока, если мгновенный ток i = 2.82sin (314t+60 )
2 А
3,14А
2,82А
3,98А
149.Задание {{ 159 }} ТЗ № 159
Начальная фаза тока, если мгновенный ток i = 2.82sin (314t+60 ) …
i 60
i 60
i 314t 60
i 314
150.Задание {{ 160 }} ТЗ № 160
Фаза тока, если мгновенный ток i = 2.82sin (314t+60 ) …
314t 60
314t
60
314
151.Задание {{ 161 }} ТЗ № 161
Период синусоидального переменного тока …
1
f
1
1
Т
1 t
152.Задание {{ 162 }} ТЗ № 162
Частота переменного синусоидального тока …
1
Т
1
1
f
1 2
153. Задание {{ 163 }} ТЗ № 163
Частота синусоидального переменного тока …
2
1
2
2
2 Т
154.Задание {{ 164 }} ТЗ № 164
Угловая частота переменного синусоидального тока
2 f
2 T
2
2
155. Задание {{ 165 }} ТЗ № 165
Угловая частота переменного синусоидального тока …
f Т
156. Задание {{ 166 }} ТЗ № 166
Действующее значение напряжения …
U 2m
U3m
1,41U
157.Задание {{ 167 }} ТЗ № 167
Действующее значение синусоидального тока …
Im 2
Im2
Um 3
U
2
158.Задание {{ 168 }} ТЗ № 168
Действующее значение синусоидального тока с амплитудой Im …
Im
2
|
| Im |
|
|
|
|
|
|
| ||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| ||
|
|
|
| 2 |
|
|
|
|
|
|
|
| Im |
|
|
|
|
|
|
| |||
|
|
|
|
|
|
|
|
| |||
|
|
|
| 3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| |
|
|
| I | m |
|
|
| sin 2 t | |||
|
|
| 1 |
|
|
|
| ||||
|
|
|
| ||||||||
|
|
| |||||||||
|
|
|
| 2 |
|
|
|
| 2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
159. Задание {{ 169 }} ТЗ № 169
Среднее значение синусоидального напряжения …
2
U m
2 U
2 U m
U m U
2
160.Задание {{ 170 }} ТЗ № 170
Среднее значение синусоидального напряжения за период …
2
U m
0
2 U m
U m U
2
161. Задание {{ 643 }} ТЗ № 643
Индуктивное сопротивление равно …
162. Задание {{ 775 }} ТЗ № 775
Угловая частота при T равном 0,01с составит…
1) =314 с
3) =628 с
-1 | 2) | =100 с-1 |
-1 | 4) | =0,01 с |
|
1
2
3
4
2.2Электрические цепи с резистивным, индуктивным и емкостным элементами
163.Задание {{ 171 }} ТЗ № 16(2.1)
Отметьте правильный ответ
Гармонические ток и напряжение на индуктивности
Ток опережает напряжение на 900
Напряжение опережает ток на 900
Ток и напряжение находятся в фазе
Фазы напряжения и тока произвольны
164.
Отметьте правильный ответ
Зависимость сопротивления емкостного элемента от частоты
с
U(t)
x c
x c
x c
x c
165. Задание {{ 174 }} ТЗ № 7(2.1)
Отметьте правильный ответ
Зависимость сопротивления индуктивного элемента от частоты
L
U(t)
x L
ω
x L
x L
x L
ω
166. Задание {{ 175 }} ТЗ № 18(2.1)
Отметьте правильные ответы
Соотношение между напряжением на конденсаторе UC (t) и током i(t) имеет вид
i(t) с
UC (t)
di(t) UC (t) С dt
Комплексные токи и напряжения онлайн
|
|
|
MODRF — матричный ВЧ-резонатор первого порядка с точной фазовой зависимостью, а также дополнительными амплитудными и фазовая модуляция.
MODRF — матричный ВЧ-резонатор первого порядка с точной фазовой зависимостью, а также дополнительными амплитудными и фазовая модуляция.10,68 MODRF — матричный ВЧ-резонатор первого порядка с точной фазовой зависимостью, а также амплитудная и фазовая модуляция.
Матричный ВЧ-резонатор первого порядка с точной фазовой зависимостью, а также дополнительными амплитудой и фазой
модуляция.
Возможность параллельного подключения? : да
GPU поддерживает? : нет
Возможен обратный отслеживание? : no
Parameter Name | Units | Type | Default | Описание | ||||||||||||
L | M | 0,0 | 0,0 | 0,0 | 0,0 | 0,0 | . | |||||||||
VOLT | V | double | 0.0 | номинальное напряжение | ||||||||||||
PHASE | DEG | double | 0.0 | nominal phase | ||||||||||||
ЧАСТОТА | Гц | двойная | 500000000 | номинальная частота | ||||||||||||
Q | double | 0.0 | cavity Q | |||||||||||||
Phase_Reference | Long | 0 | LONG | 0 | LONG | 0 | 4 | LONG | 0 | номер (для связи с другими зависящие от времени элементы) | ||||||
двойной | 0. 0 | величина амплитуды модуляция (дробное значение) | ||||||||||||||
AMPHASE | DEG | double | 0.0 | phase of amplitude модуляция | ||||||||||||
AMFREQ | HZ | Double | 0,0929 | 7777777777777777777779 | 0,0929 | 777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777н. модуляция | ||||||||||
Amdecay | 1 ∕ S | 0027 double | 0.0 | экспоненциальная скорость затухания амплитудная модуляция | ||||||||||||
PMMAG | DEG | double | 0. 0 | magnitude of phase модуляция | ||||||||||||
PMPHASE | DEG | double | 0.0 | phase of phase modulation | ||||||||||||
PMFREQ | Hz | double | 0.0 | частота фазовой модуляции | ||||||||||||
PMDECAY | 1∕s | double | 0.0 | exponential decay rate of фазовая модуляция | ||||||||||||
FIDUCIAL | STRING | NULL | режим определения координат время прибытия (свет, среднее, первый, pмаксимум) | |||||||||||||
(92) |
где V 0 — номинальное напряжение резонатора Вольт, A ам — АММАГ, ω ам — угловая частота, соответствующая к AMFREQ, ϕ am — фаза амплитудной модуляции, соответствующая AMPHASE (пересчитанная из градусов в радианы) и α 905:92 — AMDECAY.
Фаза фазовой модуляции вычисляется с помощью
(93) |
где ω pm — угловая частота, соответствующая PMFREQ, а Δϕ pm — сдвиг фазы, соответствующий в PMPHASE (преобразуется из градусов в радианы). Затем вычисляется радиочастотная фаза для центроида. с использованием
(94) |
где ω 0 — номинальная угловая частота ВЧ (соответствует FREQ), ϕ 0 соответствует PHASE (в пересчете на радианы), Φ м соответствует PMMAG (в пересчете на радианы), а α пм соответствует PMDECAY.
Эффективная мгновенная угловая частота РЧ
(95) |
Используя все вышесказанное, напряжение, наблюдаемое частицей, прибывающей в момент времени t, равно
(96) |
Различия в отношениях амплитуда-напряжение между минимальными и составными ответами мшистых волокон нейронов гиппокампа СА3 крысы подтверждают существование внутрисинаптической эфаптической обратной связи в больших синапсах
. 2000;101(2):323-36.
doi: 10.1016/s0306-4522(00)00366-3.
Касьянов А.М. 1 , Максимов В.В., Бызов А.Л., Берретта Н., Соколов М.В., Гаспарини С., Черубини Э., Рейманн К.Г., Воронин Л.Л.
принадлежность
- 1 Институт высшей нервной деятельности и нейрофизиологии РАН, 117865, Москва, Россия.
- PMID: 11074156
- DOI: 10.1016/s0306-4522(00)00366-3
А.М. Касьянов и соавт. Неврология. 2000.
. 2000;101(2):323-36.
doi: 10.1016/s0306-4522(00)00366-3.
Авторы
Касьянов А.М. 1 , Максимов В.В., Бызов А.Л., Берретта Н., Соколов М.В., Гаспарини С., Черубини Э., Рейманн К.Г., Воронин Л.Л.
принадлежность
- 1 Институт высшей нервной деятельности и нейрофизиологии РАН, 117865, Москва, Россия.
- PMID: 11074156
- DOI: 10.1016/s0306-4522(00)00366-3
Абстрактный
Компьютерное моделирование и электрофизиологические эксперименты были выполнены для проверки гипотезы о существовании эфаптического взаимодействия в чисто химических синапсах. Согласно этой гипотезе, возбуждающий постсинаптический ток деполяризует место пресинаптического высвобождения и еще больше увеличивает высвобождение медиатора, тем самым создавая внутрисинаптическую положительную обратную связь. Для синапсов с эфаптической обратной связью компьютерное моделирование предсказало нелинейные отношения амплитуда-напряжение и зависимость от напряжения облегчения парных импульсов. Отклонение от линейности зависело от силы обратной связи, определяемой величиной сопротивления синаптической щели. Моделирование показало, что при наличии внутрисинаптической обратной связи рекрутирование синапсов с несовершенным зажимом и синапсов с линейным отношением амплитуды к напряжению имело тенденцию уменьшать нелинейность и зависимость от напряжения фасилитации парных импульсов. Следовательно, моделирование предсказало, что внутрисинаптическая обратная связь будет особенно влиять на небольшие возбуждающие постсинаптические токи, вызванные активацией электротонически близких синапсов с длинными синапическими щелями. В электрофизиологических экспериментах, проведенных на срезах гиппокампа, для регистрации возбуждающих постсинаптических токов, вызываемых в пирамидных клетках СА3 активацией синапсов крупных мшистых волокон, использовалась полноклеточная конфигурация техники пэтч-клэмп. В соответствии с результатами моделирования минимальные возбуждающие постсинаптические токи обнаруживали «супралинейные» амплитудно-вольтамперные отношения при гиперполяризованных мембранных потенциалах, снижение частоты отказов и вольтаж-зависимое облегчение парных импульсов. Сложные возбуждающие постсинаптические токи, вызванные активацией большого количества пресинаптических волокон, обычно имеют линейную зависимость амплитуды от напряжения и независимое от напряжения усиление парных импульсов. Эти данные согласуются с гипотезой о сильной эфаптической обратной связи в крупных синапсах мшистых волокон. Обратная связь обеспечит механизм усиления сигналов от больших синапсов. Эфаптическая обратная связь будет более эффективной в синапсах, активируемых изолированно или вместе с электротонически удаленными входами. Во время синхронной активации большого количества соседних входов подавление положительной внутрисинаптической обратной связи предотвратило бы аномальное усиление мощных сигналов.
Похожие статьи
Постсинаптическая гиперполяризация увеличивает силу АМРА-опосредованной синаптической передачи в крупных синапсах между мшистыми волокнами и пирамидными клетками СА3.
Беретта Н., Россохин А.В., Касьянов А.М., Соколов М.В., Черубини Е., Воронин Л.Л. Берретта Н. и др. Нейрофармакология. 2000 сен; 39 (12): 2288-301. doi: 10.1016/s0028-3908(00)00076-9. Нейрофармакология. 2000. PMID: 10974312
[Внутрисинаптическая эфаптическая обратная связь в центральных синапсах].
Воронин Л.Л. Воронин ЛЛ. Росс Физиол Ж Им И М Сеченова. 1999 июнь; 85 (6): 729-42. Росс Физиол Ж Им И М Сеченова. 1999. PMID: 10511994 Обзор. Русский.
Долгосрочные синаптические изменения, вызванные внутриклеточной тетанизацией пирамидных нейронов СА3 в срезах гиппокампа молодых крыс.
Беретта Н., Россохин А.В., Черубини Е., Астрелин А.В., Воронин Л.Л. Берретта Н. и др. Неврология. 1999;93(2):469-77. doi: 10.1016/s0306-4522(99)00167-0. Неврология. 1999. PMID: 10465429
Долгосрочная и кратковременная пластичность синапсов мшистых волокон на мшистых клетках зубчатой извилины крысы.
Лысецкий М., Фёльди К., Солтеш И. Лысецкий М. и соавт. Гиппокамп. 2005;15(6):691-6. doi: 10.1002/hipo.20096. Гиппокамп. 2005. PMID: 15986406
Внутрисинаптическая эфаптическая обратная связь в центральных синапсах.
Воронин Л.Л. Воронин ЛЛ. Neurosci Behav Physiol. 2000 сен-октябрь;30(5):575-85. дои: 10.1007/BF02462618. Neurosci Behav Physiol. 2000. PMID: 11037151 Обзор.
Посмотреть все похожие статьи
Цитируется
Использование эпаптической связи для оценки сопротивления синаптической щели чашечки синапса Хельда.
Sierksma MC, Borst JGG. Sierksma MC, et al. PLoS Comput Biol. 2021 26 октября; 17 (10): e1009527. doi: 10.1371/journal.pcbi.1009527. электронная коллекция 2021 окт. PLoS Comput Biol. 2021. PMID: 34699519 Бесплатная статья ЧВК.
Раннее появление и распространение быстрых пульсаций в гиппокампе на модели кортикальной черепно-мозговой травмы.
Ортис Ф., Запфе ВПК, Драгун А., Гутьеррес Р. Ортис Ф. и др. Дж. Нейроски. 2018 17 октября; 38 (42): 9034-9046. doi: 10.1523/JNEUROSCI.3507-17.2018. Epub 2018 6 сентября. Дж. Нейроски. 2018. PMID: 301 Бесплатная статья ЧВК.
Эфаптическая коммуникация в сетчатке позвоночных.
Вроман Р., Клаассен Л.Дж., Камерманс М. Вроман Р. и соавт. Передний шум нейронов. 2013 23 сентября; 7:612. doi: 10.3389/fnhum.2013.00612. Передний шум нейронов. 2013. PMID: 24068997 Бесплатная статья ЧВК. Обзор.
Внутриклеточная тетанизация гиперполяризующими токами потенцирует синапсы, образованные мшистыми волокнами на пирамидных клетках поля СА3 гиппокампа крыс.
Касьянов А.М., Эзрохи В.