Маркировка SMD транзисторов
Обозначениена корпусе |
Типтранзистора |
Аналог(условный) |
|
15 |
MMBT3960 |
2N3960 |
|
1A |
BC846A |
BC546A |
|
1B |
BC846B |
BC546B |
|
1C |
MMBTA20 |
MPSA20 |
|
1D |
BC846 |
— |
|
1E |
BC847A |
BC547A |
|
1F |
BC847B |
BC547B |
|
1G |
BC847C |
BC547C |
|
1H |
BC847 |
— |
|
1J |
BC848A |
BC548A |
|
|
BC848B |
BC548B |
|
1L |
BC848C |
BC548C |
|
1M |
BC848 |
— |
|
1P |
FMMT2222A |
2N2222A |
|
1T |
MMBT3960A |
2N3960A |
|
1X |
MMBT930 |
— |
|
1Y |
MMBT3903 |
2N3903 |
|
2A |
FMMT3906 |
2N3906 |
|
2B |
BC849B |
BC549B |
|
2C |
BC849C |
BC549C / BC109C / MMBTA70 |
|
2E |
FMMTA93 |
— |
|
2F |
BC850B |
BC550B |
|
2G |
BC850C |
BC550C |
|
2J |
MMBT3640 |
2N3640 |
|
2K |
MMBT8598 |
— |
|
2M |
MMBT404 |
— |
|
2N |
MMBT404A |
— |
|
2T |
MMBT4403 |
2N4403 |
|
2W |
MMBT8599 |
— |
|
2X |
MMBT4401 |
2N4401 |
|
3A |
BC856A |
BC556A |
|
3B |
BC856B |
BC556B |
|
3D |
BC856 |
— |
|
3E |
BC857A |
BC557A |
|
3F |
BC857B |
BC557B |
|
3G |
BC857C |
BC557C |
|
3J |
BC858A |
BC558A |
|
3K |
BC858B |
BC558B |
|
3L |
BC858C |
BC558C |
|
3S |
MMBT5551 |
— |
|
449 |
FMMT449 |
— |
|
489 |
FMMT489 |
— |
|
491 |
FMMT491 |
— |
|
493 |
FMMT493 |
— |
|
4A |
BC859A |
|
|
4B |
BC859B |
BC559B |
|
4C |
BC859C |
BC559C |
|
4E |
BC860A |
BC560A |
|
4F |
BC860B |
BC560B |
|
4G |
BC860C |
BC560C |
|
4J |
FMMT38A |
— |
|
549 |
FMMT549 |
— |
|
589 |
FMMT589 |
— |
|
591 |
FMMT591 |
— |
|
593 |
FMMT593 |
— |
|
5A |
BC807-16 |
BC327-16 |
5B |
BC807-25 |
BC327-25 |
|
5C |
BC807-40 |
BC327-40 |
|
5E |
BC808-16 |
BC328-16 |
|
5F |
BC808-25 |
BC328-25 |
|
5G |
BC808-40 |
BC328-40 |
|
6A |
BC817-16 |
|
|
6B |
BC817-25 |
BC337-25 |
|
6C |
BC817-40 |
BC337-40 |
|
6E |
BC818-16 |
BC338-16 |
|
6F |
BC818-25 |
BC338-25 |
|
6G |
BC818-40 |
BC338-40 |
|
9 |
BC849BLT1 |
— |
|
AA |
BCW60A |
BC636 / BCW60A |
|
AB |
BCW60B |
— |
|
AC |
BCW60C |
BC548B |
|
AD |
BCW60D |
— |
|
AE |
BCX52 |
— |
|
AG |
|
— |
|
AH |
BCX70H |
— |
|
AJ |
BCX70J |
— |
|
AK |
BCX70K |
— |
|
AL |
MMBTA55 |
— |
|
AM |
BSS64 |
2N3638 |
|
AS1 |
BST50 |
BSR50 |
|
B2 |
BSV52 |
2N2369A |
|
BA |
BCW61A |
BC635 |
|
BB |
BCW61B |
— |
|
BC |
BCW61C |
— |
|
BD |
BCW61D |
— |
|
BE |
BCX55 |
— |
|
BG |
BCX71G |
— |
|
BH |
BCX71H |
BC639 |
|
BJ |
BCX71J |
— |
|
BK |
BCX71K |
— |
|
BN |
MMBT3638A |
2N3638A |
|
BR2 |
BSR31 |
2N4031 |
|
C1 |
BCW29 |
— |
|
C2 |
BCW30 |
BC178B / BC558B |
|
C5 |
MMBA811C5 |
— |
|
C6 |
MMBA811C6 |
— |
|
C7 |
BCF29 |
— |
|
C8 |
BCF30 |
— |
|
CE |
BSS79B |
— |
|
CEC |
BC869 |
BC369 |
|
CF |
BSS79C |
— |
|
CH |
BSS82B / BSS80B |
— |
|
CJ |
BSS80C |
— |
|
CM |
BSS82C |
— |
|
D1 |
BCW31 |
BC108A / BC548A |
|
D2 |
BCW32 |
BC108A / BC548A |
|
D3 |
BCW33 |
BC108C / BC548C |
|
D6 |
MMBC1622D6 |
— |
|
D7 |
BCF32 |
— |
|
D8 |
BCF33 |
BC549C / BCY58 / MMBC1622D8 |
|
DA |
BCW67A |
— |
|
DB |
BCW67B |
— |
|
DC |
BCW67C |
— |
|
DE |
BFN18 |
— |
|
DF |
BCW68F |
— |
|
DG |
BCW68G |
— |
|
DH |
BCW68H |
— |
|
E1 |
BFS17 |
BFY90 / BFW92 |
|
EA |
BCW65A |
— |
|
EB |
BCW65B |
— |
|
EC |
BCW65C |
— |
|
ED |
BCW65C |
— |
|
EF |
BCW66F |
— |
|
EG |
BCW66G |
— |
|
EH |
BCW66H |
— |
|
F1 |
MMBC1009F1 |
— |
|
F3 |
MMBC1009F3 |
— |
|
FA |
BFQ17 |
BFW16A |
|
FD |
BCV26 |
MPSA64 |
|
FE |
BCV46 |
MPSA77 |
|
FF |
BCV27 |
MPSA14 |
|
FG |
BCV47 |
MPSA27 |
|
GF |
BFR92P |
— |
|
h2 |
BCW69 |
— |
|
h3 |
BCW70 |
BC557B |
|
h4 |
BCW89 |
— |
|
H7 |
BCF70 |
— |
|
K1 |
BCW71 |
BC547A |
|
K2 |
BCW72 |
BC547B |
|
K3 |
BCW81 |
— |
|
K4 |
BCW71R |
— |
|
K7 |
BCV71 |
— |
|
K8 |
BCV72 |
— |
|
K9 |
BCF81 |
— |
|
L1 |
BSS65 |
— |
|
L2 |
BSS70 |
— |
|
L3 |
MMBC1323L3 |
— |
|
L4 |
MMBC1623L4 |
— |
|
L5 |
MMBC1623L5 |
— |
|
L6 |
MMBC1623L6 |
— |
|
L7 |
MMBC1623L7 |
— |
|
M3 |
MMBA812M3 |
— |
|
M4 |
MMBA812M4 |
— |
|
M5 |
MMBA812M5 |
— |
|
M6 |
BSR58 / MMBA812M6 |
2N4858 |
|
M7 |
MMBA812M7 |
— |
|
O2 |
BST82 |
— |
|
P1 |
BFR92 |
BFR90 |
|
P2 |
BFR92A |
BFR90 |
|
P5 |
FMMT2369A |
2N2369A |
|
Q3 |
MMBC1321Q3 |
— |
|
Q4 |
MMBC1321Q4 |
— |
|
Q5 |
MMBC1321Q5 |
— |
|
R1 |
BFR93 |
BFR91 |
|
R2 |
BFR93A |
BFR91 |
|
S1A |
SMBT3904 |
— |
|
S1D |
SMBTA42 |
— |
|
S2 |
MMBA813S2 |
— |
|
S2A |
SMBT3906 |
— |
|
S2D |
SMBTA92 |
— |
|
S2F |
SMBT2907A |
— |
|
S3 |
MMBA813S3 |
— |
|
S4 |
MMBA813S4 |
— |
|
T1 |
BCX17 |
BC327 |
|
T2 |
BCX18 |
— |
|
T7 |
BSR15 |
2N2907A |
|
T8 |
BSR16 |
2N2907A |
|
U1 |
BCX19 |
BC337 |
|
U2 |
BCX20 |
— |
|
U7 |
BSR13 |
2N2222A |
|
U8 |
BSR14 |
2N2222A |
|
U9 |
BSR17 |
— |
|
U92 |
BSR17A |
2N3904 |
|
Z2V |
FMMTA64 |
— |
|
ZD |
MMBT4125 |
2N4125 |
Предыдущая запись
Градуировка НС Сплав НК-СА
Следующая запись
Диод 1N4148 1N4448 импульсный малосигнальный диод
Вам также могут понравиться
ЖДМ, 2015, № 05
Статья в открытом доступеВысокоскоростная линия в Саудовской Аравии
Существенные задержки, возникшие в ходе строительства в Саудовской Аравии высокоскоростной железной дороги Haramain, связывающей города, где расположены святыни мусульманской религии, потребовали от подрядчиков и поставщиков оборудования принятия действенных мер по соблюдению согласованных с заказчиком сроков пуска в эксплуатацию.
Проблемы региональных сообщений в Испании
Наряду с поездами сообщений Avant вклад в региональные перевозки в Испании вносят и высокоскоростные поезда AVE, в которых резервируется определенное число мест для пассажиров, следующих на относительно небольшие расстояния.
Купить статьюСтатья журнала доступна на площадках:
Стратегия устойчивого развития в проекте Crossrail
Реализуемый в настоящее время в Лондоне проект Crossrail является показательным примером внедрения в практику управления железнодорожными программами положений национальной стратегии устойчивого развития и концепции социальной и экологической ответственности.
Купить статьюСтатья журнала доступна на площадках:
Конкурентоспособность железнодорожных грузовых перевозок
В последние годы в Австрии, как и во всем мире, при оценке доли железных дорог в грузовых перевозках все больше увеличивается разрыв между реальным соотношением долей всех видов транспорта и декларируемым с политических позиций их распределением не в пользу железных дорог.
Для исправления этой ситуации требуются эффективные контрмеры.
Статья журнала доступна на площадках:
Концессии в Нидерландах
В середине декабря 2014 г. министерство инфраструктуры и окружающей среды подписало два новых концессионных соглашения: первое — с компанией Prorail на управление железнодорожной инфраструктурой Нидерландов, второе — с железными дорогами Нидерландов (NS) на выполнение пассажирских перевозок на основных линиях сети. Оба договора стали результатом продолжавшихся несколько лет дебатов как в политических кругах, так и на уровне властных структур.
Купить статьюСтатья журнала доступна на площадках:
Инновационный курс железных дорог
Возрастающие требования общества к уровню технического развития и экологической составляющей побуждают Японский исследовательский институт железнодорожной техники (RTRI) к интенсификации и углублению исследований в области технологий рельсового транспорта.
Результатом должны стать новые, более безопасные и комфортабельные поезда.
Статья журнала доступна на площадках:
Беспроводной трамвай: обзор технологий
Трамваи, которые могут работать без использования воздушной контактной сети, все чаще встречаются в городах разных стран мира. Для обеспечения возможности автономного движения вагонов трамвая применяются различные технические решения, в том числе подвод энергии по наземным проводам и ее индуктивная передача, установка на подвижном составе накопителей энергии на основе суперконденсаторов и аккумуляторных батарей.
Купить статьюСтатья журнала доступна на площадках:
Поезда Pendolino в Польше
В декабре 2014 г.
польская компания-оператор междугородных сообщений PKP Intercity начала регулярную эксплуатацию 20 электропоездов Pendolino с вагонами, не оборудованными системой наклона кузова, в сообщениях Express Intercity Premium. Поезда развивают скорость до 200 км/ч. Техническое обслуживание новых поездов обеспечивает их изготовитель — компания Alstom.
Статья журнала доступна на площадках:
Совместимость подвижного состава и электронных датчиков колес
В Германии процесс ввода в эксплуатацию двухэтажных высокоскоростных поездов TGV 2N2 осложняется внесением ими нарушений в работу некоторых элементов оборудования инфраструктуры. Возникающие нарушения связаны с воздействием на электронную аппаратуру (датчики колес в системах счета осей) высших гармонических, генерируемых тяговыми и вспомогательными преобразователями на IGBT-транзисторах, которыми оборудованы поезда.
Статья журнала доступна на площадках:
МПЦ EBI Lock с крупными сетями на уровне объектных контроллеров
Как и в других областях, связанных с критически важными инфраструктурными объектами, в сфере управления и обеспечения безопасности движения поездов наблюдается устойчивая тенденция к применению стандартных средств передачи информации. Подобные технические решения дают значительную экономию при строительстве и техническом обслуживании, однако развитие традиционных сетей с использованием протокола IP идет в разрез с требованиями, предъявляемыми к системам СЦБ, что влечет за собой потребность в поиске приемлемых подходов к их использованию для решения поставленных задач, особенно в условиях масштабирования систем централизации.
Купить статьюСтатья журнала доступна на площадках:
Прогрессивные системы взвешивания вагонов
Применение систем динамического взвешивания вагонов не только позволяет облегчить работу коммерческих работников, но и играет важную роль с точки зрения обеспечения безопасности движения.
Статья журнала доступна на площадках:
Электрификация грузовых коридоров по системе 2×25 кВ в Индии
В Индии строятся два железнодорожных коридора, предназначенных для движения тяжеловесных углевозных и контейнерных поездов. Планируется электрифицировать их на переменном токе по системе 2×25 кВ.
Купить статьюСтатья журнала доступна на площадках:
Затраты жизненного цикла в стратегии управления активами
Использование высококачественных материалов и конструкционных компонентов, постоянный контроль за состоянием с оценкой эффективности и корректировкой применяемого регламента текущего содержания — основные факторы, обеспечивающие высокое качество и надежность железнодорожного пути с приемлемыми финансовыми затратами.
Статья журнала доступна на площадках:
Выявление изношенных рельсов
В Центре испытаний транспортной техники и технологий (TTCI, США) создана система, позволяющая повысить точность мониторинга параметров контакта колесо — рельс и раннего выявления дефектов.
Купить статьюСтатья журнала доступна на площадках:
Испытания пути в Готардском тоннеле
Завершение укладки пути в Готардском базисном тоннеле является свидетельством развития разработок перспективных безбалластных конструкций пути с низким уровнем вибрации (LVT), ведущихся в Швейцарии более полувека.
Купить статьюСтатья журнала доступна на площадках:
|
|
a%20magnetron%20generates%20microwave%20power — с русского на все языки
Все языкиРусскийАнглийскийИспанский────────Айнский языкАканАлбанскийАлтайскийАрабскийАрагонскийАрмянскийАрумынскийАстурийскийАфрикаансБагобоБаскскийБашкирскийБелорусскийБолгарскийБурятскийВаллийскийВарайскийВенгерскийВепсскийВерхнелужицкийВьетнамскийГаитянскийГреческийГрузинскийГуараниГэльскийДатскийДолганскийДревнерусский языкИвритИдишИнгушскийИндонезийскийИнупиакИрландскийИсландскийИтальянскийЙорубаКазахскийКарачаевскийКаталанскийКвеньяКечуаКиргизскийКитайскийКлингонскийКомиКомиКорейскийКриКрымскотатарскийКумыкскийКурдскийКхмерскийЛатинскийЛатышскийЛингалаЛитовскийЛюксембургскийМайяМакедонскийМалайскийМаньчжурскийМаориМарийскийМикенскийМокшанскийМонгольскийНауатльНемецкийНидерландскийНогайскийНорвежскийОрокскийОсетинскийОсманскийПалиПапьяментоПенджабскийПерсидскийПольскийПортугальскийРумынский, МолдавскийСанскритСеверносаамскийСербскийСефардскийСилезскийСловацкийСловенскийСуахилиТагальскийТаджикскийТайскийТатарскийТвиТибетскийТофаларскийТувинскийТурецкийТуркменскийУдмуртскийУзбекскийУйгурскийУкраинскийУрдуУрумскийФарерскийФинскийФранцузскийХиндиХорватскийЦерковнославянский (Старославянский)ЧеркесскийЧерокиЧеченскийЧешскийЧувашскийШайенскогоШведскийШорскийШумерскийЭвенкийскийЭльзасскийЭрзянскийЭсперантоЭстонскийЮпийскийЯкутскийЯпонский
Все языкиРусскийАнглийскийИспанский────────АлтайскийАрабскийАрмянскийБаскскийБашкирскийБелорусскийВенгерскийВепсскийВодскийГреческийДатскийИвритИдишИжорскийИнгушскийИндонезийскийИсландскийИтальянскийКазахскийКарачаевскийКитайскийКорейскийКрымскотатарскийКумыкскийЛатинскийЛатышскийЛитовскийМарийскийМокшанскийМонгольскийНемецкийНидерландскийНорвежскийОсетинскийПерсидскийПольскийПортугальскийСловацкийСловенскийСуахилиТаджикскийТайскийТатарскийТурецкийТуркменскийУдмуртскийУзбекскийУйгурскийУкраинскийУрумскийФинскийФранцузскийЦерковнославянский (Старославянский)ЧеченскийЧешскийЧувашскийШведскийШорскийЭвенкийскийЭрзянскийЭсперантоЭстонскийЯкутскийЯпонский
(PDF) Оптимизация цикла нагрузки транзистора во временной области на полупроводниковой пластине с помощью нового тюнера Multi-Harmonic MPT.
кабели. Следовательно, можно наблюдать электромагнитное излучение между двумя волновыми зондами
. Эта проблема требует конструкции щита
и умного управления землей.
Алгоритм калибровки LSNA прекрасно работает с коэффициентом направленности
всего лишь 15 дБ, но главное преимущество соединителей пробников wave
заключается в коротком пути между ИУ и пробоотборными головками
LSNA.Как прямое следствие,
ТУ получаются наилучшие сведения о поведении ИУ (особенно о гармонических компонентах, являющихся результатом нелинейности ИУ), и
калибровку LSNA не нужно корректировать, когда механические тюнеры взолнованный.
B. ТЮНЕР «MPT»
Новый тюнер iMPT 1818 (от 1,8 до 18 ГГц) от Focus
Microwa
ves был представлен в январе 2007 г. [7].Это
очень новое и впечатляющее оборудование использует 9 шаговых двигателей
и мощное управляющее программное обеспечение для достижения практически любой комбинации комплексных импедансов F0, 2F0, 3F0
в своем частотном диапазоне.
Доступно несколько режимов работы
, в том числе очень плавный режим с
вертикальными движениями заготовок для безвибрационных измерений на пластине
.
C. ПОЛНАЯ УСТАНОВКА
Основной единицей измерения РЧ является LSNA.Это оборудование
было представлено 10 лет назад и неоднократно описывалось
[8]. Ключевым моментом, на который следует обратить внимание, является то, что комбинация
, состоящая из установки на пластине, LSNA в сочетании с волновыми преобразователями
и тюнера iMPT, позволяет проводить электрические исследования ИУ
практически любого типа. На входе устройства установлен классический основной тюнер
, а усилитель бегущей волны
помогает источнику ВЧ подавать ВЧ мощность в ИУ
.Упрощенная установка описана на рис. 1, а на рис. 2 предложено 2
фотографий.
III. M
EASUREMENTS
R
RESULTS
Результаты измерений получены на GaN HEMT
производства Daimler-Chrysler, изготовленном в 2003 г.
, ширина прибора
12*100 мкм. Основная частота f0=2,4 ГГц, калибровка
LSNA учитывает гармонические составляющие от
до 19.2 ГГц. На протяжении всей этой статьи точкой смещения является Vgs0=-
3,4 В, Vds0 = 22 В, а ток стока близок к 220 мА (он
незначительно меняется в зависимости от уровня ВЧ и при соответствующих условиях
, он был измерен каждый раз для точного вычисления PAE
). Калибровка LSNA выполняется на плоскостях датчика RF
. Импеданс источника установлен на 50 Ом (отсутствие настройки
вообще) для уменьшения нестабильности [9].По той же причине мы рассмотрели только области нагрузки на диаграмме Смита
, которые индуцируют положительную действительную часть входного сопротивления слабого сигнального устройства
.
На рис. 3 представлен набор выходных характеристик во временной области
в плане Vd/Id устройства в дополнение к наклонам Vds и Id во временной области
. График 3)a предлагает линию нагрузки
, когда только согласование F0 оптимизировано для выходной мощности.
Можно заметить, что устройство работает в нелинейном режиме.
Достигнутый PAE составляет 50,6%.
На графике 3)b на рис.3 показаны улучшения при поиске оптимума
с полным сопротивлением нагрузки F0 и 2F0,
нагрузка 3F0 очень близка к 50 Ом. График 3)c представляет
тот же результат, когда были оптимизированы только F0 и 3F0.
Наконец, график 3)d предлагает полную оптимизацию импедансов нагрузки F0, 2F0
и 3F0.С обеими гармоническими оптимизациями
на рис. 3)d было достигнуто значение PAE, близкое к 60%, при скачке напряжения на стоке
до 40 Вольт. Чрезвычайно
интересно отметить, что оптимизация только с одной
гармонической нагрузкой (2F0 или 3F0) дала почти такой же результат в терминах
PAE (53,2%) для этого транзистора, но при более внимательном рассмотрении
Линии нагрузки показывают гораздо более опасный наклон до 48 Вольт
с оптимизацией гармоник 2F0.Эта информация имеет
большое значение для долговременной надежности прибора: каждый цикл RF
перегружает ИУ в зоне пробоя.
На рис.4)а и 4)б показаны 2 точки настройки с одинаковой выходной мощностью
(28,8 дБм), примерно одинаковым коэффициентом усиления (13,9,
15,3 дБ), примерно одинаковым PAE (18,9%, 20,0 %).
Без наклонов во временной области невозможно решить, какая
точка является лучшей.Но при рассмотрении наклона Vds
4) наклон гораздо более опасен для устройства, так как он уходит глубже в области высокого Vds.
IV. C
ONCLUSION AND
P
ERSPECTIVES
Наша установка выходит на новый уровень в технологиях load-pull. Его
новые возможности чрезвычайно полезны для многих тестов и
проверок: тестирование возможностей устройства, тестирование
соответствия надежности по сравнению с перегрузкой или несоответствием, тестирование
нелинейных моделей, оптимизация нагрузки для эффективности в сочетании
с надежность…
Теперь мы планируем использовать эту установку в импульсном режиме.
Импульсный режим
LSNA [10], совместимый и синхронизированный
с нашей системой постоянного/импульсного смещения, является ключевым моментом для глубоких
исследований небезопасных рабочих областей транзисторов.
Комбинируя импульсный режим LSNA и все представленные здесь установки
, мы сможем наблюдать несколько
экстремальных циклов нагрузки транзисторов до их разрушения. Эта работа
будет иметь большое значение для разработки более надежных усилителей мощности
.Имейте в виду, что измерения импульсных
нагрузочных характеристик чрезвычайно трудно выполнить с активными контурами настройки по очевидным причинам стабильности, поэтому для таких исследований обязательно наличие многогармонических пассивных
тюнеров с высокой гаммой, таких как новый MPT.
Счетчик импульсов учета MPT-2
Типичные приложения включают в себя интерфейсы между приборами учета коммунальных услуг и системами управления энергопотреблением, принадлежащими клиентам, приложениями для регистрации потребления и интерфейсами систем диспетчерского управления (SCADA).
Сумматор импульсов MPT-2 можно также использовать в качестве преобразователя значений импульсов, если необходимо преобразовать нечетные значения импульсов, такие как 0,1234 кВтч/импульс, в четные значения, 0,5000 кВтч/импульс. Ввод импульсного сигнала в MPT-2 осуществляется двумя наборами выводов «Y» и «Z» с общим выводом «K».
MPT-2 подает считываемое напряжение +13 В постоянного тока на два контакта источника передачи, обычно на два метра. Входы MPT-2 имеют другое взвешенное значение из четырех цифр, которое можно установить в диапазоне от 0000 до 9999.Настройка выходного значения представляет собой шестизначное число от 000000 до 999999. И входное, и выходное значения могут быть установлены на месте без использования каких-либо внешних устройств. Кроме того, минимальное время между выходными импульсами может быть установлено с шагом 10 миллисекунд в диапазоне от 20 миллисекунд до 1000 миллисекунд.
ЖК-дисплей, встроенный в блок, отображает состояние каждого из входов и выходов в виде Y или Z, когда он не используется для настройки значений множителя импульсов.
В программном обеспечении все входы сначала проверяются на правильную последовательность, а затем минимальное время продолжительности замыкания контакта, чтобы гарантировать максимальное подавление шума. Вывод «К» выхода MPT-2 защищен предохранителем, чтобы предотвратить повреждение реле практически при любых условиях, которые может вызвать пользователь, таких как чрезмерный ток, неправильное подключение и т. д.
MPT-2 имеет встроенную защиту от переходных процессов MOV для контактов твердотельного реле, что устраняет необходимость во внешних или внешних ограничителях переходных процессов.Все составные части MPT-2, на которые подается питание, за исключением входной/выходной клеммной колодки, для максимальной защиты заключены в кожух из поликарбоната. Монтажная пластина также изготовлена из поликарбоната и обеспечивает превосходную электрическую изоляцию.
| Электрика | |
|---|---|
| Потребляемая мощность: | 120 В переменного тока, 208–277 В переменного тока. Нагрузка: 10 мА при 120 В переменного тока |
| Входной сигнал: |
Два 3-проводных входа формы C.Клемма «К» — общий возврат от счетчика; Клеммы «Y» и «Z» подтянуты до чувствительного напряжения +13 В постоянного тока. Совместим с механическими, электромеханическими или полупроводниковыми выходами с сухими контактами (например, транзистор с открытым разъемом или транзистор MOSFET). |
| Выход: | Один сухой контакт формы C (K, Y и Z) для импульсов энергии. Заводской предохранитель на 1/2 ампера с предохранителями 3AG. Два набора сухих контактов формы C (K, Y и Z) для импульсов энергии номиналом 100 мА при 240 В переменного тока, среднеквадратичное значение, 400 В пик.Заводской предохранитель на 1/10 А с предохранителями 3AG. |
| Контактное сопротивление: |
25 Ом максимум, 18 тип. |
| Сопротивление изоляции: |
50 МОм тип. |
| Время срабатывания и отпускания: | 1–2 миллисекунды, тип. |
| Входное/выходное напряжение изоляции: |
2500 В среднекв. |
| Механический | |
|---|---|
| Крепление: | Любая позиция |
| Размер: | 3.Ширина 50 дюймов, высота 7,20 дюйма, глубина 1,50 дюйма |
| Вес: | 13 унций |
| Температура | |
|---|---|
| Диапазон температур: | от -38°C до +70°C, от -38,4°F до +158°F |
| Влажность: | от 0 до 98 % без конденсации |
| Доступные опции | |
|---|---|
| Входное напряжение: |
Свяжитесь с заводом. |
Все технические характеристики могут быть изменены без предварительного уведомления.
Проверка коэффициента усиления транзистора по постоянному току (hFE) в моей лаборатории — биофизическая лаборатория
hFE означает « H гибридный параметр f или коэффициент усиления по току, общий e миттер» и является мерой коэффициента усиления по постоянному току биполярного переходного транзистора (BJT).
Концепция hFE занимает центральное место в использовании транзисторов, поскольку она является мерой усиления небольшого тока.В гибридной модели транзисторов есть несколько гибридных параметров, включая hFE. Модель с гибридными параметрами потеряла популярность, поэтому β или бета теперь являются наиболее распространенным символом усиления постоянного тока. Я буду продолжать использовать hFE в этой статье, так как таблицы данных также продолжают использовать это имя.
Рисунок 1: Кривые типичного усиления тока транзистора (hFE). Производственные разбросы производителя от +100% до -50% «типичных» значений считаются приемлемыми.
«Искусство электроники», Горовиц и Хилл, 3-е издание, 2016 г., стр. 74. С другой стороны, значение параметра hFE несколько раздражительно. Многие статьи с практическими рекомендациями и схемы DIY описывают, как измерить hFE, основываясь на простом понятии, что hFE = I C / I B . Тем не менее, спецификации транзисторов предлагают диапазон значений hFE при различных условиях тока коллектора (I C ). В условиях тестирования производителя также используется импульсный тест (<= 300 мкс), когда транзистор активен примерно 2% времени (рабочий цикл). Непрерывный ток имеет тенденцию вызывать повышение температуры внутри испытательного устройства.Таким образом, I C и I B являются динамическими объектами, которые могут неточно коррелировать со статическим тестированием. При этом значение hFE для любого отдельного устройства — даже с одинаковым номером детали и производителем — будет разным. В совокупности попытка использовать конкретное значение hFE для конкретного устройства является спорным событием.
Содержание
Почему я измеряю hFE
Многие инженеры говорят мне, что за 20 с лишним лет проектирования им никогда не требовалось знать значение hFE устройства.Во многих конструкциях расчетное значение hFE равно 100, а затем создается цепь смещения вокруг транзистора для работы с широким спектром устройств, каждое из которых имеет разные значения hFE, например, от 50 до 250, и при разных температурах.
Схема, зависящая от определенного значения бета, является неисправной.
Пол Горовиц, Уинфилд Хилл «Искусство электроники»
В роли экспериментатора я хочу знать hFE своего устройства. Я обнаружил, что каждая часть транзистора, которая находится у меня в «коробке для мусора», и даже новые детали, которые я заказываю из различных источников, таких как Digi-Key, Newark, eBay и Amazon, могут быть проверены на усиление по постоянному току перед использованием, даже если мое измеренное значение не настоящий hFE.
Пока процедура тестирования воспроизводима, ее можно использовать для проверки коэффициента усиления транзистора, оценки неизвестных транзисторов и подбора парных устройств для использования в таких приложениях, как, например, двухтактные усилители, температурная компенсация или токовые зеркала. Плохое обращение с транзисторами также может повлиять на hFE устройства. Фактически, во время моих тестов в этой статье я обнаружил удивительную проблему в отношении одного тестируемого устройства. См. «Рисунок 20: Рисунок 20: Результаты генератора функций осциллографа/AWG », чтобы понять, что я имею в виду.
Далее следует хвост тестов hFE для двух транзисторных устройств из моей корзины запчастей: NPN 2N3904 и PNP 2N3906…
PEAK Atlas DCA Pro — анализатор полупроводников
Приблизительно за 150 долларов (USD) этот прибор с интерфейсом ПК является моим лучшим ресурсом для измерения hFE и многих других параметров транзисторов. Немного дорогой, но он делает большую работу.
Тестирование устройств включает устройства с малым сигналом, силовые транзисторы, полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы, диоды и многое другое. Значение hFE скорректировано с учетом утечки коллектор-эмиттер (полезно для германиевых транзисторов).
На рисунках 2 и 3 ниже кривые hFE показывают, как на него влияет базовый ток I B и V CE . В частности, кривая hFE базового тока 10 мкА для 2N3906 может указывать на дополнительные проблемы, как показано далее в этой статье. Здесь hFE значительно ниже по сравнению с более высокими базовыми токами.
Рис. 2: Результаты 2N3904 DCA Pro (щелкните изображение, чтобы увеличить его) .
Рисунок 3: Результаты 2N3906 DCA Pro (щелкните изображение, чтобы увеличить его) .
Гнездо hFE на некоторых цифровых мультиметрах
Этот разъем обеспечивает значение усиления по постоянному току, полезное для сортировки и тестирования кремниевых устройств с малым сигналом.
Гнездо не будет точным для германиевых транзисторов, поскольку они обычно связаны с утечкой коллектор-эмиттер. Это не будет полезно и для силовых транзисторов, которые требуют большего тока проверки базы (I B ). Некоторые измерители с функцией hFE описывают условия тестирования, в то время как другие не предлагают поддержку своего устройства в условиях тестирования.
Мой мультиметр BK 2704C документирует условия тестирования разъема hFE:
Диапазон: 0 ~ 1000
Базовый ток: прибл. 10 мкА пост. (VCE = 3,0 В пост. тока)
Устройство 2N3906, которое я использую для этой статьи (изображение B&K внизу справа) с базовым током 10 мкА, предсказывает гораздо более низкий hFE по сравнению с более высокими базовыми токами, как показано в результатах 2N3906 с использованием DCA Pro выше (рис. 3). В то время как hFE для 2N3904 (изображение B&K внизу слева) согласуется с результатами DCA Pro для 2N3904 выше, поскольку условия испытаний 10 мкА сгруппированы с другими кривыми I B .
Но для сортировки и сравнения устройств ограничение условий тестирования 10 мкА может быть вполне приемлемым.
Рис. 4. Мультиметр B&K 2704C, измерение коэффициента усиления по постоянному току hFE для левого 2N3904 и правого 2N3906 .
Мультиметр Fluke
В моих измерителях Fluke нет гнезда hFE. Большинство других высококачественных цифровых мультиметров также не имеют разъема hFE. Некоторые люди говорят, что это связано с тем, что показания мультиметра не слишком близки к официальным показаниям hFE, другие говорят, что схема и разъем для измерения hFE сводят на нет соображения безопасности.Большое обсуждение можно найти здесь:
Тема: Почему бета-тест транзистора hFE проводится только на дешевых цифровых мультиметрах?
Функция проверки диодов на моих измерителях Fluke измеряет прямое падение напряжения полупроводника в условиях постоянного тока, подходящих для определения PNP и NPN, а также того, какой вывод связан с эмиттером, базой и коллектором.
Но не предлагает способ измерения коэффициента усиления постоянного тока.
Ниже приведены некоторые макетные схемы, которые я использую для измерения hFE с помощью цифрового мультиметра…
Тест 1: два резистора на макетной плате с расчетом hFE на основе результатов цифрового мультиметра
Коэффициент усиления по постоянному токуможно рассчитать путем измерения падения напряжения на базовом резисторе и соответствующего падения напряжения на коллекторном резисторе.Схема устройства PNP показана на диаграмме LTSpice ниже — Рисунок 5: «Моделирование простого измерения hFE цифрового мультиметра с двумя резисторами». Поменяйте полярность V1 для проверки устройств NPN. Математические расчеты делают этот метод тестирования немного утомительным для сортировки множества транзисторов, но он является хорошей заменой отсутствующего разъема hFE Fluke.
На рисунке справа показано моделирование с помощью LtSpice простой макетной схемы hFE для транзистора 2N3906 PNP. Эта схема будет работать с любым маломощным кремниевым устройством PNP.Чтобы использовать устройства NPN, поменяйте полярность V1. Файл моделирования можно скачать по ссылке в конце этой статьи. | Рис. 5: Моделирование простого измерения hFE на цифровом мультиметре с двумя резисторами . |
Ниже показана макетная плата с PNP 2N3906 (такая же, как схема LTSpice и моделирование выше). Я показываю расчеты hFE для тех же двух транзисторных частей, протестированных с помощью мультиметра BK и DCA Pro выше, для сравнения.
| Устройство: 2N3906 PNP Настройка питания: VCC = 9.001V, 0,872 мА Измерения: 2 VCE = 8.232VRB = 0,932 м (1 м) RC = 1.0064K (1K) VRB = 8,338V VRC = 0,7646V Расчеты: | Устройство: 2n3904 NPN Настройка питания: Vcc = 9,001 В, 1,368 мА Измерения: Расчеты: |
765V / 1k = 765 UA Тест 2: источник постоянного тока с цифровым мультиметром с прямым считыванием hFE
Используя еще несколько деталей, я смог улучшить тестирование макета для использования с цифровым мультиметром Fluke. Эта версия от Circuits Today включает поддержку устройств PNP и NPN и обеспечивает постоянный ток I B 10 мкА и прямое считывание hFE (мА x 100).Я заметил одну проблему: если я поставлю транзистор неправильного типа в гнездо (например, по ошибке поменяю местами NPN на PNP), тестируемый транзистор сильно нагревается.
KiCad Eeschema. См. справочный раздел ниже для загрузки файла.
Рис. 7: Схема KiCad Eeschema источника постоянного тока с прямым считыванием hFE с цифрового мультиметра.Перед построением этой схемы я использовал LTSpice для моделирования.
Рис. 8. Моделирование LTSpice источника постоянного тока с прямым считыванием hFE с цифрового мультиметра , показанным курсором 2 Vert.Симуляция, показанная выше, имеет потенциометры с имитацией рычагов стеклоочистителя. Библиотека потенциометра была предоставлена Гельмутом Сенневальдом — основателем группы пользователей LTSpice. Кривая показывает, что рычаг стеклоочистителя изменяется от 0,05% до 95% с ожидаемой калибровкой для 10 мкА в положении 29% для тока, проходящего через эмиттер Q1. Файл моделирования с библиотекой потенциометров можно скачать по ссылке в конце этой статьи.
Окончательная макетная плата с тестируемым устройством 2N3906…
Рис. 9. Макет источника постоянного тока с прямым считыванием hFE с цифрового мультиметра .
На макетной плате рядом с каждым потенциометром показаны перемычки. Их можно размыкать один за другим, замыкая контакты амперметра цифрового мультиметра для калибровки 10 мкА базы PNP и NPN относительно тока эмиттера.
Рисунок 10: Результаты 2N3906 при использовании макетной платы постоянного тока.
Рисунок 11: Результаты 2N3904 при использовании макетной платы постоянного тока. Примечание. Потребляемый ток для NPN 2N3904 намного выше, чем у 2N3906, что соответствует большему hFE.
Измерение hFE с помощью осциллографа и генератора сигналов произвольной формы (AWG)
Этот метод допускает более высокий ток, подаваемый на тестируемый транзистор, чем любой из методов тестирования 1 и 2. При использовании ступенчатого сигнала, подаваемого на базу транзистора, и переменного напряжения, подаваемого на коллектор транзистора, температура тестируемого устройства не повышается в достаточной степени. влиять на стабильность показаний hFE.
Смоделируйте тестовую схему транзистора NPN в LTSpice…
Рис. 12: LTSpice, имитирующий осциллограф/генератор сигналов произвольной формы, тестовая схема hFE на NPN-транзисторе.Щелкните изображение, чтобы развернуть.Здесь находятся текстовые файлы кусочно-линейных (PWL) сигналов, которые управляют напряжением для ступенчатых и треугольных сигналов. См. справочный раздел в конце этой статьи, чтобы загрузить файлы для полной симуляции.
pwl_triangle.txt
0 0 +4,17 м 10 +4,17 м 0
pwl_stair.txt
0 с 0,7 8,33 м 0,7 8,34 м 1,4 16,66 м 1,4 16,67 м 2,1 24,99 м 2,1 25.00м 2.8 33,32 м 2,8 33,33 м 3,5 41,65 м 3,5 41,66 м 4,2 49,98 м 4,2 49,99 м 4,9 58.31 м 4,9 58,32 м 5,6 66,64 м 5,6 66,65 м 0,7
Шаги для создания симуляции (см. текст и файл asc в справочном разделе этой записи блога):
- Подайте треугольную волну с частотой 120 Гц, 10 VP-P и смещением постоянного тока 5 В на проверяемый коллектор транзистора. Смоделируйте генератор сигналов произвольной формы с помощью кусочно-линейной функции LTSpice (PWL), используя точки данных в текстовом файле. См. прикрепленный файл: pwl_triangle.txt.
- Создайте ступенчатую волну с частотой 15 Гц, 5 VP-P и DC Offset 0.7 В (стартовая волна с амплитудой выше ВЭ для включения тестируемого транзистора). Снова с PWL и текстовым файлом точек данных. См. прикрепленный файл: pwl_stair.txt.
- Детали для моделирования простой макетной платы.
- Определите 1-секундный анализ переходных процессов, чтобы запустить моделирование LTSpice.
- Имитация осциллографа с использованием пассивных щупов с общим заземлением (без использования дифференциальных щупов).
- Постройте ось X как V CE , используя Ch3.
- Постройте первую ось Y как Ic, используя математическую функцию: (Ch2-Ch3)/100.
- Постройте вторую ось Y как I B , используя математическую функцию: (Ch4-Ch5)/100000.
Рассчитать имитацию 2N3904 NPN-транзистора hFE как I C /I B при выбранном V CE . Подробности см. в разделе « Рисунок 12: Моделирование в LTSpice осциллографа/генератора сигналов произвольной формы с испытательной схемой hFE на NPN-транзисторах» выше. Например: At V CE 5 В и 4-я кривая I B (представляющая I B = 27,7 мкА).
Моделирование схемы тестирования транзистора PNP в LTSpice…
Схема PNP такая же, как и для схемы проверки транзистора NPN.Только полярность лестничной и треугольной волновых функций была изменена на противоположную. Лестничная волна теперь изменяется от -700 мВ до -5 В.
Треугольная волна теперь изменяется от 0 В до -5 В.
Вот текстовые файлы кусочно-линейных (PWL), которые управляют напряжением для ступенчатых и треугольных сигналов. См. справочный раздел в конце этой статьи, чтобы загрузить полную симуляцию.
pwl_triangle_minus.txt
0 0 +4,17 м -10 +4,17 м 0
pwl_stair_minus.txt
0 с -0,7 8,33 м -0,7 8,34 м -1,4 16,66 м -1,4 16,67 м -2,1 24,99 м -2,1 25.00м -2.8 33,32 м -2,8 33,33 м -3,5 41,65 м -3,5 41,66 м -4,2 49,98 м -4,2 49,99 м -4,9 58,31 м -4,9 58,32 м -5,6 66,64 м -5,6 66,65м -0,7
Рассчитать имитацию 2N3906 PNP-транзистора hFE как I C /I B при выбранном V CE . См. « Рисунок 13: Моделирование LTSpice осциллографа/генератора сигналов произвольной формы PNP-транзистора hFE тестовой схемы » выше для получения подробной информации о схеме.Например: At V CE 5 В и 4-я кривая I B (представляющая I B = -28,0 мкА).
Окончательная макетная плата с тестируемым транзистором 2N3904 NPN…
Я использовал двухканальный генератор сигналов произвольной формы для создания сигналов базы и коллектора транзистора:
Рис. 14. Настройка генератора сигналов произвольной формы для тестируемых NPN-транзисторов. Нажмите на изображение, чтобы увеличить.- Канал 1 использует StairUp (лестница с 8 уровнями) сигнал произвольной формы с частотой 15 Гц, высокий уровень 5 В, низкий уровень .
7 В и фазой 0. - Канал 2 использует сигнал произвольной формы AbsSine с частотой 120 Гц, высоким уровнем 5 В, низким уровнем 0 В и фазой 0. Примечание: понижающий трансформатор переменного тока с полной Цепь -волнового выпрямителя будет генерировать одинаковую форму волны для тех, у кого только один канал AWB.
- Используйте параметр выравнивания фазы на Rigol DG4062 AWB, чтобы канал 2 производил ровно один цикл для каждого уровня лестницы канала 1. См. пример с курсорами на рис. 16 ниже.
Соберите простую макетную плату транзистора NPN 2N3904 с двумя резисторами и четырьмя подключенными каналами осциллографа.См. рис. 12 выше для схемы и рис. 15 ниже для макета.
- Подключите резистор 100 кОм между базой транзистора 2N3904 и каналом AWG 1. Подключите щупы осциллографа Ch4 (зеленый) и Ch5 (красный) к этому резистору для измерения тока базы I B .
- Подключите резистор 100 Ом между коллектором транзистора 2N3904 и каналом 2 AWG.
Подключите щупы осциллографа Ch2 (желтый) и Ch4 (синий) к этому резистору для измерения тока коллектора I C и V CE . - Соедините эмиттер транзистора с землей. Привяжите AWG и осциллограф к земле.
Настройка осциллографа, см. рис. 16 и 17 ниже…
- Канал 1 = 2 В/дел, полоса пропускания 20 МГц -> Подключить к резистору «+» на стороне Rc на рис. 12 Rc на Рисунке 12 -> Представляет тестируемый транзистор Vce
- Канал 3 = 1 В/дел, 20 МГц Полоса пропускания -> Подключить к резистору со стороны «+» Rb на Рисунке 12
- Канал 4 = 100 мВ/дел, 20 МГц Полоса пропускания -> Обрезать на стороне «-» резистора Rb на рисунке 12
- Математика 1 = 2 мА/дел, (Ch2-Ch3)/100, альтернативные единицы A -> Представляет тестируемый транзистор Ic
- Математика 2 = 5.4 мкА/дел, (Ch4-Ch5)/100000, Альтернативные единицы A -> Представляет тестируемый транзистор Ib
- По горизонтали = 10 мВ/дел, 12,5 Мвыб/с, 1,25 Мвыб.
Уровень 2,64 В, нарастающий фронт - Сбор данных = высокое разрешение, остановка после 1 сбора данных, внутренний источник времени
- Настройка графика XY с транзистором V CE (Ch 1) для X и транзистором IC (Math 1) для Y
- Настройте связанный курсор осциллограммы для измерения I C (Math 1) и I B (Math 2) для вычисления hFE
Рассчитать 2N3904 NPN-транзистор hFE как I C /I B при выбранном V CE . Например: At V CE 6 В и 4-я кривая I B (представляющая I B = 18,95 мкА).
Значение hFE 165, измеренное с помощью осциллографа, совпадает с показанным в . Рис. 2. Результаты 2N3904 DCA Pro .
Окончательная макетная плата с тестируемым транзистором 2N3906 NPN…
Повторно используйте ту же схему, что и на рис. 13 выше. Измените сигналы генератора функций AWG на отрицательные. Я также переключил сигнал коллектора с AbsSine на Triangle. Отрицательная форма волны AbsSine не давала такого четкого результата, как форма волны Треугольник. Возможно, я мог бы сначала инвертировать волну AbsSine из меню утилиты Rigol, но не стал. См. Рисунок 18 ниже для настроек.
Рис. 18. Настройка генератора сигналов произвольной формы для тестируемых PNP-транзисторов. Нажмите на изображение, чтобы увеличить.Макет…
Рис. 19. Тестируемый транзистор PNP 2N3906. Нажмите на изображение, чтобы увеличить.Результаты осциллографа…
Рисунок 20: Результаты генератора функций осциллографа/AWG.
На левом изображении показано то же устройство 2N3906, которое успешно использовалось во всех других тестах, описанных выше. Не знаю, в чем причина странных волновых форм.Среднее изображение — второй 2N3906 отлично работает в этой тестовой конфигурации без проблем, показанных на левой фотографии. Правое изображение — то же тестируемое устройство, что и на среднем изображении, но с треугольным сигналом, подаваемым на коллектор. Щелкните изображение, чтобы увеличить его.
К сожалению, мое первое PNP-устройство 2N3906 отказало во время этого теста — см. рис. 20 (слева). DCA Pro hFE и кривые выглядят так же. Но в этом тесте осциллографа/AWG устройство падает, когда V CE превышает примерно 7 В.Были протестированы несколько других транзисторов PNP, включая другие устройства 2N3906. Эти другие устройства протестированы просто отлично. У одного пользователя на Electronics Stack Exchange был следующий комментарий, который мне кажется правильным:
.Похоже, что соединение CE забито и действует как SCR с отрицательным добавочным сопротивлением.
Тони Стюарт EE75Может быть хорошо для генератора на туннельном диоде в ВЧ, если смещено на -7В. 😉 Это отказ от дуги пробоя, скажем, 40 К/мм может быть 40 В/мкм, поэтому 7 В составляет около 175 нм зазора, который шунтирует E-Field. Этот PNP должен работать до -40 В и действовать как стабилитрон около -50 В.В 70-х мне понадобился стабилитрон HV для uA ref. Поэтому я выбираю напряжение пробоя транзистора, чтобы старый телевизор работал.
Показания курсоров A и B из рисунка 20 справа: I C [Math 1: (Ch2-Ch3)/100] = 7,913 мА и I B [(Ch4 – Ch5)/100 000] = 44,0 мкА при выбранном V CE из 6 V.
К сожалению, я не очень точно установил курсоры A и B для VCE 6 В, поэтому значение hFE не так точно, как могло бы быть.Но эффективность для этого метода испытаний по-прежнему актуальна.
См. ниже сравнение с hFE с использованием полупроводникового анализатора PEAK DCA Pro для моего нового PNP 2N3906, который я называю устройством 2.
hFE для PNP 2N3906 Dev2 с использованием разъема BK 2704C hFE. Низкое значение V CE и низкое значение I B являются причиной постоянно более низких показаний мультиметровых разъемов hFE.Тем не менее, тестирование очень простое, быстрое и сопоставимое от одного транзистора к другому для целей сортировки и сопоставления. Но некоторые тестируемые устройства не могут быть обнаружены с помощью этого простого теста.
Рис. 22. Тестирование транзистора 2N3906 с использованием разъема hFE на мультиметре BK 2704C.
Сводка тестирования hFE
Каждый представленный здесь метод тестирования полезен при определенных условиях. Для большинства целей тестирования настройки диода цифрового мультиметра будет достаточно.
Но использование осциллографа и генератора сигналов произвольной формы позволяет проводить очень важные исследования транзисторов, включая hFE.
Ссылки
| HFE LTspice моделирование | ||
|---|---|---|
| Два Резисторы на макете | Zip File | |
| постоянного тока Макетная | Zip File | |
| Осциллограф / Генератор сигналов произвольной формы Макетная | Zip File |
| KiCad | ||
|---|---|---|
| источника постоянного тока с DMM Direct HFE Отсчет Схематическое | Zip File |
| Библиография | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Измерения полупроводниковых устройств Джон Малви, Tektronix, 1-е изд., 1969 | Веб-ссылка | |||||||||||||||||||
| Почему бета-тест hFE транзистора проводится только на дешевых цифровых мультиметрах? | веб-канал 5 | |||||||||||||||||||
| постоянный ток HFE транзистор тестер | веб-ссылка | |||||||||||||||||||
| трейдер полупроводниковой кривой с аналоговым открытием 2, инструкторы, Brmarcum, 2016 | веб-канал | |||||||||||||||||||
с использованием произвольной формы волны Генератор и цифровой запоминающий осциллограф для создания анализатора характеристик транзисторов, специалисты по схемам, Джордж Леже, 2014 г. .. Произошла ошибка при настройке пользовательского файла cookieЭтот сайт использует файлы cookie для повышения производительности. Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт. Настройка браузера для приема файлов cookieСуществует множество причин, по которым файл cookie не может быть установлен правильно. Ниже приведены наиболее распространенные причины:
Почему этому сайту требуются файлы cookie?Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу. Предоставить доступ без файлов cookie потребует от сайта создания нового сеанса для каждой посещаемой вами страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня. Что сохраняется в файле cookie? Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в файле cookie; никакая другая информация не фиксируется. Как правило, в файле cookie может храниться только та информация, которую вы предоставляете, или выбор, который вы делаете при посещении веб-сайта. Например, сайт не может определить ваше имя электронной почты, если вы не решите ввести его. Разрешение веб-сайту создавать файлы cookie не дает этому или любому другому сайту доступ к остальной части вашего компьютера, и только сайт, создавший файл cookie, может его прочитать. Матрицы конформных транзисторов на основе органических кристаллов, обработанных в раствореРеферат Матрица конформных транзисторов на основе органических кристаллов, обработанных в растворе, которые могут обеспечивать сенсорные и сканирующие функции для мониторинга, биологической обратной связи и отслеживания физиологических функций, представляет собой один из самых перспективные технологии для будущей крупномасштабной недорогой носимой и имплантируемой электроники. Тем не менее, интеграция органических кристаллов, обработанных раствором, в конформные полевые транзисторы по-прежнему представляет собой огромную проблему из-за обычно существующего явления набухания эластичных материалов и отсутствия соответствующей технологии изготовления устройств. Введение Электроника нового поколения требует, чтобы легкие, гибкие и портативные устройства можно было носить непосредственно на теле человека или интегрировать в существующие предметы быта. Массив органических кристаллов, обработанный раствором, предлагает большой потенциал для достижения недорогого и крупномасштабного производства гибкой и конформной электроники 15 – 18 , поскольку они сочетают в себе преимущества технологии растворов и органических кристаллов в качестве полупроводников. . Массив органических кристаллов может быть легко получен методом низкотемпературного растворения, а природа монокристаллов позволяет устранить нарушения и ловушки, что выгодно для разработки высокопроизводительных органических электронных устройств 19 – 22 . Здесь мы разработали новый совместимый с фотолитографией копланарный электрод с защитой от растворителя и конфигурацией нижнего затвора с нижним контактом для интеграции монокристаллического массива TIPS-пентацена, обработанного в растворе, в конформные полевые транзисторы. Полученная матрица полевых транзисторов демонстрирует превосходные электрические свойства с выходом устройства до 100 %, хорошей однородностью устройства, низким пороговым напряжением и подвижностью полевого эффекта до 0,79 см 2 В -1 с -1 . Результаты и обсуждение На рисунке показана основная идея и схема изготовления массива конформных органических монокристаллов полевых транзисторов. Чтобы интегрировать массив органических кристаллов, обработанных раствором, в конформные электронные устройства, мы разрабатываем новый, совместимый с фотолитографией, метод изготовления электродов с антирастворителем (см. Экспериментальный раздел).До сих пор сложно интегрировать осаждение органических полупроводников в раствор с конформной электроникой. Дилемма заключается в том, что конформные электронные устройства обычно используют эластомер для обеспечения прилегаемости, в то время как большинство органических растворителей, таких как хлороформ и хлорбензол, могут вызвать набухание отвержденного эластомера в довольно большом объеме и диффузию органического раствора в эластомер 23 . Массивы конформных органических монокристаллов на полевых транзисторах.( a ) Схема изготовления массивов конформных устройств. Раствор органического полупроводника каплями наносится на антирастворительный конформный электрод со встроенными контактами исток/сток/затвор. ( b , c ) Просвечивающая оптическая микроскопия изображений реального крупномасштабного монокристаллического полевого транзистора TIPS-пентацена и двух типичных массивов устройств с увеличенными изображениями. Как показано на рис. , электрод затвора из золота в сочетании с эластичным поддерживающим слоем PDMS обеспечивает прилегание массива транзисторов к изогнутым поверхностям. Чтобы проверить способность массива органических монокристаллических полевых транзисторов, изготовленных на основе растворов, прилегать к неровным объектам, мы прикрепили массив транзисторов к различным объектам, которые могут быть жесткими или гибкими, гладкими или шероховатыми, органическими или неорганическими. На рисунке показаны электрические характеристики конформных монокристаллических микро/нанопроводных полевых транзисторов TIPS-пентацен.TIPS-пентацен был выбран в качестве материала канала в конформном массиве OFET из-за того, что он является одним из наиболее многообещающих органических материалов с желаемыми электрическими характеристиками и хорошей растворимостью в обычных растворителях 19 , 21 , 22 . На рисунке четко показана принципиальная схема и соответствующее изображение поперечного сечения устройства. Типовые передаточные и выходные характеристики устройства показаны на рис. . Все транзисторы демонстрируют четкие характеристики р-типа.Как мы все знаем, в процессе роста органических микро/нанопроволок ориентация микро/нанопроволок соответствует направлению испарения раствора. Следовательно, конформный массив устройств с различной ориентацией может быть легко получен путем управления положением капельного раствора на узорчатом электроде. Влияние ориентации кристаллической текстуры на полевые характеристики конформных органических монокристаллических полевых транзисторов. ( a ) Принципиальная схема и соответствующие диаграммы поперечного сечения устройства. ( b , c ) Типичные передаточные и выходные характеристики устройства, измеренные на воздухе при комнатной температуре.( d – f ) Изображения оптической микроскопии и соответствующие кривые переноса трех устройств с по-разному ориентированным массивом микро/нанопроводов TIPS-пентацена по отношению к каналу. Наблюдается четкая корреляция между полевой подвижностью и ориентацией текстуры. По мере того, как органические электронные устройства превращаются в практические приложения, решающими факторами становятся успешность производства устройств и распределение производительности. Здесь мы изготовили монокристаллический массив полевых транзисторов TIPS-пентацена из 120 транзисторов на площади 0.61 мм 2 . Его фотоизображения представлены на рис. По сравнению с другой заявленной гибкой транзисторной матрицей, которая достигается с помощью технологии печати или теневой маски 32 – 35 , мы успешно интегрировали современную технологию фотолитографии в наше производство OFET, а затем уровень интеграции наших устройств значительно улучшился. . На рисунке показаны цветные карты и соответствующие распределения расчетных характеристик полевых эффектов в массиве монокристаллических полевых транзисторов TIPS-пентацен.Как показано на рис., однородность устройства прекрасно выражается пространственным распределением производительности транзистора. Статистические результаты рис. показывают подвижность, пороговое напряжение ( В T ) и коэффициент включения/выключения тока ( I на / и от ) распределения соответственно. Массив транзисторов с высоким выходом, 100% работающих, показывает распределение подвижности, при котором 98% транзисторов имеют подвижность выше 0,1 см 2 В -1 с -1 .Среднее значение подвижности составляет 0,43 см 2 В −1 с −1 со стандартным отклонением 0,15 см 2 В −1 с −1 . Наибольшая подвижность достигает 0,79 см 2 В -1 с -1 в режиме насыщения. Это значение превосходит все заявленные транзисторы TIPS-пентацен с нижним контактом (таблица S1 , вспомогательная информация). Хорошо известно, что OFET с нижним контактом более удобны для интеграции органических устройств и схем по сравнению с транзисторами с верхним контактом.Небольшие электроды истока/стока и проводка могут быть сформированы в устройствах с нижним контактом с помощью фотолитографии, тогда как существует серьезное ограничение на уменьшение длины и ширины канала в конфигурации с верхним контактом с использованием тонких металлических теневых масок. 82,5% транзисторов показывают пороговые напряжения в диапазоне от -5 до 5 В. Самое низкое пороговое напряжение находится на уровне -0,01 В, что обеспечивает низкое рабочее напряжение. Это очень важно для снижения рассеиваемой мощности, повышения портативности и безопасности устройств.Коэффициент включения/выключения устройств по току ориентирован на 10 5 , а 30% транзисторов имеют порядок 10 6 . Наши устройства с нижним контактом с отличными характеристиками полевого эффекта можно отнести к компланарной конфигурации, которая исключает ступеньку электрода 36 , 37 . Как показано на изображении поперечного сечения на рис. , встроенный Au-электрод истока/стока в ПВА способствует непрерывному росту органических микро/нанопроволок в процессе растворения.Для часто упоминаемых органических полевых транзисторов с нижним контактом на основе раствора на основе микро / нанопроводов электроды истока / стока выступают из диэлектрика, что неизбежно образует ступени электрода и, следовательно, влияет на рост микро / нанопроводов, что приводит к ухудшению производительности и даже производительности. уничтожение 16 , 17 . Напротив, наше устройство с новыми встроенными электродами эффективно устраняет электродную стадию. Таким образом, массив монокристаллических полевых транзисторов TIPS-пентацена демонстрирует хорошую однородность, высокие характеристики полевого эффекта и 100% -ную вероятность успеха изготовления устройства.Кроме того, наш универсальный конформный электрод с антирастворителем также можно интегрировать с другими растворимыми органическими полупроводниковыми материалами, как показано на рисунке S3 , что демонстрирует универсальность нашего способа изготовления конформных монокристаллических транзисторов. В целом эти результаты демонстрируют, что наш совместимый с фотолитографией конформный электрод с защитой от растворителя обеспечивает эффективный способ изготовления высокопроизводительной матрицы транзисторов с нижним контактом и показывает большой потенциал для органических электронных устройств следующего поколения. Тест на однородность массива транзисторов 15 × 8. ( a ) Просвечивающая оптическая микроскопия изображения типичного монокристаллического массива полевых транзисторов TIPS-пентацена и его увеличенные изображения. Полевая подвижность ( μ ), пороговое напряжение ( В T ) и коэффициент включения/выключения тока ( I на / и от ) цветные карты ( b — d ) и распределение ( e — g ) 120 транзисторов. Чтобы продемонстрировать конформные возможности массива органических микро/нанопроводов, обработанных раствором, на изогнутых объектах, мы прикрепили массив устройств к стеклянным полусферам разных размеров. На рисунке показаны схематические диаграммы и соответствующие цифровые фотографии процесса прилипания. Мы использовали пинцет, чтобы аккуратно отделить массив устройств от плоской подложки и последовательно прикрепить его к стеклянным полусферам с разным радиусом изгиба. На рисунке показаны передаточные характеристики типичного устройства, приклеенного к плоской подложке и трем стеклянным полушариям с разным радиусом изгиба.В случае минимального радиуса изгиба ( r = 3,4 мм) устройство по-прежнему сохраняет типичные характеристики полевого эффекта p-типа. При уменьшении радиуса изгиба с ∞ до 3,4 мм наклон − I SD 1/2 по сравнению с V Кривая G показывает явное снижение, что свидетельствует о снижении подвижности. Пересечение примерочной линии и G ось, т.е. пороговое напряжение, движется в отрицательном направлении.Чтобы достоверно показать влияние механической деформации на характеристики полевого эффекта, шесть устройств были сначала помещены на плоскую кремниевую подложку, а затем последовательно закреплены на стеклянных полусферах с различным радиусом изгиба. Были соответственно измерены их электрические свойства, а статистические данные представлены на рис. Все устройства вполне могут работать на стеклянных полусферах разного размера. При уменьшении радиуса изгиба полусферы до 3,4 мм, т.е. увеличении деформации от 0% до 0,18% 38 , подвижность средняя и I на / и с уменьшить до 37.8% и 9%, а среднее пороговое напряжение увеличивается в ~3,6 раза. Снижение характеристик полевого эффекта можно объяснить тем, что изгиб вызывает межфазную деформацию кристалла. Когда массив устройств прикреплен к стеклянным полусферам, он в основном подвергается деформации растяжения, что неизбежно приводит к увеличению межмолекулярного расстояния органического полупроводника, как показано на рентгеновском снимке (рис. S4 ), и, следовательно, уменьшает ВЗМО. перекрытие уровней переносом интегрирования, приводящее к снижению полевой характеристики 39 .Напротив, когда толщина органического монокристалла уменьшается до 30 нм, как показано на рисунке S5 , механическая гибкость массива устройств будет эффективно улучшена, а характеристики полевого эффекта практически не изменятся на плоских и криволинейных поверхностях. Электрические характеристики массива конформных органических монокристаллов полевых транзисторов на стеклянных полусферах при различных радиусах изгиба. ( a ) Принципиальные схемы и соответствующие цифровые фотографии. ( b ) Типичные кривые переноса при различном радиусе изгиба.( c – e ) Зависимость параметров полевой характеристики, подвижности ( c ), коэффициента включения/выключения тока ( d ) и порогового напряжения ( e ) от радиуса изгиба. мкм 0 , ( я на / и от ) 0 , В T0 : на плоской опоре, µ , ( I на / и от ), В T : на разных стеклянных полусферах. Чтобы дополнительно продемонстрировать влияние деформации на электрические свойства устройств, мы намеренно сделали массив устройств TIPS-пентацена неравномерно прикрепленным к изогнутой внутренней стенке, что позволяет всему массиву устройств одновременно формировать состояния растяжения и сжатия с различным радиусом кривизны. На рисунке показана принципиальная схема устройства (не в масштабе) и реальная цифровая фотография. Были измерены 16 устройств в различных деформационных состояниях. На рисунке показаны передаточные характеристики и соответствующие фотоизображения двух типовых устройств в растянутом и сжимаемом состоянии соответственно.По сравнению с плоскими электрическими свойствами подвижность устройства № 1 снижается до 47,5% в растянутом состоянии, а подвижность устройства № 13 резко возрастает до 650% в сжимаемом состоянии. Согласно изменениям подвижности 16 устройств (рис. ), подвижность представляет собой снижение в состоянии растяжения и увеличение в состоянии сжатия. Изменение подвижности наших устройств в различных состояниях изгиба происходит из-за вызванного изгибом изменения межмолекулярного расстояния в кристаллах.Как упоминалось выше, растяжение неизбежно приводит к увеличению межмолекулярного расстояния органического полупроводника. Наоборот, деформация сжатия уменьшит межмолекулярное расстояние, увеличив подвижность 40 , 41 . Это базовое исследование электромеханических свойств изготовленной органической монокристаллической матрицы конформных полевых транзисторов демонстрирует, что наши устройства могут использоваться в качестве идеального инструмента для понимания того, как механическая деформация влияет на электрические характеристики, что имеет решающее значение для разработки следующего поколения. гибких и конформных электронных устройств 40 , 41 . Электрические характеристики массива конформных органических монокристаллов полевых транзисторов при различных деформациях изгиба. ( a ) Принципиальная схема (не в масштабе) и реальное цифровое фото массива устройств. Массив устройств был неравномерно прикреплен к изогнутой внутренней стенке, чтобы преднамеренно сформировать состояния растяжения и сжатия. ( b , c ) Типичные кривые переноса и соответствующие изображения оптической микроскопии при растяжении и сжатии. ( d ) Изменения подвижности массива устройств после прикрепления к изогнутой внутренней стенке. мкм 0 : подвижность на плоской опоре. µ : подвижность на изогнутой внутренней стенке. Вставка представляет собой соответствующее трехмерное изображение оптической микроскопии. Объем рынка автомобильных задних бамперов и прогнозНью-Джерси, США,- В последнем отчете, опубликованном Verified Market Research Reports, показано, что рынок автомобильных задних бамперов , как ожидается, будет сильно расти в ближайшие годы. Аналитики изучили движущие силы рынка, ограничения, риски и возможности на мировом рынке.Отчет о рынке Автомобильный задний бампер показывает вероятное направление рынка в ближайшие годы вместе с его оценками. Точное исследование направлено на понимание рыночной цены. Анализируя конкурентную среду, авторы отчета приложили огромные усилия, чтобы помочь читателям понять ключевые тактики ведения бизнеса, которые крупные корпорации используют для поддержания стабильности рынка. Отчет включает в себя профили компаний почти всех основных игроков, работающих на рынке Автомобильный задний бампер.В разделе «Профили компаний» представлен ценный анализ сильных и слабых сторон, тенденций бизнеса, последних достижений, слияний и поглощений, планов расширения, глобального присутствия, присутствия на рынке и портфелей продуктов основных игроков рынка. Эта информация может быть использована игроками и другими участниками рынка для максимизации своей прибыльности и оптимизации своих бизнес-стратегий. Наш конкурентный анализ также предоставляет важную информацию, которая поможет новым участникам определить барьеры для входа и оценить уровень конкурентоспособности на рынке Автомобильный задний бампер. Получить полную копию отчета в формате PDF: (включая полное оглавление, список таблиц и рисунков, диаграмму) @ https://www.verifiedmarketresearch.com/download-sample/?rid=14829 Ключевые игроки, упомянутые в отчете об исследовании рынка автомобильных задних бамперов: Plastic Omnium, Magna, SMP, Tong Yang, Hyundai Mobis, Benteler, Jiangnan MPT, Toyoda Gosei, Flex-N-Gate, KIRCHHOFF, Huayu Automotive, Seoyon E-Hwa, Zhejiang Yuanchi, AGS, Rehau, Ecoplastic. Мировой рынок Автомобильный задний бампер сегментирован по продуктам и типам. Все эти сегменты исследовались по отдельности. Подробное исследование помогает оценить факторы, влияющие на рынок Автомобильный задний бампер. Эксперты проанализировали характер разработки, инвестиции в исследования и разработки, изменение моделей потребления и растущее число приложений. Кроме того, аналитики также оценили экономическое развитие рынка Автомобильный задний бампер, которое, вероятно, повлияет на его цену. Сегментация рынка автомобильных задних бамперов: Рынок автомобильных задних бамперов по продуктам • Пластиковый задний бампер Рынок автомобильных задних бамперов, по заявкам • Легковой автомобиль Раздел отчета по региональному анализу позволяет игрокам сосредоточиться на быстрорастущих регионах и странах, которые могут помочь им расширить свое присутствие на рынке Автомобильный задний бампер.Помимо расширения своего присутствия на рынке Автомобильный задний бампер, региональный анализ помогает игрокам увеличивать продажи и лучше понимать поведение клиентов в определенных регионах и странах. В отчете представлены CAGR, выручка, производство, потребление и другие важные статистические данные и данные о мировых и региональных рынках. Он демонстрирует, как различные типы, области применения и региональные сегменты рынка Автомобильный задний бампер развиваются с точки зрения роста. Получите скидку на покупку этого отчета @ https://www.verifymarketresearch.com/ask-for-discount/?rid=14829 Обзор рынка автомобильных задних бамперов
Благодаря подробному анализу рынка автомобильных задних бамперов становится легко определить пульс рынка.Ключевые игроки могут найти все конкурентные данные и размер рынка основных регионов, таких как Северная Америка, Европа, Латинская Америка, Азиатско-Тихоокеанский регион и Ближний Восток. В рамках конкурентного анализа профилируются определенные стратегии, которых придерживаются ключевые игроки, такие как слияния, сотрудничество, поглощения и запуск новых продуктов . Эти стратегии в значительной степени помогут игрокам отрасли укрепить свои позиции на рынке и расширить свой бизнес. Ответы на ключевые вопросы в отчете: 1.Какие пять ведущих игроков на рынке Автомобильный задний бампер? 2. Как изменится рынок Автомобильный задний бампер в ближайшие пять лет? 3. Какой продукт и приложение займут львиную долю рынка Автомобильный задний бампер? 4. Каковы движущие силы и ограничения рынка Автомобильный задний бампер? 5. Какой региональный рынок покажет наибольший рост? 6. Какими будут среднегодовой темп роста и размер рынка Автомобильный задний бампер в течение прогнозируемого периода? Для получения дополнительной информации или запроса или настройки перед покупкой посетите @ https://www.verifymarketresearch.com/product/automotive-rear-bumper-market/
Визуализация рынка автомобильных задних бамперов с помощью проверенной рыночной аналитики: — Verified Market Intelligence — это наша платформа с поддержкой BI для повествовательного повествования об этом рынке. VMI предлагает подробные прогнозы тенденций и точную информацию о более чем 20 000 развивающихся и нишевых рынках, помогая вам принимать важные решения, влияющие на доход, для блестящего будущего. VMI предоставляет целостный обзор и глобальную конкурентную среду в отношении региона, страны и сегмента, а также ключевых игроков на вашем рынке.Представьте свой отчет о рынке и результаты с помощью встроенной функции презентации, которая сэкономит более 70% вашего времени и ресурсов для инвесторов, продаж и маркетинга, исследований и разработок и разработки продуктов. VMI позволяет предоставлять данные в форматах Excel и Interactive PDF с более чем 15 ключевыми рыночными индикаторами для вашего рынка. Визуализация рынка автомобильных задних бамперов с помощью VMI @ https://www.verifiedmarketresearch.com/vmintelligence/ О нас: Verified Market Research® Verified Market Research® — ведущая глобальная исследовательская и консалтинговая фирма, которая уже более 10 лет предоставляет передовые решения для аналитических исследований, индивидуальные консультации и углубленный анализ данных как частным лицам, так и компаниям, которые ищут точные, надежные и актуальные данные. исследовательские данные и технический консалтинг.Мы предлагаем информацию о стратегическом анализе и анализе роста, данные, необходимые для достижения корпоративных целей, и помогаем принимать важные решения о доходах. Наши исследования помогают нашим клиентам принимать решения на основе данных, понимать прогнозы рынка, извлекать выгоду из будущих возможностей и оптимизировать эффективность, работая в качестве партнера для предоставления точной и ценной информации. Отрасли, которые мы охватываем, охватывают широкий спектр, включая технологии, химию, производство, энергетику, продукты питания и напитки, автомобилестроение, робототехнику, упаковку, строительство, горнодобывающую и газовую промышленность.И т.д. Мы, компания Verified Market Research, помогаем понять целостные рыночные факторы, а также самые текущие и будущие рыночные тенденции. Наши аналитики, обладающие большим опытом в области сбора данных и управления ими, используют отраслевые методы для сопоставления и изучения данных на всех этапах. Они обучены сочетать современные методы сбора данных, превосходную методологию исследования, предметные знания и многолетний коллективный опыт для проведения информативных и точных исследований. Обслужив более 5000 клиентов, мы предоставили надежные услуги по исследованию рынка более чем 100 компаниям из списка Global Fortune 500, таким как Amazon, Dell, IBM, Shell, Exxon Mobil, General Electric, Siemens, Microsoft, Sony и Hitachi.Мы совместно консультировали некоторые из ведущих мировых консалтинговых фирм, таких как McKinsey & Company, Boston Consulting Group, Bain and Company, в рамках индивидуальных исследований и консалтинговых проектов для предприятий по всему миру. Связаться с нами: г-н Эдвин Фернандес Проверенное исследование рынка® США: +1 (650)-781-4080 Электронная почта: [email protected]ком Веб-сайт: — https://www.verifiedmarketresearch.com/ << Я установил его на 33A, GPU SOC TDC Limit» все еще на 100%. Высокопроизводительные игры 4K. 0 (Navi 21, 1825 МГц), Boost 2310 МГц, PCI Express x16 4. О майнинге 570 Undervolt Rx. ETH за блок. На веб-сайте whattomine dot com есть рейтинг различных графических процессоров. Через несколько дней после того, как эта реклама появилась в магазинах, Андреас Шиллинг из HardwareLuxx опубликовал фотографии установки для майнинга, оснащенной . radeon rx 5700 xt nitro+ Sapphire Radeon RX 5700 XT Nitro+ — это чудовищная карта, имеющая размеры не менее 306 мм в длину, 49 мм в ширину (эффективно использует 3 слота) и 135 мм в высоту.Я уже работал при минимальном напряжении на 100% в Radeon. Тактовая частота игрового графического процессора установлена на уровне 2015 МГц, а тактовая частота графического процессора Boost (до) составляет 2250 МГц. Это одна из текущих небольших ошибок драйвера, из-за которой некоторые настройки могут быть сброшены, например, при перезагрузке, хотя да, если вы используете MSI Afterburner, это будет мешать, пока вы, вероятно, не отключите аппаратную поддержку и не отключите многие переопределения, которые он может сделать с графическим процессором. 0, 3 8-контактных разъема питания, 2 порта DisplayPort™ 1. Мы собрали все настройки разгона для каждого графического процессора в одном месте.У нас было много людей, которые спрашивали, как он разгоняется и все такое. 1Ghz / MSI Gaming Force Z590 / Powercolor 5700XT / eVGA 1200Plat G2 PSU / 8GBx4 G. Clock Tuner для Ryzen получает крупное обновление Clock Tuner for Ryzen — это инструмент для разгона и точной настройки процессоров Zen2. Видеокарта Crypto Mining Rig 36 Gpu Rx 580 8gb 1080mh Hashrate Оптовый продавец из Ахмадабада. Я построил свою башню, используя RX 570-4GB и Intel i3 8100. 3 MH/s с учетом цены на электроэнергию, с нашим калькулятором майнинга → Лучшие графические процессоры для майнинга.RX 6800 XT стоит 649 долларов США и предположительно является конкурентом RTX 3080. Да, Big Navi установлен на Radeon RX 6800, 6800 XT и 6900. Руководство по пониженному напряжению Rx 5700 Xt; RX 6800 XT МАЙНИНГ 2020; криптостойкое оборудование высокого напряжения; ПОНИЖЕННОЕ НАПРЯЖЕНИЕ ОГРАНИЧЕНИЯ ПИТАНИЯ AMD; Обзор AMD RX 6800 XT; Как легко разогнать ваш GPU; AMD скрыла настоящую мощь Radeon RX 5700… Хэштег графического процессора AMD UNDERVOLT Маастрихт; ПОНИЖЕННОЕ НАПРЯЖЕНИЕ ОГРАНИЧЕНИЯ ПИТАНИЯ AMD; Rx 590 Андервольт 2020; Видеокарта AMD RX 6800 могла… Radeon RX 6800 XT Red Devil колебалась в пределах 55-56C при 2.Должен принести вам 64+ MH/s при 135 Вт. Rog Strix Rx570 O4g Gaming Ethereum Undervolt. Сила доминировать. Затем немного поднимите его и повторите проверку, чтобы убедиться, что ваше пониженное напряжение жизнеспособно. Разгон и андервольт. Или если я летаю с погодой на Пресете "Чистое небо" у меня проблем нет. 52-дюймовая модель #: TUF-RX6800XT-O16G-GA Политика возврата: Посмотреть политику возврата Оценка TimeSpy Graphic для RX 6800 увеличилась на 12. 21 доллар США в день НАЧНИТЕ МАЙН С NICEHASH *Обратите внимание, что значения являются приблизительными, основанными на прошлой производительности - реальные значения могут быть ниже или выше.Разгон RX 580 для майнинга отличается от других карт, таких как NVIDIA GTX 1060/70/80/ti, потому что с… RX 6700 XT использует архитектуру AMD RDNA 2-го поколения, но вместо NAVI 21 Silicon, которая основу RX 6800, RX 6800 XT и RX 6900 XT. Ответ (1 из 3): На момент написания статьи самой прибыльной валютой для майнинга на RX 6800 была «Скрытая». Недавно мы построили установку для майнинга Ethereum мощностью 720 МГц с 6 графическими процессорами MSI GeForce RTX 3090 SUPRIM X 24G и поделились с ней своим опытом, и мы только что получили графический процессор RTX 3090 с водяным охлаждением от ASUS и должны были попробовать его. для майнинга Эфириума.Опять же, чтобы иметь возможность получить оптимальную производительность майнинга Ethereum на этих графических процессорах Hawaii, вам нужно придерживаться Linux, Windows не подходит для полной производительности, а HiveOS просто упрощает это. У меня сильный свист катушки, и я надеюсь, что при пониженном напряжении я смогу убрать свист катушки. уникальный инструмент, доступный только в простом майнинге. g-Grafikkarte basiert auf der RDNA-GPU-Architektur. 1 выход. Если учесть богатый опыт майнеров по тонкой настройке RX 5700 (60MH/s 150W), то .На самом высоком уровне находится Radeon RX 6900 XT за 999 долларов. 23 лайка · 35 разговоров об этом. Потребляемая мощность при 109 Вт HashRate с TRM составляет 62. Карта сочетает в себе двухслотовую конструкцию с элегантным алюминиевым кожухом и оснащена пассивным охлаждением. Sie zeichnet sich durch einen Grafikprozessor mit 2560 Streamprozessoren aus, die mit drei Taktungen laufen, darunter ein Boost-Takt von bis zu 2010 MHz und ein Game-Takt von 1905 MHz. Новые модели Sapphire 6700XT выпускаются в виде NITRO+ и младшего Pulse.Так что у меня минимум 2400/максимум 2500 при 1. Я понижаю напряжение следующим образом: настройка ~ 1150 В, но ограничиваю тактовую частоту от 1990 до 2090. Цитата из: TGJ, 19 марта 2021 г., 04:15:06. 22.08.2021. Отказ от ответственности: настройки майнинга RX 6800 XT, описанные в этой статье, будут работать для всех моделей. Re: Настройки RX 6800 XT. Основное различие между моделями и GPU от GPU заключается в кремниевой лотерее. Получите скидку 20% с моим кодом «SKAG»: DWindows 10 PRO: https://bit. ASUS TUF Gaming Radeon RX 6800 XT 16 ГБ GDDR6 PCI Express 4.Не так много места для 5900x, поэтому я держу его в наличии. 8 MH/s при майнинге Ethereum. com/?mw_aref=Bang4. Я также модифицировал BIOS почти 20 лет назад с 9800 Pro на XT. … HiveOS упрощает получение майнинговой установки с графическими процессорами AMD Radeon R9 290/390, готовой к майнингу Ethereum (ETH) с полной скоростью хэширования 29+ MHS. TDP RTX 3080 составляет 320 Вт по сравнению с 300 Вт у RX 6800 XT. Расчет ла Rentabilidad де Тода ла Гранха, teniendo en cuenta эль Precio. На самом деле я только что приобрел бывшую майнерскую Sapphire RX 6800 Nitro+, чтобы заменить GTX 1080 Ti, которую выбросили мои партнеры.(xt) поддержка на окнах. Nvidia GeForce RTX 3060 Ti — новейшая видеокарта Nvidia. К счастью, майнинг Monero не требует покупки ASIC. Что ж, Link — это вариант пониженного напряжения майнинга rx 580 для двойного майнинга. Обзор AMD Radeon RX 6800 XT Есть деньги, чтобы сжечь? Это было долгое ожидание, но теперь AMD выпустила продукты на базе RDNA2. командаредмайнер v0. 1239 долларов. Понизьте частоту до 1400 на 1600 на 793мВ, убедитесь, что она стабильна конечно. обзор операционной системы для чистого майнинга. Тактовая частота графического процессора RX 6800 ограничена 2.Играл с timespy и пытался разогнать ядро на этом 6900 XT. Компания делает некоторые ошеломляющие заявления о производительности. Узнайте больше о хешрейте, потреблении, сложности и прибыльности майнинга 345 различных монет на 120 алгоритмах. Однако там, где вариант 6800 XT занимает немного больше места на нашем тестовом стенде, на 2. Как включить управление вентилятором графического процессора майнером? Пример для смешанной установки из двух Vegas с индексами 1 и 3 и двух других GPU: –nr_cu_override=,64,,64. Nvidia заявляет, что она на 40% быстрее, чем ее предшественница RTX 2060 Super.0: 1469 МГц: 1545 МГц: 2000 МГц: 232 мм/9. Шаг . Als Strompreis wurden 0. До 2360 МГц, 16 ГБ/256 бит DDR6. Оба водоблока в настоящее время продаются по цене 628 юаней, что составляет … GIGABYTE AORUS Radeon RX 6800 XT MASTER 16G. Учебное пособие по майнингу minerstat № 2: разгон с помощью ClockTune. Разблокирован модифицированный BIOS для AMD Radeon RX 5600 XT samsung + micron + утилита hynix Flash. Напряжение памяти: 1340 мВ. Бегает очень круто. AMD RX 6800 XT 16 ГБ Ваш прибл. eu – В ASIC […] Мой RX 6800 6900 XT Ethereum Хешрейт ПРОГНОЗ! Если у вас есть Gigabyte RX 5700XT OC 8 ГБ (или Asus Strix 5700XT), НЕ следуйте этому руководству.Майнинг криптовалюты — это процесс проверки транзакций в криптовалютной сети. командаredminer. + ZDARMA в годноте 259,- Промо электронный ключ - Xbox Game Pass pro PC - 1. RX 580 был чрезвычайно популярным графическим процессором для майнинга в 2017 году во время подъема Ethereum. 6600 XT — лучший графический процессор для майнинга в истории (a. Игровая видеокарта SAPPHIRE PULSE AMD Radeon™ RX 6800 XT с 16 ГБ GDDR6, AMD RDNA™ 2. Скорость хэширования: 63 Mh/s при потреблении 150 Вт Хотите угостить нас пивом? Мой здесь: 0xe0f2Ee80847A93d6F8B205D146C475B74880592ARX 6800 XT Майнинг ETH Хешрейт — разгон, пониженное напряжение Хорошие цифры, приятель, так завидую Rx 6800 XT, молодец, что получил его со всем, что происходит 🤙.com дискорд-сервер TRM: https://discord. 1. Возможности HDMIx1/ DisplayPortx2 /USB … В 10. В том случае, если не был активирован BIOS, указано и установлено CORE и MEM на платформе HIVE OS (Linux). Его большой трехслотовый кулер с тремя вентиляторами работает холоднее и тише, чем эталонный AMD. 0. Если вы используете смещение тактовой частоты ядра -500, вы снизите температуру НАМНОГО. Видеокарта AMD Radeon RX 6800 стоимостью 579 долларов является самой дешевой картой Big Navi на рынке сегодня. Абсолютно новый инновационный дизайн волнистых ребер, работающий в тандеме с нашим дизайном ребер V-образной формы для охлаждения графического процессора, уменьшает трение ветра и централизует поток воздуха для оптимального отвода тепла и практически бесшумной системы.AMD RX 6800 Разгон и пониженное напряжение — от более 240 Вт до менее 180 Вт, все есть 20. Начните прямо сейчас AMD RX 6800 XT Разгон msOS Windows Частота ядра 1470 МГц Напряжение ядра 900 мВ Тактовая частота памяти 1070 МГц Напряжение памяти 1350 мВ Контроллер памяти 850 мВ Лимит мощности 145 Вт Популярный клиент Хочешь угостить нас пивом? Мой здесь: 0xe0f2Ee80847A93d6F8B205D146C475B74880592AМы недавно протестировали майнинг RX 6800 XT. Также я установил последнюю версию MPT (More Power Tool). 97 долларов США было использовано. Оба являются пользовательскими wc (блок Optimus для процессора и блок EK для графического процессора).com, это хорошая оценка того, что вы заработаете, но помните, что эти цифры всегда будут меняться! Используйте наши разгоны ниже, чтобы добиться идеальных результатов производительности и эффективности. О настройках майнинга 5700 Xt Rx. ly/2EYkVy6Windows. 74 Разгон AMD RX 5700 XT для … » Radeon RX 6900 XT как бы застрял в этом странном месте, где его цена действительно плохая по сравнению с 6800 XT, хорошая по сравнению с RTX 3090, но люди, желающие инвестировать в этот класс GPU не будет заботиться о стоимости, они просто хотят лучшее из лучшего, и, по нашему мнению, это не 6900 XT.Водоблок 6800 будет совместим с обеими моделями, но не будет поддерживать RX 6900 XT. Скачать можно в разделе релизов на гитхабе. Оценка TimeSpy Graphic для RX 6800 увеличилась примерно на 12. Улучшения RX 6800. Возьмите управление под свой контроль с Radeon RX 5700 XT и наслаждайтесь мощными ускоренными играми, созданными специально для вас. Руководство по майнингу Ethereum для Windows 10, содержащее информацию о настройках графического процессора, модификации BIOS, разгоне и настройках Windows 10. com О 5700 Rx Xt Руководство по пониженному напряжению .Опубликовать: 2021-11-30T12:01:31-0500. 725В соответственно. С RX 6800 можно увеличить напряжение и изменить ограничение мощности. Мощность здесь является наиболее впечатляющим показателем, так как предыдущим графическим процессором, который мог обеспечить такую производительность майнинга при низкой мощности, была ультрамодифицированная GeForce GTX 1660 Ti, обеспечивающая около 28 МГц/с при 80 Вт. Он имеет 6 ГБ памяти GDDR6, пропускную способность 336 ГБ/с и тактовую частоту до 1560 МГц. ASIC (Application Specific Integrated Circuit) — это особый тип аппаратного обеспечения, используемого для майнинга биткойнов.Следует предложить еще пару процентов. САПФИР ПУЛЬС AMD Radeon™ RX 6700 XT. Пока это разочаровывает, и у меня может быть плохой образец. «В 4K: «Наконец, в 4K RX 6800 на 15% быстрее, чем RTX 3070, и на 10% медленнее, чем 6800 XT. Я использую 21,4 MH/s AMD Radeon RX 6800 XT Ethereum Overclock/Undervolt Settings (by MINING CHAMBER). 580, который у меня был, потреблял ~ 100 Вт на оверлей после пониженного напряжения. Исключением являются карты со значительно лучшим расположением фаз, такие как Дьявол или Стрикс.Фейсбук. Принимая во внимание, что изменения частоты ядра в основном бессмысленны с точки зрения прибыльности. 009S Карты на конец 3/2023. 2. Напряжение ядра: 710 мВ. 5. 8 ГГц, а максимум RX 6900 XT составляет 3. Обменный курс 1 BTC = 47456. Модификация этих графических процессоров может их испортить. 1 Максимальное разрешение: 7680 x 4320 DisplayPort: 2 x DisplayPort 1. Обязательно просмотрите наше видео об основах и преимуществах разгона, чтобы избежать ненужного ущерба и риска для вас. .Программное обеспечение Radeon™ представляет новые предустановки настройки производительности для выпуска видеокарт AMD Radeon RX 6800 и RX 6900. Radeon™ Anti-Lag. Похоже, вы также разогнали системные компоненты, что также может привести к сбою. Радеон VII, RX 5500, RX 5500 XT, RX 5600, RX5600 XT, RX 5700, RX 5700 XT, RX 6700 XT, RX 6800, RX 6800 XT. 1 день назад AMD Radeon RX 6800 XT История акций AMD Radeon RX 6800 XT справа. 20 дюймов х 5. RX 6800 XT вступит в борьбу как самая мощная видеокарта AMD на сегодняшний день, но будет удерживать эту позицию только до 8 декабря 2020 года, когда RX 6900 XT превзойдет ее, сделав еще несколько изменений.Test durchgeführt am 2021-03-24 21:07:05. 62 148 долларов. Общая мощность на 20-30 Вт выше, а это означает, что он скатывается вниз по списку где-то около RX 6800. Нужно получать эти бесплатные обновления, где вы можете. Запуск состоялся на выставке CES в январе 2020 года. Обязательно посмотрите наше видео об основах и преимуществах разгона, чтобы избежать ненужного ущерба и риска для вас. Трудно разрушить что-то экологически безопасно, но это возможно! Пожалуйста, не используйте ASIC мощностью более 280 Вт через RX 6800e и не более 330 Вт ASIC через RX 6800 XT.Hlavní test je Таким образом, я думаю, что на 200 фунтов больше, чем рекомендованная розничная цена. С этим графическим процессором необходимо снизить напряжение, чтобы получить более высокие баллы и увеличить тактовую частоту. Рекомендованный драйвер AMD (20. Обменный курс 1 BTC = 47171. $1140. У @Lzy есть ответ частично. Это оптимизированный майнер для графических процессоров AMD и Xilinx FPGA, созданный todxx и kerney666. Это означает, что ваш графический процессор может работать хуже или хуже. лучше, если вам повезет с аппаратным обеспечением.050 вольт на тактовой частоте по умолчанию, и это уменьшило его на несколько градусов, при этом в целом он стал холоднее и потреблял меньше энергии.Тактовая частота: GPU/память, тактовая частота Boost: до 2360 МГц/16 Гбит/с, игровая частота: до 2110 МГц/16 Гбит/с, базовая частота: 1925 МГц/16 Гбит/с Основные характеристики, 7-нм AMD Radeon™ RX 6800 XT Graphics, 16 ГБ 256 -bit GDDR6, архитектура AMD RDNA™ 2, аппаратная трассировка лучей, PCI® Express 4. ASIC может стоить от 600 до 1000 долларов, что делает майнинг биткойнов непривлекательным для всех, кроме профессионалов. Сравнение флагмана Nvidia предыдущего поколения, 2080 Ti, и 6800-XT показывает, что AMD теперь предлагает сопоставимую чистую производительность за полцены.Big Navi — RX 6900XT, RX 6800 (XT), RX 6700 (XT), RX6600XT — та же поддержка, что и для Navi. Реклама. Мне удалось поймать эталонный Saphire 6800, не совсем такой же, но я также применил OC, вот подробности, если кому-то интересно, приятно видеть все цифры: протестированный здесь RX 6800 поставляется с 62 CU или 3840 шейдерами и, таким образом, явно позади RX 6800 XT, чем можно было ожидать вначале. ROI. . Видеокарта GIGABYTE Radeon RX 6800 XT GAMING OC 16G, система охлаждения WINDFORCE 3X, 16 ГБ, 256-битная память GDDR6, видеокарта GV-R68XTGAMING OC-16GD, питание от AMD RDNA 2, HDMI 2.57 RX 6800 и RX 6800 XT теперь официально доступны для предварительного заказа. RX 6800 в среднем на 14% быстрее, чем 3070, и всего на 7% медленнее, чем RTX 3080. Пожалуйста, активируйте для продолжения. • Red Devil RX 590 имеет очень хорошую мощность и 2-вентиляторную систему охлаждения, которая работает очень тихо. Разгон майнинга Ethereum на Nvidia GeForce GTX 1060 (6GB), 1070, 1070Ti. Перейдите в Radeon Software > Настройка GPU и выберите Undervolt GPU. 85€ умгеречнет. а. На базе AMD Radeon™ RX 6800 XT.Radeon RX 6700 XT делает шаг вперед по сравнению с Big Navi, убирая жир и достигая 479 долларов (теоретически). В P3Dv5. Windows 10, teamred/Phoenix, amd 6800 xt полночь черный. Все 3 новые карты серии Radeon RX 6000 — Radeon RX 6900 XT (скоро), Radeon RX 6800 XT (обзор здесь) и Radeon RX 6800 (этот обзор) — имеют HDMI 2. Стартовая цена — 279 долларов. что сопоставимо с Nvidia GeForce GTX. Тактовые частоты 6 ГГц+ при скорости вращения вентилятора 100%. Доступность и фактическая розничная цена являются ключом к успеху, как и карта.Если вы чувствуете себя уверенно, вы можете вручную уменьшить напряжение ядра графического процессора больше, чем при автоматической настройке, выбрав «Вручную», а затем продвинувшись в разделе тактовой частоты ядра графического процессора. Radeon RX 580 был анонсирован в апреле 2017 года вместе с RX 570. Перейти к последним Следите за 1–10 из 10 сообщений. RX 5700 XT представляет собой большую часть процессора RX 5700 и превосходит его с 2560 Shadereinheiten и использует Boost-Takt для 1. Игровая видеокарта SAPPHIRE PULSE AMD Radeon™ RX 6800 Gaming с 16 ГБ GDDR6, AMD RDNA™ 2.Руководство по пониженному напряжению Rx 5700 Xt. сеть. 0, 256 бит. 284 Таге. Тактирование это немного больно с 1, 68 долларов США. При покупке видеокарты для майнинга важно выбрать карту с вентиляторами хорошего качества. Ekran kartına yük gidince oluyor. Сбивающей с толку вещью было всего 1075 мВ. 5 Sol/s Хешрейт майнинга Octopus: 13 MH/s Разгон Radeon RX 6800. Re: Новая RX 6800 очень впечатляет! Установка минимальной тактовой частоты графического процессора в пределах 100 МГц от максимальной предотвращает колебания частоты и скачки напряжения, которые могут вызвать случайную перезагрузку.-Настройки напряжения процессора, перенапряжение, пониженное напряжение, заблокировано, повышение настроек графического процессора, перенапряжение, пониженное напряжение, пониженная частота, полностью нагруженный (1440p 144hz высокие настройки), полностью ненапряженный (1080p 60 кадров в секунду, низкие настройки) Системные характеристики: R7 1700, R7 5800x Gigabyte AB350n, Asus B550-I Gskill 3000 МГц 16×2 Trident RGB, Gskill 3000 МГц 16×1 Ripjaws V На самом деле я не пытаюсь быть таким сварливым, как кажется. е. Это еще больше снизит температуру графического процессора. 6800 XT стоил 880 фунтов стерлингов, но был сделан предварительный заказ в то время, когда я пытался войти в учетную запись.DaggerHashimoto [ EtHash : (ETH) & (ETC) ] Хешрейт майнинга Ethereum: 64. 3) были ошибки для обработки часов на нашем 6800. 99 доставка + 9 долларов. Благодаря двойному BIOS вы можете работать еще тише, переключившись на «тихий» BIOS. AMD против Nvidia. Divi Wallet: новое поколение крипто-кошелька. При разрешении 1440p: «при разрешении 1440p границы начинают немного увеличиваться. Игровая видеокарта SAPPHIRE NITRO+ AMD Radeon™ RX 6700 XT с 12 ГБ GDDR6, AMD RDNA™ 2. Мой 6800 XT работает на тактовой частоте ядра 1500 при скорости вращения вентиляторов 1100 об/мин. (ссылка AMD), а мощность платы составляет 170–173 Вт.Оптимальный для RX 570 — около -dcri 19, оптимальный для серии RX 580 — около -dcri 25. RX 6600 XT: электростанция для майнинга Ethereum. 70–80°C будет примерно средней для нормальной температуры карты графического процессора при больших нагрузках, согласно всем обзорам, которые я читал о требованиях к температуре и мощности графических процессоров серии 6000 и которые позже были подтверждены агентом службы поддержки клиентов AMD. Я получаю твердые 63 с этим … Кроме того, lolMiner не делает рабочий стол Windows полностью бесполезным.Перейти к решению. ly/2UB7AlTWindows 10 ГЛАВНАЯ: https://bit. MSI Gaming Radeon RX 6800 XT 16 ГБ GDRR6 256-бит HDMI/DP 2285 МГц RDNA 2 Архитектура Видеокарта OC (RX 6800 XT Gaming X Trio 16G) Длина 4,5 дюйма, Radeon RX 6800 такая же длинная, как и ее более мощная старший брат, AMD RX 6800 XT. Игровые часы, до*. сеть/13644/RX570Safe2107. AMD FidelityFX. 11 34 доллара. Столкновение с разгоном: Red Devil RX 6900 XT против RTX 3090 Founders Edition (часть 3) Это столкновение с разгоном является окончательным продолжением двух обзоров Red Devil RX 6900 XT на прошлой неделе по сравнению с RTX 3090 Founders Edition (FE).6 — Новости Китко. Поддержка RX 6800 и RX 6800 XT находится в процессе. 0. Это с тактовой частотой 1250 МГц. Мы сделали полный обзор встроенной видеокарты AMD Radeon RX 6700 XT. Ядро МГц Абсолютное значение ядра Память МГц Абсолютное значение памяти Пониженное напряжение ядра Напряжение MVDD Напряжение памяти MVDDCI Напряжение контроллера памяти; 1250:1050:675:1300:800 Radeon RX 6900 XT выглядит идентично RX 6800 XT, за исключением этикетки продукта. Эффективная скорость 16 Гбит/с. 63 доллара в день. Этот параметр позволяет заархивировать 17500 баллов за графику в Timespy.Skill TridentZ Neo 16 ГБ 3600 МГц 16-16-16-36, Corsair h250i Pro, EVGA 850G3, Corsair Force MP600 1 ТБ, Seagate Barracuda 4 ТБ RX 6700 XT использует архитектуру RDNA второго поколения AMD, но вместо NAVI 21 Silicon, который является основой RX 6800, RX 6800 XT и RX 6900 XT. 1. Хешрейт майнинга AMD Radeon RX 6900 XT 16 ГБ; AMD Radeon RX 6800 и 6800 XT 16 ГБ хэшрейта для майнинга; Графические процессоры AMD Pro. 5 . AMD Radeon RX 6800 XT в истории запасов. 1 (с ActiveSky и ASCA) Я могу летать в облаках без каких-либо проблем. Ура… – Отправьте свои фотографии майнинговой установки в Discord, чтобы они были представлены в предстоящих эпизодах / прямых трансляциях сообщества! Мои НАДЕЖНЫЕ магазины оборудования для майнинга криптовалют: MineShop.Графическая карта SAPPHIRE PULSE AMD Radeon™ RX 6700 XT использует мощную технологию охлаждения Dual-X в сочетании с интеллектуальным управлением вентилятором, что позволяет поддерживать низкую температуру и низкий уровень шума вентилятора. 138,94€. Частота памяти: 1150 МГц. Совершенно очевидно, что RX 6800 XT и RX 6800 имеют немного более короткие и узкие печатные платы. Эти предустановки одним щелчком мыши регулируют уровни мощности карты для обеспечения необходимой производительности или энергосбережения. Мой ПК Начальная цена составляла 999 долларов. Я делал это, может быть, день, а также играл в зону боевых действий с шагом в 2 часа, в общей сложности 6 часов, и соединение достигло 110 даже с использованием часов по умолчанию.MSRP никогда) от Amd. Ограничение мощности: 140 Вт. 97 $ 247. rxboost — уникальный инструмент, доступный только в простом майнинге. com, это хорошая оценка того, что вы заработаете, но помните, что эти цифры всегда будут меняться! Используйте наши разгоны ниже, чтобы добиться идеальных результатов производительности и эффективности. 5b может заинтересовать тех из вас, кто пытается майнить с новейшими графическими процессорами AMD Radeon RX6800 и Radeon RX6900, поскольку он добавляет поддержку нативных ядер, повышая производительность. Ниже вы можете найти таблицу с наиболее распространенными и прибыльными видеокартами для майнинга.0-1. Ноябрь 2020 г. 09:20 Игорь Валлоссек Я сознательно выбрал Borderlands 3, потому что он довольно стервозный и чувствительный к попыткам разгона и андервольтинга и, следовательно, является довольно хорошим показателем возможной стабильности. Лучшее ПЗУ BIOS для Sapphire Nitro+ RX 580 8GB Special Edition Hynix Memory 31+ MH/s. Kryptex отслеживает хешрейт и количество доступных графических процессоров на рынке. Re: Температура соединения Msi Amd 6800xt. Простая установка, надежная сборка и стабильная производительность майнинга в Windows, Linux и hiveOS.Однако есть компромисс. О Undervolt Xt 5700 Rx Руководство. В декабре я собрал новый компьютер из деталей, купленных в BF. С моей предыдущей VEGA 56 я смог использовать MSI Afterburner (с измененным конфигурационным файлом, см. VDDC_Generic_Detection), чтобы снизить напряжение карты, и это было фантастически! Однако это исправление измененного файла конфигурации, похоже, не работает с RX 6800 XT.
|
Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г.,
браузер автоматически забудет файл cookie. Чтобы это исправить, установите правильное время и дату на своем компьютере.
Здесь мы представляем многообещающий способ изготовления массива конформных полевых транзисторов (FET) на основе монокристаллического массива микро/нанопроводов TIPS-пентацена, обработанного раствором. Просто нанеся органический раствор на антирастворитель, совместимый с фотолитографией, с копланарной конфигурацией нижнего контакта, можно сформировать матрицу транзисторов, которая может прилегать к неровным объектам. Продемонстрированы отличные электрические свойства с выходом устройства до 100%, подвижность полевого эффекта до 0,79 см 2 В -1 с -1 , низкое пороговое напряжение и хорошая однородность устройства.Результаты открывают возможности органических кристаллов, обработанных раствором, для конформной электроники, предполагая их существенные перспективы для носимой и имплантируемой электроники следующего поколения. 
Конформные устройства с хорошей гибкостью и эластичностью, которые обеспечивают интимное и неинвазивное прилегание к неровным поверхностям, продемонстрировали большой потенциал в электронике следующего поколения, такой как электронная кожа, мониторинг активности человека, личное здравоохранение и человеко-машинный интерфейс 1 – 6 .Предыдущая работа, основанная на геометрических конструкциях, таких как волнистые 7 , 8 и змеевидные структуры 9 , переносит устройства с жесткими островками на предварительно напряженные растягивающиеся подложки для придания совместимости с электроникой и представляет потенциал для множества носимых и имплантируемых приложений. Однако жесткая природа этих активных устройств имеет ограниченную плотность устройства, механическую прочность и широкую применимость 10 .Пока устройство в целом с достаточной прилегаемостью остается дефицитным 10 – 14 , потому что изготовление такого устройства строго требует новой конструкции геометрии устройства и соответствующего применения материалов, обладающих эластичностью и гибкостью, чтобы исключить деформацию.
появились морщины благодаря электростатическому прилипанию. Лишь недавно группа Бао добилась прорыва в изготовлении одного конформного органического транзистора с выдающейся способностью к растяжению и электрическими характеристиками путем последовательного переноса предварительно изготовленного диэлектрика затвора, полупроводниковой тонкой пленки и электрода истока/стока на эластичные подложки 10 , 11 .
Однако почти все описанные органические кристаллы, обработанные раствором, изготавливаются на жестких или гибких пластиковых подложках, что ограничивает их механическую прочность и широкую применимость. На сегодняшний день интеграция органических кристаллов, обработанных раствором, в конформные полевые транзисторы (ПТ) по-прежнему представляет собой огромную проблему из-за обычно существующего явления набухания эластичных материалов 23 и отсутствия соответствующего технология изготовления устройства.
В наших экспериментах было обнаружено, что набухание ПДМС происходило, когда органический раствор капали на поверхность ПДМС, что приводило к образованию лишь небольшого массива кристаллов (см. рисунок S1 , вспомогательная информация).Чтобы эффективно избежать явления набухания, в качестве диэлектрического слоя был выбран материал с защитой от растворителя, то есть поливиниловый спирт (ПВС), который обладает хорошими гибкими и пленкообразующими свойствами, демонстрируя превосходную прилегаемость к объектам различной формы, таким как стеклянная полусфера. и человеческий палец, как показано на рисунке S2 . Хорошо известно, что ПВС растворяется в воде и не растворяется почти во всех органических растворителях, таких как бензин, керосин, растительное масло, бензол, толуол, дихлорэтан, четыреххлористый углерод, ацетон, этилацетат, метанол, этиленгликоль и др.Таким образом, отвержденная пленка ПВА не вызывает растворения или набухания при погружении в раствор хлороформа (фильм S1 , вспомогательная информация).
Как схематически показано на рис. , когда капля раствора TIPS-пентацен/хлороформ была нанесена на предварительно изготовленный образец электрода из антирастворителя, испарение растворителя привело к образованию крупномасштабной монокристаллической матрицы полевых транзисторов TIPS-пентацена. . Следует отметить, что электрод был изготовлен методом фотолитографии.Поэтому, как показано на изображении оптической микроскопии на рис. , можно легко получить крупномасштабную матрицу транзисторов с разнообразными рисунками электродов. На рисунке четко представлены два типичных массива устройств с разными рисунками электродов на одной пластине. Выращенный массив микро/нанопроволок длиной от сотен микрометров до нескольких миллиметров может быть ориентирован распределенно по электродным рисункам. Они могут равномерно пересекать рисунки электродов без появления трещин. Чтобы понять природу выращенного массива микро/нанопроволок TIPS-пентацена, цвет массива микро/нанопроволок наблюдают под поляризационным оптическим микроскопом.
Как показано на рис. , цвет вдоль каждой микро/нанопроволоки однороден при фиксированном угле поляризации. Когда применяются разные углы поляризации, цвета массива микро/нанопроводов изменяются равномерно. Эти результаты указывают на монокристаллическую структуру отдельной микро/нанопроволоки и анизотропную кристаллическую природу ориентированных микро/нанопроволок, обусловленную молекулярной упаковкой 24 – 26 .
( d ) Поляризационная оптическая микроскопия массива микро/нанопроволок TIPS-пентацен на диэлектрике ПВА под углами 0°, 90°, 150°, что указывает на монокристаллическую природу ориентированного массива.( e ) Устройства могут хорошо соответствовать объектам различной формы, таким как стеклянная полусфера, монета и человеческий сустав. Трехмерные оптические микроскопические изображения ясно показывают отсутствие пузырей или складок на всей поверхности изогнутого массива устройств, прикрепленного к трехмерной стеклянной полусфере. 
Один край массива устройств инициирует контакт с поверхностью объекта, а затем сила Ван-дер-Ваальса вызывает постепенное смачивание массива устройств вдоль изогнутой поверхности без внешнего механического давления для установления контакта. Процесс штамповки является обратимым и неразрушающим, а массив устройств можно легко надевать и снимать, даже многократно переносить на различные объекты. Как показано на рис., наш массив устройств хорошо подходит для различных объектов, таких как небольшая стеклянная полусфера, неровная монета и человеческий сустав, что иллюстрирует многообещающий потенциал для связи, биологии, здравоохранения, вооруженных сил, и т. д. .На 3D-изображениях оптической микроскопии отчетливо видно отсутствие пузырьков или складок на всей поверхности изогнутого массива устройств на стеклянной полусфере радиусом 4,7 мм. Это подтверждает, что массив мягких устройств обеспечивает конформный контакт и адекватную адгезию на искривленной поверхности на основе взаимодействия Ван-дер-Ваальса, что хорошо отвечает требованиям электронных устройств следующего поколения.
Это дает простой способ исследовать корреляцию между ориентацией массива микро/нанопроволок и подвижностью под действием поля, как показано на рис. Здесь θ — угол между длинной осью массива микро/нанопроволок и краями контактов, которые определяют физическую ширину проводящего канала.Снижение подвижности наблюдается при уменьшении θ с 80° до 50°. Максимальная подвижность составляет 0,79 см 2 В -1 с -1 с длинной осью массива микро/нанопроволок почти параллельно проводящему каналу ( θ = 80°). Этот результат можно объяснить анизотропией кристалла. Как правило, кристаллы растут преимущественно в направлении наибольшей укладки молекул 27 . Таким образом, для одномерных микромолекулярных органических кристаллов, таких как микро/нанопроволоки или микро/нанопояса, их продольное направление обычно обладает наиболее сильным π-π-стекингом 28 – 31 .Когда матрица микро/нанопроволок выращивается на электроде истока/стока под определенным углом θ , носители переносятся в направлении кратчайшего расстояния между электродом истока и стока.
Когда θ = 90°, т. е. рост массива микро/нанопроволоки параллелен проводящему каналу, перенос носителей происходит в направлении длинной оси микро/нанопроволоки, где носители обладают самой сильной межмолекулярной связью, и, следовательно, устройство обладает наибольшей подвижностью в это направление.С уменьшением угла θ транспорт носителей постепенно отклоняется от направления наибольшей межмолекулярной связи, что приводит к уменьшению подвижности 28 , как показано на рис.