ГОСТы — Электронные компоненты в целом
ГОСТ 13540-74
Блоки питания стабилизированные низковольтные типа 591 для электронной аппаратуры. Общие технические условия
ГОСТ 16841-79
Отверстия вентиляционные приборных корпусов радиоэлектронных и электротехнических изделий. Типы, конструкция и размеры
ГОСТ 23073-78
Трубы тепловые. Термины, определения и буквенные обозначения
ГОСТ 23586-96
Монтаж электрический радиоэлектронной аппаратуры и приборов. Технические требования к жгутам и их креплению
ГОСТ 23587-96
Монтаж электрический радиоэлектронной аппаратуры и приборов. Технические требования к разделке монтажных проводов и креплению жил
ГОСТ 23592-96
Монтаж электрический радиоэлектронной аппаратуры и приборов. Общие требования к объемному монтажу изделий электронной техники и электротехнических
ГОСТ 23873-79
Трансформаторы электронно-магнитные многофункциональные. Основные параметры
ГОСТ 24686-81
Оборудование для производства изделий электронной техники и электротехники. Общие технические требования. Маркировка, упаковка, транспортирование и хранение
ГОСТ 25532-89
Приборы с переносом заряда фоточувствительные. Термины и определения
ГОСТ 27597-88
Изделия электронной техники. Метод оценки коррозионной стойкости
ГОСТ 28198-89
Основные методы испытаний на воздействие внешних факторов. Часть 1. Общие положения и руководство
ГОСТ 28199-89
Основные методы испытаний на воздействие внешних факторов. Часть 2. Испытания. Испытание А: Холод
ГОСТ 28200-89
Основные методы испытаний на воздействие внешних факторов. Часть 2. Испытания. Испытание В: Сухое тепло
ГОСТ 28201-89
Основные методы испытаний на воздействие внешних факторов. Часть 2. Испытания. Испытание Са: Влажное тепло, постоянный режим
ГОСТ 28202-89
Основные методы испытаний на воздействие внешних факторов. Часть 2. Испытания. Испытание Sа: Имитированная солнечная радиация на уровне земной поверхности
ГОСТ 28203-89
Основные методы испытаний на воздействие внешних факторов. Часть 2. Испытания. Испытание Fс и руководство: Вибрация (синусоидальная)
ГОСТ 28204-89
ГОСТ 28205-89
Основные методы испытаний на воздействие внешних факторов. Часть 2. Испытания. Руководство по испытанию на воздействие солнечной радиации
ГОСТ 28206-89
Основные методы испытаний на воздействие внешних факторов. Часть 2. Испытания. Испытание J и руководство: Грибостойкость
ГОСТ 28207-89
ГОСТ 28208-89
Основные методы испытаний на воздействие внешних факторов. Часть 2. Испытания. Испытание М: Пониженное атмосферное давление
ГОСТ 28209-89
Основные методы испытаний на воздействие внешних факторов. Часть 2. Испытания. Испытание N: Смена температуры
ГОСТ 28210-89
ГОСТ 28211-89
Основные методы испытаний на воздействие внешних факторов. Часть 2. Испытания. Испытание Т: Пайка
ГОСТ 28212-89
Основные методы испытаний на воздействие внешних факторов. Часть 2. Испытания. Испытание U: Прочность выводов и их креплений к корпусу изделия
ГОСТ 28213-89
ГОСТ 28214-89
Основные методы испытаний на воздействие внешних факторов. Часть 2. Испытания. Руководство по испытаниям на влажное тепло
ГОСТ 28215-89
Основные методы испытаний на воздействие внешних факторов. Часть 2. Испытания. Испытание Еb и руководство: Многократные удары
ГОСТ 28216-89
ГОСТ 28217-89
Основные методы испытаний на воздействие внешних факторов. Часть 2. Испытания. Испытание Ес: Падение и опрокидование, предназначенное в основном для аппаратуры
ГОСТ 28218-89
Основные методы испытаний на воздействие внешних факторов. Часть 2. Испытания. Испытание Еd: Свободное падение
ГОСТ 28219-89
Основные методы испытаний на воздействие внешних факторов. Часть 2. Испытания. Руководство по испытаниям на смену температуры
ГОСТ 28220-89
Основные методы испытаний на воздействие внешних факторов. Часть 2. Испытания. Испытание Fd: Широкополосная случайная вибрация. Общие требования
ГОСТ 28221-89
Основные методы испытаний на воздействие внешних факторов. Часть 2. Испытания. Испытание Fdа: Широкополосная случайная вибрация. Высокая воспроизводимость
ГОСТ 28222-89
Основные методы испытаний на воздействие внешних факторов. Часть 2. Испытания. Испытание Fdb: Широкополосная случайная вибрация. Средняя воспроизводимость
ГОСТ 28223-89
Основные методы испытаний на воздействие внешних факторов. Часть 2. Испытания. Испытание Fdс: Широкополосная случайная вибрация. Низкая воспроизводимость
ГОСТ 28224-89
ГОСТ 28225-89
Основные методы испытаний на воздействие внешних факторов. Часть 2. Испытания. Испытание Z/АМD: Комбинированно-последовательное испытание на воздействие холода, пониженного атмосферного давления и влажного тепла
ГОСТ 28226-89
Основные методы испытаний на воздействие внешних факторов. Часть 2. Испытания. Испытание Кс: Испытание контактов и соединений на воздействие двуокиси серы
ГОСТ 28227-89
Основные методы испытаний на воздействие внешних факторов. Часть 2. Испытания. Испытание Кd: Испытание контактов и соединений на воздействие сероводорода
ГОСТ 28228-89
Основные методы испытаний на воздействие внешних факторов. Часть 2. Испытания. Руководство по испытанию Т: Пайка
ГОСТ 28229-89
Основные методы испытаний на воздействие внешних факторов. Часть 2. Испытания. Испытание ХА и руководство: Погружение в очищающие растворители
ГОСТ 28230-89
Основные методы испытаний на воздействие внешних факторов. Часть 2. Испытания. Руководство по испытанию Кd: Испытание контактов и соединений на воздействие сероводорода
ГОСТ 28231-89
Основные методы испытаний на воздействие внешних факторов. Часть 2. Испытания. Крепление элементов, аппаратуры и других изделий в процессе динамических испытаний, включая удар (Еа), многократные удары (Еb), вибрацию (Fс и Fd), линейное ускорение (Gа)
ГОСТ 28232-89
Основные методы испытаний на воздействие внешних факторов. Часть 2. Испытания. Руководство по применению испытаний стандартов МЭК 68 (ГО) для имитации воздействий хранения
ГОСТ 28233-89
Основные методы испытаний на воздействие внешних факторов. Часть 2. Испытания. Руководство по испытанию Кс: Испытание контактов и соединений на воздействие двуокиси серы
ГОСТ 28234-89
Основные методы испытаний на воздействие внешних факторов. Часть 2. Испытания. Испытание Кb: Соляной туман, циклическое (раствор хлорида натрия)
ГОСТ 28235-89
Основные методы испытаний на воздействие внешних факторов. Часть 2. Испытания. Испытание Та: Пайка. Испытание на паяемость методом баланса смачивания
ГОСТ 28236-89
Основные методы испытаний на воздействие внешних факторов. Часть 3. Дополнительная информация. Раздел 1. Испытания на холод и сухое тепло
ГОСТ 30668-2000
Изделия электронной техники. Маркировка
ГОСТ Р 50730.1-95
Приборы ферритовые СВЧ. Общие требования при измерении параметров на высоком уровне мощности
ГОСТ Р 50730.2-95
Приборы ферритовые СВЧ. Методы измерения прямых потерь на высоком уровне мощности
ГОСТ Р 50730.3-95
Приборы ферритовые СВЧ. Методы измерения обратных потерь и развязок на высоком уровне мощности
ГОСТ Р 50730.4-95
Приборы ферритовые СВЧ. Методы измерения фазового сдвига на высоком уровне мощности
ГОСТ Р 50730.5-95
Приборы ферритовые СВЧ. Методы измерения коэффициента стоячей волны по напряжению и максимального коэффициента стоячей волны по напряжению на высоком уровне мощности
ГОСТ Р МЭК 60536-2-2001
Классификация электротехнического и электронного оборудования по способу защиты от поражения электрическим током. Часть 2. Руководство для пользователей по защите от поражения электрическим током
ГОСТ 25467-82 Изделия электронной техники. Классификация по условиям…
ГОСТ 25467-82
Группа Э20
Дата введения 1984-01-01*
________________
* Порядок введения стандарта в действие приведен в обязательном приложении.
ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 30 сентября 1982 года N 3861
ПЕРЕИЗДАНИЕ. Май 1987 года
1. Настоящий стандарт распространяется на изделия электронной техники производственно-технического назначения и народного потребления (далее — изделия), изготовляемые для нужд народного хозяйства и для поставки на экспорт.
Стандарт устанавливает классификацию изделий по условиям применения и требования по стойкости к внешним воздействующим факторам (ВВФ): механическим и климатическим для каждой классификационной группы изделий.
2. Классификация изделий по условиям применения и требования для каждой классификационной группы по механическим (синусоидальной вибрации и механическому удару) и климатическим (температуре среды, повышенной влажности и атмосферному пониженному давлению) воздействиям приведены в табл.1 и 2.
Таблица 1
Группа испол- нения изделий по стой- кости к механи- ческим фак- торам | Синусоидальная вибрация | Механический удар многократного действия | Механический удар одиночного действия | Характеристика наиболее часто встречающихся условий применения | ||||
Диапа- зон частот, Гц | Ампли- туда уско- рения, м·с (g) | Степень жесткости по ГОСТ 20.57.406-81 | Пиковое ударное уско- рение, м·с (g) | Степень жесткости по ГОСТ 20.57.406-81 | Пиковое ударное уско- рение, м·с (g) | Степень жесткости по ГОСТ 20.57.406-81 | ||
М1 | 1-35* | 5 (0,5) | I | 150 (15) | I | — | — | В стационарной аппаратуре и приборах, устанавливаемых на неподвижных объектах, а также в аппаратуре и приборах, не имеющих приспособлений для переноски и требующих применения специальных мер защиты при перевозке |
M2 | 1-55 | 10 (1) | II | В аппаратуре и приборах, не работающих на ходу и предназначенных для кратковременной переноски людьми и перевозки | ||||
M3 | 1-55 | 20 (2) | III | В аппаратуре и приборах, работающих на ходу, устанавливаемых на промышленных передвижных машинах и на неподвижном технологическом оборудовании | ||||
M4 | 1-80 | 50 (5) | VI | В носимой аппаратуре и приборах, работающих на ходу, и в аппаратуре и приборах, устанавливаемых на сухопутном и водном транспорте (грузовые и пассажирские суда) | ||||
М5 | 1-200 | 50 (5) | VIII | 400 (40) | II | — | — | В аппаратуре, работающей на ходу, устанавливаемой на тракторах и гусеничных машинах и водном транспорте (быстроходные катера, суда на подводных крыльях и т.п.), а также на технологическом оборудовании и сухопутном транспорте, если частота вибрации превышает 80 Гц |
М6 | 1-500 | 100 (10) | X | 1500 (150) | III | В аппаратуре, устанавливаемой на объектах, имеющих мощные источники вибрации, а также для общего применения в промышленности при условии, что частота вибрации превышает 200 Гц | ||
_________________ | ||||||||
Таблица 2
Климатическое исполнение и категория изделий по ГОСТ 15150-69 | Температура среды | Повышенная относительная влажность | Атмосферное пониженное давление | |||||||
Повы- шенная рабочая темпе- ратура, °С | Повы- | Пони- жен- | Пони- | Верх- | Средне- | Степень жесткости по ГОСТ 20.57.406-81 | Рабо- | Пре- | ||
Значе- | Продол- житель- ность воздей- ствия в течение года, мес | |||||||||
УХЛ 4; УХЛ 4.2 | 55-200 | 60 (для всех испол- | 1 | -60 (для всех испол- | 80% при 25 °С и более низких темпе- | 65% | 12 | I | 70 (525) или 53,3 (400) | 19,4 (145) (для всех испол- |
УХЛ 1.1 | -10 | 98% при 25 °С и более низких темпе- | 80% | 2 | II | |||||
УХЛ 3; УХЛ 3.1; УХЛ 2.1 | 6 | III | ||||||||
УХЛ 1; УХЛ 2 | 100% при 25 °С и более низких темпе- | IV | ||||||||
УХЛ 5.1 | 98% при 25 °С и более низких темпе- | 90% при 20 °С | 12 | VI | ||||||
В4.2 | 1 | 98% при 35 °С и более низких темпе- | 80% при 27 °С | 3 | VII | |||||
В4; В3.1; Т3; Т3.1 | 70-200 | -10 | 12 | VIII | ||||||
В1.1; Т1.1 | 90% при 27 °С | 4 | XI | |||||||
В2.1; В5.1; Т2.1; Т5.1 | 12 | X | ||||||||
В1; Т1; В2; Т2; В5; Т5. | 100% при 35 °С и более низких темпе- | IX | ||||||||
УХЛ 4.1; В4.1; Т4.1 | Изделия должны соответствовать требованиям, установленным в зависимости от условий кондиционирования. | |||||||||
Примечания: | ||||||||||
Группы исполнения выбирают исходя из условий применения изделий, их физических свойств и конструктивных особенностей, а также достигнутого уровня стойкости изделий в части механических и климатических воздействий. При выборе групп исполнения следует стремиться к максимальной степени унификации и минимально возможному числу групп исполнения изделий каждого класса. Предпочтительной является разработка изделий по группе исполнения, к которой предъявляют наиболее жесткие требования. Конкретную группу исполнения изделий указывают в техническом задании (ТЗ), стандартах и технических условиях на изделия конкретных классов (групп, серий) и типов (далее — стандарты и ТУ на изделия).
3. Изделия, разработка которых по изложенным в настоящем стандарте требованиям по одному или нескольким ВВФ по техническим причинам невозможна или нецелесообразна, могут по согласованию с основным потребителем (далее — заказчиком) разрабатывать по менее жестким требованиям с учетом возможных мер индивидуальной или общей защиты в составе аппаратуры: амортизации, термостатирования, герметизации и т.п., при этом меры индивидуальной или общей защиты изделий в составе аппаратуры должны обеспечивать возможность применения изделий, разрабатываемые по пониженным требованиям.
4. Изделия, предназначенные для работы на открытом воздухе (категория 1 по ГОСТ 15150-69) и имеющие подвижные части, должны быть стойкими к динамическому воздействию пыли (песка) с частицами размером не более 200 мкм, перемещающихся со скоростью не более 15 м·с.
Для изделий остальных категорий по ГОСТ 15150-69, в том числе предназначенных для временной работы на открытом воздухе (категория 1.1 по ГОСТ 15150-69), требования предъявляют, если они указаны в ТЗ, стандартах и ТУ на изделия.
5. Изделия, которые при эксплуатации могут подвергаться непосредственному воздействию дождя, должны быть стойкими к воздействию дождя с интенсивностью: 300 мм·ч (5 мм·мин) для изделий с рабочим напряжением до 1000 В и 180 мм·ч (3 мм·мин) для изделий с рабочим напряжением свыше 1000 В.
6. Изделия, которые при эксплуатации могут подвергаться изменению температуры среды, должны быть стойкими к воздействию изменения температуры среды от пониженной рабочей температуры до повышенной рабочей температуры изделия, установленной в ТЗ, стандартах и ТУ на изделия.
7. Изделия категорий 1 и 2 по ГОСТ 15150-69 должны быть работоспособными при выпадении инея с последующим его оттаиванием (инея и росы). Изделия категорий 2.1, 3.1 и 3 по ГОСТ 15150-69 должны соответствовать этому требованию, если оно указано в ТЗ, стандартах и ТУ на изделия.
Требование настоящего пункта не распространяется на изделия в тропическом исполнении и на изделия внутреннего монтажа, предназначенные для герметичных блоков аппаратуры.
8. Изделия и (или) их составные части, которые могут при эксплуатации подвергаться непосредственному облучению солнцем, должны быть стойкими к воздействию солнечного излучения с верхним значением интегральной плотности теплового потока 1120 Вт·м, в том числе плотностью потока ультрафиолетовой части спектра 68 Вт·м.
9. Изделия исполнений В и Т должны быть стойкими к воздействию плесневых грибов. Требование не распространяется на изделия, предназначенные для работы в условиях категории 4.1 по ГОСТ 15150-69 или для герметичных блоков аппаратуры.
10. Изделия категорий 1 и 2 по ГОСТ 15150-69, предназначенные для эксплуатации на побережьях, должны быть стойкими к воздействию соляного тумана, если это требование установлено в ТЗ, стандартах и ТУ на изделия.
Требование не распространяется на изделия, предназначенные для герметичных блоков аппаратуры.
11. Изделия должны быть стойкими к воздействию повышенного давления воздуха или другого газа 147 кПа (1,5 кгс·см) или 294 кПа (3 кгс·см), если это установлено в ТЗ, стандартах и ТУ на изделия.
12. Изделия без амортизаторов и их составные части не должны иметь резонансных частот в диапазонах до 25, до 40 или до 100 Гц.
Конкретный диапазон частот, в котором должны отсутствовать резонансные частоты, указывают в ТЗ, стандартах и ТУ на изделия.
На изделия или их составные части, принцип действия которых основан на явлении механического резонанса, требования настоящего пункта не распространяют.
13. Выводы изделий, включая места их присоединения, должны выдерживать без механических повреждений воздействия:
растягивающей силы, направленной вдоль оси вывода, в соответствии с табл.3 для выводов, имеющих жесткую заделку, или в соответствии с требованиями ТЗ, стандартов и ТУ на изделия для выводов, не имеющих жесткой заделки;
изгибающей силы — для гибких лепестковых и проволочных выводов, если это установлено в ТЗ, стандартах и ТУ на изделие;
крутящего момента в соответствии с табл.4 для резьбовых выводов, которые служат для крепления изделий при эксплуатации или для присоединения внешних электрических цепей;
скручивания — для гибких одиночных одножильных осевых проволочных выводов диаметром от 0,3 до 1,2 мм.
Таблица 3
Площадь сечения вывода, мм | Диаметр проволочного вывода круглого сечения, мм | Растягивающая сила, Н (кгс) |
До 0,02 | До 0,16 | Устанавливают в ТЗ, стандартах и ТУ на изделия |
От 0,02 до 0,05 | От 0,16 до 0,25 | 1,0 (0,10) |
» 0,05 » 0,10 | » 0,25 » 0,35 | 2,5 (0,25) |
» 0,10 » 0,20 | » 0,35 » 0,50 | 5,0 (0,50) |
» 0,20 » 0,50 | » 0,50 » 0,80 | 10,0 (1,00) |
» 0,50 » 1,20 | » 0,80 » 1,25 | 20,0 (2,00) |
» 1,20 » 2,00 | » 1,25 » 1,60 | 40,0 (4,00) |
Св.2,00 | Св.1,60 | Требование не устанавливают |
Таблица 4
Диаметр резьбы вывода, мм | Крутящий момент, Н·м (кгс·м) |
До М2 | Устанавливают в ТЗ, стандартах и ТУ на изделия |
М2 | 0,15 (0,015) |
М2,5 | 0,40 (0,040) |
М3 | 0,50 (0,050) |
М4 | 1,20 (0,120) |
М5 | 2,00 (0,200) |
М6 | 2,50 (0,250) |
Св.М6 | Требование не устанавливают |
ПРИЛОЖЕНИЕ (обязательное). ПОРЯДОК ВВЕДЕНИЯ СТАНДАРТА В ДЕЙСТВИЕ
ПРИЛОЖЕНИЕ
Обязательное
1. Для вновь разрабатываемых стандартов, ТУ и изделий срок введения стандарта в действие устанавливается с 1 января 1984 года.
2. Для ранее разработанных стандартов, ТУ и изделий, находящихся в производстве, введение стандарта в действие осуществляется в период с 1 января 1984 года по 1 января 1987 года при плановом пересмотре (проверке) стандартов и ТУ на изделия.
Текст документа сверен по:
официальное издание
М.: Издательство стандартов, 1988
1 (интегральная) микросхема: Микроэлектронное изделие, состоящее из совокупности элементов (компонентов), электрически соединенных или не соединенных между собой в объеме и (или) на поверхности подложки (кристалла), и предназначенное для выполнения заданной функции. | integrated circuit |
2 элемент (микросхемы): Часть микросхемы, реализующая функцию какого-либо изделия электронной техники, которая выполнена нераздельно от кристалла и не может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации. Примечание — К изделиям электронной техники относят полупроводниковые приборы, резисторы, конденсаторы, микроустройства и др. | circuit element |
3 компонент (микросхемы): Часть гибридной микросхемы, реализующая заданную функцию какого-либо изделия электронной техники, которая может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации. Примечание — Компоненты могут содержать совокупность элементов или (и) микросхем в бескорпусном исполнении и др. | circuit component |
4 кристалл (полупроводниковой микросхемы): Часть полупроводниковой пластины, в объеме и (или) на поверхности которой сформированы элементы полупроводниковой микросхемы, межэлементные соединения и контактные площадки. | die; |
5 подложка (микросхемы): Несущая конструкция, в объеме или на поверхности которой формируют элементы, межэлементные и межкомпонентные соединения, контактные площадки и монтируют компоненты. | substrate |
6 пластина (микросхемы): Заготовка из полупроводникового материала, предназначенная для изготовления полупроводниковых микросхем. | wafer |
7 контактная площадка (микросхемы): Металлизированный участок на подложке или кристалле, основании корпуса, предназначенный для присоединения элементов и кристаллов к выводам микросхемы или для контроля электрических параметров. | bonding pad |
8 корпус (микросхемы): Совокупность сборочных единиц и (или) деталей, предназначенных для обеспечения защиты микросхемы от внешних воздействий, обеспечения теплопередачи, а также для организации электрических связей элементов и (или) компонентов с внешними электрическими цепями. | package; |
9 полупроводниковая микросхема: Микросхема, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в объеме и (или) на поверхности кристалла. | monolithic integrated circuit |
10 гибридная микросхема: Микросхема, содержащая компоненты или совокупность компонентов и элементов. | hybrid circuit |
11 многокристальный модуль: Гибридная микросхема, состоящая из двух или более полупроводниковых микросхем в бескорпусном исполнении, смонтированных в общий корпус. | multichip module |
12 пленочная микросхема: Микросхема, все элементы которой выполнены в виде пленок на поверхности подложки. | film integrated circuit |
13 аналоговая микросхема: Микросхема, предназначенная для преобразования и (или) обработки сигналов, изменяющихся по закону непрерывной или прерывистой функции. | linear integrated circuit |
14 цифровая микросхема: Микросхема, предназначенная для преобразования и (или) обработки сигналов, изменяющихся по закону дискретной функции. | digital integrated circuit |
15 бескорпусная микросхема: Микросхема, конструктивно выполненная в виде кристалла (или совокупности кристаллов, сформированных на пластине без разделения), с выводами или с контактными площадками, предназначенная для монтажа в корпус или другие сборочные единицы. | known good die |
16 базовый кристалл (микросхемы), БК: Часть полупроводниковой пластины с определенным набором сформированных электрически соединенных или несоединенных между собой элементов или стандартных ячеек, используемая для создания микросхем заданного функционального назначения путем изготовления межэлементных соединений. | |
17 базовый матричный кристалл (микросхемы), БМК: Базовый кристалл с регулярным расположением сформированных в нем элементов и (или) узлов. | gate array |
18 микросхема общего применения: Микросхема, разработанная для применения в различных видах радиоэлектронной аппаратуры. | |
19 специализированная микросхема: Микросхема, разработанная по конкретному заказу или разработанная потребителем для применения в конкретной радиоэлектронной аппаратуре. Примечание — Специализированные микросхемы разрабатывают, как правило, с участием потребителя. | Application Specific |
20 микросхема К-степени интеграции: Микросхема, содержащая от (1+10) до 10 элементов включительно. | |
21 степень интеграции (микросхемы): Показатель степени сложности микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов. Примечание — Степень интеграции полупроводниковой микросхемы определяют по формуле: К= IgN, N — число элементов микросхемы. | |
22 тип (микросхемы): Микросхема конкретного функционального назначения и определенного схемотехнического решения, имеющая индивидуальное условное обозначение и технические условия. | |
23 типономинал (микросхемы): Микросхема конкретного типа, отличающаяся от других микросхем того же типа значениями одного или нескольких параметров и (или) показателей стойкости к внешним воздействующим факторам. | |
24 серия (микросхем): Совокупность типов (типономиналов) микросхем, объединенных с учетом функционального назначения и (или) конструктивно-технологического подобия, изготавливаемых, как правило, в одном базовом технологическом процессе (процессах). | |
25 группа типов (микросхем): Совокупность типов (типономиналов) микросхем в пределах одной серии, объединенных признаками конструктивно-технологического подобия на уровне сборочных единиц, имеющих, как правило, идентичное функциональное назначение, конструктивное исполнение и состав электрических параметров. Примечание — Признаками конструктивно-технологического подобия на уровне сборочных единиц являются корпус одного типоразмера, материал и технология монтажа кристалла и др. | |
26 стандартная ячейка: Совокупность электрически соединенных элементов для реализации одной или нескольких самостоятельных функций. | standard cell |
27 вывод (микросхемы): Элемент конструкции корпуса или бескорпусной микросхемы, предназначенный для соединения с внешней электрической цепью. | terminal |
28 свободный вывод (микросхемы): Вывод микросхемы, не имеющий внутреннего соединения, который может использоваться в качестве опорной площадки для внешнего монтажа, не влияя на работу микросхемы. | blank terminal |
29 неиспользуемый вывод (микросхемы): Вывод микросхемы, который имеет электрическое соединение с контактной площадкой кристалла или подложки, но не используется в режиме применения, указанном в технических условиях. | non-usable terminal |
БК | 16 |
БМК | 17 |
вывод | 27 |
вывод микросхемы | 27 |
вывод микросхемы неиспользуемый | 29 |
вывод микросхемы свободный | 28 |
вывод неиспользуемый | 29 |
вывод свободный | 28 |
группа типов | 25 |
группа типов микросхем | 25 |
компонент | 3 |
компонент микросхемы | 3 |
корпус | 8 |
корпус микросхемы | 8 |
кристалл | 4 |
кристалл базовый | 16 |
кристалл базовый матричный | 17 |
кристалл микросхемы базовый | 16 |
кристалл микросхемы базовый матричный | 17 |
кристалл полупроводниковой микросхемы | 4 |
микросхема | 1 |
микросхема аналоговая | 13 |
микросхема бескорпусная | 15 |
микросхема гибридная | 10 |
микросхема интегральная | 1 |
микросхема К-степени интеграции | 20 |
микросхема общего применения | 18 |
микросхема пленочная | 12 |
микросхема полупроводниковая | 9 |
микросхема специализированная | 19 |
микросхема цифровая | 14 |
модуль многокристальный | 11 |
пластина | 6 |
пластина микросхемы | 6 |
площадка контактная | 7 |
площадка микросхемы контактная | 7 |
подложка | 5 |
подложка микросхемы | 5 |
серия | 24 |
серия микросхем | 24 |
степень интеграции | 21 |
степень интеграции микросхемы | 21 |
тип | 22 |
тип микросхемы | 22 |
типономинал | 23 |
типономинал микросхемы | 23 |
элемент | 2 |
элемент микросхемы | 2 |
ячейка стандартная | 26 |
Application Specific Integrated Circuit | 19 |
ASIC | 19 |
blank terminal | 28 |
bonding pad | 7 |
case | 8 |
circuit element | 2 |
circuit component | 3 |
chip | 4 |
die | 4 |
digital integrated circuit | 14 |
film integrated circuit | 12 |
gate array | 17 |
hybrid circuit | 10 |
integrated circuit | 1 |
known good die | 15 |
linear integrated circuit | 13 |
monolithic integrated circuit | 9 |
multichip module | 11 |
non-usable terminal | 29 |
package | 8 |
standard cell | 26 |
substrate | 5 |
terminal | 27 |
wafer | 6 |
УДК 621.38:006.354 | ОКС 31.200 |
Ключевые слова: микросхемы интегральные, термины, определения | |
ГОСТ Р 57435-2017 Микросхемы интегральные. Термины и определения
Текст ГОСТ Р 57435-2017 Микросхемы интегральные. Термины и определения
ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ТЕХНИЧЕСКОМУ РЕГУЛИРОВАНИЮ И МЕТРОЛОГИИ
НАЦИОНАЛЬНЫЙ
СТАНДАРТ
РОССИЙСКОЙ
ФЕДЕРАЦИИ
ГОСТР
57435—
2017
МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ
Термины и определения
Издание официальное
Москва
Стандартииформ
2017
ГОСТ Р 57435—2017
Предисловие
1 РАЗРАБОТАН Акционерным обществом «Российский научно-исследовательский институт «Элвктронстандарт» (АО «РНИИ «Элвктронстандарт»), Акционерным обществом «Центральное конструкторское бюро «Дейтон» (АО «ЦКБ «Дейтон»), Акционерным обществом «Научно-исследовательский институт микроэлектронной аппаратуры «Прогресс» (АО «НИИМА «Прогресс»)
2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 «Электронная компонентная база, материалы и оборудование»
3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 4 апреля 2017 г. № 248-ст
4 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ
Правила применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона от 29 июня 2015 г. No 162-ФЗ «О стандартизации в Российской Федерации». Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего года) информационном указателе «Национальные стандарты», а официальный текст изменений и поправок — в ежемесячном информационном указателе «Национальные стандарты». В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано в ближайшем выпуске информационного указателя «Национальные стандарты». Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего пользователя — на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет ()
© Стандартинформ. 2017
Настоящий стандарт не может быть полностью или частично воспроизведен, тиражирован и распространен в качестве официального издания без разрешения Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии
ГОСТ Р 57435—2017
Введение
Установленные в настоящем стандарте термины расположены в систематизированном порядке, отражающем систему понятий вобласти интегральных микросхем.
Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Заключенная в круглые скобки часть термина может быть опущена при его использовании. Часть термина вне круглых скобок образует его краткую форму. Краткая форма может быть также представлена аббревиатурой.
Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткие формы — светлым.
Наличие квадратных скобок в терминологической статье означает, что в нее включены два (три. четыре и т. л.) термина, имеющие общие терминоэлементы.
8 алфавитном указателе данные термины размещены отдельное указанием номера статьи.
8 стандарте приведены эквиваленты стандартизованных терминов на английском языке.
in
ГОСТ Р 57435—2017
НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ Термины и определения Integrated circuits, terms and definitions
Дата введения — 2017—08—01
1 Область применения
Настоящий стандарт устанавливает термины и определения основных понятий интегральных микросхем.
Термины, установленные настоящим стандартом, применяют во всех видах документации и лите* ратуры. входящих в сферу действия работ по стандартизации и (или) использующих результаты этих работ.
Настоящий стандарт предназначен для применения предприятиями, организациями и другими субъектами научной и хозяйственной деятельности независимо от форм собственности и подчинения, а также федеральными органами исполнительной власти Российской Федерации, участвующими в разработке. производстве и применении микросхем в соответствии с действующим законодательством.
2 Термины и определения
1 (интегральная) микросхема: Микроэлектронное изделие, состоящее из сово- integrated circuit купности элементов (компонентов), электрически соединенных или не соединен*
ных между собой в объеме и (или) на поверхности подложки (кристалла), и предназначенное для выполнения заданной функции.
2 элемент (микросхемы): Часть микросхемы, реализующая функцию какого* circuit element либо изделия электронной техники, которая выполнена нераэдельноот кристалла
и не может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации.
Примечание — К изделиям электронной техники относят полупроводниковые приборы. резисторы, конденсаторы, микроустройства и др.
3 компонент (микросхемы): Часть гибридной микросхемы, реализующая задан- circuit component кую функцию какого-либо изделия электронной техники, которая может бытьвыде-
лена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации.
Примечание — Компоненты могут содержать совокупность элементов или (и) микросхем в бескорлусном исполнении и др.
4 кристалл (полупроводниковой микросхемы): Часть полупроводниковой die; пластины, в объеме и (или) на поверхности которой сформированы элементы chip полупроводниковой микросхемы, межэлементные соединения и контактные площадки.
Издание официальное
1
ГОСТ Р 57435—2017
5 подложка (микросхемы): Несущая конструкция, в объеме или на поверхности которой формируют элементы, межэлементные и межкомпонентные соединения, контактные площадки и монтируют компоненты.
6 пластина (микросхемы): Заготовка из полупроводникового материала, пред* назначенная для изготовления полупроводниковых микросхем.
7 контактная площадка (микросхемы): Металлизированный участок на лодлож* ке или кристалле, основании корпуса, предназначенный для присоединения элементов и кристаллов к выводам микросхемы или для контроля электрических параметров.
8 корпус (микросхемы): Совокупность сборочных единиц и (или) деталей, пред* назначенных для обеспечения защиты микросхемы отвнешних воздействий, обес* печения теплопередачи, атакжедляорганизацииэлектрическихсвяэейэлементов и (или) компонентов с внешними электрическими цепями.
9 полупроводниковая микросхема: Микросхема, все элементы и межэле* ментные соединения которой выполнены в объеме и (или) на поверхности крис* тапла.
10 гибридная микросхема: Микросхема, содержащая компоненты или совокул* ность компонентов и элементов.
11 мкогокристальиый модуль: Гибридная микросхема, состоящая из двух или более полупроводниковых микросхем в бесхорпусном исполнении, смонтирован* ных в общий корпус.
12 пленочная микросхема: Микросхема, все элементы которой выполнены в виде пленок на поверхности подложки.
13 аналоговая микросхема: Микросхема, предназначенная для преобразоеа* ния и (или) обработки сигналов, изменяющихся по закону непрерывной или преры* вистойфункции.
14 цифровая микросхема: Микросхема, предназначенная для преобразования и (или) обработки сигналов, изменяющихся по закону дискретной функции.
15 бескорпусная микросхема: Микросхема, конструктивно выполненная в виде кристалла (или совокупности кристаллов, сформированных на пластине без раз* деления), с выводами или с контактными площадками, предназначенная для монтажа в корпус или другие сборочные единицы.
16 базовый кристалл (микросхемы), БК: Часть полупроводниковой пластины с определенным набором сформированных электрически соединенных или несое* диненных между собой элементов или стандартных ячеек, используемая для создания микросхем заданного функционального назначения путем изготовления межэлементных соединений.
17 базовый матричный кристалл (микросхемы). БМК: Базовый кристалл с регулярным расположением сформированных в нем элементов и (или) узлов.
18 микросхема общего применения: Микросхема, разработанная для примене* ния в различных видах радиоэлектронной аппаратуры.
19 специализированная микросхема: Микросхема, разработанная по конкрет* ному заказу или разработанная потребителем для применения в конкретной радиоэлектронной аппаратуре.
Примечание — Специализированные микросхемы разрабатывают, как правило, с участием потребителя.
20 микросхема К*степени интеграции: Микросхема, содержащая от (1 +10 к’’) до 10х элементов включительно.
21 степень интеграции (микросхемы): Показатель степени сложности микрос* хемы. характеризуемый числом содержащихся в ней элементов.
Примечание — Степень интеграции полупроводниковой микросхемы определяют по формуле: К * IgN.
где К— коэффициент, определяющий степень интеграции, значение которого округляют до ближайшего большего целого числе:
N — число элементов микросхемы.
substrate
wafer
bonding pad
package;
case
monolithic Integra* ted circuit
hybrid circuit
multichip module
film integrated circuit
linear integrated circuit
digital integrated circuit
known good die
gate array
Application Spec»* fic
Integrated Circuit: ASIC
2
ГОСТ Р 57435—2017
22 тип (микросхемы): Микросхема конкретного функционального назначения и определенного схемотехнического решения, имеющая индивидуальное условное обозначение и технические условия.
23 типономинал (микросхемы): Микросхема конкретного типа, отличающаяся от других микросхем того же типа значениями одного или нескольких параметров и (или) показателей стойкости к внешним воздействующим факторам.
24 серия (микросхем): Совокупность типов (типономималов) микросхем, объединенных с учетом функционального назначения и (или) конструктивно-технологического подобия, изготавливаемых, как правило, в одном базовом технологическом процессе (процессах).
25 группа типов (микросхем): Совокупность типов (типономиналов) микросхем в пределах одной серии, объединенных признаками конструктивно-технологического подобия на уровне сборочных единиц, имеющих, как правило, идентичное функциональное назначение, конструктивное исполнение и состав электрических параметров.
Примечание — Признаками конструктивно-технологического подобия на уровне сборочных единиц являются корпус одного типоразмере, материал и технология монтажа кристалла идр.
26 стандартная ячейка: Совокупность электрически соединенных элементов для реализации одной или нескольких самостоятельных функций.
27 вывод (микросхемы): Элемент конструкции корпуса или бескорпусной микросхемы. предназначенный для соединения с внешней электрической целью.
28 свободный вывод (микросхемы): Вывод микросхемы, не имеющий внутреннего соединения, который может использоваться в качестве опорной площадки для внешнего монтажа, не влияя на работу микросхемы.
29 неиспользуемый вывод (микросхемы): Вывод микросхемы, который имеет электрическое соединение сконтактной площадкой кристалла или подложки, ноне используется в режиме применения, указанном в технических условиях.
standard cell terminal blank terminal
non-usable terminal
3
ГОСТ Р 57435—2017
Алфавитный указатель терминов на русском языке
БК 16
БМК 17
ВЫВОД 27
вывод микросхемы 27
вывод микросхемы неиспользуемый 29
вывод микросхемы свободный 28
вывод неиспользуемый 29
вывод свободный 28
группа типов 25
группа типов микросхем 25
компонент 3
компонент микросхемы 3
корпус 8
корпус микросхемы 8
кристапл 4
кристалл базовый 16
кристалл базовый матричный 17
кристалл микросхемы базовый 16
кристалл микросхемы базовый матричный 17
кристалл полупроводниковой микросхемы 4
микросхема 1
микросхема аналоговая 13
микросхема бескорлусная 15
микросхема гибридная 10
микросхема интегральная 1
микросхема К-степени интеграции 20
микросхема общего применения 18
микросхема пленочная 12
микросхема полупроводниковая 9
микросхема специализированная 19
микросхема цифровая 14
модуль многокристальный 11
пластина 6
пластина микросхемы 6
площадка контактнее 7
площадка микросхемы контактная 7
подложка 5
подложка микросхемы 5
серия 24
серия микросхем 24
степень интеграции 21
степень интеграции микросхемы 21
тип 22
тип микросхемы 22
тилономинал 23
типономинал микросхемы 23
элемент 2
элемент микросхемы 2
ячейка стандартная 26
4
ГОСТ Р 57435—2017
Алфавитный указатель терминов на английском языке
|
Application Specific integrated Circuit |
19 |
|
ASIC |
19 |
|
blank terminal |
28 |
|
bonding pad |
7 |
|
case |
8 |
|
circuit element |
2 |
|
circuit component |
3 |
|
chip |
4 |
|
die |
4 |
|
digital integrated circuit |
14 |
|
film integrated circuit |
12 |
|
gate array |
17 |
|
hybrid circuit |
10 |
|
integrated circuit |
1 |
|
known good die |
15 |
|
linear integrated circuit |
13 |
|
monolithic integrated circuit |
9 |
|
multichip module |
11 |
|
non-usable terminal |
29 |
|
package |
8 |
|
standard celt |
26 |
|
substrate |
5 |
|
terminal |
27 |
|
water |
6 |
5
ГОСТ Р 57435—2017
УДК 621.38:006.354 ОКС31.200
Ключевые слова: микросхемы интегральные, термины, определения
6
БЗ 2—2017/25
Редактор Я. В. Кожеомояова Технический редактор в.Н. Прусакова Корректор ИЛ. Королева Компьютерная верстка И.Л. Налооколои
Сдано в набор 05.04.2017. Подписано в печать 24.04.2017. Формат 60 » 84 Гарнитура Ариал. Уел. печ. л. 1.40. Уч.-иад. л. 1.28. Тираж 46 экз. Зак. 664.
Подготовлено на основе электронной версии, предоставленной разработчиком стандарта
Издано и отпечатано во ФГУП «СТАНДАРТИНФОРМ». 12399S Москва. Гранатный пер.. 4. nt info^gostinfo ти
Рекомендации по хранению электронных компонентов
Разумеется, для таких случаев существуют давно разработанные и апробированные стандарты:
- JEDEC J-STD-020C — Классификация. влажности/оплавлению негерметичных приборов в твердом состоянии с монтажом на поверхность
- JEDEC J-STD-033C — Обращение, упаковка, транспортировка и использование компонентов для поверхностного монтажа, чувствительных к влаге при пайке методом оплавления
И лучшая рекомендация – просто соблюдать требования, прописанные в этих стандартах. Хотя не все, конечно, соблюдают должную осмотрительность в этих вопросах. Что может быть проще, чем не распаковывать заранее пришедшие в заводской упаковке компоненты без надобности? Пусть они остаются в таком состоянии, пока не пойдут в работу. Ну, и в любом случае, вы всегда сможете перепаковать их после вскрытия упаковки.
При этом особых условий – точного соблюдения относительной влажности и температуры в помещении для хранения не требуется. Достаточно общего представления – является ли эти внешние условия агрессивными или нет, будут ли они влиять в долгосрочной перспективе на паяемость компонентов.
Для переупаковки просто положите компоненты обратно и запечатайте их так, чтобы предотвратить взаимодействие с окружающей средой. Стандарт составляет 30 C, 60% относительной влажности. При условии, что в воздухе нет превышения уровня содержания серы, нет резких перепадов температуры и влажности, не обязательно даже полная герметичность. Достаточно, как было сказано, просто следить за изменениями условий хранения.
Долгосрочная паяемость любой детали определяется в первую очередь качеством обработки поверхности выводов. Если с ними все в порядке (с их покрытием), то они надежно защищены и могут храниться относительно долго.
Большая часть деталей сегодня имеют покрытие оловом поверх никеля. Убедитесь, что олово полностью покрывает все выводы, в противном случае у вас могут будут проблемы в долгосрочной перспективе, независимо от того, как вы храните эти компоненты.
По материалам с сайта www.circuitinsight.com
Больше о монтаже печатных плат:
Юрий СуркисГОСТы и стандарты по изготовлению печатных плат.
ANSI/J-STD-005 — Паяльные пасты. Технические условия
IPC J-STD-001D — Требования к пайке соединений в электрических и электронных блоках
IPC J-STD-003B — Испытания на паяемость печатных плат
IPC J-STD-004A — Требования к флюсам для пайки
IPC J-STD-006B Требования предъявляемые к припоям
IPC-2221A — Общий стандарт на проектирование печатных плат
IPC-7095A — Конструкция и внедрение процессов сборки с применением BGA
IPC-7095B — Проектирование и внедрение процессов сборки с применением BGA
IPC-7351A — Общие требования к технологии поверхностного монтажа и стандарту образцов контактных площадок
IPC-7525A — Руководящие указания по конструированию трафаретов
IPC-7711A/7721A — Руководство по ремонту и доработке печатных узлов
IPC-7711B/7721B — Доработка, модификация и ремонт электронных сборок
IPC-9201A — Руководство по поверхностному сопротивлению изоляции
IPC-9503 — Классификация чувствительности на наличие влажности для неинтегральных элементов
IPC-9701A — Методы испытания эксплуатационных характеристик и требования по проверке для паяных соединений поверхностного монтажа
IPC-A-600G — Критерии приемки печатных плат
IPC-A-610D — Критерии качества электронных сборок
IPC-CH-65A — Руководство по очистке печатных плат и компоновочных узлов
IPC-HDBK-005 — Руководство по оценке паяльной пасты
IPC-HDBK-830 — Руководство по разработке, выбору и нанесению конформных покрытий
IPC-SM-785 — Руководящие указания по ускоренным методам испытаний на надежность паяных соединений
IPC-SM-839 — Инструкция по очистке до и после нанесения припоя с помощью трафарета
IPC-TR-583 — Глубокий анализ испытаний на ионную чистоту
IPC/ECA J-STD-002C — Методы оценки паяемости выводов компонентов, контактов, проушин, клемм и проводов
IPC/JEDEC J-STD-020C — Классификация по уровню чувствительности к влажности/оплавлению негерметичных приборов в твердом состоянии с монтажом на поверхность
IPC/JEDEC J-STD-033B.1 — Обращение, упаковка, транспортировка и использование компонентов для поверхностного монтажа, чувствительных к влаге и пайке методом оплавления
IPC/JEDEC J-STD-609 — Маркировка и этикетирование компонентов, плат и сборок на печатных платах для идентификации наличия или отсутствия свинца и других характеристик
IPC/WHMA-A-650 — Требования и критерии приемки для кабелей и монтажных жгутов в электронных сборках
IPC-TM-650 (2.2.14) — Руководство по проведению испытаний. Гранулометрический состав порошкового припоя-метод сетчатого фильтра для типов 1-4
IPC-TM-650 (2.2.14.1) — Руководство по проведению испытаний. Гранулометрический состав порошкового припоя-метод с использованием измерительного микроскопа
IPC-TM-650 (2.2.14.2) — Руководство по проведению испытаний. Гранулометрический состав порошкового припоя-метод с использованием оптического анализатора изображений
IPC-TM-650 (2.2.20) — Руководство по проведению испытаний. Определение содержания металла в паяльной пасте по весу
IPC-TM-650 (2.3.13) — Методы определения кислотного числа флюса
IPC-TM-650 (2.3.28.1) — Руководство по испытательным методам. Методы определения содержания галогенидов в паяльных флюсах и пастах
IPC-TM-650 (2.3.32) — Руководство по проведению испытаний. Испытания флюса на коррозийную активность (реакция медного зеркала)
IPC-TM-650 (2.3.33) — Руководство по проведению испытаний. Наличие галогенидов во флюсе, метод с применением хромата серебра
IPC-TM-650 (2.3.34) — Метод содержания остаточных твердых веществ
IPC-TM-650 (2.3.35) — Руководство по испытательным методам. Методы определения содержания галогенидов, концентраций хлоридов и бромидов
IPC-TM-650 (2.3.35.1) — Руководство по испытательным методам. Испытания флюсов методом пятна на фтористые соединения, количественный способ
IPC-TM-650 (2.4.34) — Руководство по проведению испытаний. Вязкость паяльной пасты – Метод Т образного шпинделя (применимо для 300 000 – 1 600 000 спз)
IPC-TM-650 (2.4.34.2) — Руководство по испытательным методам. Вязкость паяльных паст – метод спирального насоса (применяется при вязкости 300 000 – 1 600 000 спз)
IPC-TM-650 (2.4.34.3) — Руководство по испытательным методам. Вязкость паяльных паст – метод спирального насоса (применяется при вязкости менее 300 000 спз)
IPC-TM-650 (2.4.34.4) — Методы определения вязкости пастообразного флюса
IPC-TM-650 (2.4.35) — Руководство по испытательным методам. Паяльная паста – определение усадки
IPC-TM-650 (2.4.43) — Руководство по проведению испытаний. Паяльная паста – испытание на образование шариковых выводов
IPC-TM-650 (2.4.44) — Руководство по проведению испытаний. Паяльная паста – испытание на липкость
IPC-TM-650 (2.4.45) — Руководство по испытательным методам. Паяльная паста – определение смачиваемости
IPC-TM-650 (2.4.46) — Метод испытания на активное распространение флюсов и паяльных паст
IPC-TM-650 (2.6.1) — Руководство по испытательным методам. Метод испытания на плеснестойкость
IPC-TM-650 (2.6.14.1) — Руководство по испытательным методам. Метод испытания на электрохимическую миграцию
IPC-TM-650 (2.6.15) — Руководство по испытательным методам. Методы определения проникающих коррозионных свойств флюса
IPC-TM-650 (2.6.3.3) — Руководство по испытательным методам. Метод испытания на сопротивление поверхностной изоляции флюса
