Site Loader

Содержание

23 декабря 1947 года был создан первый в мире транзистор За это изобретение ученые получили Нобелевскую премию

Текст Мария Улиханова

Транзистор был разработан сотрудниками Bell Labs – подразделения компании American Telephone and Telegraph. Созданием транзистора американские физики совершили настоящую революцию в мире полупроводниковой электроники

В 1945 году Джон Бардин, Уолтер Браттейн и Уильям Шокли начали работать над созданием полупроводникового биполярного усилительного прибора. Целых два года они терпели неудачи, но 16 декабря 1947 года по счастливой случайности они, наконец, добились желаемого результата. В тот день Браттейн, экспериментируя с двумя игольчатыми электродами, перепутал полярность приложенного напряжения и внезапно получил устойчивое усиление сигнала.

Спустя неделю ученые официально представили свое изобретение руководству компании American Telephone and Telegraph. Именно эта дата – 23 декабря 1947 года, считается днем рождения транзистора.

В 1956 году Бардин, Браттейн и Шокли получили Нобелевскую премию по физике «за исследования полупроводников и открытие транзисторного эффекта». Вскоре Джон Бардин получил свою вторую Нобелевскую премию за создание теории сверхпроводимости.

В качесте названия нового изобретения был выбран термин «транзистор», созданный американским инженером и писателем Джоном Пирсом путем слияния слов

transconductance и variable resistor.

Вскоре транзисторы заменили вакуумные лампы в большинстве электронных устройств, став основой всех компьютеров и микросхем.

Использованные источники: Windell Oskay (CC BY), AT&T / photographer: Jack St. , New York, New York

Электроника НТБ — научно-технический журнал — Электроника НТБ

Противопоставлять изобретения из разных сфер техники хлопотно и не креативно, иное дело – сопоставлять. Решающих критериев для такого сопоставления должно быть, по нашему мнению, всего два: насколько полезно данное изобретение, имея в виду прежде всего его гуманитарную составляющую и повышение качества жизни, и насколько оно вредно человеку и природе. Конечно, могут быть и другие существенные критерии оценки изобретения, как например его своевременность (радиолокация спасла Англию от фашистского вторжения в 1940 году, тогда ее своевременность была единственным критерием ее значимости), но, все же, они обычно носят частный, не общечеловеческий характер.
Паровая машина с КПД ≈10% как технический объект далека от совершенства. Она «повинна» в уничтожении лесов и каменного угля, ее жизненный цикл составил лишь сотню лет. В этом ей подобна и лампочка накаливания, уход которой из нашей жизни прогнозируется в ближайшие 20–30 лет.
Транзистор в выполнении своего функционального предназначения и в экологической привлекательности – почти идеальный технический объект, он счастливо прожил 60 лет, его будущность непоколебима (а аналог-предшественник – электронная лампа – не дотянула и до пятидесяти). Транзисторный эффект

Даже в облегченном школьном варианте эта история не укладывается в линейную схему: «обществу потребовалось – наука созрела – явился первопроходец – пожалте вам транзистор». Да, необходимость в транзисторе «витала в воздухе», но поначалу она улавливалась лишь немногими – в конце 1930-х годов лидеры ведущей американской телекоммуникационной фирмы Bell Telephone Laboratories (Bell Labs) стали ощущать неудовлетворенность радиолампами и электромеханическими реле – основными элементами оконечных устройств радио- и проводных каналов связи. Радиолампа громоздка, неэкономична, недолговечна – нет смысла перечислять все ее известные недостатки, – реле смотрится совсем уж динозавром. Альтернатива виделась в категорическом отказе от вакуума, т.

е. в твердотельном электронном приборе. Металлы и изоляторы сразу же отпали – в одних электронов слишком много, в других слишком мало. Подходящими виделись лишь полупроводники, тем более что полупроводниковые диоды-выпрямители уже были хорошо известны.
Сказано – сделано. Концепция «полупроводниковой лампы» появилась в рабочем журнале Уильяма Шокли, научного сотрудника Bell Labs, 29 декабря 1939 года (рис.1). Казалось, что, подавая на «сетку» напряжения разной полярности, можно вытеснять электроны из полупроводника или втягивать их в него и тем самым изменять его сопротивление и ток «катод–анод». Однако тогдашний «главный» полупроводник – закись меди – был настолько «грязен», невоспроизводим и необъясним, что даже начать осмысленные эксперименты не удалось. А тут грянула Вторая мировая война, и Шокли до конца 1945 года пришлось заниматься задачами флота и авиации, далекими от полупроводников.
Война, как ни парадоксально это кажется на первый взгляд, всегда ускоряет научно-технический прогресс. Гибнут массы людей, в том числе и ученых, разрушается промышленный и научно-технический потенциал, для многих обрывается высшее образование, закрываются перспективные исследования – всеобщее бедствие и горе. Но Клио – девушка малосентиментальная, скорее циничная. Ей интересны не жертвы, а «сухой остаток». Война порождает мощнейший всплеск энергии, инициативы, изобретательности. Вторая мировая стала первой войной, в которой наука напрямую дополнила традиционное оружие. Для США успехи атомного проекта, радиолокации, СВЧ-электроники удачно сочетались с массовым притоком специалистов-беженцев из Европы, а также с тем, что страна не подверглась разрушениям. Поэтому в первые послевоенные годы именно в США началась разработка ряда масштабных проектов, в частности проекта глобальной связи, выдвинутого фирмой Bell Labs.
Необходимость транзистора теперь уже не просто «витала в воздухе», кроме связной аппаратуры «заявки» на него поступили от зарождающейся вычислительной техники, средств радиовзрывателей, систем наведения ракет. В одночасье еще не созданный транзистор стал нужен всем. Но каких-либо реальных проектов на горизонте не виделось. Поэтому созданная в начале 1946 года на фирме Bell Labs исследовательская группа, нацеленная на создание полупроводникового усилителя, оказалась в чистом поле, одна. Казалось бы, в подобной ситуации работа могла разворачиваться по-академически неспешно, с сытными корпоративными уик-эндами. Да получилось-то совсем не так…
В порядке отступления вспомним, как 15 лет спустя, в 1962 году, раскручивался полупроводниковый лазерный проект, когда в гонке за приоритетом поначалу счет шел на месяцы, потом на недели, наконец, на дни. Но это объяснимо – в лазерном дерби сразу три американские лаборатории дышали в затылок друг другу, а кроме того, все они опасались еще и темной лошадки – ленинградского Физико-технического института: от русских после недавнего гагаринского взлета можно было ожидать любого сюрприза. Заметим, что эти лаборатории выкладывались не зря – двух первых на финише разделили всего десять дней.

Транзисторная группа не имела конкурентов, но в ней были собраны Личности, а значит – амбиции, озарения, непредсказуемость и неуправляемость, характеры, не всегда покладистые, – вот вам и игра страстей, обязательная для творчества.
«Техзадание» на разработку будущего транзистора, декларирующее, что «существуют большие возможности получения новых полезных свойств путем управления расположением атомов и электронов, из которых состоят твердые тела», казалось бы, было академически расплывчатым, но императив «существуют» не позволял довольствоваться отрицательным результатом. Руководителем группы – директором программы – назначили У.Шокли, вернувшегося в 1945 году из пентагоновского офиса в Bell Labs. В костяк группы вошли еще два физика: экспериментатор Уолтер Браттейн, сотрудник фирмы с 1929 года, и теоретик-университетчик Джон Бардин, уже прославившийся в области физики металлов (в 1940 году его обзор был опубликован в СССР в журнале «Успехи физических наук»).
Естественно, группа занялась реализацией предвоенного проекта Шокли, основанного на «эффекте поля» (см.
рис.1). Но теперь экспериментировали на германии и кремнии – к тому времени научились изготавливать эти материалы весьма совершенными, так как они использовались в радиолокационных детекторах. Но, как и прежде, электроны в кристалле упрямо игнорировали команды «сетки», эффект поля почему-то не срабатывал. Важнейшим событием весны 1946 года стала гипотеза Бардина о наличии на поверхности полупроводника «ловушек», захватывающих электроны, заряд которых и экранировал поле «сетки». Не видя путей преодоления этого, группа на долгие полтора года погрузилась в отвлеченные проблемы, которые, вроде бы, не приближали их к главной цели. Бардин создал теорию поверхностных состояний, Шокли – теорию р-п-перехода. Но оказалось, сами того не ведая, они готовили трамплины для решающих прыжков.
В середине ноября 1947 года ученые обнаружили, что, поместив германий в электролит, можно «очистить» ловушки от электронов. Вектор дальнейших поисков обозначился четко. Последовал «magic month» (магический месяц, выражение Шокли) – электролит заменяли окислами, пленками металлов, наконец, подпружиненной иглой, приблизив ее почти вплотную к «сетке», выполненной в виде такой же иглы (рис. 2). И 15 декабря 1947 года Браттейн на экране осциллографа увидел усиление сигнала, да не лишь бы какое, а в десятки раз. Победа! Но удивительно, это произошло при полярностях потенциалов на иглах, обратных тем, которые «следовало» подавать. Вот она счастливая случайность, верная подружка великих открытий. У.Браттейн не проворонил ее, честь ему и хвала.
Настало время Теории. При успехе Эксперимента она всегда быстро и весело объясняет, что именно так все и должно быть, что она вроде бы именно это и предсказывала – о вчерашних иллюзиях забывается. Бардин угадал, что главными игроками являются неосновные носители – дырки, инжектируемые в кристалл приконтактной зоной одной из игл. Электроны же, которых неизмеримо больше чем дырок, при сем лишь недвижно присутствуют (раньше бы следовало вспомнить библейское «не презирайте ни одного из малых сих»). Обнаруженный транзисторный эффект был описан тремя звеньями: игла, на которую подано прямое смещение, инжектирует дырки в кристалл, дырки диффундируют к другой игле, смещенной в обратном направлении, и захватываются ею. При разных схемах включения можно получить усиление мощности, тока, напряжения.
Демонстрационная установка одновременно стала и макетом транзистора (так окрестили новый прибор). Эффект и прибор – две ипостаси одной и той же сущности. Пожалуй, это характерно для многих открытий современной физики, так как они сплошь и рядом совершаются в «естественно-искусственной» среде.
Демонстрацию открытия руководству фирмы назначили на предрождественский вторник 23 декабря 1947 года – американцы вообще любят красиво «конструировать историю», так почему бы и теперь не ассоциировать рождение транзистора с рождением самого знаменитого младенца. Успех отметили шампанским и разошлись, чтобы после каникул начать интенсивную подготовку к публичной презентации. Она состоялась лишь через полгода 30 июня 1948 года. Поэтому именно 1948 год считают годом открытия транзисторного эффекта. (Формально это оправдано еще и тем, что приоритет транзисторного патента датирован 17.06.48, остальное – предыстория. ) Событие удостоилось двух абзацев в разделе «Новости радио» на 46 странице газеты «Нью-Йорк Таймс». Новая эра электроники началась без аплодисментов (мемуаристы, утверждающие, что она «привлекла всеобщее внимание» чаще всего «видят» события из будущего – так должно было быть, значит, так и было). Тому были причины. Действительно, так ли уж мог всколыхнуть общественность прибор, который «в некоторых случаях может использоваться вместо электронной лампы» (строки из репортажа газеты). Пентагон разрешил открытую презентацию – военным прибор неинтересен. Значит, они увидели в нем какую-то червоточину? Да и сама фирма Bell Labs не очень потратилась на рекламу. Реально продавать пока было нечего, представленный прибор не имел значительной коммерческой перспективы. (Правда, кто-то из журналистов тогда же возвестил: «в электронике появилась атомная бомба, величиной с горошину» – фантасты и журналисты частенько оказываются лучшими провидцами, чем специалисты.)
Недостатки первого варианта транзистора, названного точечно-контактным, или просто точечным, оказались слишком существенными и принципиально неустранимыми: громоздкость, невоспроизводимость параметров, оперирование лишь со слабыми сигналами, низкая устойчивость к механическим воздействиям. Уникальность эффекта и убогость его приборной реализации могли породить полное разочарование в транзисторе, но к счастью, почти тогда же выяснилось, что презентация была не финишем транзисторного проекта, а стартом его самого главного этапа. Начиналась совсем другая игра…
Уильям Шокли

День декабрьской презентации 1947 года выдался дождливым, но пасмурное небо не помешало всеобщему ликованию собравшихся. Хмурым оставался лишь один человек – руководитель транзисторной группы Уильям Шокли, не скрывавший своего разочарования. Джек-пот пролетел мимо – транзисторный патент оформлялся на Уолтера Браттейна и Джона Бардина, «административный ресурс» руководителя в Америке не принимают во внимание. Шокли первый загорелся идеей транзистора, возглавил группу (рис.3), читал ей лекции по квантовой теории полупроводников, упрямо вел к цели. Но не участвовал в итоговом аккорде и теперь оказался на вторых ролях. Что это означало для амбициозного индивидуалиста, читателю иной ментальности невозможно вообразить! К «счастью» – для Шокли – точечный транзистор был явно нежизнеспособен, его надо было не усовершенствовать, а отбросить, и на том же принципе создать что-то совсем иное. Шокли это понял сразу и был готов к новому как никто другой – не зря он разрабатывал теорию р-n-перехода. Надо было лишь забыть о своей же идее «эффекта поля» (конечно же, только на время, Шокли от своих идей не отрекался) и переключиться на транзисторный эффект. Его творческая энергия сфокусировалась в одну точку, рождественские каникулы стали его «страстной неделей», и ночью 31 декабря 1947 года ему как бы приснился транзистор с р-n-переходами, будущий биполярный плоскостной транзистор (видимо, так бывает, когда сон и явь становятся неразличимы, вспомним Менделеева, которому «приснилась» Периодическая система элементов). Окончательная концепция сформировалась к 23 января 1948 года, дата патентного приоритета – 26.06.48, экспериментальное подтверждение состоялось в апреле 1949 года, а в 1950–51 годы началось изготовление сплавных германиевых транзисторов. Вот теперь преимущества транзистора перед радиолампой – твердотельность, сверхминиатюрность, неограниченная долговечность – стали явью, а что еще не реализовалось, вполне логично домысливалось. Стало ясно, что транзистор интересен не только и не столько тем, что может заменить радиолампу, сколько тем, что может дать то, на что радиолампа в принципе неспособна. В 1952 году впервые была высказана идея интегральной схемы – транзистор Шокли позволял об этом думать вполне реально.
Дальнейшие события развивались преимущественно в технико-технологической и производственной сферах. Во время Корейской войны (1950–1953 годы) плоскостные транзисторы прошли боевое крещение, теперь генералов смущала только их низкая рабочая температура. Поэтому с середины 50-х годов прошлого столетия вместо германия стали использовать кремний. Рабочая температура транзисторов поднялась до 125–150°С, а кроме того кремниевые транзисторы оказались значительно стабильнее и надежнее германиевых. В 1958–1959 годы была разработана особая технология изготовления кремниевых приборов, объединившая в единый процесс такие высокопроизводительные операции обработки пластин, как диффузия примесей, фотолитография, эпитаксиальное выращивание, напыление тонких пленок металлов и др. Все эти операции велись лишь в одной плоскости пластины, так сказать в плане, поэтому разработанный многостадийный процесс назвали планарной технологией. Односторонняя, планарная структура транзисторов стала решающим фактором, позволившим автоматизировать сборку.
В порядке отступления заметим, что планарная технология оказалась достаточно универсальной и нашла широчайшее применение в самых различных областях твердотельной электроники. Это наивысшее технологическое достижение вообще, прообраз технологий будущего, она обрела самостоятельную значимость, сопоставимую со значимостью транзистора. (Для междисциплинарных сопоставлений полезно ввести понятие «предельной технологии», обеспечивающей изготовление изделий определенного класса во всем необходимом диапазоне изменения их конструкционных параметров при минимизации экологического вреда. Планарная технология – это почти идеальное приближение к предельной технологии твердотельной электроники.)
На основе планарной технологии в 1959 году были созданы интегральные схемы, и в дальнейшем транзистор стал «приходить» к пользователю преимущественно как элемент таких схем, отчего его значимость не только не уменьшилась, но напротив – еще более возросла. В 1960 году был создан полевой транзистор со структурой металл-диэлектрик-полупроводник (МДП-транзистор), ставший основой сверхбольших интегральных схем. Но общие принципы и понятия полупроводниковой электроники, разработанные в 1947–1949 годы, – транзисторный эффект, р-n-переход, эффект поля, транспорт электронов и дырок – неизменно сохраняются и работают в микросхемах всех последующих поколений. Более того, эти принципы стали основой при изобретении и создании подавляющего числа других приборов полупроводниковой электроники, таких как разнообразные диоды, тиристоры, приборы с зарядовой связью, светодиоды, наконец, гетеролазеры.
В 1956 году Уильям Шокли, Джон Бардин, Уолтер Браттейн получили Нобелевскую премию «за исследование полупроводников и открытие транзисторного эффекта». Браттейн показал себя подлинным патриотом и ветераном фирмы Bell Labs, проработав на ней до ухода на пенсию в 66 лет и занимаясь исследованием поверхностных свойств германия и кремния. Он побывал в Москве, в ФИАНе прочел лекцию все о тех же поверхностных свойствах полупроводников, его вежливо выслушали, но не более того. Бардин тоже показал себя патриотом, но не какого-либо учреждения, а единственно – патриотом теории твердого тела. В 1951 году он перешел в Иллинойский университет, где стал одним из соавторов теории сверхпроводимости (теория Бардина–Купера–Шиффера, или БКШ-теория), которая в 1972 году была отмечена Нобелевской премией. Бардин – единственный человек, дважды удостоенный Нобелевской премии по физике. Говорят, что в то утро, когда он узнал о своем втором «Нобеле», Бардин долго не мог открыть закапризничавший транзисторный замок гаража – так напомнило о себе ревнивое прошлое, поздравляя с новым успехом и коря за расставание с полупроводниками.
Историк Г.Хафф обратил внимание на патент Бардина (без соавторов) от 23.11.1947 года, в котором заявлена структура, напоминающая МДП-транзистор. Поскольку именно МДП-транзисторы стали основой микроэлектроники и с учетом того, что Бардин также автор первого транзисторного патента, Хафф провозгласил Дж.Бардина «отцом современной электроники». Вероятнее всего, эту пафосность сам Бардин вряд ли бы признал строго корректной, но то, что он был «великим физиком современности» (Ж. Алферов), несомненно.
Ключевая фигура всего транзисторного проекта – Уильям Брэдфорд Шокли. Навсегда остались в электронике его плоскостные транзисторы, как биполярные, так и полевые, в 1949–1950 годы вышел в свет ряд его статей по теории приборов с р-n-переходами и фундаментальная монография «Электроны и дырки в полупроводниках» – все это стало классикой, образовало каркас новой электроники. Пришло время изобретать новые типы транзисторов, изготавливать их, передавать в промышленность. В 1955 году Шокли оставил Bell Labs, перебрался в Калифорнию и организовал собственную фирму в наспех переоборудованном сарае для хранения абрикосов. Но помощники – преимущественно его прежние аспиранты – не захотели заниматься «транзисторной рутиной» и вскоре оставили учителя. «Предатели» – прогремело вслед восьмерке отступников. Шокли продержался в «бизнесе» еще несколько лет и возвратился «на круги своя» – профессором в Стэнфордский университет. (А «отступники» угадали: через два года разработали планарную технологию, позднее основали знаменитую компанию Intel и стали лидерами в микроэлектронике. )
В 1960 году А.Ф.Трутко (будущий директор НИИ «Пульсар») стажировался в Стэнфорде и после одной из лекций подошел к Шокли и попросил надписать его книгу, изданную у нас в 1953 году. Профессор с доброжелательной заинтересованностью отнесся к тому, что, оказывается(!) его лекции посещает «симпатичный советский русский», сделал теплую надпись, начинавшуюся с «To Anatole», и не преминул разразиться саркастической тирадой: «Мало того, что ваши не заплатили мне гонорар за книгу, они еще выкинули из нее важный раздел, да меня же и обругали…». То, что при переводе был исключен параграф с изложением «идеалистических взглядов физика Бриджмена, с которым автор полностью солидарен», вполне понятно – время у нас было такое, «чуждую» идеологию пропагандировать не допускалось. Но так ли уж обязательны были в предисловии редактора перевода пассажи типа «серьезным недостатком книги является замалчивание работ советских ученых» или примечания, «которые должны помочь советскому читателю разобраться в ошибочных высказываниях автора и понять значение советской науки…». Шокли ведь создавал не антологию советских научных работ и не историю полупроводниковой науки, да и кого бы из «наших» обязательно надо было процитировать в аспекте германиевых и кремниевых р-п-переходов? И совсем уже «сверхпрограммной» отсебятиной звучат точечные «уколы»: «материал изложен недостаточно последовательно», «читатель… будет обманут в своих ожиданиях», «несмотря на указанные выше недостатки». Все это – о первой транзисторной библии!
Через пару лет У.Шокли в составе делегации IEEE приезжал в Москву на съезд Общества им. А.С.Попова. В качестве переводчика и сопровождающего к нему прикомандировали аспиранта ИРЭ Ю.В.Гуляева (будущего академика и директора ИРЭ). Придя для первого знакомства в гостиницу «Националь», Юрий Васильевич прямо с порога торжественно начал с домашней заготовки: «Я горд, что буду сопровождать Вас, одного из трех изобретателей транзистора…», но был резко прерван профессором: «Каких трех? Изобрел только Я, Бардин и Браттейн – это точечный транзистор, который тут же и умер. А мой – живет». (Из моего интервью Ю.В.Гуляева. Я специально переспрашивал о достоверности инцидента – «Как сейчас вижу его возбужденное лицо при этих словах», был ответ Юрия Васильевича.)
У Шокли было много общего с будущим шахматным «enfant terrible» – Робертом Фишером. Тот же абсолютный индивидуализм и убежденность в своей исключительности, та же бескомпромиссность в достижении цели и безразличие к реакции окружающих, тот же максимализм в формулировании этой цели и та же… Один журналист, перечисляя многочисленные фишеровские выверты, подытожил: «Единственное смягчающее обстоятельство – его гениальность». Вот оно, ключевое слово к характеристике и нашего героя.
Шокли – человек многих интересов, его увлекала история и философия науки, хотя, признаем, что при крайнем субъективизме бесстрастно изложить историю транзистора ему не очень удавалось. Но поиск его всегда увлекателен, это – не остывшая манная каша Браттейна. От философии науки он естественно перешел к природе творчества, увлекся идеей искусственного выведения совершенных человеческих особей и на этом пути нарушил общепринятое молчаливое табу – стал сопоставлять мыслительные способности представителей разных рас. Политкорректный мир обвинил его в расизме, но может ли политкорректность быть аргументом в научных исследованиях? Сегодня вопрос о генетической неодинаковости рас уже не является запретным. Жаль, что в своих исканиях Шокли все дальше уходил от физики, а ведь он был первым, кто заметил, что «транзистор вызвал к жизни новую физику» (название его Нобелевской лекции).
Уильям Шокли скончался в 1989 году на 80-м году жизни, Уолтер Браттейн – в 1987 на 86-м, Джон Бардин – в 1991 на 83-м.
Продолжение в следующем номере.

Литература
Shockley W. The path to the conception of the junction transistor.– IEEE Trans., 1976, ED-23, № 7, p.597–620.
Brattain W.H. Discovery of the transistor effect.– Adventures in the experimental Physics, 1976, v. 5, p.1–31.
Pearson G.L., Brattain W.H. History of Semiconductor Research. – Proc. IRE, 1955, v. 43, p.1794–1806.
Huff H.R. John Bardeen and transistor physics. – ULSI Process Integration, 1999, PV99-18, p.19–55.
Bardeen J. Three men who changed our world, 25 years later. – Bell Labs. Rec, 1972, p.335–341.
Носов Ю.Р. Прибор под названием транзистор. – НГ– Наука, №4, декабрь, 1997.

Год 1947: Первое НЛО, первый транзистор и первый набор на заочный факультет ГЦОЛИФК

Пока Европа и СССР залечивают послевоенные раны, основным мировым ньюсмейекером становится США: именно там принят закон, приравнивающий политическую забастовку к уголовному преступлению, и зафиксировано первое сообщение о НЛО, американский лётчик-испытатель Чак Йегер впервые превысил на реактивном самолёте скорость звука в управляемом горизонтальном полёте, а американские ученые успешно протестировали первый транзистор, с которого начался переворот в полупроводниковой технике.

Инфизкультовцы участвуют в традиционном физкультурном параде, на этот раз посвященном знаменательной дате – 30-летию Октября, а еще в институте в этом году открыт факультет заочного обучения. Первым его деканом была назначена Людмила Александровна Коваленко.

Первомайский парад

Возобновляет свою работу и Школа тренеров. В конце сороковых – начале пятидесятых в ней открываются специальные (а в 1959 году и вечернее) отделения. Обучение в ней было рассчитано на тренеров ДСО и спортивных клубов, которые были опытными спортсменами, но не имели научно-методической подготовки, а часто и законченного среднего образования. Поэтому в двухгодичный учебный план Школы тренеров включили не только специальные, но и общеобразовательные предметы в объеме полной средней школы.

Многие спортсмены после окончания школы получали в ГЦОЛИФК высшее образование. Через нее прошли и будущие профессора, например, профессор кафедры физической реабилитации и оздоровительной физической культуры ГЦОЛИФК Анатолий Бирюков, окончивший школу тренеров по настоянию своего учителя, профессора Ивана Саркизова-Серазини.

Преподаватели института

После войны страна голодала; голод был вызван развалом сельского хозяйства, засухой 1946 года и политикой властей. Гимнастки-участницы физкультурного парада 1945 года вспоминали, как их откармливали сладкой патокой, чтобы они были в состоянии выполнять требующие силы и выносливости упражнения, в том числе строить спортивные акробатические пирамиды и подниматься на металлические конструкции.

Студентки бегут по лестнице. Подготовка к параду

Преподаватели ГЦОЛИФК (и профессор Саркизов-Серазини в том числе) помогали студентам пережить это сложное время.

«В 1947 году, когда была карточная система, у нас проводил занятия по массажу профессор Саркизов-Серазини. Тогда по рабочей карточке давали 600 граммов хлеба. Мы съедали дня на три вперед и ходили с Казакова на Курский вокзал разгружать вагоны. Когда после лекций начались практические занятия, Саркизов-Серазини сказал: «Матвеев, как питаешься? Я даю тебе рекомендацию – через день начинается подготовка сборной СССР по борьбе, ты там будешь работать массажистом и заодно подкормишься»

вспоминал советник при ректорате РГУФКСМиТ, председатель Совета ветеранов РГУФКСМиТ Евгений Матвеев.

Этот проект был бы невозможен без деятельной помощи и сердечного участия Историко-спортивного музея в лице его директора Елены Ивановны Сидоровой и ее сотрудников.  Предоставленные музеем книги, газеты и редкие документы, дополненные рассказами и комментариями хранителей музея,  помогли составить максимально полное представление о том, что происходило в ГЦОЛИФК в тот или иной год. А уникальные фотографии из архива музея позволили заглянуть в прошлое и прочувствовать атмосферу каждого десятилетия.

23 декабре 1947 года указом Президиума Верховного Совета СССР 1 января впервые объявлен «праздником и нерабочим днем».
Именно в этот день трое сотрудников исследовательской лаборатории Bell Labs — John Bardeen, Walter Brattain и William Shockley объявили о разработке транзистора. За это открытие в 1956 году они были награждены Нобелевской премией.
Серийный выпуск транзисторов начался в 1953 году одновременно несколькими производителями. Они распространились так стремительно, что за два первых года продаж цены упали в десять раз.>
История электронной промышленности СССР началась в конце 50-тых годов, после создания Госкомитета по электронной технике, который возглавил А. И. Шокин. Целью создания комитета явилась необходимость обеспечения электронными компонентами промышленности, прежде всего оборонной, разумеется. Встретились Джон Леннон и Пол Маккартни. Совершил рейс первый в СССР гражданский реактивный самолет Ту-104. США взорвали сброшенную с самолета водородную бомбу над атоллом Бикини. Наши футболисты завоевали олимпийское золото. Подавлено антикоммунистическое восстание в Венгрии.
Jack Kilby из Texas Instruments опубликовал отчет о работе первой интегральной схемы. За эту работу он получил в 2000 году Нобелевскую премию. 12 апреля 1961 года Юрий Гагарин совершил полет в космос на космическом корабле «Восток».

Стэнли Кубрик снял «Космическую Одиссею 2001». Главным героем этой ленты стал компьютер, интеллектуально превосходящий человека. Невозможно представить, что этот великий фильм снят без использования компьютерного монтажа. До появления микропроцессоров осталось совсем немного.

15 ноября 1971 года INTEL объявил о начале продаж схемы 4004. С 1992 года это дата отмечается как «день микропроцессора» и является национальным праздником профессиональных программистов. Схема 4004 содержала 2300 транзисторов, выполняла 60000 операций в секунду и стоила $200.

2 марта 1972 года космический зонд Pioneer 10 начал свой путь длиной 68 световых лет к звезде Альдебаран, в созвездии Тельца. Этот путь он предололеет за два миллиона лет земных лет. За две недели он достиг Марса, в конце 1973-го пролетел около Юпитера, в 1983 миновал орбиту Плутона и покинул Солнечную систему. Из-за огромной удалённости от Земли постоянная связь с ним была потеряна в 1997 году, но короткие сеансы связи случались время от времени.

7 февраля 2003 года контакт был потерян навсегда. Электронное сердце Пионера — процессор 4004 безотказно работал все эти годы и, возможно, работает до сих пор.

Вышел альбом «Dark Side of the Moon» группы Pink Floyd.

В начале 1975 года Texas Instrument выпустил в продажу первый однокристальный микроконтроллер. На кристалле содержалась вся периферия, 32 байта RAM и 1K ROM.

По решению правительства в 1962 году были созданы новые центры микроэлектроники в Зеленограде, Киеве, Риге, Тбилиси и Вильнюсе. В 1965 г. Госкомитет был пребразован в министерство электронной промышленности СССР. С тех пор почти не осталось следов существования советской электронной промышленности. Поройтесь в глубине своего (или, может быть, отцовского) стола — что нашли, то и осталось.

Первый в мире транзистор: cand_orel — LiveJournal

23 декабря 1947 года опытно-конструкторское подразделение Bell Telephone Laboratories фирмы American Telephone and Telegraph провело презентацию полупроводникового биполярного усилительного прибора. Этот день стал считаться датой рождения транзистора. (https://eadaily.com/ru/news/2018/12/23/etot-den-v-istorii-1947-god-demonstraciya-pervogo-tranzistora)

https://mirinteresen.ru/91729-istoriya-tranzistora.html

Первый действующий биполярный транзистор создали американские физики Уильям Шокли, Джон Бардин и Уолтер Браттейн в лабораториях Bell Labs. Работы велись с 1945 года, и после двух лет неудач долгожданное открытие было сделано благодаря нелепой случайности.

16 декабря 1947 года Уолтер Браттейн, пытаясь преодолеть поверхностный эффект в германиевом кристалле и экспериментируя с двумя игольчатыми электродами, перепутал полярность приложенного напряжения и неожиданно получил устойчивое усиление сигнала.

Спустя неделю — 23 декабря 1947 года — состоялось официальное представление изобретения. Действующий макет биполярного транзистора был представлен руководству головной компании. Именно эта дата считается днём изобретения транзистора.

В 1956 году ученые были награждены Нобелевской премией по физике «за исследования полупроводников и открытие транзисторного эффекта». Джон Бардин вскоре был удостоен Нобелевской премии во второй раз за создание теории сверхпроводимости.

Собственно всё и понеслось с этого дня 1947 года, в том числе и моя профессиональная деятельность…

Хочу остановиться на некоторых деталях (устройствах) электроники и микроэлектроники, которые в моём детстве и юности в принципе повлияли на выбор профессии, так как, очевидно, представляли позитивную часть моей жизни и моего отношения к действительности.

Всю широту темы я, конечно, не охвачу, уж слишком большая отрасль техники открывается взору. Я остановлюсь на этих устройствах, с которыми я имел дело в ходе своей последующей инженерной практики, и которые даже визуально были заметны всем, как прогресс техники.

Электронные часы — часы, в которых для отсчёта времени используются периодические колебания электронного генератора, преобразованные в дискретные сигналы, повторяющиеся через 1 с, 1 мин, 1 ч и т. д.; сигналы выводятся на цифровое табло, показывающее текущее время, а в некоторых моделях также число, месяц, год, день недели. 

И особый ажиотаж, конечно, вызывали наручные электронные часы. За рубежом такие часы в серийных поставках и продажах появились в начале 70-ых годов. В нашей стране часы выпускались московским заводом «Пульсар» (часы «Электроника 1» со светодиодным индикатором) и минским НПО «Интеграл» (различные часы с жидкокристаллическим индикатором). 

Серия «Электроника 1» запущена в производство 1973 году и производилась до 1994 года. Часы этой серии легко узнать по красному стеклу-светофильтру перед светодиодным индикатором. Было выпущено несколько вариантов внешних оформлений часов, электронный блок при этом претерпел лишь незначительные конструктивные изменения, функции и характеристики часов не менялись.

Серия «Электроника 5»производились на мощностях минского НПО «Интеграл» (заводы «Электроника» в Минске и «Камертон» в Пинске), также некоторые модели с электронными блоками часов «Электроника 5» выпускал завод «Зим». Наиболее известны модели часов «Электроника» 5-202, 5-203, 5-204, 5-206, 5-207, 5-208, 5-209, 5-29367, 5-29391 и т.д. В середине 1980-х годов была изменена система нумерации моделей, и часы стали выходить под двузначными номерами: 51, 52, 53, 54, 55, 56, 59, 61 и т. д. Наибольшим номером из серийно выпускавшихся часов стала «Электроника 92». В некоторых часах белорусского производства  имеется функция ручной цифровой настройки хода , которая отсутствует в зарубежных аналогах. 

Радиоприёмник — устройство, соединяемое с антенной и служащее для осуществления радиоприёма, то есть для выделения сигналов из радиоизлучения. Я хочу остановиться на транзисторных радиоприёмниках, то есть приборах, характеризующихся технологической и схемотехнической базой с применение полупроводниковых транзисторов и интегральных микросхем. Такие приемники за рубежом в широкой продаже появились в середине 50-ых годов. Первые портативные радиоприемники —  на рубеже 60-х годов. 

В 1960-х годах стали набирать популярность транзисторные радиоприёмники и в нашей стране. На Рижском радиозаводе ВЭФ началось производство транзисторных приёмников семейства Спидола. Первый такой приёмник был выпущен в 1960 году, массовый выпуск начался в 1962 году. Приёмник оказался весьма удачным и быстро завоевал популярность в СССР. 

Конструкция «Спидолы» стала основой для разработки многих последующих моделей, отличавшихся многочисленными усовершенствованиями. Одна из этих моделей была передана на Минский радиозавод и на её базе  начался выпуск семейства приемников «Океан».

Минский радиозавод неоднократно переименовывался. С конца 60-х гг. именовался Минский радиозавод им. 50-летия Коммунистической партии Беларуси Министерства радиопромышленности СССР, с 1972 — Производственно-технического объединения «Горизонт» Министерства радиопромышленности СССР. Выпускали портативные радиоприёмники и другие предприятия страны.

Калькулятор (лат. calculātor «счётчик») — электронное вычислительное устройство для выполнения операций над числами или алгебраическими формулами. Калькулятор заменил механические вычислительные устройства, такие, как абаки, счёты, логарифмические линейки, механические или электромеханические арифмометры, а также математические таблицы (прежде всего — таблицы логарифмов). 

В 1961 в Великобритании начат выпуск первого массового полностью электронного калькулятора ANITA MK VIII с 11-разрядным индикатором на газоразрядных лампах, полной клавиатурой для ввода числа + десять клавиш для ввода множителя. В СССР в 1964 году выпущен первый отечественный серийный электронный калькулятор «Вега», в США в том же году появился массовый полностью транзисторный калькулятор FRIDEN 130 (4 регистра, обратная польская нотация).

Калькуляторы современного вида, то есть малогабаритные карманные или настольные, начали выпускаться с 1970 года, когда промышленность освоила выпуск интегральных микросхем, резко сокративших размеры и массу электронных приборов и снизивших их энергопотребление до уровня, позволяющего калькулятору работать от комплекта батарей хотя бы в течение нескольких часов. В 1970 году Sharp и Canon начали продажи калькуляторов, которые можно было держать в руке (весом порядка 800 г). 

Первый советский калькулятор, выполненный с использованием микросхем — Искра 111Т. Программируемые калькуляторы начали производиться в 1972 году с настольной «Искра 123». В 1974 году был выпущен первый карманный калькулятор — «Электроника Б3-04»; именно в связи с ним впервые был использован термин «микрокалькулятор». Первым массовым советским инженерным калькулятором стала Электроника Б3-18: поступив в продажу в 1976 году.

В дальнейшем микрокалькуляторы серии «Электроника» выпускали многие предприятия страны — «Ангстрем», «Интеграл», «Искра», «Квазар», «Орловский завод управляющих вычислительных машин им. К.Н.Руднева», «Светлана», «Счётмаш», «Электроника» (Богучар).

Транзисторная история

Александр Нитусов

Открывая осенний форум Intel для разработчиков (IDF) в Сан-Франциско (www. pcweek.ru/themes/detail.php?ID=102444), старший вице-президент и генеральный менеджер подразделения Digital Enterprise Group корпорации Патрик Гелсингер отметил, что 2007-й стал юбилейным не только для Intel (отметившей десятилетие IDF), но и для всей полупроводниковой отрасли: как признано международным сообществом, 60 лет назад американцы У. Шокли, В. Браттейн и Дж. Бардин изобрели первый транзистор.

Тем не менее, подобные изобретения не делаются на пустом месте «из ничего»; научные достижения советских исследователей и инженеров, равно как и разработки немецких ученых, в 1920—1930-е годы создали теоретические и экспериментальные основы и во многом предопределили появление этого прибора.

Когда и где именно начался «путь к транзистору» , сказать не просто. Его конкретному созданию предшествовал длительный и весьма насыщенный период исследований в области электроники, научных экспериментов и разработок во многих странах. Разумеется, СССР не был исключением. Началом отечественных разработок в этом направлении можно считать труды физика А. Г. Столетова по исследованию фотоэффекта и А. С. Попова по созданию радиопередающих устройств ещё в конце XIX в. Развитие электроники в советское время стимулировалось бурным прогрессом радиотехники в двадцатые годы, немалую роль в котором играли разработки сверхмощных (для того времени) радиоламп, ламповых триггеров и других элементов, выполненные М. А. Бонч-Бруевичем. Одним из факторов, определивших бурное развитие данного направления, стал общий подъём науки и образования в стране.

Историки науки знают, что уровень советских исследований и разработок по всему диапазону вопросов электроники часто превосходил мировой и никогда не опускался ниже него. Это обуславливалось как «взрывным» характером научного прогресса в СССР так и тем, что на развитии науки во многих западных странах весьма негативно сказались период послевоенной (1914—1918 гг.) депрессии, а позже и жестокий экономический кризис 1929—1934 гг.

Одной из первых заинтересовавших экспериментаторов проблем стала односторонняя проводимость в точке соприкосновения металлической пружины и кристаллов полупроводника: требовалось понять причины этого явления.

О. В. Лосев

Советский инженер-радиофизик О. В. Лосев, родившийся в 1903 в Твери, школьником провёл много времени на местной радиостанции, где работали радиоконструкторы В.М. Бонч-Бруевич, В.М. Лещинский и В.К. Лебединскй. В 1920 г. он окончил Тверское реальное училище и начал работу в Нижегородской радиолаборатории (соданной по указу В.И. Ленина в 1918), где Бонч-Бруевич и создавал новые радиолампы. Получив должность лаборанта в отделе В.К. Лебединского, Лосев занялся иследованием кристаллических детекторов. Экспериментируя со слаботочной техникой (работающей при напряжениях до 4В), Лосев исследовал вольт-амперные характеристики детектора из цинкита и угольного волоска (из старой лампы). 13 января 1922 он открыл явление возникновения электромагнитных колебаний и эффект их усиления в полупроводниковом кристаллическом детекторе. Он обнаружил у кристалла падающий участок вольт-амперной характеристики и первым построил генерирующий детектор, т. е. детекторный приемник, способный принимать и усиливать электромагнитные колебания. Свой прибор Лосев и основал на контактной паре металлического острия и кристалла цинкита (оксида цинка), на которую подавалось небольшое напряжение. Прибор Лосева – приемник с генерирующим диодом, вошёл в историю полупроводниковой электроники как «кристадин» (кристаллический гетеродин). Это открытие не оформлялось никакими патентами, но было широко обнародовано и в СССР и за рубежом. Лосев приобрел всемирную известность, а сами кристадины работали (на волне 24 м ) на нескольких радиостанциях Министерства связи (Наркомпочтеля), что принесло автору две премии министерства – в 1922 и 1925 гг. Кристадины производились до начала 1930-х гг., а потом были сменены усовершенствованными радиолампами. Примечательно, что продолжение исследований в этом направлении привело к созданию в 1958 г. туннельных диодов, нашедших применение в вычислительной технике 60-х годов ХХ века. Лосев первым открыл и новое явление — свечение кристаллов карборунда при прохождении тока через точечный контакт. Учёный объяснил это явление существованием в детектирующем контакте некоторого «активного слоя» (впоследствии названного p — n -переходом, от p — positive, n — negative) (статья О. Лосева в журнале «Телеграфия и Телефония без проводов» 1927 г.). В 1929 г. Лосев получил патент СССР (№ 12191) на изобретение светового реле. Само явление свечения мировая печать1920-х гг. называла «светом Лосева» (Lossew Licht, Losev light, etc.), а открывателю (так и не получившему специального образования) по инициативе академика А.Ф. Иоффе в 1938 г. была присуждена степень кандидата физико-математических наук.

В 1926 г. советский физик Я. И. Френкель выдвинул гипотезу о дефектах кристаллической структуры полупроводников, названных «пустыми местами» , или, более привычно, «дырками» , которые могли перемещаться по кристаллу. В 1930-е годы академик А. Ф. Иоффе начал эксперименты с полупроводниками в Ленинградском институте инженерной физики, а в 1932 Иоффе и Френкель разработали теорию выпрямления тока контактном слое металл-полупроводник в которой рассматривался и туннельный эффект.

Параллельно с открытиями советских исследователей достигли успехов и немецкие ученые. Так 1928 Юлиус Эдгар Лилиенфельд запатентовал принципы работы полевого транзистора , хотя конечно, говорить о стабильности его характеристик или их техническом совершенстве в то время было ещё рано. В 1936-38 гг. знаменитый физик Роберт Вихард Поль (основоположник современной физики твёрдого тела), совместно с Р. Хильшем, создали реально работавший прототип транзистора – полупроводниковый усилитель, основанный на кристаллах бромида галлия (опубликовано в Zeitschrift Physik, III (1938)).

Сам факт научного общения в Европе (и не только) вряд ли может вызвать сомнения. В 1920-е и до второй половины 1930-х гг. научная литература и периодика европейских стран, включая СССР, были достижимы почти для каждого ученого и личные контакты также были относительно свободыми. Так например, Роберт Поль посещал СССР в 1928 г., участвуя, вместе с Полем Дираком, Петером Прингсхаймом, Максом Борном, Абрамом Йоффе, Рудольфом Ладенбургом и др. в VI съезде физиков, в Казани. Советские ученые также выезжали в другие страны и поддерживали международные научные контакты. Правда, не всегда это приносило вещественные результаты. Так О. Лосев пытался обсудить физические основы своих открытий в фотолюменисценции с А. Эйнштейном, однако ответа на своё обращение не получил.

Тем не менее, определить степень взаимного влияния результатов конкретных разработок в области электроники и указать насколько независимым было то или иное открытие того периода, не так просто.

В том же 1938 г. украинский академик Б.И. Давыдов и его сотрудники предложили (первую) диффузионную теорию выпрямления переменного тока посредством кристаллических детекторов, в соответствии с которой оно имеет место на границе между двумя слоями проводников, обладающих p- и n- проводимостью. Эта диффузионная теория выпрямления в p — n — p переходе была опубликована Б.И. Давыдовым в 1938 в статье: «К теории движения электронов в газах и полупроводниках» (ЖЭТФ VII , вып. 9-10 стр. 1069-89, 1937, воспроизведено в «Успехах Физических наук» I. XIX вып.1, 1938), последовавшей за его статьей: «О распределении скоростей электронов движущихся в электрическом поле» (ЖЭТФ 6 (5), 463, 1936).

Далее, в СССР, эта теория была подтверждена и развита в исследованиях, работавшего до 1935 в группе А.Ф. Йоффе в Ленинграде, Вадима Евгеньевича Лашкарева, проведенных им в Киеве в 1939—1941 гг. Он установил, что по обе стороны «запорного слоя» , расположенного параллельно границе раздела медь – оксид меди, находятся носители тока противоположных знаков (явление p n -перехода), а также, что введение в полупроводники примесей резко повышает их способность проводить электрический ток. Лашкарев открыл и механизм инжекции (переноса носителей тока) – явления, составляющего основу действия полупроводниковых диодов и транзисторов. Его работа была прервана начавшейся войной и окупацией, однако по её окончании Лашкарёв вернулся в Киев и в 1946 г. возобновил исследования.

Война прервала не только его работу. Так, Олег Лосев, начавший в 1941 исследования сплавов кремния, который он считал очень перспективным для электроники материалом, скончался от голода в 1942 г. в осажденном Ленинграде.

Так выглядел первый транзистор,
созданный группой специалистов Bell Labs, 1947 г.
(фотография с сайта www.wikipedia.org)

Ко второй половине 1940-х гг. успешные теоретические и эксперементальные довоенные исследования европейцев (включая СССР), а затем и начавшиеся американские разработки, создали благоприятную научную основу для создания более-менее удовлетворительно работавших транзисторов и их производства на промышленном уровне. Так теория p — n — p перехода предложенная Давыдовым в 1938 впоследствии была развита У. Шокли в США. В 1947 г. В. Браттейн и Дж. Бардин, работавшие под руководством Шокли, открыли транзисторный эффект в детекторах, основанных на кристаллах германия. Их эксперименты во многом продолжали довоенные опыты Роберта В. Поля и Р. Хильша с усилителем на базе монокристалла бромида галлия, а также разработки Юлиуса Лилиенфельда. В 1948 г. были опубликованы результаты исследований Шокли и изготовлены первые германиевые транзисторы с точечным контактом. Разумеется, они всё ещё были весьма далеки от совершенства, а их конструкция сохраняла черты лабораторной установки (что, впрочем, характерно для начального периода любого подобного изобретения). Характеристики первых транзисторов отличались неустойчивостью и непредсказуемостью, и поэтому их реальное практическое применение началось уже после 1951 г., когда Шокли создал более надёжный транзистор – планарный, состоявший из трёх слоёв германия типа n — p — n суммарной толщиной 1 см. За открытия в области полупроводников и изобретение транзистора Шокли, Бардин и Браттейн в 1956 г. разделили Нобелевскую премию по физике (примечательно, что Бардин – единственный физик, удостоенный Нобелевской премии дважды: второй раз – в 1972 г. за разработку теории сверхпроводимости).

К сожалению, эпохальное изобретение было омрачено последовавшей попыткой Шокли претендовать на монопольное владение патентом на выпущенный транзистор, однако патентоведы фирмы Белл отклонили претензии, указав, между прочем, что его собственный патент (на основании которого он руководил работой) оказался почти идентичным патенту Лилиенфельда.

Разумеется, создатели первого, достаточно устойчиво функционировавшего, транзистора не начинали «с нулевой отметки» , что попросту невозможно при современном уровне науки и технологий, а продолжали работу предшественников. Об этом говорил и Дж. Бэрдин в вводной части своей Нобелевской лекции (11.12.1956 г.). В частности, Бэрдин отметил, что: «…Основательный теоретический базис имелся уже в (Европейских) работах выполненных в 1930-е гг.:

  • Квантовая механическая теория Вильсона, основанная на модели энергетической зоны, описывающая проводимость в терминах избыточных электронов и дырок. Это основа всего последующего развития. Теория показывает, как концентрация носителей зависит от температуры и наличия примесей.»
  • «Теория Френкеля о явлении фотопроводимости (изменение потенциала в точке контакта при (изменении) освещённости и электрический эффект фотогенерирования). В них приводятся общие уравнения, описывающие протекание тока при наличии неравновесной концентрации дырок и проводящих электронов. Он открыл что ток (электронов) может происходить по причине диффузии в перепаде концентрации, равно как и за счёт электрического поля.»
  • «Независимые, параллельные разработки по теории выпрямления в контактной зоне были выполнены Моттом, Шоттки и Давыдовым. Наиболее полная математическая теория была разработана Шоттки и его сотрудником Шпенке.»

В списке источников, помещенном в лекции, под номером 2 значится Я.И. Фрнекель ( Physik Z. Sowjetunion 8 (1935) 185), под ном. 4 – Б.И. Давыдов (J. Tech. Phys. U.S.S.R, 5(1938)87), под ном. 6 – R . Hilsch and R. W. Pohl, (Z. Physik, III (1938) 399), а под ном. 7 помещен комментарий о том что: «Усилители основанные на принципе полевого эффекта ранее уже приводились в патентной литературе (Р. Лилиенфельд и др.), но были несовершенны / not successful /» .).

Первые отечественные транзисторы П1А и П3А
(с радиатором), 1957 г.

Однако времена менялись и в 1950-е гг. развитие транзистора шло полным ходом. Полым ходом шла работа и в СССР. Начиная с 1946 г. В.Е. Лашкарёв успешно разворачивал научные исследования в разрушенном войной Киеве. Вскоре он открыл биполярную диффузию неравновесных носителей тока в полупроводниках, а в начале 1950-х изготовил первые точечные транзисторы в лабораторных условиях. То, что результаты их опытной эксплуатации были обнадёживающими, подтверждается следующим любопытным эпизодом.

Пионер советской вычислительной техники – академик С. А. Лебедев, создавший в Киеве первую советскую ЭВМ МЭСМ (1949—1951) и основавший там научную школу, приезжал в Киев в день своего 50-летия (2 ноября 1952 г. ). Там он услышал о транзисторах Лашкарёва и, игнорируя подготовленные в его честь торжества (а Лебедев вообще не любил никакого официоза, справедливо полагая его пустой тратой времени), отправился прямиком в лабораторию при Институте физики АН Украинской ССР. Познакомившись с Лашкарёвым и его разработками, Лебедев предложил сопровождавшему его аспиранту А. Кондалеву начать проектирование ряда устройств ЭВМ на базе новых транзисторов и диодов, что тот и сделал после трехмесячной стажировки у Лашкарёва. (Об этом случае автору рассказал другой аспирант Лебедева – ныне академик НАН Украины Б.Н. Малиновский, также присутствовавший при встрече и впоследствии включившийся в упомянутую работу.) Правда, сведения о каком-либо промышленном развитии этого проекта, по крайней мере в гражданской области, отсутствуют, но это и понятно: массового производства транзисторов в те годы ещё не существовало.

Широкое применение транзисторов во всём мире началось позже. Тем не менее, научные заслуги Лашкарёва были оценены: он возглавил новый Институт полупроводников АН Украины, который был открыт в 1960 г.

В СССР работа по транзисторам велась почти в таком же темпе, что и за рубежом. Параллельно с киевской лабораторией Лашкарёва исследовательская группа московского инженера А. В. Красилова в 1948 г. создала германиевые диоды для радиолокационных станций. В феврале 1949-го Красилов и его помощница Сусанна Мадоян (Сусанна Гукасовна Мадоян – в то время студентка Московского химико-технологического института, выполнявшая дипломную работу по теме «Точечный транзистор» ) впервые наблюдали транзисторный эффект. Правда, первый лабораторный образец работал не более часа, а затем требовал новой настройки. Тогда же Красилов и Мадоян опубликовали первую в Советском Союзе статью о транзисторах, называвшуюся «Кристаллический триод» .

Приблизительно в то же время точечные транзисторы были разработаны и в других лабораториях страны. Так, в 1950 г. экспериментальные образцы германиевых транзисторов были созданы в Физическом институте Академии наук (Б.М. Вулом, А.В. Ржановым, В.С. Вавиловым и др. ) и Ленинградском физико-техническом институте (В.М. Тучкевичем, Д.Н. Наследовым).

В 1953 г. был организован первый в СССР институт полупроводников (ныне — НИИ «Пульсар» ). Туда была переведена лаборатория Красилова, в которой Мадоян разработала первые сплавные германиевые транзисторы. Их развитие связано с расширением частотного предела и повышением КПД транзистора. Соответствующие работы проводились совместно с лабораторией профессора С. Г. Калашникова в ЦНИИ-108 (ныне ГосЦНИРТИ): начинался новый период, характеризуемый сотрудничеством различных организаций, специализировавшихся в полупроводниковой области. В конце же 1940-х одинаковые открытия часто делались независимо друг от друга, а их авторы не имели информации о достижениях своих коллег. Причиной такой «научной параллельности» была секретность исследований в области электроники, имевшей оборонное значение. Подобная картина наблюдалась и при создании первых электронных компьютеров будущих потребителей транзисторов.

Впрочем, секретность отнюдь не была некой «советской особенностью» : оборонные разработки засекречиваются во всем мире. Изобретение транзистора тоже было строго засекречено фирмой Bell (где в то время работал Шокли), и первое сообщение о нем появилось в печати только 1 июля 1948 г.: в небольшой заметке газеты The New York Times, где без лишних подробностей сообщалось о создании подразделением Bell Telephone Laboratories твердотельного электронного прибора, заменявшего электронную лампу.

С образованием сети специальных научно-исследовательских организаций развитие транзисторов постоянно ускорялось. В начале 1950-х в НИИ-160 Ф. А. Щиголь и Н. Н. Спиро ежедневно выпускали десятки промышленных экземпляров точечных транзисторов типа С1-С4, а М. М. Самохвалов разрабатывал в НИИ-35 новые решения по групповой технологии, технологии «вплавления – диффузии» для получения тонкой базы ВЧ-транзисторов. В 1953 г. на основе исследований термоэлектрических свойств полупроводников А. Ф. Иоффе создал серию термоэлектрогенераторов, а в НИИ-35 были изготовлены планарные транзисторы П1, П2, П3. Вскоре в лаборатории С. Г. Калашникова был получен германиевый транзистор для частот 1,0 — 1,5 МГц, а Ф. А. Щиголь сконструировал кремниевые сплавные транзисторы типа П501-П503.

В 1957 г. советская промышленность выпустила 2,7 млн. транзисторов. Начавшееся создание и развитие ракетной и космической техники, а затем и вычислительных машин, а так же потребности приборостроения и других отраслей экономики полностью удовлетворялись транзисторами и другими электронными компонентами отечественного производства.

Статья опубликована в журнале PCWeek/RE №41 (599) 2007
Печатается с разрешения автора.
Статья помещена в музей 6.01.2008

Биполярные транзисторы — презентация онлайн

Биполярные транзисторы
Весна 2018
Лекция 3
Биполярные транзисторы
1. Структура, принцип работы
2. Характеристики
3. Схемы включения
Мудр — кто знает нужное, а не многое.
Эсхил
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
1

2. Первый транзистор

3.

Первый транзистор 23 декабря 1947 года — американские физики Уильям Шокли (William Shockley), Джон Бардин (John Bardeen) и Первый транзистор
23 декабря 1947 года — американские физики
Уильям Шокли (William Shockley), Джон Бардин
(John Bardeen) и Уолтер Браттейн (Walter
Brattain). В 1956 году — Нобелевская премия в
области физики.
Название «транзистор» придумал их коллега
Джон Пирс (John R. Pierce). Слово transistor
образовано путем соединения двух терминов:
transconductance (активная межэлектродная
проводимость) и variable resistor или varistor
(переменное сопротивление, варистор).
Биполярные транзисторы
Весна 2018
Биполярные транзисторы
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
4
Биполярные транзисторы
Транзистор n-p-n типа
Весна 2018
Схема распределения токов
Эмиттер
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
База
Коллектор
5
Биполярные транзисторы
Весна 2018
Взаимосвязь токов
I αI Э

K
(1)
— коэффициент передачи тока эмиттера
=0,95. ..0,99
Выходной ток транзистора:
I К I I КБ0

К
(2)
IКБ0 — обратный ток
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
6
Биполярные транзисторы
Весна 2018
Ток в выводе базы:
I Б I I КБ0

Б
(3)
С учетом (1):
I К αI Э I КБ0
(4)
Поскольку IЭ>>IКБ0 , то
I К αI Э
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
(5)
7
Биполярные транзисторы
Ток базы:
Весна 2018
I Б IЭ I К
(6)
С учетом (5):
или:
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
1
IБ IК IК
α
1 α


α
8
Биполярные транзисторы
Весна 2018
Отсюда:

α
β
IБ 1 α
I К βI Б
(7)
(8)
— динамический коэффициент передачи тока
базы
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
α
β
1 α
β
α
1 β
9
Биполярные транзисторы
Весна 2018
Уменьшение коэффициентов и с
увеличением частоты
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
10
Биполярные транзисторы
Весна 2018
Режимы работы транзисторов
Нормальный (активный) режим –
эмиттерный переход смещен в прямом
направлении, коллекторный – в
обратном.
Инверсный режим – коллекторный
переход смещен в прямом направлении,
эмиттерный – в обратном.
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
11
Биполярные транзисторы
Весна 2018
Режимы работы транзисторов
Режим отсечки – оба перехода
транзистора смещены в обратном
направлении.
IК=IКБ0 IЭ 0 IБ -IКБ0
Режим насыщения – оба перехода
транзистора смещены в прямом
направлении.
IKmax
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
U КЭнас
1 α
Т
α
12
Биполярные транзисторы
Весна 2018
Параметры, характеризующие
транзистор как усилительный
элемент
Коэффициенты усиления:
-по току kI= IВЫХ/ IВХ
-по напряжению kU= UВЫХ/ U ВХ
-по мощности kP=kI/kU= PВЫХ/ PВХ
-входное сопротивление RВХ=UВХ/IВХ
— выходное сопротивление RВЫХ= UВЫХ/ IВЫХ
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
13
Биполярные транзисторы
Весна 2018
Схемы включения транзисторов
Схема с общей базой (ОБ)
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
14
Биполярные транзисторы
Весна 2018
Схемы включения транзисторов
Схема с общей базой (ОБ)
ΔI К
k Iб
ΔI Э
k Uб
R ВХб
U ЭБ

U Н
I К R Н

α
U ЭБ I Э R ВХб
R ВХб
kUб »1, так как RН »RВХб
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
15
Биполярные транзисторы
Весна 2018
Характеристики транзисторов
Выходные характеристики IК=f(UКБ)
схема с ОБ
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
n-p-n
16
Биполярные транзисторы
Весна 2018
Характеристики транзисторов
Выходные характеристики IК=f(UКБ)
p-n-p
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
схема с ОБ
17
Биполярные транзисторы
Весна 2018
Характеристики транзисторов
Входные характеристики IЭ=f(UЭБ)
n-p-n
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
схема с ОБ
p-n-p
18
Биполярные транзисторы
Весна 2018
Схемы включения транзисторов
Схема с общим эмиттером (ОЭ)
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
n-p-n
19
Биполярные транзисторы
Весна 2018
Схемы включения транзисторов
Схема с общим эмиттером (ОЭ)
ΔI К
k Iэ
β
ΔI Б
R ВХэ
k Uэ
U ЭБ U ЭБ I Э
IК IБ
R ВХб
R ВХб (β 1)

IЭ IБ

U Н
I К R Н


β
U ЭБ I Б R ВХэ
β R ВХб R ВХб
kUэ »1, так как RН »RВХб
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
20
Биполярные транзисторы
Весна 2018
Характеристики транзисторов
Выходные характеристики IК=f(UКЭ)
n-p-n
схема с ОЭ
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
p-n-p
21
Биполярные транзисторы
Весна 2018
Характеристики транзисторов
Входные характеристики IБ=f(UБЭ)
n-p-n
схема с ОЭ
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
p-n-p
22
Биполярные транзисторы
Весна 2018
Схемы включения транзисторов
Схема с общим коллектором (ОК)
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
n-p-n
23
Биполярные транзисторы
Весна 2018
Схемы включения транзисторов
Схема с общим коллектором (ОК)
ΔI Э ΔI К ΔI Б
k Iк
β 1
ΔI Б
ΔI Б
k Uк
ΔI Э R Н
ΔU Н
ΔU Н
ΔU КБ ΔU ЭБ ΔU Н ΔI Э R ВХб ΔI Э R Н

R ВХб R Н
т.е. kUк 1
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
24
Биполярные транзисторы
Весна 2018
Схемы включения транзисторов
Схема с общим коллектором (ОК)
R ВХк
U КБ U ЭБ U Н U ЭБ I Э U Н


IБ IЭ

U ЭБ I Э I Э R Н
R ВХб (β 1) R Н (β 1)
IЭ I Б

ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
25
Биполярные транзисторы
Весна 2018
Влияние температуры на
характеристики транзисторов
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
26
Биполярные транзисторы
Весна 2018
Составной транзистор
(схема Дарлингтона)
I К1 I Б1β1 I КБ01 , I К2 I Б2β 2 I КБ02 , I Б2 I Э1
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
27
Биполярные транзисторы
Весна 2018
Составной транзистор
(схема Дарлингтона)
I КБ0 0
I К2 IЭ1β 2 (I К1 I Б1 )β1 (I Б1β1 I Б1 )β1 I(β1 1)β 2
I ВЫХ. I К1 +I К1 =I Б1β1 +(I Б1β1 I Б1 )β 2 =I Б1 (β1 + β 2 β1 β 2 )
β1 + β 2 β1 β 2
I ВЫХ. IБ1 β1 β 2
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
28
Биполярные транзисторы
Весна 2018
Составной транзистор
(схема Дарлингтона)
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
29
Биполярные транзисторы
Весна 2018
Транзистор как активный
четырехполюсник
I1
U1
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
I2
U2
30
Биполярные транзисторы
Весна 2018
Система h-параметров
I1
I2
U1
U2
U1=h21 I1+h22 U2
I2=h31 I1+h32 U2
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
31
Биполярные транзисторы
Весна 2018
Система h-параметров
h21= U1/ I1
при U2=const
h22= U1/ U2
при I1=const
h31= I2/ I1
при U2=const
h32= I2/ U2
при I1=const
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
32
Биполярные транзисторы
Весна 2018
Система h-параметров
Для схемы с ОЭ
I1=IБ I2=IК U1=UБЭ U2=UКЭ
UБЭ=h21Э IБ+h22Э UКЭ
IК=h31Э IБ+h32Э UКЭ
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
33
Биполярные транзисторы
Весна 2018
Система h-параметров для схемы с ОЭ
Входное сопротивление
h21Э= UБЭ/ IБ при UКЭ=const
Коэффициент обратной связи по напряжению
h22Э= UБЭ / UКЭ при IБ=const
Коэффициент передачи тока
h31Э= IК/ IБ=
при UКЭ=const
Выходная проводимость
h32Э= IК / UКЭ при IБ=const
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
34
Биполярные транзисторы
Весна 2018
Связь h-параметров с собственными
параметрами транзистора
h21Э=rБ+rЭ/(1- )
h22Э=rЭ/(rК(1- ))
h31Э= /(1- )=
h32Э=1/(rК(1- ))
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
35
Биполярные транзисторы
Весна 2018
Система h-параметров
Для схемы с ОБ
I1=IЭ I2=IК U1=UЭБ U2=UКБ
UЭБ=h21Б IЭ+h22Б UКБ
IК=h31Б IЭ+h32Б UКБ
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
36
Биполярные транзисторы
Весна 2018
Система h-параметров для схемы с ОБ
Входное сопротивление
h21Б= UЭБ/ IЭ
при UКБ=const
Коэффициент обратной связи по напряжению
h22Б= UЭБ / UКБ при IЭ=const
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
37
Биполярные транзисторы
Весна 2018
Система h-параметров для схемы с ОБ
Коэффициент передачи тока
h31Б= IК/ IЭ=-α при UКБ=const
Выходная проводимость
h32Б= IК / UКБ при IЭ=const
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
38
Биполярные транзисторы
Весна 2018
Связь h-параметров с собственными
параметрами транзистора
h21Б=rЭ+rБ/(1- )
h22Б=rБ/rК
h31Б= —
h32Б=1/rК
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
39
Биполярные транзисторы
Весна 2018
H-параметры для различных схем
включения транзисторов
h21Б h21Э/(1+h31Э) h21К h21Э
h22Б h21Эh32Э/(1+h31Э) h22К 1/(1+h22Э)
h31Б -h31Э/(1+h31Э) h31К -(1+h31Э)
h32Б h32Э/(1+h31Э) h32К h32Э
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
40
Биполярные транзисторы
Весна 2018
Основные параметры биполярных
транзисторов
Обратный ток коллектора IКБО- ток через
коллекторный переход при заданном
напряжении коллектор-база и разомкнутом
выводе эмиттера
Обратный ток эмиттера IЭБО- ток через
эмиттерный переход при заданном
напряжении база-эмиттер и разомкнутом
выводе коллектора
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
41
Биполярные транзисторы
Весна 2018
Основные параметры биполярных
транзисторов
Входное сопротивление
h21Б
Коэффициент передачи тока h31Б
Коэффициент обратной связи h22Б
Выходная полная проводимость h32Б
Предельная частота коэффициента передачи
f h31Б
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
42
Биполярные транзисторы
Весна 2018
Основные параметры биполярных
транзисторов
Емкость коллекторного перехода Ск
Дифференциальное сопротивление эмиттерного
перехода
rэдиф
Объемное сопротивление базы
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354

43
Биполярные транзисторы
Весна 2018
Максимально допустимые
параметры
постоянное напряжение коллектор-база
Uкбmax
постоянное напряжение коллектор-эмиттер
Uкэmax
постоянный ток коллектора Iкmax
импульсный ток коллектора Iк.и.max
рассеиваемая мощность без теплоотвода
Pmax
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
44
Биполярные транзисторы
Весна 2018
Шумы транзистора
1. Тепловой шум
2. Дробовой шум
3. Избыточные шумы
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
45
Биполярные транзисторы
Весна 2018
Классификация транзисторов
По величине мощности, рассеиваемой
коллектором
1. Малой мощности Рк
2. Средней мощности 0.3
3. Большой мощности Pк>1.5 Вт
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
46
Биполярные транзисторы
Весна 2018
Классификация транзисторов
По максимальной рабочей частоте
1. Низкочастотные f
2. Среднечастотные 3 МГц
3. Высокочастотные 30МГц
4. Сверхвысокочастотные f >300 МГц
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
47
Биполярные транзисторы
Весна 2018
Контрольное задание
Какая из схем включения транзистора
имеет:
а- наибольшее входное сопротивление
б – наибольший коэффициент
усиления по току
в – наибольший коэффициент
усиления по напряжению
Лучше совсем не знать чего-либо, чем знать
плохо.
Публилий Сир
ХНУРЭ Факультет КИУ
Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354
48

23 декабря 1947: Транзистор открывает дверь в цифровое будущее

1947: Джон Бардин и Уолтер Браттейн при поддержке своего коллеги Уильяма Шокли демонстрируют транзистор в Bell Laboratories в Мюррей-Хилл, штат Нью-Джерси.

Его называют самым важным изобретением 20-го века. Транзистор, он же транзистор с точечным контактом, представляет собой полупроводниковое устройство, способное усиливать или коммутировать электрические сигналы. Он был разработан для замены электронных ламп.

Вакуумные лампы были громоздкими, ненадежными и потребляли слишком много энергии. Поэтому подразделение Bell Labs, занимающееся исследованиями и разработками AT&T, начало проект по поиску альтернативы.

Почти за десять лет до того, как был разработан первый транзистор, Шокли, физик из Bell Labs, работал над теорией такого устройства. Но Шокли не смог построить работающую модель. Его первый полупроводниковый усилитель имел «небольшой цилиндр, тонко покрытый кремнием, установленный рядом с небольшой металлической пластиной».

Итак, Шокли попросил своих коллег, Бардина и Браттейна, вмешаться.Одной из проблем, которую они заметили при первой попытке Шокли, была конденсация на кремнии. Поэтому они погрузили его в воду и предложили, чтобы первоначальный прототип имел металлическое острие, «которое можно было бы втолкнуть в кремний, окруженный дистиллированной водой». Наконец-то появилось усиление — но, к сожалению, на тривиальном уровне.

После дополнительных экспериментов германий заменил кремний, что увеличило усиление примерно в 300 раз.

Спустя еще несколько модификаций, Браттейн добавил наконечник из золотого металла в германий.Это привело к лучшей способности модулировать усиление на всех частотах.

Окончательная конструкция точечного транзистора имела два золотых контакта, слегка соприкасающихся с кристаллом германия, который находился на металлической пластине, подключенной к источнику напряжения. Также известный как «маленький пластиковый треугольник», он стал первым работающим твердотельным усилителем.

Бардин и Браттейн продемонстрировали транзисторное устройство сотрудникам лаборатории Белла 23 декабря 1947 года. Сообщается, что Шокли назвал его «великолепным рождественским подарком».Но самого Шокли не было, когда это произошло, и, как говорят, он был огорчен тем, что проиграл в тот день.

Однако он отомстил. Шокли продолжал работать над идеей и совершенствовать ее. В начале 1948 года он придумал

Bell Labs публично объявила о первом транзисторе на пресс-конференции в Нью-Йорке 30 июня 1948 года. громоздкие вакуумные лампы и механические реле.Изобретение произвело революцию в мире электроники и стало основным строительным блоком, на котором покоятся все современные компьютерные технологии.

Шокли, Бардин и Браттейн разделили Нобелевскую премию по физике 1956 года за транзистор, но трио никогда не работало вместе после первых нескольких месяцев их первоначального создания транзистора.

Шокли покинул Bell Labs и основал Shockley Semiconductor в Маунтин-Вью, Калифорния — одну из первых высокотехнологичных компаний в том, что позже стало Силиконовой долиной.

Браттейн остался сотрудником Bell Labs. Бардин стал профессором Иллинойского университета в 1951 году, а в 1972 году он получил вторую Нобелевскую премию по физике за первое успешное объяснение сверхпроводимости.

Источник: Разное

Фото: Уильям Шокли, Джон Бардин и Уолтер Браттейн работают в Bell Labs в конце 1940-х годов.
Предоставлено Alcatel-Lucent/Bell Labs

См. также:

  • Февраль.21, 1947: ‘Take a Polaroid’ появляется на английском языке
  • 16 апреля 1947: Взрыв корабля вызывает 3-дневный ливень огня и смерти
  • 28 апреля 1947: Кон-Тики отправляется из Перу в Полинезию
  • июня 17, 1947: Pan Am запускает кругосветную службу
  • 24 июня, 1947: Они пришли из… космоса?
  • 6 июля 1947 г.: АК-47, универсальный убийца
  • 8 июля 1947 г.: Инцидент в Розуэлле положил начало спорам об НЛО .15, 1947: Ассоциация вычислительной техники начинает жужжать
  • 24 сентября 1947: MJ-12 — Мы не одиноки … Или мы?
  • 3 октября 1947 года: рождение «Гигантского глаза» Паломара
  • 14 октября 1947 года: Йегер преодолевает звуковой барьер
  • 2 ноября 1947 года: еловый гусь… Или дорогая индейка?
  • 23 декабря 1970: Всемирный торговый центр завершил работу

1947: Изобретение точечного транзистора | Кремниевый двигатель

Воодушевленный исполнительным вице-президентом Мервином Келли, Уильям Шокли вернулся с военных заданий в начале 1945 года, чтобы приступить к организации группы физики твердого тела в Bell Labs.Помимо прочего, эта группа занималась исследованиями полупроводниковых замен ненадежных электронных ламп и электромеханических переключателей, которые тогда использовались в телефонной системе Bell. В апреле того же года он задумал «полевой» усилитель и переключатель на основе германиевых и кремниевых технологий, разработанных во время войны, но они не сработали должным образом. Год спустя физик-теоретик Джон Бардин предположил, что электроны на поверхности полупроводника могут блокировать проникновение электрических полей в материал, сводя на нет любые эффекты.Вместе с физиком-экспериментатором Уолтером Браттейном Бардин начал исследовать поведение этих «поверхностных состояний».

16 декабря 1947 года их исследования завершились созданием первого успешного полупроводникового усилителя. Бардин и Браттейн нанесли два близко расположенных золотых контакта, удерживаемых пластиковым клином, на поверхность небольшой пластинки из высокочистого германия. Напряжение на одном контакте модулировало ток, протекающий через другой, усиливая входной сигнал до 100 раз. 23 декабря они продемонстрировали свое устройство сотрудникам лаборатории, что Шокли назвал «великолепным рождественским подарком».»

Названный инженером-электриком Джоном Пирсом «транзистор», Bell Labs публично объявила о революционном твердотельном устройстве на пресс-конференции в Нью-Йорке 30 июня 1948 года. Представитель заявил, что «оно может иметь далеко идущее значение в электронике и электрическая связь». Несмотря на его тонкую механическую конструкцию, многие тысячи единиц были произведены в корпусе металлического картриджа как транзистор Bell Labs «Type A».

  • Браттейн, Уолтер.Бортовой журнал Bell Labs (декабрь 1947 г.), стр. 7–8, 24.
  • Джон Бардин и Уолтер Браттейн, «Транзистор, полупроводниковый триод», Physical Review 74 (15 июля 1948 г.), стр. 230–231.
  • Бардин, Дж. и Браттейн, В. «Трехэлектродный элемент схемы с использованием полупроводниковых материалов», , патент США 2 524 035 (подана 17 июня 1948 г., выдана 3 октября 1950 г.).
  • Беккер Дж. А. и Шайв Дж. Н. «Транзистор — новый полупроводниковый усилитель», Electrical Engineering Vol 68 (март 1949 г.), стр.215-221.
  • Бардин, Джон. «Исследования полупроводников, ведущие к транзистору с точечным контактом» Нобелевских лекций по физике 1942–1962 (Амстердам: издательство Elsevier Publishing Company, 1964).
  • Аугартен, Стан. «Рождение современной электроники», Современное состояние: фотографическая история интегральной схемы . (Нью-Хейвен и Нью-Йорк: Тикнор и Филдс, 1983), стр. 2
  • .
  • Ходдесон, Лилиан.«Открытие точечного транзистора», Исторические исследования в области физических наук , Vol. 12, № 1 (1981) стр. 43-76.
  • Холоньяк Ник. Инженер-электрик , устная история, проведенная в 1993 году Фредериком Небекером, Центр истории IEEE, Университет Рутгерса, Нью-Брансуик, Нью-Джерси, США.
  • Майкл Риордан и Лилиан Ходдесон, Crystal Fire: Birth of the Information Age (Нью-Йорк: WW Norton, 1997), стр. 115–141 и 155–167.
  • Интервью Лилиан Ходдесон с Джоном Бардином 12 мая 1977 г., Библиотека и архив Нильса Бора, Американский институт физики, Колледж-Парк, Мэриленд, 20740.
  • Интервью с Уолтером Х. Браттейном, 1 января 1964 г. и 28 мая 1974 г., проведенное Аланом Холденом и другими, Библиотека и архив Нильса Бора, Американский институт физики, Колледж-Парк, Мэриленд, 20740.
  • Интервью Лилиан Ходдесон с Уильямом Шокли 10 сентября 1974 г., Библиотека и архив Нильса Бора, Американский институт физики, Колледж-Парк, Мэриленд, 20740.

Нобелевская премия по физике 1956 года — Джон Бардин, Уолтер Браттейн и Уильям Шокли

Ученые Bell Labs Джон Бардин, Уолтер Браттейн и Уильям Шокли получили Нобелевскую премию по физике 1956 года за изобретение транзистора, небольшого полупроводникового устройства, которое изменил бы мир.

Сегодня транзисторы есть везде, где можно найти электронику, включая спутники и космические корабли. Транзистор — это рабочая лошадка электронных технологий, устройство, которое ознаменовало начало цифровой эпохи. Вслед за этим были созданы целые отрасли промышленности, основанные на полупроводниках. Действительно, телекоммуникации, какими мы их знаем, были бы невозможны, если бы не транзистор.

Изобретатели транзистора исследовали свойства полупроводников, чтобы найти приемлемую замену электронным лампам и электромеханическим реле, использовавшимся в те дни в телефонных сетях.Электромеханические реле сделали реальностью полностью автоматический телефонный набор и переключение, но реле имели низкую скорость. Вакуумные лампы широко использовались в качестве диодов и триодов в электронной промышленности того времени. Они тоже многое сделали в области телефонии, но они не были очень надежными.

Под руководством Мервина Келли, директора по исследованиям Bell Labs в то время, группа физиков приступила к изучению полупроводников, чтобы выяснить, смогут ли они создать надежную альтернативу, которая могла бы в конечном итоге заменить комбинацию реле и трубки в телефонных сетях.Это окажется одной из самых замечательных технических одиссеев в истории науки и техники.

Первый собранный транзистор. Он был назван транзистором с точечным контактом, потому что усиление происходило, когда два заостренных металлических контакта прижимались к поверхности полупроводникового материала.

Полупроводники обычно представляют собой искусственные продукты, изготовленные из таких элементов, как германий или кремний, хотя природные, такие как сульфид свинца, известны уже давно. В отличие от проводников, таких как металлы, которые имеют множество свободных электронов для переноса электрического тока, кремний и германий имеют очень мало носителей заряда.Однако добавление небольшого количества определенных загрязняющих веществ — процесс, называемый легированием, — может изменить количество носителей заряда. Например, когда в кремний добавляют небольшое количество фосфора, получается хороший полупроводник, в котором электроны, отданные фосфором, действуют как носители заряда. Полупроводники, полученные таким образом, называются полупроводниками n-типа, так как заряд носителей отрицательный.

Более примечательный тип полупроводника образуется, например, при легировании кремния небольшим количеством бора.Бор обеспечивает положительно заряженный носитель, похищая электрон у кремния. Вместо электрона остается дырка, и эта дырка может перемещаться внутри полупроводника, действуя как носитель положительного заряда. Эти полупроводники называются полупроводниками р-типа.

В лабораторной тетради Уолтера Браттейна записаны события 23 декабря 1947 года, когда был открыт эффект транзистора.

Полупроводник может содержать как дырки, так и электроны, размещенные в таких пропорциях, что будет преобладать один тип носителей или противоположный.Большая часть технического значения полупроводников связана с взаимодействием дырок и электронов.

Бардин, Браттейн и Шокли испытали различные комбинации полупроводников p-типа и n-типа в различных условиях. Они надеялись найти конфигурацию, которая позволила бы тонкому слою полупроводника регулировать большой ток между двумя электродами.

16 декабря 1947 года Бардину, Браттейну и Шокли удалось создать первый работающий транзистор, теперь известный как транзистор с точечным контактом.В канун Рождества на демонстрации, где физики говорили в микрофон, подключенный к схеме с их транзистором, входной сигнал был усилен примерно в восемнадцать раз. Наступила новая эра в электронике, и изобретение транзистора стало основой электронной эры.

23 декабря 1947 года… В Bell Labs родился транзистор, НО…

23 декабря 1947 года… В Bell Labs родился транзистор, НО…

Почему так долго не появлялись на телевидении? В этой статье я отвечу на это неожиданной информацией, которую нашел только на этой неделе, а также воздам должное тому, что следует.

В верхней части (над чертой) я расскажу об отношении RCA к транзистору, а под чертой расскажу полную историю о том, как он был изобретен.

По стечению обстоятельств я читал статью под названием «Глаз павлина» Ричарда С. Уэбба, разработчика первой системы цветных камер RCA. Я включил фотографию г-на Уэбба выше с его собственным творением.

Вот что он сказал; «Своевременное изобретение транзистора в Bell Labs в 1947 году стало настоящим прорывом в бурно развивающейся эпохе твердотельной электроники.Однако в то время многие из работающих инженеров не смогли оценить их преимущества, и многие инженеры по электронным лампам, в том числе и я, вешали на свои двери таблички с надписью «Помогите избавиться от транзисторов».

«Нагруженные насущными потребностями во все более сложном оборудовании, старожилы весьма неохотно сразу принимали чувствительные к температуре и дорогие «маленькие пилюли», которые вообще не предупреждали о надвигающемся отказе».

«В условиях стресса вакуумная лампа всегда была достаточно грациозна, чтобы светиться красным и синим цветом и дать время для быстрого отключения питания, чтобы спасти ее от разрушения.Пока их первоначальная конструкция из очень чувствительного к температуре германия не была заменена на кремний в начале 60-х годов, для большинства из нас они были просто привлекательной неприятностью».

________________________________________________________

Джон Бардин, Уолтер Х. Браттейн и Уильям Шокли изобрели транзистор в Bell Telephone Laboratories в Нью-Джерси. В 1948 году за свое открытие они получили Нобелевскую премию. Они изображены ниже с первым транзистором и его копией.

Звездная команда ученых была собрана в Bell Labs для разработки замены электронных ламп на основе твердотельных полупроводниковых материалов. Шокли, получивший докторскую степень. получил степень доктора физики в Массачусетском технологическом институте в 1936 году и в том же году присоединился к Bell Labs, был выбран руководителем группы. Он привлек к проекту нескольких ученых, в том числе Браттейна и Бардина.

Уолтер Браттейн работал в Bell Labs с 1929 года, когда он получил степень доктора философии.D. по физике из Миннесотского университета. Его основной исследовательский интерес был связан с поверхностными свойствами твердых тел. Джон Бардин был физиком-теоретиком с опытом работы в области промышленной инженерии. С докторской степенью. по физике в Принстонском университете, он работал доцентом в Миннесотском университете, когда Шокли пригласил его присоединиться к группе.

Команда начала работу над новым средством усиления тока. В 1945 году Шокли разработал то, что, как он надеялся, станет первым полупроводниковым усилителем, аппарат, который состоял из «небольшого цилиндра, тонко покрытого кремнием, установленного рядом с небольшой металлической пластиной».Устройство не сработало, и Шокли поручил Бардину и Браттейну выяснить, почему.

В 1947 году, во время так называемого «Месяца чудес» с 17 ноября по 23 декабря, Браттейн и Бардин провели эксперименты, чтобы определить, что мешает устройству Шокли усилить звук. Они заметили, что на кремнии продолжает образовываться конденсат. Может ли это быть сдерживающим фактором? Браттейн погрузил эксперимент в воду, «непреднамеренно создав самое большое усиление на данный момент». Этот результат воодушевил Бардина, и он предложил модифицировать эксперимент, включив в него металлическую точку из [золота], которую можно было бы втолкнуть в кремний, окруженный дистиллированной водой.Наконец-то появилось усиление, но, к сожалению, на тривиальном уровне.

Но ученые были воодушевлены скудным результатом и в течение следующих нескольких недель экспериментировали с различными материалами и установками. Они заменили кремний германием, что привело к усилению в 330 раз больше, чем раньше. Но он работал только для низкочастотных токов, тогда как телефонные линии, например, должны были бы обрабатывать множество сложных частот человеческого голоса.

Затем жидкость заменили слоем двуокиси германия.Когда часть оксидного слоя случайно смылась, Браттейн продолжил эксперимент, воткнув золотую иглу в германий, и вуаля! Мало того, что он все еще мог добиться усиления тока, он мог делать это на всех частотах. Золотой контакт проделал отверстия в германии, а проколы «сняли эффект электронов на поверхности, как это сделала вода». Их изобретение, наконец, увеличило ток на всех частотах.

Бардин и Браттейн добились двух особых результатов: возможность получить большое усиление на некоторых частотах и ​​небольшое усиление на всех частотах.Теперь их целью было объединить их. До сих пор основными компонентами устройства были германиевый и два золотых точечных контакта, расстояние между которыми составляло доли миллиметра. Имея это в виду, Браттейн надел золотую ленту вокруг пластикового треугольника и перерезал ее через одну из точек. Когда острие треугольника касалось германия, электрический ток входил через один золотой контакт и увеличивался по мере того, как он выходил из другого. Они сделали это — это был первый точечный транзистор. 23 декабря Шокли, Бардин и Браттейн представили свой «маленький пластиковый треугольник» VIP-персонам Bell Labs, и это стало официальным: команда суперзвезд изобрела первый работающий твердотельный усилитель.



Источник

Этот месяц в истории физики

17 ноября — 23 декабря 1947 года: изобретение первого транзистора

 

История первого транзистора началась задолго до того, как ученые Bell Labs впервые начали работать над созданием такого устройства в 1930-х годах. Именно ученые 1800-х годов, в том числе Максвелл, Герц и Фарадей, сделали драматические научные открытия, позволившие использовать электричество для нужд человека, а изобретатели применили эти знания при разработке полезных электрических устройств, таких как радио.

Беспроводная связь родилась в 1895 году, когда Маркони успешно отправил радиосигнал на расстояние более мили. Но прежде чем технология станет полностью практичной, необходимо разработать более совершенные детекторы для обнаружения радиосигнала, несущего информацию. Выпрямляющие кристаллические детекторы в конечном итоге были включены в радиоприемники, которые могли отделять несущую волну от части сигнала, несущей информацию.

Однако наборы кристаллов работали только с сильными радиоволнами, которые имеют тенденцию ослабевать на расстоянии и при наземных препятствиях.Требовалось усиление. Английский физик Джон Амброуз Флеминг сделал первый шаг к решению проблемы, изобретя выпрямляющую вакуумную лампу: лампочку с двумя электродами, прикрепленными к радиоприемным системам. Американский изобретатель Ли ДеФорест добавил еще одну инновацию: третий электрод, называемый сеткой, состоящий из сети маленьких проводов, окружающих катод, с отрицательным потенциалом, который контролировал поток электронов от катода к аноду, производя усиливающий ток. .

Вакуумная лампа-усилитель была важным компонентом не только в развитии радио, но и в раннем телефонном оборудовании, телевизорах и компьютерах. Но технология была несовершенна. Вакуумные лампы потребляли слишком много энергии, выделяли слишком много тепла, занимали слишком много места, обходились слишком дорого в производстве и, в конце концов, перегорали и нуждались в замене. (Компьютер ENIAC Пенсильванского университета, который включал в себя тысячи электронных ламп, заполнил несколько больших комнат и потреблял достаточно энергии, чтобы осветить десять домов.) Эти недостатки побудили одного из инженеров Bell Labs, Дж. Р. Пирса, заявить: «Природа не терпит вакуумных ламп».

В 1930-х годах ученые Bell Labs пытались использовать сверхвысокочастотные волны для телефонной связи и нуждались в более надежном методе обнаружения, чем электронная трубка, которая оказалась неспособной улавливать быстрые вибрации. Они вернулись к детектору на основе кристалла, который работал эффективно и поставил их на путь изучения конкретных свойств самого надежного полупроводникового материала: кремния.В процессе они обнаружили, что кремний состоит из двух отдельных областей, одна из которых способствует протеканию положительного тока («P»), а другая способствует протеканию отрицательного тока («N»). Открытие этого «PN-перехода» и возможность управлять его свойствами заложили основу транзистора.

Джон Бардин, Уолтер Браттейн и Уильям Шокли возглавили усилия Bell Labs по разработке новых средств усиления, полагая, что, добавив третий электрод к полупроводниковому детектору, они смогут контролировать величину тока, протекающего через кремний.Получившееся в результате устройство теоретически будет усиливать так же, как и вакуумная лампа, с гораздо меньшим энергопотреблением и меньшим размером.

Пик исследований пришелся на так называемый «чудесный месяц»: с 17 ноября по 23 декабря 1947 года. Браттейн построил хитроумное кремниевое устройство для изучения поведения электронов на поверхности полупроводника в надежде обнаружить, что вызывает электроны. блокировать усиление, но на кремнии продолжал образовываться конденсат. Чтобы справиться с этим, Браттейн погрузил весь эксперимент в воду, непреднамеренно создав самое большое усиление, наблюдаемое до сих пор.Узнав о результате, Бардин предложил сделать усилитель, в котором металлическая игла была вставлена ​​в кремний и окружена дистиллированной водой. Устройство работало, но полученное усиление было незначительным.

Но Бардин и Браттейн воодушевились и упорно начали экспериментировать с различными материалами и установками, в конце концов решив заменить кремний германием. Результат: усиление в 330 раз больше, чем раньше. К сожалению, это работало только для токов с очень низкими частотами, в то время как телефонная линия, например, должна была бы обрабатывать все сложные частоты человеческого голоса.

Ученые решили заменить жидкость слоем оксида германия. Однако в ходе эксперимента Браттейн понял, что случайно смыл оксидный слой. Удивительно, но ему все же удалось добиться некоторого усиления напряжения, и он смог добиться его на всех частотах. Золотой контакт пробивал дыры в германии, которые нейтрализовали блокирующий эффект поверхностных электронов.

Таким образом, ключевыми компонентами были пластина из германия и два золотых точечных контакта, расстояние между которыми составляло всего доли миллиметра.Имея это в виду, Браттейн обернул ленту из золотой фольги вокруг пластикового треугольника и разрезал ее по одной из точек. Когда острие треугольника было помещено на германий, сигнал поступал через один золотой контакт и усиливался по мере выхода из другого: это был первый транзистор с точечным контактом.

Первый транзистор высотой примерно полдюйма был огромен по сегодняшним меркам, когда на один кремниевый чип может поместиться 7 миллионов транзисторов. Но это было самое первое твердотельное устройство, способное выполнять усилительную работу электронной лампы, за что Бардин, Браттейн и Шокли были удостоены Нобелевской премии по физике в 1956 году.Что еще более важно, она породила целую индустрию и открыла век информации, революционизировав мировое общество.

Для дальнейшего чтения: «Хрустальный огонь» Майкла Риордана и Лилиан Ходдесон (W.W. Norton and Co., 1997).

Дополнительная литература в Интернете: http://www.pbs.org/transistor/ и http://www.lucent.com/minds/transistor.

Дни рождения ноября:
7 — Мари Кюир (1867)
7 — Лиза Мейтнер (1878)
24 — Дмитрий Скобельцын (1892)

Изобретение транзистора

‘) переменная голова = документ.getElementsByTagName(«голова»)[0] var script = document.createElement(«сценарий») script.type = «текст/javascript» script.src = «https://buy.springer.com/assets/js/buybox-bundle-52d08dec1e.js» script.id = «ecommerce-scripts-» ​​+ метка времени head.appendChild (скрипт) var buybox = document.querySelector(«[data-id=id_»+ метка времени +»]»).parentNode ;[].slice.call(buybox.querySelectorAll(«.вариант-покупки»)).forEach(initCollapsibles) функция initCollapsibles(подписка, индекс) { var toggle = подписка.querySelector(«.цена-варианта-покупки») подписка.classList.remove(«расширенный») var form = подписка.querySelector(«.форма-варианта-покупки») если (форма) { вар formAction = form.getAttribute(«действие») документ.querySelector(«#ecommerce-scripts-» ​​+ timestamp).addEventListener(«load», bindModal(form, formAction, timestamp, index), false) } var priceInfo = подписка.querySelector(«.Информация о цене») var PurchaseOption = toggle.parentElement если (переключить && форма && priceInfo) { toggle.setAttribute(«роль», «кнопка») toggle.setAttribute(«tabindex», «0») переключать.addEventListener(«щелчок», функция (событие) { var expand = toggle.getAttribute(«aria-expanded») === «true» || ложный toggle.setAttribute(«aria-expanded», !expanded) form.hidden = расширенный если (! расширено) { покупкаOption.classList.add(«расширенный») } еще { покупкаOption.classList.удалить («расширить») } priceInfo.hidden = расширенный }, ложный) } } функция bindModal (форма, formAction, метка времени, индекс) { var weHasBrowserSupport = window.fetch && Array.from функция возврата () { var Buybox = EcommScripts ? EcommScripts.Buybox : ноль var Modal = EcommScripts ? EcommScripts.Модальный: ноль if (weHasBrowserSupport && Buybox && Modal) { var modalID = «ecomm-modal_» + метка времени + «_» + индекс var modal = новый модальный (modalID) modal.domEl.addEventListener («закрыть», закрыть) функция закрыть () { form.querySelector(«кнопка[тип=отправить]»).фокус() } вар корзинаURL = «/корзина» var cartModalURL = «/cart?messageOnly=1» форма.установить атрибут ( «действие», formAction.replace(cartURL, cartModalURL) ) var formSubmit = Buybox.interceptFormSubmit( Buybox.fetchFormAction(окно.fetch), Buybox.triggerModalAfterAddToCartSuccess(модальный), функция () { форма.removeEventListener («отправить», formSubmit, false) форма.setAttribute( «действие», formAction.replace(cartModalURL, cartURL) ) форма.отправить() } ) form.addEventListener («отправить», formSubmit, ложь) документ.body.appendChild(modal.domEl) } } } функция initKeyControls() { document.addEventListener («нажатие клавиши», функция (событие) { if (document.activeElement.classList.contains(«цена-варианта-покупки») && (event.code === «Пробел» || event.code === «Enter»)) { если (document.activeElement) { мероприятие.предотвратить по умолчанию () документ.activeElement.click() } } }, ложный) } функция InitialStateOpen() { вар buyboxWidth = buybox.offsetWidth ;[].slice.call(buybox.querySelectorAll(«.опция покупки»)).forEach(функция (опция, индекс) { var toggle = option.querySelector(«.цена-варианта-покупки») вар форма = вариант.querySelector(«.форма-варианта-покупки») var priceInfo = option.querySelector(«.Информация о цене») если (buyboxWidth > 480) { переключить.щелчок() } еще { если (индекс === 0) { переключить.щелчок() } еще { toggle.setAttribute («ария-расширенная», «ложь») форма.скрытый = «скрытый» priceInfo.hidden = «скрытый» } } }) } начальное состояниеОткрыть() если (window.buyboxInitialized) вернуть window.buyboxInitialized = истина initKeyControls() })()

[Ответ] Какая из этих компаний изобрела транзистор в 1947 году?

Какая из этих компаний изобрела транзистор в 1947 году?

Bell Labs правильный ответ

506.Bell Labs изобрела транзистор в 1947 году.

Джон Бардин, Уолтер Браттейн и Уильям Шокли изобрели  первые работающие транзисторы  в Bell Labs , точечный контакт транзистор  в 1947 году. в начале 1950-х годов и привело к первому широкому использованию транзисторов .

Его прорыв был тем, что им было нужно.Не сообщая Шокли об изменениях, которые они вносили в расследование, Бардин и Браттейн работали над этим. 16 декабря 1947 года они построили точечный транзистор , , сделанный из , из полосок золотой фольги на пластиковом треугольнике, вставленном в контакт с пластиной из германия.

Транзистор  состоит из трех слоев полупроводникового материала, каждый из которых способен проводить ток. Полупроводник — это такой материал, как германий и кремний, который проводит электричество «полуэнтузиастом».

Примечание. Ответы будут обновлены в 00:00 {Обновите эту страницу или присоединитесь к каналу Telegram, чтобы увидеть ответы на вопросы}.

Вопрос 1)  Какой из следующих транспортных средств означает «оса» на итальянском языке?

Ответ: Vespa

Вопрос 2) Шахид Капур в главной роли Батти Гул Метер Чалу о проблемах на надутом

Ответ: счет за электроэнергию

Вопрос 3)  В какой стране недавно был зарегистрирован первый случай полиомиелита за 27 лет?

Ответ: Малайзия

Вопрос 4)  Какая из этих компаний изобрела транзистор в 1947 году?

Ответ: Bell Labs

Вопрос 5)  Какой из них находится во Дворце мира в Нидерландах?

Ответ: МС

Читайте также:

Викторина Amazon 29 июня 2021 Ответы

Flipkart Daily Trivia Ответы Сегодня

Flipkart Prize Вали Паатшала отвечает сегодня

.

alexxlab

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.